TW492219B - Membrane probing system - Google Patents

Description

492219 五、發明說明（1) 發明背 本發明 總成’更具 有觸點，可 導體，以便 ，因而確保 電子生 路科技方面 基材或「晶 片或「小片 規則形配置 分別包裝， 圓上時，進 是把晶圓支 對於探測總 片運動至另 動力和地線 依序連接至 測試積 端造型之觸 周圍，以便 過晶圓上的 屈曲，以便 物累積。 係關於測試積體電路（I c)通常所用類型之探針 體而言，本發明係關於一種隔膜探測總成，具 以局部控制方式，淨洗各裝置個別輸入/輪/出 可靠擦拭通常在此等導體上可見之表面氡^物 探測總成與各裝置間有優良的電氣連接。 產趨向愈來愈小的幾何形狀，尤其是在積體電 ’其中有極大量的個別電路元件是製作在單一 圓」上。在製作後，此晶圓即分成許多矩形晶 」，各小片代表金屬化接觸墊片之矩形或 、’經此形成輸入/輸出連接。雖然各小片終 ，求效率起見，最好是在小片仍一同結合在晶 ί小片上所形成電路之測試。一種典型程序 ϋ平坦階台上或「夾頭」，在χ，γ，ζ方向相 一、頭部運動晶圓，使探測總成上的觸點從小 供接續與各小片結合。個別信號、 測試i器儀器灯進至探測總成，因而使各電路 :電ϊ:: 一種習知型探測總成，具有針狀尖 向内朝ί尖端女裝在探針卡所形成中央開口的 =^:徑向輻輳通過開口。當晶圓上升到超 向前溜過其個別塾片，因而除】塾； 1H8 <1

第6頁 492219 發明說明（2) 五 此種探測總成的問題是’針狀尖端由於其狭窄幾何形 狀，顯示高度電感，使得透過此等尖端所為高頻測量的信 號失真大。又，此等尖端可以创削工具的方式作用，掃過 其個別塾片，因而導致過度的墊片損失。此問題擴大到使 用中探針尖端變曲不成形的程度’或是無法到共同平面為 止’造成尖端更加向前，壓倒在其個別塾片上太重。又， 把此等尖端以中心點相隔1 0 0微米安裝’或以多排栅格狀 圖型女裝’以便順應更摩登、更南遂、度小片之塾片配覃， 並不切實際。又，此種探測總成有針狀尖端淨洗長度2 5微 米或以上，增加停留在容許探測面積内的困難。 為減少感應損失，降低墊片磨耗和順應更小裝置幾何 开> 狀’已開發出第二種探測總成，使用撓性隔膜結構以支 持探測觸點。在此總成點，在諸如聚醯亞胺或My 1 ar®等一 或夕層撓性絕緣膜上，形成充分界定幾何形狀的引線。 若使用分開層，則結合在一起形成例如多層傳輸線結構。 在此挽牲結構或隔膜的中央部位，各導電線是以形成於隔 ΐ i卜ί ϊ向外突出的個別探測觸點終止。此等探測觸點配 ϊί ::? ’配合裝置墊片的圖型，典型是形成隆起的 面i支持在墊片以習知方式界定之平坦表面。隔膜内 塔形，在此ί ΐ構上。此項結構可以採取例如截頭金字 除可能包圍ϊ=i緣部則以某一角拉離中心，，以便清 關於上述隔ii片之任何直立成份。 ^膜板測總成，可藉小心選擇引線的幾何形

