KR102650716B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
개시된 표시 장치는, 베이스 기판 위에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 커버하는 절연층, 상기 절연층 위에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 배치되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드, 상기 제2 전극 위에 배치되는 버스 전극 및 상기 제2 전극 위에 인접하는 버스 전극들 사이에 배치되는 유기 불화물 패턴을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 가능한 표시 장치로서, 백라이트와 같은 별도의 광원을 필요로 하지 않으며, 두께의 감소가 용이하고, 플렉서블 표시 장치를 구현하기에 적절하여 그 사용이 증가하고 있다.
유기 발광 표시 장치는, 광을 생성하는 유기 발광 소자를 포함한다. 예를 들어, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함한다.
상기 유기 발광 표시 장치의 표시면 측에 배치되는, 상기 유기 발광 소자의 전극은 광을 투과하기 위하여 얇은 두께를 가질 필요가 있다. 이러한 얇은 두께의 전극을 공통 전극으로 이용할 경우, 저항 증가에 의한 IR 드롭이 나타난다.
본 발명의 일 목적은 IR 드롭을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는, 베이스 기판 위에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 커버하는 절연층, 상기 절연층 위에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 배치되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드, 상기 제2 전극 위에 배치되는 버스 전극 및 상기 제2 전극 위에 인접하는 버스 전극들 사이에 배치되는 유기 불화물 패턴을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물 패턴은 발광 영역과 중첩하고, 상기 버스 전극은 비발광 영역과 중첩한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물 패턴은 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물 패턴의 두께는 10Å 내지 2,000Å이다.
일 실시예에 따르면, 상기 버스 전극은 상기 제2 전극 보다 큰 두께를 갖는다.
일 실시예에 따르면, 상기 버스 전극 및 상기 제2 전극은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물 및 주석 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 전원 버스 배선을 더 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 표시 영역에 배치되고, 상기 전원 버스 배선은 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치된다.
일 실시예에 따르면, 상기 버스 전극은 상기 주변 영역으로 연장되어 상기 주변 영역에서 상기 전원 버스 배선과 중첩한다.
일 실시예에 따르면, 상기 절연층 위에 배치되며 상기 제1 전극의 적어도 일부와 중첩하는 개구부를 갖는 화소 정의층을 더 포함하고, 상기 버스 전극은 상기 화소 정의층 위에 배치된다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물 패턴 위에 배치되는 캡핑층을 더 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물 패턴과 상기 버스 전극 위에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 위에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광 소자, 상기 제2 전극 위에 배치되며 비발광 영역과 중첩하는 버스 전극 및 상기 제2 전극 위에 배치되며 발광 영역과 중첩하는 유기 불화물 패턴을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 전극 위에 유기 불화물 패턴을 형성하는 단계 및 노출된 제2 전극의 상면 위에 선택적으로 도전층을 증착하여 버스 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 비발광 영역에 버스 전극을 형성함으로써, 공통 전극의 IR 드롭을 방지하거나 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 버스 전극은 공통 전극 위에 직접 형성됨으로써, 버스 전극을 형성하기 위하여 회로부의 다른 배선을 이용할 필요가 없다. 따라서, 발광 영역의 크기를 증가시킬 수 있으며, 회로부의 설계 마진이 개선될 수 있다. 또한, 콘택 형성을 위한 고가의 레이저 드릴링을 생략할 수 있고, 이에 의한 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역과 연결 영역을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 어레이를 부분적으로 도시한 평면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역과 연결 영역을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 어레이를 부분적으로 도시한 평면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역과 연결 영역을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함한다. 상기 표시 영역(DA)은 광을 생성하거나, 외부의 광원으로부터 제공된 광의 투과율을 조절하여 이미지를 표시할 수 있다. 상기 주변 영역은 이미지를 표시하지 않는 영역으로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시 장치(10)는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 영역(DA)에는 발광 소자를 포함하는 화소(PX)들의 어레이가 배치되어, 구동 신호에 따라 광을 생성한다. 상기 표시 영역(DA)에는 상기 화소(PX)에 구동 신호 및 전원을 제공하는 신호 배선 및 전원 배선이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 영역(DA)에는 제1 방향(D1)으로 연장되며 상기 화소(PX)에 게이트 신호를 제공하는 게이트 라인(GL), 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되며, 상기 화소(PX)에 데이터 신호를 제공하는 데이터 라인(DL), 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장되며 상기 화소(PX)에 제1 전원 전압을 제공하는 전원 라인(PL)이 배치될 수 있다.
