CN113410411A - 发光器件、发光器件的制造方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例所提供的发光器件、发光器件的制造方法以及显示面板，发光器件包括基板、发光器件层、第一阴极金属层、金属抑制层以及第二阴极金属层，金属抑制层与发光器件层所包括的像素单元的在第一阴极金属层上的正投影对应，通过金属抑制层能够抑制第二阴极金属层蒸镀到像素单元靠近金属抑制层的一侧，以实现发光器件的发光区域对应较薄的第一阴极金属层，这样可以改善发光器件的视角色偏。此外，第二阴极金属层至少部分位于金属抑制层对应的第一开口内且与第一阴极金属层导通，能够实现发光器件的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层，从而减少发光器件因薄化第一阴极金属层而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件的性能异常。

Description

发光器件、发光器件的制造方法及显示面板

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种发光器件、发光器件的制造方法及显示面板。

背景技术

随着智能显示设备技术的不断发展，用户对于显示质量的要求越来越高。对于一些曲面显示设备或者折叠显示设备而言，屏体的视角偏差是衡量显示质量的其中一个因素。然而，在采用相关技术进行视角偏差的改善时，可能会对显示设备的其他性能产生不利影响。

发明内容

为改善上述技术问题，本发明提供了一种发光器件、发光器件的制造方法及显示面板，通过发光器件的不同阴极金属层进行差异化设计，不仅能够改善发光器件的视角偏差，还能够避免对发光器件的其他性能产生不利影响，进而在改善发光器件的视角偏差的前提下确保发光器件的正常工作。

本发明实施例的第一方面，提供了一种发光器件(100)，包括：

基板(10)；

发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；

第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；

金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；

第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。

在第一方面的一个可替换的实施例中，还包括金属覆盖层(40)；

所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(51)和所述第二开口(52)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通。

在第一方面的一个可替换的实施例中，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；

所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；

所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。

在第一方面的一个可替换的实施例中，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。

在第一方面的一个可替换的实施例中，每个所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于一个对应的金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影内。

在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一阴极金属层(30)的厚度大于等于5nm，所述第二阴极金属层(60)的厚度大于等于5nm。

在第一方面的一个可替换的实施例中，所述金属抑制层(50)的厚度大于等于3nm，所述金属覆盖层(40)的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。

本发明实施例的第二方面，提供了一种发光器件的制造方法，所述方法包括：

提供一基板(10)；

在所述基板(10)的一侧形成包括多个间隔设置的像素单元的发光器件层(20)；

在所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧形成第一阴极金属层(30)；

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)；

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成至少部分位于所述第一开口(52)内的第二阴极金属层(60)；其中，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。

在第二方面的一个可替换的实施例中，在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)，包括：

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成金属覆盖层(40)，并在所述金属覆盖层(40)上开设第二开口(42)；

在所述金属覆盖层(40)远离所述第一阴极金属层(30)的一侧形成金属抑制层(50)，并在所述金属抑制层(50)上开设连通于所述第二开口(42)的第一开口(52)。

本发明实施例的第三方面，提供了一种显示面板，包括第一方面所述的发光器件(100)。

综上所述，相较于现有技术，本发明实施例所提供的发光器件、发光器件的制造方法以及显示面板，发光器件包括基板、发光器件层、第一阴极金属层、金属抑制层以及第二阴极金属层，金属抑制层与发光器件层所包括的像素单元的在第一阴极金属层上的正投影对应，通过金属抑制层能够抑制第二阴极金属层蒸镀到像素单元靠近金属抑制层的一侧，以实现发光器件的发光区域对应较薄的第一阴极金属层，这样可以改善发光器件的视角色偏。此外，第二阴极金属层至少部分位于金属抑制层对应的第一开口内且与第一阴极金属层导通，能够实现发光器件的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层，从而减少发光器件因薄化第一阴极金属层而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件的性能异常。

附图说明

图1为本发明实施例所提供的发光器件的结构示意图。

图2为本发明实施例所提供的发光器件的部分分解示意图。

图3为本发明实施例所提供的发光器件层的像素单元分布示意图。

图4为本发明实施例所提供的发光器件的制造方法的流程示意图。

图5-图10为图4的发光器件的制造方法中各步骤对应的发光器件的过程结构示意图。

图标：

100-发光器件；

10-基板；

20-发光器件层；21-第一像素单元；22-第二像素单元；23-第三像素单元；

30-第一阴极金属层；

40-金属覆盖层；41-金属覆盖单元；42-第二开口；

50-金属抑制层；51-金属抑制单元；52-第一开口；

60-第二阴极金属层；61-阴极金属单元；

Z1-发光区域；Z2-非发光区域。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”以及“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，需要说明的是，当元件被称为“形成在另一元件上”时，它可以直接连接到另一元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以直接连接到另一元件或者同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

