KR20170048611A - 유기 전계발광 디바이스 - Google Patents

유기 전계발광 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20170048611A
KR20170048611A KR1020177011113A KR20177011113A KR20170048611A KR 20170048611 A KR20170048611 A KR 20170048611A KR 1020177011113 A KR1020177011113 A KR 1020177011113A KR 20177011113 A KR20177011113 A KR 20177011113A KR 20170048611 A KR20170048611 A KR 20170048611A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
homo
electron
materials
electron transporting
Prior art date
Application number
KR1020177011113A
Other languages
English (en)
Inventor
크리슈토프 플룸
프랑크 포게스
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20170048611A publication Critical patent/KR20170048611A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H01L51/5072—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/10—Metal complexes of organic compounds not being dyes in uncomplexed form
    • H01L51/0067—
    • H01L51/0068—
    • H01L51/0069—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H01L2251/558—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/167—Electron transporting layers between the light-emitting layer and the anode

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 발광층 및 캐소드 사이에 두꺼운 전자 수송층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은 두꺼운 전자 수송층들을 포함하는 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이다.
유기 반도체들이 기능성 재료들로서 채용되는 유기 전계발광 디바이스들 (OLEDs) 의 구조는, 예를 들어, US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 유기 전계발광 디바이스들 분야에서의 신개발품은 인광 (phosphorescent) OLED 이다. 이들은 형광 (fluorescent) OLED 와 비교하여 보다 높은 달성가능한 효율성으로 인해 상당한 이점들을 가진다.
하지만, 형광 및 인광 OLED 모두의 경우에 있어서 개발이 여전히 요구되고 있다. 이것은, 디바이스의 효율성 및 수명 이외에, 특히 색좌표 및 발광 스펙트럼, 또한 제조 수율에도 또한 적용된다.
우수한 색순도를 달성하기 위해서, 특히 녹색 발광의 경우, 반투명 캐소드 및 반사 애노드가 마이크로-캐비티를 형성하는 전면 발광 (top emmission) 과 같은 복잡한 테크놀로지들을 이용한다. 이것은, 발광 스펙트럼을 보다 협소하게 하고, 이로써 색순도를 향상시킨다. 하지만, 전면 발광 OLED 는 다루기 곤란한 공정 테크놀로지를 요구하며, 예를 들어, 상이한 층들의 두께들이 매우 정밀하게 설정되어야 한다.
상술한 바와 같이, 전면 발광 OLED 는 보다 복잡한 구조로 인해 산업적으로 달성하기에 보다 복잡한 반면, 배면 발광 (bottom emmission) OLED 는 우수한 색좌표가 달성되기에 곤란하다는 문제점을 갖는다. 이것은, 특히 녹색 발광층의 색좌표와 관련되지만, 또한 적색 또는 청색 발광층의 색좌표와도 관련된다.
색좌표를 향상시키기 위해서, 컬러 필터를 채용하는 것이 원칙적으로 가능하지만, 이들은 효율성이 감소되는 결과의 단점을 갖는다.
향상된 색좌표는 또한 보다 협소한 발광 스펙트럼을 갖는 재료들을 채용함으로써 달성될 수 있다. 하지만, 이러한 종류의 재료들의 경우 개선에 대한 필요성이 여전히 상당하다. 특히, 협소한 발광 스펙트럼을 갖는 인광 재료들은 현재 산업적으로 만족스럽게 달성될 수 없다. 즉, 예를 들어, 배면 발광 OLED 에서의 Ir(ppy)3 (트리스(페닐피리딘)이리듐) 의 사용은 약 0.62 의 CIE y 좌표를 야기시키지만, 상당히 더 높은 CIE y 좌표, 특히 약 0.71 의 CIE y 좌표가 바람직할 수 있다.
또한, OLED 의 대량 생산의 수율의 개선에 대한 필요성이 계속되고 있다. 투명한 OLED 의 제조도 마찬가지로 간단한 방식으로 불가능하며, 그 이유는 필수적인 TCO (Transparent Conducting Oxide) 가 형성 (application) 시 스퍼터링에 의해 OLED 의 하부 유기층들을 부분적으로 파괴하기 때문이다. 또한, 수명, 효율성 및 동작 전압과 관련된 개선이 여전히 바람직하다.
따라서, 본 발명의 기초가 되는 기술 목표는, 전계발광 디바이스의 다른 특성들이 동시에 손상되지 않고 개선된 색좌표를 갖는 유기 전계발광 디바이스를 제공하는 것에 있다. 이것은, 특히, 유기 전계발광 디바이스의 수명, 효율성 및 동작 전압에 적용된다. 다른 목표는, 개선된 효율성을 갖고, 상대적으로 높은 제조 수율로 제조될 수 있으며, 또한 투명한 전계발광 디바이스들의 제조에 적합한, 유기 전계발광 디바이스를 제공하는 것에 있다.
종래 기술에 따라서, 약 10 ~ 50 nm 의 범위에서 층 두께를 갖는 전자 수송층이 일반적으로 유기 전계발광 디바이스들에서 사용된다. 보다 두꺼운 전자 수송층들의 경우, 상당한 전압의 증가, 이로인한 상당히 보다 낮은 전력 효율성이 획득된다.
놀랍게도, 전자 수송층에서 사용된 재료가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-5 ㎠/Vs 의 전자 이동도를 갖는, 층 두께가 적어도 80 nm 인 전자 수송층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스의 제공에 의해 상당한 개선이 달성되고 상술된 기술적 목표가 달성된다는 것이 이하 밝혀졌다.
즉, 본 발명은 애노드, 캐소드 및 적어도 1층의 발광층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 관한 것으로서, 층 두께가 적어도 80 nm 이고 전자 이동도가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-5 ㎠/Vs 인 전자 수송층이 발광층 및 캐소드 사이에 배열되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 상술된 층들을 포함한다. 유기 전계발광 디바이스가 유기 또는 유기금속 재료들로부터 만들어지는 층들만을 반드시 포함할 필요는 없다. 이로써, 애노드, 캐소드 및/또는 1층 이상의 층들이 무기 재료를 포함하거나 또는 완전히 무기 재료들로부터 만들어지는 것이 또한 가능하다.
전자 수송층의 전자 이동도 및 층 두께는 보편적으로 아래 실시예 부분에 기재되는 바와 같이 결정된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층의 층 두께는 적어도 100 nm, 특히 바람직하게 적어도 120 nm, 매우 특히 바람직하게 적어도 130 nm 이다. 여기서 언급된 120 nm 및 130 nm 의 한도는 녹색- 및 적색-발광 디바이스에 특히 바람직한 한편, 층 두께가 80 ~ 120 nm 인 청색-발광 디바이스에 대해서는 매우 우수한 결과들이 이미 달성되어 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층의 층 두께는 500 nm 이하이고, 특히 바람직하게 350 nm 이하이며, 특히 적색-발광 OLED 의 경우 280 nm 이하이고 녹색-발광 OLED 의 경우 250 nm 이하이다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층의 전자 이동도는 105 V/cm 의 전계에서 적어도 5×10-5 ㎠/Vs 이고, 특히 바람직하게 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-4 ㎠/Vs 이다.
전자 수송층은 여기서 순수 재료로 이루어질 수 있거나, 또는 2 이상의 재료들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
또한, 전자 수송층은 오직 하나의 층을 가질 수 있거나, 또는 총 두께가 적어도 80 nm 이고 각 개별 층이 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-5 ㎠/Vs 의 전자 이동도를 갖는 복수의 개별 전자 수송층들로 구성될 수 있다.
바람직한 실시형태에서, 전자 수송층은 유기 또는 유기금속 재료들만을 포함하며, 여기서 본 출원의 의미에서 유기금속 화합물은 적어도 1종의 금속 원자 또는 금속 이온 및 적어도 1종의 유기 배위자를 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 이로써, 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층은 순수 금속들을 포함하지 않으며, 즉, 예를 들어, 금속, 예컨대, 리튬으로 도핑되지 않는다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층은 n-도핑층이 아니며, 여기서 n-도핑은 전자 수송 재료가 n-도펀트로 도핑되어 환원되는 것을 의미하는 것으로 여겨진다. 이러한 종류의 n-도핑이 도전율을 높이지만, 일부 분명한 단점들을 갖는다. 즉, n-도펀트들은 강환원제이며, 따라서 산화에 매우 민감하며 특별한 주의를 가지고 보호 가스 하에서 프로세싱되어야 한다. 산업적인 응용에서, 이러한 재료들은 다루기가 곤란하다. 또한, 전자 수송층이 과량의 전자들을 가지기 때문에, n-도핑된 층들을 갖는 전계발광 디바이스에서의 전하 발란스를 제어하는 것이 상당히 보다 곤란하다. 또한, n-도핑된 층들은 빈번하게 전계발광 디바이스의 수명에 손상을 야기시킨다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, HOMO (최고 점유 분자 오비탈 (Highest Occupied Molecular Orbital) 가 < -4 eV (즉, 수치가 4 eV 를 초과함), 특히 바람직하게 < -4.5 eV, 매우 특히 바람직하게 < -5 eV 인 재료들만이 전자 수송층에서 사용된다. 이것은, n-도펀트인 이 재료들, 즉, 전자를 레독스 반응을 통해 다른 전자 수송 재료로 방출하는 재료들을 배제한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에서, LUMO (최저 비점유 분자 오비탈 (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)) 가 > -3.5 eV (즉, 수치가 3.5 eV 미만임), 특히 바람직하게 > -3　eV 인 재료들만이 전자 수송층에 사용된다.
전자 수송층에 사용될 수 있는 재료들은 더 한정되지 않는다. 일반적으로, 전자 수송층에서 전자 이동도에 대한 상술한 조건을 만족하는 모든 전자 수송 재료들이 적합하다.
