JP4662933B2 - 窒化ホウ素凝集粉末 - Google Patents

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Description

本発明は、一般的に、凝集窒化ホウ素粉末の製造方法、これにより形成された粉末、及びこのような粉末を組み込んだ構成部材に関する。
マイクロ電子装置、例えば集積回路チップはより小さく、そしてよりパワフルになってきている。現在の動向としては、製造される集積チップは、密度が着実に増大しつつあり、所与の期間で先行のチップを凌ぐ機能を発揮するようになる。その結果、消費電力が増大し、より多くの熱が発生することになり、従って、熱管理が、電子デバイスの開発における主要な関心事になってきている。
典型的には、熱発生源又は熱発生デバイス、例えば集積回路チップは、作業中に発生した熱を除去するためにヒートシンクと結合される。しかし熱発生源又は熱発生デバイスとヒートシンクとの間の熱接触抵抗が、ヒートシンクの効果的な熱除去能力を制限する。集成中、熱伝導性グリース層、典型的にはシリコーン・グリース層、又は熱伝導性有機ワックス層を塗布することにより、熱源及びヒートシンクの互いに対向する結合表面間に低い熱抵抗の経路を形成するのを助けるのが一般的である。他の熱伝導性材料は、バインダー、好ましくは樹脂バインダー、例えばシリコーン、熱可塑性ゴム、ウレタン、アクリル、又はエポキシであって、中に1種又は2種以上の熱伝導性充填剤が分配されているものの使用に基づく。
典型的には、これらの充填剤は2つの主要タイプのうちの一方：熱伝導性且つ電気的絶縁性の充填剤、又は熱伝導性且つ導電性の充填剤、である。酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素が、熱製品に使用される最もしばしば引用されるタイプの、熱伝導性且つ電気的絶縁性の充填剤である。窒化ホウ素は、優れた熱伝達特性を有し、そして比較的に低廉である点で特に有用である。
しかし、目下使用されている充填剤、例えば窒化ホウ素を用いて十分な熱伝導性を達成するためには、バインダー中に高装入量の充填剤を採用することが必要である。例えば、全てShaffer他の米国特許第5,898,009号明細書、同第6,048,511号明細書、及び欧州特許第0 939 066号明細書（A1）を参照されたい。これらの明細書は、45容積%に近いソリッド六方晶系窒化ホウ素を達成する代わりの方法を記載している。
改善された熱伝導性充填剤材料、及びこのような材料を形成する方法が今なお必要である。具体的には、このような材料を経済的にそして大きな容積で製造することができると共に、最終生成物の特性をより良好に制御できるような方法が今なお必要である。加えて、制御された密度の粉末、例えば半導体分野のような用途における取り扱い及び配備のために十分な強度を維持する低密度及び中密度の粉末を含む、改善された窒化ホウ素粉末も依然として必要である。
熱伝導性用途のための充填剤材料として窒化ホウ素粉末を使用するだけでなく、摩擦低減用途のような他の最終用途における配備のために所望され目標とされる特性を有する窒化ホウ素粉末を生成することも、当業者に必要である。この点に関して、種々様々な物理的、熱的、電気的、機械的、及び化学的特性を有する窒化ホウ素粉末を、コスト効率の高い技術を用いて高い収率で生成するのに用いることができる極めてフレキシブルな製作方法が必要である。
本発明の１つの面によれば、窒化ホウ素凝集粉末は、タップ密度に対する凝集体破壊強さの比が約11 MPa・cc/g以上である。
本発明の別の面によれば、窒化ホウ素凝集粉末の、エンベロープ密度に対する凝集体破壊強さの比は、約6.5 MPa・cc/g以上である。
本発明の１つの面によれば、窒化ホウ素凝集粉末を形成する方法であって、窒化ホウ素凝集体を含有する供給原料粉末を利用する方法が提供される。供給原料粉末は一般に、粒子サイズ約5 μm以下の微細な結晶を有する。次いで、供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成する。
本発明の別の面によれば、アクティブな構成部分、基板、及びアクティブな構成部分と基板との間に設けられた熱界面材料を含むマイクロ電子デバイスが提供される。アクティブな構成部分は典型的には熱を発生させ、そして熱界面材料は、エンベロープ密度に対する破壊強さの比が約6.5 MPa・cc/g以上である凝集体を含む。
本発明の別の面によれば、複数の層を含むプリント基板であって、これらの層のうちの1つ以上の層は、エンベロープ密度に対する破壊強さの比が約6.5 MPa・cc/g以上である凝集体を含む、プリント基板が提供される。
本発明のさらに別の面によれば、複合構造構成部材であって、マトリックス相と、エンベロープ密度に対する破壊強さの比が約6.5 MPa・cc/g以上である凝集体とを含む複合構造構成部材が提供される。
本発明のもう１つの面によれば、凝集体を含有するバルク窒化ホウ素粉末を準備する、窒化ホウ素凝集粉末の形成方法が提供される。次いで、バルク粉末から窒化ホウ素凝集体の一部を取り出すことにより、供給原料粉末を形成し、そして供給原料粉末を加熱することにより、窒化ホウ素凝集粉末を形成する。
本発明のもう１つの態様によれば、乱層状窒化ホウ素を含有し、窒化ホウ素凝集体を含む供給原料粉末を準備する、窒化ホウ素凝集粉末の形成方法が提供される。次いで、供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成する。
本発明の１構成要件によれば、熱処理後の窒化ホウ素凝集粉末に、機械的撹拌作業、例えば破砕を施すことができる。このプロセスは、熱処理過程中に典型的に形成される弱い凝集体間結合を破断することにより、粒子サイズ分布が元の供給原料粉末の粒子サイズ分布と類似又は密に近似するようにするのに効果的である。典型的には、破砕後の熱処理済窒化ホウ素粉末の25重量%以上が、供給原料粉末の初期粒子サイズ範囲内にある。
添付の図面を参照することにより、本発明をよりよく理解することができ、その数多くの目的、特徴、及び利点が当業者にとって明らかになるであろう。なお、異なる図面において使用された同じ参照符号は、同様又は同一の部分を示す。
図１を参照すると、凝集窒化ホウ素粉末を形成するための一般的なプロセス・フローを示す。プロセス・フローは、窒化ホウ素ブリケット又はぺレットの準備から始まる。典型的には、窒化ホウ素ブリケット又はぺレットは、ブリケット又はぺレットの形で押し合わされた窒化ホウ素粉末から形成される。ブリケット又はぺレットのサイズは特に重要ではなく、その密度は、ブリケット又はぺレットを形成するためのプロセス(例えば、濾過ケーキ、ロール圧縮、ピル・プレス、アイソスタティック・プレス)に応じて幅広く変化することができる。本発明の実施態様は、比較的小さな、例えば数グラムのオーダーのブリケット又はぺレットを利用するが、より大きな、例えば100 kgのオーダーのより大きいブリケットを処理することもできる。
窒化ホウ素ブリケット又はぺレットの初期処理の目標は、本発明の実施態様に基づいて使用される供給原料粉末を提供することである。供給原料粉末は一般に、工程10において、窒化ホウ素ブリケット又はぺレットを最初に破砕することにより形成される。ブリケットの好適な破砕方法は、ジョー・クラッシュ及びロール・クラッシュを含む。ブリケット又はぺレットは破砕により、所望の凝集体サイズ又は直径を有する窒化ホウ素の凝集体になる。好ましくは、ブリケット又はぺレットは、約10ミクロン〜約1,000ミクロンの窒化ホウ素の凝集体に破砕される。ジョー・クラッシュ及びロール・クラッシュに加えて、バルク粉末をミル微粉砕することにより、より小さな粒子、例えば極めて微細な結晶、例えば10ミクロン未満のサイズの結晶から形成された粒子を形成することができる。
１実施態様の場合、ジョー・クラッシュ、ロール・クラッシュ及び/又はミル微粉砕の任意の組み合わせを利用してバルク粉末を形成するための破砕に続いて、バルク粉末を工程16で分級して、後の処理のために所望の供給原料粉末を形成する。目標粒子サイズよりも大きな粗凝集体は、目標サイズ分布内になるまで再破砕して分級する。しかし、バルク粉末を工程12でプレスすることが一般にはより典型的である。典型的にはプラスを冷間プレス又はアイソスタティック・プレスの形態で実施することにより、結晶特性及びB2O3含量特性を有する新しいログ、ブリケット又はぺレットを中間工程で形成する。プレス後、新しいログ、ブリケット又はぺレットを工程14で破砕する。プレス工程12及び破砕工程14を任意の回数繰り返すことにより、得られた供給原料粉末結晶サイズ、粒子サイズ、粒子サイズの分布、及びB2O3含量を改変することができる。
工程16で分級される供給原料粉末並びにバルク粉末は、凝集体を含有する。本明細書中で使用される凝集体は、結合することにより個々に識別可能な粒子を形成する窒化ホウ素結晶集合体である。このような凝集体は、典型的には結晶から形成されるが、凝集体は、不純な又は乱層状の窒化ホウ素の場合のように、部分的又は完全にガラス状であってもよい。
本発明の１実施態様によれば、凝集されていない窒化ホウ素粒子(例えば、小板又は結晶ドメイン)、並びに所望の供給原料粉末粒子サイズ分布には含まれない凝集体が、粉末から除去される。このような非凝集型窒化ホウ素粒子のサイズは典型的には、10ミクロン未満である。好ましくは、非凝集型窒化ホウ素粒子は、約5%未満まで、より好ましくは約1%未満まで、例えば約0.1%未満まで除去される。非凝集型粒子の好ましい除去技術は、スクリーニング、空気分級、及び水簸を含む(Chem. Eng. Handbook, Perry & Chilton、第5版、McGraw-Hill(1973)参照、なお、この全体を参考のため本明細書中に引用する)。このような除去法は当業者に知られているので、ここでは手短かに論じるに留める。
典型的には、分級はスクリーニングによって行われる。スクリーニングは、種々のサイズの粒子/凝集体の混合物をスクリーン表面によって、2つ又は3つ以上の部分に分離することである。スクリーン表面は小さめの粒子/凝集体が貫流する開口を有する一方、大きめの粒子/凝集体は上面に留まる。このプロセスを、スクリーニング開口を変えることによって、粗い粒子/凝集体サイズ及び細かい粒子/凝集体サイズの両方の流れに対して必要な回数だけ繰り返し、これにより粒子/凝集体を所望の粒子/凝集体サイズ範囲に分級することができる。
図１に示されたプロセス・フローの１つの特徴によれば、破砕及び分級後、並びに任意のプレス作業及び破砕作業、すなわち工程12及び14によって、望ましい特性を有する供給原料粉末が提供される。供給原料粉末は、バルク窒化ホウ素凝集体粉末から取られた又は取り出された特定の予め決められた粒子サイズ範囲内の凝集体から形成される。この場合、個々の凝集体は、結晶ドメインとしても知られる微細な結晶から構成されている。これらの結晶は、凝集体内結合を介して結合され、個別にSEM分析によって識別可能である。一般に、結晶の結晶平均サイズは、約5ミクロン以下であることが望ましい。より好ましくは結晶平均サイズは、約4ミクロン以下であり、より好ましくは約2ミクロン以下である。
供給原料粉末を形成するための前記初期処理を、窒化ホウ素ブリケットとの関連において説明しているが、言うまでもなく、供給原料粉末は、異なる処理技術、例えば窒素の存在における酸化ホウ素の炭素熱還元、ホウ素酸化物を窒化ホウ素に還元するための、強還元性窒素化合物源として作用するメラミン化合物の反応、及びアンモニアによるホウ素酸化物の直接的な窒化を利用して、調製することもできる。或いは、三塩化ホウ素及びアンモニアのような試薬を熱分解法において反応させることにより、高純度の窒化ホウ素を形成することもできる。この技術は、純度が処理量全体にわたって強調される場合に、高純度の窒化ホウ素粉末を形成するのに特に有用である。