상기 주변 영역에는, 구동 신호 또는 전원을 상기 표시 영역(DA)에 전달하기 위한 전달 배선, 구동 신호를 생성하기 위한 회로부 등이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 주변 영역에는, 상기 게이트 신호를 생성하는 구동부(DR), 상기 데이터 라인(DL)에 상기 데이터 신호를 전달하는 팬아웃 배선(FL), 상기 전원 라인(PL)에 제1 전원 전압을 전달하는 제1 전원 버스 배선(ELVDD), 제2 전원 전원 전압을 전달하는 제2 전원 버스 배선(ELVSS) 등이 배치될 수 있다. 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)은, 상기 표시 영역(DA)에 형성되는 공통 전극과 전기적으로 접촉하여, 상기 표시 영역(DA)의 발광 소자들에 제2 전원 전압을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 전원 버스 배선(ELVSS)은, 주변 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 전원 버스 배선(ELVSS)과 공통 전극이 전기적으로 접촉하는 영역은 연결 영역(CA)로 지칭될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에서, 베이스 기판(110) 위에 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(120) 위에는 액티브 패턴(AP)이 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP) 위에는 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)과 상기 게이트 전극(GE) 사이에는 제1 절연층(130)이 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(130)은 제1 게이트 절연층으로 지칭될 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 위에는 게이트 배선 패턴(GP)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선 패턴(GP)은, 커패시터의 전극, 구동 신호를 전달하기 위한 신호 배선 등을 형성할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)과 상기 게이트 배선 패턴(GP) 사이에는 제2 절연층(140)이 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 제2 게이트 절연층으로 지칭될 수 있다. 상기 게이트 배선 패턴(GP) 위에는 제3 절연층(150)이 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(150)은 층간 절연층으로 지칭될 수 있다.
상기 소스 전극(GE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제3 절연층(150) 위에 배치될 수 있으며, 하부의 절연층을 관통하여 상기 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 소스 전극(GE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함하는 제1 소스 금속 패턴 위에 제4 절연층(160)이 배치될 수 있다. 상기 제4 절연층(160)은 제1 비아 절연층으로 지칭될 수 있다.
상기 제4 절연층(160) 위에는 제1 연결 전극(CE)을 포함하는 제2 소스 금속 패턴이 배치될 수 있다. 상기 제1 연결 전극(CE)은 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴은, 유기 발광 다이오드에 제공되는 전류의 전압 강하를 보상하기 위한 메쉬 전원 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴 위에는 제5 절연층(170)이 배치될 수 있다. 상기 제5 절연층(170)은 제2 비아 절연층으로 지칭될 수 있다.
상기 제5 절연층(170) 위에는 유기 발광 다이오드가 배치된다. 예를 들어, 상기 유기 발광 다이오드의 제1 전극(212)이 상기 제5 절연층(170) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(212)은 상기 제1 연결 전극(CE1)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 제1 연결 전극(CE1)이 생략되는 경우, 상기 제1 전극(212)은 상기 드레인 전극(DE)과 직접 전기적으로 접촉할 수 있다.
또한, 상기 제5 절연층(170) 위에는 화소 정의층(180)이 배치된다. 상기 화소 정의층(180)은 상기 제1 전극(212)의 상면을 노출하는 개구부를 가질 수 있으며, 상기 제1 전극(212)의 일부를 커버할 수 있다.
