CN102217025A - 透明的偏振光发射器件 - Google Patents
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Abstract
透明的定向偏振光发射器件包括透明的阳极和透明的阴极;在阳极和阴极之间的辐射发射层;光学上活性的反射层,该光学上活性的反射层具有与从辐射发射层发射的辐射的手征匹配并且至少部分地包含从辐射发射层发射的辐射的波长带的反射带,光学上活性的光阻挡层位于辐射发射层的一侧上;以及与该光学上活性的反射层相邻的透明衬底。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2008年10月17日提交,名称为“TRANSPARENT POLARIZED LIGHT-EMITTING DEVICE”的美国临时申请No.61/136,965的优先权,该申请以引用的方式全文并入于此。
技术领域
本公开涉及透明的偏振光发射器件。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是通过将一层有机材料放置在两个电极之间而制作的光电器件。当电压电势施加到电极时,电流注入通过该有机材料,发射可见光。由于高功率效率、低制造成本、OLED的耐用性以及由于OLED重量较轻,经常使用OLED来制作便携式电子设备的视觉显示器。
发明内容
在一个总体方面,透明的定向偏振光发射器件包括透明的阳极和透明的阴极;在阳极和阴极之间的辐射发射层;光学上活性的反射层,该光学上活性的反射层的反射带与从辐射发射层发射的辐射的手征匹配并且至少部分地包含从辐射发射层发射的辐射的波长带,光学上活性的光阻挡层位于辐射发射层的一侧上;以及与该光学上活性的反射层相邻的透明衬底。
实施方式可以包括以下特征中的一个或者多个。辐射发射层可以包括有机的光发射层。辐射发射层可以包括无机的光发射层。无机的光发射层可以包括量子点发射体。器件可以包括位于阳极和辐射发射层之间的空穴输运层。器件可以包括位于辐射发射层和阴极之间的电子输运层。器件可以包括位于阴极和电子输运层之间的电子隧穿势垒层。
器件可以包括与辐射发射层相邻的电子隧穿势垒。
有机的光发射层可以包括手性有机的光发射分子的非外消旋化合物。有机的光发射层可以包括形成玻璃的手性向列型液晶(GLC),用有机的光发射掺杂剂嵌入到该GLC中,并且该有机的光发射层可以发射手性光。
透明的阴极可以是自旋极化的电极。透明的阴极可以是铁磁性的电极和半金属电极中的一个。透明的阳极可以是自旋极化的电极。光学上活性的反射层可以包括形态学上稳定的形成玻璃的手性向列型液晶(GLC)。光学上活性的反射层可以包括胆甾型液晶。
器件可以包括与光学上活性的反射层相邻的第二光学上活性的反射层并且该第二光学上活性的反射层的反射带可以具有与光学上活性的反射层的反射带相反的手征并且可以至少部分地包含从辐射发射层发射的辐射的波长带。第二光学上活性的反射层可以包括形态学上稳定的形成玻璃的手性向列型液晶(GLC)。透明的阳极和透明的阴极可以透射可见光。光学上活性的反射层可以包括雕塑薄膜。光发射层可以包括手性材料。
在另一个总的方面,通过一种包括形成辐射发射层的方法来制造偏振光发射器件。辐射发射层包括辐射发射材料,该辐射发射材料发射具有包括在发射波长带中的波长的辐射。辐射发射材料布置在透明的阳极和透明的阴极之间。光学上活性的反射层布置成与辐射发射层相邻。光学上活性的反射层包括形成玻璃的手性向列型液晶(GLC),并且光学上活性的反射层配置成反射具有包括在光学上活性的反射层的反射波长带中的波长的辐射。光学上活性的反射层的反射波长带调节成至少部分地包含辐射发射层的发射波长带。
实施方式可以包括以下特征中的一个或者多个。辐射发射材料可以包括有机的光发射层。调节光学上活性的反射层的反射波长带可以包括将形成玻璃的手性向列型液晶加热到玻璃转化温度(Tg)以上并且接近形成玻璃的手性向列型液晶的临界点(Tc)。光学上活性的反射层可以用电磁辐射来照射一段持续时间,该持续时间足够改变光学上活性反射层的反射波长带以至少部分地包含光发射层的发射波长带。光学上活性的反射层可以冷却到(Tg)以下的温度。照射光学上活性的反射层可以包括用紫外(UV)辐射照射光学上活性的反射层。
调节光学上活性的反射层的反射波长带可以包括调节形成玻璃的手性向列型液晶的分子组成。调节光学上活性的反射层的反射波长带可以引起反射波长带的宽度改变。辐射发射材料可以包括无机的光发射层。光学上活性的反射层可以包括由右旋玻璃态胆甾型材料制成的第一GLC膜和由左旋玻璃态胆甾型材料制成的第二GLC膜,第二GLC膜与第一GLC膜相邻。调节光学上活性的反射层的反射波长带可以包括调节右旋玻璃态胆甾型材料与左旋玻璃态胆甾型材料的分子比率。可以调节第一GLC膜和第二GLC膜两者的分子组成以调节光学上活性的反射层的反射带。
在一些实施方式中,可以在光学上活性的反射层上沉积第二光学上活性的反射层。第二光学上活性的反射层和光学上活性的反射层具有相反的手征。可以调节第二光学上活性的反射层的反射波长带以至少部分地包含光发射层的发射波长带。光学上活性的反射层可以连续地沉积,可以在单独的衬底上调节第二光学上活性的反射层的反射波长带,并且在调节了第二光学上活性的反射层的反射波长带之后,光学上活性的反射层可以粘合在透明的偏振光发射器件的一侧。
在一些实施方式中,光学上活性的层沉积在透明衬底上。透明衬底可以位于光学上活性的反射层与光发射层之间。
所描述的技术的实施方式可以包括硬件、方法或过程、设备、装置或者系统。在附随的附图和以下描述中阐明一个或者多个实施方式的细节。从描述和附图以及权利要求,将会明了其他特征。
附图说明
图1和图2示出了定向性偏置的光发射器件的示例。
图3示出了包括两个光学上活性的反射层的、定向性偏置的光发射器件的示例。
图4A和图4B示出了包括一个光学上活性的反射层的、定向性偏置的光发射器件的示例。
图5A和图5B示出了包括有机发光二极管(OLED)堆叠的、定向性偏置的光发射器件的示例。
图6A示出了包括有机发光二极管(OLED)堆叠的、定向性偏置的光发射器件的示例。
图6B示出了来自图6A示出的器件的发射特性的图示。
图7示出了用于制造定向性偏置的光发射器件的示例过程。
图8A到图8C图示了对光可调整液晶进行像素化的示例过程。
图9A到图11A各自示出示例定向性偏置的光发射器件的透视图。
图9B 到图11B各自示出了图9A到图11A中示出的定向性偏置的光发射器件的截面视图。
图12示出了堆叠的透明的光发射器件。
图13示出了另一个堆叠的透明的光发射器件。
具体实施方式
描述了从一侧或者主要从一侧发射辐射的透明的器件。具体地,将光学上活性的反射材料放置在透明的电致发光器件上,使得从该器件中的光发射层发射的辐射仅从该器件的一侧发出,或者主要从该器件的一侧发出,而同时环境光由该器件的两侧透射。该器件发射具有波长范围的手性辐射,并且光学上活性的反射材料的反射带调节成与从该器件发射的辐射的波长和螺旋性两者匹配,使得光学上活性的反射材料反射所发射的辐射。在这种方式中,透明的电致发光器件可以定向性偏置,使得所发射的辐射仅从该器件的一侧发出或者主要从该器件的一侧发出,而不是从该器件的两侧发出。
公开的技术涉及有机发光二极管(OLED)技术的特定应用。具体地,公开的技术涉及利用了所发射的光的自旋极化和波长以获得单方向发射的透明的OLED(TOLED)。该器件透明,在于该器件从至少部分地对入射到材料上的辐射透射的一种或者多种材料制成。这样的TOLED可以称为透明有机单方向偏振的发光二极管(TOUPLED)。TOUPLED可以并入到或者覆盖在挡风玻璃上以例如允许驾驶员观看显示在挡风玻璃上的信息而该信息从挡风玻璃的其他侧不可见。因为TOUPLED对环境光透明,环境光通过挡风玻璃。相似地,TOUPLED技术可以利用在头盔上,具体地来说可以利用在军用作战头盔或者包括护目镜或者目镜的其他可视化工具上。用这样的布置,头盔的用户可以观看显示在护目镜一侧上的信息,而同时因为环境光进入护目镜,也能够透过护目镜观看。例如,TOUPLED可以装配在军用头盔的护目镜上,使得使用头盔的士兵可以观看显示在头盔护目镜的内部部分上的战术信息,而同时显示的战术信息从护目镜对着环境的一侧(即在其上装配光学上活性的反射层的一侧)不可见。然而,因为TOUPLED由对环境光至少部分地透明的材料制成,环境光继续通过护目镜。
参照图1,示出了定向性偏置的透明的光发射器件100的示例。光发射器件100包括光发射层1、光学上活性的反射层2以及透明衬底4。光发射层1布置在第一电极5和第二电极6之间。第一电极5可以是透明的阳极,而第二电极6可以是透明的阴极。第一电极5和第二电极6对从光发射层1发射的辐射的波长透明,以允许发射来自器件100的辐射。另外,第一电极5和第二电极6可以对环境光透明,使得环境光可以通过器件100。虽然在图1示出的示例中,第一电极5位于光发射层1的顶部7上,而第二电极6位于光发射层1的底部8上,在其他示例中,第一电极5和第二电极6可以布置成相反的配置。
当跨第一电极5和第二电极6施加正偏压时,阳极将空穴(正电荷载流子)注入到光发射层1中,并且阴极将电子(负电荷载流子)注入到光发射层1中。空穴和电子在光发射层1中复合,并且生成导致发光的激子。在这个方式中,光发射层1优选地以可见光的形式发射辐射。如以下将要更加详细论述的,从光发射层1发射的辐射具有波长和手征(例如辐射是圆偏振的,并且具有左旋方向或者右旋方向,或者辐射是椭圆偏振的并且具有左旋方向或者右旋方向)。
如以下将要更加详细论述的,光学上活性的反射层2通过将发射的辐射反射向光发射层1的顶部7并且进入在器件100的一侧上的光发射外壳9而阻挡从光发射层1发射的辐射。具体地,光学上活性的反射层2具有反射带,该反射带至少部分地包含从光发射层1发射的辐射的波长。光学上活性的反射层2的反射带是不由光学上活性的反射层2透射的波长带。另外,光学上活性的反射层2具有与从光发射层2发射的辐射的手征匹配的手征。
光学上活性的反射层2可以考虑为与从光发射层2发射的辐射的波长和手征匹配。通过匹配手征和波长,可以调整或者在其他方面修改光学上活性的反射层2的折射率,使得从光发射层2发射的辐射的波长位于光学上活性的反射层2的反射带的中心处,并且光学上活性的反射层2反射具有螺旋性偏振的辐射。具有螺旋性偏振的辐射是椭圆偏振或者圆偏振的并且具有右旋或者左旋螺旋性或者手征的辐射。椭圆偏振或者圆偏振的电磁波中在朝着传播的方向观看时在与传播方向垂直的固定平面中观察到的电场向量以左旋方向即逆时针方向旋转,并且传播的方向与当左旋螺杆拧入固定的螺母时左旋螺杆的前进方向相同。
在一些实施方式中,匹配手征和波长可以包括调整光学上活性的反射层2的折射率,使得光学上活性的反射层2具有包括从光发射层2发射的辐射的波长的至少一部分的光谱反射带。在这些实施方式中,光学上活性的反射层2可以具有反射带,该反射带位于发射的辐射的发射带的中心处,但是并不必须是这种情况。
