TWI270225B - Organic semiconductor element - Google Patents
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Description
1270225 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及使用有機半導體的電子裝置。更特別涉及 光電子裝置,例如光電轉換元件和EL元件。 【先前技術】 比較無機化合物,有機化合物包括更多種材料系統, 並且通過適當的分子設計可以合成具有各種功能的有機材 料。而且,有機化合物的特點在於採用有機化合物形成的 薄膜等表現出極大的柔韌性,並且通過聚合作用還可以獲 得優越的可加工性能。根據這些優點,近年來,已經注意 使用功能有機材料的光子學和電子學。 利用有機化合物的光物理性質的光子技術在當代工業 技術中已經扮演一個重要的角色。例如,感光材料,如光 抗蝕劑,已成爲半導體精細製程的光微影技術中必不可少 的材料。此外,由於有機化合物本身具有光吸收的特性和 伴隨的光發射特性(螢光或磷光),因此作爲發光材料例 如雷射顔料等,它們具有相當大的可適用性。 另一方面,由於有機化合物自身沒有載流子,所以它 們基本上具有優越的絕緣性能。因此,在利用有機材料的 電特性的電子學領域中,有機化合物主要的習知用途是絕 緣體,在此有機化合物用作絕緣材料、保護材料以及覆蓋 材料。 但是,已有使大量的電流在基本上是絕緣體的有機材 -5- (2) (2)1270225 料內流動的機構,並且這些機構也開始在電子領域實際應 用。這裏論述的“機構”可以大致地分爲兩類。 第一類機構,由導電聚合物作代表,其中π-共軛系統 有機化合物摻有受體(電子受體)或施體(電子施體)以 給-δ共轭系統有機化合物供給載流子(參考文獻1 : Hideki Shirakawa,Edwin J. Louis,Alan G. MacDiarmid ,Chwan K· Chiang 和 Alan J. Heeger “導電有機聚合物 的合成:聚乙炔(polyacetyrene )的鹵素衍生物,(CH)x ”,Chem· Comm. 1 977,16,5 7 8-5 80 )。通過增加摻雜量 ,載流子將增加到某一區域。因此,它的暗導電率也將隨 之增加,以致將有效地使電流流動。 由於流動的電流量可以達到普通半導體的水平或更多 ,因此表現出該性能之一類材料稱爲有機半導體(或,有 時稱爲有機導體)。 摻雜受體/施體以提高暗導電率從而使電流在有機材 料中流動的這種機構已應用於部分電子領域。其例子包括 使用聚苯胺或多並苯(polyacene)的可充電蓄電池以及使 用聚卩比略(Polypyrrole)的電場電容器。 使大量的電流在有機材料中流動的另一類機構使用 SCLC (空間電荷限制電流)。SCLC是通過從外部注入空 間電荷並移動它而使之流動的電流,其電流密度用蔡耳德 定律(Child’s Law)表示,亦即,如下面的公式1所示。 在公式中,J表示電流密度、ε表示相對介電常數、ε。表 示真空介電常數、μ表示載流子遷移率、V表示電壓以及 -6 - (3) 1270225 d表示施加電壓V的電極之間的距離(下面稱爲“厚度 公式1 ; = 9/8·εε〇μ·ν2/ά3 注意SCLC由公式1表示,其中假定當SCLC流動時 沒有任何載流子陷阱(trap )。由載流子陷阱限制的電流 稱爲TCLC (陷阱電荷限制的電流),並且它與電壓功率 成正比,但是SCLC和TCLC都是受體積限制的電流。因 此,在下文中SCLC和TCLC都用同樣的方式處理。 這裏,爲了比較,公式2表示爲根據歐姆定律的一歐 姆電流流動時的電流密度的公式。σ表示導電率,E表示 電場強度: 公式2 J = oE = aV/d 在公式2中,由於導電率σ表示爲σ = Μμ ( η指載流 子密度、e指電荷),因此載流子密度是包括在決定流動 的電流量因素中。因此,在具有一定程度的載流子遷移率 的有機材料中,只要不通過如上所述的摻雜增加材料的載 流子密度,那麽歐姆電流就不會在通常幾乎沒有載流子的 材料內流動。 (4) 1270225 但是,如公式1所示,決定SCLC的因素是介電常數 '載流子遷移率、電壓以及厚度。載流子密度是不相干的 ° ?奐句話說,即使在有機材料絕緣體沒有載流子情況下, ® @使厚度d足夠小,以及通過選擇具有顯著的載流子遷 $率μ的材料,也可能從外部注入載流子以使電流流動。 即使採用此機構時,電流流動量可以達到普通半導體 的水平或更多。因此,具有很大的載流子遷移率μ的有機 材料’換而言之,能夠潛在地輸運載流子的有機材料可以 稱作“有機半導體”。 順便提及,甚至在使用如上所述的SCLC的有機半導 Μ元件中,使用功能有機材料的光性能和電性能作爲光電 子裝置的有機電致發光元件(在下文中稱爲”有機EL元件 近年來已特別表現出非凡的進步。 由W· Tang等於1987年發表了有機EL元件的最基本 結構(參考文獻2: C· W. Tang和S. A· Vanslyke, “有機 電致發光二極體”,《應用物理期刊》(Applied physics Letters) ,Vol. 51,No. 12,913-915 (1987))。在參考文 獻2中所發表的元件是一種二極體元件,其中總厚約 10 Onm的有機薄膜夾在電極中,且通過層疊電洞-輸運有 機化合物和電子-輸運有機化合物構成該有機薄膜,以及 該元件使用發光材料(螢光材料)作爲電子-輸運化合物 。通過向元件施加電壓,可以獲得來自發光二極體的光發 射。 光-發射機制被認爲如下方式工作。也就是說,通過 -8 - (5) 1270225 施加電壓到夾在電極之間的有機薄膜,從電極 和電子在有機薄膜內複合以形成激發分子(下 子激子”),並且當這些分子激子回到它的基 〇 注意,由有機化合物形成的分子激子的種 單重激發態和三重激發態,且基態通常是單重 來自單重激發態發射的光稱爲螢光,來自三重 的光稱爲磷光。本說明書中的論述涵蓋來自兩 射的光的情況。 就如上所述的有機EL元件而言,有機薄 爲約100到200nm厚的薄膜。而且,由於有機 ^ 自發光元件,其中光從有機薄膜自身發出,所 一 知液晶顯示器中使用的背光。因此,有機EL 大的優點,即其可以製成極其薄和極其輕。 而且,在約100到2 OOnm厚的薄膜中,例 薄膜的載流子遷移率所表現的從載流子注入到 時間約幾十毫微秒。即使從載流子的複合到發 時間,發光之前該時間小於微秒的數量級。因 膜一個特點是回應時間極其快。 由於薄、輕和迅速的回應時間等的上述* EL元件作爲下一代平板顯示元件受到關注。 它是自發光並且它的可見範圍寬,因此它的可 並且被認爲是用於攜帶型裝置的顯示幕的有效j 而且,除有機EL元件之外,有機太陽能 注入的電洞 面稱爲“分 態時發射光 類可以包括 態。