TWI300627B - Organic semiconductor element - Google Patents

Organic semiconductor element Download PDF

Info

Publication number
TWI300627B
TWI300627B TW094142351A TW94142351A TWI300627B TW I300627 B TWI300627 B TW I300627B TW 094142351 A TW094142351 A TW 094142351A TW 94142351 A TW94142351 A TW 94142351A TW I300627 B TWI300627 B TW I300627B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic
thin film
layer
film layer
functional
Prior art date
Application number
TW094142351A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200610170A (en
Inventor
Tetsuo Tsutsui
Hiroko Yamazaki
Satoshi Seo
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19180108&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI300627(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW200610170A publication Critical patent/TW200610170A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI300627B publication Critical patent/TWI300627B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/701—Organic molecular electronic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565—Oxadiazole compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

1300627 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及使用有機半導體的電子裝置。更特別涉及 光電子裝置，例如光電轉換元件和EL元件。 【先前技術】 比較無機化合物，有機化合物包括更多種材料系統， 並且通過適當的分子設計可以合成具有各種功能的有機材 料。而且，有機化合物的特點在於採用有機化合物形成的 薄膜等表現出極大的柔韌性，並且通過聚合作用還可以獲 得優越的可加工性能。根據這些優點，近年來，已經注意 使用功能有機材料的光子學和電子學。 利用有機化合物的光物理性質的光子技術在當代工業 技術中已經扮演一個重要的角色。例如，感光材料，如光 抗蝕劑，已成爲半導體精細製程的光微影技術中必不可少 的材料。此外，由於有機化合物本身具有光吸收的特性和 伴隨的光發射特性（螢光或磷光），因此作爲發光材料例 如雷射顔料等，它們具有相當大的可適用性。 另一方面，由於有機化合物自身沒有載流子，所以它 們基本上具有優越的絕緣性能。因此，在利用有機材料的 電特性的電子學領域中，有機化合物主要的習知用途是絕 緣體，在此有機化合物用作絕緣材料、保護材料以及覆蓋 材料。 但是，已有使大量的電流在基本上是絕緣體的有機材 -5- 1300627 (2) 料內流動的機構，並且這些機構也開始在電子領域實際應 用。這裏論述的“機構”可以大致地分爲兩類。 第一類機構，由導電聚合物作代表，其中共軛系統 有機化合物摻有受體（電子受體）或施體（電子施體）以 給-δ共軛系統有機化合物供給載流子（參考文獻1 : Hideki Shirakawa，Edwin J· Louis，Alan G. MacDiarmid ，Chwan K. Chiang 和 Alan J. Heeger “導電有機聚合物 > 的合成：聚乙炔（polyacetyrene)的鹵素衍生物，（CH)x ” ，Chem. Comm· 1 977，1 6,5 7 8-5 80 )。通過增加摻雜量 ，載流子將增加到某一區域。因此，它的暗導電率也將隨 _ 之增加，以致將有效地使電流流動。 由於流動的電流量可以達到普通半導體的水平或更多 ，因此表現出該性能之一類材料稱爲有機半導體（或，有 時稱爲有機導體）。 摻雜受體/施體以提高暗導電率從而使電流在有機材 > 料中流動的這種機構已應用於部分電子領域。其例子包括 β 使用聚苯胺或多並苯（P〇lyacene)的可充電蓄電池以及使 用聚吡咯（Polypyrrole)的電場電容器。 使大量的電流在有機材料中流動的另一類機構使用 SCLC (空間電荷限制電流）。SCLC是通過從外部注入空 間電荷並移動它而使之流動的電流，其電流密度用蔡耳德 定律（Child’s Law)表示，亦即，如下面的公式1所示。 在公式中，J表示電流密度、ε表示相對介電常數、表 示真空介電常數、μ表示載流子遷移率、V表示電壓以及 -6- (3) 1300627 d表示施加電壓V的電極之間的距離（下面稱爲“厚度 公式1 Ι=9/8·εε〇μ*ν2/ά3 注意SCLC由公式1表示，其中假定當SCLC流動時 沒有任何載流子陷阱（trap )。由載流子陷阱限制的電流 稱爲TCLC (陷阱電荷限制的電流），並且它與電壓功率 成正比，但是SCLC和TCLC都是受體積限制的電流。因 此，在下文中SCLC和TCLC都用同樣的方式處理。 這裏，爲了比較，公式2表示爲根據歐姆定律的一歐 姆電流流動時的電流密度的公式。σ表示導電率，E表示 電場強度： 公式2 J=aE=aeV/d 在公式2中，由於導電率σ表示爲σ = Μμ ( η指載流 子密度、e指電荷），因此載流子密度是包括在決定流動 的電流量因素中。因此，在具有一定程度的載流子遷移率 的有機材料中，只要不通過如上所述的摻雜增加材料的載 流子密度，那麽歐姆電流就不會在通常幾乎沒有載流子的 材料內流動。 (4) 1300627 但是，如公式1所示，決定SCLC的因素是介電常數 '載流子遷移率、電壓以及厚度。載流子密度是不相干的 °換句話說，即使在有機材料絕緣體沒有載流子情況下， 通過使厚度d足夠小，以及通過選擇具有顯著的載流子遷 移率μ的材料，也可能從外部注入載流子以使電流流動。 即使採用此機構時，電流流動量可以達到普通半導體 的水平或更多。因此，具有很大的載流子遷移率μ的有機 > 材料，換而言之，能夠潛在地輸運載流子的有機材料可以 稱作“有機半導體”。 順便提及，甚至在使用如上所述的SCLC的有機半導 . 體元件中，使用功能有機材料的光性能和電性能作爲光電 子裝置的有機電致發光元件（在下文中稱爲”有機EL元件 噶 ’’），近年來已特別表現出非凡的進步。 由W· Tang等於1987年發表了有機EL元件的最基本 結構（參考文獻2 : C· W_ Tang和S· A. Vanslyke， “有機 > 電致發光二極體”，《應用物理期刊》（Applied physics Letters) ，Vol. 51，No· 12，913-915 (1987))。在參考文 獻2中所發表的元件是一種二極體元件，其中總厚約 lOOnm的有機薄膜夾在電極中，且通過層疊電洞-輸運有 機化合物和電子-輸運有機化合物構成該有機薄膜，以及 該元件使用發光材料（螢光材料）作爲電子-輸運化合物 。通過向元件施加電壓，可以獲得來自發光二極體的光發 射0 光-發射機制被認爲如下方式工作。也就是說，通過 (5) 1300627 施加電壓到夾在電極之間的有機薄膜’從電極 和電子在有機薄膜內複合以形成激發分子（下 子激子”），並且當這些分子激子回到它的基 〇 注意，由有機化合物形成的分子激子的種 " 單重激發態和三重激發態，且基態通常是單重 ； 來自單重激發態發射的光稱爲螢光，來自三重 | 的光稱爲磷光。本說明書中的論述涵蓋來自兩 射的光的情況。 就如上所述的有機EL元件而言，有機薄 _ 爲約100到200nm厚的薄膜。而且，由於有機 ， 自發光元件，其中光從有機薄膜自身發出，所 • 知液晶顯示器中使用的背光。因此，有機EL 大的優點，即其可以製成極其薄和極其輕。 而且，在約1 〇〇到2 OOnm厚的薄膜中’例 • 薄膜的載流子遷移率所表現的從載流子注入到 β· 時間約幾十毫微秒。即使從載流子的複合到發 ; 時間，發光之前該時間小於微秒的數量級。因 膜一個特點是回應時間極其快。 由於薄、輕和迅速的回應時間等的上述； EL元件作爲下一代平板顯示元件受到關注。 它是自發光並且它的可見範圍寬，因此它的可 並且被認爲是用於攜帶型裝置的顯示幕的有效； 而且，除有機EL元件之外，有機太陽能 入的電洞 面稱爲“分 態時發射光 類可以包括 態。因此， 激發態發射 種激發態發 膜通常形成 EL元件是 以不需要習 元件具有很 如，由有機 發生複合的 光過程需要 此，有機薄 性能，有機 而且，由於 見性相對好 示件。 電池是使用 -9- (6) 1300627 有機材料（亦即，有機半導體）的有機半導體元件的另一 代表實例’該有機材料能潛在地輸運載流子，也就是說具 有一定程度的載流子遷移率。 簡而S之’有機太陽能電池利用與有機EL元件相反 的結構。也就是說，它的結構類似於有機EL元件的最基 本結構’具有雙層結構的有機薄膜夾在電極之間。（參考 文獻3 : C· W· Tang， “雙層有機光光生伏打電池”，《 應用物理期刊》（Applied Physics Letters)，vol. 48，No· 2 ’ 183- 1 8 5 ( 1 98 6))。用通過將光吸收到有機薄膜中産生的 光電流來獲得電動勢。此時流動的電流可以如下理解：由 - 光産生的載流子由於有機材料中存在的載流子遷移率而流 . 動。 以此方式，認爲除了它原有的作爲絕緣體的用途外在 電子領域被認爲沒有用途的有機材料，通過巧妙地設計有 機半導體在各種電子裝置和光電子裝置中，它可以執行主 要功能。由此，目前正加強對有機半導體的硏究。 上面已經描述了使用有機半導體作爲使電流流動到基 本上是絕緣體的有機材料的機構的兩種方法。但是，每種 方法都有不同的問題。 首先，就受體和施體都摻雜到有機半導體以增加載流 子密度而言，導電率實際上提高了，但是有機半導體本身 失去它自己原有的物理性能（光吸收、磷光質等）。例如 ’當磷光質-發光7Γ -共軛系統聚合物材料摻有受體/施體時 ’它的導電率增加，但是它停止發光。因此，以犧牲有機 -10- (7) 1300627 木才料具有的其他各種功能換得導電功能。 而且’儘管具有通過調整受體或施體的摻雜量可以獲 得各種導電率的優點，但是不管摻雜多少受體和施體以增 • 加載流子，難以恆定地獲得相當於金屬或相當於金屬的無 , 機化合物（例如，氮化鈦或其他這樣的無機化合物導體） 的載流子密度。換句話說，就導電率而論，有機材料難以 ' 超越無機材料，個別例子例外。因此，唯一保持的優點是 φ 有機材料非常的易加工和柔韌。 另一方面，就使SCLC (在下文中，SCLC包括光電流 )流動到有機半導體而言，有機半導體固有的物理特性不 、 失去。這種的代表例子正是有機EL元件，其中即使電流 ^ 流動時也可以利用從螢光物質（或磷光物質）發射的光。 • 有機太陽能電池通過有機半導體還利用光吸收的功能。 但是，通過參見公式1可以理解，由於SCLC與厚度 d的3次方成反比，SCLC只能流過由夾住非常薄的薄膜 • 的兩個表面的電極構成的結構。更具體地說，根據有機材 / 料的一般載流子遷移率，該結構必須是約l〇〇nm到200nm ； 的超薄薄膜。 但是，通過摻雜上述超薄薄膜結構，在低壓下可以使 大量的SCLC流動。有機EL元件，例如在參考資料2中 論述的有機EL元件成功的一個原因就是因爲其有機薄膜 的厚度設計成約1 0 0 nm厚的均勻超薄薄膜。 但是，事實是厚度d必須製得非常薄，實際上當使 SCLC流動時這成爲最大的問題。首先，在l〇0nm薄膜中 -11 - (8) 1300627 ’容易形成針孔以及其他這種缺陷’且由於這一點發生短 路和其他此類問題，引起對產量下降的關注。而且，不僅 薄膜的機械強度減小，而且由於薄膜必須是超薄薄膜，因 此製造程序本身也受限制。 而且，當SCLC用作電流時，有機半導體自身原有的 物理特性沒有失去，並且具有可以産生各種功能的優點。 但是，通過使SCLC流動加速了有機半導體的功能退化。 例如：觀察有機EL元件作爲例子，衆所周知，元件的壽 命（亦即，發光亮度級的半衰期）退化幾乎與它原有的亮 度成反比，或，換言之，與流動的電流量成反比（參考資 料4: Yoshiharu SATO， “應用物理學/有機分子電子學和 生物電子學曰本協會” （The Japan Society of Applied Physics/Organic Molecular Electronics and Bioelectronics ，vol· 1 1，No，1 (2000)，86-99)。 如上所述，在摻雜受體或施體以産生導電率的裝置中 ，失去導電率外其他功能。而且，在使用SCLC以産生導 電率的裝置中，大量電流流過超薄薄膜成爲元件的可靠性 等問題的原因。 順便提及，在使用有機半導體的光電子裝置中，例如 有機EL元件和有機太陽能電池中，還有關於效率的問題 〇 有機EL元件將作爲一個例子被討論。有機EL元件 的發光機制是注入的電洞和電子互相複合以轉變爲光。因 此，理論上，從複合的一個電洞和一個電子至多可能提取 -12- ⑧ (9) 1300627 一個光子，不可能提取多個光子。也就是說，內量子效率 (與注入的載流子對應的發射光子的數目）至多爲1。 但是，實際上，難以使內量子效率接近1。例如：就 使用螢光材料作爲發光體的有機EL元件來說，認爲單重 激發態（S* )和三單激發態（T* )産生的統計比率爲s* - :T* = 1 : 3 (參考資料 5 : Tetsuo TSUTSUI， “有機分子 二 電子學和生物電子學分部第三次討論會教程，應用物理學 鲁 日本協會（The Japan Society of Applied Physics)，，p.31 ( 1 993))。因此，內量子效率的理論極限爲〇·25。而且，只 要來自螢光材料的螢光量子産率不是cpf，那麽內量子效率 . 將甚至低於0.25。 * 近年來’已經嘗試採用磷光材料以使用來自三激發態 • 的發射光從而産生接近〇·75至1的內量子效率理論極限 ，並且已經獲得實際超過螢光材料的效率。但是，爲了實 現這些’必須使用具有高磷光質量子效率φρ的磷光質材 ® 料。因此’材料的選擇範圍不可避免地受限制。這是因爲 / 在室溫下能發射磷光的有機化合物非常稀有。 / 換句α舌說’如果可以構造提局有機EL元件的電流效 率（相對於電流産生的亮度級）的機構，那麽這將是一個 偉大的革新。如果電流效率提高，用較小的電流就可以産 生更大的亮度級。反之，由於實現一定亮度級用的電流可 以減小’那麽也可以減小如上所述的由大量電流流向超薄 薄膜引起的退化。 有機EL元件的反向結構，也就是說例如有機太陽能 -13- ⑧ (12) 1300627 ，具有交替層疊的有相似薄膜厚度d的η個功能有機薄膜 層303和（η - 1)個歐姆導電薄膜層304，它只可以使SCLC 流入厚度d (在習知技術中是lOOnm至200nm)，本發明 相當於使具有電流密度J的SCLC流入薄膜厚度nd，正如 圖3A所示的情況。換句話說，是圖3C的效果，但是在習 知技術中這是不可能的，因爲不管施加多大電壓，如果薄 膜厚度變得非常厚，那麽SCLC將突然停止流動。 當然，該簡單機構僅需要nV電壓。但是，使用有機 半導體的電子裝置可以容易地克服該問題，即通過利用有 機材料的固有的物理特性，當使大量的電流流動時，存在 . 有關裝置的可靠性和產量的消極效果。 因此，通過提供具有交替層疊的功能有機薄膜層和導 % 電薄膜層的有機結構，該有機半導體元件可以使SCLC在 比習知技術更厚的薄膜厚度中流動。該槪念直到現在也不 存在。該槪念顯然可以適用於使SCLC流動以獲得發光的 有機EL元件和利用光電流並且據說具有與有機EL元件 相反機制的有機太陽電池。該槪念還可以廣泛地適用於其 他有機半導體元件。 因此，根據本發明，提供一種由有機結構構成的有機 半導體元件，通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η個功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層（η是等 於或大於2的整數）形成該有機結構，其特徵在於：浮置 態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功能有機薄膜層（ k是lSkS(n - 1)的整數）和第（k + 1)功能有機薄膜層之間 (13) 1300627 ;並且每一導電薄膜層與每一功能有機薄膜層歐姆接觸。 