供給原料粉末及び処理工程の作業に関しては、極めて微細な結晶サイズを有する供給原料粉末の準備に焦点を当てて説明しているが、供給原料粉末は完全又は部分的に乱層状であってもよい。例えば、１実施態様は、10重量%以上の乱層含有率、例えば20、30又は40%以上の乱層を有していてよい。或る特定の実施態様では、大部分が乱層状であってよい。この点において、このような乱層状窒化ホウ素粉末の結晶化指数は0.12未満である。乱層状窒化ホウ素の特性及び結晶構造のより詳細な説明に関しては、Hagio他「Microstructural Development with Crystallization of Hexagonal Boron Nitride」J. Mat. Sci. Lett. 16:795-798(1997)を参照されたい。なお、この文献全体を参考のため本明細書中に引用する。
典型的には、供給原料粉末、ブリケット、ログ又はぺレット(全て圧縮体と呼ぶ)の密度は、約0.3〜約2.0 g/ccの範囲にある。この点において、供給原料粉末の圧縮密度は、ブリケット又はログ又はぺレットから、それぞれの辺の寸法が既知の立方体を切り取って計量することにより、測定することができる。供給原料粉末を特徴付けする別の方法は、更なる処理のために初期タップ密度を測定することである。本発明のいくつかの実施態様によれば、初期タップ密度は、約0.2〜約1.0 g/ccの範囲にある。
プレス工程12を再び参照すると、典型的には、プレスは当業者によく知られているようなアイソスタティック・プレスによって行われる。処理圧は典型的には、5,000 psiを上回り、より典型的には約10,000 psiを上回り、好ましくは15,000 psi又は20,000 psiを上回る。第2の破砕工程14及び後続の分級工程16に続いて、一般に、供給原料粉末の所望の粒子サイズ範囲外にある粒子が存在する。例えば、目標粒子分布よりも大きい粗い凝集体を、目標サイズ範囲内に入るまで再破砕して分級することができるのに対して、最小凝集体サイズを下回るより小さな凝集体及び非凝集型粒子を、供給原料粉末から退けることができる。後者の場合、退けられた粉末は、再循環することができる。この再循環は典型的には、再循環された粉末に工程12で再びプレスを施し、続いて、図１に示されるように工程14でこれを破砕することにより、行われる。再循環されたこのような粉末は一般に、工程10における破砕に従って形成された到来する未使用粉末と混合される。或いは、プレス工程12は、一軸プレス(ピル・プレス又はタブレット成形)ロールによる圧縮又はブリケット形成によって達成することもできる。加えられる圧力は、前述のように、圧縮されたボディの所望の密度を得るのに十分な圧力である。或いは、圧縮粉は、湿式法によって形成することができ、窒化ホウ素のスラリーが噴霧乾燥又は濾過されて、圧縮体を形成することができる。
凝集された供給原料粉末の粒子サイズ範囲は、最終粉末生成物における所望の最終特性に応じて相当変化することがあるが、典型的には、供給原料粉末の粒子サイズ範囲は、約20〜約1,000ミクロン、典型的には約40〜500ミクロンの範囲にある。最終生成物の密な粒子サイズコントロールのためには、前記広い範囲内のより狭い粒子サイズ範囲が処理されるのが典型的である。本明細書中で用いられる粒子サイズ範囲は典型的には、上記スクリーニング技術によって見極められる。この点において、スクリーニングは理想的な方法ではなく、このようなものとして、特定の比率の不所望な粒子サイズが存在することがあり、最も典型的には、微粉が底部スクリーン上の生成物内に捕らえられ、これにより、粒子サイズ範囲を、特定されたものよりも僅かに微細なサイズにシフトすることがある。
図１に示すように、分級に続いて、供給原料粉末に工程18で焼結作業を施す。この場合、焼結は、何らかの種類のバルク形態、例えばブリック、ペレット又はログの形態ではなく、粉末形態の窒化ホウ素凝集体に対してもたらされる。この焼結作業中、凝集体は、弱い凝集体間結合(ネッキング)を介して結合するのが典型的である。従って、熱処理済又は焼結済の粉末に、工程20で破砕作業を施すことが一般に望ましい。工程10との関連において上述したように、工程20における破砕作業は、ジョー破砕及び粗ロール破砕を含む種々の技術によって実施することができるが、元の供給原料粉末の初期粒子サイズ(凝集体)にできるだけ近い状態で保つために、工程20でミル微粉砕は実施されないのが典型的である。
典型的には、工程18における焼結作業は、結晶成長及び非晶質相(乱層)の結晶化を容易にする温度で行われ、これにより、熱処理済生成物中に概ね六方結晶構造を形成する。この点に関して、焼結温度は典型的には約1,400℃よりも高く、例えば約1,600〜2,400℃の範囲にある。焼結温度は、1,800℃〜2,300℃であり、具体的な焼結温度は、約1,850℃〜約1,900℃である。典型的には、焼結中の環境は不活性であることにより、窒化ホウ素供給原料粉末との望ましくない反応を最小化又は防止する。この点に関して、焼結炉は典型的には、例えば約1 atm未満の圧力で排気(真空)されている。焼結環境内に存在するガスは、典型的には不活性であり、例えばアルゴン又は窒素(N2)である。典型的な熱処理調製時間は、炉の構成及び加熱速度に応じて、約0.25〜12時間の範囲内である。
焼結作業の結果として、供給原料粉末の密度は、他のタイプのセラミック材料による焼結作業とは異なり、一般に低減される。「焼結」中の密度の低減の1つの説明となるのは、気相輸送のような非緻密化拡散プロセスによって、隣接する粒子間にネック形成が発生することである(Modern Ceramic Engineering, D.W. Richerson第7章、1982年参照)。0.1 g/cc以上、例えば0.2 g/ccのオーダーの密度の低減が見られるのが典型的である。熱処理済粉末の具体的な例は、工程20における破砕及び工程22における分級に続いて、約0.2 g/cc〜約1.0 g/ccのオーダーのタップ密度を示した。この点に関して、工程22における分級は、工程16における分級との関連において上述した技術のうちのいずれか1つによって実施される。
本発明の１実施態様によれば、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末(破砕後)の25重量%以上が供給原料粉末の初期粒子サイズ範囲内にある。一般に、熱処理済窒化ホウ素凝集粉末(破砕後)の平均粒子サイズは、20ミクロン以上であり、粒子サイズ範囲は約40ミクロン〜約500ミクロンである。この点に関して、最終粉末生成物の粒子サイズ分布が元の供給原料粉末の粒子サイズ分布に近似することが、一般には望ましい。このような特徴は、熱処理され、破砕され、そして分級された最終窒化ホウ素凝集粉末の収量を、これが従来の処理技術、例えばぺレット、ブリック、ログ又はブリケット形態の窒化ホウ素の熱処理に依存する技術を上回るように改善するのに効果的である。
熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末は、典型的には六方晶構造を有する。六方晶系窒化ホウ素は、板状六方晶構造(黒鉛の構造と類似する)を有する不活性の滑らかなセラミック材料である(「h-BN」)。h-BN粒子の六角形を示す図２を参照することにより、h-BN粒子のよく知られた異方性を容易に理解することができる。小板状h-BN粒子の直径は、図２において符号Dによって示された寸法であり、そしてa-方向と呼ばれる。BNはa-方向の平面内で共有結合されている。粒子の厚さはLcとして示された寸法であり、Lcは直径に対して垂直であり、そしてc-方向と呼ばれる。積み重ねられた(すなわちc方向で)BN六角形は、比較的弱いファン・デル・ワールス力によって一緒に保持される。
熱処理され、破砕され、そして分級された最終凝集窒化ホウ素粉末は、高次六方晶構造から不規則六方晶構造までの、六角形の結晶構造を有することができる。このような粉末は典型的には、0.12以上のオーダーの結晶化指数を有している(Hubacek「Hypothetical Model of Turbostratic Layered Boron Nitride」J. Cer. Soc. of Japan, 104:695-98(1996)参照、なお、この文献全体を参考のため本明細書中に引用する)。
加えて、焼結作業は、不純物及び表面酸化汚染物を揮発させるのに効果的である。その結果生じた、破砕前の生成物は、弱く凝集された凝集体の「ケーク(cake)」である。これらの凝集体は、供給原料粉末の初期粒子サイズ分布に似た粒子サイズ分布まで容易に分解される。
ここで、図１において工程12と16との間、及び工程20と22との間に、再循環ステップが示されているが、再循環ステップは、図１に示された基礎フローの種々のプロセス工程間で採用することができることに留意されたい。
最終の凝集済の窒化ホウ素生成物は、典型的には、特にそのエンベロープ密度(実際の凝集体密度)及び/又は粉末タップ密度(粉末の嵩密度)に関して、比較的高い破壊強さを有する。例えば、１実施態様の場合、タップ密度に対する破壊強さの比は、約11 MPa・cc/g以上、例えば約12 MPa・cc/g以上、約13 MPa・cc/g以上、さらには約14 MPa・cc/g以上である。エンベロープ密度に関しては、このような比は、典型的には6.5 MPa・cc/g以上、例えば6.7 MPa・cc/g以上、又は6.9 MPa・cc/g以上である。
粉末粒子サイズの特徴に関しては、粉末の平均凝集体サイズは、約20〜500 μm、例えば約40〜200 μmの範囲にあってよい。これに関して、或る特定の実施態様の場合、粉末の60 %以上が粒子分布範囲約40〜200 μm、又は80 %以上が粒子分布範囲約40〜150 μmの中に含まれてよい。
本発明の実施態様によれば、上記の特徴を有する粉末を準備することができる。しかし、他の実施態様においても、種々の用途でこの粉末を使用する。例えば、図４を参照すると、プリント基板200が、層スタック204を形成する複数の層206〜218を含んだ状態で提供される。図示のように、互いに対向する主面のうちの一方が、他の電子素子との電気的な相互接続のための複数のハンダ・バンプを含む。図示はしていないが、プリント基板の反対側の主面は、電気的な信号をルーティングするためにその面に沿った電気的なトレースを有することができる。図４に示す実施態様によれば、複数の層206〜218のいずれか1つは、上述のような凝集体を含んでよい。典型的には、凝集体の装入比は、凝集体が相互接続型網状構造を提供し、効率的な熱伝達のために一般に互いに接触するのに十分な比である。凝集体のこの相互接続型網状構造は、ここでは浸透型構造と呼ばれ、一般に骨格構造を形成することができ、そしてマトリックス相を通って広がることができる、そしてこのマトリックス相内に埋め込まれる。典型的には、マトリックス相は、有機ポリマーを含むポリマーから形成される。或る特定の実施態様の場合、処理の容易さのために熱可塑性ポリマーを利用することが望ましい。本発明の実施態様による凝集体を組み込んだ層は、要求の厳しい電子用途のためのプリント基板の熱伝達を有利に改善する。
図５を参照すると、マイクロ電子デバイスを含む本発明の別の実施態様が示されている。この特定の実施態様の場合、マイクロ電子デバイス300は、パッケージングされた状態の半導体ダイ302、つまり、他のマイクロ電子デバイスとの電気的な相互接続のために提供された、支持基板304に結合されたフリップ・チップを含む。マイクロ電子デバイス300は、熱伝達フィルム310を含む。熱伝達フィルムは、マトリックス相、典型的には樹脂のようなポリマー内に設けられた、上述した凝集体を含む。プリント基板との関連において上述したように、凝集体は、集積回路302と支持基板304との間の熱伝達を改善するための相互接続型網状構造体又は浸透型構造体を形成する。当業者には概ね理解されるように、集積回路と基板との電気的な相互接続は、ハンダ・バンプ306が組み込まれていることによって達成される。ハンダ・バンプ306は、半導体ダイ上のそれぞれのパッドに結合され、また、ハンダ材料のリフローによって基板コンタクトに結合されている。
