JP5242063B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基材を貫通する微細孔（以下、貫通孔と略記）内に導電体を充填してなる貫通配線を用いて、基材の一面から他面に電気的な導通を図る配線基板の製造方法に係る。より詳細には、集積回路のプローバ検査の際にプローバ針跡の影響を受けずに、貫通配線の端面との電気的な接続安定性に優れた導電層を配してなる配線基板の製造方法に関する。

電子デバイスや光デバイス等の小型化、高機能化を図るために、あるいは、これらのデバイスを積層するために、配線基板はその表裏両面側を電気的に接続する貫通配線を備える場合がある。このような貫通配線は従来、例えば図９に示すような方法で作製される。
まず、図９（ａ）に示すように、基体１０１として基材１０２の一方の面（主面Ａとも呼ぶ）側に第一絶縁部１０３を配してなるものを用い、第一絶縁部１０３上に導電部１０４を、次いで導電部１０４を覆うように第二絶縁部１０５を順に設けた後、その一部１０４ａのみ露呈するように開口部Ｆ_１００ を形成する。その際、導電部１０４は、配線やパッドとして機能する導電性の薄膜からなり、他の基板あるいはデバイスと電気的に接続するために使用されるものである。基体１０１としては、例えば、半導体からなる基材１０２に絶縁性の薄膜からなる絶縁部１０３を設けたものが挙げられる。

次に、図９（ｂ）に示すように、導電部１０４の直下に、基材１０２の他方の面（主面Ｂとも呼ぶ）側から微細孔δを形成する。このような微細孔を形成するための方法としては、例えば、ＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching） に代表されるＤＲＩＥ（Deep-Reactive Ion Etching） 法やそれにエッチングガスの切換を行うボッシュ法、ＫＯＨ溶液等を用いた異方性エッチング法、レーザー加工法などが挙げられる。

次いで、図９（ｃ）に示すように、微細孔γの内壁１０１ａや主面Ｂの表面には、必要に応じて薄膜からなる第三絶縁部１０６が形成される。ただし、基材１０２が絶縁体からなる場合には、第三絶縁部１０６は必須構成ではない。
さらに、主面Ｂ側から微細孔γの内部を完全に埋めるように、あるいは微細孔γの内壁を被覆するように（「コンフォーマル」と呼ぶ。）、導電性物質１０７が形成される。このような導電性物質を充填する方法としては、溶融金属充填法や印刷法、メッキ法などが挙げられる。この時、微細孔γの先端部では、導電部１０４と導電性物質１０７とが電気的に接続され、基体１０１の表裏を貫通する貫通配線が形成される（例えば、特許文献１参照）。

従来、ＩＣに代表される集積回路においては必ず、図９（ａ）に示したような加工終了後に、いわるゆプローバテストが行われる。すなわち、電極等として用いられる導電部１０４のうち露呈された一部１０４ａに対して、図１０に示すように、Ｚ方向（導電部１０４に垂直をなす方向）に微細な針Ｘを移動し、その先端部を接触させて電気的なコンタクトをとり、所定のパラメータについて測定を行い、「ＧＯ」または「ＮＯ ＧＯ」を判定する評価（プローバテストとも呼ぶ）が行われる。

その際、微細な針Ｘの先端部と導電部１０４との電気的な接触を十分なものとするために、導電部１０４の表面に存在する自然酸化膜等を突き破って接触させる必要がある。そのために、針Ｘの先端部が導電部１０４にある程度食い込むような設定とせざるを得ず、針Ｘの先端部が導電部１０４上を滑った跡（プローバ針跡）が生じる。
図１１は、針の先端部が導電部上を滑った後の状態を示す模式的な断面図である。図１１に示すように、針の先端部が導電部２０４の上を滑った部分２０４ｄには傷が発生し、削れた状態となる。具体的には、通常１μｍ程度の厚みしかない導電部２０４を局所的にではあるが薄膜化したり、あるいは、その傾向が強い場合には導電体２０４が完全に剥離された状態（不図示）となってしまう。

