JPH0447609A - 透明導電体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野］ 本発明は、キャリアーテープおよびそのカバーテープ等
の電子部品などの包装材料やオーバーへッドブロジエク
タ用フィルム、スライドフィルムなどの電子写真記録材
料等の帯電防止フィルム、さらには透明タッチパネル、
エレクトロルミネッセンスデイスプレィ、液晶デイスプ
レィなどの入力および表示デバイス表面の帯電防止や透
明電極として利用される透明導電体に関するものである
。

［従来の技術］ 従来の透明導電性フィルムまたは透明感電性ガラスとし
ては、プラスチックフィルムまたはガラス上にイオンビ
ームスパッタ装置や真空蒸着装置を用いて、金、白金な
どの金属薄膜または酸化インジウム・すず（以下ＩＴ○
と呼ぶ）などの金属酸化物薄膜を形成したものが用いら
れている。また、帯電防止を目的とする透明感電性フィ
ルムとしては、透明もしくは半透明な界面活性剤、つま
りはアニオン系活性剤、カチオン系活性剤、非イオン系
活性剤、両性活性剤などをプラスチックフィルム中に練
り込んだり、プラスチックフィルムおよびガラス表面に
コーティングすることにより、親水性とイオン性を与え
て基材表面に導電性を付与したものが使用されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかして、上記透明導電体において金属や金属酸化物の
薄膜を形成したものは、その薄膜を形成するイオンビー
ムスパッタ装置や真空蒸着装置が高価であるとともに、
該薄膜が金、白金などの貴金属薄膜やＴＴＯ薄膜などで
あるために高価であり、したがって得られる透明導電性
フィルムも高価なものであった。また界面活性剤を用い
た透明導電体では、その導電機構が基材表面に親水性と
イオン性を付与し、大気中の水分を吸着して導電性を得
ているためにその導電性が大気中の湿度の影ｌ！ｌｌｌ
を受は易く、しかも単位面積だ当り１０ｇΩ以下の導電
性を得ることができないという問題があった。

このような問題に対し、バインダー樹脂中に７゜７．８
．８−テＩ〜ラシアノキノジメタン錯体（以ドＴＣＮＱ
錯体と呼ぶ）を配合し、この配合物を電気絶縁性高分子
フィルムの表面に形成することによって透明導電化する
方法が特開昭６３−２７６８１５に提案されている。こ
の方法によって得られる透明導電性フィルムは、その導
電機構が針状結晶の析出による網目状の導電径路による
ものであるため、その表面抵抗が大気の湿度等に影響さ
れることがなく、比較的高い導電性を有する透明導電性
フィルムが得られるという利点がある。

しかし、この網目状の導電径路は析出した針状結晶の接
触によるものであるため、この結晶成長の状態が溶剤の
揮発速度や乾燥時の温度分布の影響を受は易く、これに
よって単位面積中の導電径路数が不均一となるため表面
抵抗のばらつきが大きく、均一な表面抵抗が得られない
。しかも高温（たとえば１４０℃の加熱）または高温高
湿条件（例えば６０℃、９５％ＲＨ）の条件下において
、該針状結晶の結合点が少しでも劣化するとその導電径
路が著しく減少して導電性が大幅に低下するという問題
があった。

すなわち、上記”１．’　ＣＮ　Ｑ　ｔｆｆｔ体として
、例えばＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウムＴＣＮＱ錯体
を単独で用い、上記高分子マトリックスの溶媒溶液中に
該高分子マ＋−リックスの固形分１００重量部に対して
３〜１００重量部溶解して、透明基材の面」二にグラビ
アコーター、ロールコータ−１またはスピンコーターな
どを用いて薄膜を形成させると、該薄膜内にＴＣＮＱ錯
体が微細な針状結晶とじて析出し、第５図のように網目
状の連鎖である感電径路が成長して導電性が得られる。