本発明のさらに別の特徴によれば、上述のマトリックス相と凝集体とを含む複合構造構成部材が提供される。複合構造構成部材は、種々の構造形態を成すことができ、そして具体的な実施態様において、マイクロ電子デバイスの一体的な構成部材、例えばハードディスク・ドライブを形成する。ハードディスク・ドライブの特定の事例において、構成部材は、アクチュエーター・アームであってよい。
さもなければ、構造構成部材は、図６に全体的に示されたコンピュータ・ケースを提供することができる。図６は、2つの半部204及び404を有するケースを備えたノートブック型コンピュータ400を示す。ケース部分402は全体的に、コンピュータのLCDスクリーンのための構造支持体と、LCDスクリーンの背面とを画定するのに対して、ケース部分404はラップトップ型コンピュータ400の鋭敏なマイクロ電子構成部分を封入して保護し、そして底面406を含む。ケースは、本発明の実施態様によるマトリックス相及び凝集体を含む複合材料から成っているのが望ましい。マトリックス相は、構造的に堅固なポリマー材料、例えば熱可塑性ポリマーであってよい。ラップトップが図６に示されているが、言うまでもなく、ケースは、デスクトップ・コンピュータ並びにサーバー及びその他のコンピュータ・デバイスに適するように構成することもできる。
さらに、マイクロ電子デバイスのための種々のタイプのシェル又はケースの中で、構造構成部材は電話器ケーシングを成して、電話送受器、例えば携帯電話器の外側の構造表面を規定することができる。
以下に記載するものは、好適な複合構造構成部材の包括的なリストではなく、マイクロ電子用途を含む種々の用途のために、無数の幾何学的形態を提供することができる。例えば構造構成部材は、米国特許第6,585,039号明細書に一般的に記載されているようなヒート・パイプの形態、米国特許第6,300,607号明細書及び同第6,124,579号明細書に記載されているような複合ヒーターの形態、米国特許第5,984,055号明細書に記載されているようなブレーキ・パッド構造の形態、又は米国特許第6,251,513号明細書に記載されているような種々の過電圧部分の形態を成すことができる。
下記の実施例では、スクリーニング・パラメーターを参照する。スクリーニング・パラメーターは、特に断りのない限り、引張り篩絹(TBC)規格に基づいている。解釈しやすさを目的として、TBCメッシュ・サイズと、ＵＳ篩(U.S. Sieve)と、ミクロンと、ミルとの間で換算するために下記に表１を示す。
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実施例１。
粒子サイズが約5 μm以下の微細な結晶からなる、ほぼ50 lbsの供給原料窒化ホウ素粉末を、アイソスタティック・プレスを用いて20ksiで圧縮した。次いで、得られた材料を、ジョー・クラッシャーを使用し、次いでロール型クラッシャーを使用して破砕した。次いで、得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体は、この実施例の目的上、150ミクロンを上回り、細かい凝集体は、40ミクロンを下回った。スクリーニングは、120及び200 TBC(Tensile Bolting Cloth:引張り篩絹)スクリーンを備えたスクリーナーを利用して行った。得られた、60%が74ミクロンを上回る8 lbsの材料を、ほぼ1900℃で12時間にわたって熱処理することにより、高純度の窒化ホウ素ケークを生成した。その後、ジョー・クラッシャー、次いでロール型クラッシャーを使用して、このケークを粉砕した。次いで、その結果得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体は、この実施例の目的上、150ミクロンを上回り、細かい凝集体は、150ミクロンを下回った。サイズが150ミクロンを上回る凝集体を、目標凝集体サイズ範囲内、すなわちこの実施例では150ミクロン未満になるまで再破砕した。得られた2 lbsのスクリーニング済材料は、95%が150ミクロンと74ミクロンとの間にあり、そのタップ密度はほぼ0.50 g/ccであった。選択された直径125ミクロンの粒子の強度は、8.2 MPaであった。
実施例２。
粒子サイズが約5 μm以下の微細な結晶からなる、ほぼ50 lbsの供給原料窒化ホウ素粉末を、ジョー・クラッシャーを使用し、次いでロール型クラッシャーを使用して破砕した。次いで、得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体は、この実施例の目的上、150ミクロンを上回り、細かい凝集体は、40ミクロンを下回った。スクリーニングは、120及び200 TBC(Tensile Bolting Cloth:引張り篩絹)スクリーンを備えたスクリーナーを利用して行った。得られた、60%が74ミクロンを上回る5 lbsの材料を、ほぼ1900℃で12時間にわたって熱処理することにより、高純度の窒化ホウ素ケークを生成した。その後、ジョー・クラッシャー、次いでロール型クラッシャーを使用して、このケークを粉砕した。次いで、得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体は、この実施例の目的上、150ミクロンを上回り、細かい凝集体は、150ミクロンを下回った。サイズが150ミクロンを上回る凝集体を、目標凝集体サイズ範囲内、すなわちこの実施例では150ミクロン未満になるまで再破砕した。得られた2 lbsのスクリーニング済材料は、95%が150ミクロンと74ミクロンとの間にあり、そのタップ密度はほぼ0.35 g/ccであった。選択された直径125ミクロンの粒子の強度は、4.5 MPaであった。
実施例３。
粒子サイズが約5 μm以下の微細な結晶からなる、ほぼ100 lbsの供給原料窒化ホウ素粉末を、アイソスタティック・プレスを用いて20ksiで圧縮した。次いで、得られた材料を、ジョー・クラッシャーを使用し、次いでロール型クラッシャーを使用して破砕した。次いで、得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体はこの実施例の目的上、200ミクロンを上回り、細かい凝集体は、40ミクロンを下回った。サイズが200ミクロンを上回る凝集体を、目標凝集体サイズ範囲内、すなわちこの実施例では200ミクロン未満になるまで再破砕した。破砕中に生成された、典型的にはサイズが10ミクロン未満の細かい凝集体及びクリスタライトを、空気分級により、より大きい凝集体から分離した。得られた18 lbsの粗生成物を、88及び120 TBC(Tensile Bolting Cloth:引張り篩絹)スクリーン(Kason Corporation, Millburn, N.J.)を備えたスクリーナーを利用してスクリーニングした。得られた、60%が150ミクロンを上回る3 lbsの材料を、ほぼ1900℃で12時間にわたって熱処理することにより、高純度の窒化ホウ素ケークを生成した。その後、ジョー・クラッシャー、次いでロール型クラッシャーを使用して、このケークを粉砕した。次いで、得られた粉末をスクリーニングすることにより、細かい凝集体と粗い凝集体とを分離した。粗い凝集体は、この実施例の目的上、200ミクロンを上回り、細かい凝集体は、200ミクロンを下回った。得られた2 lbsのスクリーニング済材料は、95%が200ミクロンと74ミクロンとの間にあり、そのタップ密度はほぼ0.50 g/ccであった。選択された直径150ミクロンの粒子の強度は、7.5 MPaであった。
上記プロセス・フローに従って、実施例５〜７として、下記の表２に示されるタップ密度の範囲を有する付加的な試料を調製した。加えて、比較例１、２及び３を、比較試験のために調製した。比較例は、上記実施例１〜３と同様に調製したが、著しい違いは、本発明の実施態様との関連において上述したような、凝集された粉末形態ではなく、ログ又はブリケット形態で材料を熱処理することに基づいて比較例が形成されたことである。図３に示された試験装置を利用することにより、全ての試料に凝集体強さ試験を施した。この装置は、可動段110を備えた小さな加重フレーム100からなっている。段の運動を、ｘ、ｙ及びｚ方向で行い、ステッピング・モーターによって制御した(Newport PM 500 Precision Motion Controller)。ｚ-運動を2 μm/sに設定した。4.9 N(500g)加重セル102を使用し、そして試料を、高研磨された平行なSiCアンビル104, 106上に置いた。段の運動を、Lab Viewによって制御した。分解能0.1 μm及び0.01 Nをもたらす20データポイント/sのサンプリング速度で、データ収集を実施した。
試料バッチから同様のサイズの凝集体を手で摘むことにより、試験のための試料を調製し、そして、単一の凝集体の破壊強さを試験した。不規則な形状が球体と立方体との間のどこかにあると想定して、各凝集体の有効引張り強さを計算したところ、次式の値が得られた。
Figure 0004662933
上式において、Ｐは破壊加重であり、そしてａは凝集体の直径(サイズ)である。
タップ密度は、ASTM B527-70に従って測定された。
40 Kpsiの圧力下でＨｇ液を浸透させることにより、Ｈｇポロシメトリーによって、エンベロープ密度を測定した。エンベロープ密度は、バルク密度測定であるタップ密度とは異なり、試料の凝集体の平均密度を表す。
Figure 0004662933
前述の比較的高い強度に従って、制御された密度の粉末が提供され、そして具体的には、熱伝導用途に特に適した高強度で低密度及び中密度の粉末が提供される。加えて、粉末は熱的及び構造的に、概ね等方性の挙動を有することができる。本発明のさらに別の実施態様はまた、凝集された窒化ホウ素粉末を形成する処理技術を提供する。このような処理技術は極めてフレキシブルであり、そして収率を改善するのに効果的であり、従ってコスト効率が高い。本発明の実施態様による粉末は特に熱伝導用途、例えば半導体技術において使用することができるが、これらの処理技術はフレキシブルであり、他の用途のために窒化ホウ素粉末を形成することができる。
本発明の１態様による窒化ホウ素凝集粉末を形成するための具体的なプロセス・フローを示すフロー・チャートである。 六方晶窒化ホウ素の理想的な結晶構造を示す摸式図である。 本発明の態様を特徴付けするために使用された試験装置を示す模式図である。 本発明の1態様によるプリント配線基板を示す断面図である。 熱伝達フィルムの使用により基板に結合された集積回路を含むマイクロ電子デバイスを示す断面図である。 本発明の1態様によるケースを組み込んだラップトップ型コンピュータを示す斜視図である。

Claims (19)

  1. タップ密度に対する凝集体破壊強さの比が11 MPa・cc/g以上であることを特徴とする窒化ホウ素凝集粉末。
  2. 前記の比が12 MPa・cc/g以上であることを特徴とする請求項1に記載の粉末。
  3. 該粉末の平均凝集体サイズが20〜1000 μmの範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の粉末。
  4. 該粉末の60重量%以上が40〜200 μmの粒子分布範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の粉末。
  5. エンベロープ密度に対する破壊強さの比が6.5 MPa・cc/g以上であることを特徴とする窒化ホウ素凝集粉末。
  6. 窒化ホウ素凝集粉末を形成する方法であって、
    窒化ホウ素凝集体を含み、かつ該凝集体が粒子サイズ5 μm以下の微細な結晶を含む供給原料粉末を準備し；そして、
    該供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成すること
    を含むことを特徴とする窒化ホウ素凝集粉末を形成する方法。
  7. 該供給原料粉末の平均結晶サイズが5 μm以下であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
