JPH06122277A - アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物 - Google Patents
アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物Info
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- JPH06122277A JPH06122277A JP4022693A JP4022693A JPH06122277A JP H06122277 A JPH06122277 A JP H06122277A JP 4022693 A JP4022693 A JP 4022693A JP 4022693 A JP4022693 A JP 4022693A JP H06122277 A JPH06122277 A JP H06122277A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性に優れ、長期にわたって高い安定性を
示すアモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機
ポリマー組成物を提供する。 【構成】 分子量をＭｗ、融解エントロピ変化とガラス
転移点から融点までの転移エントロピ変化との総和をΣ
ΔＳtr,m（Ｊ／Ｋ・ｋｍｏｌ）としたとき、ΣΔＳtr,m
（Ｊ／Ｋ・ｋｍｏｌ）／Ｍｗが６０以下である色素分子
を構成要素とする。
示すアモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機
ポリマー組成物を提供する。 【構成】 分子量をＭｗ、融解エントロピ変化とガラス
転移点から融点までの転移エントロピ変化との総和をΣ
ΔＳtr,m（Ｊ／Ｋ・ｋｍｏｌ）としたとき、ΣΔＳtr,m
（Ｊ／Ｋ・ｋｍｏｌ）／Ｍｗが６０以下である色素分子
を構成要素とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種用途に用いられるア
モルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマ
ー組成物に関する。
モルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマ
ー組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機物の超薄膜を用いた各種電子
デバイスの研究が盛んに行われている。その中でも、ア
モルファス薄膜は結晶粒界がないことから、透明性、均
一性、安定性の点で特に重要である。例えば、カールソ
ンプロセスに用いられる有機電子写真感光体には、アモ
ルファスポリマー中に電荷発生剤または電荷輸送剤を均
一に分散または相溶させたアモルファス薄膜が用いられ
る。また、ラングミュア・ブロジェット膜（ＬＢ膜）に
代表される有機物の超薄膜に関しても、ポリマーや色素
からなるアモルファスのＬＢ膜は、脂肪酸からなる結晶
性のＬＢ膜よりも均一であり、絶縁超薄膜としての性質
に優れている（例えば、特開昭６３−１６６２６１号公
報）。さらに、最近では、有機物の蒸着膜を用いたエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子も開発されている（例
えば、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１
９４３９３号公報、特開昭６３−２９５６９５号公
報）。この場合、印加電圧を低くするためには、膜厚が
数１０ｎｍ程度の薄膜が必要である。そして、上部電極
の蒸着プロセスに耐え、電気的短絡がなく、動作安定性
のよい素子を得るためにはアモルファス薄膜が用いられ
る。また、電子や正孔を効率よく輸送できる有機薄膜
は、前述した有機電子写真感光体や有機ＥＬ素子だけで
なく、有機光電池や有機整流素子などにも必要であり、
これらの電子デバイスにおいても安定なアモルファス薄
膜が求められている。さらに、アモルファスポリマー中
に色素分子を含有させたアモルファス有機ポリマー組成
物が、バルク材料として利用されるほかに、薄膜として
も前述した有機電子写真感光体や、感光性レジスト薄
膜、光導波路を利用した光スイッチング素子、光ディス
ク等にも利用されており、種々のコーティング薄膜とし
ても広く用いられている。
デバイスの研究が盛んに行われている。その中でも、ア
モルファス薄膜は結晶粒界がないことから、透明性、均
一性、安定性の点で特に重要である。例えば、カールソ
ンプロセスに用いられる有機電子写真感光体には、アモ
ルファスポリマー中に電荷発生剤または電荷輸送剤を均
一に分散または相溶させたアモルファス薄膜が用いられ
る。また、ラングミュア・ブロジェット膜（ＬＢ膜）に
代表される有機物の超薄膜に関しても、ポリマーや色素
からなるアモルファスのＬＢ膜は、脂肪酸からなる結晶
性のＬＢ膜よりも均一であり、絶縁超薄膜としての性質
に優れている（例えば、特開昭６３−１６６２６１号公
報）。さらに、最近では、有機物の蒸着膜を用いたエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子も開発されている（例
えば、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１
９４３９３号公報、特開昭６３−２９５６９５号公
報）。この場合、印加電圧を低くするためには、膜厚が
数１０ｎｍ程度の薄膜が必要である。そして、上部電極
の蒸着プロセスに耐え、電気的短絡がなく、動作安定性
のよい素子を得るためにはアモルファス薄膜が用いられ
る。また、電子や正孔を効率よく輸送できる有機薄膜
は、前述した有機電子写真感光体や有機ＥＬ素子だけで
なく、有機光電池や有機整流素子などにも必要であり、
これらの電子デバイスにおいても安定なアモルファス薄
膜が求められている。さらに、アモルファスポリマー中
に色素分子を含有させたアモルファス有機ポリマー組成
物が、バルク材料として利用されるほかに、薄膜として
も前述した有機電子写真感光体や、感光性レジスト薄
膜、光導波路を利用した光スイッチング素子、光ディス
ク等にも利用されており、種々のコーティング薄膜とし
ても広く用いられている。
【０００３】しかし、これまでポリマーを用いた薄膜を
除いては、低分子材料で電子デバイス用アモルファス薄
膜として実用化されたものはほとんどなかった。これ
は、低分子材料の多くは低いガラス転移温度（Ｔｇ）を
持ち、そのため耐熱性が悪く、素子駆動時の発熱などに
より結晶化が促進され、劣化が起こりやすいことに大き
な原因があった。また、ポリマーに色素分子を含有させ
た系においても、低いＴｇを持つアモルファス色素分子
を用いると系全体のＴｇが低下し、耐熱性が悪くなる欠
点があった。なお、このような系では、ポリマーに結晶
性の色素分子を混合すればＴｇの低下を防ぐことはでき
るが、均一な分散状態を得ることが困難なため色素濃度
を高くすることができない。また、ポリマーに色素分子
を化学的に結合させれば耐熱性は向上するが、これには
合成上の困難が伴う。
除いては、低分子材料で電子デバイス用アモルファス薄
膜として実用化されたものはほとんどなかった。これ
は、低分子材料の多くは低いガラス転移温度（Ｔｇ）を
持ち、そのため耐熱性が悪く、素子駆動時の発熱などに
より結晶化が促進され、劣化が起こりやすいことに大き
な原因があった。また、ポリマーに色素分子を含有させ
た系においても、低いＴｇを持つアモルファス色素分子
を用いると系全体のＴｇが低下し、耐熱性が悪くなる欠
点があった。なお、このような系では、ポリマーに結晶
性の色素分子を混合すればＴｇの低下を防ぐことはでき
るが、均一な分散状態を得ることが困難なため色素濃度
を高くすることができない。また、ポリマーに色素分子
を化学的に結合させれば耐熱性は向上するが、これには
合成上の困難が伴う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性に優れたアモルファス有機薄膜素子およびアモルファ
ス有機ポリマー組成物を提供することにある。
性に優れたアモルファス有機薄膜素子およびアモルファ
ス有機ポリマー組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のアモルフ
ァス有機薄膜素子は、分子量をＭｗ、融解エントロピ変
化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変化と
の総和をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））としたと
き、ΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））／Ｍｗが６０
以下である色素分子を含有する有機薄膜を備えたことを
特徴とするものである。
ァス有機薄膜素子は、分子量をＭｗ、融解エントロピ変
化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変化と
の総和をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））としたと
き、ΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））／Ｍｗが６０
以下である色素分子を含有する有機薄膜を備えたことを
特徴とするものである。
【０００６】また、本発明のアモルファス有機ポリマー
組成物は、アモルファスポリマー中に、分子量をＭｗ、
融解エントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移
エントロピ変化との総和をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍ
ｏｌ））としたとき、ΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏ
ｌ））／Ｍｗが６０以下である色素分子を含有すること
を特徴とするものである。以下、本発明をさらに詳細に
説明する。
組成物は、アモルファスポリマー中に、分子量をＭｗ、
