JP5549962B2 - メモリアレイ。 - Google Patents

メモリアレイ。 Download PDF

Info

Publication number
JP5549962B2
JP5549962B2 JP2013514178A JP2013514178A JP5549962B2 JP 5549962 B2 JP5549962 B2 JP 5549962B2 JP 2013514178 A JP2013514178 A JP 2013514178A JP 2013514178 A JP2013514178 A JP 2013514178A JP 5549962 B2 JP5549962 B2 JP 5549962B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
series
bit lines
global bit
lines
bit line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013514178A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013531887A (ja
Inventor
リゥ，ゼンタオ
Original Assignee
マイクロン テクノロジー， インク．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by マイクロン テクノロジー， インク． filed Critical マイクロン テクノロジー， インク．
Publication of JP2013531887A publication Critical patent/JP2013531887A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5549962B2 publication Critical patent/JP5549962B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
    • G01R33/48—NMR imaging systems
    • G01R33/58—Calibration of imaging systems, e.g. using test probes, Phantoms; Calibration objects or fiducial markers such as active or passive RF coils surrounding an MR active material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G01R33/1284—Spin resolved measurements; Influencing spins during measurements, e.g. in spintronics devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0023—Address circuits or decoders
    • G11C13/0026—Bit-line or column circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/003—Cell access
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1087—Data input latches
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1093—Input synchronization
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/14—Word line organisation; Word line lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
    • H10B63/845—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays the switching components being connected to a common vertical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/18—Memory cell being a nanowire having RADIAL composition
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/71—Three dimensional array
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