在此情況下，作爲導電薄膜層，最好是用有機化合物 代替使用金屬或導電無機化合物。特別’就需要透明度的 光電子裝置而言，最好是使用有機化合物。 因此，根據本發明，提供一種由有機結構構成的有機 半導體元件，通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層（η是等於 或大於2的整數）形成該有機結構，其特徵在於：包括有 機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功 能有機薄膜層（k是1- i)的整數）和第（k +丨）功能 有機薄膜層之間；並且每一導電薄膜層與每一功能有機薄 膜層歐姆接觸。 同樣，爲了使導電薄膜層與功能有機薄膜層歐姆接觸 或以基本上等效的方式接觸’如上所述’重要的是採用該 機構，其中由有機化合物形成導電薄膜層且該層摻有受體 或施體。 因此，根據本發明，提供一種由有機結構構成的有機 半導體元件’通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層（η是等於 或大於2的整數）形成該有機結構，其特徵在於：包括有 機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功 能有機薄膜層（k是Kk^(n - 1)的整數）和第（k + 1)功能 有機薄膜層之間；每一導電薄膜層包括有機化合物用的受 體和施體的至少一種。 -17- ⑧ (14) 1300627 同樣’根據本發明，提供一種包括由有機結構構成的 有機半導體元件，通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一 至第η功能有機薄膜層構成的n個功能有機薄膜層是 等於或大於2的整數）形成該有機結構，其特徵在於：包 括有機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第 k功能有機薄膜層（k是Kk^(n · 1)的整數）和第（k + 1) 功能有機薄膜層之間；每一導電薄膜層都包括有機化合物 用的受體和施體。 注意’當導電薄膜層摻有受體或施體時，用於功能有 機薄膜層的有機化合物和用於導電薄膜層的有機化合物用 相同的物質連接（亦即，導電薄膜層包括用於功能有機薄 膜層的有機化合物，並且導電薄膜層摻有受體或施體）。 這些使元件能夠根據簡單製程製造。 順便提及，在導電薄膜層包括受體和施體的情況下， 最好是：通過層疊第一層和第二層構造導電薄膜層，通過 添加受體到有機化合物形成第一層，以及通過添加施體到 與上述有機化合物相同的有機化合物形成第二層；以及第 一層比第二層更靠近陰極側。 同樣，在此情況下，最好是用於功能有機薄膜層的有 機化合物和用於導電薄膜層的有機化合物用相同的物質連 接。 順便提及，就導電薄膜層包括受體和施體二者的情況 而3 ’问樣最好是：通過層疊第一層和第二層構造導電薄 膜層，通過添加受體到第一有機化合物形成第一層，以及 -18- ⑧ (15) 1300627 通過添加施體到不同於第一有機化合物的第二有機化合物 形成第二層；以及第一層比第二層更靠近陰極側。 同樣’在此情況下，最好是用於功能有機薄膜層的有 機化合物和用於第一層的有機化合物用相同的物質連接。 同樣，最好是用於功能有機薄膜層的有機化合物和用於第 二層的有機化合物用相同的物質連接。 功能有機薄膜層的結構可以使用雙極性有機化合物製 造，或通過結合單極性有機化合物，例如通過層疊電洞輸 運層和電子輸運層來製造。 上述元件結構尤其在有機半導體元件之中是非常有用 的，因爲在光電子領域它可以增加發光效率和光吸收效率 。也就是說，通過構造具有通過使電流流動而發光的有機 化合物的功能有機薄膜層，可以製造具有高可靠性和優良 效率的有機EL元件。而且，通過構造具有通過吸收光而 産生光電流（亦即，産生電動勢）的有機化合物的功能有 機薄膜層，可以産生具有高可靠性和優良效率的有機太陽 能電池。 因此，本發明包括涉及有機半導體元件的所有元件， 其中上述功能有機薄膜層具有能夠實現有機EL元件功能 和有機太陽能電池功能的結構。 注意，特別在有機EL元件中，就功能有機薄膜層用 雙極性有機化合物構造的情況而言，雙極性有機化合物最 好是包括具有7Γ ·共軛系統的高分子化合物。而且，同樣 對於導電薄膜層，所希望的使用方法是：其中使用具有 -19- (16) 1300627 冗·共轭系統的高分子化合物且該層摻有受體或施體以提 咼暗導電率。另一方面，至於導電薄膜層，同樣也可以使 用添加有受體或施體的導電高分子化合物。 、 而且，在有機EL元件中，在這種情況下，即例如， ^ 層暨由電洞輸運材料製成的電洞輸運層，以及由電子輸運 • 材料製成的電子輸運層以通過結合單極性有機化合物構造 • 功能有機薄膜層’導電薄膜層也使用電洞輸運材料和電子 ® 輸運材料的至少一種製成，且該層應該摻有受體和施體以 增加暗導電率。另一方面，還可以是電洞輸運材料和電子 輸運材料都使用。在更具體的方面，這指一種方法：其中 ，在用作導電薄膜層的結構中彼此緊靠地層疊用於功能有機 ' 薄膜層的電子輸運材料的施體-摻雜層和用於功能有機薄 • 膜層的電洞輸運材料的受體-摻雜層。 用於有機太陽能電池中的功能有機薄膜層的結構與用 於有機EL兀件的相同。也就是說，在有機太陽能電池中 ® ，就功能有機薄膜層用雙極性有機化合物構造的情況而言 . ’雙極性有機化合物最好是包括具有7Γ -共轭系統的高分 ； 子化合物。而且，同樣對於導電薄膜層，所希望的使用方 法是：其中採用具有7Γ-共軛系統的高分子化合物且該層 ί参有受體或施體以提局暗導電率。另一方面，至於導電薄 膜層，同樣可以使用添加有受體或施體的導電高分子化合 物。 而且，在有機太陽能電池中，在此情況下，即例如， 層疊由電洞輸運材料製成的層和由電子輸運材料製成的層 -20 - ⑧ (17) 1300627 以通過結合單極性有機化合物構造功能有機薄膜層，導 薄膜層也應該使用電洞輸運材料和電子輸運材料的至少 種製成，且該層應該摻有受體和施體以增加暗導電率。 一方面，也可以是電洞輸運材料和電子輸運材料都使用 在更具體的方面，這指一種方法：其中在用作導電層的 構中彼此緊罪地層疊用於功能有機薄膜層的電子輸運材 的施體-摻雜層和用於功能有機薄膜層的電洞輸運材料 受體-摻雜層。 注意，如果載流子可以注入上述的所有導電薄膜層 歐姆導電薄膜層），那麽不必減少他們中任何層的薄層 阻。因此，l(T1QS/m或更大的導電率是足夠的。 【實施方式】 在下文中，詳細說明關於本發明的實施例，使用有 EL元件和有機太陽能電池作爲例子。注意，關於有機 元件，爲了實現發光，只要使陽極和陰極至少一個透明 夠了。但是，根據本實施例方式，描述元件結構，其中 明陽極形成在基底上以從陽極側獲取光。實際上，本發 可以適用於陰極形成在基底上以從陰極側獲取光的結構 還適用於從與基底相對側獲取光的結構，以及適用於從 極兩側獲得光的結構。在有機太陽能電池中也一樣，爲 使電池吸收光，元件的任何一側都可以製成透明。 首先，在有機EL元件中，作爲克服源於超薄薄膜 低可靠性和提高相對於電流的光發射比例（亦即，電流 電 另 〇 結 料 的 ( 電 機 EL 就 透 明 ， 電 了 的 效 (18) 1300627 率）的機構，爲了實現簡單的裝置結構，例如，有機EL元 件可以串聯連接。這些將在下面進行解釋。 如圖4 A所示，假定一種有機EL元件D i，其中施加 一定的電壓V 1促使具有電荷密度j i的電流流動，且由每 單位表面積L1的光能發射光（亦即，發射具有一定能量 ’ 的光子，光能相當於能量與光子數目的乘積）。此時，在 ' 下面的公式中給出功率效率cpei (這指相對於所給的電能 • (電功率）的光發射能量，意思與“能量轉換率” 一樣） 公式3 . 9e! = Li/( Ji *Vi ) ' 接下來，考慮一種情況，其中完全等於有機EL元件
Di的有機EL元件D2與有機EL元件Di串聯連接（參見 圖4B )。注意接觸點山將兩個元件Di和D2歐姆地連接 _ 在一起。 ^ 這裏，元件作爲整體（亦即，具有由D i和D2彼此連 ' 接構成的結構的元件D全部）施加電壓V2 ( =2V!)，電壓 V 2是圖4 A中施加的電壓的兩倍。然後，由於D1和D 2彼 此等價，因此，如圖4B所示，Di和D2分別施加電壓Vi ，且共用電流密度Ji流動。因此’由於每一個Di和D2都 發射有光能Μ的光，因此從作爲整體的元件D t部可以獲 得雙倍的光能2Li。 此時在下面公式4中給出功率效率φ e 2 : (19) 1300627 公式4 9e2 = 2Li/( Jr2Vi ) = Li/( J-Vi ) 通過比較上述公式3和公式4可以明白，圖4A和4B 之間在功率效率方面是相同的，並且遵守V 1和J i轉變爲 k的能量守恆定律。但是，電流效率顯然增加到兩倍，亦 即增加到21^/h。這對於有機EL元件具有重要的意 義。也就是說，通過增加串聯連接的有機EL元件和通過 施加與增加的元件數目成比例的更大電壓並保持電流密度 在固定的値，就可以增加電流效率。 更一般性地檢查該槪念，當η個完全相等的有機EL 元件歐姆連接時，通過保持電流密度在固定値和通過增加 η倍電壓可以獲得η倍亮度級。該性能源於有機EL元件 中亮度級和電流密度値之間的比例關係。 當然，甚至在此情況下：即不同的有機EL元件串聯 連接，從每一有機EL元件發射的亮度級將不同。但是， 通過顯著地增加電壓，可以提取比單個有機EL元件更強 的亮度。圖5顯示了這種情況的槪念示意圖。 如圖5所示，當不同的有機EL元件D i和D2串聯連 接，且其中一個有機EL元件（D!或D2之一）施加比必 須電壓（Vi或V2)更高的電壓V0V2以産生電流h時， 用電流h就可以産生亮度級M + L2 ( >1^，L2)。 此時，通過配置，例如，D i作爲發藍光元件以及D2 作爲發黃光元件，如果可以進行顔色混合，那麽將産生白 -23- ⑧ (20) 1300627 光。因此，能夠得到電流效率更高的白光發射元件，因此 元件的壽命比習知技術的更長。 如上所述，通過歐姆地串聯連接元件，用較小的電流 就可以明顯提高表觀電流效率和獲得更強的亮度。這意味 著，可以使發射同樣的亮度級所必須的電流保持小於習知 技術。而且，只要能施加有效的電壓，就可以連接所需要 的所有有機EL元件，並且整體薄膜厚度可以變厚。 但是，如上所述，甚至在有機EL元件是簡單串聯連 接的情況下也將産生一個問題。該問題源於有機EL元件 的電極和源於元件結構，這些用圖6進行解釋。圖6A以 . 示意的方法顯示了圖4 A所示的有機EL元件D i的剖視圖 ，圖6B以示意的方法顯示了圖4B所示的所有元件D全部 摩 的剖視圖，。 製造一般有機EL元件的基本結構（圖6A)，通過在 基底601上提供透明電極602 (這裏，電極是陽極，通常 使用ITO等），然後形成通過使電流流動執行發光的功能 有機薄膜層（在下文中，稱爲“有機EL層” ）604，以及 然後提供陰極603。用該結構，可以從透明電極（陽極） 6 02産生光。陰極603可以是通常採用具有低功函數的金 屬電極，或電子注入陰極緩衝層和金屬導電薄膜（例如鋁 等）。 當具有上述結構的兩個有機EL元件簡單的串聯連接 時（如圖6B所示），該結構將包括從下側依次層疊的第 一透明電極（陰極）602a、第一有機EL層604a、第一陰 (21) 1300627 極603a、第二有機EL層604b、第二有機EL層604b、以 及第二陰極603b。然後，由第二有機EL層6〇4b發射的 光不能透過，因爲第一陰極603 a是金屬’且因此光不能 從元件發出。由此，混合上下有機EL元件發射的光以産 生白光的這種革新是不可能的。 例如：已經發表了陽極和陰極都使用透明的1T0陰極 的技術（參考資料 0 : G· Parthasarathy，Ρ· Ε· Burrows， V. Khalfin，V. G· Kozlov，和 S· R· Forrest， “用於有機 半導體裝置的無金屬陰極” J· Appl· Phys·，72，213 8_ 2140 ( 1998 ))。通過使用這些，第一陰極603a可以製成 透明的。因此，可以使光從第二有機EL層604b發射出來 。但是，由於ITO主要由濺射形成，擔心的是有機EL層 6 04a將遭受損傷。而且，因爲不得不重復通過澱積塗敷有 機EL層和通過濺射塗敷ITO，因此該製程也變得累贅。 爲了克服該問題，圖7顯示了一種更合乎需要的實施 例，該實施例具有一種結構，例如，其中使用類似於串聯 連接元件以提高電流效率的槪念可以提高電流效率，且元 件透明度也不存在問題。 圖7顯示了一種結構，其中在透明電極（陽極）702 上依次層疊第一有機EL層704a、第一導電薄膜層705a、 第二有機EL層704b以及陰極703，透明電極（陽極） 7〇2設置在基底701上。在該結構中，通過應用其中受體 或施體已經施加於有機半導體的材料，第一半導體薄膜層 705 a可以與有機EL層幾乎歐姆地連接（亦即，可以注入 -25- (22) 1300627 電洞載流子和電子載流子），而且，幾乎可以完全保持透 明度。因此，第二有機EL層704b産生的發光可以顯示出 來’並且通過施加雙倍電壓就可以使電流效率簡單的加倍 〇 而且，由於整個製程變得一致（例如，當使用低分子 ； 的材料時，可以使用乾法製程例如真空澱積，當使用高分 ： 子材料時，可以使用濕法製程例如旋塗），製造過程不再 φ 累贅。 注意，圖7顯示了一種結構，其中提供兩個有機EL 層。但是，如上所述，只要可以施加大量的電壓，該結構 滅 可以是多層的（當然，導電薄膜層插入每一有機EL層之 ' 間）。因此，可以克服源於超薄薄膜結構的有機半導體的 • 低可靠性。 如上所述的原理自然也可以適用於認爲利用與有機 EL元件相反機制的有機太陽能電池。這些將在下面解釋 Φ ； 假定有機太陽能電池S i，其中給定的光能産生電 ： 流密度J1的光電流，因此産生電動勢V i。N個電池S!歐 姆地串聯連接，且當光能nL!照射時，如果相等光能的可 以提供到所有η個太陽能電池S〗（=)，那麽可 以獲得η倍的電動勢（=nV!)。總而言之，如果所有串聯 連接的有機太陽能電池都可以吸收光，則電動勢增加等於 電池數目的乘積。 例如：一篇報告公開了通過串聯連接兩個有機太陽能 - 26- (23) 1300627 電池提高電動勢（參考文獻 7: Masahiro HIRAMOTO， Minoru SUEZAKI，和 Masaaki YOKOYAMA，“薄金間隙-層對級聯的有機太陽電池的光致電壓性能的效果”（ Effect of Thin Gold Interstitial-layer on the Photovoltaic Properties of Tandem Organic Solar Cell)，《化學期刊 ’ 》（即，ΡΡ· 327-3 3 0，1 990 )。根據參考文獻7，通過將 二 金薄膜插入兩個有機太陽能之間（亦即，前單元和後單元 φ 之間），獲得改善通過光照射産生的電動勢的效果。 但是，參考文獻7也構造3 nm或更少的厚度的金薄膜 以便獲得透射率。換句話說，構造薄膜爲足夠薄的超薄薄 - 膜，用於光通過該薄膜，如此設計以便光到達後單元。而 ' 且，當超薄薄膜的厚度爲幾納米數量級時可重復性成問題 〇 通過使用本發明還可以解決這些問題。也就是說，在 如參考文獻7中公開的有機太陽能電池結構中，本發明可 ® 以適用於金薄膜部分。通過這樣做，本發明可以用作比習 / 知技術更厚和更高效的單有機太陽能電池，代替兩個元件 ; 串聯連接。 本發明的基本槪念和結構使用有機EL元件和有機太 陽目纟電池作爲例子已在上文進f了描述。下面描述用於本發 明的導電薄膜層的結構的較佳例子。但是，本發明不局限 於這些例子。 首先，可以使用各種金屬薄膜，因爲它們是導電的， 也就是說它們具有多個載流子。具體地，金、鋁、鉑、銅 -27- (24) 1300627 、鎳等是可以使用的例子。注意，當這些金屬用於導電薄 膜層時’最好是它們形成爲足夠薄的超薄薄膜用於透過可 見光（亦即，幾納米至幾十納米）。 而且，特別從可見光透射率的觀點出發，可以使用各 種金屬氧化物薄膜。具體例子包括ITO、氧化鋅、氧化錫 、氧化銅、氧化鈷、氧化鉻、氧化欽、氧化鈮、氧化鎳、 氧化鈸、氧化釩、氧化鉍、氧化鈹鋁、氧化硼、氧化鎂、 氧化鉬、氧化鑭、氧化鋰、氧化釕以及BeO。而且，還可 以使用化合物半導體薄膜，包括 ZnS、ZnSe、GaN、 AlGaN 以及 CdS。 本發明特別的特徵是導電薄膜層可以是有機化合物結 構。例如：混合p型有機半導體和η型有機半導體以形成 半導體薄膜層的技術。 Ρ型有機半導體的典型實例，除了由下面的化學式1 表示的C u P c之外，還包括結合其他金屬或不結合金屬的 酞菁（由下面的化學式2表示）。以下也可以用作ρ型有 機半導體：TTF (由下面的化學式3表示）；ΤΤΤ (由下 面的化學式 4表示）；甲基吩噻嗪（methylphenothiazine )(由下面的化學式 5表示）；N-異丙基暌唑（ isopropylcarbazole)(由下面的化學式6表不·）等。而且 ，用於有機EL等的電洞輸運材料也可以使用，例如TPD (由下面的化學式7表示）、α-NPD (由下面的化學式 8表示）或CBP (由下面的化學式9表示）。 1300627 (25) 化學式1
