TWI510596B - 有機電發光裝置 - Google Patents

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TWI510596B TW099108016A TW99108016A TWI510596B TW I510596 B TWI510596 B TW I510596B TW 099108016 A TW099108016 A TW 099108016A TW 99108016 A TW99108016 A TW 99108016A TW I510596 B TWI510596 B TW I510596B
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Holger Heil
Philipp Stoessel
Dominik Joosten
Simone Leu
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Merck Patent Gmbh
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Description

有機電發光裝置
本發明關於有機電發光裝置，其包含至少一個包含至少一種發磷光摻雜劑及至少兩種基質材料的層。
其中使用有機半導體作為功能性材料的有機電發光裝置(OLED)之結構敘述於例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461及WO 98/27136中。在有機電發光裝置領域中的發展為發磷光之OLED。由於與發螢光之OLED相比具有較高的可達成效率而使該等發磷光之OLED具有顯著的優點。
然而，仍對發磷光之OLED的情況中有進一步的要求。特別致力於裝置的效率及壽命改進。
建立本發明基礎的技術目的因此在於提供具有改進壽命的發磷光之有機電發光裝置。進一步的目的在於提供具有改進效率的發磷光之有機電發光裝置。
依照先前技藝，包括酮(例如，依照WO 2004/093207或依照未公開之DE 102008033943.1)或三衍生物(例如，依照未公開之DE 102008036982.9)的電子傳導材料被用作為發磷光體的基質材料。特別以酮達成低操作電壓及長壽命，使得此類別化合物成為非常關注的基質材料。然而，仍對這些基質材料的用途有改進的要求，如在其他的基質材料的情況中，特別關於裝置的效率及壽命。
此外，先前技藝揭示包含摻雜在兩種基質材料之混合物中的發磷光體之有機電發光裝置。
US 2007/0252516揭示包含電洞傳導基質材料與電子傳導基質材料之混合物的發磷光之有機電發光裝置。經揭示此等OLED經改進的效率。對壽命沒有明顯的效應。
US 2007/0099026揭示發白光之有機電發光裝置，其中發綠光或發紅光層包含發磷光體及電洞傳導基質材料與電子傳導基質材料之混合物。所指示之電洞傳導材料尤其為三芳基胺及咔唑衍生物。所指示之電子傳導材料尤其為鋁及鋅化合物、噁二唑化合物及三或三唑化合物。仍亦希望進一步改進此等OLED。
若用於發光層中的發磷光體之基質為至少兩種基質材料之混合物，其中兩種基質材料中之一為能夠傳輸電荷的材料(亦即電子-或電洞-傳輸材料)及兩種基質材料中之另一者為經選擇使得其不涉及電荷傳輸的材料，則驚訝地發現以低分子量(所謂小分子)為基礎的發磷光之有機電發光裝置的效率以及壽命二者經顯著地改進。此係以下述材料達成，即，相應地選擇材料中的HOMO(最高被佔據之分子軌域)與LUMO(最低未被佔據之分子軌域)的位置及能隙(帶隙)。以此類型的電發光裝置達成比包含電子傳輸材料與電洞傳輸材料之混合物作為發磷光體的基質之電發光裝置更好的結果，特別關於效率及壽命。
本發明因此關於一種包含陽極、陰極及至少一個發光層的有機電發光裝置，該發光層包含至少一種摻雜在兩種材料A與B之混合物中的發磷光化合物，其中該等材料係經限定為具有2000公克/莫耳或更少的分子量之低分子量化合物，其特徵在於材料A為電荷傳輸材料及材料B為具有-5.4 eV或更低的HOMO及-2.4 eV或更高的LUMO且具有至少3.5 eV的能隙之材料。
材料A及B在此為發磷光化合物的基質材料且其本身不涉及由電發光裝置的發光。
電荷傳輸基質材料A可為電洞傳輸材料或電子傳輸材料。
就本申請案的目的而言，電洞傳輸材料係以大於-5.4 eV之HOMO為特徵。就本申請案的目的而言，電子傳輸材料係以小於-2.4 eV之LUMO為特徵。HOMO與LUMO位置及能隙在此係如實例部分概括的詳細敘述予以測定。
根據本發明的有機電發光裝置包含如上述之陽極、陰極及至少一個排列在陽極與陰極之間的發光層。發光層在此包含至少一種發磷光化合物及另外至少一種電荷傳輸基質材料及另一具有-5.4 eV或更低的HOMO、-2.4 eV或更高的LUMO與3.5 eV或更高的能隙之基質材料。有機電發光裝置未必一定只包含由有機或有機金屬材料建構的層。因此，陽極、陰極及/或一或多層亦有可能包含無機材料或完全由無機材料建構。
就本發明目的而言，發磷光化合物為在室溫下展現來自相對高自旋多重性的激發態(亦即自旋態>1，特別來自激發的三重態)之發光的化合物。就本發明目的而言，所有的發光過渡-金屬錯合物(特別為所有的發光銥、鉑及銅化合物)被視為發磷光化合物。
在本發明較佳的具體例中，發磷光化合物為發紅光化合物或發綠光化合物。
基質材料A及B較佳地具有大於70℃之玻璃轉換溫度TG ，特別佳為大於90℃，最特別佳為大於110℃。
在發光層中的發磷光化合物之比例較佳為1至50體積%，特別佳為3至30體積%，最特別佳為5至25體積%，尤其為10至20體積%。
在基質材料A與基質材料B之間的比可變動。特別地，OLED的電荷平衡可藉由變動此比而簡單且可重現地調整。調整混合比因此能使OLED的效率輕易地達到最優化。在電荷傳輸基質材料A與基質材料B之間的混合比在此通常從10：1至1：10，較佳從7：1至1：7，特別佳從4：1至1：4，在每一情況中係以體積為基準。
依照本發明存在於發光層中的電荷傳輸基質材料A及基質材料B與發磷光化合物的較佳具體例指示於下。
在本發明較佳的具體例中，電荷傳輸基質材料A為電子傳導化合物。適合且較佳的電子傳輸基質材料係選自芳族酮、芳族氧化膦、芳族亞碸、芳族碸、三衍生物、鋅錯合物及鋁錯合物。
