KR20220153661A - 테스트 헤드용 접촉 프로브 - Google Patents

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KR20220153661A
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줴세페 크리파
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테크노프로브 에스.피.에이.
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Abstract

전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브는 접촉 팁 및 접촉 헤드(30A, 30B) 사이에서 길이 방향으로 필수적으로 연장되는 바디와, 적층된 하나 이상의 내부층 또는 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33)을 포함하는, 하나 이상의 다층 구조체(31)와, 상기 다층 구조체(31)를 완전히 덮고 상기 코어(32)를 형성하는 재료보다 높은 경도를 가지는 재료로 이루어진 외부 코팅층(35)을 포함하고, 상기 외부 코팅층(35)은 상기 코어(32) 및 상기 제1 내부 코팅층(33)을 포함하는 모서리부(34A, 34B)들도 덮는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브가 설명된다.

Description

테스트 헤드용 접촉 프로브 {CONTACT PROBE FOR TESTING HEAD}
본 발명은 테스트 헤드용 접촉 프로브에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 상에 집적된 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브에 특별히 한정되는 것은 아니며, 설명을 단순하게 하기 위한 목적으로서만 이러한 응용분야를 참조하여 이하에서 서술된다.
주지된 바와 같이, 테스트 헤드(프로브 헤드)는 기능적인 테스트 즉, 전기적인 하나, 또는 일반적으로 시험을 수행하는 테스트 기계의 대응되는 채널과의 전기적인 접촉을 하도록 특히 웨이퍼 상에 집적된 전자 디바이스와 같은 마이크로구조(microstructure)의 복수의 접촉 패드(contact pads)를 필수적으로 위치시키는 디바이스이다.
집적된 디바이스에서 수행된 테스트는 이제 제조 단계에서 결함있는 디바이스들을 검출하고 분리시키는 것을 허용한다. 그러므로, 헤드를 테스트하는 것은 칩을 포함하는 패키징 내부에서 자르고 조립하기 이전에 웨이퍼 상에 집적된 디바이스를 전기적으로 테스트하기 위해 사용된다.
테스트 헤드는 우수한 기계적 및 전기적 특성을 가지는 특별한 합금선으로 이루어지고 테스트 중인 복수의 접촉 패드에 대응되는 하나 이상의 접속부를 구비하는 통상 많은 수의 접촉 프로브들 또는 접속 구성요소들을 포함한다.
보통 "수직 프로브 헤드"라고 불리우는, 수직 프로브를 포함하는 테스트 헤드는 실질적으로 판-형상이고 서로 평행한 하나 이상의 복수의 플레이트 또는 가이드에 의해 지지되는 복수의 접촉 프로브를 필수적으로 포함한다. 그러한 가이드는 특정 홀을 구비하고, 서로 일정 거리만큼 이격되게 배치되어 접촉 프로브의 가능한 변형 및 이동을 위한 에어 갭 또는 자유 영역을 남기게 한다. 가이드 쌍들은, 접촉 프로브가 축 방향으로 슬라이딩되는 각각이 가이드 홀을 구비하는 상부 가이드 및 하부 가이드를 특히 포함하는데, 프로브는 보통 우수한 기계적 및 전기적 특성을 가지는 특별한 합금선으로 이루어진다.
테스트 중인 디바이스의 접촉 패드 및 접촉 프로브 사이의 우수한 접속은 접촉 프로브, 디바이스 자체의 테스트 헤드를 가압하는 것에 의해 보장되는데, 접촉 프로브는 상부 및 하부 가이드내에서 형성된 가이드 홀 내부에서 이동 가능하고 두 가이드들 사이의 에어 갭 내부에서 굽힘을 받고 가압 접촉 동안에 가이드 홀 내부에서 슬라이딩된다.
또한, 도 1에서 개략적으로 보여지는 바와 같이, 에어 갭 내에서 굽힘을 받는 접촉 프로브는 프로브 자체 또는 가이드들의 적절한 구성에 의해 도움을 받을 수 있는데, 도시의 단순화를 위해서, 테스트 헤드에 포함된 보수의 프로브들 중에서 단지 하나의 접촉 프로브가 소위 전환된 플레이트 유형의 테스트 헤드로서 보여진다.
특히, 도 1에서 적어도 하나에서 접촉 프로브(4)가 슬라이딩하는 각각의 상부 가이드 홀(2A) 및 하부 가이드 홀(3A)를 구비하는 하나 이상의 상부 플레이트 또는 가이드(2) 및 하부 플레이트 또는 가이드(3)를 포함하는 테스트 헤드(1)가 개략적으로 도시된다.
접촉 프로브(4)는 하나 이상의 접속 단 또는 팁(4A)을 구비한다. 이하에서, 용어 단 또는 팁은 단부를 의미하고, 반드시 날카로운 부분을 의미하는 것은 아니다. 특히, 접촉 팁(4A)은 테스트 중인 디바이스(5)의 접촉 패드(5A)에 인접하고, 디바이스 및 테스트 장치(미도시) 사이의 전기적 및 기계적 접속을 실현하는데, 테스트 헤드는 말단 구성(terminal element)을 형성한다.
어떤 경우에는, 접촉 프로브는 상부 가이드에서 헤드 자체에 고정되도록 결합되는데: 그런 경우에, 테스트 헤드는 막혀진-프로브 테스트 헤드(blocked-probe testing heads)라고 불리운다.
대안적으로, 테스트 헤드는 고정되도록 결합되지 않고 마이크로 접속 보드에 의해 보드에 인터페이스로 연결된(interfaced) 프로브를 구비하는데: 그러한 테스트 보드는 비차단 프로브 테스트 헤드(non-blocked probe testing heads)로 불리운다. 마이크로 접속 보드는 접촉 프로브 이외에도, 시험 중인 디바이스의 접촉 패드에 대해서 접촉 패드를 공간적으로 재분배하는(redistributing) 것을 허용하고, 특히 패드의 중심 사이에서 거리 구속조건을 완화하기 때문에 소위 "공간 트랜스포머(space transformer)"로 불리운다.
