DE19854938A1 - Bauelement - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 title abstract description 107
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title abstract description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- 238000005325 percolation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- -1 Perylene carboxylic acid imides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical group 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einer ersten Schicht (30), die im wesentlichen aus einem ersten Material besteht, einer zweiten Schicht (60), die im wesentlichen aus einem zweiten Material besteht und wenigstens einer zwischen der ersten Schicht (30) und der zweiten Schicht (60) befindlichen Zwischenschicht (40, 50). DOLLAR A Erfindungsgemäß ist dieses Bauelement so gestaltet, daß die zwischenschicht (40, 50) das erste Material und/oder das zweite Material enthält und daß in der Zwischenschicht (40, 50) mindestens ein Stoff kollodial gelöst ist und daß der Stoff eine andere Leitfähigkeit aufweist als das erste Material oder das zweite Material.
Description
Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einer ersten
Schicht, die im wesentlichen aus einem ersten Material
besteht, einer zweiten Schicht, die im wesentlichen aus einem
zweiten Material besteht und wenigstens einer zwischen der
ersten Schicht und der zweiten Schicht befindlichen
Zwischenschicht.
Ein gattungsgemäßes Bauelement ist aus der US-PS 5 698 048
bekannt. Hierbei befindet sich zwischen den beiden Schichten
eine Zwischenschicht, die ein Polymer, nicht jedoch eines der
beiden Materialien der Schichten enthält.
Aus der US-PS 5 454 880 ist eine Diode bekannt, bei der eine
Schicht aus einem Polymer und eine weitere, Fullerene
enthaltende Schicht benachbart zueinander liegen. Hierbei ist
das Polymer so gestaltet, daß es als Donator wirkt, während
die Fullerene als Akzeptoren für Ladungsträger wirken.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes
Bauelement zu schaffen, welches für eine Aussendung und/oder
einen Empfang von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere
von Licht, einen möglichst hohen Wirkungsgrad aufweist.
Insbesondere soll durch die Erfindung eine Solarzelle mit
einem möglichst hohen Wirkungsgrad geschaffen werden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß ein
gattungsgemäßes Bauelement so ausgestaltet wird, daß die
Zwischenschicht das erste Material und/oder das zweite
Material enthält und daß in der Zwischenschicht mindestens
ein Stoff kollodial gelöst ist und daß der Stoff eine andere
Leitfähigkeit aufweist als das erste Material oder das zweite
Material.
Die Erfindung sieht also vor, ein Bauelement zu schaffen, das
wenigstens zwei Schichten aus zwei Materialien mit
unterschiedlichen Leitfähigkeiten und wenigstens einer
zwischen ihnen befindlichen Zwischenschicht aufweist. Die
Zwischenschicht enthält hierbei wenigstens eines der beiden
Materialien und einen kolloidal gelösten Stoff. Kolloidal
gelöst bedeutet hier, daß der Stoff aus Teilchen besteht oder
diese durch chemische Reaktion oder Agglomeration bildet und
daß diese Teilchen sich in dem Material befinden. Die
Teilchen weisen vorzugsweise eine Größe von 1 nm bis 1 µm
auf. Vorzugsweise befinden sich die Teilchen dabei so in dem
Material, daß sie ein Netzwerk bilden über das Ladungsträger
fließen können, beispielsweise in einem
Perkolationsmechanismus. Es ist vorteilhaft, jedoch nicht
notwendig, daß Ladungsträger in dem Material fließen können.
Der kolloidal gelöste Stoff weist eine Leitfähigkeit auf, die
sowohl von der Leitfähigkeit des ersten Materials als auch
von der Leitfähigkeit des zweiten Materials verschieden ist.
Hierbei kommt es weniger auf eine absolute Höhe der
Leitfähigkeit an als vielmehr auf die Art, wie Ladungsträger
transportiert werden.
Eine erste zweckmäßige Ausführungsform des Bauelementes
zeichnet sich dadurch aus, daß es genau eine Zwischenschicht
enthält. Die Zwischenschicht besteht hierbei beispielsweise
aus dem ersten Material und darin gelöstem Stoff oder aus dem
zweiten Material und darin gelöstem Stoff oder aus einer
Mischung oder Verbindung des ersten Materials mit dem zweiten
Material und darin gelöstem Stoff.