就本申請案的目的而言，芳族酮意謂兩個芳族或雜芳族基團或芳族或雜芳族環系統直接與其鍵結的羰基。芳族碸及亞碸係相對應定義。就本申請案的目的而言，芳族氧化膦意謂三個芳族或雜芳族基團或芳族或雜芳族環系統直接與其鍵結的氧化膦基團。
在本發明較佳的具體例中，芳族酮為下列式(1a)化合物及芳族氧化膦為下列式(1b)化合物：
其中下列者適用於所使用的符號：Ar　在各次出現係相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況中可被一或多個R1 基團取代；R1 　在各次出現係相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、CHO、C(=O)Ar1 、P(=O)(Ar1 )2 、S(=O)Ar1 、S(=O)2 Ar1 、CR2 =CR2 Ar1 、CN、NO2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、B(R2 )2 、B(N(R2 )2 )2 、OSO2 R2 、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷氧基或具有2至40個C原子之直鏈烯基或炔基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基(每個該等基團可被一或多個R2 基取代，其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被R2 C=CR2 、C≡C、Si(R2 )2 、Ge(R2 )2 、Sn(R2 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換，且其中一或多個H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、或具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況中可被一或多個R2 基取代)、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(其可被一或多個R2 基取代)或該等系統之組合；二或多個相鄰的取代基R1 在此亦可互相形成單-或多環脂肪族或芳族環系統；Ar1 　在各次出現係相同或不同地為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R2 基取代；R2 　在各次出現係相同或不同地為H、D、CN或具有1至20個C原子之脂肪族、芳族及/或雜芳族烴基，其中另外H原子可被F置換；二或多個相鄰的取代基R2 在此亦可互相形成單-或多環脂肪族或芳族環系統。
就本發明目的而言，芳基含有至少6個C原子；就本發明目的而言，雜芳基含有至少2個C原子及至少一個雜原子，其先決條件係C原子與雜原子之總和為至少5。雜原子較佳地選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此意謂簡單的芳族環(亦即苯)或簡單的雜芳族環(例如，吡啶、嘧啶、噻吩等)或縮合芳基或雜芳基(例如，萘、蒽、芘、喹啉、異喹啉等)。
就本發明目的而言，芳族環系統含有至少6個C原子於環系統中。就本發明目的而言，雜芳族環系統含有至少2個C原子及至少一個雜原子於環系統中，其先決條件係C原子與雜原子之總和為至少5。雜原子較佳地選自N、O及/或S。就本發明目的而言，意欲以芳族或雜芳族環系統意謂沒必要僅含有芳基或雜芳基之系統，反而其中另外複數個芳基或雜芳基可被短的非芳族單元(較佳為少於10%的非H之原子)，諸如sp3 -混成之C、N或O原子或羰基中斷。因此，例如亦意欲以諸如9,9’-螺旋聯茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯、二苯基酮等之系統意謂就本發明目的而言的芳族環系統。芳族或雜芳族環系統同樣意謂其中複數個芳基或雜芳基係以單鍵彼此鏈結之系統，例如聯苯、三聯苯或聯吡啶。
就本發明目的而言，其中另外個別的H原子或CH2 基團可被上述基團取代之C1 -至C40 -烷基特別佳地意謂甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、第三戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、第二己基、第三己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、三氟甲基、五氟乙基及2,2,2-三氟乙基。C2 -至C40 -烯基較佳地意謂乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基或環辛烯基。C2 -至C40 -炔基較佳地意謂乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1 -至C40 -烷氧基較佳地意謂甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基或2-甲基丁氧基。具有5-60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其亦可於每一情況中被上述R基取代且可經由任何所欲位置鏈結至芳族或雜芳族環系統)特別意謂從下列者衍生之基團：苯、萘、蒽、菲、苯並蒽、苯並菲、芘、、苝、螢蒽、苯並螢蒽、並四苯、稠五苯、苯並芘、聯苯、亞聯苯、三聯苯、亞三聯苯、茀、苯並茀、二苯並茀、螺旋聯茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順-或反-茚並茀、順-或反-單苯並茚並茀、順-或反-二苯並茚並茀、參茚並苯、異參茚並苯、螺旋參茚並苯、螺旋異參茚並苯、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、吩噻、吩噁、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡並咪唑、喹噁啉咪唑、噁唑、苯並噁唑、萘並噁唑、蒽並噁唑、菲並噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒、苯並嗒、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡、吩、吩噁、吩噻、螢紅環、萘啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、蝶啶、吲哚及苯並噻二唑。
