CN108496260A - 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 - Google Patents

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Abstract

光电子装置包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。

Description

用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年10月26日提交的美国临时申请号62/246,597、2016年1月13日提交的美国临时申请号62/277,989、2016年8月11日提交的美国临时申请号62/373,927和2016年8月19日提交的美国临时申请号62/377,429的权益和优先权，其内容通过引用以其全部并入本文。
技术领域
下列一般地涉及用于在表面上沉积导电材料的方法。具体而言，方法涉及在表面上选择性沉积导电材料，以便形成装置的导电结构。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通常包括介于传导性薄膜电极之间的数层有机材料，其中有机层中的至少一层是电致发光层。当施加电压至电极时，分别由阳极和阴极注入空穴和电子。由电极注入的空穴和电子迁移通过有机层以到达电致发光层。当空穴和电子紧密靠近时，它们由于库仑力彼此吸引。空穴与电子然后可以结合以形成称为激子的结合态。激子可以通过其中释放光子的辐射复合过程衰变。可选地，激子可以通过其中不释放光子的非辐射复合过程衰变。注意，如本文使用的，内量子效率(IQE)将被理解为在装置中生成的通过辐射复合过程衰变的所有电子-空穴对的比例。
辐射复合过程可以作为荧光或磷光过程发生，这取决于电子-空穴对(即，激子)的自旋态。具体而言，由电子-空穴对形成的激子可以被表征为具有自旋单态或自旋三重态。通常，单态激子的辐射衰变产生荧光，而三态激子的辐射衰变产生磷光。
最近，已经提出和研究了OLED的其它光发射机制，包括热激活延迟荧光(TADF)。简言之，TADF发射通过如下发生：在热能的帮助下经由反向系统间交叉跃迁过程将三态激子转变为单态激子，接着是单态激子的辐射衰变。
OLED装置的外量子效率(EQE)可以指的是提供至OLED装置的电荷载流子相对于由装置发射的光子数目的比率。例如，100％的EQE指示对于被注入装置的每个电子发射一个光子。如将领会的，装置的EQE通常大幅低于装置的IQE。EQE和IQE之间的差异通常可以归因于大量的因素，比如由装置的多个组件引起的光的吸收和反射。
OLED装置通常可以被分类为“底部-发射”或“顶部-发射”装置，这取决于光由装置发射的相对方向。在底部-发射装置中，以朝向装置的基座衬底(base substrate)的方向发射由于辐射复合过程生成的光，而在顶部-发射装置中，以远离基座衬底的方向发射光。因此，在底部-发射装置中，在基座衬底近侧的电极通常被制作为光透射的(例如，基本上透明的或半透明的)，而在顶部-发射装置中，在基座衬底远侧的电极通常被制作为光透射的，以便减少光的衰减。取决于具体的装置结构，阳极或阴极可以充当顶部-发射和底部-发射装置中的透射电极(transmissive electrode)。
OLED装置还可以是双侧发射装置，其被配置为以相对于基座衬底的两个方向发射光。例如，双侧发射装置可以包括透射阳极和透射阴极，以便以两个方向发射来自每个像素的光。在另一个实例中，双侧发射显示装置可以包括配置为以一个方向发射光的第一组像素，以及配置为以另一个方向发射光的第二组像素，以便从每个像素，单电极是透射的。
除上面的装置配置之外，还可以实施透明的或半透明的OLED装置，其中装置包括允许外部光传播通过装置的透明部分。例如，在透明的OLED显示装置中，透明部分可以被提供在每个相邻像素之间的非发射区域中。在另一个实例中，可以通过在面板的发射区域之间提供多个透明区域来形成透明的OLED照明面板。透明的或半透明的OLED装置可以是底部-发射、顶部-发射或双侧发射装置。
虽然阴极或阳极可以被选择为透射电极，但是典型的顶部-发射装置包括光透射阴极。通常用于形成透射阴极的材料包括透明导电氧化物(TCO)，比如氧化铟锡(ITO)和氧化锌(ZnO)，以及薄膜，比如通过沉积薄层的银(Ag)、铝(A1)、或多种金属合金比如镁银(Mg∶Ag)合金和镱银(Yb∶Ag)合金——其中按体积计组成范围在大约1∶9至大约9∶1内——形成的那些。还可以使用包括两层或更多层TCO和/或薄金属膜的多层阴极。
特别在薄膜的情况下，高至大约几十纳米的相对薄层厚度有助于用于OLED的增强的透明度和有利的光学性质(例如，减少的微腔效应)。然而，透射电极的厚度减小伴随着其片电阻的增加。具有高片电阻的电极通常不期望用于OLED，这是由于当使用装置时它产生大的电流-电阻(IR)下降，其对OLED的性能和效率是有害的。可以通过增加供电水平一定程度上补偿IR下降；然而，当对于一个像素增加供电水平时，供应至其它组件的电压也被增加以维持装置的适当操作，并且因而是不利的。
为了降低顶部-发射OLED装置的供电规格，已经提出方案以在装置上形成母线结构或辅助电极。例如，可以通过沉积与OLED装置的透射电极电通信的传导性覆层形成这样的辅助电极。这样的辅助电极可以通过降低透射电极的片电阻和相关联的IR下降允许电流被更有效地输送至装置的多个区域。
由于辅助电极通常被提供在OLED叠层——其包括阳极、一个或多个有机层、和阴极——的顶部上，传统上使用具有掩模孔隙(mask aperture)的荫罩——通过其选择性地沉积传导性覆层，例如通过物理气相沉积(PVD)过程——实现辅助电极的图案化。然而，由于掩模通常是金属掩模，它们具有在高温沉积过程期间翘曲(warp)的倾向，从而扭曲掩模孔隙和得到的沉积图案。另外，随着传导性覆层粘附至掩模并且模糊掩模的零件，掩模通常通过连续沉积被降级。因此，应当使用耗时的和昂贵的过程清洁这样的掩模或一旦认为掩模在生产期望的图案方面无效则应当丢弃这样的掩模，从而致使这样的过程高度昂贵和复杂。因此，荫罩过程对OLED装置的大批量生产可能不是商业上可行的。而且，由于大的金属掩模通常在荫罩沉积过程期间被拉伸，可以使用荫罩过程生产的零件的纵横比通常由于金属掩模的屏蔽效应和机械(例如，伸长的)强度而被局限。
通过荫罩将传导性覆层图案化至表面上的另一个挑战是可以使用单个掩模实现某些但并非所有图案。由于掩模的每个部分被物理地支撑，并非所有图案在单个加工阶段中是可能的。例如，在图案规定分离的特征时，单个掩模加工阶段通常不能被用于实现期望的图案。此外，被用于生产遍及整个装置表面的重复结构(例如，母线结构或辅助电极)的掩模包括在掩模上形成的大量的穿孔或孔隙。然而，在掩模上形成大量的孔隙可能损害掩模的结构完整性，因而在加工期间导致掩模的显著翘曲或变形，其可能扭曲沉积结构的图案。
发明内容
根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层(nucleation inhibiting coating)；和(3)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层部分地重叠，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与成核抑制覆层分隔开。
根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)包括：(1)包括第一区域和第二区域的衬底；和(2)包括第一部分和第二部分的传导性覆层。传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，传导性覆层的第二部分覆盖衬底的部分第一区域，并且传导性覆层的第二部分通过间隙与衬底的第一区域分隔开。
根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)包括：(1)衬底；(2)覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(3)覆盖侧向邻近的衬底的第二区域的传导性覆层。传导性覆层包括镁，并且成核抑制覆层被表征为具有不大于大约0.02的对镁的初始粘着概率(initialsticking probability)。
根据一些实施方式，装置(例如，光电子装置)的制造方法包括：(1)提供衬底和覆盖衬底的第一区域的成核抑制覆层；和(2)沉积覆盖衬底的第二区域的传导性覆层。传导性覆层包括镁，并且成核抑制覆层被表征为具有不大于大约0.02的对镁的初始粘着概率。
附图说明
现在将参考附图借助实例描述一些实施方式，其中：
图1是图解根据一个实施方式的成核抑制覆层的荫罩沉积的示意图；
图2A、图2B和图2C是图解根据一个实施方式的成核抑制覆层的微-接触转移印刷过程的示意图；
图3是图解根据一个实施方式的在图案化表面上沉积传导性覆层的示意图；
图4是图解根据过程的一个实施方式生产的装置的图；
图5A-5C是图解根据一个实施方式的用于选择性地沉积传导性覆层的过程的示意图；
图5D-5F是图解根据另一个实施方式的用于选择性地沉积传导性覆层的过程的示意图
图6是图解根据一个实施方式的电致发光装置的图；
图7是显示根据一个实施方式的过程阶段的流程图；
图8是显示根据另一个实施方式的过程阶段的流程图；
图9A-9D是图解图8的实施方式中的阶段的示意图；
图10是显示根据又另一个实施方式的过程阶段的流程图；
图11A-11D是图解图10的实施方式中的阶段的示意图；
图12是显示根据又另一个实施方式的过程阶段的流程图；
图13A-13D是图解图12的实施方式中的阶段的示意图；
图14是根据一个实施方式的OLED装置的俯视图；
图15是图14的OLED装置的横截面视图；
图16是根据另一个实施方式的OLED装置的横截面视图；
图16B是图解根据一个实例的开放式掩模(open mask)的俯视图；
图16C是图解根据另一个实例的开放式掩模的俯视图；
图16D是图解根据又另一个实例的开放式掩模的俯视图；
图16E是图解根据又另一个实例的开放式掩模的俯视图；
图17是图解根据一个实施方式的图案化电极的俯视图；
图17B是图解根据一个实施方式的无源矩阵OLED装置的俯视图的示意图；
图17C是图17B的无源矩阵OLED装置的示意性横截面视图；
图17D是图17B的无源矩阵OLED装置在封装后的示意性横截面视图；
图17E是比较性无源矩阵OLED装置的示意性横截面视图；
图18A-18D图解了根据多个实施方式的部分辅助电极；
图19图解了根据一个实施方式的连接至OLED装置的电极的引线的俯视图；
图20图解了根据一个实施方式的图案化电极的俯视图；
图21A-21D图解了根据多个实施方式的图案化电极；
图22图解了根据一个实施方式的在OLED装置上形成的重复电极单元；
图23图解了根据另一个实施方式的在OLED装置上形成的重复电极单元；
图24图解了根据又另一个实施方式的在OLED装置上形成的重复电极单元；
图25-28J图解了根据多个实施方式的在OLED装置上形成的辅助电极图案；
图29图解了根据一个实施方式的具有像素排布的部分装置；
图30是沿着根据图29的装置的线A-A截取的横截面图；
图31是沿着根据图29的装置的线B-B截取的横截面图；
图32是图解根据另一个实施方式的具有像素排布的部分装置的图；
图33是具有在图32中图解的像素排布的装置的显微照片；
图34是图解根据一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图35是图解根据另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图36是图解根据一个实施方式的传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图37是图解根据另一个实施方式的传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图38是图解根据又另一个实施方式的传导性覆层和成核抑制覆层的界面周围的横截面轮廓的图；
图39是图解根据一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图40是图解根据另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图41是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图42是图解根据又另一个实施方式的有源矩阵OLED装置的横截面轮廓的图；
图43是图解根据一个实施方式的透明的有源矩阵OLED装置的图；
图44是图解根据图43的装置的横截面轮廓的图；
图45A是样品1的俯视图的SEM图像；
图45B和45C是显示图45A的部分样品的放大视图的SEM图像；
图45D是显示图45A的样品的横截面视图的SEM图像；
图45E是显示图45A的样品的横截面视图的SEM图像；
图45F是显示图45A的另一部分样品的横截面视图的SEM图像；
图45G是显示图45F的样品部分的倾斜的SEM图像；
图45H是显示由图45A的样品获取的EDX光谱的绘图；
图46A是样品2的俯视图的SEM图像；
图46B是显示图46A的部分样品的放大视图的SEM图像；
图46C是显示图46B的样品部分的进一步放大视图的SEM图像；
图46D是显示图46A的样品的横截面视图的SEM图像；
图46E和46F是显示图46A的样品的表面的倾斜的SEM图像；
图46G是显示由图46A的样品获取的EDX光谱的绘图；
图46H显示了叠加在SEM图像的顶部上的镁EDX光谱，其显示了由其获得光谱的样品的对应部分；
图47是图解腔室的示意图，其设置用于实施使用石英晶体微量天平(QCM)的沉积实验；
图48是显示有源矩阵OLED显示装置的实例驱动电路的电路图；
图49是在部分成核抑制覆层之间沉积的镁覆层的示意性图示；
图50A是显示使用BAlq成核抑制覆层装配的样品的俯视图的SEM图像；
图50B是显示图50A的样品的放大部分的SEM图像；
图50C和50D是显示图50A的样品的放大部分的SEM图像；
图50E是显示图50A的样品的表面的倾斜的SEM图像；
图51A是显示使用HT211成核抑制覆层装配的比较性样品的俯视图的SEM图像；
图51B是图51A的比较性样品的横截面SEM图像；
图52A是显示使用荫罩沉积装配的比较性样品的俯视图的SEM图像；
图52B是图52A的比较性样品的横截面SEM图像；
图53是使用以多种沉积速率沉积的HT211成核抑制覆层装配的比较性样品的透射率对波长的绘图；
图54是使用多种成核抑制覆层装配的样品的透射率对波长的绘图；
图55是显示根据一个实例实施方式的辅助电极的图案的俯视图；
图56是显示多种显示面板大小的片电阻规格和相关联的辅助电极厚度的绘图；
图57是显示在参考QCM表面上沉积的镁的层厚度对在样品QCM表面——其覆盖有多种成核改性覆层——上沉积的镁的层厚度的绘图；
图58是显示在样品QCM表面上镁蒸汽的粘着概率对在样品QCM表面——其覆盖有多种成核改性覆层——上沉积的镁的层厚度的绘图；和
图59A和59B图解了根据一个实施方式的用于在沉积传导性覆层之后去除成核抑制覆层的过程。
具体实施方式
将领会出于说明的简要和清楚，在认为适当时，附图标记可以在附图之中重复以指示对应的或类似的组件。此外，陈述众多具体的细节，以便提供对本文描述的实例实施方案的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解本文描述的实例实施方案可以在那些具体细节中的一些不存在的情况下实践。在其它情况下，没有详细描述某些方法、程序和组件，以便于不模糊本文描述的实例实施方案。
在根据一些实施方式的一方面，提供了用于在表面上沉积导电覆层的方法。在一些实施方式中，在光电子装置的制造方法的背景下进行该方法。在一些实施方式中，在另一种装置的制造方法的背景下进行该方法。在一些实施方式中，该方法包括在衬底的第一区域上沉积成核抑制覆层以产生图案化衬底。图案化衬底包括由成核抑制覆层覆盖的第一区域，和从成核抑制覆层暴露、或基本上不含成核抑制覆层或成核抑制覆层基本上未覆盖的衬底的第二区域。该方法还包括处理图案化衬底以在衬底的第二区域上沉积传导性覆层。在一些实施方式中，传导性覆层的材料包括镁。在一些实施方式中，处理图案化衬底包括处理成核抑制覆层和衬底的第二区域二者以在衬底的第二区域上沉积传导性覆层，而成核抑制覆层保持从传导性覆层暴露、或基本上不含传导性覆层或传导性覆层基本上未覆盖。在一些实施方式中，处理图案化衬底包括进行用于形成传导性覆层的来源材料(sourcematerial)的蒸发或升华，并且将成核抑制覆层和衬底的第二区域二者暴露于蒸发的来源材料。
如本文使用的，术语“成核抑制”被用于指的是如下材料覆层或材料层，其具有朝向导电材料的沉积展示相对低的亲和力的表面，以便抑制在表面上沉积传导性材料，而术语“成核促进”被用于指的是如下材料覆层或材料层，其具有朝向导电材料的沉积展示相对高的亲和力的表面，以便促进在表面上沉积传导性材料。表面的成核抑制或成核促进性质的一个量度是表面对于导电材料比如镁的初始粘着概率。例如，关于镁的成核抑制覆层可以指的是如下覆层，其具有对于镁蒸汽展示相对低的初始粘着概率的表面，以便抑制在表面上沉积镁，而关于镁的成核促进覆层可以指的是如下覆层，其具有对于镁蒸汽展示相对高的初始粘着概率的表面，以便促进在表面上沉积镁。如本文使用的，术语“粘着概率”和“粘着系数”可以可交换地使用。表面的成核抑制或成核促进性质的另一个量度是相对于传导性材料在另一个(参考)表面上的初始沉积速率，导电材料比如镁在表面上的初始沉积速率，其中两个表面经受或暴露于一定蒸发通量的传导性材料。
如本文使用的，术语“蒸发”和“升华”被可交换地用于通常指的是沉积过程，其中来源材料被转化为例如以固态待沉积至目标表面上的蒸汽(例如，通过加热)。
如本文使用的，“基本上不含”材料或材料“基本上未覆盖”的表面(或表面的某一区)指的是在表面(或表面的某一区)上实质缺少该材料。具体地关于导电覆层，由于导电材料比如包括镁在内的金属衰减和/或吸收光，在表面上导电材料的量的一个量度是透光率。因此，如果在电磁光谱的可见部分中透光率大于90％、大于92％、大于95％或大于98％，则表面可以被视为基本上不含导电材料。在表面上材料的量的另一个量度是材料对表面的覆盖百分数，比如其中如果材料的覆盖百分数不大于10％、不大于8％、不大于5％、不大于3％或不大于1％，则表面可以被视为基本上不含该材料。可以使用成像技术评估表面覆盖，比如使用透射电子显微术、原子力显微术或扫描电子显微术。