第7頁 疋使用光蝕法對探測觸 以順應較向密度的造型 不同形式，但有關此種 墊片達成可靠清除氧化 之充分通電方面，還是 例如以Rath在歐洲專利 。此裝置具有直每安裝 。此堅固支持體從而利 連接於總成的主體，使 。Huff的美國專利 ’其中徑向延伸之板片 動，同時防止其傾斜， 錯開」，又整個隔膜可 洗」過其個別汗片，以 公差之故，有些接觸凸 而此等凹陷凸部即無令 被堅固支持體上的近鄰 即使以Huff方式提供「 中，觸點會以摩擦方式 點一致運動的趨勢，以 生淨洗作用，視墊片運 個別軸承表面間正常公 492219 五、發明說明（3) 狀，以消除過度的線感應，而最好 點的尺寸、間隔和配置作些探制， 。然而，此探測總成雖然擬議若干 總成在減少塾片磨耗，和從各裝置 物層，以確保總成和測試中裝置間 遇到困難。 一種習知型之隔膜探測總成， 公報2 5 9，1 6 3 A2號中所示裝置為例 在堅固支持體的片狀隔膜之中央部 用包括彈料或橡膠塊的彈性構件， 構件可以傾斜，以配合裝置的傾斜 4, 918, 383號顯示密切相關的裝置， 彈簧，容許堅固支持體垂直軸線運 故墊片上的接觸凸部不會滑脫或「 在水平面稍微移動，容許觸點「淨 便從等蟄片清除表面氧化物。 然而，關於此二裝置，因製、生 部可能相對於近鄰是在凹陷位置乂 人滿意的機會結合其塾片，因 所作用，而被拉離其墊片。此夕、卜會 淨洗」運動時’在其進行淨洗 固守裝置，亦即裝置的墊片古=動 否定接觸運動之效果。是否 ^觸 動多遠而定’從而視探針頭和=發 3^頭

492219 五、發明說明（4) 差導致側向餘隙程度而定。因此，此種隔膜探測總成不能 確保各觸點和墊片間有可靠的接電。 第二種習知形式的隔膜探測總成，可以Bars〇tti的歐 洲專利公告304, 868 A2所示裝置為例。此裝置提供可撓性 隔膜中央部或觸點携帶部的可撓性背托。在Barsotti專利 ’ 中，隔膜直接以彈料構件背托，而此構件從而又以堅固支 Λ 持體背托，故可以順應觸點或墊片間高度的稍微變化。亦 可使用正壓空氣、負壓空氣、液體或未背托彈料：，以提供 隔膜用的可撓性背托，分別見Gangroth扁美國專利 4, 649, 339 號、Airdez zone的美國專利 4, 636, 772 號、Reed，

Jr·等人的美國專利3, 596, 228號、Okuno等人的美國專利 + 5, 134, 365號。然而此等變通裝置在探測觸點和裝置塾片 間不具有充分壓力，以可靠滲透形成於墊片表面上的氧化 物。 在此第二型隔獏探測總成，如Okubo專利所示，觸點 可限制沿Z軸線運動，以防滑脫，造成在結合之際觸點與 墊片間之錯開。因此，在β a r s 011 i專利中，彈料構件下方 之堅固支持體位置固定，雖然亦可以Huff的美國專利 4, 980, 637號所示方式安裝z軸線運動用之支持體。然而， 此種設計容易發生墊片損壞，因為在觸點和裝置之間典型 上存在某些傾斜，而彎角最接近裝置的觸點通常會比彎離 f展示更高的接觸壓力。在Garretson的歐洲專利公報所餐, =相關總成會引起同樣問題，雖然在Garret son裝置内， 彈料構件的特徵是在觸點置於與其墊片呈施壓結·合時，會

第9頁 492219

五、發明說明（5) 逼使該觸點側向運動。又一^相關總成見E v a n s的美國專利 4, 9 75, 638號，使用樞動安裝支持體，供背托彈料構件， 以順應觸點和裝置間之傾斜。然而，Evans裝置受到上述 摩擦固守問題，因為支持體樞動時，裝置的墊片容易固_ 於觸點，並造成觸點側向移動。

又其他習知隔膜探測總成見Cr um 1 y的美國專利 5, 3 9 5, 2 53 號、Barsotti 的美國專利 5, 0 5 9, 8 9 5 號，以及 Evans等人的美國專利第4，975，638號。在Crutoly專利中 ，可延伸隔膜的中心部可用彈簧彈性偏壓至完全延伸狀態 。當觸點結合其個別墊片時，延伸的中心部即抵抗彈箸而 收縮至部份鬆弛狀態，把觸點按徑向淨洗方向，朝隔獏中 心拉。在Barsotti專利内，各排觸點是利用個別l形臂的 末端支持，故當一排的觸點結合其個別墊片時，相對應臂 即向上撓曲，造成觸點排側向淨洗，同時越過其個別墊片 。然而，在Crumly和Barsotti二項專利中，在結合時若觸 點和裝置之間存在任何傾斜，此項傾斜就會造成觸點彎向 裝置’比彎離者進一步淨洗。此外，較短的觸點在有機會 結合其個別塾片之前，由於控制其相鄰觸點的淨洗作用之 故，即被逼在其淨洗方向運動。特別*Crumly裝置之又一 缺點是，較近隔膜中心的觸點，比較近外周的觸點淨洗少 ，故淨洗效果因接觸位置而異。