メモリアレイ。
メモリアレイは、集積回路内でメモリセルを密接に充填するために使用される。密接な充填に対して特に適したメモリの１タイプは、クロスポイントメモリである。
メモリアレイは、第一の方向に沿って伸長する複数のワード線と、ワード線に対して直交して伸長する複数のビット線と、を含んでもよい。クロスポイントメモリは、アレイを横切るビット線とワード線との交点に形成されるメモリセル材料を使用してもよい。メモリセル材料は、カルコゲナイドなどの相変化材料であってもよい。例示的なカルコゲナイドは、ゲルマニウム、アンチモンおよびテルルの合金である。
メモリセル材料に加えて、個々のメモリセルは、メモリセル材料とアクセスデバイスとの間の電圧差が所定の閾値に達するまで、メモリセル材料に対する電流を制限するアクセスデバイスを含んでもよい。アクセスデバイスは、非線形電子デバイスであってもよい。特に、アクセスデバイスは、電圧差が所定の値に達するまで、高抵抗状態にある電子デバイスであって、それによって電子デバイスは、導電状態へと変化する。例示的なアクセスデバイスは、ダイオードおよびオボニック閾値スイッチである。
従来技術における例示的なクロスポイントメモリアレイ５が、図１−図３に示される。図１は、上面図、図２および図３は断面側面図である。図２および図３の断面図は、本開示における他の全ての断面図と同様に、断面の平面内のフィーチャのみを示すものである。断面図は、図面を簡略化するために、断面の平面の背後にある材料は示していない。
図１の上面図は、メモリアレイが、第一の水平方向に沿って伸長する複数のグローバルビット線１０−１４と、グローバルビット線に対して直交して伸長する複数のワード線２０−２５とを含むことを示す。図２の断面側面図は、図１のワード線が、実際にはワード線の積層の一番上の系列であることを示し、図２は、ワード線の二つの下方の系列を示す。下方の系列のうちの一つ内のワード線は、ワード線２０ａ―２５ａとラベルされ、下方の系列のうちの他の系列におけるワード線は、ワード線２０ｂ−２５ｂとラベルされる。
１８本のワード線（２０−２５、２０ａ−２５ａおよび２０ｂ−２５ｂ）は、図２の断面図に示される。１８本のワード線は、３つのワード線列および６つのワード線行を有する二次元ワード線アレイを形成する。
図１−図３は、垂直ビット線ピラー３０−４４が、グローバルビット線から上方に伸長することを示す。ビット線ピラーは、ワード線アレイを通って伸長し、かつ、このようなワード線アレイの列のうちの幾つかの間にある。ワード線、ビット線および垂直ビット線ピラーは、例えば、種々の金属、金属含有化合物および導電性を有するようにドープされた半導体材料のうちの一つ以上などの、電気的に導電性の材料を含む。
メモリセル材料４５（ラベルされたうちの幾つかのみ）は、ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供され、アクセスデバイス４６（ラベルされたうちの幾つかのみ）は、ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供される。ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供されるメモリセル材料およびアクセスデバイスは、メモリセル４７（ラベルされたうちの幾つかのみ）をともに形成する。
メモリセル材料は、単一の均質な組成であるものとして示されているが、幾つかの用途においては、複数の個別の組成を含んでもよい。また、アクセスデバイスは、単一の均質な組成を含むものとして示されているが、アクセスデバイスは、多数の個別の組成を含んでもよいし、しばしば二つ以上の異なる材料を含む。さらには、単一のアクセスデバイスのみが各メモリセルに示されているが、個々のメモリセルに複数のアクセスデバイスが存在する可能性がある。また、メモリセル材料が垂直ビット線ピラーに直接隣接して示され、アクセスデバイスがワード線に直接隣接して示されているが、メモリセル材料とアクセスデバイスの相対的な位置は、逆であってもよい。
動作においては、個々の各メモリセルは、グローバルビット線とワード線の組み合わせによって、一意的にアドレスされてもよい。例えば、グローバルビット線１２とワード線２０との間の電圧差は、ワード線２０が垂直ビット線ピラー３６を横切る交点に位置するメモリセルにアクセスするために使用されてもよい。このようなアクセスは、メモリセルを特定のデータ格納状態に置くことによって、メモリセルへの書き込みを行うために、かつ、メモリセルのデータ格納状態を確認することによってメモリセルからの読み出しを行うために、使用されてもよい。
図２の二次元ワード線アレイ内のワード線は、複数の高度平面５０−５２に配置されるものとして考えられてもよい。したがって、図１の上面図は、ワード線アレイの最上部の高度平面５２を示すものとして考えられてもよい。メモリアレイは、高度平面５０-５２を含むものとして考えられてもよく、メモリアレイの各メモリユニットは、このようなメモリユニットを含む高度平面に沿った面積を有するものと考えられてもよい。面積は、メモリアレイを形成するために使用される、最小フィーチャ寸法Ｆによって記述されてもよい。このような最小フィーチャ寸法は、メモリアレイがその絶対的な最小寸法で作製される場合には、ビット線の幅、ワード線の幅、垂直ビット線ピラーの幅、ならびにビット線とワード線との間の空間の幅である。
図１の上面図は、メモリユニットのうちの一つの周囲の正方形の周囲長を示す。この周囲長は、寸法２Ｆである側面を有し、したがって、メモリユニットは、高度平面５２に沿った約４Ｆ２の面積を有する。面積は、絶対的に４Ｆ２ではなく、“約４Ｆ２”であるものとして記述される。なぜなら、示された周囲長は、メモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６が無視できる寸法であることを仮定しているからである。メモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６は、ある物理的寸法を有するため、メモリセルユニットの平面面積は、４Ｆ２に近づくが、数学上の絶対的な意味においては、４Ｆ２ではない。あるいは、各メモリセルユニットの平面面積は、メモリセル材料とアクセスデバイスが無視される文脈においては、４Ｆ２であると考えられてもよい。言い換えると、ワード線、ビット線および各メモリセルユニットによって消費される空間に呼応して４Ｆ２であると考えられてもよい。
従来技術のメモリアレイの一部の図であり、アレイの上面図である。 従来技術のメモリアレイの一部の図であり、図１の線２−２に沿った断面側面図である。 従来技術のメモリアレイの一部の図であり、図１の線３−３に沿った断面側面図である。 例示的な実施形態のメモリアレイの一部の図であり、アレイの上面図である。 例示的な実施形態のメモリアレイの一部の図であり、図４の線５−５に沿った断面側面図である。 例示的な実施形態のメモリアレイの一部の図であり、図４の線６−６に沿った断面側面図である。 図４−図６のメモリアレイと類似するメモリアレイの三次元図である。 図５のメモリアレイと類似する断面図であり、別の例示的な実施形態のメモリアレイを示す。 別の例示的な実施形態のメモリアレイの三次元図である。 別の例示的な実施形態のメモリアレイの三次元図である。
幾つかの実施形態は、クロスポイントメモリセルが、従来のメモリアレイで達成されるよりも、さらに密接に充填される可能性のある新規のメモリアレイを含む。例示的な実施形態は、図４−図１０に関連して記述される。
例示的な実施形態のメモリアレイ１００が、図４−図６に示される。図４の上面図は、メモリアレイ１００が、第一の水平方向に沿って伸長する、複数のグローバルビット線１１０−１１８を含み、かつ、グローバルビット線と直交して伸長する複数のワード線１２０−１２５を含むことを示す。図５の断面側面図は、図４のワード線が、実際にはワード線積層の最上部の系列であることを示し、図５は、ワード線の二つの下方の系列を示す。系列のうちの一つの内のワード線は、ワード線１２０ａ―１２５ａとラベルされ、他の系列におけるワード線は、ワード線１２０ｂ−１２５ｂとラベルされる。したがって、図５の断面図においては、１８本のワード線が示される。１８本のワード線は、３つのワード線列および６つのワード線行を有する二次元ワード線アレイを形成する。二次元ワード線アレイは、異なる多様な二次元ワード線アレイのうちの一実施例である。このようなワード線アレイは、概して、アレイの各行における少なくとも二つのワード線と、アレイの各列における少なくとも二つのワード線とを有する。
図４−図６は、垂直ビット線ピラー１６０−１８２が、グローバルビット線から上方に伸長することを示す。垂直ビット線ピラーは、垂直ローカルビット線とも称される。ビット線ピラーは、ワード線アレイを通って伸長し、かつ、このようなワード線アレイの隣接する列の間にある。ワード線、ビット線および垂直ビット線ピラーは、例えば、種々の金属、金属含有化合物および導電性を有するようにドープされた半導体材料のうちの一つ以上などの、電気的に導電性の材料を含む。
メモリセル材料４５（ラベルされたうちの幾つかのみ）は、ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供され、アクセスデバイス４６（ラベルされたうちの幾つかのみ）は、ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供される。ワード線と垂直ビット線ピラーとの間に提供されるメモリセル材料およびアクセスデバイスは、メモリセル４７（ラベルされたうちの幾つかのみ）をともに形成する。図４−図６の例示的な実施形態のメモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６は、背景技術で上述された、従来技術のメモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６と同等であってもよい。
メモリセル材料は、単一の均質な組成であるものとして示されているが、幾つかの用途においては、複数の個別の組成を含んでもよい。また、アクセスデバイスは、単一の均質な組成を含むものとして示されているが、アクセスデバイスは、多数の個別の組成を含んでもよいし、しばしば二つ以上の異なる材料を含む。さらには、単一のアクセスデバイスのみが各メモリセルに示されているが、個々のメモリセルに複数のアクセスデバイスが存在する可能性がある。また、メモリセル材料は、垂直ビット線ピラーに隣接して示され、アクセスデバイスはワード線に隣接して示されているが、メモリセル材料とアクセスデバイスの相対的な位置は、逆であってもよい。
図６の断面図は、グローバルビット線１１０−１１８のうちの幾つかが、グローバルビット線のうちの他のものとは異なる高度レベルに形成されることを示す。特に、グローバルビット線は、ある高度レベルに形成されるビット線１１０、１１２、１１４、１１６および１１８を含む第一系列と、異なる高度レベルに形成されるビット線１１１、１１３、１１５および１１７を含む第二系列とを含む。第一系列のグローバルビット線は、図６に示されるように、第二系列のグローバルビット線と互い違いに存在する。