因此, 激發態發射 種激發態發 膜通常形成 EL元件是 以不需要習 元件具有很 如,由有機 發生複合的 光過程需要 此,有機薄 丨生能,有機 而且,由於 見性相對好 ί件。 電池是使用 -9- (6) (6)1270225 有機材料(亦即’有機半導體)的有機半導體元件的另一 代表實例’該有機材料能潛在地輸運載流子,也就是說具 有疋程度的載流子遷移率。 簡而言之’有機太陽能電池利用與有機]EL元件相反 的結構°也就是說’它的結構類似於有機EL元件的最基 本結構’具有雙層結構的有機薄膜夾在電極之間。(參考 文獻3 : C. W· Tang, “雙層有機光光生伏打電池”,《 應用物理期刊》(Applied Physics Letters),vol· 48,No· 2 ’ 18 3 - 1 85 ( 1 986))。用通過將光吸收到有機薄膜中産生的 光電流來獲得電動勢。此時流動的電流可以如下理解:由 光産生的載流子由於有機材料中存在的載流子遷移率而流 動。 以此方式’ g忍爲除了它原有的作爲絕緣體的用途外在 電子領域被認爲沒有用途的有機材料,通過巧妙地設計有 機半導體在各種電子裝置和光電子裝置中,它可以執行主 要功能。由此’目前正加強對有機半導體的硏究。 上面已經描述了使用有機.半導體作爲使電流流動到基 本上是絕緣體的有機材料的機構的兩種方法。但是,每種 方法都有不同的問題。 首先,就受體和施體都摻雜到有機半導體以增加載流 子密度而言,導電率實際上提高了,但是有機半導體本身 失去它自己原有的物理性能(光吸收、磷光質等)。例如 ,當磷光質-發光^ -共軛系統聚合物材料摻有受體/施體時 ,它的導電率增加,但是它停止發光。因此,以犧牲有機 -10- (7) l27〇225 材料具有的其他各種功能換得導電功能。 且’儘管具有通過調整受體或施體的摻雜量 胃H重導電率的優點,但是不管摻雜多少受體和施 力口 %流子,難以恆定地獲得相當於金屬或相當於金 M ft合物(例如,氮化鈦或其他這樣的無機化合物 的載流子密度。換句話說,就導電率而論,有機材 超越無機材料,個別例子例外。因此,唯一保持的 有機材料非常的易加工和柔韌。 另一方面,就使SCLC (在下文中,SCLC包括 )流動到有機半導體而言,有機半導體固有的物理 失去。這種的代表例子正是有機EL元件,其中即 流雲力時也可以利用從螢光物質(或磷光物質)發射 有機太陽能電池通過有機半導體還利用光吸收的功j 但是,通過參見公式1可以理解,由於SCLC d的3次方成反比,SCLC只能流過由夾住非常薄 的兩個表面的電極構成的結構。更具體地說,根據 料的一般載流子遷移率,該結構必須是約1 OOnm到 的超薄薄膜。 但是,通過摻雜上述超薄薄膜結構,在低壓下 大量的SCLC流動。有機EL元件,例如在參考資 論述的有機EL元件成功的一個原因就是因爲其有 的厚度設計成約l〇〇nm厚的均勻超薄薄膜。 但是,事實是厚度d必須製得非常薄,實際 SCLC流動時這成爲最大的問題。首先,在lOOnm 可以獲 體以增 屬的無 導體) 料難以 優點是 光電流 特性不 使電流 的光。 與厚度 的薄膜 有機材 2 0 0 nm 可以使 抖2中 機薄膜 上當使 薄膜中 -11 - (8) (8)1270225 ’容易形成針孔以及其他這種缺陷,且由於這一點發生短 路和其他此類問題,引起對產量下降的關注。而且,不僅 薄膜的機械強度減小,而且由於薄膜·必須是超薄薄膜,因 此製造程序本身也受限制。 而且,當SCLC用作電流時,有機半導體自身原有的 物理特性沒有失去,並且具有可以産生各種功能的優點。 但是,通過使SCLC流動加速了有機半導體的功能退化。 例如:觀察有機EL元件作爲例子,衆所周知,元件的壽 命(亦即,發光亮度級的半衰期)退化幾乎與它原有的亮 度成反比,或,換言之,與流動的電流量成反比(參考資 料4: Yoshiharu SATO, “應用物理學/有機分子電子學和 生物電子學日本協會” (The Japan Society of Applied Physics/Organic Molecular Electronics and Bioelectronics ,vol. 1 1,No,1 (2000),86-99)。 如上所述,在摻雜受體或施體以産生導電率的裝置中 ,失去導電率外其他功能。而且,在使用SCLC以産生導 電率的裝置中,大量電流流過超薄薄膜成爲元件的可靠性 等問題的原因。 順便提及,在使用有機半導體的光電子裝置中,例如 有機EL元件和有機太陽能電池中,還有關於效率的問題 〇 有機EL元件將作爲一個例子被討論。有機EL元件 的發光機制是注入的電洞和電子互相複合以轉變爲光。因 此,理論上,從複合的一個電洞和一個電子至多可能提取 -12- 1270225 Ο) 一個光子,不可能提取多個光子。也就是說,內量子效率 (與注入的載流子對應的發射光子的數目)至多爲1。 但是,實際上,難以使內量子效率接近1。例如:就 使用螢光材料作爲發光體的有機EL元件來說,認爲單重 激發態(S* )和三單激發態(T* )産生的統計比率爲S* :T* = 1 : 3 (參考資料 5 : Tetsuo TSUTSUI, “有機分子 電子學和生物電子學分部第三次討論會教程,應用物理學 曰本協會(The Japan Society of Applied Physics) ” ρ·31 (1 993))。因此,內量子效率的理論極限爲0.25。而且,只 要來自螢光材料的螢光量子産率不是cpf,那麽內量子效率 將甚至低於0.25。 近年來’已經嘗試採用磷光材料以使用來自三激發態 的發射光從而産生接近0 · 7 5至1的內量子效率理論極限 ,並且已經獲得實際超過螢光材料的效率。但是,爲了實 現這些’必須使用具有高磷光質量子效率φρ的磷光質材 料。因此,材料的選擇範圍不可避免地受限制。這是因爲 在室溫下能發射磷光的有機化合物非常稀有。 換句話說’如果可以構造提高有機EL元件的電流效 率(相對於電流産生的亮度級)的機構,那麼這將是一個 偉大的革新。如果電流效率提高,用較小的電流就可以産 生更大的亮度級。反之,由於實現一定亮度級用的電流可 以減小’那麽也可以減小如上所述的由大量電流流向超薄 薄膜引起的退化。 有機EL元件的反向結構,也就是說例如有機太陽能 -13- (12) 1270225 ,具有交替層疊的有相似薄膜厚度d的η個功能有機薄膜 層303和(η - 1)個歐姆導電薄膜層3〇4,它只可以使SCLC 流入厚度d (在習知技術中是100nm至200nm ),本發明 相當於使具有電流密度J的SCLC流入薄膜厚度nd,正如 , 圖3 A所示的情況。換句話說,是圖3 C的效果,但是在習 , 知技術中這是不可能的,因爲不管施加多大電壓,如果薄 膜厚度變得非常厚,那麽SCLC將突然停止流動。 φ 當然,該簡單機構僅需要nV電壓。但是,使用有機 半導體的電子裝置可以容易地克服該問題,即通過利用有 機材料的固有的物理特性,當使大量的電流流動時,存在 有關裝置的可靠性和產量的消極效果。 ^ 因此,通過提供具有交替層疊的功能有機薄膜層和導 ’ 電薄膜層的有機結構,該有機半導體元件可以使SCLC在 比習知技術更厚的薄膜厚度中流動。該槪念直到現在也不 存在。該槪念顯然可以適用於使SCLC流動以獲得發光的 • 有機EL元件和利用光電流並且據說具有與有機EL元件 相反機制的有機太陽電池。該槪念還可以廣泛地適用於其 他有機半導體元件。 * 因此,根據本發明,提供一種由有機結構構成的有機 ,半導體元件,通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η個功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層(η是等 於或大於2的整數)形成該有機結構,其特徵在於:浮置 態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功能有機薄膜層( k是Kk^(n - 1)的整數)和第(k + 1)功能有機薄膜層之間 -16- (13) 1270225 ;並且每一導電薄膜層與每一功能有機薄膜層歐姆接觸。 在此情況下,作爲導電薄膜層,最好是用有機化合物 代替使用金屬或導電無機化合物。特別,就需要透明度的 光電子裝置而言,最好是使用有機化合物。 因此,根據本發明,提供一種由有機結構構成的有機 半導體元件,通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層(η是等於 或大於2的整數)形成該有機結構,其特徵在於··包括有 機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功 能有機薄膜層(k是l2kS(n - 1)的整數)和第(k + 1)功能 有機薄膜層之間;並且每一導電薄膜層與每一功能有機薄 膜層歐姆接觸。 同樣,爲了使導電薄膜層與功能有機薄膜層歐姆接觸 或以基本上等效的方式接觸,如上所述,重要的是採用該 機構,其中由有機化合物形成導電薄膜層且該層摻有受體 或施體。 因此,根據本發明,提供一種由有機結構構成的有機 半導體元件,通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一至第 η功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層(n是等於 或大於2的整數)形成該有機結構,其特徵在於··包括有 機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第k功 能有機薄膜層(k是Kk^(n - 1)的整數)和第(k + 1)功能 有機薄膜層之間;每一導電薄膜層包括有機化合物用的受 體和施體的至少一種。 -17- (14) 1270225 同樣’根據本發明,提供一種包括由有機結構構成的 有機半導體元件,通過在陽極和陰極之間順序層疊由第一 至第η功能有機薄膜層構成的η個功能有機薄膜層(n是 等於或大於2的整數)形成該有機結構,其特徵在於:包 ί舌有機化合物的浮置態的導電薄膜層毫無例外地形成在第 k功能有機薄膜層(k是Kk^(n - 1)的整數)和第(k + 1) 功能有機薄膜層之間;每一導電薄膜層都包括有機化合物 用的受體和施體。 注意’當導電薄膜層摻有受體或施體時,用於功能有 機薄膜層的有機化合物和用於導電薄膜層的有機化合物用 相同的物質連接(亦即,導電薄膜層包括用於功能有機薄 " 膜層的有機化合物,並且導電薄膜層摻有受體或施體)。 " 這些使元件能夠根據簡單製程製造。 順便提及,在導電薄膜層包括受體和施體的情況下, 最好是:通過層疊第一層和第二層構造導電薄膜層,通過 添加受體到有機化合物形成第一層,以及通過添加施體到 與上述有機化合物相同的有機化合物形成第二層;以及第 一層比第二層更靠近陰極側。 同樣’在此情況下,最好是用於功能有機薄膜層的有 機化合物和用於導電薄膜層的有機化合物用相同的物質連 接。 順便提及,就導電薄膜層包括受體和施體二者的情況 而言,同樣最好是:通過層疊第一層和第二層構造導電薄 膜層’通過添加受體到第一有機化合物形成第一層,以及 -18- (15) 1270225 通過添加施體到不同於第一有機化合物的第二有機化合物 形成第二層;以及第一層比第二層更靠近陰極側。 同樣,在此情況下,最好是用於功能有機薄膜層的有 機化合物和用於第一層的有機化合物用相同的物質連接。 同樣,最好是用於功能有機薄膜層的有機化合物和用於第 二層的有機化合物用相同的物質連接。 功能有機薄膜層的結構可以使用雙極性有機化合物製 造,或通過結合單極性有機化合物,例如通過層疊電洞輸 運層和電子輸運層來製造。 上述元件結構尤其在有機半導體元件之中是非常有用 的,因爲在光電子領域它可以增加發光效率和光吸收效率 ^ 。也就是說,通過構造具有通過使電流流動而發光的有機 • 化合物的功能有機薄膜層,可以製造具有高可靠性和優良 效率的有機EL元件。而且,通過構造具有通過吸收光而 産生光電流(亦即,産生電動勢)的有機化合物的功能有 機薄膜層,可以産生具有高可靠性和優良效率的有機太陽 能電池。 因此,本發明包括涉及有機半導體元件的所有元件, 其中上述功能有機薄膜層具有能夠實現有機EL元件功能 和有機太陽能電池功能的結構。 注意,特別在有機EL元件中,就功能有機薄膜層用 雙極性有機化合物構造的情況而言,雙極性有機化合物最 好是包括具有7Γ -共軛系統的高分子化合物。而且,同樣 對於導電薄膜層,所希望的使用方法是:其中使用具有 -19- (16) 1270225 π -共轭系統的高分子化合物且該層摻有受體或施體以提 筒暗導電率。另一方面,至於導電薄膜層,同樣也可以使 用添加有受體或施體的導電高分子化合物。 而且,在有機E L元件中,在這種情況下,即例如, 層疊由電洞輸運材料製成的電洞輸運層,以及由電子輸運 材料製成的電子輸運層以通過結合單極性有機化合物構造 功能有機薄膜層,導電薄膜層也使用電洞輸運材料和電子 輸運材料的至少一種製成,且該層應該摻有受體和施體以 增加暗導電率。另一方面,還可以是電洞輸運材料和電子 輸運材料都使用。在更具體的方面,這指一種方法:其中 在用作導電薄膜層的結構中彼此緊靠地層疊用於功能有機 薄膜層的電子輸運材料的施體-摻雜層和用於功能有機薄 - 膜層的電洞輸運材料的受體-摻雜層。 用於有機太陽能電池中的功能有機薄膜層的結構與用 於有機EL元件的相同。也就是說,在有機太陽能電池中 ’就功能有機薄膜層用雙極性有機化合物構造的情況而言 ’雙極性有機化合物最好是包括具有;Γ -共軛系統的高分 子化合物。而且,同樣對於導電薄膜層,所希望的使用方 法是·其中採用具有7Γ -共轭系統的高分子化合物且該層 摻有受體或施體以提高暗導電率。另一方面,至於導電薄 膜層,同樣可以使用添加有受體或施體的導電高分子化合 物。 