도 1에 도시되는 이 경우에, 접촉 프로브(4)는 공간 트랜스포머(6)의 복수의 접촉 패드(6A)를 향하는, 보통 접촉 헤드로 구체화되는 추가의 접촉 팁(4A)을 구비한다. 프로브 및 공간 트랜스포머 사이의 우수한 전기적 접속은 공간 트랜스포머(6)의 접촉 패드(6A)에 대하여 접촉 프로브(4)의 접촉 헤드(4B)를 가압하는 것에 의한 테스트 중인 디바이스와의 접속과 유사하게 보장된다.
전술한 바와 같이, 상부(2) 및 하부(3) 가이드는 에어 갭(7)에 의해 적절히 떨어지는데, 에어 갭(7)은 접촉 프로브(4)의 변형을 허용하고 접촉 팁 및 접촉 프로브(4)의 접촉 헤드가 테스트 중인 디바이스(5)의 접촉 패드 및 공간 트랜스포머(6)에 각각 접속하는 것을 보장한다. 명백히, 상부(2A) 및 하부(3A) 가이드 홀은 접촉 프로브(4)가 내부에서 슬라이딩을 허용할 수 있기 위한 크기로 되어야 한다.
사실, 테스트 헤드의 적절한 동작이 두 파라미터들: 접촉 프로브의 초과 이동 거리(overtravel) 또는 수직적 움직임(vertical movement) 및 그러한 프로브들의 접촉 팁의 스크럽(scrub) 또는 수평적 움직임(horizontal movement)에 필수적으로 결부되는 점은 기억되어야 한다.
그러므로, 프로브 및 테스트 중인 디바이스 사이의 우수한 전기 접속이 항상 보장되어야 하기 때문에, 이런 특징들은 테스트 헤드 제조 단계에서 평가 및 계산되어야 한다.
지지부로부터 돌출된 접촉 프로브를 구비하는 테스트 헤드를 구현하는 것은 또한 가능한데, 보통 세라믹 재료로 이루어지는, 그러한 프로브는 적절히 미리-변형되는 것이 가능하여서 테스트 중인 디바이스의 패드에 접속될 때 밀착되는 굽힘을 보장한다. 또한, 그러한 프로브들은 테스트 중인 디바이스의 패드에 접속될 때 추가로 굽힘을 받는다.
하지만, 특히 테스트 헤드가 동작되는 동안 그들이 변형될 때, 프로브의 패키징 밀도 증가는 프로브 자신들 사이에서의 접속 문제를 야기시킨다.
프로브의 적절한 방향(orientation)을 보장하기 위해, 특히 그들의 변형되는 단면(section)에 있어서, 비원형 단면(non-circular section), 특히 직사각형 단면을 갖는 접촉 프로브, 및 차례로 비원형, 특히 직사각형 단면을 갖는 각각의 가이드 홀을 구비하는 가이드를 갖는 테스트 헤드를 구현하는 것이 알려져 있는데, 테스트 헤드는, 테스트 중인 디바이스의 접촉 패드와의 접속하고 그 결과로 인한 추가적인 변형 동안에 접촉 프로브가 위치를 유지하게 한다.
공간 트랜스포머 및 테스트 중인 디바이스의 접촉 패드와의 적절한 접속을 보장하기 위해서, 다층 구조에 의해 접촉 프로브를 구현하고 탄성적으로 변형되는 가능성 이외에도 그들의 좋은 동작에 필수적인 다른 특징들 특히, 그들의 기계적인 힘 및 전기적인 전도성을 최적화를 가능하게 하는 것이 또한 알려져 있다.
더욱 구체적으로, 그러한 다층 프로브는 보통 다층 메탈 층으로부터 만들어지는데, 접촉 프로브는 특히 레이저 커팅에 의해 쉽게 잘려진다.
종래 기술에 의하여 만들어진 다층 프로브는 전체 프로브의 전기적 및 경도 특성을 향상시키기 위한 하나 이상의 층으로 코팅된 코어 또는 중앙층을 포함한다.
예를 들면, 도 1에서 도시된 평면 α를 절단한 도 2a의 단면도 A-A에서 도시되는 바와 같이, 다층 프로브(20)는 일예로 텅스텐(W)으로 이루어진 코어(21)를 포함한다.
바람직하게는, 코어(21)는 특히 예를 들면 금(Au)으로 이루어진 고 전도층인 제1층(22), 및 특히 예를 들면 로듐(Rd)으로 이루어진 고 경도층인 제2층(23)에 의해 덮여지는데, 제1 및 제2층은 코어(21)의 반대 측부에 배치된다.
특히, 다층 프로브(20)는 예를 들면 도 2a의 구역 부호 시스템에서 코어(21)의 상측인 코어(21)의 제1측부(21A)에 있는 제1층(22)의 제1부분(22A)을 포함한다. 제2층(23)의 제1부분(23A)에 의해 덮여지는 제1층(22)의 제1부분(22A)은 항상 코어(21)의 제1측부(21A)에 놓여진다. 도면의 예에서, 제1층(22)의 제1부분(22A)은 코어(21)의 제1측부(21A)에서 바로 접촉하며, 제2층(23)의 제1부분(23A)은 제1층(22)의 제1부분(22A)에 접촉한다.
유사하게, 다층 프로브(20)는 도 2a의 구역 부호 시스템에서 일 예로 코어(21)의 하측인 코어(21)의 제2측부(21B)에 있는 제1층(22)의 제2부분(22B)을 포함한다. 제2층(23)의 제2부분(23B)에 의해 덮여지는 제1층(22)의 제2부분(22B)은 항상 코어(21)의 제2측부(21B)에 놓여진다. 도면의 예에서, 제1층(22)의 제2부분(22B)은 코어(21)와 제2측부(21B)에 바로 접촉하며, 제2층(23)의 제2부분(23B)은 제1층(22)의 제2부분(22B)에 접촉한다.
도 2b에 도시되는 다른 실시예에 의하면, 다층 프로브는 코어(21)에 제1층(22)의 접착을 용이하게 하기 위해 코어(21) 및 제1층(22)의 부분들(22A, 22B) 사이에 배치되는 각각의 접착 필름(24A, 24B)을 더 포함한다.