適合的式(1a)化合物特別為WO 04/093207及未公開之DE 102008033943.1中所揭示之酮，且適合的式(1b)化合物為WO 05/003253中所揭示之氧化膦。將該等以參考方式併入本發明中。
從式(1a)及(1b)化合物的定義明白彼等不一定只含有一個羰基或氧化膦基團而已，反而亦可含有複數個該等基團。
在式(1a)及(1b)化合物中的Ar基團較佳為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統，亦即其不含有任何雜芳基。如上述所定義，芳族環系統未必一定只含有一個芳族基團而已，反而兩個芳基亦可被非芳族基團，例如以另一羰基或氧化膦基團中斷。
在本發明更佳的具體例中，Ar基團不含有兩個以上的縮合環。因此，較佳地僅從苯基及/或萘基，特別佳地僅從苯基建構，但是不含有任何較大的縮合芳族基團，諸如蒽。
與羰基鍵結之較佳的Ar基團為苯基，2-、3-或4-甲苯基，3-或4-鄰-二甲苯基，2-或4-間-二甲苯基，2-對-甲苯基，鄰-、間-或對-第三丁苯基，鄰-、間-或對-氟苯基，二苯基酮，1-、2-或3-苯基甲酮、2-、3-或4-聯苯基，2-、3-或4-鄰-三聯苯基，2-、3-或4-間-三聯苯基，2-、3-或4-對-三聯苯基，2’-對-三聯苯基，2’-、4’-或5’-間-三聯苯基，3’-或4’-鄰-三聯苯基，對-、間，對-、鄰，對-、間，間-、鄰，間-或鄰，鄰-四聯苯基，五聯苯基，六聯苯基，1-、2-、3-或4-茀基，2-、3-或4-螺旋-9,9’-聯茀基，1-、2-、3-或4-(9,10-二氫)菲基，1-或2-萘基，2-、3-、4-、5-、6-、7-或8-喹啉基，1-、3-、4-、5-、6-、7-或8-異喹啉基，1-或2-(4-甲基萘基)，1-或2-(4-苯基萘基)，1-或2-(4-萘基萘基)，1-、2-或3-(4-萘基苯基)，2-、3-或4-吡啶基，2-、4-或5-嘧啶基，2-或3-吡基，3-或4-嗒基，2-(1,3,5-三基)，2-、3-或4-(苯基吡啶基)，3-、4-、5-或6-(2,2’-聯吡啶基)，2-、4-、5-或6-(3,3’-聯吡啶基)，2-或3-(4,4’-聯吡啶基)，及一或多個該等基之組合。
如上所述，Ar基團可被一或多個R1 基取代。該等R1 基較佳地在各次出現係相同或不同地選自H、F、C(=O)Ar1 、P(=O)(Ar1 )2 、S(=O)Ar1 、S(=O)2 Ar1 、具有1至4個C原子之直鏈烷基或具有3至5個C原子之支鏈或環狀烷基(每個該等基團可被一或多個R2 基取代，其中一或多個H原子可被F置換)、或具有6至24個芳族環原子之芳族環系統(其可被一或多個R2 基取代)或該等系統之組合；二或多個相鄰的取代基R1 在此亦可互相形成單-或多環脂肪族或芳族環系統。若有機電發光裝置係從溶液塗覆，則具有至多10個C原子之直鏈、支鏈或環狀烷基亦被稱為取代基R1 。R1 基特別佳地在各次出現係相同或不同地選自H、C(=O)Ar1 或具有6至24個芳族環原子之芳族環系統(其可被一或多個R2 基取代，但較佳地未經取代)。
在本發明更佳的具體例中，Ar1 基團在各次出現係相同或不同地為具有6至24個芳族環原子之芳族環系統，其可被一或多個R2 基團取代。Ar1 特別佳地在各次出現係相同或不同地選自具有6至12個芳族環原子之芳族環系統。
特別佳的芳族酮為二苯基酮衍生物，其在每個3、5、3’、5’-位置上被具有5至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統取代，該環系統可依次被一或多個如上述定義之R1 基取代。此外，較佳者為被至少一個螺旋聯茀基團取代之酮及氧化膦。
因此，較佳的芳族酮為下列式(2)至(5)化合物：
其中Ar及R1 具有與上述相同的意義，且另外：Z　在各次出現係相同或不同地為CR1 或N；n　在各次出現係相同或不同地為0或1。
在上述提供的式(2)、(4)及(5)中的Ar較佳地代表具有1至30個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R1 基取代。以上述Ar基團特別佳。
適合的式(1a)化合物的實例為下述化合物(1)至(59)。
適合的芳族氧化膦衍生物的實例為下述化合物(1)至(17)。
可用作為基質材料A之適合的三衍生物特別為被至少1個，較佳為至少2個，特別佳為至少3個芳族或雜芳族環系統取代之1,3,5-三。因此，特別佳者為下列式(6)或(7)化合物：
其中R1 具有上述指示之意義，且下列者適用於所使用的其他符號：Ar2 　在各次出現係相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之單價芳族或雜芳族環系統，其可在每一情況中被一或多個R1 基取代；Ar3 　為具有5至60個芳族環原子之二價芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R1 基取代。
在式(6)及(7)化合物中，較佳的是至少一個Ar2 基團係選自下列式(8)至(14)基團，且其他的Ar2 基團具有上述指示之意義：
其中R1 具有與上述相同的意義，虛線鍵代表與三單元之鏈結，且另外：X　在各次出現係相同或不同地為選自B(R1 )、C(R1 )2 、Si(R1 )2 、C=O、C=NR1 、C=C(R1 )2 、O、S、S=O、SO2 、N(R1 )、P(R1 )及P(=O)R1 之二價橋；m　在各次出現係相同或不同地為0、1、2或3；o　在各次出現係相同或不同地為0、1、2、3或4。
特別佳的Ar2 基團係選自下列式(8a)至(14a)基團：
其中所使用的符號及下標具有與上述相同的意義，X在此較佳地係相同或不同地選自C(R1 )2 、N(R1 )、O及S，特別佳為C(R1 )2 。