化學式2
化學式3
化學式4
S—S
S—S -29- 1300627 (26) 化學式5 化學式6 化學式7 化學式8 化學式9
-30- (27) 1300627 η型有機半導體的典型實例，除由下面的化學式1 〇表 示的F16-CuPc外，還包括3,4,9，10·二萘嵌苯四羧酸衍生 物，例如PV (由下面的化學式1 1表示）、Me-PTC (由下 面的化學式12表示）、或PTCDA (由下面的化學式13表 示）、萘殘基酉干(naphthalenecarboxy lie anhydrides )( 由下面的化學式 14表示）、萘羧基二醯亞胺（ naphthalenecarboxylic diimide)(由下面的化學式 15 表 示）等。以下也可以用作η型有機半導體：TCNQ (由下 面的化學式16表示）；TCE (由下面的化學式17表示） ;苯醌（由下面的化學式18表示）；2，6-萘醌（由下面 的化學式19表示）；DDQ (由下面的化學式20表示）， 螢烷偶醯（p-fluoranil )(由下面的化學式2 1表示）·，四 氯聯苯酿（tetrachlorodiphenoquinone )(由下面的化學 式2 2表示）；鎳二聯苯乙二膀（ nickelbisdiphenylglyoxime)(由下面的化學式 23 表示） 等。而且，用於有機EL等的電子輸運材料，也可以使用 例如Alq3 (由下面的化學式24表示）、：BCP (由下面的 化學式25表示）或PBD (由下面的化學式26表示）。 (28)1300627 化學式1 〇
化學式1 2
化學式1 3
•32- 1300627 (29) 化學式1 4
化學式1 5
化學式1 6
^=yGH NC =/、ON 化學式1 7
NC CN Μ NC CN 化學式18
化學式19 r 化學式20 〇
ο 33- 1300627 (30) 化學式2 1 化學式22
化學式23 化學式24 化學式25 化學式26
t-Bu
-34-
(E (31) 1300627 而且，在另一較佳技術中，混合有機化合物受體（電 子受體）和有機化合物施體（電子施體）並形成使導電薄 膜層導電的電荷-轉移合成物用作導電薄膜層。電荷-轉移 合成物容易結晶不易用作薄膜。但是，根據本發明的導電 薄膜層可以形成爲薄層或簇狀（只要能注入載流子）。因 此，不會發生大的問題。 用於電荷-轉移合成物的組合的代表實例包括如下所 示的化學式27中的TTF-TCNQ組合、金屬/有機受體例如 K-TCNQ 和 Cu-TCNQ。其他組合包括[BEDT_TTF]_TCNQ ( 下面的化學式28) 、（Me)2P-C18TCNQ(下面的化學式29 )、BIPA-TCNQ (下面的化學式30)以及q_TCNq (下面 的化學式3 1 )。注意’這些電荷-轉移合成物薄膜可以適 用於Μ積膜、旋塗膜、LB薄膜、聚合物粘合劑分散薄膜 等任一種。
化學式27
化學式28
35- (32) 1300627 化學式29
(Me)2P
化學式30
ΒΙΡΑ
化學式31
Q
而且’作爲導電薄膜層的結構實例，最好是使用摻雜 受體或施體雜質到有機半導體內以應用其暗導電率的技術 。由導電聚合物等代表的具有7Γ -共軛系統的有機化合物 可以用於有機半導體。導電聚合物實例包括實際使用的材 料，比如聚（乙烯二羥噻吩）（縮寫爲PEDOT)、聚苯胺 、或聚吡咯，且除此之外還有聚亞苯基衍生物、聚噻吩衍 生物、以及聚（對位苯亞乙烯）衍生物。 同樣，當摻雜受體時，最好是P型材料用於有機半導 體。P型有機半導體的實例可以包括由上述化學式1至9 -36 - (S^ (33) 1300627 所表示的那些。此時，路易斯酸（強酸摻雜劑）例如 FeCI3 ( ΠΙ) 、A1C13、AlBr3、AsF6或鹵素化合物可以用 作受體（路易斯酸可以起受體作用）。 而且，在摻雜施體的情況下，有機半導體最好是使用 η型材料。η型有機半導體的實例包括上述化學式1〇至26 等。然後，對於施體，可以使用鹼金屬例如Li、Κ、Ca、 C s等，或路易斯鹼例如鹼土金屬（路易斯鹼可以起施體 的作用）。 更理想地，可以結合上述的幾個結構用作導電薄膜層 。換句話說，例如：在無機薄膜的一側或兩側上，例如， 如上述金屬薄膜、金屬氧化物薄膜或化合物半導體薄膜的 一側或兩側上可以形成其中p型有機半導體與η型有機半 導體混合的薄膜、或電荷-轉移合成物薄膜、或摻雜的導 電高分子的薄膜、或摻有受體的ρ型有機半導體、或摻有 施體的η型有機半導體。在此情況下，使用電荷轉移合成 物薄膜代替無機薄膜是有效的。 而且，通過層疊摻有施體的η型有機半導體薄膜和摻 有受體的Ρ型有機半導體薄膜以讓這些膜作爲半導體薄膜 層，這些層成爲電洞和電子都可以有效地注入其內的功能 有機半導體層。而且，還考慮這樣一種技術：其中施體摻 雜η型有機半導體薄膜和受體摻雜ρ型有機半導體薄膜或 層疊在其中ρ型有機半導體薄膜和η型有機半導體薄膜混 合在一起的薄膜的一側或兩側上。 注意’上面給出的所有類型的薄膜作爲用於上述半導 -37- (34) 1300627 體薄膜層的結構不必形成薄膜形狀，而是還可以形成爲島 狀。 通過在本發明中應用上述半導體薄膜層，可以製造具 有高可靠性和良好產量的有機半導體元件。 作爲一個例子，本發明的有機薄膜層可以如此構造， 使得通過使電流流動獲得發光，以由此獲得有機EL元件 。因爲可以提局效率，因此本發明的有機EL元件同樣是 有效的。 當使用該方法時，有機薄膜層的結構（亦即有機EL 層）可以是通常使用有機EL層結構和組成材料的有機EL 元件。具體地，許多變化都是可能的，例如在參考文獻2 中描述的具有電洞輸運層和電子輸運層的疊層結構、使用 高分子化合物的單層結構以及使用來自三重激態光發射的 高效率元件。而且，如上所述，來自每一有機EL層的顔 色作爲不同的發光顔色，可以混合爲不同的顔色，以能應 用長壽命的白光發光元件。 關於有機EL元件的陽極，如果光從陽極側面發出， 通常可以使用ITO (氧化銦錫）、IZO (氧化銦鋅）以及 其他這種透明的導電無機化合物。金等的超薄薄膜也可以 。如果陽極不必須透明（亦即，光從陰極側面發出的情況 )，那麽可以使用不透射光但是具有稍微大的功函數的金 屬/合金和或導體，例如W、Ti以及TiN。 至於有機EL元件陰極，使用具有小的正常功函數的 金屬或合金，例如鹼金屬、鹼土金屬或稀土金屬。也可以 -38- (35) 1300627 使用包括這些金屬元素的合金。例如：可以使用Mg : Ag 合金、Al: Li合金、Ba、Ca、Yb、Er等。而且，在光從 陰極側面發出的情況下，可以使用由金屬/合金製成的超 薄薄膜。 而且，例如，通過使用根據本發明的有機薄膜層作爲 通過吸收光而産生電動勢的結構，可以獲得有機太陽能電 池。因此，本發明的有機太陽能電池是有效的，因爲它提 高效率。 當以這樣的方式構造時，功能有機薄膜層的結構可以 使用通常用於有機太陽能電池的功能有機薄膜層的結構和 結構材料。具體實例是具有p型有機半導體和11型有機半 導體的疊層結構，例如如參考文獻3所述。 實施例 [實施例1] 根據本實施例，將給出根據本發明的有機EL元件的 具體實例，使用電荷-轉移合成物作爲導電薄膜層。圖8 顯示了有機EL元件的元件結構。 首先，在玻璃基底801上澱積ITO作爲陽極802，成 爲具有約l〇〇nm厚的薄膜，其上N_N’雙（苯甲基 (methylphenyl)) -N，N’-二苯基-聯苯胺（縮寫成 Tpd)作 爲電洞輸運材料，澱積到50nm以獲得電洞輸運層8〇4a。 緊接著’三（8-經基喹啉）鋁（縮寫成Alq )作爲具有電 子輸運性能的發光材料，澱積到5 Onm以獲得電子輸運和 -39- ⑧ (36) 1300627 發光層8 05a。 以上述方法形成第一有機EL層810a。此後，以1:1 的比率共同澱積TTF和TCNQ作爲導電薄膜層806，形成 1 Onm厚的層。 然後，澱積50納米的TPD作爲電洞輸運層804b，並 且在其頂部澱積50納米的Alq，用作電子輸運層/發光層 805b。這樣，形成第二有機EL層810b。 最後，以1 〇: 1的原子比共同澱積Mg和Ag作爲陰極 8 0 3，且形成150nm厚的陰極803，由此獲得本發明的有 機EL元件。 [實施例2] 根據該實施例，顯示了本發明的有機EL元件的具體 實例，其中導電薄膜層包括與有機EL層中所用相同的有 機半導體，且摻雜受體和施體以使有機EL元件導電。圖 9顯示了有機EL元件的元件結構的實例。 首先，在具有約lOOnm的ITO的玻璃基底901上澱 積5 Onm的TPD用作電洞輸運材料，IT0作爲陽極902。 接下來，澱積50nm的Alq作爲電子輸運層/發光層905 a， Alq用作電子輸運發光材料。 以這種方法形成第一有機EL層910a之後，5nm的層 90 6與Alq共同澱積以致施體TTF構成爲2mol%。然後， 5nm的層907與TPD共同澱積以致受體TCNQ構成爲 2mol%，以用作導電薄膜層911。 -40- (37) 1300627 此後，澱積50nm的TPD作爲電洞輸運層904b，並且 在其頂上澱積50nm的Alq，用作電子輸運層/發光層905b 。這樣，形成第二有機EL層910b。 最後，以1 0:1的原子比共同澱積Mg和Ag作爲陰極 903，形成具有150nm厚的陰極9 03，由此獲得本發明的 有機EL元件。通過用有機EL層中的有機半導體作爲構 造導電薄膜層的材料，並混合施體和受體，可以簡單地製 造該元件，因此這些是非常簡單且有效的。 [實施例3] 根據本實施例，顯示了濕-型有機EL元件的一種具體 實例，其中電發光聚合物用於有機EL層並且由導電聚合 物形成導電薄膜層。圖1 0顯示了有機EL元件的元件結構 首先，在玻璃基底1001上，其上澱積ITO作爲陽極 1 0 02，ITO成爲約l〇〇nm厚的薄膜，通過旋塗塗敷聚乙烯 二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸（縮寫成PEDOT/PSS)的混合 水溶液使水分蒸發，以致形成30nm厚的電洞注入層1004 。接下來，通過旋塗將聚（2 -甲氧基-5 - ( 2 乙基·己氧 基（hexoxy) ) - 1，4 -亞苯基亞乙烯基）（縮寫成 MEH -PPV)澱積爲10〇nm厚的薄膜以獲得發光層1 005a。 用上述方法形成第一有機EL層1010a。之後，通過旋 塗塗敷30nm厚的PEDOT/PSS作爲導電薄膜層1 006。 然後，通過旋塗塗敷100nm的MEH-PPV作爲發光層 (38) 1300627 l〇〇5b。注意，由於導電薄膜層由與電洞注入層一樣的材 料組成，因此該第二有機EL層l〇l〇b不必形成電洞注入 層。可以，就在此上將層疊第三和第四有機EL層而言， 可以根據非常簡單的操作交替地層疊導電薄膜層 PEDOT/PSS 和發光層 MEH - PPV。 最後，澱積150nm的 Ca作爲陰極。在其上澱積 15 0nm的A1作爲帽蓋以阻止Ca氧化。 [實施例4] 根據本發明，顯示了本發明的有機太陽能電池的一個 具體實例，其中p型有機半導體和η型有機半導體的混合 用作導電薄膜層。 首先，在其上塗敷有約l〇〇nm的ΙΤΟ的玻璃基底上 澱積30nm的p型有機半導體CuPc，ITO用作透明電極。 接下來，澱積50nm的PV，PV用作n型有機半導體，並 且使用CuPc和PV在有機半導體中形成ρ·η結。這成爲第 一功能有機薄膜層。 然後，以1:1共同澱積CuPc和PV作爲導電薄膜層具 有10nm的厚度。而且，澱積30nm的CuPc，並且在其上 澱積50nm的PV，借此製成第二功能有機薄膜層。 最後，塗敷150nm的Αιι用作電極。如上述構造的有 機太陽能電池是非常有效的，因爲它通過最終僅使用兩種 有機化合物就可以簡單地實現本發明。 通過簡化本發明以實用，可以提供非常可靠且具有良 -42-

Claims (1)

  1. 1300627 (1) 十、申請專利範圍 第094 1 423 5 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年4月4日修正 1 · 一種有機太陽能電池，包含： 通過吸收光産生電動勢的有機結構，通過在兩個電極 • 之間順序層疊η個功能有機薄膜層（其中η是等於或大於 2的整數）形成該有機結構，η個功能有機薄膜層包含第 一至第η個功能有機薄膜層， 其中在第k功能有機薄膜層（其中k是lSkS(n-l)的 - 整數）和第（k + 1 )功能有機薄膜層之間形成導電薄膜層 9 其中導電薄膜層與第k功能有機薄膜層及第（k + 1) 功能有機薄膜層接觸， • 其中導電薄膜層處於浮置態， ^ 其中各個該些功能有機薄膜層包含具有第一導電型的 第一層以及具有和該第一導電型不同的第二導電型之第二 層，以及 其中各個該些功能有機薄膜層係通過吸收光以産生電 動勢。 2 . —種有機太陽能電池’包含： 通過吸收光産生電動勢的有機結構’通過在兩個電極 之間順序層疊η個功能有機薄膜層（其中n是等於或大於 1300627 (2) 2的整數）形成該有機結構’ n個功能有機薄膜層包含桌 一至第η個功能有機薄膜層’ 其中在第k功能有機薄膜層（其中！^是KBh-1 )的 整數）和第（k + 1 )功能有機薄膜層之間形成包括有機化 合物的導電薄膜層’ 其中導電薄膜層與第k功能有機薄膜層及第（k + 1) 功能有機薄膜層接觸， .其中導電薄膜層處於浮置態’ 其中各個該些功能有機薄膜層包含具有第一導電型的 第一層以及具有和該第一導電型不同的第二導電型之第二 層，以及 其中各個該些功能有機薄膜層係通過吸收光以産生電 動勢。 3. —種有機太陽能電池’包含· 通過吸收光産生電動勢的有機結構’通過在兩個電極 丨 之間順序層疊n個功能有機薄膜層（其中n是等於或大於 2的整數）形成該有機結構’ η個功能有機薄膜層包含第 一至第η個功能有機薄膜層’ 其中在第k功能有機薄膜層（其中k是Bk^(n-1 )的 整數）和第（k+ 1 )功能有機薄膜層之間形成包括有機化 合物的導電薄膜層’ 其中每一導電薄膜層包括有機化合物用的受體和施體 中的至少一種， 其中導電薄膜層處於浮置態， -2- 1300627 、 (3) 其中各個該些功能有機薄膜層包含具有第一導電型的 第一層以及具有和該第一導電型不同的第二導電型之第二 層，以及 其中各個該些功能有機薄膜層係通過吸收光以産生電 動勢。 4.一種有機太陽能電池，包括： 通過吸收光産生電動勢的有機結構，通過在兩個電極 φ 之間順序層疊η個功能有機薄膜層（其中η是等於或大於 2的整數）形成該有機結構，η個功能有機薄膜層包含第 一至第η個功能有機薄膜層’ 其中在第k功能有機薄膜層（k是KkS(n - 1)的整 ' 數）和第（k + 1)功能有機薄膜層之間形成包括有機化合 • 物的導電薄膜層； 其中每一導電薄膜層包括有機化合物用的受體和施體 二者， • 其中導電薄膜層處於浮置態， , 其中各個該些功能有機薄膜層包含具有第一導電型的 _ 第一層以及具有和該第一導電型不同的第二導電型之第二 層，以及 其中各個該些功能有機薄膜層係通過吸收光以産生電 動勢。 5 .如申請專利範圍第3或4項的有機太陽能電池，其 中接觸導電薄膜層的功能有機薄膜層的區域包括與上述導 電薄膜層之有機化合物相同的有機化合物。 -3- 1300627 • (4) 6.如申請專利範圍第4項的有機太陽能電池，其中 通過層疊第三層和第四層以構成導電薄膜層，通過添 加受體到有機化合物形成第三層，以及通過添加施體到與 上述有機化合物相同的有機化合物形成第四層；以及 第三層比第四層更靠近陰極側。 7·如申請專利範圍第6項的有機太陽能電池，其中接 觸導電薄膜層的功能有機薄膜層的區域包括與上述有機化 φ 合物相同的有機化合物。 8·如申請專利範個第4項的有機太陽能電池，其中 通過層疊第三層和第四層以構成導電薄膜層，通過添 加受體到第一有機化合物形成第三層，以及通過添加施體 • 到不同於第一有機化合物的第二有機化合物形成第四層； • 以及 第三層比第四層更靠近陰極側。 9 ·如申請專利範圍第8項的有機太陽能電池，其中接 ^ 觸弟一層的功此有機薄膜層的區域包括與第一有機化合物 ^ 相同的有機化合物。 • 1 0·如申請專利範圍第8項的有機太陽能電池，其中 接觸第四層的功能有機薄膜餍的區域包括與第二有機化合 物相同的有機化合物。 π·如申請專利範圍第1至4項之任一項的有機太陽 能電池，其中 該第二層包含電洞輸運材料，和該第四層包含電子輸 運材料；以及 -4- 1300627 • (5) 該第三層比該第四層更靠近陽極側。 12.如申請專利範圍第1至4項之任一項的有機太陽 能電池，其中 導電薄膜層包括具有7Γ共軛系統的高分子化合物。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項的有機太陽能電池，其中 導電薄膜層包括電洞輸運材料和電子輸運材料中的至少一 種。 • 1 4.如申請專利範圍第1 1項的有機太陽能電池，其中 導電薄膜層包括電洞輸運材料和電子輸運材料二者。 1 5 .如申請專利範圍第1至4項之任一項的有機太陽 能電池，其中導電薄膜層的導電率等於或大於l(T1()S/m。
    -5- T，號專利申請案 丄31)1)(¾¾¾¾式修正頁 參 105 第1圖 民國95年8月3日修正 747123-3 Β· 102 103 104 103 1〇4 103