融解エントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移
エントロピ変化との総和をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍ
ｏｌ））としたとき、ΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏ
ｌ））／Ｍｗが６０以下である色素分子を含有すること
を特徴とするものである。以下、本発明をさらに詳細に
説明する。
【０００７】一般に有機薄膜では、用いられる有機材料
のＴｇによってその耐熱性が決まる。しかし、Ｔｇはサ
ンプル量、昇温速度などの測定条件によって変化する。
このため、有機材料の耐熱性を統一的に比較検討し、高
いＴｇを持ち耐熱性の良好なアモルファス薄膜を与える
材料を開発することは極めて困難であった。
のＴｇによってその耐熱性が決まる。しかし、Ｔｇはサ
ンプル量、昇温速度などの測定条件によって変化する。
このため、有機材料の耐熱性を統一的に比較検討し、高
いＴｇを持ち耐熱性の良好なアモルファス薄膜を与える
材料を開発することは極めて困難であった。
【０００８】本発明者は、高いＴｇを与える材料を開発
する指標となるパラメータについて検討した。まず、Ａ
ｄａｍとＧｉｂｂｓのエントロピ理論（Ｇ．Ａｄａｍ，
Ｊ．Ｈ．Ｇｉｂｂｓ；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，４
３，１３９（１９６５））によれば、ガラス形成液体の
ずり粘性ηには、 η＝Ａｅｘｐ（Ｂ／ＴΔＳｃ）
する指標となるパラメータについて検討した。まず、Ａ
ｄａｍとＧｉｂｂｓのエントロピ理論（Ｇ．Ａｄａｍ，
Ｊ．Ｈ．Ｇｉｂｂｓ；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，４
３，１３９（１９６５））によれば、ガラス形成液体の
ずり粘性ηには、 η＝Ａｅｘｐ（Ｂ／ＴΔＳｃ）
【０００９】の関係がある。Ａ、Ｂは定数、ΔＳｃは温
度Ｔにおける結晶と過冷却液体とのエントロピの差であ
る。一方、実験的に、融点Ｔｍにおいては、融解エント
ロピ変化をΔＳｍとすると、 Ｌｏｇη＝ＬｏｇＡ´＋Ｂ´・Ｍｗ／ΔＳｍ が成り立つことがわかった。したがって、Ａは定数であ
るが、Ｂは化合物によって異なり、Ｂ＝Ｂ´Ｔｍであ
る。よって、ガラス転移点においては、 ηg ＝Ａｅｘｐ（Ｂ´Ｔｍ／（Ｔｇ・ΔＳｇ／Ｍｗ）） となる。ΔＳｇはガラス転移点Ｔｇにおけるガラスと結
晶とのエントロピの差である。ここで、Ｔｍ／（ΔＳｇ
／Ｍｗ）とΣΔＳtr,m／Ｍｗとの関係を調べると、 Ｔｍ／（ΔＳｇ／Ｍｗ）＝Ａ”−Ｂ”・ΣΔＳtr,m／Ｍｗ が成り立つことがわかった。実験的に求められるＴｇ
は、ηがある一定値（通常は１０13ポイズ程度）に達し
たときに観測される。したがって、 Ｂ´Ｔｍ／（Ｔｇ・ΔＳｇ／Ｍｗ）＝Ｃ（一定） Ｔｇ＝Ｂ´／Ｃ・Ｔｍ／（ΔＳｇ／Ｍｗ） ＝Ｃ´（Ａ”−Ｂ”・ΣΔＳtr,m／Ｍｗ） が成り立つ。
度Ｔにおける結晶と過冷却液体とのエントロピの差であ
る。一方、実験的に、融点Ｔｍにおいては、融解エント
ロピ変化をΔＳｍとすると、 Ｌｏｇη＝ＬｏｇＡ´＋Ｂ´・Ｍｗ／ΔＳｍ が成り立つことがわかった。したがって、Ａは定数であ
るが、Ｂは化合物によって異なり、Ｂ＝Ｂ´Ｔｍであ
る。よって、ガラス転移点においては、 ηg ＝Ａｅｘｐ（Ｂ´Ｔｍ／（Ｔｇ・ΔＳｇ／Ｍｗ）） となる。ΔＳｇはガラス転移点Ｔｇにおけるガラスと結
晶とのエントロピの差である。ここで、Ｔｍ／（ΔＳｇ
／Ｍｗ）とΣΔＳtr,m／Ｍｗとの関係を調べると、 Ｔｍ／（ΔＳｇ／Ｍｗ）＝Ａ”−Ｂ”・ΣΔＳtr,m／Ｍｗ が成り立つことがわかった。実験的に求められるＴｇ
は、ηがある一定値（通常は１０13ポイズ程度）に達し
たときに観測される。したがって、 Ｂ´Ｔｍ／（Ｔｇ・ΔＳｇ／Ｍｗ）＝Ｃ（一定） Ｔｇ＝Ｂ´／Ｃ・Ｔｍ／（ΔＳｇ／Ｍｗ） ＝Ｃ´（Ａ”−Ｂ”・ΣΔＳtr,m／Ｍｗ） が成り立つ。
【００１０】本発明者は実際に種々のπ電子系色素分子
の熱的性質を検討し、その熱力学的物性パラメータであ
るΣΔＳtr,m／Ｍｗと、そのアモルファス薄膜のＴｇと
の関係について調べた。この際、原料として用いられた
各分子について、市販の示差走査型熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ）を用い、サンプル量１０〜２０ｍｇ、昇温速度５℃
／分の同一条件でＴｇを測定した。一方、融解エントロ
ピ変化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変
化との総和は物質固有の物性値である。その結果、図１
に示すような特性図が得られた。
の熱的性質を検討し、その熱力学的物性パラメータであ
るΣΔＳtr,m／Ｍｗと、そのアモルファス薄膜のＴｇと
の関係について調べた。この際、原料として用いられた
各分子について、市販の示差走査型熱量分析装置（ＤＳ
Ｃ）を用い、サンプル量１０〜２０ｍｇ、昇温速度５℃
／分の同一条件でＴｇを測定した。一方、融解エントロ
ピ変化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変
化との総和は物質固有の物性値である。その結果、図１
に示すような特性図が得られた。
【００１１】図１に示すように、分子量をＭｗ、融解エ
ントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エント
ロピ変化との総和をΣΔＳtr,mとしたとき、ΣΔＳtr,m
／ＭｗとＴｇとの間には負の相関がある。したがって、
ΣΔＳtr,m／Ｍｗを小さくすればＴｇが高くなることが
明らかになった。図１から、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以
下であればＴｇは約１７０℃以上となる。
ントロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エント
ロピ変化との総和をΣΔＳtr,mとしたとき、ΣΔＳtr,m
／ＭｗとＴｇとの間には負の相関がある。したがって、
ΣΔＳtr,m／Ｍｗを小さくすればＴｇが高くなることが
明らかになった。図１から、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以
下であればＴｇは約１７０℃以上となる。
【００１２】なお、ΣΔＳtr,m／Ｍｗの値は単位質量当
りのエントロピ値に相当するので、分子量Ｍｗおよび分
子構造が未知の色素分子であってもＤＳＣを用いれば測
定は可能である。また、製造過程によって同時に生成し
互いに分離することが非常に困難な２種以上の色素分子
からなる色素分子混合物の場合には、個々の色素分子の
ΣΔＳtr,m／Ｍｗの値を求めることは事実上できない。
しかし、色素分子混合物では、ΣΔＳtr,m／Ｍｗの値、
換言すれば混合物の単位質量当りの融解エントロピ変化
とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変化の総
和は、混合された個々の色素分子のうち最も小さいΣΔ
Ｓtr,m／Ｍｗの値よりも大きくなる。したがって、ＤＳ
Ｃを用いて測定した混合物の単位質量当りの融解エント
ロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ
変化の総和が６０Ｊ／（Ｋ・ｋｇ）以下であれば、ΣΔ
Ｓtr,m／Ｍｗの値が６０以下の色素分子を含有している
ことを示し、その混合物のＴｇが高いものと判断でき
る。
りのエントロピ値に相当するので、分子量Ｍｗおよび分
子構造が未知の色素分子であってもＤＳＣを用いれば測
定は可能である。また、製造過程によって同時に生成し
互いに分離することが非常に困難な２種以上の色素分子
からなる色素分子混合物の場合には、個々の色素分子の
ΣΔＳtr,m／Ｍｗの値を求めることは事実上できない。
しかし、色素分子混合物では、ΣΔＳtr,m／Ｍｗの値、
換言すれば混合物の単位質量当りの融解エントロピ変化
とガラス転移点から融点までの転移エントロピ変化の総
和は、混合された個々の色素分子のうち最も小さいΣΔ
Ｓtr,m／Ｍｗの値よりも大きくなる。したがって、ＤＳ
Ｃを用いて測定した混合物の単位質量当りの融解エント
ロピ変化とガラス転移点から融点までの転移エントロピ
変化の総和が６０Ｊ／（Ｋ・ｋｇ）以下であれば、ΣΔ
Ｓtr,m／Ｍｗの値が６０以下の色素分子を含有している
ことを示し、その混合物のＴｇが高いものと判断でき
る。
【００１３】また、前記の１７０℃という値は、透明で
耐熱性が高いことから広く応用されているアモルファス
ポリマーであるポリカーボネート（Ｐｏｌｙ（ｏｘｙｃ
ａｒｂｏｎｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｉｓｏｐ
ｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）
のＴｇすなわち１６０℃と同等以上である。このことか
ら、ポリカーボネートに前記の条件を満たす色素分子を
混合した本発明のアモルファス有機ポリマー組成物にお
いて、Ｔｇの低下はほとんど起こらないことがわかる。
すなわちアモルファスポリマーのうち、高いＴｇを有す
るポリカーボネートやポリイミドなどのいわゆるエンジ
ニアリングプラスチックに前記の条件を満たす色素分子
を混合しても耐熱性はほとんど損なわれず、長期間にわ
たって安定なアモルファス有機ポリマー組成物が得られ
る。また、比較的低いＴｇを有する例えばアクリル系の
アモルファスポリマーを用いた場合でも、前記の条件を
満たす色素分子の含有量を多くすれば、組成物のＴｇを
上げることができる。
耐熱性が高いことから広く応用されているアモルファス
ポリマーであるポリカーボネート（Ｐｏｌｙ（ｏｘｙｃ
ａｒｂｏｎｙｌ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｉｓｏｐ
ｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）
のＴｇすなわち１６０℃と同等以上である。このことか
ら、ポリカーボネートに前記の条件を満たす色素分子を
混合した本発明のアモルファス有機ポリマー組成物にお
