KR100858083B1 - 하부전극 콘택층과 상변화층 사이에 넓은 접촉면적을 갖는상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 223
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8418—Electrodes adapted for focusing electric field or current, e.g. tip-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/884—Switching materials based on at least one element of group IIIA, IVA or VA, e.g. elemental or compound semiconductors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
Claims (13)
- 비어홀을 채운 하부전극 콘택층, 상변화층 및 상부 전극층을 포함하는 스토리지 노드와 상기 하부전극 콘택층에 연결되는 스위칭 소자를 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서,상기 하부전극 콘택층는 상기 상변화층으로 돌출된 돌출부를 갖는 특징으로 하는 상변화 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 비어홀 둘레로 확장된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 트랜지스터 또는 다이오드인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자.
- 순차적으로 적층된 하부전극 콘택층, 상변화층 및 상부전극층을 포함하는 스토리지 노드와 상기 하부전극 콘택층에 연결되는 스위칭 소자를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,층간 절연층에 홀을 형성하는 단계;상기 홀을 상기 하부전극 콘택층으로 채우는 단계;상기 하부전극 콘택층의 상부를 돌출시키는 단계; 및상기 층간 절연층 상에 상기 하부전극 콘택층의 돌출된 부분을 덮는 상변화층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 돌출시키는 단계는,상기 하부전극 콘택층의 식각률보다 상기 층간 절연층의 식각률이 높은 식각 조건으로 상기 층간 절연층의 상부면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 층간 절연층의 상부면은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 돌출시키는 단계는,상기 홀에 채워진 상기 하부전극 콘택층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 하부전극 콘택층을 성장시키는 단계에서 상기 하부전극 콘택층의 수평 성장률을 수직 성장률보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 하부전극 콘택층의 식각률보다 상기 층간 절연층의 식각률이 높은 식각 조건으로 상기 층간 절연층의 상부면을 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 층간 절연층의 상부면은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 홀을 채우는 단계는,상기 층간 절연층 상에 상기 홀을 채우는 상기 하부전극 콘택층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 돌출시키는 단계는,상기 층간 절연층 상에 형성된 상기 하부전극 콘택층을 평탄화하되, 상기 평탄화는 상기 층간 절연층의 상부면이 노출되기 전까지 실시하는 단계;상기 평탄화된 하부전극 콘택층 상에 상기 홀과 그 둘레의 일부를 덮는 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크 둘레의 상기 하부전극 콘택층을 제거하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 마스크를 제거한 다음,상기 하부전극 콘택층의 식각률보다 상기 층간 절연층의 식각률이 높은 식각 조건으로 상기 층간 절연층의 상부면을 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 층간 절연층의 상부면은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060101570A KR100858083B1 (ko) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 하부전극 콘택층과 상변화층 사이에 넓은 접촉면적을 갖는상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060101570A KR100858083B1 (ko) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 하부전극 콘택층과 상변화층 사이에 넓은 접촉면적을 갖는상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080035212A KR20080035212A (ko) | 2008-04-23 |
KR100858083B1 true KR100858083B1 (ko) | 2008-09-10 |
Family
ID=39317058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060101570A KR100858083B1 (ko) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 하부전극 콘택층과 상변화층 사이에 넓은 접촉면적을 갖는상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7696507B2 (ko) |
JP (1) | JP5184043B2 (ko) |
KR (1) | KR100858083B1 (ko) |
CN (1) | CN101165911B (ko) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7696507B2 (en) | 2010-04-13 |
JP2008103727A (ja) | 2008-05-01 |
CN101165911A (zh) | 2008-04-23 |
JP5184043B2 (ja) | 2013-04-17 |
US20080093591A1 (en) | 2008-04-24 |
KR20080035212A (ko) | 2008-04-23 |
CN101165911B (zh) | 2011-06-29 |
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