    101 1300627 6?- B 猶舞... 第2圖 w傲mm 203b 205 參 鲁 203a ㊉ > 第2圖B Γ 203b 204 I 3㊀J㊉刁㊀ 203a J㊉ 205 民國95年8月3日修正 Λ/^@4142351號專利申請案 13 0063¾明書替換頁 γ 导誠’ 七、指定代表圖 (一） 、本案指定代表圖為：第（1)圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 10 1 陽極 102 陰極 103 功能有機薄膜層 104 導電薄膜層 105 有機結構
    八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式·
    -4-
TW094142351A 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element TWI300627B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001370980 2001-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200610170A TW200610170A (en) 2006-03-16
TWI300627B true TWI300627B (en) 2008-09-01

Family

ID=19180108

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091135322A TWI261380B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element
TW094142351A TWI300627B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element
TW094142350A TWI301037B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element
TW094142349A TWI270225B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091135322A TWI261380B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094142350A TWI301037B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element
TW094142349A TWI270225B (en) 2001-12-05 2002-12-05 Organic semiconductor element

Country Status (7)

Country Link
US (8) US7956349B2 (zh)
EP (3) EP2254155A1 (zh)
JP (16) JP2008171832A (zh)
KR (9) KR100923739B1 (zh)
CN (7) CN102544374B (zh)
SG (4) SG142163A1 (zh)
TW (4) TWI261380B (zh)

Families Citing this family (209)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7956349B2 (en) 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4060113B2 (ja) * 2002-04-05 2008-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2003303683A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
SG119187A1 (en) * 2002-06-28 2006-02-28 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method therefor
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
EP1388903B1 (en) * 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
US6717358B1 (en) * 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
AU2003280746A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Electroluminescent device and light-emitting device
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
KR20050088221A (ko) 2002-12-26 2005-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 발광 소자
CN1742518B (zh) 2003-01-29 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 发光装置
JP3976700B2 (ja) * 2003-03-24 2007-09-19 独立行政法人科学技術振興機構 極薄分子結晶を用いたアバランシェ増幅型フォトセンサー及びその製造方法
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
JP4519423B2 (ja) * 2003-05-30 2010-08-04 創世理工株式会社 半導体を用いた光デバイス
JP4351869B2 (ja) * 2003-06-10 2009-10-28 隆 河東田 半導体を用いた電子デバイス
DE10326547A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Tandemsolarzelle mit einer gemeinsamen organischen Elektrode
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
ATE547921T1 (de) * 2003-07-02 2012-03-15 Idemitsu Kosan Co Organische elektrolummineszente vorrichtung und anzeigegerät mit dieser
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
DE10345403A1 (de) * 2003-09-30 2005-04-28 Infineon Technologies Ag Material und Zellenaufbau für Speicheranwendungen
WO2005064995A1 (en) 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
KR100581634B1 (ko) * 2004-03-04 2006-05-22 한국과학기술연구원 고분자 나노 절연막을 함유한 고효율 고분자 전기발광 소자
ES2380972T3 (es) 2004-03-26 2012-05-22 Rohm Co., Ltd. Elemento orgánico emisor de luz
JP2005294715A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像素子及び撮像方法
KR101089199B1 (ko) * 2004-04-22 2011-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 구동방법
CN100544535C (zh) * 2004-04-28 2009-09-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件及其制造方法，以及利用该发光元件的发光器件
US20050274609A1 (en) * 2004-05-18 2005-12-15 Yong Chen Composition of matter which results in electronic switching through intra- or inter- molecular charge transfer, or charge transfer between molecules and electrodes induced by an electrical field
KR101161722B1 (ko) 2004-05-20 2012-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 표시장치
KR101215860B1 (ko) * 2004-05-21 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치
KR101187402B1 (ko) 2004-05-21 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명장치
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
JP4461367B2 (ja) * 2004-05-24 2010-05-12 ソニー株式会社 表示素子
US7733441B2 (en) 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
JP2006295104A (ja) * 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
CN100534247C (zh) * 2004-08-03 2009-08-26 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光器件
EP1624502B1 (en) * 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7196366B2 (en) * 2004-08-05 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US8248392B2 (en) * 2004-08-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device using light emitting element and driving method of light emitting element, and lighting apparatus
WO2006022194A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electron injecting composition, and light emitting element and light emitting device using the electron injecting composition
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
EP2299782B1 (en) * 2004-09-13 2016-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting layer device
CN101032040B (zh) * 2004-09-30 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光设备
CN100573963C (zh) * 2004-11-05 2009-12-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用它的发光器件
KR101210858B1 (ko) 2004-11-05 2012-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 이를 이용하는 발광 장치
US7989694B2 (en) * 2004-12-06 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor
US7667389B2 (en) * 2004-12-06 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
JP4496948B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
JP4712372B2 (ja) * 2004-12-16 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20060131567A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Jie Liu Surface modified electrodes and devices using reduced organic materials
JP4603370B2 (ja) * 2005-01-18 2010-12-22 創世理工株式会社 基板上に作製された半導体光デバイスおよびその作製方法
JP5089020B2 (ja) * 2005-01-19 2012-12-05 創世理工株式会社 基板上に作製された半導体電子デバイス
CN101133499B (zh) * 2005-03-04 2010-06-16 松下电工株式会社 多层有机太阳能电池
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006269351A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aitesu:Kk トップエミッション型マルチフォトン有機ｅｌ表示パネル
JP5023456B2 (ja) * 2005-03-28 2012-09-12 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池素子
US7926726B2 (en) * 2005-03-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Survey method and survey system
US7755275B2 (en) * 2005-03-28 2010-07-13 Panasonic Corporation Cascaded light emitting devices based on mixed conductor electroluminescence
KR101242197B1 (ko) 2005-04-11 2013-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 증착장치
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
US7745019B2 (en) * 2005-04-28 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device and method of manufacturing light emitting element
US8487527B2 (en) * 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
TWI295900B (en) 2005-06-16 2008-04-11 Au Optronics Corp Method for improving color-shift of serially connected organic electroluminescence device
US8415878B2 (en) * 2005-07-06 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