두 실시예들에서, 다층 프로브(20)는 그러한 다층 프로브(20)의 프로파일에서 각각의 모서리부(25A, 25B)를 구비하는데, 코어(21)는 주위에 노출된다. 그런 모서리부(25A, 25B)에서, 제1층(22) 특히, 그 부분들(22A, 22B)이 또한 노출되고, 접착 필름(24A, 24B)은 충분한 경도 및/또는 부식 강도(corrosion strength)를 제공하지 않는 재료로 이루어지는 그러한 층인 것 또한 가능하다.
그러므로, 다층 프로브(20)에서 코어(21), 제1층(22) 및 접착 필름(24A, 24B)의 노출된 영역은 부식 문제를 야기한다. 또한, 수직 프로브 헤드의 경우, 만약 그러한 구성요소들이 상대적으로 무른 재질(relatively soft material)로 만들어진다면, 상부 및 하부 가이드의 가이드 홀 내부에서 다층 프로브(20)가 슬라이딩되는 문제들이 발생할 수 있다.
본 발명의 기술적인 과제는 습기 또는 부식 환경에서 테스트 동작의 경우에 테스트 중인 디바이스의 접촉 패드와의 우수한 전기 및 기계적 접촉을 보장하는 접촉 프로브를 제공하는 것이고, 동시에 수직적 프로브 구성에서 막혀지거나 손상을 입은(being damaged or stuck) 프로브, 특히, 다층 금속 시트의 레이저 커팅에 의해 구현된 프로브의 문제들을 피하는 것인데, 이로 인해 종래 기술에 의한 테스트 헤드에 현재 영향을 미치는 제약 및 결함을 극복할 수 있다.
본 발명의 원리에서 해결사상은 고 경도 및 부식 강도를 가지는 금속 재료 층을 가지는 다층으로부터 얻어진 접촉 프로브를 완전히 덮는 것이다.
해결사상에 기초하여, 기술적 과제는 접촉 팁 및 접촉 헤드 사이에서 길이 방향으로 필수적으로 연장된 바디를 포함하는 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브에 의해 해결되는데, 접촉 프로브는 적층된 하나 이상의 내부층 또는 코어 및 제1 내부 코팅층을 차례대로 포함하는 하나 이상의 다층 구조체와, 상기 다층 구조체를 완전히 덮고 상기 코어를 형성하는 재료보다 높은 경도를 가지는 재료로 이루어진 외부 코팅층을 포함하고, 외부 코팅층은 상기 코어 및 상기 제1 내부 코팅층을 포함하는 모서리부들도 덮는다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 이하의 추가적이고 선택적인 특징들을 포함하는데, 이는 필요하다면 개별적으로 또는 결합하여서 취해질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 제1 내부 코팅층은 상기 코어의 제1 측부 및 제2 반대 측부에 각각 배치되는 제1부분 및 제2부분을 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 상기 코어는 제1 전도성 재료로 형성되고 상기 제1 내부 코팅층은 상기 제1 전도성 재료 보다 높은 전기 및 열 전도율의 값을 가지는 제2 전도성 재료로 형성된다.
또한, 상기 코어는 비전도성 재료로 이루어질 수 있고 상기 제1 내부 코팅층은 높은 전기 및 열 전도율을 가지는 제2 전도성 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 다층 구조체는 상기 제1 내부 코팅층을 덮는 제2 내부 코팅층을 더 포함할 수 있다.
특히, 제2 내부 코팅층은 제1측부에서의 제1내부 코팅층 및 코어의 제2 반대 측부의 제1부분 및 제2부분을 각각 덮는 제1부분 및 제2부분을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 상기 다층 구조체는 상기 코어 및 상기 제1 내부 코팅층 사이에 배치되고 상기 코어 상의 상기 제1 내부 코팅층의 접착을 촉진하도록 적합화된 재료로 이루어지는 접착 필름을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 접촉 프로브는 상기 다층 구조체를 완전히 둘러싸고 상기 다층 구조체 및 상기 외부 코팅층 사이에 끼워진 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 다층 구조체는 하나가 다른 하나 위에 교대로 배치되고 상기 코어로부터 어떠한 번호로 시작하도록 배치되는 복수의 제1 내부 코팅층 및 제2 내부 코팅층을 또한 포함할 수 있다.
특히, 상기 다층 구조체는 상기 코어 및 제1 내부 코팅층 사이에 배치되고 제2 내부 코팅층 및 추가의 제1 내부 코팅층 사이에 배치되는 하나 이상의 접착 필름을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 코어는 니켈, 텅스텐, 코발트, 발라듐 또는 그들의 합금, 일예로 니켈-망간, 니켈-코발트, 니켈-팔라듐 또는 니켈-텅스텐 합금 중에 선택되는 제1 전도성 재료로 이루어지는데, 바람직하게는 니켈-텅스텐 또는 바람직하게는 실리콘과 같은 비자성체 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 내부 코팅층은 상기 제2 전도성 재료로 이루어질 수 있고, 특히 금속 재료는 구리, 은, 금 또는 이들의 합금 중에서 선택되며, 바람직하게는 구리이다.
특히, 상기 제2 내부 코팅층은 상기 제2 전도성 재료로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 외부 코팅층은 로듐, 백금, 이리듐이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트 합금, 팔라듐-니켈 합금 또는 니켈-인 합금 중에서 선택된 제3 전도성 재료로 이루어질 수 있고, 바람직하게는 로듐으로 이루어질 수 있다.
또한, 접착 필름은 금, 은, 백금 또는 그들의 합금 중에 선택된 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있는데, 바람직하게 금으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보호층은 로듐, 금, 백금, 팔라듐 또는 이들의 합금 또는 팔라듐-코발트 합금 중에서 선택된 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있고, 바람직하게는 팔라듐으로 이루어진다.
기술적인 문제는 전술된 방식으로 이루어진 복수의 접촉 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드에 의해서 또한 해결된다.
특히, 테스트 헤드는 각각의 접촉 헤드에서 복수의 접촉 프로브가 고정되도록 결합되는 세라믹의 판-형상의 지지부를 포함할 수 있다.