  8. 該熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末に破砕作業を施すことをさらに含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の方法。
  9. 該供給原料粉末が初期粒子サイズ範囲を有しており、そして、破砕後の該熱処理済窒化ホウ素粉末の25重量%以上が、初期粒子サイズ範囲内にあることを特徴とする請求項８に記載の方法。
  10. 破砕作業後、該熱処理済窒化ホウ素粉末が、粒子サイズによって分級されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
  11. 分級後、該熱処理済窒化ホウ素粉末の平均粒子サイズが、20 μm以上であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  12. 該熱処理済窒化ホウ素粉末が、六方晶構造を有していることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 該供給原料粉末が乱層状結晶構造を含むことを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. 粒子サイズによってバルク窒化ホウ素凝集粉末を分級する工程をさらに含み、該供給原料粉末が、所望の粒子サイズ範囲を有する該バルク窒化ホウ素凝集粉末の一部であることを特徴とする請求項６〜１３のいずれか１項に記載の方法。
  15. 該所望の粒子サイズ範囲内に含まれる該供給原料粉末が、該バルク窒化ホウ素凝集粉末の全体よりも少なく、そして該バルク窒化ホウ素凝集粉末の残りが再循環されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  16. 該供給原料粉末を、
    ソリッドな窒化ホウ素体を破砕することにより、バルク窒化ホウ素凝集粉末を形成し；そして
    所望の粒子サイズ範囲の該バルク窒化ホウ素凝集粉末を取り出すことにより、該供給原料粉末を形成すること
    によって形成することを特徴とする請求項６〜１５のいずれか１項に記載の方法。
  17. 該熱処理工程が、1400℃以上の温度で行われることを特徴とする請求項６〜１６のいずれか１項に記載の方法。
  18. 窒化ホウ素凝集粉末の形成方法であって、
    窒化ホウ素凝集体を含有するバルク窒化ホウ素粉末を準備し；
    該窒化ホウ素凝集体の一部を取り出すことにより、窒化ホウ素凝集体を含む供給原料粉末を形成し；そして
    該供給原料粉末を熱処理することにより、熱処理済の窒化ホウ素凝集粉末を形成すること
    を含むことを特徴とする窒化ホウ素凝集粉末の形成方法。
  19. 取り出された前記一部が、所望の粒子サイズ範囲に相当することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7976941B2 (en) * 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
US7445797B2 (en) 2005-03-14 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and polymer-based compositions made therewith
US6713088B2 (en) * 1999-08-31 2004-03-30 General Electric Company Low viscosity filler composition of boron nitride particles of spherical geometry and process
US6645612B2 (en) 2001-08-07 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them
TWI251722B (en) * 2002-09-20 2006-03-21 Asml Netherlands Bv Device inspection
US7494635B2 (en) * 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
US20050286234A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 International Business Machines Corporation Thermally conductive composite interface and methods of fabrication thereof for an electronic assembly
US7524560B2 (en) * 2005-08-19 2009-04-28 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith
US20070205706A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
JP5081488B2 (ja) * 2006-04-20 2012-11-28 Ｊｆｅスチール株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末
WO2007142273A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 International Business Machines Corporation 高熱伝導で柔軟なシート
US7527859B2 (en) 2006-10-08 2009-05-05 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith
JP5506170B2 (ja) * 2008-08-08 2014-05-28 パナソニック株式会社 実装構造体および電子機器
JP5038257B2 (ja) * 2008-08-22 2012-10-03 株式会社カネカ 六方晶窒化ホウ素及びその製造方法
KR101043546B1 (ko) 2009-04-06 2011-06-21 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 이의 제조 방법
CN102574684B (zh) 2009-10-09 2015-04-29 水岛合金铁株式会社 六方氮化硼粉末及其制备方法
DE102010050900A1 (de) * 2010-11-10 2012-05-10 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Bornitrid-Agglomerate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
EP2714312B1 (en) * 2011-05-27 2019-11-27 Nanomech Inc. Coating layer with microstructure serrated edge
EP2771395B8 (en) 2011-10-27 2017-10-18 Garmor Inc. Method of making high-strength graphene nanocomposites and nanocomposite obtained therefrom.
CN105947997B (zh) 2011-11-29 2018-12-21 三菱化学株式会社 氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路
DE102012104049A1 (de) 2012-05-09 2013-11-28 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Bornitrid-Agglomerate, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
CN103569976B (zh) * 2012-08-03 2016-09-14 燕山大学 超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其合成方法
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US8946333B2 (en) 2012-09-19 2015-02-03 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US20140077125A1 (en) 2012-09-19 2014-03-20 Kang Yi Lin Composition comprising exfoliated boron nitride and method for forming such compositions
US20150274930A1 (en) 2012-09-19 2015-10-01 Momentive Performance Materials Inc. Masterbatch comprising boron nitride, composite powders thereof, and compositions and articles comprising such materials
KR102187240B1 (ko) 2013-03-07 2020-12-04 덴카 주식회사 질화 붕소 분말 및 이를 함유하는 수지 조성물
EP2964574B1 (en) 2013-03-08 2023-07-12 University of Central Florida Research Foundation, Inc. Large scale oxidized graphene production for industrial applications
CA2904059C (en) 2013-03-08 2019-06-11 Garmor Inc. Graphene entrainment in a host
EP3254821A3 (de) 2013-10-14 2018-05-23 3M Innovative Properties Company Durch thermoplastische verarbeitung von polymer-bornitrid-compounds hergestellte bauteile, polymer-bornitrid-compounds zur herstellung solcher bauteile, verfahren zur herstellung solcher bauteile sowie deren verwendung
KR102318231B1 (ko) 2015-01-29 2021-10-27 엘지이노텍 주식회사 무기충전재, 이를 포함하는 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 방열 기판
KR101980519B1 (ko) * 2015-03-13 2019-05-22 유니버시티 오브 센트럴 플로리다 리서치 파운데이션, 인코포레이티드 호스트 중 그래핀 나노입자의 균일한 분산
KR101979575B1 (ko) 2015-04-13 2019-05-17 갈모어 인코포레이티드 콘크리트 또는 아스팔트와 같은 호스트 중의 그래파이트 옥사이드 강화된 섬유
US11482348B2 (en) 2015-06-09 2022-10-25 Asbury Graphite Of North Carolina, Inc. Graphite oxide and polyacrylonitrile based composite