图1是图解根据一个实施方式的将成核抑制覆层140沉积至衬底100的表面102上的过程的示意图。在图1的实施方式中，在真空下加热包括来源材料的来源120以蒸发或升华来源材料。来源材料包括用于形成成核抑制覆层140的材料或基本上由其构成。蒸发的来源材料然后以由箭头122指示的方向朝向衬底100行进。具有孔隙或狭缝112的荫罩110被安置在蒸发的来源材料的路径中，以便行进通过孔隙112的部分通量被选择性地入射在衬底100的表面102的区域上，从而在其上形成成核抑制覆层140。
图2A-2C图解了在一个实施方式中用于在衬底的表面上沉积成核抑制覆层的微-接触转移印刷过程。类似于荫罩过程，微-接触印刷过程可以被用于在衬底表面的区域上选择性地沉积成核抑制覆层。
图2A图解了微-接触转移印刷过程的第一阶段，其中包括突出部212的压模210在突出部212的表面上装备有成核抑制覆层240。如本领域技术人员将理解的，可以使用多种合适的过程在突出部212的表面上沉积成核抑制覆层240。
如图2B中图解的，然后使压模210靠近衬底100，以便在突出部212的表面上沉积的成核抑制覆层240与衬底100的表面102接触。在成核抑制覆层240接触表面102之后，成核抑制覆层240粘附至衬底100的表面102。
因此，当压模210如图2C中图解的移动远离衬底100时，成核抑制覆层240被有效地转移至衬底100的表面102上。
一旦成核抑制覆层已经被沉积在衬底的表面的区域上，传导性覆层可以被沉积征其中不存在成核抑制覆层的表面的其余未覆盖区域(一个或多个)上。转向图3，传导性覆层来源410被图解为朝向衬底100的表面102引导蒸发的传导性材料。如图3中图解的，导电覆层来源410可以引导蒸发的传导性材料，以便其入射在表面102的覆盖或处理区(即，具有成核抑制覆层140在其上沉积的表面102的区域(一个或多个))以及未覆盖和未处理区二者上。然而，由于成核抑制覆层140的表面展示与衬底100的未覆盖表面102相比相对低的初始粘着系数，传导性覆层440选择性地沉积至其中不存在成核抑制覆层140的表面102的区上。例如，蒸发的传导性材料在表面102的未覆盖区上的初始沉积速率可以是蒸发的传导性材料在成核抑制覆层140的表面上的初始沉积速率的至少或大于大约80倍、至少或大于大约100倍、至少或大于大约200倍、至少或大于大约500倍、至少或大于大约700倍、至少或大于大约1000倍、至少或大于大约1500倍、至少或大于大约1700倍、或至少或大于大约2000倍。传导性覆层440可以包括，例如，纯的或基本上纯的镁。
将领会虽然上面已经图解和描述了荫罩图案化和微-接触转移印刷过程，但是其它过程可以被用于通过沉积成核抑制材料选择性地图案化衬底。图案化表面的多种增材(additive)和减材(subtractive)过程可以被用于选择性地沉积成核抑制覆层。这样的过程的实例包括但不限于照相平版法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷(reel-to-reel)印刷)、有机气相沉积(OVPD)、和激光诱发的热成像(LITI)图案化、和其组合。
在一些应用中，可能期望将具有特定材料性质的传导性覆层沉积至衬底表面上，在该衬底表面上无法容易地沉积传导性覆层。例如，由于镁对多种有机表面的低粘着系数，纯的或基本上纯的镁通常无法容易地沉积至有机表面上。因此，在一些实施方式中，通过如下进一步处理衬底表面：在沉积传导性覆层比如包括镁的传导性覆层之前，在其上沉积成核促进覆层。
基于发现和实验观察，假定富勒烯和其它成核促进材料——如本文将进一步说明的——充当用于沉积包括镁的传导性覆层的成核位点。例如，在使用蒸发过程在富勒烯处理的表面上沉积镁的情况下，富勒烯分子充当促进形成稳定的镁沉积核的成核位点。在一些情况下，少于单层的富勒烯或其它成核促进材料可以被提供在处理的表面上以充当用于沉积镁的成核位点。如将理解的，通过沉积数个单层的成核促进材料来处理表面可以产生较高数目的成核位点，并且因而导致较高的初始粘着概率。
还将领会在表面上沉积的富勒烯或其它材料的量可以多于、或少于一个单层。例如，可以通过沉积0.1个单层、1个单层、10个单层、或更多的成核促进材料或成核抑制材料来处理表面。如本文使用的，沉积1个单层的材料指的是使用单个层的材料的组成分子或原子覆盖表面的期望区的材料的量。类似地，如本文使用的，沉积0.1个单层的材料指的是使用单个层的材料的组成分子或原子覆盖10％的表面的期望区的材料的量。由于，例如，可能的分子或原子堆叠或成簇，沉积材料的实际厚度可以是非均匀的。例如，沉积1个单层的材料可能导致表面的一些区域是材料未覆盖的，而表面的其它区域可能具有在其上沉积的多个原子或分子层。
如本文使用的，术语“富勒烯”指的是包括碳分子的材料。富勒烯分子的实例包括包含三维骨架——其包括多个碳原子——的碳笼分子，其形成封闭的壳层，并且其形状可以是球形的或半球形的。富勒烯分子可以被指定为Cn，其中n是对应于在富勒烯分子的碳骨架中包括的碳原子数的整数。富勒烯分子的实例包括Cn，其中n在50至250的范围中，比如C60、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82、和C84。富勒烯分子的另外的实例包括管或圆柱体形状的碳分子，比如单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。
图4图解了装置的实施方式，其中在沉积传导性覆层440之前沉积成核促进覆层160。如图4中图解的，成核促进覆层160被沉积在衬底100的未被成核抑制覆层140覆盖的区域之上。因此，当沉积传导性覆层440时，传导性覆层440优先地在成核促进覆层160之上形成。例如，传导性覆层440的材料在成核促进覆层160的表面上的初始沉积速率可以是该材料在成核抑制覆层140的表面上的初始沉积速率的至少或大于大约80倍、至少或大于大约100倍、至少或大于大约200倍、至少或大于大约500倍、至少或大于大约700倍、至少或大于大约1000倍、至少或大于大约1500倍、至少或大于大约1700倍、或至少或大于大约2000倍。一般而言，成核促进覆层160可以在沉积成核抑制覆层140之前或之后被沉积在衬底100上。用于在表面上选择性地沉积材料的多种过程可以被用于沉积成核促进覆层160，其包括但不限于蒸发(包括热蒸发和电子束蒸发)、照相平版法、印刷(包括喷墨或喷气印刷、卷到卷印刷和微-接触转移印刷)、OVPD、LITI图案化和其组合。
图5A-5C图解了在一个实施方式中用于将传导性覆层沉积至衬底的表面上的过程。
在图5A中，通过在其上沉积成核抑制覆层140来处理衬底100的表面102。具体地，在图解的实施方式中，通过蒸发来源120内的来源材料，和朝向待在其上沉积的表面102引导蒸发的来源材料来实现沉积。朝向表面102引导蒸发的通量的大体方向由箭头122指示。如图解的，可以使用开放式掩模或不使用掩模进行成核抑制覆层140的沉积，以便成核抑制覆层140基本上覆盖整个表面102以产生处理的表面142。可选地，成核抑制覆层140可以被选择性地沉积至表面102的区域上，例如，使用上面描述的选择性沉积技术。
虽然成核抑制覆层140被图解为通过蒸发被沉积，但是将领会可以使用其它沉积和表面涂覆技术，包括但不限于旋转涂覆、浸渍涂覆、印刷、喷雾涂覆、OVPD、LITI图案化、物理气相沉积(PVD)(包括溅射)、化学气相沉积(CVD)和其组合。
在图5B中，荫罩110被用于在处理的表面142上选择性地沉积成核促进覆层160。如图解的，引导由来源120行进的蒸发的来源材料朝向衬底100通过掩模110。掩模包括孔隙或狭缝112，以便阻止入射在掩模110上的部分蒸发的来源材料行进经过掩模110，并且引导通过掩模110的孔隙112的另一部分蒸发的来源材料选择性地沉积至处理的表面142上以形成成核促进覆层160。因此，在完成成核促进覆层160的沉积之后产生图案化表面144。
图5C图解了将传导性覆层440沉积至图案化表面144上的阶段。传导性覆层440可以包括，例如，纯的或基本上纯的镁。如下面将进一步说明的，传导性覆层440的材料展示关于成核抑制覆层140的相对低的初始粘着系数和关于成核促进覆层160的相对高的初始粘着系数。因此，可以使用开放式掩模或不使用掩模进行沉积以选择性地沉积传导性覆层440至衬底100的存在成核促进覆层160的区域上。如图5C中图解的，可以很大程度上或基本上阻止入射在成核抑制覆层140的表面上的传导性覆层440的蒸发的材料沉积至成核抑制覆层140上。
图5D-5F图解了在另一个实施方式中用于将传导性覆层沉积至衬底的表面的过程。
在图5D中，成核促进覆层160被沉积在衬底100的表面102上。例如，可以通过使用开放式掩模或不使用掩模的热蒸发沉积成核促进覆层160。可选地，可以使用其它沉积和表面涂覆技术，包括但不限于旋转涂覆、浸渍涂覆、印刷、喷雾涂覆、OVPD、LITI图案化、PVD(包括溅射)、CVD和其组合。
在图5E中，使用荫罩110将成核抑制覆层140选择性地沉积在成核促进覆层160的区域之上。因此，在完成成核抑制覆层140的沉积之后产生图案化表面。然后在图5F中，使用开放式掩模或无掩模沉积过程将传导性覆层440沉积至图案化表面上，以便在成核促进覆层160的暴露区域之上形成传导性覆层440。
在前述实施方式中，将领会由过程形成的传导性覆层440可以被用作电子装置的电极或传导性结构。例如，传导性覆层440可以是有机光电子装置比如OLED装置或有机光伏(OPV)装置的阳极或阴极。此外，传导性覆层440还可以被用作包括量子点作为有源层(active layer)材料的光电子装置的电极。例如，这样的装置可以包括在电极对之间安置的有源层，其中有源层包括量子点。装置可以是，例如，电致发光量子点显示装置，其中由于由电极提供的电流，由量子点有源层发射光。传导性覆层440还可以是任何前述装置的母线或辅助电极。
因此，将领会在其上沉积多个覆层的衬底100可以包括在前述实施方式中未具体图解或描述的一个或多个另外的有机和/或无机层。例如，在OLED装置的情况下，衬底100可以包括一个或多个电极(例如，阳极和/或阴极)、电荷注入和/或传输层、和电致发光层。衬底100可以进一步包括一个或多个晶体管或其它电子组件比如电阻器和电容器，其被包括在有源矩阵或无源矩阵OLED装置中。例如，衬底100可以包括一个或多个顶栅(top-gate)薄膜晶体管(TFT)、一个或多个底栅(bottom-gate)TFT、和/或其它TFT结构。TFT可以是n-型TFT或p-型TFT。TFT结构的实例包括包含非晶硅(a-Si)、铟镓锌氧化物(IGZO)和低温多晶硅(LTPS)的那些。
衬底100还可以包括用于支撑上面认定的另外的有机和/或无机层的基座衬底。例如，基座衬底可以是柔性或刚性衬底。基座衬底可以包括，例如，硅、玻璃、金属、聚合物(例如聚酰亚胺)、蓝宝石、或适合用作基座衬底的其它材料。
衬底100的表面102可以是有机表面或无机表面。例如，如果传导性覆层440被用作OLED装置的阴极，则表面102可以是有机层的叠层的顶表面(例如，电子注入层的表面)。在另一个实例中，如果传导性覆层440被用作顶部-发射OLED装置的辅助电极，则表面102可以是电极(例如，共用阴极)的顶表面。可选地，可以在有机层的叠层的顶部上的透射电极的正下方形成这样的辅助电极。
图6图解了根据一个实施方式的电致发光(EL)装置600。EL装置600可以是，例如，OLED装置或电致发光量子点装置。在一个实施方式中，装置600是包括基座衬底616、阳极614、有机层630和阴极602的OLED装置。在图解的实施方式中，有机层630包括空穴注入层612、空穴传输层610、电致发光层608、电子传输层606和电子注入层604。
可以使用空穴注入材料——其通常促进由阳极614注入空穴——形成空穴注入层612。可以使用空穴传输材料——其是通常展示出高的空穴迁移率的材料——形成空穴传输层610。
可以例如通过掺杂基质材料(host material)与发射极材料来形成电致发光层608。例如，发射极材料可以是荧光发射极、磷光发射极或TADF发射极。多种发射极材料还可以被掺杂入基质材料以形成电致发光层608。
可以使用通常展示出高的电子迁移率的电子传输材料形成电子传输层606。可以使用电子注入材料——其通常作用以促进由阴极602注入电子——形成电子注入层604。
将理解可以通过省略或组合一层或多层来改变装置600的结构。具体地，可以由装置结构省略空穴注入层612、空穴传输层610、电子传输层606和电子注入层604中的一个或多个。一个或多个另外的层也可以存在于装置结构中。这样的另外的层包括，例如，空穴阻挡层、电子阻挡层、和另外的电荷传输和/或注入层。每层可以进一步包括任意数目的子层，并且每层和/或子层可以包括多种混合物和组合物梯度。还将领会装置600可以包括包含无机和/有机金属材料的一层或多层，并且不限于由有机材料单独组成的装置。例如，装置600可以包括量子点。
装置600可以被连接至电源620，以便给装置600供应电流。
在装置600是EL量子点装置的另一个实施方式中，EL层608通常包括量子点，其当供应电流时发射光。
图7是概述根据一个实施方式的装配OLED装置的阶段的流程图。在704中，有机层被沉积在目标表面上。例如，目标表面可以是阳极的表面，其已经被沉积在基座衬底的顶部上，所述基座衬底可以包括，例如，玻璃、聚合物和/或金属箔。如上面讨论的，有机层可以包括，例如，空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。然后，使用选择性沉积或图案化过程在阶段706中在有机层的顶部上沉积成核抑制覆层。在阶段708中，成核促进覆层被选择性地沉积在成核抑制覆层上以产生图案化表面。例如，可以通过使用掩模的蒸发、微-接触转移印刷过程、照相平版法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷印刷)、OVPD或LITI图案化选择性地沉积成核促进覆层和成核抑制覆层。然后，在阶段710中使用开放式掩模或无掩模沉积过程在图案化表面上沉积传导性覆层。传导性覆层可以充当OLED装置的阴极或另一种传导性结构。
接着参考图8和9A-9D，提供了根据另一个实施方式的用于装配OLED装置的过程。图8是概述用于装配OLED装置的阶段的流程图，并且图9A-9D是图解过程的每个阶段处的装置的示意图。在阶段804中，使用来源991在目标表面912上沉积有机层920。在图解的实施方式中，目标表面912是已经被沉积在基座衬底900的顶部上的阳极910的表面。有机层920可以包括，例如，空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。然后，使用来源993和开放式掩模或不使用掩模在阶段806中在有机层920的顶部上沉积成核促进覆层930。在阶段808中，使用掩模980和来源995在成核促进覆层930上选择性地沉积成核抑制覆层940，从而产生图案化表面。然后，在阶段810中使用开放式掩模或无掩模沉积过程在图案化表面上沉积传导性覆层950，以便传导性覆层950被沉积在成核促进覆层930的成核抑制覆层940未覆盖的区域上。
接着参考图10和11A-11D，提供了根据又另一个实施方式的用于装配OLED装置的过程。图10是概述用于装配OLED装置的阶段的流程图，并且图11A-11D是图解这样过程的阶段的示意图。在阶段1004中，使用来源1191在目标表面1112上沉积有机层1120。在图解的实施方式中，目标表面1112是已经被沉积在基座衬底1100的顶部上的阳极1110的表面。有机层1120可以包括，例如，空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。然后，使用掩模1180和来源1193在阶段1006中在有机层1120的顶部上沉积成核抑制覆层1130，以便成核抑制覆层1130被选择性地沉积在有机层1120的表面的通过掩模1180的孔隙暴露的区域上。在阶段1008中，使用掩模1182和来源1195选择性地沉积成核促进覆层1140。在图解的实施方式中，成核促进覆层1140被显示为被沉积在有机层1120的表面的成核抑制覆层1130未覆盖的区域之上，从而产生图案化表面。然后，在阶段1010中使用开放式掩模或无掩模沉积过程在图案化表面上沉积传导性覆层1150，其导致传导性覆层1150被沉积在成核促进覆层1140的表面上，同时使得成核抑制覆层1130的表面基本上不含传导性覆层1150的材料。
接着参考图12和13A-13D，提供了根据又另一个实施方式的用于装配OLED装置的过程。图12是概述用于装配OLED装置的阶段的流程图，并且图13A-13D是图解这样过程的阶段的示意图。在阶段1204中，使用来源1391在目标表面1312上沉积有机层1320。在图解的实施方式中，目标表面1312是已经被沉积在基座衬底1300的顶部上的阳极1310的表面。有机层1320可以包括，例如，空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。然后，使用掩模1380和来源1393在阶段1206中在有机层1320的顶部上沉积成核促进覆层1330，以便成核促进覆层1330被选择性地沉积在有机层1320的表面的通过掩模1380的孔隙暴露的区域上。在阶段1208中，使用掩模1382和来源1395选择性地沉积成核抑制层1340。在图解的实施方式中，成核抑制覆层1340被图解为被沉积在有机层1320的表面的成核促进覆层1330未覆盖的区域之上，从而产生图案化表面。然后，在阶段1210中使用开放式掩模或无掩模沉积过程在图案化表面上沉积传导性覆层1350，其导致传导性覆层1350被沉积在成核促进覆层1330的表面上，同时使得成核抑制覆层1340的表面基本上不含传导性覆层1350的材料。以此方式形成的传导性覆层1350可以充当电极(例如，阴极)。
