CN1839096A - 聚集的氮化硼粉末 - Google Patents

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T·M·克丽尔
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Abstract

提供具有受控密度和断裂强度特征的新颖聚集氮化硼粉末。此外还提供该粉末的制备方法。一种方法要求提供包含氮化硼聚集体的原料粉末，并热处理该原料粉末形成热处理的聚集的氮化硼粉末。在一个实施方式中，原料粉末具有受控的晶体大小。在另一个实施方式中，原料粉末来自松散粉末源。

Description

聚集的氮化硼粉末
技术领域
本发明一般涉及制备聚集的氮化硼粉末的方法，该方法形成的粉末，含有这种粉末的部件。
背景技术
微电子器件如集成电路芯片变得越来越小且越来越高效。目前的趋势是在给定时间内制造在密度和功能方面比现有芯片不断增加的集成芯片。这导致功率消耗增加并产生更多热量，因此对热量的控制已经成为开发电子器件主要关注的问题。
通常，产热源或器件如集成电路芯片上配有散热器，除去操作期间产生的热量。然而，在热源或器件与散热器之间的接触热阻限制了散热器的有效除热能力。组装期间，一般施涂一层导热油脂，一般为硅脂或一层导热有机蜡，有助于在热源和散热器的相对接触面之间形成低热阻的路径。其它导热材料基于使用粘结剂，较好是树脂粘结剂，如有机硅、热塑性橡胶、氨基甲酸酯、丙烯酸类或环氧化物，导热材料中分散有一种或多种导热填料。
通常，这些填料为两大类中的一类：导热和电绝缘的填料，或导热和导电的填料。氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝和氮化硼是最常列举的用于热产品的导热和电绝缘的填料。氮化硼由于其优良的传热特性和相对价廉而特别有用。
然而，为了用目前所用的填料如氮化硼达到充分的导热性，粘结剂中需要加入大量的填料。例如参见美国专利No.5,898,009，No.6,048,511和欧洲专利No.EP0939 066 A1(都属于Shaffer等)，这些专利揭示另一种达到固体六边形氮化硼加入量接近45体积％的方法。
仍然需要改进的导热填料以及形成这种材料的方法。具体而言，需要能改进对最终产品性能的控制、经济和大量生产这种材料的方法。此外，仍然存在对改进的氮化硼粉末的需要，包括受控密度的粉末如低密度和中密度粉末，保持在应用中如半导体领域的加工和采用所需的足够强度。
除了使用氮化硼粉末作为导热性应用的填充材料外，本领域还需要制备具有在其它最终用途如降低摩擦的应用中采用所要求的目标性能的氮化硼粉末。在这方面，需要高度灵活的制造方法，这种方法采用有成本效益的技术，以高产率制造物理、热、电、机械和化学性质可以在宽范围变化的氮化硼粉末。
发明内容
根据本发明一个方面，一种聚集的氮化硼粉末具有断裂强度与摇实密度(tapdensity)的比值不小于约11MPa·cc/g的聚集体。
根据本发明另一个方面，聚集的氮化硼粉末具有断裂强度与包封密度(envelope density)的比值不小于6.5MPa·cc/g的聚集体。
根据本发明的一个方面，提供一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法使用了含氮化硼聚集体的原料粉末。这种原料粉末一般具有粒度不大于约5微米的细晶体。然后热处理该原料粉末，形成热处理的聚集的氮化硼粉末。
根据本发明另一个方面，提供一种微电子器件，该器件包括有效元件、基片、在有效元件和基片之间的热界面材料。有效元件通常产生热量，热界面材料包含断裂强度与包封密度比值不小于6.5MPa·cc/g的聚集体。
根据本发明另一个方面，提供一种印刷电路板，该电路板包含多个层，所述多个层包含至少一层含有断裂强度与包封密度的比值不小于6.5MPa·cc/g的聚集体的层。
根据本发明的另一个特征，提供一种复合结构的元件，该元件包含基体相和断裂强度与包封密度的比值不小于约6.5MPa·cc/g的聚集体。
根据本发明另一个方面，提供一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法中形成含聚集体的松散氮化硼粉末。然后，从该松散粉末中取出一部分的氮化硼聚集体，形成原料粉末，加热原料粉末形成聚集的氮化硼粉末。
根据本发明的另一个实施方式，提供一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法中形成含乱层氮化硼的氮化硼聚集体的原料粉末。然后对该原料粉末进行热处理，形成热处理的聚集的氮化硼粉末。
根据本发明的一个特征，聚集的氮化硼粉末进行热处理后可以进行机械搅拌操作，如破碎。这种方法能有效打破通常在热处理期间形成的聚集体间的弱键，使粒度分布类似或很接近于初始原料粉末的粒度分布。通常，至少25重量％的热处理氮化硼粉末在破碎后的粒度在原料粉末的初始粒度范围之内。
附图说明
本领域的技术人员参照下面附图能更好理解本发明，并且本发明的许多目的、特征和优点也将是显而易见的。
图1所示是按照本发明的一个实施方式形成聚集的氮化硼粉末的具体工艺流程的流程图。
图2所示是六边形氮化硼的理想晶体结构。
图3所示是用于表征本发明的实施方式的测试设备。
图4所示是按照本发明的一个实施方式的印刷电路板的截面图。
图5所示是一个微电子器件，包括通过用传热膜粘结在基片上的集成电路。
图6所示是结合了本发明一个实施方式外壳的手提电脑。
在不同附图中使用相同标记符号来表示类似或相同的部件。
具体实施方式
参见图1，所示为形成聚集的氮化硼粉末的一般工艺流程。该工艺流程从供给氮化硼压块或小球开始。通常，氮化硼压块或小球由氮化硼粉末压制为压块或小球形式形成。压块或小球的尺寸并不是特别重要，依据形成压块或小球的方法(如，滤饼，辊压紧(roll compact)、丸压制、等压压制)，其密度可以在宽范围变化。虽然本发明的实施方式利用了较小如几克数量级的压块或小球，但是也可以加工较大的如100千克数量级的压块。
初始加工氮化硼压块或小球的目的是提供能按照本发明实施方式使用的原料粉末。原料粉末一般采用以下方法形成，首先在步骤10破碎氮化硼压块或小球。破碎压块的合适方法包括颚式破碎和辊破碎。压块或小球破碎成具有要求的聚集体粒度或直径的氮化硼聚集体。较好地，压块或小球被破碎成约10-1000微米的氮化硼聚集体。除了颚式破碎和/或辊破碎外，可以碾磨松散粉末，以形成更加小的颗粒，如由很细晶体如粒度小于10微米的晶体形成的颗粒。
一个实施方式中，采用颚式破碎、辊破碎和/或细碾磨的任意组合来破碎形成松散粉末后，在步骤16对该松散粉末进行分级，形成后面加工所需的原料粉末。大于目标粒度的粗聚集体可以再破碎和分级，直到这些聚集体在目标粒度分布之内。但是，更常用的是在步骤12压制松散粉末。压制通常以冷压或等压压制形式进行，在这一中间步骤形成新的大块(log)、压块或小球，它们具有要求的结晶度和B2O3含量性质。压制之后，新的大块、压块或小球在步骤14破碎。压制和破碎步骤12和14可以重复任意次，以改进所得的原料粉末的晶体大小、粒度、粒度分布以及B2O3的含量。
在步骤16分级的原料粉末以及松散粉末含有聚集体。本文中所用的聚集体是氮化硼晶体的集合，晶体结合在一起形成各个可识别的颗粒。虽然这样的聚集体通常由晶体形成，但是聚集体可以是部分或完全玻璃质的，如在有杂质或乱层氮化硼的情况。