而且,在有機太陽能電池中,在此情況下,即例如, 層疊由電洞輸運材料製成的層和由電子輸運材料製成的層 -20- (17) 1270225 以通過結合單極性有機化合物構造功能有機薄膜層,導 薄膜層也應該使用電洞輸運材料和電子輸運材料的至少 種製成,且該層應該摻有受體和施體以增加暗導電率。 一方面,也可以是電洞輸運材料和電子輸運材料都使用 在更具體的方面,這指一種方法:其中在用作導電層的 構中彼此緊靠地層疊用於功能有機薄膜層的電子輸運材 的施體·摻雜層和用於功能有機薄膜層的電洞輸運材料 受體··摻雜層。 注意,如果載流子可以注入上述的所有導電薄膜層 歐姆導電薄膜層),那麼不必減少他們中任何層的薄層 阻。因此,1(Γ 10 S/m或更大的導電率是足夠的。 在下文中,詳細說明關於本發明的實施例,使用有 EL元件和有機太陽能電池作爲例子。注意,關於有機 元件,爲了實現發光,只要使陽極和陰極至少一個透明 夠了。但是,根據本實施例方式,描述元件結構,其中 明陽極形成在基底上以從陽極側獲取光。實際上,本發 可以適用於陰極形成在基底上以從陰極側獲取光的結構 還適用於從與基底相對側獲取光的結構,以及適用於從 極兩側獲得光的結構。在有機太陽能電池中也一樣,爲 使電池吸收光,元件的任何一側都可以製成透明。 首先,在有機EL元件中,作爲克服源於超薄薄膜 低可靠性和提高相對於電流的光發射比例(亦即,電流 電 另 〇 結 料 的 ( 電 機 EL 就 透 明 電 了 的 效 21 (18) 1270225 率)的機構,爲了實現簡單的裝置結構,例如,有 件可以串聯連接。這些將在下面進行解釋。 如圖4A所示,假定一種有機EL元件Di, 一定的電壓Vi促使具有電荷密度:^的電流流動 單位表面積L i的光能發射光(亦即,發射具有 的光子,光能相當於能量與光子數目的乘積)。 下面的公式中給出功率效率(pe!(這指相對於所 (電功率)的光發射能量,意思與“能量轉換率 公式3 φ^=ί!/( Ji -Vi ) 接下來,考慮一種情況,其中完全等於有機 Di的有機EL元件D2與有機EL元件Di串聯連 圖4B )。注意接觸點Ci將兩個元件Di和D2歐 在一起。 這裏,元件作爲整體(亦即,具有由D!和】 接構成的結構的元件D *部)施加電壓V2 ( =2Vi V2是圖4A中施加的電壓的兩倍。然後,由於D 此等價,因此,如圖4 B所示,D1和D 2分別施文 ,且共用電流密度J i流動。因此,由於每一個D 發射有光能L i的光,因此從作爲整體的元件D : 得雙倍的光能2Li。 此時在下面公式4中給出功率效率(pe2 : 機EL元 其中施加 ,且由每 一定能量 此時,在 給的電能 ,,一樣) EL元件 接(參見 姆地連接 )2彼此連 ),電壓 1和D2彼 J口電壓v i i和D2都 B部可以獲 -22- (19) 1270225 公式4 cpe2 = 21^/( jjVi ) = 1^/( J.Vi ) 通過比較上述公式3和公式4可以明白,圖4A和4B 之間在功率效率方面是相同的,並且遵守V 1和J i轉變爲 L〗的能量守恆定律。但是,電流效率顯然增加到兩倍,亦 即Li/J!增加到21^/h。這對於有機EL元件具有重要的意 義。也就是說,通過增加串聯連接的有機EL元件和通過 施加與增加的元件數目成比例的更大電壓並保持電流密度 在固定的値,就可以增加電流效率。 更一般性地檢查該槪念,當η個完全相等的有機EL 元件歐姆連接時,通過保持電流密度在固定値和通過增加 η倍電壓可以獲得η倍亮度級。該性能源於有機EL元件 中亮度級和電流密度値之間的比例關係。 當然,甚至在此情況下:即不同的有機EL元件串聯 連接,從每一有機EL元件發射的亮度級將不同。但是, 通過顯著地增加電壓,可以提取比單個有機EL元件更強 的亮度。圖5顯示了這種情況的槪念示意圖。 如圖5所示,當不同的有機E L元件D i和D 2串聯連 接’且其中一個有機E L元件(D i或D 2之一)施加比必 須電壓(Vi或V2 )更高的電壓V0V2以産生電流L時, 用電流h就可以産生亮度級LeL2 ( >Li,L2)。 此時,通過配置,例如’ D1作爲發藍光元件以及D2 作爲發黃光元件,如果可以進行顔色混合,那麽將産生白 -23- (20) 1270225 光。因此,能夠得到電流效率更高的白光發射元件,因此 兀件的壽命比習知技術的更長。 如上所述,通過歐姆地串聯連接元件,用較小的電流 就可以明顯提高表觀電流效率和獲得更強的亮度。這意味 ,^ 著’可以使發射同樣的亮度級所必須的電流保持小於習知 - 技術。而且,只要能施加有效的電壓,就可以連接所需要 的所有有機E L元件,並且整體薄膜厚度可以變厚。 Φ 但是,如上所述,甚至在有機E L元件是簡單串聯連 接的情況下也將産生一個問題。該問題源於有機EL元件 的電極和源於元件結構,這些用圖6進行解釋。圖6 A以 示意的方法顯示了圖4 A所示的有機EL元件D !的剖視圖 ' ,圖6B以示意的方法顯示了圖4B所示的所有元件D全部 • 的剖視圖,。 製造一般有機EL元件的基本結構(圖6A ),通過在 基底601上提供透明電極6 02 (這裏,電極是陽極,通常 • 使用ITO等),然後形成通過使電流流動執行發光的功能 有機薄膜層(在下文中,稱爲“有機EL層” )604,以及 — 然後提供陰極603。用該結構,可以從透明電極(陽極) ‘ 602産生光。陰極603可以是通常採用具有低功函數的金 屬電極,或電子注入陰極緩衝層和金屬導電薄膜(例如鋁 等)。 當具有上述結構的兩個有機EL兀件簡單的串聯連接 時(如圖6B所示)’該結構將包括從下側依次層暨的第 一透明電極(陰極)602a、第一有機EL層604a、第一陰 -24- (21) (21)1270225 極603a、第二有機EL層604b、第二有機EL層60 4b、以 及第二陰極603 b。然後,由第二有機EL層604b發射的 光不能透過,因爲第一陰極603 a是金屬,且因此光不能 從元件發出。由此,混合上下有機EL元件發射的光以産 生白光的這種革新是不可能的。 例如:已經發表了陽極和陰極都使用透明的1το陰極 的技術(參考資料 6 : G· Parthasarathy,Ρ · Ε. Burrows, V.Khalfin,V.G. Kozlov,和 S.R. Forrest, “用於有機 半導體裝置的無金屬陰極”J·Appl·PhyS·,72,213 8-2140 ( 1998 ))。通過使用這些,第一陰極603a可以製成 透明的。因此,可以使光從第二有機EL層604b發射出來 。但是,由於ITO主要由濺射形成,擔心的是有機EL層 6〇4a將遭受損傷。而且,因爲不得不重復通過澱積塗敷有 機EL層和通過濺射塗敷ITO,因此該製程也變得累贅。 爲了克服該問題,圖7顯示了一種更合乎需要的實施 例,該實施例具有一種結構,例如,其中使用類似於串聯 連接元件以提高電流效率的槪念可以提高電流效率,且元 件透明度也不存在問題。 