FR3037579B1 (fr) * 2015-06-17 2017-06-16 Saint-Gobain Centre De Rech Et D'Etudes Europeen Poudre d'agregats a base de nitrure de bore
EP3115404B1 (de) 2015-07-08 2018-01-31 Covestro Deutschland AG Bornitrid-hybridmaterial-haltige thermoplastische zusammensetzung
EP3115405B1 (de) 2015-07-08 2017-12-27 Covestro Deutschland AG Bornitrid-haltige thermoplastische zusammensetzung
EP3127973B1 (en) * 2015-08-07 2019-04-03 3M Innovative Properties Company Thermally conductive pressure sensitive adhesive
EP4234204A3 (en) 2015-09-21 2024-01-03 Asbury Graphite of North Carolina, Inc. Low-cost, high-performance composite bipolar plate
WO2017071886A1 (en) 2015-10-27 2017-05-04 Unilever N.V. Skin care composition comprising turbostratic boron nitride
JP2019500221A (ja) 2015-12-29 2019-01-10 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド 金属処理のための窒化ホウ素コーティングおよびその使用方法
JP6682644B2 (ja) 2016-10-07 2020-04-15 デンカ株式会社 窒化ホウ素塊状粒子、その製造方法及びそれを用いた熱伝導樹脂組成物
WO2018081413A1 (en) 2016-10-26 2018-05-03 Garmor Inc. Additive coated particles for low high performance materials
WO2018093987A1 (en) 2016-11-16 2018-05-24 Rogers Corporation Method for the manufacture of thermally conductive composite materials and articles comprising the same
US11407638B2 (en) 2016-12-26 2022-08-09 Tokuyama Corporation Hexagonal boron nitride powder and production process therefor
TW201829354A (zh) * 2017-02-10 2018-08-16 美商聖高拜陶器塑膠公司 三氧化二硼含量可控的氮化硼
US10834854B2 (en) 2017-02-28 2020-11-10 Northeastern University Methods for the manufacture of thermal interfaces, thermal interfaces, and articles comprising the same
US10121723B1 (en) * 2017-04-13 2018-11-06 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
US10457001B2 (en) 2017-04-13 2019-10-29 Infineon Technologies Ag Method for forming a matrix composite layer and workpiece with a matrix composite layer
JP6698953B2 (ja) 2017-10-13 2020-05-27 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末、その製造方法及びそれを用いた放熱部材
EP3498667A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-19 3M Innovative Properties Company Powder composition comprising first and second agglomerates of inorganic particles and polymer composition comprising a polymer and the powder composition
EP3502306B1 (de) 2017-12-19 2022-03-02 Covestro Deutschland AG Mehrschichtkörper, umfassend eine substratschicht enthaltend polycarbonat, talk und wachs
EP3728468B1 (de) 2017-12-20 2021-09-01 Covestro Deutschland AG Polycarbonat-zusammensetzung mit guter flammwidrigkeit
CN112334408B (zh) 2018-06-29 2023-10-10 电化株式会社 块状氮化硼粒子、氮化硼粉末、氮化硼粉末的制造方法、树脂组合物、及散热构件
GB2589800B (en) 2018-10-02 2022-10-26 Rogers Corp Printed circuit board substrate comprising a coated boron nitride
CN113631506A (zh) 2019-03-27 2021-11-09 电化株式会社 块状氮化硼粒子、导热树脂组合物和散热构件
JP7101871B2 (ja) 2019-03-27 2022-07-15 デンカ株式会社 塊状窒化ホウ素粒子、熱伝導樹脂組成物及び放熱部材
US11791061B2 (en) 2019-09-12 2023-10-17 Asbury Graphite North Carolina, Inc. Conductive high strength extrudable ultra high molecular weight polymer graphene oxide composite
KR20220124724A (ko) 2020-01-08 2022-09-14 로저스코포레이션 높은 열전도도의 층상 상 변화 복합재
EP4105253A1 (de) 2021-06-17 2022-12-21 Covestro Deutschland AG Thermoplastische formmasse mit verbesserter thermischer und elektrischer leitfähigkeit
CN114420453B (zh) * 2022-01-14 2024-03-19 东佳电子（郴州）有限公司 一种可快速疏散热量的铝电解电容器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10194711A (ja) * 1997-01-13 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末及びその製造方法
JPH1160215A (ja) * 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末造粒物及びその製造方法並びに等方性窒化ホウ素成形体の製造方法
US5898009A (en) * 1996-03-19 1999-04-27 Advanced Ceramics Corporation High density agglomerated boron nitride particles
JPH11277515A (ja) * 1998-02-27 1999-10-12 Advanced Ceramics Corp 高密度窒化ホウ素および高密度凝集窒化ホウ素粒子の製造法
JP2000034107A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂添加用窒化硼素とそれを用いた樹脂組成物、放熱部品

Family Cites Families (190)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB870084A (en) 1958-03-24 1961-06-14 United States Borax Chem Method of manufacturing boron nitride
US2991508A (en) 1959-09-23 1961-07-11 Du Pont Fabrication of thermoplastic resins
US3125547A (en) 1961-02-09 1964-03-17 Extrudable composition consisting of
US3351690A (en) * 1962-04-18 1967-11-07 Gen Electric Heat treating pyrolytic graphite and boron nitride bodies with simultaneous application of multiaxial tension
CH494187A (de) 1966-03-09 1970-07-31 Lonza Werke Gmbh Verfahren zur Herstellung von Bornitrid
US3617358A (en) 1967-09-29 1971-11-02 Metco Inc Flame spray powder and process
US4097293A (en) 1969-04-30 1978-06-27 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials
US3720740A (en) 1970-06-24 1973-03-13 Hitachi Ltd Low pressure sintering of boron nitride using low thermal expansion static sintering molds
US3954483A (en) 1974-01-08 1976-05-04 General Electric Company Dense polycrystalline silicon carbide
SU514796A1 (ru) 1974-07-05 1976-05-25 Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Укр. Сср Спеченный материал на основе нитрида бора
US4107276A (en) 1974-12-30 1978-08-15 Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh Manufacture of hexagonal boron nitride
DE2629960C3 (de) 1976-07-02 1981-08-06 Moskovskij chimiko-technologičeskij institut imeni D.I. Mendeleeva, Moskva Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen auf der Basis von hexagonalem Bornitrid