根据本发明的一个实施方式，从粉末中除去非聚集的氮化硼颗粒(如，小片或晶体区)以及不在要求的原料粉末粒度分布之内的聚集体。这种非聚集的氮化硼颗粒粒度通常小于10微米。较好地，除去非聚集的氮化硼颗粒至小于约5％，更好小于约1％，如小于约0.1％。除去非聚集的颗粒的合适方法包括筛分、空气分级和淘析，(参见Chem.Eng.Handbook，Perry & Chilton，5thEd.，McGraw-Hill(1973)，其全文内容被结合作为参考)。这类除去方法为本领域众所周知，本文只简单说明。
通常，通过筛分进行分级。筛分是通过筛面将不同粒度的固体颗粒/聚集体的混合物分离为两个或多个部分。筛面有开孔，小颗粒/聚集体通过开孔流出，而大颗粒/聚集体留在上面。对大粒度和小粒度的颗粒/聚集体流均可以按照需要多次重复这一过程，通过不同的筛孔，达到将颗粒/聚集体分级到要求的颗粒/聚集体粒度范围。
根据图1所示流程图的一个特征，破碎和分级之后，以及任选的压制和破碎操作步骤12和14之后，提供具有要求的性质的原料粉末。原料粉末由在具体预定的粒度范围内的聚集体形成，这些聚集体取自松散氮化硼聚集体粉末。在此，单独的聚集体是由细晶体(也称作晶体区)组成。这些晶体通过聚集体间的键合而结合在一起，通过SEM分析能分别识别。通常要求晶体的平均晶体大小不大于约5微米。更好地，晶体的平均晶体大小不大于约4微米，最好不大于约2微米。
虽然已经结合破碎氮化硼压块描述最初加工形成原料粉末，但应理解可以采用不同的加工方法来制备原料粉末，例如，在氮存在下硼氧化物的碳热还原，蜜胺化合物反应用作强还原氮化合物的来源，将硼氧化物还原为氮化硼和用氨直接渗氮。或者，如三氯化硼和氨的试剂在热解过程中反应形成高纯氮化硼。在强调纯度超过加工产量的情况，这种方法对形成高纯度氮化硼粉末特别有用。
虽然对原料粉末以及加工步骤的操作的说明都集中在供给很细晶体尺寸的原料粉末，但也注意到原料粉末可以是完全或部分乱层的。例如，一个实施方式中，乱层含量至少为10重量％，如至少20、30或40％的乱层。某些实施方式的乱层量占大部分。在这方面，这样的乱层氮化硼粉末的结晶指数通常小于0.12。对乱层氮化硼的性质和晶体结构的更详细说明可参见Hagio等，“六边形氮化硼晶体的微结构形成(Microstructural Development with Crystallization of Hexagonal BoronNitride)”J.Mat.Sci.Lett.16：795-798(1997)，其全文内容结合作为参考。
通常，原料粉末、压块、大块或小球(在此都称作致密体)的密度约为0.3-2.0g/cc。在这方面，通过从压块、大块或小球切下并称重已知每一面尺寸的立方体，来测量原料粉末致密体的密度。另一种表征原料粉末的方法是测定用于进一步加工的最初摇实密度。根据本发明的几个实施方式，最初摇实密度在约0.2-1.0g/cc范围内。
再参见压制步骤12，如本领域所理解的，通常采用等压进行压制。处理时压力通常超过5,000psi。更典型的大于10,000psi，优选大于15,000psi，甚至20,000psi。二次破碎步骤14和随后分级步骤16之后，通常存在在要求的原料粉末粒度范围之外的颗粒。例如，大于目标粒度分布的粗聚集体可以再破碎并分级，直到粒度在目标范围内，而小于最小聚集体粒度的小聚集体和非聚集的颗粒从原料粉末中排除。在后一种情况，排除的粉末可以循环，通常是将循环的粉末再次进行压制步骤12，随后进行破碎步骤14，如图1所示。这样循环的粉末一般与引入的依照破碎步骤10形成的初始粉末混合。或者，通过单轴压制(压成丸或压片)的辊压紧或压块进行压制步骤12。如前面所述，施加足够的压力来获得要求密度的固结体。或者，采用湿法形成致密体，从而喷雾干燥或过滤氮化硼的浆液形成致密体。
虽然聚集的原料粉末的粒度范围很大程度上依据对最终粉末产品要求的最终性质来变化，但原料粉末的粒度通常在约20-1,000微米范围，通常约为40-500微米。为严格控制最终产品的粒度，通常加工到在前述宽范围内的窄粒度范围。本文中，粒度范围通常由上述筛分方法所决定。在这方面，注意到筛分并不是一种理想的方法，因此存在一定比例的不合需要的粒度的颗粒，最典型的是在底部筛上的产物中的细颗粒，从而使粒度范围移向略小于列举的范围。
如图1所示，分级后，原料粉末在步骤18进行烧结操作。在此，对粉末形式，而不是任何松散形式如块、小球或大块的氮化硼聚集体进行烧结。在烧结操作中，通常聚集体通过弱的聚集体间的键结合在一起(颈缩)。因此，一般要求对热处理或烧结后的粉末在步骤20进行破碎操作。如上面结合步骤10所述的，步骤20的破碎操作可采用各种方法进行，包括颚式破碎和粗辊破碎，虽然在步骤20通常不进行碾磨，以保持尽可能接近初始原料粉末的最初粒度(聚集体)范围。
通常，步骤18的烧结操作在能促进晶体生长和非晶相(乱层)晶体的温度下进行，以形成通常六边形晶体结构的热处理产物。在这方面，烧结温度通常高于至少约1,400℃，如在约1,600-2,400℃范围。烧结温度范围为1,800-2,300℃，具体在约1,850-1,900℃范围。通常，烧结时的环境是惰性的，以减小或防止与氮化硼粉末的不希望有的反应。在这方面，一般对烧结炉抽真空，如在低于约1个大气压的压力。烧结环境中存在的气体通常是惰性气体，如氩气或氮气(N2)。根据炉子设计和加热速率，通常热处理制备进行约0.25-12小时。
由于烧结操作的结果，原料粉末的密度通常会下降，这与其它类型的陶瓷材料的烧结操作不同。对“烧结”期间密度下降的一种解释是通过非致密化扩散过程如同气相传送在相邻颗粒之间形成颈缩。(参见Modern Ceramic Engineering，D.W.Richerson，Chapter 7，1982)。通常可观察到密度下降至少约0.1g/cc，如至少0.2g/cc。热处理粉末的特定例子的摇实密度在步骤20破碎和步骤22分级后在约0.2-1.0g/cc量级。在这方面，分级步骤22可采用对结合分级步骤16所述的任一种方法进行。
根据本发明的一个实施方式，分级步骤22显示至少25重量％的热处理后聚集的氮化硼粉末(破碎后)在原料粉末的初始粒度范围之内。通常，热处理的氮化硼粉末(破碎后)的平均粒度至少为20微米，粒度范围约为40-500微米。在这方面，一般要求最终粉末产物的粒度分布接近最初原料粉末的粒度分布。这一特征能比本领域目前加工技术如依赖小球、块、大块或压块形式的氮化硼热处理的方法有效提高最终热处理后破碎并分级的聚集的氮化硼粉末的产率。
热处理的聚集的氮化硼粉末通常是六边形晶体结构。六边形氮化硼是一种惰性光滑的(lubricious)陶瓷材料，具有片状(platey)六边形晶体结构(类似于石墨的结构)(“h-BN”)。参见图2能容易地说明h-BN的众所周知的各向异性的特性，图2显示六边形的h-BN颗粒。h-BN颗粒小片的直径是如图2中所示的D，并称作a-方向。BN共价结合在在a-方向平面。颗粒厚度尺寸是所示的Lc，它垂直于直径，并称作c-方向。堆叠的BN六边形(即在c-方向)通过范德华力(相对较小)结合在一起。
最终热处理的破碎和分级的聚集氮化硼粉末具有六边形的晶体结构，从高度有序的六边形晶体结构到混乱的六边形结构。这种粉末的结晶指数通常约为0.12和更高。(参见Hubacek，“乱层的层状氮化硼的假设模型(Hypothetical Model ofTurbostratic Layered Boron Nitride”J.Cer.Soc.of Japan，104：695-98(1996)，其全部内容结合作为参考)。
此外，烧结操作能有效挥发杂质和表面氧化物致污物。得到的产物在破碎前是弱聚集的聚集体的“饼”，容易破碎到类似于原料粉末最初粒度分布的粒度分布。
注意到虽然如图1所示在步骤12和16之间，和步骤20和22之间有循环步骤，但在图1所示的基本流程的各个处理步骤之间可以采用循环步骤。
