JP2017173856A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017173856A
JP2017173856A JP2017129094A JP2017129094A JP2017173856A JP 2017173856 A JP2017173856 A JP 2017173856A JP 2017129094 A JP2017129094 A JP 2017129094A JP 2017129094 A JP2017129094 A JP 2017129094A JP 2017173856 A JP2017173856 A JP 2017173856A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate table
temperature
lithographic apparatus
cover plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017129094A
Other languages
English (en)
Inventor
ザール，コエン，ヤコブス，ヨハネス，マリア
Koen Jacobus Johannes Maria Zaal
オッテンズ，ヨースト，ヘロエン
Joost Jeroen Ottens
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2017173856A publication Critical patent/JP2017173856A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

【課題】基板を投影システム等に対して位置決めする精度を改善するシステム等を提供する。
【解決手段】
基板テーブルと別個に形成されたカバープレート、およびカバープレートの温度を制御することによって基板テーブルの温度を安定化させる手段があるリソグラフィ装置を開示する。カバープレートが基板テーブルの熱遮蔽材として作用するように、カバープレートと基板テーブルの間に設けた断熱材があるリソグラフィ装置を開示する。基板テーブルの歪みを測定し、基板テーブルの歪みを参照することによって基板の位置制御を改善する手段を備えるリソグラフィ装置を開示する。
【選択図】図１２

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。その要点は、より小さい形体を結像可能にすることである。というのは、露光放射が液体中の方が短い波長を有するからである。（液体の効果は、システムの有効ＮＡを増加させ、焦点深さも増大させることとみなすこともできる。）自身内に固体粒子（例えばクォーツ）が浮遊した水など、他の液浸液も提案されている。
[0004] しかし、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴に浸すこと（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが基板の局所的な領域のみ、および投影システムの最終要素と基板の間に液体封じ込めシステムを使用して液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。こ構成を達成するように提案されている１つの方法が、参照により全体が本明細書に組み込まれているＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作の方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板がＸ方向にて最終要素の下でスキャンされると、液体が最終要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧ソースに接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる配置構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に位置決めされた入口および出口の様々な方向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
[0006] 局所的な液体供給システムがあるさらなる液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴がある板に配置することができ、投影ビームがこの穴を通して投影される。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、それによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に薄膜状の液体の流れが引き起こされる。入口ＩＮと出口ＯＵＴのどの組合せを選択するかは、基板Ｗの動作方向によって（入口ＩＮと出口ＯＵＴの他の組合せが作動していない状態で）決定することができる。
[0007] 提案されている別の解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材を液体供給システムに設けることである。バリア部材は、ＸＹ面で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少相対的な運動があってよい。バリア部材と基板の表面に間にシールが形成される。ある実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。ガスシールがあるこのようなシステムは、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
[0008] それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公報第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられている。第一位置で、液浸液のない状態でテーブルにてレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置で、テーブルを使用して露光を実行する。あるは、装置は、露光位置と測定位置の間で動作可能な１つのテーブルのみを有してもよい。
[0009] 基板Ｗは、これを支持する基板テーブルＷＴを動作させることにより、ＸＹ面で変位することができる。基板テーブルＷＴの、したがって基板Ｗの相対位置は、基板テーブルＷＴの側面に装着した１つまたは複数のミラーによって測定することができる。例えば、１つまたは複数の干渉計を設けて、これらのミラーの表面上にある点から基準フレームにある対応する点または軸線への実質的に垂直の距離を測定することができる。基板テーブルＷＴの歪みはこれらのミラーを変形させることがあり、したがって投影システムＰＳに対して基板Ｗを移動かつ／または位置決めする精度を低下させ、これは基板Ｗ上に形成されるパターンの品質に悪影響を及ぼすことがある。
[0010] 例えば、基板を例えば投影システムなどに対して位置決めすることができる精度を改善するシステムなどを提供することが望ましい。
[0011] 本発明の一態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、露光中に投影システムと基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、物理的に基板テーブルから分離し、露光中に基板の半径方向外側に位置し、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるように構成された基板テーブル温度安定化デバイスと、からなるリソグラフィ装置が提供される。
[0012] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを液体に通して基板テーブルに保持された基板に投影し、カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの基板テーブルの一部の温度偏差を減少させる、ことからなり、カバープレートは、基板テーブルから物理的に分離し、変調した放射ビームの投影中に基板の半径方向外側にある、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法が提供される。
[0013] 本発明のさらなる態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、露光中に投影システムと基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、物理的に基板テーブルから分離し、露光中に基板の半径方向外側に位置し、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、カバープレートからの基板テーブルの熱遮蔽を提供するために、カバープレートと基板テーブルの間の熱伝達を減少させるように構成された断熱材と、からなるリソグラフィ装置が提供される。
[0014] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを液体に通して基板テーブル上に保持された基板に投影し、カバープレートと基板テーブルの間の熱伝達を減少させ、それによってカバープレートからの基板テーブルの熱遮蔽を可能にするように、カバープレートを断熱する、ことからなり、カバープレートは、基板テーブルから物理的に分離し、変調した放射ビームの投影中に基板の半径方向外側にあり、基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法が提供される。
[0015] 本発明のさらなる態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルと、変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、基板テーブルの一部の位置を求めるように構成された測定システムと、基板テーブルの歪みに関するデータを提供するように構成された基板テーブル歪み測定デバイスと、測定システムで測定した基板テーブルの一部の位置、および基板テーブル歪み測定デバイスによって提供された基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、投影システムに対して基板の位置を制御するように構成された基板位置コントローラと、からなるリソグラフィ装置が提供される。
[0016] 本発明のさらなる態様によれば、変調した放射ビームを基板テーブルによって保持された基板に投影し、基板テーブルの一部の位置を測定し、基板テーブルの一部の測定位置、および基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、変調した放射ビームを投影するために使用される投影システムに対する基板の位置を制御する、ことからなるデバイス製造方法が提供される。
[0017] 本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィ装置の基板テーブル反射器の表面プロファイルをマッピングする方法であって、基板を支持するように構成された基板テーブルの第一側面に装着された実質的に平面の第一反射器を提供し、第一反射器は第一軸に平行な垂線を有し、基板テーブルの第二側面に装着された実質的に平面の第二反射器を提供し、第二反射器は、第一軸に対して平行でない第二軸に平行な垂線を有し、第二反射器の表面から基準フレームの基準点までの垂直距離を測定しながら、第一軸に平行に基板テーブルを動作させる、ことからなるマッピング方法が提供される。
[0018] 本発明のさらなる態様によれば、第二軸に実質的に平行な方向で反射器の表面から基準点までの距離を測定しながら、第一軸に平行に基板テーブルを動かし、基板テーブルの反射器の表面プロファイルをマッピングし、第二軸が第一軸に対して実質的に直交し、変調した放射ビームを基板に投影し、基板の異なったターゲット領域を露光するために変調した放射ビームを投影するのに使用される投影システムに対して基板を動かす、ことからなり、位置は、基準点からの基板テーブル反射器の距離の測定値、および基板テーブル反射器の表面プロファイルを参照することにより求められる、デバイス製造方法が提供される。
