JPH1115408A

JPH1115408A - 表示装置及びその駆動方法

Info

Publication number: JPH1115408A
Application number: JP9180590A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Yamada; 裕康山田; Masaharu Shiotani; 雅治塩谷; Tomoyuki Shirasaki; 友之白嵜
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1997-06-20
Filing date: 1997-06-20
Publication date: 1999-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】明るい高画質の画像を表示する表示装置及び
その駆動方法を提供する。【解決手段】行電極１１に印加する電圧を１／２Ｖｔ
（Ｖ）とし、選択電極１５に印加する電圧を０（Ｖ）と
する。両電極間の電圧により両電極間の有機ＥＬ層１４
が発光し、発光した光が光導波層１１ｂに導かれる。光
導波層１１ｂに導かれた光によって光導電層１３が低抵
抗化する。このとき、列電極１６に印加された電圧が１
／２Ｖｔ（Ｖ）であると交点部分の画素は発光しない
が、０（Ｖ）であると発光する。次に、行電極１１及び
行電極兼導光板１２に印加する電圧と選択電極１５に印
加する電圧のいずれもＶｔ（Ｖ）とすると、発光してい
た画素については光導電層１３が低抵抗化しているの
で、電極間の電圧による発光を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置及びその
駆動方法に関し、特に光導電層を用い、光アドレス方式
により駆動するものに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、応答特性がよく、視野角が広い平
面型発光表示装置として、有機エレクトロルミネッセン
ス（ＥＬ）表示装置が注目されている。マトリクス表示
を行う有機ＥＬ表示装置には、アクティブマトリクス方
式のものと単純マトリクス方式のものとがある。

【０００３】アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示
装置では、例えば、各画素を構成するマトリクス状に配
設された複数の有機ＥＬ素子に、所定期間有機ＥＬ素子
に電圧を印加する駆動用トランジスタが接続され、さら
に駆動用トランジスタに画像信号をメモリさせるための
選択用トランジスタが接続されている。そして、駆動用
トランジスタにメモリされた画像信号に従って有機ＥＬ
素子を駆動し、所望の画像を発光表示する。

【０００４】しかしながら、アクティブマトリクス方式
の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の他にメモリト
ランジスタ及び選択用トランジスタを形成しなければな
らないので、各画素を構成する有機ＥＬ素子の面積（開
口率）が小さくなるという問題がある。

【０００５】これに対し、単純マトリクス方式の有機Ｅ
Ｌ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子６は、例えば、図
１１に示すように、基板６０上にアノード電極６１、有
機ＥＬ層６２及びカソード電極６３が積層されたもので
ある。ここで、アノード電極６１とカソード電極６３と
は直交して形成されており、各アノード電極６１とカソ
ード電極６２との交点で画素が形成される。このため、
単純マトリクス方式の有機ＥＬ素子では、画素の開口率
を大きくすることができる。

【０００６】しかしながら、単純マトリクス方式の有機
ＥＬ表示装置では、各画素でのアノード電極６１−カソ
ード電極６３間に所定の輝度で有機ＥＬ層６２を発光さ
せるための電圧が印加されるのは１フレーム期間中の選
択期間だけであり、１フレーム期間をすぎると発光した
光が瞬時に減衰し、１フレーム期間発光を保持すること
ができないという欠点があった。また、有機ＥＬ層６２
の電圧−輝度特性に起因して、クロストークが発生する
という問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消するためになされたものであり、画素
の発光領域が広い表示装置及びその駆動方法を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、所望の期間発光を
維持して、明るい高画質の画像を表示する表示装置及び
その駆動方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る表示装置は、印加される
電圧に応じて発光する第１の発光層と、前記第１の発光
層の一方の面に配置され、前記第１の発光層が発光した
光に対して透過性を示す第１の電極と、前記第１の発光
層の他方の面に前記第１の電極と対向して配置された第
２の電極と、を備える光アドレス部と、印加される電圧
に応じて発光する第２の発光層と、前記第１の発光層が
発光した光に対して透過性を示し、前記第１の電極に接
続され、前記第１の発光層が発光した光を前記第１の電
極を介して導く第３の電極と、前記第２の発光層の一方
の面と前記第３の電極との間に配置され、前記第１の発
光層が発光し、前記第３の電極が導いた光を吸収してキ
ャリアを発生する光導電層と、前記第２の発光層の他方
の面に配置された第４の電極と、を備える表示部と、を
有することを特徴とする。

【０００９】上記表示装置では、第１の電極と第２の電
極との間に所定の電圧を印加することにより、光アドレ
ス部の第１の発光層が発光する。この光が第１の電極及
び表示部の第３の電極を介して光導電層に入射する。こ
れにより、励起光が照射されないと絶縁状態である光導
電層が励起し、光導電層がその層圧方向で低抵抗化す
る。こうして光導電層が低抵抗となっているときに第３
の電極と第４の電極との間に所定の電圧を印加すると表
示部の第２の発光層が発光する。一方、光アドレス部の
第１の発光層が発光していないと、光導電層は絶縁状態
であるため、表示部にクロストークの発生がない高画質
の画像を表示することができる。また、上記表示装置で
は、ＴＦＴ等のスイッチング素子を表示部の発光領域に
形成しなくてもよいので、画素の発光領域が広いという
効果を奏する。

【００１０】上記表示装置において、前記第１の電極と
前記第３の電極は、連続して形成されているものとする
ことができる。この場合、第１の電極と第３の電極とを
同一工程で形成でき、表示装置の製造コストを低くする
ことができる。

【００１１】なお、前記第１の電極及び前記第３の電極
は、前記第１の発光層が発光した光に対して透過性を示
す部材のみから構成されていても、前記第１の発光層が
発光した光に対して透過性を示す部材と反射性を示す部
材とから構成されていてもよい。また、前記第１の電極
及び前記第３の電極は、導電性の部材と絶縁性の部材と
から構成されていてもよい。このとき、導電性の部材
が、表示部の光導電層に接触しているように配置する。

【００１２】上記表示装置において、前記第１の発光層
と前記第２の発光層とは、連続して形成されているもの
とすることができる。この場合、第１の発光層と第２の
発光層とを同一工程で形成でき、表示装置の製造コスト
を低くすることができる。

【００１３】なお、前記第１の発光層と前記第２の発光
層とは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス層によ
って構成される。

【００１４】また、例えば、前記第１の発光層は、主と
して非可視光（例えば、紫外線）を発光し、前記第２の
発光層は、主として可視光を発光するものとすることが
できる。ここで、「主として」とは、非可視光または可
視光の波長成分の光を主成分として含むことを意味し、
例えば、第２の発光層の発光する光がいくらかの非可視
光を含んでも、光導電層を低抵抗化させるのに十分でな
ければよい。この場合、光導電層は非可視光によって励
起され、１フレーム期間発光層の発光を維持することは
困難であるが、第３の電極と第４の電極との間に印加す
る電圧を制御することによって、多階調の画像を表示す
ることができる。