最终聚集的氮化硼产物通常有特别是相对于其包封密度(实际聚集体的密度)和/或粉末摇实密度(粉末的堆积密度(bulk density))的较高的断裂强度，。例如，一个实施方式的断裂强度与摇实密度的比值不小于约11MPa·cc/g，如不小于约12MPa·cc/g，13MPa·cc/g，甚至14MPa·cc/g。按照包封密度，这样的比值通常不小于6.5MPa·cc/g，如不小于6.7MPa·cc/g，或不小于6.9MPa·cc/g。
关于粉末粒度特性，粉末具有在约20-500微米范围的平均聚集体粒度，如约40-200微米。在这方面，某些实施方式有至少60％的粉末在约40-200微米的粒度分布范围内，或有至少80％的粉末在40-150微米范围内。
根据本发明的实施方式，形成具有上面特征的粉末。然而，其它实施方式在各种应用中使用这些粉末。例如，再参见图4，提供一种印刷电路板200，它包含多个层206-218形成的叠层204。如图所示，其中相反的主表面之一包含多个焊接凸起，用来与其它电子元件电连接。虽然并未示出，印刷电路板的相反的主表面可以有电轨迹沿该轨迹发送电信号。按照图4所示的实施方式，206-218中任何一层或多层可包含上面所述的聚集体。通常，加入足够比例的聚集体，使聚集体形成互连的网络并一般相互接触用于有效传热。聚集体的这种互连网络在此指一种渗流的结构，一般能形成骨架结构，该结构延伸通过并嵌埋在基体相中。通常，这种基体相由聚合物包括有机聚合物形成。某些实施方式中，为了加工方便，要求使用热塑性聚合物。根据本发明的实施方式，含有聚集体的层有利地提高了要求电子应用的印刷电路板的传热。
再参见图5，所示为本发明的另一个实施方式，包括微电子器件。在这一特定实施方式中，微电子器件300包括包封态的半导体管芯302，即固定在下面基片304的倒装片(flip-chip)，该芯片用于和其它微电子器件电连接。微电子器件300包括传热膜310，它包含在基体相通常是聚合物如树脂中的如上所述的聚集体。如上面结合印刷电路板的说明，聚集体形成互连的网络或渗流结构，用来提高集成电路302和下面基片304之间的传热。如本领域一般理解的，集成电路和基片之间的电互连可通过加入结合到半导体管芯上各个焊接点，通过焊接材料回流结合到基片接触件上的焊接凸起306来实现。
根据本发明的另一个特征，提供的复合结构部件包括基体相和如上面所述的聚集体。该复合结构部件可以采取各种结构形式，在特定实施方式中，形成微电子器件如硬盘驱动器的集成部件。在这种硬盘驱动器特定情况，部件可以是传动装置臂(actuator arm)。
或者，结构部件可提供计算机外壳，如图6所示。图6所示是一个笔记本电脑400，有两个半壳402和404的外壳。外壳部分402一般构成结构支撑以及计算机LCD屏的背面，而外壳部分404封闭并保护手提电脑400的敏感的微电子部件，并包括底表面406。宜用复合材料形成该外壳，根据本发明实施方式，该复合材料包括基体相和聚集体。基体相可以是一种结构合理的聚合物材料，如热塑性聚合物。虽然图6显示手提电脑，应理解该外壳可构造成适合于台式计算机，以及用于服务器和其它计算器件。
此外，在各种用于微电子器件的壳体或箱体中，结构部件可以是电话外壳形式，构成电话听筒如移动电话的外结构表面。
下面并不是合适复合结构部件的详尽清单，并且对各种应用(包括微电子应用)能提供无数的几何构形。例如，结构部件可以采取加热管形式，如US 6,585,039中概述的，复合加热器，如6,300,607和6,124,579中所述，制动衬块结构，如5,984,055所述，或各种过电压部件，如US 6,251,513所述。
下面实施例提及的筛分参数是基于抗拉筛布(tensile bolting cloth)(TBC)标准，除非另外指出。为方便说明，下面表1列出对TBC筛目大小、U.S.Sieve、微米和密耳之间的换算。
                   表1
                     抗拉筛布
    U.S.Seive     TBC     微米     密耳
    12     1680     66
    14     16     1410     56
    16     18     1190     47
    18     22     1000     39
    20     24     841     33
    25     28     707     28
    35     38     500     20
    40     46     420     17
    45     52     354     14
    50     62     297     12
    60     74     250     10
    70     84     210     8.3
    80     94     177     7.0
    100     120     149     5.9
    120     145     125     4.9
    140     165     105     4.1
    170     200     86     3.4
    200     230     74     2.9
    230     63     2.5
    270     53     2.1
    325     44     1.7
    400     38     1.5
实施例
实施例1
以20ksi等压压制，将约50磅由粒度不大于约5微米的细晶体组成的原料氮化硼粉末固结。形成的材料然后用颚式破碎机，然后用辊型破碎机进行破碎。将形成的粉末进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于150微米，细聚集体为小于40微米。用配有120和200 TBC(抗拉筛布)筛的筛分机进行筛分。得到8磅60％大于74微米的材料。该材料在约1900℃热处理12小时，产生高纯度氮化硼饼。用颚式破碎机，然后用辊型破碎机对该饼进行破碎。形成的粉末然后进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于150微米，细聚集体为小于150微米。粒度大于150微米的聚集体再次破碎，直到它们在目标聚集体粒度范围之内，即对本实施例为小于150微米。筛分后得到2磅95％在150微米和74微米之间的材料，其摇实密度约为0.50g/cc。选择直径为125微米的颗粒的强度为8.2MPa。
实施例2.
约50磅由粒度不大于约5微米的细晶体组成的原料氮化硼粉末用颚式破碎机，然后用辊型破碎机进行破碎。将形成的粉末进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于150微米，细聚集体为小于40微米。用配有120和200TBC(抗拉筛布)筛的筛分机进行筛分。得到5磅60％大于74微米的材料。该材料在约1900℃热处理12小时，产生高纯度氮化硼饼。用颚式破碎机，然后用辊型破碎机对该饼进行破碎。形成的粉末然后进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于150微米，细聚集体为小于150微米。粒度大于150微米的聚集体再次破碎，直到它们在目标聚集体粒度范围之内，即对本实施例为小于150微米。筛分后得到2磅95％在150微米和74微米之间的材料，其摇实密度约为0.35g/cc。选择直径为125微米的颗粒的强度为4.5MPa。
实施例3.