[0019] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
[0020] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0021] リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。 [0021] リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示した図である。 [0022] リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示した図である。 [0023] 基板ホルダおよび可動式基板テーブル上に装着した基板を示した図である。 [0024] 基板ホルダの熱膨張によって引き起こされる基板テーブルへの効果を示した図である。 [0025] 本発明の実施形態によるカバープレートと基板テーブル間の断熱を示した図である。 [0026] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、流路のネットワークとともに示した図である。 [0027] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、電熱器およびコントローラとともに示した図である。 [0028] 本発明の実施形態による基板テーブル温度安定化デバイスを、変動する磁界によって起動されるように構成された加熱要素とともに示した図である。 [0029] 本発明の実施形態による熱伝導性結合媒体を組み込んだ基板テーブルアセンブリを示した図である。 [0030] 本発明の実施形態による位置測定システムおよび基板テーブル歪み測定デバイスを示した図である。 [0031] 本発明の実施形態によりミラー毎に複数の干渉計を備える測定システムを示した図である。
[0032] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。このリソグラフィ装置は、
[0033] 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0034] パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0035] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0036] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを備える）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0037] 照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0038] 支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。
[0039] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
[0040] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフト、減衰型位相シフトのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0041] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなすことができる。
[0042] ここに示している装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
[0043] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0044] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと送られる。他の例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0045] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のターゲットを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0046] 放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢはマスクＭＡを通過して、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは容量センサ）の補助により、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体ＭＴの移動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0047] 図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0048] １．ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0049] ２．スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
[0050] ３．別のモードでは、支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、上記したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
[0051] 上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
[0052] 図５は、基板ホルダ２および基板テーブルＷＴによって支持される基板Ｗを概略的に示したものである。基板テーブルＷＴは、基板Ｗの異なったターゲット領域を露光するように、投影システムＰＳに対して移動させることができる。基板Ｗの正確な位置決めが一般的に望ましい。例えば、リソグラフィで生成した幾つかの層からデバイスを形成すべき場合は、各層が他の層との正確な空間的対応を有していなければならない。この対応の程度は、各層のパターン形成中に基板Ｗをどの程度良好に位置決めするかによって決定される。
[0053] 例えばフィードバックまたはサーボループを、基板テーブルＷＴを物理的に動作させる手段およびその位置を測定する手段と組み合わせて使用することにより、正確な変位を達成することができる。基板Ｗは、可能な限り最短の時間で、望ましくは行き過ぎがない状態で、測定位置とターゲット位置との間の差を漸進的に減少させることによって、ターゲット位置に向かって移動する。
[0054] 基板Ｗが基板テーブルＷＴに対して固定されているか、それとの空間的関係が分かっている場合は、はるかに小さく、薄い方の基板Ｗの位置を直接測定しようとするより、基板テーブルＷＴ上の１つまたは複数の点の位置を測定し、そこから基板Ｗの位置を推定する方が都合がよいことがある。
[0055] このようなアプローチの正確さは、基板テーブルＷＴの測定から推定できる基板Ｗの位置の精度に少なくともある程度は依存する。特に、これは基板テーブルＷＴが露光中に歪んだ場合に困難になることがある。これは例えば基板テーブルＷＴおよび／または基板テーブルＷＴと機械的に接触しているターゲットの温度変動により生じることがある。
[0056] 温度変動は、例えばリソグラフィ放射からの熱に起因して生じることもある。代替的または追加的に、特に液浸システムでは、基板Ｗの表面および周囲領域からの液体（通常は液浸液）の蒸発が冷却につながることがある。この状況は、基板Ｗまたは他の重要な要素の温度を制御するために組み込むことがある補償システムによって、さらに複雑になり得る。例えば、液浸液の蒸発によって引き起こされる冷却を打ち消すために、基板加熱装置を供給することができる。加熱装置は、基板Ｗをさらに一定の温度に維持するように設計してよいが、基板テーブルＷＴなどの他のターゲットに、さらに大きい温度勾配および／または変動を引き起こすことがある。
[0057] 図５は、基板テーブルＷＴの測定を通して基板位置を間接的に測定できる配置構成を示す。図示の実施例では、基板Ｗが基板ホルダ２上の突起または「節」５を介して支持され、基板ホルダ２自体が節３を介して基板テーブルＷＴに載置されるように構成される。
[0058] １つまたは複数のカバープレート６０が、少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体封じ込め構造体６８（例えば図１１参照−液体封じ込め構造体６８は、明快さを期して図５および図８から図１０には図示されていない）が基板Ｗの表面上を滑らかに通ることができるようにするために設けられる。この構成では、基板Ｗが投影システムＰＳに対してスキャンされる場合に、液体封じ込め構造６８が動作するのに十分に大きい平面を提供するために、カバープレート６０は基板Ｗの半径方向外側に位置される。カバープレート６０は、様々なサイズの基板に合わせて融通性を提供するために、節３に着脱式に装着してもよい。
[0059] １つまたは複数のミラー６が基板テーブルＷＴの側面に装着され、これらのミラーによって基板テーブルＷＴの位置が求められる。例えば、１つまたは複数の干渉計を使用することができ、これはこれらのミラーから反射する放射に基づいて作動する。干渉計は、反射した放射を使用して、干渉計の検出部分に対して固定された基準フレームの特定の点からミラーの表面までの距離を推定することができる。様々な軸線に沿って基板テーブルＷＴの位置を求めるために、複数のミラーおよび対応する干渉計を設けてよい。例えば、直交する方向に向いた２つの平面ミラーを設けてよい。ミラーは基板テーブルＷＴに固定するか、基板テーブルＷＴと一体的に形成してよい。
[0060] 基板テーブルＷＴの歪みは、それに装着されたミラーの形状の歪みを引き起こし得る。図６は、図５に示した配置構成の上面図を概略的に示し、このような歪みが生じ得る１つの様子を示す。左手の図では、中心円が基板Ｗを表し、その下に基板ホルダ２（視認不可）がある。周囲の正方形は、側面に実質的に完全に平面のミラー６が装着された基板テーブルＷＴである。右手の図は、基板テーブルＷＴ上の基板ホルダ２の熱で生じた歪み（図５の矢印１０）を（誇張した形態で）示す。基板ホルダ２の加熱は、基板ホルダ２を元の形態（細線）から熱膨張した形態（太線；図６の矢印８）へ膨張させる。この加熱は、おそらく液浸液の蒸発が基板Ｗに及ぼす冷却効果を打ち消すように構成された基板加熱装置４（例えば熱交換流体を導くために使用する複数の流路でよい）によって引き起こされる。代替的または追加的に、リソグラフィ放射自体に起因して加熱が生じることがある。
[0061] 例えば基板ホルダ２と基板テーブルＷＴとの間に維持される低い圧力によって基板テーブルＷＴに対して極めてしっかり保持される膨張した基板ホルダ２は、基板テーブルＷＴの本体の歪み（図５の矢印１２）を引き起こす半径方向の力を生じさせることがある。この歪みは、図６の右手の図（太線；矢印１４）で示すように、ミラー６に相応する変形を引き起こし得る。
[0062] 基板テーブルＷＴ及び基板ホルダ２の各々、または両方は、非常に小さい熱膨張率を有する材料から形成してよい。しかし、このような材料は高価なことがあり、広範囲の物理的特性で入手できないことがあるので、他の態様ではそれほど適切でなくなる。例えば、耐摩耗性は基板ホルダ２にとって重要な特性であり得るが、耐摩耗性が良好で熱膨張率が実質的にゼロである材料は、入手可能かつ／または経済的でないことがある。
[0063] 図５および図６の基板テーブルＷＴの歪みは、基板ホルダ２の膨張により生じるものとして図示されているが、歪みは、基板テーブルＷＴ自体の加熱または冷却に起因して生じることもある。例えば、液浸液の蒸発は、ある程度の熱収縮を引き起こすようである。基板テーブルＷＴは、ある部分が膨張して、他の部分が収縮し、図６に示すより複雑な歪みを引き起こすことがあり、これにより基板ホルダの一様な膨張に基づく変形が確実になる。