상기 제1 전극(212) 위에는 유기 발광층(214)이 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층(214) 위에는 제2 전극(216)이 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층(214) 및 상기 제2 전극(216)은 상기 표시 영역(DA)에서 연속적으로 연장되는 연장될 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광층(214) 및 상기 제2 전극(216)의 일부는 상기 화소 정의층(180) 위에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 상기 유기 발광층(214)은, 각 화소 영역에 대응하는 분리된 패턴으로 형성될 수도 있다.
상기 제2 전극(216) 위에는 버스 전극(218)이 배치된다. 상기 버스 전극(218)은, 비발광 영역(NEA)에 배치된다. 예를 들어, 상기 버스 전극(218)은, 상기 화소 정의층(180) 위에 배치될 수 있다. 따라서, 평면도 상에서 상기 버스 전극(218)은, 발광 영역(EA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 영역(EA)은 상기 화소 정의층(180)의 개구부와 중첩하는 영역 또는 상기 제1 전극(212)의 적어도 일부와 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 상기 비발광 영역(NEA)은 상기 발광 영역(EA)을 제외한 나머지 영역, 예를 들어, 상기 화소 정의층(180)의 상면과 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다.
상기 발광 영역(EA)에서 상기 제2 전극(216)의 위에는 유기 불화물 패턴(219)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 불화물 패턴(219)은 인접하는 버스 전극(218)들 사이에 배치될 수 있다. 상기 유기 불화물 패턴(219)은, 상기 제2 전극(216)을 형성하는 과정에서 마스크로 이용될 수 있다.
상기 버스 전극(218) 및 상기 유기 불화물 패턴(219) 위에는 캡핑층(310)이 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(310)은, 상기 유기 발광 다이오드를 보호하고, 상기 유기 발광 다이오드에 의해 발생된 광의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
상기 연결 영역(CA)에는, 제2 전원 버스 배선(ELVSS)이 배치된다. 예를 들어, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)는, 상기 제3 절연층(150) 위에 배치되고, 상기 제1 소스 금속 패턴과 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)는, 상기 제4 절연층(160) 위에 배치되고, 상기 제2 소스 금속 패턴과 동일한 층으로부터 형성되는 제2 연결 전극(CE2)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
상기 제2 연결 전극(CE2)은, 상기 제5 절연층(170) 위에 배치되고, 상기 유기 발광 다이오드의 제1 전극(212)와 동일한 층으로부터 형성되는 제3 연결 전극(CE3)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
상기 제3 연결 전극(CE3)은, 상기 연결 영역(CA)으로 연장된 상기 유기 발광 다이오드의 제2 전극(216)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
상기 버스 전극(218)은, 상기 연결 영역(CA)으로 연장되어, 상기 연결 영역(CA)에서, 상기 제2 전극(216) 위에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 연결 영역(CA)에서 상기 버스 전극(218)과 상기 제2 전극(216)은 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)와 중첩할 수 있다.
이에 따라, 제2 전원 전압이 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)으로부터 상기 버스 전극(218) 및 상기 제2 전극(216)으로 전달될 수 있다.
상기 버스 전극(218)은 비발광 영역(NEA)에 배치되므로 상기 제2 전극(216) 보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 따라서, 상기 표시 영역(DA) 내에서 제2 전극(216)의 전체 저항이 감소됨으로써, IR 드롭을 감소시킬 수 있다.
상기 베이스 기판(110) 내지 상기 캡핑층(310)을 포함하는 구조물은 어레이 기판으로 지칭될 수 있으며, 상기 어레이 기판은 커버 기판(400)과 결합될 수 있다.
상기 커버 기판(400)과 어레이 기판을 결합하고, 표시 영역의 발광 소자를 봉지하기 위하여, 상기 커버 기판(400)과 상기 어레이 기판 사이에는 실링 부재(410)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 실링 부재(410)는 고분자 경화 수지 또는 유리 프릿(frit)으로부터 형성될 수 있다.
