JP4467805B2 - 太陽電池 - Google Patents

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Description

【0001】
本発明は、本質的に第1の材料からなる第1の層、本質的に第2の材料からなる第2の層および該第1の層と該第2の層の間に存在する少なくとも1つの中間層を有する太陽電池に関する。
【0002】
上位概念による素子は、US−PS 5698048から公知である。この文献の場合には2つの層の間に中間層が存在しており、この中間層は、ポリマーを含有しているが、しかしこれら2つの層の2つの材料の一方を含有していない。
【0003】
US−PS 5 454 880から、ポリマーからなる層と フラーレンを含有するもう1つの層が相互に隣り合わせになっているダイオードが公知である。この場合には、該ポリマーはドナーとして作用するように形成されており、その 一方で該フラーレンは、 電荷キャリヤーのためのアクセプターとして作用する。
【0004】
本発明の課題は、電磁放射、特に光、の放出および/または吸収についてできるだけ高い効果を有する太陽電池を提供することである。
【0005】
殊に、 できるだけ高い効果を有する太陽電池が本発明によって提供されなければならない。
【0006】
本発明によれば上記課題は、太陽電池が、前記中間層が前記第1の材料および/または前記第2の材料を含有し、かつ該中間層中に少なくとも1種の物質がコロイド溶解しており、かつ該物質が該第1の材料とも該第2の材料とも異なる伝導率を有するように形成されることによって解決される。
【0007】
また本発明によって、異なる伝導率を有する2つの材料からなる少なくとも2つの層およびこれら層の間に存在する少なくとも1つの中間層を有する素子が提供される。該中間層は、この場合には前記2つの材料の少なくとも1つおよびコロイド溶解した物質を含有する。コロイド溶解されたとは、この場合には、該物質が粒子からなるか、または該物質が該粒子を化学的な反応もしくは凝集によって形成しており、かつ該粒子が前記材料中に存在していることを意味する。該粒子は、好ましくは、1nm 〜1μmの大きさを有する。この場合、好ましくは、該粒子は前記材料中で、該粒子が、例えばパーコレーション(Perkolation)メカニズムで、 電荷キャリヤーが流れることができるネットワークを形成する状態で存在している。 電荷キャリヤーが前記材料中を流れることができることは、有利ではあるが、しかしながら、必要ではない。このコロイド溶解された物質は、第1の材料の伝導率とも第2の材料の伝導率とも違う伝導率を有している。この場合には、伝導率の絶対的な高さはあまり重要ではなく、むしろ、 電荷キャリヤーが運ばれる方法がより重要である。
【0008】
本発明による太陽電池の第1の有利な実施形態は、該太陽電池が、ただ1つの中間層を有していることを特徴とする。該中間層は、この場合には例えば、第1の材料と該材料中に溶解された物質からなるか、または第2の材料と該材料中に溶解された物質からなるか、または第1の材料と第2の材料の混合物もしくは化合物および該混合物もしくは化合物中に溶解された物質からなる。
【0009】
本発明による太陽電池の同様に有利な別の実施形態は、前記第1の層と前記第2の層の間に第1の中間層および第2の中間層が存在し、該第1の中間層が前記第1の層と境を接しており、かつ該第2の中間層が前記第2の層と境を接していることを特徴とする。
【0010】
これら中間層は、例えば、第1の中間層が本質的に前記第1の材料および該材料中にコロイド溶解された物質を含有しており、かつ第2の中間層が本質的に前記第2の材料および該材料中にコロイド溶解された物質を含有していることによって区別することができる。
【0011】
さらに、前記第1の中間層中に第1の物質がコロイド溶解しており、かつ前記第2の中間層中に第2の物質がコロイド溶解していることは、有利である。
【0012】
高められた電流効率または放射効率が、前記第1の材料および/または前記第2の材料が半導体であることによって達成される。
【0013】
前記第1の材料および/または前記第2の材料が有機半導体であることは、特に有利である。
【0014】
前記素子を太陽電池または太陽電池の部品として使用することにとって、前記第1の材料および/または前記第2の材料が適当な光吸収を示すことは有利である。
【0015】
好ましくは、前記有機半導体は、置換ペリレン顔料を含有している。特に、該ペリレン顔料が置換ペリレンカルボン酸イミドであることは、有利である。
【0016】
前記第1の材料が第2の材料と異なる別の伝導型を有することによって、さらに上記効果を高めることが達成される。
【0017】
前記第2の材料が有機錯化合物、殊に有機金属錯化合物、を含有することは、特に有利である。該錯化合物は、好ましくは、フタロシアニン化合物である。水素フタロシアニン(Wasserstoff-Phthalocyanin )、金属フタロシアニン、特に亜鉛フタロシアニン、の使用は、特に有利である。
【0018】