[0064] ミラー６の歪みは、基板Ｗの制御誤差を引き起こすことがある。例えば補正措置を執らない場合、外側に膨張するミラーの部分を検出干渉計に隣接して配置すると、干渉計は、基板テーブルが全体として実際より近いことを示す信号を出力することがあるが、実際には近づいているのはミラーの局所的部分だけである。これは、この信号をフィードバックループに入力した場合に、基板Ｗの位置に誤ったオフセットを引き起こすことがある。
[0065] 図７は、基板テーブルＷＴにあり得る加熱および／または冷却源に対して熱遮蔽を提供するようにカバープレート６０が配置構成された実施形態を概略的に示す。これは、カバープレート６０と基板テーブルＷＴの間に断熱材を設けることによって達成される。このようにすると、例えば液浸液の蒸発または放射加熱などによって引き起こされるカバープレート６０の温度変化は、カバープレート６０の下の基板テーブルＷＴへと熱を大幅に伝達しない。図示の実施例では、断熱は特殊な節２１の形態をとる。これらの節２１の熱コンダクタンスは、例えば断面サイズを最小限にするか、低い熱伝導率の材料を使用する、あるいはその両方によって低くするように配置構成される。基板テーブルＷＴとカバープレート６０間の相対的熱交換は、これらのターゲットのいずれか、または両方に反射性コーティングを適用することによって減少させることができる。
[0066] 図８は、基板テーブル温度安定化デバイスを備える本発明の実施形態によるリソグラフィ装置の一部を概略的に示し、この基板テーブル温度安定化デバイスは、基板テーブルＷＴの一部および／または基板テーブルＷＴと機械的および／または熱的に接触する成分の温度を、ある範囲(または複数の範囲)のターゲット温度内に維持するように構成される。この範囲は、望ましい正確さ、および基板テーブルＷＴ（および上述した関連するコンポーネント）の温度の変化に対する感度（例えば熱膨張率、機械的構造および／または設けられた任意のヒートシンク構成）に依存する。異なった範囲および／またはターゲット温度が、予想される熱入力または出力に従い、基板テーブルＷＴの異なった部分のために使用されることができる。例えば、熱膨張の影響を受けやすい、または熱入力／出力にそれほど曝露しないように予想される基板テーブルＷＴの領域では、より厳密な公差が望ましいことがある。追加的または代替的に、基板テーブルＷＴ内で制御された不均一な温度プロファイルを維持することが適切な場合は、基板テーブルＷＴの異なる部分に複数の異なるターゲット温度を使用してよい。
[0067] 基板テーブルおよび／または関連するコンポーネントの温度の安定化は、その熱膨張および／または収縮の程度を低下させ、それによって基板テーブルＷＴの全体的な歪みを減少させることができる。これは、ミラー６（図８では図示せず）などの基板テーブルＷＴ位置測定デバイスの動作に対する妨害を最小限に抑え、これによって投影システムＰＳに対して基板Ｗを位置決めする正確さを改善することができ、したがって例えばオーバレイ誤差を減少させることが可能である。
[0068] この実施形態による温度安定化デバイスは、１つまたは複数のカバープレート６０の温度を制御することによって作動する。これは、基板テーブルＷＴの温度プロファイルまたは平均温度の測定値変動に従ってカバープレート６０の温度プロファイル（空間的に一定、または空間的に変動する温度分布を含む）を制御することによって、能動的に実行することができる。あるいは、温度安定化デバイスは、（カバープレートの温度は測定することができるが）基板テーブルＷＴの温度プロファイルの測定値を参照せずに、カバープレートの温度を分離して制御するのみで、さらに受動的に作動してもよい。この後者のアプローチによれば、実質的に一定の温度を維持する（または言い換えると、カバープレートの温度をカバープレート６０のターゲット温度の範囲内に維持する）ように、カバープレート６０の温度を制御することができる。基板テーブルＷＴの温度を直接参照せずにカバープレート６０の温度を制御することが、基板テーブル装置への妨害を最小限に抑えて実施できる。
[0069] カバープレート６０の温度制御は、受動的および／または能動的に（以上参照）、基板テーブルＷＴを熱入力および／または出力の最も重要なソースの幾つかから効果的に「遮蔽」することができる。例えば、冷却を引き起こす液浸液の蒸発の大きい割合は、カバープレート６０の表面上で生じる。同様に、基板テーブルＷＴ上の領域に曝露したターゲットからの放射加熱は、最初にカバープレート６０に当たる傾向がある。これらの要素の１つまたは複数を直接補償するためにカバープレート６０の温度を制御すると、基板テーブルＷＴの温度に対する最終的影響が低下することになる。
[0070] 基板テーブルＷＴの測定温度を参照してカバープレートの温度を制御する場合、カバープレートの温度制御は、最初にカバープレート６０を通過せずに基板テーブルＷＴに到達する加熱および／または冷却（例えば基板ホルダ２に設置した基板温度補償装置および／または放射ビームからの放射加熱からの加熱）を少なくともある程度は補償することもできる。
[0071] 図８の配置構成によるカバープレート６０の温度制御は、カバープレート６０内またはその上に埋め込まれた流路２０のネットワークによって、および基板テーブルＷＴの一部（および／または基板ホルダ２およびカバープレート６０などの関連コンポーネント）の温度を対応するターゲット温度（制御されている基板テーブルの１つまたは複数の部分（および／または関連コンポーネント）に「対応する」各ターゲット温度）の範囲内に維持するために、流路２０のネットワーク内に流れる熱交換流体の温度および／または圧力（およびその結果の流量）を制御するように配置構成されたコントローラ３０によって達成される。熱交換流体は例えば精製水でよい。温度および／または圧力は、例えば校正実験、基板テーブルＷＴの予想される電力入力／出力の数学的モデリング、歪みに寄与するターゲットの実際の温度測定（以下参照）、および／または流体の実際の測定を参照することによって制御することができる。
[0072] 流路２０のシステムは、必要に応じてカバープレート６０を加熱し、さらにカバープレート６０を冷却するようにいずれにも構成することができ、それによって基板テーブルの温度を柔軟に制御することができる。代替的または追加的に、流路２０は、カバープレート６０の一部を加熱しながら、別の部分を冷却するように構成することができる。これは、カバープレート６０および／または基板テーブルＷＴ（および／または他の関連コンポーネント）全体の温度変動が、熱交換流体の温度全体に及ぶ場合に達成することができる。あるいは、１組の特性（例えば高い温度）を有する熱交換流体を流路２０のシステムの一部に供給しながら異なる組合せの特性（例えば比較的低い温度）を有する熱交換流体を流路２０のシステムの別の部分に同時に提供するシステムを提供することができる。この方法で、流路のシステムを使用して、カバープレート６０および／または基板テーブルＷＴ（および／または他の関連コンポーネント）の広範囲の温度変動を安定化させることができる。
[0073] 代替的および／または追加的に、基板テーブル温度安定化デバイスは、図９で概略的に示すように１つまたは複数の電気ヒータ２６およびコントローラ４０を備えることができる。１つまたは複数の電気ヒータ２６は、図示のようにカバープレート６０に埋め込むか、カバープレート６０の表面（カバープレートの上、その下、またはその両側）に取り付けることができる。
[0074] 電気ヒータは容易に、最小限の追加的ハードウェアで制御することができる。その出力は迅速に調節することができ、制御の向上および迅速な応答を提供する。
[0075] 一実施形態によれば、図９に図示された加熱要素２６は、ターゲット温度の領域で温度によって生じる相転移を受ける材料からなるものとしてよく、相転移によって材料は、転移温度より低い比較的高い加熱出力を生成する状態から、転移温度より高い比較的低い加熱出力を生成する状態へと変化する。例えば、強磁性体、反強磁性体またはフェリ磁性体のような磁気順序転移を受ける材料を選択してよい。代替的または追加的に、構造的相転移を経験する材料を選択してよい。
[0076] 転移温度を通して材料を加熱すると、材料の抵抗が突然上昇するように、材料を選択することができる。コントローラ４０が一定の電圧を維持するように構成された場合、材料内で損失する電力は、突然の抵抗増大に起因して突然増加し、これは温度が位置とともに大幅に変動しても、複雑な制御回路および多数の温度センサおよび加熱装置を必要とせずに、基板テーブルＷＴの温度を安定化させる傾向を有する。温度が低すぎる（つまり転移温度およびターゲット温度より低い）場合、加熱出力は自動的に比較的高くなり、温度が高すぎる（つまり転移温度およびターゲット温度より高い）場合、加熱出力は自動的に低くなる。
[0077] 同様の原則に従って働く代替的または追加的アプローチが、図１０に概略的に図示されている。ここでは、１つまたは複数の加熱要素２６が設けられ、これはコントローラ５０によって制御された１つまたは複数のエレクトロマグネット２８によって作動される。１つまたは複数の加熱要素２６は、材料を転移温度より低い磁気ヒステリシス状態から転移温度より高い非磁気ヒステリシス状態（つまり磁気ヒステリシスを示さない、または最小量の磁気ヒステリシスを示す状態）へと変化させる相転移を受ける材料からなる。コントローラ５０および１つまたは複数のエレクトロマグネット２８は、１つまたは複数の加熱要素２６に変動する磁界を与えるように構成され、これによって１つまたは複数の加熱要素は、１つまたは複数の加熱要素が転移温度より低い場合のみ、磁気ヒステリシスによって基板テーブルＷＴに熱を与える。強磁性材料を、例えば磁気ヒステリシス材料として使用してもよい。この場合もこの構成は、複雑な制御回路および多数の温度センサおよび加熱装置を必要とせずに、カバープレート６０および／または基板テーブルＷＴ（および／または他の関連ターゲット）の位置変動による温度変動さえ安定化させる傾向がある。
[0078] １つまたは複数の温度センサ２２を設ける、基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０に固定する、基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０内に埋め込む（図８、図９および図１０で図示）、または基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０に隣接して位置決めすることができる（例えば赤外線センサ）。１つまたは複数の温度センサは、基板テーブルＷＴと熱および／または機械的に接触する他のターゲット内、またはその上に設けてもよい。１つまたは複数の温度センサは、基板テーブルＷＴ、カバープレート６０および／または関連ターゲットの温度に関する情報を提供し、これはコントローラ３０、４０および／または５０が使用して、基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０（および／または他の関連ターゲット）の温度を１つまたは複数の対応するターゲット温度の範囲内に維持するために、１つまたは複数の加熱／冷却要素２０／２６の加熱／冷却出力を変動させることができる。例えば、温度センサの読み取り値と１つまたは複数のターゲット温度との間の１つまたは複数の差を小さくするために、１つまたは複数の加熱／冷却要素２０／２６の出力を調節するフィードバックループを設けてよい。
[0079] 図１１は、基板Ｗが基板Ｗと基板テーブルＷＴの間に配置された基板ホルダ２で支持される実施形態を概略的に示したものである。この構成は、基板ホルダ２内に加熱または冷却要素を全く備えない。つまり、基板ホルダ２がそれほど嵩張らず、複雑にならないようにすることができ、これは製造費を削減することができる。材料のボリュームが小さくなると、基板ホルダ２が膨張または収縮した場合に引き起こされる問題も軽減することができる。というのは、これらの膨張または収縮が、関係する材料の量の減少に起因して比例して小型化／弱体化するからである。したがって、基板ホルダ２の熱特性（例えば熱膨張率）に関する設計の制約を緩和することができ、このコンポーネントの他の物理的または経済的特性を最適化するための自由度が大きくなる。