전자 수송 재료들의 적합한 부류들의 예들은 트리아진 유도체들, 벤즈이미다졸 유도체들, 피리미딘 유도체들, 피라진 유도체들, 피리다진 유도체들, 옥사졸 유도체들, 옥사디아졸 유도체들, 페난트롤린 유도체들, 티아졸 유도체들, 트리아졸 유도체들 또는 알루미늄, 리튬 또는 지르코늄 착물들의 구조 부류들로부터 선택된다. 이 구조 부류들의 각각에서, 층의 정확한 구조 및 조성에 의존하여, 이 재료들이 전자 수송층에서 본 발명에 따른 전자 이동도를 갖는지의 여부가 결정되어야 한다. 전자 이동도를 예측하는 것은 불가능하며, 대신에 각각의 층에서 각 재료에 대해 전자 이동도가 실험적으로 결정되어야 한다. 전자 이동도는 층의 정확한 조성 및 제조 모두에 의존적이다. 이로써, 예를 들어, 승화에 의한 제조 동안 상이한 증착율이 전자 이동도를 상이하게 한다. 상이한 전자 이동도는, 층이 용액으로부터 제조되는 경우 다시 획득된다.
적합한 전자 수송 재료들의 예는 본 출원에서 실험예들에 의해서 밝혀진다.
전자 수송 재료들은 또한 전자 수송층에서 유기 알칼리-금속 화합물과 조합하여 채용될 수 있으며, 이 경우 혼합된 층은 전자 이동도에 대한 상술한 조건을 만족해야 한다. 여기서 "유기 알칼리-금속 화합물과 조합하여"는, 트리아진 유도체 및 알칼리-금속 화합물이 하나의 층의 혼합물 형태이거나 또는 2개의 연속 층으로 별도로 존재한다는 것을 의미한다.
본 발명의 의미에서, 유기 알칼리-금속 화합물은 적어도 1종의 알칼리 금속, 즉, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 또는 세슘을 포함하고, 또한 적어도 1종의 유기 배위자를 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다.
적합한 유기 알칼리-금속 화합물들은, 예를 들어, WO 2007/050301, WO 2007/050334 및 EP 1144543 에 개시되어 있는 화합물들이다. 이들은 참조로서 본 출원에 포함된다.
바람직한 유기 알칼리-금속 화합물들은 하기 식 (1) 의 화합물들이다:
Figure pat00001
식 중, R1 은 식 (5) ~ 식 (8) 에 대해 후술되는 것과 동일한 의미를 가지며, 곡선은 2개 또는 3개의 원자들, 및 M 과 함께 5- 또는 6-원 고리를 만들 필요가 있는 결합들을 나타내고, 여기서 이 원자들은 또한 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수 있으며, 그리고 M 은 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 또는 세슘으로부터 선택된 알칼리 금속을 나타낸다.
본 명세서에서는, 식 (1) 의 착물이 상기에 도시된 바와 같이 모노머 형태이거나, 또는 예를 들어, 2개의 알칼리-금속 이온들 및 2개의 배위자들, 4개의 알칼리-금속 이온들 및 4개의 배위자들, 6개의 알칼리-금속 이온들 및 6개의 배위자들, 또는 다른 집합체들을 포함하는 집합체들의 형태인 것이 가능하다.
식 (1) 의 바람직한 화합물들은 하기 식 (2) 및 식 (3) 의 화합물들이다:
Figure pat00002
식 중, 사용된 심볼들은 식 (5) ~ 식 (8) 에 대해 후술되는 것과 동일한 의미를 갖고 식 (1) 에 대해 상술한 것과 동일한 의미를 가지며, m 은 각각의 존재시 독립적으로 또는 상이하게 0, 1, 2 또는 3 을 나타내며, 그리고 o 는 각각의 존재시 독립적으로 또는 상이하게 0, 1, 2, 3 또는 4 를 나타낸다.
더욱 바람직한 유기 알칼리-금속 화합물들은 하기 식 (4) 의 화합물들이다:
Figure pat00003
식 중, 사용된 심볼들은 식 (5) ~ 식 (8) 에 대해 후술되는 것과 동일한 의미를 갖고 식 (1) 에 대해 상술한 것과 동일한 의미를 갖는다.
알칼리 금속은 바람직하게 리튬, 나트륨 및 칼륨, 특히 바람직하게 리튬 및 나트륨, 매우 특히 바람직하게 리튬으로부터 선택된다.
식 (2) 의 화합물, 특히 M = 리튬인 식 (2) 의 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 인덱스 m 은 0 인 것이 매우 특히 바람직하다. 즉, 화합물이 비치환된 리튬 퀴놀리네이트인 것이 매우 특히 바람직하다.
적합한 유기 알칼리-금속 화합물들의 예들은 하기 표에 나타낸 구조 (1) ~ (45) 이다.
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 본 발명에 의한 전자 수송층에는 재료들의 혼합물이 아닌, 1종의 재료만이 채용된다. 즉, 순수 층인 것이 바람직하다.
상술된 바와 같은 캐소드, 애노드, 발광층 및 본 발명에 의한 전자 수송층 외에도, 유기 전계발광 디바이스는 또한 추가 층들을 포함할 수 있다. 이들은, 예를 들어, 각각의 경우 1 종 이상의 정공 주입층들, 정공 수송층들, 정공 차단층들, 전자 수송층들, 전자 주입층들, 전자 차단층들, 여기자 차단층들, 전하 발생층들 및/또는 유기 또는 무기 p/n 정션들로부터 선택된다. 또한, 예를 들어, 디바이스에서의 전하 발란스를 제어하는 층간층들이 존재할 수도 있다. 특히, 이러한 층간층들은 2개의 발광층들 사이의 층간층으로서, 특히 형광층 및 인광층 사이의 층간층으로서 적절할 수도 있다. 또한, 층들, 특히 전하 수송층들은 또한 도핑될 수도 있다. 하지만, 상기 언급된 층들 각각이 반드시 존재해야 하는 것은 아니며, 층들의 선택이 항상 사용되는 화합물들에 의존적이라는 것에 유의해야 한다. 이러한 종류의 층들의 사용은 당업자에게 알려져 있으며, 이 목적을 위한 층들로 알려져 있는 종래 기술에 의한 모든 재료들을 진보성 없이 사용하는 것이 가능하다.
또한, 1개 초과의 발광층, 예를 들어, 바람직하게 상이한 발광색을 발광하는, 2개 또는 3개의 발광층들을 사용하는 것이 가능하다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태는 백색 발광 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 이것은, 0.28/0.29 ~ 0.45/0.41 의 범위의 CIE 색좌표를 갖는 광을 발광하는 것을 특징으로 한다. 이러한 종류의 백색 발광 전계발광 디바이스의 일반적인 구조는, 예를 들어, WO　2005/011013 에 개시되어 있다.
본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 전면 발광 OLED 또는 배면 발광 OLED 일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 배면 발광 OLED 이며, 그 이유는 개선된 색좌표의 본 발명에 의한 효과가 특히 분명해지기 때문이다. 전면 발광 OLED 에서는, 본 발명에 의한 디바이스 구조의 색좌표에 대한 영향이 덜 현저하지만, 본 발명에 의한 디바이스 구조의 다른 언급된 이점들이 전면 발광 OLED 에서 또한 달성된다.
본 발명에 의한 전계발광 디바이스의 캐소드는 바람직하게 일함수가 낮은 금속들, 금속 합금들 또는 예를 들어, 알칼리 토금속들, 알칼리 금속들, 주족 금속들 또는 란타노이드들 (예를 들어 Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 과 같은 다양한 금속들을 포함하는 다층화된 구조들을 포함한다. 다층화된 구조들의 경우, 상기 금속들 이외에 예를 들어, Ag 와 같은 일함수가 상대적으로 높은 다른 금속들이 또한 사용될 수도 있으며, 이 경우 예를 들어, Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속들의 조합이 일반적으로 사용된다. 마찬가지로, 금속 합금들, 특히 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은을 포함하는 합금들이 바람직하고, Mg 및 Ag 의 합금이 특히 바람직하다. 또한, 금속 캐소드 및 유기 반도체 사이, 특히 금속 캐소드 및 본 발명에 의한 전자 수송층 사이에 전자 주입층으로서 유전 상수가 높은 재료의 얇은 층간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 예를 들어, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 불화물이 이 목적에 접합하지만, 또한 상응하는 산화물 또는 탄화물 (예를 들어 LiF, Li2O, CsF, Cs2CO3, BaF2, MgO, NaF 등) 도 적합하다. 또한, 예를 들어, Liq (리튬 퀴놀리네이트) 또는 상기 언급된 다른 화합물들과 같은, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 착물들이 이 목적에 적합하다. 이러한 종류의 전자 주입층의 층 두께는 바람직하게 0.5 ~ 5　nm 이다. 캐소드 (전면 발광) 의 광의 커플링 아웃을 위해서, 캐소드가 파장 500 nm 에서 투과율 > 20% 인 것이 바람직하다. 전면 발광에 바람직한 캐소드 재료는 마그네슘 및 은의 합금이다.
본 발명에 의한 전계발광 디바이스의 애노드는 바람직하게 일 함수가 높은 재료들을 포함한다. 애노드는 진공 대비 4.5 eV 초과의 일 함수를 갖는 것이 바람직하다. 한편 산화환원 전위 (redox potential) 가 높은 금속들, 예를 들어, Ag, Pt 또는 Au 가 이 목적에 적합하다. 다른 한편, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수도 있다. 전면 발광 OLED 에 사용되는 애노드 재료는 바람직하게 ITO 와 조합한 반사층, 예를 들어 은 + ITO 이다. 여기서 전극들 중 적어도 하나는 광의 커플링 아웃을 가능하도록 하기 위해서 투명이거나 또는 부분 투명일 수 있다. 바람직한 구조는 투명한 애노드를 사용한다 (배면 발광). 여기서 바람직한 애노드 재료들은 전도성 혼합 금속 산화물이다. 특히 바람직한 것은 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이다. 전도성의, 도핑된 유기 재료들, 특히 전도성의 도핑된 폴리머들이 더욱 바람직하다.
디바이스는 (애플리케이션에 의존하여) 상응하게 구조화되고, 콘택이 제공되며, 그리고 이러한 종류의 디바이스들의 수명이 물 및/또는 공기의 존재하에서 급격히 단축되기 때문에 최종적으로 밀폐된다.
일반적으로, 유기 전계발광 디바이스들에서 종래 기술에 따라 채용되는 모든 다른 재료들은 본 발명에 의한 전자 수송층과 조합하여 채용될 수 있다.