发明人对相关的视角偏差改善技术进行长期研究和分析后发现，相关的视角改善技术通常基于减薄发光器件的阴极金属层的厚度实现，虽然这样能够改善视角偏差，降低色彩偏差指数(Just Noticeable Color Difference，JNCD)，但是会造成发光器件的其他性能和工艺流程出现异常，比如，在蒸镀阴极金属层时，可能由于蒸镀时间过长而导致阴极金属材料的特性不稳定，又由于薄化的阴极金属层的电阻较大，因而可能使得发光器件存在较大的压降(IR drop)，从而导致相关显示设备的异显不良(例如显示设备点不亮或者边缘亮中间偏暗)的问题。为改善上述问题，发明人创新性地利用相关抑制材料对发光区域的第二阴极金属层进行蒸镀抑制，从而实现发光区域对应较薄的第一阴极金属层且非发光区域对应较薄的第一阴极金属层和较厚的第二阴极金属层，这样不仅能够改善视角偏差，还能够避免发光器件存在较大的压降，保障显示设备的显示性能。下面将结合附图对本发明的可替代实施例进行详细的描述。

请结合参阅图1和图2，示出了本发明一种可能的实施例所提供的发光器件100的结构示意图，该发光器件100可以包括基板10、发光器件层20、第一阴极金属层30、金属抑制层50以及第二阴极金属层60。其中，发光器件层20可以包括多个间隔设置的像素单元(图未示)，发光器件层20可以位于基板10的一侧。第一阴极金属层30位于发光器件层20远离基板10的一侧，金属抑制层50位于第一阴极金属层30远离发光器件层20的一侧，且金属抑制层50开设有第一开口52，第二阴极金属层60位于第一阴极金属层30远离发光器件层20的一侧，并至少部分位于第一开口52内，第二阴极金属层60与第一阴极金属层30导通，第二阴极金属层60在第一阴极金属层30上的正投影位于各像素单元在所述第一阴极金属层60上的正投影之间。

请继续参阅图1，各像素单元对应的区域可以理解为发光区域Z1，第二阴极金属层60对应的区域可以理解为非发光区域Z2。由于发光区域Z1沿Y方向的阴极金属层仅包括第一阴极金属层30，因此发光区域Z1对应较薄的阴极金属层，这样可以提高光萃取率，从而有效改善视角色偏。由于非发光区域Z2沿Y方向的阴极金属层包括第一阴极金属层30和第二阴极金属层60，因此非发光区域可以对应较厚的第二阴极金属层60，且第一阴极金属层30和第二阴极金属层60是导通的，因而能够减少发光器件100的阴极金属层的电阻，从而减少发光器件100的压降，以确保发光器件100对应的相关显示设备的显示性能，比如改善异显不良等问题，这样可以兼顾视角色偏的改善和压降的减少。

在相关实施例中，金属抑制层50可以是CPM(Controlled Pattern Metal)，用于抑制阴极金属材料蒸镀到金属抑制层50上。比如，金属抑制层50与发光器件层20所包括的像素单元的在第一阴极金属层30上的正投影对应，通过金属抑制层50能够抑制第二阴极金属层20蒸镀到像素单元靠近金属抑制层50的一侧，使得金属抑制层50远离发光器件层20的一侧几乎不存在第二阴极金属层60，以实现发光器件20的发光区域Z1对应较薄的第一阴极金属层30，这样可以提高透光性，从而改善发光器件30的视角色偏。此外，第二阴极金属层60至少部分位于金属抑制层50对应的第一开口51内且与第一阴极金属层30导通，能够实现发光器件20的非发光区域Z2对应较厚的第二阴极金属层60，从而减少发光器件100因薄化第一阴极金属层30而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件100的性能异常。

在一些可能的实施例中，第一阴极金属层30的制作材料可以选用镱(Yb)或者镁银合金等，第二阴极金属层60的制作材料可以选用银或者镁银合金等。此外，第一阴极金属层30的厚度可以大于等于5nm，第二阴极金属层60的厚度可以大于等于5nm。比如，第一阴极金属层30和第二阴极金属层60的厚度组合可以为(5nm，10nm)、(5nm，11nm)、(5nm，12nm)、(5nm，13nm)、(5nm，14nm)、(5nm，15nm)、(5nm，16nm)、(5nm，17nm)、(5nm，18nm)、(5nm，19nm)、(5nm，20nm)、(5nm，21nm)、(5nm，22nm)、(5nm，23nm)或(5nm，24nm)等。当然，第一阴极金属层30和第二阴极金属层60的厚度组合也可以为其他组合，只要保证第一阴极金属层30的厚度以及第二阴极金属层60的厚度均大于等于5nm即可。