本発明による太陽電池の有利な実施形態は、前記物質が半導体材料からなることを特徴とする。
【0019】
半導体材料という概念には、半導体技術で半導体材料として公知であるすべての物質が含まれる。しかしながら、半導体材料という概念は、本発明の場合には、一般に半導体と称される材料に限定されるのではなく、むしろ、少なくとも1つの同素体で、あるいは少なくとも1つの粒径で、価電子帯と伝導帯の間のバンドギャップを有するすべての材料を含む。ある種類の電荷キャリヤーの達成すべき荷電移動にとって、電荷キャリヤーのエネルギー状態およびその物質におけるエネルギー準位のみが重要である。したがって、例えば電子の移動の場合には、前記材料の伝導帯または価電子帯の状態に相応する前記物質の伝導帯の状態のみが必要である。該物質の価電子帯の状態、ひいてはバンドギャップは、この場合には重要ではない。正孔伝導の場合には、好ましくは前記物質の価電子帯が、前記材料の価電子帯または伝導帯のエネルギー準位に相応するエネルギー準位にあることは、同様に有効である。
【0020】
量子サイズ効果(Quantum-Size Effects )が原因で前記物質の粒子の伝導率が、巨視的な伝導率と違っている可能性がある。本発明にとっては、意図してある伝導型の電荷キャリヤーを移動することができる規模での電気伝導が有効である。したがって、例えば巨視的には半導体を形成する物質が本発明による層の中で金属として作用する適当なナノ構造によって伝導率を高めることも含まれる。このことは、小さな粒子としては半導体になるが、巨視的には金属である材料にも有効である。
【0021】
本発明による太陽電池の有利な実施形態は、前記物質が有機半導体からなることを特徴とする。
【0022】
殊に、該物質が炭素の同素体を含有することは有利であり、この場合、該炭素の同素体は、例えばC60 、C70 またはグラフェンのようにバンドギャップを有している。
【0023】
同時に短絡を回避しながら電荷を特に効果的に移動することは、前記物質が本質的に粒子の形で存在することによって達成される。
【0024】
該粒子は、例えば個々の分子、殊に個々のフラーレン分子、または多数の分子からなるクラスターである。
【0025】
該粒子は、好ましくは、1nm〜1μmの大きさを有しており、この場合、最大粒径200nmが有利である。
【0026】
電荷移動の顕著な増加は、前記粒子が、パーコレーション(Perkolation )が生じる程度に高い濃度を有することによって達成される。
【0027】
電磁放射の放出および/または吸収における効果のさらなる増大は、前記物質の濃度が空間的に変化する(raeumlish variiert )ことによって達成することができる。
【0028】
本発明のこの別の態様によって、中間層を有しかつ該中間層の中でコロイド溶解された物質の濃度が空間的に変化する太陽電池が提供される。
【0029】
前記中間層は、前記第1の層と前記第2の層の間に存在し、この場合、これら層は共通のマトリックス材料内に存在することが可能である。該第1の層および該第2の層は、相互にあまり異なっていない材料からなることもできるし、全く異なる材料からなることもできる。
【0030】
好ましくは、該第1の層および該第2の層は、これら層が異なってドープされていることによってのみ異なっている。
【0031】
本発明による太陽電池の好ましい実施形態は、前記物質の濃度が中間層の中で変化することを特徴とする。
【0032】
殊に、前記太陽電池が、前記中間層の中に少なくとも2種の物質が存在する状態に形成されていることは、有利である。
【0033】
さらに、前記物質の1つが、もう1つの物質の濃度と異なる形で空間的に変化する濃度を有することは、有利である。
【0034】
本発明による太陽電池の有利な実施形態は、前記第1の物質が、前記第2の物質のフェルミ準位と少なくとも20meVの差があるフェルミ準位を示すことを特徴とする。
【0035】
さらに、前記第1の物質が、もう1つの物質と異なる伝導型を示すことは、有利である。
【0036】
本発明による太陽電池の有利な実施形態は、前記の物質の一方が、もう一方の物質と異なるバンドギャップを有することを特徴とする。
【0037】
さらに、前記第1の物質のバンドギャップが、前記第2の物質のバンドギャップと少なくとも20meVの差を有することは、有利である。
【0038】
本発明のさらなる利点、特徴および有利な別の実施形態は、サブクレームから、かつ図に基いて次に示す有利な実施例から、明らかである。
【0039】
図1に示された素子は、例えば、太陽電池ある。該素子は、基板10、例えばガラス、特にケイ酸塩ガラス、上に載せられた、透明コンタクト層20、第1の層30、第2の層60、中間層50およびコンタクト層70からなる層構造を有する。
【0040】
該透明コンタクト層20の脇の部分の上にコンタクト80が載せられている。もう1つのコンタクト90が、さらに上のコンタクト層70の上にある。該透明コンタクト層20は、厚さ5nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmを有している。このコンタクト層20の厚さは、可変的に選択することができる。