Eine andere, gleichfalls vorteilhafte Ausführungsform des
Bauelementes zeichnet sich dadurch aus, daß sich zwischen der
ersten Schicht und der zweiten Schicht eine erste
Zwischenschicht und eine zweite Zwischenschicht befinden, daß
die erste Zwischenschicht an der ersten Schicht anliegt und
daß die zweite Zwischenschicht an der zweiten Schicht
anliegt.
Die Zwischenschichten können sich beispielsweise dadurch
unterscheiden, daß die erste Zwischenschicht im wesentlichen
das erste Material und den darin kollodial gelösten Stoff
enthält und daß die zweite Zwischenschicht im wesentlichen
aus dem zweiten Material und dem darin kolloidal gelösten
Stoff besteht.
Ferner ist es vorteilhaft, daß in der ersten Zwischenschicht
ein erster Stoff kolloidal gelöst ist und daß in der zweiten
Zwischenschicht ein zweiter Stoff kolloidal gelöst ist.
Eine erhöhte Stromausbeute beziehungsweise Strahlungsausbeute
wird dadurch erzielt, daß das erste und/oder zweite Material
ein Halbleiter ist.
Es ist besonders zweckmäßig, daß das erste Material und/oder
das zweite Material ein organischer Halbleiter ist.
Für einen Einsatz des Bauelementes als Solarzelle oder als
Bestandteil einer Solarzelle ist es vorteilhaft, daß das
erste Material und/oder das zweite Material eine geeignete
Lichtabsorption aufweisen.
Zweckmäßigerweise enthält der organische Halbleiter
substituierte Perylenpigmente. Insbesondere ist es
zweckmäßig, daß die Perylenpigmente substituierte
Perylencarbonsäure-Imide sind.
Eine weitere Erhöhung des Wirkungsgrades wird dadurch
erzielt, daß das erste Material einen anderen
Leitfähigkeitstyp aufweist als das zweite Material.
Besonders vorteilhaft ist es, daß das zweite Material eine
organische Komplexverbindung, insbesondere eine
metallorganische Komplexverbindung, enthält. Hierbei handelt
es sich vorzugsweise um eine Phthalocyanin-Verbindung. Ein
Einsatz von Wasserstoff-Phthalocyanin oder Metall-
Phthalocyaninen, insbesondere Zink-Phthalocyanin, ist
besonders vorteilhaft.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Bauelementes zeichnet sich dadurch aus, daß der Stoff aus
einem Halbleitermaterial besteht.
Durch den Begriff Halbleitermaterial sind alle aus der
Halbleitertechnologie als Halbleitermaterialien bekannten
Stoffe umfaßt. Der Begriff Halbleitermaterial ist hier jedoch
nicht auf im allgemeinen als Halbleiter bezeichnete
Materialien beschränkt, sondern umfaßt vielmehr alle
Materialien, die in wenigstens einer Modifikation oder
Teilchengröße eine Bandlücke zwischen Valenzband und
Leitungsband aufweisen. Für einen zu erzielenden
Ladungstransport von Ladungsträgern eines Typs kommt es
lediglich auf ihre energetische Lage und die Energieniveaus
in dem Stoff an. So ist beispielsweise bei einem Abtransport
von Elektronen lediglich eine Lage des Leitungsbandes im
Stoff, die einer Lage des Leitungsbandes oder des
Valenzbandes im Material entspricht, erforderlich. Auf die
Lage des Valenzbandes im Stoff und damit auf die Bandlücke
kommt es hierbei nicht an. Bei Löcherleitung gilt
entsprechend, daß sich zweckmäßigerweise das Valenzband des
Stoffes auf einem Energieniveau befindet, das einem
Energieniveau des Valenzbandes oder des Leitungsbandes des
Materials entspricht.