依据上面描述的实施方式，可以使用开放式掩模或无掩模沉积过程通过使用成核抑制覆层或成核抑制和成核促进覆层的组合在目标区域(例如，非发射区域)上选择性地沉积传导性覆层。相比之下，在开放式掩模或无掩模沉积过程中缺少足够的选择性将导致超出目标区域和在发射区域之上沉积传导性材料，由于在发射区域之上存在这样的材料通常有助于光的衰减并且因而有助于OLED装置的EQE降低，这是非期望的。而且，通过在目标区域上沉积传导性覆层中提供高选择性，传导性覆层可以充当具有足够厚度的电极，以实现OLED装置中期望的传导性。例如，由上面描述的实施方式提供的高选择性允许沉积如下辅助电极，其具有保持局限于相邻的像素或子像素之间的区域的高纵横比。相比之下，在以开放式掩模或无掩模沉积过程形成厚电极中缺少足够选择性将导致在发射和非发射区域二者之上沉积传导性材料的厚覆层，因而大幅降低得到的OLED装置的性能。
为了简略和清楚，已经由过程图省略了包括厚度概况和边缘概况的沉积材料的细节。
在气相沉积期间在衬底的表面上形成薄膜涉及成核和生长的过程。在膜形成的初始阶段期间，足够数目的蒸汽单体(例如，原子或分子)通常由气相凝结以在表面上形成最初的核。随着蒸汽单体继续撞击在表面上，这些最初的核的大小和密度增加以形成小簇或岛。在达到饱和岛密度后，邻近的岛通常将开始合并，增加平均岛大小，同时降低岛密度。邻近的岛的合并继续直到形成基本上闭合的膜。
可能存在用于形成薄膜的三种基本生长模式：1)岛(Volmer-Weber)、2)叠层(layer-by-layer)(Frank-van der Merwe)和3)Stranski-Krastanov。岛生长通常当单体的稳定簇在表面上成核时发生并且生长以形成离散的岛。当单体之间的相互作用比单体和表面之间的相互作用更强时发生此生长模式。
成核速率描述了每单位时间在表面上形成多少临界大小的核。在膜形成的初始阶段期间，由于核的密度低，核将不太可能由单体在表面上的直接撞击生长，并且因而核覆盖相对小部分的表面(例如，在相邻的核之间存在大间隙/空间)。因此，临界核的生长速率通常取决于在表面上吸附的单体(例如，附加原子)迁移和附连至附近的核的速率。
在表面上吸附附加原子后，附加原子可以由表面解吸附，或可以在解吸附前在表面上迁移一些距离，与其它附加原子相互作用以形成小簇，或附连至生长核。由如下给出附加原子在最初吸附后保留在表面上的平均时间量：
在上面的等式中，v是附加原子在表面上的振动频率，κ是玻耳兹曼常量，T是温度，和Edes是参与由表面解吸附附加原子的能量。由此等式注意到Edes的值越低，附加原子越容易由表面解吸附，并且因此附加原子将保留在表面上的时间越短。由如下给出附加原子可以扩散的平均距离，
其中α0是晶格常数和Es是表面扩散的活化能。对于低的Edes的值和/或高的Es的值，附加原子将在解吸附前扩散较短的距离，并且因此不太可能附连至生长核或与另一个附加原子或附加原子的簇相互作用。
在膜形成的初始阶段期间，吸附的附加原子可以相互作用以形成簇，其中由如下给出每单位面积的簇的临界浓度，
其中Ei是参与将包含i个附加原子的临界簇解离为单独的附加原子的能量，n0是吸附位点的总密度，N1是由如下给出的单体密度：
其中是蒸汽撞击速率。通常i将取决于沉积的材料的晶体结构并且将决定临界簇大小以形成稳定的核。
由蒸汽撞击速率和附加原子在解吸附前可以在其上扩散的平均面积给出用于生长簇的临界单体供应速率：
因而由上面的等式的组合给出临界成核速率：
由上面的等式注意到对于如此表面临界成核速率将被阻抑，该表面对于吸附的附加原子具有低的解吸附能量、对于扩散附加原子具有高的活化能，处于高温下，或经历低的蒸汽撞击速率。
衬底异质性比如缺陷、凸缘(ledge)或阶跃边缘(step edge)的位点可能增加Edes，导致在这样的位点处观察到的较高的核密度。另外，表面上的杂质或污染物也可能增加Edes，导致较高的核密度。对于在高真空条件下实施的气相沉积过程，表面上污染物的类型和密度受真空压力和构成该压力的残余气体的组成影响。
在高真空条件下，由如下给出撞击在表面上的分子的通量(每cm2-sec)：
其中P是压力，和M是分子量。因此，反应气体比如H2O的较高分压可能在气相沉积期间导致表面上较高的污染物密度，导致Edes的增加并且因此较高的核密度。
用于表征薄膜的成核和生长的有用的参数是由如下给出的粘着概率：
其中Nadds是保留在表面上(例如，被并入膜)的吸附的单体的数目和Ntotal是在表面上撞击的单体的总数目。粘着概率等于1指示撞击表面的所有单体被吸附并且随后并入生长的膜。粘着概率等于0指示撞击表面的所有单体被解吸附并且随后没有在表面上形成膜。可以使用测量粘着概率的多种技术评估金属在多种表面上的粘着概率，所述技术比如双石英晶体微量天平(QCM)技术，如由Walker et al.，J.Phys.Chem.C 2007，111，765(2006)和在下面的实施例部分中描述的。
随着岛的密度增加(例如，增加的平均膜厚度)，粘着概率可能改变。例如，低的初始粘着概率可以随着增加的平均膜厚度而增加。这可以基于不具有岛的表面区(裸衬底)和具有高的岛密度的区之间粘着概率的差异理解。例如，撞击岛的表面的单体可以具有接近1的粘着概率。
初始粘着概率S0可以因此被规定为在形成任何显著数目的临界核之前表面的粘着概率。初始粘着概率的一个量度可以涉及在材料的初始沉积阶段期间表面对材料的粘着概率，其中跨越表面的沉积材料的平均厚度处于阈值或低于阈值。在一些实施方式的描述中，初始粘着概率的阈值可以被规定为1nm。则由如下给出平均粘着概率：
其中Snuc是由岛覆盖的区的粘着概率，并且Anuc是由岛覆盖的衬底表面的区的百分数。
用于形成成核抑制覆层的合适材料包括展示或表征为具有如下传导性覆层的材料的初始粘着概率的那些材料：不大于或小于大约0.1(或10％)或不大于或小于大约0.05，和更具体地，不大于或小于大约0.03、不大于或小于大约0.02、不大于或小于大约0.01、不大于或小于大约0.08、不大于或小于大约0.005、不大于或小于大约0.003、不大于或小于大约0.001、不大于或小于大约0.0008、不大于或小于大约0.0005、或不大于或小于大约0.0001。用于形成成核促进覆层的合适材料包括展示或表征为具有如下传导性覆层的材料的初始粘着概率的那些材料：至少大约0.6(或60％)、至少大约0.7、至少大约0.75、至少大约0.8、至少大约0.9、至少大约0.93、至少大约0.95、至少大约0.98、或至少大约0.99。
合适的成核抑制材料包括有机材料，比如小分子有机材料和有机聚合物。合适的有机材料的实例包括多环芳香族化合物，包括可以任选地包括一种或多种杂原子比如氮(N)、硫(S)、氧(O)、磷(P)和铝(A1)的有机分子。在一些实施方式中，多环芳香族化合物包括有机分子，其每个包括核心部分和与核心部分结合的至少一个末端部分。末端部分的数目可以是1个或多个、2个或更多个、3个或更多个、或4个或更多个。在2个或更多个末端部分的情况下，末端部分可以是相同的或不同的，或末端部分的亚类可以是相同的但是与至少一个其余的末端部分不同。在一些实施方式中，至少一个末端部分是或包括由如下的化学结构(I-a)、(I-b)、和(Ic)中的一种表示的联苯基部分：
其中虚线指示在联苯基部分和核心部分之间形成的键。一般而言，由(I-a)、(I-b)和(I-c)表示的联苯基部分可以是未取代的或取代为其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换的。在由(I-a)、(I-b)和(I-c)表示的部分中，Ra和Rb独立地表示任选的存在一种或多种取代基，其中Ra可以表示单、二、三、或四取代，并且Rb可以表示单、二、三、四、或五取代。例如，一种或多种取代基Ra和Rb可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Ra和Rb可以独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、叔丁基苯基、联苯基、甲基联苯基、二甲基联苯基、三甲基联苯基、叔丁基联苯基、氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、多氟苯基、氟联苯基、二氟联苯基、三氟联苯基和多氟联苯基。不希望受限于具体的理论，表面上暴露的联苯基部分的存在可以用来调节或调整表面能(例如，解吸附能)以降低表面朝向沉积传导性材料比如镁的亲和力。生成表面能的类似调整以抑制镁的沉积的其它部分和材料可以被用于形成成核抑制覆层。
在另一个实施方式中，至少一个末端部分是或包括由如下的结构(I-d)表示的苯基部分：
其中虚线指示在苯基部分和核心部分之间形成的键。一般而言，由(I-d)表示的苯基部分可以是未取代的或取代为其氢原子中的一个或多个被一种或多种取代基替换。在由(I-d)表示的部分中，Rc表示任选的存在一种或多种取代基，其中Rc可以表示单、二、三、四或五取代。一种或多种取代基Rc可以独立地选自：氘代、氟代、包括C1-C4烷基的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基和其任意组合。具体地，一种或多种取代基Rc可以独立地选自：甲基、乙基、叔丁基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基和多氟乙基。
在又另一个实施方式中，至少一个末端部分是或包括含有稠环结构比如芴部分或亚苯基部分的多环芳香族部分(包括包含多个(例如，3、4或更多个)稠合苯环的那些)。这样的部分的实例包括螺二芴部分、三亚苯基部分、二苯基芴部分、二甲基芴部分、二氟芴部分和其任意组合。
在一些实施方式中，多环芳香族化合物包括由如下的化学结构(II)、(III)和(IV)中的至少一种表示的有机分子：
在(II)、(III)和(IV)中，C表示核心部分，并且T1、T2和T3表示与核心部分结合的末端部分。虽然在(II)、(III)、和(IV)中描绘了1、2和3个末端部分，但是应当理解也可以包括多于3个末端部分。
在一些实施方式中，C是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其实例是三唑部分。在一些实施方式中，C是或包括金属原子(包括过渡和后过渡原子)，比如铝原子、铜原子、铱原子和/或铂原子。在一些实施方式中，C是或包括氮原子、氧原子和/或磷原子。在一些实施方式中，C是或包括环烃部分，其可以是芳香族的。在一些实施方式中，C是或包括取代的或未取代的烷基——其可以是分支的或未分支的、环炔基(包括包含1和7个碳原子之间的那些)、烯基、炔基、芳基(包括苯基、萘基、噻吩基和吲哚基)、芳基烷基、杂环部分(包括环胺比如吗啉代、哌啶代和吡啶代(pyrolidino))、环醚部分(比如四氢呋喃和四氢吡喃部分)、杂芳基(包括吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、唑、噻唑、三唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、多环杂芳香族部分和二苄基苯硫基)、芴部分、甲硅烷基和其任意组合。
在(II)、(III)和(IV)中，T1是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。部分T1可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。连接体部分的实例包括-O-(其中O表示氧原子)、-S-(其中S表示硫原子)、和环烃或无环烃部分，其包括1、2、3、4或更多个碳原子，并且其可以是取代的或未取代的，并且其可以任选地包括一个或多个杂原子。核心部分和一个或多个末端部分之间的键可以是共价键或在金属元素和有机元素之间形成的键，特别是在有机金属化合物的情况下。
在(III)中，T1和T2可以是相同的或不同的，只要至少T1是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。例如，T1和T2中的每个可以是或可以包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。作为另一个实例，T1是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2可以缺少这样的部分。在一些实施方式中，T2是或包括环烃部分，其可以是芳香族的，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，T2是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，T2是或包括无环烃部分，其可以是未取代的或取代的，其可以任选地包括一个或多个杂原子，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在T1和T2不同的一些实施方式中，T2可以选自大小比得上T1的部分。具体地，T2可以选自分子量不大于大约2倍、不大于大约1.9倍、不大于大约1.7倍、不大于大约1.5倍、不大于大约1.2倍、或不大于大约1.1倍的T1的分子量的上面列出的部分。不希望受限于具体的理论，假设当包括不同于或缺少由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分的末端部分T2时，T2关于T1的比得上的大小可以促进T1在表面上暴露，这与由于分子堆叠、空间位阻或这样的效应的组合可能妨碍T1的暴露的庞大的末端基团形成对比。
在(IV)中，T1、T2、和T3可以是相同的或不同的，只要至少T1是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。例如，T1、T2和T3中的每个可以是或可以包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。作为另一个实例，T1和T2中的每个是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分，而T3可以缺少这样的部分。作为另一个实例，T1和T3中的每个可以是或可以包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2可以缺少这样的部分。作为进一步的实例，T1是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分，而T2和T3二者可以缺少这样的部分。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括环烃部分，其可以是芳香族的，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括杂环部分，比如包括一个或多个氮原子的杂环部分，其可以包括单环结构或可以是多环的，其可以是取代的或未取代的，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在一些实施方式中，至少一个T2和T3是或包括无环烃部分，其可以是未取代的或取代的，其可以任选地包括一种或多种杂原子，并且其可以与核心部分直接结合，或可以经由连接体部分与核心部分结合。在T1、T2和T3不同的一些实施方式中，T2和T3可以选自大小比得上T1的部分。具体地，T2和T3可以选自分子量不大于大约2倍、不大于大约1.9倍、不大于大约1.7倍、不大于大约1.5倍、不大于大约1.2倍、或不大于大约1.1倍的T1的分子量的上面列出的部分。不希望受限于具体的理论，假设当包括不同于或缺少由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分的末端部分T2和T3时，T2和T3关于T1的比得上的大小可以促进T1在表面上暴露，这与由于分子堆叠、空间位阻或这样的效应的组合可能妨碍T1的暴露的庞大的末端基团形成对比。
合适的成核抑制材料包括聚合物材料。这样的聚合物材料的实例包括：氟聚合物，其包括但不限于全氟化聚合物和聚四氟乙烯(PTFE)；聚乙烯联苯；聚乙烯咔唑(PVK)；和通过聚合多种如上面描述的多环芳香族化合物形成的聚合物。在另一个实例中，聚合物材料包括通过聚合多种单体形成的聚合物，其中单体中的至少一种包括末端部分，其是或包括由(I-a)、(I-b)、(I-c)或(I-d)表示的部分，或如上面描述的包括稠环结构的多环芳香族部分。
图14和15图解了根据一个实施方式的OLED装置1500。具体地，图14显示了OLED装置1500的俯视图，并且图15图解了OLED装置1500的结构的横截面视图。在图14中，阴极1550被图解为具有或限定在其中形成的多个孔隙或孔洞1560——其对应于装置1500的未沉积阴极材料的区域——的单个整体或连续结构。这在图15中被进一步图解，其显示了OLED装置1500，其包括基座衬底1510、阳极1520、有机层1530、成核促进覆层1540、在成核促进覆层1540的某些区域之上选择性沉积的成核抑制覆层1570、和在成核促进覆层1540的不存在成核抑制覆层1570的其它区域之上沉积的阴极1550。更具体地，通过在装置1500的装配期间选择性地沉积成核抑制覆层1570以覆盖成核促进覆层1540的表面的某些区域，使用开放式掩模或无掩模沉积过程将阴极材料选择性地沉积在成核促进覆层1540的表面的暴露区域上。可以通过改变赋予的图案的多种参数比如在阴极1550中形成的孔洞1560的平均大小和孔洞1560的密度来调节或修改OLED装置1500的透明度或透射率。因此，OLED装置1500可以是基本上透明的OLED装置，其允许入射在OLED装置上的至少部分外部光通过其传播。例如，OLED装置1500可以是基本上透明的OLED照明面板。这样的OLED照明面板可以，例如，配置为以一个方向(例如，朝向或远离基座衬底1510)或以两个方向(例如，朝向和远离基座衬底1510)发射光。
图16图解了根据另一个实施方式的OLED装置1600，其中阴极1650基本上覆盖整个装置区。具体地，OLED装置1600包括基座衬底1610、阳极1620、有机层1630、成核促进覆层1640、阴极1650、在阴极1650的某些区域之上选择性沉积的成核抑制覆层1660、和在阴极1650的不存在成核抑制覆层1660的其它区域之上沉积的辅助电极1670。
辅助电极1670被电连接至阴极1650。特别在顶部-发射配置中，期望沉积相对薄层的阴极1650以减少由于存在阴极1650而造成的光学干涉(例如，衰减、反射、漫射等)。然而，减小厚度的阴极1650通常增加阴极1650的片电阻，因而降低OLED装置1600的性能和效率。通过提供电连接至阴极1650的辅助电极1670，可以减小片电阻并且因而减小与阴极1650相关联的IR下降。另外，通过选择性地沉积辅助电极1670以覆盖装置区的某些区域，同时其它区域保持未覆盖，由于存在辅助电极1670造成的光学干涉可以被控制和/或减少。