在式(7)化合物中較佳的Ar3 基團係選自下列式(15)至(21)基團：
其中所使用的符號及下標具有與上述相同的意義，且虛線鍵代表與兩個三單元之鏈結。
特別佳的Ar3 基團係選自下列式(15a)至(21a)基團：
其中所使用的符號及下標具有與上述相同的意義，X在此較佳地係相同或不同地選自C(R1 )2 、N(R1 )、O及S，特別佳為C(R1 )2 。
此外，較佳者為上述提供的式(7)化合物，其中Ar 3 基團係選自上述提供的式(15)至(21)，且Ar2 在各次出現係相同或不同地選自上述提供的式(8)至(14)或苯基，1-或2-萘基，鄰-、間-或對-聯苯基，每個該等基團可被一或多個R1 基取代，但較佳地未經取代。
如上所述，基質材料B為具有-5.4 eV或更低的HOMO及具有-2.4 eV或更高的LUMO且另外具有3.5 eV或更高的能隙之材料。在本發明較佳的具體例中，基質材料B具有-5.7 eV或更低的HOMO，特別佳為-6.0 eV或更低。基質材料B另外較佳地具有3.7 eV或更高的能隙，特別佳為3.9 eV或更高。經由選擇具有上述HOMO、LUMO及能隙條件的材料確保此材料不參與層中的電荷傳輸，或不參與至顯著的程度。基質材料B另外較佳地具有-2.2 eV或更高的LUMO，特別佳為-2.0 eV或更高。
在本發明較佳的具體例中，基質材料B為二氮雜硼唑(diazaborole)衍生物，特別為芳族二氮雜硼唑衍生物。
在本發明更佳的具體例中，基質材料B為純烴，亦即僅由碳及氫原子建構且不含有任何除了碳及氫以外的原子。在本發明特別佳的具體例中，基質材料B為芳族烴。此特徵在於其含有芳族基團。然而，其亦可另外含有非芳族碳原子，例如烷基。
在本發明特別佳的具體例中，基質材料B係選自二芳基甲烷衍生物、茀衍生物、螺旋聯茀衍生物或二氮雜硼唑衍生物。特別適合的基質材料B因此為下列式(22)、(23)、(24)及(25)化合物：
其中Ar、R1 及n具有上述指示之意義，且所使用的其他符號具有下列意義：Ar4 在各次出現係相同或不同地為具有6至60個芳族C原子之芳族環系統，其不含有任何除了碳或氫以外的非芳族基團；Ar4 在此可被一或多個R4 基取代；R3 在各次出現係相同或不同地為具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或具有6至60個芳族C原子之芳族環系統，其不含有任何除了碳及氫以外的非芳族基團；且其可被一或多個R4 基取代；二或多個R3 基在此亦可互相形成環系統；R4 在各次出現係相同或不同地為具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基；二或多個R4 基在此亦可互相形成環系統；q為1、2、3或4。
上述提供的式(22)至(25)之較佳的基質材料B的實例為下述化合物(1)至(19)。
適合的發磷光化合物特別為在適合的激發時發射較佳地在可見光範圍內的光線且另外含有至少一個具有原子數大於20之原子的化合物。所使用的發磷光體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別為含有銥、鉑或銅的化合物。
特別佳的有機電發光裝置包含作為發磷光化合物的至少一種式(26)至(29)化合物：
其中R1 具有與上述式(1)相同的意義，且下列者適用於所使用的其他符號：DCy在各次出現係相同或不同地為環狀系統，其含有至少一個施體原子，較佳為氮、具有碳烯形式的碳或磷，環狀基團係經由該施體原子與金屬鍵結，且其可依次攜帶一或多個取代基R1 ；DCy及CCy基團係經由共價鍵互相鍵結；CCy在各次出現係相同或不同地為環狀系統，其含有碳原子，環狀基團係經由該碳原子與金屬鍵結，且其可依次攜帶一或多個取代基R1 ；A　在各次出現係相同或不同地為單陰離子的雙牙螯合配位基，較佳為二酮根配位基。
由於在複數個R1 基之間形成環系統，故橋亦可存在於基團DCy與CCy之間。此外，由於在複數個R1 基之間形成環系統，故橋亦可存在於二或三個配位基CCy-DCy之間或於一或二個配位基CCy-DCy與配位基A之間，提供多牙或多足根基系統。
上述發光體的實例係由申請案WO 20/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2004/081017、WO 2005/033244、WO 2005/042550、WO 2005/113563、WO 2006/008069、WO 2006/061182、WO 2006/081973、WO 2009/118087、WO 2009/146770及未公開之申請案DE 102009007038.9所揭露。通常，依照先前技藝用於發磷光之OLED且為熟習有機電發光領域者所知的所有發磷光錯合物皆適合，且熟習此技藝者能夠不以本發明的步驟而使用更多發磷光化合物。特別地，熟習此技藝者已知該等發磷光錯合物發射出何種發光色。
適合的發磷光化合物的實例為下表中顯示的結構(1)至(140)：
除了已敘述於上的陰極、陽極及至少一個發光層以外有機電發光裝置亦可包含更多層。該等層在各情況中係選自例如一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、電荷產生層及/或有機或無機p/n接面。另外，可以有控制例如裝置中的電荷平衡的中間層存在。此等中間層可特別適合作為兩個發光層之間的中間層，特別作為螢光層與磷光層之間的中間層。此外，亦可摻雜層，特別為電荷傳輸層。層的摻雜可有利於改進的電荷傳輸。然而，應指出上述的每個層未必一定都存在，且層的選擇總是取決於所使用的化合物。此類型層的用途為熟習此技藝者已知且其能夠不以本發明的步驟而依照先前技藝使用就此目的已知用於該等層的所有材料。
此外，有可能使用一個以上的發光層，例如二或三個發光層，該等發光層較佳地具有不同的發光色。本發明特別佳的具體例係關於發白光之有機電發光裝置。此特徵在於其發射具有從0.28/0.29至0.45/0.41範圍內的CIE色彩座標之光線。此類型的發白光之電發光裝置的通用結構揭示於例如WO 05/011013中。