しかし、この場合、結晶成長の状態が溶剤の揮発速度や
乾燥時の温度分布の影響を受けるため、単位面積あたり
の導電径路数が不均一となって表面抵抗のばらつきが大
きくなるとともに、網目状連鎖である導電径路の結晶の
結合点が高温高湿条件下において劣化を受け、著しく抵
抗が」二昇するという問題点が認められた。

これらの問題点を解決するために、本発明者らは先に７
．７，８．８−テトラシアノキノジメタン錯体納品を含
む高分子膜を形成させた透明導電体において、上記７，
７，８．８−テトラシアノキノジメタン錯体を２種以上
の結晶形の異なる錯体とすることを特徴とする特願平１
．−２０６８４５を提案している。この方法は、高分子
マトリックス中に例えば針状、板状など２種以上の結晶
形の異なるＵ’　ＣＮ　Ｑ錯体を配合することによって
、該導電性高分子膜において、前記の形状とは異なる形
状の結晶が密に析出し、従来知られている結晶形が針状
形のみである配合と比較して、単位面積中における結晶
相互の接触点数が増大し、導電性高分子膜の体積固有抵
抗および表面固有抵抗を低くすることができるとともに
、」二記接触点数の増大により、表面抵抗のばらつきが
小さくなり、さらには高温または高温高湿条件下におけ
る抵抗値の」二昇も少なくなるというものである。しか
して、上記した非置換の７．７．８．８−テ１へラシア
ノキノジメタン錯体は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシドおよびシクロヘキサノンなどの
強極性プロトン溶剤以外のほとんどの溶剤に対し、常温
で不溶ないし難溶であり、実際の加工において塗工液と
する場合にはこれらの強極性プロトン溶剤を使用せざる
を得ず、その塗工液の設計における自由度がいちじるし
く小さいものであると同時に、これらの強極性プロ１〜
ン溶剤が一般の汎用溶剤に比較して高価であることから
、得られる透明導電性フィルムのコストが高くつくとい
う問題点があった。さらにはこれら強極性プロ１−ン溶
剤がその極性から吸水性が高く、溶剤が吸水することに
より、この水分が７，７゜８，８−テトラシアノキノジ
メタン錯体の解離を促進する触媒の機能を有することか
ら、塗工液の寿命が短く、長期の保存における表面抵抗
の安定性がないという問題点があった。

よって、本発明は表面抵抗のばらつきが小さく、かつ高
温高湿条件下においても導電性低下が少ないと同時に、
塗工液の寿命が長く、溶剤選択の自由度が大きいことか
ら、より低コス１〜の透明導電性フィルムを供給するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 木登明考らは、かかる課題を解決するために、透明導電
性高分子膜の組成について種々の検討を行なった結果、
プラスチックフィルムの一面にＴＣＮＱＮ体結晶を含有
する高分子膜を形成した透明導電体において、該錯体結
晶が少なくとも２種以上の結晶形錯体から成り、該錯体
の少なくとも］種がアルキル基置換７，７，８．８−テ
トラシアノキノジメタンであることを特徴とする透明導
電体とすればよいことを見出し本発明を完成させた。

［発明の構成］ 以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。

本発明に用いるアルキル基置換７，７，８．８−テトラ
シアノキノジメタン錯体（以下Ｒ−ＴＣＮＱｆＡｔ体と
呼ぶ）はアルキル置換算７，７，８゜８−テ１へラシア
ノキノジメタン（Ｒ−ＴＣＮＱｏ）と適当なるドナー（
Ｄｌ）の種類によって体積固有抵抗が１０−３〜１０＋
６Ω・Ｃの広い範囲にわたることが知られている。ここ
で、アルキル基とは炭素数１〜３の低級アルキル基を意
味し、具体的にはメチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ、エチル−ＴＣ
ＮＱ、ｎ　−プロピル−ＴＣＮＱ、イソ−プロピル−Ｔ
ＣＮＱである。これらアルキル基が炭素数が４以」二の
高級アルキル基であるＲ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ多ＩＹ体では、
その疎水性および汎用溶剤への溶解性が向」ニする反面
、アルキル基の分子構造が嵩高くなることにより錯体の
結晶性が悪く、フィルム」二に塗工した際の結晶化が起
こりにくくなり、導電性が低下してしまうことから好ま
しくない。また同様に、アルキル基以外の疎水性官能基
としてパーフロロアルキル基やオルガノシリル基か考え
られるが、これらの官能基を導入することは非常に難し
く、得られるＲ−ＴＣＮ　Ｑが非常に高価なものとなる
とともに、上記した分子の大きさの理由から、その導電
性が低下するためあまり好ましくない。本発明のドナ（
Ｄ＋）は、テトラチオフルバレンに代表される化合物が
数多く知られているが、熱安定性および導電性の優れた
キノリン、イソキノリン、２゜２−ビピリジル、４，４
−ビピリジル、またはそのＮ位を炭素数１〜８のアルキ
ル基で置換した化合物が好ましく、さらにはキノリン、
イソキノリンのＮ位を炭素数１へ・８のアルキル基で置
換した化合物が好ましい。本発明に用いるこのようなＲ
−ｒ　ＣＮ　Ｑ　８１体としては、Ｎ−メチル（イソ）
キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ鉗体、錯体メチル（イ
ソ）キノリニウム−エチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体、Ｎ−
メチル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピルｒｃＮＱｔ
ｌｔ体、Ｎ−エチル（イソ）キノリニウム−メチル−Ｔ
ＣＮＱ鉗体、錯体エチル（イソ）キノリニウム−エチル
−ＴＣＮＱ鉗体、錯体エチル（イソ）キノリニウム−Ｄ
−プロピル＝ＴＣＮＱｆｌｔ体、Ｎ−ｎ−プロピル（イ
ソ）キノリニウムメチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ　−ｎ−プ
ロピル（イソ）キノリニウム−エチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　
錯体、Ｎｎ−プロピル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロ
ピル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎ−イソ−プロピル（イソ）
キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ鉗体、錯体イソプロピ
ル（イソ）キノリニウム−エチル−’Ｉ”　ＣＮ１ｌｔ
体、Ｎ−イソ−プロピル（イソ）キノリニウム−ｎ−プ
ロピル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎ　−ｎ−ブチル（イソ）
キノリニウム−メチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｔｉｔ体、Ｎ　
−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−エチル−７Ｉ”　
ＣＮ　Ｑ　ｔｉｌｔ体、Ｎ　−ｎ−ブチル（イソ）キノ
リニウム−ｎ−プロピル−’「ＣＮ　Ｑ錯体、Ｎブチル
（イソ）キノリニウム−イソ−プロピルＴ　ＣＮ　Ｑ　
錯体、Ｎ−イソ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル
−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ−ブチル（イソ）キノリニウ
ム−エチル−］”ＣＮ　Ｑ　余ｉ−を体、Ｎ−イソ−ブ
チル（イソ）キノリニウム−ｎプロピル−ＴＣＮＱ錯体
、Ｎ−イソ−ブチル（イソ）キノリニウム−イソ−プロ
ピル−ＴＣＮＱ　ｔ４を体、Ｎ−ｎ−アミル（イソ）キ
ノリニウムーメチルーゴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−アミル（
イソ）キノリニウムエチルー１’　ＣＮ　Ｑ鉛体、Ｎ−
ｎアミル（イソ）キノリニウム−ｎ−プロピル−ＴＣＮ
　Ｑ　Ｉｔ体、Ｎ−ｎ−アミル（イソ）キノリニウムー
イソーブロピルーゴＣＮ　Ｑ鉛体、Ｎ−イソ−アミル（
イソ）キノリニウム−メチル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−イソ
−アミル（イソ）キノリニウムエチル−１’　ＣＮ　Ｑ
鉛体、Ｎ−イソ−アミル（イソ）キノリニウム−Ｔ１−
プロピル−ＴＣＮＣ１ｔ体、Ｎイソ−アミル（イソ）キ
ノリニウム−イソ−プロピル−ＴＣＮＱ錯体、Ｎ−ｎ−
オクチル（イソ）キノリニウム−メチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ
　ｔｌａ体、Ｎ−ｎオクチル（イソ）キノリニウム−エ
チル−ＴＣＮＱ　ｔｕｆｆ体、Ｎ−ｎ−オクチル（イソ
）キノリニウム−ｎ−プロピル−Ｔ”　ＣＮ　Ｑ錯体、
Ｎ−ｎ−オクチル（イソ）キノリニウム−イソ−プロピ
ル−ＴＣＮの錯体が例示され、さらには上記したアルキ
ルイソキノリニウム系Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｔ’ｌｔ体の
アルキルイソキノリニウムをアルキルモルホリニウム、
およびアルキル−α−ピコリニウムの各ドナーに置き換
えたアルキルモルホリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体、およ
びアルキル−α−ピコリニウム系Ｒ’Ｉ’ＣＮＱｆｆｉ
バ体が例示される。Ｒ−］’　ＣＮ　Ｑ鉛体は電子供与
体であるドナー（Ｄ”″）と電子受容体のモル比が１＝
１と１：２のものがあり、（イソ）キノリン系化合物を
電子受容体とするＲ　−Ｔ　ＣＮＱｒＪ体は１：２錯体
がより感電性が大きいことから好ましい。なお上記例示
中で（イソ）キノリンはキノリンおよびイソキノリンを
意味する。２モルのＲ−ＴＣＮＱ錯体はＲ−ＴＣＮＱア
ニオンラジカル１モルと電気的に中性のＲ−ＴＣＮＱＩ
モルから成っている。本発明において、より導電性を安
定させるためには中性分子のＲ−ＴＣＮＱを０．１〜１
０重量％過剰に添加するのが好ましい。

本発明に使用する錯体は、」１記したエバ体のうち結晶
形の異なる２種以七の錯体を混合して用いることにより
その効果を得ることができるが、これら結晶形の異なる
Ｔ　Ｇ　Ｎ　Ｑ鉛体の組み合せの具体例としては、 （，１，）ｌ記の例示錯体におけるアルキル（イソ）キ
ノリウム系Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体の少なくとも１種とア
ルキルモルホリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱ錯体の少なくとも
１種から成る混合錯体、 （２）」―記の例示錯体におけるアルキル（イソ）キノ
リウム系Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ鉛体の少なくとも１種とアル
キル−α−ピコリニウム系Ｒ−ＴＣＮＱｍ体の少なくと
も１種から成る混合錯体、（３）」―記の例示錯体にお
けるアルキルモルホリニウム系Ｒ−′ｒ　ＣＮ　Ｑ　＃
ｊ体の少なくとも１種とアルキル−α−ピコリニウム系
Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑｍ体の少なくとも１種から成る混合錯
体、 （４）に記例示（１）〜（３）に示された２種のＲ−Ｔ
　ＣＮ　Ｑ錯体の各組み合せにおいて、そのどちらか一
方がアルキル基未置換のＴＣＮＱ錯体である混合錯体が 例示される。また、１−記した同一系列のＲ−ＴＣＮ　
Ｑ　錯体のなかにおいても、結晶形の異なるものがある
ことから、これらを絹み合せても良い。

さらに、具体的な組み合せとしては、 （ｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムメチル−Ｔ
ＣＮＱ錯体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウ
ム−メチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体の混合錯体、 （ｊｉ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）ギノリニウムメチルー
ＴＣＮＱ錯体とＮ−ｎ−ブチル−α−ピコリニウムーメ
チルーゴ”ＣＮＱ錯体の混合錯体、（ｉｉｉ）Ｎ−ロー
ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メチル−Ｔ　ＣＮ
　Ｑ鉛体とＮ−ｎ−ブチルα−ピコリニウム−メチル−
Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｒＪ体の混合錯体、 （ｉｖ）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムメチル−
ＴＣＮＱｔｉｉｔ体とＮ−ｎ−オクチル（イソ）キノリ
ニウム−メチル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体の混合錯体、（ｖ
）Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムＴＣＮ　Ｑ　Ｎ
ｔ体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メ
チル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｒＪ体の混合錯体、（ｖｉ）Ｎ−
ｎ−ブチル（イソ）キノリニウムメチル−１’　ＣＮ　
Ｑ錯体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホリニウＡ　
Ｔ　ＣＮ　Ｑ　１１７１体の混合錯体、などか挙げられ
、」―記６例以外の結晶形の異なる３種以」二のＬ”　
ＣＮ　Ｑ　錯体を組み合せても良い。

また、上記したアルキル基置換７，７，８．８−テＩ〜
ラシアノキノジメタン錯体は、その導電性が）′ルキル
基未置換のＴ　ＣＮ　Ｑ錯体に比較して低ドする傾向が
あるために、必要な導電性を満足することができない場
合などにおいては、上記したい）〜（ｊｖ）の各組み合
せに未置換の７，７゜８．８−テトラシアノキノジメタ
ン錯体、例えばＮ　−ｎ−フ゛チル（イソ）キノリニウ
ムＴＣＮＱ錯体なとはその導電性が高く、比較的安価で
あることから、これを添加することによって目的とする
導電性を得れば良く、さらには１−記例示の（Ｖ）、（
■１）のように用いるＲ−ｒｃＮＱｍ体の組み合せの−
・方を結晶形の異なるアルキル基未置換のＴｃ　Ｎ　Ｃ
，！　Ｍ１体としても良い。

次しこ、結晶形の異なるＲ−ＴＣＮＱ鉗錯体組み合わせ
る時のこれらの配合比率の効果について説明する。高分
子７１−リックスへのＲ−１’　ＣＮ　Ｑ錯体混合物の
配合割合を、例えば高分子７１〜リツクス１００重量部
に対してＲ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　ｒＪ体混合物８０重量部と
一定にして、Ｎ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メ
チル−ＴＣＮ　Ｑ　ｔｉｌｔ体とＮ−Ｄブチル−Ｎ−メ
チルモルホルニウム−メチル−ＴＣＮ　Ｑ　１１７１体
、およびＮ−ｎ−ブチル（イソ）キノリニウム−メチル
−１’　ＣＮ　Ｑ　Ｓｉｔ体とＮ−ｎ−ブチル−Ｎ−メ
チルモルホリニウムｉ”　ＣＮ　Ｑ錯体と各組み合せに
おいて、その配合比率を変化させたものをそわぞれ基板
」―にコーティングして塗工膜厚Ｑ、１７ｚｍの高分子
膜を形成させたとき、これら上記絹み合せにおける２種
のＲ−ＴＣＮＱ鉗体お錯体Ｒ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体とＴ
　ＣＮ　Ｑ　６１１体の配合比率と、得られた基板の表
面抵抗との関係は第１ａ図および第１−ｂ図に示すとお
りである。横軸の錯体■はＮ−ｎ−ブチルイソキノリウ
ム−メチル−ＴＣＮＱ錯体の量の割合、錯体■はＮ−ｎ
−ブチル−Ｎメチルモルホリニウム１−メチルー−ｒ　
ＣＮ　Ｑ　ｆａｔ体の址の割合である。第２図に、透明
基材１の」二に透明導電性高分子膜２を形成した透明導
電体３の縦断面を示す。これら結晶形の異なるＲ−ＴＣ
ＮＱ錯体およびＲ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　＠体とＴＣＮＱ鉗体
の錯体比率は、混合によって最も低い表面抵抗が得られ
るように選定すればよい。本発明者らの実験結果によれ
ば、結晶形の異なる２種のＲ−ＴＣＮＱおよびＲ−Ｔ　
ＣＮ　ＱとＴＣＮＱ錯体の配合比率は重量比で１：９〜
９：１−の範囲、好ましくは２：８〜８：２の範囲であ
る。

本発明において透明導電性高分子膜の形成に使用される
高分子７１−リックスとしては、使用される基材との密
着性、および透明性が高いことが必要であり、ざらに該
高分子膜を形成する手法は後述のようにコーティングに
より形成されることから、該高分子７１−リツグスは汎
用溶剤に溶解するものである必要がある。このような高
分子マトリックスとしては、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリアクリレ−１〜、ポリエステル、アルキド樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、ボリスチレ
ン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、スチレン
−ブタジェン−スチレン共重合樹脂、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合樹脂の使用が好ましい。

」二記高分子マトリックスとＲ−Ｔ　ＣＮ　Ｑ混合錯体
とを溶解して溶液を得るための溶剤は、従来の未置換Ｔ
ＣＮＱ鉗体を錯体する溶剤であるジメチルホルムアミド
、ジメチルアセ１〜アミド、プロピレンカーボネート、
γ−ブチロラク１−ン、ジメチルスルフオキシド、スル
ホラン、フォルムアマイド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、アセトニトリル、プロピオニ１〜リル、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケ１〜ンなどに加えて、汎用溶剤
であるベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭
化水素溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエ
タン等のハロゲン化炭化水素溶剤、メチルアルコール、
エチルアルコールなどのアルコール系溶剤、テトラヒド
ロフラン、］、４ジオキサンなどのエーテル系溶剤、酢
酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶
剤等の単一または混合溶剤として、コーティング成膜時
の揮発性などを考慮して選択すればよく、さらには錯体
の安定性の面から、脱水・蒸留し精製したものを使用す
るのが望ましい。

前記高分子マトリックスを上記溶剤に溶解し、高分子マ
トリックス１００重量部に対して、結晶形の異なる２種
以上のＲ−ＴＣＮＱ錯体またはＲ−ＴＣＮＱ錯体とＴＣ
ＮＱ錯体の錯体混合物（以下混合錯体と呼ぶ）２〜２０
０重量部、好ましくは５〜］、　Ｏ０重量部を分散溶解
させる。この際、スパイラルミキサー、プラネタリ−ミ
キサー、ディスパーサ−、ハイブリッドミキサーなどの
ブレード型攪拌混練装置が好適に用いられる。なお、こ
の後さらにボールミル、振動ミル、サンドミルなどのポ
ール型混線装置を用いて分散溶解を徹底化するのが望ま
しい。これらの混練装置は、もしこれが鋼鉄性または調
合金製などの場合には該錯体がキレートを形成して変質
し、製膜後の表面抵抗がいちじるしく高くなるので、ク
ロムめっき製またはステンレス鋼製の装置を使用するこ
とが望ましい。この高分子マトリックス−溶剤−混合錯
体の混合溶液（以下ＴＱ塗工液と呼ぶ）は、グラビアコ
ーターなどを使用し、透明基材にコーティングすること
ができるが、この塗工機のコーティングヘッドも」二と
同様の理由でクロムめっき製とするのがよい。ＴＱ塗工
液を後述する厚さにコーティングするには、その粘度１
０００ｃＰ以下、望ましくは１〜１０００Ｐ、固形分量
１〜２０重量％の範囲に設定しておくことが好ましい。

」二記ＴＱ塗工液を塗工する透明基材としては透明性の
高い汎用のプラスチックフィルムまたはガラス板が用い
られる。これらプラスチックフィルムとしてはたとえば
ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ
プロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム、ポリカーボネー１−フィ
ルム、ボリアリレー１−フィルム、ポリフッ化ビニリデ
ンフィルム、ポリアミドフィルムなどがある。これらプ
ラスチックフィルムは、少なくともその一面に透明感電
性高分子膜を形成するため、該高分子膜の密着性を向」
ニさせる目的で」二記表面をコロナ放電処理またはプラ
ズマ処理を行なうことが好ましい。

また、ＴＱ塗工液によって形成される透明導電性高分子
膜は、その厚さが大きいと得られる透明導電体の透明性
が低下するので、なるべく薄いことが好ましく、サブミ
クロンから１０μｍの範囲、好ましくは０．１〜１μ■
の範囲とするのが良い。

以下実施例および比較例により、本発明を具体的に説明
する。

［実施例−１コ 透明基材として厚さ７５μｍのポリエステルフィルム「
ルミラー　Ｔタイプ］　（東しく株）製、商品名）を使
用した。高分子マトリックスとして、ガラス転移点９０
′Ｃ，環球法軟化点１８５℃の飽和共重合ポリエステル
「エリ−チル　ＵＥ−３６９０」　（ユニチカ（株）製
、商品名）１０重量部を、シクロへキサノン／トルエン
（７０／３０）の混合溶剤５００重量部に高速ディスパ
ーサ−を用いて溶解し、この中にＮ−ｎ−ブチルイソキ
ノリニウム−メチル−ＴＣＮＱｔｌｌｔ体（日東化学工
業（株）製、試作品）５．３重量部と、Ｎ　−ｎ−ブチ
ル−Ｎ−メチルモルホリニウム−メチル−ＴＣＮＱ錯体
（日東化学工業（株）製、試作品）２゜７重量部を添加
し、ディスパーサ−を用いて攪拌溶解後、サンドミル処
理を行い、さらに濾紙（ワラ１〜マンフイルターペーパ
ーＮｏ、３）によって濾過を行なった。得られた液１０
０重量部に１〜ルエンジイソシアネートートリメチルプ
ロパンアダクトプレポリマー「コロネートＴ、Ｊ（日本
ポリウレタン工業（株）製、商品名）０．２５重量部と
ブロッキング防止剤「モディパーＦＪ　　（日本油脂（
株）製、商品名）０．１重量部を添加した後、再度ディ
スパーサ−で攪拌し、粘度２０ｃＰの、コテイング溶液
を調整した。

上記該塗工液を線数１８０メツシユ、深度３５１Ｉ１１
のグラビア版をグラビアコーターに設置し、前記ポリエ
ステルフィルムの一面にコーティングし、乾燥塗膜の厚
さが０．１μｍの透明導電性高分子膜を形成させた。得
られたフィルムを加温エイジング（６０℃×７２時間）
した後、ＤＣｌｏｏＶを印加して表面抵抗を測定したと
ころ、単位面積当たり平均値が２．５ＸｉＯ’Ω、最大
値が３．０×１０６Ω、最小値が２．２Ｘ１０６Ωであ
って非常に安定しており、その光線透過率は９０％、ヘ
イズは１０以下であった。第４図は実施例−１で得られ
た透明導電性高分子膜中に析出したＲ−ＴＣＮＱ＃ｌｆ
体の結晶構造を示す偏向顕微鏡写真（倍率＝２００倍）
である。

［実施例−２］ 実施例−１で用いた飽和共重合ポリエステル１０重量部
に対し、実施例−１で用いた２種類のＲＴ　ＣＮ　Ｑ　
ｆｉｔ体のうち、Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリウム−メチ
ル−Ｔ　ＣＮ　Ｑ錯体をアルキル基未置換のＮ−ｎ−ブ
チルイソキノリウムＴＣＮＱ錯体とし、その他は実施例
−１と同様にして処理した。

厚さ０．１μｍの透明導電膜の形成されたフィルムを実
施例−１と同様にして測定したところ１表面抵抗は単位
面積当たり平均値が７．７Ｘ１０５Ω、最大値が８．４
ＸｉＯ’Ω、最小値が７．５Ｘ１０５Ωであった。

［比較例−１−］ 実施例−１で用いた飽和共重合ポリエステル１０重量部
に対し、実施例−１で用いた２種類のＲ−”Ｉ’　ＣＮ
　Ｑ錯体に代えてアルキル基未置換のＮｎ−ブチルイソ
キノリニウムＴＣＮＱ錯体（日東化学工業（株）製、試
作品）５．３重量部とＮｎ−ブチル−Ｎ−メチルモルホ
リニウムＴＣＮＱ錯体（日東化学工業（株）製、試作品
）２．７重量部を添加し、使用溶剤としてシクロヘキサ
ノン／メチルエチルケトン（８０／２０）の混合溶剤と
して、その他の条件は実施例−１−と同様として乾燥被
膜の厚さがＱ、１７１ｍの透明導電性高分子膜を形成さ
せた。得られたフィルムを実施例−１と同様にして測定
したところ、その表面抵抗は単位面積当たり平均値が４
．８Ｘ１０５Ω、最大値が５．０Ｘ１０”Ｑ、最小値が
４．．７Ｘ１０５Ｑであった・ 上記実施例−１と実施例−２および比較例−］−で得ら
れた各ＴＱ塗工液を２５℃５５％ＲＨの雰囲気中に投入
し、所定の時間ごとに各Ｔ”Ｑ塗工液を上記した方法と
同様の方法にて塗工し、０．１／ｊｍ透明導電性被膜を
形成して、その表面抵抗の経過日数による変化を測定し
た結果を第３図に示す。

その結果実施例−２では抵抗上昇が少なく、１５１」経
過しても実用」二の帯電防止フィルムに必要な単位面積
当たり１０′Ωの表面抵抗を維持しており、さらに実施
例−」では３０日経過しても単位面積当たり１０７Ωの
表面抵抗を維持していたのに対し、比較例−１では１０
日経過時に単位面積当たり１０１０Ω以上であり、１５
日経過時には単位面積当たり１０ｇΩ以上の表面抵抗で
あった。

［発明の効果］ 本発明で得られる透明導電体は、電子部品などの包装材
料、オーバーへラドプロジェクタ用フィルム、スライド
フィルムなどの電子写真記録材料等の帯電防止フィルム
、さらには透明タッチパネル、エレクＩ−ロルミネッセ
ンスディスプレイ、液晶デイスプレィなどの入力および
表示デバイス表面の帯電防止や透明電極として利用され
る透明導電性フィルムあるいは透明導電性ガラスなどと
して使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は高分子マトリックスに対するＲ−ＴＣＮＱ錯
体による混合錯体の配合部数を一定として、結晶形の異
なる２種の錯体の混合比率と表面抵抗との関係図を示す
。第１ｂ図は高分子マトリックスに対するＲ　−Ｔ”　
ＣＮ　Ｑ　錯体とＴ　ＣＮ　Ｑ　ｔｊｌｆ体による混合
錯体の配合部数を一定として、結晶形の異なる２種の錯
体の混合比率と表面抵抗との関係図を示す。第２図は本
発明の透明導電体の縦断面図を示す。第３図は実施例−
］−と実施例−２および比較例−１の各塗工液の２５℃
５５％ＲＨにおける経過日数に対する表面抵抗の変化図
を示す。 第４図は本発明の実施例−１で得られた透明導電性高分
子膜中に析出したＲ　−Ｔ　ＣＮ　Ｑ　錯体の結晶構造
を示す偏向顕微鏡写真（倍率：２００倍）である。第５
図はＮ　−ｎ−ブチルイソキノリニウムＴＣＮＱ錯体を
単独で用いた場合の透明導電性高分子膜中に析出したＴ
ＣＮＱ錯体の結晶構造を示す偏向顕微鏡写真（倍率：　
２００倍）である。 ・・透明基材、 透明導電性高分子膜、 透明導電体。 第 図 第 口’３７ ／゛比較例−１ 第 図 第 図 経過日数（日）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　透明な基材の少なくとも一面に、７，７，８，８−テ
   トラシアノキノジメタン錯体結晶を含む導電性高分子膜
   を形成させた透明導電体において、該錯体結晶が少なく
   とも２種の結晶形錯体から成り、該錯体の少なくとも１
   種がアルキル基置換７，７，８，８−テトラシアノキノ
   ジメタン錯体であることを特徴とする透明導電体。