现在将参考图48说明电极片电阻的作用，其显示了具有p-型TFT的顶部-发射有源矩阵OLED(AMOLED)像素的电路图的实例。在图48中，电路4800包括电源(VDD)线4812、控制线4814、栅极线4816和数据线4818。提供了包括第一TFT 4831、第二TFT 4833和储存电容器4841的驱动电路，并且驱动电路组件以图中图解的方式与数据线4818、栅极线4816和VDD线4812连接。还提供了补偿电路4843，其通常作用以补偿由制造差异或TFT 4831和4833随着时间的降级引起的任何晶体管性质的偏差。
OLED像素或子像素4850和阴极4852，其在电路图中被表示为电阻器，与第二TFT4833(也称为“驱动晶体管”)串联连接。驱动晶体管4833依据储存在储存电容器4841中的电荷的电压调节穿过OLED像素4850的电流，以便OLED像素4850输出期望的亮度。通过将储存电容器4841经由第一TFT 4831(也称为“开关晶体管”)与数据线4818连接设置储存电容器4841的电压。
由于基于栅电压和驱动晶体管4833的源电压之间的电位差调节通过OLED像素或子像素4850和阴极4852的电流，因此阴极4852的片电阻的增加导致更大的IR下降，其通过增加电源(VDD)被补偿。然而，当VDD增加时，供应至TFT 4833和OLED像素4850的其它电压也增加以维持适当的操作，并且因而是不利的。
参考图48，辅助电极4854被图解为与阴极4852并联连接的电阻器。由于辅助电极4854的电阻大幅低于阴极4852的电阻，因此辅助电极4854和阴极4852的组合有效电阻低于单独的阴极4852的电阻。因此，可以通过存在辅助电极4854缓解VDD的增加。
虽然已经关于顶部-发射OLED装置说明了辅助电极的优点，但是还有利的是在底部-发射或双侧发射OLED装置的阴极之上选择性地沉积辅助电极。例如，虽然阴极可以在底部-发射OLED装置中被形成为相对厚层而基本上不影响装置的光学特性，但是仍可能有利的是形成相对薄的阴极。例如，在透明的或半透明的显示装置中，包括阴极的整个装置的层可以被形成为基本上透明的或半透明的。因此，提供通过肉眼从典型的视距不能容易检测到的图案化辅助电极可以是有利的。还将领会描述的过程可以被用于形成母线或辅助电极，用于减小除OLED装置以外的装置的电极电阻。
在一些实施方式中，可以通过在已经沉积传导性覆层后使用例如溶剂或等离子体蚀刻去除在装配过程期间沉积的成核抑制覆层。
图59A图解了根据一个实施方式的装置5901，其包括衬底5910以及在衬底5910的表面的各自区域之上沉积的成核抑制覆层5920和传导性覆层5915(例如，镁覆层)。
图59B图解了装置5902，其中已经由衬底5910的表面去除在装置5901中存在的成核抑制覆层5920，以便传导性覆层5915保留在衬底5910上并且衬底5910的由成核抑制覆层5920覆盖的区域现在是暴露的或未覆盖的。例如，可以通过使衬底5910暴露于溶剂或等离子体——其优先地反应和/或蚀刻掉成核抑制覆层5920而基本上不影响传导性覆层5915——来去除装置5901的成核抑制覆层5920。
已经关于多个层或覆层描述了上面的实施方式中的至少一些，该多个层或覆层包括使用蒸发过程形成的成核促进覆层、成核抑制覆层和传导性覆层。如将理解的，蒸发过程是一种类型的PVD过程，其中一种或多种来源材料在低压(例如，真空)环境下被蒸发或升华并且通过一种或多种蒸发的来源材料的去升华被沉积在目标表面上。各种不同的蒸发源可以被用于加热来源材料，并且因此，将领会可以以多种方式加热来源材料。例如，可以通过导电丝(electric filament)、电子束、感应加热，或通过电阻加热来加热来源材料。此外，可以使用其它合适的过程沉积和/或图案化这样的层或覆层，所述过程包括照相平版法、印刷、OVPD、LITI图案化和其组合。这些过程还可以与荫罩组合使用以实现多种图案。
例如，可以在高至大约600℃的源温度下沉积镁以实现较快的沉积速率，比如大约10至30nm/秒或更大。参考下面的表1，提供了使用Knudsen池(cell)来源测量的在大约1nm的富勒烯处理的有机表面上沉积基本上纯的镁的多种沉积速率。将领会其它因素也可以影响沉积速率，其包括但不限于来源和衬底之间的距离、衬底的特性、衬底上成核促进覆层的存在，使用的来源的类型和由来源蒸发的材料的通量的成形。
表1：依据温度的镁沉积速率
本领域技术人员将领会使用的具体加工条件可以取决于用于实施沉积的装备变化。还将领会通常在较高的源温度下取得较高的沉积速率；然而，可以选择其它沉积条件，比如，例如，通过靠近沉积源放置衬底。
还将领会用于沉积任何多个层或覆层——包括传导性覆层、成核抑制覆层和成核促进覆层——的开放式掩模可以“掩蔽”或阻止在衬底的某些区域上沉积材料。然而，与用于形成相对小的零件——其具有数十微米或更小数量级的零件大小——的精细金属掩模(FMM)不同，开放式掩模的零件大小通常比得上正在制造的OLED装置的大小。例如，开放式掩模可以在制造期间掩蔽显示装置的边缘，其将导致开放式掩模具有近似对应于显示装置的大小的孔隙(例如微显示器大约1英寸，手机显示器大约4-6英寸，笔记本电脑或平板显示器大约8-17英寸，等等)。例如，开放式掩模的零件大小可以是大约1cm或更大数量级。
图16B图解了具有或限定在其中形成的孔隙1734的开放式掩模1731的实例。在图解的实例中，掩模1731的孔隙1734小于装置1721的大小，以便当叠加掩模1731时，掩模1731覆盖装置1721的边缘。具体地，在图解的实施方式中，装置1721的所有或基本上所有发射区域或像素1723通过孔隙1734被暴露，而在装置1721的外边缘1725和孔隙1734之间形成未暴露区域1727。如将领会的，电触点或其它装置组件可以位于未暴露区域1727中，以便这些组件保持通过开放式掩模沉积过程不受影响。
图16C图解了开放式掩模1731的另一个实例，其中掩模1731的孔隙1734小于图16B的孔隙，以便当叠加时掩模1731覆盖装置1721的至少一些发射区域或像素1723。具体地，最外侧的像素1723’被图解为位于在掩模1731的孔隙1734和装置1721的外边缘1725之间形成的装置1721的未暴露区域1727内。
图16D图解了开放式掩模1731的又另一个实例，其中掩模1731的孔隙1734限定了图案，其覆盖一些像素1723’同时暴露装置1721的其它像素1723。具体地，位于装置1721的未暴露区域1727(在孔隙1734和外边缘1725之间形成)内的像素1723’在沉积过程期间被掩蔽以抑制蒸汽通量入射在未暴露区域1727上。
虽然最外侧的像素在图16B-16D的实例中已经被图解为被掩蔽，但是将领会开放式掩模的孔隙可以成形以掩蔽装置的其它发射和非发射区域。另外，虽然已经在前述实例中将开放式掩模图解为具有一个孔隙，但是开放式掩模也可以包括另外的孔隙，用于暴露衬底或装置的多个区域。
图16E图解了开放式掩模1731的另一个实例，其中掩模1731具有或限定了多个孔隙1734a-1734d。孔隙1734a-1734d被定位，以便它们选择性地暴露装置1721的某些区域同时掩蔽其它区域。例如，某些发射区域或像素1723通过孔隙1734a-d被暴露，而位于未暴露区域1727内的其它像素1723’被掩蔽。
在本文描述的多个实施方式中，将理解可以根据需要省略使用开放式掩模。具体地，可以可选地实施本文描述的开放式掩模沉积过程而不使用掩模，以便暴露整个目标表面。
虽然已经出于沉积成核促进材料、成核抑制材料和镁的目的参考蒸发描述了某些过程，但是将领会的是多种其它过程可以被用于沉积这些材料。例如，可以使用其它PVD过程(包括溅射)、CVD过程(包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD))、或其它用于沉积这样的材料的合适的过程来实施沉积。在一些实施方式中，通过使用电阻加热器加热镁来源材料来沉积镁。在其它实施方式中，镁来源材料可以被装载在加热坩埚、加热舟皿、Knudsen池(例如，渗出蒸发器来源)、或任何其它类型的蒸发源中。
用于沉积传导性覆层的沉积来源材料可以是混合物或化合物，并且在一些实施方式中，混合物的至少一种组分或化合物在沉积期间不被沉积在衬底上(或以与例如与镁相比相对小的量被沉积)。在一些实施方式中，来源材料可以是铜-镁(Cu-Mg)混合物或Cu-Mg化合物。在一些实施方式中，镁沉积源的来源材料包括镁和与镁相比具有更低蒸汽压的材料，比如，例如，Cu。在其它实施方式中，镁沉积源的来源材料是基本上纯的镁。具体地，基本上纯的镁可以展示与纯镁(99.99％和更高纯度的镁)相比基本上类似的性质(例如，成核抑制和促进覆层上的初始粘着概率)。例如，基本上纯的镁在成核抑制覆层上的初始粘着概率可以在99.99％纯度的镁在成核抑制覆层上的初始粘着概率的±10％内或±5％内。镁的纯度可以是大约95％或更高、大约98％或更高、大约99％或更高、或大约99.9％或更高。用于沉积传导性覆层的沉积来源材料可以包括代替镁或与镁组合的其它金属。例如，来源材料可以包括高蒸汽压材料，比如镱(Yb)、镉(Cd)、锌(Zn)或其任意组合。
另外，将领会可以在用作有机光电子装置的电子注入层、电子传输层、电致发光层和/或像素定义(definition)层(PDL)的其它多种有机或无机材料的表面上进行多种实施方式的过程。这样的材料的实例包括有机分子以及有机聚合物比如在PCT公布号WO 2012/016074中描述的那些。本领域技术人员还将理解掺杂多种元素和/或无机化合物的有机材料仍被认为是有机材料。本领域技术人员将进一步领会可以使用多种有机材料，并且本文描述的过程通常适用于整个范围的这样的有机材料。
还将领会无机衬底或表面可以指的是主要包括无机材料的衬底或表面。为了更清楚，无机材料将通常被理解是不认为是有机材料的任何材料。无机材料的实例包括金属、玻璃和矿物质。具体地，可以使用根据本公开内容的过程将包括镁的传导性覆层沉积在氟化锂(LiF)、玻璃和硅(Si)的表面上。在其上可以应用根据本公开内容的过程的其它表面包括硅或基于硅氧烷的聚合物、无机半导体材料、电子注入材料、盐、金属和金属氧化物的那些。
将领会衬底可以包括半导体材料，并且因此，这样的衬底的表面可以是半导体表面。半导体材料可以被描述为通常展示带隙的材料。例如，可以在最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占有分子轨道(LUMO)之间形成这样的带隙。半导体材料因而通常具备比传导性材料(例如，金属)小但比绝缘材料(例如，玻璃)大的导电性。将理解半导体材料可以是有机半导体材料或无机半导体材料。
图17显示了根据一个实施方式的图案化阴极1710。阴极1710被图解为单个整体或连续结构，其包括多个基本上直的导体区段，其被分隔开并且关于彼此基本上平行排布。每个导体区段在其两个末端处被连接至末端导体区段，其基本上垂直于多个基本上直的导体区段排布。可以依据上面描述的沉积过程形成阴极1710。
图17B显示了根据另一个实施方式的图案化阴极1712，其中阴极1712包括多个分隔开的和细长的传导性条带。例如，阴极1712可以被用于无源矩阵OLED装置(PMOLED)1715。在PMOLED装置1715中，通常在反-电极重叠的区域处形成发射区域或像素。因此，在图17B的实施方式中，在阴极1712和阳极1741——其包括多个分隔开的和细长的传导性条带——的重叠区域处形成发射区域或像素1751。在阴极1712和阳极1741的不重叠的区域处形成非发射区域1755。通常地，如图解的，阴极1712的条带和阳极1741的条带在PMOLED装置1715中基本上彼此垂直取向。阴极1712和阳极1741可以被连接至电源和用于供应电流至各自的电极的相关联的驱动电路。
图17C图解了沿着图17B中的线A-A截取的横截面视图。在图17C中，提供了基座衬底1702，其可以是，例如，透明的衬底。阳极1741以如图17B中图解的条带的形式被提供在基座衬底1702之上。一个或多个有机层1761被沉积在阳极1741之上。例如，有机层1761可以被提供为跨越整个装置的共用层，并且可以包括任意数目的本文描述的有机和/或无机材料层，比如空穴注入和传输层、电致发光层、以及电子传输和注入层。有机层1761的顶表面的某些区域被图解为由成核抑制覆层1771覆盖，其被用于依据上面描述的沉积过程选择性地图案化阴极1712。阴极1712和阳极1741可以被连接至它们各自的驱动电路(未显示)，其控制光从像素1751的发射。
虽然成核抑制覆层1771和阴极1712的厚度可以取决于期望的应用和性能而变化，但是至少在一些实施方式中，成核抑制覆层1771的厚度可以比得上阴极1712的厚度，或大幅小于阴极1712的厚度，如图17C中图解的。使用相对薄的成核抑制覆层实现阴极的图案化对于柔性PMOLED装置可以是特别有利的，这是由于它可以提供在其上可以施加屏障覆层的相对平的表面。
图17D图解了具有在阴极1712和成核抑制覆层1771之上施加的屏障覆层1775的图17C的PMOLED装置1715。如将领会的，通常提供屏障覆层1775以抑制多种装置层——包括可能易受氧化的有机层和阴极1712——免于暴露于水分和环境空气。例如，屏障覆层1775可以是由印刷、CVD、溅射、原子层沉积(ALD)、任意前述的组合，或通过任何其它合适的方法形成的薄膜封装。还可以通过使用粘合剂(未显示)将预成型的屏障膜层压至装置1715上来提供屏障覆层1775。例如，屏障覆层1775可以是包括有机材料、无机材料或二者的组合的多层覆层。屏障覆层1775可以进一步包括吸气材料和/或干燥剂。
出于比较目的，在图17E中图解了比较性PMOLED装置1719的实例。在图17E的比较性实例中，多个像素定义结构1783被提供在装置1719的非发射区域中，以便当使用开放式掩模或无掩模沉积过程沉积传导性材料时，传导性材料被沉积在位于相邻的像素定义结构1783之间的两个发射区域上以形成阴极1712，以及被沉积在像素定义结构1783的顶部上以形成传导性条带1718。然而，为了确保阴极1712的每个区段与传导性条带1718电隔离，像素定义结构1783的厚度或高度被形成为大于阴极1712的厚度。像素定义结构1783还可以具有凹割轮廓(undercut profile)以进一步降低阴极1712与传导性条带1718电接触的可能性。屏障覆层1775被提供以覆盖包括阴极1712、像素定义结构1783和传导性条带1718的PMOLED装置1719。
在图17E中图解的比较性PMOLED装置1719中，在其上施加屏障覆层1775的表面由于存在像素定义结构1783而是不均匀的。这使得难以施加屏障覆层1775，并且甚至在施加屏障覆层1775之后，屏障覆层1775与下方表面的粘附可能是相对差的。差的粘附增加屏障覆层1775由装置1719剥落的可能性，特别是当装置1719是弯曲的或曲折的时。另外地，由于不均匀的表面，在施加程序期间存在在屏障覆层1775和下方表面之间封闭气泡的相对高的概率。气泡的存在和/或屏障覆层1775的剥落可能引起或有助于缺陷和部分或总体装置故障，并且因而是高度非期望的。这些因素在图17D的实施方式中被缓解或减少。
虽然图17和17B中显示的图案化阴极1710和1712可以被用于形成OLED装置的阴极，但是应领会类似的图案可以被用于形成OLED装置的辅助电极。具体地，这样的OLED装置可以提供有共用阴极和辅助电极，其安置在共用阴极顶部或下方以便辅助电极与共用阴极电通信。例如，可以在包括多个发射区域的OLED装置(例如，AMOLED装置)中实施这样的辅助电极，以便在非发射区域之上和不在发射区域之上形成辅助电极。在另一个实例中，可以提供辅助电极以覆盖OLED装置的非发射区域以及至少一些发射区域。
图18A描绘了包括多个发射区域1810a-1810f和非发射区域1820的部分OLED装置1800。例如，OLED装置1800可以是AMOLED装置，并且发射区域1810a-1810f中的每个可以对应于这样的装置的像素或子像素。为了简略起见，图18B-18D描绘了部分OLED装置1800。具体地，图18B-18D显示了环绕第一发射区域1810a和第二发射区域1810b——其是两个相邻的发射区域——的区域。虽然没有明确地图解，但是可以提供基本上覆盖装置1800的发射区域和非发射区域二者的共用阴极。
在图18B中，显示了根据一个实施方式的辅助电极1830，其中辅助电极1830被安置在两个相邻的发射区域1810a和1810b之间。辅助电极1830被电连接至共用阴极(未显示)。具体地，辅助电极1830被图解为具有宽度(α)，其小于相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离(d)，因而在辅助电极1830的每侧上产生非发射间隙区域。例如，这样的排布在装置1800中可以是期望的，其中相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离足以容纳足够宽度的辅助电极1830，这是由于辅助电极1830干扰装置1800的光输出的可能性可以通过提供非发射间隙区域被降低。另外，这样的排布在辅助电极1830相对厚(例如，大于数百纳米或在几微米厚的数量级)的情况下可以是特别有益的。例如，辅助电极1830的高度或厚度相对于其宽度的比率(即，纵横比)可以大于大约0.05，比如大约0.1或更大、大约0.2或更大、大约0.5或更大、大约0.8或更大、大约1或更大、或大约2或更大。例如，辅助电极1830的高度或厚度可以大于大约50nm、比如大约80nm或更大、大约100nm或更大、大约200nm或更大、大约500nm或更大、大约700nm或更大、大约1000nm或更大、大约1500nm或更大、大约1700nm或更大、或大约2000nm或更大。
在图18C中，显示了根据另一个实施方式的辅助电极1832。辅助电极1832被电连接至共用阴极(未显示)。如图解的，辅助电极1832具有与两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离基本上相同的宽度，以便辅助电极1832基本上完全占据在相邻的发射区域1810a和1810b之间提供的整个非发射区域。这样的排布可以是期望的，例如，在两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离相对小的情况下，比如在高像素密度显示装置中。