US4188194A (en) 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
US4195002A (en) 1978-07-27 1980-03-25 International Lead Zinc Research Organization, Inc. Water-dispersible coatings containing boron nitride for steel casting dies
JPS5856018B2 (ja) 1979-11-30 1983-12-13 日本油脂株式会社 切削工具用高密度相窒化硼素複合焼結体およびその製造方法
JPS6022676B2 (ja) 1980-02-23 1985-06-03 日本鋼管株式会社 窒化硅素・窒化硼素複合焼結体及びその製造方法
JPS5860679A (ja) 1981-10-02 1983-04-11 三菱マテリアル株式会社 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS5860680A (ja) 1981-10-07 1983-04-11 三菱マテリアル株式会社 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS5891005A (ja) 1981-11-25 1983-05-30 Toshiba Corp 窒化ケイ素粉末の製造方法
DE3201563A1 (de) 1982-01-20 1983-07-28 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Dichte formkoerper aus polykristallinem, hexagonalem bornitrid und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen
JPS60195059A (ja) 1984-03-15 1985-10-03 株式会社トクヤマ 複合焼結体
CA1260671A (en) 1984-06-07 1989-09-26 Takahisa Koshida High-purity powder of hexagonal boron nitride and a method for the preparation thereof
JPS6128763A (ja) 1984-07-20 1986-02-08 Res Dev Corp Of Japan 波力変換装置の圧力制限装置
JPS61268763A (ja) 1984-11-26 1986-11-28 Shiseido Co Ltd 処理粉体の製造方法
JPS61132564A (ja) 1984-11-28 1986-06-20 川崎製鉄株式会社 窒化硼素常圧焼結体
US5332629A (en) 1985-01-11 1994-07-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Boron nitride system including an hBN starting material with a catalyst and a sintered cNB body having a high heat conductivity based on the catalyst
US4801445A (en) 1985-07-29 1989-01-31 Shiseido Company Ltd. Cosmetic compositions containing modified powder or particulate material
EP0212870B1 (en) 1985-07-29 1992-04-15 Shiseido Company Limited Silicone polymer-coated powder or particulate material
CA1306904C (en) 1985-10-09 1992-09-01 Tetsumi Suzuki Electrically conductive material and secondary battery using the electrically conductive material
JPS62123070A (ja) 1985-11-21 1987-06-04 株式会社香蘭社 窒化ボロン系焼結体の製造方法
US4997633A (en) 1986-01-30 1991-03-05 Kawasaki Steel Corporation Water-soluble boron containing impurity reduced hexagonally crystalline boron nitride
JPS636093A (ja) 1986-06-27 1988-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 窒化ほう素含有離型用または潤滑用組成物
JPS6345178A (ja) 1986-08-07 1988-02-26 株式会社　香蘭社 窒化ボロン焼結原料粉末
JPS6340769A (ja) 1986-08-07 1988-02-22 昭和電工株式会社 高密度窒化硼素常圧焼結体の製造方法
JPS6345104A (ja) 1986-08-11 1988-02-26 Kawasaki Steel Corp スリツプキヤステイング用窒化硼素粉末及びその製造方法
JPH0753610B2 (ja) 1986-11-01 1995-06-07 株式会社香蘭社 窒化ボロン系焼結体の製造方法
US4849284A (en) 1987-02-17 1989-07-18 Rogers Corporation Electrical substrate material
JPH0617270B2 (ja) 1987-04-01 1994-03-09 工業技術院長 窒化硼素常圧焼結体
EP0314807B1 (en) 1987-05-12 1993-01-27 Kabushiki Kaisha Kouransha Molten metal container
JP2590908B2 (ja) 1987-08-03 1997-03-19 松下電工株式会社 エポキシ樹脂成形材料
US4869954A (en) 1987-09-10 1989-09-26 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials
JPH075383B2 (ja) 1987-10-31 1995-01-25 東芝タンガロイ株式会社 立方晶窒化ホウ素を含む焼結体
US5001091A (en) 1987-11-02 1991-03-19 Norton Company Readily moldable or castable ceramic powders
JPH0742170B2 (ja) 1987-11-05 1995-05-10 東芝タンガロイ株式会社 立方晶窒化ホウ素基焼結体
JP2590964B2 (ja) 1987-11-11 1997-03-19 ミノルタ株式会社 画像形成方法
JP2525432B2 (ja) 1987-11-14 1996-08-21 電気化学工業株式会社 常圧焼結窒化硼素系成形体
JP2614874B2 (ja) 1987-11-14 1997-05-28 電気化学工業株式会社 常圧焼結窒化硼素成形体
JPH01131062A (ja) 1987-11-14 1989-05-23 Denki Kagaku Kogyo Kk 複合常圧焼結成形体
JPH0745343B2 (ja) 1987-11-20 1995-05-17 昭和電工株式会社 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法
JPH01221454A (ja) 1988-02-29 1989-09-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 押出成形用シリコーンゴム組成物
JP2614891B2 (ja) 1988-03-18 1997-05-28 電気化学工業株式会社 耐摩耗性の大なる窒化硼素常圧焼結体の製造方法
JPH01275471A (ja) 1988-04-25 1989-11-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 六方晶窒化ホウ素焼結体の製造方法
JP2821748B2 (ja) 1988-08-04 1998-11-05 株式会社香蘭社 耐溶損性に優れたｂｎ系常圧焼結セラミック
JPH0819328B2 (ja) 1988-08-22 1996-02-28 電気化学工業株式会社 シリコーンゴム成形品の製造方法
US4863881A (en) 1988-09-15 1989-09-05 California Institute Of Technology Shock consolidation of cubic boron nitride with whiskers of silicon compounds
JP2546709B2 (ja) 1988-09-29 1996-10-23 東芝タンガロイ株式会社 高強度立方晶窒化ホウ素含有焼結体
JPH02164433A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 多結晶型立方晶窒化ほう素粒子の製造方法
JPH069730B2 (ja) 1989-01-13 1994-02-09 花野商事株式会社 ダイカスト用粉末離型剤
US5011870A (en) 1989-02-08 1991-04-30 Dow Corning Corporation Thermally conductive organosiloxane compositions
US4971779A (en) 1989-02-17 1990-11-20 University Of New Mexico Process for the pyrolytic conversion of a polymeric precursor composition to boron nitride
CH677923A5 (ja) 1989-04-28 1991-07-15 Htm Ag
FR2646663B1 (fr) 1989-05-02 1991-12-27 Rhone Poulenc Chimie Nitrure de bore amorphe ou turbostratique a morphologie spherique et son procede de preparation
JPH0312316A (ja) 1989-06-12 1991-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 窒化ホウ素粉末及びその焼結体
US5098609A (en) 1989-11-03 1992-03-24 The Research Foundation Of State Univ. Of N.Y. Stable high solids, high thermal conductivity pastes
JPH03177361A (ja) 1989-12-05 1991-08-01 Ube Ind Ltd β―サイアロン―窒化硼素系複合焼結体の製造方法
FR2655638A1 (fr) 1989-12-08 1991-06-14 Rhone Poulenc Chimie Nitrure de bore hexagonal monodisperse de haute purete vis-a-vis des metaux et de l'oxygene et son procede de preparation.