以20ksi等压压制，将约100磅由粒度不大于约5微米的细晶体组成的原料氮化硼粉末固结。形成的材料然后用颚式破碎机，然后用辊型破碎机进行破碎。将形成的粉末进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于200微米，细聚集体为小于40微米。粒度大于200微米的聚集体再次破碎，直到它们在目标聚集体粒度范围之内，即对本实施例为小于200微米。通过空气分级，从较大聚集体分离出在破碎期间产生的通常小于10微米的细聚集体和细晶体。用配有88和120TBC(抗拉筛布)筛的筛分机(Kason Corporation，Millburn，N.J.)对产生的181磅粗产物进行筛分，得到3磅60％大于150微米的材料。该材料在约1900℃热处理12小时，产生高纯度氮化硼饼。用颚式破碎机，然后用辊型破碎机对该饼进行破碎。形成的粉末然后进行筛分，分离成细和粗的聚集体。对本实施例，粗聚集体为大于200微米，细聚集体为小于200微米。筛分后得到2磅95％在200微米和74微米之间的材料，其摇实密度约为0.50g/cc。选择直径为150微米的颗粒的强度为7.5MPa。
按照上面的工艺流程，制备另外的样品作为实施例5-7的样品，这些样品的摇实密度列于下面表2。此外，制备比较例1、2和3的样品用来比较测试。比较例样品的制备方式类似于上面实施例1-3，明显不同的之处是比较例中对大块或压块形式的材料进行热处理，而不是如本发明实施方式所述的对聚集的粉末形式进行热处理。所有样品都进行聚集体强度测试，具体是使用图3所示的测试设备。该设备由小的加载机构100和移动台阶110组成。该台阶在x、y和z方向移动，并用步进电动机(Newport PM 500 Precision Motion Controller)控制。z-向运动设定为2微米/秒。使用4.9N(500g)测力传感室102，将样品放在高抛光的平行SiC平台104和106上。该台阶的运动通过LabView控制。以20个数据点/秒的取样速度获取数据，产生0.1微米和0.01N的分辨率。
通过手工从样品批料中拾取类似粒度的聚集体，得到测试的样品，测试单一聚集体的断裂强度。假设不规则形状是处于球体和立方体之间，计算每个聚集体的有效拉伸强度，得到
                      σe＝1.37(P/a2)
式中，P是断裂负荷，a是聚集体直径(粒度)。
按照ASTM B527-70测定摇实密度。
包封密度用Hg孔隙仪，通过在40Kpsi压力下渗透液体Hg进行测定。包封密度代表样品聚集体的平均密度，与摇实密度不同，后者是堆积密度的测定值。
                              表2
  ID   断裂强度[MPa]   摇实密度(g/cc)   聚集体粒度[微米]     强度/ρ(摇实密度)比值[MPa·cc/g]   包封密度(g/cc)     强度/ρ(包封密度)比值[MPa·cc/g]
  CE1   5.1   0.48   125     10.6   0.807     6.32
  E1   8.2   0.48   125     17.1   0.792     10.38
  E2   4.5   0.35   125     12.9   0.648     6.94
  CE2   5.7   0.68   125     8.4   1.078     5.29
  CE3   4.4   0.71   125     6.2   1.396     3.15
  E3   7.5   0.48   150     15.6   0.755     9.93
根据前述，提供相对高强度的受控密度的粉末，特别是提供适用于导热应用的高强度低密度和中密度的粉末。此外，这种粉末一般具有各向同性的热和结构性能。此外，本发明的实施方式还提供了形成聚集的氮化硼粉末的加工方法。这种方法是高度灵活，能有效提高产率，因此是有成本效益的。虽然按照本发明实施方式的粉末特别适用于导热应用，如在半导体领域，但是这种加工方法是灵活的，能形成用于其它应用的氮化硼粉末。

Claims (49)

1.一种聚集的氮化硼粉末，包含断裂强度与摇实密度的比值不小于约11MPa·cc/g的聚集体。
2.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该比值不小于约12MPa·cc/g。
3.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该比值不小于约13MPa·cc/g。
4.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该比值不小于约14MPa·cc/g。
5.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该粉末的平均聚集体粒度在约20-1000微米范围。
6.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该粉末的平均聚集体粒度在约40-500微米范围。
7.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该粉末的平均聚集体粒度在约40-200微米范围。
8.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，该粉末的平均聚集体粒度在约20-90微米范围。
9.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，至少60重量％的粉末的粒度分布在约40-200微米范围。
10.如权利要求1所述的粉末，其特征在于，至少80重量％的所述粉末的粒度分布在约40-150微米范围。
11.一种聚集的氮化硼粉末，包含：断裂强度与包封密度的比值不小于约6.5MPa·cc/g的聚集体。
12.如权利要求11所述的粉末，其特征在于，该比值不小于约6.7MPa·cc/g。
13.如权利要求11所述的粉末，其特征在于，该比值不小于约6.9MPa·cc/g。
14·一种微电子器件，包含：
产生热量的有效元件；
固定有所述有效元件的基片；
在所述有效元件和基片之间的热界面材料，该热界面材料包含断裂强度与包封密度的比值不小于约6.5MPa·cc/g的聚集体。
15.如权利要求14所述的微电子器件，其特征在于，有效元件包括半导体器件。
16.如权利要求14所述的微电子器件，其特征在于，热界面材料包含在聚合物基体中的所述聚集体，聚集体形成用于传热的渗流结构。
17.如权利要求15所述的微电子器件，其特征在于，该比值不小于约6.7MPa·cc/g。
18.一种印刷电路板，包括：
多个层，它包含至少一层含有断裂强度与包封密度的比值不小于约6.5MPa·cc/g的聚集体的层。
19.如权利要求18所述的印刷电路板，还包括延伸通过该多个层用来电连接的导电部件。
20.一种复合结构部件，包含：
基体相；
断裂强度与包封密度的比值不小于约6.5MPa·cc/g的聚集体。
21.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件是微电子器件的元件。
22.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件是硬盘驱动器的的传导装置臂。
23.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件是微电子箱体。
24.如权利要求23所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件是计算机外壳。
25.如权利要求23所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件是电话壳体。
26.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述结构部件选自加热器、加热管、过电压部件和制动部件。
27.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述基体相包含聚合物。
28.如权利要求27所述的结构部件，其特征在于，所述聚合物包括热塑性材料。
29.如权利要求20所述的结构部件，其特征在于，所述聚集体形成用于传热的渗流结构。
30.一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法包括：
提供包含氮化硼聚集体的原料粉末，该原料粉末包含粒度不大于约5微米的细晶体；
对该原料粉末进行热处理，形成经热处理的聚集的氮化硼粉末。
31.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述原料粉末的平均晶体大小不大于5微米。
32.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述平均晶体大小不大于2微米。
33.如权利要求30所述的方法，该方法还包括：
使热处理后的聚集的氮化硼粉末进行破碎操作。
34.如权利要求33所述的方法，其特征在于，所述原料粉末具有初始粒度范围，而破碎后至少25重量％的热处理后的氮化硼粉末在该初始粒度范围之内。
35.如权利要求33所述的方法，其特征在于，破碎操作后，热处理的氮化硼粉末按照粒度分级。
36.如权利要求35所述的方法，其特征在于，分级之后，热处理的氮化硼粉末的平均粒度为至少20微米。
37.如权利要求35所述的方法，其特征在于，分级之后，热处理的氮化硼粉末的粒度分布在约20-1000微米范围。
38.如权利要求30所述的方法，其特征在于，热处理的氮化硼粉末具有六边形晶体结构。
39.如权利要求30所述的方法，其特征在于，原料粉末包含乱层晶体结构。
40.如权利要求30所述的方法，该方法还包括对松散的聚集氮化硼粉末按粒度分级的步骤，其中，原料粉末是具有所需粒度范围的松散的聚集氮化硼粉末的一部分。
41.如权利要求40所述的方法，其特征在于，在所需粒度范围内的原料粉末为松散聚集的氮化硼粉末的一部分，其余松散的聚集氮化硼粉末被循环。
42.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述原料粉末通过下面步骤形成：
对固体氮化硼进行破碎，形成松散的聚集氮化硼粉末；
取出所需粒度范围的松散的聚集氮化硼粉末，形成原料粉末。
43.如权利要求30所述的方法，其特征在于，热处理步骤在至少1400℃的温度下进行。
44.如权利要求43所述的方法，其特征在于，该温度在约1600-2400℃范围。
45.一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法包括：
提供含氮化硼聚集体的松散氮化硼粉末；
取出部分氮化硼聚集体，形成含氮化硼聚集体的原料粉末；
对该原料粉末进行热处理，形成经热处理的聚集的氮化硼粉末。
46.如权利要求45所述的方法，其特征在于，取出的部分对应于所需粒度范围。
47.如权利要求45所述的方法，其特征在于，通过按粒度对松散的氮化硼粉末进行分级，来取出一部分氮化硼聚集体。
48.一种形成聚集的氮化硼粉末的方法，该方法包括：
提供含氮化硼聚集体的原料粉末，该原料粉末包含乱层氮化硼；
对该原料粉末进行热处理，形成经热处理的聚集的氮化硼粉末。
49.如权利要求48所述的方法，其特征在于，所述原料粉末包含至少10重量％的乱层氮化硼。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645428A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 松下电器产业株式会社 安装结构体以及电子设备
CN103249695A (zh) * 2010-11-10 2013-08-14 Esk陶瓷有限两合公司 氮化硼团聚体、其生产方法及其用途
CN105026312A (zh) * 2013-03-07 2015-11-04 电气化学工业株式会社 氮化硼粉末及含有该氮化硼粉末的树脂组合物
CN105947997A (zh) * 2011-11-29 2016-09-21 三菱化学株式会社 氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路
CN107735437A (zh) * 2015-06-17 2018-02-23 欧洲技术研究圣戈班中心 基于氮化硼的聚集体的粉末

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713088B2 (en) * 1999-08-31 2004-03-30 General Electric Company Low viscosity filler composition of boron nitride particles of spherical geometry and process
US7976941B2 (en) 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
US7445797B2 (en) 2005-03-14 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and polymer-based compositions made therewith
US6645612B2 (en) 2001-08-07 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them
CN1495540B (zh) * 2002-09-20 2010-08-11 Asml荷兰有限公司 利用至少两个波长的光刻系统的对准系统和方法
US7494635B2 (en) * 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
US20050286234A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 International Business Machines Corporation Thermally conductive composite interface and methods of fabrication thereof for an electronic assembly
US7524560B2 (en) * 2005-08-19 2009-04-28 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith
US20070205706A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
JP5081488B2 (ja) * 2006-04-20 2012-11-28 Ｊｆｅスチール株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末
JP4868547B2 (ja) * 2006-06-08 2012-02-01 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 熱伝導モジュールとその製造方法、並びに、高熱伝導で柔軟なシートの製造方法
US7527859B2 (en) 2006-10-08 2009-05-05 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith
JP5038257B2 (ja) * 2008-08-22 2012-10-03 株式会社カネカ 六方晶窒化ホウ素及びその製造方法
KR101043546B1 (ko) 2009-04-06 2011-06-21 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 이의 제조 방법
CN102574684B (zh) * 2009-10-09 2015-04-29 水岛合金铁株式会社 六方氮化硼粉末及其制备方法
EP2714312B1 (en) * 2011-05-27 2019-11-27 Nanomech Inc. Coating layer with microstructure serrated edge
EP2771395B8 (en) 2011-10-27 2017-10-18 Garmor Inc. Method of making high-strength graphene nanocomposites and nanocomposite obtained therefrom.