대안적으로, 테스트 헤드는 접촉 프로브가 슬라이딩되는 각각의 가이드 홀을 구비하는 적어도 한 쌍의 가이드를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 접촉 프로브 및 테스트 헤드의 특징 및 장점은, 첨부된 도면을 참조하여 지시되며 제한되지 않는 예에 의해 제공되는 그것들의 실시예들의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
- 도 1은 종래 기술의 수직 프로브 헤드의 접촉 프로브를 개략도;
- 도 2a 및 2b는 종래 기술의 접촉 프로브의 각각 다른 실시예들의 개략적인 단면도;
- 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 접촉 프로브의 개략도;
- 도 4a 내지 4e는 본 발명의 다른 실시예에 의한 접촉 프로브의 개력적인 확대 단면도.
상기 도면들 특히 도 3을 참조하여, 웨이퍼 상에 집적된 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브는, 전체적으로 부로 30으로 지시되고 서술된다.
상기 도면은 본 발명에 의한 접촉 프로브의 개략도를 나타내는데, 비율에 맞게 도시되지 않았고, 대신에 본 발명의 중요한 특징을 강조하기 위해 도시된 점이 주목되어야 한다. 도면들에서, 다양한 부품들은 개략적으로 도시되고, 그들의 형상은 바람직한 활용에 의해 달라질 수 있다.
접촉 프로브(30)는 종래 기술이어서 도시되지 않은, 테스트 중의 디바이스의 접촉 패드에 인접하기 적절한 하나 이상의 접촉 팁(30A)을 포함한다.
접촉 프로브(30)는 도 3의 예에서 도시된 접촉 팁(30A)과 같거나 다른 형상을 구비하는 접촉 헤드(30B)를 또한 포함한다. 접촉 헤드(30B)는 비차단 프로브들(non-blocked probes)의 경우에 있어, 공간 트랜스포머(space transformer)의 접촉 패드에 인접하도록 의도될 수 있고, 또는 예를 들면 납땜과 같이 고정되도록 결합될 수 있고, 지지부로부터 돌출되는 프로브의 경우에는 세라믹 지지부로 의도될 수 있다.
접촉 프로브(30)는 접촉 팁(contact tip, 30A) 및 접촉 헤드(30B) 사이에서 길이 방향으로 필수적으로 연장되는 바디(30C)를 또한 포함한다.
본 발명의 일면에 의하면, 접촉 프로브(30)는 다층 구조체(multilayer structure, 31)를 포함하는데, 다층 구조체(31)는 하나 이상의 내부층(inner layer, 32) 또는 도 4a 내지 4e에 개략적으로 도시되되 도 3 내의 평면 π에서의 단면 P-P를 나타내는 특히 높은 전도층(high conductivity layer), 예를 들면 금(Au)으로 이루어진 제1 내부 코팅층(first inner coating layer, 33)에 의해 두 반대 측부들에서 코팅된 특히 니켈-텅스텐(NiW)인 제1재료로 이루어진 코어를 차례대로 포함한다.
보다 상세하게, 도 4a 내지 4e에서 도시된 예에서, 제1 내부 코팅층(33)은, 예를 들면 도 4a 내지 4e의 로컬 부호 시스템에서 상측인 코어(32)의 제1측부(first side, 32A)에 배치된 제1부분(first portion, 33A)과 예를 들면 하측인, 코어(32)의 제2측부(second side, 32B)에 배치된 제2부분(second portion, 33B)를 포함한다.
그러므로, 다층 구조체(31)는 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33)이 또한 노출되는 하나 이상의 제1모서리부(34A) 및 제2모서리부(34B)를 구비한다. 그러한 모서리부(34A, 34B)들은 예를 들면 다층 시트로부터 구동된 접촉 프로브(30)의 레이저 커팅에서 비롯될 수 있는데, 이는 통상의 기술자에게 명백하다.
본 발명에 의하면 접촉 프로브(30)은 예를 들면 로듐(rhodium, Rd)으로 이루어지고 특히 고 경도 층인 외부 코팅층(outer coating layer, 35)을 또한 포함하는데, 외부 코팅층(35)은 접촉 프로브(30)를 자체로 완전히 덮고 따라서 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33)의 노출된 부분을 덮는다.
도 4b에 도시된 다른 실시예에서, 접촉 프로브(30)의 다층 구조체(31)는 제1 내부 코팅층(first inner coating layer, 33)을 덮는 제2 내부 코팅층(36)을 포함한다. 특히, 제1 내부 코팅층(33)의 제1부분(33A)은 코어(32)의 제1측부(32A)에 항상 배치되는 제2 내부 코팅층(36)의 제1부분(36A)에 의해 덮여진다.
도면의 예에서, 제1 내부 코팅층(33)의 제1부분(33A)은 코어(32)의 제1측부(32A)에서 바로 접속하고, 제2 내부 코팅층(36)의 제1부분(36A)은 제1 내부 코팅층(33)의 제1부분(33A)에 접속한다.
유사하게, 제1 내부 코팅층(33)의 제2부분(33B)은 코어(32)의 제2측부(32B)에 항상 배치되는 제2 내부 코팅층(36)의 제2부분(36B)에 의해 덮여진다.
또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 다층 구조체(31)는 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33) 사이에 배치되고 코어(32) 상의 제1 내부 코팅층(33)의 접착을 촉진하도록 적합화된 재료로 이루어지는 접착 필름(adhesive film, 37)을 또한 포함한다. 특히, 접착 필름(37)은 코어(32)와 제1 내부 코팅층(33)의 제1부분(33A) 사이에 배치되는 제1부분(37A) 및 코어(32)와 제1 내부 코팅층(33)의 제2부분(33B) 사이에 배치되는 제2부분(37B)을 포함한다.