CN100426938C (zh) * 2005-07-07 2008-10-15 友达光电股份有限公司 改善串联式有机电激发光元件色偏的方法
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
KR100712214B1 (ko) * 2005-07-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US20070181179A1 (en) 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20070267055A1 (en) * 2005-07-14 2007-11-22 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US7772485B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
EP1911079A4 (en) 2005-07-25 2012-05-09 Semiconductor Energy Lab LIGHTING ELEMENT, ILLUMINATING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
US7635858B2 (en) * 2005-08-10 2009-12-22 Au Optronics Corporation Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution
JP2007059517A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
JP4951224B2 (ja) * 2005-08-23 2012-06-13 富士フイルム株式会社 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
JP3895356B1 (ja) 2005-10-17 2007-03-22 パイオニア株式会社 表示装置、表示方法、表示プログラム、および記録媒体
EP1784055A3 (en) 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
US8017863B2 (en) * 2005-11-02 2011-09-13 The Regents Of The University Of Michigan Polymer wrapped carbon nanotube near-infrared photoactive devices
US7947897B2 (en) 2005-11-02 2011-05-24 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
US8013240B2 (en) * 2005-11-02 2011-09-06 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
WO2007091548A1 (ja) * 2006-02-07 2007-08-16 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI475737B (zh) 2006-03-08 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置及電子裝置
WO2007108385A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works, Ltd. 有機薄膜太陽電池
US8987589B2 (en) 2006-07-14 2015-03-24 The Regents Of The University Of Michigan Architectures and criteria for the design of high efficiency organic photovoltaic cells
US20080023059A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Basol Bulent M Tandem solar cell structures and methods of manufacturing same
US8008421B2 (en) * 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
JP2008112904A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5030742B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR100858936B1 (ko) * 2007-07-12 2008-09-18 경성대학교 산학협력단 양이온 함유 수용성 고분자층을 포함하는 고분자 유기 전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2011517701A (ja) * 2007-09-10 2011-06-16 エダ リサーチ アンド ディベロップメント カンパニー，リミティド セレノフェンおよびセレノフェン系重合体、それらの調製物、およびその使用
TWI638583B (zh) 2007-09-27 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，與電子設備
EP2068380B1 (de) 2007-10-15 2011-08-17 Novaled AG Organisches elektrolumineszentes Bauelement
US7755156B2 (en) * 2007-12-18 2010-07-13 Palo Alto Research Center Incorporated Producing layered structures with lamination
US7586080B2 (en) * 2007-12-19 2009-09-08 Palo Alto Research Center Incorporated Producing layered structures with layers that transport charge carriers in which each of a set of channel regions or portions operates as an acceptable switch
US8283655B2 (en) 2007-12-20 2012-10-09 Palo Alto Research Center Incorporated Producing layered structures with semiconductive regions or subregions
EP2075860A3 (en) * 2007-12-28 2013-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
US20090208776A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-20 General Electric Company Organic optoelectronic device and method for manufacturing the same
US20090211633A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Konarka Technologies Inc. Tandem Photovoltaic Cells
KR101493408B1 (ko) * 2008-03-11 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
KR20120081231A (ko) 2008-05-16 2012-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 및 조명장치
TWI452046B (zh) * 2008-05-16 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab 有機化合物，苯並唑衍生物，以及使用苯並唑衍生物之發光元件，發光裝置，和電子裝置
EP2299786B1 (en) * 2008-05-16 2014-03-26 LG Chem, Ltd. Stacked organic light-emitting diode
DE102008029782A1 (de) * 2008-06-25 2012-03-01 Siemens Aktiengesellschaft Photodetektor und Verfahren zur Herstellung dazu
WO2010004944A1 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US8455606B2 (en) * 2008-08-07 2013-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactive polymers
WO2010045308A2 (en) * 2008-10-14 2010-04-22 Drexel University Polymer dispersed liquid crystal photovoltaic device and method for making
TWI486097B (zh) 2008-12-01 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
US8603642B2 (en) * 2009-05-13 2013-12-10 Global Oled Technology Llc Internal connector for organic electronic devices
KR101750301B1 (ko) 2009-05-29 2017-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자기기 및 조명 장치
US8389979B2 (en) * 2009-05-29 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20120091449A1 (en) * 2009-06-23 2012-04-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescent element
US8525407B2 (en) * 2009-06-24 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device having the same
US8169137B2 (en) * 2009-07-14 2012-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light source and device using electroluminescence element
US8664647B2 (en) 2009-07-23 2014-03-04 Kaneka Corporation Organic electroluminescent element
US8987726B2 (en) 2009-07-23 2015-03-24 Kaneka Corporation Organic electroluminescent element
TWI393282B (zh) 2009-08-11 2013-04-11 Univ Nat Taiwan 具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法
TWI491087B (zh) 2009-08-26 2015-07-01 Univ Nat Taiwan 用於有機光電元件之過渡金屬氧化物的懸浮液或溶液、其製作方法與應用
KR20120069701A (ko) * 2009-09-01 2012-06-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전원을 갖는 조명장치
KR101753428B1 (ko) 2009-09-07 2017-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
US8771840B2 (en) 2009-11-13 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI407609B (zh) * 2009-11-27 2013-09-01 Univ Nat Taiwan 有機/無機三明治結構之光電元件及其製作方法
US9006931B2 (en) 2009-12-02 2015-04-14 Versatilis Llc Static-electrical-field-enhanced semiconductor-based devices and methods of enhancing semiconductor-based device performance
KR101094282B1 (ko) * 2009-12-04 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
EP2365556B1 (en) 2010-03-08 2014-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN102201541B (zh) * 2010-03-23 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
JP5801579B2 (ja) 2010-03-31 2015-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
TWI506121B (zh) 2010-03-31 2015-11-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
JP2012009420A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
WO2011162105A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
KR101182268B1 (ko) * 2010-07-09 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
DE102010031979B4 (de) * 2010-07-22 2014-10-30 Novaled Ag Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung des Halbleiterbauelementes und Inverter mit zwei Halbleiterbauelementen
WO2012014759A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP2012038523A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
KR101117127B1 (ko) * 2010-08-06 2012-02-24 한국과학기술연구원 비정질 실리콘 태양전지와 유기 태양전지를 이용한 탠덤형 태양전지
KR20130113455A (ko) * 2010-09-14 2013-10-15 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 무기 태양 전지에 대한 윈도우 층으로서의 유기 반도체
US8496341B2 (en) 2010-10-07 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101365824B1 (ko) * 2010-10-22 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR101950363B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 페난트렌 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
