JP5073267B2 - 相変化メモリ素子 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 136
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical group [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001255 actinides Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 364
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 231100000957 no side effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
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- H10N70/8613—Heating or cooling means other than resistive heating electrodes, e.g. heater in parallel
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
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Description
また、前記P型熱電物質は、充填スクッテルダイト構造を有し、RT4X12の組成(ここで、R=ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン;T=Fe,Ru,Os、そしてX=P,As,またはSb)を有する物質でありうる。
(数式1)
S3−S1>100μV/K,(K:絶対温度)
まず、図7を参照すれば、図7(a)に示したように、全体が結晶状態である相変化層56にリセット電流Irsが流れるように上部電極58と下部電極52との間に書き込み電圧を所定の時間の間に、例えば、数十ナノ秒印加する。リセット電流Irsは、所定の高さI1hを有するパルス電流であるが、従来のリセット電流より強度が小さい。下部電極52a、相変化層56及び上部電極58aのゼーベック係数の間の関係(S1<S3<S2)によって、下部電極52aと上部電極58aとの間に前記書き込み電圧が印加されると、相変化層56の下部電極52aと接触した部分は、瞬間的に相変化温度以上となる。これにより、図7の(b)に示したように、相変化層56の下部電極52aと接触した部分は、非晶質領域80となる。相変化層56の前記一部領域が非晶質領域80となると、相変化層56の電気的な抵抗は高くなる。このように、非晶質領域80が形成されるにつれて、相変化層56の電気的な抵抗が高まったときには、前記第1メモリ素子にビットデート1が記録されたと見なせる。
まず、書き込み過程で相変化層56に形成された非晶質領域の相が変わらないほどの電流、すなわちセット電流より小さな電流が相変化層56を流れるように、上部電極58aと下部電極52aとの間に読み取り電圧を印加する。前記読み取り電圧は、相変化層56の抵抗を測定するためのものである。前記読み取り電圧を印加して測定した相変化層56の抵抗は、基準抵抗と比較される。このような比較結果、前記測定された相変化層56の抵抗が前記基準抵抗より大きい場合、前記第1または第2メモリ素子にビットデータ1が記録されたと読み取る。しかし、前記測定された相変化層56の抵抗が前記基準抵抗より小さい場合、前記第1または第2メモリ素子にビットデータ0が記録されたと読み取る。
42 ゲート酸化膜
44 ゲート電極
47 第1層間絶縁層
48 コンタクトホール
50 導電性プラグ
52a 下部電極
54 第2層間絶縁層
56 相変化層
58a 上部電極
h1 ビアホール
D1 第2不純物領域
S1 第1不純物領域
Claims (15)
- スイッチング素子とこれに連結されたストレージノードを含む相変化メモリ素子において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結された下部電極と、
前記下部電極上に形成された相変化層と、
前記相変化層上に形成された上部電極と、を備えるが、
前記下部及び上部電極は、前記相変化層より融点が高く、異なるタイプの熱電物質からなることを特徴とする相変化メモリ素子。 - 前記スイッチング素子は、トランジスタ型またはダイオード型であることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記相変化層の上面は、凹状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記下部電極と前記相変化層との間に下部電極コンタクト層が備えられたことを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記相変化層の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記下部電極は、N型熱電物質であって、前記上部電極は、P型熱電物質からなることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記上部電極は、N型熱電物質であって、前記下部電極は、P型熱電物質からなることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記下部電極、相変化層及び上部電極のゼーベック係数は、相異なることを特徴とする請求項1に記載の相変化メモリ素子。
- 前記N型熱電物質は、n−SiGe、Sb2Te3−Bi2Te3(Sb2Te3の含量<Bi2Te3の含量)、主成分がGeTeである物質、主成分がSnTeである物質、主成分がPbTeである物質、主成分がTeAgGeSbである物質、二元系スクッテルダイトの構造を有し、MX3組成(ここで、M=Co,Rh,またはIr;X=P,As,またはSb)を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、RT4X12組成(R=ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン;T=Fe,Ru,Os、そして、X=P,As,またはSb)を有する物質及び包接化合物構造を有し、A8B16E30組成(A=アルカリ土類金属;B=III族元素(Ga,Al);E=Si,Ge,またはSn)に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項6に記載の相変化メモリ素子。
- 前記P型熱電物質は、p−SiGe、Sb2Te3−Bi2Te3(Sb2Te3の含量>Bi2Te3の含量)、主成分がGeTeである物質、主成分がSnTeである物質、主成分がPbTeである物質、主成分がTeAgGeSbである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、MX3組成(M=Co,Rh,またはIr;X=P,As,またはSb)を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、RT4X12組成(R=ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン;T=Fe,Ru,Os、そして、X=P,As,またはSb)を有する物質、包接化合物構造を有し、A8B16E30組成(A=アルカリ土類金属;B=III族元素(Ga,Al);E=Si,Ge,またはSn)に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項6に記載の相変化メモリ素子。