貫通配線を設けない配線基板、すなわち、図１１において微細孔εが存在せず、基体２０１が導電部２０４をその全域にわたり支えている構成の配線基板においては、前述した滑った部分２０４ｄがあっても、電極等として機能する部分ＦＤ_２００ にこの寸法と同等の金線のボールが加熱、圧着（ワイヤボンディング）されるため、滑った部分２０４ｄが傷ついていることは全く問題とはならなかった。また、導電部２０４の下面には基体２０１が存在するため、導電部２０４の損傷も軽微なものとすることもできた。

しかしながら、貫通配線を設けた配線基板では、図１１に示すように、基体２０１の裏側から基材２０２等にエッチング処理を施して微細孔εを形成した後、この微細孔εの内部に導電性物質（不図示）を充填して貫通配線が形成されるため、そのエッチングにおける最終段階では僅か１μｍ程度の厚さの導電部２０４ｃが残ることになる。ここで、導電部２０４ｃとは、図１１において、導電部２０４の上面側の開口された領域ＦＤ_２００ と、導電体２０４の下面側の開口された領域ＢＤ_２００ とが重なった部分（図１１の点線で囲んだ部分）を指す。ゆえに、上下面が開放された状態にある導電部２０４ｃにプローバ針跡２０４ｄが生じてしまうと、導電部２０４は部分的に薄膜化したり、あるいは穴が開くことになり、特に後者の場合には、電極等として機能する導電部２０４は容易に破壊され、配線基板は大きな歩留まりの低下を招くことになる。
特開２００２−１５８１９１号公報

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、基材をエッチングして微細孔を形成する際に、この微細孔を塞ぐ薄い導電部を確実に残すことが可能な、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係る配線基板の製造方法は、基材の一方の面側に第一絶縁部が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔を備えた基体、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の前記第一絶縁部側に配された導電部、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には前記導電部を露呈させる開口部を備えた第二絶縁部、から構成され、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域が、前記貫通孔と重ならない位置を含むように配されている配線基板の製造方法であって、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域における、前記貫通孔が形成される位置と重ならない位置に対してプロービングテストを行った後、前記基材に対してエッチング処理を施して、前記開口部と重ならない位置に前記貫通孔を形成する際に、前記貫通孔と重なる位置にある前記導電部を、前記エッチング処理を停止する指標として用いることを特徴とする。

本発明の請求項２に係る配線基板は、請求項１において、前記導電部における前記貫通孔と重なる位置が前記第二絶縁部によって覆われていることを特徴とする。

本発明の請求項１に係る配線基板の製造方法は、基材に対してエッチング処理を施し貫通孔を形成する際に、エッチング処理を停止する指標として、導電部のうち、プロービングテストが行われた位置とは異なる領域を、貫通孔と重なる位置として用いる。これにより、たとえ導電部がプローバ針跡の直接的な影響を受けたとしても、エッチング処理を停止する指標の役割を担う貫通孔と重なる位置の導電部は、プロービングテストによる損傷を全く受けずに、確実に残存させることが可能となる。ゆえに、本発明は、基材をエッチングして微細孔を形成する際に、この微細孔を塞ぐ薄い導電部を確実に残すことが可能な、配線基板の製造方法の提供に寄与する。

以下では、本発明に係る配線基板の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１と図２は第一配線基板の例を、図３は第二配線基板の例を、それぞれ表している。なお、何れの図面も本発明に係る配線基板の断面構造を模式的に示したものである。

（第一の実施形態）
図１は、本発明に係る配線基板の一例を示す模式的な断面図である。図１（ａ）〜図１（ｃ）は、多層構造をなす導電部１４の上層（第一層１４ｓ）と下層（第二層１４ｕ）の相対的な長さが異なる点のみ相異しており、他の点は同一構成とした例である。
詳細には、図１（ａ）は、導電部１４Ａを構成する下層が上層より短く、上層が開口部１５ａ（露呈された部分Ｆ_１０）より十分長い場合を表す。図１（ｂ）は、導電部１４Ｂを構成する上層が下層より短く、下層が開口部１５ａ（露呈された部分Ｆ_１０）より十分長い場合を表す。図１（ｃ）は、導電部１４Ｃを構成する上下層が何れも開口部１５ａ（露呈された部分Ｆ_１０）より十分長い場合を表す。