WO2012075639A1 (zh) * 2010-12-09 2012-06-14 海洋王照明科技股份有限公司 一种双面发光的有机电致发光器件及其制备方法
DE102010056519A1 (de) * 2010-12-27 2012-06-28 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit dotierten Schichten
US9516713B2 (en) 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI563873B (en) 2011-02-11 2016-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device, and display device
CN102683597B (zh) * 2011-03-09 2015-06-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种白光电致发光器件及其制备方法
CN103429599B (zh) * 2011-03-10 2016-09-07 国立大学法人京都大学 多环芳香族化合物
JP5760630B2 (ja) 2011-04-18 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置およびその製造方法、電子機器
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
KR101271483B1 (ko) * 2011-06-17 2013-06-05 한국항공대학교산학협력단 사용자 인식기능을 이용하는 지능형 양방향 광고 단말기
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
JP2013058562A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JP6040044B2 (ja) 2012-02-17 2016-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 ビピリジン化合物、発光素子用材料、有機半導体材料、発光素子、ディスプレイモジュール、照明モジュール、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器
DE102012204432B4 (de) 2012-03-20 2018-06-07 Osram Oled Gmbh Elektronische Struktur, aufweisend mindestens eine Metall-Aufwachsschicht sowie Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Struktur
JPWO2013147031A1 (ja) 2012-03-30 2015-12-14 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭素電極を用いたアクチュエータ素子
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN103378307A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
TWI650580B (zh) 2012-05-09 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI588540B (zh) 2012-05-09 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US20150207080A1 (en) 2012-08-24 2015-07-23 Konica Minolta Inc. Transparent electrode, electronic device, and method for manufacturing transparent electrode
US9882109B2 (en) 2012-11-06 2018-01-30 Empire Technology Development Llc Bi-polar organic semiconductors for thermoelectric power generation
WO2014072873A1 (en) * 2012-11-06 2014-05-15 Empire Technology Development Llc Bi-polar organic semiconductors for thermoelectric power generation
WO2014089066A1 (en) * 2012-12-03 2014-06-12 The University Of Akron An organic polymer photo device with broadband response and increased photo-responsitivity
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6124584B2 (ja) 2012-12-21 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
CN104037330A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP6350518B2 (ja) 2013-03-29 2018-07-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置
US20160043334A1 (en) 2013-03-29 2016-02-11 Konica Minolta, Inc. Material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, display device and lighting device
WO2014157610A1 (ja) 2013-03-29 2014-10-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法
CN104253243A (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR101666781B1 (ko) * 2013-06-28 2016-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
DE102013106949A1 (de) * 2013-07-02 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
TWI633100B (zh) 2013-07-19 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 有機化合物、發光元件、顯示器模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、照明設備及電子裝置
TWI727366B (zh) 2013-08-09 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
US10100415B2 (en) * 2014-03-21 2018-10-16 Hypersolar, Inc. Multi-junction artificial photosynthetic cell with enhanced photovoltages
TWI713447B (zh) 2014-04-30 2020-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子設備
KR20240033152A (ko) 2014-05-30 2024-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기
KR20160049974A (ko) * 2014-10-28 2016-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자기기, 및 조명 장치
JP2016142981A (ja) * 2015-02-04 2016-08-08 株式会社東芝 自給電型表示装置
JP5831654B1 (ja) 2015-02-13 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US10991894B2 (en) 2015-03-19 2021-04-27 Foundation Of Soongsil University-Industry Cooperation Compound of organic semiconductor and organic semiconductor device using the same
JP6788314B2 (ja) 2016-01-06 2020-11-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP2017139342A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 日立化成株式会社 有機発光素子
JP6899502B2 (ja) 2016-02-10 2021-07-07 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
US10340470B2 (en) 2016-02-23 2019-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting apparatus
KR20170128664A (ko) 2016-05-12 2017-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20180004866A (ko) * 2016-07-04 2018-01-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP3461233A4 (en) 2016-08-24 2019-07-17 Konica Minolta, Inc. ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE EMISSION DEVICE
CN106450023A (zh) 2016-12-26 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光器件及有机发光显示器
KR102527664B1 (ko) 2018-04-24 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US10770482B2 (en) 2018-06-06 2020-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11793010B2 (en) 2018-06-06 2023-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US11575013B2 (en) 2018-11-02 2023-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
JPWO2021009587A1 (zh) 2019-07-12 2021-01-21
CN110513605B (zh) * 2019-08-20 2020-12-29 西安鸿钧睿泽新材料科技有限公司 一种具有自发光功能的园林景观灯及其制造方法
US11482687B2 (en) 2019-11-08 2022-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2023142463A (ja) 2022-03-25 2023-10-05 株式会社デンソー 運転操作支援装置

Family Cites Families (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5713778Y2 (zh) 1976-03-19 1982-03-19
JPS55140277U (zh) 1979-03-28 1980-10-06
JPS55140277A (en) * 1979-04-19 1980-11-01 Ricoh Co Ltd Organic phtotovoltaic element
US4255211A (en) * 1979-12-31 1981-03-10 Chevron Research Company Multilayer photovoltaic solar cell with semiconductor layer at shorting junction interface
JPS577115A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic semiconductor material
US4292461A (en) * 1980-06-20 1981-09-29 International Business Machines Corporation Amorphous-crystalline tandem solar cell
JPS5750481A (en) 1980-09-12 1982-03-24 Toray Ind Inc Solar battery
JPS57124481A (en) 1981-01-27 1982-08-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Solar cell and its manufacture
JPS6028278Y2 (ja) 1982-03-04 1985-08-27 ツインバ−ド工業株式会社 複合材食器
JPS5952702U (ja) 1982-09-29 1984-04-06 三菱電機株式会社 単投双極形半導体スイツチ
JPS6028278A (ja) 1983-07-26 1985-02-13 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子
JPS6028278U (ja) 1983-08-02 1985-02-26 株式会社　丸島水門製作所 小水力発電設備
US4552927A (en) 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
US4878097A (en) * 1984-05-15 1989-10-31 Eastman Kodak Company Semiconductor photoelectric conversion device and method for making same
US4950614A (en) * 1984-05-15 1990-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device
US4741976A (en) * 1984-07-31 1988-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
JPS61204173A (ja) * 1985-03-07 1986-09-10 Takasago Corp 導電性有機化合物
US4871236A (en) 1985-09-18 1989-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film display element
JPS636882A (ja) * 1986-06-26 1988-01-12 ザ　スタンダ−ド　オイル　カンパニ− タンデム構成の光電池装置
DE3700792C2 (de) 1987-01-13 1996-08-22 Hoegl Helmut Photovoltaische Solarzellenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2520247B2 (ja) * 1987-02-12 1996-07-31 日本カ−リツト株式会社 表面の透明導電化方法