DE102012104049A1 (de) * 2012-05-09 2013-11-28 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Bornitrid-Agglomerate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
CN103569976B (zh) * 2012-08-03 2016-09-14 燕山大学 超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其合成方法
EP2897995B1 (en) 2012-09-19 2019-03-20 Momentive Performance Materials Inc. Masterbatch comprising boron nitride, composite powders thereof, and compositions and articles comprising such materials
US20140077125A1 (en) 2012-09-19 2014-03-20 Kang Yi Lin Composition comprising exfoliated boron nitride and method for forming such compositions
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US8946333B2 (en) 2012-09-19 2015-02-03 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
KR101910924B1 (ko) 2013-03-08 2018-10-23 유니버시티 오브 센트럴 플로리다 리서치 파운데이션, 인코포레이티드 산업용 대규모 산화 그래핀 제조
KR101939968B1 (ko) 2013-03-08 2019-01-18 갈모어 인코포레이티드 호스트 내에서의 그래핀 비말동반
EP2860008A1 (de) 2013-10-14 2015-04-15 Esk Ceramics GmbH&Co. Kg Durch thermoplastische Verarbeitung von Polymer-Bornitrid-Compounds hergestellte Bauteile, Polymer-Bornitrid-Compounds zur Herstellung solcher Bauteile, Verfahren zur Herstellung solcher Bauteile sowie deren Verwendung
KR102318231B1 (ko) * 2015-01-29 2021-10-27 엘지이노텍 주식회사 무기충전재, 이를 포함하는 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 방열 기판
US20180030277A1 (en) * 2015-03-13 2018-02-01 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Uniform Dispersing of Graphene Nanoparticles in a Host
JP6563029B2 (ja) 2015-04-13 2019-08-21 ガーマー インク．Ｇａｒｍｏｒ， Ｉｎｃ． コンクリート又はアスファルトなどのホスト中の酸化グラファイト強化繊維
US11482348B2 (en) 2015-06-09 2022-10-25 Asbury Graphite Of North Carolina, Inc. Graphite oxide and polyacrylonitrile based composite
EP3115404B1 (de) 2015-07-08 2018-01-31 Covestro Deutschland AG Bornitrid-hybridmaterial-haltige thermoplastische zusammensetzung
EP3115405B1 (de) 2015-07-08 2017-12-27 Covestro Deutschland AG Bornitrid-haltige thermoplastische zusammensetzung
EP3127973B1 (en) * 2015-08-07 2019-04-03 3M Innovative Properties Company Thermally conductive pressure sensitive adhesive
EP4234204A3 (en) 2015-09-21 2024-01-03 Asbury Graphite of North Carolina, Inc. Low-cost, high-performance composite bipolar plate
MX366927B (es) 2015-10-27 2019-07-31 Unilever Nv Composición para cuidado de la piel que comprende nitruro de boro turboestrático.
CA3010193A1 (en) 2015-12-29 2017-07-06 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride coatings for metal processing and methods of using the same
KR102337986B1 (ko) 2016-10-07 2021-12-10 덴카 주식회사 질화 붕소 덩어리 형상의 입자, 그 제조 방법 및 이를 이용한 열전도 수지 조성물
JP6994028B2 (ja) 2016-10-26 2022-01-14 ガーマー インク． 低コスト高性能材料のための添加剤被覆粒子
WO2018093987A1 (en) 2016-11-16 2018-05-24 Rogers Corporation Method for the manufacture of thermally conductive composite materials and articles comprising the same
EP3560890B1 (en) * 2016-12-26 2021-09-15 Tokuyama Corporation Hexagonal boron nitride powder and method for producing same
TW201829354A (zh) * 2017-02-10 2018-08-16 美商聖高拜陶器塑膠公司 三氧化二硼含量可控的氮化硼
US10834854B2 (en) 2017-02-28 2020-11-10 Northeastern University Methods for the manufacture of thermal interfaces, thermal interfaces, and articles comprising the same
US10457001B2 (en) 2017-04-13 2019-10-29 Infineon Technologies Ag Method for forming a matrix composite layer and workpiece with a matrix composite layer
US10121723B1 (en) * 2017-04-13 2018-11-06 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
JP6698953B2 (ja) 2017-10-13 2020-05-27 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末、その製造方法及びそれを用いた放熱部材
EP3498667A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-19 3M Innovative Properties Company Powder composition comprising first and second agglomerates of inorganic particles and polymer composition comprising a polymer and the powder composition
EP3502306B1 (de) 2017-12-19 2022-03-02 Covestro Deutschland AG Mehrschichtkörper, umfassend eine substratschicht enthaltend polycarbonat, talk und wachs
WO2019121272A1 (de) 2017-12-20 2019-06-27 Covestro Deutschland Ag Polycarbonat-zusammensetzung mit guter flammwidrigkeit
WO2020004600A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 デンカ株式会社 塊状窒化ホウ素粒子、窒化ホウ素粉末、窒化ホウ素粉末の製造方法、樹脂組成物、及び放熱部材
KR102584736B1 (ko) 2018-10-02 2023-10-05 로저스코포레이션 코팅된 질화 붕소를 포함하는 인쇄회로기판 서브스트레이트
US20220154059A1 (en) 2019-03-27 2022-05-19 Denka Company Limited Boron nitride aggregated particles, thermal conductive resin composition, and heat dissipation member
JP7101871B2 (ja) 2019-03-27 2022-07-15 デンカ株式会社 塊状窒化ホウ素粒子、熱伝導樹脂組成物及び放熱部材
US11791061B2 (en) 2019-09-12 2023-10-17 Asbury Graphite North Carolina, Inc. Conductive high strength extrudable ultra high molecular weight polymer graphene oxide composite
DE112021000479T5 (de) 2020-01-08 2022-12-01 Rogers Corporation Geschichteter Phasenwechsel-Verbundwerkstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit
EP4105253A1 (de) 2021-06-17 2022-12-21 Covestro Deutschland AG Thermoplastische formmasse mit verbesserter thermischer und elektrischer leitfähigkeit
CN114420453B (zh) * 2022-01-14 2024-03-19 东佳电子（郴州）有限公司 一种可快速疏散热量的铝电解电容器

Family Cites Families (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB870084A (en) 1958-03-24 1961-06-14 United States Borax Chem Method of manufacturing boron nitride
US2991508A (en) * 1959-09-23 1961-07-11 Du Pont Fabrication of thermoplastic resins
US3125547A (en) * 1961-02-09 1964-03-17 Extrudable composition consisting of
US3351690A (en) * 1962-04-18 1967-11-07 Gen Electric Heat treating pyrolytic graphite and boron nitride bodies with simultaneous application of multiaxial tension
CH494187A (de) 1966-03-09 1970-07-31 Lonza Werke Gmbh Verfahren zur Herstellung von Bornitrid
US3617358A (en) * 1967-09-29 1971-11-02 Metco Inc Flame spray powder and process
US4097293A (en) * 1969-04-30 1978-06-27 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials
US3720740A (en) * 1970-06-24 1973-03-13 Hitachi Ltd Low pressure sintering of boron nitride using low thermal expansion static sintering molds