도 4d에 개략적으로 도시된 추가되는 다른 실시예에 의하면, 다층 구조체(31)는 하나가 다른 하나 위에 교대로 배치되고 상기 코어(32)의 제1 및 제2측부(32A, 32B)로부터 어떠한 번호로 시작하도록 배치되는 복수의 제1 내부 코팅층(33i) 및 제2 내부 코팅층(36i)을 포함할 수 있다. 역시 다른 실시예에 의하면, 다층 구조체(31)는 상기 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33) 사이에 배치되고 제2 내부 코팅층(36) 및 추가의 제1 내부 코팅층(33) 사이에 배치되는 하나 이상의 접착 필름(37i)을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 의하면, 도 4e에서 개략적으로 도시되는 접촉 프로브(30)는 다층 구조체(31)를 완전히 둘러싸고 다층 구조체(31) 및 외부 코팅층(35) 사이에 끼워진 보호층(38)을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 접촉 프로브의 다양한 구성들을 위한 전형적인 치수 범위는 다음과 같다 :
- 코어(32)는 10x10 내지 50x50 ㎛의 단면적을 가진며;
- 고 전도율의 제1 내부 코팅층(33)은 0.5 내지 20 ㎛의 두께를 가지며;
- 제2 내부 코팅층(36)은 0.5 내지 20 ㎛의 두께를 가지며;
- 외부 코팅층(35)은 0.1 내지 5 ㎛의 두께를 가진다.
접촉 프로브의 전형적인 길이 범위의 값은 2 내지 9 mm의 값이다.
도면들에서 도시되는 실현된 예에서, 접촉 프로브(30)는 실질적으로 직사각형의 단면을 갖는다. 명백히, 어떠한 프리즘의 형상(prismatic shape)과 같은 단면을 구비할 수 있다.
코어(32)는 제1 전도성 재료로 이루어지는데, 특히 니켈 또는 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금과 같은 니켈의 합금으로 이루어진다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 코어(32)는 니켈-텅스텐으로 이루어진다. 대체 가능하게, 코어(32)는 예를 들면, 실리콘(Si)과 같은 비전도성 재료로 또한 이루어질 수 있다.
또한, 제1 내부 코팅층(33)은 특히 제1 전도성 재료의 값들 보다 큰 값인, 고 전기 전도성 및 열 전도성 값을 가지는 금속 재료의 제2 전도성 재료로 이루어질 수 있다. 그러므로, 금속 재료는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 그들의 합금 중에서 선택된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 제1 내부 코팅층(33)은 구리(Cu)로 이루어진다.
제2 내부 코팅층(36)은 제2 전도성 재료로 이루어질 수 있는데, 제1 내부 코팅층(33) 및 제2 내부 코팅층(36) 사이의 교대(alternation)는 개별적으로 보다 얇은 층의 사용으로 인해 보다 균질한(homogeneous) 다층 구조체(31)를 허용한다.
고 전도성, 즉, 낮은 저항률(resistivity)을 가지는 제1 내부 코팅층(33) 존재는 접촉 프로브(30)의 전기적 거동을 변형하는 점이 강조되어야 한다.
사실, 예를 들면, 구리로 이루어진 고 전도층의 존재는 접촉 프로브(30)의 다층 구조체(31)의 코어(32)의 저항에 병렬인 저항을 필수적으로 구현한다.
특히, 지속적인 전류(DC) 조건하에서, 전류는 접촉 프로브(30)의 전체 구역을 따라서, 즉, 예를 들면 니켈-텅스텐으로 이루어지는 코어(32) 내에서 흐르고, 고 전도성을 가지는, 예를 들면 구리로 이루어지는 제1 내부 코팅층(33)에서 흐른다. 고 전도성을 가지고 구리로 이루어진 제1 내부 코팅층(33)에 의해 유도된 저항은, 니켈-텅스텐으로 이루어진, 코어(32)의 저항에 대하여, 다층 구조체(31)와 접촉 프로브(30) 전체의 저항을 낮춰주고, 전류 전도성을 향상시킨다.
실제로, 접촉 프로브(30)는 고 전도성을 가지는 제1 내부 코팅층(33) 및 코어(32) 중의 하나, 예를 들면 구리와 니켈-텅스텐 사이의 사이의 평균 값의 전도성을 갖는 금속으로 이루어진다. 여하간에, 접촉 프로브(30)로 인가된 전류는 보다 적은 저항 경로를 더 선호할 것이고, 고 전도성을 가지는 제1 내부 코팅층(33) 에서 주로 흐를 것이다.
적절하게는, 접촉 프로브(30)의 거동은 교류(AC) 조건에서 더욱 향상된다. 사실 그런 경우에, "표피 효과(skin effect)"로서 공지된 현상에 의하면, 접촉 프로브(30)의 다층 구조체(31)를 가로질러 흐르는 전류는 외부의 부분, 즉 가장 높은 전도성을 가지는 제1 내부 코팅층(33)으로만 실질적으로 흐르는 경향이 있다.
표피 효과는 교류가 전도체 내부에서 불균일한 방식으로 분배되는 경향이 있는 현상: 전류 밀도는 전도체 상에서 더 높고 내부에서는 더 낮다는 것을 암시하는 점이 기억되어야 한다.
이론적인 측면으로부터, 전류 밀도, 즉 전도체의 단위 면적 당 전류는, 외부면으로부터 내부 부분을 향해서 꿰뚫어 점진적으로(penetrating progressively) 지수로(exponentially) 감소한다. 이는 테스트 헤드의 접촉 프로브들의 경우와 같은 원형 단면 또는 다른 형상 조건들에 대하여 사실이다.
실질적으로, 다층 구조체(31)로 인해, 접촉 프로브(30)는 전체적으로 니켈-텅스텐로 이루어진 종래의 프로브 보다 높은 전류 밀도를 유지할 수 있는데, 이는, 인가되는 대부분의 전류가 높은 전도성, 즉 낮은 저항률을 가지는 제1 내부 코팅층(33)으로 흐르기 때문이다. 표피 효과 때문에 교류인 경우, 접촉 프로브(30)는 여전히 보다 높은 전류 밀도를 유지할 수 있고, 고 전도성을 갖는 제1 내부 코팅층(33)에서만 흐르게 되는 경향이 있다.