Aufgrund von Quantengröße-Effekten (Quantum-Size Effects)
kann die Leitfähigkeit von Partikeln des Stoffes von der
makroskopischen Leitfähigkeit verschieden sein. Für die
Erfindung ist elektrische Leitung in einem Umfang zweckmäßig,
durch den Ladungsträger eines Leitfähigkeitstyps gezielt
abtransportiert werden können. Eine Erhöhung der
Leitfähigkeit durch eine geeignete Nanostruktur, durch die
beispielsweise ein Stoff, der makroskopisch einen Halbleiter
bildet, in der erfindungsgemäßen Schicht als Metall wirkt,
ist daher mit eingeschlossen. Dies gilt auch für
makroskopisch metallische Materialien, die als kleine
Teilchen zu Halbleitern werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform des Bauelementes zeichnet
sich dadurch aus, daß der Stoff aus einen organischen
Halbleitermaterial besteht.
Insbesondere ist es zweckmäßig, daß der Stoff durch eine eine
Bandlücke aufweisende Kohlenstoffmodifikation wie C60, C70
oder Graphen enthält.
Ein besonders wirksamer Transport der Ladung bei
gleichzeitiger Vermeidung von elektrischen Kurzschlüssen wird
dadurch erreicht, daß der Stoff im wesentlichen in der Form
von Partikeln vorliegt.
Bei den Partikeln handelt es sich beispielsweise um einzelne
Moleküle, insbesondere einzelne Fulleren-Moleküle, oder um
Cluster aus mehreren Molekülen.
Die Partikel weisen vorzugsweise eine Größe von 1 nm bis 1 µm
auf, wobei eine obere Partikelgröße von 200 nm bevorzugt ist.
Eine deutliche Zunahme des Ladungstransports wird dadurch
erzielt, daß die Partikel eine Konzentration aufweisen, die
so groß ist, daß eine Perkolation entsteht.
Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen und der nachfolgenden Darstellung eines
bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen.
Von den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Bauelementes,
Fig. 2 eine externe Quantenausbeute als Verhältnis eines
Stromflusses zu einfallenden Photonen (Incident
Photon To Current Efficiency - IPCE) in
Abhängigkeit von der Wellenlänge des einfallenden
Lichtes für verschiedene Konzentrationen von C60,
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Bauelementes.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Bauelement handelt es sich
beispielsweise um eine Solarzelle oder um eine organische
lichtemittierende Diode. Das Bauelement enthält hin auf einem
Substrat 10, beispielsweise Glas, insbesondere Silikatglas,
aufgebrachtes Schichtsystem aus einer transparenten
Kontaktschicht 20, einer ersten Schicht 30, einer zweiten
Schicht 60, einer Zwischenschicht 50 und einer
Kontaktierungsschicht 70.
Auf einen seitlichen Bereich der transparenten Kontaktschicht
20 ist ein Kontakt 80 aufgebracht. Ein weiterer Kontakt 90
befindet sich auf der oberen Kontaktierungsschicht 70. Die
transparente Kontaktschicht 20 weist eine Dicke zwischen 5 nm
und 1 µm, vorzugsweise 10 nm bis 200 nm, auf. Die Dicke der
Kontaktschicht 20 kann variabel gewählt werden.
Die erste Schicht 30 befindet sich auf der transparenten
Kontaktschicht. Es ist möglich, daß die erste Schicht 30
abschnittsweise auch auf das Substrat 10 reicht,
beispielsweise in Bereichen, in denen zuvor die transparente
Kontaktschicht 20 weggeätzt wurde. Für die Erzielung der
Grenzflächeneffekte zwischen der transparenten Kontaktschicht
20 und der ersten Schicht 20 ist dies jedoch nicht
erforderlich.
Es ist jedoch produktionstechnisch zweckmäßig, daß die erste
Schicht 30 über die transparente Kontaktschicht 20
hinausragt, weil so ein Kurzschluß zwischen dem Kontakt 90
und der transparenten Kontaktschicht 20 vermieden wird.
Die erste Schicht 30 weist eine Dicke zwischen 5 nm und 1000 nm,
vorzugsweise 10 nm bis 200 nm auf. Die Dicke der Schicht
30 kann variabel gewählt werden, weil es zur Erzielung der
Grenzflächeneffekte zwischen den Schichten 30 und 60 nicht
auf die Abmessungen der Schichten 30, 60 ankommt.