【0041】
第1の層30は、前記透明コンタクト層の上に存在する。該第1の層30は断片的に基板10に、例えばあらかじめ該透明コンタクト層20がエッチング除去された範囲内で、接していることも可能である。しかしながら、該透明コンタクト層20と該第1の層30の間の接合面効果(Grenzflacheneffekte )を達成するのに、このことは必要ない。
【0042】
しかしながら、第1の層30が透明コンタクト層20から突出していることは、このことによってコンタクト90と透明コンタクト層20の間の短絡が回避されるという理由から、生産技術的に有利である。
【0043】
前記第1の層30は、厚さ5nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmを有している。該層30の厚さは、可変的に選択することができ、それというのも、前記の層30と60の間の接合面効果を達成するのにこれら層30、60の寸法は重要ではないからである。
【0044】
前記透明コンタクト層20は、好ましくは、透明な材料からなり、この材料は特に、透明な伝導性酸化物である。この透明という性質は、前記基板10を透過する光を伴う太陽電池しての使用の場合に必要であり、このことによって基板10を透過する光線は、該コンタクト層20によって吸収されない。しかしながら、前記層60を通しての光の入射または放出の場合には、該コンタクト層20を光透過性に形成することは必要ではない。
【0045】
前記第1の層30は、好ましくは、第1の伝導型を有する有機半導体材料からなる。該材料は、例えばn型伝導材料、好ましくはペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸−N,N′−ジメチルイミド(MMP)である。
【0046】
前記第2の層60は、好ましくは、第2の半導体材料からなる。該材料は特に、反対の伝導型を有する材料、好ましくは亜鉛フタロシアニン(ZnPc)である。コンタクト層70は、前記層60の電気接続のために使用される。例えば該コンタクト層70は、金からなる。金は、高い電気伝導率と高い化学的安定性をあわせもつという特別な利点を有している。
【0047】
前記中間層50は、前記層60と同じ材料を含有しているが、しかしながら、フラーレンまたは酸化物半導体、例えばTiO 、が注入されている。この注入率は、素子が太陽電池として使用される場合には好ましくは最大60%である。素子が発光ダイオードとして使用される場合には該注入率は、さらに高くてもよい。
【0048】
図2には、C60 の濃度別の、入射する光の波長に応じて変化する、入射する光子に対する電流の比率(Incident Photon To Current Efficiency − IPCE)としての外部量子効率によって、太陽による電流効率が示されている。
【0049】
この太陽による電流効率は、図1に示された太陽電池で測定された測定値である。電流効率がC60 の濃度の増加とともに上昇していることは、明らかである。特に大きな上昇が、10%より大きなC60 の濃度で生じている。この予想外に高い上昇に対する可能な説明としては、パーコレーションの発生が考えられる。
【0050】
に示された素子は、例えば、太陽電池ある。該素子は、基板10、例えばガラス、特にケイ酸塩ガラス、上に載せられた、透明コンタクト層20、第1の層30、第2の層60、第1の中間層40、第2の中間層50およびコンタクト層70からなる層構造を有する。
【0051】
該透明コンタクト層20の脇の部分の上にコンタクト80が載せられている。もう1つのコンタクト90が、さらに上のコンタクト層70の上にある。該透明コンタクト層20は、厚さ5nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmを有している。このコンタクト層20の厚さは、可変的に選択することができる。
【0052】
第1の層30は、前記透明コンタクト層の上に存在する。該第1の層30は断片的に基板10に、例えばあらかじめ該透明コンタクト層20がエッチング除去された範囲内で、接していることも可能である。
【0053】
第1の層30が透明コンタクト層20から突出していることは、このことによってコンタクト90と透明コンタクト層20の間の短絡が回避されるという理由から、生産技術的に有利である。
【0054】
前記第1の層30は、厚さ5nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmを有している。該層の厚さは、可変的に選択することができ、それというのも、前記接合面効果を達成するのにこれら層の寸法は重要ではないからである。
【0055】
前記コンタクト層20は、前記素子が、基板10を通過する光の入射を伴う太陽電池として使用される場合には、透明な材料からなり、この材料は特に、透明な伝導性酸化物である。
【0056】
前記第1の層30は、図1に基づいて示された実施形態と同様に好ましくは第1の伝導型を有する有機半導体材料からなる。該材料は、例えばn型伝導材料、好ましくはペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸−N,N′−ジメチルイミド(MMP)である。
【0057】
前記第2の層60は、好ましくは、第2の半導体材料からなる。該材料は特に、反対の伝導型を有する材料、好ましくは亜鉛フタロシアニン(ZnPc)である。コンタクト層70は、前記層60の電気接続のために使用される。例えば該コンタクト層70は、金からなる。金は、高い電気伝導率と高い化学的安定性をあわせもつという特別な利点を有している。
【0058】
前記第1の中間層40は、前記第1の層30に含有されている材料をいずれの場合にも含有し、かつ場合によっては前記第2の層60に含有されている材料も含有し、好ましくは、少なくとも1種の有機半導体材料を含有している。MMPまたはZnPcが特に適当である。さらに該中間層40は、フラーレンまたは酸化物半導体、例えばTiO、が注入されている。この注入率は、素子が太陽電池として使用される場合には好ましくは最大60%である。
【0059】
前記第2の中間層50は、前記層60と同じ材料を含有しているが、しかしながら、別のフラーレンまたは酸化物半導体、例えばTiO 、が注入されている。この注入率は、素子が太陽電池として使用される場合には好ましくは最大60%である。素子が発光ダイオードとして使用される場合には該注入率は、さらに高くてもよい。
【0060】
図4に示された素子は、例えば、太陽電池ある。該素子は、基板10、例えばガラス、特にケイ酸塩ガラス、上に載せられた、透明コンタクト層20、多重層およびコンタクト層70からなる層構造を有する。該多重層は、第1の層30、第2の層60および中間層40からなる。
【0061】
該透明コンタクト層20の脇の部分の上にコンタクト80が載せられている。もう1つのコンタクト90が、さらに上のコンタクト層70の上にある。該透明コンタクト層20は、厚さ5nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmを有している。このコンタクト層20の厚さは、可変的に選択することができる。
【0062】
第1の層30は、前記透明コンタクト層の上に存在する。該第1の層30は断片的に基板10に、例えばあらかじめ該透明コンタクト層20がエッチング除去された範囲内で、接していることも可能である。しかしながら、該透明コンタクト層20と該第1の層30の間の接合面効果を達成するのに、このことは必要ない。
【0063】
しかしながら、第1の層30が透明コンタクト層20から突出していることは、このことによってコンタクト90と透明コンタクト層20の間の短絡が回避されるという理由から、生産技術的に有利である。
【0064】
前記第1の層30は、厚さ5nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmを有している。該層30の厚さは、可変的に選択することができ、それというのも、前記の層30と60の間の接合面効果を達成するのにこれら層30、60の寸法は重要ではないからである。
【0065】
前記コンタクト層20は、好ましくは透明な材料からなり、この材料は特に、透明な伝導性酸化物である。この透明という性質は、前記基板10を透過する光を伴う太陽電池しての使用の場合に必要であり、このことによって基板10を透過する光線は、該コンタクト層20によって吸収されない。しかしながら、前記層60を通しての光の入射または放出の場合には、該コンタクト層20を光透過性に形成することは必要ではない。
【0066】
前記層30は、本質的にマトリックス材料および該マトリックス材料中にコロイド溶解した半導体からなる。該半導体は、好ましくは、第1の伝導型を示す。該半導体は、例えばn型伝導材料、好ましくは硫化カドミウム(CdS)、n型にドープされたガリウムひ素(GaAs)、n型にドープされたケイ素、n型にドープされたテルル化カドミウム(CdTe)または置換ペリレン顔料、特にメチレン置換されたペリレン顔料、特にペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸−N,N′−ジメチルイミド(MMP)である。
【0067】
前記第2の層60は、好ましくはマトリックス材料および該マトリックス材料中にコロイド溶解した第2の半導体材料からなる。該第2の半導体材料は特に、第1の半導体材料と反対の伝導型を有する材料、例えばp型にドープされた亜鉛フタロシアニン(ZnPc)、p型にドープされたガリウムひ素(GaAs)またはp型にドープされたケイ素である。
【0068】
コンタクト層70は、前記層60の電気接続のために使用される。例えば該コンタクト層70は、高い電気伝導率と高い化学的安定性を達成するために、金からなる。
【0069】