발광층 (또는 복수의 발광층들이 존재하는 경우의 발광층들) 은 형광 또는 인광일 수 있고 임의의 원하는 발광 색상을 가질 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 발광층 (또는 발광층들) 은 적색-, 녹색-, 청색- 또는 백색-발광층이다.
적색-발광층은 광발광 최대가 570 ~ 750　nm 범위인 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 녹색-발광층은 광발광 최대가 490 ~ 570　nm 범위인 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 청색-발광층은 광발광 최대가 440 ~ 490 nm 범위인 층을 의미하는 것으로 여겨진다. 여기서 광발광 최대는 층 두께가 50　nm 인 층의 광발광 스펙트럼의 측정에 의해 결정된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 발광층은 녹색-발광층이다. 이것이, 색좌표에 대한 전자 수송층의 특히 강한 영향이 여기서 관측되고, 디바이스 구조의 변형에 의해 색좌표를 최적화하는 것이 특히 녹색 발광의 경우 특별히 곤란하다는 사실 때문에 바람직하다. 또한, 특히 인광 발광체인 경우, 녹색 발광체의 선택을 통해 원하는 색좌표를 달성하는 것이 현재 기술적으로 사실상 불가능하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 발광층에서의 발광 화합물은 인광 화합물이다.
본 발명의 의미에서 인광 화합물은 실온에서 상대적으로 높은 스핀 다중도의 여기 상태, 즉, 스핀 상태 >　1 로부터, 특히 여기 삼중항 상태로부터 발광을 나타내는 화합물이다. 본 발명의 목적을 위해서, 제 2 및 제 3 전이 금속 계열로부터의 전이 금속들, 특히 모든 발광성 이리듐, 백금 및 구리 화합물들을 포함하는 모든 발광성 전이 금속 착물들이 인광 화합물들로 간주된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 인광 화합물은 적색 인광 화합물 또는 녹색 인광 화합물, 특히 녹색 인광 화합물이다.
적합한 인광 화합물들은, 특히, 바람직하게 가시 영역에서, 적합한 여기시, 발광하는 화합물들이고, 추가로 원자 번호가 20 초과, 바람직하게 38 초과 84 미만, 특히 바람직하게 56 초과 80 미만인 적어도 하나의 원자를 함유한다. 사용되는 인광 발광체들은 바람직하게 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 포함하는 화합물들이고, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 포함하는 화합물들이다.
특히 바람직한 유기 전계발광 디바이스들은 인광 화합물로서 식 (5) ~ 식 (8) 중 적어도 하나의 화합물을 포함한다:
Figure pat00007
식 중, 사용된 심볼들에 하기를 적용한다:
DCy 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 적어도 하나의 도너 원자, 바람직하게 질소, 카르벤 형태의 탄소 또는 인을 포함하는 환형기이고, 이것을 개재하여 환형기가 금속에 결합되며, 그리고 차례로 이것이 하나 이상의 치환기 R1 을 담지할 수 있고; DCy 기 및 CCy 기는 공유 결합을 개재하여 서로 결합되며;
CCy 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 탄소 원자를 포함하는 환형기이고, 이것을 개재하여 환형기가 금속에 결합되며, 그리고 차례로 이것이 하나 이상의 치환기 R1 을 담지할 수 있고;
A 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 1가 음이온성, 두자리 킬레이팅 배위자, 바람직하게 디케토네이트 배위자이고;
R1 은 각각의 존재시, 동일하거나 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, CR2=CR2Ar1, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, B(R2)2, B(N(R2)2)2, OSO2R2, 1 ~ 40 개의 C 원자들을 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 ~ 40 개의 C 원자들을 갖는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 ~ 40 개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알콕시기이고, 그 각각은 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자들은 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 또는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수 있는, 5 ~ 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수 있는, 5 ~ 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 계들의 조합물에 의해 대체될 수 있으며; 2개 이상의 인접하는 치환기들 R1 은 여기서 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수도 있고;
Ar1 은 각각의 존재시, 동일하거나 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수 있는 5 ~ 40 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;
R2 는 각각의 존재시, 동일하거나 또는 상이하게, H, D, CN 또는 1 ~ 20 개의 C 원자들을 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 부가적으로 H 원자들은 F 에 의해 대체될 수 있으며; 2개 이상의 인접하는 치환기들 R2 는 여기서 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수도 있다.
복수의 라디칼들 R1 사이에서의 고리계들의 형성으로 인해, 브릿지가 DCy 기 및 CCy 기 사이에 또한 존재할 수 있다. 또한, 복수의 라디칼들 R1 사이에서의 고리계들의 형성으로 인해, 브릿지가 2개 또는 3개의 배위자들 CCy-DCy 사이 또는 1개 또는 2개의 배위자들 CCy-DCy 및 배위자 A 사이에 존재할 수 있어, 다자리 또는 다각 배위자 계를 제공한다.
상술된 발광체들의 예는 출원 WO 2000/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 2004/081017, WO 2005/033244, WO 2005/042550, WO 2005/113563, WO 2006/008069, WO 2006/061182, WO 2006/081973, WO 2009/118087, WO 2009/146770 및 비공개된 출원 DE 102009007038.9 에 의해 나타내진다. 일반적으로, 인광 OLED 들에 종래 기술에 따라서 사용되고, 유기 전계발광 분야의 당업자에게 알려져 있는 모든 인광 착물들이 적합하며, 그리고 당업자가 다른 인광 화합물들을 진보성 없이 사용할 수 있다. 특히, 당업자는 색상을 발광하는 것에 의해서 어느 인광 착물들이 발광하는지를 알고 있다.
본 발명에 의한 화합물들에 적합한 매트릭스 재료들은 예를 들어WO　2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 의한 케톤들, 포스핀 옥사이드들, 술폭사이드들 및 술폰들, WO　2005/039246, US　2005/0069729, JP　2004/288381, EP　1205527, WO 2008/086851 또는 US 2009/0134784 에 개시된 트리아릴아민들, 카르바졸 유도체들, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐), m-CBP 또는 카르바졸 유도체들, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO　2008/056746 에 의한 인돌로카르바졸 유도체들, 예를 들어 비공개 출원 DE 102009023155.2 및 DE　102009031021.5 에 의한 인데노카르바졸 유도체들, 예를 들어 EP　1617710, EP　1617711, EP　1731584, JP　2005/347160 에 의한 아자카르바졸들, 예를 들어 WO　2007/137725 에 의한 양극성 매트릭스 재료들, 예를 들어 WO 2005/111172 에 의한 실란들, 예를 들어 WO　2006/117052 에 의한 아자보롤들 또는 브론산 에스테르들, 예를 들어 WO 2010/054729 에 의한 디아자실롤 유도체들, 예를 들어 WO 2010/054730 에 의한 디아자포스폴 유도체들, 예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 의한 트리아진 유도체들, 예를 들어 EP　652273 또는 WO 2009/062578 에 의한 아연 착물들, 예를 들어 WO 2009/148015 에 의한 디벤조푸란 유도체들, 또는 예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778 또는 비공개 출원 DE 102009048791.3 및 DE 102010005697.9 에 의한 가교된 카르바졸 유도체들이다.
또한, 혼합물로서 복수의 상이한 매트릭스 재료들, 특히 적어도 1종의 전자 전도성 매트릭스 재료 및 적어도 1종의 정공 전도성 매트릭스 재료를 채용하는 것이 바람직할 수도 있다. 바람직한 조합은, 예를 들어, 본 발명에 의한 금속 착물의 혼합 매트릭스로서 트리아릴아민 유도체 또는 카르바졸 유도체와 방향족 케톤 또는 트리아진 유도체의 사용이다. 마찬가지로, 예를 들어, 비공개 출원 DE 102009014513.3 에 기재된 바와 같이, 전하 수송성 매트릭스 재료, 및 전하 수송에 관련되지 않거나 또는 크게 관련되지 않는 전기적으로 비활성인 매트릭스 재료의 혼합물 사용이 바람직하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 유기 전계발광 디바이스, 특히 인광 발광층의 사용의 경우의 유기 전계발광 디바이스는 발광층 및 본 발명에 의한 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 발광층은 형광층, 특히 청색 또는 녹색 형광층이다.
형광 발광체층에서 채용될 수 있는 바람직한 도펀트들은 모노스티릴아민들, 디스티릴아민들, 트리스티릴아민들, 테트라스티릴아민들, 스티릴포스핀들, 스티릴에테르들 및 아릴아민들의 부류로부터 선택된다. 모노스티릴아민은 하나의 치환 또는 비치환된 스티릴기 및 적어도 하나의 아민, 바람직하게 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 디스티릴아민은 2개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 아민, 바람직하게 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 트리스티릴아민은 3개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 아민, 바람직하게 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 테트라스티릴아민은 4개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 아민, 바람직하게 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 스티릴기들은 또한 더욱 치환될 수도 있는 스틸벤인 것이 특히 바람직하다. 상응하는 포스핀 및 에테르는 아민과 유사하게 정의된다. 본 발명의 목적을 위해서, 아릴아민 또는 방향족 아민은 질소에 직접 결합된 3개의 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계들을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 이 방향족 또는 헤테로방향족 고리계들 중 적어도 하나는 바람직하게 축합 고리계, 특히 바람직하게 적어도 14 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 축합 고리계이다. 그 바람직한 예들은 방향족 안트라센아민들, 방향족 안트라센디아민들, 방향족 피렌아민들, 방향족 피렌디아민들, 방향족 크리센아민들 또는 방향족 크리센디아민들이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노기가 안트라센기에, 바람직하게 2- 또는 9-위치에서 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 안트라센디아민은 2개의 디아릴아미노기들이 안트라센기에, 바람직하게 2,6- 또는 9,10-위치에서 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 피렌아민들, 피렌디아민들, 크리센아민들 및 크리센디아민들도 이와 유사하게 정의되며, 여기서 피렌 상의 디아릴아미노기들은 바람직하게 1-위치 또는 1,6-위치에서 결합된다. 더욱 바람직한 형광 도펀트들은 예를 들어 WO 2006/122630 에 의한 인데노플루오렌아민들 또는 인데노플루오렌디아민들, 예를 들어 WO　2008/006449 에 의한 벤조인데노플루오렌아민들 또는 벤조인데노플루오렌디아민들, 및 예를 들어 WO　2007/140847 에 의한 디벤조인데노플루오렌아민들 또는 디벤조인데노플루오렌디아민들로부터 선택된다. 스티릴아민들의 부류로부터의 도펀트들의 예는 WO　2006/000388, WO　2006/058737, WO 2006/000389, WO　2007/065549 및 WO　2007/115610 에 기재된 치환 또는 비치환된 트리스틸벤아민들 또는 도펀트들이다. 더욱 바람직한 형광 도펀트들은 축합 방향족 탄화수소들, 예를 들어, WO 2010/012328 에 개시되어 있는 화합물들이다. 특히 바람직한 형광 도펀트들은 적어도 14 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 적어도 하나의 축합 방향족기를 포함하는 방향족 아민들, 및 축합 방향족 탄화수소들이다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 형광층의 호스트 재료는 전자 수송 재료이다. 이것은 바람직하게 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) 가 < -2.3 eV, 특히 바람직하게 < -2.5 eV 이다. 여기서 LUMO 는 보편적으로 아래 실시예 부분에서 기재된 바와 같이 결정된다.