動作においては、個々の各メモリセルは、グローバルビット線とワード線の組み合わせによって、一意的にアドレスされてもよい。例えば、グローバルビット線１１６とワード線１２１との間の電圧差は、ワード線１２１が垂直ビット線ピラー１７５を横切る交点に位置するメモリセルにアクセスするために使用されてもよい。このようなアクセスは、メモリセルを特定のデータ格納状態に置くことによって、メモリセルへと書き込みを行うために、かつ、メモリセルのデータ格納状態を確認することによってメモリセルからの読み出しを行うために、使用されてもよい。
図５の二次元ワード線アレイ内のワード線は、複数の高度平面１５０−１５２に配置されるものとして考えられてもよい。したがって、図４の上面図は、ワード線アレイの最上部の高度平面１５２を示すものとして考えられてもよい。メモリアレイは、高度平面１５０−１５２を含むものとして考えられてもよく、メモリアレイの各メモリユニットは、このようなメモリユニットを含む高度平面に沿った面積を有するものと考えられてもよい。面積は、メモリアレイを形成するために使用される、最小フィーチャ寸法Ｆによって記述されてもよい。このような最小フィーチャ寸法は、メモリアレイが絶対的な最小寸法で作製される場合には、ビット線の幅、ワード線の幅、垂直ビット線ピラーの幅、ならびにビット線とワード線との間の空間の幅である。
グローバルビット線用に複数の高度レベルの使用することによって、図４−図６の例示的な実施形態のメモリアレイのメモリユニットを、図１−図３で記述された従来技術のメモリアレイのメモリユニットよりも密接に充填することが可能になる。
図４の上面図は、例示的な実施形態のメモリアレイのメモリユニットのうちの一つの周囲の長方形の周囲長を示す。このような周囲長は、寸法２Ｆの二側面と、寸法Ｆの二側面とを有する。したがって、メモリユニットは、約２Ｆ２の高度平面に沿った面積を有する。面積は、絶対的に２Ｆ２ではなく、“約２Ｆ２”であるものとして記述される。なぜなら、示された周囲長は、メモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６が無視できる寸法であることを仮定しているからである。メモリセル材料４５およびアクセスデバイス４６は、ある物理的寸法を有するため、メモリセルユニットの平面面積は、２Ｆ２に近づくが、数学上の絶対的な意味において、２Ｆ２ではない。あるいは、メモリセルユニットの平面面積は、メモリセル材料とアクセスデバイスが無視される場合には、２Ｆ２であると考えられてもよい。言い換えると、ワード線、ビット線および各メモリセルユニットによって消費される空間に呼応して２Ｆ２であると考えられてもよい。
図７は、図４−図６のメモリアレイに類似する、例示的な実施形態のメモリアレイの三次元図であり、読者がこのようなメモリアレイを想像することを支援しうる。図４−図６のコンポーネントをラベルするために使用されたものと同一の番号が、図７のコンポーネントをラベルするために使用される。ワード線１２０−１２５の位置は、矢印によって示されるが、ワード線は、図面を簡略化するために示されていない。
図７の実施形態は、メモリセル材料４５が図７の垂直ビット線ピラーに隣接し、図４−図６の実施形態においてはこのような垂直ピラーには隣接していないという点で、図４−図６の実施形態とは異なっている。したがって、図７は、図４−図６とは、わずかに異なる実施形態を示す。図７の実施形態は、垂直ビット線ピラーに隣接する材料を含むアクセスデバイス４６をも示す。さらに他の実施形態においては、メモリセル材料は、垂直ピラーに隣接してもよいが、アクセスデバイスの材料は、このようなピラーに隣接していない。
図４−図７の実施形態は、メモリアレイの個々のメモリセル４７におけるメモリセル材料４５に隣接するアクセスデバイス４６を有する。したがって、各メモリセルユニットは、メモリセル材料とアクセスデバイスとを含む。他の実施形態においては、アクセスデバイスは、メモリセルユニットの寸法をさらに減少させるために、個々のメモリセルユニットから除去されてもよい。特に、アクセスデバイスは、個々のメモリセルユニットに配置されるのではなく、垂直ピラーとグローバルビット線との間の位置に配置されてもよい。したがって、図５の断面は、垂直ビット線ピラー１７０−１７２がグローバルビット線１１４にオーミックに接続（オーム性接続）される一実施形態を示す。他の実施形態においては、このような垂直ビット線ピラーは、電圧の増加に対して非線形に応答するアクセスデバイス（例えば、オボニック閾値スイッチなど）を通して、グローバルビット線へと接続されてもよい。図８は、図５の断面に類似する断面図を示すが、メモリアレイ１００ａがグローバルビット線１１４と垂直ビット線ピラー１７０−１７２との間に直接配置されるアクセスデバイス４６を有する一実施形態を示す。
図８の実施形態は、このようなメモリセルからアクセスデバイスを除去することによって、メモリセル４７の寸法を都合よく減少させる。図８の実施形態においては、ワード線（例えば、１２０−１２５）と垂直ビット線ピラー（例えば、１７０−１７２）の間の材料のみが、メモリセル材料４５である。
図４−図７は、全てのグローバルビット線が、二次元ワード線アレイの同一側面上にある実施形態を示す（特に、二次元アレイは、図５に示されたワード線１２０−１２５、１２０ａ−１２５ａおよび１２０ｂ−１２５ｂを含む）。他の実施形態においては、グローバルビット線のうちの幾つかは、グローバルビット線のうちの他方に対して、ワード線アレイの逆側にあってもよい。図９は、グローバルビット線のうちの幾つかが、二次元ワード線アレイのうちのある側面にあり、グローバルビット線のうちの他方がワード線アレイの逆側にあるメモリアレイ２００の三次元図を示す。図４−図７を記述するために上述されたものと同一の番号づけが、図９を記述するために使用される。ワード線１２０−１２５、１２０ａ−１２５ａおよび１２０ｂ−１２５ｂは、図面を簡略化するために、図９においては全ては示されていない。その代わりに、ワード線１２１、１２１ａ、１２１ｂのみが示され、ワード線１２０、１２２、１２３、１２４および１２５の位置は矢印で示される。
図９の実施形態は、グローバルビット線のうちの他方とは異なる高度レベルに形成された幾つかのグローバルビット線１１０−１１８を有するものとして考えられてもよい。特に、グローバルビット線は、ある高度レベル（特に、示された実施形態においてはワード線の下）に形成されたビット線１１２、１１４および１１６を含む第一系列と、異なる高度レベル（特に、示された実施形態においては、ワード線の上）に形成された、ビット線１１１、１１３、１１５および１１７を含む第二系列とを含む。図９に示されるように、第一系列のグローバルビット線は、第二系列のグローバルビット線と互い違いに存在する。
図９の実施形態においては、第一系列のグローバルビット線が、第二系列のグローバルビット線の真上にならないように、第一系列のグローバルビット線は、第二系列のグローバルビット線から、水平面上でオフセットされる（ずらされる）。他の実施形態においては、メモリアレイ３００に関連して図１０に示されるように、第一系列のグローバルビット線は、第二系列のグローバルビット線の真上であってもよい。ワード線は、図面を簡略化するために、図１０には示されていない。しかしながら、ワード線１２０−１２５の位置は矢印によって示される。
図９および図１０の実施形態は、図４−図６の実施形態と同様に、個々のメモリセルユニットの平面面積が、ワード線、ビット線ならびに個々のメモリセルユニットによって消費される空間に呼応して、２Ｆ２であるようなアレイを形成する。
アクセスデバイスは、示された図９および図１０の実施形態のメモリセルにおいて存在してもよいし、または、図８の実施形態と類似する他の実施形態においては、垂直ビット線ピラーとグローバルビット線との間に存在してもよい。
グローバルビット線とそこに接触する垂直ピラーとの組み合わせは、コーム（櫛）に類似する構造を形成すると考えられてもよい。図４−図７の実施形態においては、このようなコームは、お互いに高度に対してオフセットされる、二つの系列内に存在するものと考えられ、ある系列は、グローバルビット線１１０、１１２、１１４、１１６および１１８を含み、他の系列は、グローバルビット線１１１、１１３、１１５および１１７を含む。両系列のコームは、お互いに対して並行し、同一の方向に伸長する垂直ピラーを全て有する。対称的に、図９および図１０の実施形態においては、ある系列のコームは、上方に伸長する垂直ピラーを有し、他の系列のコームは、下方に伸長する垂直ピラーを有する。例えば、図１０の実施形態は、第一系列のコーム内にグローバルビット線１１１、１１３、１１５および１１７を有し、第二系列のコーム内にグローバルビット線１１２、１１４、１１６および１１８を有する。第一系列は、グローバルビット線１１８ならびにそこに接触する垂直ピラー１８０、１８１および１８２によって例示され、第二系列は、グローバルビット線１１７ならびにそこに接触する垂直ピラー１７８および１７９の組み合わせによって例示される。第一系列のコームは、上方に伸長する垂直ピラーを有し、第二系列は下方に伸長する垂直ピラーを有する。
本明細書で記述されたメモリアレイは、集積回路へと組み込まれてもよく、したがって、幾つかの用途における半導体基板によって支持されてもよい。メモリアレイは、任意の適切な処理によって形成されてもよい。
図面における種々の実施形態の具体的な位置は、例示の目的のみのためのものであって、実施形態は、ある用途においては、示された位置から回転されてもよい。本明細書で提供された記述、およびそれに続く請求項は、構造が図面のうちで、具体的にどの位置にあるかどうか、もしくはその位置に対して回転されるかどうかに関わらず、種々のフィーチャ間の記述された関係を有する任意の構造に関連する。
ある構成要素が層、領域もしくは基板として、別の構成要素に対して“接触して（against）”いるものとして言及される場合には、他の構成要素と直接接触する可能性があるか、または、介在構成要素が存在してもよい。対称的に、ある構成要素が、別の構成要素に対して“直接接触して（directly against）”いると言及されるときには、介在構成要素は存在しない。ある構成要素が、別の構成要素に対して“接続される（connected）”か、または“結合される（coupled）”ものとして言及されるときには、他の構成要素に対して、直接接続されるもしくは結合されるか、または、介在構成要素が存在してもよい。対称的に、ある構成要素が別の構成要素に対して“直接接続される（directly connected）”か“直接結合される（directly coupled）”ものとして言及される場合には、介在構成要素は存在しない。
“真上に（directly over）”という用語は、構造の垂直配値を示すために使用され、ある構造が別の構造の上に存在することを単に示す用語“上に（over）”とは区別される。したがって、第一の構造が第二の構造上にある場合には、第一の構造と第二の構造との間に存在する可能性のある任意の横方向の変位とは関係なく、第一の構造は、第二の構造上に存在する。第一の構造が第二の構造と垂直に配列される場合には、第一の構造は、第二の構造の“真上に”ある。
一つ以上の物体が、一組の構造の“直間に（directly between）”存在するものとして言及される場合には、“直間に”という用語は、一つ以上の物体が、二つの構造の間の間隙内に挟まれていることを示すものとして使用される。
上述された実施形態は、例えば、コンピュータ、自動車、飛行機、時計、携帯電話などの電子システムにおいて使用されてもよい。