在图18D中，图解了根据又另一个实施方式的辅助电极1834。辅助电极1834被电连接至共用阴极(未显示)。辅助电极1834被图解为具有宽度(α)，其大于两个相邻的发射区域1810a和1810b之间的间隔距离(d)。因此，部分辅助电极1834重叠部分第一发射区域1810a和部分第二发射区域1810b。这样的排布可以是期望的，例如，在相邻的发射区域1810a和1810b之间的非发射区域不足以完全容纳期望宽度的辅助电极1834的情况下。虽然辅助电极1834在图18D中被图解为以与第二发射区域1810b基本上相同的程度与第一发射区域1810a重叠，但是可以在其它实施方式中调节辅助电极1834与邻近的发射区域的重叠程度。例如，在其它实施方式中，辅助电极1834可以以与第二发射区域1810b相比更大程度与第一发射区域1810a重叠并且反之亦然。另外，辅助电极1834和发射区域之间的重叠的概况还可以变化。例如，可以成形辅助电极1834的重叠部分，以便辅助电极1834与部分发射区域重叠，该重叠程度比其与相同发射区域的另一部分重叠更大，以产生不均匀的重叠区域。
在图19中，图解了根据一个实施方式的OLED装置1900，其中提供了发射区域1910和环绕发射区域1910的非发射区域1920。引线1912被图解为在装置1900的非发射区域1920中形成。引线1912被电连接至覆盖装置1900的发射区域1910的电极(未显示)。引线1912可以提供用于连接至外部电源以便给这样的电极供电的接触点。例如，可以通过提供与引线1912(电线可以被焊接和连接至电源)整合的焊区(soldering pad)来经由引线1912将电极连接至外部电源。将领会虽然没有明确地图解，但是辅助电极可能存在并且被连接至覆盖装置1900的发射区域1910的电极。在存在这样的辅助电极时，引线1912可以被直接连接至辅助电极、与辅助电极连接的电极、或二者。
将领会引线1912可以被提供在与其连接的电极相同的平面上，或它可以被提供在不同的平面上。例如，引线1912可以被连接至OLED装置1900的另一层，比如通过一个或多个垂直连接件(例如，贯穿孔)连接至背板。
图20图解了根据另一个实施方式的部分OLED装置2000。OLED装置2000包括发射区域2010和非发射区域2020。OLED装置2000进一步包括网格状辅助电极2030，其与装置2000的电极(未显示)电通信。如图20中图解的，辅助电极2030的第一部分被安置在发射区域2010内，同时辅助电极2030的第二部分被安置在装置2000的发射区域2010外和非发射区域2020内。辅助电极2030的这样的排布可以允许电极的片电阻降低，同时阻止辅助电极2030显著地干扰装置2000的光输出。
在一些应用中，可能期望在整个装置区或其部分之上形成规律重复图案的辅助电极。图21A-21D图解了可以使用的辅助电极的重复单元的多种实施方式。具体地，在图21A中，辅助电极2110涵盖未被辅助电极2110覆盖的四个区域2120。形成辅助电极2110，以便区域2120以T-形状排布。例如，区域2120中的每个可以基本上对应于包括多个发射区域的OLED装置的发射区域。因此，将领会其它层或覆层，比如共用阴极，可以存在于区域2120中。在图21B中，辅助电极2112以颠倒的T-形状形成并且涵盖四个未覆盖区域2122。在图21C中，形成辅助电极2114以涵盖四个未覆盖区域2124，并且在图21D中类似地，形成辅助电极2116以涵盖四个未覆盖区域2126。
使用辅助电极的重复单元——比如图21A-21D中图解的那些——的潜在优点包括在装配装置中容易图案化。例如，用于在形成辅助电极期间图案化成核促进或成核抑制覆层的掩模可以被重复地使用以图案化装置表面的不同部分，因而避免需要更复杂的和/或更大的掩模。
图22图解了根据一个实施方式的部分OLED装置2200，其中装置2200包括在其上形成的多个重复辅助电极单元2230a-d。具体地，每个辅助电极单元2230a-d是L-形状的并且涵盖三个不同的发射区域2210。例如，每个发射区域2210可以对应于装置2200的像素或子像素。如图解的，相邻的辅助电极单元可以彼此互锁。例如，第一辅助电极单元2230a被形成与第二辅助电极单元2230b处于互锁关系，并且类似地，第三辅助电极单元2230c与第四辅助电极单元2230d互锁。在非发射区域2220上形成辅助电极单元2230a-d。将领会可以形成辅助电极单元2230a-d，以便它们彼此直接电通信。例如，可以在装配期间整体形成重复辅助电极单元2230a-d。可选地，可以形成辅助电极单元2230a-d，以便它们经由共用电极被电连接。
图23图解了根据另一个实施方式的部分OLED装置2300。在图23的实施方式中，形成每个辅助电极单元2330a、2330b以涵盖五个不同的发射区域2310。在装置2300的非发射区域2320上形成辅助电极单元2330a和2330b。如图解的，第一辅助电极单元2330a邻近第二辅助电极单元2330b定位但是未与其处于互锁关系。
在图24中图解的另一个实施方式中，提供了与图23中图解的那些类似的辅助电极单元。然而，在图24中，以彼此互锁关系排布辅助电极单元2430a-d。类似于图23的实施方式，每个辅助电极单元2430a-d涵盖五个不同的发射区域2410，并且在装置2400的非发射区域2420上形成。
虽然已经描述和图解了每个辅助电极单元涵盖3、4或5个发射区域的多种实施方式，将领会每个辅助电极单元可以涵盖任意数目的发射区域，包括1、2、3、4、5、6或更多个发射区域。
图25图解了辅助电极2530在OLED装置2500之上形成为网格的实施方式。如图解的，辅助电极2530被提供在装置2500的非发射区域2520之上，以便它基本上不覆盖发射区域2510的任何部分。
图26图解了辅助电极单元2630在OLED装置2600之上形成为一系列细长结构的实施方式。如图解的，辅助电极单元2630被提供在装置2600的非发射区域2620之上，以便它基本上不覆盖发射区域2610的任何部分。辅助电极单元2610被分隔开并且彼此不被物理连接，而是经由共用电极(未显示)被电连接。如将领会的，通过降低连接的共用电极的总片电阻，彼此不被直接互连的辅助电极单元2610可以仍提供大量优点。
图27图解了辅助电极单元2730在OLED装置2700之上形成为“阶梯”图案的实施方式。如图解的，辅助电极单元2730被提供在装置2700的非发射区域2720之上，以便它基本上不覆盖发射区域2710的任何部分。
图28A-28J图解了辅助电极被提供在相邻的子像素之间的多种实施方式。
在图28A中，辅助电极单元2830被提供为相邻列的子像素2812之间细长的条带。具体地，在图28A的实施方式中，第一子像素2812a、第二子像素2812b和第三子像素2812c共同形成第一像素2810a。例如，第一像素2810a可以是RGB像素，在该情况下，每个子像素2812a-c将对应于红色、绿色或蓝色子像素。可以排布像素2810，以便相同的子像素图案(例如，红色、绿色、蓝色)跨越显示装置重复。具体地，第二像素2810b和第三像素2810c的子像素排布可以与第一像素2810a的子像素排布相同。以这样的排布，每列子像素2812中的所有子像素2812(例如，沿着标示为Y的第一轴线性排布的子像素)可以是颜色相同的，并且基本上平行于第一轴Y延伸的辅助电极单元2830可以被提供在相邻列的子像素2812之间，如图28A中图解的。
为了简略起见，使用与上面参考图28A描述的相同的像素和子像素排布图解图28B-28J。
在图28B中，辅助电极单元2830被图解为提供在相邻列的像素2810之间。具体地，基本上平行于第一轴Y延伸的辅助电极单元2830被提供在第一像素2810a和第二像素2810b——其关于彼此在第二轴X的方向中对齐——之间。然而，辅助电极单元2830均没有被提供在第一像素2810a和第三像素2810c——其关于彼此在第一轴Y的方向中对齐——之间。如图中图解的，第一轴Y和第二轴X彼此垂直。将领会虽然辅助电极单元2830在图28B中被图解为沿着第一轴Y延伸，但是辅助电极单元2830在另一个实施方式中可以沿着第二轴X延伸。
图28C图解了辅助电极2830在相邻的子像素2812之间被提供为跨越显示装置的网格的实施方式。具体地，辅助电极2830被提供在每对相邻的子像素2812a-2812c之间。因此，辅助电极2830包括区段，其基本上平行于第一轴Y和第二轴X延伸以在子像素2812a-2812c之间形成网眼或网格。
在图28D中图解的另一个实施方式中，辅助电极2830被提供在相邻的像素2810之间。具体地，辅助电极2830被提供在第一像素2810a和第二像素2810b——其关于彼此沿着第二轴X对齐——之间，以及在第一像素2810a和第三像素2810c——其关于彼此沿着第一轴Y对齐——之间。因此，辅助电极2830在像素2810a-c之间形成网眼或网格。
在图28E中，图解了又另一个实施方式，其中离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的子像素2812之间。具体地，辅助电极单元2830基本上平行于第一轴Y取向并且被提供在相邻的子像素2812a-c之间。
在图28F中，图解了实施方式，其中离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的像素2810之间。具体地，辅助电极单元2830基本上平行于第一轴Y取向并且被提供在第一像素2810a和第二像素2810b——其沿着第二轴X彼此邻近排布——之间。
在图28G中，离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的子像素2812之间以产生跨越显示装置的网格或网眼。如图解的，基本上平行于第一轴Y延伸的细长的辅助电极单元2830被安置在沿着第二轴X对齐的相邻的子像素2812之间。类似地，基本上平行于第二轴X延伸的细长的辅助电极单元2830被安置在沿着第一轴Y对齐的相邻的子像素2812之间。
在图28H中，离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的像素2810之间以产生跨越显示装置的网格或网眼。如图解的，基本上平行于第一轴Y延伸的细长的辅助电极单元2830被安置在沿着第二轴X对齐的相邻的像素2810a和2810b之间。类似地，基本上平行于第二轴X延伸的细长的辅助电极单元2830被安置在沿着第一轴Y对齐的相邻的像素2810a和2810c之间。
图28I图解了另一个实施方式，其中离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的子像素2812之间以形成跨越显示装置的网格或网眼。辅助电极单元2830每个包括基本上平行于第一轴Y延伸的第一区段和基本上平行于第二轴X延伸的第二区段。第一轴Y和第二轴X彼此垂直。在图28I中，第一区段和第二区段被端对端连接以形成颠倒的L-形状。
图28J图解了另一个实施方式，其中离散的辅助电极单元2830被提供在相邻的子像素2812之间以形成跨越显示装置的网格或网眼。辅助电极单元2830每个包括基本上平行于第一轴Y延伸的第一区段和基本上平行于第二轴X延伸的第二区段。第一轴Y和第二轴X彼此垂直。在图28J中，第一区段和第二区段在第一和第二区段的中点附近连接以形成十字形状。
虽然已经在某些实施方式中将辅助电极单元图解为彼此未物理连接，但是它们可以经由共用电极彼此处于电通信。例如，提供离散的辅助电极单元——其经由共用电极彼此间接连接——仍可以大幅降低片电阻并且因而增加OLED装置的效率而基本上不干扰装置的光学特性。
辅助电极还可以以其它像素或子像素排布被用于显示装置。例如，辅助电极可以被提供在使用菱形像素排布的显示装置上。图29-33中图解了这样的像素排布的实例。
图29是具有根据一个实施方式的菱形像素排布的OLED装置2900的示意性图示。OLED装置2900包括多个像素定义层(PDL)2930和在相邻的PDL 2930之间安置的发射区域2912(子像素)。发射区域2912包括对应于第一子像素2912a——其可以例如对应于绿色子像素——的那些、对应于第二子像素2912b——其可以例如对应于蓝色子像素——的那些、和对应于第三子像素2912c——其可以例如对应于红色子像素——的那些。
图30是沿着图29中显示的线A-A截取的OLED装置2900的示意性图示。如图30中更清楚图解的，装置2900包括衬底2903和在基座衬底2903的表面上形成的多个阳极单元2921。衬底2903可以进一步包括多个晶体管和基座衬底，其为了简略起见已经从图省略。有机层2915被提供在相邻的PDL 2930之间的区域中的每个阳极单元2921的顶部上，并且共用阴极2942被提供在有机层2915和PDL 2930之上以形成第一子像素2912a。有机层2915可以包括多个有机和/或无机层。例如，这样的层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电致发光层、电子注入层和/或电子传输层。成核抑制覆层2945被提供在共用阴极2942对应于第一子像素2912a的区域之上以允许辅助电极2951在共用阴极2942对应于PDL 2930的基本上平的区域的未覆盖区域之上的选择性沉积。成核抑制覆层2945还可以充当折射率-匹配覆层。薄膜封装层2961可以被任选地提供以封装装置2900。
图31显示了沿着图29中指示的线B-B截取的OLED装置2900的示意性图示。装置2900包括在衬底2903的表面上形成的多个阳极单元2921，和在相邻的PDL 2930之间的区域中的每个阳极单元2921的顶部上提供的有机层2916或2917。共用阴极2942被提供在有机层2916和2917以及PDL 2930之上以分别形成第二子像素2912b和第三子像素2912c。成核抑制覆层2945被提供在共用阴极2942对应于子像素2912b和2912c的区域之上以允许辅助电极2951在共用阴极2942对应于PDL 2930的基本上平的区域的未覆盖区域之上的选择性沉积。成核抑制覆层2945还可以充当折射率-匹配覆层。薄膜封装层2961可以被任选地提供以封装装置2900。
图32是具有根据另一个实施方式的像素排布的OLED装置3200的示意性图示。具体地，装置3200包括分隔发射区域3212(子像素)的多个PDL 3230。例如，第一子像素3212a可以对应于绿色子像素，第二子像素3212b可以对应于蓝色子像素，并且第三子像素3212c可以对应于红色子像素。图33是具有根据图32的实施方式的像素排布的OLED装置的图像。虽然未显示，但是装置3200可以进一步包括在装置3200的非发射区域之上提供的辅助电极。例如，辅助电极可以被安置在共用阴极对应于PDL 3230的基本上平的部分的区域之上。
在根据一些实施方式的另一方面，提供了装置。在一些实施方式中，装置是光电子装置。在一些实施方式中，装置是另一种电子装置或其它产品。在一些实施方式中，装置包括衬底、成核抑制覆层和传导性覆层。成核抑制覆层覆盖衬底的第一区域。传导性覆层覆盖衬底的第二区域，并且部分地重叠成核抑制覆层，以便成核抑制覆层的至少一部分从传导性覆层暴露，或基本上不含传导性覆层或基本上不被传导性覆层覆盖。在一些实施方式中，传导性覆层包括第一部分和第二部分，传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，并且传导性覆层的第二部分重叠部分成核抑制覆层。在一些实施方式中，传导性覆层的第二部分与成核抑制覆层通过间隙分隔开。在一些实施方式中，成核抑制覆层包括有机材料。在一些实施方式中，传导性覆层的第一部分和传导性覆层的第二部分彼此整体地形成。
在根据一些实施方式的另一方面，提供了装置。在一些实施方式中，装置是光电子装置。在一些实施方式中，装置是另一种电子装置或其它产品。在一些实施方式中，装置包括衬底和传导性覆层。衬底包括第一区域和第二区域。传导性覆层覆盖衬底的第二区域，并且部分地重叠衬底的第一区域，以便衬底的第一区域的至少一部分从传导性覆层暴露，或基本上不含传导性覆层或基本上不被传导性覆层覆盖。在一些实施方式中，传导性覆层包括第一部分和第二部分，传导性覆层的第一部分覆盖衬底的第二区域，并且传导性覆层的第二部分重叠部分衬底的第一区域。在一些实施方式中，传导性覆层的第二部分与衬底的第一区域通过间隙分隔开。在一些实施方式中，传导性覆层的第一部分和传导性覆层的第二部分彼此整体地形成。
图34图解了根据一个实施方式的部分装置。装置包括具有表面3417的衬底3410。成核抑制覆层3420覆盖衬底3410的表面3417的第一区域3415，并且传导性覆层3430覆盖衬底3410的表面3417的第二区域3412。如图34中图解的，第一区域3415和第二区域3412是衬底3410的表面3417的不同的和非重叠的区域。传导性覆层3430包括第一部分3432和第二部分3434。如图中图解的，传导性覆层3430的第一部分3432覆盖衬底3410的第二区域3412，并且传导性覆层3430的第二部分3434部分地重叠部分成核抑制覆层3420。具体地，第二部分3434被图解为以垂直(或法向)于下方衬底表面3417的方向重叠部分成核抑制覆层3420。
特别在形成成核抑制覆层3420以便其表面3422针对用于形成传导性覆层3430的材料展示相对低的初始粘着概率的情况下，在传导性覆层3430的重叠的第二部分3434和成核抑制覆层3420的表面3422之间形成间隙3441。因此，传导性覆层3430的第二部分3434不与成核抑制覆层3420直接物理接触，而是通过间隙3441沿着如由箭头3490指示的垂直于衬底3410的表面3417的方向与成核抑制覆层3420分隔开。然而，传导性覆层3430的第一部分3432可以在衬底3410的第一区域3415和第二区域3412之间的界面或边界处与成核抑制覆层3420直接物理接触。
在一些实施方式中，传导性覆层3430的重叠的第二部分3434可以在成核抑制覆层3420之上侧向地延伸比得上传导性覆层3430的厚度的程度。例如，参考图34，第二部分3434的宽度w2(或沿着平行于衬底3410的表面3417的方向的尺寸)可以比得上传导性覆层3430的第一部分3432的厚度t1(或沿着垂直于衬底3410的表面3417的方向的尺寸)。例如，w2∶tl的比率可以在大约1∶1至大约1∶3、大约1∶1至大约1∶1.5、或大约1∶1至大约1∶2的范围中。虽然厚度t1将通常是跨越传导性覆层3430相对均匀的，但是第二部分3434与成核抑制覆层3420的重叠程度(即，w2)可以跨越表面3417的不同部分以一些程度变化。