상기 커버 기판(400)과 상기 어레이 기판 사이의 공간은 진공 상태로 유지되거나, 기체가 채워지거나, 다른 실링 물질로 채워질 수 있다.
도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 베이스 기판(110) 위에 버퍼층(120)을 형성한다.
예를 들어, 상기 베이스 기판(110)은, 유리, 쿼츠, 실리콘, 고분자 물질 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 베이스 기판(110)은 고분자 물질을 포함하는 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 물질은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드 등을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(120)은, 상기 베이스 기판(110)의 하부로부터 이물, 수분 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 상기 베이스 기판(110)의 상면을 평탄화할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(120)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 등과 같은 무기 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
다음으로, 표시 영역(DA)에서 상기 버퍼층(120) 위에 액티브 패턴(AP)을 형성한다.
예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)이 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 상기 액티브 패턴(AP)의 적어도 일부는, n형 불순물 또는 p형 불순물 등과 같은 불순물로 도핑될 수 있다.
다른 실시예에서, 액티브 패턴은 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브 패턴은, 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 액티브 패턴(AP2)은 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 티타늄 산화물(TiOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-갈륨 산화물(IGO), 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐-주석 산화물(ITO), 갈륨-아연 산화물(GZO), 아연-마그네슘 산화물(ZMO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO), 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO) 및 인듐-갈륨-주석 산화물(IGTO) 등을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP) 위에는 제1 절연층(130)을 형성한다. 상기 제1 절연층(130) 위에는 게이트 전극(GE)을 포함하는 제1 게이트 금속 패턴을 형성한다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 액티브 패턴(AP)과 중첩한다. 상기 제1 게이트 금속 패턴을 커버하는 제2 절연층(140)을 형성한다. 다음으로, 상기 제2 절연층(140) 위에 게이트 배선 패턴(GP)을 포함하는 제2 게이트 금속 패턴을 형성한다.
예를 들어, 상기 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(140)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(140)은 각각, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(130) 및 상기 제2 절연층(140)은 각각, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 단일층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 게이트 금속 패턴 및 상기 제2 게이트 금속 패턴은 각각, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
다음으로, 상기 제2 게이트 금속 패턴을 커버하는 제3 절연층(150)을 형성한다. 다음으로, 상기 제3 절연층(150) 위에 배치되는 제1 소스 금속 패턴을 형성한다. 상기 제1 소스 금속 패턴은 상기 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 각각 상기 제3 절연층(150), 상기 제2 절연층(140) 및 상기 제1 절연층(130)을 관통하여, 상기 액티브 패턴(AP)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
상기 제1 소스 금속 패턴은 제2 전원 버스 배선(ELVSS)을 더 포함한다. 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)은 주변 영역 내의 연결 영역(CA)에서 상기 제3 절연층(150) 위에 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 것 같이, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)은 평면도 상에서 상기 표시 영역(DA)의 가장자리를 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다.
얘를 들어, 상기 제3 절연층(150)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 절연층(150)은 각각, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등과 같은 절연성 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
예를 들어, 상기 제1 소스 금속 패턴은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 소스 금속 패턴을 커버하는 제4 절연층(160)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제4 절연층(160)은, 무기 절연 물질, 유기 절연 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 절연 물질은 폴리아미드, 폴리이미드, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 제4 절연층(160) 위에 배치되는 제2 소스 금속 패턴을 형성한다. 상기 제2 소스 금속 패턴은 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉하는 제1 연결 전극(CE1)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 연결 전극(CE1)은 상기 제4 절연층(160)을 관통하여, 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 제2 소스 금속 패턴은, 유기 발광 다이오드에 제공되는 전류의 전압 강하를 보상하기 위한 메쉬 전원 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 소스 금속 패턴은 제2 연결 전극(CE2)을 더 포함한다. 상기 제2 연결 전극(CE2)은 상기 연결 영역(CA)에서 상기 제4 절연층(160) 위에 배치될 수 있으며, 상기 제4 절연층(160)을 관통하여, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)와 전기적으로 접촉할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 소스 금속 패턴은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 소스 금속 패턴을 커버하는 제5 절연층(170)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제5 절연층(170)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 제5 절연층(170) 위에 하부 전극 패턴을 형성한다. 상기 하부 전극 패턴은, 유기 발광 다이오드의 제1 전극(212)을 포함한다. 상기 제1 전극(212)은 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 작동할 수 있다.