在Evans等人的美國專利5, 35 5, 079號中，各觸點構成 彈簧金屬指桿，各指桿安裝成以相對於隔膜的預定角度， 以懸臂方式延伸離開下方隔獏。類似構型見Higgins的美

第10頁 492219 五、發明說明（6) 國專利5, 521，51 8號、。然而，難以使此等指桿佔有原位， 故全部到共同平面為止，尤其是需要高密度圖型時。此外 ，此等指桿在使用中容易彎脫位置，而不容易又彎回到其 原有位置。因此，某些指桿在其他指桿之前可能觸地，而 對於不同指桿的淨洗壓力和距離可能不同。在至少Evans 專利中也沒有充分機制，容忍指桿和墊片之間有輕度傾斜 。雖然Evans倡議粗化各指桿的表面，以改進接電品質， 此項粗化會造成過磨耗，並損壞墊片表面。，Evans* Higgins二者所示接觸指桿之又一缺點是，此種指桿在經 過較少數「觸地」或任務週期後，由於一再彎曲和應力， 會疲勞和故障。 參見第1圖’在美國奥勒岡州比佛鎮的Cascade

Inc.開發—種探針頭40，以供安裝隔膜探測 、=成42二為測量矽晶圓46上所含特殊小片面積以的電氣效 f二ί ί針頭的高速數位線48和/或遮蔽輸電線5〇，利用 ^ 5總成，連接到測試儀器的輸入/輸出口，而支持 曰β圓的夾頭5 1，按彼此垂直的χ，γ，ζ方向運動，以便把小 i:2 ί片▼到與隔膜探測總成的下方接觸部所含觸點 5〇 m 有探針卡52，上面配置資料/信號線48和 壓缩4=ϊ二1圖，隔膜探測總成42包含硬質聚合物等非 釘56和ΪΪΤ 支持元件54。此元件利用四個Allen螺 各螺釘帽58可差拆卸自如地連接於探針卡上側（ 螺丁貫牙支持元件的個別附設臂6〇，而分開的背托元件

492219 五、發明說明（7) 6 2把螺釘的夾持壓力均勺- 照此項可拆卸的連接2 =件之全背側）。按 ，可按不同探測f置μ ；：有同接觸配置的不同探測總成 參4圖支的持 6〇即—體結合於此。支持H包/朝^後基部64 ’附設臂 塞66，從平坦基部向外突 朝前支持體或柱 ⑼，向平坦支持表面7卜心：===有彎，面 形狀。又參見第2圖，撓性構件她°則支，截頭金子塔之 對準銷74對準後，附設於\構持件體總成/ =利用基部上所含 胺膜所形…諸層間i:;:;=T〇N或其他聚醒亞 成資料/信號線76。 面s又有撓性導電層或條，以形 如第3圖所示，當支拉；/4iC：yl+u^ ，朝前支持體66突出貫穿探針卡的免中在探針卡52上側時 可撓性隔膜總成中央區8 〇的觸點，、嗝二口，呈現配置在 裝置的塾片形成施壓結合；‘：第2於;"當位置’ V試中 伸，而清除墊片周圍的任何頃斜沿彎角側68延 8 6到資料/作沪缘7 6為止，故/ ±刀 系列的接觸塾片 Η ^ 2 Γ線^ Γ故在支持元件安裝時，此等塾 幻則：:=應終止墊片t氣結♦，使探針 卡上的貢料/信號線48接電至中央區上之 。 探測總成42之- 1 2疋，不管墊片上有氧化物， 在母一周期中可以觸點和塾片間—般可.靠的接電方式，、於