Claims (14)

  1. 第一の水平方向に沿って伸長する複数のグローバルビット線であって、前記複数のグローバルビット線は、第一の高度レベルにおける第一系列と、前記第一の高度レベルとは異なる第二の高度レベルにおける第二系列とを含み、前記第一系列の前記複数のグローバルビット線は、前記第二系列の前記複数のグローバルビット線と互い違いに存在する、複数のグローバルビット線と、
    前記複数のグローバルビット線と垂直に伸長する複数の垂直ローカルビット線と、
    前記第一の水平方向とは垂直な第二の水平方向に沿って伸長する複数のワード線であって、前記複数のワード線は、複数の垂直列と複数の水平行とを含む二次元アレイに積層され、前記ワード線アレイの前記複数の垂直列は、二つ以上のワード線を含み、前記複数の垂直ローカルビット線は、複数の垂直ローカルビット線が、前記ワード線アレイの隣接する複数の垂直列の間に存在するように、前記ワード線アレイを通って伸長する、複数のワード線と、
    前記複数のワード線と前記複数の垂直ローカルビット線との直間のメモリセル材料であって、前記メモリセル材料は、ワード線／グローバルビット線の組み合わせによって一意的にアドレスされる複数のメモリセルを形成する、メモリセル材料と、
    を含む、ことを特徴とするメモリアレイ。
  2. 前記第一系列の前記複数のグローバルビット線は、前記第二系列の前記複数のグローバルビット線とは逆の側の前記複数のワード線上に存在する、ことを特徴とする請求項１に記載のメモリアレイ。
  3. 前記第一系列の前記複数のグローバルビット線は、前記第二系列の前記複数のグローバルビット線の真上に存在する、ことを特徴とする請求項２に記載のメモリアレイ。
  4. 前記第一系列の前記複数のグローバルビット線は、前記第二系列の前記複数のグローバルビット線の真上には存在しない、ことを特徴とする請求項２に記載のメモリアレイ。
  5. 前記第一系列の前記複数のグローバルビット線は、前記第二系列の前記複数のグローバルビット線と共通の側の前記複数のワード線上に存在する、ことを特徴とする請求項１に記載のメモリアレイ。
  6. 複数のビット線コームであって、前記複数の個々のコームは、水平に伸長するグローバルビット線と、前記グローバルビット線に電気的に接続され、垂直に伸長する複数のビット線ピラーとを含み、前記複数のビット線コームは、第一系列および第二系列を含み、前記第二系列は、前記第一系列に対して垂直にオフセットされ、前記第一系列の前記複数のビット線コームは、前記第二系列の前記複数のビット線コームと互い違いになって、垂直に伸長する複数のビット線ピラーの千鳥状配列を形成し、前記水平に伸長する複数のグローバルビット線は、お互いに対して平行である、複数のビット線コームと、
    前記複数のグローバルビット線に直交して伸長する複数のワード線であって、前記複数のワード線は、複数の垂直列と複数の水平行とを含む二次元アレイに積層され、前記ワード線アレイの前記複数の垂直列は、二つ以上のワード線を含み、複数のビット線ピラーが前記ワード線アレイの隣接する複数の垂直列の間にあるように、前記複数のビット線ピラーは、前記ワード線アレイを通って伸長する、複数のワード線と、
    前記複数のワード線と前記複数のビット線ピラーとの直間のメモリセル材料であって、前記メモリセル材料は、ワード線／グローバルビット線の組み合わせによって一意的にアドレスされる複数のメモリセルを形成する、メモリセル材料と、
    を含む、ことを特徴とするメモリアレイ。
  7. 前記第一系列の複数のビット線コームの前記複数の垂直ピラーは、前記複数のグローバルビット線から下方へ伸長し、前記第二系列の複数のビット線コームの前記複数の垂直ピラーは、前記複数のグローバルビット線から上方へ伸長する、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
  8. 前記第一系列の複数のビット線コームの個々の複数のグローバルビット線は、前記第二系列の複数のビット線コームの個々の複数のグローバルビット線の真上にある、ことを特徴とする請求項７に記載のメモリアレイ。
  9. 前記第一系列の複数のビット線コームの個々の複数のグローバルビット線は、前記第二系列の複数のビット線コームの個々の複数のグローバルビット線の真上からオフセットされる、ことを特徴とする請求項７に記載のメモリアレイ。
  10. 前記第一系列および前記第二系列の複数のビット線コームの前記複数の垂直ピラーは、前記複数のグローバルビット線から上方へ伸長する、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
  11. 前記複数のビット線コームの前記複数の垂直ピラーは、電圧の増加に対して非線形に応答する複数のアクセスデバイスを介して、前記複数のグローバルビット線に接続される、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
  12. 前記複数のビット線コームの前記複数の垂直ピラーは、複数のオボニック閾値スイッチを介して、前記複数のグローバルビット線に接続される、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
  13. 個々の垂直ピラーに関連付けられた複数のメモリセルの前記メモリセル材料は、前記垂直ピラーの表面に隣接していない、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
  14. 個々の垂直ピラーに関連付けられた複数のメモリセルの前記メモリセル材料は、前記垂直ピラーの表面に隣接する、ことを特徴とする請求項６に記載のメモリアレイ。
JP2013514178A 2010-06-07 2011-05-06 メモリアレイ。 Expired - Fee Related JP5549962B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/795,565 US8289763B2 (en) 2010-06-07 2010-06-07 Memory arrays
US12/795,565 2010-06-07
PCT/US2011/035601 WO2011156069A2 (en) 2010-06-07 2011-05-06 Memory arrays

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013531887A JP2013531887A (ja) 2013-08-08
JP5549962B2 true JP5549962B2 (ja) 2014-07-16

Family

ID=45064357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013514178A Expired - Fee Related JP5549962B2 (ja) 2010-06-07 2011-05-06 メモリアレイ。

Country Status (8)

Country Link
US (11) US8289763B2 (ja)
EP (1) EP2577668B1 (ja)
JP (1) JP5549962B2 (ja)
KR (1) KR101417568B1 (ja)
CN (1) CN102939632B (ja)
SG (1) SG186189A1 (ja)
TW (1) TWI517304B (ja)
WO (1) WO2011156069A2 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
CN102881317B (zh) * 2011-07-13 2015-08-12 华邦电子股份有限公司 三维存储器阵列
US8835990B2 (en) * 2011-08-12 2014-09-16 Winbond Electronics Corp. 3D memory array
KR101957897B1 (ko) * 2012-04-26 2019-03-13 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8841649B2 (en) * 2012-08-31 2014-09-23 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory array architecture
US8729523B2 (en) * 2012-08-31 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory array architecture
KR20140054975A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항 메모리 장치
KR20140113024A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 에스케이하이닉스 주식회사 저항 변화 메모리 장치 및 그 구동방법
US9728584B2 (en) * 2013-06-11 2017-08-08 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory array with select device
KR102061694B1 (ko) 2013-10-14 2020-01-02 삼성전자주식회사 3차원 크로스 포인트 어레이를 갖는 반도체 메모리 소자
US9236124B2 (en) 2014-03-07 2016-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile memory device
KR20150124517A (ko) * 2014-04-28 2015-11-06 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
KR102203459B1 (ko) 2014-08-11 2021-01-15 삼성전자주식회사 반도체 소자
CN108476066A (zh) * 2015-12-30 2018-08-31 华为技术有限公司 光收发组件
US9837471B2 (en) 2016-04-14 2017-12-05 Western Digital Technologies, Inc. Dual OTS memory cell selection means and method
US10269804B2 (en) 2016-05-11 2019-04-23 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells
KR102673120B1 (ko) * 2016-12-05 2024-06-05 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102345542B1 (ko) * 2017-06-02 2021-12-30 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자를 포함하는 반도체 소자
US10461125B2 (en) 2017-08-29 2019-10-29 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory arrays
US10593730B1 (en) * 2018-10-10 2020-03-17 Micron Technology, Inc. Three-dimensional memory array
US10700128B1 (en) 2018-12-21 2020-06-30 Micron Technology, Inc. Three-dimensional memory array
KR20210007737A (ko) 2019-07-12 2021-01-20 에스케이하이닉스 주식회사 수직형 메모리 장치
CN112420720B (zh) * 2020-11-13 2024-02-09 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件
US11894103B2 (en) 2021-04-15 2024-02-06 Micron Technology, Inc. Decoding architecture for word line tiles
US11475947B1 (en) 2021-04-15 2022-10-18 Micron Technology, Inc. Decoding architecture for memory tiles
US11587606B2 (en) 2021-04-15 2023-02-21 Micron Technology, Inc. Decoding architecture for memory devices

