JPS61204173A - 導電性有機化合物 - Google Patents
導電性有機化合物Info
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- JPS61204173A JPS61204173A JP4526485A JP4526485A JPS61204173A JP S61204173 A JPS61204173 A JP S61204173A JP 4526485 A JP4526485 A JP 4526485A JP 4526485 A JP4526485 A JP 4526485A JP S61204173 A JPS61204173 A JP S61204173A
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- tcnq
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な導電性有機化合物、更に詳細には導電性
ペイント、導電性インキ、レゾストインキ、導電性プラ
スチック、導電ゴム等の原料として、あるいは電極、厚
＠ＩＣ。
ペイント、導電性インキ、レゾストインキ、導電性プラ
スチック、導電ゴム等の原料として、あるいは電極、厚
＠ＩＣ。
液晶表示管、太陽電池、超高密度メモリー等の構成材料
として幅広い用途に利用できる導電性有機化合物に関す
る。
として幅広い用途に利用できる導電性有機化合物に関す
る。
導電性有機化合物は、金属にくらべ軽量性、電導の異方
性、成形の容易性、用途に応じた化学的修飾の容易性等
の利点があり、さらに理論的に常温超伝導現象の可能性
が示唆されるところから、近年注目をあびており、低分
子、高分子を問わず、多くの素材が開発されつつある。
性、成形の容易性、用途に応じた化学的修飾の容易性等
の利点があり、さらに理論的に常温超伝導現象の可能性
が示唆されるところから、近年注目をあびており、低分
子、高分子を問わず、多くの素材が開発されつつある。
就中、ナト２シアノキノゾメタン（以下、ｒＴＣＮＱＪ
という）を電子受容体部分としたＴＣＮＱ錯体構造のも
のは、一般に導電性が高く最もよく知られている。そし
て、これら従来のＴＣＮＱＣＮ上電子供与体部分として
は、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、キノリン、アク
リシン、ｏ−７エナントロリン、Ｎ−メチルフェナジン
（ＮＭＰ）、Ｎ−メチルベンゾチアシン、テトラチアフ
ルバレン（ＴＴＦ）、テトラチアテトラセン（ＴＴＴ）
、テトラメチルテトラセレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）
４１１（使用されてき念〔［有機半導体材料の合成と応
用ＪＣＮＣ（Ｉ９８１）；ｒ現代化学」扁１４１、第１
２〜第１９頁、東京化学同人（Ｉ９８２）；化学総説４
２［伝導性低次元物質の化学」学会出版センター（Ｉ９
８３））。
という）を電子受容体部分としたＴＣＮＱ錯体構造のも
のは、一般に導電性が高く最もよく知られている。そし
て、これら従来のＴＣＮＱＣＮ上電子供与体部分として
は、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム、キノリン、アク
リシン、ｏ−７エナントロリン、Ｎ−メチルフェナジン
（ＮＭＰ）、Ｎ−メチルベンゾチアシン、テトラチアフ
ルバレン（ＴＴＦ）、テトラチアテトラセン（ＴＴＴ）
、テトラメチルテトラセレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）
４１１（使用されてき念〔［有機半導体材料の合成と応
用ＪＣＮＣ（Ｉ９８１）；ｒ現代化学」扁１４１、第１
２〜第１９頁、東京化学同人（Ｉ９８２）；化学総説４
２［伝導性低次元物質の化学」学会出版センター（Ｉ９
８３））。
しかしながら、斯様にＴＣＮＱ錯体構造の導電性有機化
合物は多数知られているが、導電性の点で満足すべきも
のは少なく、また高導電性のものはその化学構造が複雑
で合成が容易でないものがほとんどであるため、高導電
性を有し、かつ合成が容易な有機化合物材料の開発が望
まれてい之。
合物は多数知られているが、導電性の点で満足すべきも
のは少なく、また高導電性のものはその化学構造が複雑
で合成が容易でないものがほとんどであるため、高導電
性を有し、かつ合成が容易な有機化合物材料の開発が望
まれてい之。
本発明者は、斯かる条件を満足する有機化合物を見出す
べく鋭意検討を重ねた結果、電子供与体部分としてシク
ロヘブタベンゾゾアゾン、シクロヘブタベンゾオキサゾ
ン、シクロヘグタペンゾチアゾンの如き７員環系化合物
を用いたＴＣＮＱＣＮ上、従来のＴＣＮＱＣＮ上比べて