【００１５】上記目的を達成するため、本発明の第２の
観点に係る表示装置は、印加される電圧に応じて発光す
る第１の発光層と、前記第１の発光層の一方の面に配置
され、前記第１の発光層が発光した光に対して透過性を
示す複数の第１の行電極と、前記第１の発光層の他方の
面に前記第１の電極と対向して配置された選択電極と、
を備える光アドレス部と、印加される電圧に応じて発光
する第２の発光層と、前記第１の発光層が発光した光に
対して透過性を示し、前記第１の行電極に接続され、前
記第１の発光層が発光した光を前記第１の行電極を介し
て導く複数の第２の行電極と、前記第２の発光層の一方
の面と前記複数の第２の行電極との間に配置され、前記
第１の発光層が発光し、前記第２の行電極が導いた光を
吸収してキャリアを発生する光導電層と、前記第２の発
光層の他方の面に前記第２の行電極と交差して配置され
た複数の列電極と、を備える表示部と、前記複数の第１
の行電極と前記複数の選択電極との間に順次所定の電圧
を印加し、対応する前記第１の発光層を順次発光させ、
前記第１の行電極及び前記第２の行電極を介して前記光
導電層に前記第１の発光層が発光した光を照射するアド
レス選択部と、前記アドレス選択部における前記所定の
電圧の印加に応答して、前記複数の第２の行電極と前記
複数の列電極との間に所定の電圧を印加し、前記第２の
発光層を発光または非発光させる表示駆動部と、を有す
ることを特徴とする。

【００１６】上記表示装置では、アドレス選択部によっ
て各行毎に光導電層を低抵抗化できるので、光導電層が
低抵抗状態となっている箇所に対応する画素の第２の発
光層を発光または非発光させるための電圧を印加すれ
ば、発光すべき画素が発光する。一方、その他の行の光
導電層は絶縁状態にあるので、その他の行の第２の発光
層には発光させるための電圧が印加されないので、クロ
ストークのない画像の表示が可能となる。

【００１７】上記表示装置において、前記第１の発光層
と前記第２の発光層とは、例えば、有機エレクトロルミ
ネッセンス層によって構成される。

【００１８】上記表示装置において、前記光導電層は、
前記第２の発光層が発光した光を吸収してキャリアを発
生する性質を有するものとすることができる。この場
合、前記表示駆動部は、前記アドレス選択部における前
記所定の電圧の印加に応答して発光した前記第２の発光
層の発光を実質的に次の光アドレスまでの間維持させる
手段を有し、該発光した光によって対応する光導電層に
キャリアを発生させるものとすることができる。

【００１９】これにより、第２の発光層の発光をほぼ１
フレーム期間維持することができるので、明るい画像を
表示することができる。

【００２０】このとき、例えば、前記表示駆動部は、前
記アドレス選択部における前記所定の電圧の印加の前
に、対応する前記複数の第２の行電極と前記列電極との
間に前記第２の発光層の閾値より低い電圧を印加する手
段を有するものとすることができ、前記第２の発光層の
閾値より低い電圧を印加する前まで前記第２の発光層の
発光を維持させる。

【００２１】また、上記表示装置において、前記第１の
発光層は、主として非可視光（例えば、紫外線）を発光
し、前記第２の発光層は、主として可視光を発光し、前
記光導電層は、前記第１の発光層が発光した光によって
キャリアを発生し、前記第２の発光層が発光した光によ
って実質的にキャリアを発生させない性質を有し、前記
表示駆動部は、前記アドレス選択部における電圧の印加
に対応した前記複数の第２の行電極と前記複数の列電極
との間に外部から供給された画像データに対応する画像
データを印加する手段を有するものとすることができ
る。

【００２２】これにより、３階調以上の多階調の画像を
表示することができる。なお、光導電層が実質的にキャ
リアを発生させない性質とは、光導電層をその層厚方向
で十分に低抵抗化することができない性質をいう。

【００２３】上記目的を達成するため、本発明の第３の
観点に係る表示装置の駆動方法は、表示装置の駆動方法
であって、前記表示装置は、印加される電圧に応じて発
光する第１の発光層と、前記第１の発光層の一方の面に
配置され、前記第１の発光層が発光した光に対して透過
性を示す複数の第１の行電極と、前記第１の発光層の他
方の面に前記第１の電極と対向して配置された選択電極
と、を備える光アドレス部と、印加される電圧に応じて
発光する第２の発光層と、前記第１の発光層が発光した
光に対して透過性を示し、前記第１の行電極に接続さ
れ、前記第１の発光層が発光した光を前記第１の行電極
を介して導く第２の行電極と、前記第２の発光層の一方
の面と前記第２の行電極との間に配置され、前記第１の
発光層が発光し、前記第２の行電極が導いた光を吸収し
てキャリアを発生する光導電層と、前記第２の発光層の
他方の面に前記第２の行電極と交差して配置された列電
極と、を備える表示部と、を有し、前記駆動方法は、前
記複数の第１の行電極と前記複数の選択電極との間に順
次所定の電圧を印加し、対応する前記第１の発光層を順
次発光させ、前記第１の行電極及び前記第２の行電極を
介して前記光導電層に前記第１の発光層が発光した光を
照射する光アドレスステップと、このアドレスステップ
における前記所定の電圧の印加に応答して、前記複数の
第２の行電極と前記複数の列電極との間に所定の電圧を
印加し、前記第２の発光層を発光または非発光させる表
示ステップと、を含む、ことを特徴とする。

【００２４】上記表示装置の駆動方法においては、アド
レスステップによって各行毎に光導電層を低抵抗化でき
るので、光導電層が低抵抗状態となっている箇所に対応
する画素の第２の発光層を発光または非発光させるため
の電圧を印加すれば、発光すべき画素が発光する。一
方、その他の行の光導電層は絶縁状態にあるので、その
他の行の第２の発光層には発光させるための電圧が印加
されないので、クロストークのない画像の表示が可能と
なる。

【００２５】上記表示装置の駆動方法では、各行毎に発
光される光アドレスステップに従って、各行毎に対応す
る光導電層が低抵抗化するので、前記表示部の第２の発
光層は、光導電層の抵抗に応じて、発光及び非発光が決
定される。ここで一度第２の発光層が発光すると、その
発光が光導電層に照射されることにより光導電層の低抵
抗状態を保持するようにするのが望ましい。また、表示
ステップによって発光した第２の発光層のある行の画素
において、その行の光アドレスステップ時以外でも、す
なわち、他の行の光アドレスステップ時でも、第２の発
光層を光導電層を介して挟む第２の行電極と列電極との
間には、他の行の同列の画素が発光、非発光であって
も、前記ある行の画素が発光する電圧が印加されている
ことが望ましい。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について説明する。

【００２７】図１は、本発明の実施の形態の有機ＥＬ表
示装置の構成を示すブロック図である。図示するよう
に、この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１と、コン
トローラ２と、選択ドライバ３と、行ドライバ４と、列
ドライバ５とから構成される。