- 前記下部電極コンタクト層は、前記下部電極と同じタイプの熱電物質からなることを特徴とする請求項4に記載の相変化メモリ素子。
- 前記下部電極、相変化層及び上部電極のゼーベック係数をそれぞれS1、S2及びS3とするとき、前記S1、S2及びS3は、S1<S2<S3の関係、S1<S3<S2の関係及びS2<S1<S3の関係からなる群のうち何れか一関係を満たすことを特徴とする請求項8に記載の相変化メモリ素子。
- 前記S1、S2及びS3の間の関係において、S1とS3とは、S3−S1>100μV/Kの関係(Kは、絶対温度)を満たすことを特徴とする請求項12に記載の相変化メモリ素子。
- 前記N型熱電物質は、n−SiGe、Sb2Te3−Bi2Te3(Sb2Te3の含量<Bi2Te3の含量)、主成分がGeTeである物質、主成分がSnTeである物質、主成分がPbTeである物質、主成分がTeAgGeSbである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、MX3組成(ここで、M=Co、Rh、またはIr;X=P,As,またはSb)を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、RT4X12組成(R=ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン;T=Fe,Ru,Os、そして、X=P,As,またはSb)を有する物質及び包接化合物構造を有し、A8B16E30組成(A=アルカリ土類金属;B=III族元素(Ga,Al);E=Si,Ge,またはSn)に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項7に記載の相変化メモリ素子。
- 前記P型熱電物質は、p−SiGe、Sb2Te3−Bi2Te3(Sb2Te3の含量>Bi2Te3の含量)、主成分がGeTeである物質、主成分がSnTeである物質、主成分がPbTeである物質、主成分がTeAgGeSbである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、MX3組成(M=Co,Rh,またはIr;X=P,As,またはSb)を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、RT4X12組成(R=ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン;T=Fe,Ru,Os、そして、X=P,As,またはSb)を有する物質、包接化合物構造を有し、A8B16E30組成(A=アルカリ土類金属;B=III族元素(Ga,Al);E=Si,Ge,またはSn)に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項7に記載の相変化メモリ素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0102499 | 2005-10-28 | ||
KR1020050102499A KR100657972B1 (ko) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 상변화 메모리 소자와 그 동작 및 제조 방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123908A JP2007123908A (ja) | 2007-05-17 |
JP2007123908A5 JP2007123908A5 (ja) | 2009-12-17 |
JP5073267B2 true JP5073267B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=37733426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006294747A Expired - Fee Related JP5073267B2 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-30 | 相変化メモリ素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7476892B2 (ja) |
JP (1) | JP5073267B2 (ja) |
KR (1) | KR100657972B1 (ja) |
CN (1) | CN100555652C (ja) |
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2005
- 2005-10-28 KR KR1020050102499A patent/KR100657972B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-30 US US11/589,056 patent/US7476892B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-30 CN CNB200610142556XA patent/CN100555652C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-30 JP JP2006294747A patent/JP5073267B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-08 US US12/314,310 patent/US8120004B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-11 US US13/348,333 patent/US8742514B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10553791B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120127789A1 (en) | 2012-05-24 |
US8742514B2 (en) | 2014-06-03 |
US20090095952A1 (en) | 2009-04-16 |
JP2007123908A (ja) | 2007-05-17 |
US8120004B2 (en) | 2012-02-21 |
US7476892B2 (en) | 2009-01-13 |
CN1956208A (zh) | 2007-05-02 |
US20070108488A1 (en) | 2007-05-17 |
KR100657972B1 (ko) | 2006-12-14 |
CN100555652C (zh) | 2009-10-28 |
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