前記第1の層30と前記第2の層60の間に少なくと1つの中間層40が存在する。該中間層40は、適当なマトリックス材料を含有している。前記層30が前記層60と同じマトリックス材料を含有している場合には、該中間層40もまたこの同じマトリックス材料からなることは、有利である。これもまた可能であるが、前記層30が前記層60と異なるマトリックス材料を含有している場合には、該中間層40が、1種以上の物質がコロイド溶解されている、これらマトリックス材料の混合物もしくは溶液からなることは、有利である。
【0070】
前記多重層は、濃度の違う複数の溶液に次々浸漬されることによって得られる。このことによって、該多重層を形成する層は、順次析出される。
【0071】
上記方法の有利な実施形態の場合には、基板10の上に次のとおり層構造を析出する:
例えばインジウム−スズ−オキシド(ITO)の、濡れ、特に浸漬被覆を粒子、例えばまずCdTe粒子のコロイド溶液、特に水溶液を用いて行ない、その際、該基板10を相次いで濃度の違う複数の溶液に浸漬する。浸漬時間および引き上げ速度は、まずCdTe粒子のみ、次に可変的な組成の混合物、次に純粋にCdS粒子が層を構成するように変化させる。
【0072】
浸漬被覆によって層を析出する該コロイド溶液は、安定剤を含有していてもよいが、しかしながら、安定剤は必要なものではない。有利な安定剤は、ポリスルフェートであり、このポリスルフェートは、溶液中で粒子の周りに外被を形成し、この外被が粒子が凝集するのを防ぐ。層の析出の際に該安定剤は、粒子が埋め込まれているマトリックス材料を形成する。
【0073】
前記コロイド溶液が安定剤を含有していない場合には、各粒子の周りには電荷をもつ空間電荷領域(Raumlandungszone )−イオン層(ionische Schicht )が存在し、この電荷が粒子が凝集するのを防ぐ。該空間電荷領域内に存在するイオンも一緒に、析出の際に、析出された層に注入される。
【0074】
図5には、第1の層30の範囲への第1の ドーパントの距離に応じて変化する、第1のドーパントの濃度が示されている。該第1のドーパントは、例えばCdTeである。約100μmの範囲内で該第1のドーパントの濃度は、大幅に直線的に低下する。
【0075】
該第1のドーパントの濃度の大幅な直線的な低下によって、約100μmの幅の範囲内の第1のドーパントについて本質的に一定した濃度勾配が存在する。
【0076】
図6には、第1の層30の範囲への第2の ドーパントの距離に応じて変化する、第2のドーパントの濃度が示されている。該第2のドーパントは、例えばCdSである。約100μmの範囲内で該第2のドーパントの濃度は、大幅に直線的に上昇する。
【0077】
該第2のドーパントの濃度の大幅な直線的な上昇によって、約100μmの幅の範囲内の第2のドーパントについても同様に、本質的に一定した濃度勾配が存在する。
【0078】
ここに示した特に有利な場合には、これらドーパントの濃度勾配は、互いに正反対になっているということだけが違っている。
【0079】
この図5および6に基づいて示された濃度の経過はたしかに有利であるが、しかしながら、本発明による、濃度の変化を伴う有利な実施例が、直線的な濃度変化だけに限定されるわけでは決してない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による素子の第1の実施形態を示す断面図である。
【図2】 C60 の濃度別の、入射する光の波長に応じて変化する、入射する光子に対する電流の比率(IPCE)としての外部量子効率を示す線図である。
【図3】 本発明による素子の第2の実施形態を示す断面図である。
【図4】 本発明による素子のさらに別の実施形態を示す断面図である。
【図5】 第1の層の範囲への第1の ドーパントの距離に応じて変化する、該第1の ドーパントの濃度を示す線図である。
【図6】 第1の層の範囲への第2の ドーパントの距離に応じて変化する、該第2の ドーパントの濃度を示す線図である。
【符号の説明】
10…基板
20…コンタクト層
30…第1の層
40…第1の中間層
50…第2の中間層
60…第2の層
70…コンタクト層
80…コンタクト
90…コンタクト

Claims (28)

  1. 本質的に第1の材料からなる第1の層(30)、本質的に第2の材料からなる第2の層(60)および該第1の層(30)と該第2の層(60)の間に存在する少なくとも1つの中間層(40、50)を有する太陽電池において、
    該第1、第2の材料が互いに異なる伝導型を持つ半導体材料であり、
    該中間層(40、50)が該第1の材料および/または該第2の材料を有し、かつ該中間層(40、50)中に少なくとも1種の物質がコロイド溶解しており、かつ該物質が該第1の材料とも該第2の材料とも異なる伝導率を有し、該物質が本質的に粒子の形で存在し、少なくとも1つの粒径で価電子帯と伝導帯の間のバンドギャップを有する半導体材料であることを特徴とする太陽電池。
  2. 前記第1の層(30)と前記第2の層(60)の間に第1の中間層(40)および第2の中間層(50)が存在し、該第1の中間層(40)が前記第1の層(30)と境を接しており、かつ該第2の中間層(50)が前記第2の層(60)と境を接していることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  3. 前記第1の中間層(40)が本質的に前記第1の材料およびコロイド溶解された物質を含有しており、かつ第2の中間層(50)が本質的に前記第2の材料およびコロイド溶解された物質を含有していることを特徴とする請求項2記載の太陽電池。