最高度に近い導電性を有し、かつ極めて容易に合成でき
ることを見出し、本発明を完成した。
べく鋭意検討を重ねた結果、電子供与体部分としてシク
ロヘブタベンゾゾアゾン、シクロヘブタベンゾオキサゾ
ン、シクロヘグタペンゾチアゾンの如き７員環系化合物
を用いたＴＣＮＱＣＮ上、従来のＴＣＮＱＣＮ上比べて
最高度に近い導電性を有し、かつ極めて容易に合成でき
ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、次の一般式（Ｉ）
（式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を
、Ｘは日Ｎ二ＣＨｓＮ二、Ｏ又はＳを、ｎはｌ又は２の
数を示す） で表わされる導電性有機化合物を提供するものである。
、Ｘは日Ｎ二ＣＨｓＮ二、Ｏ又はＳを、ｎはｌ又は２の
数を示す） で表わされる導電性有機化合物を提供するものである。
本発明の導電性有機化合物は、例えば次式に従って公知
合成法を組み合せることにより容易に製造される。
合成法を組み合せることにより容易に製造される。
（式中、ＹはＣ）、Ｂｒ又はＩ’に示し、Ｒ，Ｘは前記
と同じ） すなわち、シクロヘブタベンゾゾアゾン、シクロヘゾタ
ベンゾオキサゾン、シクロヘブタペンゾチアゾンをプロ
トン化又はアルキル化することにより７員壇系カチオン
を得る〔日本化学会第４７回春季年会講演予稿集、４Ｆ
３４（Ｉ９８３）；プレティン・オプ・ザ・ケミカル・
ソサイエテイ・オプ・シャツＱ＞ （Ｂｕｌｌ、 Ｃ
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊａｐａｎ ） ５１ ＊２
１８５（Ｉ９７８）；同、３４．１４６（Ｉ９６１））
。次いで当量の該カチオンと−１＋ ＴＣＮＱ Ｌｔ の各々の沸騰エタノール溶液を
混合して７員項系カチオンのＴＣＮＱ （Ｉ：１）錯体
を、更に当社のＴＣＮＱ（Ｉ：１錯体とＴＣＮＱの各々
の沸騰アセトニトリル溶液を混合してＴＣＮＱ（Ｉ：
２ ）錯体を得る〔カナディアン・ジャーナル・オプ・
ケミス ト リ イ （Ｃａｎ、 Ｊ
、 Ｃｈｅｍ、 ） ４ ３
、 １４４８（Ｉ９６５））。
と同じ） すなわち、シクロヘブタベンゾゾアゾン、シクロヘゾタ
ベンゾオキサゾン、シクロヘブタペンゾチアゾンをプロ
トン化又はアルキル化することにより７員壇系カチオン
を得る〔日本化学会第４７回春季年会講演予稿集、４Ｆ
３４（Ｉ９８３）；プレティン・オプ・ザ・ケミカル・
ソサイエテイ・オプ・シャツＱ＞ （Ｂｕｌｌ、 Ｃ
ｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 Ｊａｐａｎ ） ５１ ＊２
１８５（Ｉ９７８）；同、３４．１４６（Ｉ９６１））
。次いで当量の該カチオンと−１＋ ＴＣＮＱ Ｌｔ の各々の沸騰エタノール溶液を
混合して７員項系カチオンのＴＣＮＱ （Ｉ：１）錯体
を、更に当社のＴＣＮＱ（Ｉ：１錯体とＴＣＮＱの各々
の沸騰アセトニトリル溶液を混合してＴＣＮＱ（Ｉ：
２ ）錯体を得る〔カナディアン・ジャーナル・オプ・
ケミス ト リ イ （Ｃａｎ、 Ｊ
、 Ｃｈｅｍ、 ） ４ ３
、 １４４８（Ｉ９６５））。
斯くして得られる７員環系化合物・ＴＣＮＱ錯体として
は、シクロヘプタ［ｂ〕［：ｕ、４ベンゾシアゾニウム
ＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−
メチルシクロヘプタ（ｂｌ（Ｉ，４）ベンゾシアゾニウ
ムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体、同（Ｉ：２）錯体：Ｎ−メ
チルシクロヘプタ［ｂ）［１，４）ベンゾシアゾニウム
ＴＣＮＱ（ｒ ： ｒ ）錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ
−７”Ｉｆｆピルシクロヘプタ〔ｂ〕） ［：ｌ、４
）ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体、同（Ｉ
：２）錯体；Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクロヘデタ（ｂ〕ｃ１
，４）ベン／シアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体、同
（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチル、Ｎ−エチルーシクロヘゾ
タ［ｂｌ（Ｉ，４）ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
ｌ）錯体、同（Ｉ：２）〕錯体；シクロヘプタ［：ｂｌ
（ｉ、４：］ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）
錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ
）（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １
）錯体、同（Ｉ：２）錯体：Ｎ−メチルシクロヘプタ
［ｂ）［１，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
ｌ）錯体、同（Ｉ：２ ）錯体；シクロヘプタ［：ｂｌ
（ｉ ＋４〕ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉｌｌ）錯
体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体
、同（Ｉ：２）錯体、Ｎ−ノロ♂ルシクロヘデタ（ｂ〕
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）
＆ｌ、同（Ｉ：２）錯体等が挙げられる。
は、シクロヘプタ［ｂ〕［：ｕ、４ベンゾシアゾニウム
ＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−
メチルシクロヘプタ（ｂｌ（Ｉ，４）ベンゾシアゾニウ
ムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体、同（Ｉ：２）錯体：Ｎ−メ
チルシクロヘプタ［ｂ）［１，４）ベンゾシアゾニウム
ＴＣＮＱ（ｒ ： ｒ ）錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ
−７”Ｉｆｆピルシクロヘプタ〔ｂ〕） ［：ｌ、４
）ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体、同（Ｉ
：２）錯体；Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクロヘデタ（ｂ〕ｃ１
，４）ベン／シアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体、同
（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチル、Ｎ−エチルーシクロヘゾ
タ［ｂｌ（Ｉ，４）ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
ｌ）錯体、同（Ｉ：２）〕錯体；シクロヘプタ［：ｂｌ
（ｉ、４：］ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）
錯体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ
）（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １
）錯体、同（Ｉ：２）錯体：Ｎ−メチルシクロヘプタ
［ｂ）［１，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
ｌ）錯体、同（Ｉ：２ ）錯体；シクロヘプタ［：ｂｌ
（ｉ ＋４〕ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉｌｌ）錯
体、同（Ｉ：２）錯体；Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体
、同（Ｉ：２）錯体、Ｎ−ノロ♂ルシクロヘデタ（ｂ〕
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）
＆ｌ、同（Ｉ：２）錯体等が挙げられる。
本発明の７員環系化合物・ＴＯＮＱ錯体、従来の導電性
有機化合物のうち最も高い導電性を有するものの１っで
あるＴＴＦ−ＴＣＮＱ錯体を常法により加圧成形し友後
、その比抵抗を二痛子法により測定し、これら錯体の導
電性の比較を行った。なお、測定は室温で行った。その
結果を第１表に示す。
有機化合物のうち最も高い導電性を有するものの１っで
あるＴＴＦ−ＴＣＮＱ錯体を常法により加圧成形し友後
、その比抵抗を二痛子法により測定し、これら錯体の導
電性の比較を行った。なお、測定は室温で行った。その
結果を第１表に示す。
通常のＴＣＮＱＣＮ化合物の比抵抗は一般に１０”〜ｌ
Ｏｓ ０国の範囲にある〔「現代化学」、Ａ１４１、第
１３頁（Ｉ９８２）］。
Ｏｓ ０国の範囲にある〔「現代化学」、Ａ１４１、第
１３頁（Ｉ９８２）］。
これに対し本発明の７員環系化合物・ＴＣＮＱＣＮ上就
中その（Ｉ：２）錯体は、第１表に示す如く非常に高い
導電性を有する。従って、本発明の４電性有機化合物は
、ＴＴＦ−ＴＣＮＱＣＮ上導電性には及ばないが従来の