根據本發明的電發光裝置的陰極較佳地包含具有低功函數之金屬、金屬合金或包含不同金屬(諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如，Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等))的多層化結構。在多層化結構的情況中，除了該等金屬之外，亦可使用具有相對高功函數的更多金屬，諸如Ag，在此情況中，通常使用金屬的組合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。同樣地，較佳者為金屬合金，特別為包含鹼金屬或鹼土金屬與銀的合金，特別佳為Mg與Ag的合金。亦較佳的是在金屬陰極與有機半導體之間導入具有高介電常數之材料的薄中間層。適合此目的者為例如鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但亦為對應之氧化物或碳酸鹽(例如，LiF、Li2 O、CsF、Cs2 CO3 、BaF2 、MgO、NaF等)。此層的層厚度較佳地介於0.5與5奈米之間。
根據本發明的電發光裝置的陽極較佳地包含具有高功函數之材料。陽極較佳地具有相對於真空而大於4.5 eV之功函數。適合於此目的的材料一方面為具有高還原氧化電位之金屬，諸如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳者。電極中至少一者在此必須為透明的，以促成光線的偶合輸出(coupling-out)。較佳的結構使用透明陽極。較佳的陽極材料在此為導電性混合之金屬氧化物。特別佳者為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外，優先選擇為導電性摻雜之有機材料，特別是導電性摻雜之聚合物。
將裝置對應地結構化(取決於應用而定)，配備有接觸點且最後以氣密封裝，因為此類型裝置的壽命在水及/或空氣的存在下戲劇性地縮短。
通常，依照先前技藝用於有機電發光裝置中的所有更多材料亦可與根據本發明的發光層組合使用，該發光層包含至少一種發磷光體及上述定義之基質材料A與B。
可用於根據本發明的有機電發光裝置的電洞注入層或電洞傳輸層中或電子傳輸層中之適合的電荷傳輸材料為例如在Y. Shirota等人之Chem. Rev. 2007,107(4),953-1010中所揭示之化合物，或依照先前技藝用於該等層中的其他材料。
可用於根據本發明的電發光裝置中的電洞傳輸層或電洞注入層中較佳的電洞傳輸材料的實例為茚並茀胺及衍生物(例如，依照WO 2006/122630或WO 2006/100896)、在EP 1661888中所揭示之胺衍生物、六氮雜亞三聯苯衍生物(例如，依照WO 2001/049806)、含有縮合芳族環系統之胺衍生物(例如，依照US 5,061,569)、在WO 95/09147中所揭示之胺衍生物、單苯並茚並茀胺(例如，依照WO 2008/006449)或二苯並茚並茀胺(例如，依照WO 2007/140847)。此外，適合的電洞傳輸材料及電洞注入材料為上述化合物之衍生物，如在JP 2001/226331、EP 676461、EP 650955、WO 2001/049806、US 4780536、WO 98/30071、EP 891121、EP 1661888、JP 2006/253445、EP 650955、WO 2006/073054及US 5061569中所揭示者。
此外，適合的電洞傳輸材料或電洞注入材料為例如下表中所列之材料。
適合於根據本發明的電發光裝置的電子傳輸材料或電子注入材料為例如下表中所列之材料。此外，適合的電子傳輸材料及電子注入材料為上述化合物之衍生物，如在JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217及WO 2004/080975中所揭示者，且通常為苯並咪唑衍生物及三衍生物。
此外，較佳者為有機電發光裝置，其特徵在於一或多層係以昇華法方式塗覆，其中材料係在真空昇華單元中以低於10-5 毫巴(較佳為低於10-6 毫巴)之初壓力下蒸氣沉積。然而，應注意初壓力亦可甚至更低，例如低於10-7 毫巴。
同樣地，較佳者為有機電發光裝置，其特徵在於一或多層係以OVPD(有機蒸氣相沉積)法或輔以載體-氣體昇華法方式塗覆，其中材料係在介於10-5 毫巴與1巴之間的壓力下塗覆。此方法的特殊例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷)法，其中材料係經由噴嘴直接塗覆且因此結構化(例如，M. S. Arnold等人之Appl. Phys. Lett. 2008,92,053301)。
此外，較佳者為有機電發光裝置，其特徵在於一或多層係從溶液製造，諸如以旋轉塗佈或以任何所欲之印刷法方式，諸如網版印刷、快乾印刷、套版印刷、LITI(以光誘致熱成像，熱轉移印刷)、噴墨印刷或噴嘴印刷。適合的化合物為此目的所必要的。高溶解度可經由適合的化合物取代作用而達成。在此不僅有可能以個別材料之溶液塗覆，亦有可能以包含複數個化合物(例如，基質材料及摻雜劑)之溶液塗覆。
有機電發光裝置亦可藉由從溶液塗覆一或多個層及以蒸氣沉積塗覆一或多個另外的層而製成混成系統。
有機電發光裝置可用於各種應用，特別用於顯示器應用或作為光源，例如照明應用或醫學應用。
該等方法通常為熟習此技藝者已知且可由其不以本發明的步驟而應用於根據本發明的有機電發光裝置。
根據本發明的有機電發光裝置具有超越先前技藝的下列驚人優點：
1.　根據本發明的有機電發光裝置具有非常高的效率。效率在此比使用電子傳輸基質材料與電洞傳輸基質材料之組合時更好。
2.　根據本發明的有機電發光裝置同時具有改進的壽命。壽命在此比使用電子傳輸基質材料與電洞傳輸基質材料之組合時更長。
本發明係藉由下列實例更詳細地敘述，而不想藉此限制本發明。熟習此技藝者能夠不以本發明的步驟而製造更多根據本發明的有機電發光裝置。
實例：
從循環伏安法及吸收光譜測定HOMO、LUMO及能隙
就本發明目的而言，HOMO與LUMO值及能隙係由下述的通用方法測定：HOMO值係由氧化電位引起，其係藉由在室溫下以循環伏安法(CV)測量。就此目的所使用的測量儀器為具有Metrohm 663VA臺(stand)的ECO Autolab系統。工作電極為金電極，參考電極為Ag/AgCl，橋電解質為KCl(3莫耳/公升)及輔助電極為鉑。