Family Cites Families (291)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE713483A (ja) 1968-04-10 1968-08-16
GB1266513A (ja) 1969-05-19 1972-03-08
AU562641B2 (en) 1983-01-18 1987-06-18 Energy Conversion Devices Inc. Electronic matrix array
US4616392A (en) 1984-10-04 1986-10-14 Westinghouse Electric Corp. Bladder mandrel for hydraulic expansions of tubes and sleeves
US4715685A (en) 1985-03-04 1987-12-29 Energy Conversion Devices, Inc. Liquid crystal display having potential source in a diode ring
JPH01130552A (ja) 1987-11-17 1989-05-23 Sharp Corp 高抵抗素子
US4964080A (en) 1990-03-09 1990-10-16 Intel Corporation Three-dimensional memory cell with integral select transistor
US5057888A (en) 1991-01-28 1991-10-15 Micron Technology, Inc. Double DRAM cell
US6432767B2 (en) 1995-12-05 2002-08-13 Hitachi, Ltd. Method of fabricating semiconductor device
US6271131B1 (en) 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US6197628B1 (en) 1998-08-27 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same
US6034882A (en) 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6483736B2 (en) 1998-11-16 2002-11-19 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6635914B2 (en) 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6218696B1 (en) 1999-06-07 2001-04-17 Infineon Technologies North America Corp. Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors
US20040124407A1 (en) 2000-02-11 2004-07-01 Kozicki Michael N. Scalable programmable structure, an array including the structure, and methods of forming the same
US7247876B2 (en) 2000-06-30 2007-07-24 Intel Corporation Three dimensional programmable device and method for fabricating the same
US6451646B1 (en) 2000-08-30 2002-09-17 Micron Technology, Inc. High-k dielectric materials and processes for manufacturing them
US7067852B1 (en) 2000-09-12 2006-06-27 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge (ESD) protection structure
KR100451096B1 (ko) 2000-09-19 2004-10-02 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 자기메모리셀어레이를 갖는 비휘발성 반도체메모리장치
DE60131036T2 (de) 2000-11-01 2008-02-14 Japan Science And Technology Agency, Kawaguchi Ein NOT-Schaltkreis
US6534357B1 (en) 2000-11-09 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming conductive structures and structures regarding same
US6646297B2 (en) 2000-12-26 2003-11-11 Ovonyx, Inc. Lower electrode isolation in a double-wide trench
US6524867B2 (en) 2000-12-28 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier
US6440753B1 (en) 2001-01-24 2002-08-27 Infineon Technologies North America Corp. Metal hard mask for ILD RIE processing of semiconductor memory devices to prevent oxidation of conductive lines
JP4818519B2 (ja) 2001-02-06 2011-11-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気記憶装置
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
ITMI20011150A1 (it) 2001-05-30 2002-11-30 St Microelectronics Srl Multiplatore di colonna per memorie a semiconduttore
US6693821B2 (en) 2001-06-28 2004-02-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Low cross-talk electrically programmable resistance cross point memory
US7193267B2 (en) 2001-06-28 2007-03-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Cross-point resistor memory array
US6825058B2 (en) 2001-06-28 2004-11-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of fabricating trench isolated cross-point memory array
US6905937B2 (en) 2001-06-28 2005-06-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of fabricating a cross-point resistor memory array
US6747286B2 (en) 2001-06-30 2004-06-08 Ovonyx, Inc. Pore structure for programmable device
US6567301B2 (en) 2001-08-09 2003-05-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. One-time programmable unit memory cell based on vertically oriented fuse and diode and one-time programmable memory using the same
US6946712B2 (en) 2001-11-07 2005-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic memory device using SOI substrate
US20030143853A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Celii Francis G. FeRAM capacitor stack etch
JP2003273252A (ja) 2002-03-12 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6778421B2 (en) 2002-03-14 2004-08-17 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Memory device array having a pair of magnetic bits sharing a common conductor line
US6687147B2 (en) 2002-04-02 2004-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Cubic memory array with diagonal select lines
JP4047615B2 (ja) 2002-04-03 2008-02-13 株式会社ルネサステクノロジ 磁気記憶装置
US6757188B2 (en) 2002-05-22 2004-06-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Triple sample sensing for magnetic random access memory (MRAM) with series diodes
DE10223178B4 (de) 2002-05-24 2004-11-04 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einer Ablaufsteuerung, integrierter Speicher sowie Testanordnung mit einer derartigen Schaltungsanordnung
US6952043B2 (en) 2002-06-27 2005-10-04 Matrix Semiconductor, Inc. Electrically isolated pillars in active devices
TWI233204B (en) 2002-07-26 2005-05-21 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements
US6753561B1 (en) 2002-08-02 2004-06-22 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array using multiple thin films
US6859382B2 (en) 2002-08-02 2005-02-22 Unity Semiconductor Corporation Memory array of a non-volatile ram
US6970375B2 (en) 2002-08-02 2005-11-29 Unity Semiconductor Corporation Providing a reference voltage to a cross point memory array
US7067862B2 (en) 2002-08-02 2006-06-27 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory device with conductive oxide electrodes
US6834008B2 (en) 2002-08-02 2004-12-21 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array using multiple modes of operation
US6785159B2 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Combination etch stop and in situ resistor in a magnetoresistive memory and methods for fabricating same
US7184301B2 (en) 2002-11-27 2007-02-27 Nec Corporation Magnetic memory cell and magnetic random access memory using the same
JP2006511965A (ja) 2002-12-19 2006-04-06 マトリックス セミコンダクター インコーポレイテッド 高密度不揮発性メモリを製作するための改良された方法
DE10261457B3 (de) 2002-12-31 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Transistorarray aus vertikalen FET-Auswahltransistoren
US7005350B2 (en) 2002-12-31 2006-02-28 Matrix Semiconductor, Inc. Method for fabricating programmable memory array structures incorporating series-connected transistor strings
JP2004220740A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Seiko Epson Corp 強誘電体記憶装置
DE10362018B4 (de) 2003-02-14 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Anordnung und Verfahren zur Herstellung von vertikalen Transistorzellen und transistorgesteuerten Speicherzellen
US6906937B1 (en) 2003-03-21 2005-06-14 Netlogic Microsystems, Inc. Bit line control circuit for a content addressable memory
US6958273B2 (en) 2003-03-21 2005-10-25 Silicon Storage Technology, Inc. Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby
US6753562B1 (en) 2003-03-27 2004-06-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Spin transistor magnetic random access memory device
US6879505B2 (en) 2003-03-31 2005-04-12 Matrix Semiconductor, Inc. Word line arrangement having multi-layer word line segments for three-dimensional memory array
US7233024B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-19 Sandisk 3D Llc Three-dimensional memory device incorporating segmented bit line memory array
US7335906B2 (en) 2003-04-03 2008-02-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase change memory device
US7459715B2 (en) 2003-04-03 2008-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory device
US6806531B1 (en) 2003-04-07 2004-10-19 Silicon Storage Technology, Inc. Non-volatile floating gate memory cell with floating gates formed in cavities, and array thereof, and method of formation
US7001846B2 (en) 2003-05-20 2006-02-21 Sharp Laboratories Of America, Inc. High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same
US7291878B2 (en) 2003-06-03 2007-11-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Ultra low-cost solid-state memory
TW589753B (en) 2003-06-03 2004-06-01 Winbond Electronics Corp Resistance random access memory and method for fabricating the same
US7416911B2 (en) 2003-06-24 2008-08-26 California Institute Of Technology Electrochemical method for attaching molecular and biomolecular structures to semiconductor microstructures and nanostructures
KR100507205B1 (ko) 2003-07-15 2005-08-10 현대자동차주식회사 노킹 센서 장착 위치 설정 방법
US7029924B2 (en) 2003-09-05 2006-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Buffered-layer memory cell