光学上活性的反射层2还可以称为光学上活性的阻挡层或者光学上活性的滤光层。在图1中示出的示例中,从光发射层1发射的辐射通过顶部7离开定向性偏置的透明的光发射器件100,而不是通过光发射层1器件的底部8。然而,在其他示例中,光学上活性的反射层2可以位于光发射层1的顶部7的一侧上,使得从光发射层1发射的辐射通过衬底4离开器件100。因此,器件100可以是顶部发射透明器件或者底部发射透明器件。
在一种实施方式中,透明的光发射器件100是透明的有机单方向偏振光发射器件(TOUPLED)。在这个实施方式中,第一电极5是透明的阳极,而光发射层1是基于手性有机分子的光发射层(也称为手性有机的光发射层)。如以下关于图5A和图5B论述的,TOUPLED也可以包括电子隧穿势垒层、自旋极化的阴极(也可以称为自旋阴极)、透明衬底4以及调整到发射的光的波长和手征的光学上活性滤光层(也可以称为光学上活性的反射层)。在一个示例中,光学上活性的反射层的手征可以是右旋的,使得从光发射器件发射的右旋圆偏振光由光学上活性的反射层2反射。在其他实施方式中,光发射层可以由发射具有手性组分(例如非线性偏振的光)的辐射的任何光发射材料制成,或者可以包括发射具有手性组分(例如非线性偏振的光)的辐射的任何光发射材料。
在另一个实施方式中,光发射层1可以是非手性发光体。非手性发光体是并不必然发射手性辐射的光发射体,但是可以配置成、结构化成或者布置成发射手性辐射。例如,在这个实施方式中,光发射层1可以是无机量子点发射体,并且量子点发射体可以布置成产生手性辐射的手性矩阵。在这些实施方式中,量子点发射体沉积为单个单层。将沉积量子点发射体沉积为单个单层可以帮助局部化,并且因此控制激子的形成和弛豫。
在其他实施方式中,可以使用透明并且不干涉发射的辐射和阻挡的辐射的手征的任何透明的OLED层。非光学上活性的材料,或者弱光学上活性的材料并不将偏振赋予穿过该材料的辐射。因此,这样的材料可以作为透明的OLED层使用。可以作为透明的OLED层而使用的材料包括玻璃和ITO。在使用自旋注入体的实施方式中,可以使用最小化与电荷自旋寿命与电荷自旋寿命时间或者发射的辐射和阻挡的辐射的手征的干涉的任何透明的OLED层。
参照图2,示出了定向性偏置的透明的光发射器件200的示例。光发射器件200包括光发射层201、光学上活性的反射层202、透明衬底204、第一电极205以及第二电极206。除了透明衬底204布置在光学上活性的反射层202和光发射层201之间之外,器件200可以与关于图1讨论的器件100相似。与器件100相似,器件200将偏振的辐射发射到在器件200的一侧上的发射外壳209中。
图3示出了定向性偏置的光发射器件300的示例,该器件包括两个光阻挡层以及右旋光学上活性层310以及左旋光学上活性层320。器件300还包括光发射层330、透明衬底340、第一电极350以及第二电极365。如以下关于图5A和图5B详细地论述的,从光发射层330发射的辐射可以是手性辐射(例如圆偏振光或者椭圆偏振光)。依赖于光发射器件300的配置,手性辐射可以包括近似相等数量的具有右旋螺旋性的手性光和具有左旋螺旋性的手性光,或者发射的手性辐射可以主要包括具有右旋螺旋性的手性光或者主要包括具有左旋螺旋性的手性光。
在图3中示出的示例中,光发射层330发射包括具有左旋螺旋性的手性光和具有右旋螺旋性的手性光的辐射。具有右旋螺旋性的手性光355从光学上活性层310反射,而具有左旋螺旋性的手性光360从光学上活性层320反射。因此,从光发射层330的底部370发射的辐射被反射通过器件300的顶部380,而不是通过底部370和顶部380两者离开器件。因为螺旋偏振光的手征在反射离开光学上活性的材料后保持方向,而在反射离开非光学上活性的材料后逆转方向,所以手性光360被反射为具有左旋螺旋性的光,而手性光355被反射为具有右旋螺旋性的光。
参看图4A和图4B,示出了包括一个光学上活性的反射层405的、定向性偏置的光发射器件400的示例。器件400包括形成在衬底420上的光发射层410。光发射层410发射圆偏振并且具有右旋螺旋性的辐射440。如关于图5A和图5B论述的,从光发射层410发射的辐射的螺旋性可以通过例如在光发射层410中引入自旋向上的电子的族群来控制。如图4A中的示例中示出的,从光发射层410发射的辐射440具有右旋螺旋性,其从光学上活性的反射层405反射并且从器件400的顶部450发射。光学上活性的反射层405具有反射带,该反射带具有右旋手征,并且因此由于辐射440是具有右旋螺旋性的手性光,光学上活性层405反射辐射440。
参照图4B,示出了在出现具有左旋螺旋性和右旋螺旋性的圆偏振光时器件400的行为。具有右旋螺旋性的圆偏振辐射460从器件400发出,并且由于圆偏振辐射460具有右旋螺旋性,圆偏振辐射460从光学上活性的反射层405反射。偏振辐射470也从光学上活性的反射层405反射,这是因为层405的反射带的手性也是右旋的。辐射470也反射离开物体465,在反射后方向改变到具有左旋螺旋性的辐射480。因为辐射480具有左旋螺旋性,光学上活性的层405的反射带的手征与辐射480的手征不匹配。因此辐射480通过光学上活性的反射层405。
如以上论述的,TOUPLED可以包括阳极、有机的光发射层、阴极、衬底以及光学上活性的光阻挡层中的一个或者多个。在一些实施方式中,TOUPLED还可以包括电子输运层(ETL)、电子隧穿势垒层(TBL)以及空穴输运层(HTL)中的一个或者多个。在一些实施方式中,某些材料/物质可以作为以上描述和这里描述的一个分立元素而起作用,或者可以作为以上描述和这里描述的多个元素而起作用。例如,特定的材料/物质可以使用作为阳极并且具有空穴输运层的某些特性。
参照图5A和图5B,示出了包括有机发光二极管(OLED)堆叠的、定向性偏置的光发射器件500A和光发射器件500B的示例。参照图5A,器件500A包括OLED堆叠20、衬底24、右旋光学上活性的反射层28以及左旋光学上活性的反射层29。OLED堆叠20包括阴极21、电子隧穿势垒层27、电子输运层25、光发射层22、空穴输运层26以及阳极23。阳极23与衬底24相邻。参见图5B,器件500B包括OLED堆叠30、衬底34以及光学上活性的反射层38。TOUPLED的OLED堆叠30可以包括阴极31、电子隧穿势垒层37、电子输运层(ETL)35、光发射层32、空穴输运层36以及阳极33。阳极33与衬底34相邻。
定向性偏置的光发射器件500A和光发射器件500B可以是TOUPLED。TOUPLED可以考虑为连续地沉积在衬底上的一系列相邻的层。衬底可以是以上论述的衬底4、衬底204、衬底340、衬底24或者衬底34。用于在衬底上沉积层的技术包括例如化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、热蒸发、电子束沉积、真空沉积、旋转涂覆以及喷墨式打印机技术的修改。用于在衬底上沉积层的技术也可以用来在已经沉积的层中引入或者“掺杂”另外的化合物。例如,在TOUPLED的制造期间,可以沉积电子输运层(ETL)(例如关于图5A和图5B论述的电子输运层25或者电子输运层35)并且通过将ETL沉积在超薄锂层上或者将超薄锂层沉积在ETL上来用金属对ETL进行掺杂。基于在这个方式中准备的层的厚度,锂可以从任何方向全部地扩散遍及ETL,因此形成退化地掺杂的ETL。锂层也可以沉积在ETL的两侧上,或者锂可以与ETL共同沉积。锂层可以沉积成使得层大约0.5nm到1.0nm厚。
在其上制造TOUPLED的衬底是对从TOUPLED发射的辐射的波长和手征透明的材料。例如,衬底可以是玻璃和/或者塑料。由例如以下制成的聚合物膜可以作为塑料衬底使用:聚氯乙烯(PVC)、聚酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胶(PEI)、聚芳酯(PAR)以及聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)。
TOUPLED可以包括阳极,该阳极将带正电荷的载流子(“空穴”)注入到光发射层中。在一些实施方式中,如以上提到的,依赖于用作为阳极的材料/物质的特定类型,阳极还可以将空穴输运到光发射层中。阳极可以由例如透明的氧化铟锡(ITO)或者In2O3:SnO2制成。阳极例如可以是分别关于图5A和图5B论述的阳极23或者阳极33。光发射层可以是光发射层22或者光发射层32。
TOUPLED也包括阴极,例如阴极21或者阴极31。阴极将带负电荷的载流子或者电子注入到光发射层中。在一些实施方式中,依赖于用作为阴极的材料/物质的特定类型,阴极也可以将电子输运到光发射层中。阴极层可以使用例如直流溅射/圆柱靶材沉积来进行沉积。ITO和氧化铟锌(IZO)是用于在制造透明的阴极层中使用的导电材料的两个示例。后续的阴极层可以包括透明的材料、金属材料或者非金属材料,并且帮助改善发射器件的量子效率、电子注入、最小化功函数以及作为便于ITO在预沉积的有机层上的沉积的保护缓冲层;透明的金属掺杂的阴极层也可以作为激子阻挡层和/或者空穴阻挡层而起作用;或者透明的、金属或者非金属的阴极层,接下来是由对于向上和向下电子自旋具有不同导电性的材料制成的电子选择性层。用于在透明的阴极中使用以便于电子输运和注入的适当的材料可以包括但是不限于以下:氟化锂(LiF)、铝(Al)、锂掺杂的铝、(Li:Al)、镁掺杂的银(Mg:Ag)、浴铜灵(BCP)(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)、碳酸铯(CsCO3)、锂掺杂的浴铜灵(LiBCP)或者铯掺杂的phenyldipyrenylphosphine oxide(CsPOPy2)。
为了控制从TOUPLED发射的手性光的螺旋性,与具有自旋向下量子自旋状态的电子族群相比,具有自旋向上量子自旋状态的电子族群可以被控制。电子存在于两种量子自旋状态中,自旋向上或者自旋向下,其与相反符号的相等单位的角动量值相关联。正常分布的电子的族群是包含相等数量的在自旋向上状态中的电子和在自旋向下状态中的电子的混合物。当在有机的光发射分子层中正常分布的电子族群与空穴复合时,产生手性光(例如圆偏振光和/或者椭圆偏振光)。发射的光近似地是具有右旋螺旋性(RH)的光与具有左旋螺旋性(LH)的光的均等混合物。
然而,在一些实施方式中,TOUPLED可以利用在单个自旋状态的电子。当在TOUPLED中单个自旋状态的电子与空穴复合时,由于量子自旋选择规则,发射的手性光相对于发射体分子方向具有单个手性(螺旋性)。发射的光的螺旋性是相对于发射体分子的磁力校准的轴测量的并且符号是注入的电子和空穴的自旋状态的函数。例如,当在自旋向上状态的电子与空穴复合时,相对于取向磁场具有右旋螺旋性的手性光在向前的方向上发射。当在自旋向下状态中的电子与空穴复合时,相对于取向磁场具有左旋螺旋性的手性光在向前的方向上发射。