请继续参阅图1和图2，在一些可能的实施例中，为了进一步提高发光器件100的光萃取率，可以将金属覆盖层40与金属抑制层50进行互相配合使用。其中，金属覆盖层40(capping layer，CPL)具有较高的光萃取率，能够通过微腔调节发光器件100的光萃取率。进一步地，金属覆盖层40可以位于金属抑制层50和第一阴极金属层30之间。金属覆盖层40开设有与第一开口52连通的第二开口42，第二阴极金属层60位于第一开口51和所述第二开口52共同形成的容纳空间内并与第一阴极金属层30导通。

在相关实施例中，金属抑制层50的厚度可以大于等于3nm，金属覆盖层40的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。在实际实施过程中，金属覆盖层40和金属抑制层50的厚度选择可以与第一阴极金属层30和第二阴极金属层60的厚度选择进行配合。一般而言，第二阴极金属层60的厚度不超过金属覆盖层40和金属抑制层50的厚度之和。比如，金属覆盖层40的厚度可以为20nm，金属抑制层50的厚度可以为3nm，第二阴极金属层60的厚度可以为5nm到23nm之间的任一数值如10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm或23nm等。如此设计，通过在第一阴极金属层30和金属抑制层50之间增设金属覆盖层40，能够进一步提高发光器件100的光萃取率，同时，金属抑制层50可以有效蒸镀在金属覆盖层40之上，能够适宜性地增加第二阴极金属层60的最大厚度，从而进一步减少发光器件100的阴极金属层的电阻，以进一步减少发光器件100的压降。

为了实现不同厚度的阴极金属层的差异化分布，请继续参阅图2和图3，在一个可能的实施例中，金属抑制层50可以包括多个金属抑制单元51，相邻的两个金属抑制单元51之间形成第一开口52，金属覆盖层40包括多个金属覆盖单元41，相邻的两个金属覆盖单元41之间形成第二开口42。第二阴极金属层60包括多个阴极金属单元61，每个阴极金属单元61填充于一个容纳空间内。可以理解，金属覆盖单元41和金属抑制单元51的形状可以根据实际工艺需求进行选择，在此不作限定。进一步地，阴极金属单元61填充于容纳空间内的方式可以是利用共通层金属掩膜板(Common Metal Mask，CMM)在金属抑制单元51远离金属覆盖单元41的一侧进行阴极材料的蒸镀得到。如此设计，由于金属抑制单元51可以抑制阴极材料的蒸镀，因而能够确保阴极金属单元61填充于容纳空间，从而确保阴极金属单元61的厚度。可以理解，在本实施例中，阴极金属单元61的厚度可以为大于等于5nm。

请结合参阅图3，发光器件层20所包括的像素单元可以为第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23。在实际实施时，为了确保发光器件100的光萃取率，每个金属抑制单元51在第一阴极金属层30上的正投影与一个对应的金属覆盖单元41在第一阴极金属层30上的正投影重合。进一步地，每个像素单元在第一阴极金属层30上的正投影位于一个对应的金属抑制单元51在所述第一阴极金属层30上的正投影内。如此设计，确保第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23发出的光能够通过各自对应的金属覆盖单元41和金属抑制单元51射出，这样可以确保发光器件100的光萃取率。

举例而言，第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23可以为不同颜色的像素单元，比如第一像素单元21可以为红色像素单元、第二像素单元22可以为绿色像素单元，第三像素单元23可以为蓝色像素单元，关于第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23的色彩组合方式在本实施例中不作限定。

在相关实施例中，发光器件层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等，像素单元可以位于发光材料层中，此外，还可以在发光材料层中设置油墨层(类似黑矩阵的作用)以避免不同颜色的混杂。由于发光器件层的相关结构和设计为现有技术，在此不作赘述。

在上述内容的基础上，还提供了一种发光器件的制造方法，请结合参阅图4，该方法可以包括以下步骤S41-步骤S45所描述的内容。

S41、提供一基板10。

请结合参阅图5，基板10可以是玻璃基板。

S42、在基板10的一侧形成包括多个间隔设置的像素单元的发光器件层20。

请结合参阅图6，可以在基板10上按顺序依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层对应的材料，从而形成发光器件层20。