図１（ａ）〜図１（ｃ）に示した配線基板１０は何れも、基材１２の一方の面側に第一絶縁部１３が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔αを備えた基体１１、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の第一絶縁部側に配された導電部１４、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には該導電部を露呈させる開口部１５ａ（露呈された部分Ｆ_１０）を備えた第二絶縁部１５、から構成されている。さらに、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域ＦＤ_１０が、前記貫通孔αと重なる位置に配され、かつ、前記導電部１４が少なくとも多層構造をなしている。特に、図１における多層構造は、その重なり方向において、面状をなす第一層１４ｓと第二層１４ｕが島状をなす中間層１４ｔを挟んでなる構造体を含むものである。

このように、上下に位置する第一層１４ｓと第二層１４ｕの間に、両者を局所的に繋ぐような形態の中間層１４ｔを介在させることにより、両者間の電気的な導通が確保されるとともに、たとえプローバテストにより第一層１４ｓにプローバ針跡が発生しても、局所的に中間層１４ｔが存在しているので、第一層１４ｓの影響は第二層１４ｕへ伝達されにくくなる、という効果が得られる。ゆえに、プローバテスト後においても、第二層１４ｕはその形状が安定に保たれるので、第二層１４ｕの裏面において露呈された部分（露呈部）Ｂ_１０は貫通孔αに設ける貫通配線との接触部として安定に機能する。よって、このような多層構造とした導電部１４を備えることにより、物理的な断線や接触不良の発生を抑制できる配線基板が得られる。

上下に位置する第一層１４ｓと第二層１４ｕは何れも、導電性を有する薄膜が好ましく、その構成材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどが好適に用いられる。
上述した島状をなす中間層１４ｔとしては、例えば、導電性を有し、成膜条件により島状をなす薄膜や、成膜後にフォトエッチング加工、リフトオフ加工などを施すことによりグリッド状やメッシュ状、ストライプ状などに成形されたものが挙げられるが、中でも、グリッド状（すなわち、孤立した島状が多数配置されるような形態）とした場合には、上述した効果が特に期待されることから好ましい。このような中間層１４ｔを構成する材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどが好適に用いられる。

図１には、３つの層（第一層／中間層／第二層）からなる場合を示したが、上述した効果が期待される限り、さらなる多層化を図ってもよい。また、図１には３つの層がほぼ同じ膜厚のように図示してあるが、上述した効果をより一層発揮させるために、３つの層の膜厚は特に限定されるものではなく、それぞれの膜厚は適宜調整することができる。さらに、３つの層は同じ構成材料である必要はなく、それぞれの機能（第一層は耐プローバ性、第二層は貫通配線との間の電気的な導通性、中間層は島状とするための成膜性や加工性）を十分に発揮させるために、互いに異なる材料としても構わない。

（第二の実施形態）
図２は、本発明に係る配線基板の他の一例を示す模式的な断面図である。図２（ａ）〜図２（ｃ）は、二層構造をなす導電部２４の上層（第一層２４ｖ）と下層（第二層２４ｗ）の相対的な長さが異なる点のみ相異しており、他の点は同一構成とした例である。
詳細には、図２（ａ）は、導電部２４Ａを構成する上層が下層より短く、下層が開口部２５ａ（露呈された部分Ｆ_２０）より十分長い場合を表す。図２（ｂ）は、導電部２４Ｂを構成する上下層が何れも開口部２５ａ（露呈された部分Ｆ_２０）より十分長い場合を表す。図２（ｃ）は、導電部２４Ｃを構成する下層が上層より短く、上層が開口部２５ａ（露呈された部分Ｆ_２０）より十分長い場合を表す。

図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した配線基板２０は何れも、基材２２の一方の面側に第一絶縁部２３が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔βを備えた基体２１、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の第一絶縁部側に配された導電部２４、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には該導電部を露呈させる開口部２５ａ（露呈された部分Ｆ_２０）を備えた第二絶縁部２５、から構成されている。さらに、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域ＦＤ_２０が、前記貫通孔βと重なる位置に配され、かつ、前記導電部２４が少なくとも多層構造をなしている。特に、図２における多層構造は、その重なり方向において、面状をなす第一層２４ｖと第二層２４ｗが配され、互いを異なる部材とする構造体を含むものである。