US6955992B2 (en) 2003-09-30 2005-10-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. One mask PT/PCMO/PT stack etching process for RRAM applications
JPWO2005041303A1 (ja) 2003-10-23 2007-04-26 松下電器産業株式会社 抵抗変化素子、その製造方法、その素子を含むメモリ、およびそのメモリの駆動方法
US7098438B1 (en) 2003-11-19 2006-08-29 Raytheon Company Method and apparatus for resetting a high speed latch circuit
US7009278B2 (en) 2003-11-24 2006-03-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. 3d rram
JP4567963B2 (ja) 2003-12-05 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
US6937507B2 (en) 2003-12-05 2005-08-30 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method of operating same
US6849891B1 (en) 2003-12-08 2005-02-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. RRAM memory cell electrodes
US7002197B2 (en) 2004-01-23 2006-02-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Cross point resistive memory array
US7138687B2 (en) 2004-01-26 2006-11-21 Macronix International Co., Ltd. Thin film phase-change memory
US7082052B2 (en) 2004-02-06 2006-07-25 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state element with reactive metal
US7538338B2 (en) 2004-09-03 2009-05-26 Unity Semiconductor Corporation Memory using variable tunnel barrier widths
US20060171200A1 (en) 2004-02-06 2006-08-03 Unity Semiconductor Corporation Memory using mixed valence conductive oxides
US7050316B1 (en) 2004-03-09 2006-05-23 Silicon Storage Technology, Inc. Differential non-volatile content addressable memory cell and array using phase changing resistor storage elements
US7476945B2 (en) 2004-03-17 2009-01-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Memory having reduced memory cell size
DE102004020297B4 (de) 2004-04-26 2007-06-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung resistiv schaltender Speicherbauelemente
DE102004026003B3 (de) 2004-05-27 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Resistive Speicherzellen-Anordnung
JP4377751B2 (ja) 2004-06-10 2009-12-02 シャープ株式会社 クロスポイント構造の半導体記憶装置及びその製造方法
KR100614240B1 (ko) 2004-06-10 2006-08-18 삼성전자주식회사 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 형성방법
US7187201B1 (en) 2004-06-24 2007-03-06 Xilinx, Inc. Programmable logic device suitable for implementation in molecular electronics
US7091091B2 (en) 2004-06-28 2006-08-15 Promos Technologies Inc. Nonvolatile memory fabrication methods in which a dielectric layer underlying a floating gate layer is spaced from an edge of an isolation trench and/or an edge of the floating gate layer
US9231201B2 (en) 2004-06-30 2016-01-05 Nxp B.V. Electric device with a layer of conductive material contacted by nanowires
US7791141B2 (en) 2004-07-09 2010-09-07 International Business Machines Corporation Field-enhanced programmable resistance memory cell
JP2006032729A (ja) 2004-07-16 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性メモリとその製造方法
JP4827074B2 (ja) 2004-07-22 2011-11-30 シャープ株式会社 高密度ｓｏｉクロスポイントメモリアレイおよびそれを製造するための方法
US7180160B2 (en) 2004-07-30 2007-02-20 Infineon Technologies Ag MRAM storage device
US20080008642A1 (en) 2004-08-24 2008-01-10 Osaka University Process For Producing Aluminum Nitride Crystal And Aluminum Nitride Crystal Obtained Thereby
KR100568543B1 (ko) 2004-08-31 2006-04-07 삼성전자주식회사 작은 접점을 갖는 상변화 기억 소자의 제조방법
KR100645044B1 (ko) 2004-09-17 2006-11-10 삼성전자주식회사 높은 신뢰도를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
US7205238B2 (en) 2004-10-21 2007-04-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Chemical mechanical polish of PCMO thin films for RRAM applications
JP4687066B2 (ja) 2004-10-25 2011-05-25 株式会社デンソー パワーｉｃ
US7189626B2 (en) 2004-11-03 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Electroless plating of metal caps for chalcogenide-based memory devices
US7035141B1 (en) 2004-11-17 2006-04-25 Spansion Llc Diode array architecture for addressing nanoscale resistive memory arrays
US7608503B2 (en) 2004-11-22 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Side wall active pin memory and manufacturing method
US7960712B2 (en) 2004-12-27 2011-06-14 Nec Corporation Switching element, switching element drive method and fabrication method, reconfigurable logic integrated circuit, and memory element
JP4578985B2 (ja) 2005-01-12 2010-11-10 日本車輌製造株式会社 押出し中空形材及びその形材によって形成された鉄道車両構体
US7046550B1 (en) 2005-01-18 2006-05-16 International Business Machines Corporation Cross-point memory architecture with improved selectivity
US7208372B2 (en) 2005-01-19 2007-04-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Non-volatile memory resistor cell with nanotip electrode
KR100682926B1 (ko) 2005-01-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
JP4462424B2 (ja) 2005-02-03 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
DE102005005938B4 (de) 2005-02-09 2009-04-30 Qimonda Ag Resistives Speicherelement mit verkürzter Löschzeit, Verfahren zur Herstellung und Speicherzellen-Anordnung
JP4924419B2 (ja) 2005-02-18 2012-04-25 富士通セミコンダクター株式会社 記憶素子マトリックス、及び、その記憶素子マトリックスを用いた半導体回路装置
KR100697282B1 (ko) 2005-03-28 2007-03-20 삼성전자주식회사 저항 메모리 셀, 그 형성 방법 및 이를 이용한 저항 메모리배열
US8031509B2 (en) 2008-12-19 2011-10-04 Unity Semiconductor Corporation Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices
US7154774B2 (en) 2005-03-30 2006-12-26 Ovonyx, Inc. Detecting switching of access elements of phase change memory cells
US7323349B2 (en) 2005-05-02 2008-01-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Self-aligned cross point resistor memory array
US9196615B2 (en) 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7782650B2 (en) 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7585724B2 (en) 2005-05-10 2009-09-08 Elite Semiconductor Memory Technology, Inc. FLASH memory device and method of manufacture
KR100655447B1 (ko) 2005-06-07 2006-12-08 삼성전자주식회사 플로팅 게이트를 갖는 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법
US7321130B2 (en) 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method
US7514288B2 (en) 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
US7238994B2 (en) 2005-06-17 2007-07-03 Macronix International Co., Ltd. Thin film plate phase change ram circuit and manufacturing method
US20070010082A1 (en) 2005-07-05 2007-01-11 Cay-Uwe Pinnow Structure and method for manufacturing phase change memories with particular switching characteristics
US7446010B2 (en) 2005-07-18 2008-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Metal/semiconductor/metal (MSM) back-to-back Schottky diode
JP2009503565A (ja) 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム，インコーポレイテッド Ｍｅｍｓデバイスのための支持構造、およびその方法
US7521705B2 (en) 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode
JP4309877B2 (ja) 2005-08-17 2009-08-05 シャープ株式会社 半導体記憶装置
US20070048990A1 (en) 2005-08-30 2007-03-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of buffer layer formation for RRAM thin film deposition
KR100630437B1 (ko) 2005-08-31 2006-10-02 삼성전자주식회사 비휘발성 유기물 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100665227B1 (ko) 2005-10-18 2007-01-09 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7236389B2 (en) 2005-11-17 2007-06-26 Sharp Laboratories Of America, Inc. Cross-point RRAM memory array having low bit line crosstalk
US7666526B2 (en) 2005-11-30 2010-02-23 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Non-volatile resistance-switching oxide thin film devices
US8106375B2 (en) 2005-11-30 2012-01-31 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Resistance-switching memory based on semiconductor composition of perovskite conductor doped perovskite insulator
US20070132049A1 (en) 2005-12-12 2007-06-14 Stipe Barry C Unipolar resistance random access memory (RRAM) device and vertically stacked architecture
JP4054347B2 (ja) 2005-12-16 2008-02-27 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
ATE480873T1 (de) 2005-12-20 2010-09-15 Nxp Bv Vertikale phasenwechsel-speicherzelle und herstellungsverfahren dafür
KR100655082B1 (ko) 2005-12-23 2006-12-08 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
US7531825B2 (en) 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US7560337B2 (en) 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
KR101186293B1 (ko) 2006-01-19 2012-09-27 삼성전자주식회사 배리스터를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그 동작 방법
JP2007201081A (ja) 2006-01-25 2007-08-09 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US7456421B2 (en) 2006-01-30 2008-11-25 Macronix International Co., Ltd. Vertical side wall active pin structures in a phase change memory and manufacturing methods
KR100723420B1 (ko) 2006-02-20 2007-05-30 삼성전자주식회사 비정질 합금 산화층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