[0080] 基板Ｗ、基板ホルダ２、基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０の高められた温度制御は、基板Ｗと基板ホルダ２、基板ホルダ２と基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０と基板テーブルＷＴの間に高い熱伝導率の通路を設けることによって達成される。これは、一実施形態によれば、基板Ｗ、カバープレート６０、基板テーブルＷＴの間に熱伝導性結合媒体６６を組み込むことによって達成することができる。図示の実施例では、この結合媒体は液体であり、基板ホルダ２およびカバープレート６０の下の領域に設けられ、１つまたは複数の栓６４によって限定される。液体は、主要支持機構として節を使用することに伴う可撓性の喪失を生じることなく、基板ホルダ２と基板テーブルＷＴの間に大きい接触表面を提供する。熱伝導率が高い液体が特に効果的である。
[0081] 代替的または追加的に、気体状結合媒体を使用してよい。例えば基板テーブルＷＴ、カバープレート６０、基板ホルダ２の間の領域を低圧（つまり大気圧より非常に低い圧力）で保持する場合は、基板ホルダ２（またはカバープレート６０）を十分確実に固定することと、基板ホルダ２（またはカバープレート６０）から基板テーブルＷＴへの熱結合を改善するために多少のガスを提供することとの間のバランスを達成するように、低圧レベルを減少させることができる。代替的または追加的に、異なるガス圧の領域を、基板ホルダ２および／またはカバープレート６０の下に確立することができ、低圧の領域がターゲットを固定するように作用し、より高い圧力の領域は、熱結合を改善するように作用する。例えばガス結合媒体として浄化した空気を使用してよい。
[0082] 代替機構によれば、節３、５と基板Ｗ、基板ホルダ２、カバープレート６０および／または基板テーブルＷＴの間に流体でない結合媒体を設けてよい。例えば、非常に軟らかく、良好な熱導体であるインジウム箔を使用してよい。
[0083] 基板Ｗおよび／または基板ホルダ２と基板テーブルＷＴおよび／またはカバープレート６０との間の温度通路が強化されると、基板テーブルＷＴの温度を安定化させるための測定が、基板Ｗおよび基板ホルダ２の温度を安定化させる作用もすることが保証される。つまり、例えば基板ホルダ２の熱膨張／収縮が、基板テーブルＷＴの歪みを引き起こす可能性が低くなり、基板ホルダ２に適切な材料の選択範囲が広くなる。例えば、高い耐摩耗性を有するＳｉＳｉＣの基板ホルダ２を使用することができる。
[0084] 図１２は、例えば投影システムＰＳおよび／またはリソグラフィ装置に対してしっかり固定することが可能な基準フレーム９２に対する基板テーブルＷＴの一部の位置を求めるために、測定システムを備える実施形態を概略的に示したものである。リソグラフィ装置は、望ましくない温度変動による熱収縮および／または膨張などによる基板テーブルＷＴの歪みに関するデータを生成するように配置構成された基板テーブル歪み測定デバイス８６も備える。基板Ｗは、基板位置コントローラ８４の制御下で作動する基板テーブル変位装置９０によって、投影システムＰＳに対して変位する（例えばスキャンされる）。
[0085] 基板位置コントローラ８４は、測定システムおよび基板テーブル歪み測定デバイス８６から入力されたデータを参照することにより、所望の軌跡に沿って基板Ｗをどのように動作させるか決定する。測定システムは、基板テーブルＷＴの測定部分の位置を定期的に更新し、そこから基板位置コントローラ８４が基板Ｗの位置を導出するように構成される。この動作は、基板テーブルＷＴが一定の幾何学的形状を維持する場合は、比較的単純である。というのは、測定システムが測定する基板テーブルＷＴの部分の位置と、基板の位置との間に相応する一定の関係があるからである。しかし、基板テーブルＷＴの幾何学的形状が変化すると、この関係が変化することがあり、これは基板Ｗの位置決めの誤差につながる。本実施形態によれば、この誤差は、基板テーブル歪み測定デバイスの出力を使用して、基板テーブルＷＴの測定部分の位置と基板の位置との関係を更新し、基板テーブルの歪みを反映することによって軽減するか、回避することができる。このアプローチは、例えば基板テーブルＷＴの温度の不規則性および／またはその直接的な物理的結果を減少させる試みに関連するものなど、有意の追加的ハードウェアを必要とせずに基板の位置決めを、したがってオーバレイ性能を改善することができる。
[0086] 一実施形態によれば、測定システムは、基板テーブルＷＴの側面に装着された複数の平面反射器８２を備える。１つまたは複数の干渉計を設けて、ミラーの表面の位置を測定する。１つまたは複数の干渉計はそれぞれ、放射源８１および放射検出器８３、および任意の時に放射が入射するミラーの表面と、問題の干渉計に関連する基準フレーム９２に対する固定点との間の距離を求めるために、放射された放射と受け取った放射とを比較するシステムを備えてよい。例えば複数のミラーを直交する方向に向くように配置構成することによって、直交する軸に沿って基板テーブルＷＴの部分の位置を求めることが可能である。
[0087] 基板テーブルＷＴの歪みによって、これらのミラーがわずかに湾曲することがある。基板テーブル歪み測定デバイス８６は、これを補正できるように、この曲率または「ミラープロファイル」に関する情報を提供する。
[0088] これを実行可能な１つの方法は、ミラー８２および／または基板テーブルＷＴの曲率を測定することである。これは、１つまたは複数の典型的な露光シーケンス中に基板テーブルＷＴがどのように変形するかを評価する校正作業として実行することができる。これらの校正作業の結果はメモリ装置８８に記憶することができ、基板テーブル位置コントローラに適切な補正値を提供するために、歪み測定デバイスがこれにオンラインでアクセスすることができる。
[0089] 代替的または追加的に、測定システムには、基板テーブルＷＴに形成されたミラー８２毎に、図１３に示すような複数の干渉計（例えば放射源と検出器の対を含む）を設けることができる。この配置構成の各干渉計は、任意の時に基準フレーム９２に対するミラー表面の異なる部分からの距離を測定することができ、それによって基板テーブルＷＴのプロファイルを非常に効率的に測定することができる。この配置構成は、露光中に基板テーブルＷＴに予想される歪みに関する校正データを導出するために、迅速に使用することができ、オンラインデータを基板テーブル歪み測定デバイス８６に提供するように使用することができる。追加的または代替的に、基板テーブル位置コントローラ８４は、（対応するミラーが正確に平面ではない場合に）干渉計を１つしか使用せずに可能な程度より、基板テーブルＷＴの１つの側面の位置を正確に測定するために、ミラー毎に各干渉計の読み取り値の平均をとるように構成することができる。
[0090] 代替的または追加的に、基板テーブル歪み測定デバイス８６は、予測モデルによって予想される基板テーブルの歪みを求めるように構成することができる。モデルは、基板Ｗ、基板ホルダ２、基板テーブルＷＴおよび／またはこれらのコンポーネントの任意の１つまたは複数と熱および／または機械的に接触している任意のコンポーネントの熱および機械的特性に、さらにリソグラフィ放射から予想される電力入力または出力および／または例えば基板Ｗおよび／またはカバープレート６０の表面からの液浸液の蒸発に基づいてよい。モデルのパラメータは、校正測定値を参照して調整することができる。予想される電力入力または出力は、特定の所望の線量パターンに関連するエネルギ流の分析から導出するか、校正測定値から導出することができる。基板テーブルＷＴの歪みが、熱膨張して基板テーブルＷＴに押しつけられた基板ホルダ２から生じると予想される場合は、基板ホルダ２の均一な膨張に基づく単純化されたモデルが効果的なことがある。
[0091] 基板テーブル位置決めミラー８２の表面プロファイルは、マッピング方法で求めてもよい。例えば、基板テーブルＷＴの異なる非平行の側面に２つの名目上平面の反射器８２を設け、各ミラーに１つの干渉計を設ける場合は、第二ミラー８２への垂線に平行に基板テーブルＷＴを移動させながら、干渉計から第一ミラーの表面への垂直距離がいかに変化するかを測定することにより、マッピングすることができる。次に、このプロセスを繰り返すが、第二ミラーのプロファイルをマッピングするために、第一ミラー８２の垂線に平行に基板テーブルＷＴを移動する。
[0092] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0093] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[0094] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合わせを指す。
[0095] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが認識される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
[0096] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、特に上述したタイプを含むが、それに限定されない任意の液浸リソグラフィ装置に、液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるかにかかわらず適用することができる。本明細書で想定されるような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せでよい。これは、液体をこの空間に提供する１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であるか、空間の表面が、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板および／または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、さらに１つまたは複数の要素を含み、液体の位置、量、品質、形状、流量または任意の他の形体を制御してよい。
[0097] 上記で言及した基板テーブルＷＴは、基本的形態では一般に「ミラーブロック」としても知られる。上記で言及した基板ホルダ２は、基本的形態では一般に「ピンプルプレート」としても知られる。
[0098] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (27)

  1. 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
    変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
    露光中に前記投影システムと基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、
    物理的に前記基板テーブルから分離し、露光中に前記基板の半径方向外側に位置し、前記基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、前記投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、
    前記カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの前記基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるように構成された基板テーブル温度安定化デバイスと、
    を含む、リソグラフィ装置。