형광 도펀트들, 특히 상술된 도펀트들에 적합한 호스트 재료들 (매트릭스 재료들) 은, 예를 들어, 올리고아릴렌들 (예를 들어 EP　676461 에 의한 2,2'-7,7'-테트라페닐스피로비플루오렌 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합 방향족기들을 포함하는 올리고아릴렌들, 올리고아릴렌비닐렌들 (예를 들어 EP 676461 에 의한 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 다각형 금속 착물들 (예를 들어 WO　2004/081017 에 의함), 전자 전도성 화합물들, 특히 케톤들, 포스핀 옥사이드들, 술폭사이드들 등 (예를 들어 WO　2005/084081 및 WO　2005/084082 에 의함), 아트로프이성체들 (예를 들어 WO　2006/048268 에 의함), 붕산 유도체들 (예를 들어 WO　2006/117052 에 의함), 벤즈안트라센 유도체들 (예를 들어 WO 2008/145239 또는 비공개 출원 DE 102009034625.2 에 의한 벤즈[a]안트라센 유도체들) 및 벤조페난트렌 유도체들 (예를 들어 비공개 출원 DE 102009005746.3 에 의한 벤조[c]페난트렌 유도체들) 의 부류로부터 선택된다. 특히 바람직한 호스트 재료들은 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 특히 벤즈[a]안트라센, 벤조페난트렌, 특히 벤조[c]페난트렌, 및/또는 피렌을 포함하는 올리고아릴렌들, 또는 이 화합물들의 아트로프이성체들의 부류로부터 선택된다. 본 발명의 목적을 위해서, 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌기들이 서로 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다.
특히 바람직한 호스트 재료들은 하기 식 (9) 의 화합물들이다:
Ar2-Ant-Ar2 식 (9)
여기서 R1 은 상기에 나타낸 의미를 가지며, 사용된 다른 심볼들에 하기를 적용한다:
Ant 는 9- 및 10-위치에서 기들 Ar2 에 의해 치환되고, 하나 이상의 치환기들 R1 에 의해 더욱 치환될 수도 있는 안트라센기를 나타내고;
Ar2 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 5 ~ 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이들은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 더욱 치환될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 기들 Ar2 중 적어도 하나는 10 개 이상의 방향족 고리 원자들을 갖는 축합 아릴기들을 포함하며, 여기서 Ar2 는 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다. 바람직한 기들 Ar2 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 안트라세닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐, 페닐렌-1-나프틸, 페닐렌-2-나프틸, 페난트레닐, 벤즈[a]안트라세닐 또는 벤조[c]페난트레닐로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, 그 각각은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다.
본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스의 전자 수송층에서, 또는 정공 주입층 또는 정공 수송층에서 사용될 수 있는 적합한 정공 수송 재료들은, 예를 들어, Y. Shirota 등, Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 개시되어 있는 화합물, 또는 이 층들에서 종래 기술에 의해 채용되는 다른 재료들이다.
본 발명에 의한 전계발광 디바이스의 정공 수송층 또는 정공 주입층에서 사용될 수 있는 바람직한 정공 수송 재료들의 예들은 인데노플루오렌아민들 및 유도체들 (예를 들어 WO　2006/122630 또는 WO　2006/100896 에 의함), EP　1661888 에 개시되어 있는 아민 유도체들, 헥사아자트리페닐렌 유도체들 (예를 들어 WO　2001/049806 에 의함), 축합 방향족 고리계들을 포함하는 아민 유도체들 (예를 들어 US　5,061,569 에 의함), WO 95/09147 에 개시되어 있는 아민 유도체들, 모노벤조인데노플루오렌아민들 (예를 들어 WO　2008/006449 에 의함), 디벤조인데노플루오렌아민들 (예를 들어 WO　2007/140847 에 의함) 또는 피페리딘 유도체들 (예를 들어 비공개 출원 DE 102009005290.9 에 의함) 이다. 더욱 적합한 정공 수송 및 정공 주입 재료들은 JP 2001/226331, EP　676461, EP　650955, WO　2001/049806, US　4780536, WO　98/30071, EP　891121, EP　1661888, JP 2006/253445, EP　650955, WO　2006/073054 및 US　5061569 에 개시되어 있는 바와 같이, 상기 나타낸 화합물들의 유도체들이다.
적합한 정공 수송 또는 정공 주입 재료들은 또한, 예를 들어, 하기 표에 열거된 재료들이다.
Figure pat00008
Figure pat00009
재료들이 10-5　mbar 미만, 바람직하게 10-6　mbar 미만의 초기 압력의 진공 승화 유닛들에서 증착되는 승화 공정에 의해 하나 이상의 층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 더욱 바람직하다. 하지만, 초기 압력이 보다 더 낮아질 수도 있고, 예를 들어 10-7　mbar 미만일 수도 있음에 유의해야 한다.
마찬가지로, 재료들이 압력 10-5　mbar ~ 1　bar 에서 형성되는 OVPD (유기 기상 증착; Organic Vapour Phase Deposition) 공정에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 하나 이상의 층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스도 바람직하다. 이 공정의 특별한 경우는, 재료들이 노즐을 통해 직접 형성되어 구조화되는 OVJP (유기 기상 제트 프린팅) 공정이다 (예를 들어 M. S. Arnold 등, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
또한, 하나 이상의 층들이 용액으로부터, 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 원하는 프린팅 공정, 예를 들어, 스크린 프린팅, 플렉소그래픽 프린팅, 오프셋 프린팅, LITI (Light Induced Thermal Imaging, 열 전사 프린팅), 잉크젯 프린팅 또는 노즐 프린팅에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스도 바람직하다. 이를 위해서는 용해성있는 화합물들이 필요하다. 화합물들의 적합한 치환을 통해서 높은 용해성이 달성될 수 있다. 여기서는 개별 재료들의 용액들 뿐만 아니라, 복수의 화합물들, 예를 들어 매트릭스 재료들 및 도펀트들을 포함하는 용액들도 형성되는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명에 의한 전계발광 디바이스의 제조를 위한 공정에 관한 것이며, 적어도 하나의 층이 승화 공정에 의해 또는 OVPD (유기 기상 증착) 공정에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 또는 용액으로부터 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 원하는 프린팅 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
유기 전계발광 디바이스는 또한 용액으로부터 하나 이상의 층들을 형성하고 증착에 의해 하나 이상의 다른 층들을 형성함으로써 하이브리드 시스템으로서 제조될 수도 있다. 즉, 예를 들어, 발광층이 용액으로부터 형성될 수 있고, 이 층에 본 발명에 의한 전자 수송층이 증착에 의해 형성될 수 있다.
이 공정들은 일반적으로 당업자에게 알려져 있으며, 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스에 진보성 없이 적용될 수 있다.
본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점들을 갖는다:
1. 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 매우 높은 효율성을 갖는다. 여기서 효율성은 보다 얇은 전자 수송층의 사용의 경우보다 더 우수하다.
2. 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 상당히 개선된 색좌표를 갖는다. 이것은 특히 녹색 발광 전계발광 디바이스에 적용된다.
3. 종래 기술에 비해 상당히 더 두꺼운 전자 수송층임에도 불구하고, 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 사실상 불변하거나 또는 오직 최소한으로 보다 높은 동작 전압을 가지며, 이것은 그럼에도 불구하고 전계발광 디바이스의 전력 효율성이 종래 기술에 비해 개선된다는 것을 의미한다.
4. 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는 투명한 OLED 의 제조를 가능하게 하며, 그 이유는 전극들로서 사용되는 필수적인 투명한 전도성 산화물이 스퍼터링에 의해 전자 수송층을 손상시키지 않고 두꺼운 전자 수송층에 형성될 수 있기 때문이다.
5. 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스는, 보다 두꺼운 층들에 의해 보다 적은 단락 회로들이 만들어지 때문에 개선된 제조 수율로 제조될 수 있다.
6. 본 발명에 의한 유기 전계발광 디바이스의 수명은 보다 얇은 전자 수송층을 포함하는 종래기술에 의한 유기 전계발광 디바이스의 수명에 상당하거나 또는 그보다 더 좋다.
본 발명은 하기 실시예들에 의해 보다 더 상세히 기재되지만, 이에 한정되는 것은 원치 않는다. 당업자는 본 발명에 의한 다른 유기 전계발광 디바이스들도 진보성 없이 제조할 수 있을 것이다.
실시예들:
전자 이동도의 일반적인 결정
본 발명의 의미에서 전자 이동도는 후술되는 일반적인 방법에 의해 결정된다:
전자 이동도는 이 목적을 위해 빈번하게 채용되는 "타임 오브 플라이트 (Time Of Flight)" (TOF) 방법을 이용하여 결정되며, 여기서 전하 캐리어들은 조사될 재료의 단일층 컴포넌트에서 레이저 펄스의 도움으로 발생된다. 이들은 인가된 전계에 의해 분리된다. 정공들은 컴포넌트를 떠나는 반면, 전자들은 층들을 통해 이동하여 전류 흐름을 발생시킨다. 전자들의 주행 시간 (transit time), 이로인한 이동도는 시간에 대한 전류의 변화로부터 결정될 수 있다.
