JP2006071405A - プローブユニット - Google Patents

Abstract

【課題】 導線の摩耗による寿命を検出することができるプローブユニットを提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の第一接触部を有する第一導線と、前記基板の前記一端と前記第一接触部との間の前記基板上に前記第一接触部より低く形成されている第二導線と、を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明はプローブユニットに関する。

従来、互いに平行に基板上に形成された複数の導線の先端部分を検体の電極に接触させるプローブユニットが知られている。このようなプローブユニットでは、導線の先端部分が磨耗すると基板が検体に接触する恐れがある。基板が検体に接触している状態では、導線と検体の電極とを確実に導通させることができない。つまりプローブユニットは、導線の摩耗によって基板が検体に接触するようになると寿命が尽きる。

導線の検体の電極に接触する部位を他の部位よりも高く形成するプローブユニットが知られている。例えば特許文献１に記載のプローブユニットでは、導線としての配線が基板上に形成され、導線としての導電性の板状部材が配線の先端部上に配置されている。したがって、板状部材の基板と反対側の表面は、導線の基板と反対側の表面よりも高い。特許文献１に記載のプローブユニットによれば、板状部材を検体の電極に接触させるため、基板が検体の電極に接触しにくく、プローブユニットの寿命は長くなる。

しかしながら、従来のプローブユニットでは、導線の摩耗によるプローブユニットの寿命を使用中に検出することはできない。具体的には、摩耗によってプローブユニットの導線と検体の電極との導通不良が生じたときであっても、従来のプローブユニットを用いた導通検査では検体の導通不良が示されるだけであるため、ユーザはその検査結果からプローブユニットの寿命が尽きたことを知り得ない。

特開２００１−３４３３９９号公報

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、導線の摩耗による寿命を検出することができるプローブユニットを提供することを目的とする。

上記目的を達成するためのプローブユニットは、基板と、前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の第一接触部を有する第一導線と、前記基板の前記一端と前記第一接触部との間の前記基板上に前記第一接触部より低く形成されている第二導線と、を備える。基板の一端と第一接触部との間に形成されている第二導線は第一接触部よりも低く形成されている。そのため基板の一端に沿って配列されている第一接触部を検体の電極に接触させることができる。ここで第一接触部が磨耗により所定の高さよりも低くなると、基板の一端に沿って形成されている第二導線が検体の電極に接触するようになる。第二導線が複数の検体の電極に接触すると、それらの電極に接触している第一接触部は第二導線を介して短絡する。そのため第一導線が短絡しているか否かを監視することにより、第一接触部が所定の高さよりも低くなっているか否かを判別できる。つまり本発明のプローブユニットによれば、第一導線の磨耗によるプローブユニットの寿命を検出することができる。尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。

前記第一導線は、前記第一接触部において前記第二導線よりも厚くてもよい。
前記基板の前記第一接触部が形成されている部位は、前記基板の前記第二導線が形成されている部位よりも厚くてもよい。
前記第二導線は、グランドに電気的に接続されていてもよい。第一接触部が接触している検体の電極に第二導線が接触すると、その第一接触部はグランド電位になる。そのため第一導線がグランド電位か否かを監視するだけで、第一接触部が所定の高さよりも低くなっているか否かを判別できる。つまり本発明のプローブユニットによれば、第一導線の磨耗によるプローブユニットの寿命を容易に検出することができる。ここでグランドとは、大地、または大地の代わりになるプリント基板のグランド層、検査装置の筐体などの基準点を意味する。

前記第二導線は前記基板の前記一端に沿って配列された複数の島部を有し、前記島部のそれぞれに沿って複数の前記第一接触部が配列されていてもよい。例えば導電性のごみが付着することによって複数の第一接触部と１つの島部とが短絡すると、第一接触部は島部を介して互いに短絡する。この状態はプローブユニットの寿命が尽きた状態と同一状態のため、プローブユニットの寿命が尽きていないにも関わらず、プローブユニットをそのまま使用することができなくなる。一方、複数の第一接触部がそれぞれ異なる島部と短絡しても、第一接触部は互いに短絡しない。つまり本発明のプローブユニットによれば、プローブユニットの寿命以外の理由で第一接触部と第二導線とが短絡することに起因する不具合の発生を抑制できる。