第12頁 明說明（8) - 纤多觸點上产、ΒΪ 是支持元件5木4接觸墊片稍微密集配置的能力。此項能力 之函數。具體兮可撓性隔膜總成72的構造及其相連接方式 ，使隔膜i成i =，隔膜總成是如此構造和連於支持元件 的方式，最好拷點在與墊片施壓結合時，以局部控制 佳機制’係就;ΐ或淨洗墊片側面。產生此淨洗動作的較 ，詳見第6和7t7b i膜總成72a的構造和相連接加以說明 體例Ϊ 7 72&中央區8_放大圖。在此具 形配置社：L係ΐ置成四方形圖型’適合與墊片的四方 ，各觸:=扛f見 圖（代表沿第6圖7a_7a線之斷面圖） t觸點包括較厚硬質梁9〇，其一端形 却接觸凸塊上面含有接觸部93,包括錄瘤，92 二。使用電鍍把梁形成與可撓性導電痕跡76&末端重柊 =丄加以結合。此項在背面導電層94的導電痕跡，可°對觸 點有效提供控制下的阻抗資料/信號線，因其尺寸是使用 光蝕法建立。背面層最好包含開口，在摩擦之際有^於例 如排放氣體。 隔膜總成利用介置的彈料層98與平坦支持表面7〇相連 ’該層與支持表面共延伸，並可由Borden公司製£lmER，S STICK-ALL®或陶康寧公司製Sylgard 162等珍氧橡膠化人 物形成。此化合物可方便以糊狀相施用，定型時即'硬化^。 如前所述，平坦支持表面是由不可壓縮性材料製成，最好 是硬質介質，諸如聚楓或玻璃。 按照上述構造，當觸點88之一帶到與個別墊片1〇〇施

五 壓 發明說明（9) ___ 結合時，^ ~~-- 之偟、如第7b圖所示，所得硒®η 傾Ϊ ，造成梁對抗彈料墊片98Ιί?和凸塊92結構上 持砉心f項傾斜運動會局部化，即t供彈性復原力樞動或 =^0運·的距離，比同=的前部102向平坦支 觸點跨越塾片一 、後口F 1 〇 4大。效果菩艇如 =線刀別代表墊片上觸點的 ^ 7b圖所示，以虛線 片:J去各墊片上累積的絕緣J :束位：。以此方式 片之充分接電。 虱化物，而確保觸點對墊 ，8圖以虛線表示在起初 片100之相對位w，&以眘&主次觸底時，觸點88和墊 接朝平扭支十持位7 n而：千實古線表示此等相同元件在墊片Ϊ 106後之:清支/夺表心面7㈣垂直…行進過頭r段距離直( 點88的吉六从 W面先運動距離108直接禎銥 頭距^106^向而定，或等效性視墊片1〇0所運動行進過 碩距離106而定。因此，由於各觸點在 ^過 頭距離實曾的仃進過 區t的I 同（觸南度變化有異），故各觸點在中t ^在：：面淨洗運動距離即實質上均$，特別不受到各Ϊ 點在中央區上相對位置的影響。 觸 彈料層98受到不可壓縮支持表面7〇之背托，彈 曰 各傾斜梁9 〇施以恢復力，因此在淨洗之際，各飽； 93:、，持：點對墊片之壓力。同時，彈料層順應個別= Γ Ϊ干两度變化。參見第98圖，若較短觸點88&位於替 ^二斗的較咼觸點8 8 b之間，則此等較高觸點即會與個^ | ，〇、，，》合，如第9b圖所示，彈料層的變形可使較小觸點^ 墊片進一步有些行進過頭後，與其墊片結合。在此實施g

中，須知各觸點的倆细^ 點仍可獨立於較小觸作受到局部控制，尤其是較大觸 直至實際觸底到其斜，故較小觸點被逼側向運動， 闰所$見第1 〇 = U圖’構成如此梁結構之電鍍反，如第8 1I不A ^各界定支持表面7 0的不可壓縮材料6 8，和附 =八π ί二道材料，諸如彈料層9 8。使用撓曲電路構想技 術，可撓性導電痕跡76a即可在犧牲性基體上形成圖案。 其次’聚酿亞胺層77圖案化在於涵蓋犧牲性基體和痕跡 76a的全表面’惟梁9〇在痕跡76a一部份上面的所需位置除 外。梁90再電鍍於聚醯亞胺層77之開口内。然而，光阻體 層79在聚醯亞胺層77表面和梁90二者上面圖案化，留下接 觸凸部92所需位置用之開口。接觸凸塊92再電鍍於光阻體 層79之開口内。除去光阻體層79，把較厚光阻體層81圖案 化’涵蓋暴露表面，接觸部93的所需位置除外。接觸部93 再電鍍於光阻體層81之開口内。然而除去光阻體層81。除 去犧牲性基體層，其餘諸層附設於彈料層98。所得梁90、 觸點凸部92和接觸部93(詳見第12圖），提供裝置獨立傾斜 和淨洗功能。 不幸，前述構造技術造成有許多不良特性的結構。 首先，彼此接近之若干梁9〇、觸點凸部92和接觸部93 (各稱為元件），在電鍍浴内造成不同局部化電流密度’從Φ 而造成許多梁90、觸點凸部92和接觸部93高度不同。又’ 電鍍浴内不同的離子密度，以及電鍍浴内之「隨機」變化 ，也造成許多梁90、觸點凸部92和接觸部93的高度不同。