조사될 재료는 두께 150 nm 로 구조화된 ITO 로 코팅된 유리판에 증착율 0.3　nm/s 에서 층 두께 2 ㎛ 로 형성된다. 두께 100　nm 의 알루미늄 층이 상부에 성막된다. 형성된 컴포넌트들은 2　mm × 2　mm 의 면적을 갖는다. 컴포넌트는 ITO 층을 통해서 N2 레이저 (파장 337　nm, 펄스 기간 4　ns, 펄스 주파수 10　Hz, 펄스 에너지 100　μJ) 를 사용하여 조사된다. 인가된 전계 (E) 의 전계 강도는 105 V/cm 이다. 시간에 걸친 광전류의 변화는 오실로스코프를 이용하여 기록된다. 전류의 시간 함수로서의 이중 로그 플롯에서, 교차점이 주행 시간 (t) 으로 사용되는 2개의 선형 섹션들이 획득된다. 이동도 (μ) 는 이로부터 전계 (E) 및 층 두께 (d) 를 이용하여 μ = d/(t*E) 로서 발생하거나, 또는 인가된 전계 E = 105 V/cm 및 층 두께 d = 2 ㎛ 를 이용하여 μe =　2　㎛/(t*105　V/cm) 로서 발생한다. 이 방법의 보다 상세한 설명은 예를 들어, Redecker 등, Applied Physics Letters, Vol. 173, p. 1565 에 주어진다.
층 두께의 일반적인 결정
*본 발명의 의미에서 층 두께는 후술되는 일반적인 방법에 의해 결정된다:
개별 층들의 두께는 제조된 OLED 에 대해 직접 측정될 수 없기 때문에, 일반적으로 종전과 같이 석영 공진기의 도움으로 증착동안 모니터링된다. 이를 위해, 재료마다 다소 상이한 증착율이 요구되며, 이것이 OLED 제조 이전에 증착율의 교정 (calibration) 이 수행되는 이유이다. 증착율이 알려져 있다면, 증착 공정의 기간 동안 임의의 원하는 층 두께가 설정될 수 있다.
증착율을 교정하기 위해서, 증착될 재료의 "테스트 층"이 유리 기판에 형성되고, (아직 교정되지 않은) 증착율이 증착 동안 기록된다. 증착 기간은 여기서 두께가 약 100　nm 인 층이 획득되는 방식으로 경험값을 참조하여 선택된다. 이후 테스트 층의 두께는 조면계의 도움으로 결정된다 (이하 참조). 지금 알려져 있는 층 두께가 사용되어 정확한 증착율을 결정할 수 있고, 이것은 OLED 의 다른 제조에서도 사용된다.
테스트 층의 두께는 조면계 (Veeco Dektak 3ST) (접촉 압력 4 mg, 측정 속도 2　mm/30 s) 의 도움으로 결정된다. (섀도우 마스크의 사용에 기인하여) 유리 기판 상의 코팅 영역 및 비코팅 영역 사이의 경계에서 형성되는 층 에지의 프로파일이 여기서 결정된다. 테스트 층의 층 두께는 2개 영역들 사이에서의 높이 차로부터 결정될 수 있다. 이 방법을 이용한 층 두께의 정확도는 약 +/-5% 이다.
사이클릭 볼타메트리 (cyclic voltammetry) 및 흡수 스펙트럼으로부터의 HOMO, LUMO 및 에너지 갭의 일반적인 결정
본 발명의 목적을 위해서, HOMO 및 LUMO 값들 및 에너지 갭이 후술되는 일반적인 방법들에 의해 결정된다:
HOMO 값은 실온에서 사이클릭 볼타메트리 (CV) 에 의해 측정되는 산화 전위로부터 발생한다. 이 목적을 위해 사용되는 측정 기구는 Metrohm 663 VA 스탠드를 구비한 ECO 오토랩 시스템이다. 작업 전극은 금 전극이고, 기준 전극은 Ag/AgCl 이고, 브릿지 전해질은 KCl (3 mol/l) 이며, 보조 전극은 백금이다.
측정을 위해, 먼저 디클로로메탄 중의 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 (NH4PF6) 의 0.11 M 전도성 염용액을 조제하고, 측정 셀에 도입시키고, 5분동안 탈기한다. 계속해서 2개의 측정 사이클들이 다음 파라미터들에 의해 수행된다:
측정 기술: CV
초기 퍼지 시간: 300 s
세정 전위: -1 V
세정 시간: 10 s
성막 전위: -0.2 V
성막 시간: 10 s
시작 전위: -0.2 V
종료 전위: 1.6 V
전압 스텝: 6 mV
스윕 레이트 (Sweep rate): 50 mV/s
계속해서, 1 ㎖ 의 샘플 용액 (1 ㎖ 의 디클로로메탄 중의 측정될 10　mg 의 물질) 을 전도성 염용액에 첨가하고, 혼합물을 5분 동안 다시 탈기한다. 계속해서 측정 사이클을 5회 더 수행하고, 그 중 마지막 3회는 평가를 위해 기록한다. 동일한 파라미터들이 상술한 바와 같이 설정된다.
계속해서, 0.1 ㎖ 의 페로센 용액 (1 ㎖ 의 디클로로메탄 중의 100　mg 의 페로센) 을 용액에 첨가하고, 혼합물을 1 분 동안 탈기하며, 측정 사이클을 하기 파라미터들을 이용하여 수행한다:
측정 기술: CV
초기 퍼지 시간: 60 s
세정 전위: -1 V
세정 시간: 10 s
성막 전위: -0.2 V
성막 시간: 10 s
시작 전위: -0.2 V
종료 전위: 1.6 V
전압 스텝: 6 mV
스윕 레이트: 50 mV/s
평가를 위해, 샘플 용액 및 페로센 용액이 첨가된 용액에 대해, 제 1 산화 최대의 전압들의 평균은 포워드 곡선들로부터 취해지고, 관련 환원 최대의 전압들의 평균은 리턴 곡선들 (VP 및 VF) 로부터 취해지며, 여기서 사용된 전압은 각각의 경우 페로센에 대한 전압이다. 조사될 물질의 HOMO 값 (EHOMO) 은 EHOMO　=　-[e·(VP-VF) + 4.8 eV] 로서 발생되며, 여기서 e 는 기본 전하를 나타낸다.
개별적인 경우, 예를 들어, 조사될 물질이 디클로로메탄에 용해하지 않거나 또는 측정 동안 물질의 분해가 발생하는 경우, 측정법의 적절한 변형이 수행되어야 할 수도 있음에 유의해야 한다. 의미있는 측정이 상술된 방법을 이용한 CV 에 의해 가능하지 않다면, HOMO 에너지는 Riken Keiki Co. Ltd. (http://www.rikenkeiki.com/pages/AC2.htm) 로부터의 모델 AC-2 광전자 분광기에 의한 광전자 분광법에 의해 결정될 것이며, 이 경우 획득된 값들은 통상적으로 CV 를 이용하여 측정된 것보다 0.3 eV 정도 보다 더 네가티브함에 유의해야 한다. 이 특허의 목적을 위해서, HOMO 값은 Riken AC-2 + 0.3 eV 로부터의 값을 의미하는 여겨진다. 즉, 예를 들어, Riken AC-2 에 의해 -5.6 eV 의 값이 측정된다면, 이것은 CV 를 이용하여 측정된 -5.3 eV 의 값에 대응된다.
또한, -6 eV 미만의 HOMO 값들은 기재된 CV 법을 이용하거나 또는 기재된 광전자 분광법을 이용하여 신뢰성있게 측정될 수 없다. 이 경우, HOMO 값들은 밀도 함수 이론 (DFT; Density Functional Theory) 에 의해 양자 화학적 계산으로부터 결정된다. 이것은 방법 B3PW91/6-31G(d) 를 이용한 시판되는 가우시안 03W (Gaussian Inc.) 소프트웨어를 통해 수행된다. CV 값들에 대한 계산값들의 표준화는 CV 로부터 측정될 수 있는 재료들과 비교하여 달성된다. 이 때문에, 일련의 재료들의 HOMO 값들이 CV 방법을 이용하여 측정되고, 또한 계산된다. 계산값들은 이후 측정값들에 의해 교정되고, 이 교정 팩터는 모든 다른 계산들에 사용된다. 이러한 방식으로, CV 에 의해 측정된 것들에 매우 잘 대응되는 HOMO 값들을 계산하는 것이 가능하다. 특정 물질의 HOMO 값이 상술한 바와 같이 CV 또는 Riken AC-2 에 의해 측정될 수 없다면, HOMO 값은, 이 특허의 목적을 위해, 상술한 바와 같이 CV 로 교정된 DFT 계산에 의해 설명에 따라 획득된 값을 의미하는 것으로 여겨진다. 일부 일반적인 유기 재료들에 대해 이러한 방식으로 계산된 값들의 예들은 다음과 같다: NPB　(HOMO -5.16 eV, LUMO -2.28 eV); TCTA (HOMO -5.33 eV, LUMO -2.20　eV); TPBI (HOMO -6.26 eV, LUMO -2.48 eV). 이 값들은 계산법의 교정을 위해 사용될 수 있다.
에너지 갭은 층 두께가 50 nm 인 필름에 대해 측정된 흡수 스펙트럼의 흡수 에지로부터 결정된다. 여기서 흡수 에지는 직선이 흡수 스펙트럼 측면의 가장 가파른 지점에서 떨어지는 최장파장에 피팅되는 경우 획득된 파장으로 정의되며, 이 직선이 파장축과 교차하는 곳 (즉, 흡수값　=　0) 에서의 값이 결정된다.
LUMO 값은 상술된 HOMO 값에 에너지 갭을 부가함으로써 획득된다.
OLED 들의 일반적인 제조, 실시예들의 기재
본 발명에 의한 OLED 들 및 종래 기술에 의한 OLED 들은 WO　04/058911 에 따라서 일반적인 공정에 의해 제조되며, 이들은 여기서 기재된 상황들 (층 두께 변화, 사용된 재료들) 에 맞춰진다.