前記第二導線から延伸し、隣り合う前記第一接触部の間に形成され検体の電極に接触する第二接触部を有する第三導線を更に備えてもよい。第三導線は、第二導線から隣り合う第一接触部の間に延伸している。つまり第一導線と第二導線および第三導線とは櫛歯状に形成される。また第三導線は、基板の一端に沿って配列されている第二接触部を有している。そのため本発明のプローブユニットによれば、第一接触部と第二接触部とを検体の電極に接触させて検体の検査をすることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（プローブユニットの第一実施例）
図１はプローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１を説明するための模式図である。プローブユニット１は、基板２と複数の第一ビーム４と複数の第一バンプ６とショートバー８とを備える。基板２は、ガラスセラミック、石英、ジルコニア等で板状に形成されている。

第一導線としての第一ビーム４は、基板２上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。第一ビーム４は、基板２の一端２ａ近傍から一端２ａに対向する基板２の他端２ｂに向けて延伸している。そして第一ビーム４は、基板２の他端２ｂ側の端部で図示しない検査装置本体のプリント基板に電気的に接続されている。尚、第一ビーム４は、Ｎｉ合金に限定されず、Ｎｉ等の他の導体材料で形成されていてもよい。また第一ビーム４は、後述する第一バンプ６が基板２の一端２ａに沿って形成可能な形状であればよく、図１に示す形状に限定されない。例えば第一ビーム４は蛇行していてもよい。

第一バンプ６は、第一ビーム４上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成され、第一ビーム４の基板２と反対側の表面から突出している。第一バンプ６は、基板２の一端２ａの近傍に基板２の一端２ａと平行に配列されている。第一バンプ６は、プローブユニット１を用いた検体１０の検査において検体１０の電極１２と接触する（図２参照）。尚、第一バンプ６の一端６ａが第一ビーム４の一端４ａに位置する配置を図示して説明したが、第一バンプ６の配置はこれに限定されない。例えば第一バンプ６は、その一端６ａが第一ビーム４の一端４ａから基板２の他端２ｂ側に離れて配置されていてもよい。また第一バンプ６は、Ｎｉ合金に限定されず、Ｎｉ等の他の導体材料で形成されていてもよい。また第一バンプ６は、第一ビーム４と同一の材料で形成されていてもよいし、第一ビーム４と異なる材料で形成されていてもよい。以下では、「第一ビーム４の基板２と反対側の表面」を「第一ビーム４の表面」という。

第二導線としてのショートバー８は、基板２の一端２ａと第一ビーム４の一端４ａとの間の基板２上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。ショートバー８は基板２の一端２ａと平行に延伸している。ショートバー８は第一ビーム４と同一の厚さである。したがってショートバー８の基板２と反対側の表面は、第一バンプ６の基板２と反対側の表面よりも、基板２の第一ビーム４と反対側の表面からの高さが第一バンプ６の厚さ分だけ低い。そのため第一バンプ６がある程度摩耗しない限り、ショートバー８が検体１０の電極に接触することはない（図２、図３参照）。以下では、「ショートバー８の基板２と反対側の表面」を「ショートバー８の表面」、「第一バンプ６の基板２と反対側の表面」を「第一バンプ６の表面」、「基板２の第一ビーム４と反対側の表面」を「基板２の裏面」という。また、高さに関する記載については、特に断りのない限り基板２の裏面を基準とするものとする。

尚、ショートバー８の厚さは第一ビーム４の厚さと同一であるとして説明したが、ショートバー８の表面を第一バンプ６の表面よりも低くできれば、ショートバー８は第一ビーム４より厚くても薄くてもよい。また第一ビーム４とショートバー８とを同一工程で形成できるため、ショートバー８は第一ビーム４と同一材料で形成されていることが望ましいが、第一ビーム４と異なる材料で形成されていてもよい。またショートバー８の一端８ａが基板２の一端２ａに位置する配置を例示したが、ショートバー８の配置はこれに限定されない。例えばショートバー８は、その一端８ａが基板２の一端２ａから基板２の他端２ｂ側に離れていてもよい。

図２は、プローブユニット１を用いた検体１０の電気的特性の検査方法を説明するための模式図である。図２（Ｂ）では、第一バンプ６の検体１０の電極１２に接触する部位を斜線で示している。プローブユニット１を用いた検体１０の検査では、第一バンプ６と検体１０の電極１２とを一対一で接触させて第一ビーム４と電極１２とを導通させる。そして、その状態で検査装置本体から第一ビーム４を介して電極１２に検査信号を入力する。したがって、上述のショートバー８の表面と第一バンプ６の表面との高低差は、図２に示す検査時の姿勢で第一バンプ６と検体１０の電極１２とを接触させたときに、ショートバー８が検体１０に接触しないように設計されている。第一バンプ６の表面が特許請求の範囲に記載の第一接触部に相当する。