US3954483A (en) * 1974-01-08 1976-05-04 General Electric Company Dense polycrystalline silicon carbide
SU514796A1 (ru) 1974-07-05 1976-05-25 Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Укр. Сср Спеченный материал на основе нитрида бора
US4107276A (en) * 1974-12-30 1978-08-15 Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh Manufacture of hexagonal boron nitride
DE2629960C3 (de) 1976-07-02 1981-08-06 Moskovskij chimiko-technologičeskij institut imeni D.I. Mendeleeva, Moskva Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen auf der Basis von hexagonalem Bornitrid
US4188194A (en) * 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
US4195002A (en) * 1978-07-27 1980-03-25 International Lead Zinc Research Organization, Inc. Water-dispersible coatings containing boron nitride for steel casting dies
JPS5856018B2 (ja) * 1979-11-30 1983-12-13 日本油脂株式会社 切削工具用高密度相窒化硼素複合焼結体およびその製造方法
JPS6022676B2 (ja) * 1980-02-23 1985-06-03 日本鋼管株式会社 窒化硅素・窒化硼素複合焼結体及びその製造方法
JPS5860679A (ja) 1981-10-02 1983-04-11 三菱マテリアル株式会社 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS5860680A (ja) 1981-10-07 1983-04-11 三菱マテリアル株式会社 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS5891005A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Toshiba Corp 窒化ケイ素粉末の製造方法
DE3201563A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Dichte formkoerper aus polykristallinem, hexagonalem bornitrid und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen
JPS60195059A (ja) * 1984-03-15 1985-10-03 株式会社トクヤマ 複合焼結体
CA1260671A (en) * 1984-06-07 1989-09-26 Takahisa Koshida High-purity powder of hexagonal boron nitride and a method for the preparation thereof
JPS6128763A (ja) 1984-07-20 1986-02-08 Res Dev Corp Of Japan 波力変換装置の圧力制限装置
JPS61268763A (ja) 1984-11-26 1986-11-28 Shiseido Co Ltd 処理粉体の製造方法
JPS61132564A (ja) 1984-11-28 1986-06-20 川崎製鉄株式会社 窒化硼素常圧焼結体
US5332629A (en) * 1985-01-11 1994-07-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Boron nitride system including an hBN starting material with a catalyst and a sintered cNB body having a high heat conductivity based on the catalyst
US4801445A (en) * 1985-07-29 1989-01-31 Shiseido Company Ltd. Cosmetic compositions containing modified powder or particulate material
EP0212870B1 (en) * 1985-07-29 1992-04-15 Shiseido Company Limited Silicone polymer-coated powder or particulate material
CA1306904C (en) * 1985-10-09 1992-09-01 Tetsumi Suzuki Electrically conductive material and secondary battery using the electrically conductive material
JPS62123070A (ja) 1985-11-21 1987-06-04 株式会社香蘭社 窒化ボロン系焼結体の製造方法
US4997633A (en) * 1986-01-30 1991-03-05 Kawasaki Steel Corporation Water-soluble boron containing impurity reduced hexagonally crystalline boron nitride
JPS636093A (ja) 1986-06-27 1988-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 窒化ほう素含有離型用または潤滑用組成物
JPS6345178A (ja) 1986-08-07 1988-02-26 株式会社　香蘭社 窒化ボロン焼結原料粉末
JPS6340769A (ja) 1986-08-07 1988-02-22 昭和電工株式会社 高密度窒化硼素常圧焼結体の製造方法
JPS6345104A (ja) 1986-08-11 1988-02-26 Kawasaki Steel Corp スリツプキヤステイング用窒化硼素粉末及びその製造方法
JPH0753610B2 (ja) 1986-11-01 1995-06-07 株式会社香蘭社 窒化ボロン系焼結体の製造方法
US4849284A (en) 1987-02-17 1989-07-18 Rogers Corporation Electrical substrate material
JPH0617270B2 (ja) * 1987-04-01 1994-03-09 工業技術院長 窒化硼素常圧焼結体
EP0314807B1 (en) * 1987-05-12 1993-01-27 Kabushiki Kaisha Kouransha Molten metal container
JP2590908B2 (ja) 1987-08-03 1997-03-19 松下電工株式会社 エポキシ樹脂成形材料
US4869954A (en) * 1987-09-10 1989-09-26 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials
JPH075383B2 (ja) 1987-10-31 1995-01-25 東芝タンガロイ株式会社 立方晶窒化ホウ素を含む焼結体
US5001091A (en) * 1987-11-02 1991-03-19 Norton Company Readily moldable or castable ceramic powders
JPH0742170B2 (ja) 1987-11-05 1995-05-10 東芝タンガロイ株式会社 立方晶窒化ホウ素基焼結体
JP2590964B2 (ja) 1987-11-11 1997-03-19 ミノルタ株式会社 画像形成方法
JP2614874B2 (ja) 1987-11-14 1997-05-28 電気化学工業株式会社 常圧焼結窒化硼素成形体
JP2525432B2 (ja) 1987-11-14 1996-08-21 電気化学工業株式会社 常圧焼結窒化硼素系成形体
JPH01131062A (ja) 1987-11-14 1989-05-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 複合常圧焼結成形体
JPH0745343B2 (ja) 1987-11-20 1995-05-17 昭和電工株式会社 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法
JPH01221454A (ja) * 1988-02-29 1989-09-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 押出成形用シリコーンゴム組成物
JP2614891B2 (ja) 1988-03-18 1997-05-28 電気化学工業株式会社 耐摩耗性の大なる窒化硼素常圧焼結体の製造方法
JPH01275471A (ja) 1988-04-25 1989-11-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 六方晶窒化ホウ素焼結体の製造方法
JP2821748B2 (ja) 1988-08-04 1998-11-05 株式会社香蘭社 耐溶損性に優れたｂｎ系常圧焼結セラミック
JPH0819328B2 (ja) 1988-08-22 1996-02-28 電気化学工業株式会社 シリコーンゴム成形品の製造方法
US4863881A (en) * 1988-09-15 1989-09-05 California Institute Of Technology Shock consolidation of cubic boron nitride with whiskers of silicon compounds
JP2546709B2 (ja) 1988-09-29 1996-10-23 東芝タンガロイ株式会社 高強度立方晶窒化ホウ素含有焼結体
JPH02164433A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 多結晶型立方晶窒化ほう素粒子の製造方法
JPH069730B2 (ja) 1989-01-13 1994-02-09 花野商事株式会社 ダイカスト用粉末離型剤
US5011870A (en) * 1989-02-08 1991-04-30 Dow Corning Corporation Thermally conductive organosiloxane compositions
US4971779A (en) * 1989-02-17 1990-11-20 University Of New Mexico Process for the pyrolytic conversion of a polymeric precursor composition to boron nitride
CH677923A5 (zh) 1989-04-28 1991-07-15 Htm Ag
FR2646663B1 (fr) 1989-05-02 1991-12-27 Rhone Poulenc Chimie Nitrure de bore amorphe ou turbostratique a morphologie spherique et son procede de preparation
JPH0312316A (ja) 1989-06-12 1991-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 窒化ホウ素粉末及びその焼結体
US5098609A (en) * 1989-11-03 1992-03-24 The Research Foundation Of State Univ. Of N.Y. Stable high solids, high thermal conductivity pastes
JPH03177361A (ja) 1989-12-05 1991-08-01 Ube Ind Ltd β―サイアロン―窒化硼素系複合焼結体の製造方法
FR2655638A1 (fr) 1989-12-08 1991-06-14 Rhone Poulenc Chimie Nitrure de bore hexagonal monodisperse de haute purete vis-a-vis des metaux et de l'oxygene et son procede de preparation.