각종 OLED 들의 결과들이 아래 실시예 1 ~ 실시예 14 (표 1 및 표 4 참조) 에 제시된다. 두께 150　nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리판들이 개선된 프로세싱을 위해 (H. C. Starck, Goslar, Germany 로부터 구매된) 물로부터 스핀 코팅된, 20 nm 의 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜) 에 의해 코팅된다. 이들 코팅된 유리판들은 기판들을 형성하고, 여기에 OLED 들이 공급된다. OLED 들은 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 선택적인 정공 주입층 (HIL) / 정공 수송층 (HTL) / 선택적인 층간층 (IL) / 전자 차단층 (EBL)　/ 발광층 (EML) / 선택적인 정공 차단층 (HBL) / 본 발명에 의한 전자 수송층 (ETL) / 선택적인 제 2 전자 수송층 (ETL2) / 선택적인 전자 주입층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄층에 의해 형성된다. OLED 들의 정확한 층 구조는 표 1 에 나타낸다. OLED 들의 제조에 사용되는 재료들은 표 3 에 나타낸다. 표 2 는 105 V/cm 의 전계에서 사용되는 전자 수송 재료들의 전자 이동도를 포함한다 (이동도의 결정에 대해서는 실시예 1 참조). 전자 수송층에 재료들 TPBI, Alq3, ETM1 및 ETM2 를 사용하는 경우, 종래 기술에 따른 OLED 들이 획득되는 반면, 두꺼운 층들의 ETM3 ~ ETM6 을 사용하는 경우, 본 발명에 의한 컴포넌트들이 획득된다.
OLED 들의 성능 데이터는 표 4 에 요약된다. 실시예들은 보다 명확히하기 위해 "a" 및 "b"로 구분되며, 여기서 "a" 로 끝나는 모든 실시예들은 얇은 전자 수송층들을 포함하고, "b" 로 끝나는 모든 실시예들은 두꺼운 전자 수송층들을 포함한다. 사용되는 재료들의 전자 이동도에 따라서, 실시예 1 ~ 실시예 7 ("a" 및 "b" 모두) 은 종래 기술에 의한 OLED 들이다. "a" 로 끝나는 실시예 8 ~ 실시예 14 에도 동일한 것이 적용되며, 이들은 얇은 전자 수송층들을 포함하고 본 발명에 의한 OLED 들과의 비교로서의 역할을 한다. 본 발명에 의한 OLED 들은 "b" 로 끝나는 실시예 8 ~ 실시예 14 이며, 그 이유는 상응되게 두꺼운 전자 수송층들에서 상응되게 높은 전자 이동도를 갖는 재료들이 여기서 채용되기 때문이다.
전자 수송층 두께는 우수한 성능 데이터를 획득하기 위해서 모든 OLED 들에서 최적화된다. 이것은 얇은 전자 수송층을 포함하는 OLED 들 및 두꺼운 전자 수송층을 포함하는 OLED 들 모두에 적용된다. ETL 두께에 대해 최적화된 컴포넌트들은 아래에서 비교된다.
모든 재료들이 진공 챔버 내에서 열 기상 증착에 의해 형성된다. 발광층은 여기서 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 발광 도펀트 (발광체) 로 이루어지며, 발광 도펀트는 매트릭스 재료 또는 재료들과 소정의 체적 비율로 공증착에 의해 혼합된다. 여기서 H3:CBP:TER1 (55%:35%:10%) 과 같은 정보는, 재료 H3 이 55% 의 체적 비율로 층에 존재하고, CBP 가 35% 의 비율로 존재하며, TER1 이 10% 의 비율로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층도 또한 2가지 재료들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 들은 표준 방법들에 의해 특징화된다. 이 목적을 위해서, 전류-전압-휘도 특징선들 (IUL 특징선들) 로부터 계산된, 휘도 밀도의 함수로서의 전계발광 스펙트럼, 전류 효율성 (cd/A 로 측정됨) 및 전력 효율성 (lm/W 로 측정됨), 그리고 수명이 결정된다. 수명은, 휘도 밀도가 소정의 초기 휘도 밀도로부터 소정 비율로 하락한 이후의 시간으로 정의된다. LD80 은, 상기 수명이 휘도 밀도가 초기 휘도 밀도의 80% 로 하락한 때의 시간, 즉, 예를 들어, 4000　cd/㎡ 에서 3200　cd/㎡ 로 하락한 때의 시간인 것을 의미한다. 유사하게, LD50 은 초기 휘도 밀도가 절반으로 하락한 이후의 시간이다. 수명에 대한 값들은 당업자에게 알려져있는 변환식들의 도움으로 다른 초기 휘도 밀도들에 대한 데이터로 변환될 수 있다.
단락 회로들의 비율의 결정
대량 생산의 제조 수율에서 예측되는 개선에 대해 코멘트하기 위해서, 소정의 동작 기간 내에 단락 회로를 형성하는 OLED 들의 비율이 결정된다. 이러한 OLED 들은 발광하지 않으므로, 대량 생산의 목적을 위해 리젝트로 분류되어, 제조 수율을 감소시킨다.
각각의 경우, 개별 층 구조를 갖는 32 개 OLED 들이 제조된다. 그 수명은 상술된 바와 같이 결정된다. 수명 측정 동안, 100 h 의 동작 시간 이후 단락 회로를 갖는 OLED 들의 비율이 결정된다. 단락은 매우 낮은 값 또는 제로로 갑자기 하락하는 휘도로부터 인식될 수 있다. 표 4 는 32 개의 OLED 들 중 얼마나 많은 OLED 가 그러한 단락 회로를 갖는지를 나타낸다. 0/32 의 값은, 모든 OLED 들이 100 h 이후에도 여전히 작동하고 있음을 의미한다.
청색-발광 형광 OLED 들
두꺼운 ETL 의 사용시, 청색 발광을 위한 색좌표가 개선되고, 단락 회로들의 수도 또한 상당히 감소된다 (실시예 6a 와 실시예 6b 의 비교 및 실시예 12a 와 실시예 12b 의 비교). Alq3 (종래 기술) 이 청색-형광 발광층과 조합하여 사용된다면, 전압은 두꺼운 ETL 의 사용시 6.4　V 에서 13.3　V 로 매우 분명하게 증가한다 (실시예 6a 및 실시예 6b). 전류 효율성 (단위 cd/A) 이 약간 증가하더라도, 이것은 전력 효율성이 대략 2.5 lm/W 에서 1.3 lm/W 로 반감되는 결과를 갖는다. 높은 동작 전압으로 인해, 컴포넌트로의 에너지 입력이 상당히 증가하며, 얇은 ETL 과 비교하여 수명을 (160　h 에서 95　h 로) 상당히 저하시킨다.
본 발명에 의한 컴포넌트의 경우에는, 상황이 다르다: 재료 ETM3 의 두꺼운 층이 사용된다면, 동작 전압의 적정한 증가만이 획득되고, 이것은 전류 효율성에서의 약간의 증가와 조합하여, 얇은 ETL 와 비교하여 유사한 전력 효율성 및 수명을 나타낸다 (실시예 12a 및 실시예 12b). 즉, 본 발명에 의한 ETL 의 이점은, 비슷한 전력 효율성 및 수명과 함께, 개선된 색좌표 및 보다 적은 수의 단락 회로들이다.
적색-발광 인광 OLED 들
적색 발광의 경우, 방금 설명한 청색 발광에 대한 것으로서 유사한 경우가 존재한다. 여기서도 또한, 본 발명에 의한 OLED 들은 얇은 전자 수송층들의 경우와 동일한 레벨의 전력 효율성 및 수명과 함께, 개선된 색좌표 및 감소된 수의 단락 회로들을 제공한다는 사실에 의해 구별된다 (실시예들 7a, 7b 및 13a 및 13b, 여기서 실시예 13b 는 본 발명에 의한 OLED 이다).
녹색-발광 인광 OLED 들
녹색 인광을 발휘하는 OLED 들에서의 본 발명에 의한 전자 수송층들의 사용시 최상의 이점들이 발생한다. 이것은, 상응하는 두꺼운 발광층들의 사용시 발광 스펙트럼이 보다 협소해진다는 사실에 기인한다. 청색 및 적색 발광의 경우, 이것은 단지 색좌표를 약간 개선시키지만, 이 효과는 녹색 분광 영역에서 보다 현저해진다. 또한, 전류 효율성의 보다 현저한 증가가 녹색 발광의 경우 달성될 수 있으며, 이것은, 다소 보다 높은 동작 전압들에도 불구하고, 보다 양호한 전력 효율성들이 얇은 ETL 들에 의해서 보다 본 발명에 의한 전자 수송층들에 의해 달성될 수 있다는 결과를 갖는다. 본 발명에 의한 ETL 의 사용시 전력 효율성에서의 10% 의 상당한 증가를 나타내는, 실시예 11a 및 실시예 11b 이 여기서 특히 언급되어야 한다. 동일한 실시예에서, 수명에서의 약간의 증가가 또한 관측되며, 이것은 특히, 본 발명에 의한 ETL 을 포함하는 OLED 의 보다 우수한 전류 효율성에 기인한 것이다.
또한, 단락 회로들의 비율은 녹색 발광의 경우 두꺼운 전자 수송층에 의해 상당히 감소될 수 있다. 청색 및 적색에 대해 언급된 이점들 이외에, 본 발명에 의한 전자 수송층의 사용의 경우 전력 효율성의 증가 및 수명의 적정한 개선이 녹색 발광에 대해서도 또한 가능하다.