在图35中图解的另一个实施方式中，传导性覆层3430进一步包括在第二部分3434和成核抑制覆层3420之间安置的第三部分3436。如图解的，传导性覆层3430的第二部分3434在传导性覆层3430的第三部分3436之上侧向地延伸并且与传导性覆层3430的第三部分3436分隔开，并且第三部分3436可以与成核抑制覆层3420的表面3422直接物理接触。第三部分3436的厚度t3可以小于和在一些情况下大幅小于传导性覆层3430的第一部分3432的厚度t1。另外，至少在一些实施方式中，第三部分3436的宽度w3可以大于第二部分3434的宽度w2。因此，第三部分3436可以侧向地延伸而以比第二部分3434更大的程度与成核抑制覆层3420重叠。例如，w3∶t1的比率可以在大约1∶2至大约3∶1或大约1∶1.2至大约2.5∶1的范围中。虽然厚度t1将通常是跨越传导性覆层3430相对均匀的，但是第三部分3436与成核抑制覆层3420的重叠程度(即，w3)可以跨越表面3417的不同部分以一些程度变化。第三部分3436的厚度t3可以不大于或小于第一部分3432的厚度t1的大约5％。例如，t3可以不大于或小于t1的大约4％、不大于或小于t1的大约3％、不大于或小于t1的大约2％、不大于或小于t1的大约1％、或不大于或小于t1的大约0.5％。替代或除形成为如图35中显示的薄膜的第三部分3436之外，传导性覆层3430的材料可以在部分成核抑制覆层3420上形成为岛或断连的簇。例如，这样的岛或断连的簇可以包括彼此物理分隔的特征，以便岛或簇不形成为连续层。
在图36中图解的又另一个实施方式中，成核促进覆层3451被安置在衬底3410和传导性覆层3430之间。具体地，成核促进覆层3451被安置在导电覆层3430的第一部分3432和衬底3410的第二区域3412之间。成核促进覆层3451被图解为安置在衬底3410的第二区域3412上，而不在沉积成核抑制覆层3420的第一区域3415上。可以形成成核促进覆层3451，以便在成核促进覆层3451和传导性覆层3430之间的界面或边界处，成核促进覆层3451的表面对于传导性覆层3430的材料展示相对高的初始粘着概率。因此，成核促进覆层3451的存在可以促进传导性覆层3430在沉积期间的形成和生长。图36的导电覆层3430(包括第一部分3432和第二部分3434的尺寸)和其它覆层的多种特征可以类似于上面针对图34-35描述的那些并且出于简洁不再重复。
在图37中图解的又另一个实施方式中，成核促进覆层3451被安置在衬底3410的第一区域3415和第二区域3412二者之间，并且成核抑制覆层3420覆盖安置在第一区域3415上的部分成核促进覆层3451。成核促进覆层3451的另一部分从成核抑制覆层3420暴露，或基本上不含成核抑制覆层3420或基本上不被成核抑制覆层3420覆盖，并且传导性覆层3430覆盖成核促进覆层3451的暴露部分。图37的导电覆层3430和其它覆层的多种特征可以类似于上面针对图34-35描述的那些并且出于简洁不再重复。
图38图解了又另一个实施方式，其中传导性覆层3430部分地覆盖成核抑制覆层3420在衬底3410的第三区域3419中的部分。具体地，除第一部分3432和第二部分3434之外，传导性覆层3430进一步包括第三部分3480。如图中图解的，传导性覆层3430的第三部分3480被安置在传导性覆层3430的第一部分3432和第二部分3434之间，并且第三部分3480可以与成核抑制覆层3420的表面3422直接物理接触。就这一点而言，可以由于传导性覆层3430在开放式掩模或无掩模沉积过程期间的侧向生长而形成第三区域3419中的重叠。更具体地，虽然成核抑制覆层3420的表面3422可以对于传导性覆层3430的材料展示相对低的初始粘着概率并且因而材料在表面3422上成核的概率低，但是随着传导性覆层3430的厚度增长，覆层3430还可以侧向地生长并且可以覆盖部分成核抑制覆层3420，如图38中图解的。
虽然在图36-38的实施方式的上面的描述中已经省略了关于装置和传导性覆层3430的某些特征的细节，但是将领会关于图34和图35描述的包括传导性覆层3430的间隙3441、第二部分3434和第三部分3436的多种特征的描述将类似地适用于这样的实施方式。
将领会虽然没有明确地图解，但是用于形成成核抑制覆层3420的材料也可以以一些程度在传导性覆层3430和下方表面(例如，成核促进层3451或衬底3410的表面)之间的界面处存在。可以由于屏蔽效应而沉积这样的材料，其中沉积的图案不同于掩模的图案并且可以导致一些蒸发的材料被沉积在目标表面的掩蔽部分上。例如，这样的材料可以形成为岛或断连的簇，或形成为厚度大幅小于成核抑制覆层3420的平均厚度的薄膜。
在一些实施方式中，可以在沉积传导性覆层3430之后去除成核抑制覆层3420，以便在图34-38的实施方式中由成核抑制覆层3420覆盖的下方表面的至少一部分变为暴露的。例如，可以通过蚀刻或溶解成核抑制覆层3420，或使用等离子体或溶剂处理技术选择性地去除成核抑制覆层3420，而基本上不影响或侵蚀传导性覆层3430。
一些实施方式的装置可以是电子装置，并且更具体地，光电子装置。光电子装置通常涵盖将电信号转换为光子或反之亦然的任何装置。因此，有机光电子装置可以涵盖装置的一个或多个有源层主要由有机材料并且更具体地有机半导体材料形成的任何光电子装置。有机光电子装置的实例包括但不限于OLED装置和OPV装置。
还将领会可以在多种类型的基座衬底上形成有机光电子装置。例如，基座衬底可以是柔性或刚性衬底。基座衬底可以包括，例如，硅、玻璃、金属、聚合物(例如，聚酰亚胺)、蓝宝石或适合用作基座衬底的其它材料。
还将领会可以使用各种技术沉积装置的多种组件，包括气相沉积、旋转-涂覆、线条涂覆(1ine coating)、印刷和多种其它沉积技术。
在一些实施方式中，有机光电子装置是OLED装置，其中有机半导体层包括电致发光层。在一些实施方式中，有机半导体层可以包括另外的层，比如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和/或空穴注入层。例如，OLED装置可以是AMOLED装置、PMOLED装置或OLED照明面板或模块。另外，光电子装置可以是电子装置的部件。例如，光电子装置可以是计算装置——比如智能手机、平板、笔记本电脑——或其它电子装置比如监控器或电视机的OLED显示模块。
图39-41图解了有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置的多种实施方式。为了简略起见，已经省略了上面关于图34-38描述的在传导性覆层和成核抑制覆层之间的界面处或附近的传导性覆层的多种细节和特性。然而，将领会关于图34-38描述的特征也可以适用于图39-41的实施方式。
图39是图解根据一个实施方式的AMOLED装置3802的结构的示意图。
装置3802包括基座衬底3810，和沉积在基座衬底3810的表面之上的缓冲层3812。然后，在缓冲层3812之上形成薄膜晶体管(TFT)3804。具体地，在部分缓冲层3812上形成半导体有源区3814，并且沉积栅极绝缘层3816以基本上覆盖半导体有源区3814。接着，在栅极绝缘层3816的顶部上形成栅极3818，并且沉积夹层绝缘层3820。形成源极3824和漏极3822，以便它们延伸通过穿过夹层绝缘层3820和栅极绝缘层3816形成的开口与半导体有源层3814接触。然后，在TFT 3804之上形成绝缘层3842。然后，在部分绝缘层3842之上形成第一电极3844。如图39中图解的，第一电极3844延伸通过绝缘层3842的开口，以便其与漏极3822电通信。然后，形成像素定义层(PDL)3846以覆盖第一电极3844的至少一部分，包括其外边缘。例如，PDL 3846可以包括绝缘有机或无机材料。有机层3848然后被沉积在第一电极3844之上，具体在相邻的PDL 3846之间的区域中。沉积第二电极3850以基本上覆盖有机层3848和PDL 3846二者。然后，使用成核促进覆层3852基本上覆盖第二电极3850的表面。例如，可以使用开放式掩模或无掩模沉积技术沉积成核促进覆层3852。成核抑制覆层3854被选择性地沉积在部分成核促进覆层3852之上。例如，可以使用荫罩选择性地沉积成核抑制覆层3854。因此，使用开放式掩模或无掩模沉积过程将辅助电极3856选择性地沉积在成核促进覆层3852的暴露表面之上。为了进一步的特异性，通过使用开放式掩模或利用掩模实施辅助电极3856(例如，包括镁)的热沉积，辅助电极3856被选择性地沉积在成核促进覆层3852的暴露表面之上，同时使成核抑制覆层3854的表面基本上不含辅助电极3856的材料。
图40图解了根据另一个实施方式的AMOLED装置3902的结构，其中已经省略了成核促进覆层。例如，在沉积辅助电极的表面对于辅助电极的材料具有相对高的初始粘着概率的情况下，可以省略成核促进覆层。换句话说，对于具有相对高的初始粘着概率的表面，可以省略成核促进覆层，并且仍可以在其上沉积传导性覆层。为了简略起见，在描述下列实施方式中省略包括TFT的背板的某些细节。
在图40中，有机层3948被沉积在第一电极3944和第二电极3950之间。有机层3948可以与部分PDL 3946部分地重叠。成核抑制覆层3954被沉积在部分第二电极3950(例如，对应于发射区域)之上，从而提供对于用于形成辅助电极3956的材料具有相对低的初始粘着概率(例如，相对低的解吸附能量)的表面。因此，辅助电极3956被选择性地沉积在从成核抑制覆层3954暴露的部分第二电极3950之上。如将理解的，辅助电极3956与下方第二电极3950电通信，以便于降低第二电极3950的片电阻。例如，第二电极3950和辅助电极3956可以包括基本上相同的材料以确保对于辅助电极3956的材料的高的初始粘着概率。具体地，第二电极3950可以包括基本上纯的镁(Mg)或镁和另一种金属比如银(Ag)的合金。对于Mg∶Ag合金，合金组成可以在按体积计大约1∶9至大约9∶1的范围内。辅助电极3956可以包括基本上纯的镁。
图41图解了根据又另一个实施方式的AMOLED装置4002的结构。在图解的实施方式中，有机层4048被沉积在第一电极4044和第二电极4050之间，以便它与部分PDL 4046部分地重叠。沉积成核抑制覆层4054，以便于基本上覆盖第二电极4050的表面，并且成核促进覆层4052被选择性地沉积在部分成核抑制覆层4054上。然后，在成核促进覆层4052之上形成辅助电极4056。任选地，可以沉积覆盖层4058以覆盖成核抑制覆层4054和辅助电极4056的暴露表面。
虽然辅助电极3856或4056在图39和41的实施方式中被图解为不与第二电极3850或4050直接物理接触，但是将理解辅助电极3856或4056和第二电极3850或4050可以电通信。例如，辅助电极3856或4056和第二电极3850或4050之间的成核促进材料或成核抑制材料的相对薄的膜(例如，高至大约100nm)的存在可以仍足够地允许电流经其穿过，因而允许降低第二电极3850或4050的片电阻。
图42图解了根据又另一个实施方式的AMOLED装置4102的结构，其中在由PDL 4146产生的倾斜表面上形成成核抑制覆层4154和辅助电极4156之间的界面。装置4102包括沉积在第一电极4144和第二电极4150之间的有机层4148，并且成核抑制覆层4154被沉积在对应于装置4102的发射区域的部分第二电极4150之上。辅助电极4156被沉积在从成核抑制覆层4154暴露的部分第二电极4150之上。
虽然未显示，但是图42的AMOLED装置4102可以进一步包括安置在辅助电极4156和第二电极4150之间的成核促进覆层。成核促进覆层还可以被安置在成核抑制覆层4154和第二电极4150之间，特别在使用开放式掩模或无掩模沉积过程沉积成核促进覆层的情况下。
图43图解了根据又另一个实施方式的部分AMOLED装置4300，其中AMOLED装置4300包括多个光透射区域。如图解的，AMOLED装置4300包括多个像素4321和安置在相邻的像素4321之间的辅助电极4361。每个像素4321包括子像素区域4331——其进一步包括多个子像素4333、4335、4337，和光透射区域4351。例如，子像素4333可以对应于红色子像素，子像素4335可以对应于绿色子像素，并且子像素4337可以对应于蓝色子像素。如将说明的，光透射区域4351是基本上透明的以允许光穿过装置4300。
图44图解了沿着图43中指示的线A-A截取的装置4300的横截面视图。简言之，装置4300包括基座衬底4310、TFT 4308、绝缘层4342、和在绝缘层4342上形成并且与TFT4308电通信的阳极4344。第一PDL 4346a和第二PDL 4346b在绝缘层4342之上形成并且覆盖阳极4344的边缘。沉积一个或多个有机层4348以覆盖阳极4344的暴露区域和部分PDL 4346a、4346b。然后，在一个或多个有机层4348之上沉积阴极4350。接着，沉积成核抑制覆层4354以覆盖对应于光透射区域4351和子像素区域4331的部分装置4300。整个装置表面然后被暴露于镁蒸汽通量，因而引起镁在阴极4350的未涂覆区域之上的选择性沉积。以此方式，形成与下方阴极4350电接触的辅助电极4361。
在装置4300中，光透射区域4351基本上不含可能大幅影响光通过其传播的任何材料。具体而言，TFT 4308、阳极4344和辅助电极4361均在子像素区域4331内定位，以便这些组件不衰减或阻碍光通过光透射区域4351传播。这样的排布允许当像素被关闭(off)或非发射时，从典型的视距查看装置4300的查看者看穿装置4300，因而产生透明的AMOLED显示器。
虽然未显示，但是图44的AMOLED装置4300可以进一步包括安置在辅助电极4361和阴极4350之间的成核促进覆层。成核促进覆层还可以被安置在成核抑制覆层4354和阴极4350之间。
在其它实施方式中，如果多个层或覆层是基本上透明的，则这样的层或覆层——包括有机层4348和阴极4350——可以覆盖部分光透射区域4351。可选地，PDL 4346a、4346b可以根据需要不被提供在光透射区域4351中。
将领会还可以使用不同于图43和44中图解的排布的像素和子像素排布，并且辅助电极4361可以被提供在像素的其它区域中。例如，根据需要，辅助电极4361可以被提供在子像素区域4331和光透射区域4351之间的区域中，和/或被提供在相邻的子像素之间。
在前述实施方式中，除抑制传导性材料(例如，镁)在其上的成核和沉积之外，成核抑制覆层还可以起作用来增强来自装置的光输出耦合(out-coupling of light)。具体地，成核抑制覆层可以充当折射率-匹配覆层和/或抗反射覆层。
可以提供屏障覆层(未显示)以封装在描绘AMOLED显示装置的前述实施方式中图解的装置。如将领会的，这样的屏障覆层可以抑制多种装置层——包括可能易受氧化的有机层和阴极——免于暴露于水分和环境空气。例如，屏障覆层可以是由印刷、CVD、溅射、ALD、任意前述的组合，或通过任何其它合适的方法形成的薄膜封装。还可以通过使用粘合剂将预成型的屏障膜层压至装置上来提供屏障覆层。例如，屏障覆层可以是包括有机材料、无机材料或二者的组合的多层覆层。屏障覆层在一些实施方式中可以进一步包括吸气材料和/或干燥剂。
AMOLED显示装置的共用电极的片电阻规格可以根据显示装置的大小(例如，面板大小)和电压变化的容差变化。一般而言，片电阻规格随着较大的面板大小和跨越面板的较低的电压变化的容差而增加(例如，规定了较低的片电阻)。
针对多种面板大小计算根据实施方式的片电阻规格和符合该规格的辅助电极的相关联的厚度，并且在图56中标绘。针对0.1V和0.2V的电压容差计算片电阻和辅助电极厚度。具体地，电压容差指示电压差异，其将被供应至边缘处的像素和面板的中心处的那些像素以补偿如上面说明的透明电极和辅助电极的组合的IR下降。出于计算的目的，针对所有显示面板大小假设0.64的孔径比。
下面的表2中概述了实例面板大小下的辅助电极的规定厚度。
表2-多种面板大小的辅助电极的规定厚度
如将理解的，可以使用各种合适的材料和过程装配多种层和部分背板，其包括薄膜晶体管(TFT)(例如，图39中显示的TFT 3804)。例如，可以使用有机或无机材料装配TFT，其可以使用技术比如CVD、PECVD、激光退火和PVD(包括溅射)进行沉积和/或处理。如将理解的，这样的层可以使用照相平版法进行图案化，其使用光掩模以使覆盖下方装置层的感光耐蚀膜的选择性部分暴露于UV光。取决于使用的感光耐蚀膜的类型，可以然后洗去光掩模的暴露或未暴露部分以揭示下方装置层的期望部分(一个或多个)。然后可以化学地或物理地蚀刻图案化表面，以有效地去除装置层的暴露部分。
另外，虽然已经在上面的某些实施方式中图解和描述了顶栅TFT，将领会还可以使用其它TFT结构。例如，TFT可以是底栅TFT。TFT可以是n-型TFT或p-型TFT。TFT结构的实例包括利用非晶硅(a-Si)、铟镓锌氧化物(IGZO)和低温多晶硅(LTPS)的那些TFT结构。
可以使用任何合适的沉积过程——包括热蒸发和/或印刷——沉积多种层和部分前板，其包括电极、一个或多个有机层、像素定义层和覆盖层。将领会，例如，当沉积这样的材料时可以根据需要使用荫罩以产生期望的图案，并且多种蚀刻和选择性沉积过程也可以被用于图案化多个层。这样的方法的实例包括但不限于照相平版法、印刷(包括喷墨或喷气印刷和卷到卷印刷)、OVPD和LITI图案化。
虽然上面已经关于选择性地沉积传导性覆层以形成阴极或共用阴极的辅助电极描述了某些实施方式，但是将理解类似的材料和过程可以在其它实施方式中被用于形成阳极或阳极的辅助电极。
实施例
现在将参考下列实施例图解和描述一些实施方式的方面，其并不意欲以任何方式限制本公开内容的范围。
如本文的实例中使用的，提及材料的层厚度指的是沉积在目标表面(或在选择性沉积的情况下，表面的目标区域(一个或多个))上的材料的量，其对应于以具有提及的层厚度的材料的均匀厚层覆盖目标表面的材料的量。举例而言，沉积10nm的层厚度指示沉积在表面上的材料的量对应于形成10nm厚的材料的均匀厚层的材料的量。将领会，例如，由于分子或原子的可能的堆叠或成簇，沉积的材料的实际厚度可能是不均匀的。例如，沉积10nm的层厚度可以产生具有大于10nm的实际厚度的一些部分的沉积材料，或具有小于10nm的实际厚度的其它部分的沉积材料。沉积在表面上的材料的某一层厚度可以对应于跨越表面的沉积材料的平均厚度。