このように、第一層２４ｖと第二層２４ｗを重ねることにより、両者間の電気的な導通が確保される。また、たとえプローバテストにより第一層２４ｖにプローバ針跡が発生しても、２つの層を互いを異なる部材とする構造体のため、第一層２４ｖの影響は第二層２４ｗへ伝達されにくくなる、という効果が得られる。ゆえに、プローバテスト後においても、第二層２４ｗはその形状が安定に保たれるので、第二層２４ｗの裏面において露呈された部分（露呈部）Ｂ_２０は貫通孔βに設ける貫通配線との接触部として安定に機能する。よって、このような多層構造とした導電部２４を備えることにより、物理的な断線や接触不良の発生を抑制できる配線基板が得られる。

上下に位置する第一層２４ｖと第二層２４ｗは何れも、導電性を有する薄膜が好ましく、その構成材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＷ、ｐｏｌｙ−Ｓｉなどが好ましい。中でも、第二層２４ｗとしては、耐プローブ性や貫通配線との間の電気的な導通性に優れる、Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＷ、ｐｏｌｙ−Ｓｉが好適である。

図２には、２つの層（第一層２４ｖ／第二層２４ｗ）からなる場合を示したが、上述した効果が期待される限り、さらなる多層化を図ってもよい。また、図２には２つの層がほぼ同じ膜厚のように図示してあるが、上述した効果をより一層発揮させるために、２つの層の膜厚は特に限定されるものではなく、それぞれの膜厚は適宜調整することができる。

（第三の実施形態）
図３は、本発明に係る配線基板の他の一例を示す模式的な断面図である。
図３に示した配線基板３０は、基材３２の一方の面側に第一絶縁部３３が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔γを備えた基体３１、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の第一絶縁部側に配された導電部３４、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には該導電部を露呈させる開口部３５ａを備えた第二絶縁部３５、から構成されている。さらに、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域ＦＤ_３０が、前記貫通孔γと重ならない位置に配されている。

かかる構成によれば、たとえプローバテストにより露呈された部分（露呈部）Ｆ_３０にプローバ針跡が発生しても、この部分Ｆ_３０の下部には基体３１が存在するため、基体３１が導電部３４をその全域にわたり支えることができるので、導電部３４の損傷も軽微なものとすることができる。また、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域ＦＤ_３０が、前記貫通孔γと重ならない位置にあるため、前述のプローバ針跡による影響を受けることがないので、貫通配線との接触部として機能する導電部３４の裏面の部分Ｂ_３０は安定に機能する。よって、このような構成とした導電部３４を備えることにより、物理的な断線や接触不良の発生を抑制できる配線基板が得られる。

導電部３４は、導電性を有する薄膜が好ましく、その構成材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどが好ましい。図３には、導電部３４が単層からなる場合を示したが、上述した効果が期待される限り、さらなる多層化を図ってもよい。この構造とした場合は、耐プローブ性が求められる部分（露呈部）Ｆ_３０に、たとえプローバ針跡が発生しても、その部分の直下には貫通配線が形成されていないので、貫通配線はプローバ針跡の影響を直接受けることがない。ゆえに、この構造を採用することにより、歩留まりよく、貫通配線を形成することが可能となる。
また、導電部３４の膜厚は、単層の場合には、例えば０．２〜４μｍの範囲が好ましい。２層以上とする場合には、各膜厚は特に限定されるものではなく、それぞれの膜厚は必要に応じて適宜調整することができる。

（第四の実施形態）
図５は、本発明に係る配線基板の他の一例を示す断面図と上方から見た平面図である。なお、図４は、プローバ針跡が形成された状態にあり、貫通孔γ’の形成前の図である。図６は第三絶縁部４６を設けた状態の図、図７は貫通孔γ’の底部を開口して導電部を露呈させた状態の図、及び、図８は第二導電部４７を設けた状態の図である。
図５に示した配線基板４０は、基材４２の一方の面側に第一絶縁部４３が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔γ’を備えた基体４１、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の第一絶縁部側に配された導電部４４、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には該導電部を露呈させる開口部４５ａを備えた第二絶縁部４５、から構成される。さらに、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域ＦＤ_４０が、前記貫通孔γ’と重なる位置及び重ならない位置を含むように配されている。