【００２８】有機ＥＬ素子１は、光導電層を用い、光ア
ドレス方式により画像をマトリクス表示する自発光表示
素子であり、選択ドライバ３、行ドライバ４及び列ドラ
イバ５からの信号によって駆動される。図２は、有機Ｅ
Ｌ素子１の構成を示す平面図、図３は、図２のＸ−Ｘ線
断面図である。

【００２９】図示するように、有機ＥＬ素子１は、光ア
ドレス部ＡＤ及び表示部ＤＰに分けられ、透明なガラス
または樹脂からなる基板１０上に積層されて形成された
行電極１１と、光導電層１３と、有機ＥＬ層１４と、選
択電極１５と、列電極１６と、励起光遮蔽膜１７とから
構成される。光アドレス部ＡＤは、行電極１１の一端部
と、有機ＥＬ層１４のうちこの一端部上に形成された部
分と選択電極１５とで構成される。表示部ＤＰは、行電
極１１のうち上記一端部から連続して他端部に至る部分
と、光導電層１３と、有機ＥＬ層１４のうち光導電層１
３上に形成された部分と、列電極１６とで構成される。
この有機ＥＬ素子１において、行電極１１、光導電層１
３、有機ＥＬ層１４、選択電極１５及び列電極１６は、
透明樹脂からなる封止部材（図示せず）によって封止さ
れている。

【００３０】行電極１１は、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎなどの
シート抵抗が低く、光反射性を有する金属または合金か
らなる低抵抗金属層１１ａと、透明のＩＴＯ（Indium T
in Oxide）からなる導電性の光導波層１１ｂの２層構造
によって構成される。行電極１１は、有機ＥＬ素子１の
行方向に並列して複数形成されている。行電極１１に
は、後述するように選択駆動信号Ｙ１〜Ｙｎが印加され
る。行電極１１の光導波層１１ｂは、選択駆動信号Ｙ１
〜Ｙｎ及び後述する選択信号Ｘ１〜Ｘｎによって行電極
１１と選択電極１５との間の有機ＥＬ層１４で発した光
を導く。また、行電極１１は、有機ＥＬ素子１の光アド
レス部ＡＤ及び表示部ＤＰのアノード電極となる。

【００３１】光導電層１３は、ＣｄＳ、増感剤であり、
化１に示すエオシン（eosine）を含むＺｎＯなどの可視
光線（波長：約４００ｎｍ〜８００ｎｍ）に分光感度特
性を有する光導電物質によって構成され、行電極１１と
直交し、それぞれ並列して複数形成されている。光導電
層１３は、可視光線（以下、単に「光」という）を吸収
することによって、光が照射された箇所の内部にキャリ
ア、すなわち正孔と電子が生成され、光導電性を生じて
その層厚方向で低抵抗化する。光導電層１３の光を吸収
していない箇所は、抵抗値が高く、その層厚方向で絶縁
状態になっている。

【化１】

【００３２】光導電層１３は、図４に示すような電気的
特性を示す。図中一点鎖線、波線、実線は、それぞれ光
導電層を励起する波長域のアドレス光の大きさを示すも
のであり、それぞれ１ｍＷ／ｃｍ²、２ｍＷ／ｃｍ²、３
ｍＷ／ｃｍ²の場合を示す。光導電層１３は、図示する
ように、印加電圧が１（Ｖ）、２（Ｖ）のいずれの場合
にも、層内を流れる電流値に大きな差が生じないように
設定されている。

【００３３】有機ＥＬ層１４は、基板１０側に形成され
た正孔輸送層１４ａと基板１０の反対側に形成された電
子輸送性発光層１４ｂとから構成される。正孔輸送層１
４ａは、化２に示すα−ＮＰＤからなる。

【化２】電子輸送性発光層１４ｂは、化３に示すＢｅｂｑ２から
なる。

【化３】

【００３４】有機ＥＬ層１４は、電極間に電圧を印加
し、電極間を電流が流れて正孔と電子とが再結合するこ
とによって励起されたエネルギーを電子輸送性発光層１
４ｂが吸収することによって発光する。なお、この有機
ＥＬ層１４は、電子輸送性発光層１４ｂとしてＢｅｂｑ
２を用いていることにより、緑色の光を発するものであ
る。

【００３５】選択電極１５は、Ｍｇ（マグネシウム）と
Ｂｅｂｑ２とが蒸着速度２０：１の割合で共蒸着された
電子注入層１５ａと、その上に形成された透明のＩＴＯ
層１５ｂとによって構成され、光アドレス部ＡＤのカソ
ード電極として機能する。選択電極１５は、行電極１１
の一端部に対向して設けられている。選択電極１５に
は、後述する選択ドライバ３から出力される選択信号Ｘ
１〜Ｘｎが印加される。

【００３６】列電極１６は、ＭｇとＢｅｂｑ２とが蒸着
速度２０：１の割合で共蒸着された電子注入層１６ａ
と、その上に形成された透明のＩＴＯ層１６ｂとによっ
て構成され、表示部ＤＰのカソード電極として機能す
る。電子注入層１６ａは、１ｎｍ〜５ｎｍの層厚で形成
され、ＩＴＯ層１６ｂは１０ｎｍ〜１００ｎｍの層厚で
形成されており、列電極１６は、可視光に対して透過性
を示す。列電極１６には、後述するように列ドライバ５
から出力された画像信号Ｚ１〜Ｚｍが印加される。列電
極１６は、それぞれ光導電層１３上の有機ＥＬ層１４を
介した位置に形成されている。行電極１１及び行電極兼
導光板１２と列電極１６とのｍ×ｎ個（図２では、５×
５個）のマトリクス状に形成された交点（画素）の有機
ＥＬ層１４が行電極１１及び列電極１６との間に印加さ
れる電圧に応じた輝度で発光する。なお、この実施の形
態中、有機ＥＬ素子１の画素の図２における横方向を
行、縦方向を列と呼ぶ。

【００３７】励起光遮蔽膜１７は、外光のうち光導電層
が厚さ方向に導電性を示す程度の波長域の光の成分をあ
る程度遮光し、光導電層１３が外光により導電性を示す
ことを防止する膜である。励起光遮蔽膜１７の外光が入
射する側の面は所定の表面処理が施されており、入射し
た外光を乱反射させて有機ＥＬ層１４で発した光が視認
しにくくなるのを防ぐものである。

【００３８】なお、有機ＥＬ素子１において、光導波層
１１ｂの光の屈折率をｎ_a、有機ＥＬ層１４の正孔輸送
層１４ａの光の屈折率をｎ_b、光導電層１３の光の屈折
率をｎ_cとするとき、両者には数１の関係が成り立つこ
とが望ましい。

【数１】ｎ_a≪ｎ_b かつｎ_a≒ｎ_c あるいはｎ_a≫ｎ
_b かつｎ_a≒ｎ_c これにより、図３中の矢印で示すように、有機ＥＬ層１
４のアドレス光のうちほぼ垂直に進行する光は、光導波
層１１ｂとの界面で反射されずに光導電層１１ｂ内を透
過し、光導電層１１ｂ中を進むアドレス光は、光導波層
１１ｂと正孔輸送層１４ａとの界面で多重反射し、光導
波層１１ｂ内全体の光量がほぼ一定となる。そして、光
導波層１１ｂと光導電層１３との界面でアドレス光が透
過され、光導電層１３内において正孔及び電子がその厚
さ方向で発生する。

【００３９】また、表示部ＤＰの有機ＥＬ素子１は、光
導電層１３が光を吸収していないときに図５（Ａ）に示
す電圧−輝度特性を示し、光導電層１３が光を吸収して
いるときに図５（Ｂ）に示す電圧−輝度特性を示す。こ
こで、アノード電極１１からカソード電極１６への正の
電圧を順バイアスとしている。すなわち、光導電層１３
に光が注入され、行電極１１及び行電極兼導光板１２と
列電極１６との間に印加された電圧が１／２Ｖｔ（Ｖ）
以上Ｖｔ（Ｖ）以下（但し、Ｖｔは正の値）であると、
有機ＥＬ素子１の輝度は飽和状態で、有機ＥＬ層１４は
ほぼ同じ輝度の光を発する。一方、光導電層１３に光が
注入されていないときには、有機ＥＬ素子１の閾値電圧
ＶｔｈはＶｔよりも高く、電極間の電圧が０（Ｖ）から
Ｖｔ（Ｖ）間での間のとき、有機ＥＬ層１４は発光しな
い。また、光アドレス部ＡＤにおいては、すなわち光導
電層１３が設けられていない選択電極１５と行電極１１
及び行電極兼導光板１２の間では、印加電圧が０（Ｖ）
では発光せず、１／２Ｖｔ（Ｖ）でアドレス光を発光す
るように設定されている。

【００４０】図１のコントローラ２は、外部から供給さ
れたビデオ信号中の輝度信号に基づいて多階調（この実
施の形態中では、明または暗の２階調）の画像信号ＩＭ
Ｇを抽出し、列ドライバ５に供給する。コントローラ２
は、また、ビデオ信号中の水平同期信号及び垂直同期信
号に基づいて、選択ドライバ３を制御するための選択制
御信号ＳＣＯＮＴ、行ドライバ４を制御するための行制
御信号ＬＣＯＮＴ、列ドライバ５を制御するための列制
御信号ＣＣＯＮＴを生成する。コントローラ２は、生成
した選択制御信号ＳＣＯＮＴ、行制御信号ＬＣＯＮＴ及
び列制御信号ＣＣＯＮＴを画像信号ＩＭＧの出力タイミ
ングに合わせて所定タイミングでそれぞれ選択ドライバ
３、行ドライバ４或いは列ドライバ５に供給する。

【００４１】選択ドライバ３は、コントローラ１から供
給される選択制御信号ＳＣＯＮＴに従って、０（Ｖ）ま
たはＶｔ（Ｖ）の選択信号Ｘ１〜Ｘｎを出力して選択電
極１５に印加する。選択信号Ｘ１〜Ｘｎは、１フレーム
中の選択期間で１行毎に０（Ｖ）となり、非選択期間で
は、Ｖｔ（Ｖ）となる。また、各選択期間において、選
択された行以外の選択信号Ｘ１〜Ｘｎは、Ｖｔ（Ｖ）と
なる。

【００４２】行ドライバ４は、コントローラ１から供給
される行制御信号ＬＣＯＮＴに従って、０、１／２Ｖｔ
またはＶｔ（Ｖ）の選択駆動信号Ｙ１〜Ｙｎを行電極１
１に印加する。選択駆動信号Ｙ１〜Ｙｎは１行毎に選択
期間直前に０（Ｖ）となる。従って、光アドレス部ＡＤ
の選択電極１５と行電極１１との間には逆バイアスがか
かるとともに、表示部ＤＰの行電極１１と列電極１６と
の間には０（Ｖ）または−１／２Ｖｔ（Ｖ）の逆バイア
スがかかるので、表示部ＤＰの有機ＥＬ層１４が前のフ
レーム期間からの発光を維持している場合、それが消失
される。選択駆動信号Ｙ１〜Ｙｎは、０（Ｖ）印加の直
後の選択期間に１／２Ｖｔ（Ｖ）となり、後述する列ド
ライバ５からの画像信号Ｚ１〜Ｚｍに応じて当該行の画
素を発光／非発光させる。

【００４３】列ドライバ５は、コントローラ１から供給
される列制御信号ＣＣＯＮＴに従って、コントローラ１
から供給された画像信号ＩＭＧを順次取り込む。列ドラ
イバ５は、１ライン分の画像信号ＩＭＧを取り込むと、
コントローラ１から供給される列制御信号ＣＣＯＮＴに
従って取り込んだ１ライン分の画像信号ＩＭＧを０
（Ｖ）または１／２Ｖｔ（Ｖ）にレベル変換した画像信
号Ｚ１〜Ｚｍを出力して列電極１６に印加する。後述す
る有機ＥＬ素子１の電圧−輝度特性から、列電極１６に
印加する画像信号Ｚ１〜Ｚｍのレベルは、発光時が０
（Ｖ）、非発光時が１／２Ｖｔ（Ｖ）となる。

【００４４】以下、この実施の形態の有機ＥＬ表示装置
における有機ＥＬ素子１の駆動方法について説明する。
この実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、インターレース
走査を行わず、１フレームを１フィールドとして有機Ｅ
Ｌ素子１を駆動するものとする。

【００４５】図６は、この実施の形態の有機ＥＬ表示装
置の動作を示すタイミングチャートである。１フレーム
期間が開始する前の期間ｔ₀において、選択ドライバ３
は、コントローラ１から供給される選択制御信号ＳＣＯ
ＮＴに従って第１行目の選択電極１５に印加する選択信
号Ｘ１をＶｔ（Ｖ）とする。一方、行ドライバ４は、コ
ントローラ１から供給される行制御信号ＬＣＯＮＴに従
って第１行目の行電極１１に印加する選択駆動信号Ｙ１
を０（Ｖ）とする。

【００４６】この期間はその前の行（ここでは第ｎ行）
の選択期間であるので、第ｎ行の同列の画素が発光であ
れば列電極１６に０（Ｖ）、非発光であれば１／２Ｖｔ
（Ｖ）が印加されている。これにより、光アドレス部Ａ
Ｄの第１行目の選択電極１５と行電極１１との間には逆
バイアスがかかるとともに、表示部ＤＰの第１行目の行
電極１１と列電極１６との間には、第ｎ行の同列の画素
が発光であれば０（Ｖ）、非発光であれば逆バイアス−
１／２Ｖｔ（Ｖ）が印加される。これにより、第１行の
画素が前のフレームにおける発光を維持しているときは
その発光を消失し、前のフレームにおいて非発光状態で
あるときはそのまま非発光状態を維持する。

【００４７】コントローラ１は、期間ｔ₀、すなわち１
フレーム期間開始直前において、外部から供給されたビ
デオ信号から２階調の画像信号ＩＭＧを抽出して、列ド
ライバ５に供給する。列ドライバ５は、コントローラ１
から供給された列制御信号ＣＣＯＮＴに従って、画像信
号ＩＭＧを順次取り込んでいき、期間ｔ₀の終了までに
１行目の画像信号ＩＭＧの１行分を取り込む。

【００４８】次に、第１行の選択期間ｔ₁において、選
択ドライバ３は、コントローラ１から供給される選択制
御信号ＳＣＯＮＴに従って１行目の選択電極１５に印加
する選択信号Ｘ１を０（Ｖ）とする。一方、行ドライバ
４は、コントローラ１から供給される行選択信号ＬＣＯ
ＮＴに従って１行目の行電極１１に印加する選択駆動信
号Ｙ１を１／２Ｖｔ（Ｖ）とする。これにより、選択電
極１５と行電極１１との間の有機ＥＬ層１４に順バイア
ス電圧がかかり、選択電極１５と行電極１１との間の光
アドレス部ＡＤの有機ＥＬ層１４が発光する。このアド
レス光は、第１行目の光導波層１１ｂに導かれ、第１行
目の画素に対応する光導電層１３が低抵抗化する。

【００４９】この期間ｔ₁において、列ドライバ５は、
コントローラ１から供給される列制御信号ＣＣＯＮＴに
従って、期間ｔ₀で取り込んだ１行目の画像信号ＩＭＧ
に対応する画像信号Ｚ１〜Ｚｍを列電極１６にそれぞれ
印加する。列電極１６に印加する画像信号Ｚ１〜Ｚｍ
は、０（Ｖ）または１／２Ｖｔ（Ｖ）である。ここで、
図７（Ａ）に示すように、列電極１６に印加された画像
信号Ｚ１〜Ｚｍが０（Ｖ）のときは、表示部ＤＰの第１
行目に対応する画素の列電極１６と行電極１１との間に
順バイアス電圧がかかり、第１行目の画素に対応する光
導電層１３が低抵抗化しているので、対応する画素の有
機ＥＬ層１４が発光する。一方、列電極１６に印加され
た画像信号Ｚ１〜Ｚｍが１／２Ｖｔ（Ｖ）のときは、１
行目の対応する画素の列電極１６と行電極１１との間の
電圧は、０（Ｖ）であるため、対応する画素の有機ＥＬ
層１４は発光しない。

【００５０】また、期間ｔ₁において、コントローラ１
は、後述するように第２行目の画素の有機ＥＬ層１４の
発光を消去するのと並行して、外部から供給されたビデ
オ信号から２階調の画像信号ＩＭＧを抽出して、列ドラ
イバ５に供給する。列ドライバ５は、コントローラ１か
ら供給された列制御信号ＣＣＯＮＴに従って、画像信号
ＩＭＧを順次取り込んでいき、期間ｔ₁の終了までに２
行目の画像信号ＩＭＧの１行分を取り込む。

【００５１】次に、１ライン期間が終了した期間ｔ₂に
おいて、選択ドライバ３は、コントローラ１から供給さ
れる選択制御信号ＳＣＯＮＴに従って第２行目の選択電
極１５に印加する選択信号Ｘ２を０（Ｖ）とする。一
方、行ドライバ４は、コントローラ１から供給される行
選択信号ＬＣＯＮＴに従って第２行目の行電極１１に印
加する選択駆動信号Ｙ２を１／２Ｖｔ（Ｖ）とする。こ
れにより、選択電極１５と行電極１１との間の有機ＥＬ
層１４に順バイアス電圧がかかり、選択電極１５と行電
極１１との間の有機ＥＬ層１４がアドレス光を発光す
る。このアドレス光は、第１行目の光導波層１１ｂに導
かれ、第１行目の画素に対応する光導電層１３が低抵抗
化する。

【００５２】この期間ｔ₂において、列ドライバ５は、
コントローラ１から供給される列制御信号ＣＣＯＮＴに
従って、期間ｔ₁で取り込んだ第２行目の画像信号ＩＭ
Ｇに対応する画像信号Ｚ１〜Ｚｍを列電極１６にそれぞ
れ印加する。ここで、列電極１６に印加する画像信号Ｚ
１〜Ｚｍは、０（Ｖ）または１／２Ｖｔ（Ｖ）である。
ここで、図７（Ａ）に示すように、列電極１６に印加さ
れた画像信号Ｚ１〜Ｚｍが０（Ｖ）のときは、第２行目
の対応する画素の列電極１６と行電極１１との間に順バ
イアス電圧がかかり、第１行目の画素に対応する光導電
層１３が低抵抗化しているので、対応する画素の有機Ｅ
Ｌ層１４が発光する。一方、列電極１６に印加された画
像信号Ｚ１〜Ｚｍが１／２Ｖｔ（Ｖ）のときは、１行目
の対応する画素の列電極１６と行電極１１との間の電圧
は、０（Ｖ）であるため、対応する画素の有機ＥＬ層１
４は発光しない。

【００５３】この期間ｔ₂において、また、選択ドライ
バ３は、コントローラ１から供給される選択制御信号Ｓ
ＣＯＮＴに従って第１行目の選択電極１５に印加する選
択信号Ｘ１をＶｔ（Ｖ）とする。一方、行ドライバ４
は、コントローラ１から供給される行選択信号ＬＣＯＮ
Ｔに従って第１行目の行電極１１に印加する選択駆動信
号Ｙ１をＶｔ（Ｖ）とする。これにより、選択電極１５
と行電極１１との間の電圧が０（Ｖ）となり、アドレス
部ＡＤの選択電極１５と行電極１１との間の有機ＥＬ層
１４は発光しなくなる。

【００５４】この期間ｔ₂において、図７（Ｂ）に示す
ように、列電極１６にはそれぞれ第２行目の各画素の発
光、非発光に応じて、０（Ｖ）または１／２Ｖｔ（Ｖ）
のいずれかの画像信号Ｚ１〜Ｚｍが印加されている。こ
れに対し、第１行目の行電極１１には、Ｖｔ（Ｖ）の選
択駆動信号Ｙ１が印加されているため、第１行目の画素
に対応する有機ＥＬ層１４には、１／２Ｖｔ（Ｖ）また
はＶｔ（Ｖ）のいずれか順バイアス電圧がかけられてい
る。

【００５５】ここで、第１行目の同列の画素が発光の場
合、その画素の表示光が表示側（励起光遮蔽膜１７の
側）に照射すると同時に、その反対側にある光導電層１
３にも帰還光として照射される。従って、対応する光導
電層１３を励起して再び電子及び正孔を再発生させ、光
導電層１３は低抵抗に維持される。このため、表示部Ｄ
Ｐの行電極１１及び列電極１６に印加された順バイアス
電圧Ｖｔ（Ｖ）に基づいて、第１行の同列の画素の発光
状態が維持される。この状態は、次の選択期間直前の期
間ｔ₀まで続く。

【００５６】そして、第１行目の同列の画素が非発光の
場合、表示光及び帰還光は発生しないので、第２行目の
選択期間ｔ₂に第１行の同列の画素の行電極に順バイア
ス電圧１／２Ｖｔ（Ｖ）が印加されていても、第１行目
の選択期間から続いて光導電層１３は高抵抗状態のまま
であるので、第１行目の同列の画素は非発光状態が続
く。これは、第ｘ行目の選択期間において、第ｘ行目以
外のすべての行について上記第１行目と同様に動作す
る。

【００５７】以下、３行目以降についても、それぞれの
期間で同様の動作を続けていき、画像信号Ｚ１〜Ｚｍに
従って各行の画素の有機ＥＬ層１４を順次発光させてい
く。

【００５８】１フレーム期間の最後の期間ｔ_nにおい
て、第ｎ行の画素の有機ＥＬ層１４の発光または非発光
を選択させるのと並行して、図７（Ｃ）に示すように、
選択ドライバ３は、コントローラ１から供給される選択
制御信号ＳＣＯＮＴに従って１行目の選択電極１５に印
加する選択信号Ｘ１をＶｔ（Ｖ）のまま保持する。一
方、行ド第ライバ４は、コントローラ１から供給される
行選択信号ＬＣＯＮＴに従って第１行目の行電極１１に
印加する選択駆動信号Ｙ１を０（Ｖ）とする。これによ
り、１行目の画素に対応する有機ＥＬ層１４に０（Ｖ）
の電圧または−１／２Ｖｔ（Ｖ）の逆バイアス電圧が印
加される。これにより、第１行目の画素に対応する有機
ＥＬ層１４は、第１行の選択期間から同フレーム期間の
期間ｔ_n-1までの期間で発光を保持していたか発光して
いなかったかに関わらず、発光が停止される。また、２
行目以降の画素に対応する有機ＥＬ層１４も同様に選択
発光させる前の期間で発光が停止される。

【００５９】なお、以上の有機ＥＬ素子１の駆動動作に
おいて、各画素の有機ＥＬ層１４が発する光の輝度は実
際には経時的に若干減衰し、いずれかのタイミングで光
導電層１３が高抵抗化するが、１フレーム期間は普通１
／３０秒と短く、また帰還光による光導電層１３の最励
起のため、各画素の有機ＥＬ層１４が発する光の輝度の
減衰は無視することができる。

【００６０】以上説明したように、この実施の形態の有
機ＥＬ表示装置によれば、アドレス光により所定行の光
導電層１３のみを低抵抗化し、表示部ＤＰの有機ＥＬ層
１４を飽和領域で発光させ、非発光時には光導電層が高
抵抗化し、有機ＥＬ層１４に閾値電圧以上の電圧が印加
されないようにしているので、行電極１１と列電極１６
との間の印加電圧に関わらずクロストークが発生せず、
高画質の画像を表示することができる。

【００６１】また、この実施の形態の有機ＥＬ表示装置
では、各画素における有機ＥＬ層１４の発光によって光
導電層１３を低抵抗に保つことができるので、ほぼ１フ
レーム期間有機ＥＬ層１４を発光させ続けることができ
る。このため、明るい表示が可能となる。

【００６２】また、この実施の形態の有機ＥＬ表示装置
で用いている有機ＥＬ素子１は、アクティブマトリクス
方式の有機ＥＬ素子のように駆動用トランジスタを基板
上に形成する必要がないので、画素の面積（開口率）を
大きくすることができる。このため、明るい表示が可能
となる。

【００６３】さらに、この実施の形態の有機ＥＬ素子１
では、アドレス部ＡＤ及び表示部ＤＰの構成部材におい
て、表示部ＤＰにのみ形成される光導電層１３を除い
て、アノード電極としての行電極１１、有機ＥＬ層１
４、並びにカソード電極としての選択電極１５及び列電
極１６を同一工程で一括して形成することができる。こ
のため、光アドレスを行うために、さらに別の有機ＥＬ
表示素子などの表示素子を形成する必要がないので、製
造工程が単純になり、製造コストを抑えることができ
る。

【００６４】上記の実施の形態では、基板１０の上に行
電極１１、光導電層１３、有機ＥＬ層１４、選択電極１
５及び列電極が順に積層されて形成され、有機ＥＬ層１
４が発した光は、基板１０の反対側に放射されていた。
しかしながら、基板の上に積層する順序を逆にして、有
機ＥＬ層が発した光を基板側に放射するようにしてもよ
い。この場合は、基板にはガラスなどからなる透明基板
を使用する必要がある。

【００６５】上記の実施の形態では、光導波路としてと
して行電極も兼ねるＩＴＯによって構成された光導波層
１１ｂを使用していた。しかしながら、光導波層１１ｂ
がが行電極を兼ねるものでなくてもよい。この場合は、
図８に示すように、アドレス光に対して透過性を示し、
絶縁性の材料からなる光導波路２１の上にアドレス光に
対して透過性を示す透明電極２２を形成すればよい。こ
こで、光導波路２１の屈折率と透明電極２２の屈折率と
が近似していて、基板１０の屈折率と透明電極２２の屈
折率とに反射しやすい程度に差がある方が望ましい。ま
た、光反射性を有する金属または合金からなる低抵抗金
属層１１ａを用いず、光導波層１１ｂのみで行電極１１
を構成してもよい。この場合、光導波路１１ｂの屈折率
と基板１０との間に反射しやすい程度に差がある方が望
ましい。

【００６６】上記の実施の形態では、選択電極１５は、
Ｍｇと有機ＥＬ層１４の電子輸送性発光層１４ｂと同一
材料であるＢｅｂｑ２とが２０：１の割合で共蒸着され
た電子注入層１５ａと、その上に形成された透明のＩＴ
Ｏ層１５ｂによって構成されていた。このため、電子輸
送性発光層１４ｂを蒸着により成膜後、有機ＥＬ層１４
の電子輸送性発光層１４ｂの蒸着源を替えることなく連
続して、同材料とＭｇ等の教条着荷より電子注入層１５
ａを形成することができるので、生産性が高い。また、
電子注入層１５ａは、有機ＥＬ層１４と接触する部位の
材料と同一材料を含まず、異なる材料のみで構成しても
よい。また、選択電極１５がアドレス光に対して透過性
を示せば、選択電極１５上または間接的に選択電極１５
の上方に、アドレス光に対して遮光性の材料を設け、ア
ドレス光の光導波層１１ｂへの照射効率の向上及び視認
側での光アドレス部ＡＤのアドレス光が見えなくて済む
という効果をもたらす。

【００６７】上記の実施の形態では、有機ＥＬ層１４
は、基板１０のほぼ全面に形成されていた。しかしなが
ら、有機ＥＬ層は、行電極１１と選択電極１５との交差
部分並びに行電極１１と列電極１６との交差部分に形成
されていれば、全面に形成されていなくてもよい。この
ように基板１０上のほぼ全面に有機ＥＬ層を形成しない
場合は、有機ＥＬ層の形成工程において所定のメタルマ
スクを用いるか、フォトリソグラフィーによりパターン
ニングすればよい。

【００６８】上記の実施の形態では、光導電層１３は、
列電極１６に対応して列毎に形成されていた。しかしな
がら、光導電層は、行電極１１と列電極１６との交点部
分（画素）のみに対応してそれぞれ形成してもよい。ま
た、光導電層は、光アドレス部ＡＤの行電極１１と選択
電極１５との間に形成されないようにすれば、表示部Ｄ
Ｐ前面の光導波層１１ｂの上に一面で形成してもよい。