第15頁

49221V ——---- 五、發明說明—--—^^ 許多梁90、觸點凸部92和接觸部 多元件總高度的三倍。因此，却夕叼不同同度，組合成許 大的不同高度。使用具有可變二：：：比其他元件有更重 大壓力，確保全部接觸部93與測巧:，隔膜探針需要更 過所有元件總高度都相等所需。牛有充分之接觸’超 諸如在小面積内有2000或更^开f，密度隔媒探針而言， 力之累積效果，會超過探針頭 ^f元件所需額外壓 壓力亦造成探針站、探針頭和站容許之總力。過剩 破裂。此夕卜，有最大高度J ?探測總成之f曲和 ，因…低高度的元件測試上之塾片 Q間距（間隔）的能力，受到對聚醯 邊緣電鑛法之「急速成長」效應 92和接難：控制’造成梁9〇Q、9觸點凸部 ^ ^ 了變寬度。右梁90、觸點凸部92或接觸部 別部二二i译、庚則「急速成長」效應一般隨著增加，則個 祕增。一部份増加寬度一般會造成較寬之整 二ί:接觸部93間之最小間隔。另外’梁9〇、 • ▲"卩2或接觸部93的高度降低，一般會降低「急速成 、丄ί ΐ之寬度，從而減少接觸部9 3間之最小間隔。然而 田^ f接觸部93相對於個別梁90的高度充分降低，則在使 用^ ^，梁90後端會在可接受的位置，即在觸點墊片之外 ’充分傾斜和接觸測試元件。 第三’很難把第二金屬層直 金屬層頂，諸 如觸點凸部92上面的接觸部9 3，尤其是使用鎳時。為提供

厶厶ly 五、發明說明（12) ^點2 = ΪΪ部9不I的f合，使用銅或金等介面種源 強产M ^ f。不幸，W面種源層會因介面層的剪力 強度較低，而減少元件的側面強度。 第四’在不均勻表面施加 ， 二之致光阻體材料本身的；；不二以共 】胺=:起部上面的光阻體層⑼和81)有二ΐ二 =二部和上8 = 此，在元件間 度：’有因梁90密度而異的傾向。因 均比元件門隔^較在的隔膜探針區，光阻體層79(和81)平 曝光和侵：處。：隔Ϊ探針區厚。在光阻體層79(和81) 勻開口。此外，ΐ厗度，難以適當處理光阻體，以提供均 U變==79(或81)的較薄區有曝光過度的 愈大，其厚度可口。又，光阻體層厚度79(或81) 處理上的問題。愈南。因此，光阻體的使用呈現許多 上的ii凸:須把痕跡76a上的梁9。、梁9。 準過程都有本質上上的接觸部93對準。每次對 部93的最小尺^主要^ ，必須顧及每組件的尺寸。接觸 流密度加以界定。二強件*其中之最大容許電 ，從而界定觸點凸尺寸’顧及對準的公差 在觸點凸部92上。取小尺寸，使接觸部93明確構建 部92的最小尺寸界^热f觸，93並顧及對準公差，觸點凸 ’疋木90的最小尺寸，故觸點凸部92明確

IH 第17頁 77厶厶丄y 五、發明說明（13) ' ------- ”：：=9。3。；=凸部92和接觸部93的公差合計 定觸戶，片” ；：:;；？，界定最小元件尺寸1此界 之元:Γΐ度亟ί ί===造技術和結·，可得更岣句 所需幾何形狀和適當：眾之間隔’把側面強度最大化，有 發明概i 田…

本發明藉提供HL J^rr JU 技藝之上述缺點Γ把且右 ’/θ材料構成的基體’克服習知 件上的觸點墊片接觸ς = i=件所需形狀以便與測試元 由比基體硬的材料 & 與基體接觸。工具最好 化的介質（絕緣)層霉Ξ用Ϊ體：：便製成凹部。最好圖型 内，最好再經平整，從介質層。導電性材料位於凹部 坦總體表面。痕跡在介質層^^^面除去過剩物’提供平 胺層最好再在全面上圖型：。性材料圖型A。聚醯亞 去。 田上園i化基體再以任何適當過程除