Die Kontaktschicht 20 besteht vorzugsweise aus einem
transparenten Material, bei dem es sich insbesondere um ein
transparentes leitfähiges Oxid handelt. Die transparenten
Eigenschaften sind bei einem Einsatz als Solarzelle oder als
lichtemittierende Diode mit Licht, das durch das Substrat 10
hindurchdringt, erforderlich, damit durch das Substrat 10
hindurchdringenden Lichtstrahlen von der Kontaktschicht 20
nicht absorbiert werden. Bei einem Lichteinfall oder
-austritt durch die Schicht 60 ist die lichtdurchlässige
Gestaltung der Kontaktschicht 20 jedoch nicht erforderlich.
Die erste Schicht 30 besteht vorzugsweise aus einem
organischen halbleitenden Material eines ersten
Leitfähigkeitstyps. Beispielsweise handelt es sich um ein n-
leitendes Material, vorzugsweise um Perylen-3,4,9,10-
tetracarbonsäure-N,N'-dimethylimid (MPP).
Die zweite Schicht 60 besteht vorzugsweise aus einem zweiten
halbleitenden Material. Hierbei handelt es sich insbesondere
um ein Material mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp,
vorzugsweise um Zink-Phthalocyanin (ZnPc). Eine
Kontaktierungsschicht 70 dient zu einem elektrischen Anschluß
der Schicht 60. Beispielsweise besteht die
Kontaktierungsschicht 70 aus Gold. Gold hat den besonderen
Vorteil, daß es eine hohe elektrische Leitfähigkeit mit einer
hohen chemischen Beständigkeit vereinigt.
Die Zwischenschicht 50 enthält das gleiche Material wie die
Schicht 60, ist jedoch mit einem Fulleren oder einem
Halbleiteroxid wie TiO2 angereichert. Die Anreicherung
beträgt bei einem Einsatz des Bauelementes als Solarzelle
vorzugsweise maximal 60%. Bei einem Einsatz des Bauelementes
als lichtemittierende Diode kann die Anreicherung noch höher
sein.
In Fig. 2 sind solare Stromausbeuten durch eine externe
Quantenausbeute als Verhältnis eines Stromflusses zu
einfallenden Photonen (Incident Photon To Current Efficiency
- IPCE) in Abhängigkeit von der Wellenlänge von einfallendem
Licht für verschiedene Konzentrationen von C60 dargestellt.
Es handelt sich hierbei um Meßwerte, die bei der in Fig. 1
dargestellten Solarzelle gemessen wurden. Es zeigt sich, daß
die Stromausbeute mit zunehmender Konzentration von C60
steigt. Ein besonders großer Anstieg tritt bei einer
Konzentration von C60 von mehr als 10% auf. Eine mögliche
Erklärung für diesen unerwartet hohen Anstieg könnte ein
Auftreten von Perkolation sein.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Bauelement handelt es sich
beispielsweise um eine Solarzelle oder um eine organische
lichtemittierende Diode. Das Bauelement enthält ein auf einem
Substrat 10, beispielsweise Glas, insbesondere Silikatglas,
aufgebrachtes Schichtsystem aus einer transparenten
Kontaktschicht 20, einer ersten Schicht 30, einer zweiten
Schicht 60, einer ersten Zwischenschicht 40, einer zweiten
Zwischenschicht 50 und einer Kontaktierungsschicht 70.
Auf einen seitlichen Bereich der transparenten Kontaktschicht
20 ist ein Kontakt 80 aufgebracht. Ein weiterer Kontakt 90
befindet sich auf der oberen Kontaktierungsschicht 70. Die
transparente Kontaktschicht 20 weist eine Dicke zwischen 5 nm
und 1000 nm, vorzugsweise 10 nm bis 200 nm, auf. Die Dicke
der Schicht kann variabel gewählt werden.
Die erste Schicht 30 befindet sich auf der transparenten
Kontaktschicht. Es ist möglich, daß die erste Schicht 30
abschnittsweise auch auf das Substrat 10 reicht,
beispielsweise in Bereichen, in denen zuvor die transparente
Kontaktschicht 20 weggeätzt wurde.
Es ist produktionstechnisch zweckmäßig, daß die erste Schicht
30 über die transparente Kontaktschicht 20 hinausragt, weil
so ein Kurzschluß zwischen dem Kontakt 90 und der
transparenten Kontaktschicht 20 vermieden wird.