下面提供了用于说明性实例的某些材料的分子结构。
实施例1
为了表征成核抑制覆层和邻近的镁覆层之间的干扰，制备和分析具有变化层厚度的成核抑制覆层和镁覆层的一系列样品。使用不锈钢荫罩在具有冷冻泵送处理室和涡轮-分子泵送负载锁定(load lock)室的高真空沉积系统中制备样品。由Knudsen池(K-池)热沉积材料，使用石英晶体微量天平(QCM)监测沉积速率。系统的基准压力小于大约10-5 Pa，其中在沉积期间H2O的分压小于大约10-8托。以大约的沉积速率在大约430-570℃的源温度下沉积镁。使用Hitachi S-5200拍摄SEM显微照片。
首先通过使用热沉积在硅衬底之上沉积大约30nm的银来制备样品。然后，使用荫罩在银表面的区域上选择性地沉积成核抑制覆层。在所有样品中，3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)被用于形成成核抑制覆层。一旦沉积成核抑制覆层，使用开放式掩模沉积来沉积基本上纯的镁(大约99.99％纯度)。更具体地，暴露的银表面和成核抑制覆层表面二者均在开放式掩模沉积期间经受蒸发的镁通量。下面的表3中概述了成核抑制覆层的层厚度和相关联的沉积速率。在真空(大约10-4至大约10-6Pa)下实施所有沉积，并且使用校准的石英晶体微量天平(QCM)监测层厚度和沉积速率。
表3-TAZ和镁厚度以及沉积速率
使用扫描电子显微术(SEM)和能量弥散X射线光谱学(EDX)分析样品。
图45A是样品1的俯视图的SEM图像。图像的第一区域4501对应于在其之上已经在暴露的银表面的顶部上沉积镁的区域，并且第二区域4503对应于由成核抑制覆层(TAZ)覆盖的区域。图45B和45C显示了如图45A中显示的部分样品1的放大的俯视图。基于EDX元素分析，在大部分第二区域4503之上没有检测到镁的存在。然而，观察到包含镁的岛或簇4505的形成(参见图45A)，并且基于EDX元素分析确认了镁在那些岛4503中的存在。
图45D和45E是样品1的SEM横截面图像，其显示了镁覆层(区域4501)和成核抑制覆层(区域4503)之间的界面。在这些图像中还见到下方的衬底4510。
图45F和45G是在与图45D和45E不同部分的样品处选取的样品1的另外的SEM横截面图像。
如由图45D-45G可见，镁覆层(区域4501)包括在镁覆层和成核抑制覆层的界面附近的部分重叠区域中在成核抑制覆层(区域4503)之上侧向延伸的部分。具体地，该部分镁覆层可以被视为形成不与成核抑制覆层的表面直接接触的外伸部分(overhang)，因而在界面处产生镁覆层和成核抑制覆层之间的间隙。
图45H显示了由样品1的第一区域4501和第二区域4503获取的EDX光谱。如由图45H的绘图可见，在由第一区域4501获取的光谱中清楚地观察到对应于镁的峰，而在由第二区域4503获取的光谱中没有检测到明显的峰。在大约2μm2的样品面积内在5keV下获取EDX测量。
图46A是样品2的俯视图的SEM图像。图像的第一区域4601对应于在其之上已经在暴露的银表面的顶部上沉积镁的区域，并且第二区域4603对应于由成核抑制覆层(TAZ)覆盖的区域。图46B中显示了部分图46A的放大的图像，并且图46C中显示了部分图46B的进一步放大的图像。在图46D、46E和46F的图像中显示了样品的横截面轮廓，其还显示了衬底4610。如图46B-F的图像中可见，在镁覆层(区域4601)和TAZ覆层(区域4603)之间的界面附近沉积了镁的相对薄的膜或层4607。通过EDX测量确认了薄膜4607中镁的存在。而且，观察到包含镁的岛或簇4605的形成(参见图46A)。
图46G显示了由样品2的第一区域4601和第二区域4603获取的EDX光谱。如由图46G的绘图可见，在由第一区域4601获取的光谱中清楚地观察到对应于镁的峰，而在由第二区域4603获取的光谱中没有检测到明显的峰。在大约2μm2的样品面积内在5keV下获取EDX测量。
图46H显示了沿着样品2的扫描线获取的镁光谱的线性EDX扫描。EDX光谱被叠加在对应的SEM图像的顶部上以显示由其获得EDX光谱的部分样品。如可见的，镁光谱的强度由距第一区域4601和薄膜4607之间的界面大约1.7μm处开始降低。这个观察与针对样品观察的横截面轮廓一致(例如，图46D)，其显示镁覆层的厚度在界面附近逐渐地减小或变细。
实施例2
为了测量用作成核抑制覆层或成核促进覆层的多种材料的性质，使用一组石英晶体微量天平(QCM)实施一系列实验。
如将理解的，QCM可以被用于监测薄膜沉积过程中的沉积速率。简言之，通过测量由在谐振器表面上添加或去除材料引起的石英晶体谐振器的频率改变来实施这样的监测。
图47是图解用于测量镁在QCM表面上的沉积概况的实验布置的示意图。如图解的，蒸发室4701包括第一蒸发源4710和第二蒸发源4712。一对QCM 4731和4741在室4701内定位，其中QCM 4731和4741中的每个的谐振器表面面向来源4710和4712。样品挡板4721和来源挡板4725被安置在QCM 4731和4741与蒸发源4710和4712之间。样品挡板4721和来源挡板4725是可移动的挡板，其适合分别控制入射在QCM 4731和4741上的蒸汽的通量以及由来源4710和4712离开的蒸汽的通量。
在图解的实施例布置中，第一QCM 4731——其在本文还将称为“参考QCM”，充当针对其比较镁在第二QCM 4741——其在本文还将称为“样品QCM”——上的沉积概况的基线。由LapTech Precision Inc.获得的光学抛光的石英晶体(部件编号：XL1252；频率：6.000MHz；AT1；中心：5.985MHz；直径：13.97mm±3mm；光学抛光的)在每个实验中被用作参考QCM和样品QCM。
如下实施每个实验。首先，如图47中图解的，参考QCM 4731和样品QCM 4741在蒸发室4701内定位。室4701然后被抽空直到室压力低于大约10-5 Pa。然后，致动样品挡板4721，以便参考QCM 4731和样品QCM 4741二者的谐振器表面被掩蔽。然后，启动第一蒸发源4710以开始蒸发成核促进或抑制材料(在本文也称为“成核改性材料”)。一旦实现稳定的蒸发速率，移动样品挡板4721，以便样品QCM 4741的谐振器表面变得暴露于蒸汽通量，同时保持参考QCM 4731的表面未暴露，因而允许成核改性材料沉积在样品QCM 4741的表面上。在样品QCM 4741的表面上沉积期望层厚度的成核改性材料之后，致动来源挡板4725以阻塞离开第一来源4710的蒸汽通量，因而阻止进一步的沉积。然后，关闭第一来源4710。
接着，启动第二蒸发源4712以开始蒸发镁。挡板4721被用于覆盖QCM 4731和4741直到达到稳定的沉积速率。一旦达到稳定的沉积速率，致动挡板4721以不覆盖样品QCM4741的改性的表面和参考QCM 4731的表面二者，以便镁蒸汽入射在QCM 4731和4741二者的表面上。监测QCM 4731和4741的谐振频率以测定镁在QCM 4731和4741中的每个上的沉积概况。
多种成核改性材料——包括可以被用于形成成核抑制覆层的那些成核改性材料——被沉积在样品QCM 4741的谐振器表面上以在其上形成成核改性覆层。通过使用图47中图解的室配置针对每种成核改性材料重复上述实验程序，分析镁在多种表面上的沉积速率。下列材料被用于形成成核改性覆层：3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)；双(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基(quninolinato))-4-联苯酚铝(III)(BAlq)；2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)；8-羟基喹啉锂(Liq)；和N(联苯-4-基)9，9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)。
图57是显示沉积在参考QCM表面上的镁的层厚度(参考层厚度，或如图57中标示的“沉积厚度”)对沉积在样品QCM表面上的镁的层厚度(样品层厚度，或如图57中标示的“平均膜厚度”)的双对数图。在每种情况下，在实施实验之前，使用基本上纯的银来预涂覆参考QCM表面。
基于图57的绘图，可以测定由于将表面暴露于相同的镁蒸汽通量沉积在两种QCM表面上的镁的层厚度并且因而测定镁的沉积速率。具体而言，通过比较在样品QCM表面上形成镁的相对薄层期间(即，在沉积多至1nm或10nm的层厚度的初始阶段期间)镁在样品QCM表面上的沉积速率与镁在参考QCM表面上的沉积速率，可以测定在样品QCM表面上存在的覆层的成核抑制性质。为了便于讨论，沉积在样品QCM表面上的镁的层厚度将被称为样品层厚度，并且沉积在参考QCM表面上的镁的层厚度将被称为参考层厚度。
对于某些实验，下面的表4中概述了多种样品的对应于1nm和10nm下的样品层厚度的参考层厚度。具体地，表4中提供的参考层厚度对应于在每种样品的1nm或10nm层厚度沉积在样品QCM表面上的相同时段中沉积在参考QCM表面上的镁的层厚度。在大约10-5Pa真空压力下以大约的沉积速率沉积有机材料。在大约520-530℃的源温度和大约10-5Pa真空压力下以大约的沉积速率沉积镁。
表4-样品层厚度和对应的参考层厚度的结果概述
基于上述，可见当达到1nm的样品层厚度时沉积的参考层厚度基本上取决于覆盖样品QCM表面的成核改性材料而变化。在此实施例中选择1nm的阈值样品层厚度以测定样品QCM表面上膜形成的初始阶段期间的相对沉积速率。观察到，由于使用银来预涂覆参考QCM表面，镁在参考QCM表面上的沉积速率保持相对恒定。
在使用TAZ涂覆的样品QCM达到1nm的样品层厚度前，超过2000nm的镁的相对厚的覆层被沉积在参考QCM上。在使用BAlq涂覆的样品QCM达到1nm的样品层厚度前沉积104nm的参考层厚度。然而，在使用LG201、Liq或HT211涂覆的样品QCM达到阈值厚度前，在参考QCM上沉积层厚度小于62nm的镁的相对薄的覆层。
如将领会的，通过使用展示相对高的参考层厚度的成核改性覆层，通常可以在传导性覆层沉积期间实现更大的选择性，并且因而实现相对低的初始沉积速率和粘着概率。例如，展示高的参考层厚度的成核改性覆层可以是有效的成核抑制覆层，并且可以被用于覆盖目标表面的区域(一个或多个)，以便当目标表面暴露于镁蒸汽通量时，镁在目标表面的未覆盖区域(一个或多个)之上选择性地形成，其中成核抑制覆层的表面保持基本上不含镁或基本上不被镁覆盖。例如，在1nm的阈值样品层厚度下展示至少或大于大约80nm的参考层厚度的成核改性覆层可以被用作成核抑制覆层。例如，在1nm阈值厚度下展示至少或大于大约100nm、至少或大于大约200nm、至少或大于大约500nm、至少或大于大约700nm、至少或大于大约1000nm、至少或大于大约1500nm、至少或大于大约1700nm、或至少或大于大约2000的参考层厚度的成核改性覆层可以被用作成核抑制覆层。换句话说，镁在参考表面上的初始沉积速率可以是镁在成核抑制覆层的表面上的初始沉积速率的至少或大于大约80倍、至少或大于大约100倍、至少或大于大约200倍、至少或大于大约500倍、至少或大于大约700倍、至少或大于大约1000倍、至少或大于大约1500倍、至少或大于大约1700倍、或至少或大于大约2000倍。
图58是镁蒸汽在样品QCM表面上的粘着概率对沉积在样品QCM表面上的镁的层厚度的双对数图。
基于下列等式得到粘着概率：
其中Nads是并入样品QCM表面上的镁覆层中的吸附单体的数目，并且Ntotal是表面上的碰撞单体的总数目，其基于监测参考QCM上镁的沉积进行测定。
如由图58的绘图可见，粘着概率通常随着更多镁被沉积在表面上而增加。出于实现镁覆层的选择性沉积的目的，期望地使用展示相对低的初始粘着概率(例如，初始沉积阶段期间的低粘着概率)的成核抑制覆层。更具体地，此实施例的初始粘着概率指的是在沉积一定量的镁——其对应于在成核抑制覆层的表面上形成平均厚度为1nm的密集的(close-packed)镁层——之后测量的粘着概率。下面的表5中概述了在多种成核抑制覆层表面上沉积1nm层厚度的镁之后测量的粘着概率。
表5-粘着概率的结果概述
成核抑制材料 在沉积1nm的Mg之后的粘着概率
TAZ ＜0.001
BAlq 0.013
LG201 0.042
Liq 0.045
HT211 0.064
基于实验，关于镁蒸汽展示不大于或小于大约0.03(或3％)的初始粘着概率的覆层可以充当成核抑制覆层。如将理解的，具有较低的初始粘着概率的成核抑制覆层对于一些应用可以是更期望的，比如对于实现相对厚的镁覆层的沉积。例如，具有不大于或小于大约0.02、不大于或小于大约0.01、不大于或小于大约0.08、不大于或小于大约0.005、不大于或小于大约0.003、不大于或小于大约0.001、不大于或小于大约0.0008、不大于或小于大约0.0005、或不大于或小于大约0.0001的初始粘着概率的覆层可以被用作成核抑制覆层。例如，这样的成核抑制覆层可以包括通过沉积BAlq和/或TAZ形成的那些。
实施例3
为了表征镁覆层在与邻近的覆层的界面附近的侧向生长和镁覆层的垂直生长之间的关联，制备具有不同镁和TAZ层厚度的一系列样品。
首先通过使用热沉积在硅衬底之上沉积大约30nm的银来制备样品。然后，使用荫罩在银表面的区域上选择性地沉积成核抑制覆层。在所有样品中，3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)被用于形成成核抑制覆层。一旦沉积成核抑制覆层，使用开放式掩模沉积来沉积基本上纯的镁(大约99.99％纯度)，以便暴露的银表面和成核抑制覆层表面二者均在开放式掩模沉积期间经受蒸发的镁通量。在真空(大约10-4至大约10-6Pa)下实施所有沉积。以大约的速率沉积镁。
图49是图解制备的样品的示意图。如显示的，成核抑制覆层的部分4901和4903被选择性地沉积在银表面的区域上，并且镁覆层4907被沉积在部分4901和4903之间。为了便于讨论，已经由图49的图省略了硅衬底和银层。位于成核抑制覆层的部分4901和4903之间的暴露的银表面的侧向距离被显示为d，并且镁覆层4907的宽度被显示为d+Δd。以此方式，可以通过由镁覆层4907的宽度减去暴露的银表面的侧向距离来测定镁覆层4907的侧向生长距离。通过实施样品的俯视图SEM图像的分析来测量d和d+Δd二者。使用石英晶体微量天平(QCM)在沉积过程期间监测镁的层厚度h。
下面的表6中概述了针对具有不同镁层厚度(h)和成核抑制层厚度的样品测量的侧向生长距离(Δd)。Δd的测量精确度是大约0.5μm。
表6-多种Mg和TAZ层厚度的Mg侧向生长距离
h(μm) Δd(μm)(TAZ 10nm) Δd(μm)(TAZ 100nm)
0.25 ＜0.5 ＜0.5
0.75 2.5 ＜0.5
1.5 3.5 -
如由上面的结果可观察到的，在使用相对厚的TAZ覆层制备的样品中没有观察到可检测量的侧向生长。具体地，对于使用100nm的TAZ成核抑制覆层以及0.25μm和0.75μm的镁覆层制备的样品没有检测到侧向生长。
对于使用相对薄(10nm层厚度)的TAZ覆层制备的样品，对于具有0.25μm厚的镁覆层的样品没有检测到侧向生长。然而，对于使用较厚的镁覆层制备的样品，观察到镁的侧向生长。具体地，使用10nm厚的TAZ成核抑制覆层和0.75μm厚的镁覆层制备的样品展示大约2.5μm的侧向镁生长，并且使用10nm厚的TAZ成核抑制覆层和1.5μm厚的镁覆层制备的样品展示大约3.5μm的侧向生长。
实施例4
使用包括BAlq的另一种成核抑制覆层制备样品。
具体地，根据下列结构装配样品：硅基座衬底/LG201(40nm)/Mg∶Ag(20nm)/BAlq(500nm)/Mg(300nm)。具体地，大约40nm的2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)被沉积在硅衬底上，接着是大约20nm的Mg∶Ag(包括按体积计大约1∶9比例的Mg∶Ag)。大约500nm的双(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基)-4-联苯酚铝(III)(BAlq)形式的成核抑制覆层然后被选择性地沉积在Mg∶Ag表面的区域之上。一旦沉积成核抑制覆层，使用开放式掩模沉积来沉积基本上纯的镁(大约99.99％纯度)，以便暴露的Mg∶Ag表面和成核抑制覆层表面二者在开放式掩模沉积期间经受蒸发的镁通量。在真空(大约10-4至大约10-6Pa)下实施所有沉积。以大约的速率沉积镁覆层。
图50A是使用BAlq成核抑制覆层制备的样品的俯视图的SEM图像。第一区域5003对应于存在BAlq覆层并且因而没有沉积显著量的镁的区域，并且第二区域5001对应于沉积镁的区域。图50C和50D分别显示了区域5007和5005的放大视图。图50B显示了第一区域5003和第二区域5001之间的界面的放大视图。
如图50B中可见，在界面附近形成大量的岛5011。具体地，岛5011通常是在成核抑制覆层的表面上形成的断连的包含镁的簇。例如，假设岛可以包括镁和/或氧化镁。
图50C显示了图50A中的区域5007的放大视图，其是代表由过程形成的镁覆层“主体(bulk)”的区域。图50D显示了区域5005的放大视图，其在第一区域5003和第二区域5001之间的界面附近。如可见的，界面附近的镁覆层的形态不同于覆层主体中的形态。
图50E进一步显示了样品的横截面SEM图像，其中在成核抑制覆层的表面上显示了岛5011。
实施例5(比较实施例A)
制备比较性样品以表征使用展示相对差的成核抑制性质的材料形成的结构(例如，成核抑制覆层对于镁蒸汽展示相对高的初始粘着系数)。
根据下列结构装配比较性样品：硅基座衬底/LG201(40nm)/Mg∶Ag(20nm)/HT211(500nm)/Mg(300nm)。具体地，大约40nm的2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)被沉积在硅衬底上，接着是大约20nm的Mg∶Ag(按体积计大约1∶9)。大约500nm的N(联苯-4-基)9，9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)形式的成核抑制覆层然后被选择性地沉积在Mg∶Ag表面的区域之上。一旦沉积成核抑制覆层，使用开放式掩模沉积来沉积基本上纯的镁(大约99.99％纯度)，以便暴露的Mg∶Ag表面和成核抑制覆层表面二者在开放式掩模沉积期间经受蒸发的镁通量。在真空(大约10-4至大约10-6Pa)下实施所有沉积。以大约的速率沉积镁覆层。