US5093210A (en) * 1989-06-30 1992-03-03 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device
JPH03105315A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd 液晶表元装置
EP0418833A3 (en) 1989-09-20 1993-03-17 Hitachi, Ltd. Organic thin film and liquid crystal display devices with the same
JPH03125478A (ja) * 1989-10-11 1991-05-28 Olympus Optical Co Ltd 有機半導体を用いた電子素子の製造方法
JPH03272186A (ja) * 1990-03-22 1991-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd タンデム構造超高効率太陽電池
JPH0447609A (ja) * 1990-06-12 1992-02-17 Shin Etsu Polymer Co Ltd 透明導電体
US5364654A (en) 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
JP2884723B2 (ja) 1990-06-18 1999-04-19 富士通株式会社 薄膜半導体装置およびその製造方法
JPH0831616B2 (ja) * 1990-11-22 1996-03-27 積水化学工業株式会社 タンデム型有機太陽電池
JPH04192376A (ja) 1990-11-22 1992-07-10 Sekisui Chem Co Ltd タンデム型有機太陽電池
US5684320A (en) 1991-01-09 1997-11-04 Fujitsu Limited Semiconductor device having transistor pair
US5093698A (en) 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
JPH05121770A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5331183A (en) 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JPH06122277A (ja) * 1992-08-27 1994-05-06 Toshiba Corp アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物
JP2605555B2 (ja) 1992-09-14 1997-04-30 富士ゼロックス株式会社 無機薄膜ｅｌ素子
JPH06120535A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
JP3189438B2 (ja) 1992-12-04 2001-07-16 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JP3243311B2 (ja) 1992-12-15 2002-01-07 キヤノン株式会社 電界発光素子
JP3137494B2 (ja) * 1993-04-22 2001-02-19 三菱電機株式会社 電界発光素子およびこれを用いた表示装置
JPH06318725A (ja) 1993-05-10 1994-11-15 Ricoh Co Ltd 光起電力素子およびその製造方法
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5682043A (en) * 1994-06-28 1997-10-28 Uniax Corporation Electrochemical light-emitting devices
JP2002516629A (ja) * 1994-08-11 2002-06-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 固体画像増倍器及び固体画像増倍器からなるｘ線検査装置
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6358631B1 (en) * 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5858561A (en) * 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
WO1996033594A1 (en) 1995-04-18 1996-10-24 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent device
US5677546A (en) * 1995-05-19 1997-10-14 Uniax Corporation Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration
JP4477150B2 (ja) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3808534B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-16 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
US6048630A (en) * 1996-07-02 2000-04-11 The Trustees Of Princeton University Red-emitting organic light emitting devices (OLED's)
JP3159071B2 (ja) * 1996-08-01 2001-04-23 株式会社日立製作所 放熱フィンを有する電気装置
ATE247372T1 (de) * 1996-09-04 2003-08-15 Cambridge Display Tech Ltd Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
JP3173395B2 (ja) * 1996-11-26 2001-06-04 富士ゼロックス株式会社 電荷輸送性材料及びそれに用いる電荷輸送性微粒子の製造方法
WO1998024273A1 (fr) * 1996-11-27 1998-06-04 Tdk Corporation Element electroluminescent organique et procede de fabrication dudit element
JPH10199678A (ja) 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4486713B2 (ja) * 1997-01-27 2010-06-23 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5917280A (en) * 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
JP3744103B2 (ja) 1997-02-21 2006-02-08 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5981970A (en) 1997-03-25 1999-11-09 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JPH1115408A (ja) 1997-06-20 1999-01-22 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
KR100216930B1 (ko) 1997-09-01 1999-09-01 이서봉 공액 고분자 화합물을 이용한 전기발광소자의 제조법
AU2492399A (en) * 1998-02-02 1999-08-16 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
JPH11250171A (ja) * 1998-02-26 1999-09-17 Sony Corp 光学読取装置
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
GB9806066D0 (en) * 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JP3748491B2 (ja) 1998-03-27 2006-02-22 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11307261A (ja) * 1998-04-16 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JPH11307259A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JPH11312585A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3875401B2 (ja) 1998-05-12 2007-01-31 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ素子
US6885147B2 (en) * 1998-05-18 2005-04-26 Emagin Corporation Organic light emitting diode devices with improved anode stability
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US6657300B2 (en) 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
CN1293785C (zh) 1998-06-26 2007-01-03 出光兴产株式会社 发光器件
JP2000052591A (ja) 1998-08-11 2000-02-22 Futaba Corp 有機ｅｌプリントヘッド
JP3776600B2 (ja) * 1998-08-13 2006-05-17 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP3907142B2 (ja) * 1998-08-18 2007-04-18 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
US6198091B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6297495B1 (en) * 1998-08-19 2001-10-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with a top transparent electrode
US6451415B1 (en) * 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6278055B1 (en) * 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
US6198092B1 (en) * 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
US6352777B1 (en) 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
EP1048084A4 (en) * 1998-08-19 2001-05-09 Univ Princeton ORGANIC OPTOELECTRONIC LIGHT SENSITIVE DEVICE
EP2610229A3 (en) * 1998-08-31 2015-02-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transparent electroconductive glass coated with transparent electroconductive film containing IZTO
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
JP2000164361A (ja) 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
DE19854938A1 (de) 1998-11-27 2000-06-08 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
DE19905694A1 (de) * 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
JP3732985B2 (ja) 1998-12-25 2006-01-11 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US6781305B1 (en) 1998-12-25 2004-08-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device having negative electrode containing a selective combination of elements
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP2000231989A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3641963B2 (ja) * 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP2000243567A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP4375502B2 (ja) * 1999-02-23 2009-12-02 淳二 城戸 発光素子
JP2000243563A (ja) 1999-02-23 2000-09-08 Stanley Electric Co Ltd 有機発光素子
JP2000260572A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2000268973A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000276078A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000306676A (ja) 1999-04-21 2000-11-02 Chemiprokasei Kaisha Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000315581A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6383898B1 (en) * 1999-05-28 2002-05-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photoelectric conversion device
JP3753556B2 (ja) * 1999-05-28 2006-03-08 シャープ株式会社 光電変換素子及びその製造方法
JP2000348864A (ja) 1999-06-08 2000-12-15 Toray Ind Inc 有機電界発光素子の製造方法
US6521360B2 (en) * 1999-06-08 2003-02-18 City University Of Hong Kong White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