自旋极化的电子可以通过例如经由隧穿的自旋筛选和经由磁化的注入体的自旋极化来产生。经由隧穿的自旋筛选利用位于靠近阴极或者夹在两个电子输运层之间的电子隧穿势垒层(TBL),两个电子输运层中的一个与阴极相邻。在自旋向上状态的电子与在自旋向下状态的电子相比具有更大的动量。在自旋向上状态的电子的较大动量允许这些电子隧穿通过TBL,而在自旋向下状态的电子不能够通过TBL。因此,TBL用在自旋向上状态的电子丰富了在光发射层中流动的电流。在光发射层中自旋向上电子的族群与空穴辐射性复合,并且因此光发射层发射具有右旋螺旋性的手性光。自旋隧穿筛选可以产生具有接近100%的向上自旋电子的电子族群。因此,发射的辐射是接近100%右旋偏振辐射。TBL可以由例如EuxOy(x>>y)制成,选择它是由于其能够参与到在导带中的大交换分裂的能力(在0.6eV量级),并且由于它的高度透明性。也可以使用具有高度透明性并且能够参与到交换分裂中的其他材料,例如一氧化镁和ITO。依赖于电子的自旋状态,电子携带不同的磁动量。一些材料参与到交换分裂中,并且在这些材料中,在自旋向上状态中的电子(与在自旋向下状态中的电子相比具有较高的动量)具有隧穿通过该材料的较大概率。交换分裂越大,材料在自旋向上和自旋向下电子之间区别得越有效。因此,在具有相对大交换分裂的材料中,自旋向上的电子具有隧穿通过该材料的较大概率,并且结果更多自旋向上的电子通过。结果,生成了自旋极化的电流。
在一些实施方式中,在自旋向上状态的电子可以经由磁化的注入体产生。磁电子注入阴极(例如铬掺杂的氧化铟锡)形成注入到光发射层的、自旋向上极化的电子。在自旋向上状态中的电子与空穴的辐射复合引起具有右旋螺旋性的手性光的发射。电子自旋选择性阴极可以例如由以下制成:铬掺杂的氧化铟锡(Cr:ITO);铬掺杂的氧化铟(Cr:IO);任何透明的半金属(用K2S掺杂(大约5%掺杂)的Mo、Zr、Nb、Ru以及Tc);用K2O掺杂(大约5%掺杂)的Zr,Tc和Ru;或者用K2Se、K2Te或者Rb2S掺杂的Zr、Nb和Ru;任何透明的霍伊斯勒合金;来自称为是半金属性的一类材料并且具有分子式X2YZ(其中X和Y是过渡元素,即在周期表上的IB族到VIIIB族,并且Z是III族、IV族或者V族元素)的任何化合物。
在一些实施方式中,磁化的注入体可以与电子隧穿势垒层一起使用以在较高的环境温度下获得与单独自旋筛选或者单独磁化的注入体能获得的电流相比更纯净的自旋极化电流。磁化的注入体可以用来供应预自旋极化电流(例如自旋向上)到隧穿势垒,隧穿势垒接着滤除任何剩余的在自旋向下状态中的电子。在自旋向上状态中的极化电子也可以通过混合的自旋注入隧穿过滤器来产生。与空穴的电子对应物类似,空穴可考虑为存在于两种单独的量子自旋状态中。因此,单个螺旋性的手性光可以通过电子与自旋极化的空穴的辐射复合来产生。单个螺旋性的手性光也可以通过自旋极化的电子与自旋极化的空穴的辐射复合来产生。
图6A示出了包括有机发光二极管(OLED)堆叠的、定向性偏置的光发射器件的示例。在图6A中示出的示例器件600是包括透明的有机光发射层(OLEL)602的TOUPLED。OLEL 602包括阴极604、电子注入层606、电子输运层608、有机的光发射层610、空穴输运层612以及阳极614。光学上活性的反射层可以布置在堆叠的阴极或者阳极上。在图6A中示出的示例中,光学上活性的反射层630布置在阴极604上。
在图6A示出的示例中,阳极614包括为ITO和玻璃的导电阳极。ITO层近似为42纳米(42-nm)厚。光发射层602也包括由三氧化钼(MoO3)层制成的、大约20nm厚的层间电短路减少层613以及空穴输运层612,在这个示例中包括为N,N′-di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine(NPB)的层,该层大约55nm厚。光发射层610由Alq3+C6制成,并且大约60nm厚,并且电子输运层608大约40nm厚,并且由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)制成。电子注入层606大约0.5nm厚,并且由氟化锂(LiF)制成。在图6A的示例中,阴极604包括ITO和铝(Al)。ITO层大约65nm厚,并且铝层大约100nm厚。铝层的出现允许可以溅射,或者通过其他方式而施加ITO到电子注入层606上。
在另一实施方式中,阴极可以包括为ITO和玻璃的导电阴极、碳酸铯(CsCO3)电子注入层、为Bphen的电子输运层,为Alq3+C6的光发射层、MoO3和NPB的空穴输运层以及为银(Ag)和ITO的阳极。阳极的银部分可以是光可以通过的银薄层,并且银作为允许ITO溅射到空穴输运层上的保护性层而起作用。
器件600还包括光学上活性的反射层630。光学上活性的反射层630包括玻璃层632以及大约30nm到40nm厚并且水平地抛光的取向涂层634。取向涂层634层布置在右旋GLC 636的两侧上,GLC 636大约8-μm厚,并且玻璃层638布置在GLC层636的相对侧上。折射率匹配粘合剂层640布置在玻璃层638上,并且竖直地抛光并且大约30nm到40nm厚的取向涂层646布置在大约8μm厚的左旋GLC 648的两侧上。玻璃层652和折射率匹配粘合剂层654也包括在光学上活性的反射层630中。在图6A示出的示例中,右旋GLC和左旋GLC两者都调整为具有大约75nm宽并且中心在525nm的反射带。
在这些实施方式的两者之任一中,光学上活性层630可以与阴极604或者阳极614相邻。在图6A的示例中,光学上活性层630与阴极604相邻并且来自器件600的定向性偏置的光从器件的底部650发射。
层的厚度可以是除了在图6A中的示例中指定的以外的其他值。在一些实施方式中,空穴输运层612可以在5nm和100nm之间的厚度,有机的光发射层610可以具有在10nm到几百纳米之间的厚度,电子输运层608可以具有10nm到几百纳米之间的厚度并且薄金属电子注入层606(在图6A的示例中是铝)可以具有在10nm到几百纳米之间的厚度。
图6B图示了在图6A中示出的器件600的发射特性。发射特性包括曲线690和曲线695,每个表示作为从器件600发射的辐射的波长的函数的强度。曲线690示出来自器件600的底部的发射,并且曲线695示出来自器件600的顶部的发射。如图6B中看到的,器件600定向性偏置使得来自器件600的底部的发射强度大于来自器件600的顶部的发射。来自器件600的顶部的发射主要由从器件600的泄露引起。然而,来自器件600的底部的发射由来自光发射层602的光反射离开光学上活性的层630而引起。因此,来自器件600的底部的发射在强度上显著地大于来自器件600的顶部的发射,并且由于包括在光学上活性的层630中的GLC层636和648的反射带的调整,来自器件600的底部的发射以大约525nm的波长为中心。
在一些实施方式中,TOUPLED还可以包括布置在阴极和阳极之间的附加的层,每个层具有不同的组成并且执行不同的功能。这样的材料应当由于它们的电荷迁移率特性而选择,以在那里期望不受限制的电荷输运的连续的层界面之间生成平滑的能量级转换(电离势),或者在期望电荷载流子复合的局部化的地方生成能量势垒。材料可以是小分子或者聚合物。例如,TOUPLED可以包括电子输运层(ETL),例如电子输运层35。ETL可以有效地跨层表面分散负电荷载流子(电子)的注入电流,并且ETL在ETL和ETL的与阴极相对的一侧上的层的边界处提供均匀电流。ETL还可以作为正电荷载流子(空穴)阻挡层起作用以提升在光发射层中的电荷载流子复合的可能性和局部化。自旋极化电子输运层可以改善注入电子的自旋极化状态被保留的概率。适当的ETL材料包括但是不限于4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)或者三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
在另一些实施方式中,可以提供空穴输运层(HTL)(例如空穴输运层36)以有效地跨HTL分散正电荷载流子(空穴),使得将均匀电流(空穴)提供到与HTL相邻的层的表面,该层可以是光发射层。HTL还可以作为负电荷载流子(电子)阻挡层起作用,以提升在光发射层中的载流子复合的可能性和局部化。可以连续地使用一个或者多个HTL层。HTL可以由包括但是不限于以下的大量材料制成:N,N′-di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine(NPB)或者4,4’-bis[N(1-naphyl)-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)(NPD)、1,3,5-Tris(diphenylamino)benzene 97%(TDAB),或者由诸如以4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(2-TNATA)作为小分子示例或者以聚(2-乙烯基萘)作为聚合物示例的TDATA族制成。可以将掺杂剂材料添加到HTL中以改善器件的寿命和效率。例如,NPB可以用三氧化钼(MoO3)掺杂以降低空穴注入势垒,改善界面稳定性,以及抑制HTL的结晶化。
在一些实施方式中,作为ETL或者HTL起作用的材料/物质可以包括并入到光发射层以产生电致发光发射的相同材料。如果HTL或者ETL作为这样的器件的发射层(例如,光发射层)起作用,那么TOUPLED可以称为具有单个异质结构。替代地,具有包括在HTL和ETL之间的单独电致发光材料层的TOUPLED可以称为具有双重异质结构。因此,用于产生电致发光的异质结构可以制造为单个异质结构或者双重异质结构。
在一些实施方式中,可以在连续的层之间插入一个或者多个缓冲层以降低连续的层的功函数之间的突变差别势垒高度。
光发射层的材料特性决定了从OLED发射的辐射的波长,并且因此决定了颜色。通过为具有诸如香豆素6(C6)的材料的光发射层选择不同的有机固体,或者通过对用来制成光发射层的有机固体进行掺杂,发射的辐射的颜色可以变化。在一些实施方式中,单个的TOUPLED堆叠包括光发射层,该光发射层发射特定颜色的光,并且在另一些实施方式中,TOUPLED包括多个光发射层,每个光发射层发射不同颜色的光。应当选择具有窄带发射(饱和颜色)的TOUPLED光发射材料。用于光发射层的适当材料包括但是不限于以下:作为小分子示例的三(1,10-菲罗啉)钌(II)氯化物水合物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、二(8-羟基喹啉)锌(Znq)或者作为聚合物示例的聚(9,9-双(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-次亚乙烯基)。
另外,在一些实施方式中,由有机的光发射层(OLEL)发射的辐射的波长可以通过添加荧光和/或磷光材料来修改,该荧光和/或磷光材料吸收由光发射层发射的光并且再发射较长波长的辐射。在一些实施方式中,发射的辐射的颜色可以通过在TOUPLED和观察者之间放置彩色膜或者荧光膜来改变。