그러한 접촉 프로브(30)는 시험 신호 전송 동안에 보다 적은 누설을 또한 일으킨다(has lower leakages). 최종적으로, 고 전도성을 가지는 제1 내부 코팅층(33)의 존재는 접촉 프로브(30)의 다층 구조체(31)에 의해 보다 좋은 열 소실을 보장한다.
또한, 외부 코팅층(35)은 다층 구조체(31)의 코어(32)를 형성하는 제1 전도성 재료의 하나에 대해서 보다 고 경도를 가지는 제3 전도성 재료로 이루어진다. 바람직하게는, 제3 전도성 재료는, 특히 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금인, 금속 또는 합금이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 외부 코팅층(35)은 로듐으로 이루어진다.
제3 전도성 재료가 좋은 전기 전도성을 갖고 접촉 프로브에 의해 측정된 값을 매우 나쁘게 하지 않게 하기 위해 선택되어야 하는 점은 강조되어야 한다. 또한, 외부 코팅층(35)의 존재는 접촉 프로브(30)에 보다 높은 외부의 경도를 제공하고 그것을 포함하는 테스트 헤드의 판 형상의 가이드에서 실현된 가이드 홀들을 통해서 슬라이딩되는 것을 향상시키고, 다층 구조체(31)의 층들의 노출된 부분을 보호하는 것을 허용한다. 이런 방식으로, 프로브가 특히, 세라믹의 판-형상 가이드 에 구현된 가이드 홀에 슬라이딩되도록 결합될 때, 동작하는 동안 프로브 자체의 (abrasions or "peelings")는 발생하지 않는다.
실질적으로, 로듐으로 이루어진 외부 코팅층(35)은 일반적으로 프로브의 기계적인 성능을 향상시킨다.
또한, 팁(30A)이 테스트 중인 디바이스의 접촉 패드에 접속하여 가압되고, 또한 보통 연마하는 천(abrasive cloths)과 관련된 많은 팁 청소 및 다시 형성하는 동작(re-shape operations) 동안에, 접촉 팁(30A)을 포함하는 접촉 프로브(30)를 완전히 덮는, 로듐으로 이루어진 외부 코팅층(35)은, 프로브 작동 수명의 증가를 허용하고 매우 많은 테스트 동작을 위한 그것의 적절한 동작의 보장을 허용한다.
본 발명에 의한 유리한 결과로서, 외부 코팅층(35)의 존재는, 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33), 특히 상기 외부 코팅층(35)에 의해 덮여진 노출된 모서리부(34A, 34B)에서의 손상 및 산화(oxidation)를 방지한다.
또한, 접착 필름(37)은 특히, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 또는 그들의 합금인 금속 또는 합금, 바람직하게는 금(Au)으로 이루어질 수 있는데 이로 인해, 코어(32) 상에서 높은 전도성을 갖는 제1 내부 코팅층(33)의 접착력이 향상된다.
용어 "필름"은, 기술 분야에서 공지된 바와 같이, 0.01 및 0.5 ㎛ 사이의 두께를 가지는 층을 의미한다.
마지막으로, 보호층(38)은 로듐, 금, 백금, 팔라듐 또는 이들의 합금 또는 팔라듐-코발트 합금 중에서 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지되, 바람직하게는 팔라듐으로 이루어지는데, 외부 코팅층(35)에서 침투할 수 있는 부식 매개물(corrosive agent)로부터 다층 구조체(31)를 보호하는 것은 익숙하다.
로듐을 사용함에 의해 외부 코팅층(35)을 완전히 다공성으로(quite porous) 만들어서 일예로 구리로 이루어지는 높은 전도성을 갖는 다층 구조체(31)의 제1 내부 코팅층(33)을 산화시킬 수 있는 산소 통로를 허용하는 것은 주지의 사실이다. 다층 구조체(31) 사이에 끼워진, 예를 들면 팔라듐으로 이루어진 보호층(38)을 사용하는 것에 의해 산화는 방지될 수 있고, 따라서 보호층(38)은 제1 내부 코팅층(33) 및 외부 코팅층(35) 사이에 배치된다. 사실, 팔라듐으로 이루어진 보호층(38)은 산소를 투과할 수 없는데, 산소는 따라서 고 전도성을 가진 제1 내부 코팅층(33)에 도달할 수 없고 이로 인해 손상되지 않는다.
테스트 헤드(testing head)는 본 발명의 접촉 프로브(30)로 이루어진 복수의 프로브들을 포함한다. 특히, 그러한 테스트 헤드는 공기 갭을 정의하기 위해 서로 이격된 관계이며 복수의 접촉 프로브가 슬라이딩되는 각각의 상부 및 하부 가이드 홀을 구비하는 상부 가이드 및 하부 가이드를 포함할 수 있다.
대안으로서, 테스트 헤드는 복수의 접촉 프로브들이 프로브 헤드들에서 고정되도록 결합되는, 특히 단 하나의 세라믹(ceramic one)인, 판-형상 지지부(plate-shaped support)를 포함할 수 있는데, 테스트 중인 디바이스의 대응되는 복수의 접촉 패드들에 인접하기 위해서 프로브 팁들은 판-형상 지지부로부터 자유롭게 돌출된다.
본 발명의 접촉 프로브가 레이저 커팅에 의해 다층 시트로부터 만들어질 수 있는 점은 강조되어야 한다. 대체 가능하게, 소위 멤스 처리(MEMS Process) 수단에 의해 사진 평판 기술(photolithographic technology)을 사용하는 것이 가능하다.
높은 전도층 및 외부 코팅층의 경도로 인한 향상된 전류 능력과 같은, 향상된 접촉 프로브 성능들로 인해, 단면적을 감소시키고 그 결과로 또한 프로브의 길이를 감소시키는 것이 가능한데, 프로브의 길이는 예를 들면 유사한 응용을 위해 사용된 공지의 프로브들과 비교하였을 때 절반으로 감소된다. 프로브 길이는 감소하지만, 성능은 같으므로, 특히 주파수 성능과 같은 접촉 프로브 전체의 성능에서 장점으로, 특히 인덕턴스 값과 같은 RLC 기생 효과들(RLC parasitic effects) 의 감소를 허용하는 점은 바로 이해된다.
