JPS5952702U - 単投双極形半導体スイツチ - Google Patents
単投双極形半導体スイツチInfo
- Publication number
- JPS5952702U JPS5952702U JP14780682U JP14780682U JPS5952702U JP S5952702 U JPS5952702 U JP S5952702U JP 14780682 U JP14780682 U JP 14780682U JP 14780682 U JP14780682 U JP 14780682U JP S5952702 U JPS5952702 U JP S5952702U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- line
- sub
- semiconductor switch
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来の単投双極形半導体スイッチの構成を示す
斜視図、第2図は一般的なFETの説明に用いるFET
の静特性を示す図、第3図a、 bは一般的なマイク
ワストリップ線路から成る90度コーナの説明に用いる
図で同図aは90度コーナの内部導体パターン図、同図
すは90度コーナの等価回路図、第4図はこの考案の一
実施例にょる単投双極形半導体スイッチの構成を示す斜
視図である。 図中、1は半導体基板、2は地導体、3は主線路、4a
、 4bは第1及び第2の副線路、5はFET16はド
レイン電極、7a、7bは第1及び第2のソース電極、
8a、 8bは第1及び第2のゲート電極、−9は長さ
7波長の高インピーダンス線路、10は貫通導体、ll
a、llbはバイアス回路、12a、12bは特性曲線
、13は90度コーナの内部導体パターン、14は90
度コーナで生じる!量、15は長さ÷波長以下の高イン
ピーダンス線路である。なお、図中同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示しである。 第1図 第2図
斜視図、第2図は一般的なFETの説明に用いるFET
の静特性を示す図、第3図a、 bは一般的なマイク
ワストリップ線路から成る90度コーナの説明に用いる
図で同図aは90度コーナの内部導体パターン図、同図
すは90度コーナの等価回路図、第4図はこの考案の一
実施例にょる単投双極形半導体スイッチの構成を示す斜
視図である。 図中、1は半導体基板、2は地導体、3は主線路、4a
、 4bは第1及び第2の副線路、5はFET16はド
レイン電極、7a、7bは第1及び第2のソース電極、
8a、 8bは第1及び第2のゲート電極、−9は長さ
7波長の高インピーダンス線路、10は貫通導体、ll
a、llbはバイアス回路、12a、12bは特性曲線
、13は90度コーナの内部導体パターン、14は90
度コーナで生じる!量、15は長さ÷波長以下の高イン
ピーダンス線路である。なお、図中同一あるいは相当部
分には同一符号を付して示しである。 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)半導体基板に構成したFETと、上記半導体基板
に構成したマイクロストリップ線路とを接続して成る単
双極形半導体スイッチにおいて、上記マイクロストリッ
プ線路から成る主線路、第1の副線路及び第2の副線路
の先端を開放端とし、上記主線路と上記第1及び第2の
副線路とがそれぞれ直交するように、上記第1及び第2
の副線路の先端と上記主線路の先端に近い側面とを臨接
して配置するとともに、上記隣接部の主線路を上記FE
Tのドレイン電極とし、同じく隣接部の上記第1及び第
2の副線路をそれぞれ上記FETの第1及び第2のソー
ス電極とし、上記FETのドレイン電極と第1のソース
電極の間に第1のゲート電極を形成し、同じくFETの
ドレイン電極と第2のソース電極の間に第2のゲート電
極を形成し、上記主線路の先端には一端が接置された1
波長以下の長さの高インピーダンス線路を付加し、上記
FETの第1及び第2のゲート電極にはそれぞれバイア
ス電圧を印加する手段を具備した事を特徴とする単投双
極形半導体スイッチ。 - (2)上記FETのドレイン電極と第1のソース電極間
及びドレイン電極と第2のソース電極間をそれぞれイン
タディジタル構成とし、上記インタディジタル部にそれ
ぞれ上記FETの第1及び第2のゲート電極を折り曲げ
構造で形成したことを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第(1)項記載の単投双極形半導体スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14780682U JPS5952702U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 単投双極形半導体スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14780682U JPS5952702U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 単投双極形半導体スイツチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5952702U true JPS5952702U (ja) | 1984-04-06 |
JPS636882Y2 JPS636882Y2 (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=30328582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14780682U Granted JPS5952702U (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 単投双極形半導体スイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5952702U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7956349B2 (en) | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP14780682U patent/JPS5952702U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS636882Y2 (ja) | 1988-02-27 |
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