TOUPLED还包括光学上活性的反射层,例如光学上活性的反射层2、光学上活性的反射层202、光学上活性的反射层405和光学上活性的反射层420、光学上活性的反射层28和光学上活性的反射层29,或者光学上活性的反射层38。光学上活性的反射区域可以是光学上活性的手性光阻挡层(OA-LBL)。适合于使用为OA-LBL的材料包括,例如双色材料、包括不对称碳原子的有机的化合物、和来自诸如形成玻璃的手性向列型液晶(GLC)以及手性电介质雕塑薄膜波长选择性反射器之类的无机化合物。另外,作为OA-LBL起作用的层可以使用与使用来沉积TOUPLED的其他层的方法类似的方法进行沉积。使用涉及在制造工艺期间控制在其上制造薄膜的衬底的运动的技术来制造雕塑薄膜。雕塑薄膜的制造涉及在沉积工艺期间关于两个轴旋转衬底的计算机化的控制。
在一个实施方式中,OA-LBL可以包括GLC层,GLC层是包括准向列型液晶层的螺旋性堆叠的胆甾型薄膜。GLC膜的光学特性很大程度上由手征(即左旋或者右旋)和螺距长度决定。GLC膜的手征由累积的向列型液晶指向矢旋扭的旋转方向决定,该旋扭源自每个连续的准向列型液晶层关于膜的预期光学轴的旋转。螺距长度是完成光学指向矢360度旋转所需的距离。胆甾型液晶膜可以由准气动层的螺旋性的堆叠而制成,并且手偏性(右手偏性或者左手偏性)描述从一个层到另一个层向列型指向矢的旋扭发生的方向。螺距长度是沿着辐射的传播方向上通过层距离,在该距离上指向矢旋转了360°。
胆甾型液晶可以从已经用非常低浓度的手性掺杂剂进行了掺杂的向列型液晶得到,并且胆甾相的胆甾型液晶螺距对手性掺杂剂的结构修改敏感。因此,初始螺距主要由特定手性掺杂剂的选择决定,并且GLC层的反射带可以通过选择特定掺杂剂分子而不必在GLC层上执行后续的光调制而设定。GLC膜选择性地反射给定波长的能力由螺距长度和准向列型层的非常折射率和正常的折射率之间的关系支配。这些非常折射率和正常折射率之间的差别决定了GLC膜的整体的光学双折射,这反过来决定选择性反射波长带的宽度。与这个选择性反射带相关联的波长可以通过修改GLC的化学组成而改变。另外地或者替代地,反射带可以通过例如GLC膜的光调制或者改变或者调节GLC膜的分子比率而调整。在一些实施方式中,反射带可以通过使用光调制和分子比率的调节两者来调节,例如通过调节在GLC膜中的材料的分子比率并且然后对该GLC膜进行光调制。
在一些实施方式中,GLC层的反射带可以考虑为作为光学陷波滤光器起作用,该滤光器具有通过调节GLC膜由其制成的材料之间的分子比率而设定(或调整)的反射带。例如,GLC光学陷波滤光器可以具有两个相邻的单手性GLC膜,而每个膜具有与另一个膜相反的手征。在这个实施方式中,每个GLC膜包括适当比率的右旋(R)和左旋(S)玻璃态胆甾型材料,例如分别是2N1CH-R和2N1CH-S。可以调节左旋玻璃态胆甾型材料与右旋玻璃态胆甾型材料的比率以调整GLC膜的反射带。这个比率可以称作GLC比率,并且可以认为是右旋(R)玻璃态胆甾型材料与左旋(S)玻璃态胆甾型材料的分子比率。例如S分子与R分子81∶19的GLC比率产生“S”分子的对映体过量,该对映体过量产生在特定波长范围内的单一左旋膜。相反的GLC比率(S比R为19∶81)产生“R”分子的对映体过量,该对映体过量产生在相同或者几乎相同的波长范围内的单一右旋膜。调节GLC比率将偏移GLC膜的反射带,并且因此可以认为是调整GLC膜。另外,可以修改玻璃态胆甾型材料的分子组成以调节光学陷波的宽度(例如,反射带的频谱宽度)。来自通过引用的方式全部并入于此的美国专利No.7,001,648的GLC分子的一个示例结构如下所示。
在具有多个GLC膜的实施方式中,GLC膜可以通过相互重叠或者相互部分地重叠,使得入射到一个GLC膜上并且传播通过该GLC膜的辐射也入射到另一GLC膜上而相互相邻。相邻的GLC膜可以通过相互接触而重叠,或者在不必彼此接触的情况下GLC膜可以相互接近定位,使得辐射从一个膜传递到另一个膜。可以对GLC膜取向使得一个GLC膜的光学指向矢与另一个GLC膜的光学指向矢垂直。
在一些实施方式中,可以通过在沉积的GLC膜上完成光调制过程来增大或者减小GLC反射带波长。在一些实施方式中,光调制过程包括将GLC薄膜加热到在膜的玻璃转化温度(Tg)以上的点,接着用紫外(UV)辐射照射一段时间。膜的玻璃转化温度依赖于膜的化学组成。GLC薄膜也可以加热到接近膜的临界温度(Tc)的温度。例如,具有68℃的Tg和134℃的Tc的GLC可以加热到120℃(因此GLC薄膜加热到距离Tc为14℃的温度)。加热之后接着是一段时间的UV辐射,例如用具有波长为334nm并且强度为70mW/cm2的紫外辐射。
向UV辐射的暴露时间越长,所产生的向列型液晶的螺距长度越长,并且因此GLC薄膜的选择性反射带的波长越长。照射时间依赖于起始(未调制的)反射带,但是照射时间是足够改变GLC薄膜的反射波长带的持续时间。初始反射带越接近最终期望的反射带,则所要求的照射时间越短。通常,在可见光光谱范围内,照射时间可以持续几十秒到几十分钟。例如,将反射带从400nm偏移到550nm的照射时间是大约是10分钟,而从400nm到750nm的带偏移可以是约40分钟。使用来照射GLC膜的辐射可以是非偏振的UV光。如果仅GLC光学陷波滤光器(堆叠的左GLC旋滤光器和右旋GLC滤光器)同时地进行光调制(调整),则使用UV光。
然后膜冷却到(Tg)以下的一点(通常是室温),在该点处,获得的选择性反射波长在GLC薄膜的固态中变得冻结。
在一些GLC材料中,光调制过程是可逆的,其中将具有预定选择性反射带的GLC薄膜加热到(Tg)以上,接着用比选择性反射带短的波长来照射该膜足够的时间段降低向列型液晶的螺距长度,从而降低GLC选择性反射带的波长。之后冷却到Tg以下的点将会将反射波长冻结在GLC薄膜的固态中。在TOUPLED应用中,在一个实施方式中,选择具有给定手征(左旋或者右旋)的GLC OA-LBL层以与螺旋偏振的光发射层的手征匹配,并且将其沉积在TOUPLED衬底的暴露的一侧上。GLC层后续地进行光调制(调整)以包含由有机的光发射层发射的波长带。光调制过程可以通过使用外部辐射源或者通过使用由TOUPLED光发射层自身发射的光来实现。
在其他实施方式中,TOUPLED光发射层包括获得小于理想程度的螺旋偏振发射的光发射层。在这个实施方式中,右旋手征的GLC OA-LBL层和左旋手征的GLC OA-LBL层连续地沉积在TOUPLED衬底的暴露的侧上。跟随着沉积的是,两个层都经历相同的光调制过程以调整GLC OA-LBL层来包含由有机的光发射层发射的波长带。光调制过程可以通过使用外部辐射源或者通过使用由TOUPLED光发射层自身发射的光来实现。具有右旋螺旋性的手性光可以由右旋OA-LBL反射,而具有左旋螺旋性的手性光可以由左旋OA-LBL来反射。在自旋向上状态中的电子产生具有右旋螺旋性的手性光波,其接着由右旋OA-LBL反射。结果是透明的器件,该器件仅从器件的不具有该一个或者多个OA-LBL层的器件侧来发射手性光。
环境光随机地偏振并且包括在各个方向上偏振的波形的组合。大部分环境光具有在OA-LBL阻带(也称为反射带)之外的波长,并且因此由OA-LBL层透射。相对小部分的落入到OA-LBL阻带之内并且也与OA-LBL的手征匹配的环境光被反射。在TOUPLED之内从自旋向上状态中的电子族群而产生的手性光,例如从器件的顶部发射并且由在器件底部的OA-LBL吸收或者反射。相比而言,器件对在任一方向上通过该器件的环境光均等地透明。
参照图7,示出了用于制造定向性偏置的光发射器件的示例过程700。偏振光发射器件可以是如以上论述的TOUPLED。形成辐射发射层(710)。包括辐射发射材料的辐射发射层布置在透明的阳极和透明的阴极之间。辐射发射材料具有光谱发射带,使得从辐射发射材料发射的所有的辐射或者几乎所有的辐射具有落入发射带之内的波长。辐射发射材料的发射带依赖于辐射发射层由其制成的材料的特性,例如折射率。辐射发射材料可以是由诸如例如Alq3+C6的有机材料制成的光发射层。辐射发射材料可以是如以下的光发射层:以上论述的光发射层7、光发射层201、光发射层330、光发射层410、光发射层22以及光发射层32。
相邻于辐射发射层沉积光学上活性的反射层(720)。因此,光学上活性的反射层可以在辐射发射层的阳极侧上或者在阴极侧上。光学上活性的反射层可以包括形成玻璃的手性向列型液晶,并且光学上活性的反射层具有称为反射波长带的光谱反射带。光学上活性的反射层对具有在反射带内的波长的辐射进行反射。光学上活性的反射层极少透射(如果有的话)具有在反射带中的波长并且具有与光学上活性的反射层相同的手征的辐射(因为光学上活性的反射层反射这样的辐射)。光学上活性的反射层可以沉积在透明衬底上,例如诸如以上讨论的衬底4、衬底204、衬底340、衬底420、衬底24以及衬底34。透明衬底可以位于光学上活性层与辐射发射层之间,但是不必是这种情况。光学上活性的反射层可以包括由右旋材料制成的第一玻璃态液晶(GLC)膜以及与第一GLC膜相邻的、由左旋材料制成的第二GLC膜。
调节光学上活性的反射层的反射波长带以至少部分地包含辐射发射层的发射波长带(730)。因此,在调节了光学上活性层的反射波长带之后,光学上活性层对从辐射发射层发射的辐射进行反射。然而,因为器件的层对于环境光透明,器件的用户能够看穿器件。因此,如以下论述的,器件可以用于视线中照明应用。如以上论述的,调节光学上活性的反射层可以包括对光学上活性的反射层进行光调制、调节光学上活性的反射层的分子组成或者在调节光学上活性的反射层的分子组成之后对光学上活性的层进行光调制。
第二光学上活性层可以沉积在(720)中沉积的光学上活性层上。第二光学上活性层具有与先前沉积的光学上活性层相反的手征。因此,如果先前沉积的光学上活性层具有左旋手征,则第二光学上活性层具有右旋手征。可以与第一光学上活性的反射带相独立地调节第二光学上活性层的反射波长带,并且在分离的衬底上进行调节。一旦第二光学上活性层的反射带经调节,则第二光学上活性层可以粘合在TOUPLED器件的一侧上。
以上论述的定向性偏置的、透明的光发射器件(例如器件200、器件300、器件400、器件500A、器件500B以及器件600)可以使用在电子显示器中、在视线照明应用中以及在双侧透明的显示器应用中。例如,器件可以使用在非透明的平板显示器中以及平板显示器的标准应用中,并且器件可以使用在透明平板电子显示器中,包括具有薄膜晶体管(TFT)背板的、基于有源矩阵的显示器,基于无源矩阵的显示器,单色显示器或者全色显示器。为了在电子显示器中使用该器件,GLC层可以像素化,使得GLC层的部分可以单独地进行寻址。
为了在单色显示器中使用光发射器件,可以使用由组成显示器的所有的或者多个像素共享的单个光学上活性层(例如GLC或者雕塑薄膜)。对于全色显示器,在其中红色像素、绿色像素和蓝色像素的组布置为空间图案并且用来制成多色显示器,GLC层的各个部分的反射带可以通过将GLC层的各个部分暴露给光调制来选择性调整。以这种方式,GLC可以视为进行了像素化。
图8A到图8C图示了对GLC或者其他光可调整光学活性材料进行像素化的示例过程。