명백하게, 전술한 접촉 프로브로, 특별하고 구체적인 요구를 만족하는 목적은, 통상의 기술자가 많은 변경 및 수정을 이행할 수 있으며, 이하의 청구항들에 의해 정의된 발명의 보호 범위 내의 모든 것이 포함된다.

Claims (10)

  1. 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드용 접촉 프로브(30)로서,
    접촉 팁 및 접촉 헤드(30A, 30B) 사이에서 길이 방향으로 필수적으로 연장되는 바디와,
    서로 적층되고 평행한 하나 이상의 내부층 또는 코어(32) 및 제1 내부 코팅층(33)을 포함하는, 하나 이상의 다층 구조체(31)와,
    상기 다층 구조체(31)를 완전히 덮고 상기 코어(32)를 형성하는 재료보다 높은 경도를 가지는 재료로 이루어진 외부 코팅층(35)을 포함하고,
    상기 외부 코팅층(35)은 상기 다층 구조체(31)의 모서리부(34A, 34B)들도 덮고, 상기 모서리부(34A, 34B)들은 상기 코어(32) 및 상기 제1 내부 코팅층(33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내부 코팅층(33)은 상기 코어(32)의 제1측부 및 제2 반대 측부(32A, 32B)에 각각 배치되는 제1부분 및 제2부분(33A, 33B)을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코어(32)는 제1 전도성 재료로 형성되고 상기 제1 내부 코팅층(33)은 상기 제1 전도성 재료 보다 높은 전기 및 열 전도율의 값을 가지는 제2 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코어(32)는 비전도성 재료로 이루어지고 상기 제1 내부 코팅층(33)은 높은 전기 및 열 전도율을 가지는 제2 전도성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체(31)는 상기 제1 내부 코팅층(33)을 덮는 제2 내부 코팅층(36)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조체(31)는 상기 코어(32) 및 상기 제1 내부 코팅층(33) 사이에 배치되고 상기 코어(32) 상의 상기 제1 내부 코팅층(33)의 접착을 촉진하도록 적합화된 재료로 이루어지는 접착 필름(37)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 내부 코팅층(36)은 전도성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  8. 제1항에 있어서,
    상기 외부 코팅층(35)은 로듐, 백금, 이리듐 또는 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트 합금, 팔라듐-니켈 합금 또는 니켈-인 합금 중에서 선택된 제3 전도성 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  9. 제1항에 있어서,
    상기 외부 코팅층(35)은 로듐으로 이루어진 것을 특징으로 하는 접촉 프로브(30).
  10. 전자 디바이스를 테스트하기 위한 장치의 테스트 헤드에 있어서, 상기 테스트 헤드는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의한 복수의 접촉 프로브(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 헤드.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6221031B1 (ja) 2016-12-16 2017-11-01 日本電産リード株式会社 コンタクトプローブ及び電気接続治具
IT201700021397A1 (it) * 2017-02-24 2018-08-24 Technoprobe Spa Testa di misura con migliorate proprietà in frequenza
JP7005939B2 (ja) * 2017-05-25 2022-01-24 日本電産リード株式会社 コンタクトプローブ
CN109425814B (zh) * 2017-09-01 2021-09-10 中华精测科技股份有限公司 探针组件及其探针结构
CN109425762B (zh) * 2017-09-01 2021-05-07 中华精测科技股份有限公司 探针组件及其探针结构
US20190103693A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Apple Inc. Electrical contacts having sacrificial layer for corrosion protection
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
US11973301B2 (en) 2018-09-26 2024-04-30 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
US12078657B2 (en) 2019-12-31 2024-09-03 Microfabrica Inc. Compliant pin probes with extension springs, methods for making, and methods for using
US20220082588A1 (en) * 2019-01-29 2022-03-17 Yokowo Co., Ltd. Plunger and contact probe
US12000865B2 (en) 2019-02-14 2024-06-04 Microfabrica Inc. Multi-beam vertical probes with independent arms formed of a high conductivity metal for enhancing current carrying capacity and methods for making such probes
TWI714151B (zh) * 2019-07-01 2020-12-21 技鼎股份有限公司 探針頭及其導電探針
TWI822833B (zh) * 2019-08-15 2023-11-21 優顯科技股份有限公司 電子探測板、光電探測模組、與電子探測方法
US11802891B1 (en) 2019-12-31 2023-10-31 Microfabrica Inc. Compliant pin probes with multiple spring segments and compression spring deflection stabilization structures, methods for making, and methods for using
US11761982B1 (en) 2019-12-31 2023-09-19 Microfabrica Inc. Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact and methods for making such probes
CN113109603A (zh) * 2020-01-13 2021-07-13 科磊股份有限公司 具有多个金属涂层的悬臂式探针
EP3862759B1 (de) * 2020-02-04 2022-05-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Manteldraht und verfahren zur herstellung von manteldrähten
JPWO2021187339A1 (ko) * 2020-03-19 2021-09-23
CN111403937A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 东莞立德精密工业有限公司 金属端子及其制作方法
US11774467B1 (en) 2020-09-01 2023-10-03 Microfabrica Inc. Method of in situ modulation of structural material properties and/or template shape
KR102517778B1 (ko) * 2021-02-26 2023-04-04 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
JP7470860B2 (ja) 2021-03-16 2024-04-18 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブおよびその製造方法
KR102549551B1 (ko) * 2021-04-06 2023-06-29 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법
KR102577539B1 (ko) * 2021-04-09 2023-09-12 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR102321083B1 (ko) * 2021-07-21 2021-11-03 (주)새한마이크로텍 접촉 프로브
CN113507005A (zh) * 2021-08-10 2021-10-15 烟台艾睿光电科技有限公司 一种巡检机器人充电房及巡检机器人
KR20230158290A (ko) * 2022-05-11 2023-11-20 (주)티에스이 프로브 팁의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 프로브 팁
TW202424495A (zh) * 2022-08-15 2024-06-16 美商微製造股份有限公司 具有解耦結構及電流乘載梁的多梁探針
EP4325227A1 (de) 2022-08-16 2024-02-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Bandförmiger verbundwerkstoff für prüfnadeln
