JPS5952702U - 単投双極形半導体スイツチ - Google Patents

単投双極形半導体スイツチ

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Publication number
JPS5952702U
JPS5952702U JP14780682U JP14780682U JPS5952702U JP S5952702 U JPS5952702 U JP S5952702U JP 14780682 U JP14780682 U JP 14780682U JP 14780682 U JP14780682 U JP 14780682U JP S5952702 U JPS5952702 U JP S5952702U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fet
line
sub
semiconductor switch
lines
Prior art date
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Granted
Application number
JP14780682U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS636882Y2 (ja
Inventor
輝雄 古屋
晋啓 折目
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP14780682U priority Critical patent/JPS5952702U/ja
Publication of JPS5952702U publication Critical patent/JPS5952702U/ja
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の単投双極形半導体スイッチの構成を示す
斜視図、第２図は一般的なＦＥＴの説明に用いるＦＥＴ
の静特性を示す図、第３図ａ、　　ｂは一般的なマイク
ワストリップ線路から成る９０度コーナの説明に用いる
図で同図ａは９０度コーナの内部導体パターン図、同図
すは９０度コーナの等価回路図、第４図はこの考案の一
実施例にょる単投双極形半導体スイッチの構成を示す斜
視図である。 図中、１は半導体基板、２は地導体、３は主線路、４ａ
、　４ｂは第１及び第２の副線路、５はＦＥＴ１６はド
レイン電極、７ａ、７ｂは第１及び第２のソース電極、
８ａ、　８ｂは第１及び第２のゲート電極、−９は長さ
７波長の高インピーダンス線路、１０は貫通導体、ｌｌ
ａ、ｌｌｂはバイアス回路、１２ａ、１２ｂは特性曲線
、１３は９０度コーナの内部導体パターン、１４は９０
度コーナで生じる！量、１５は長さ÷波長以下の高イン
ピーダンス線路である。なお、図中同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示しである。 第１図 第２図

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）半導体基板に構成したＦＥＴと、上記半導体基板
    に構成したマイクロストリップ線路とを接続して成る単
    双極形半導体スイッチにおいて、上記マイクロストリッ
    プ線路から成る主線路、第１の副線路及び第２の副線路
    の先端を開放端とし、上記主線路と上記第１及び第２の
    副線路とがそれぞれ直交するように、上記第１及び第２
    の副線路の先端と上記主線路の先端に近い側面とを臨接
    して配置するとともに、上記隣接部の主線路を上記ＦＥ
    Ｔのドレイン電極とし、同じく隣接部の上記第１及び第
    ２の副線路をそれぞれ上記ＦＥＴの第１及び第２のソー
    ス電極とし、上記ＦＥＴのドレイン電極と第１のソース
    電極の間に第１のゲート電極を形成し、同じくＦＥＴの
    ドレイン電極と第２のソース電極の間に第２のゲート電
    極を形成し、上記主線路の先端には一端が接置された１
    波長以下の長さの高インピーダンス線路を付加し、上記
    ＦＥＴの第１及び第２のゲート電極にはそれぞれバイア
    ス電圧を印加する手段を具備した事を特徴とする単投双
    極形半導体スイッチ。
  2. （２）上記ＦＥＴのドレイン電極と第１のソース電極間
    及びドレイン電極と第２のソース電極間をそれぞれイン
    タディジタル構成とし、上記インタディジタル部にそれ
    ぞれ上記ＦＥＴの第１及び第２のゲート電極を折り曲げ
    構造で形成したことを特徴とする実用新案登録請求の範
    囲第（１）項記載の単投双極形半導体スイッチ。
JP14780682U 1982-09-29 1982-09-29 単投双極形半導体スイツチ Granted JPS5952702U (ja)

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JP14780682U JPS5952702U (ja) 1982-09-29 1982-09-29 単投双極形半導体スイツチ

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JP14780682U JPS5952702U (ja) 1982-09-29 1982-09-29 単投双極形半導体スイツチ

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JPS5952702U true JPS5952702U (ja) 1984-04-06
JPS636882Y2 JPS636882Y2 (ja) 1988-02-27

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ID=30328582

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SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element

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JPS636882Y2 (ja) 1988-02-27

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