参照图8A,红色光发射层810,绿色光发射层812和蓝色光发射层814沉积在玻璃衬底820上。红色光发射层810、绿色光发射层812和蓝色光发射层814中的每一个可以是分别发射红色光、绿色光和蓝色光的OLED。将光可调整的光学上活性的反射层825布置在发射层810、发射层812以及发射层814上。
参照图8B,具有开口832和834的阴影掩模830定位在光可调整的活性的反射层825上。开口832和开口834的大小根据与要形成在光学上活性的反射层825上的像素的大小相对应而确定。UV辐射840指向阴影掩模830并且穿过开口832和开口834以分别照射光学上活性层825的部分826和部分827。部分826和827暴露给UV辐射840足够量的时间,以调整部分826和部分827的反射带,使得部分826和部分827反射具有与层825相同螺旋性的红色光。后续地,阴影掩模830可以相对于光学上活性层825重新定位(未示出)使得光学上活性层825的其他部分暴露在UV辐射840中。结果,依赖于暴露UV辐射840的持续时间,这些部分中的每一个的反射带调整成反射红色光、绿色光或者蓝色光。
参照图8C,重复光学上活性的反射层825的局部照射,以产生除了部分826和部分827之外的部分832(反射绿色光)以及部分834(反射蓝色光)。因此,光学上活性的反射层825已经被像素化为反射红色光的部分(这可以是像素)、反射绿色光的部分以及反射蓝色光的部分。结果,从光发射层810、光发射层812以及光发射层814发射的光分别从光学上活性的反射层825的部分832、部分827以及部分834反射并且穿过透明衬底820。
因此,图8A到8C图示了用于对光学上活性的反射层(例如GLC)进行像素化的过程。然而对于在其中最大化环境光的透射并非优先的应用中,并非将光学上活性的反射层像素化为具有单独定制的反射带的单独像素或者单独部分,光学上活性层可以沉积成跨过发射器件的整个高度和/或宽度,或者跨过发射器件部分高度或者宽度的连续条、多个连续条或者片。与包括像素化的GLC的实施方式相比,使用单个、非像素化的光学上活性的反射层的配置可以更简单和/或更便宜的方式制造。
图9A到图11A各自示出包括多个单个光学上活性的反射层的、定向性偏置的光发射器件的示例配置的透视图。图9B到图11B分别示出了图9A到图11A中示出的配置的纵截面视图。
参照图9A,定向性偏置的光发射器件910包括像素915、透明衬底920、具有调整成反射红色光的反射带的光学上活性层925、具有调整成反射绿色光的反射带的光学上活性层930以及具有调整成反射蓝色光的反射带的光学上活性层935。像素915可以是优选地从底部(与透明衬底920相接触的一侧)发射光的OLED,并且光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935中的每一个在所有像素915之间共享。光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935可以不同的顺序布置,如图10A和图11A所示出的。
在操作中,像素915对光透明,并且因此能够从两侧发射光(从像素的顶部和底部)。然而,由像素915发射的光优选地朝向像素的底部发射(即朝向透明衬底920)。从像素的底部发射的光穿过透明衬底920并且从具有包括从像素发射的光的波长和手性的反射带的层925、层930以及层935中的一个反射。例如,像素918发射蓝色光,该光从像素918的底部传递通过衬底920并通过红色层925。该光然后从蓝色层930反射并且作为蓝色光通过像素918的顶部离开。来自像素918的蓝色光并不到达绿色层935。像素919从像素919的底部发射绿色光。发射的光在光从绿色光学上活性层935反射之前穿过红色光学上活性层925以及蓝色光学上活性层930。反射的光由蓝色光学上活性层930以及红色光学上活性层925、衬底920以及像素919透射以作为绿色光离开显示器910。像素917发射红色光到衬底920中,并且光从红色光学上活性层925反射,并且作为红色光离开器件910。
参照图9B,示出了沿着线“A”获得的器件910的纵截面的侧视图。如图9B中所示,光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935每个都在像素917、像素918、像素919下面。虽然未示出,光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935也在其余的像素915的下面。
参照图10A,示出了定向性偏置的光发射器件1010的透视图。除了像素915沉积在光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935上,而不是透明衬底920上之外,显示器器件1010与器件910相似。在图10A示出的实施方式中,光学上活性层925、光学上活性层930以及光学上活性层935沉积在透明衬底920上。因此,在这个实施方式中,从像素918底部发射的光在不穿过透明衬底920的情况下反射离开蓝色光学上活性层930。由于,例如由于光从像素915传递到适当的光学上活性层,由光穿过衬底920引起的损耗降低,这个实施方式可以产生改善的性能(例如从器件1010的增强的亮度)。
图10B示出了沿着线“B”获得的器件1010的纵截面的侧视图。
图11A示出了定向性偏置的光发射器件1100的透视图。在器件1100中,像素915沉积在衬底920上,并且光学上活性的反射层925、光学上活性的反射层930以及光学上活性的反射层935粘合在像素915上。在这个实施方式中,光学上活性的反射层形成在分离的衬底上,经调整使得光学上活性层各自的反射带反射红色光、绿色光或者蓝色光,然后将光学上活性层粘合到像素915。在这个实施方式中,光优选地从像素915的顶部发射,从合适的光学上活性层反射离开,再次通过像素915,并且通过透明衬底920而离开器件1100。在这样的设计中,衬底920可以为像素915提供保护以及提供用于沉积的平台。图11B示出了沿着线“C”获得的器件1100的纵截面的侧视图。
在图9A到图11A示出的示例中,像素915布置成三角形配置,在其中发射特定颜色光的像素沿着对角线布置。然而,像素915可以布置成适合于RGB显示的不同配置。例如,像素915可以布置成条图案,该条图案包括红色光发射体、绿色光发射体以及蓝色光发光体的交替的连续段。在另一个示例中,像素915可以布置成马赛克图案或者Pentile图案。Pentile图案可以从韩国三星电子有限公司获得。
参照图12,示出了堆叠的透明的光发射器件。单个像素或者发射层1200沉积在透明衬底1205上。像素1200包括蓝色光发射层1210、反射蓝色光的光学上活性的反射层1215、绿色光发射层1220、反射绿色光的光学上活性的反射层1225、红色光发射层1230以及反射红色光的光学上活性的反射层1235。在图12示出的实施方式中,光发射层1210、光发射层1220以及光发射层1230中的每一个层与控制从每个光发射层的光的发射的透明的阳极(未示出)以及透明的阴极(未示出)相关联。
图12中示出的实施方式与在图9A到图11A中示出的那实施方式不同,因为在器件1200中的每个光发射层具有与发射层相邻的、相应的光学上活性的反射层。因此,在器件1200中,从一个光发射层发射的光从相邻的层反射,而不是行进通过多个层(在图9A到图11A中示出的实施方式中可以是这种情况)。结果,由于最小化了波引导,实现了改善的性能(例如,从器件1200的顶部发射的光的强度更大)。
参照图13,示出了作为堆叠的透明的光发射器件的TOUPLED。图13示出由光发射层堆叠的部分的选择性激活而像素化的器件1300。器件1300包括各种光发射层,每个层具有相应的透明的阴极,并且每个阴极共享共同的透明的阳极。共同的阳极划分成分离的段,并且激活阳极的特定段和一个阴极引起光从光发射层的相应的部分发射。
更详细地说,器件1300包括蓝色光发射层1310、绿色光发射层1320以及红色光发射层1330。透明的阴极1340与蓝色光发射层1310相接触,透明的阴极1350定位在蓝色光发射层1310与绿色光发射层1320之间,以及透明的阴极1360定位在绿色光发射层1320与红色光发射层1330之间。透明的阳极1370分段成部分1371到部分1375,使得依赖于阳极1370的哪个部分被激活,光从特定光发射层,并且从该光发射层的特定部分发射。例如,激活阳极部分1372和阴极1360引起红色光1380从红色光发射层1330发射。
器件1300还包括沉积在透明衬底1380上的光学上活性的反射层1385、1390以及光学上活性的反射层1395。光学上活性反射层1385、光学上活性的反射层1390以及光学上活性的反射层1395调整成分别反射蓝色光、绿色光以及红色光。继续红色光1380的示例,红色光1380反射离开光学上活性的反射层1395,向上传播通过其他光学上活性的反射层1385和1390(这两者都不反射红色光),通过透明的阳极1370,光发射层1310、光发射层1320以及光发射层1330,以及阴极1340、阴极1360和阴极1370以通过透明的阴极1370离开器件1300。
因此,图8A到8C、图9A到图11A、图9B到图11B、图12以及图13所有都示出包括光学上活性的反射层的透明的器件,该光学上活性的反射层引起器件优选地从器件的一侧发射光。通过调整一个或者多个光学上活性层的反射带可控制发射的光的光谱内容。用户可以看穿这样的器件,因此除了显示器之外,在其中使用了像素化的光学上活性反射体或者在其中使用了具有单一手征(即左旋或者右旋)的光学上活性层的实施方式中,这些器件可以放置在用户的视线中,并且用来照亮在用户视野中的区域。
除了使用在以上提到的标准显示器中之外,透明的光发射器件可以使用在透明的平视显示器(HUD)中用于显示信息或者用于在虚拟或者增强现实应用中使用。平视显示器可以是在用户的视线中呈现视觉数据的透明的显示器,使得用户可以在不需要离开他们通常的视点的情况下观察数据。以上讨论的TOUPLED可以使用在各种平视显示器中。例如TOUPLED可以使用在交通工具的HUD以及通用的照明应用中,通用的照明应用例如在交通工具(例如飞机、汽车、摩托车)的挡风玻璃上显示信息的应用、汽车信号灯、空中交通控制以及视觉降落辅助照明。
TOUPLED也可使用在装配在头盔上的HUD应用中,例如飞机飞行员护目镜HUD、战斗士兵护目镜HUD、例如由搜索和救援工人使用的嵌入式保护性头盔护目镜HUD、以及由运动员使用的护目镜(例如足球头盔护目镜)。另外地,TOUPLED可以使用在建筑的HUD应用中,例如数字标牌(例如,广告牌、建筑物上的“壮观”或者建筑显示器)、使用于窄播的零售显示器、以及窗口式或者嵌入式显示器。TOUPLED还可以使用在个人电子设备应用中,例如近眼平视显示器中,其中TOUPLED显示器器件集成在装配在头部的器件上,例如一副眼镜、太阳镜或者护目镜。这样的器件可以针对虚拟的现实应用或者增强现实应用来利用。在一些实施方式中,TOUPLED可以是非常接近眼睛的显示器的部分,在其中TOUPLED显示器器件集成在用于与眼睛直接接触的曲面上(例如隐形眼镜)。TOUPLED器件还可以使用在个人台式和膝上式计算机显示器中、便携式电子设备(例如PDA、蜂窝电话、数字音乐播放器、数字游戏播放器、GPS设备以及电子阅读器)中。