いて、Ｔｇの低下はほとんど起こらないことがわかる。
すなわちアモルファスポリマーのうち、高いＴｇを有す
るポリカーボネートやポリイミドなどのいわゆるエンジ
ニアリングプラスチックに前記の条件を満たす色素分子
を混合しても耐熱性はほとんど損なわれず、長期間にわ
たって安定なアモルファス有機ポリマー組成物が得られ
る。また、比較的低いＴｇを有する例えばアクリル系の
アモルファスポリマーを用いた場合でも、前記の条件を
満たす色素分子の含有量を多くすれば、組成物のＴｇを
上げることができる。
【００１４】色素分子のΣΔＳtr,m／Ｍｗを小さくする
には、Ｍｗを大きくすることが考えられる。しかし、一
般にＭｗを大きくするとΣΔＳtr,mも増大する。したが
って、ΣΔＳtr,mを大きくせずに、Ｍｗを大きくするこ
とが必要である。
には、Ｍｗを大きくすることが考えられる。しかし、一
般にＭｗを大きくするとΣΔＳtr,mも増大する。したが
って、ΣΔＳtr,mを大きくせずに、Ｍｗを大きくするこ
とが必要である。
【００１５】ΣΔＳtr,mと分子構造との関係について
は、定量的な関係式が報告されている。例えば、ＨＳＥ
理論（Ｊ．Ｏ．Ｈｉｒｓｃｈｆｅｌｄｅｒ，Ｄ．Ｐ．Ｓ
ｔｅｖｅｎｓｏｎ，Ｈ．Ｅｙｒｉｎｇ；Ｊ．Ｃｈｅｍ．
Ｐｈｙｓ．，５，８９６（１９３７））によれば、 ΣΔＳtr,m＝ΔＳｐ＋ΔＳｍ(rot) である。ここで、ΔＳｐは結晶からの位置的な無秩序化
によるエントロピ変化であり、球状分子では気体定数Ｒ
に等しい。また、ΔＳｍ(rot) は ΔＳｍ(rot) ＝Ｓｒ−Ｓtor
は、定量的な関係式が報告されている。例えば、ＨＳＥ
理論（Ｊ．Ｏ．Ｈｉｒｓｃｈｆｅｌｄｅｒ，Ｄ．Ｐ．Ｓ
ｔｅｖｅｎｓｏｎ，Ｈ．Ｅｙｒｉｎｇ；Ｊ．Ｃｈｅｍ．
Ｐｈｙｓ．，５，８９６（１９３７））によれば、 ΣΔＳtr,m＝ΔＳｐ＋ΔＳｍ(rot) である。ここで、ΔＳｐは結晶からの位置的な無秩序化
によるエントロピ変化であり、球状分子では気体定数Ｒ
に等しい。また、ΔＳｍ(rot) は ΔＳｍ(rot) ＝Ｓｒ−Ｓtor
【００１６】で表される。Ｓｒは分子運動が全く凍結さ
れた状態と自由に回転運動できる気体状態との間のエン
トロピ変化であり、Ｓtor は結晶内で許されるねじれ振
動のエントロピ項である。このうち、Ｓｒは、 Ｓｒ＝Ｒ［π1/2 （Ｔ／39.6）3/2 １０60（Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 ）1/2 ／σ］
れた状態と自由に回転運動できる気体状態との間のエン
トロピ変化であり、Ｓtor は結晶内で許されるねじれ振
動のエントロピ項である。このうち、Ｓｒは、 Ｓｒ＝Ｒ［π1/2 （Ｔ／39.6）3/2 １０60（Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 ）1/2 ／σ］
【００１７】で表される。Ｉi はｉ軸の周りでの分子回
転モーメントである。したがって、Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 が小さ
いほどＳｒが小さくなる。この条件を満たすためには、
重心の近くに原子が集まっていることが必要である。ま
た、σは対称中心の数であり、σが大きい場合、例えば
色素分子がＣ３軸、Ｃ４軸などの対称軸を有する場合、
Ｓｒが小さくなる。つまり、分子量を大きくして、かつ
ΔＳｍ(rot) をできるだけ小さくするためには、分子の
中心にベンゼン環、ビフェニル環、縮合環のようなコン
ホメーション自由度のない剛直な骨格を導入することが
好ましい。また、置換基は、分子が直線状や非対称構造
ではなくできるだけ対称な球状構造となるように密に導
入するのが好ましい。具体的には、例えばベンゼン環の
２，４，６−位またはビフェニル環の３，３´，５，５
´−位に、色素骨格を有する置換基が導入された構造を
有する色素分子が挙げられる。さらに、分子の最も外側
にｔ−ブチル基のようなコンホメーション自由度のない
剛直な置換基を導入することが好ましい。一方、Ｓtor
は、 Ｓtor ＝ΣＳv
転モーメントである。したがって、Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 が小さ
いほどＳｒが小さくなる。この条件を満たすためには、
重心の近くに原子が集まっていることが必要である。ま
た、σは対称中心の数であり、σが大きい場合、例えば
色素分子がＣ３軸、Ｃ４軸などの対称軸を有する場合、
Ｓｒが小さくなる。つまり、分子量を大きくして、かつ
ΔＳｍ(rot) をできるだけ小さくするためには、分子の
中心にベンゼン環、ビフェニル環、縮合環のようなコン
ホメーション自由度のない剛直な骨格を導入することが
好ましい。また、置換基は、分子が直線状や非対称構造
ではなくできるだけ対称な球状構造となるように密に導
入するのが好ましい。具体的には、例えばベンゼン環の
２，４，６−位またはビフェニル環の３，３´，５，５
´−位に、色素骨格を有する置換基が導入された構造を
有する色素分子が挙げられる。さらに、分子の最も外側
にｔ−ブチル基のようなコンホメーション自由度のない
剛直な置換基を導入することが好ましい。一方、Ｓtor
は、 Ｓtor ＝ΣＳv
【００１８】で表される。Ｓv は分子内の個々の結合の
ねじれ振動のエントロピ項である。一般に分子量が大き
くなってＳｒが増大すると、Ｓtor も大きくなるが、そ
の変化量は小さい。したがって、全体的なΔＳｍ(rot)
の変化に対しては、Ｓｒの変化の方が大きく寄与する。
ねじれ振動のエントロピ項である。一般に分子量が大き
くなってＳｒが増大すると、Ｓtor も大きくなるが、そ
の変化量は小さい。したがって、全体的なΔＳｍ(rot)
の変化に対しては、Ｓｒの変化の方が大きく寄与する。
【００１９】なお、アモルファス薄膜の重要な性質には
Ｔｇのほかにも、最大結晶成長速度ＭＣＶ（ｍｍ／ｍｉ
ｎ）とその時の温度Ｔｃmax が挙げられる。ＭＣＶが小
さいほど結晶化が起こりにくいため、アモルファス薄膜
を形成しやすく、また形成されたアモルファス薄膜が安
定になる。また、Ｔｃmax が高いほど、素子駆動時の発
熱によるアモルファス薄膜の結晶化が起こりにくくな
る。
Ｔｇのほかにも、最大結晶成長速度ＭＣＶ（ｍｍ／ｍｉ
ｎ）とその時の温度Ｔｃmax が挙げられる。ＭＣＶが小
さいほど結晶化が起こりにくいため、アモルファス薄膜
を形成しやすく、また形成されたアモルファス薄膜が安
定になる。また、Ｔｃmax が高いほど、素子駆動時の発
熱によるアモルファス薄膜の結晶化が起こりにくくな
る。
【００２０】本発明者は、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが小さいほ
ど、Ｔｃmax が大きくなることを見出した。一方、ＭＣ
Ｖは、融解エンタルピ変化ΔＨｍ（ｋＪ／ｍｏｌ）およ
び融点Ｔｍ（Ｋ）と相関があり、Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨ
ｍ）が大きいほどＭＣＶが小さくなることを見出した。
ど、Ｔｃmax が大きくなることを見出した。一方、ＭＣ
Ｖは、融解エンタルピ変化ΔＨｍ（ｋＪ／ｍｏｌ）およ
び融点Ｔｍ（Ｋ）と相関があり、Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨ
ｍ）が大きいほどＭＣＶが小さくなることを見出した。
【００２１】以下、ＭＣＶと（Ｔｍ・ΔＨｍ）との相関
について説明する。過冷却液体の結晶成長には２つの過
程がある。１つは過冷却液体中の分子の拡散であり、も
う１つは結晶表面での分子の結晶化である。低温では拡
散が律速となり、高温では表面での結晶化が律速となる
ことが知られている。拡散は低温になると急速に遅くな
るが、表面での結晶化速度は融点以下の低温になると急
速に増大し、さらに低温になると減少する。したがっ
て、最大結晶化速度ＭＣＶは厳密にはそれらの釣り合い
によって決まると考えられる。しかし、実際にはＭＣＶ
を与える温度は融点からそれほど低くはなく、拡散の効
果はそれほど支配的ではないと考えられる。いま、結晶
成長が起こっている結晶表面での反応座標のモデルを図
２に示す。高温では過冷却液体分子のポテンシャル曲線
はなだらかであり、容易に拡散が起こる。しかし、融点
直下の温度では、活性化エネルギが大きいために結晶化
速度は小さい。さらに温度が低下すると、過冷却液体と
結晶との自由エネルギ差（ΔＧ）が大きくなり、そのた
め活性化エネルギ（Ｅａ）が小さくなり、結晶化速度は
増大する。ＭＣＶにおける過冷却度をΔＴ（＝Ｔｍ−Ｔ
ｃmax ）とすると、近似的に ΔＧ＝ΔＨｍ・ΔＴ／Ｔｍ
について説明する。過冷却液体の結晶成長には２つの過
程がある。１つは過冷却液体中の分子の拡散であり、も
う１つは結晶表面での分子の結晶化である。低温では拡
散が律速となり、高温では表面での結晶化が律速となる
ことが知られている。拡散は低温になると急速に遅くな
るが、表面での結晶化速度は融点以下の低温になると急
速に増大し、さらに低温になると減少する。したがっ
て、最大結晶化速度ＭＣＶは厳密にはそれらの釣り合い
によって決まると考えられる。しかし、実際にはＭＣＶ
を与える温度は融点からそれほど低くはなく、拡散の効
果はそれほど支配的ではないと考えられる。いま、結晶
成長が起こっている結晶表面での反応座標のモデルを図
２に示す。高温では過冷却液体分子のポテンシャル曲線
はなだらかであり、容易に拡散が起こる。しかし、融点
直下の温度では、活性化エネルギが大きいために結晶化
速度は小さい。さらに温度が低下すると、過冷却液体と
結晶との自由エネルギ差（ΔＧ）が大きくなり、そのた
め活性化エネルギ（Ｅａ）が小さくなり、結晶化速度は
増大する。ＭＣＶにおける過冷却度をΔＴ（＝Ｔｍ−Ｔ
ｃmax ）とすると、近似的に ΔＧ＝ΔＨｍ・ΔＴ／Ｔｍ
【００２２】が成り立つ。実験的に、ΔＴ＝Ｔｍ−Ｔｃ
max ＝αＴｍが成り立つから、ΔＧ＝αΔＨｍである。
また、図２から活性化エネルギＥａとΔＧには第一次近
似として Ｅａ＝Ａ・Ｍｗ／ΔＧ が成り立つと考えられる。したがって、最大結晶化速度
ＭＣＶは、 ＭＣＶ＝ｋ0 ｅｘｐ（−Ｅａ／ｋB Ｔｃmax ） ＝ｋ0 ｅｘｐ（−Ａ´・Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨｍ）） よって、 Ｌｏｇ（ＭＣＶ）＝Ｂ−Ａ´・Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨｍ） が成り立つ。