図３は、第一バンプ６が摩耗した状態のプローブユニット１を用いた検体１０の検査を表す模式図である。図３（Ｂ）では、第一バンプ６の検体１０の電極１２に接触する部位を斜線で示している。第一バンプ６が検体１０の電極１２との摩擦により摩耗すると、ショートバー８と電極１２とが接触するようになる。例えば図３（Ｂ）に示すように、第一ビーム４と検体１０の電極１２とを接触させた状態でショートバー８が検体１０の電極１２ｂ、１２ｃに接触すると、電極１２ｂ、１２ｃに接触している第一ビーム４ｂ、４ｃはショートバー８を介して短絡する（矢印Ｘ１参照）。

以上説明したプローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１によると、第一バンプ６の摩耗によって基板２が検体１０に接触する前に、ショートバー８が検体１０の電極１２に接触する。そのためユーザは第一ビーム４の短絡を監視すれば、電極１２と基板２の接触を確実に予知することができる。つまりプローブユニット１によると、第一バンプ６の摩耗による寿命を検出することができる。
尚、プローブユニット１は第一バンプ６を備えるとして説明したが、図４に示すように第一バンプ６を第一ビーム４上に形成せず、ショートバー８よりも厚い第一ビーム４を基板２上に形成してもよい。そのときは第一ビーム４の検体１０の電極１２に接触する部位が特許請求の範囲に記載の第一接触部に相当する。

（プローブユニットの第二実施例）
図５はプローブユニットの第二実施例によるプローブユニット２１を説明するための模式図である。尚、以下に説明する複数の実施例では上述の第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
プローブユニット２１は、基板２と内層２２と第一ビーム４とショートバー８とを備える。内層２２は基板２上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。内層２２は、基板２の一端２ａの近傍に基板２の一端２ａと平行に配列されている。尚、内層２２はＮｉ合金に限定されず、Ｎｉ等の他の導体材料で形成されていてもよい。また内層２２は、第一ビーム４と同一材料で形成されていてもよいし、第一ビーム４と異なる材料で形成されていてもよい。尚、内層２２の形状は図示の形状に限定されない。例えば内層２２は図６に示すように半球状でもよい。そのときは内層２２をポリイミド等の有機材料で形成すればよい。

第一ビーム４は内層２２を覆うように形成されている。そのため第一ビーム４の内層２２上に形成されている部分（以下、突部という。）２４の基板２と反対側の表面は、第一ビーム４の基板２上に形成されている部分（以下、基部という。）２６の基板２と反対側の表面よりも、内層２２の厚さ分だけ高い位置にある。第一ビーム４の突部２４の基板２と反対側の表面が特許請求の範囲に記載の第一接触部に相当する。ショートバー８は、第一ビーム４の突部２４の表面よりも低く形成されている。

以上説明したプローブユニットの第二実施例に係るプローブユニット２１によると、第一ビーム４の突部２４が基部２６と一体に形成されているため、突部２４だけが基部２６から剥がれることが防止できる。

（プローブユニットの第三実施例）
図７はプローブユニットの第三実施例によるプローブユニット３１を説明するための模式図である。プローブユニット３１は、基板２と第一ビーム４とを備える。
第一ビーム４は基板２から離れて突出する突出部３２を有する。第一ビーム４の突出部３２と基板２との間には空隙３４が形成されている。ショートバー８は、第一ビーム４の突出部３２の基板２と反対側の表面よりも低く形成されている。
プローブユニット３１は、プローブユニットの第二実施例に係るプローブユニット２１の内層２２（図６参照）を基板２と第一ビーム４とショートバー８とに対して選択的に除去可能な材料で形成し、第一ビーム４形成後に内層２２を除去することで製造可能である。

（プローブユニットの第四実施例）
図８はプローブユニットの第四実施例によるプローブユニット４１を説明するための模式図である。プローブユニット４１は、ショートバー８が形成されている部分よりも第一ビーム４が形成されている部分が厚い基板２を備える。
基板２の端部は、その一端２ａから他端２ｂ側に離れるほど厚くなるように成形されている。基板２の第一ビーム４が形成されている部分は、ショートバー８が形成されている部分よりも厚い。ショートバー８は第一ビーム４と同一の厚さである。したがってショートバー８の表面は、第一ビーム４の表面よりも低い位置にある。