TOUPLED还可以使用在光敏器件中,在其中TOUPLED透明的显示器像素矩阵与集成电路(例如互补金属氧化物半导体(CMIOS)电路)上的光检测器交织。TOUPLED还可以使用在用于电子图像的三维观看的立体显示器中。在立体显示器中,从单个TOUPLED显示器器件产生两个图像。图像中的每一个用自旋极化TOUPLED像素生成,每个像素反射纯或者近似纯的螺旋偏振光。这样的系统可以要求观看者戴上具有偏振滤光透镜的眼镜以允许每个眼睛感知由显示器生成的两个分离的图像。
TOUPLED还可以使用在双侧透明的显示器应用中。在这样的显示器中,两个TOUPLED器件联合,使得每个器件的各自光学上活性的阻挡层相互相邻。光以相对的方向从每个器件发射以形成在相互相对的两侧都活跃的显示器。TOUPLED还可以使用来照明区域并且使用在有源的电光伪装系统中。
TOUPLED器件可以使用在针对任务的视线照明中。例如,TOUPLED可以使用在装配在头部的器件中以提供装配在头部的照明。由于TOUPLED是透明的并且从一侧发射光,装配在头部的设备可以装配在用户的视线中,使得当用户也通过TOUPLED观看区域时,在用户的视线中的该区域被照明。TOUPLED还可以使用在使用和/或提供视觉反馈的系统中。例如,TOUPLED器件可以集成在工业或者医学上的内孔窥视仪透镜、显微镜透镜以及其他检查器件中。TOUPLED器件还可以使用或者集成在照相机中。
应当理解,其他修改也在权利要求的范围内。例如,虽然以上论述了红色发光体、蓝色发光体和绿色发光体,但是也可以使用其他颜色。
Claims (33)
1.一种透明的定向偏振光发射器件,器件包括:
透明的阳极和透明的阴极;
在所述阳极和所述阴极之间的辐射发射层;
光学上活性的反射层,其具有的反射带与从所述辐射发射层发射的辐射的手征匹配并且所述反射带至少部分地包含从所述辐射发射层发射的辐射的波长带,所述光学上活性的光阻挡层位于所述辐射发射层的一侧上;以及
与所述光学上活性的反射层相邻的透明衬底。
2.根据权利要求1的器件,其中所述辐射发射层包括有机的光发射层。
3.根据权利要求1的器件,其中所述辐射发射层包括无机的光发射层。
4.根据权利要求3的器件,其中所述无机的光发射层包括量子点发射体。
5.根据权利要求1的器件,进一步包括位于所述阳极和所述辐射发射层之间的空穴输运层。
6.根据权利要求1的器件,进一步包括位于所述辐射发射层和所述阴极之间的电子输运层。
7.根据权利要求6的器件,进一步包括位于所述阴极和所述电子输运层之间的电子隧穿势垒层。
8.根据权利要求1的器件,进一步包括与所述辐射发射层相邻的电子隧穿势垒。
9.根据权利要求2的器件,其中所述有机的光发射层包括手性有机的光发射分子的非外消旋化合物。
10.根据权利要求2的器件,其中:
所述有机的光发射层包括形成玻璃的手性向列型液晶(GLC),所述用手性向列型液晶用有机的光发射掺杂剂嵌入,以及
所述有机的光发射层发射手性光。
11.根据权利要求1的器件,其中所述透明的阴极是自旋极化的电极。
12.根据权利要求11的器件,其中所述透明的阴极是铁磁性的电极和半金属的电极中的一个。
13.根据权利要求1的器件,其中所述透明的阳极是自旋极化的电极。
14.根据权利要求1的器件,其中所述光学上活性的反射层包括形态学上稳定的形成玻璃的手性向列型液晶(GLC)。
15.根据权利要求1的器件,其中所述光学上活性的反射层包括胆甾型液晶。
16.根据权利要求1的器件,进一步包括与所述光学上活性的反射层相邻的第二光学上活性的反射层,并且其中所述第二光学上活性的反射层的反射带具有与所述光学上活性的反射层的反射带相反的手征并且至少部分地包含从所述辐射发射层发射的辐射的波长带。
17.根据权利要求14的器件,其中所述第二光学上活性的反射层包括形态学上稳定的形成玻璃的手性向列型液晶(GLC)。
18.根据权利要求1的器件,其中所述透明的阳极和所述透明的阴极透射可见光。
19.根据权利要求1的器件,其中所述光学上活性的反射层包括雕塑薄膜。
20.根据权利要求1的器件,其中所述光发射层包括手性材料。
21.一种制造偏振光发射器件的方法,所述方法包括:
形成辐射发射层,所述辐射发射层包括辐射发射材料,所述辐射发射材料配置成发射具有包括在发射波长带中的波长的辐射,并且所述辐射发射材料布置在透明的阳极和透明的阴极之间;
沉积成与所述辐射发射层相邻的、光学上活性的反射层,所述光学上活性的反射层包括形成玻璃的手性向列型液晶(GLC),并且所述光学上活性的反射层配置成反射具有包括在所述光学上活性的反射层的反射波长带中的波长的辐射;以及
调节所述光学上活性的反射层的反射波长带以至少部分地包含辐射发射层的发射波长带。
22.根据权利要求21的方法,其中所述辐射发射材料包括有机的光发射层。
23.根据权利要求21的方法,其中调节所述光学上活性的反射层的反射波长带包括:
将所述形成玻璃的手性向列型液晶加热到玻璃转化温度(Tg)以上并且接近所述形成玻璃的手性向列型液晶的临界点(Tc);
用电磁辐射来照射所述光学上活性的反射层一段持续时间,所述持续时间足够改变所述光学上活性的反射层的反射波长带以至少部分地包含所述辐射发射材料的发射波长带;以及
将所述光学上活性的反射层冷却到所述玻璃转化温度(Tg)以下的温度。
24.根据权利要求23的方法,其中照射所述光学上活性的反射层包括用紫外(UV)辐射照射所述光学上活性的反射层。
25.根据权利要求21的方法,其中调节所述光学上活性的反射层的反射波长带包括调节所述形成玻璃的手性向列型液晶的分子组成。
26.根据权利要求21的方法,其中调节所述光学上活性的反射层的反射波长带引起所述反射波长带的宽度改变。
27.根据权利要求21的方法,其中所述辐射发射材料包括无机的光发射层。
28.根据权利要求21的方法,其中:
所述光学上活性的反射层包括由右旋玻璃态胆甾型材料制成的第一GLC膜和由左旋玻璃态胆甾型材料制成的第二GLC膜,所述第二GLC膜与第一GLC膜相邻,以及
调节所述光学上活性的反射层的反射波长带包括调节所述右旋玻璃态胆甾型材料与所述左旋玻璃态胆甾型材料的分子比率。
29.根据权利要求28的方法,其中,为了调节所述光学上活性的反射层的反射带,而调节所述第一GLC膜和所述第二GLC膜两者的分子组成。
30.根据权利要求21的方法,进一步包括:
在所述光学上活性的反射层上沉积第二光学上活性的反射层,所述第二光学上活性的反射层和所述光学上活性的反射层具有相反的手征;以及
调节所述第二光学上活性的反射层的反射波长带以至少部分地包含所述光发射层的发射波长带。
31.根据权利要求30的方法,其中所述光学上活性的反射层连续地沉积,在单独的衬底上调节所述第二光学上活性的反射层的反射波长带,并且在调节了所述第二光学上活性的反射层的反射波长带之后,所述光学上活性的反射层粘合在所述透明的偏振光发射器件的一侧。
32.根据权利要求21的方法,其中所述光学上活性的层沉积在透明衬底上。
33.根据权利要求32的方法,其中所述透明衬底位于所述光学上活性的反射层与所述光发射层之间。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103165823A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | Oled器件的半透明阴极及oled器件 |
WO2014015612A1 (zh) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种透明显示器 |
CN104167496A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-26 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置式顶发射器件及其制备方法 |
CN109994618A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 复合材料和qled器件 |
CN109994641A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 电极和qled器件 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047340A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8637331B2 (en) | 2008-10-17 | 2014-01-28 | Bloominescence, Llc | Transparent polarized light-emitting device |
KR101707430B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2017-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자기기 |
KR20120055580A (ko) * | 2009-08-03 | 2012-05-31 | 뉴포트 코포레이션 | 유전체 코팅을 이용한 고출력 led 디바이스 아키텍처 및 제조 방법 |
DE102009041289A1 (de) * | 2009-09-16 | 2011-03-17 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
CA2796515C (en) | 2010-04-16 | 2020-05-12 | Flex Lighting Ii, Llc | Front illumination device comprising a film-based lightguide |
BR112012026325A2 (pt) | 2010-04-16 | 2019-09-24 | Flex Lighting Ii Llc | dispositivo de iluminação compreendendo um guia de luz baseado em película |
US8866416B2 (en) * | 2011-05-04 | 2014-10-21 | Universal Display Corporation | Illumination source using LEDs and OLEDs |
FR2982376B1 (fr) * | 2011-11-07 | 2014-01-03 | Laster | Dispositif portable de vision augmentee. |
US9223138B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-12-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Pixel opacity for augmented reality |