首先製備用於測量的二氯甲烷中的0.11M六氟磷酸四丁基銨(NH4 PF6 )導電性鹽溶液，引入測量室中且經5分鐘除氣。接著以下列參數進行2次測量循環：
測量技術：CV
初沖洗時間：300秒
清潔電位：-1伏特
清潔時間：10秒
沉積電位：-0.2伏特
沉積時間：10秒
啟動電位：-0.2伏特
結束電位：1.6伏特
電壓階躍：6毫伏特
掃描速率：50毫伏特/秒
接著將1毫升樣品溶液(在1毫升二氯甲烷中的10毫克欲測量物質)添加至導電性鹽溶液中，且將混合物再經5分鐘除氣。接著進行另外5次測量循環，記錄最後3次測量循環以供評估。設定與上述相同的參數。
接著將0.1毫升二茂鐵溶液(在1毫升二氯甲烷中的100毫克二茂鐵)添加至溶液中，將混合物再經1分鐘除氣，且以下列參數進行測量循環：
測量技術：CV
初沖洗時間：60秒
清潔電位：-1伏特
清潔時間：10秒
沉積電位：-0.2伏特
沉積時間：10秒
啟動電位：-0.2伏特
結束電位：1.6伏特
電壓階躍：6毫伏特
掃描速率：50毫伏特/秒
用於評估的樣品溶液及已添加二茂鐵溶液之溶液的第一氧化極限的電壓平均值係取自前進曲線及相關聯的還原極限的電壓平均值係取自折返曲線(VP 及VF )，其中所使用的電壓於每一情況中為對抗二茂鐵之電壓。欲硏究之物質的HOMO值(EHOMO )以EHOMO =-[e‧(VP -VF )+4.8eV]產生，其中e代表基本電荷。
應注意測量方法的適當修改可能必須在個別情況中進行，例如若欲硏究之物質不溶於二氯甲烷中或若在測量期間發生物質分解時。若藉由使用上述方法的CV方式應不可能得到有意義的測量時，則HOMO能量將以來自Riken Keiki Co. Ltd.的AC-2型光電子光譜計方式的光電子光譜法來測定(http：//www.rikenkeiki.com/pages/AC2.htm)，在此情況中，應注意所獲得的值典型比那些以CV所測量的值低約0.3 eV。為本發明目的而言，HOMO值因此意謂來自Riken AC2+0.3 eV之值。
此外，比-6 eV低的HOMO值不可能使用所述之CV方法或使用所述之光電子光譜法可靠地測量。在此情況中，HOMO值係以密度函數理論(density functional theory)(DFT)方式從量子化學計算來測定。此係經由商業上可取得的Gaussian 03W軟體(Gaussian Inc.)使用方法B3PW91/6-31G(d)來進行。計算值對CV值的標準化係藉由與可由CV測量的材料相比而達成。為此目的，將一系列材料的HOMO值使用CV方法測量且亦計算。接著將計算值以測量值方式校準，且以此校準因子用於所有更多的計算。有可能以此方式計算HOMO值，其相當符合那些可由CV測量的值。若特別物質的HOMO值無法如上所述之CV或Riken AC2測量時，則就本發明目的而言，HOMO值因此意謂依照如上述相對於CV校準之DFT計算說明所獲得的值。以此方式對一些常見的有機材料所計算之值的實例為：NPB(-5.16 eV之HOMO，-2.28 eV之LUMO)；TCTA(-5.33 eV之HOMO，-2.20 eV之LUMO)；TPBI(-6.26 eV之HOMO，-2.48 eV之LUMO)。這些值可用於計算法的校準。
能隙係從具有50奈米層厚度的膜上所測量之吸收光譜的吸收邊緣來測定。吸收邊緣在此被定義成在直線擬合落在最陡峭點之吸收光譜側面的最長波長時所獲得的波長，且測定此直線與波長軸交叉之值(亦即吸收值=0)。
LUMO值係藉由將能隙加到上述之HOMO值而獲得。
依照本發明的有機電發光裝置之製造及特徵化
根據本發明的電發光裝置可依照例如在WO 05/003253中所概述方式製造。所使用的材料結構以清晰起見描述於下。
將該等尚未最優化之OLED以標準方法特徵化；就此目的而測定電發光光譜和色彩座標(依照CIE 1931)、從電流-電壓-發光密度特徵線(IUL特徵線)所計算之為發光強度函數之效率(以cd/A測量)、操作電壓及壽命。將所獲得的結果總結於表2中。
將各種OLED的結果比較於下。所使用之基質材料的下列HOMO、LUMO及能隙值係使用上述之通用方法測定(表1)。
TMM1及TMM2在此為電子傳導基質材料，CBP及TCTA為電洞傳導基質材料，且TMM3至TMM6既不為電子傳導，亦不為電洞傳導基質材料。TMM7為電子傳導基質材料。
實例1：
根據本發明的實例1a及1b係經由下列的層結構而達成：20奈米HIM，20奈米HTM，30奈米混合層(與10% TEG-1摻雜之2：1(1a)或1：2(1b)比率之TMM1：TMM4)，10奈米TMM1，20奈米ETM，1奈米LiF，100奈米Al。
依照定義之TMM1在此代表電子傳導主體及TMM4代表中性主體。所獲得的OLED發射具有高效率、低操作電壓及長操作壽命的綠光。
實例2：
根據本發明的實例2係經由與實例1a相同的層結構而達成，以材料TMM3代替TMM4用作為中性主體。此OLED亦具有類似於實例1a及1b之良好的發光性質。
實例3：
根據本發明的實例3係經由與實例2相同的層結構而達成，以材料TMM5代替TMM3用作為中性主體。此OLED亦具有類似於實例2之良好的發光性質。
實例4(比較性)：
比較性實例4係經由與實例1、2及3相同的層結構而達成，但是在此省略混合層，發光層僅包含與10% TEG-1摻雜之TMM1。
雖然使用未與中性材料摻合之電子傳導主體促成略低的電壓，但是效率及操作壽命明顯低於實例1、2及3所示具有根據本發明的混合層之OLED的數據。
實例5(比較性)：
比較性實例5係經由與實例4相同的層結構而達成，但是中性主體TMM4在此用作為發光層的唯一主體，其亦與10% TEG-1摻雜。
由於其HOMO與LUMO位置而明白此材料不適合作為獲得可用的OLED發光特徵的唯一主體。僅從非常高的操作電壓明白此材料不在OLED中導致良好的電荷傳輸。
實例6(比較性)：
比較性實例6a及6b再包含混合層作為主體，但是不根據本發明，因為彼等除了電子傳導材料TMM1以外還包含依照先前技藝的電洞傳導材料CBP或TCTA。彼等係經由類似於實例1a的下列層結構而達成：20奈米HIM，20奈米HTM，30奈米混合層(與10% TEG-1摻雜之2：1比率之TMM1：CBP(6a)或TMM1：TCTA(6b))，10奈米TMM1，20奈米ETM，1奈米LiF，100奈米Al。雖然在使用TCTA時的電壓比實例1及2中根據本發明的混合層情況中的電壓略低，但顯然效率及特別為操作壽命明顯比根據本發明的混合層差。
實例7：
根據本發明的實例7a及7b係經由下列的層結構而達成：20奈米HIM，20奈米HTM，30奈米混合層(與10% TEG-1摻雜之2：1(7a)或1：2(7b)比率之TMM7：TMM4)，10奈米TMM1，20奈米ETM，1奈米LiF，100奈米Al。
依照定義之TMM7代表電子傳導主體及TMM4代表中性主體。所獲得的OLED發射具有比比較性實例8更高效率、更低操作電壓及更長操作壽命的綠光。
實例8(比較性)：
比較性實例8係經由與實例7相同的層結構而達成，但是在此省略混合層，發光層僅包含與10% TEG-1摻雜之TMM7。
雖然使用未與中性材料摻合之電子傳導主體促成略低的電壓，但是效率及操作壽命明顯低於實例7所示具有根據本發明的混合層之OLED的數據。
實例9：
根據本發明的實例9係經由下列的層結構而達成：20奈米HIM，20奈米HTM，30奈米混合層(與10% TEG-1摻雜之1：1比率之TMM2：TMM4)，10奈米TMM2，25奈米ETM，1奈米LiF，100奈米Al。
依照定義之TMM2在此代表電子傳導主體及TMM4代表中性主體。所獲得的OLED發射具有比比較性實例10更高效率及特別為更長操作壽命的綠光。
實例10(比較性)：
比較性實例10係經由與實例9相同的層結構而達成，但是在此省略混合層，發光層僅包含與10% TEG-1摻雜之TMM2。
從溶液的有機電發光裝置之製造及特徵化
根據本發明的電發光裝置亦可從溶液製造，其導致仍具有良好性質之顯著較簡單的裝置。此等組份的製造係以聚合物發光二極體(PLED)的製造為基準，其已於文獻中敘述過許多次(例如，在WO 2004/037887中)。在本發明的情況中，將對應之化合物溶解在甲苯或氯苯中。在此若裝置典型的80奈米層厚度係以旋轉塗佈法方式達成時，則此等溶液典型的固體含量係介於16與25公克/公升之間。圖1顯示此類型裝置的典型結構。聯合溶解之基質材料及發光體係以非晶形層形式存在於發光層中。結構化ITO基板及用於所謂緩衝層的材料(PEDOT，實際為PEDOT:PSS)係自商場上取得(ITO取自Technoprint及其他等，成為Clevios P水性分散液之PEDOT:PSS取自H.C. Starck)。所使用的中間層適任為電洞注入；在此情況中，使用取自Merck的HIL-012。發光層係在惰性氣體氛圍中(在本發明的情況中為氬)以旋轉塗佈法塗覆，且在160℃或180℃加熱10分鐘乾燥。最後將鋇及鋁陰極以真空蒸氣沉積法塗覆。在上述實例中所使用的電洞阻擋層及/或電子傳輸層亦可以蒸氣沉積法塗覆在發光層與陰極之間，且中間層亦可以一或多個層置換，該一或多個層僅需要滿足彼等不會從溶液沉積發光層的下游加工步驟再脫離的條件。從溶液加工之裝置亦以標準方法特徵化，且所述之OLED實例尚未最優化。在表3中，將依照先前技藝之裝置結果與那些以包含基質材料A與B之的混合層方式所獲得的結果比較。在溶液加工之裝置領域中，亦明白根據本發明的材料顯著地改進組份的效率及壽命。
實例11(比較性)：
將30毫克TEG-2與150毫克TMM1聯合溶解在10毫升無水且無氧甲苯中。將80奈米EML(發光層)在以氬氣沖洗之手套箱中以1000 rpm之旋轉速率沉積在事先塗覆的HIL-012層上。在蒸氣沉積陰極之前，先將層在120℃經10分鐘乾燥。
實例12：
將40毫克TEG-2、100毫克TMM1與100毫克TMM5聯合溶解在10毫升無水且無氧甲苯中。將80奈米EML在以氬氣沖洗之手套箱中以2110 rpm之旋轉速率沉積在事先塗覆的HIL-012層上。在蒸氣沉積陰極之前，先將層在120℃經10分鐘乾燥。
實例13(比較性)：
將40毫克TEG-2與200毫克TMM2聯合溶解在10毫升無水且無氧甲苯中。將80奈米EML在以氬氣沖洗之手套箱中以1000 rpm之旋轉速率沉積在事先塗覆的HIL-012層上。在蒸氣沉積陰極之前，先將層在180℃經10分鐘乾燥。
實例14：
將40毫克TEG-2、100毫克TMM2與100毫克TMM4聯合溶解在10毫升無水且無氧甲苯中。將80奈米EML在以氬氣沖洗之手套箱中以3260 rpm之旋轉速率沉積在事先塗覆的HIL-012層上。在蒸氣沉積陰極之前，先將層在160℃經10分鐘乾燥。
實例15：
將40毫克TEG-2、100毫克TMM2與100毫克TMM6聯合溶解在10毫升無水且無氧甲苯中。將80奈米EML在以氬氣沖洗之手套箱中以2080 rpm之旋轉速率沉積在事先塗覆的HIL-012層上。在蒸氣沉積陰極之前，先將層在160℃經10分鐘乾燥。
圖1示出有機電發光裝置的各層。

Claims (14)

  1. 一種有機電發光裝置，其包含陽極、陰極及至少一個發光層，該發光層包含至少一種摻雜在兩種材料A與B之混合物中的發磷光化合物，其中材料A及B係經限定為具有2000公克/莫耳或更少的分子量之低分子量化合物，其特徵在於材料A為電荷傳輸材料及材料B為具有-5.4eV或更低的HOMO及-2.4eV或更高的LUMO且具有至少3.5eV的能隙之材料，以及該電荷傳輸材料A為電子傳導化合物，其係選自芳族酮、芳族氧化膦、芳族亞碸、芳族碸、三衍生物、鋅錯合物及鋁錯合物；以及該材料B為二氮雜硼唑(diazaborole)或純烴。
  2. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該電荷傳輸基質材料A為電洞傳輸材料或電子傳輸材料。
  3. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中在發光層中的發磷光化合物之比例為1至50體積%，較佳為3至30體積%，特別佳為5至25體積%，最特別佳為10至20體積%。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中在電荷傳輸材料A與材料B之間的混合比為介於10：1與1：10之間，較佳為介於7：1與1：7之間，特別佳為介於4：1至1：4之間，在每一情況中係以 體積為基準。