max ＝αＴｍが成り立つから、ΔＧ＝αΔＨｍである。
また、図２から活性化エネルギＥａとΔＧには第一次近
似として Ｅａ＝Ａ・Ｍｗ／ΔＧ が成り立つと考えられる。したがって、最大結晶化速度
ＭＣＶは、 ＭＣＶ＝ｋ0 ｅｘｐ（−Ｅａ／ｋB Ｔｃmax ） ＝ｋ0 ｅｘｐ（−Ａ´・Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨｍ）） よって、 Ｌｏｇ（ＭＣＶ）＝Ｂ−Ａ´・Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨｍ） が成り立つ。
【００２３】特に、Ｍｗ／（Ｔｍ・ΔＨｍ）が０．０４
以上では、ＭＣＶが１ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、アモル
ファス状態が極めて安定になる。例えば、Ｍｗ／（Ｔｍ
・ΔＨｍ）が０．０７８のトルエンは容易にアモルファ
スとなり安定であるが、０．０２８のベンゼンは結晶化
しやすく安定なアモルファスとならない。したがって、
本発明では有機薄膜素子またはアモルファス有機ポリマ
ー組成物中にΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以下で、かつＭｗ
／（Ｔｍ・ΔＨｍ）が０．０４以上である色素分子を含
有することが望ましい。
以上では、ＭＣＶが１ｍｍ／ｍｉｎ以下となり、アモル
ファス状態が極めて安定になる。例えば、Ｍｗ／（Ｔｍ
・ΔＨｍ）が０．０７８のトルエンは容易にアモルファ
スとなり安定であるが、０．０２８のベンゼンは結晶化
しやすく安定なアモルファスとならない。したがって、
本発明では有機薄膜素子またはアモルファス有機ポリマ
ー組成物中にΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以下で、かつＭｗ
／（Ｔｍ・ΔＨｍ）が０．０４以上である色素分子を含
有することが望ましい。
【００２４】なお、分子量が３５０以上で、かつ分子内
に分子間水素結合を形成し得る部位を複数有する色素分
子は、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以上であっても、高いＴ
ｇを与えることがわかった。これは、分子間水素結合を
形成し得る部位を複数有する色素分子では水素結合のネ
ットワークにより分子の会合が起こり、実質のＭｗが増
加し、その結果実質のΣΔＳtr,m／Ｍｗが減少するため
であると考えられる。したがって、このような色素分子
は、本発明においてΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏ
ｌ））／Ｍｗが６０以下である色素分子とともに好まし
く用いることができる。またいうまでもなくこの場合に
も、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが小さい方がＴｇは高い。そし
て、Ｍｗは大きいことが望ましく、４５０以上であるこ
とがさらに好ましい。
に分子間水素結合を形成し得る部位を複数有する色素分
子は、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが６０以上であっても、高いＴ
ｇを与えることがわかった。これは、分子間水素結合を
形成し得る部位を複数有する色素分子では水素結合のネ
ットワークにより分子の会合が起こり、実質のＭｗが増
加し、その結果実質のΣΔＳtr,m／Ｍｗが減少するため
であると考えられる。したがって、このような色素分子
は、本発明においてΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏ
ｌ））／Ｍｗが６０以下である色素分子とともに好まし
く用いることができる。またいうまでもなくこの場合に
も、ΣΔＳtr,m／Ｍｗが小さい方がＴｇは高い。そし
て、Ｍｗは大きいことが望ましく、４５０以上であるこ
とがさらに好ましい。
【００２５】本発明において、アモルファス薄膜は基本
的には単層膜として用いることができるが、デバイスな
どには別の機能を有する異なる薄膜を組み合わせて多層
構造とすることが好ましい。
的には単層膜として用いることができるが、デバイスな
どには別の機能を有する異なる薄膜を組み合わせて多層
構造とすることが好ましい。
【００２６】アモルファス薄膜の製造方法としては、通
常の方法を適用できる。すなわち、キャスト法、蒸着
法、ＬＢ法、水面展開法、電解法などである。そのなか
でも蒸着法は簡便であり、特に多層構造膜を作製するの
に優れている。なお本発明において、上述したような色
素分子を含有する薄膜は高い耐熱性を有するが、さらに
高い耐熱性を得るために、成膜時または成膜後に色素分
子間に化学結合を生じさせることが有効である。以下、
本発明のアモルファス有機薄膜素子の具体的な構造およ
び駆動原理を簡単に説明する。 （有機エレクトロルミネセンス素子）
常の方法を適用できる。すなわち、キャスト法、蒸着
法、ＬＢ法、水面展開法、電解法などである。そのなか
でも蒸着法は簡便であり、特に多層構造膜を作製するの
に優れている。なお本発明において、上述したような色
素分子を含有する薄膜は高い耐熱性を有するが、さらに
高い耐熱性を得るために、成膜時または成膜後に色素分
子間に化学結合を生じさせることが有効である。以下、
本発明のアモルファス有機薄膜素子の具体的な構造およ
び駆動原理を簡単に説明する。 （有機エレクトロルミネセンス素子）
【００２７】この素子は、蛍光色素分子を含む発光層と
正孔輸送層もしくは電子輸送層の二層構造からなる有機
薄膜、または正孔輸送層と電子輸送層との間に前記発光
層を有する三層構造もしくはそれ以上の多層構造からな
る有機薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二つの
電極で挟んだ構造を有する。
正孔輸送層もしくは電子輸送層の二層構造からなる有機
薄膜、または正孔輸送層と電子輸送層との間に前記発光
層を有する三層構造もしくはそれ以上の多層構造からな
る有機薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二つの
電極で挟んだ構造を有する。
【００２８】いずれの構造の素子でも、電子および正孔
が発光層に注入されて再結合する結果、発光する。電子
輸送層および正孔輸送層は注入確率を増大させる働きを
有する。
が発光層に注入されて再結合する結果、発光する。電子
輸送層および正孔輸送層は注入確率を増大させる働きを
有する。
【００２９】例えば、図３に三層構造の有機ＥＬ素子の
例を縦断面的に示す。図３において、ガラス基板１上に
は、ＩＴＯ電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送
層５、および上部電極６が順次形成され、有機ＥＬ素子
を構成している。 （有機太陽電池素子）
例を縦断面的に示す。図３において、ガラス基板１上に
は、ＩＴＯ電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送
層５、および上部電極６が順次形成され、有機ＥＬ素子
を構成している。 （有機太陽電池素子）
【００３０】この素子は、可視光線を吸収して電子と正
孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と正孔輸送層も
しくは電子輸送層との二層構造からなる有機薄膜、また
は正孔輸送層と電子輸送層との間に前記電荷発生層を有
する三層構造もしくはそれ以上の多層構造からなる有機
薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二つの電極で
挟んだ構造を有する。いずれの構造の素子でも、発生し
た電子および正孔が再結合するのを防止して電荷分離を
効率よく行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有す
る。 （有機電子写真感光体）
孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と正孔輸送層も
しくは電子輸送層との二層構造からなる有機薄膜、また
は正孔輸送層と電子輸送層との間に前記電荷発生層を有
する三層構造もしくはそれ以上の多層構造からなる有機
薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二つの電極で
挟んだ構造を有する。いずれの構造の素子でも、発生し
た電子および正孔が再結合するのを防止して電荷分離を
効率よく行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有す
る。 （有機電子写真感光体）
【００３１】この素子は、導体上に、可視光線を吸収し
て電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と正
孔輸送剤および電子輸送剤の少なくとも１種を含むキャ
リア輸送層を順に二層積層した構造を有する。
て電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と正
孔輸送剤および電子輸送剤の少なくとも１種を含むキャ
リア輸送層を順に二層積層した構造を有する。
【００３２】まず、コロナ放電などにより、キャリア輸
送層が正孔輸送剤を含む負帯電型の場合には表面を負に
帯電させ、キャリア輸送層が電子輸送剤を含む正帯電型
の場合には表面を正に帯電させる。その後、記録光を入
射すると、光が当たった部分だけ電子と正孔が発生す
る。
送層が正孔輸送剤を含む負帯電型の場合には表面を負に
帯電させ、キャリア輸送層が電子輸送剤を含む正帯電型
の場合には表面を正に帯電させる。その後、記録光を入
射すると、光が当たった部分だけ電子と正孔が発生す
る。
【００３３】負帯電型の場合には、発生した正孔が効率
よく表面に輸送され、負電荷が打ち消される。したがっ
て、例えばトナーを予め負に帯電させておけば、光が当
たった部分にだけトナーが付着し、得られたトナー像を
紙に印刷することができる。