상기 하부 전극 패턴은, 금속, 금속 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극 패턴은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 등을 포함하는 금속 산화물층과, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 하부 전극 패턴은 제3 연결 전극(CE3)을 더 포함한다. 상기 제3 연결 전극(CE3)은 상기 연결 영역(CA)에서 상기 제5 절연층(170) 위에 배치될 수 있으며, 상기 제5 절연층(170)을 관통하여, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)와 전기적으로 접촉할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 표시 영역(DA)에서 상기 제5 절연층(170) 위에 화소 정의층(180)을 형성한다. 상기 화소 정의층(180)은 상기 제1 전극(212)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의층(180)은 상기 제5 절연층(170) 등과 유사한 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(212) 위에는 유기 발광층(214)을 형성한다. 일 실시예에 따르면, 상기 유기 발광층(214)은 상기 표시 영역(DA)에서 연속적으로 연장되는 공통층으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광층(214)의 일부는 상기 화소 정의층(180) 위에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 상기 유기 발광층(214)은, 마스크를 이용한 증착 또는 잉크젯 프린팅 등의 방법을 통해 각 화소 영역에 대응하는 분리된 패턴으로 형성될 수도 있다.
상기 유기 발광층(214)은, 적어도 발광층을 포함하며, 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광층(214)은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기 발광층(214)은 적색, 녹색 또는 청색광을 발광할 수 있다. 다른 실시예에서 상기 유기 발광층(214)이 백색을 발광하는 경우, 상기 유기 발광층(214)은 적색발광층, 녹색발광층, 청색발광층을 포함하는 다층구조를 포함할 수 있거나, 적색, 녹색, 청색 발광물질의 혼합층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 발광층(214)은 상기 연결 영역(CA)에는 형성되지 않는다.
상기 화소 정의층(180)이 상기 연결 영역(CA)으로 연장되는 경우, 상기 제3 연결 전극(CE3)을 노출하는 개구부를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 화소 정의층(180)은 상기 연결 영역(CA)에 형성되지 않고, 상기 제3 연결 전극(CE3)의 상면 전체가 노출될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 유기 발광층(214) 위에는 제2 전극(216)이 형성된다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극(216)은 상기 표시 영역(DA)에서 연속적으로 연장되는 공통층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(216)은 캐소드로 작동할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 전극(216)은, 금속, 금속 산화물, 금속 불화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(216)은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극(216)은 은-마그네슘 합금을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 전극(216)은 열 증착(thermal evaporation)에 의해 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극(216)은 10Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극(216)은 상기 연결 영역(CA)으로 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(216)은 노출된 상기 제3 연결 전극(CE3)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(216)은 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도시된 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)은 제2 소스 금속 패턴으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 연결 전극(CE2) 및 제3 연결 전극(CE3) 중 적어도 하나는 생략되어, 상기 제2 전극(216)은, 상기 제2 연결 전극(CE2)과 접촉하거나, 상기 제2 전원 버스 배선(ELVSS)와 접촉할 수도 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제2 전극(216) 위에 유기 불화물층(217)을 형성한다.