【００６９】上記の実施の形態では、有機ＥＬ素子１に
入射する外光を遮断し、有機ＥＬ層１４で発した光を外
部に透過させるために表面処理を施した励起光遮蔽膜１
７を用いていた。しかしながら、有機ＥＬ素子１に入射
する外光の遮断と有機ＥＬ層１４で発した光の透過が可
能であれば、他のタイプのフィルターなども使用するこ
とができる。また、このような手段は、有機ＥＬ層１４
と列電極１６との間に設けてもよい。

【００７０】上記実施の形態の有機ＥＬ素子１は、図２
に示すように、横方向に行電極１１を並列して設け、縦
方向に列電極１６を並列して設けていた。しかしなが
ら、縦方向に行電極、横方向に列電極を設ける構成にす
ることもできる。また、特殊用途の表示パネルに適用す
る場合には、行電極及び列電極がそれぞれ斜め方向で交
わる形にもすることができる。

【００７１】上記の実施の形態では、選択信号Ｘ１〜Ｘ
ｎ、選択駆動信号Ｙ１〜Ｙｎ、画像信号Ｚ１〜Ｚｍの値
は、０、１／２Ｖｔ、Ｖｔ（Ｖ）のいずれかであった。
しかしながら、これらの電圧の値は、各画素の有機ＥＬ
層１４を非発光または飽和輝度で発光させることができ
るのであれば、いずれの値としてもよい。

【００７２】上記の実施の形態では、各行毎に選択駆動
信号Ｙ１〜Ｙｎをほぼ１フレーム期間Ｖｔ（Ｖ）として
おり、帰還光画像信号Ｚ１〜Ｚｍに応じて有機ＥＬ層１
４をほぼ１フレーム期間発光させていた。しかしなが
ら、有機ＥＬ層１４の発光期間は任意に制御することが
できる。

【００７３】上記の実施の形態の有機ＥＬ表示装置で
は、インターレース走査を行わず、１フレームを１フィ
ールドで構成していた。しかしながら、１フレームが複
数フィールドで構成される場合にも本発明を適用するこ
とができる。この場合、有機ＥＬ層の発光を１フィール
ド毎に強制消去することも１フレーム毎に強制消去する
こともできる。

【００７４】上記の実施の形態では、光導電層１３を励
起させるアドレス光として可視光を適用したが、紫外線
などの非可視光を適用してもよい。この場合、例えば、
光アドレス部ＡＤの有機ＥＬ層１４を紫外光（波長４０
０ｎｍ未満）を主として発光する発光層とし、表示部Ｄ
Ｐの有機ＥＬ層１４を光アドレス部１４に用いたＰＶＣ
ｚとドーパント材料との共蒸着によって主として可視光
を発光する発光層とする。

【００７５】また、光導電層１３を、ＺｎＯのように紫
外光の波長域のみで実質的に厚さ方向に導電性を示す材
料を適用する。このとき、可視光である表示光により光
導電層１３を励起しないので、表示光が選択しない画素
をアドレスすることはない。また、このとき、励起光遮
蔽膜１７が紫外光を遮光し、可視光を透過するような材
料（例えば、ＵＶフィルタ）に設定すれば、効率よく表
示光を照射することができ、高いコントラスト比を得る
ことができる。

【００７６】ここで、光導電層１３に用いられているＺ
ｎＯは、４００ｎｍ以上で光起電力がない。このため、
表示部ＤＰの有機ＥＬ層１４が可視光のみで紫外光の波
長域を含んでいなければ光導電層１３に帰還光が発生し
ない。１フレーム期間発光を維持することは困難である
が、表示部ＤＰの有機ＥＬ層１４に閾値電圧Ｖｔｈ’か
ら飽和電圧Ｖｔ’までの電圧を制御して印加することに
よって、３階調以上の多階調の画像を表示することがで
きる。

【００７７】この場合、図１０に示すように、列ドライ
バ５からの画像信号Ｚ１〜Ｚｍを−Ｖｔｈ’（Ｖ）から
−Ｖｔｈ’−Ｖｔ’（Ｖ）までの間で変化させることに
よって、この画像信号Ｚ１〜Ｚｍに応じた輝度で各画素
を発光させることができ、多階調制御を行うことができ
る。すなわち、図１０（Ａ）に示すように、第１行目が
選択されて行電極１１にアドレス光が導光しており、第
１行目に対応する光導電層１３が低抵抗化しているとき
は、列ドライバ５からの画像信号Ｚ１〜Ｚｍの電圧に対
応する輝度で第１行目に対応する画素の有機ＥＬ層１４
が発光する（図中、☆の数は輝度を表す）。このとき、
第１行目以外の他の行に対応する光導電層１３が実質的
に絶縁状態であるため、第１行目以外の他の行に対応す
る画素の有機ＥＬ層１４は発光しない。

【００７８】次に、図１０（Ｂ）に示すように、第２行
目が選択されて行電極１１にアドレス光が導光してお
り、第２行目に対応する光導電層１３が低抵抗化してい
るときは、列ドライバ５からの画像信号Ｚ１〜Ｚｍの電
圧に対応する輝度で第２行目に対応する画素の有機ＥＬ
層１４が発光する（図中、☆の数は輝度を表す）。この
とき、第２行目以外の他の行に対応する光導電層１３が
実質的に絶縁状態であるため、第２行目以外の他の行に
対応する画素の有機ＥＬ層１４は発光しない。なお、こ
のとき、１フレーム期間中の各画素の見かけ上の発光輝
度は、ほぼフレーム期間全体でなく選択期間の瞬間発光
輝度で決定される。

【００７９】なお、このように紫外光によって光アドレ
スする場合、階調制御することができるため、表示部Ｄ
Ｐの有機ＥＬ層１４にドーパントする材料をそれぞれ赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を発光するように画
素毎に所定の順序で替えるか、または所定の波長域の光
を吸収し、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色を発光する光変換層を用い
てもよい。また、有機ＥＬ層１４をＲ、Ｇ、Ｂのすべて
の波長成分の光を含む白色光を発するものとし、Ｒ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルタを用いてもよい。

【００８０】上記の実施の形態では、本発明を有機ＥＬ
表示素子（装置）に適用した場合について説明した。し
かしながら、本発明は無機ＥＬ表示素子（装置）など、
光導電層を用い、光アドレス方式によってマトリクス表
示を行う他の自発光表示素子（装置）にも適用すること
ができる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素の発光領域が広く、明るい画像を表示することがで
きる。

【００８２】また、光導電層を第２の発光層からの帰還
光に従って励起状態としておくことによって所望の期間
発光を維持することができ、ほぼ１フレーム期間発光を
維持することもできる。さらには、クロストークの発生
も抑えることができる。このため、明るい高画質の画像
を表示することが可能となる。