圖7顯示了一種結構,其中在透明電極(陽極)70 2 上依次層疊第一有機EL層704a、第一導電薄膜層705a、 第二有機EL層704b以及陰極703,透明電極(陽極) 702設置在基底701上。在該結構中,通過應用其中受體 或施體已經施加於有機半導體的材料,第一半導體薄膜層 705 a可以與有機EL層幾乎歐姆地連接(亦即,可以注入 (22) 1270225 電洞載流子和電子載流子),而且,幾乎可以完全保持透 明度。因此,第二有機EL層704 b産生的發光可以顯示出 來’並且通過施加雙倍電壓就可以使電流效率簡單的加倍 〇 而且,由於整個製程變得一致(例如,當使用低分子 的材料時,可以使用乾法製程例如真空澱積,當使用高分 子材料時,可以使用濕法製程例如旋塗),製造過程不再 累贅。 注意,圖7顯示了一種結構,其中提供兩個有機EL 層。但是,如上所述,只要可以施加大量的電壓,該結構 可以是多層的(當然,導電薄膜層插入每一有機EL層之 | 間)。因此,可以克服源於超薄薄膜結構的有機半導體的 • 低可靠性。 如上所述的原理自然也可以適用於認爲利用與有機 EL元件相反機制的有機太陽能電池。這些將在下面解釋 〇 假定有機太陽能電池Si,其中給定的光能産生電 流密度J i的光電流,因此産生電動勢V i。N個電池S i歐 姆地串聯連接,且當光能nL i照射時,如果相等光能的可 以提供到所有η個太陽能電池Si( = nLi/r^Li),那麽可 以獲得η倍的電動勢(=nV!)。總而言之,如果所有串聯 連接的有機太陽能電池都可以吸收光,則電動勢增加等於 電池數目的乘積。 例如:一篇報告公開了通過串聯連接兩個有機太陽能 -26- (23) (23)1270225 電池提高電動勢(參考文獻 7: Masahiro HIRAMOTO, Minoru SUEZAKI,和 Masaaki YOKOYAMA,“薄金間隙-層對級聯的有機太陽電池的光致電壓性能的效果”( Effect of Thin Gold Interstitial-layer on the Photovoltaic Properties of Tandem Organic Solar Cell),《化學期干!j 》(即,pp. 327-330,1990)。根據參考文獻7,通過將 金薄膜插入兩個有機太陽能之間(亦即,前單元和後單元 之間),獲得改善通過光照射産生的電動勢的效果。 但是,參考文獻7也構造3 nm或更少的厚度的金薄膜 以便獲得透射率。換句話說,構造薄膜爲足夠薄的超薄薄 月旲’用於光通過該薄膜,如此設計以便光到達後單元。而 且,當超薄薄膜的厚度爲幾納米數量級時可重復性成問題 〇 通過使用本發明還可以解決這些問題。也就是說,在 如參考文獻7中公開的有機太陽能電池結構中,本發明可 以適用於金薄膜部分。通過這樣做,本發明可以用作比習 知技術更厚和更高效的單有機太陽能電池,代替兩個元件 串聯連接。 本發明的基本槪念和結構使用有機EL元件和有機太 陽能電池作爲例子已在上文進行描述。下面描述用於本發 明的導電薄膜層的結構的較佳例子。但是,本發明不局限 於這些例子。 首先’可以使用各種金屬薄膜,因爲它們是導電的, 也就是說它們具有多個載流子。具體地,金、鋁、鉑、銅 -27- (24) (24)1270225 、鎳等是可以使用的例子。注意,當這些金屬用於導電薄 膜層時’最好是它們形成爲足夠薄的超薄薄膜用於透過可 見光(亦即,幾納米至幾十納米)。 而且,特別從可見光透射率的觀點出發,可以使用各 種金屬氧化物薄膜。具體例子包括ITO、氧化鋅、氧化錫 、氧化銅、氧化鈷、氧化鍩、氧化鈦、氧化鈮、氧化鎳、 氧化銨、氧化釩、氧化鉍、氧化鈹鋁、氧化硼、氧化鎂、 氧化鉬、氧化鑭、氧化鋰、氧化釕以及BeO。而且,還可 以使用化合物半導體薄膜,包括 ZnS、ZnSe、GaN、 AlGaN 以及 CdS。 本發明特別的特徵是導電薄膜層可以是有機化合物結 構。例如:混合P型有機半導體和η型有機半導體以形成 半導體薄膜層的技術。 Ρ型有機半導體的典型實例,除了由下面的化學式1 表示的C uP c之外,還包括結合其他金屬或不結合金屬的 酞菁(由下面的化學式2表示)。以下也可以用作ρ型有 機半導體:TTF (由下面的化學式3表示);TTT (由下 面的化學式 4表示);甲基吩噻嗪(methylphenothiazine )(由下面的化學式 5表示);N-異丙基哧唑( isopropylcarbazole)(由下面的化學式6表示)等。而且 ,用於有機EL等的電洞輸運材料也可以使用,例如TPD (由下面的化學式7表示)、cx-NPD (由下面的化學式 8表示)或CBP (由下面的化學式9表示)° •28- 1270225 (25) 化學式1
化學式2
化學式3
化學式4
S—S S——S -29- 1270225 (26) 化學式5 化學式6 化學式7 化學式8 化學式9
-30- (27) 1270225 η型有機半導體的典型實例,除由下面的化學式10表 示的F16-CuPc外,還包括3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸衍生 物,例如PV (由下面的化學式1 1表示)、Me-PTC (由下 面的化學式12表示)、或PTCDA (由下面的化學式13表 示)、萘殘基酐(naphthalenecarboxylic anhydrides)( 由下面的化學式 14 表示)、萘羧基二醯亞胺( naphthalenecarboxylic diimide)(由下面的化學式 15 表 示)等。以下也可以用作η型有機半導體:TCNQ (由下 面的化學式16表示);TCE (由下面的化學式17表示) ;苯醌(由下面的化學式18表示);2,6-萘醌(由下面 的化學式19表示);DDQ (由下面的化學式20表示), ^ 螢烷偶醯(p-fluoranil )(由下面的化學式21表示);四 , 氯聯苯醌(tetrachlorodiphenoquinone )(由下面的化學 式22表示);鎳二聯苯乙二肟( nickelbisdiphenylglyoxime)(由下面的化學式 23 表 7Γ;) 等。而且,用於有機EL等的電子輸運材料,也可以使用 例如Alq3 (由下面的化學式24表示)、BCP (由下面的 化學式25表示)或PBD (由下面的化學式26表示)。 -31 - (28) 1270225 化學式1 〇 化學式11
F F 化學式1 2
化學式1 3
-32- (29)1270225 化學式1 4 化學式15
化學式1 6
化學式1 7
NC CN Μ Μ NC CN 化學式1 8 Ο
〇
化學式19 Ο
Ο 化學式20
•33- (30)1270225 化學式2 1 化學式22
化學式23
化學式24
化學式25
化學式26
