JPS5946001U - 単投多極形半導体スイツチ - Google Patents

単投多極形半導体スイツチ

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Publication number
JPS5946001U
JPS5946001U JP14065782U JP14065782U JPS5946001U JP S5946001 U JPS5946001 U JP S5946001U JP 14065782 U JP14065782 U JP 14065782U JP 14065782 U JP14065782 U JP 14065782U JP S5946001 U JPS5946001 U JP S5946001U
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JP
Japan
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fet
line
drain electrode
electrode
multipole
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JP14065782U
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JPS636881Y2 (ja
Inventor
輝雄 古屋
晋啓 折目
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の単投多極形半導体スイッチの構造を示す
斜視図、第２図は一般的なＦＥＴの説明に用いるＦＥＴ
の静特性を示す図、第３図ａ、　ｂは一般的なマイクロ
ストリップ線路から成る９０度コーナ部の説明に用いる
図、第４図は、この考案の一実施例による単投多極形半
導体スイッチの構造を示す斜視図である。 図中、１は半導体基板、２は地導体、３は主線路、４ａ
、　４ｂは第１及び第２の副線路、５はＦＥＴ１６はド
レイン電極、７ａ、７ｂは第１及び第２のソース電極、
＄ａ、　８ｂは第１及び第２のゲート電極、９ａ、　　
ｇｂはバイアス回路、１０は特性曲線、１１は特性曲線
、１２ａ、１２ｂは９０、度コーナの内部導体パターン
、１３はカット面、０は凹部の中心、Ｙｌ、Ｙ２は凹部
、４９口は延長線である。なお、図中同一あるいは相当
部分には同一符号を付して示しである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板に構成したドレイン電極を有するＦＥＴと、
    上記半導体基板に構成したマイクロストリップ線路とを
    接続して成る単投多極形半導体スイッチにおいて、上記
    ドレイン電極を上記マイクロストップ線路から成る主線
    路に接続し、上記主線路に対して直角に配置された上記
    マ・イクロストリップ線路から成る第１、第２図の副線
    路を上記ＦＥＴの第１、第２のソース電極とそれぞれ接
    続し、上記ＦＥＴのドレイン電極と第１のソース電極間
    に第１のゲート電極を、同じくドレイン電極と第２のソ
    ース電極間に第２のゲート電極をそれぞれ折り曲げ構造
    で形成し、上記ＦＥＴのドレイン電極及び第１、第２の
    ソース電極を上記第１、第２のゲート電極に併せて凹凸
    構造で形成し、上記ＦＥＴの第１のソース電極における
    凹部の中心を結ぶ延長線と、同じ（ＦＥＴの第２のソー
    又電極における凹部の中心を結ぶ延長線とが、上記主線
    路の反対側で交わる構成とし、上記ＦＥＴの第１第２の
    ゲート電極にはそれぞれバイアス電圧を印加する手段を
    具備した事を特徴とする単投多極形半導体スイッチ。
JP14065782U 1982-09-17 1982-09-17 単投多極形半導体スイツチ Granted JPS5946001U (ja)

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JPS5946001U true JPS5946001U (ja) 1984-03-27
JPS636881Y2 JPS636881Y2 (ja) 1988-02-27

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