プローブユニット４１による検体１０の検査では、図８（Ｂ）に示すように第一ビーム４の基板２の一端２ａ側の部位を検体１０の電極１２に接触させる。したがって、上述のショートバー８の表面と第一ビーム４の表面との高低差は、図８（Ｂ）に示す検査時の姿勢で第一ビーム４と検体１０の電極１２とを接触させたときに、ショートバー８が検体１０に接触しないように設計されている。第一ビーム４の検体１０の電極１２に接触する部位が特許請求の範囲に記載の第一接触部に相当する。

尚、第一ビーム４とショートバー８とは同一厚さに形成されているとして説明したが、ショートバー８の表面を第一ビーム４の表面よりも低くできれば、ショートバー８は第一ビーム４より厚くても薄くてもよい。また、図９に示すように基板２の一端２ａ側に凹部４２を形成し、凹部４２が埋まるようにショートバー８を形成してもよい。

（プローブユニットの第五実施例）
図１０は、プローブユニットの第五実施例によるプローブユニット５１を説明するための模式図である。プローブユニット５１は突部５２を有する基板２を備える。
基板２は、一端２ａの近傍で一端２ａと平行に延びる突部５２を有している。第一ビーム４は、基板２の突部５２が形成されている側の表面上に、突部５２を横断するように形成されている。ショートバー８は第一ビーム４と同一の厚さに形成されている。そのためショートバー８の表面は、第一ビーム４の突部５２上に形成されている部分（以下、突部という。）５４の基板２と反対側の表面よりも低い。

プローブユニット５１による検体１０の検査では、第一ビーム４の突部５４を検体１０の電極１２に接触させる。第一ビーム４の突部５４の基板２と反対側の表面が特許請求の範囲に記載の第一接触部に相当する。
尚、ショートバー８と第一ビーム４とを同一の厚さとして説明したが、ショートバー８の表面を第一ビーム４の突部５４の基板２と反対側の表面よりも低くできれば、ショートバー８は第一ビーム４より厚くても薄くてもよい。

（プローブユニットの第六実施例）
図１１は、プローブユニットの第六実施例によるプローブユニット６１を説明するための模式図である。
第二ビーム６２は、基板２上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。第二ビーム６２は、ショートバー８から基板２の他端２ｂ側に延伸し、基板２の他端２ｂ側の端部で図示しない検査装置本体のプリント基板のグランド層に電気的に接続されている。つまり、プローブユニット６１のショートバー８は、第二ビーム６２を介してプリント基板のグランド層に電気的に接続されている。そのため、第一ビーム４が接触している検体１０の電極１２にショートバー８が接触すると、第一ビーム４はその電極１２を介してグランド電位になる。尚、第二ビーム６２は検査装置本体の筐体などの基準点に電気的に接続されていてもよいし、大地に電気的に接続されていてもよい。またショートバー８と第二ビーム６２とを同一工程で形成できるため、第二ビーム６２はショートバー８と同一材料で形成されていることが望ましいが、ショートバー８と異なる材料で形成されていてもよい。また第二ビーム６２はＮｉ合金に限定されず、Ｎｉ等の他の導体材料で形成されていてもよい。

以上説明したプローブユニットの第六実施例に係るプローブユニット６１によると、ショートバー８が第一バンプ６の摩耗によって検体１０の電極１２に接触するようになると、第一ビーム４はグランド電位になる。そのため第一ビーム４がグランド電位か否かを監視すれば、第一バンプ６の摩耗による寿命を検出することができる。
尚、直線上の第二ビーム６２を介してショートバー８をグランドに接続する例を説明したが、ショートバー８をグランドに接続する導線はどのような形態であってもよい。

（プローブユニットの第七実施例）
図１２はプローブユニットの第七実施例によるプローブユニット７１を説明するための模式図である。プローブユニット７１は、プローブユニットの第一実施例に係るショートバー８に相当する第一ショートバー７２と第二ショートバー７３とを備えている。
第一ビーム７４ａと第一ビーム７４ｂとは、プローブユニットの第一実施例に係る第一ビーム４と実質的に同一である。