상기 유기 불화물층(217)은, 유기 불화물(organo-fluorine compound)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 불화물은 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 과불화 화합물은 과불화 하이드로카본(perfluorinated carbon)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 과불화 화합물은, 직쇄상 또는 분기상의 알킬 체인 및 이와 결합된 고리 구조를 포함할 수 있다.
상기 알킬 체인에서 적어도 하나의 수소 원자는 불소 원자로 치환될수 있다. 예를 들어, 상기 알킬 체인은, -CF3,-CHF2,-CH2F,-CF2-또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 상기 알킬 체인의 적어도 하나의 메틸렌 그룹은 -CO-로 치환될 수 있다. 예를 들어, 상기 알킬 체인의 탄소수는 4 내지 30일 수 있다.
상기 고리 구조는 지환족 고리, 방향족 고리, 헤테로 고리 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고리 구조는, 사이클로헥실, 사이클로펜틸, 페닐, 나프틸, 퓨릴, 피리딜 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 고리 구조의 적어도 하나의 수소 원자는 불소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 플루오로알킬기 또는 알콕시실릴기로 치환될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물층(217)의 두께는 10Å 내지 2,000Å일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 불화물층(217)은 열 증착 또는 기상 증착(gas phase deposition)에 의해 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 유기 불화물층(217)을 부분적으로 노광한다. 일 실시예에 따르면, 상기 비발광 영역에 대응되는 유기 불화물층(217)이 노광될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 불화물층(217) 위에 차광 영역과 투광 영역을 갖는 차광 마스크(LBM)를 배치시키고, 광을 조사함으로써, 상기 투광 영역과 중첩하는 유기 불화물층(217)을 노광할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 차광 영역은 발광 영역과 중첩하고, 상기 투광 영역은 상기 비발광 영역과 중첩할 수 있다. 상기 차광 영역은 상기 비발광 영역의 일부와도 중첩할 수 있다.
상기 유기 불화물층(217)의 노광된 영역에서 유기 불화물은 광분해될 수 있다. 상기 노광 공정은 진공 챔버 등에서 진행될 수 있으며, 상기 분해된 유기 불화물은 기판으로부터 분리되어 제거될 수 있다.
결과적으로, 도 10에 도시된 것과 같이, 상기 발광 영역에는 유기 불화물 패턴(219)이 형성되고, 노광된 비발광 영역에서는 유기 불화물층(217)이 제거되어, 하부의 제2 전극(216)이 노출된다. 도 10은, 단일 화소에 대응되는 유기 불화물 패턴(219)을 도시하였으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 상기 유기 불화물 패턴(219)의 크기 및 형상은 목적하는 버스 전극의 디자인에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 불화물 패턴(219)은 복수의 화소 영역에서 연속적으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 불화물층(217)의 노광에 이용되는 광은 파장이 250nm 이하일 수 있다. 상기 범위의 광은 높은 에너지를 가짐으로써 상기 유기 불화물이 용이하게 분해될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 유기 불화물층(217)이 제거된 제2 전극(216) 위에 도전층을 증착하여 버스 전극(218)을 형성한다.
상기 버스 전극(218)은 금속, 금속 산화물, 금속 불화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버스 전극(218)은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 버스 전극(218)은 은-마그네슘 합금을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 버스 전극(218)은 열 증착에 의해 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극(216)은 100Å 내지 5,000Å의 두께를 가질 수 있다.
상기 유기 불화물층(217)은 매우 낮은 표면 에너지를 갖는다. 따라서, 증착 과정에서, 상기 유기 불화물층(217) 위에는 막이 형성되지 않다. 이에 따라, 상기 제2 전극(216) 위에 선택적으로 도전층을 증착함으로써, 포토리소그라피 공정 이나 증착 마스크 없이 버스 전극(218)을 형성할 수 있다.
상기 버스 전극(218)은, 상기 연결 영역(CA)으로 연장되어, 상기 연결 영역(CA)의 제2 전극(216)과 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(216)의 저항을 전체적으로 감소시킴으로써 IR 드롭을 방지하거나 감소시킬 수 있다.