  2. 前記温度安定化デバイスが、前記カバープレートの一部に熱を入力するように構成された加熱要素、前記カバープレートの一部から熱を抽出するように構成された冷却要素、または前記加熱要素と前記冷却要素の両方を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記温度安定化デバイスが、前記カバープレートに埋め込まれた流路のネットワークと、対応するターゲット温度からの前記基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるために、前記流路のネットワーク内の熱交換流体の温度、圧力、または両方を制御するように設けられたコントローラとを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記温度安定化デバイスが、加熱要素と、対応するターゲット温度からの前記基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるために、前記加熱要素からの熱出力を制御するように構成されたコントローラとを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記加熱要素が、ターゲット温度の領域で温度により生じた相転移を受ける材料を備え、前記相転移が前記材料を、転移温度より低い比較的高い加熱出力を生成する状態から、転移温度より高い比較的低い加熱出力を生成する状態へと変化させる、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記基板テーブル温度安定化デバイスが、相転移を受ける前記材料に電流を通すように設けられ、前記相転移は、前記加熱要素材料を、転移温度より低い比較的小さい抵抗の状態から転移温度より高い比較的大きい抵抗の状態へと変化させるように構成される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記基板テーブル温度安定化デバイスが、相転移を受ける前記材料に変化する磁界を与えるように構成され、前記相転移が、前記加熱要素材料を、転移温度より低い磁気ヒステリシス状態から転移温度より高い非磁気ヒステリシス状態へと変化させるように構成される、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記基板テーブル、前記カバープレートまたはそれらの両方の一部の温度を測定するように構成された温度センサをさらに備え、前記基板テーブル温度安定化デバイスが、前記温度センサからの温度読み取り値を使用して、対応するターゲット温度からの前記基板テーブルの一部の温度偏差を減少させるように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記基板テーブルと前記基板の間に位置し、前記基板を支持するように設けられた基板ホルダをさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  10. 熱伝導性結合媒体が、前記基板テーブルと、前記カバープレート、前記基板ホルダ、またはそれらの両方との間に設けられるように構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記熱伝導性結合媒体が流体、インジウム、またはそれらの両方である、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記基板ホルダがＳｉＳｉＣを含む材料から形成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
  13. 変調した放射ビームを液体に通して基板テーブルに保持された基板に投影すること、および、
    カバープレートの一部の温度を制御することによって、対応するターゲット温度からの前記基板テーブルの一部の温度偏差を減少させること、を含み、前記カバープレートは、前記基板テーブルから物理的に分離し、前記変調した放射ビームの投影中に前記基板の半径方向外側にあり、前記基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法。
  14. 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
    変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
    露光中に前記投影システムと前記基板の間の領域に液体を提供するように構成された液体供給システムと、
    物理的に前記基板テーブルから分離し、露光中に前記基板の半径方向外側に位置し、前記基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある、前記投影システムに対向する表面を提供するように構成されたカバープレートと、
    前記カバープレートからの前記基板テーブルの熱遮蔽を提供するために、前記カバープレートと前記基板テーブルの間の熱伝達を減少させるように構成された断熱材と、
    を含む、リソグラフィ装置。
  15. 前記断熱材が、その上に前記カバープレートが装着された低い熱コンダクタンスの節を備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記低コンダクタンスの節が、低い熱伝導性、前記カバープレートとの最小の接触領域、前記基板テーブルとの最小の接触領域、またはそのいずれかの組合せを有するように構成される、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
  17. 変調した放射ビームを液体に通して基板テーブルに保持された基板に投影すること、および、
    カバープレートと前記基板テーブルの間の熱伝達を減少させ、それによって前記カバープレートによる前記基板テーブルの熱遮蔽を可能にするように、前記カバープレートを断熱すること、を含み、前記カバープレートが、前記基板テーブルから物理的に分離し、前記変調した放射ビームの投影中に前記基板の半径方向外側にあり、前記基板に実質的に隣接し且つ同一高さにある表面を有する、デバイス製造方法。
  18. 基板を支持するように構成された基板テーブルと、
    変調した放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
    前記基板テーブルの一部の位置を求めるように構成された測定システムと、
    前記基板テーブルの歪みに関するデータを提供するように構成された基板テーブル歪み測定デバイスと、
    前記測定システムで測定した前記基板テーブルの一部の前記位置、および前記基板テーブル歪み測定デバイスによって提供された前記基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、前記投影システムに対して前記基板の位置を制御するように構成された基板位置コントローラと、を含む、リソグラフィ装置。
  19. 前記測定システムが、
    前記基板の側面に装着された実質的に平面の反射器と、
    前記反射器の表面の局所的領域に放射を誘導するように構成された放射源と、
    前記反射器の前記局所的領域から反射した放射を捕捉して、そこから前記反射器表面と基準点との間の距離を測定するように構成された放射検出器と、を含み、
    前記基板テーブル歪み測定デバイスが、前記基板テーブルの歪みによって生じた前記反射器の表面プロファイルに関するデータを提供する、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記基板テーブル歪み測定デバイスが、前記基板テーブル、前記反射器、またはそれらの両方の一部に熱で生じた歪みを測定するように構成される、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
  21. 前記基板テーブル歪み測定デバイスが、複数対の放射源および放射検出器を備え、それぞれが前記反射器表面の異なる部分とそれに対応する基準点との間の距離を測定し、それによって前記反射器の表面プロファイルに関するデータを導出するように構成される、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
  22. 前記基板テーブル歪み測定デバイスが、予測理論モデルに基づいて前記反射器の前記表面プロファイルを推定するように構成される、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
  23. 前記基板テーブル歪み測定デバイスが、校正データメモリに記憶されている校正データに基づいて前記表面プロファイルを推定するように構成される、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
  24. 変調した放射ビームを基板テーブルによって保持された基板に投影すること、
    前記基板テーブルの一部の位置を測定すること、および、
    前記基板テーブルの前記一部の前記測定位置、および前記基板テーブルの歪みに関するデータを参照することにより、前記変調した放射ビームを投影するために使用される投影システムに対する前記基板の位置を制御すること、
    を含む、デバイス製造方法。
  25. リソグラフィ装置の基板テーブル反射器の表面プロファイルをマッピングする方法であって、
    基板を支持するように構成された基板テーブルの第一側面に装着され、実質的に平面である第一反射器であって、第一軸に平行な垂線を有する第一反射器を提供すること、
    前記基板テーブルの第二側面に装着され、実質的に平面である第二反射器であって、前記第一軸に対して平行でない第二軸に平行な垂線を有する第二反射器を提供すること、および、
    前記第二反射器の表面から基準フレームの基準点までの垂直距離を測定しながら、前記第一軸に平行に前記基板テーブルを動かすこと、
    を含む、マッピング方法。
  26. 前記第一反射器の表面から基準フレームの基準点への垂直距離を測定しながら、前記第二軸に平行に前記基板テーブルを動かすことをさらに含む、請求項２５に記載のマッピング方法。
  27. 第二軸に実質的に平行な方向で反射器の表面から基準点までの距離を測定しながら、第一軸に平行に基板テーブルを動かすことによって、基板テーブルの反射器の表面プロファイルをマッピングし、前記第二軸が前記第一軸に対して実質的に直交すること、
    変調した放射ビームを基板に投影すること、および、
    前記基板の異なったターゲット領域を露光するために変調した放射ビームを投影するのに使用される投影システムに対して基板を動かすこと、を含み、前記位置が、基準点からの前記基板テーブル反射器の距離の測定値、および前記基板テーブル反射器の前記表面プロファイルを参照することにより求められるものであるデバイス製造方法。
JP2017129094A 2005-12-30 2017-06-30 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Pending JP2017173856A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/321,461 2005-12-30
US11/321,461 US7649611B2 (en) 2005-12-30 2005-12-30 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016097656A Division JP6310002B2 (ja) 2005-12-30 2016-05-16 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018223275A Division JP7072493B2 (ja) 2005-12-30 2018-11-29 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017173856A true JP2017173856A (ja) 2017-09-28

Family

ID=37963477

Family Applications (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006345103A Active JP4468350B2 (ja) 2005-12-30 2006-12-22 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009287652A Active JP5033866B2 (ja) 2005-12-30 2009-12-18 リソグラフィ装置
JP2012071254A Active JP5571727B2 (ja) 2005-12-30 2012-03-27 リソグラフィ装置