-34- (31) 1270225 而且,在另一較佳技術中’混合有機化合物受體(電 子受體)和有機化合物施體(電子施體)並形成使導電薄 膜層導電的電荷-轉移合成物用作導電薄膜層。電荷-轉移 合成物容易結晶不易用作薄膜。但是,根據本發明的導電 薄膜層可以形成爲薄層或簇狀(只要能注入載流子)。因 此,不會發生大的問題。 用於電荷-轉移合成物的組合的代表實例包括如下所 示的化學式27中的TTF-TCNQ組合、金屬/有機受體例如 K-TCNQ 和 Cu-TCNQ。其他組合包括[BEDT_ttf]-TCNq ( 下面的化學式28) 、(Me)2P-C18TCNQ(下面的化學式29 )、BIPA-TCNQ (下面的化學式30)以及Q-TCNQ (下面 ' 的化學式3 1 )。注意,這些電荷-轉移合成物薄膜可以適 " 用於殿積膜、旋塗膜、LB薄膜、聚合物粘合劑分散薄膜 等任一種。 化學式27
化學式2 8
35- (32)1270225 化學式29 ?H3
化學式3 0 化學式3 1
而且, - 受體或施體 . 。由導電聚 可以用於有 料,比如聚 、或聚吡咯 生物、以及 同樣, 體。p型有 作爲導電薄膜層的結構實例,最好是使用摻雜 雜質到有機半導體內以應用其暗導電率的技術 合物等代表的具有;Γ -共軛系統的有機化合物 機半導體。導電聚合物實例包括實際使用的材 (乙烯二羥噻吩)(縮寫爲PEd〇T)、聚苯胺 ,且除此之外還有聚亞苯基衍生物 '聚噻吩衍 聚(對位苯亞乙烯)衍生物。 當摻雜受體時’最好是p型材料用於有機半導 機半導體的實例可以包括由上述化學式丨至9 -36- (33) 1270225 所表示的那些。此時,路易斯酸(強酸摻雜劑)例如
FeCI3 ( III) 、A1C13、AlBr3、AsF6或鹵素化合物可以用 作受體(路易斯酸可以起受體作用)° 而且,在摻雜施體的情況下’有機半導體最好是使用 η型材料。η型有機半導體的實例包括上述化學式1 〇至2 6 等。然後,對於施體,可以使用鹼金屬例如Li、K、Ca、 Cs等,或路易斯鹼例如鹼土金屬(路易斯鹼可以起施體 的作用)。 更理想地,可以結合上述的幾個結構用作導電薄膜層 。換句話說,例如:在無機薄膜的一側或兩側上,例如, 如上述金屬薄膜、金屬氧化物薄膜或化合物半導體薄膜的 ,一側或兩側上可以形成其中P型有機半導體與η型有機半 、 導體混合的薄膜、或電荷-轉移合成物薄膜、或摻雜的導 電高分子的薄膜、或摻有受體的Ρ型有機半導體、或摻有 施體的η型有機半導體。在此情況下,使用電荷轉移合成 物薄膜代替無機薄膜是有效的。 而且,通過層疊摻有施體的η型有機半導體薄膜和摻 有受體的Ρ型有機半導體薄膜以讓這些膜作爲半導體薄膜 層,這些層成爲電洞和電子都可以有效地注入其內的功能 有機半導體層。而且,還考慮這樣一種技術:其中施體摻 雜η型有機半導體薄膜和受體摻雜ρ型有機半導體薄膜或 層疊在其中Ρ型有機半導體薄膜和η型有機半導體薄膜混 合在一起的薄膜的一側或兩側上。 注意’上面給出的所有類型的薄膜作爲用於上述半導 -37- (34) 1270225 體薄膜層的結構不必形成薄膜形狀,而是還可以形成爲島 狀。 通過在本發明中應用上述半導體薄膜層,可以製造具 有高可靠性和良好產量的有機半導體元件。 作爲一個例子,本發明的有機薄膜層可以如此構造, 使得通過使電流流動獲得發光,以由此獲得有機EL元件 。因爲可以提高效率,因此本發明的有機EL元件同樣是 有效的。 當使用該方法時,有機薄膜層的結構(亦即有機EL 層)可以是通常使用有機EL層結構和組成材料的有機EL 元件。具體地,許多變化都是可能的,例如在參考文獻2 中描述的具有電洞輸運層和電子輸運層的疊層結構、使用 高分子化合物的單層結構以及使用來自三重激態光發射的 高效率元件。而且,如上所述,來自每一有機EL層的顔 色作爲不同的發光顔色,可以混合爲不同的顔色,以能應 用長壽命的白光發光元件。 關於有機EL元件的陽極,如果光從陽極側面發出, 通常可以使用ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)以及 其他這種透明的導電無機化合物。金等的超薄薄膜也可以 。如果陽極不必須透明(亦即,光從陰極側面發出的情況 ),那麽可以使用不透射光但是具有稍微大的功函數的金 屬/合金和或導體,例如w、Ti以及TiN。 至於有機EL元件陰極,使用具有小的正常功函數的 金屬或合金,例如鹼金屬、鹼土金屬或稀土金屬。也可以 -38- (35) 1270225 使用包括這些金屬元素的合金。例如··可以使用Mg : Ag 合金、Al: Li合金、Ba、Ca、Yb、Er等。而且,在光從 陰極側面發出的情況下,可以使用由金屬/合金製成的超 薄薄膜。 * 而且’例如,通過使用根據本發明的有機薄膜層作爲 - 通過吸收光而産生電動勢的結構,可以獲得有機太陽能電 池。因此’本發明的有機太陽能電池是有效的,因爲它提 _ 高效率。 當以這樣的方式構造時,功能有機薄膜層的結構可以 使用通常用於有機太陽能電池的功能有機薄膜層的結構和 結構材料。具體實例是具有Ρ型有機半導體和η型有機半 ' 導體的疊層結構,例如如參考文獻3所述。 實施例 [實施例1] • 根據本實施例,將給出根據本發明的有機EL元件的 具體實例,使用電荷-轉移合成物作爲導電薄膜層。圖8 顯示了有機EL元件的元件結構。 ^ 首先,在玻璃基底801上澱積ΙΤΟ作爲陽極802,成 ,爲具有約 lOOnm厚的薄膜,其上 Ν-Ν’雙(3-苯甲基 (methylphenyl)) -Ν,Ν·-二苯基·聯苯胺(縮寫成 TPD)作 爲電洞輸運材料,澱積到50nm以獲得電洞輸運層804a。 緊接著,三(8-羥基喳啉)鋁(縮寫成Alq )作爲具有電 子輸運性能的發光材料,澱積到5 0nm以獲得電子輸運和
-39- (36) 1270225 發光層8 0 5 a。 以上述方法形成第一有機EL層810a。此後,以1:1 的比率共同澱積TTF和TCNQ作爲導電薄膜層8 06,形成 1 Onm厚的層。 然後,澱積50納米的TPD作爲電洞輸運層804b,並 且在其頂部澱積50納米的Alq’用作電子輸運層/發光層 805b。這樣,形成第二有機EL層810b。 最後,以10:1的原子比共同澱積Mg和Ag作爲陰極 8 0 3,且形成150nm厚的陰極8 03,由此獲得本發明的有 機EL元件。 [實施例2] 根據該實施例,顯示了本發明的有機EL元件的具體 實例,其中導電薄膜層包括與有機EL層中所用相同的有 機半導體,且摻雜受體和施體以使有機EL元件導電。圖 9顯示了有機EL元件的元件結構的實例。 首先,在具有約l〇〇nm的ITO的玻璃基底901上澱 積5 Onm的TPD用作電洞輸運材料,ITO作爲陽極902。 接下來,澱積50nm的Alq作爲電子輸運層/發光層905 a, Alq用作電子輸運發光材料。 以這種方法形成第一有機EL層910a之後,5nm的層 906與Alq共同澱積以致施體TTF構成爲2mol%。然後, 5nm的層907與TPD共同澱積以致受體TCNQ構成爲 2mol%,以用作導電薄膜層911。 -40- (37) 1270225 此後,澱積5〇nm的TPD作爲電洞輸運層904b,並且 在其頂上殿積50nm的Alq,用作電子輸運層/發光層905b 。這樣,形成第二有機EL層910b。 最後,以10:1的原子比共同澱積Mg和Ag作爲陰極 903,形成具有150nm厚的陰極903,由此獲得本發明的 有機EL元件。通過用有機EL層中的有機半導體作爲構 造導電薄膜層的材料,並混合施體和受體,可以簡單地製 造該元件,因此這些是非常簡單且有效的。 [實施例3] 根據本實施例,顯示了濕-型有機EL元件的一種具體 實例,其中電發光聚合物用於有機EL層並且由導電聚合 物形成導電薄膜層。圖1 0顯示了有機EL元件的元件結構 〇 首先,在玻璃基底1001上,其上澱積ITO作爲陽極 1 0 02,ITO成爲約l〇〇nm厚的薄膜,通過旋塗塗敷聚乙烯 二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸(縮寫成PEDOT/PSS)的混合 水溶液使水分蒸發,以致形成30nm厚的電洞注入層1004 。接下來,通過旋塗將聚(2 -甲氧基-5 - ( 2 乙基-己氧 基(hexoxy) ) · 1,4 -亞苯基亞乙烯基)(縮寫成MEH -PPV)澱積爲10〇nm厚的薄膜以獲得發光層l〇〇5a。 用上述方法形成第一有機EL層1010a。之後,通過旋 塗塗敷30nm厚的PEDOT/PSS作爲導電薄膜層1 006。 然後,通過旋塗塗敷l〇〇nm的MEH-PPV作爲發光層 -41 - (38) 1270225 1 005b。注意,由於導電薄膜層由與電洞注入層一樣的材 料組成,因此該第二有機EL層1010b不必形成電洞注入 層。可以,就在此上將層疊第三和第四有機EL層而言, 可以根據非常簡單的操作交替地層疊導電薄膜層 , PEDOT/PSS 和發光層 MEH - PPV。 . 最後,澱積150nm的 Ca作爲陰極。在其上澱積 15 0nm的A1作爲帽蓋以阻止Ca氧化。 [實施例4] 根據本發明,顯示了本發明的有機太陽能電池的一個 具體實例,其中P型有機半導體和η型有機半導體的混合 • 用作導電薄膜層。 . 首先,在其上塗敷有約l〇〇nm的ΙΤΟ的玻璃基底上 澱積30nm的p型有機半導體CuPc,ITO用作透明電極。 接下來,澱積50nm的PV,PV用作η型有機半導體,並 • 且使用CuPc和PV在有機半導體中形成ρ-η結。這成爲第 一功能有機薄膜層。 然後,以1 :1共同澱積CiiPc和PV作爲導電薄膜層具 " 有l〇nm的厚度。而且,澱積30nm的CuPc,並且在其上 源積5 0 n m的P V,借此製成第二功能有機薄膜層。 奢 最後,塗敷150nm的Au用作電極。如上述構造的有 機太陽能電池是非常有效的,因爲它通過最終僅使用兩種 有機化合物就可以簡單地實現本發明。 通過簡化本發明以實用,可以提供非常可靠且具有良 -42- (42):1270225 1 005 b 發光層 1006 導電薄膜層 1010a 第一有機EL層 1010b 第二有機EL層
-46
Claims (1)
1270225 ——^——一、—___ ______ ⑴ %年?月W日修(粟)正本 十、申請專利範圍 --- 第094 142349號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年7月31日修正 < 1· 一種電子裝置,包含: 一陰極; ⑩ -陽極; 一包含陰極與陽極間之第一至第η功能薄膜層(其中 η是等於或大於2的整數)的結構, 一介於第k功能薄膜層(其中k是l^k^(n - 1)的整數 )與第(k + 1 )功能薄膜層之間的導電薄膜層, 其中導電薄膜層接觸與第k功能薄膜層及第(k + 1) 功能薄膜層, 其中導電薄膜層包含一包括施體之第一層及一包括受 φ 體的第二層, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極, 其中每一功能薄膜層包含一發光層, 其中第一層包含η型有機半導體和電子輸運材料中的 至少一種,及 其中第二層包含Ρ型有機半導體和電洞輸運材料中的 至少一^種。 2. —種電子裝置,包含: 一陰極; (2) 1270225 一陽極; 一包含陰極與陽極間之第一至第η功能薄膜層(其中 η是等於或大於2的整數)的結構, 一介於第k功能薄膜層(其中k是l<k<(n - 1)的整數 )與第(k + 1 )功能薄膜層之間的導電薄膜層, .其中導電薄膜層包含一包括施體之第一層及一包括受 體之第二層,該第一層接觸與第k功能薄膜層而該第二層 ® 接觸與第(k + 1 )功能薄膜層, 其中每一功能薄膜層包含一發光層, 其中第一層及第k功能薄膜層包含η型有機半導體和 電子輸運材料中的至少一種, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極,及 其中第二層及第(k + 1)功能薄膜層包含ρ型有機半 導體和電洞輸運材料中的至少一種。 3. —種電子裝置,包含: • 一陰極; 一陽極; 一包含陰極與陽極間之第一至第η功能薄膜層(其中 η是等於或大於2的整數)的結構, 一介於第k功能薄膜層(其中k是l<kS(n - 1)的整數 )與第(k + 1 )功能薄膜層之間的導電薄膜層, 其中導電薄膜層接觸與第k功能薄膜層及第(k + 1 ) 功能薄膜層, 其中導電薄膜層包含一包括Li之第一層及一包括 -2- (3) 1270225 FeCl3之第二層, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極, 其中每一功能薄膜層包含一發光層, 其中第一層包含η型有機半導體和電子輸運材料中的 至少一種,及 ‘其中第二層包含Ρ型有機半導體和電洞輸運材料中的 至少一種。 W 4. 一種電子裝置,包含: 一陰極; 一陽極; 一包含陰極與陽極間之第一至第η功能薄膜層(其中 η是等於或大於2的整數)的結構, 一介於第k功能薄膜層(其中k是l^k^(n- 1)的整數 )與第(k + 1 )功能薄膜層之間的導電薄膜層, 其中導電薄膜層包含一包括Li之第一層及~包括 # FeCl3之第二層,該第一層接觸與第k功能薄膜層而該第 二層接觸與第(k + 1 )功能薄膜層, 其中每一功能薄膜層包含一發光層, 其中第一層及第k功能薄膜層包含Alq3, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極,及 其中第二層及第(k + Ι)功能薄膜層包含(Χ-NPD。 