かかる構成によれば、たとえプローバテストにより露呈された部分（露呈部）Ｆ_４０のうち、貫通孔γ’と重ならない位置４４ｃにプローバ針跡［図４：上方から見た平面図に示した○印の部分（ここでは、大きさφ１の円形と仮定）］が発生しても、この部分４４ｃの下部には基体４１が存在するため、基体４１が導電部４４をその全域にわたり支えることができるので、導電部３４の損傷も軽微なものとすることができる。
一方、露呈された部分（露呈部）Ｆ_４０のうち、その裏面が貫通孔γ’の底部Ｂ_４０ａ をなす部分は、図５に示すように、プローバテストによって損傷した部分４４ｄ（針の先端部が導電部４４の上を滑った部分（プローバ針跡）４４ｄには傷が発生し、削れた状態となる。）が存在する位置４４ｃから、所望の距離Ｇだけ離れた位置関係にある。
つまり、露呈された部分（露呈部）Ｆ_４０のうち、貫通孔γ’の底部Ｂ_４０ａ をなす部分は、前述のプローバ針跡による影響を受けることがないので、貫通配線との接触部として機能する導電部３４の裏面の部分（貫通孔γ’の底部）Ｂ_４０ａ は安定に機能する。よって、このような構成とした導電部４４を備えることにより、物理的な断線や接触不良の発生を抑制できる配線基板が得られる。

導電部４４は、図３の導電部３４と同様に、導電性を有する薄膜が好ましく、その構成材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどが好ましい。図４には、導電部４４が単層からなる場合を示したが、上述した効果が期待される限り、さらなる多層化を図ってもよい。この構造とした場合は、耐プローブ性が求められる部分（露呈部）Ｆ_４０に、たとえプローバ針跡が発生しても、その部分の直下には貫通配線が形成されていないので、貫通配線はプローバ針跡の影響を直接受けることがない。ゆえに、この構造を採用することにより、歩留まりよく、貫通配線を形成することが可能となる。
また、導電部４４の膜厚は、図３の導電部３４と同様に、単層の場合には、例えば０．２〜４μｍの範囲が好ましい。２層以上とする場合には、各膜厚は特に限定されるものではなく、それぞれの膜厚は必要に応じて適宜調整することができる。

図５に示した配線基板は、次の手順（イ）、（ロ）により作製できる。なお、以下では、貫通孔を設けた後、その中に貫通電極を形成するまでの手順（ハ）〜（ホ）についても説明する。
（イ）まず、基材４２の一方の面（図４では上面）に第一絶縁部４３、導電部４４、第二絶縁部４５が順に重ねて配され、第二絶縁部４５に開口部４５ａを設けたものを用意する。ここで、導電部４４の露呈された領域がＦＤ_４０である。導電部４４のうち開口部４５ａにより露呈された領域ＦＤ_４０に対してプロービングテストを行う。その際、プロービングテストは、後に形成する貫通孔と重ならない位置に対して行い、たとえば図４に示すようなプローバ針跡４４ｄ（略円形の凹部を仮定、φ１）が導電部４４の一部に発生したものとする。
ここで、露呈された領域ＦＤ_４０は通称、電極パッドと呼ばれる部分であり、たとえば１００μｍ角程度の大きさをもつ。電極パッドの材料としては、ＡｌまたはＡｌにＣｕやＳｉ等を微量に添加した合金などが使用される。プローバ針跡（「プローブ痕」とも呼ぶ）４４ｄはプローブの形状

（ロ）次に、図５に示すように、導電部４４にプローバ針跡４４ｄが生じた基材４１に対してエッチング処理を施し貫通孔γ’を形成する。その際に、貫通孔γ’と重なる位置にある導電部Ｂ_４０ａ を露呈［略円形の露呈部、φ２（ＢＤ_４０ａ ）］させ、停止する指標として用いる。その際、基材４２の上方から見た平面図に示すように、プローバ針跡４４ｄ（φ１）と貫通孔γ’の底部に相当する導電部Ｂ_４０ａ の露呈部（φ２）とが、確実に離れた位置となり互いに干渉しないように（図５では距離Ｇの間隔をもつように）、あらかじめマスク設計をしておくことが重要である。通常、貫通孔径は数十μｍφ程度、例えば３０〜５０μｍφとされる。孔加工方法としては、通常Deep-RIEなどを用いたドライエッチング法が好適に用いられる。