US5064589A (en) 1989-12-29 1991-11-12 Showa Denko K.K. Method for producing high density hexagonal boron nitride sintered article
JPH064516B2 (ja) 1990-01-19 1994-01-19 新日本製鐵株式会社 溶融金属用セラミックス焼結体および製造方法
US5120688A (en) 1990-05-29 1992-06-09 The Morgan Crucible Company Plc Pressureless sintered silicon nitride-boron nitride composite
US5116589A (en) 1990-06-18 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High density hexagonal boron nitride prepared by hot isostatic pressing in refractory metal containers
JP2958569B2 (ja) 1990-06-30 1999-10-06 株式会社香蘭社 常圧焼結ｈ―ＢＮ系セラミック焼結体の処理方法
US5118496A (en) 1990-10-02 1992-06-02 Morris Herstein Coated cosmetic materials and method of coating cosmetic materials
JPH04164805A (ja) 1990-10-30 1992-06-10 Kawasaki Steel Corp 高純度六方晶窒化硼素粉末の製造方法
JP2590964Y2 (ja) 1991-04-05 1999-02-24 日本製箔株式会社 レンジフード用フィルター
JP2981002B2 (ja) 1991-04-23 1999-11-22 松下電工株式会社 窒化アルミニウム粉末
US5194480A (en) 1991-05-24 1993-03-16 W. R. Grace & Co.-Conn. Thermally conductive elastomer
EP0519644B1 (en) 1991-06-17 1996-12-11 General Electric Company Silicon carbide composite with metal nitride coated fiber reinforcement
JP2531871B2 (ja) 1991-06-18 1996-09-04 昭和電工株式会社 高密度窒化ほう素常圧焼結体の製造方法
JP2511337B2 (ja) 1991-06-18 1996-06-26 昭和電工株式会社 窒化ほう素常圧焼結体の製造方法
US5285108A (en) 1991-06-21 1994-02-08 Compaq Computer Corporation Cooling system for integrated circuits
US5194071A (en) 1991-07-25 1993-03-16 General Electric Company Inc. Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same
US5273558A (en) * 1991-08-30 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive composition and articles incorporating same
US5213868A (en) 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
JP2925402B2 (ja) 1991-09-11 1999-07-28 三菱電機株式会社 高熱伝導性低収縮湿式不飽和ポリエステル系樹脂組成物を成形してなる筐体を有する回路遮断器
JP2590908Y2 (ja) 1991-10-31 1999-02-24 シルバー精工株式会社 編機における給糸交換装置
US5229339A (en) 1991-11-12 1993-07-20 Norton Company Pressure casting ceramic slurries
JPH05148038A (ja) 1991-11-29 1993-06-15 Kurosaki Refract Co Ltd 窒化硼素焼結体の製造方法
US5234712A (en) 1992-06-08 1993-08-10 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
JPH07509266A (ja) 1992-07-23 1995-10-12 シルバーライン リミテッド 金属粉末顔料
GB9222548D0 (en) 1992-10-27 1992-12-09 Foseco Int Metallurgical pouring vessels
US5320989A (en) 1992-12-07 1994-06-14 Orpac, Inc. Boron nitride-containing bodies and method of making the same
US5985228A (en) 1992-12-22 1999-11-16 General Electric Company Method for controlling the particle size distribution in the production of multicrystalline cubic boron nitride
US5312571A (en) 1993-01-07 1994-05-17 Norton Company Shaped bodies and the production thereof
US5457075A (en) 1993-05-11 1995-10-10 Hitachi Metals, Ltd. Sintered ceramic composite and molten metal contact member produced therefrom
EP0661916B1 (en) 1993-07-06 2000-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermal conductivity sheet
US5510174A (en) 1993-07-14 1996-04-23 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials containing titanium diboride filler
JP2922096B2 (ja) 1993-07-30 1999-07-19 川崎製鉄株式会社 六方晶窒化硼素粉末の製造方法
US5536485A (en) * 1993-08-12 1996-07-16 Agency Of Industrial Science & Technology Diamond sinter, high-pressure phase boron nitride sinter, and processes for producing those sinters
US5571760A (en) 1993-08-27 1996-11-05 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Silicon nitride having a high tensile strength
JPH07157369A (ja) 1993-12-10 1995-06-20 Hitachi Ltd セラミックス造粒粉
US5409868A (en) 1993-12-23 1995-04-25 Electrofuel Manufacturing Co. Ceramic articles made of compositions containing borides and nitrides
US5376040A (en) 1993-12-23 1994-12-27 Hickman; James W. Doll head with an elastically deformable mouth
US5591034A (en) 1994-02-14 1997-01-07 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive adhesive interface
US5545473A (en) 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
JPH07315937A (ja) 1994-05-20 1995-12-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 窒化ホウ素常圧焼結体及びその製造方法
IT1269816B (it) 1994-05-23 1997-04-15 Ausimont Spa Composizioni solide espandibili a base di perfluoropolimeri e processoper la loro preparazione
US5528462A (en) 1994-06-29 1996-06-18 Pendse; Rajendra D. Direct chip connection using demountable flip chip package
FR2725129B1 (fr) 1994-09-30 1997-06-13 Oreal Composition cosmetique anhydre resistante a l'eau
US5759481A (en) 1994-10-18 1998-06-02 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Silicon nitride having a high tensile strength
US5601874A (en) 1994-12-08 1997-02-11 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
SE514574C2 (sv) 1994-12-12 2001-03-12 Sandvik Ab Bindefasfria korrosionsbeständiga hårdmetaller för tribologiska tillämpningar
US5770819A (en) 1995-02-13 1998-06-23 Raychem Corporation Insulated wire or cable having foamed fluoropolymer insulation
US5567353A (en) 1995-04-13 1996-10-22 Rohm And Haas Company Method for dispersing ceramic material in an aqueous medium
US5614319A (en) 1995-05-04 1997-03-25 Commscope, Inc. Insulating composition, insulated plenum cable and methods for making same
WO1996035651A1 (en) 1995-05-10 1996-11-14 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. High solids silicon nitride slurries
DE19620942A1 (de) 1995-06-05 1996-12-12 Gen Electric Effizientes Verfahren zum Hydrophobieren von anorganischem Pulver
US5688449A (en) 1995-10-02 1997-11-18 Nitech Corporation Method of forming and extruding an additive-coated resin composition
US5962122A (en) 1995-11-28 1999-10-05 Hoechst Celanese Corporation Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant
JPH09151324A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 難燃性・高熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP3461651B2 (ja) 1996-01-24 2003-10-27 電気化学工業株式会社 六方晶窒化ほう素粉末及びその用途
US5681883A (en) 1996-03-05 1997-10-28 Advanced Ceramics Corporation Enhanced boron nitride composition and polymer based high thermal conductivity molding compound
US5688457A (en) 1996-04-10 1997-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company High speed extrusion
US5610203A (en) 1996-04-10 1997-03-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Foamable fluoropolymer composition
US5726502A (en) 1996-04-26 1998-03-10 Motorola, Inc. Bumped semiconductor device with alignment features and method for making the same
US5950066A (en) 1996-06-14 1999-09-07 The Bergquist Company Semisolid thermal interface with low flow resistance
US5738936A (en) 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
WO1998005590A1 (fr) 1996-08-06 1998-02-12 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Nitrure de bore et son procede de preparation
JP3142800B2 (ja) 1996-08-09 2001-03-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース
TW398163B (en) 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
US5783308A (en) 1996-10-25 1998-07-21 Quaker State Corporation Ceramic reinforced fluoropolymer
US5781412A (en) 1996-11-22 1998-07-14 Parker-Hannifin Corporation Conductive cooling of a heat-generating electronic component using a cured-in-place, thermally-conductive interlayer having a filler of controlled particle size