5 ·如申請專利範圍第1、2及3項之任一項的電子裝 置,其中第一層包含選自下列各項所組成之族群的材料: F16-CuPc、3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸衍生物、PV、Me-PTC (4) 1270225 、PTCDA、萘竣基酉干(naphthalenecarboxylie anhydrides )、萘竣基二醒亞胺(naphthalenecarboxylicdiimide)、 TCNQ、TCE、苯醌、2,6-萘醌、DDQ、螢烷偶醯(p-fluoranil)、四氯聯苯醌(tetrachlorodiphenoquinone)、 鎳二聯苯乙二月弓(nickelbisdiphenylglyoxime) 、BCP、及 PBD。 6. 如申請專利範圍第1、2及3項之任一項的電子裝 置,其中第二層包含選自下列各項所組成之族群的材料: CuPc之外、結合金屬的酞菁(phthalocyanine )、不結合 金屬的酞菁、TTF、TTT、甲基吩噻嗪( methylphenothiazine) 、N-異丙基嘮卩坐( isopropylcarbazole ) 、TPD、及 CBP 〇 7. 如申請專利範圍第1或2項之電子裝置,其中受 體是選自下列各項所組成之族群的材料:A1C13、AlBr3、 AsF6及鹵素。 8 ·如申請專利範圍第1或2項之電子裝置,其中施 體是選自下列各項所組成之族群的材料:K、Ca、Cs及鹼 土金屬。 9. 一種電子裝置,包含: 一陰極; 一陽極; 一介於陰極與陽極之間的第一功能薄膜層, 一介於陰極與陽極之間的第二功能薄膜層, 一介於第一功能薄膜層與第二功能薄膜層之間的導電 -4- (5) 1270225 薄膜層, 其中導電薄膜層接觸與第一功能薄膜層及第二功能薄 膜層, 其中導電薄膜層包含一包括施體之第一層及一包括受 體之第二層, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極, 其中每一第一功能薄膜層及第二功能薄膜層包含一發 光層, 其中第一層包含η型有機半導體和電子輸運材料中白勺 至少一種,及 其中第二層包含Ρ型有機半導體和電洞輸運材彳 至少一種。 10. —種電子裝置,包含: 一陰極; 一陽極; 一介於陰極與陽極之間的第一功能薄膜層, 一介於陰極與陽極之間的第二功能薄膜層, 一介於第一功能薄膜層與第二功能薄膜層之_ h U導電 薄膜層, 其中導電薄膜層接觸與第一功能薄膜層及第〜 膜層, 其中導電薄膜層包含一包括施體之第—層及1括受 體之第二層, 其中每一第—功能薄膜層及第二功能薄膜層包含一發 -5- 奶0225 (6) 光詹, 其中楚; ^ $〜層及第一功能薄膜層包含η型有機半導體和 、輸運材料中的至少一種, 〜層被配置比第二層更靠近陽極,及 /、中%二層及第二功能薄膜層包含P型有機半導體和 - 電涧輸it、t r 哪J運材料中的至少一種。 φ u·〜種電子裝置,包含·· 一陰極; 一陽極; 一介於陰極與陽極之間的第一功能薄膜層, 一介於陰極與陽極之間的第二功能薄膜層, 一介於第一功能薄膜層與第二功能薄膜層之間的導電 薄膜層, 其中導電薄膜層接觸與第一功能薄膜層及第二功能薄 膜層, ® 其中導電薄膜層包含一包括Li之第一層及一包括 FeCl3之第二層, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極, 其中每一第一功能薄膜層及第二功能薄膜層包含一發 光層, 其中第一層包含η型有機半導體和電子輸運材料中的 至少一種,及 其中第二層包含Ρ型有機半導體和電洞輸運材料中的 至少一種。 -6 - (7) 1270225 12· —種電子裝置,包含: 一陰極; 一陽極; 一介於陰極與陽極之間的第一功能薄膜層, 一介於陰極與陽極之間的第二功能薄膜層, 一介於第一功能薄膜層與第二功能薄膜層之間的導電 薄膜層, 其中導電薄膜層包含一包括Li之第一層及一包括 FeCl3之第二層,該第一層接觸與第一功能薄膜層而該第 二層接觸與第二功能薄膜層, 其中每一第一功能薄膜層及第二功能薄膜層包含一發 光層, 其中第一層及第一功能薄膜層包含Alq3, 其中第一層被配置比第二層更靠近陽極,及 其中第二層及第二功能薄膜層包含α-NPD。 1 3 ·如申請專利範圍第9、1 0及1 1項之任一項的電 子裝置,其中第一層包含選自下列各項所組成之族群的材 料:F16-CuPc、3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸衍生物、PV、 Me-PTC、PTCDA、萘竣基酉干(naphthalenecarboxylic anhydrides)、萘殘基二醯亞胺(naphthalenecarboxylic diimide ) 、TCNQ、TCE、苯醌、2,6-萘醌、DDQ、螢烷偶 醯(p-fluoranil)、四氯聯苯醌( tetrachlorodiphenoquinone )、鎳二聯苯乙二月弓( nickelbisdiphenylglyoxime ) 、BCP、及 PBD。 (8) 1270225 14.如申請專利範圍第9、1 0及1 1項之任一項 子裝置,其中第二層包含選自下列各項所組成之族I 料:CuPc、結合金屬的酞菁(phthalocyanine)、不 金屬的酞菁、TTF、TTT、甲基吩噻嗪( methylphenothiazine) 、N -異丙基 Π弄哇( isopropylcarbazole ) 、TPD、及 CBP 〇 4 1 5 ·如申請專利範圍第9或1 〇項之電子裝置 # 受體是選自下列各項所組成之族群的材料:A 1 C 1 3, 、AsF6及鹵素。 1 6 .如申請專利範圍第9或1 〇項之電子裝置 施體是選自下列各項所組成之族群的材料:K、Cs 金屬。 的電 Μ勺材 結合 ,其中 * AlBr3 ,其中 及驗土
-8 - 1270225 747123-1 第94142349號專利申請案中文圖式替換頁 民國95年7月31日修正 辨、7月日錄·(¾正替換頁 第1圖
<1270225 1 > 205
第2圖A wmfm. 203b k* 204 I 爾腿设纖燃徽纖魅 203a θ" 第2圖Β r
i 205 203b ^—21—I 203a
3㊀J㊉ 1㊀ J㊉ :1270225 第94142349號專利申請案中文說明書替換頁 ^iiiiminw | irmruwin ι τ - -·· _1_瞒_鼴 _ ν.·.*«"ΐιι··^·*(·υι ι細_.·ι__丨ι»ιι_ ·ι·_·«· 民國95年7月31日修正 、 序 I Π 另 七、指定代表圖 (一) 、本案指定代表圖為:第(1)圖 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明:
10 1 陽 極 102 陰 極 1 03 功 能 有 機 薄膜層 104 導 電 薄 膜 層 105 有 機 結 構 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:
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