よく表面に輸送され、負電荷が打ち消される。したがっ
て、例えばトナーを予め負に帯電させておけば、光が当
たった部分にだけトナーが付着し、得られたトナー像を
紙に印刷することができる。
【００３４】正帯電型の場合には、発生した電子が効率
よく表面に輸送され、正電荷が打ち消される。したがっ
て、例えばトナーを予め正に帯電させておけば、光が当
たった部分にだけトナーが付着し、得られたトナー像を
紙に印刷することができる。 （有機整流素子）この素子は、正孔輸送層（Ｐ型半導
体）と電子輸送層（Ｎ型半導体）の二層構造からなる有
機薄膜を二つの電極で挟んだ構造を有する。
よく表面に輸送され、正電荷が打ち消される。したがっ
て、例えばトナーを予め正に帯電させておけば、光が当
たった部分にだけトナーが付着し、得られたトナー像を
紙に印刷することができる。 （有機整流素子）この素子は、正孔輸送層（Ｐ型半導
体）と電子輸送層（Ｎ型半導体）の二層構造からなる有
機薄膜を二つの電極で挟んだ構造を有する。
【００３５】この素子では、無機半導体のＰＮ接合と同
様に、電子および正孔のみが輸送されることから整流作
用が生じる。なお、無機半導体と同様に、正孔輸送層に
アクセプタを、電子輸送層にドナーを少量ドーピングす
ることにより、電流密度を増大させることができる。 （光スイッチング素子）
様に、電子および正孔のみが輸送されることから整流作
用が生じる。なお、無機半導体と同様に、正孔輸送層に
アクセプタを、電子輸送層にドナーを少量ドーピングす
ることにより、電流密度を増大させることができる。 （光スイッチング素子）
【００３６】図４は、光スイッチング素子の構造を示す
平面図であり、図示されるようにこの素子では、基板上
に形成された有機薄膜１１中に２つの分岐部１２ａ、１
２ｂを持つ導波路１３が形成されている。この導波路
は、周囲の領域とは屈折率が高く、３次の非線形光学効
果を有する。また、導波路１３の分岐部１２ａの一方に
のみ電圧を印加する手段が設けられており、電圧の印加
により分岐部１２ａの屈折率を変化させて光路長を変化
させることができる。
平面図であり、図示されるようにこの素子では、基板上
に形成された有機薄膜１１中に２つの分岐部１２ａ、１
２ｂを持つ導波路１３が形成されている。この導波路
は、周囲の領域とは屈折率が高く、３次の非線形光学効
果を有する。また、導波路１３の分岐部１２ａの一方に
のみ電圧を印加する手段が設けられており、電圧の印加
により分岐部１２ａの屈折率を変化させて光路長を変化
させることができる。
【００３７】この光スイッチング素子では、導波路１３
に入射した光１４が分岐部１２ａ、１２ｂを通過して再
び合流した時点で、光路長の異なる２つの光の位相がち
ょうど半波長だけずれるように、分岐部１２ａに適当な
電圧を印加する。この結果、電圧を印加すると、分岐部
１２ａ、１２ｂの合流点で光の干渉が起こる。したがっ
て、電圧の印加の有無によって、出力光をオン・オフす
ることができる。 （記録媒体）
に入射した光１４が分岐部１２ａ、１２ｂを通過して再
び合流した時点で、光路長の異なる２つの光の位相がち
ょうど半波長だけずれるように、分岐部１２ａに適当な
電圧を印加する。この結果、電圧を印加すると、分岐部
１２ａ、１２ｂの合流点で光の干渉が起こる。したがっ
て、電圧の印加の有無によって、出力光をオン・オフす
ることができる。 （記録媒体）
【００３８】この記録媒体は、基板上に半導体レーザの
光を吸収するアモルファス色素分子からなる薄膜または
アモルファスポリマー中にアモルファス色素分子を均一
に混合した薄膜を形成した構造を有する。
光を吸収するアモルファス色素分子からなる薄膜または
アモルファスポリマー中にアモルファス色素分子を均一
に混合した薄膜を形成した構造を有する。
【００３９】この記録媒体では、書き込みは、薄膜に例
えばレーザ光を照射するか、またはサーマルヘッドを用
いることにより、特定領域の温度を上げ、色素分子を結
晶化させることにより行われる。書き込みされた領域で
は、光が散乱されるので、散乱光を検出することによ
り、読取りができる。消去は、薄膜をさらに高温にして
融解させ、再び均一なアモルファス状態にすることによ
り行われる。
えばレーザ光を照射するか、またはサーマルヘッドを用
いることにより、特定領域の温度を上げ、色素分子を結
晶化させることにより行われる。書き込みされた領域で
は、光が散乱されるので、散乱光を検出することによ
り、読取りができる。消去は、薄膜をさらに高温にして
融解させ、再び均一なアモルファス状態にすることによ
り行われる。
【００４０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００４１】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で
示されるトリフェニルアミン誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着
した（正孔輸送層）。その上にペンタフェニルシクロペ
ンタジエンを厚さ３０ｎｍ蒸着した（発光層）。さら
に、その上に構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、三層構造
からなる有機薄膜を形成した。このオキサジアゾール誘
導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５５であり、Ｔｇは１７５℃
である。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウム電極を３
個設けた。
示されるトリフェニルアミン誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着
した（正孔輸送層）。その上にペンタフェニルシクロペ
ンタジエンを厚さ３０ｎｍ蒸着した（発光層）。さら
に、その上に構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、三層構造
からなる有機薄膜を形成した。このオキサジアゾール誘
導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５５であり、Ｔｇは１７５℃
である。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウム電極を３
個設けた。
【００４２】
【化１】
【００４３】
【化２】
【００４４】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、５００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ５日間を要した。 実施例２（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、５００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ５日間を要した。 実施例２（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００４５】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（３）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。こ
のオキサジアゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５２で
あり、Ｔｇは１８０℃である。
誘導体の代わりに、構造式（３）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。こ
のオキサジアゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５２で
あり、Ｔｇは１８０℃である。
【００４６】
【化３】
【００４７】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、６００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ７日間を要した。 実施例３（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、６００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ７日間を要した。 実施例３（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００４８】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（４）で示されるベンゾオキ
サゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同
様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
このベンゾオキサゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５
０であり、Ｔｇは１８０℃である。
誘導体の代わりに、構造式（４）で示されるベンゾオキ
サゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同
様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
このベンゾオキサゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５
０であり、Ｔｇは１８０℃である。
【００４９】
【化４】
【００５０】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、４００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ７日間を要した。 比較例１（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、４００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ７日間を要した。 比較例１（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００５１】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（５）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。こ
のオキサジアゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは６１で
あり、Ｔｇは１４０℃である。
誘導体の代わりに、構造式（５）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。こ
のオキサジアゾール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは６１で
あり、Ｔｇは１４０℃である。
【００５２】
【化５】
【００５３】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、５００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その後、連続的に素子を駆
動させたところ２日で初期輝度が半減した。 実施例４（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、５００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その後、連続的に素子を駆
動させたところ２日で初期輝度が半減した。 実施例４（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００５４】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（６）で示されるオキサジア
ゾール誘導体の混合物を用いたことを除いては、実施例
１と同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製
した。このオキサジアゾール誘導体の混合物について
は、単位質量当りの融解エントロピ変化とガラス転移点
から融点までの転移エントロピ変化との総和は５５Ｊ／
（Ｋ・ｋｇ）であり、Ｔｇは１６５℃である。
誘導体の代わりに、構造式（６）で示されるオキサジア
ゾール誘導体の混合物を用いたことを除いては、実施例
１と同様にして有機エレクトロルミネセンス素子を作製
した。このオキサジアゾール誘導体の混合物について
は、単位質量当りの融解エントロピ変化とガラス転移点
から融点までの転移エントロピ変化との総和は５５Ｊ／
（Ｋ・ｋｇ）であり、Ｔｇは１６５℃である。
【００５５】
【化６】
【００５６】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、４００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ５日間を要した。 参考例１（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、４００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ５日間を要した。 参考例１（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００５７】構造式（１）で示されるトリフェニルアミ
ン誘導体の代わりに、構造式（７）で示されるキナクリ
ドン誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様に
して有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。この
キナクリドン誘導体のＭｗは４２４であり、水素結合可
能な部位を２つ持っている。
ン誘導体の代わりに、構造式（７）で示されるキナクリ
ドン誘導体を用いたことを除いては、実施例１と同様に
して有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。この
キナクリドン誘導体のＭｗは４２４であり、水素結合可
能な部位を２つ持っている。
【００５８】
【化７】
【００５９】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、７００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ１０日間を要した。 参考例２（有機エレクトロルミネセンス素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、７００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その初期輝度が半減するま
で連続的に素子を駆動させたところ１０日間を要した。 参考例２（有機エレクトロルミネセンス素子）
【００６０】構造式（７）で示されるキナクリドン誘導
体の代わりに、構造式（８）で示されるキナクリドン誘
導体を用いたことを除いては、参考例１と同様にして有
機エレクトロルミネセンス素子を作製した。このキナク
リドン誘導体のＭｗは４３８であるが、水素結合可能な
部位を１つしか持っていない。
体の代わりに、構造式（８）で示されるキナクリドン誘
導体を用いたことを除いては、参考例１と同様にして有
機エレクトロルミネセンス素子を作製した。このキナク
リドン誘導体のＭｗは４３８であるが、水素結合可能な
部位を１つしか持っていない。
【００６１】
【化８】
【００６２】この素子を作製後直ちに、真空下において
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、７００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その後、連続的に素子を駆
動させたところ６日で初期輝度が半減した。 実施例５（有機太陽電池素子）
１０Ｖの直流電圧で初期輝度を測定したところ、７００
ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。その後、連続的に素子を駆
動させたところ６日で初期輝度が半減した。 実施例５（有機太陽電池素子）
【００６３】ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で
示されるトリフェニルアミン誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着
した（正孔輸送層）。その上に銅フタロシアニン誘導体
を厚さ５０ｎｍ蒸着した（電荷発生層）。さらにその上
に構造式（２）で示されるオキサジアゾール誘導体を厚
さ５０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、三層構造からなる有
機薄膜を作製した。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウ
ム電極を３個設けた。この素子を作製後直ちに、真空下
においてガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外線をカ
ットしたタングステンランプ光を照射し、初期光電変換
効率を測定した。その結果、測定した３電極とも１．２
〜１．５％を示した。その光電変換効率が半減するま
で、連続的に素子を駆動させたところ、１か月を要し
た。 比較例２（有機太陽電池素子）
示されるトリフェニルアミン誘導体を厚さ５０ｎｍ蒸着
した（正孔輸送層）。その上に銅フタロシアニン誘導体
を厚さ５０ｎｍ蒸着した（電荷発生層）。さらにその上
に構造式（２）で示されるオキサジアゾール誘導体を厚
さ５０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、三層構造からなる有
機薄膜を作製した。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウ
ム電極を３個設けた。この素子を作製後直ちに、真空下
においてガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外線をカ
ットしたタングステンランプ光を照射し、初期光電変換
効率を測定した。その結果、測定した３電極とも１．２
〜１．５％を示した。その光電変換効率が半減するま
で、連続的に素子を駆動させたところ、１か月を要し
た。 比較例２（有機太陽電池素子）
【００６４】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（９）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例５と同様
にして有機太陽電池素子を作製した。このオキサジアゾ
ール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは１２７であり、Ｔｇは
７７℃である。
誘導体の代わりに、構造式（９）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例５と同様
にして有機太陽電池素子を作製した。このオキサジアゾ
ール誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは１２７であり、Ｔｇは
７７℃である。
【００６５】
【化９】
【００６６】この素子を作製後直ちに、真空下において
ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外線をカットした
タングステンランプ光を照射し、初期光電変換効率を測
定した。その結果、測定した３電極とも１．２〜１．５
％を示した。その後、連続的に素子を駆動させたとこ
ろ、１週間で光電変換効率が半減した。 実施例６（有機電子写真感光体）
ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外線をカットした
タングステンランプ光を照射し、初期光電変換効率を測
定した。その結果、測定した３電極とも１．２〜１．５
％を示した。その後、連続的に素子を駆動させたとこ