S43、在发光器件层20远离基板10的一侧形成第一阴极金属层30。

请结合参阅图7，可以利用CMM在金属腔室内蒸镀一层第一阴极金属层30，第一阴极金属层30的厚度可以大于等于5nm。一般而言尽可能小，因此本实施例优选的方案可以为将第一阴极金属层30的厚度设计为5nm。

S44、在第一阴极金属层30远离发光器件层20的一侧形成具有第一开口52的金属抑制层50。

请结合参阅图9，可以利用具有RGB像素开口的精密金属掩膜板(Fine MetalMask，FMM)在金属腔室内蒸镀一层CPM材料形成金属抑制层50。

S45、在第一阴极金属层30远离发光器件层20的一侧形成至少部分位于第一开口52内的第二阴极金属层60。

请结合参阅图2和图10，第二阴极金属层60与第一阴极金属层30导通，第二阴极金属层60在第一阴极金属层30上的正投影位于各像素单元在第一阴极金属层60上的正投影之间。比如，可以利用CMM在金属腔室内蒸镀一层第二阴极金属层60，由于金属抑制层50对阴极材料的蒸镀抑制作用，可以使得第二阴极金属层60至少部分位于第一开口52内。

可以理解，通过实施上述步骤S41-步骤S45，能够在蒸镀第二阴极金属层60时，基于金属抑制层50对第二阴极金属层60的蒸镀抑制作用，实现发光器件100的不同阴极金属层的厚度的差异化设计，从而在改善发光器件100的视角色差的前提下避免发光器件100出现较大的压降，以确保发光器件100的正常工作。

请结合参阅图2和图9，步骤S44还可以通过以下步骤S441和步骤S442实现。

S441、在第一阴极金属层30远离发光器件层20的一侧形成金属覆盖层40，并在金属覆盖层40上开设第二开口42。

例如图8所示，在相关实施例中，可以通过刻蚀工艺实现第二开口42的开设，从而使金属覆盖层40形成由第二开口42间隔的多个金属覆盖单元41。

S442、在金属覆盖层40远离第一阴极金属层30的一侧形成金属抑制层50，并在金属抑制层50上开设连通于第二开口42的第一开口52。

例如图9所示，在相关实施例中，可以通过刻蚀工艺实现第一开口41的开设，从而使金属抑制层50形成由第一开口51间隔的多个金属抑制单元51。

如此设计，通过实施上述步骤S441和步骤S442，能够确保每个金属覆盖单元41及其对应的一个金属抑制单元51与其中一个像素单元的位置相适配，进而实现发光器件100的视角色差的改善。同时，第一开口51和第二开口52形成的容纳空间能够用于蒸镀第二阴极金属层60，从而减少发光器件100的整体电阻大小，以减少发光器件100的压降，确保发光器件100的正常工作。

在上述内容的基础上，还提供了一种显示面板，包括上述的发光器件100，该显示面板可以应用于曲面屏手机、折叠屏手机或者其他类型的显示设备上，该显示面板的视角色差较小且工作性能稳定。

综上，本发明实施例所提供的上述方案，通过金属抑制层50能够抑制第二阴极金属层60蒸镀到像素单元靠近金属抑制层50的一侧，以实现发光器件100的发光区域对应较薄的第一阴极金属层30，这样可以改善发光器件100的视角色偏。此外，第二阴极金属层60至少部分位于金属抑制层50对应的第一开口52内且与第一阴极金属层30导通，能够实现发光器件100的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层60，从而减少发光器件100因薄化第一阴极金属层30而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件100的性能异常，确保发光器件100能够正常工作。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种发光器件(100)，其特征在于，包括：

基板(10)；

发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；

第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；

金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；

第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，还包括金属覆盖层(40)；

所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(51)和所述第二开口(52)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通。

3.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；

所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；

所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。

4.根据权利要求3所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。

5.根据权利要求3所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于一个对应的金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影内。

6.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，所述第一阴极金属层(30)的厚度大于等于5nm，所述第二阴极金属层(60)的厚度大于等于5nm。

7.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)的厚度大于等于3nm，所述金属覆盖层(40)的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。

8.一种发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板(10)；

在所述基板(10)的一侧形成包括多个间隔设置的像素单元的发光器件层(20)；

在所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧形成第一阴极金属层(30)；

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)；

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成至少部分位于所述第一开口(52)内的第二阴极金属层(60)；其中，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。

9.根据权利要求8所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)，包括：

在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成金属覆盖层(40)，并在所述金属覆盖层(40)上开设第二开口(42)；

在所述金属覆盖层(40)远离所述第一阴极金属层(30)的一侧形成金属抑制层(50)，并在所述金属抑制层(50)上开设连通于所述第二开口(42)的第一开口(52)。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的发光器件(100)。

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