ＴＣＮＱＣＮ上比べて最高度に近い導電性を有するもの
である。
中その（Ｉ：２）錯体は、第１表に示す如く非常に高い
導電性を有する。従って、本発明の４電性有機化合物は
、ＴＴＦ−ＴＣＮＱＣＮ上導電性には及ばないが従来の
ＴＣＮＱＣＮ上比べて最高度に近い導電性を有するもの
である。
本発明の導電性有機化合物は、上記の如く導電性の点で
はＴＴＦ−ＴＣＮＱＣＮ上一歩験るものであるが、これ
に比べ合成が極めて容易であることから、導電性有機化
合物素材として工業的に非常に有利なものである。
はＴＴＦ−ＴＣＮＱＣＮ上一歩験るものであるが、これ
に比べ合成が極めて容易であることから、導電性有機化
合物素材として工業的に非常に有利なものである。
例えば、ＴＴＦと本発明化合物の原料の１つであるシク
ロヘプタ［ｂ］Ｅｌ、４）ベンゾチアシンの合成法を比
較すると、ＴＴＦは次式のようにチオホスゲンとゾソゾ
ウムゾメルカブトマレオニトリルとから７エ程で合成さ
れるのに対し、シクロヘプタ［ｂ）（Ｉ゜４〕ベンゾチ
アシンは、２−クロロトロ？ンと０−アミノチオフェノ
ールとから１工程で合成できる。
ロヘプタ［ｂ］Ｅｌ、４）ベンゾチアシンの合成法を比
較すると、ＴＴＦは次式のようにチオホスゲンとゾソゾ
ウムゾメルカブトマレオニトリルとから７エ程で合成さ
れるのに対し、シクロヘプタ［ｂ）（Ｉ゜４〕ベンゾチ
アシンは、２−クロロトロ？ンと０−アミノチオフェノ
ールとから１工程で合成できる。
ＴＴＦの合成：
〔シャーナル・オプ・ゾ・アメリカン・ケケミカル・コ
ミュニケイションズ（ＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉ
ｃａｔｉｏｎｓ ） １４５３ （Ｉ９７０） ）シ
クロヘプタ（ｂ）（Ｉ，４）ベンゾチアシンの合成： 〔プレティン・オプ・ザ・ケミカル・ソサイエテイ・オ
プ・シャツＱン（Ｂｕｌｌ、 Ｃｈｅｍ。
ミュニケイションズ（ＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉ
ｃａｔｉｏｎｓ ） １４５３ （Ｉ９７０） ）シ
クロヘプタ（ｂ）（Ｉ，４）ベンゾチアシンの合成： 〔プレティン・オプ・ザ・ケミカル・ソサイエテイ・オ
プ・シャツＱン（Ｂｕｌｌ、 Ｃｈｅｍ。
Ｓｏｃ、 Ｊａｐａｎ ）５１ 、２１８５（Ｉ９７８
））〔実施例〕 次に合成例及び実施例を挙けて本発明を説明する。
））〔実施例〕 次に合成例及び実施例を挙けて本発明を説明する。
合成例Ｉ
Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）（Ｉ，４］ベンゾシアゾ
ニウム塩酸塩の合成： 無水エタノール５０ｄＫＨｃｊガスを３０分間通気し、
塩酸酸性エタノール液を調製した。
ニウム塩酸塩の合成： 無水エタノール５０ｄＫＨｃｊガスを３０分間通気し、
塩酸酸性エタノール液を調製した。
これにＮ−メチルシクロヘプタ［ｂ）（ｚ。
４〕ベンゾシアシンｌ ００ Ｑ （０，４８１ｍｍｏ
Ｊ ）を溶塀し、３０分間室温で攪拌し次。エタノール
を留去して得られ次固形物をエタノールより再結晶して
暗緑色針状晶Ｎ−メチルシク” ヘｆ Ｉ’ Ｃｂ）
（Ｉｔ ４−１ベンゾシアゾニウム塩酸塩９５ ｍＷ
（０，３８８ｍｍｏＪ ）が得られた（収耶８０．５％
）つ ｍ、ｐ、２５８〜２６０℃（分解）。
Ｊ ）を溶塀し、３０分間室温で攪拌し次。エタノール
を留去して得られ次固形物をエタノールより再結晶して
暗緑色針状晶Ｎ−メチルシク” ヘｆ Ｉ’ Ｃｂ）
（Ｉｔ ４−１ベンゾシアゾニウム塩酸塩９５ ｍＷ
（０，３８８ｍｍｏＪ ）が得られた（収耶８０．５％
）つ ｍ、ｐ、２５８〜２６０℃（分解）。
合成例２
Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクロヘゾタ［ｂ）（Ｉ゜４〕ベンゾ
シアゾニウムヨウ化物の合成：乾燥エーテル５ｍ１ＫＮ
−メチルシクロヘプタ（ｂ）（：ｘ、４）ベンゾシアシ
ン２０８■（Ｉ，００ｍｍｏｊ）を溶解し、これにヨウ
化メチルｌ １．４ ｔ （８０，３ｍｍｏｊ ）を加
え、４５時間加熱還流した。反応が進むにつれ、ジメチ
ル体が結晶として折用した。エーテルと過剰のヨウ化メ
チルを留去して得た残留物にエーテルを加えて可溶Ｓ（
未反応の原料が含まれる）を除去し、不溶部をエタノー
ルより再結晶して暗緑色板状晶Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクａ
へ７’夕（ｂ）〔１，４）ベンゾシアゾニウムヨウ化物
２６３Ｑ （０，７５ｍｍｏ７ ）が得られた（収率７
５−）。
シアゾニウムヨウ化物の合成：乾燥エーテル５ｍ１ＫＮ
−メチルシクロヘプタ（ｂ）（：ｘ、４）ベンゾシアシ
ン２０８■（Ｉ，００ｍｍｏｊ）を溶解し、これにヨウ