US5064589A (en) * 1989-12-29 1991-11-12 Showa Denko K.K. Method for producing high density hexagonal boron nitride sintered article
JPH064516B2 (ja) 1990-01-19 1994-01-19 新日本製鐵株式会社 溶融金属用セラミックス焼結体および製造方法
US5120688A (en) * 1990-05-29 1992-06-09 The Morgan Crucible Company Plc Pressureless sintered silicon nitride-boron nitride composite
US5116589A (en) * 1990-06-18 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High density hexagonal boron nitride prepared by hot isostatic pressing in refractory metal containers
JP2958569B2 (ja) 1990-06-30 1999-10-06 株式会社香蘭社 常圧焼結ｈ―ＢＮ系セラミック焼結体の処理方法
US5118496A (en) 1990-10-02 1992-06-02 Morris Herstein Coated cosmetic materials and method of coating cosmetic materials
JPH04164805A (ja) 1990-10-30 1992-06-10 Kawasaki Steel Corp 高純度六方晶窒化硼素粉末の製造方法
JP2590964Y2 (ja) 1991-04-05 1999-02-24 日本製箔株式会社 レンジフード用フィルター
JP2981002B2 (ja) 1991-04-23 1999-11-22 松下電工株式会社 窒化アルミニウム粉末
US5194480A (en) * 1991-05-24 1993-03-16 W. R. Grace & Co.-Conn. Thermally conductive elastomer
EP0519644B1 (en) * 1991-06-17 1996-12-11 General Electric Company Silicon carbide composite with metal nitride coated fiber reinforcement
JP2531871B2 (ja) 1991-06-18 1996-09-04 昭和電工株式会社 高密度窒化ほう素常圧焼結体の製造方法
JP2511337B2 (ja) 1991-06-18 1996-06-26 昭和電工株式会社 窒化ほう素常圧焼結体の製造方法
US5285108A (en) * 1991-06-21 1994-02-08 Compaq Computer Corporation Cooling system for integrated circuits
US5194071A (en) * 1991-07-25 1993-03-16 General Electric Company Inc. Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same
US5273558A (en) * 1991-08-30 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive composition and articles incorporating same
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
JP2925402B2 (ja) * 1991-09-11 1999-07-28 三菱電機株式会社 高熱伝導性低収縮湿式不飽和ポリエステル系樹脂組成物を成形してなる筐体を有する回路遮断器
JP2590908Y2 (ja) 1991-10-31 1999-02-24 シルバー精工株式会社 編機における給糸交換装置
US5229339A (en) * 1991-11-12 1993-07-20 Norton Company Pressure casting ceramic slurries
JPH05148038A (ja) 1991-11-29 1993-06-15 Kurosaki Refract Co Ltd 窒化硼素焼結体の製造方法
US5234712A (en) * 1992-06-08 1993-08-10 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
WO1994002551A1 (en) * 1992-07-23 1994-02-03 Silberline Limited Metal powder pigment
GB9222548D0 (en) * 1992-10-27 1992-12-09 Foseco Int Metallurgical pouring vessels
US5320989A (en) * 1992-12-07 1994-06-14 Orpac, Inc. Boron nitride-containing bodies and method of making the same
US5985228A (en) * 1992-12-22 1999-11-16 General Electric Company Method for controlling the particle size distribution in the production of multicrystalline cubic boron nitride
US5312571A (en) * 1993-01-07 1994-05-17 Norton Company Shaped bodies and the production thereof
US5457075A (en) * 1993-05-11 1995-10-10 Hitachi Metals, Ltd. Sintered ceramic composite and molten metal contact member produced therefrom
JP3305720B2 (ja) * 1993-07-06 2002-07-24 株式会社東芝 放熱シート
US5510174A (en) * 1993-07-14 1996-04-23 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials containing titanium diboride filler
JP2922096B2 (ja) 1993-07-30 1999-07-19 川崎製鉄株式会社 六方晶窒化硼素粉末の製造方法
US5536485A (en) * 1993-08-12 1996-07-16 Agency Of Industrial Science & Technology Diamond sinter, high-pressure phase boron nitride sinter, and processes for producing those sinters
US5571760A (en) * 1993-08-27 1996-11-05 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Silicon nitride having a high tensile strength
JPH07157369A (ja) 1993-12-10 1995-06-20 Hitachi Ltd セラミックス造粒粉
US5376040A (en) 1993-12-23 1994-12-27 Hickman; James W. Doll head with an elastically deformable mouth
US5409868A (en) * 1993-12-23 1995-04-25 Electrofuel Manufacturing Co. Ceramic articles made of compositions containing borides and nitrides
US5591034A (en) * 1994-02-14 1997-01-07 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive adhesive interface
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
JPH07315937A (ja) 1994-05-20 1995-12-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 窒化ホウ素常圧焼結体及びその製造方法
IT1269816B (it) * 1994-05-23 1997-04-15 Ausimont Spa Composizioni solide espandibili a base di perfluoropolimeri e processoper la loro preparazione
US5528462A (en) * 1994-06-29 1996-06-18 Pendse; Rajendra D. Direct chip connection using demountable flip chip package
FR2725129B1 (fr) * 1994-09-30 1997-06-13 Oreal Composition cosmetique anhydre resistante a l'eau
US5759481A (en) * 1994-10-18 1998-06-02 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Silicon nitride having a high tensile strength
US5601874A (en) * 1994-12-08 1997-02-11 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
SE514574C2 (sv) 1994-12-12 2001-03-12 Sandvik Ab Bindefasfria korrosionsbeständiga hårdmetaller för tribologiska tillämpningar
US5770819A (en) * 1995-02-13 1998-06-23 Raychem Corporation Insulated wire or cable having foamed fluoropolymer insulation
US5567353A (en) * 1995-04-13 1996-10-22 Rohm And Haas Company Method for dispersing ceramic material in an aqueous medium
US5614319A (en) * 1995-05-04 1997-03-25 Commscope, Inc. Insulating composition, insulated plenum cable and methods for making same
WO1996035651A1 (en) * 1995-05-10 1996-11-14 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. High solids silicon nitride slurries
DE19620942A1 (de) 1995-06-05 1996-12-12 Gen Electric Effizientes Verfahren zum Hydrophobieren von anorganischem Pulver
US5688449A (en) * 1995-10-02 1997-11-18 Nitech Corporation Method of forming and extruding an additive-coated resin composition
US5962122A (en) * 1995-11-28 1999-10-05 Hoechst Celanese Corporation Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant
JPH09151324A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 難燃性・高熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP3461651B2 (ja) * 1996-01-24 2003-10-27 電気化学工業株式会社 六方晶窒化ほう素粉末及びその用途
US5681883A (en) * 1996-03-05 1997-10-28 Advanced Ceramics Corporation Enhanced boron nitride composition and polymer based high thermal conductivity molding compound
US5898009A (en) * 1996-03-19 1999-04-27 Advanced Ceramics Corporation High density agglomerated boron nitride particles
US5688457A (en) 1996-04-10 1997-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company High speed extrusion
US5610203A (en) * 1996-04-10 1997-03-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Foamable fluoropolymer composition
US5726502A (en) * 1996-04-26 1998-03-10 Motorola, Inc. Bumped semiconductor device with alignment features and method for making the same
US5950066A (en) * 1996-06-14 1999-09-07 The Bergquist Company Semisolid thermal interface with low flow resistance
US5738936A (en) * 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
EP0918039A4 (en) * 1996-08-06 1999-10-27 Otsuka Kagaku Kk BORNITRIDE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP3142800B2 (ja) * 1996-08-09 2001-03-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース
TW398163B (en) * 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
US5783308A (en) * 1996-10-25 1998-07-21 Quaker State Corporation Ceramic reinforced fluoropolymer
US5781412A (en) * 1996-11-22 1998-07-14 Parker-Hannifin Corporation Conductive cooling of a heat-generating electronic component using a cured-in-place, thermally-conductive interlayer having a filler of controlled particle size
JPH10194711A (ja) * 1997-01-13 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末及びその製造方法
JP3714502B2 (ja) 1997-01-24 2005-11-09 三井化学株式会社 高熱伝導性樹脂組成物
JP2001503471A (ja) * 1997-02-07 2001-03-13 ロックタイト コーポレーション 伝導性樹脂組成物
US5926371A (en) * 1997-04-25 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Heat transfer apparatus which accommodates elevational disparity across an upper surface of a surface-mounted semiconductor device