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014

Claims (17)

  1. 애노드, 캐소드 및 적어도 1층의 발광층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스로서,
    층 두께가 적어도 130 nm 이고 전자 이동도가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-5 ㎠/Vs 인 전자 수송층이 상기 적어도 1층의 발광층 및 상기 캐소드 사이에 배열되고,
    상기 적어도 1층의 발광층은 녹색-발광층이고,
    상기 전자 이동도는 타임 오브 플라이트 (TOF; Time Of Flight) 를 이용하여 결정되고,
    상기 전자 수송층용 전자 수송 재료들이 트리아진 유도체들 및 티아졸 유도체들의 구조 부류들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송층의 층 두께가 500 nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전자 수송층의 층 두께가 350 nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송층의 전자 이동도가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 5×10-5 ㎠/Vs 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전자 수송층의 전자 이동도가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-4 ㎠/Vs 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송층은 순수 재료로 이루어지거나 또는 2종 이상의 재료들의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송층은 오직 하나의 층을 갖거나, 또는 총 두께가 적어도 80 nm 이고 각 개별 층이 전자 이동도가 105 V/cm 의 전계에서 적어도 10-5 ㎠/Vs 인, 복수의 개별 전자 수송층들로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    HOMO 가 < -4 eV 인 재료들만이 상기 전자 수송층에 사용되고,
    상기 HOMO 는 사이클릭 볼타메트리 (CV) 를 사용하여 결정되며, 상기 CV 가 사용되지 못하는 경우 광전자 분광법이 사용되며, 상기 HOMO 가 -6 eV 미만인 경우 밀도 함수 이론 (DFT) 이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    HOMO 가 < -4.5 eV 인 재료들만이 상기 전자 수송층에 사용되고,
    상기 HOMO 는 사이클릭 볼타메트리 (CV) 를 사용하여 결정되며, 상기 CV 가 사용되지 못하는 경우 광전자 분광법이 사용되며, 상기 HOMO 가 -6 eV 미만인 경우 밀도 함수 이론 (DFT) 이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  10. 제 8 항에 있어서,
    HOMO 가 < -5 eV 인 재료들만이 상기 전자 수송층에 사용되고,
    상기 HOMO 는 사이클릭 볼타메트리 (CV) 를 사용하여 결정되며, 상기 CV 가 사용되지 못하는 경우 광전자 분광법이 사용되며, 상기 HOMO 가 -6 eV 미만인 경우 밀도 함수 이론 (DFT) 이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서,
    LUMO 가 > -3.5 eV 인 재료들만이 상기 전자 수송층에 사용되고,
    상기 LUMO는 에너지 갭을 HOMO 에 부가함으로써 결정되고, 상기 HOMO 는 사이클릭 볼타메트리 (CV) 를 사용하여 결정되며, 상기 CV 가 사용되지 못하는 경우 광전자 분광법이 사용되며, 상기 HOMO 가 -6 eV 미만인 경우 밀도 함수 이론 (DFT) 이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  12. 제 11 항에 있어서,
    LUMO 가 > -3 eV 인 재료들만이 상기 전자 수송층에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송 재료들은 상기 전자 수송층에서 유기 알칼리-금속 화합물과 조합하여 채용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 전계발광 디바이스는 형광 또는 인광 발광층을 가지며,
    상기 형광 발광층은 청색- 또는 녹색-형광이고 상기 인광 발광층은 녹색- 또는 적색-인광인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 1층의 발광층에서의 발광 화합물은, 인광 화합물인 경우, 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 포함하는 화합물이고, 여기서 이 화합물은 매트릭스 재료와 조합하여 채용되거나; 또는
    상기 적어도 1층의 발광층에서의 발광 화합물은, 형광 화합물인 경우, 모노스티릴아민들, 디스티릴아민들, 트리스티릴아민들, 테트라스티릴아민들, 스티릴포스핀들, 스티릴 에테르들, 아릴아민들 또는 축합 방향족 탄화수소들의 부류로부터 선택되며, 여기서 이 화합물들은 각각 매트릭스 재료와 조합하여 채용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 전계발광 디바이스는, 인광 발광층을 사용하는 경우, 상기 적어도 1층의 발광층 및 상기 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법으로서,
    1층 이상의 층들이 승화 공정에 의해 형성 (application) 되거나,
    1층 이상의 층들이 OVPD (유기 기상 증착; Organic Vapour Phase Deposition) 공정에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 형성되거나, 또는
    1층 이상의 층들이, 스핀 코팅에 의해 용액으로부터 형성되거나, 또는 프린팅 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.
KR1020177011113A 2009-09-16 2010-08-16 유기 전계발광 디바이스 KR20170048611A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009041289.1 2009-09-16
DE102009041289A DE102009041289A1 (de) 2009-09-16 2009-09-16 Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
PCT/EP2010/005022 WO2011032624A1 (de) 2009-09-16 2010-08-16 Organische elektrolumineszenzvorrichtung

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127009612A Division KR20120080606A (ko) 2009-09-16 2010-08-16 유기 전계발광 디바이스

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170048611A true KR20170048611A (ko) 2017-05-08

Family

ID=43398288

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127009612A KR20120080606A (ko) 2009-09-16 2010-08-16 유기 전계발광 디바이스
KR1020177011113A KR20170048611A (ko) 2009-09-16 2010-08-16 유기 전계발광 디바이스

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127009612A KR20120080606A (ko) 2009-09-16 2010-08-16 유기 전계발광 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120168735A1 (ko)
JP (2) JP2013504882A (ko)
KR (2) KR20120080606A (ko)
CN (2) CN106058064B (ko)
DE (1) DE102009041289A1 (ko)
TW (1) TW201129245A (ko)
WO (1) WO2011032624A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020040487A1 (ko) * 2018-08-24 2020-02-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009041289A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR102084170B1 (ko) * 2013-07-25 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2015082537A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
KR20150108330A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자 버퍼 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101537500B1 (ko) * 2014-04-04 2015-07-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102375992B1 (ko) * 2014-04-16 2022-03-17 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자용 물질
DE112015003375A5 (de) * 2014-07-21 2017-04-13 Cynora Gmbh Organisches Bauelement
KR101536569B1 (ko) * 2014-08-01 2015-07-14 선문대학교 산학협력단 재결합 영역의 공간적 제어를 통해 개선된 효율을 가지는 청색 인광 유기발광 다이오드
JP6815294B2 (ja) 2016-09-30 2021-01-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、および有機ｅｌパネル
TWI764942B (zh) 2016-10-10 2022-05-21 德商麥克專利有限公司 電子裝置
EP3358639B1 (en) * 2017-01-16 2022-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN117440703A (zh) 2017-03-01 2024-01-23 默克专利有限公司 有机电致发光器件
WO2018198973A1 (ja) * 2017-04-27 2018-11-01 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子
KR20190070586A (ko) * 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 전자수송 재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드
KR102027523B1 (ko) * 2017-12-22 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102027516B1 (ko) 2017-12-22 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102027518B1 (ko) * 2017-12-22 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
EP3582280B1 (en) * 2018-06-14 2024-03-20 Novaled GmbH Organic material for an electronic optoelectronic device and electronic device comprising the organic material
CN109326735B (zh) * 2018-09-30 2021-01-01 云谷（固安）科技有限公司 一种有机发光二极管、显示面板和显示装置
TW202110789A (zh) 2019-05-03 2021-03-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置
TW202110788A (zh) 2019-05-03 2021-03-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置
KR102332549B1 (ko) * 2019-09-25 2021-12-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102150870B1 (ko) * 2019-09-25 2020-09-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
CN110911574A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 昆山国显光电有限公司 组合物、oled器件、oled显示面板及显示装置
WO2023142983A1 (zh) * 2022-01-27 2023-08-03 浙江光昊光电科技有限公司 一种氮杂卡宾碳自由基分子，包含其的混合物和组合物，及其在有机电子器件中的应用

Family Cites Families (184)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4780536A (en) 1986-09-05 1988-10-25 The Ohio State University Research Foundation Hexaazatriphenylene hexanitrile and its derivatives and their preparations
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5837166A (en) 1993-09-29 1998-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and arylenediamine derivative
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co Ltd Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
JPH07133483A (ja) 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子用有機発光材料及びｅｌ素子
EP0676461B1 (de) 1994-04-07 2002-08-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
KR100227607B1 (ko) * 1994-05-26 1999-11-01 구라우치 노리타카 유기일렉트로루미너센스소자
DE19652261A1 (de) 1996-12-16 1998-06-18 Hoechst Ag Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen
JP3654909B2 (ja) 1996-12-28 2005-06-02 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
GB9826406D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Quinolates
US6229012B1 (en) * 1998-10-01 2001-05-08 Xerox Corporation Triazine compositions
DE60031729T2 (de) 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
CN1840607B (zh) 1999-12-01 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 作为有机发光器件的磷光掺杂剂的l2mx形式的络合物
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US6225467B1 (en) * 2000-01-21 2001-05-01 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6821643B1 (en) * 2000-01-21 2004-11-23 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP4220644B2 (ja) 2000-02-14 2009-02-04 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN101924190B (zh) 2000-08-11 2012-07-04 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4040249B2 (ja) * 2000-11-16 2008-01-30 富士フイルム株式会社 発光素子
JP4302901B2 (ja) * 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
US7749818B2 (en) * 2002-01-28 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2003226870A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子材料、およびこれを用いた発光素子ならびに装置
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
JP4443872B2 (ja) * 2002-08-09 2010-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 電界発光素子、発光装置、電気器具
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
US7161291B2 (en) * 2002-09-24 2007-01-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd Display element and method for producing the same
JP4066802B2 (ja) * 2002-12-17 2008-03-26 富士ゼロックス株式会社 ポリエステル樹脂及びそれを用いた機能素子、有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子の製造方法
US20060063027A1 (en) 2002-12-23 2006-03-23 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organic electroluminescent element
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
JP2004277377A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Junji Kido フルオレン系化合物、およびこれを用いた有機電界発光素子
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5318347B2 (ja) 2003-04-15 2013-10-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光可能な、マトリックス材料と有機半導体との混合物、その使用、ならびに前記混合物を含む電子部品
WO2004095889A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4940658B2 (ja) * 2003-07-08 2012-05-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
US20050025993A1 (en) * 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
DE10350722A1 (de) 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
JP4961412B2 (ja) * 2003-11-10 2012-06-27 淳二 城戸 有機素子、及び、有機素子の製造方法
DE10356099A1 (de) * 2003-11-27 2005-07-07 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
US7157155B2 (en) * 2004-01-09 2007-01-02 The University Of Hong Kong Materials for electroluminescent devices
DE102004008304A1 (de) 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
KR100834327B1 (ko) * 2004-03-11 2008-06-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 전하 수송막용 조성물 및 이온 화합물, 이를 이용한 전하수송막 및 유기 전계 발광 장치, 및 유기 전계 발광 장치의제조 방법 및 전하 수송막의 제조 방법
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
KR100787425B1 (ko) 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7825249B2 (en) 2004-05-19 2010-11-02 Merck Patent Gmbh Metal complexes
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
DE102004031000A1 (de) 2004-06-26 2006-01-12 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
TW200613515A (en) 2004-06-26 2006-05-01 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
US20080038586A1 (en) * 2004-07-16 2008-02-14 Masato Nishizeki White Light Emitting Organic Electroluminescence Element, Display and Illuminator
DE102004034517A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
JP2006073641A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備えた有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006086284A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Tosoh Corp １，３，５−トリアジン誘導体からなる電子輸送材
US7803468B2 (en) * 2004-09-29 2010-09-28 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
EP1655359A1 (de) 2004-11-06 2006-05-10 Covion Organic Semiconductors GmbH Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP4969086B2 (ja) * 2004-11-17 2012-07-04 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
TW200639140A (en) 2004-12-01 2006-11-16 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electronic devices
TW200634020A (en) 2004-12-09 2006-10-01 Merck Patent Gmbh Metal complexes