KR101268543B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-05-28 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
KR101268532B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-05-28 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
US9606586B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-03-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Heat transfer device |
US9368546B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-06-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure with embedded light sources |
US9726887B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-08-08 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure color conversion |
US9297996B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-03-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Laser illumination scanning |
US9779643B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-10-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter configurations |
US9578318B2 (en) | 2012-03-14 | 2017-02-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter calibration |
US11068049B2 (en) | 2012-03-23 | 2021-07-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Light guide display and field of view |
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US10191515B2 (en) | 2012-03-28 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Mobile device light guide display |
US9717981B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-08-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Augmented reality and physical games |
US10502876B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-12-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide optics focus elements |
US8989535B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-03-24 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multiple waveguide imaging structure |
KR20150102962A (ko) * | 2012-10-26 | 2015-09-09 | 리서치 트라이앵글 인스티튜트 | 중간 밴드 반도체들, 이종접합들, 및 용액 처리된 양자 점들을 이용한 광전자 소자들, 및 관련 방법들 |
US10192358B2 (en) | 2012-12-20 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Auto-stereoscopic augmented reality display |
US8955357B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-17 | Lighting Science Group Corporation | System and methods of embedding material in a glass substrate |
KR101438508B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2014-09-12 | 한국과학기술원 | 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자 및 이를 이용한 열감지 센서 |
JP2015026560A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
US9304235B2 (en) | 2014-07-30 | 2016-04-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Microfabrication |
US10678412B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic joint dividers for application windows |
US10254942B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Adaptive sizing and positioning of application windows |
US10592080B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-03-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Assisted presentation of application windows |
US9865660B2 (en) * | 2014-08-25 | 2018-01-09 | University Of Iowa Research Foundation | Organic magnetoelectroluminescence for transduction between magnetic and optical information |
KR20160028182A (ko) * | 2014-09-03 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 집진 장치, 상기 집진 장치를 이용하는 청소 장치 및 상기 청소 장치를 제어하는 방법 |
US9429692B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-30 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US9535253B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-01-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US10317677B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-06-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9827209B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-11-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9372347B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-06-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9513480B2 (en) | 2015-02-09 | 2016-12-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide |
US9423360B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US11086216B2 (en) | 2015-02-09 | 2021-08-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Generating electronic components |
US10018844B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wearable image display system |
EP3426751A4 (en) * | 2016-03-10 | 2020-01-22 | Red Bank Technologies LLC. | TAPE EDGE-REINFORCED ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE WITH A CHIRAL LIQUID CRYSTAL DETECTOR |
US11588139B2 (en) * | 2017-02-17 | 2023-02-21 | Red Bank Technologies, LLC | Circularly polarized light emitting organic light emitting diodes |