化メチルｌ １．４ ｔ （８０，３ｍｍｏｊ ）を加
え、４５時間加熱還流した。反応が進むにつれ、ジメチ
ル体が結晶として折用した。エーテルと過剰のヨウ化メ
チルを留去して得た残留物にエーテルを加えて可溶Ｓ（
未反応の原料が含まれる）を除去し、不溶部をエタノー
ルより再結晶して暗緑色板状晶Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクａ
へ７’夕（ｂ）〔１，４）ベンゾシアゾニウムヨウ化物
２６３Ｑ （０，７５ｍｍｏ７ ）が得られた（収率７
５−）。
ｍ、ｐ、２６７〜２６８℃（分解）。
実施例１
シクロヘプタ［ｂ）（Ｉ７４３ベンゾオキサゾニウムＴ
ＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成ニジクロヘプタ（ｂ、ｌ（
Ｉ，４，）ベンゾオキサゾニウム塩酸塩５９ ｍＷ （
０，２５６ｍｍｏｊ ）の無水エタノール沸騰溶液（４
−）にＴＣＮＱ＋ Ｌｉ ４９１１（０，２５６ｍｍｏｊ ）の無水エ
タノール沸騰溶液（４−）を混合し、Ｎ３ガス雰囲気下
に２時間室温に放置した。析出し九結晶を炉別し、少量
の無水エタノール、３−の乾燥エーテルで洗い、紫色針
状晶シクロヘプタ［：ｂ）（Ｉ，４］ベンゾオキサゾニ
ウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体５５１１９（０，１３７ｍ
ｍｏｊ ）を得た（収率５３．４％）。このものの物
性を第２表に示し念。
ＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成ニジクロヘプタ（ｂ、ｌ（
Ｉ，４，）ベンゾオキサゾニウム塩酸塩５９ ｍＷ （
０，２５６ｍｍｏｊ ）の無水エタノール沸騰溶液（４
−）にＴＣＮＱ＋ Ｌｉ ４９１１（０，２５６ｍｍｏｊ ）の無水エ
タノール沸騰溶液（４−）を混合し、Ｎ３ガス雰囲気下
に２時間室温に放置した。析出し九結晶を炉別し、少量
の無水エタノール、３−の乾燥エーテルで洗い、紫色針
状晶シクロヘプタ［：ｂ）（Ｉ，４］ベンゾオキサゾニ
ウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体５５１１９（０，１３７ｍ
ｍｏｊ ）を得た（収率５３．４％）。このものの物
性を第２表に示し念。
実施例２
Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）〔ｘ 、４）ベンゾシア
ゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（ｂ）〔１，４）ベンゾオキサ
ゾニウム塩酸塩の代りにＮ−メチルシクロヘプタ［ｂ）
［１，４）ベンゾシアゾニウム塩酸塩６３Ｑ（０，２５
６ｍｍｏｊ ）を用い、実施例１と同様に行い、青紫色
針状晶の標記化合物７７ｓ９（０，１８６ｍｍｏｊ ）
を得た（収率７２．９％）。このものの物性を第２表に
示した。
ゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（ｂ）〔１，４）ベンゾオキサ
ゾニウム塩酸塩の代りにＮ−メチルシクロヘプタ［ｂ）
［１，４）ベンゾシアゾニウム塩酸塩６３Ｑ（０，２５
６ｍｍｏｊ ）を用い、実施例１と同様に行い、青紫色
針状晶の標記化合物７７ｓ９（０，１８６ｍｍｏｊ ）
を得た（収率７２．９％）。このものの物性を第２表に
示した。
実施例３
Ｎ、Ｎ−ゾメチルシクロヘデタ（ｂ ］ ［１゜４〕ベ
ンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（ｂ〕（Ｉ，４］ベンゾオキサ
ゾニウム塩酸塩の代りにＮ、Ｎ−ゾメチルシクロヘデタ
（ｂ）Ｅｌ 、４）ベンゾシアゾニウムヨウ化物９０１
１１９（０，２５６ｍｍｏＪ ） ｋ用い、実施例１と
同様に行い、紫色針状晶の標記化合物９ ＯＮ （０，
２１０ｍｍｏｌ ）を得た（収耶８２．０俤）。このも
のの物性を第２表に示した。
ンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １ ）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（ｂ〕（Ｉ，４］ベンゾオキサ
ゾニウム塩酸塩の代りにＮ、Ｎ−ゾメチルシクロヘデタ
（ｂ）Ｅｌ 、４）ベンゾシアゾニウムヨウ化物９０１
１１９（０，２５６ｍｍｏＪ ） ｋ用い、実施例１と
同様に行い、紫色針状晶の標記化合物９ ＯＮ （０，
２１０ｍｍｏｌ ）を得た（収耶８２．０俤）。このも
のの物性を第２表に示した。
実施例４
Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）（：１，４）ベンゾオキ