下列ii明：述和ϊ”的、特點和優點，就參照附圖之 卜列评遂，即可更為輕易明白。 ιπ固I 單說明 第1圖為隔膜探測總成之透視圖，螺人於探斜 持在的晶、圓面於圖適當顯位置以 <更利用此總成探測 且持元件和撓性隔媒總成，以及探針卡的部二圖 /、有貨料/信號線，與隔膜總成上的相對線連接；

第18頁 492219 五、發明說明（14) 第3圖為第1圖隔膜探測總成之側視立面圖，其中有部 份隔膜總成切除，露出支持元件的隱藏部份； 第4圖為支持元件具體例之簡略側視立面圖； 第5a-5b圖為簡略側視立面圖，表示支持元件和隔膜 總成如何能夠傾斜，以配合測試中元件的定向； 第6圖為第2圖隔膜總成構造中央區之放大俯視立面 圖； 第7a-7b圖為沿：第6圖7a-7a線之斷面圖，先顯示觸底 前之觸點，再表示觸底及淨洗運動跨越其個別墊片後之同 一觸點； 8圖為簡略側視圖，以虛線表示第7a-7b圖觸點在初 的時機，而實線表示由墊片進一步直立行進過度後 觸點； 9a和9b圖表示彈料層的變形，使觸點與其墊片接 10圖為第8圖元件之縱斷面圖； 11圖為第8圖元件之橫斷面圖； 12圖為第10和11圖所示元件之更為準確透視圖； 13圖為第11圖所示元件之詳圖，表示處理結果之不 赘 14圖為基體之透視圖； 1 5圖為本發明工具之具體例透視圖，尤指挖坑工 16圖為表示第15圖工具要與第14圖基體接觸之透視 第 始觸底 的同樣 第 觸； 第 第 第 第 均勻層 第 .第 具； 第

第19頁 492219 發明說明（15) 第17圖為第14圖之基體與第15圖工具接觸後之透視 圖 第18圖為 第19圖為 第20圖為 導電性材料’ 第21圖為 第22圖為 第23圖為 第24圖為 之簡圖； 第25圖為 第26圖為 第27圖為 元件的結果； 第28圖為 第29圖為 第14圖基體上支持聚醯亞胺層之斷面圖； 第16圖工具連同Z軸線止動之透視圖； 第14圖基體之斷面圖，上有痕跡，凹部内有 以及附加聚醯亞胺層； 第2 0圖元件倒置透視圖，基體除去； 第2 1圖接觸部破開斷面圖； 表示本發明元件一種配置之簡圖； 表示傳統接觸部與焊接凸部的氧化物層接觸 具有長形探測部的另一元件之平面圖； 具有長形探測部的第2 5圖元件之側視圖； 焊接凸部内有記號的透視圖，是第25和26圖 另一變通探測元件之透視圖； 接凸部的又一變通探測元件之透視 圖 圖 適於焊 第30圖為使用本發明元件之真正Kelvin接法之側視 較佳具體例之詳細說明 目前採用的隔膜 基體支持在上面製作 探針構造技術，涉及開始以平坦硬質 的額外層。為降低間距並提供增加均

第20頁 1、J明說明（16) 、 1性的元件，需要愈來愈複雜和昂責的處理技術。在與目 月】於支持基體上以「底朝上」構成諸層之技術直接對比時 ’本發明人使用適當工具實現把基體鱗成所需罕、觸點凸 部和接觸部。其餘諸層再在梁上構成「頂朝斤； 掉基體本身。 μ '' 參見第14圖，基體2 0 0最好由延性材料構成，諸如銘 、鋼、鉛、銦、黃銅、金、銀、鉑或鈕，厚度在丨〇密耳和 1/8吋之間。棊體200的頂面202最好要平坦，並拋光到光 學明晰度，以改進觀視，詳後。