KR102174738B1 (ko) * | 2017-05-23 | 2020-11-05 | 조선대학교산학협력단 | 스핀 선택성 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
WO2019159216A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 発光デバイス |
CN108598279B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102135505B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2020-08-26 | 조선대학교산학협력단 | 스핀 선택성 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
FR3099967B1 (fr) | 2019-08-16 | 2021-07-30 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif électroluminescent |
CN110707233B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US5874749A (en) | 1993-06-29 | 1999-02-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polarized optical emission due to decay or recombination of spin-polarized injected carriers |
US6469437B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-10-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode |
EP1027723B1 (en) * | 1997-10-14 | 2009-06-17 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electric capacitor |
US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
US6506616B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Photolithographic method for fabricating organic light-emitting diodes |
US6639357B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-10-28 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency transparent organic light emitting devices |
IT1316829B1 (it) | 2000-03-22 | 2003-05-12 | Consiglio Nazionale Ricerche | Procedimento e dispositivo per il trasferimento di portatori di carica con spin polarizzato |
JP2002098948A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
US6621100B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-16 | The Ohio State University | Polymer-, organic-, and molecular-based spintronic devices |
US6485884B2 (en) | 2001-04-27 | 2002-11-26 | 3M Innovative Properties Company | Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices |
US6727970B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-04-27 | Avery Dennison Corporation | Method of making a hybrid display device having a rigid substrate and a flexible substrate |
US6888305B2 (en) | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
GB0215153D0 (en) * | 2002-07-01 | 2002-08-07 | Univ Hull | Luminescent compositions |
WO2004083335A2 (en) | 2003-03-21 | 2004-09-30 | University Of Rochester | Glassy chiral-nematic liquid crystals and optical devices containing same |
US6888660B2 (en) | 2003-03-24 | 2005-05-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Magnetic organic light emitting device and method for modulating electroluminescence intensity |
US6875320B2 (en) | 2003-05-05 | 2005-04-05 | Eastman Kodak Company | Highly transparent top electrode for OLED device |
JP4184189B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2008-11-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
TWI367686B (en) * | 2004-04-07 | 2012-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, electronic device, and television device |
US7213930B2 (en) | 2005-04-18 | 2007-05-08 | Quach Cang V | Polarized projection display |
DE502005009415D1 (de) | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparente organische Leuchtdiode |
US20070111027A1 (en) | 2005-07-29 | 2007-05-17 | Chen Shaw H | Light-emitting organic materials |
US7432187B1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-10-07 | Eastman Kodak Company | Method for improving current distribution of a transparent electrode |
US8123365B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-02-28 | Emiscape, Inc. | One-way display using color filter |
-
2009
- 2009-10-16 US US12/580,931 patent/US8253153B2/en not_active Expired - Fee Related
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-
2011
- 2011-04-07 IL IL212193A patent/IL212193A0/en unknown
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103165823A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | Oled器件的半透明阴极及oled器件 |
WO2014015612A1 (zh) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种透明显示器 |
US9285630B2 (en) | 2012-07-24 | 2016-03-15 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Transparent display |
CN104167496A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-26 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置式顶发射器件及其制备方法 |
CN104167496B (zh) * | 2014-08-01 | 2018-02-23 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置式顶发射器件及其制备方法 |
CN109994618A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 复合材料和qled器件 |
CN109994641A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 电极和qled器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8253153B2 (en) | 2012-08-28 |
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