JP3724272B2 (ja) * 1999-09-16 2005-12-07 トヨタ自動車株式会社 太陽電池
TW474114B (en) 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP4824848B2 (ja) 2000-02-29 2011-11-30 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法
JP2001135479A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Canon Inc 発光素子、並びにそれを用いた画像読取装置、情報処理装置及びディスプレイ装置
US6272269B1 (en) * 1999-11-16 2001-08-07 Dn Labs Inc. Optical fiber/waveguide illumination system
US6486413B1 (en) 1999-11-17 2002-11-26 Ebara Corporation Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
JP2001167808A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および光電池
US6489073B2 (en) * 2000-01-14 2002-12-03 Ricoh Company, Ltd. Method and device for developing electrostatic latent images
JP4477729B2 (ja) * 2000-01-19 2010-06-09 シャープ株式会社 光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
JP4592967B2 (ja) 2000-01-31 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電気器具
US6580213B2 (en) * 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2001225847A (ja) * 2000-02-15 2001-08-21 Haguruma Futo Kk 封 筒
JP4631122B2 (ja) * 2000-02-21 2011-02-16 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP2001244074A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Technology Licensing Organization Inc 発光素子及びその製造方法
JP2001267074A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
KR100329571B1 (ko) 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
JP4094203B2 (ja) 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
TW493282B (en) 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
AT410729B (de) * 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
JP2001319781A (ja) 2000-05-02 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子材料の選択方法及びその材料を用いた有機発光素子
WO2001096454A1 (en) * 2000-06-12 2001-12-20 Maxdem Incorporated Polymer matrix electroluminescent materials and devices
JP2001357975A (ja) * 2000-06-16 2001-12-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2002033193A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 有機発光素子
US6939624B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2002075661A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
US7153592B2 (en) 2000-08-31 2006-12-26 Fujitsu Limited Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material
JP2002094085A (ja) * 2000-09-13 2002-03-29 Kyocera Corp 有機太陽電池
JP2002164170A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 白色有機エレクトロルミネッセンスパネル
US6803720B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
JP2002231445A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子およびその製造方法
JP4507420B2 (ja) * 2001-02-22 2010-07-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6841932B2 (en) * 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
JP2002319688A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Sharp Corp 積層型太陽電池
JP3955744B2 (ja) * 2001-05-14 2007-08-08 淳二 城戸 有機薄膜素子の製造方法
US6657378B2 (en) * 2001-09-06 2003-12-02 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic devices
US6580027B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
EP1396033A4 (en) * 2001-06-11 2011-05-18 Univ Princeton ORGANIC PHOTOVOLTAIC COMPONENTS
JP4611578B2 (ja) 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
KR20030017748A (ko) * 2001-08-22 2003-03-04 한국전자통신연구원 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
US6524884B1 (en) * 2001-08-22 2003-02-25 Korea Electronics And Telecommunications Research Institute Method for fabricating an organic electroluminescene device having organic field effect transistor and organic eloectroluminescence diode
JP4054631B2 (ja) 2001-09-13 2008-02-27 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置
JP4011325B2 (ja) * 2001-10-31 2007-11-21 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0126757D0 (en) * 2001-11-07 2002-01-02 Univ Cambridge Tech Organic field effect transistors
JP3983037B2 (ja) 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP2003264085A (ja) * 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
US7956349B2 (en) 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
EP1388903B1 (en) * 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP2004111085A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
AU2003263609A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
KR101114900B1 (ko) 2002-12-26 2012-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 발광 디바이스, 조명등 및 발광 장치의 제조 방법
US20040124505A1 (en) 2002-12-27 2004-07-01 Mahle Richard L. Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock
CN1742518B (zh) 2003-01-29 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 发光装置
JP4598673B2 (ja) 2003-06-13 2010-12-15 パナソニック株式会社 発光素子及び表示装置
US7511421B2 (en) 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101794865A (zh) 2010-08-04
CN1738502B (zh) 2010-11-17
JP2019061964A (ja) 2019-04-18
KR100923739B1 (ko) 2009-10-27
KR101424795B1 (ko) 2014-08-04
JP2015062247A (ja) 2015-04-02
KR20030046327A (ko) 2003-06-12
KR101465194B1 (ko) 2014-11-25
TW200610207A (en) 2006-03-16
CN1433096A (zh) 2003-07-30
JP2019208035A (ja) 2019-12-05
CN102544374B (zh) 2015-04-01
KR20110046406A (ko) 2011-05-04
KR20130016148A (ko) 2013-02-14
JP2016054316A (ja) 2016-04-14
EP2254155A1 (en) 2010-11-24
US8941096B2 (en) 2015-01-27
JP2009267433A (ja) 2009-11-12
KR20090085007A (ko) 2009-08-06
US20060091797A1 (en) 2006-05-04
EP1318553A3 (en) 2006-03-29
JP6189401B2 (ja) 2017-08-30
TWI261380B (en) 2006-09-01
US7420203B2 (en) 2008-09-02
KR20110083570A (ko) 2011-07-20
EP1919008A3 (en) 2008-06-04
JP2019053991A (ja) 2019-04-04
JP2021002674A (ja) 2021-01-07
SG194237A1 (en) 2013-11-29
TWI270225B (en) 2007-01-01
KR20100044148A (ko) 2010-04-29
TW200610170A (en) 2006-03-16
EP1919008B1 (en) 2019-03-27
KR20070119591A (ko) 2007-12-20
TW200610439A (en) 2006-03-16
CN101697368A (zh) 2010-04-21
JP2018142718A (ja) 2018-09-13
CN101697368B (zh) 2012-04-25
US7956349B2 (en) 2011-06-07
KR101206943B1 (ko) 2012-11-30
CN101399320B (zh) 2013-05-29
US20090045738A1 (en) 2009-02-19
KR101219747B1 (ko) 2013-01-21
JP2012009446A (ja) 2012-01-12
CN1738502A (zh) 2006-02-22
EP1919008A2 (en) 2008-05-07
KR100955897B1 (ko) 2010-05-06
SG113443A1 (en) 2005-08-29
CN102544374A (zh) 2012-07-04
CN1433096B (zh) 2010-04-28
US20110227119A1 (en) 2011-09-22
KR20080025385A (ko) 2008-03-20
US9312507B2 (en) 2016-04-12
US20160218309A1 (en) 2016-07-28
US7956353B2 (en) 2011-06-07
TW200301021A (en) 2003-06-16
KR20090064514A (ko) 2009-06-19
JP2011071138A (ja) 2011-04-07
CN101794865B (zh) 2012-03-14
SG142163A1 (en) 2008-05-28
US20030127967A1 (en) 2003-07-10
EP1318553B1 (en) 2019-10-09
US11217764B2 (en) 2022-01-04
JP2012038742A (ja) 2012-02-23
JP2012248857A (ja) 2012-12-13
US20110227125A1 (en) 2011-09-22
EP1318553A2 (en) 2003-06-11
KR100866632B1 (ko) 2008-11-04
KR101153471B1 (ko) 2012-06-05
US20190074463A1 (en) 2019-03-07
CN101814585B (zh) 2012-08-29
TWI301037B (en) 2008-09-11
CN101814585A (zh) 2010-08-25
CN101399320A (zh) 2009-04-01
JP2021073671A (ja) 2021-05-13
JP2017112388A (ja) 2017-06-22
JP2019054255A (ja) 2019-04-04
SG176316A1 (en) 2011-12-29
KR100930312B1 (ko) 2009-12-08
US7473923B2 (en) 2009-01-06
JP2008171832A (ja) 2008-07-24
US20050156197A1 (en) 2005-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI300627B (en) Organic semiconductor element
JP2003264085A (ja) 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
JP2005123208A (ja) 有機太陽電池
JP2007027141A (ja) 有機半導体素子の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees