JPS5956761U - 半導体スイツチ - Google Patents

半導体スイツチ

Info

Publication number
JPS5956761U
JPS5956761U JP15258382U JP15258382U JPS5956761U JP S5956761 U JPS5956761 U JP S5956761U JP 15258382 U JP15258382 U JP 15258382U JP 15258382 U JP15258382 U JP 15258382U JP S5956761 U JPS5956761 U JP S5956761U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fet
semiconductor switch
electrode
drain electrode
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15258382U
Other languages
English (en)
Inventor
輝雄 古屋
晋啓 折目
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP15258382U priority Critical patent/JPS5956761U/ja
Publication of JPS5956761U publication Critical patent/JPS5956761U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体スイッチの構成を示す斜視図、第
・２図は一般的なＦＥＴの説明に用いる′ＦＥＴの静特
性を示す図、第３図はこの考案の一実施例による半導体
スイッチの構成を示す斜視図である。 図中、１は半導体基板、２は地導体、３ａ及び３ｂは第
１及び第２の線路、４はＦＥＴ、５はドレイン電極、６
ａ、　　６ｂは第１及び第２のソース電極、７ａ、　　
７ｂは第１及び第２のゲート電極、８はバイアス回路で
ある。なお、図中同一あるいは相当部分には同−符漫を
付して示しである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板に構成したＦＥＴと、上記半導体基板に構成
    したマイクロストリップ線路とを接続して成る半導体ス
    イッチにおいて、上記マイクロストリップ線路から成る
    第１及び第２の線路の先端が互いに対向する様に配置し
    、かつ上記第１及び第２の線路の先端に上記ＦＥＴの第
    １及び第２の、　　ソース電極をそれぞれ接続し、上記
    第１疎び第２のソース電極間に共通に設けられたドレイ
    ン電極を配置し、上記ＦＥＴの第１のソース電極とドレ
    ゛　　　　イン電極間及び同じく第２のソース電極とド
    レイン電極間をインターディジタル構成とすると共に、
    上記インターディジタル構成内に上記ＦＥＴのゲート電
    極を上記同様に折り曲げて配置し、さらに上記ＦＥＴの
    ゲート電極にバイアス電圧を印加する手段を具備した事
    を特徴とする半導体スイッチ。
JP15258382U 1982-10-07 1982-10-07 半導体スイツチ Pending JPS5956761U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15258382U JPS5956761U (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体スイツチ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15258382U JPS5956761U (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体スイツチ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5956761U true JPS5956761U (ja) 1984-04-13

Family

ID=30337813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15258382U Pending JPS5956761U (ja) 1982-10-07 1982-10-07 半導体スイツチ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5956761U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5956761U (ja) 半導体スイツチ
JPS5942602U (ja) 半導体移相器
JPS6055101U (ja) 半導体スイッチ
JPS59149702U (ja) 半導体移相器
JPS592159U (ja) トランジスタ装置
JPS5952702U (ja) 単投双極形半導体スイツチ
JPS5952701U (ja) 単投双極形半導体スイツチ
JPS6066066U (ja) 半導体装置
JPS60109290U (ja) 電子機器の高電圧保護装置
JPS607076U (ja) 検電器
JPS58180646U (ja) 電界効果トランジスタ
JPS5946001U (ja) 単投多極形半導体スイツチ
JPS5980950U (ja) リレ−接点保護回路
JPS58147314U (ja) モノリシツク電界効果トランジスタ増幅器
JPS5872848U (ja) マイクロ波回路素子
JPS59121851U (ja) モノリシツクトランジスタ増幅器
JPS59195702U (ja) 高電圧用抵抗器
JPS5952715U (ja) 差動回路
JPS6052714U (ja) モノリシツク並列帰還型ｆｅｔ増幅器
JPS6083247U (ja) マイクロ波集積回路化トランジスタ回路
JPS6047200U (ja) サンプルホ−ルド回路
JPS60190033U (ja) 高周波回路
JPS60189122U (ja) 包絡線検波回路
JPS591218U (ja) 高周波回路
JPS6134746U (ja) 電子部品