（ハ）次いで、図６に示すように、基材４１の他方の面（図６では下面）と貫通孔γ’の内面を全て覆うように、第三絶縁部４６を形成する。これにより、貫通孔γ’の底部も第三絶縁部４６によって被覆された状態となり、若干狭まった底部［φ３（ＢＤ_４０ｂ ）］が得られる。その結果、基材４２の上方から見た平面図に示すように、プローバ針跡４４ｄ（φ１）と貫通孔γ’の底部に相当する導電部Ｂ_４０ｂ の露呈部（φ３）とが、さらに離れた位置となる（図６では距離Ｈの間隔を設けた様子を表す。）。
（二）その後、図７に示すように、局所的なエッチング処理を施し、第三絶縁部４６のうち貫通孔γ’の底部を覆う部分のみを除去する。これにより再度、貫通孔γ’の底部に相当する導電部Ｂ_４０ｂ を露呈［略円形の露呈部、φ３（ＢＤ_４０ｂ ）］させる。たとえば第三絶縁部４６の厚さ分だけ、φ３はφ２より若干狭くなる傾向がある。
（ホ）また、図８に示すように、基材４１の他方の面に設けた第三絶縁部４６と貫通孔γ’の露呈部φ３を覆うように他の導電部４７を設けることにより、基材４１の一方の面に配した導電部４４と電気的に接続された貫通電極が得られる。

本発明によれば、集積回路のプローバ検査の際にプローバ針跡の影響を受けずに、貫通配線の端面との電気的な接続安定性に優れた導電層を配してなる配線基板を提供することができる。ゆえに、本発明は、この配線基板を搭載した電子デバイスや光デバイス等において、その小型化や高機能化が図れるとともに、長期信頼性の向上にも寄与する。

本発明に係る配線基板の一例を示す断面図である。 本発明に係る配線基板の他の一例を示す断面図である。 本発明に係る配線基板の他の一例を示す断面図である。 プローバ針跡が生じた配線基板に貫通孔を形成する工程を示す図である。 図４の次工程を示す図であり、本発明に係る配線基板の他の一例を示す断面図と上方から見た平面図である。 図５の次工程を示す図である。 図６の次工程を示す図である。 図７の次工程を示す図である。 従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。 従来の配線基板においてプローバ検査前の状態を示す断面図である。 従来の配線基板においてプローバ検査後の状態を示す断面図である。

符号の説明

α、β、γ、γ’ 貫通孔、Ｂ_１０、Ｂ_２０、Ｂ_３０、Ｂ_４０ 導電部下面の露呈部、ＢＤ_１０、ＢＤ_２０、ＢＤ_３０、ＢＤ_４０ 導電部下面の露呈された領域、Ｆ_１０、Ｆ_２０、Ｆ_３０、Ｆ_４０ 導電部上面の露呈部、ＦＤ_１０、ＦＤ_２０、ＦＤ_３０、ＦＤ_４０ 導電部上面の露呈された領域、１０、２０、３０、４０ 半導体装置、１１、２１、３１、４１ 基体、１２、２２、３２、４２ 基材、１３、２３、３３、４３ 第一絶縁部、１４、２４、３４、４４ 導電部、１５、２５、３５、４５ 第二絶縁部、４６ 第三絶縁部、４７ 他の導電部。

Claims (2)

1. 基材の一方の面側に第一絶縁部が配され、その厚さ方向に延びる貫通孔を備えた基体、前記貫通孔を塞ぐように前記基体の前記第一絶縁部側に配された導電部、及び、前記導電部を少なくとも覆い、その一部には前記導電部を露呈させる開口部を備えた第二絶縁部、から構成され、前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域が、前記貫通孔と重ならない位置を含むように配されている配線基板の製造方法において、
   前記導電部のうち前記開口部により露呈された領域における、前記貫通孔が形成される位置と重ならない位置に対してプロービングテストを行った後、
   前記基材に対してエッチング処理を施して、前記開口部と重ならない位置に前記貫通孔を形成する際に、前記貫通孔と重なる位置にある前記導電部を、前記エッチング処理を停止する指標として用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記導電部における前記貫通孔と重なる位置が前記第二絶縁部によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。

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