JP2013257890A Active JP5916696B2 (ja) 2005-12-30 2013-12-13 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2015075844A Active JP6021986B2 (ja) 2005-12-30 2015-04-02 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2016097656A Active JP6310002B2 (ja) 2005-12-30 2016-05-16 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2017129094A Pending JP2017173856A (ja) 2005-12-30 2017-06-30 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2018223275A Active JP7072493B2 (ja) 2005-12-30 2018-11-29 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2020073773A Active JP7193499B2 (ja) 2005-12-30 2020-04-17 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2021131175A Active JP7455783B2 (ja) 2005-12-30 2021-08-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2022162875A Active JP7443454B2 (ja) 2005-12-30 2022-10-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006345103A Active JP4468350B2 (ja) 2005-12-30 2006-12-22 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009287652A Active JP5033866B2 (ja) 2005-12-30 2009-12-18 リソグラフィ装置
JP2012071254A Active JP5571727B2 (ja) 2005-12-30 2012-03-27 リソグラフィ装置
JP2013257890A Active JP5916696B2 (ja) 2005-12-30 2013-12-13 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2015075844A Active JP6021986B2 (ja) 2005-12-30 2015-04-02 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2016097656A Active JP6310002B2 (ja) 2005-12-30 2016-05-16 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018223275A Active JP7072493B2 (ja) 2005-12-30 2018-11-29 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2020073773A Active JP7193499B2 (ja) 2005-12-30 2020-04-17 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2021131175A Active JP7455783B2 (ja) 2005-12-30 2021-08-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2022162875A Active JP7443454B2 (ja) 2005-12-30 2022-10-11 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (10) US7649611B2 (ja)
EP (2) EP2261743B1 (ja)
JP (11) JP4468350B2 (ja)
KR (2) KR100816837B1 (ja)
CN (2) CN1991591B (ja)
SG (1) SG133580A1 (ja)
TW (2) TWI443478B (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE527934C2 (sv) * 2004-06-03 2006-07-11 Alfa Laval Corp Ab En anordning och ett förfarande för rening av en gas
US7972761B2 (en) * 2006-08-04 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist materials and photolithography process
EP1965414A4 (en) * 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US20080137055A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8760621B2 (en) * 2007-03-12 2014-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR20170116248A (ko) * 2007-10-09 2017-10-18 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 소자의 온도 제어 장치
JP5369443B2 (ja) * 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP2010118527A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Canon Inc 露光装置、およびデバイス製造方法
EP2202581B1 (en) * 2008-12-10 2014-10-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and positioning apparatus
NL2004453A (en) * 2009-04-24 2010-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus having a substrate support with open cell plastic foam parts.
NL2005244A (en) * 2009-09-22 2011-03-23 Asml Netherlands Bv Support or table for lithographic apparatus, method of manufacturing such support or table and lithographic apparatus comprising such support or table.
EP2365390A3 (en) 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR101710523B1 (ko) * 2010-03-22 2017-02-27 삼성전자주식회사 터치 패널 및 이를 구비한 전자기기
JP5517766B2 (ja) * 2010-06-16 2014-06-11 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2007453A (en) 2010-10-18 2012-04-19 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2007834A (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and removable member.
NL2008751A (en) 2011-06-06 2012-12-10 Asml Netherlands Bv Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method.
JP5778093B2 (ja) * 2011-08-10 2015-09-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
SG188036A1 (en) * 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2013090123A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-20 Nikon Corporation Thermal plate for environment and temperature control of motors used to move stages in lithography tools
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US9429857B2 (en) * 2012-04-23 2016-08-30 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method
NL2010642A (en) * 2012-05-17 2013-11-20 Asml Netherlands Bv Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6006406B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オブジェクトホルダ及びリソグラフィ装置
EP2856262B1 (en) 2012-05-29 2019-09-25 ASML Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI468880B (zh) 2012-06-15 2015-01-11 Asml Netherlands Bv 定位系統、微影裝置及器件製造方法
JP2014045090A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Toshiba Corp 液浸露光装置
JP6171293B2 (ja) * 2012-09-13 2017-08-02 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2016507763A (ja) * 2012-12-17 2016-03-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置のための基板サポート及びリソグラフィ装置
US20140251214A1 (en) * 2013-03-06 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with flatness control
US9541846B2 (en) 2013-09-06 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Homogeneous thermal equalization with active device
TWI715039B (zh) * 2014-06-03 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於補償一曝光誤差的方法、元件製造方法、基板台、微影裝置、控制系統、用於量測反射率的方法、及用於量測一極紫外線輻射劑量的方法
NL2015178A (en) 2014-08-06 2016-07-08 Asml Netherlands Bv A Lithographic Apparatus and a Method of Manufacturing a Lithographic Apparatus.
EP3194914B1 (en) * 2014-09-18 2022-08-10 Ortho-Clinical Diagnostics, Inc. Normalizing the response of a fluorescence instrument using spectral response
US10288409B2 (en) * 2015-04-01 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Temperature sensitive location error compensation
CN107037691B (zh) * 2015-07-15 2018-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种用于光刻机的零位传感器定位装置及方法
CN106684029B (zh) * 2015-11-10 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体加工设备
CN106933059B (zh) * 2015-12-31 2018-11-13 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种在线监测补偿掩膜版热变形的装置和方法
CN106933058B (zh) * 2015-12-31 2019-03-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种曝光装置及方法
JP6662089B2 (ja) * 2016-02-22 2020-03-11 ウシオ電機株式会社 ステージ装置
CN107132732A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 涂波 新式镭刻机
WO2018065222A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN106969832B (zh) 2017-03-20 2018-04-10 京东方科技集团股份有限公司 环境光检测装置、方法和显示屏
CN106990677B (zh) * 2017-04-17 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 一种反射镜及曝光装置
CN106950805B (zh) * 2017-04-19 2018-05-04 京东方科技集团股份有限公司 对位装置及方法
CN107121896B (zh) * 2017-07-06 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 曝光基台及曝光设备
CN107315324B (zh) * 2017-08-16 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光机基台装置及曝光机
CN110095943A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 工件台装置和浸没光刻设备
JP7203593B2 (ja) * 2018-12-25 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN114518690A (zh) * 2020-11-19 2022-05-20 中国科学院微电子研究所 晶圆工作台、光刻机及晶圆工作台温度调节方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2005122219A1 (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Nikon Corporation 基板保持装置及びそれを備える露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート
JP2007005362A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Canon Inc 液浸露光装置

Family Cites Families (382)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (ja)
DE221563C (ja)
DE206607C (ja)
DE224448C (ja)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
JPS5033866B2 (ja) 1972-06-21 1975-11-04
JPS5033866A (ja) 1973-07-24 1975-04-01
US3903413A (en) 1973-12-06 1975-09-02 Polaroid Corp Glass-filled polymeric filter element
JPS6021986B2 (ja) 1975-01-13 1985-05-30 帝人株式会社 ハロアルコ−ル誘導体の製造法
US4056880A (en) 1976-07-09 1977-11-08 Westinghouse Electric Corporation Method for connecting dynamoelectric machine coils
JPS5916696B2 (ja) 1976-07-28 1984-04-17 岩崎電気株式会社 高圧放電灯の製造方法
JPS5919912Y2 (ja) 1978-08-21 1984-06-08 清水建設株式会社 複合熱交換器
JPS5571727A (en) 1978-11-24 1980-05-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Foamable vinyl chloride resin composition
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
JPS5645021A (en) 1979-09-19 1981-04-24 Hitachi Ltd Moving apparatus
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS57153433U (ja) 1981-03-20 1982-09-27
JPS58116735A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 投影焼付方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DE3318980C2 (de) 1982-07-09 1986-09-18 Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
JPS5916696A (ja) 1982-07-16 1984-01-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 溶接開先の自動合せ装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
JPS59109465A (ja) 1982-12-16 1984-06-25 Mazda Motor Corp サスペンシヨンとステアリングの総合制御装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
GB8317846D0 (en) 1983-06-30 1983-08-03 Sandoz Products Ltd Organic compounds
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS61113376A (ja) 1984-11-07 1986-05-31 Sony Corp テレビジヨン信号の動き検出装置
US4887904A (en) 1985-08-23 1989-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
US4853880A (en) 1985-08-23 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
JPH0247515Y2 (ja) 1985-08-28 1990-12-13
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS6265326U (ja) 1985-10-16 1987-04-23
US5162642A (en) 1985-11-18 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the position of a surface
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (ja) 1986-01-24 1987-08-01
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (ja) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JPH0228312A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Nikon Corp 露光装置
JPH0247515A (ja) 1988-08-09 1990-02-16 Mitsubishi Electric Corp 光学式エンコーダ
JP2737010B2 (ja) * 1989-08-01 1998-04-08 キヤノン株式会社 露光装置
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
DE59105735D1 (de) * 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
JP2559076B2 (ja) 1990-06-28 1996-11-27 キヤノン株式会社 プリアライメント装置
JP2928603B2 (ja) * 1990-07-30 1999-08-03 キヤノン株式会社 Ｘ線露光装置用ウエハ冷却装置
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0525144A (ja) 1991-04-15 1993-02-02 Nissan Chem Ind Ltd ウラシル誘導体及び有害生物防除剤
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JP3218478B2 (ja) 1992-09-04 2001-10-15 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US6078380A (en) * 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
US5363196A (en) * 1992-01-10 1994-11-08 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus for measuring a departure from flatness or straightness of a nominally-plane mirror for a precision X-Y movable-stage
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JPH05251544A (ja) 1992-03-05 1993-09-28 Fujitsu Ltd 搬送装置
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH06196381A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Canon Inc 基板保持装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US5654553A (en) 1993-06-10 1997-08-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5517344A (en) * 1994-05-20 1996-05-14 Prime View Hk Limited System for protection of drive circuits formed on a substrate of a liquid crystal display
US5633968A (en) 1994-07-18 1997-05-27 Sheem; Sang K. Face-lock interconnection means for optical fibers and other optical components and manufacturing methods of the same
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JP3387075B2 (ja) 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3287761B2 (ja) 1995-06-19 2002-06-04 日本電信電話株式会社 真空吸着装置および加工装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3634530B2 (ja) * 1996-02-29 2005-03-30 キヤノン株式会社 位置決め装置および露光装置
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
KR970067585A (ko) 1996-03-25 1997-10-13 오노 시게오 결상특성의 측정방법 및 투영노광방법
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3661291B2 (ja) * 1996-08-01 2005-06-15 株式会社ニコン 露光装置
JPH1060582A (ja) 1996-08-16 1998-03-03 Nkk Corp 耐錆剥離性に優れた煙突・煙道用鋼
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JPH1092728A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Canon Inc 基板保持装置およびこれを用いた露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10135316A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Sony Corp 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置
JPH10160582A (ja) 1996-12-02 1998-06-19 Nikon Corp 透過波面測定用干渉計
WO1998028665A1 (en) 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10260009A (ja) 1997-03-21 1998-09-29 Nikon Corp 座標測定装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
DE19743578A1 (de) 1997-09-30 1999-04-01 Hofmann Mes Und Auswuchttechni Verfahren zum Auswuchten eines Rotationskörpers
JP3495891B2 (ja) 1997-10-22 2004-02-09 株式会社湯山製作所 薬剤分割包装装置
JPH11145034A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Nikon Corp 投影露光装置およびパルス発光方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
KR20010034274A (ko) 1998-01-29 2001-04-25 오노 시게오 조도계 및 노광장치
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JPH11297615A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Nikon Corp 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
US6031946A (en) 1998-04-16 2000-02-29 Lucent Technologies Inc. Moving mirror switch
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
JP4505989B2 (ja) 1998-05-19 2010-07-21 株式会社ニコン 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法
JP2000021725A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Seiko Epson Corp 半導体製造装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
WO2000022376A1 (fr) 1998-10-14 2000-04-20 Nikon Corporation Procede et dispositif de mesure de forme, procede de commande de position, dispositif a etage, appareil d'exposition et procede de production dudit appareil d'exposition et dispositif et procede de fabrication du dispositif
US6333775B1 (en) 1999-01-13 2001-12-25 Euv Llc Extreme-UV lithography vacuum chamber zone seal
JP3796369B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 干渉計を搭載した投影露光装置
JP2000286330A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Hoya Corp 基板保持チャックとその製造方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び露光装置
TW552480B (en) 1999-04-19 2003-09-11 Asml Netherlands Bv Moveable support in a vacuum chamber and its application in lithographic projection apparatus
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
US6809802B1 (en) 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP2001066121A (ja) 1999-08-26 2001-03-16 Kobe Steel Ltd 表面形状測定装置
JP3548464B2 (ja) 1999-09-01 2004-07-28 キヤノン株式会社 露光方法及び走査型露光装置
KR100699241B1 (ko) 1999-09-20 2007-03-27 가부시키가이샤 니콘 패럴렐 링크기구, 노광장치 및 그의 제조방법, 그리고디바이스 제조방법
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
EP1219141B1 (en) 1999-09-29 2010-12-15 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
TW476983B (en) * 1999-09-30 2002-02-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment unit and heat treatment method
US6836093B1 (en) 1999-12-21 2004-12-28 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US6426790B1 (en) 2000-02-28 2002-07-30 Nikon Corporation Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
JP2001281050A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Canon Inc 光検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2001319865A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Canon Inc 基板ステージ装置、露光装置および半導体デバイス製造方法
JP2002005737A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Komatsu Ltd 光検出装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
EP1566695B1 (en) 2000-08-25 2007-10-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE60116967T2 (de) 2000-08-25 2006-09-21 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
JP4692862B2 (ja) 2000-08-28 2011-06-01 株式会社ニコン 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