KR100707212B1 (ko) 2006-03-08 2007-04-13 삼성전자주식회사 나노 와이어 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR100745764B1 (ko) 2006-03-09 2007-08-02 삼성전자주식회사 나노 와이어 메모리 소자의 제조 방법 및 이 방법에사용되는 나노 와이어 형성 제어 시스템
KR101176543B1 (ko) 2006-03-10 2012-08-28 삼성전자주식회사 저항성 메모리소자
US8395199B2 (en) 2006-03-25 2013-03-12 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US20070246795A1 (en) 2006-04-20 2007-10-25 Micron Technology, Inc. Dual depth shallow trench isolation and methods to form same
KR101213702B1 (ko) 2006-04-21 2012-12-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법, 및 그 제조 방법
US7606055B2 (en) 2006-05-18 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Memory architecture and cell design employing two access transistors
KR101206034B1 (ko) 2006-05-19 2012-11-28 삼성전자주식회사 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법
KR100833903B1 (ko) 2006-06-13 2008-06-03 광주과학기술원 비휘발성 기억소자, 그 제조방법 및 그 제조장치
KR100818271B1 (ko) 2006-06-27 2008-03-31 삼성전자주식회사 펄스전압을 인가하는 비휘발성 메모리 소자의 문턱 스위칭동작 방법
KR101159075B1 (ko) 2006-06-27 2012-06-25 삼성전자주식회사 ｎ+ 계면층을 구비한 가변 저항 랜덤 액세스 메모리 소자
US7569459B2 (en) 2006-06-30 2009-08-04 International Business Machines Corporation Nonvolatile programmable resistor memory cell
US7696077B2 (en) 2006-07-14 2010-04-13 Micron Technology, Inc. Bottom electrode contacts for semiconductor devices and methods of forming same
US7932548B2 (en) 2006-07-14 2011-04-26 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
JP2008028228A (ja) 2006-07-24 2008-02-07 Seiko Epson Corp 可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置
KR101309111B1 (ko) 2006-07-27 2013-09-17 삼성전자주식회사 폴리실리콘 패턴의 형성방법과 폴리실리콘 패턴을 포함한다층 교차점 저항성 메모리 소자 및 그의 제조방법
WO2008013086A1 (fr) 2006-07-27 2008-01-31 Panasonic Corporation Dispositif de stockage à semi-conducteurs non volatil et son procédé de fabrication
KR100749740B1 (ko) 2006-08-01 2007-08-17 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치의 제조 방법
US7515454B2 (en) 2006-08-02 2009-04-07 Infineon Technologies Ag CBRAM cell and CBRAM array, and method of operating thereof
US7727908B2 (en) 2006-08-03 2010-06-01 Micron Technology, Inc. Deposition of ZrA1ON films
JP4344372B2 (ja) 2006-08-22 2009-10-14 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその駆動方法
KR100755409B1 (ko) 2006-08-28 2007-09-04 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자의 프로그래밍 방법
WO2008029446A1 (fr) 2006-09-05 2008-03-13 Fujitsu Limited Procédé d'écriture d'appareil de stockage a semi-conducteur non volatil
US7553758B2 (en) 2006-09-18 2009-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating interconnections of microelectronic device using dual damascene process
JP2008078404A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Corp 半導体メモリ及びその製造方法
US8058643B2 (en) 2006-09-29 2011-11-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electrochemical memory with internal boundary
US7751163B2 (en) 2006-09-29 2010-07-06 Qimonda Ag Electric device protection circuit and method for protecting an electric device
KR100772904B1 (ko) 2006-10-02 2007-11-05 삼성전자주식회사 가변저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100819099B1 (ko) 2006-10-02 2008-04-03 삼성전자주식회사 가변저항 반도체 메모리 장치
KR100858083B1 (ko) 2006-10-18 2008-09-10 삼성전자주식회사 하부전극 콘택층과 상변화층 사이에 넓은 접촉면적을 갖는상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법
US10134985B2 (en) 2006-10-20 2018-11-20 The Regents Of The University Of Michigan Non-volatile solid state resistive switching devices
US20080102278A1 (en) 2006-10-27 2008-05-01 Franz Kreupl Carbon filament memory and method for fabrication
KR100827661B1 (ko) 2006-10-31 2008-05-07 삼성전자주식회사 이중의 하부 전극을 갖는 상변화 기억소자 및 그 제조방법
US7639523B2 (en) 2006-11-08 2009-12-29 Symetrix Corporation Stabilized resistive switching memory
US7872900B2 (en) 2006-11-08 2011-01-18 Symetrix Corporation Correlated electron memory
KR100827697B1 (ko) 2006-11-10 2008-05-07 삼성전자주식회사 3차원 구조를 가지는 반도체 메모리 장치 및 셀 어레이구조
KR101196392B1 (ko) * 2006-11-28 2012-11-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7864568B2 (en) * 2006-12-07 2011-01-04 Renesas Electronics Corporation Semiconductor storage device
US7557424B2 (en) 2007-01-03 2009-07-07 International Business Machines Corporation Reversible electric fuse and antifuse structures for semiconductor devices
CN101809929B (zh) 2007-01-04 2016-11-23 诺基亚技术有限公司 对控制信道的时间频率资源的分配
KR100881292B1 (ko) 2007-01-23 2009-02-04 삼성전자주식회사 3차원 적층구조를 가지는 저항성 반도체 메모리 장치 및그의 제어방법
JP5091491B2 (ja) 2007-01-23 2012-12-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR100885184B1 (ko) 2007-01-30 2009-02-23 삼성전자주식회사 전기장 및 자기장에 의해 독립적으로 제어될 수 있는 저항특성을 갖는 메모리 장치 및 그 동작 방법
US7800093B2 (en) 2007-02-01 2010-09-21 Qimonda North America Corp. Resistive memory including buried word lines
JP2008192995A (ja) 2007-02-07 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗変化素子とその製造方法ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ
US20080185687A1 (en) 2007-02-07 2008-08-07 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Memory device and method for fabricating the same
CN101242707A (zh) 2007-02-07 2008-08-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电路板及其设计方法
JP5313171B2 (ja) 2007-02-21 2013-10-09 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ルテニウムベースの膜を基板上に形成するための方法
US7382647B1 (en) 2007-02-27 2008-06-03 International Business Machines Corporation Rectifying element for a crosspoint based memory array architecture
JP4798793B2 (ja) 2007-02-27 2011-10-19 ヤマハモーターパワープロダクツ株式会社 発電装置におけるキャニスタ配設構造
KR100852206B1 (ko) 2007-04-04 2008-08-13 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법.
US7723786B2 (en) 2007-04-11 2010-05-25 Ronald Kakoschke Apparatus of memory array using FinFETs
US7569844B2 (en) 2007-04-17 2009-08-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell sidewall contacting side electrode
US7755076B2 (en) 2007-04-17 2010-07-13 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align side wall active phase change memory
CN100521278C (zh) 2007-04-19 2009-07-29 复旦大学 以CuxO为存储介质的RRAM的制备方法
WO2008149493A1 (ja) 2007-06-01 2008-12-11 Panasonic Corporation 抵抗変化型記憶装置
US7459716B2 (en) 2007-06-11 2008-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory device
WO2009001534A1 (ja) * 2007-06-22 2008-12-31 Panasonic Corporation 抵抗変化型不揮発性記憶装置
US8513637B2 (en) 2007-07-13 2013-08-20 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align fin bottom electrodes FET drive phase change memory
US7777215B2 (en) 2007-07-20 2010-08-17 Macronix International Co., Ltd. Resistive memory structure with buffer layer
KR101344346B1 (ko) 2007-07-25 2013-12-24 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법
JP5088036B2 (ja) 2007-08-06 2012-12-05 ソニー株式会社 記憶素子および記憶装置
US7772580B2 (en) 2007-08-10 2010-08-10 Qimonda Ag Integrated circuit having a cell with a resistivity changing layer
JP2009059735A (ja) 2007-08-29 2009-03-19 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
TW200913249A (en) 2007-09-04 2009-03-16 Ind Tech Res Inst Phase-change memory and fabrication method thereof
US7838861B2 (en) 2007-09-17 2010-11-23 Qimonda Ag Integrated circuits; methods for manufacturing an integrated circuit and memory module
JP2009081251A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Panasonic Corp 抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ
US8665629B2 (en) 2007-09-28 2014-03-04 Qimonda Ag Condensed memory cell structure using a FinFET
KR20090055874A (ko) 2007-11-29 2009-06-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP4466738B2 (ja) 2008-01-09 2010-05-26 ソニー株式会社 記憶素子および記憶装置
US7768812B2 (en) 2008-01-15 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices
US20090250661A1 (en) 2008-01-18 2009-10-08 Stevenson Steven A Trimetallic Nitride Clusters Entrapped Within CnN Heteroatom Cages
JP5049814B2 (ja) 2008-02-14 2012-10-17 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法
US7742324B2 (en) * 2008-02-19 2010-06-22 Micron Technology, Inc. Systems and devices including local data lines and methods of using, making, and operating the same
KR100978911B1 (ko) 2008-02-28 2010-08-31 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그의 형성방법
JP2009212202A (ja) 2008-03-03 2009-09-17 Elpida Memory Inc 相変化メモリ装置およびその製造方法
US8343813B2 (en) 2009-04-10 2013-01-01 Intermolecular, Inc. Resistive-switching memory elements having improved switching characteristics
US7960216B2 (en) 2008-05-10 2011-06-14 Intermolecular, Inc. Confinement techniques for non-volatile resistive-switching memories
CN101546602B (zh) * 2008-03-27 2014-05-14 三星电子株式会社 使用可变电阻元件的非易失性存储器设备
US8034655B2 (en) 2008-04-08 2011-10-11 Micron Technology, Inc. Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays
DE102008019860B4 (de) 2008-04-15 2010-10-07 Technische Universität Dresden Vorrichtung, Verfahren und Verwendung des Verfahrens zur Erzeugung von schaltbarem temporärem Magnetismus in oxidischen Materialien mittels elektrischer Felder
KR20090109804A (ko) 2008-04-16 2009-10-21 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
US8098520B2 (en) 2008-04-25 2012-01-17 Seagate Technology Llc Storage device including a memory cell having multiple memory layers
US7969806B2 (en) 2008-04-28 2011-06-28 Qimonda Ag Systems and methods for writing to a memory
JP2009267219A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Hitachi Ltd 半導体記憶装置およびその製造方法
US8053364B2 (en) 2008-05-01 2011-11-08 Intermolecular, Inc. Closed-loop sputtering controlled to enhance electrical characteristics in deposited layer
US8062918B2 (en) 2008-05-01 2011-11-22 Intermolecular, Inc. Surface treatment to improve resistive-switching characteristics
US8129704B2 (en) 2008-05-01 2012-03-06 Intermolecular, Inc. Non-volatile resistive-switching memories
US8551809B2 (en) 2008-05-01 2013-10-08 Intermolecular, Inc. Reduction of forming voltage in semiconductor devices
US8211743B2 (en) 2008-05-02 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes
US8284596B2 (en) 2008-06-09 2012-10-09 Qimonda Ag Integrated circuit including an array of diodes coupled to a layer of resistance changing material
US8134137B2 (en) 2008-06-18 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods
US8114468B2 (en) 2008-06-18 2012-02-14 Boise Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
KR101407362B1 (ko) 2008-06-23 2014-06-16 삼성전자주식회사 상 변화 메모리 장치
US7795109B2 (en) 2008-06-23 2010-09-14 Qimonda Ag Isolation trenches with conductive plates
KR20100001260A (ko) 2008-06-26 2010-01-06 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2010009669A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7732235B2 (en) 2008-06-30 2010-06-08 Sandisk 3D Llc Method for fabricating high density pillar structures by double patterning using positive photoresist
US9343665B2 (en) 2008-07-02 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
JP5100555B2 (ja) 2008-07-30 2012-12-19 株式会社東芝 半導体記憶装置
CN101350360B (zh) 2008-08-29 2011-06-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
KR20100032572A (ko) 2008-09-18 2010-03-26 주식회사 하이닉스반도체 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101424138B1 (ko) 2008-09-19 2014-08-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP4733233B2 (ja) 2008-09-19 2011-07-27 パナソニック株式会社 電流抑制素子の製造方法
WO2010042732A2 (en) 2008-10-08 2010-04-15 The Regents Of The University Of Michigan Silicon-based nanoscale resistive device with adjustable resistance
US8063394B2 (en) 2008-10-08 2011-11-22 Qimonda Ag Integrated circuit
KR20100041155A (ko) 2008-10-13 2010-04-22 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자
US7897955B2 (en) 2008-11-03 2011-03-01 Seagate Technology Llc Programmable resistive memory cell with filament placement structure
US8022547B2 (en) 2008-11-18 2011-09-20 Seagate Technology Llc Non-volatile memory cells including small volume electrical contact regions
US20100135061A1 (en) 2008-12-02 2010-06-03 Shaoping Li Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations
US20100140578A1 (en) 2008-12-05 2010-06-10 Seagate Technology Llc Non volatile memory cells including a composite solid electrolyte layer
WO2010068221A1 (en) 2008-12-12 2010-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristive device
KR20100076274A (ko) 2008-12-26 2010-07-06 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
TWI401796B (zh) 2008-12-30 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 導通微通道記憶體元件及其製造方法
KR20100078808A (ko) 2008-12-30 2010-07-08 삼성전자주식회사 저항성 메모리소자
WO2010082922A1 (en) 2009-01-13 2010-07-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristor having a triangular shaped electrode
US8787064B2 (en) 2009-01-13 2014-07-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Programmable bipolar electronic device
KR101583717B1 (ko) 2009-01-13 2016-01-11 삼성전자주식회사 저항 메모리 장치의 제조방법
JP2010165803A (ja) 2009-01-14 2010-07-29 Toshiba Corp 半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置
US8614432B2 (en) 2009-01-15 2013-12-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Crystalline silicon-based memristive device with multiple mobile dopant species
WO2010085241A1 (en) 2009-01-20 2010-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multilayer memristive devices
US8487291B2 (en) 2009-01-30 2013-07-16 Seagate Technology Llc Programmable metallization memory cell with layered solid electrolyte structure
US8134138B2 (en) 2009-01-30 2012-03-13 Seagate Technology Llc Programmable metallization memory cell with planarized silver electrode
US8507968B2 (en) 2009-01-30 2013-08-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristive transistor memory
TWI394231B (zh) 2009-02-03 2013-04-21 Nanya Technology Corp 非揮發性記憶體胞元及其製造方法
JP2010192569A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2010192646A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US8021897B2 (en) 2009-02-19 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating a cross point memory array
WO2010101340A1 (ko) 2009-03-05 2010-09-10 광주과학기술원 3차원 구조를 갖는 저항 변화 메모리 소자, 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법
US8773881B2 (en) 2009-03-10 2014-07-08 Contour Semiconductor, Inc. Vertical switch three-dimensional memory array
US8410559B2 (en) 2009-03-19 2013-04-02 International Business Machines Corporation Selectively self-assembling oxygen diffusion barrier
JP4810581B2 (ja) 2009-03-25 2011-11-09 株式会社東芝 不揮発性記憶装置
US8420478B2 (en) 2009-03-31 2013-04-16 Intermolecular, Inc. Controlled localized defect paths for resistive memories
US8199576B2 (en) 2009-04-08 2012-06-12 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a double-global-bit-line architecture
US8351236B2 (en) 2009-04-08 2013-01-08 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture
US7983065B2 (en) 2009-04-08 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines
JP2010263211A (ja) 2009-05-04 2010-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 積層メモリ素子
TWI492432B (zh) 2009-12-17 2015-07-11 Hitachi Ltd Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8048755B2 (en) 2010-02-08 2011-11-01 Micron Technology, Inc. Resistive memory and methods of processing resistive memory
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8427859B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US8759809B2 (en) 2010-10-21 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells having platelike electrode and ion conductive material layer
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8618614B2 (en) 2010-12-14 2013-12-31 Sandisk 3D Llc Continuous mesh three dimensional non-volatile storage with vertical select devices
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8537592B2 (en) 2011-04-15 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011156069A3 (en) 2012-02-02
US10656231B1 (en) 2020-05-19
US20130003435A1 (en) 2013-01-03
WO2011156069A2 (en) 2011-12-15
US20180275239A1 (en) 2018-09-27
US20190178969A1 (en) 2019-06-13
US10241185B2 (en) 2019-03-26
US9887239B2 (en) 2018-02-06
US20200341105A1 (en) 2020-10-29
US8488374B2 (en) 2013-07-16
KR20130036013A (ko) 2013-04-09
TWI517304B (zh) 2016-01-11
US20160336046A1 (en) 2016-11-17
CN102939632A (zh) 2013-02-20
US8289763B2 (en) 2012-10-16
US20170301733A1 (en) 2017-10-19
US20180120405A1 (en) 2018-05-03
US10746835B1 (en) 2020-08-18
US9412421B2 (en) 2016-08-09
EP2577668B1 (en) 2015-03-11
KR101417568B1 (ko) 2014-07-08
SG186189A1 (en) 2013-01-30
JP2013531887A (ja) 2013-08-08
CN102939632B (zh) 2015-06-17
US20200249307A1 (en) 2020-08-06
EP2577668A2 (en) 2013-04-10
US10859661B2 (en) 2020-12-08
US9697873B2 (en) 2017-07-04
TW201203463A (en) 2012-01-16
US9989616B2 (en) 2018-06-05
US10613184B2 (en) 2020-04-07
EP2577668A4 (en) 2014-01-22
US20110299328A1 (en) 2011-12-08
US20130294132A1 (en) 2013-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5549962B2 (ja) メモリアレイ。
US11522014B2 (en) Connections for memory electrode lines
CN103733339B (zh) 存储器单元结构
JP5557419B2 (ja) 半導体装置
US9620190B2 (en) Semiconductor resistive memory devices including separately controllable source lines
CN104659207A (zh) 存储装置
KR20170018096A (ko) 메모리 어레이 플레인 선택
KR101593509B1 (ko) 이종 접합 산화물을 기반으로 하는 멤리스티브 요소
US7830709B2 (en) Integrated circuit, method of reading data stored within a memory device of an integrated circuit, method of writing data into a memory device of an integrated circuit, memory module, and computer program

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20140327

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5549962

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees