CN113109603A - 具有多个金属涂层的悬臂式探针 - Google Patents

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Abstract

公开一种具有多个金属涂层的悬臂式探针。所述悬臂式探针包含至少一个探针销。第一金属涂层安置于所述探针销的尖端上，且第二金属涂层安置于所述探针销的根部上。所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层，且包括比所述第一金属涂层更软(更柔性)的金属。

Description

具有多个金属涂层的悬臂式探针
技术领域
本公开大体上涉及传感器探针，且更具体地说涉及用于在样本衬底上执行测量的悬臂式探针。
背景技术
悬臂式探针可用于测量样本衬底的膜电阻和其它性质。举例来说，为了在样本衬底上执行膜电阻测量，悬臂式探针可用于形成与样本衬底的表面的电接触件以便将电流传递到样本衬底且测量电接触件处的电压。接着将电阻作为所施加电流和测得的电压的函数进行计算。
发明内容
根据本公开的一或多个说明性实施例公开一种具有多个金属涂层的悬臂式探针。在一个说明性实施例中，所述悬臂式探针包含至少一个探针销，其具有安置于探针销的尖端上的第一金属涂层和安置于探针销的根部上的第二金属涂层。第二金属涂层可接触第一金属涂层，且可包括比第一金属涂层更软(更柔性)的金属。
还根据本公开的一或多个说明性实施例公开一种用于测量样本衬底的一或多个特性的传感器。在一个说明性实施例中，传感器包含传感器底座，其具有从传感器底座延伸的多个探针销传感器可进一步包含安置于所述多个探针销的至少一个探针销的尖端上的第一金属涂层，和安置于探针销的根部上的第二金属涂层。第二金属涂层可接触第一金属涂层，且可包括比第一金属涂层更软(更柔性)的金属。
还根据本公开的一或多个说明性实施例公开一种制造悬臂式探针的方法。在一个说明性实施例中，所述方法包含：形成至少一个探针销；在探针销的尖端上安置第一金属涂层；以及在探针销的根部上安置第二金属涂层。在所述方法的实施例中，第二金属涂层可安置成接触第一金属涂层，且可包括比第一金属涂层更软(更柔性)的金属。
应理解，前述大体描述以及以下详细描述仅是示例性和解释性的，且并不一定限制如所要求的发明。并入于本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与大体描述一起用以阐释本发明的原理。
附图说明
参考附图，所属领域的技术人员可以更好地理解本公开的许多优点，附图中：
图1是根据本公开的一或多个实施例包含包括悬臂式探针的传感器的系统的示意性说明；
图2A是根据本公开的一或多个实施例包括悬臂式探针的传感器的前视图的示意性说明；
图2B是根据本公开的一或多个实施例包括悬臂式探针的传感器的侧视图的示意性说明；
图2C是根据本公开的一或多个实施例当包括悬臂式探针的传感器被抵着样本衬底按压以执行测量时所述传感器的侧视图的示意性说明；
图2D是根据本公开的一或多个实施例包括具有多个金属涂层的悬臂式探针的传感器的侧视图的示意性说明；
图3是示出根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法的流程图；
图4A是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4B是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4C是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4D是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4E是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4F是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4G是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图4H是根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的方法中的工艺步骤的示意性说明；
图5是根据本公开的一或多个实施例用于制造具有多个金属涂层的悬臂式探针的遮罩的示意性说明；以及
图6是根据本公开的一或多个实施例包括具有多个金属涂层的悬臂式探针的传感器的俯视图的示意性说明。
具体实施方式
现将详细参考所公开主题，在附图中说明所公开主题。已相对于本公开的某些实施例和特定特征明确地展示和描述本公开。本文陈述的实施例应理解为说明性而非限制性的。所属领域的一般技术人员应容易了解，可作出形式和细节上的各种改变和修改，而不脱离本公开的精神和范围。
悬臂式探针可用于测量样本衬底的膜电阻和其它性质。举例来说，为了在样本衬底上执行膜电阻测量，悬臂式探针可用于形成与样本衬底的表面的电接触件以便将电流传递到样本衬底且测量电接触件处的电压。接着将电阻作为所施加电流和测得的电压的函数进行计算。
悬臂式探针的探针销可仅在测量期间与样本衬底的表面接触。在测量前后，探针销可从样本衬底的表面提升(或降低样本衬底)，以形成足够安全以横向移动悬臂式探针和/或样本衬底的任一个来进行下一位点测量的间隙。
当悬臂在过驱动期间弯曲以施加必需的压力来实现探针销的尖端和样本衬底的表面之间的良好电接触时，与样本衬底的表面接触的探针销的尖端可在x-y平面中移动。这导致前向刮擦。随着从样本衬底的表面向上提升悬臂式探针，即在探针完全离开样本表面之前，还可能发生逆向刮擦。
探针销的尖端在样本衬底的表面上的刮擦可通过调整着陆方法来限制。刮擦越小，则探针销的尖端上金属的摩擦越小。但是，即使在近似零刮擦的情况下，样本表面上的探针销的接触压力也将会随时间使探针销的尖端上的金属磨损。因此，有利的是，在探针销的尖端上使用较硬金属涂层以便增加悬臂式探针的有用寿命。
还应注意，为了实现探针销的尖端和样本衬底的表面之间的足够接触压力，探针销必须能够经受足够量的弯曲。在探针销的尖端和样本衬底的表面之间接触期间，通过悬臂式探针的最高应力/应变处于探针销的根部上(例如，延伸到探针销的尖端的纵向部分上的应力/应变)。探针销的根部上的金属必须承受此应变，否则所述金属将变得疲劳和/或断裂。因此，有利的是，在探针销的根部上使用较软(较柔性)的金属涂层，使得悬臂式探针可经受足够的弯曲以实现当执行测量时探针销和样本表面之间的足够的接触压力(因此良好的电接触)。
图1示出根据本公开的一或多个实施例用于测量样本衬底102(晶片、板、面板、光罩等)的一或多个特性的系统100。在实施例中，系统100包含包括悬臂式探针的传感器200，所述悬臂式探针被配置成形成与样本衬底102的表面的一或多个电接触件以便将电流传递到样本衬底102并测量电接触件处的电压。接着可基于测得的电压确定一或多个样本特性。举例来说，可将样本衬底的表面处的电阻(例如，膜电阻)作为所施加电流和测得的电压的函数进行计算。
在实施例中，系统100包含以通信方式耦合到传感器200的控制器104。在一些实施例中，控制器104包含一或多个处理器106，其被配置成执行维持在存储器介质108上的程序指令。在此方面，控制器104的所述一或多个处理器106可执行在整个本公开中描述的各种过程步骤或操作中的任一个，例如控制一或多个致动器以重新定位传感器200和/或样本衬底102，从传感器200接收电信号/电压测量值，计算电阻和/或任何其它样本特性等等。
控制器104的所述一或多个处理器106可包含此项技术中已知的任何处理元件。在此意义上，所述一或多个处理器106可包含被配置成执行算法和/或指令的任何微处理器型装置。在一些实施例中，所述一或多个处理器106可包括台式计算机、主机计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器，或被配置成执行被配置成操作系统100的程序的任何其它计算机系统(例如，联网计算机)，如在整个本公开中所描述。进一步认识到，术语“处理器”可广义上定义为涵盖具有一或多个处理元件的任何装置，所述一或多个处理元件执行来自非暂时性存储器介质108的程序指令。
存储器介质108可包含此项技术中已知的适于存储可由相关联一或多个处理器106执行的程序指令的任何存储介质。举例来说，存储器介质108可包含非暂时性存储器介质。借助于另一实例，存储器介质108可包含(但不限于)只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘或磁盘驱动器)、磁带、固态驱动器、快闪存储器装置或其任何组合。应进一步注意，存储器介质108可与一或多个处理器106一起容纳于共同控制器壳体中。在一些实施例中，存储器介质108可相对于所述一或多个处理器106和控制器104的物理位置而远程定位。举例来说，控制器104的所述一或多个处理器106可存取可经由网络(例如，因特网、内联网等)存取的远程存储器(例如，服务器)。因此，以上描述不应解释为对本发明的限制，而是仅为说明。
在实施例中，控制器104被配置成与传感器200通信。举例来说，控制器104可被配置成向传感器200发送/从传感器200接收原始数据(例如，电信号)、经处理数据(例如，电压测量值)和/或经部分处理数据的任何组合。
在整个本公开中描述的步骤可由单个控制器104或者多个控制器实行。此外，控制器104可包含容纳于共同壳体中或多个壳体内的一或多个控制器。以此方式，任何控制器或控制器的组合可单独地封装为适于集成到系统100中的模块。
如图1所示，传感器200可安装或以其它方式耦合到被配置成支撑传感器200的印刷电路板(PCB)112。控制器104可通过固定地或可移除地耦合到PCB 112的一或多个连接器110(例如，一或多个线缆、电线、迹线等)以通信方式耦合到传感器200。在一些实施例中，系统100还包含一或多个连接器114(例如，一或多个线缆、电线、迹线等)，其以通信方式将传感器200耦合到PCB 112使得信号/数据可经由PCB 112从传感器200发射到控制器104，或反之亦然。
系统100可进一步包含用于定位传感器200和/或样本衬底102的一或多个致动器。举例来说，在一些实施例中，系统100可包含耦合到样品台或夹具的一或多个致动器，其被配置成支撑样本衬底102并且还被配置成横向地、竖直地和/或旋转地移动样本衬底102。另外或替代地，系统100可包含一或多个致动器，其耦合到传感器200/PCB 112且被配置成横向地、竖直地和/或旋转地移动样本衬底102。
在实施例中，控制器104被配置成与致动器和系统100的任何其它电子组件通信。举例来说，控制器104可被配置成向致动器和/或系统100的其它电子组件发送/从致动器和/或系统100的其它电子组件接收原始数据(例如，电信号)、经处理数据(例如，电压测量值)和/或经部分处理数据的任何组合。在一些实施例中，控制器104被配置成致使所述一或多个致动器将传感器200和/或样本衬底102从一个测量位点移动到另一测量位点以便扫描或执行样本衬底102的多个部分处的测量。
图2A到2D中示出传感器200的各种实施例。如图2A到2D所示，传感器200(例如，悬臂式探针)包含传感器底座202，其具有从传感器底座202朝外延伸的一或多个探针销204。举例来说，所述一或多个探针销204(有时被称作“悬臂”)可从底座延伸出近似5到50um(例如，20um左右)。图2A到2D展示说明性实施例，其中传感器200为显微四点探针(M4PP)。然而，传感器200可具有任何数目的探针销204，这取决于设计要求。例如，图6展示另一说明性实施例，其中传感器200为显微十二点探针(M12PP)。传感器200可具有任意数目的(一或多个)探针销204，而不脱离本公开的范围。
传感器底座202可由硅(Si)或二氧化硅(SiO2)形成。举例来说，传感器底座202可由Si晶片和/或SiO2晶片(例如，绝缘体上硅(SOI)晶片等)形成(例如，蚀刻出)。所述一或多个探针销204还可由Si或SiO2形成。举例来说，所述一或多个探针销204还可由Si晶片和/或SiO2晶片(例如，SOI晶片等)形成(例如，蚀刻出)。
在图2D中示出的实施例中，传感器底座202和所述一或多个探针销204由Si形成且彼此通过氧化物(例如，SiO2)层203分隔。这可通过以下操作来实现：由相同SOI晶片蚀刻传感器底座202、氧化物层203和探针销204，或者使用任何适当的半导体制造工艺在传感器底座202上安置SiO2和探针销204。
如上所述，在一些实施例中，传感器底座202和探针销204可由相同晶片和/或相同模具或印刷品的部分形成。在其它实施例中，探针销204可印刷在传感器底座202上，安装到传感器底座202，或以其它方式与传感器底座202耦合。
图2A和2B分别展示探针销204与样本衬底102接触的传感器200的前视图和侧视图。接着，如图2C所示，可在探针销204接触样本衬底102的表面之后将传感器200向下按压到样本衬底102上，以便将特定应力/压力施加到样本衬底102上。此过驱动动作对于实现探针销204和样本衬底102的表面之间的足够接触以获得稳定的电信号可能是必需的。如上所述，探针销204上的金属层206可能由于反复接触和/或弯曲而变得磨损和/或断裂。为了缓解这些效应，传感器200可包含由不同金属制成的多个金属层206。
图2D中示出包含多个金属层206(例如，金属涂层206A和206B)的传感器200的实施例。如图2D所示，每一或一些探针销204可包含安置于探针销204的尖端上的第一金属涂层206A，和安置于探针销204的根部(例如，延伸到尖端的纵向部分)上的第二金属涂层206B。在实施例中，第一金属涂层206A可包括钌(Ru)和/或钨(W)，或具有类似物理和电学性质的任何其它金属/金属合金。第二金属涂层206B可包括比第一金属涂层206A更软(更柔性)的金属。举例来说，在实施例中，第二金属涂层206B可包括金(Au)或具有类似物理和电学性质的任何其它金属/金属合金。
在实施例中，第一金属涂层206A和第二金属涂层206B在探针销204的尖端附近的重叠区207处彼此接触。举例来说，第二金属涂层206B可与第一金属涂层206A的一部分重叠使得第一和第二金属涂层206A和206B在重叠区207处彼此接触。或者，第一金属涂层206A可与第二金属涂层206B的一部分重叠使得第一和第二金属涂层206A和206B在重叠区207处彼此接触。在其它实施例中，第一和第二金属涂层206A和206B可彼此不重叠地接触。举例来说，金属涂层206A和206B可简单地安置成彼此邻近，或者金属涂层206A和206B可熔融在一起(例如，在区207处/附近)。
当传感器200在使用中时，探针销204抵着衬底102的表面的接触压力和刮擦通常使探针销的尖端(即，悬臂尖端)上的金属磨损，因为仅在悬臂尖端处发生接触。硬金属(例如，Ru、W等)相比于软金属(例如，Au等)更耐磨损，因此有利地针对第一金属涂层206A(在探针销204的尖端处)使用硬金属。另一方面，最大应变在悬臂根部上发生，而不论悬臂根部上涂覆了什么金属。硬金属(例如，Ru、W等)可能太脆且不能承受许多应变；然而，软金属(例如，Au等)较柔性且能够承受当施加较高接触压力以实现较好测量信号时探针销204的根部处的弯曲所导致的应变。举例来说，Au可承受比Ru更多的应变且是非常有延展性的金属，使得即使比0.2％高的应变水平也不会切断悬臂根部上Au的电连接。
为了延长探针销204的寿命和功能性，尖端上的金属涂层206A的硬度应足以比探针销204的根部上的金属涂层206B耐受更高的接触压力。除金属的硬度之外，考虑氧化物层203的厚度和电导率，Ru和W是金属涂层206A的良好候选者，其承受比传统Au涂层大得多的摩擦(即，更多接触计数)。同时，探针销204的根部上的金属涂层206B应具有足够的柔性来耐受弯曲。举例来说，金属涂层206B应在悬臂材料(例如，Si和/或SiO2)的弹性范围内，因此探针销204的根部上的金属涂层206B不会对悬臂的弯曲强加限制。考虑金属的电导率和柔性，Au是金属涂层206B的良好候选者。这通过在传统M4PP中使用Au来验证，从而指示Au是用于悬臂根部的适当涂层。
虽然已经提供各种金属(例如，Ru、W和Au)作为实例，但预期其它金属或金属合金也可充当用于第一和第二金属涂层206A和206B的适当金属。相应地，除非权利要求书中另外规定，否则本文中所提供的实例和说明性实施例不应被理解为对本公开的限制。
图3是示出根据本公开的一或多个实施例制造具有多个金属涂层的悬臂式探针(例如，传感器200)的方法300的流程图。
在步骤302处，方法300包含形成传感器200的至少一个探针销204。举例来说，一或多个探针销204可由Si晶片和/或SiO2晶片(例如SOI晶片等)形成(例如，蚀刻出)。所述一或多个探针销204可从也由Si晶片和/或SiO2晶片(例如绝缘体上硅(SOI)晶片等)形成(例如，蚀刻出)的传感器底座202朝外延伸。在一些实施例中，传感器底座202和探针销204可由相同晶片和/或相同模具或印刷品的部分形成。在其它实施例中，探针销204可印刷在传感器底座202上，安装到传感器底座202，或以其它方式与传感器底座202耦合。
在步骤304处，第一金属涂层206A安置于探针销204的尖端上。举例来说，第一金属涂层206A(例如，Ru、W等)可通过一或多种光刻工艺(例如，溅镀和剥离工艺)涂覆到探针销204的尖端。在其它实施例中，第一金属涂层206A可3D打印到探针销204的尖端上或通过任何其它适当的制造工艺涂覆。
在步骤306处，第二(较软)金属涂层206B安置于探针销204的根部上。举例来说，第二金属涂层206B(例如，Au等)可通过一或多种光刻工艺(例如，溅镀和剥离工艺)涂覆到探针销204的根部。在其它实施例中，第二金属涂层206B可3D打印到探针销204的尖端上或通过任何其它适当的制造工艺涂覆。
在步骤304和306处，第一金属涂层206A和第二金属涂层206B可安置于探针销204上，使得所述涂层在探针销204的尖端附近的重叠区207处彼此接触。举例来说，第二金属涂层206B可与第一金属涂层206A的一部分重叠，使得第一和第二金属涂层206A和206B在重叠区207处彼此接触。或者，第一金属涂层206A可与第二金属涂层206B的一部分重叠，使得第一和第二金属涂层206A和206B在重叠区207处彼此接触。在其它实施例中，第一和第二金属涂层206A和206B可彼此不重叠地接触。举例来说，金属涂层206A和206B可简单地安置成彼此邻近，或者金属涂层206A和206B可熔融在一起(例如，在区207处/附近)。
方法300可扩展到包含任何数目的探针销204的传感器200的制造。一般来说，除非权利要求书中另外规定，否则可以任意次序执行方法300的操作/步骤。
图4A到4H示意性地示出制造具有多个金属涂层的悬臂式探针(例如，传感器200)的方法(例如，方法300)的制造工艺过程/阶段的实施例。
图4A示出在执行在晶片400的顶表面和底表面上形成氮化硅(Si3N4)层406的低压力化学气相沉积(LPCVD)工艺之后的半导体晶片400(例如，SOI晶片)。在实施例中，晶片400可包含通过至少一个氧化物(例如，SiO2)层404分隔的Si层402。
图4B示出在执行在晶片400的底表面处的Si3N4层406中形成开口的至少一个光刻工艺之后的半导体晶片400。在一些实施例中，光刻工艺包含反应性离子蚀刻(RIE)；然而，可采用任何其它适当的光刻工艺。
图4C示出在执行至少一个蚀刻工艺之后的半导体晶片400，所述至少一个蚀刻工艺通过从晶片400移除Si层402的一部分来形成从传感器底座202延伸的探针销204的一部分。在一些实施例中，蚀刻工艺包含氢氧化钾(KOH)蚀刻；然而，可采用任何其它适当的蚀刻工艺。
图4D示出在执行从晶片400移除Si3N4层406的剩余部分的至少一个蚀刻工艺之后的半导体晶片400。在一些实施例中，所述蚀刻工艺包含磷酸(H3PO4)蚀刻；然而，可采用任何其它适当的蚀刻工艺。
图4E示出在执行至少一个光刻工艺和溅镀工艺之后的半导体晶片400，所述至少一个光刻工艺形成用于将第一金属涂层408(例如，金属涂层206A)安置在探针销204的尖端处的区，所述溅镀工艺用于在探针销204的尖端处涂覆第一金属涂层408(例如，金属涂层206A)。在一些实施例中，溅镀工艺之后是剥离工艺。
图4F示出在执行至少一个光刻工艺和溅镀工艺之后的半导体晶片400，所述至少一个光刻工艺形成用于将第二金属涂层410(例如，金属涂层206B)安置在探针销204的根部处的区，所述溅镀工艺用于在探针销204的根部处涂覆第二金属涂层408(例如，金属涂层206B)。在一些实施例中，溅镀工艺之后是剥离工艺。
图4G示出在执行一或多个光刻工艺之后的半导体晶片400，所述一或多个光刻工艺通过从晶片400移除Si层402、第一金属涂层408(例如，金属涂层206A)和第二金属涂层410(例如，金属涂层206B)的一部分来进一步限定从传感器底座202延伸的探针销204的形状。在一些实施例中，光刻工艺包含针对金属涂层的离子束蚀刻(IBE)，以及针对Si层402的RIE或深度反应性离子蚀刻(DRIE)；然而，可采用任何其它适当的光刻/蚀刻工艺。
图4H示出在执行另一光刻/蚀刻工艺(例如，RIE或任何其它适当的光刻/蚀刻工艺)之后的半导体晶片400，所述另一光刻/蚀刻工艺通过从晶片400移除氧化物(SiO2)层404的一部分来进一步限定从传感器底座202延伸的探针销204的形状。图4H中的所得结构为悬臂式探针，例如本文中所描述的传感器200。
参看图5，可在方法300和/或图4A到4H中示出的过程的一或多个步骤期间使用至少一个遮罩500。举例来说，遮罩(或掩模)500可包含用于限定一或多个探针销204的探针销模板506、用于限定每一探针销204的尖端处的第一金属涂层206A的第一金属涂层模板504，以及用于限定每一探针销204的根部处的第二金属涂层206B的第二金属涂层模板506。图5中示出的尺寸提供为实例；然而，可采用任何其它尺寸而不偏离本公开的范围。
如前文所述，传感器200可具有任何数目的探针销204，这取决于设计要求。例如，图6展示说明性实施例，其中传感器200为显微十二点探针(M12PP)。M12PP实施例对于磁性隧道结(MTJ)晶片测量可能是有用的，其中探针销204的宽度可至少处于0.5到1um的范围内(例如，至少0.75um)。这是传感器200的又一说明性实施例；然而，应强调，传感器200可具有任意数目的(一或多个)探针销204，而不脱离本公开的范围。
本文所描述的主题有时说明包含在其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解，这些所描绘的架构仅是示例性的，并且实际上可实施实现相同功能性的许多其它架构。从概念意义上说，实现相同功能性的组件的任何布置实际上是“相关联的”，使得实现所期望的功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可以被视为彼此“相关联”，使得所希望的功能性得以实现，而不管架构或中间组件如何。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”，以实现所期望功能性，且能够如此相关联的任何两个组件可被视为“可”彼此“耦合”以实现所期望功能性。可耦合的具体实例包含(但不限于)可在物理上交互和/或在物理上进行交互的组件，和/或可以无线方式交互和/或以无线方式进行交互的组件，和/或可在逻辑上交互和/或在逻辑上进行交互的组件。
据信，通过前述描述将理解本公开和许多其随附的优点，且将显而易见，在不脱离所公开主题的情况下或在不牺牲所有其实质优点的情况下，可以对组件的形式、构造和布置进行各种变化。所描述的形式仅是阐释性的，且所附权利要求书意图涵盖且包含此类变化。此外，应理解，本发明仅仅由所附权利要求书界定。

Claims (20)

1.一种用于测量样本衬底的一或多个特性的悬臂式探针，其包括：
至少一个探针销；
第一金属涂层，其安置于所述至少一个探针销的尖端上；以及
第二金属涂层，其安置于所述至少一个探针销的根部上，其中所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层，且其中所述第二金属涂层包括比所述第一金属涂层软的金属。
2.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述至少一个探针销包括硅Si或二氧化硅SiO2中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述第一金属涂层包括钌Ru或钨W中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述第二金属涂层包括金Au。
5.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述第二金属涂层与所述第一金属涂层的一部分重叠使得所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层。
6.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述第一金属涂层与所述第二金属涂层的一部分重叠使得所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层。
7.根据权利要求1所述的悬臂式探针，其中所述悬臂式探针被配置成测量所述样本衬底的至少一个膜电阻特性。
8.一种用于测量样本衬底的一或多个特性的传感器，其包括：
传感器底座；
多个探针销，其从所述传感器底座延伸；
第一金属涂层，其安置于所述多个探针销的至少一个探针销的尖端上；以及
第二金属涂层，其安置于所述至少一个探针销的根部上，其中所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层，且其中所述第二金属涂层包括比所述第一金属涂层软的金属。
9.根据权利要求8所述的传感器，其中所述传感器底座和所述多个探针销包括硅Si或二氧化硅SiO2中的至少一个。
10.根据权利要求8所述的传感器，其中所述第一金属涂层包括钌Ru或钨W中的至少一个。
11.根据权利要求8所述的传感器，其中所述第二金属涂层包括金Au。
12.根据权利要求8所述的传感器，其中所述第二金属涂层与所述第一金属涂层的一部分重叠使得所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层。
13.根据权利要求8所述的传感器，其中所述第一金属涂层与所述第二金属涂层的一部分重叠使得所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层。
14.根据权利要求8所述的传感器，其中所述传感器为悬臂式探针。
15.根据权利要求8所述的传感器，其中所述传感器是显微四点探针或显微十二点探针。
16.根据权利要求8所述的传感器，其中所述传感器被配置成测量所述样本衬底的至少一个膜电阻特性。
17.一种制造悬臂式探针的方法，其包括：
形成至少一个探针销；
将第一金属涂层安置于所述至少一个探针销的尖端上；以及
将第二金属涂层安置于所述至少一个探针销的根部上，其中所述第二金属涂层接触所述第一金属涂层，且其中所述第二金属涂层包括比所述第一金属涂层软的金属。
18.根据权利要求17所述的方法，其中通过蚀刻绝缘体上硅SOI晶片来形成所述至少一个探针销。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一金属涂层包括通过执行溅镀和剥离工艺而安置于所述至少一个探针销的所述尖端上的钌Ru或钨W中的至少一个。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二金属涂层包括通过执行溅镀和剥离工艺而安置于所述至少一个探针销的所述尖端上的金Au。
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