第一ショートバー７２は、基板２の一端２ａと第一ビーム７４ａとの間にバンプ６より低く形成されている。第一ショートバー７２は、基板２の一端２ａと平行に延びている。第二ショートバー７３は基板２の一端２ａと第一ビーム７４ｂとの間にバンプ６より低く形成されている。第二ショートバー７３は、基板２の一端２ａと平行に延びている。第一ショートバー７２と第二ショートバー７３とが特許請求の範囲に記載の「複数の島部」に相当する。
第一ビーム７４ａ上に形成されている第一バンプ６は第一ショートバー７２の近傍で基板２の一端２ａと平行な方向に配列されている。また第一ビーム７４ｂ上に形成されている第一バンプ６は、第二ショートバー７３の近傍で基板２の一端２ａと平行な方向に配列されている。

図１３は、導電性のごみ７５が付着したプローブユニット７１を表す模式図である。
図１３（Ａ）に示すように、例えば導電性のごみ７５がプローブユニット７１に付着することによって複数の第一ビーム７４ａが第一ショートバー７２と短絡すると、それらの第一ビーム７４ａは第一ショートバー７２を介して短絡してしまう（矢印Ｘ２参照）。この状態はプローブユニット７１の寿命が尽きた状態と同一状態のため、プローブユニット７１の寿命が尽きていないにも関わらず、プローブユニット７１をそのまま使用することができなくなる。

一方、例えば図１３（Ｂ）に示すように第一ビーム７４ａと第一ショートバー７２とが導電性のごみ７５により一カ所で短絡し、第一ビーム７４ｂと第二ショートバー７３とが導電性のごみ７５により一カ所で短絡しても（矢印Ｘ３、Ｘ４参照）、第一ビーム７４ａと第一ビーム７４ｂとは短絡しない。したがって導電性のごみ７５が付着したプローブユニット７１を継続して使用することができる。つまりプローブユニット７１では、第一ビーム７４ａと第一ビーム７４ｂとが１つのショートバーに沿って配列されているプローブユニットと比較して、導電性のごみ７５が付着することによる不具合が発生しにくい。
尚、プローブユニット７１は２つの島部（具体的には、第一ショートバー７２と第二ショートバー７３）を備えるとして説明したが、プローブユニット７１は３つ以上の島部を備えてもよい。

（プローブユニットの第八実施例）
図１４は、プローブユニットの第八実施例によるプローブユニット８１を説明するための模式図である。
複数の第一ビーム４は互いに電気的に接続されている。具体的には例えば、複数の第一ビーム４は基板２の他端２ｂ側で電気的に接続されている。
第二ビーム８２は、図示しない検査装置本体のプリント基板に電気的に接続されている。
第三導線としての第三ビーム８３は、基板２上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。第三ビーム８３は、ショートバー８から隣り合う第一ビーム４の間に延伸している。尚、ショートバー８と第三ビーム８３とを同一工程で形成できるため、第三ビーム８３はショートバー８と同一材料で形成されていることが望ましいが、ショートバー８と異なる材料で形成されていてもよい。また第三ビーム８３は、Ｎｉ合金に限定されず、Ｎｉ等の他の導体材料で形成されていてもよい。

第二バンプ８４は、第三ビーム８３上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金で形成されている。第二バンプ８４は隣り合う第一バンプ６の間に位置している。プローブユニット８１による検査では、第二バンプ８４が第一バンプとともに検体１０の電極１２に接触する。第二バンプ８４の基板２と反対側の表面が特許請求の範囲に記載の第二接触部に相当する。尚、第二バンプ８４はＮｉ合金に限定されない。例えば第二バンプ８４はＮｉ等でもよい。

プローブユニット８１は、縦縞模様、横縞模様、市松模様などを表示させる液晶パネルの検査に好適である。具体的には例えば、プローブユニット８１を用いた液晶パネルの検査では、第一バンプ６が液晶パネルの奇数ラインに対応する電極１２に接触し、第二バンプ８４が液晶パネルの偶数ラインに対応する電極１２に接触する。ここで、第一バンプ６の摩耗により奇数ラインに対応する電極１２がショートバー８に接触するようになると、第一ビーム４と第三ビーム８３とショートバー８とは短絡する。つまり第一ビーム４と第三ビーム８３（またはショートバー８）が短絡している否かを監視すれば、第一バンプ６の摩耗による寿命を検出することができる。また第一ビーム４と第三ビーム８３とショートバー８とが短絡した状態では、液晶パネルに縦縞模様、横縞模様、市松模様などを表示させることができなくなるため、液晶パネルの表示を目視することによってもプローブユニット８１の寿命を認識することができる。