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（”ｂ ）［ｌ、４）ベンゾオ
キサゾニウム塩酸塩の代りにＮ−メチルシクロヘプタＩ
：ｂ）（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウム塩酸塩６３■（
０，２５６ｍｍｏｊ ）を用い、実施例１と同様に行い
、赤紫色針状晶の標記化合物８４■（０，２０２ｍｍｏ
ｌ ）を得几（収率７８．９％）。このものの物性を第
２表に示した。
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体の合成： 実施例１のシクロヘプタ（”ｂ ）［ｌ、４）ベンゾオ
キサゾニウム塩酸塩の代りにＮ−メチルシクロヘプタＩ
：ｂ）（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウム塩酸塩６３■（
０，２５６ｍｍｏｊ ）を用い、実施例１と同様に行い
、赤紫色針状晶の標記化合物８４■（０，２０２ｍｍｏ
ｌ ）を得几（収率７８．９％）。このものの物性を第
２表に示した。
実施例５
シクロヘプタＣｂ）（ｌ、４）ベンゾチアゾニウムＴＣ
ＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成：実施例１のシクロヘプタ（
：ｂ、ｌ［ｌ 、４］ベンゾオキサゾニウム塩酸塩の代
りにシクロヘプタ（：ｂ）Ｉ：１，４）ベンゾチアゾニ
ウム塩酸塩６３真Ｆ／（０，２５６ｍｍｏ／ ）を用い
、実施例１と同様に行い、紫色針状晶の標記化合物５９
１９ （０，１４２ｍｍｏｊ ）を得た（収率５５．６
％）。このものの物性を第２表に示す。
ＮＱ（Ｉ：ｌ）錯体の合成：実施例１のシクロヘプタ（
：ｂ、ｌ［ｌ 、４］ベンゾオキサゾニウム塩酸塩の代
りにシクロヘプタ（：ｂ）Ｉ：１，４）ベンゾチアゾニ
ウム塩酸塩６３真Ｆ／（０，２５６ｍｍｏ／ ）を用い
、実施例１と同様に行い、紫色針状晶の標記化合物５９
１９ （０，１４２ｍｍｏｊ ）を得た（収率５５．６
％）。このものの物性を第２表に示す。
以下会、白
実施例６
シクロヘプタ（ｂ）［：１．４］ベンゾオキサゾニウム
ＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成：実施例１で得意シクロ
ヘプタ（ｂ ］（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮ
Ｑ（Ｉ： １ ）錯体５０ｍＷ （０，１２５ｍｍｏＪ
）の乾燥アセトニトリル沸騰浴液（ｘ２ｍｇ）をＴＣ
ＮＱ２５．５鳳９ＣＯ，１２５ｍｍｏｊ ）の乾燥アセ
トニトリル沸騰溶液（３ｍ７りに加え、Ｎ２ ガス雰
囲気下に２時間室温に放置した。析出した結晶を戸別し
、少量の乾燥アセトニトリル、３−の乾燥エーテルで洗
い、紫色針状晶シクロヘプタ（ｂ）Ｅｌ、４）ベンゾオ
キサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体５１ｍ９（０，０
８９４ｍｍｏｊ ）を得た（収率６７．５％）。このも
のの物性を第３表に示す。
ＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成：実施例１で得意シクロ
ヘプタ（ｂ ］（Ｉ，４）ベンゾオキサゾニウムＴＣＮ
Ｑ（Ｉ： １ ）錯体５０ｍＷ （０，１２５ｍｍｏＪ
）の乾燥アセトニトリル沸騰浴液（ｘ２ｍｇ）をＴＣ
ＮＱ２５．５鳳９ＣＯ，１２５ｍｍｏｊ ）の乾燥アセ
トニトリル沸騰溶液（３ｍ７りに加え、Ｎ２ ガス雰
囲気下に２時間室温に放置した。析出した結晶を戸別し
、少量の乾燥アセトニトリル、３−の乾燥エーテルで洗
い、紫色針状晶シクロヘプタ（ｂ）Ｅｌ、４）ベンゾオ
キサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体５１ｍ９（０，０
８９４ｍｍｏｊ ）を得た（収率６７．５％）。このも
のの物性を第３表に示す。
実施例７
Ｎ、Ｎ−ジメチルシクロヘプタ［ｂ）
［１，４）ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体
の合成： 実施例６のシクロヘプタ［ｂ）［：１．４］ベンゾオキ
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １）錯体の代りに実施例３
で得たＮ、Ｎ−ジメチルシクロヘプタ（ｂ〕（ｌ、４）
ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： ｌ ）錯体５３鳳
ｔ（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と同様に
行い、青紫色針状晶の標記化合物６５１Ｂ９（０，１０