【００８３】また、光導電層を紫外線などの非可視光に
よって励起する場合には、行電極と第４の電極または列
電極との間の各画素の第２の発光層に印加する電圧を制
御することによって、３階調以上の多階調の画像を表示
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の有機ＥＬ表示装置の構成
を示すブロック図である。

【図２】図１の有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ
素子の構成を示す平面図である。

【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図である。

【図４】光導電層にアドレス光を照射したときの電圧−
電流特性を示す図である。

【図５】図２の有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性を示す図
であり、（Ａ）は光導電層が光を吸収していないとき
の、（Ｂ）は光導電層が光を吸収しているときの、特性
をそれぞれ示す。

【図６】本発明の実施の形態の有機ＥＬ表示装置におけ
る動作を示すタイミングチャートである。

【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施の形態の有機
ＥＬ表示装置における動作を模式的に示す図である。

【図８】図１の有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ
素子の変形例の構成を示す断面図である。

【図９】本発明の実施の形態の変形例の有機ＥＬ表示装
置に用いられる光アドレス部の有機ＥＬ層の光学特性を
示す図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態の変
形例の有機ＥＬ表示装置における動作を模式的に示す図
である。

【図１１】従来例の単純マトリクス方式の有機ＥＬ素子
の構成を示す斜視図である。

【符号の説明】

１・・・有機ＥＬ素子、２・・・コントローラ、３・・・選択ド
ライバ、４・・・行ドライバ、５・・・列ドライバ、１０・・・
基板、１１・・・行電極、１３・・・光導電層、１４・・・有機
ＥＬ層、１４ａ・・・正孔輸送層、１４ｂ・・・電子輸送性発
光層、１５・・・選択電極、１６・・・列電極、１７・・・励起
光遮蔽膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】印加される電圧に応じて発光する第１の発
光層と、前記第１の発光層の一方の面に配置され、前記
第１の発光層が発光した光に対して透過性を示す第１の
電極と、前記第１の発光層の他方の面に前記第１の電極
と対向して配置された第２の電極と、を備える光アドレ
ス部と、印加される電圧に応じて発光する第２の発光層と、前記
第１の発光層が発光した光に対して透過性を示し、前記
第１の電極に接続され、前記第１の発光層が発光した光
を前記第１の電極を介して導く第３の電極と、前記第２
の発光層の一方の面と前記第３の電極との間に配置さ
れ、前記第１の発光層が発光し、前記第３の電極が導い
た光を吸収してキャリアを発生する光導電層と、前記第
２の発光層の他方の面に配置された第４の電極と、を備
える表示部と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記第１の電極と前記第３の電極は、連続
して形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】前記第１の発光層と前記第２の発光層と
は、連続して形成されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】前記第１の発光層と前記第２の発光層と
は、有機エレクトロルミネッセンス層である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の表示装置。
【請求項５】前記第１の発光層は、主として非可視光を
発光し、前記第２の発光層は、主として可視光を発光する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の表示装置。
【請求項６】印加される電圧に応じて発光する第１の発
光層と、前記第１の発光層の一方の面に配置され、前記
第１の発光層が発光した光に対して透過性を示す複数の
第１の行電極と、前記第１の発光層の他方の面に前記第
１の電極と対向して配置された選択電極と、を備える光
アドレス部と、印加される電圧に応じて発光する第２の発光層と、前記
第１の発光層が発光した光に対して透過性を示し、前記
第１の行電極に接続され、前記第１の発光層が発光した
光を前記第１の行電極を介して導く複数の第２の行電極
と、前記第２の発光層の一方の面と前記複数の第２の行
電極との間に配置され、前記第１の発光層が発光し、前
記第２の行電極が導いた光を吸収してキャリアを発生す
る光導電層と、前記第２の発光層の他方の面に前記第２
の行電極と交差して配置された複数の列電極と、を備え
る表示部と、前記複数の第１の行電極と前記複数の選択電極との間に
順次所定の電圧を印加し、対応する前記第１の発光層を
順次発光させ、前記第１の行電極及び前記第２の行電極
を介して前記光導電層に前記第１の発光層が発光した光
を照射するアドレス選択部と、前記アドレス選択部における前記所定の電圧の印加に応
答して、前記複数の第２の行電極と前記複数の列電極と
の間に所定の電圧を印加し、前記第２の発光層を発光ま
たは非発光させる表示駆動部と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】前記第１の発光層と前記第２の発光層と
は、有機エレクトロルミネッセンス層である、ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】前記光導電層は、前記第２の発光層が発光
した光を吸収してキャリアを発生する性質を有し、前記表示駆動部は、前記アドレス選択部における前記所
定の電圧の印加に応答して発光した前記第２の発光層の
発光を実質的に次の光アドレスまでの間維持させる手段
を有し、該発光した光によって対応する光導電層にキャ
リアを発生させる、ことを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項９】前記表示駆動部は、前記アドレス選択部に
おける前記所定の電圧の印加の前に、対応する前記複数
の第２の行電極と前記列電極との間に前記第２の発光層
の閾値より低い電圧を印加する手段を有し、前記第２の
発光層の閾値より低い電圧を印加する前まで前記第２の
発光層の発光を維持させる、ことを特徴とする請求項８
に記載の表示装置。
【請求項１０】前記第１の発光層は、主として非可視光
を発光し、前記第２の発光層は、主として可視光を発光し、前記光導電層は、前記第２の発光層が発光した光によっ
て実質的にキャリアを発生させない性質を有し、前記表示駆動部は、前記アドレス選択部における電圧の
印加に対応した前記複数の第２の行電極と前記複数の列
電極との間に外部から供給された画像データに対応する
画像データを印加する手段を有する、ことを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項１１】表示装置の駆動方法であって、前記表示装置は、印加される電圧に応じて発光する第１の発光層と、前記
第１の発光層の一方の面に配置され、前記第１の発光層
が発光した光に対して透過性を示す複数の第１の行電極
と、前記第１の発光層の他方の面に前記第１の電極と対
向して配置された選択電極と、を備える光アドレス部
と、印加される電圧に応じて発光する第２の発光層と、前記
第１の発光層が発光した光に対して透過性を示し、前記
第１の行電極に接続され、前記第１の発光層が発光した
光を前記第１の行電極を介して導く第２の行電極と、前
記第２の発光層の一方の面と前記第２の行電極との間に
配置され、前記第１の発光層が発光し、前記第２の行電
極が導いた光を吸収してキャリアを発生する光導電層
と、前記第２の発光層の他方の面に前記第２の行電極と
交差して配置された列電極と、を備える表示部と、を有
し、前記駆動方法は、前記複数の第１の行電極と前記複数の選択電極との間に
順次所定の電圧を印加し、対応する前記第１の発光層を
順次発光させ、前記第１の行電極及び前記第２の行電極
を介して前記光導電層に前記第１の発光層が発光した光
を照射する光アドレスステップと、このアドレスステップにおける前記所定の電圧の印加に
応答して、前記複数の第２の行電極と前記複数の列電極
との間に所定の電圧を印加し、前記第２の発光層を発光
または非発光させる表示ステップと、を含む、ことを特
徴とする表示装置の駆動方法。