（製造方法）
次にプローブユニットの製造方法の一実施例を説明する。
図１５および図１６は、上述した第一実施例によるプローブユニット１の製造方法を説明するための模式図である。
まず、ガラスセラミックで形成された基板２上にスパッタ等により第一シード層１００を形成する（図１５（Ａ１）参照）。

次に、第一ビーム４とショートバー８とを形成する部位を露出させる第一レジスト層１０２を第一シード層１００上に形成する。ここで第一レジスト層１０２は、第一シード層１００上にフォトレジストを塗布して形成したレジスト膜に所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要なレジスト膜を除去して形成される。

次に、第一レジスト層１０２から露出する第一シード層１００上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金をめっきすることにより、第一ビーム４とショートバー８とを形成する（図１５（Ａ２）参照）。
次に、第一レジスト層１０２を除去する（図１５（Ａ３）参照）。ここで第一レジスト層１０２の除去には、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の液剤を用いる。

次に、第一レジスト層１０２と同様の方法で、第一バンプ６を形成する部位を露出させる第二レジスト層１０４を形成する（図１５（Ａ４）参照）。
次に、第二レジスト層１０４から露出する第一ビーム４上にＮｉＦｅ等のＮｉ合金をめっきすることにより、第一バンプ６を形成する（図１６（Ａ５）参照）。

次に、第二レジスト層１０４を第一レジスト層１０２と同様の方法で除去し（図１６（Ａ６）参照）、第一ビーム４とショートバー８とから露出する第一シード層１００をミリング等により除去する（図１６（Ａ７）参照）。
次に、基板２を所定の形状に成形する。具体的には、基板２が所定の厚さになるまで基板２の裏面を研磨シート、ラップ盤等で削り（図１６（Ａ８）参照）、基板２の不要な部分を切除する（図１７（Ａ６）参照）。

以上説明した製造方法の実施例によると、プローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１を製造することができる。

（Ａ）はプローブユニットの第一実施例に係るプローブユニットの模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＡ１−Ａ１線断面図である。 本発明のプローブユニットを用いた検査を説明するための模式図である。 本発明のプローブユニットを用いた検査を説明するための模式図である。 プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニットの模式図である。 （Ａ）はプローブユニットの第二実施例に係るプローブユニットの模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＡ２−Ａ２線断面図である。 プローブユニットの第二実施例に係るプローブユニットの模式図である。 プローブユニットの第三実施例に係るプローブユニットの模式図である。 プローブユニットの第四実施例に係るプローブユニットの模式図である。 プローブユニットの第四実施例に係るプローブユニットの模式図である。 （Ａ）はプローブユニットの第五実施例に係るプローブユニットの模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＡ３−Ａ３線断面図である。 プローブユニットの第六実施例に係るプローブユニットの模式図である。 プローブユニットの第七実施例に係るプローブユニットの模式図である。 導電性のごみが付着したプローブユニットを表す模式図である。 プローブユニットの第八実施例に係るプローブユニットの模式図である。 製造方法の一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。 製造方法の一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。

符号の説明

１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１ プローブユニット、４、７４ａ、７４ｂ 第一ビーム（第一導線）、６ 第一バンプ（第一導線）、８ ショートバー（第二導線）、２２ 内層（第一導線）、７２ 第一ショートバー（第一島部）、７３ 第二ショートバー（第二島部）、８２ 第三ビーム（第三導線）、８４ 第二バンプ（第三導線）

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の第一接触部を有する第一導線と、
   前記基板の前記一端と前記第一接触部との間の前記基板上に前記第一接触部より低く形成されている第二導線と、
   を備えることを特徴とするプローブユニット。
2. 前記第一導線は、前記第一接触部において前記第二導線よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
3. 前記基板の前記第一接触部が形成されている部位は、前記基板の前記第二導線が形成されている部位よりも厚いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
4. 前記第二導線は、グランドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニット。
5. 前記第二導線は前記基板の前記一端に沿って配列された複数の島部を有し、
   前記島部のそれぞれに沿って複数の前記第一接触部が配列されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のプローブユニット。
6. 前記第二導線から延伸し、隣り合う前記第一接触部の間に形成され検体の電極に接触する第二接触部を有する第三導線を更に備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のプローブユニット。

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