Die erste Schicht 30 weist eine Dicke zwischen 5 nm und 1000 nm,
vorzugsweise 10 nm bis 200 nm, auf. Die Dicke der Schicht
kann variabel gewählt werden, weil es zur Erzielung der
Grenzflächeneffekte nicht auf die Abmessungen der Schichten
ankommt.
Die Kontaktschicht 20 besteht bei einem Einsatz des
Bauelementes als Solarzelle mit einem Lichteinfall durch das
Substrat 10 oder als lichtemittierende Diode mit einem
Lichtaustritt durch das Substrat 10 aus einem transparenten
Material, bei dem es sich insbesondere um ein transparentes
leitfähiges Oxid handelt.
Die erste Schicht 30 besteht wie bei der anband von Fig. 1
dargestellten Ausführungsform vorzugsweise aus einem
organischen halbleitenden Material eines ersten
Leitfähigkeitstyps. Beispielsweise handelt es sich um ein n-
leitendes Material, vorzugsweise um Perylen-3,4,9,10-
tetracarbonsäure-N,N'-dimethylimid (MPP).
Die zweite Schicht 60 besteht vorzugsweise aus einem zweiten
halbleitenden Material. Hierbei handelt es sich insbesondere
um ein Material mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp,
vorzugsweise um Zink-Phthalocyanin (ZnPc). Eine
Kontaktierungsschicht 70 dient zu einem elektrischen Anschluß
der Schicht 60. Beispielsweise besteht die
Kontaktierungsschicht 70 aus Gold. Gold hat den besonderen
Vorteil, daß es eine hohe elektrische Leitfähigkeit mit einer
hohen chemischen Beständigkeit vereinigt.
Die erste Zwischenschicht 40 enthält jedenfalls das in der
ersten Schicht 30 enthaltene Material und möglicherweise auch
das in der zweiten Schicht 60 enthaltene Material,
vorzugsweise mindestens einen organischen Halbleiter.
Besonders geeignet sind MPP beziehungsweise ZnPc. Ferner ist
die Zwischenschicht 40 mit einem Fulleren oder einem anderen
Halbleitermaterial wie TiO2 angereichert. Die Anreicherung
beträgt bei einem Einsatz des Bauelementes als Solarzelle
vorzugsweise maximal 60%. Bei einem Einsatz des Bauelementes
als lichtemittierende Diode kann die Anreicherung noch höher
sein.
Die zweite Zwischenschicht 50 enthält das gleiche Material
wie die Schicht 60, ist jedoch mit einem anderen Fulleren
oder einem Halbleitermaterial wie TiO2 angereichert. Die
Anreicherung beträgt bei einem Einsatz des Bauelementes als
Solarzelle vorzugsweise maximal 60%. Bei einem Einsatz des
Bauelementes als lichtemittierende Diode kann die
Anreicherung noch höher sein.
10
Substrat
20
Kontaktschicht
30
erste Schicht
40
erste Zwischenschicht
50
zweite Zwischenschicht
60
zweite Schicht
70
Kontaktierungsschicht
80
Kontakt
90
Kontakt
Claims (26)
1. Bauelemant mit einer ersten Schicht (30), die im
wesentlichen aus einem ersten Material besteht, einer
zweiten Schicht (60), die im wesentlichen aus einem
zweiten Material besteht und wenigstens einer zwischen
der ersten Schicht (30) und der zweites Schicht (60)
befindlichen Zwischenschicht (40, 50),
dadurch gekennzeich
net, daß die Zwischenschicht (40, 50) das erste
Material und/oder das zweite Material enthält und daß in
der Zwischenschicht (40, 50) mindestens ein Stoff
kolloidal gelöst ist und daß der Stoff eine andere
Leitfähigkeit aufweist als das erste Material oder das
zweite Material.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sich zwischen
der ersten Schicht (30) und der zweiten Schicht (60)
eine erste Zwischenschicht (40) und eine zweite
Zwischenschicht (50) befinden, daß die erste
Zwischenschicht (40) an der ersten Schicht (30) anliegt
und daß die zweite Zwischenschicht (50) an der zweiten
Schicht (60) anliegt.
3. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste
Zwischenschicht (40) im wesentlichen das erste Material
und kolloidal gelösten Stoff enthält und daß die zweite
Zwischenschicht (50) im wesentlichen aus dem zweiten
Material und gelöstem Stoff besteht.
4. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste
Zwischenschicht (40) im wesentlichen das erste Material
und kolloidal gelösten Stoff enthält und daß die zweite
Zwischenschicht (50) das zweite Material, das erste
Material und kolloidal gelösten Stoff enthält.
5. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste
Zwischenschicht (40) das erste Material, das zweite
Material und kolloidal gelösten Stoff enthält und daß
die zweite Schicht (50) im wesentlichen das zweite
Material und kolloidal gelösten Stoff enthält.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der ersten Zwischenschicht (40) ein
erster Stoff kolloidal gelöst ist und daß in der zweiten
Zwischenschicht (50) ein zweiter Stoff kolloidal gelöst
ist.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da
durch gekennzeichnet,
daß das erste Material ein Halbleiter ist.
8. Bauelemet nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das erste
Material ein organischer Halbleiter ist.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeich
net, daß das zweite Material ein Halbleiter ist.
10. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß das zweite
Material ein organischer Halbleiter ist.
11. Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 10, da
durch gekennzeichnet,
daß das erste Material einen anderen Leitfähigkeitstyp
aufweist als das zweite Material.
12. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, da
durch gekennzeichnet,
daß der Stoff aus einem Halbleitermaterial besteht.
13. Bauelement nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stoff TiO2
enthält.
14. Bauelement nach Anspruch 12 oder 13, da
durch gekennzeichnet,
daß der Stoff SnO2 enthält.
15. Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
dadurch gekennzeich
net, daß der Stoff ein organisches
Halbleitermaterial enthält.
16. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, da
durch gekennzeichnet,
daß der Stoff wenigstens eine eine Bandlücke aufweisende
Kohlenstoffmodifikation enthält.
17. Bauelement nach Anspruch 16, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stoff
wenigstens einen Bestandteil aus der Gruppe der
Fullerene, substituierten Fullerene oder Fulleren-
Derivate enthält.
18. Bauelement nach Anspruch 17, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stoff C60
enthält.
19. Bauelement nach einem der Ansprüche 16 bis 18, da
durch gekennzeichnet,
daß der Stoff eine graphitische Kohlenstoffmodifikation
enthält.
20. Bauelement nach Anspruch 19, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stoff
Graphen enthält.
21. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, da
durch gekennzeichnet,
daß der Stoff im wesentlichen in der Form von Partikeln
vorliegt.
22. Bauelement nach Anspruch 21, dadurch
gekennzeichnet, daß die Partikel
im wesentlichen eine Größe zwischen 1 nm und 1 µm
aufweisen.
23. Bauelement nach Anspruch 22, dadurch
gekennzeichnet, daß die Größe der
Partikel zwischen 1 nm und 200 nm beträgt.
24. Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 23, da
durch gekennzeichnet,
daß die Partikel eine Konzentration aufweisen, die so
groß ist, daß eine Perkolation entsteht.
25. Verwendung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1
bis 24 als Solarzelle.
26. Verwendung eines Bauelementes nach einem der Ansprüche 1
bis 24 als lichtemittierende Diode.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19854938A DE19854938A1 (de) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | Bauelement |
DE19905694A DE19905694A1 (de) | 1998-11-27 | 1999-02-11 | Bauelement |
US09/856,875 US6559375B1 (en) | 1998-11-27 | 1999-11-26 | Organic solar cell or light-emitting diode |
EP99962081A EP1138090A1 (de) | 1998-11-27 | 1999-11-26 | Organische solarzelle bzw. leuchtdiode |
JP2000585948A JP4467805B2 (ja) | 1998-11-27 | 1999-11-26 | 太陽電池 |
PCT/DE1999/003759 WO2000033396A1 (de) | 1998-11-27 | 1999-11-26 | Organische solarzelle bzw. leuchtdiode |
HK02102533.8A HK1042589A1 (zh) | 1998-11-27 | 2002-04-04 | 有機太陽能電池或者發光二極管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19854938A DE19854938A1 (de) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | Bauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19854938A1 true DE19854938A1 (de) | 2000-06-08 |
Family
ID=7889326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19854938A Withdrawn DE19854938A1 (de) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | Bauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
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