３ｍｍｏｊ ）を得た（収′ｓ８２゜４％）。
の合成： 実施例６のシクロヘプタ［ｂ）［：１．４］ベンゾオキ
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： １）錯体の代りに実施例３
で得たＮ、Ｎ−ジメチルシクロヘプタ（ｂ〕（ｌ、４）
ベンゾシアゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ： ｌ ）錯体５３鳳
ｔ（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と同様に
行い、青紫色針状晶の標記化合物６５１Ｂ９（０，１０
３ｍｍｏｊ ）を得た（収′ｓ８２゜４％）。
このものの物性を第３表に示す。
実施例８
Ｎ−メチルシクロヘプタ（ｂ）（Ｉ，４］ベンゾオキサ
ゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成： 実施例６のシクロヘプタ（：ｂ）〔１，４］ベンゾオキ
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体の代りに実施例４で
得たＮ−メチルシクロヘプタ［ｂ）（Ｉ，４）ベンゾオ
キサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ ）錯体５２ ｍ＋９
（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と同様に行
い、紫色針状晶の標記化合物６７ Ｑ （０，１０８ｍ
ｍｏｊ ）を得之（収率８６．７％）。このものの物性
を第３表に示す。
ゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成： 実施例６のシクロヘプタ（：ｂ）〔１，４］ベンゾオキ
サゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：１）錯体の代りに実施例４で
得たＮ−メチルシクロヘプタ［ｂ）（Ｉ，４）ベンゾオ
キサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：ｌ ）錯体５２ ｍ＋９
（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と同様に行
い、紫色針状晶の標記化合物６７ Ｑ （０，１０８ｍ
ｍｏｊ ）を得之（収率８６．７％）。このものの物性
を第３表に示す。
実施例９
シクロヘプタ［ｂ］（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣ
ＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成：実施例６のシクロヘプタ［
ｂ］〔１，４，１ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
１ ）錯体の代りに実施例５で得たシクロヘプタ（ｂ）
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（ｌ：ｌ）錯体
５２ＩＰ（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と
同様に行い、紫色針状晶の標記化合物５７ｘＦ！ （０
，０９１ｍｍｏｊ ）を得危（収車７２．５９６）。こ
のものの物性を第３表に示す。
ＮＱ（Ｉ：２）錯体の合成：実施例６のシクロヘプタ［
ｂ］〔１，４，１ベンゾオキサゾニウムＴＣＮＱ（Ｉ：
１ ）錯体の代りに実施例５で得たシクロヘプタ（ｂ）
（Ｉ，４）ベンゾチアゾニウムＴＣＮＱ（ｌ：ｌ）錯体
５２ＩＰ（０，１２５ｍｍｏｊ ）を用い、実施例６と
同様に行い、紫色針状晶の標記化合物５７ｘＦ！ （０
，０９１ｍｍｏｊ ）を得危（収車７２．５９６）。こ
のものの物性を第３表に示す。
以Ｔ仝白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の一般式（ I ）▲数式、化学式、表等がありま
す▼（ I ） （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を
、Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、Ｏ又はＳを