JP3714502B2 (ja) 1997-01-24 2005-11-09 三井化学株式会社 高熱伝導性樹脂組成物
JP2001503471A (ja) 1997-02-07 2001-03-13 ロックタイト コーポレーション 伝導性樹脂組成物
US5907474A (en) 1997-04-25 1999-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Low-profile heat transfer apparatus for a surface-mounted semiconductor device employing a ball grid array (BGA) device package
US5926371A (en) 1997-04-25 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Heat transfer apparatus which accommodates elevational disparity across an upper surface of a surface-mounted semiconductor device
JP3714506B2 (ja) 1997-06-17 2005-11-09 三井化学株式会社 優れた耐水性を有する高熱伝導性樹脂組成物
JPH1145965A (ja) 1997-07-28 1999-02-16 Kyocera Corp 伝熱性化合物およびこれを用いた半導体装置
JPH1160216A (ja) 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性窒化ホウ素フィラー及び絶縁放熱シート
JP3195277B2 (ja) 1997-08-06 2001-08-06 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US6124579A (en) 1997-10-06 2000-09-26 Watlow Electric Manufacturing Molded polymer composite heater
US5945217A (en) 1997-10-14 1999-08-31 Gore Enterprise Holdings, Inc. Thermally conductive polytrafluoroethylene article
JPH11116213A (ja) 1997-10-15 1999-04-27 Toshiba Ceramics Co Ltd シラノール基含有ポリオルガノシロキサン被膜でコーティングされた窒化アルミニウム粉末およびその製造方法
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US5984055A (en) 1997-11-21 1999-11-16 Northrop Grumman Corporation Integrated fiber reinforced ceramic matrix composite brake pad and back plate
US5898217A (en) 1998-01-05 1999-04-27 Motorola, Inc. Semiconductor device including a substrate having clustered interconnects
JP3290127B2 (ja) 1998-01-27 2002-06-10 松下電工株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びこの熱伝導性シリコーンゴム組成物によりなる放熱シート
US6168859B1 (en) 1998-01-29 2001-01-02 The Dow Chemical Company Filler powder comprising a partially coated alumina powder and process to make the filler powder
DE69807040T2 (de) 1998-02-16 2003-05-08 Advanced Ceramics Corp Verfahren zur Bildung von Bornitrid hoher Dichte und agglomerierte Bornitridteilchen hoher Dichte
US5908796A (en) 1998-05-01 1999-06-01 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide
US6136758A (en) 1998-08-17 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Aluminum nitride powder and thermally conductive grease composition using the same
DE19959916A1 (de) * 1998-12-30 2000-07-20 Henkel Chile Sa Füllstoffhaltige Polymerdispersion, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
US6162849A (en) 1999-01-11 2000-12-19 Ferro Corporation Thermally conductive thermoplastic
JP3287328B2 (ja) 1999-03-09 2002-06-04 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3525792B2 (ja) 1999-03-31 2004-05-10 日本碍子株式会社 液滴吐出装置
SE519860C2 (sv) 1999-04-07 2003-04-15 Sandvik Ab Sätt att tillverka ett skär bestående av en PcBN-kropp och en hårdmetall- eller cermet-substrat
SE519862C2 (sv) 1999-04-07 2003-04-15 Sandvik Ab Sätt att tillverka ett skär bestående av en PcBN-kropp och en hårdmetall- eller cermet-kropp
US6348179B1 (en) 1999-05-19 2002-02-19 University Of New Mexico Spherical boron nitride process, system and product of manufacture
JP2001010867A (ja) 1999-06-21 2001-01-16 Murata Mfg Co Ltd セラミック原料造粒粉末の製造方法
JP3438658B2 (ja) * 1999-07-22 2003-08-18 ウシオ電機株式会社 ランプユニット及び光照射式加熱装置
US6158894A (en) 1999-07-28 2000-12-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. All ceramic bearing
MXPA02002033A (es) 1999-08-27 2002-11-07 Heineken Tech Services Etiquetas para transferencia.
US7445797B2 (en) 2005-03-14 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and polymer-based compositions made therewith
US7976941B2 (en) 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
US6713088B2 (en) 1999-08-31 2004-03-30 General Electric Company Low viscosity filler composition of boron nitride particles of spherical geometry and process
US20060121068A1 (en) 1999-08-31 2006-06-08 General Electric Company Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
JP4392088B2 (ja) 1999-10-27 2009-12-24 電気化学工業株式会社 窒化ホウ素被覆球状ホウ酸塩粒子とそれを含む混合粉末、及びそれらの製造方法
JP4528397B2 (ja) 1999-12-17 2010-08-18 ポリマテック株式会社 接着方法および電子部品
CA2311178A1 (en) 1999-12-22 2001-06-22 Evgueni E. Rozenbaoum Extrusion aid combination
US6585039B2 (en) 2000-02-01 2003-07-01 Cool Options, Inc. Composite overmolded heat pipe construction
JP3554249B2 (ja) * 2000-03-27 2004-08-18 京セラ株式会社 接着材およびこれを用いた電子部品
US6660241B2 (en) 2000-05-01 2003-12-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof
US6794435B2 (en) 2000-05-18 2004-09-21 Saint Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Agglomerated hexagonal boron nitride powders, method of making, and uses thereof
JP2002087831A (ja) * 2000-05-31 2002-03-27 Asahi Glass Co Ltd 微小中空ガラス球状体およびその製造方法
JP2002080617A (ja) * 2000-09-06 2002-03-19 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP2002097372A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体
US6764975B1 (en) * 2000-11-28 2004-07-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method for making high thermal diffusivity boron nitride powders
JP2002198619A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板
US6824753B2 (en) 2001-04-24 2004-11-30 Science & Technology Corporation @Unm Organoboron route and process for preparation of boron nitride
US6652822B2 (en) 2001-05-17 2003-11-25 The Regents Of The University Of California Spherical boron nitride particles and method for preparing them
US6645612B2 (en) 2001-08-07 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them
JP2003060134A (ja) 2001-08-17 2003-02-28 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
KR100493021B1 (ko) 2002-07-10 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 제조방법
JP2005036016A (ja) 2002-10-18 2005-02-10 Advanced Ceramics Corp 球形形態の窒化ホウ素粒子の低粘性充填剤組成物及びその製造方法
US7494635B2 (en) 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
EP1797155B1 (en) 2004-08-23 2015-10-07 General Electric Company Thermally conductive composition and method for preparing the same
US20060228542A1 (en) 2005-04-08 2006-10-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material having spheroidal particulate filler
DE102005020940A1 (de) 2005-05-04 2006-11-09 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Leicht dispergierbares BN-Granulat, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US7557054B2 (en) * 2006-02-27 2009-07-07 Kyocera Corporation Boron carbide sintered body and protective member
US20070205706A1 (en) 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
US7527859B2 (en) 2006-10-08 2009-05-05 Momentive Performance Materials Inc. Enhanced boron nitride composition and compositions made therewith

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898009A (en) * 1996-03-19 1999-04-27 Advanced Ceramics Corporation High density agglomerated boron nitride particles
JPH10194711A (ja) * 1997-01-13 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末及びその製造方法
JPH1160215A (ja) * 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末造粒物及びその製造方法並びに等方性窒化ホウ素成形体の製造方法
JPH11277515A (ja) * 1998-02-27 1999-10-12 Advanced Ceramics Corp 高密度窒化ホウ素および高密度凝集窒化ホウ素粒子の製造法
JP2000034107A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂添加用窒化硼素とそれを用いた樹脂組成物、放熱部品

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