상기 노출된 제2 전극(216) 위에 유기 불화물 또는 이의 분해 생성물이 일부 잔류할 수도 있으나, 금속 증착을 방해하지 않거나 접촉 저항을 증가시키지 않는 수준의 작은 양으로 조절될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 상기 버스 전극(218) 및 상기 유기 불화물 패턴(219) 위에 캡핑층(310)이 형성될 수 있다. 상기 유기 불화물 패턴(219)은 제거되지 않고 잔류하여, 상기 캡핑층(310)과 함께 굴절률 매칭층을 형성하거나, 발광 소자의 보호층으로 이용될 수 있다.
예를 들어, 상기 캡핑층(310)은, 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 물질은 아연 산화물, 탄탈륨 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있으며, 상기 유기 물질은, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐 아미노]비페닐(TPD), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐 아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB) 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 비발광 영역에 버스 전극을 형성함으로써, 공통 전극의 IR 드롭을 방지하거나 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 버스 전극은 공통 전극 위에 직접 형성됨으로써, 버스 전극을 형성하기 위하여 회로부의 다른 배선을 이용할 필요가 없다. 따라서, 발광 영역의 크기를 증가시킬 수 있으며, 회로부의 설계 마진이 개선될 수 있다. 또한, 콘택 형성을 위한 고가의 레이저 드릴링을 생략할 수 있고, 이에 의한 발광 소자의 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 저 표면 에너지 영역을 형성하는 유기 불화물 패턴(219)은 광 분해 공정 대신에, 파인 메탈 마스크 등과 같은 증착 마스크를 이용하여 형성될 수도 있다.
예를 들어, 도 12에 도시된 것과 같이, 제2 전극(216) 위에 개구부를 갖는 증착 마스크(DM)를 배치하고, 상기 개구부를 통해 원하는 영역에 상기 유기 불화물 패턴(219)을 형성할 수 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
본 발명의 실시예들에서, 저 표면 에너지 영역을 형성하는 유기 불화물 패턴은 필요에 따라 제거될 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 것과 같이, 버스 전극(218)을 형성한 후, 상기 유기 불화물 패턴을 제거하고, 상기 제2 전극(216) 위에 캡핑층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 불화물 패턴은 플라즈마 처리 등에 의해 제거될 수 있다.
도 14를 참조하면, 표시 장치는 박막 봉지층(330)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층(330)은, 표시 영역(DA) 전체에서 유기 발광 소자 어레이를 커버할 수 있으며, 상기 연결 영역(CA)으로 연장될 수 있다.
상기 박막 봉지층(330)은 유기 박막과 무기 박막의 적층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 14에 도시된 것과 같이, 제1 무기 박막(332), 상기 제1 무기 박막(332) 위에 배치된 유기 박막(334), 및 상기 유기 박막 위에 배치된 제2 무기 박막(336)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 상기 봉지층(330)은 둘 이상의 유기 박막과 셋 이상의 무기 박막을 포함하는 구조를 가질 수도 있다.
예를 들어, 상기 유기 박막(334)은, 폴리아크릴레이트 등과 같은 고분자 경화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 경화물은, 모노머의 가교 반응에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 박막(332, 336)은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 어레이를 부분적으로 도시한 평면도들이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 화소 유닛은, 각각 서로 다른 원색 광을 생성하는 복수의 서브 화소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 15 및 도 16은 서브 화소들의 발광 영역들을 도시할 수 있다.
예를 들어, 화소 유닛은, 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 화소(PX1)는 적색광을 생성하고, 제2 서브 화소(PX2)는 녹색광을 생성하고, 제3 서브 화소(PX3)는 청색광을 생성할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도시된 화소 배열에 한정되지 않으며, 알려진 다양한 화소 배열을 갖는 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 각 서브 화소들은 직사각형, 정사각형, 원형, 마름모 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 서로 동일한 크기를 가지거나 서로 다른 크기를 가질 수 있다.