ろ、１週間で光電変換効率が半減した。 実施例６（有機電子写真感光体）
【００６７】ガラス上に形成されたアルミニウム蒸着膜
上に銅ナフタロシアニンを分散したポリカーボネートを
キャストし、厚さ２μｍの塗膜を形成した（電荷発生
層）。その上に構造式（１０）で示されるトリフェニル
アミン誘導体（正孔輸送剤）および構造式（２）で示さ
れるオキサジアゾール誘導体（電子輸送剤）をそれぞれ
２０ｗｔ％および３０ｗｔ％の割合で相溶したポリカー
ボネートをキャストし、厚さ２μｍの塗膜を形成した
（キャリア輸送層）。
上に銅ナフタロシアニンを分散したポリカーボネートを
キャストし、厚さ２μｍの塗膜を形成した（電荷発生
層）。その上に構造式（１０）で示されるトリフェニル
アミン誘導体（正孔輸送剤）および構造式（２）で示さ
れるオキサジアゾール誘導体（電子輸送剤）をそれぞれ
２０ｗｔ％および３０ｗｔ％の割合で相溶したポリカー
ボネートをキャストし、厚さ２μｍの塗膜を形成した
（キャリア輸送層）。
【００６８】
【化１０】
【００６９】この後直ちに、６３０ｎｍの単色光（０．
４μＷ／ｃｍ2 ）を照射したときの表面帯電電位の減衰
を測定した。その結果、正負どちらの帯電に対してもお
よそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を示した。その後、この有
機電子写真感光体を窒素気流下、室温で３か月放置した
後、同様に測定したところ、保存による特性の劣化は認
められなかった。 比較例３（有機電子写真感光体）
４μＷ／ｃｍ2 ）を照射したときの表面帯電電位の減衰
を測定した。その結果、正負どちらの帯電に対してもお
よそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を示した。その後、この有
機電子写真感光体を窒素気流下、室温で３か月放置した
後、同様に測定したところ、保存による特性の劣化は認
められなかった。 比較例３（有機電子写真感光体）
【００７０】構造式（２）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに構造式（９）で示されるオキサジアゾ
ール誘導体を用いることを除いては実施例６と同様にし
て有機電子写真感光体を作製した。
誘導体の代わりに構造式（９）で示されるオキサジアゾ
ール誘導体を用いることを除いては実施例６と同様にし
て有機電子写真感光体を作製した。
【００７１】この後直ちに、６３０ｎｍの単色光（０．
４μＷ／ｃｍ2 ）を照射したときの表面帯電電位の減衰
を測定した。その結果、正負どちらの帯電に対してもお
よそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を示した。その後、この有
機電子写真感光体を窒素気流下、室温で３か月放置した
後、同様に測定したところ、１ｃｍ2 ／μＪの感度しか
示さず、保存による特性の劣化が認められた。この原因
は、有機薄膜中でオキサジアゾール誘導体の分子が一部
結晶化したためであった。 実施例７（有機整流素子）
４μＷ／ｃｍ2 ）を照射したときの表面帯電電位の減衰
を測定した。その結果、正負どちらの帯電に対してもお
よそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を示した。その後、この有
機電子写真感光体を窒素気流下、室温で３か月放置した
後、同様に測定したところ、１ｃｍ2 ／μＪの感度しか
示さず、保存による特性の劣化が認められた。この原因
は、有機薄膜中でオキサジアゾール誘導体の分子が一部
結晶化したためであった。 実施例７（有機整流素子）
【００７２】ガラス上に形成されたアルミニウム蒸着電
極上に構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘導
体を厚さ２０ｎｍ蒸着した（正孔輸送層）。その上に構
造式（３）で示されるオキサジアゾール誘導体を厚さ２
０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、二層構造からなる有機薄
膜を形成した。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウム上
部電極を３個設けた。
極上に構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘導
体を厚さ２０ｎｍ蒸着した（正孔輸送層）。その上に構
造式（３）で示されるオキサジアゾール誘導体を厚さ２
０ｎｍ蒸着し（電子輸送層）、二層構造からなる有機薄
膜を形成した。最後に、面積１ｃｍ2 のアルミニウム上
部電極を３個設けた。
【００７３】この素子を作製後直ちに、真空下におい
て、光を遮断して電流−電圧特性を測定した。その結
果、上部電極を負にした場合、電流が流れる整流特性を
示した。その後、この素子を窒素気流下において室温で
３か月放置した後、電流−電圧特性を測定したところ変
化は見られず、保存による特性の劣化は認められなかっ
た。 実施例８（光スイッチング素子）
て、光を遮断して電流−電圧特性を測定した。その結
果、上部電極を負にした場合、電流が流れる整流特性を
示した。その後、この素子を窒素気流下において室温で
３か月放置した後、電流−電圧特性を測定したところ変
化は見られず、保存による特性の劣化は認められなかっ
た。 実施例８（光スイッチング素子）
【００７４】基板上に、構造式（１１）で示されるピレ
ン誘導体を３０ｗｔ％含有するポリカーボネート薄膜を
形成した。このピレン誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５８
であり、Ｔｇは１７０℃である。ポリカーボネート薄膜
に、空気中で所定のマスクを介して、図４に示す２つの
分岐部を有する導波路パターンが形成されるように紫外
線を照射することにより、ピレン骨格を酸化した。この
結果、周囲より屈折率が高く、３次の非線形光学効果を
示す導波路が形成された。
ン誘導体を３０ｗｔ％含有するポリカーボネート薄膜を
形成した。このピレン誘導体のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５８
であり、Ｔｇは１７０℃である。ポリカーボネート薄膜
に、空気中で所定のマスクを介して、図４に示す２つの
分岐部を有する導波路パターンが形成されるように紫外
線を照射することにより、ピレン骨格を酸化した。この
結果、周囲より屈折率が高く、３次の非線形光学効果を
示す導波路が形成された。
【００７５】
【化１１】
【００７６】このポリカーボネート薄膜について、光を
照射した部分および照射していない部分のそれぞれ一部
を剥がし、ＤＳＣによりガラス転移点を測定した。その
結果、いずれの部分でもガラス転移点は１６０℃であ
り、ポリカーボネートのＴｇの低下は認められなかっ
た。
照射した部分および照射していない部分のそれぞれ一部
を剥がし、ＤＳＣによりガラス転移点を測定した。その
結果、いずれの部分でもガラス転移点は１６０℃であ
り、ポリカーボネートのＴｇの低下は認められなかっ
た。
【００７７】またこの素子では、導波路の分岐部の一方
に電圧を印加して屈折率を変化させることにより、２つ
の分岐部を通過した光が再び合流した時点で、２つの光
の位相をちょうど半波長だけずらすことができた。した
がって、電圧の印加の有無によって、出力光のオンオフ
が可能であった。 実施例９（光ディスク）
に電圧を印加して屈折率を変化させることにより、２つ
の分岐部を通過した光が再び合流した時点で、２つの光
の位相をちょうど半波長だけずらすことができた。した
がって、電圧の印加の有無によって、出力光のオンオフ
が可能であった。 実施例９（光ディスク）
【００７８】ポリカーボネート基板上に、構造式（１
２）で示される赤色色素分子を３μｍの厚さに蒸着し
た。この赤色色素分子のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５６であ
り、Ｔｇは１７０℃である。生成した膜は均一なアモル
ファス構造であった。
２）で示される赤色色素分子を３μｍの厚さに蒸着し
た。この赤色色素分子のΣΔＳtr,m／Ｍｗは５６であ
り、Ｔｇは１７０℃である。生成した膜は均一なアモル
ファス構造であった。
【００７９】
【化１２】
【００８０】これに赤色半導体レーザの光パルスをスポ
ット照射し、色素分子を結晶化させた。その結果、その
スポットでは、低出力のレーザ光は散乱され、記録の書
き込みが可能であった。次に、高出力のレーザ光パルス
を照射して色素分子を融解させた後、空冷した。この結
果、再び均一なアモルファス状態に戻すことができ、記
録の消去が可能であった。この光ディスクは１万回以上
の書き込み−消去が可能であった。また、この光ディス
クを大気中、室温で３か月放置した後、同様に記録特性
を調べたところ、保存による記録特性の劣化は認められ
なかった。 実施例１０（透明有機ガラス板）
ット照射し、色素分子を結晶化させた。その結果、その
スポットでは、低出力のレーザ光は散乱され、記録の書
き込みが可能であった。次に、高出力のレーザ光パルス
を照射して色素分子を融解させた後、空冷した。この結
果、再び均一なアモルファス状態に戻すことができ、記
録の消去が可能であった。この光ディスクは１万回以上
の書き込み−消去が可能であった。また、この光ディス
クを大気中、室温で３か月放置した後、同様に記録特性
を調べたところ、保存による記録特性の劣化は認められ
なかった。 実施例１０（透明有機ガラス板）
【００８１】ポリカーボネート（Ｔｇ＝１６０℃）に対
して構造式（３）で示されるオキサジアゾール誘導体を
紫外線吸収色素として１０ｗｔ％の割合で混合し、溶融
成形して、透明なポリカーボネート板を作製した。紫外
線吸収色素は、吸収された紫外線を熱や長波長の蛍光に
変換して、紫外線によるポリマーの劣化を防ぐ作用を有
する。このポリカーボネート板の一部を削り取り、ＤＳ
Ｃによりガラス転移点を測定したところ１６０℃であ
り、ポリカーボネートのＴｇは全く低下していないこと
がわかった。また、このポリカーボネート板を屋外で半
年間放置したが、着色は起こらず、またＴｇも変化せ
ず、劣化はほとんど起こっていないことがわかった。 比較例４（透明有機ガラス板）
して構造式（３）で示されるオキサジアゾール誘導体を