、 ｎは１又は２の数を示す） で表わされる導電性有機化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4526485A JPS61204173A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 導電性有機化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4526485A JPS61204173A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 導電性有機化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204173A true JPS61204173A (ja) | 1986-09-10 |
| JPH0473434B2 JPH0473434B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=12714435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4526485A Granted JPS61204173A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 導電性有機化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204173A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3802170A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-08-04 | Nippon Synthetic Chem Ind | Organischer mischkomplex |
| DE3802169A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-08-04 | Nippon Synthetic Chem Ind | Organische komplexe |
| JP2016054316A (ja) * | 2001-12-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4634429B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 下り共有チャネルを使用した移動通信システム |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP4526485A patent/JPS61204173A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3802170A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-08-04 | Nippon Synthetic Chem Ind | Organischer mischkomplex |
| DE3802169A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-08-04 | Nippon Synthetic Chem Ind | Organische komplexe |
| US4889934A (en) * | 1987-01-27 | 1989-12-26 | Nippon Gohsei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Organic mixed complex |
| JP2016054316A (ja) * | 2001-12-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2017112388A (ja) * | 2001-12-05 | 2017-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2018142718A (ja) * | 2001-12-05 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2019208035A (ja) * | 2001-12-05 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2021002674A (ja) * | 2001-12-05 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| US11217764B2 (en) | 2001-12-05 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473434B2 (ja) | 1992-11-20 |
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