图51A显示了比较性样品的俯视图SEM图像，其中第一区域5103对应于在其之上沉积HT211形式的成核抑制覆层的区域，并且第二区域5101对应于形成镁覆层的区域。如可见的，可以清楚地观察到第一区域5103中显著量的镁。
图51B显示了比较性样品的横截面SEM图像。使用虚线指示第一区域5103和第二区域5101之间的近似界面。
实施例6(比较实施例B)
制备另一种比较性样品以测定使用荫罩技术沉积在表面上的镁覆层的概况。
通过在硅片的顶部上沉积大约30nm层厚度的银，接着荫罩沉积大约800nm层厚度的镁来装配比较性样品。具体地，荫罩沉积被配置为允许银表面的某些区域通过荫罩孔隙暴露于镁通量，同时掩蔽银表面的其它区域。以大约的速率沉积镁。
图52A是比较性样品的SEM图像的俯视图。使用图52A中的虚线显示近似界面。第一区域5203对应于掩蔽的区域，并且第二区域5201对应于在其之上沉积镁覆层的暴露的区域。
图52B是比较性样品的横截面SEM图像。如图52B中可见，在第二区域5201之上沉积的镁覆层包括相对长(大约6μm)的锥形或尾部分5214，其中部分5214的厚度逐渐地变细。
实施例7(比较实施例C)
为了表征沉积速率对包括HT211的成核抑制覆层的成核抑制性质的作用，装配具有不同层厚度的HT211的一系列比较性样品。
具体地，通过在玻璃衬底的整个表面之上沉积大约10nm层厚度的HT211，接着开放式掩模沉积镁来装配样品。多种蒸发速率被用于沉积镁覆层；然而在制备每种样品中，相应地调节沉积时间以获得大约100nm或大约1000nm的镁的参考层厚度。
如此实施例中使用的，参考层厚度指的是沉积在展示高的初始粘着系数的参考表面(例如，具有大约或接近1.0的初始粘着系数的表面)的镁的层厚度。例如，出于监测沉积速率和参考层厚度的目的，参考表面可以是在沉积室内定位的QCM的表面。换句话说，参考层厚度不指示沉积在目标表面(例如，成核抑制覆层的表面)上的镁的实际厚度，而指的是沉积在参考表面上的镁的层厚度。
图53显示了使用多种沉积速率和相关联的参考层厚度装配的多种样品的透射率对波长的绘图。基于透射率数据，可见具有大约100nm的相对低的镁参考层厚度的样品——其以大约的低的沉积速率被沉积——展示最高的透射率。然而，当以大约的较高的沉积速率沉积具有基本上相同参考层厚度的样品时，透射率跨越整个测量的光谱较低。针对使用大约的相对高的速率沉积的具有大约1000nm的相对高的镁参考层厚度的样品，检测到最低的透射率。
假设对于所有三种样品在光谱的蓝色区域(大约400-475nm)中观察到的降低的透射率可能归因于通过氧化镁的吸附，所述氧化镁可以由于沉积的镁的氧化而存在于样品中。
实施例8
为了表征使用多种材料形成成核抑制覆层的效果，使用不同的材料形成成核抑制覆层来制备一系列样品。
通过在玻璃衬底表面的顶部上沉积大约10nm层厚度的成核抑制覆层来装配样品。样品然后经受镁的开放式掩模沉积。对于样品中的每种，以大约的速率沉积镁直到达到大约1000nm的参考层厚度。
图54是使用多种材料装配的样品的透射率对波长的绘图。如可见的，使用TAZ装配的样品展示最高的透射率，接着是BAlq。使用HT211和Liq装配的两种样品被发现展示与使用TAZ和BAlq制备的那些相比大幅更低的透射率，这是由于更大量的镁沉积在HT211和Liq的表面上。
实施例9
制备一系列样品以评估提供根据实例实施方式的辅助电极的作用。
通过在衬底表面上沉积Mg∶Ag的层以复制用于顶部-发射AMOLED显示装置的典型的共用阴极来制备第一参考样品。
通过在不导电衬底表面的顶部上选择性地沉积重复网格形式的辅助电极来制备第二参考样品。图55中显示了辅助电极的图案。具体地，辅助电极5501包括在其中形成的多个孔隙5505，以便如果在AMOLED装置上装配辅助电极5501，每个孔隙5505将基本上对应于装置的发射区域(例如，像素或子像素)，其中辅助电极5501被沉积在非发射区域(例如，像素间或子像素间区域)上。每个孔隙5505的平均宽度或大小是大约70μm，并且辅助电极5501的每个条带或区段的宽度是大约15-18μm。使用基本上纯(大约99.99％纯度)的镁形成辅助电极5501。
通过在第一参考样品的Mg∶Ag层的顶部上沉积辅助电极(在用于第二参考样品的条件下)来制备评价样品。具体地，使用荫罩将成核抑制覆层选择性地沉积在Mg∶Ag层的顶部上，并且得到的图案化表面然后被暴露于镁蒸汽以选择性地沉积镁辅助电极，以产生如图55中显示的类似的图案。
测量样品的片电阻，并且在下面的表7中概述了测量结果。
表7-片电阻测量
第一参考样品 第二参考样品 评价样品
片电阻(ohm/sq) 22.3 0.13 0.1
如上面的表格中显示的，第一参考样品(Mg∶Ag层)被发现展示大约22.3Ω/sq的相对高的片电阻。第二参考样品和评价样品被发现分别具有大约0.13Ω/sq和大约0.1Ω/sq的大幅更低的片电阻。因此，确认，通过提供与薄膜导体(例如，共用阴极)电连接的根据实例实施方式的辅助电极，可以大幅降低薄膜导体的片电阻。
如本文使用的，术语“基本上地”、“基本上”、“近似地”和“大约”被用于表示和说明小的变化。当结合事件或状况使用时，该术语可以指的是事件或状况精确地发生的情况，以及事件或状况非常近似地发生的情况。例如，当结合数值使用时，该术语可以指的是该数值的小于或等于±10％的变化的范围，比如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。
在一些实施方式的描述中，组件提供在另一个组件“上”或“之上”，或组件“覆盖”另一个组件可以涵盖前一个组件直接在后一个组件上(例如，物理接触)的情况，以及一个或多个介入组件位于前一个组件和后一个组件之间的情况。
另外地，量、比率和其它数值有时以范围格式在本文呈现。可以理解出于便利和简略使用这样的范围格式，并且应当灵活地理解为不仅包括明确规定为范围的界限的数值，而且包括在该范围内涵盖的所有个体数值或子范围，如同明确地规定每个数值或子范围。
虽然已经参考某些具体的实施方式描述了本公开内容，但是其多种修改对本领域技术人员是明显的。仅出于说明本公开内容的某些方面的目的包括本文提供的任何实例，并且并不意欲以任何方式限制本公开内容。本文提供的任何附图仅出于说明本公开内容的某些方面的目的，并且可以不按比例绘制和不以任何方式限制本公开内容。所附的权利要求的范围不应当由在上面的描述中陈述的具体的实施方式限制，而是应当作为整体给予与本公开内容一致的其完整的范围。本文引用的所有文件的公开内容均通过引用以其全部并入本文。

Claims (61)

1.光电子装置，其包括：
衬底；
覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和
包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分与所述成核抑制覆层部分地重叠，
其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述成核抑制覆层分隔开。
2.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述成核抑制覆层的重叠部分之上延伸，并且通过所述间隙与所述成核抑制覆层的重叠部分分隔开。
3.权利要求2所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层的另一部分从所述传导性覆层暴露。
4.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分的厚度不大于所述传导性覆层的第一部分的厚度的5％。
5.权利要求4所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述传导性覆层的第三部分之上延伸，并且与所述传导性覆层的第三部分分隔开。
6.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述传导性覆层的第二部分之间的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分与所述成核抑制覆层接触。
7.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层进一步包括与所述成核抑制覆层接触的第三部分，并且所述传导性覆层的第三部分在所述成核抑制覆层的表面上包括断连的簇。
8.权利要求1所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。
9.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于所述传导性覆层的材料的初始粘着概率。
10.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分。
11.权利要求10所述的光电子装置，其中所述核心部分包括杂环部分。
12.权利要求1所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的多个末端部分，所述多个末端部分的第一末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分，并且所述多个末端部分的每个其余的末端部分的分子量不大于所述第一末端部分的分子量的2倍。
13.权利要求1所述的光电子装置，进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述衬底的第二区域之间的成核促进覆层。
14.权利要求13所述的光电子装置，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。
15.权利要求1所述的光电子装置，其中所述衬底包括背板和安置在所述背板上的前板。
16.权利要求15所述的光电子装置，其中所述背板包括晶体管，并且所述前板包括电连接至所述晶体管的电极，和安置在所述电极上的至少一个有机层。
17.权利要求16所述的光电子装置，其中所述电极是第一电极，并且所述前板进一步包括安置在所述有机层上的第二电极。
18.光电子装置，其包括：
包括第一区域和第二区域的衬底；和
包括第一部分和第二部分的传导性覆层，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分重叠部分所述衬底的第一区域，
其中所述传导性覆层的第二部分通过间隙与所述衬底的第一区域分隔开。
19.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分在所述衬底的第一区域之上延伸，并且通过所述间隙与所述衬底的第一区域分隔开。
20.权利要求18所述的光电子装置，其中所述衬底的第一区域的另一部分从所述传导性覆层暴露。
21.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第二部分的宽度与所述传导性覆层的第一部分的厚度的比率在1∶1至1∶3的范围中。
22.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层的第一部分的厚度是500nm或更大。
23.权利要求18所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括镁。
24.权利要求18所述的光电子装置，进一步包括安置在所述传导性覆层的第一部分和所述衬底的第二区域之间的成核促进覆层。
25.权利要求24所述的光电子装置，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。
26.光电子装置，其包括：
衬底；
覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和
覆盖所述衬底的侧向邻近的第二区域的传导性覆层，
其中所述传导性覆层包括导电材料，并且所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于所述导电材料的初始粘着概率。
27.权利要求26所述的光电子装置，其中对于所述导电材料的初始粘着概率不大于0.01。
28.权利要求26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括多环芳香族化合物。
29.权利要求26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机化合物，所述有机化合物包括核心部分和结合至所述核心部分的末端部分，并且所述末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分。
30.权利要求29所述的光电子装置，其中所述核心部分包括杂环部分。
31.权利要求26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括有机化合物，所述有机化合物包括核心部分和结合至所述核心部分的多个末端部分，所述多个末端部分的第一末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分，并且所述多个末端部分的每个其余的末端部分的分子量不大于所述第一末端部分的分子量的2倍。
32.权利要求26所述的光电子装置，其中所述传导性覆层包括第一部分和第二部分，所述传导性覆层的第一部分覆盖所述衬底的第二区域，并且所述传导性覆层的第二部分与所述成核抑制覆层部分地重叠，并且通过间隙与所述成核抑制覆层分隔开。
33.权利要求26所述的光电子装置，其中所述导电材料包括镁。
34.权利要求1、18或26所述的光电子装置，其中所述光电子装置是有机发光二极管(OLED)装置。
35.权利要求34所述的光电子装置，其中所述OLED装置是有源矩阵OLED装置、无源矩阵OLED装置或OLED照明面板。
36.权利要求34所述的光电子装置，其中所述OLED装置是顶部-发射OLED装置、底部-发射OLED装置或双侧发射OLED装置。
37.权利要求34所述的光电子装置，其中所述OLED装置包括配置为通过其传播光的光透射部分。
38.权利要求34所述的光电子装置，其中所述传导性覆层是所述OLED装置的电极。
39.权利要求38所述的光电子装置，其中所述传导性覆层是所述OLED装置的阴极。
40.权利要求39所述的光电子装置，其中所述衬底包括阳极，和安置在所述阳极和所述阴极之间的一个或多个有机层。
41.权利要求40所述的光电子装置，其中所述一个或多个有机层包括电致发光层和选自如下的一个或多个层：空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层和电子阻挡层。
42.权利要求40所述的光电子装置，其中所述衬底进一步包括电连接至所述阳极的薄膜晶体管。
43.权利要求34所述的光电子装置，其中所述传导性覆层是所述OLED装置的辅助电极。
44.权利要求43所述的光电子装置，其中所述衬底包括阳极、阴极、和安置在所述阳极和所述阴极之间的一个或多个有机层，并且其中所述阴极被电连接至所述辅助电极。
45.权利要求44所述的光电子装置，其中所述一个或多个有机层包括电致发光层和选自如下的一个或多个层：空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层和电子阻挡层。
46.权利要求45所述的光电子装置，其中所述衬底进一步包括电连接至所述阳极的薄膜晶体管。
47.权利要求10或29所述的光电子装置，其中所述末端部分包括联苯基部分，并且所述联苯基部分被独立地选自如下的一种或多种取代基取代：氘代、氟代、烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基和氟烷基。
48.权利要求10或29所述的光电子装置，其中所述末端部分包括苯基部分，并且所述苯基部分被独立地选自如下的一种或多种取代基取代：氘代、氟代、烷基、环烷基、甲硅烷基和氟烷基。
49.权利要求10或29所述的光电子装置，其中所述末端部分包括芴部分或亚苯基部分。
50.权利要求1或26所述的光电子装置，其中所述成核抑制覆层包括聚合物。
51.权利要求50所述的光电子装置，其中所述聚合物选自：氟聚合物、聚乙烯联苯和聚乙烯咔唑。
52.光电子装置的制造方法，所述方法包括：
(1)提供衬底和覆盖所述衬底的第一区域的成核抑制覆层；和
(2)沉积覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层，
其中所述传导性覆层包括镁，并且所述成核抑制覆层被表征为具有不大于0.02的对于镁的初始粘着概率。
53.权利要求52所述的制造方法，其中沉积所述传导性覆层包括处理所述成核抑制覆层和所述衬底的第二区域二者以在所述衬底的第二区域上沉积所述传导性覆层，同时所述成核抑制覆层的至少一部分保持从所述传导性覆层暴露。
54.权利要求52所述的制造方法，其中沉积所述传导性覆层包括使所述成核抑制覆层和所述衬底的第二区域二者暴露于蒸发的镁以在所述衬底的第二区域上沉积所述传导性覆层，同时所述成核抑制覆层的至少一部分保持从所述传导性覆层暴露。
55.权利要求52所述的制造方法，其中沉积所述传导性覆层使用开放式掩模或不使用掩模进行。
56.权利要求52所述的制造方法，其中镁在所述衬底的第二区域上的沉积速率大于镁在所述成核抑制覆层上的沉积速率至少80倍。
57.权利要求52所述的制造方法，其中对于镁的所述初始粘着概率不大于0.01。
58.权利要求52所述的制造方法，其中所述成核抑制覆层包括多环芳香族化合物。
59.权利要求52所述的制造方法，其中所述成核抑制覆层包括有机分子，其每个包括核心部分和结合至所述核心部分的多个末端部分，所述多个末端部分的第一末端部分包括联苯基部分、苯基部分、芴部分或亚苯基部分，并且所述多个末端部分的每个其余的末端部分的分子量不大于所述第一末端部分的分子量的2倍。
60.权利要求52所述的制造方法，其中提供所述衬底包括在沉积所述传导性覆层之前沉积覆盖所述衬底的第二区域的成核促进覆层。
61.权利要求60所述的制造方法，其中所述成核促进覆层包括富勒烯。
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