US5907474A (en) * 1997-04-25 1999-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Low-profile heat transfer apparatus for a surface-mounted semiconductor device employing a ball grid array (BGA) device package
JP3714506B2 (ja) 1997-06-17 2005-11-09 三井化学株式会社 優れた耐水性を有する高熱伝導性樹脂組成物
JPH1145965A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Kyocera Corp 伝熱性化合物およびこれを用いた半導体装置
JPH1160216A (ja) * 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性窒化ホウ素フィラー及び絶縁放熱シート
JPH1160215A (ja) * 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末造粒物及びその製造方法並びに等方性窒化ホウ素成形体の製造方法
JP3195277B2 (ja) 1997-08-06 2001-08-06 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US6124579A (en) * 1997-10-06 2000-09-26 Watlow Electric Manufacturing Molded polymer composite heater
US5945217A (en) * 1997-10-14 1999-08-31 Gore Enterprise Holdings, Inc. Thermally conductive polytrafluoroethylene article
JPH11116213A (ja) 1997-10-15 1999-04-27 Toshiba Ceramics Co Ltd シラノール基含有ポリオルガノシロキサン被膜でコーティングされた窒化アルミニウム粉末およびその製造方法
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US5984055A (en) * 1997-11-21 1999-11-16 Northrop Grumman Corporation Integrated fiber reinforced ceramic matrix composite brake pad and back plate
US5898217A (en) * 1998-01-05 1999-04-27 Motorola, Inc. Semiconductor device including a substrate having clustered interconnects
JP3290127B2 (ja) 1998-01-27 2002-06-10 松下電工株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びこの熱伝導性シリコーンゴム組成物によりなる放熱シート
US6168859B1 (en) * 1998-01-29 2001-01-02 The Dow Chemical Company Filler powder comprising a partially coated alumina powder and process to make the filler powder
DE69807040T2 (de) 1998-02-16 2003-05-08 Advanced Ceramics Corp Verfahren zur Bildung von Bornitrid hoher Dichte und agglomerierte Bornitridteilchen hoher Dichte
JP4155473B2 (ja) * 1998-02-27 2008-09-24 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 高密度窒化ホウ素および高密度凝集窒化ホウ素粒子の製造法
US5908796A (en) * 1998-05-01 1999-06-01 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide
JP3948834B2 (ja) * 1998-07-16 2007-07-25 電気化学工業株式会社 樹脂添加用窒化硼素とそれを用いた樹脂組成物、放熱部品
US6136758A (en) 1998-08-17 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Aluminum nitride powder and thermally conductive grease composition using the same
DE19959916A1 (de) * 1998-12-30 2000-07-20 Henkel Chile Sa Füllstoffhaltige Polymerdispersion, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
US6162849A (en) * 1999-01-11 2000-12-19 Ferro Corporation Thermally conductive thermoplastic
JP3287328B2 (ja) * 1999-03-09 2002-06-04 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3525792B2 (ja) 1999-03-31 2004-05-10 日本碍子株式会社 液滴吐出装置
SE519860C2 (sv) * 1999-04-07 2003-04-15 Sandvik Ab Sätt att tillverka ett skär bestående av en PcBN-kropp och en hårdmetall- eller cermet-substrat
SE519862C2 (sv) * 1999-04-07 2003-04-15 Sandvik Ab Sätt att tillverka ett skär bestående av en PcBN-kropp och en hårdmetall- eller cermet-kropp
US6348179B1 (en) 1999-05-19 2002-02-19 University Of New Mexico Spherical boron nitride process, system and product of manufacture
JP2001010867A (ja) 1999-06-21 2001-01-16 Murata Mfg Co Ltd セラミック原料造粒粉末の製造方法
JP3438658B2 (ja) * 1999-07-22 2003-08-18 ウシオ電機株式会社 ランプユニット及び光照射式加熱装置
US6158894A (en) * 1999-07-28 2000-12-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. All ceramic bearing
NZ517494A (en) 1999-08-27 2003-10-31 Heineken Tech Services Transfer label
US20060121068A1 (en) * 1999-08-31 2006-06-08 General Electric Company Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
US6713088B2 (en) 1999-08-31 2004-03-30 General Electric Company Low viscosity filler composition of boron nitride particles of spherical geometry and process
US7445797B2 (en) 2005-03-14 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and polymer-based compositions made therewith
US7976941B2 (en) * 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
JP4392088B2 (ja) 1999-10-27 2009-12-24 電気化学工業株式会社 窒化ホウ素被覆球状ホウ酸塩粒子とそれを含む混合粉末、及びそれらの製造方法
JP4528397B2 (ja) 1999-12-17 2010-08-18 ポリマテック株式会社 接着方法および電子部品
CA2311178A1 (en) 1999-12-22 2001-06-22 Evgueni E. Rozenbaoum Extrusion aid combination
US6585039B2 (en) * 2000-02-01 2003-07-01 Cool Options, Inc. Composite overmolded heat pipe construction
JP3554249B2 (ja) * 2000-03-27 2004-08-18 京セラ株式会社 接着材およびこれを用いた電子部品
US6660241B2 (en) * 2000-05-01 2003-12-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof
US6794435B2 (en) * 2000-05-18 2004-09-21 Saint Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Agglomerated hexagonal boron nitride powders, method of making, and uses thereof
JP2002087831A (ja) * 2000-05-31 2002-03-27 Asahi Glass Co Ltd 微小中空ガラス球状体およびその製造方法
JP2002080617A (ja) * 2000-09-06 2002-03-19 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP2002097372A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体
US6764975B1 (en) * 2000-11-28 2004-07-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method for making high thermal diffusivity boron nitride powders
JP2002198619A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板
US6824753B2 (en) * 2001-04-24 2004-11-30 Science & Technology Corporation @Unm Organoboron route and process for preparation of boron nitride
US6652822B2 (en) * 2001-05-17 2003-11-25 The Regents Of The University Of California Spherical boron nitride particles and method for preparing them
US6645612B2 (en) * 2001-08-07 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them
JP2003060134A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
KR100493021B1 (ko) * 2002-07-10 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 제조방법
JP2005036016A (ja) 2002-10-18 2005-02-10 Advanced Ceramics Corp 球形形態の窒化ホウ素粒子の低粘性充填剤組成物及びその製造方法
US7494635B2 (en) * 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
EP1797155B1 (en) 2004-08-23 2015-10-07 General Electric Company Thermally conductive composition and method for preparing the same
US20060228542A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material having spheroidal particulate filler
DE102005020940A1 (de) 2005-05-04 2006-11-09 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Leicht dispergierbares BN-Granulat, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US7557054B2 (en) * 2006-02-27 2009-07-07 Kyocera Corporation Boron carbide sintered body and protective member
US20070205706A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
US7527859B2 (en) * 2006-10-08 2009-05-05 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645428A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 松下电器产业株式会社 安装结构体以及电子设备
CN101645428B (zh) * 2008-08-08 2013-10-23 松下电器产业株式会社 安装结构体以及电子设备
CN103249695A (zh) * 2010-11-10 2013-08-14 Esk陶瓷有限两合公司 氮化硼团聚体、其生产方法及其用途
CN105947997A (zh) * 2011-11-29 2016-09-21 三菱化学株式会社 氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路
CN105947997B (zh) * 2011-11-29 2018-12-21 三菱化学株式会社 氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路
US10400151B2 (en) 2011-11-29 2019-09-03 Mitsubishi Chemical Corporation Agglomerated boron nitride particles, composition containing said particles, and three- dimensional integrated circuit having layer comprising said composition
CN105026312A (zh) * 2013-03-07 2015-11-04 电气化学工业株式会社 氮化硼粉末及含有该氮化硼粉末的树脂组合物
US9656868B2 (en) 2013-03-07 2017-05-23 Denka Company Limited Boron-nitride powder and resin composition containing same
CN105026312B (zh) * 2013-03-07 2018-03-20 电化株式会社 氮化硼粉末及含有该氮化硼粉末的树脂组合物
CN107735437A (zh) * 2015-06-17 2018-02-23 欧洲技术研究圣戈班中心 基于氮化硼的聚集体的粉末
CN107735437B (zh) * 2015-06-17 2021-04-20 欧洲技术研究圣戈班中心 基于氮化硼的聚集体的粉末

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