WO2006073054A1 (ja) 2005-01-05 2006-07-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008528646A (ja) 2005-02-03 2008-07-31 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体
US20060194077A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic light emitting diode and display using the same
JP2006253015A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
JP2006253445A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20090040398A (ko) 2005-03-18 2009-04-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자
JP5242380B2 (ja) 2005-05-03 2013-07-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US7429662B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-30 City University Of Hong Kong Red-emitting electrophosphorescent devices
FR2887665B1 (fr) * 2005-06-27 2007-10-12 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique a antenne magnetique
KR100806812B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
WO2007020881A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Showa Denko K.K. Organic electroluminescence device using a copolymer and a phosphorescent compound
US20100301310A1 (en) * 2005-10-07 2010-12-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer and polymeric luminescent element employing the same
US20070092759A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Begley William J Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7767317B2 (en) 2005-10-26 2010-08-03 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
JP2007141736A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
CN101321755B (zh) 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
DE102005058543A1 (de) 2005-12-08 2007-06-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2007072962A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Showa Denko K.K. Organic light-emitting device
JP2007200938A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US20070182321A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device and producing method therefor
JP5095948B2 (ja) * 2006-02-22 2012-12-12 東ソー株式会社 テルフェニリル−１，３，５−トリアジン誘導体、その製造方法、およびそれを構成成分とする有機電界発光素子
JP4896544B2 (ja) * 2006-03-06 2012-03-14 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE102006015183A1 (de) 2006-04-01 2007-10-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102006025846A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101386215B1 (ko) * 2006-06-07 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
JPWO2007145129A1 (ja) * 2006-06-13 2009-10-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
DE102006031990A1 (de) 2006-07-11 2008-01-17 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4909695B2 (ja) * 2006-09-27 2012-04-04 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US20080180023A1 (en) * 2006-09-28 2008-07-31 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence element
JP5342103B2 (ja) * 2006-10-16 2013-11-13 昭和電工株式会社 有機発光素子
EP2080762B1 (en) 2006-11-09 2016-09-14 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP2008130840A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Tosoh Corp 有機電界発光素子
JP2008146904A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
US20080135804A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Chunong Qiu All-in-one organic electroluminescent inks with balanced charge transport properties
US8299787B2 (en) * 2006-12-18 2012-10-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Multicolor phosphorescent organic electroluminescent element and lighting system
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5281801B2 (ja) * 2007-02-01 2013-09-04 住友化学株式会社 ブロック共重合体および高分子発光素子
JP2008218986A (ja) * 2007-02-06 2008-09-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子
JP5117199B2 (ja) * 2007-02-13 2013-01-09 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JPWO2008105294A1 (ja) * 2007-02-28 2010-06-03 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
TWI373987B (en) * 2007-03-07 2012-10-01 Sony Corp Organic electroluminescent device and display device
KR100858816B1 (ko) * 2007-03-14 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 유기막을 구비하는유기 발광 소자
JP2008277799A (ja) * 2007-04-03 2008-11-13 Fujikura Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び光通信用モジュール
US20080246394A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Fujikura Ltd. Organic light-emitting diode element and optical interconnection module
JP2008276212A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
US20080286610A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers
US20080284318A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds
DE102007024850A1 (de) 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN101689613B (zh) * 2007-07-13 2011-12-14 昭和电工株式会社 使用含三嗪环的高分子化合物而成的有机发光元件
JP5255794B2 (ja) * 2007-07-27 2013-08-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP2009032990A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
EP2178343B2 (en) * 2007-07-27 2020-04-08 AGC Inc. Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element
JP2009037981A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
JP5452853B2 (ja) * 2007-08-28 2014-03-26 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009087744A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 発光素子
JP2009087760A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100879477B1 (ko) * 2007-10-11 2009-01-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP4915356B2 (ja) * 2008-01-29 2012-04-11 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
US20090208776A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-20 General Electric Company Organic optoelectronic device and method for manufacturing the same
JP2009211892A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
DE102008015526B4 (de) 2008-03-25 2021-11-11 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP5593621B2 (ja) * 2008-04-03 2014-09-24 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
JP2008187205A (ja) * 2008-04-28 2008-08-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
CN105037368B (zh) 2008-06-05 2017-08-29 出光兴产株式会社 卤素化合物、多环系化合物及使用其的有机电致发光元件
KR20110018376A (ko) * 2008-06-23 2011-02-23 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 조성물 및 상기 조성물을 이용하여 이루어지는 발광 소자
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008035413A1 (de) * 2008-07-29 2010-02-04 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JP5625272B2 (ja) * 2008-07-29 2014-11-19 住友化学株式会社 １，３−ジエンを含む化合物及びその製造方法
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102008044868A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende Polymere, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung
DE102008045663A1 (de) * 2008-09-03 2010-03-04 Merck Patent Gmbh Fluorverbrückte Assoziate für optoelektronische Anwendungen
CN102150087B (zh) * 2008-09-09 2015-01-21 默克专利股份有限公司 有机材料和电子照相器件
CN102217025A (zh) * 2008-10-17 2011-10-12 盛敏赛思有限责任公司 透明的偏振光发射器件
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
CN102076813B (zh) * 2008-11-11 2016-05-18 默克专利有限公司 有机电致发光器件
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5293120B2 (ja) * 2008-11-28 2013-09-18 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
DE112009003123B4 (de) * 2008-12-11 2020-02-06 Osram Oled Gmbh Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
US8278651B2 (en) * 2008-12-22 2012-10-02 E I Du Pont De Nemours And Company Electronic device including 1,7-phenanthroline derivative
DE102008064200A1 (de) * 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP5551428B2 (ja) * 2009-01-06 2014-07-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料及び有機電界発光素子
DE102009005290A1 (de) 2009-01-20 2010-07-22 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102009005746A1 (de) 2009-01-23 2010-07-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2383813A4 (en) * 2009-01-23 2012-08-01 Toray Industries MATERIAL FOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING ELEMENT
DE102009007038A1 (de) * 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009012346B4 (de) * 2009-03-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009014513A1 (de) * 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009023155A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009034625A1 (de) 2009-07-27 2011-02-03 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5778148B2 (ja) * 2009-08-04 2015-09-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 多環式炭水化物を含む電子デバイス
DE102009041289A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009053645A1 (de) * 2009-11-17 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009041414A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR101931922B1 (ko) * 2009-09-16 2018-12-21 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자 제조를 위한 제형
DE102009048791A1 (de) * 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009051172A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-05 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102009052428A1 (de) * 2009-11-10 2011-05-12 Merck Patent Gmbh Verbindung für elektronische Vorrichtungen
DE102009053382A1 (de) * 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102009053836A1 (de) * 2009-11-18 2011-05-26 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20170091788A (ko) * 2009-12-23 2017-08-09 메르크 파텐트 게엠베하 중합체성 결합제를 포함하는 조성물
DE102010007938A1 (de) * 2010-02-12 2011-10-06 Merck Patent Gmbh Elektrolumineszierende Polymere, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung
WO2011116857A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
DE102010033080A1 (de) * 2010-08-02 2012-02-02 Merck Patent Gmbh Polymere mit Struktureinheiten, die Elektronen-Transport-Eigenschaften aufweisen
US9159930B2 (en) * 2010-11-26 2015-10-13 Merck Patent Gmbh Formulations and electronic devices
WO2012126566A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Merck Patent Gmbh Organic ionic functional materials
US9178159B2 (en) * 2011-07-25 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Copolymers with functionalized side chains
DE102011117422A1 (de) * 2011-10-28 2013-05-02 Merck Patent Gmbh Hyperverzweigte Polymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung in elektronischen Vorrichtungen
WO2014000860A1 (de) * 2012-06-29 2014-01-03 Merck Patent Gmbh Polymere enthaltend 2,7-pyren-struktureinheiten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020040487A1 (ko) * 2018-08-24 2020-02-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
TW201129245A (en) 2011-08-16
CN106058064B (zh) 2019-05-07
CN106058064A (zh) 2016-10-26
CN102498587A (zh) 2012-06-13
US20120168735A1 (en) 2012-07-05
JP2015164204A (ja) 2015-09-10
KR20120080606A (ko) 2012-07-17
JP2013504882A (ja) 2013-02-07
WO2011032624A1 (de) 2011-03-24
JP6490480B2 (ja) 2019-03-27
DE102009041289A1 (de) 2011-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6490480B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
KR101914951B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스
KR101760154B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스
KR101700975B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR102326623B1 (ko) 유기 전계발광 소자
JP5670418B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイス
KR101633135B1 (ko) 유기 전계발광 소자
KR101797775B1 (ko) 유기 전계발광 소자
KR20150143553A (ko) 유기 전계발광 디바이스
KR20150140322A (ko) 열 활성화 지연 형광 재료를 갖는 유기 전계발광 디바이스
KR20150143552A (ko) 유기 전계발광 디바이스
KR101992506B1 (ko) 유기 전계발광 디바이스
KR20150067331A (ko) 전자 디바이스
JP2014513418A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
KR20160018680A (ko) 유기 전계발광 디바이스
EP2512798A1 (en) Oled with high efficiency blue light-emitting layer
CN110957435B (zh) 一种基于tta延迟荧光的有机电致发光器件
TW201630869A (zh) 電子裝置之材料
US20120119196A1 (en) Organic electroluminescent element
JP5805644B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
KR20230116851A (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 재료
CN115340490A (zh) 氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置
KR20230056660A (ko) 광전자 소자용 유기 분자

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right