JP2024070404A (ja) * 2022-11-11 2024-05-23 株式会社日本マイクロニクス プローブおよび電気的接続装置
JP2024081055A (ja) * 2022-12-05 2024-06-17 株式会社日本マイクロニクス プローブおよび電気的接続装置
JP2024082419A (ja) * 2022-12-08 2024-06-20 株式会社日本マイクロニクス プローブ

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990021982A (ko) * 1995-10-18 1999-03-25 이고르 와이. 칸드로스 스프링 접점부를 구비한 대 기판을 정주시키기 위한 접점 캐리어(타일)
JPH11514493A (ja) * 1994-11-15 1999-12-07 フォームファクター，インコーポレイテッド 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
WO2000079293A1 (en) * 1999-06-22 2000-12-28 International Test Solutions, Inc. Probe device using superelastic probe elements
KR20020032375A (ko) * 2000-10-24 2002-05-03 가네꼬 히사시 프로브 핀, 프로브 카드 및 프로브 카드의 제조 방법
JP2002531915A (ja) * 1998-12-02 2002-09-24 フォームファクター，インコーポレイテッド リソグラフィ接触要素
KR20040045452A (ko) * 2001-09-24 2004-06-01 리카 일렉트로닉스 인터내셔널, 인크. 전기 테스트 프로브 및 그 제조 방법
KR20070117452A (ko) * 2006-06-08 2007-12-12 니혼덴산리드가부시키가이샤 기판 검사용 치구 및 기판 검사 장치
US20080143366A1 (en) * 2004-12-14 2008-06-19 Fumio Kurotori Contact Pin Probe Card and Electronic Device Test Apparatus Using Same
EP2060921A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-20 Technoprobe S.p.A Contact probe for testing head having vertical probes and related testing head for testing microstructure electric performance
KR20090069175A (ko) * 2006-09-21 2009-06-29 폼팩터, 인코포레이티드 전도성 재료를 사용한 전자 디바이스에의 전기 소자의 부착
KR101064852B1 (ko) * 2010-05-24 2011-09-14 김재길 프로브 카드용 니들
US20130099813A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Tokyo Electron Limited Contact terminal for a probe card, and the probe card

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04351968A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Vacuum Metallurgical Co Ltd プローブ
JP3215452B2 (ja) * 1991-05-30 2001-10-09 真空冶金株式会社 電 極
DE69734158T2 (de) * 1996-09-13 2006-06-22 International Business Machines Corp. Prüfkopfstruktur mit mehreren getrennten isolierten prüfspitzen
JP3458684B2 (ja) * 1997-11-28 2003-10-20 三菱マテリアル株式会社 コンタクトプローブ
JP3745184B2 (ja) * 1999-03-25 2006-02-15 株式会社東京カソード研究所 プローブカード用探針及びその製造方法
JP2001174482A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Corp 電気的特性評価用接触針、プローブ構造体、プローブカード、および電気的特性評価用接触針の製造方法
JPWO2003005042A1 (ja) * 2001-07-02 2004-10-28 日本発条株式会社 導電性接触子
JP2003057266A (ja) * 2001-08-20 2003-02-26 Mitsubishi Materials Corp コンタクトプローブ及びその製造方法
JP3837434B2 (ja) * 2003-06-20 2006-10-25 アルプス電気株式会社 接続装置
US20050227510A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Brown Dirk D Small array contact with precision working range
US20070200576A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-30 Laurent Edward T Multi-layered probes
TW200815763A (en) 2006-09-26 2008-04-01 Nihon Micronics Kabushiki Kaisha Electrical test probe and electrical test probe assembly
JP4783265B2 (ja) * 2006-11-02 2011-09-28 健 金子 コンタクトプローブ、及びコンタクトプローブの製造方法
JP4644723B2 (ja) 2008-03-31 2011-03-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ ナノチューブ探針を有する測定装置
EP2555001A1 (en) * 2010-03-30 2013-02-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Contact probe, contact probe connecting body and methods for manufacturing same
WO2014087906A1 (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 日本電子材料株式会社 電気的接触子

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11514493A (ja) * 1994-11-15 1999-12-07 フォームファクター，インコーポレイテッド 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造
KR19990021982A (ko) * 1995-10-18 1999-03-25 이고르 와이. 칸드로스 스프링 접점부를 구비한 대 기판을 정주시키기 위한 접점 캐리어(타일)
JP2004186670A (ja) * 1998-12-02 2004-07-02 Formfactor Inc リソグラフィ接触要素
JP2002531915A (ja) * 1998-12-02 2002-09-24 フォームファクター，インコーポレイテッド リソグラフィ接触要素
WO2000079293A1 (en) * 1999-06-22 2000-12-28 International Test Solutions, Inc. Probe device using superelastic probe elements
KR20020032375A (ko) * 2000-10-24 2002-05-03 가네꼬 히사시 프로브 핀, 프로브 카드 및 프로브 카드의 제조 방법
KR20040045452A (ko) * 2001-09-24 2004-06-01 리카 일렉트로닉스 인터내셔널, 인크. 전기 테스트 프로브 및 그 제조 방법
US20080143366A1 (en) * 2004-12-14 2008-06-19 Fumio Kurotori Contact Pin Probe Card and Electronic Device Test Apparatus Using Same
KR20070117452A (ko) * 2006-06-08 2007-12-12 니혼덴산리드가부시키가이샤 기판 검사용 치구 및 기판 검사 장치
KR20090069175A (ko) * 2006-09-21 2009-06-29 폼팩터, 인코포레이티드 전도성 재료를 사용한 전자 디바이스에의 전기 소자의 부착
EP2060921A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-20 Technoprobe S.p.A Contact probe for testing head having vertical probes and related testing head for testing microstructure electric performance
KR101064852B1 (ko) * 2010-05-24 2011-09-14 김재길 프로브 카드용 니들
US20130099813A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Tokyo Electron Limited Contact terminal for a probe card, and the probe card

Also Published As

Publication number Publication date
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