TW497013B (en) * 2000-09-07 2002-08-01 Asm Lithography Bv Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method
JP4861548B2 (ja) 2000-09-29 2012-01-25 オプトレックス株式会社 液晶表示パネルのフレキシブル回路基板実装構造
JP2002137358A (ja) 2000-11-07 2002-05-14 Dainippon Printing Co Ltd ドクター装置
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
JP2002158154A (ja) * 2000-11-16 2002-05-31 Canon Inc 露光装置
DE10058810A1 (de) 2000-11-27 2002-06-06 Philips Corp Intellectual Pty Röntgendetektormodul
JP2002170754A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Nikon Corp 露光装置、光学特性検出方法及び露光方法
GB2369724B (en) 2000-12-04 2003-04-30 Infrared Integrated Syst Ltd Improving individual detector performance in radiation detector arrays
JP2002170765A (ja) 2000-12-04 2002-06-14 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
EP1231513A1 (en) 2001-02-08 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface
US20020137358A1 (en) * 2001-02-08 2002-09-26 Mike Binnard Multiple point support assembly for a stage
EP1231514A1 (en) 2001-02-13 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus
US20060285100A1 (en) 2001-02-13 2006-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP4921644B2 (ja) 2001-02-27 2012-04-25 オリンパス株式会社 波面測定装置および波面測定方法
JP2002296005A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Nikon Corp アライメント方法、点回折干渉計測装置、及び該装置を用いた高精度投影レンズ製造方法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6598974B2 (en) 2001-05-08 2003-07-29 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Method and apparatus for measuring wavefront aberrations
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP4745556B2 (ja) * 2001-08-20 2011-08-10 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US6801301B2 (en) 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP4333065B2 (ja) 2001-11-14 2009-09-16 レーザーテック株式会社 基板保持装置
JP2003158173A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハホルダ
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
AU2003236023A1 (en) 2002-04-09 2003-10-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure device, and device manufacturing method
JP3958993B2 (ja) 2002-05-14 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2003332411A (ja) 2002-05-17 2003-11-21 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
DE10226092A1 (de) * 2002-06-12 2004-01-08 Woco Avs Gmbh Elastisches Kopplungsbauteil, Anordnung mit zwei im Betrieb Schwingungen und/oder Vibrationen ausgesetzten Bauteilen und Träger zum Halten eines Bauteils an einem im Betrieb Schwingungen und/oder Vibrationen ausgesetzen Bauteil
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7164466B2 (en) * 2002-08-27 2007-01-16 Nikon Corporation Detachable heat sink
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1426963A2 (en) * 2002-11-15 2004-06-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording apparatus and recording method with data recovery means
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
CN101852993A (zh) 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4529433B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR20050085236A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1583934A1 (en) 2002-12-12 2005-10-12 Zygo Corporation In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
AU2003283717A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE60314668T2 (de) 2002-12-19 2008-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
CN1311301C (zh) 2002-12-23 2007-04-18 Asml荷兰有限公司 一种光刻投影装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004086470A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
CN103383527B (zh) 2003-04-10 2015-10-28 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101533206B1 (ko) * 2003-04-11 2015-07-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
WO2004093130A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
SG152078A1 (en) 2003-04-17 2009-05-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
EP1477856A1 (en) 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1477850A1 (en) 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005277363A (ja) 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
KR20180122033A (ko) 2003-05-28 2018-11-09 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI347741B (en) 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TW201445617A (zh) 2003-06-13 2014-12-01 尼康股份有限公司 基板載台、曝光裝置
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005012009A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置
KR101419663B1 (ko) * 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1491953A1 (en) * 2003-06-23 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005006026A2 (en) 2003-07-01 2005-01-20 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2466382B1 (en) 2003-07-08 2014-11-26 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1650787A4 (en) * 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US6999163B2 (en) 2003-07-28 2006-02-14 Harris Corporation Embedded moems sensor for fluid dielectrics in RF applications
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
EP1507172A1 (en) 2003-08-12 2005-02-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and apparatus adjustment method
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
CN100407371C (zh) 2003-08-29 2008-07-30 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223053A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005101136A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
KR20170058458A (ko) 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2005142185A (ja) 2003-11-04 2005-06-02 Canon Inc 露光装置及びその環境制御方法
EP1685446A2 (en) 2003-11-05 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
EP2267535A1 (en) 2003-11-05 2010-12-29 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
JP4513534B2 (ja) 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
JP5106858B2 (ja) 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
US6897945B1 (en) 2003-12-15 2005-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101288187B1 (ko) 2004-01-14 2013-07-19 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
JP4958562B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 偏光変調光学素子
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
WO2005071491A2 (en) 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
KR20070039869A (ko) 2004-02-03 2007-04-13 브루스 더블유. 스미스 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템
US8208119B2 (en) * 2004-02-04 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
JP2005243985A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Canon Inc 高屈折率液体内でのパターン結像方法
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
JP2005317600A (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Nikon Corp ステージ位置計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101833247B (zh) 2004-06-04 2013-11-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统
JP4913041B2 (ja) 2004-06-04 2012-04-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 強度変化の補償を伴う投影系及びそのための補償素子
DE602004025989D1 (de) 2004-07-21 2010-04-22 Alltech Inc Zusammensetzung und ihre verwendung zur bekämpfung von protozoen-infektionen von tieren
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7532310B2 (en) * 2004-10-22 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck
TWI553703B (zh) 2004-11-18 2016-10-11 尼康股份有限公司 A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
WO2006106833A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8681314B2 (en) * 2005-10-24 2014-03-25 Nikon Corporation Stage device and coordinate correction method for the same, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5040657B2 (ja) 2005-10-24 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CA2573585A1 (en) 2006-02-16 2007-08-16 Sulzer Metco Coatings B.V. A component, an apparatus and a method for the manufacture of a layer system
NL1036835A1 (nl) 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JP2005252247A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2005122219A1 (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Nikon Corporation 基板保持装置及びそれを備える露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート
JP2007005362A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Canon Inc 液浸露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8941810B2 (en) 2015-01-27
US20200393768A1 (en) 2020-12-17
US8947631B2 (en) 2015-02-03
KR20070072421A (ko) 2007-07-04
TWI443478B (zh) 2014-07-01
KR100816838B1 (ko) 2008-03-27
US10761433B2 (en) 2020-09-01
US20070153244A1 (en) 2007-07-05
JP2014060447A (ja) 2014-04-03
TW201142547A (en) 2011-12-01
CN1991591A (zh) 2007-07-04
US20190196342A1 (en) 2019-06-27
JP2012124540A (ja) 2012-06-28
EP2261743A2 (en) 2010-12-15
JP2021176021A (ja) 2021-11-04
JP7443454B2 (ja) 2024-03-05
JP2016146002A (ja) 2016-08-12
US7649611B2 (en) 2010-01-19
JP2010068003A (ja) 2010-03-25
JP2019032568A (ja) 2019-02-28
US20110222035A1 (en) 2011-09-15
US10222711B2 (en) 2019-03-05
US11669021B2 (en) 2023-06-06
EP1804122B1 (en) 2012-02-01
US9436096B2 (en) 2016-09-06
CN101893827A (zh) 2010-11-24
US9851644B2 (en) 2017-12-26
JP2020115237A (ja) 2020-07-30
JP7455783B2 (ja) 2024-03-26
JP5571727B2 (ja) 2014-08-13
KR100816837B1 (ko) 2008-03-26
TWI396053B (zh) 2013-05-11
US8743339B2 (en) 2014-06-03
CN101893827B (zh) 2013-10-09
JP2007194618A (ja) 2007-08-02
KR20080015039A (ko) 2008-02-15
JP7072493B2 (ja) 2022-05-20
US20160349629A1 (en) 2016-12-01
US20220197154A1 (en) 2022-06-23
US20100073650A1 (en) 2010-03-25
JP6310002B2 (ja) 2018-04-11
JP5916696B2 (ja) 2016-05-11
US20180113388A1 (en) 2018-04-26
CN1991591B (zh) 2010-09-01
US20110222036A1 (en) 2011-09-15
US11275316B2 (en) 2022-03-15
JP2015127836A (ja) 2015-07-09
EP1804122A3 (en) 2007-11-07
JP5033866B2 (ja) 2012-09-26
TW200736847A (en) 2007-10-01
EP1804122A2 (en) 2007-07-04
EP2261743B1 (en) 2012-05-09
SG133580A1 (en) 2007-07-30
JP6021986B2 (ja) 2016-11-09
EP2261743A3 (en) 2011-02-02
JP2023009048A (ja) 2023-01-19
JP7193499B2 (ja) 2022-12-20
JP4468350B2 (ja) 2010-05-26
US20150116676A1 (en) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7443454B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170728

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180531

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190325