상기 버스 전극(218)은, 화소 어레이의 구성, 서브 화소들의 형상, 표시 장치의 크기 등에 따라 적절한 구성을 갖도록 디자인될 수 있다.
예를 들어, 도 15에 도시된 것과 같이, 버스 전극(218)은 복수의 서브 화소들을 둘러싸거나, 복수의 화소 그룹을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 또한, 도 16에 도시된 것과 같이, 버스 전극(218)은 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 가질 수 있다.
상기 표시 장치가 유기 불화물 패턴을 포함하는 경우, 상기 유기 불화물 패턴은, 인접하는 버스 전극(218)들 사이에 배치되어, 복수의 서브 화소 또는 복수의 화소 유닛 그룹과 중첩할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 다양한 표시 장치 및 그 제조 방법에 적용될 수 있다. 상기 표시 장치는, 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 다양한 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
Claims (24)
- 베이스 기판 위에 배치되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 커버하는 절연층;
상기 절연층 위에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 배치되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드;
상기 제2 전극 위에 배치되는 버스 전극; 및
상기 제2 전극 위에 인접하는 버스 전극들 사이에 배치되며, 직쇄상 또는 분기상의 알킬 체인 및 상기 알킬 체인과 결합된 고리 구조를 갖는 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함하는 유기 불화물 패턴을 포함하는 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴은 발광 영역과 중첩하고, 상기 버스 전극은 비발광 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴의 두께는 10Å 내지 2,000Å인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 버스 전극은 상기 제2 전극 보다 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 버스 전극 및 상기 제2 전극은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물 및 주석 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 전원 버스 배선을 더 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 표시 영역에 배치되고, 상기 전원 버스 배선은 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 버스 전극은 상기 주변 영역으로 연장되어 상기 주변 영역에서 상기 전원 버스 배선과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층 위에 배치되며 상기 제1 전극의 적어도 일부와 중첩하는 개구부를 갖는 화소 정의층을 더 포함하고, 상기 버스 전극은 상기 화소 정의층 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴 위에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴과 상기 버스 전극 위에 배치되는 박막 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 위에 배치되는 제2 전극을 포함하는 발광 소자;
상기 제2 전극 위에 배치되며 비발광 영역과 중첩하는 버스 전극; 및
상기 제2 전극 위에 배치되며 발광 영역과 중첩하며, 직쇄상 또는 분기상의 알킬 체인 및 상기 알킬 체인과 결합된 고리 구조를 갖는 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함하는 유기 불화물 패턴을 포함하는 표시 장치. - 삭제
- 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 유기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 전극 위에, 직쇄상 또는 분기상의 알킬 체인 및 상기 알킬 체인과 결합된 고리 구조를 갖는 과불화 화합물(perfluorinated compound)을 포함하는 유기 불화물 패턴을 형성하는 단계; 및
노출된 제2 전극의 상면 위에 선택적으로 도전층을 증착하여 버스 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴은 발광 영역과 중첩하고, 상기 버스 전극은 비발광 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제14항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴의 두께는 10Å 내지 2,000Å인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 버스 전극은 상기 제2 전극 보다 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 버스 전극 및 상기 제2 전극은, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 주석 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물 및 주석 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 버스 전극 및 상기 제2 전극은 열 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제2 전극 위에 유기 불화물층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 불화물층을 부분적으로 노광하여 노광된 부분의 유기 불화물을 분해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제21항에 있어서, 상기 유기 불화물층을 부분적으로 노광하는 단계는 파장이 250nm 이하인 광을 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 유기 불화물 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제2 전극 위에 개구부를 갖는 증착 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 개구부를 통해 노출된 영역에 유기 불화물을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제14항에 있어서,
상기 유기 불화물 패턴을 제거하는 단계; 및
상기 노출된 제2 전극 위에 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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