  4. 前記第1の中間層(40)が本質的に前記第1の材料およびコロイド溶解された物質を含有しており、かつ第2の中間層(50)が本質的に前記第2の材料、前記第1の材料およびコロイド溶解された物質を含有していることを特徴とする請求項2記載の太陽電池。
  5. 前記第1の中間層(40)が本質的に前記第1の材料、第2の材料およびコロイド溶解された物質を含有しており、かつ第2の中間層(50)が本質的に前記第2の材料およびコロイド溶解された物質を含有していることを特徴とする請求項2記載の太陽電池。
  6. 前記第1の中間層(40)中に第1の物質がコロイド溶解しており、かつ前記第2の中間層(50)中に第2の物質がコロイド溶解していることを特徴とする請求項2から5までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  7. 前記第1の半導体材料が有機半導体であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  8. 前記第2の半導体材料が有機半導体であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  9. 前記のコロイド溶解された物質が半導体材料からなることを特徴とする請求項1から8までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  10. 前記物質がTiOを含有していることを特徴とする請求項9記載の太陽電池。
  11. 前記物質がSnOを含有していることを特徴とする請求項9または10記載の太陽電池。
  12. 前記物質が有機半導体材料を含有していることを特徴とする請求項9から11までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  13. 前記物質がバンドギャップを有する炭素の同素体少なくとも1つを含有していることを特徴とする請求項1から12までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  14. 前記物質がフラーレン、置換フラーレンまたはフラーレン誘導体の群のうちの少なくとも1つの成分を含有していることを特徴とする請求項13記載の太陽電池。
  15. 前記物質がC60を含有していることを特徴とする請求項14記載の太陽電池。
  16. 前記物質が黒鉛状炭素同素体を含有していることを特徴とする請求項13から15までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  17. 前記物質がグラフェンを含有していることを特徴とする請求項16記載の太陽電池。
  18. 前記粒子が本質的に1nm〜1μmの大きさを有していることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  19. 前記粒子の大きさが1nm〜200nmであることを特徴とする請求項18記載の太陽電池。
  20. 前記粒子が、パーコレーションが生じる程度に高い濃度を有することを特徴とする請求項1,18,19いずれか1項に記載の太陽電池。
  21. 前記物質の濃度が空間的に変化することを特徴とする請求項1から20までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  22. 前記物質の濃度が前記中間層の中で変化することを特徴とする請求項21記載の太陽電池。
  23. 前記中間層中に少なくとも2種の物質が存在していることを特徴とする請求項1から22までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  24. 前記物質の1つが、もう1つの物質の濃度と異なる形で空間的に変化する濃度を有することを特徴とする請求項23記載の太陽電池。
  25. 前記第1の物質が、前記第2の物質のフェルミ準位と少なくとも20meVの差があるフェルミ準位を示すことを特徴とする請求項23または24記載の太陽電池。
  26. 前記第1の物質が前記第2の物質と異なる伝導型を示すことを特徴とする請求項23から25までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  27. 前記の物質の一方が、もう一方の物質と異なるバンドギャップを有することを特徴とする、請求項23から26までのいずれか1項に記載の太陽電池。
  28. 前記第1の物質のバンドギャップが、前記第2の物質のバンドギャップと少なくとも20meVの差を有することを特徴とする請求項27記載の太陽電池。
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