紫外線吸収色素として１０ｗｔ％の割合で混合し、溶融
成形して、透明なポリカーボネート板を作製した。紫外
線吸収色素は、吸収された紫外線を熱や長波長の蛍光に
変換して、紫外線によるポリマーの劣化を防ぐ作用を有
する。このポリカーボネート板の一部を削り取り、ＤＳ
Ｃによりガラス転移点を測定したところ１６０℃であ
り、ポリカーボネートのＴｇは全く低下していないこと
がわかった。また、このポリカーボネート板を屋外で半
年間放置したが、着色は起こらず、またＴｇも変化せ
ず、劣化はほとんど起こっていないことがわかった。 比較例４（透明有機ガラス板）
【００８２】構造式（３）で示されるオキサジアゾール
誘導体の代わりに、構造式（９）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１０と同
様にして、透明なポリカーボネート板を作製した。この
ポリカーボネート板の一部を削り取り、ＤＳＣによりガ
ラス転移点を測定したところ、１３０℃に低下している
ことがわかった。 実施例１１（着色有機ガラス板）
誘導体の代わりに、構造式（９）で示されるオキサジア
ゾール誘導体を用いたことを除いては、実施例１０と同
様にして、透明なポリカーボネート板を作製した。この
ポリカーボネート板の一部を削り取り、ＤＳＣによりガ
ラス転移点を測定したところ、１３０℃に低下している
ことがわかった。 実施例１１（着色有機ガラス板）
【００８３】ポリカーボネート（Ｔｇ＝１６０℃）に対
して構造式（１３）で示される黄色色素分子を３０ｗｔ
％の割合で混合し、溶融成形して、黄色透明なポリカー
ボネート板を作製した。この黄色色素分子のΣΔＳtr,m
／Ｍｗは５０であり、Ｔｇは１９０℃である。
して構造式（１３）で示される黄色色素分子を３０ｗｔ
％の割合で混合し、溶融成形して、黄色透明なポリカー
ボネート板を作製した。この黄色色素分子のΣΔＳtr,m
／Ｍｗは５０であり、Ｔｇは１９０℃である。
【００８４】
【化１３】
【００８５】このポリカーボネート板の一部を削り取
り、ＤＳＣによりガラス転移点を測定したところ１６０
℃であり、ポリカーボネートのＴｇは全く低下していな
いことがわかった。また、このポリカーボネート板を室
内で１年間放置したが、着色状態は変化せず、またＴｇ
も変化せず、劣化はほとんど起こっていないことがわか
った。
り、ＤＳＣによりガラス転移点を測定したところ１６０
℃であり、ポリカーボネートのＴｇは全く低下していな
いことがわかった。また、このポリカーボネート板を室
内で１年間放置したが、着色状態は変化せず、またＴｇ
も変化せず、劣化はほとんど起こっていないことがわか
った。
【００８６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、長
期間にわたって安定なアモルファス有機薄膜素子および
アモルファス有機ポリマー組成物を提供できる。
期間にわたって安定なアモルファス有機薄膜素子および
アモルファス有機ポリマー組成物を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々の有機色素分子について、ΣΔＳtr,m／Ｍ
ｗとＴｇとの関係を示す特性図。
ｗとＴｇとの関係を示す特性図。
【図２】結晶成長が起こっている結晶表面での反応座標
のモデルを示す図。
のモデルを示す図。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ素子の断面図。
【図４】本発明に係る光スイッチング素子の平面図。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ電極、３…正孔輸送層、４
…発光層、５…電子輸送層、６…上部電極、１１…有機
薄膜、１２ａ、１２ｂ…分岐部、１３…導波路、１４…
光。
…発光層、５…電子輸送層、６…上部電極、１１…有機
薄膜、１２ａ、１２ｂ…分岐部、１３…導波路、１４…
光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/28 29/91 31/04 33/00 Ａ 7514−4Ｍ Ｈ０５Ｂ 33/14 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】 分子量をＭｗ、融解エントロピ変化とガ
ラス転移点から融点までの転移エントロピ変化との総和
をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））としたとき、Σ
ΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍｏｌ））／Ｍｗが６０以下で
ある色素分子を含有する有機薄膜を備えたことを特徴と
するアモルファス有機薄膜素子。 - 【請求項２】 アモルファスポリマー中に、分子量をＭ
ｗ、融解エントロピ変化とガラス転移点から融点までの
転移エントロピ変化との総和をΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・
ｋｍｏｌ））としたとき、ΣΔＳtr,m（Ｊ／（Ｋ・ｋｍ
ｏｌ））／Ｍｗが６０以下である色素分子を含有するこ
とを特徴とするアモルファス有機ポリマー組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4022693A JPH06122277A (ja) | 1992-08-27 | 1993-03-01 | アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物 |
| US08/097,029 US5536588A (en) | 1992-08-27 | 1993-07-27 | Amorphous organic thin film element and amorphous organic polymer composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-228348 | 1992-08-27 | ||
| JP22834892 | 1992-08-27 | ||
| JP4022693A JPH06122277A (ja) | 1992-08-27 | 1993-03-01 | アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122277A true JPH06122277A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=26379666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4022693A Pending JPH06122277A (ja) | 1992-08-27 | 1993-03-01 | アモルファス有機薄膜素子およびアモルファス有機ポリマー組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5536588A (ja) |
| JP (1) | JPH06122277A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO1995025149A1 (fr) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element organique electroluminescent |
| WO1997010617A1 (de) * | 1995-09-13 | 1997-03-20 | Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg | Photovoltaische zelle |
| US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
| WO2004043117A1 (ja) * | 2002-11-07 | 2004-05-21 | Nissan Chemical Industries,Ltd. | 電荷輸送性ワニス |
| JP2009267433A (ja) * | 2001-12-05 | 2009-11-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機太陽電池 |
| WO2011099606A1 (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | Fujifilm Corporation | Photoelectric element and imaging device and driving methods therefor |
| US9251923B2 (en) | 2004-04-30 | 2016-02-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Varnish containing good solvent and poor solvent |
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| US5645948A (en) * | 1996-08-20 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices |
| JPH11144773A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-05-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光再生型光電気化学電池 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-03-01 JP JP4022693A patent/JPH06122277A/ja active Pending
- 1993-07-27 US US08/097,029 patent/US5536588A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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