  5. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該芳族酮為式(1a)化合物及該芳族氧化膦為式(1b)化合物： 其中下列者適用於所使用的符號：Ar 在各次出現係相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況中可被一或多個R1 基團取代；R1 在各次出現係相同或不同地為H、D、F、Cl、Br、I、CHO、C(=O)Ar1 、P(=O)(Ar1 )2 、S(=O)Ar1 、S(=O)2 Ar1 、CR2 =CR2 Ar1 、CN、NO2 、Si(R2 )3 、B(OR2 )2 、B(R2 )2 、B(N(R2 )2 )2 、OSO2 R2 、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或硫烷氧基或具有2至40個C原子之直鏈烯基或炔基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫烷氧基(每個該等基團可被一或多個R2 基取代，其中一或多個不相鄰的CH2 基團可被R2 C=CR2 、C≡C、Si(R2 )2 、Ge(R2 )2 、Sn(R2 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換，且其中一或多個H原子可被F、 Cl、Br、I、CN或NO2 置換)、或具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況中可被一或多個R2 基取代)、或具有5至60個芳族環原子之芳氧基或雜芳氧基(其可被一或多個R2 基取代)或該等系統之組合；二或多個相鄰的取代基R1 在此亦可互相形成單-或多環脂肪族或芳族環系統；Ar1 在各次出現係相同或不同地為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R2 基取代；R2 在各次出現係相同或不同地為H、D、CN或具有1至20個C原子之脂肪族、芳族及/或雜芳族烴基，其中另外H原子可被F置換；二或多個相鄰的取代基R2 在此亦可互相形成單-或多環脂肪族或芳族環系統。
  6. 根據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該芳族酮為式(2)、(3)、(4)或(5)化合物： 其中Ar及R1 具有與申請專利範圍第5項中所述者相同的意義，且另外：Z 在各次出現係相同或不同地為CR1 或N；n 在各次出現係相同或不同地為0或1。
  7. 據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該三衍生物為式(6)或(7)化合物： 其中R1 具有申請專利範圍第5項中所指示之意義，且下列者適用於所使用的其他符號：Ar2 在各次出現係相同或不同地為具有5至60個芳族環原子之單價芳族或雜芳族環系統，其可被一或多個R1 基取代；Ar3 為具有5至60個芳族環原子之二價芳族或雜芳 族環系統，其可被一或多個R1 基取代。
  8. 據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中該材料B具有-5.7eV或更低的HOMO，較佳為-6.0eV或更低。
  9. 據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中該材料B具有3.7eV或更高的能隙，較佳為3.9eV或更高。
  10. 據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中該材料B具有-2.2eV或更高的LUMO，較佳為-2.0eV或更高。
  11. 據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中該材料B為芳族烴。
  12. 據申請專利範圍第1項之有機電發光裝置，其中該基質材料B係選自式(22)、(23)、(24)及(25)化合物： 其中Ar、R1 及n具有申請專利範圍第5及6項中所指示之意義，且所使用的其他符號具有下列意義： Ar4 在各次出現係相同或不同地為具有6至60個芳族C原子之芳族基團，其不含有任何除了碳或氫以外的非芳族基團；Ar4 在此可被一或多個R4 基取代；R3 在各次出現係相同或不同地為具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基或具有6至60個芳族C原子之芳族環系統，其不含有任何除了碳或氫以外的非芳族基團；且其可被一或多個R4 基取代；二或多個R3 基在此亦可互相形成環系統；R4 在各次出現係相同或不同地為具有1至20個C原子之直鏈烷基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀烷基，二或多個R4 基在此亦可互相形成環系統；q 為1、2、3或4。
  13. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電發光裝置，其中該發磷光化合物為式(26)至(29)化合物： 其中R1 具有與申請專利範圍第5項中所述者相同的意義，且下列者適用於所使用的其他符號：DCy在各次出現係相同或不同地為環狀系統，其含有至少一個施體原子，較佳為氮、具有碳烯形式的碳或磷，環狀基團係經由該施體原子與金屬鍵結，且其可依次攜帶一或多個取代基R1 ；DCy及CCy基團係經由共價鍵互相鍵結；CCy在各次出現係相同或不同地為環狀系統，其含有碳原子，環狀基團係經由該碳原子與金屬鍵結，且其可依次攜帶一或多個取代基R1 ；A 在各次出現係相同或不同地為單陰離子的雙牙螯合配位基，較佳為二酮根配位基。
  14. 一種製造申請專利範圍第1至13項中之一或多項之有機電發光裝置之方法，其特徵在於一或多層係以昇華法方式塗覆，或一或多層係以OVPD(有機蒸氣相沉積)法或輔以載體-氣體昇華法方式塗覆，或一或多層係以印刷法方式從溶液塗覆。
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