參見第15圖，工具和特別是挖坑工具21〇，由頭部212 構成，具有製得元件之所需形狀，可與測試元件上的觸點 整片接觸。挖坑工具210含有突部214，與挖坑機（圖上未 示）連接。工具210是利用挖坑機支持，頭部212定向與基 體200的頂面202接觸。工具210最好由比基體2〇〇為硬的材 料構成，使容易在裡面挖坑。工具2 1 〇之適當材料有例如 工具鋼、碳化物、鉻和金剛石。較佳挖坑機為探針站，有 正確的X，y，ζ控制。須知任何其他適當挖坑機同樣可用。 參見第16圖，工具210受壓與基體200的頂面202择觸，以 致凹部216在從基體200除去時，配合工具21〇的形狀，見 第17圖。工具210用來在基體2〇〇產生複數凹部216，配合 所需圖型，諸如第6圖所示圖型。反之，工具21〇可保持^靜 態，而基體200可在ζ方向運動，直至基體的頂面2〇2壓入 與工具210接觸，造成同樣凹部216，在從基體2〇〇除去時 ，配合工具210的形狀，如第圖所示。

第21頁 492219 五、發明說明（17) 參見第18圖’在凹部216周圍有聚醯亞胺層220圖案化 。須知任何其他適當絕緣層或介質層同樣可用。在聚酿亞 胺層220圖案化過程中’於5^釀亞胺層220曝光和餘刻過程 中，要從凹部216除去聚醯亞胺稍有困難。當凹部216較深 ，傾斜側面較陡時尤然。另外，聚醯亞胺層22〇可在基體 20 0的頂面2 02圖案化，開口位在需要凹部216的位置。块 後，使用工具21〇在基體2 0 0產生凹部216，貫穿聚醯亞^ 層220所設開口。此變通技術免除從 亞胺層220的困難過程。 ^ ^ 製造聚醯亞胺層220曝光用光罩， 準凹部216用開口 ，頗為昂貴。ΐϋ公^/二以準確對 具有較廉且稍不準確光罩之聚醯亞胺層^“曝^^几機’可與 得開口之一的實際位置對準。本發义 d所 區，因而由此所得開口，即有挖 之局部 ，彼此遠離的光罩區即有挖坑對準較 =傾向。同理 準確挖坑機自動把基體20 0挖坑以配人有哞° 。因此，以 凹部216的預知圖案，會造成挖坑工二彼此遠離 ^區域’開π準確對準。4 、在^離起初對準 0發明人等明白挖坑機可在不同的遠距i過ί的準確性，本 220的實際開口重新對準，故各局部化離區域、聚醯亞胺層 置而總體對準可稍微忽略。以此方[或可較準確對準 罩。 Γ用較廉價的光 492219 五、發明說明（18) 動不可得，則可用具有隱藏式z軸止動242之變通挖坑工具 240。z軸線止動242是從頭渡2 44向外延伸之突部，安置於 聚醯亞胺220頂面或基體200的頂面202。z軸線止動242係 相對於頭部244定位，以得適當深度，考慮到在使用挖坑 工具240之前，聚醯亞胺層220是否先已圖案化。 參見第20圖，導電材料25 0電鍍在聚醯亞胺220和基體 200上，因而以鎳或鍺等導電材料25〇充填於凹部216。須 知任何其他適當技術均可用來定位導電材料於凹部2 1 6内 。導電材料250宜再重搭，從聚醯亞胺層2 2 0頂面除去過剩 物’並提供平坦之總體表面。較佳重搭過程是化學機械式 平整法。痕跡252在聚醯亞胺層22 0和導電材料250上圖案❶ 化。痕跡2 5 2宜為良導體，例如銅、鋁或金。聚醯亞胺層 254再於全表面上圖案化。可形成其他金屬和介質層。基 體200再利用任何適當過程除去，諸如用塩酸（HC1 15%)或 硫酸（ISO4)蝕刻。塩酸和硫酸不與聚醯亞胺層220，也不 與鎳或铑等導電材料250反應。須知聚醯亞胺層254亦可為 . 任何適當絕緣體或介質層。· 參見第21圖，所得元件之接觸部260宜選用具有低接 -觸阻力者，故可以元件製成良好接電。雖然鎳有較低接觸 阻力’錢卻有比鎳更低的接觸阻力，且更耐磨。因此，凹 部2,1 6宜塗佈铑層。使用正常處理技術，鍺厚度只限大約5 微米。所得元件包含外層铑，尤其在接觸部260，再充填 剩餘的導電材料，諸如鎳，或非導電性填料。導電性材料 不需充.填全凹部。

第23頁

、 .」構造法提供許多優點，勝過在支持基 ★上構成諸層的傳統「底朝上」處理技術。此等優點亦容 許構造元件具有改進特性之能力。 有百先’對光阻體處理限度原先賦予所得元件高度，沒 試圖：電高度的元件之構成能力，亦解除了 制。電鑛進入先阻體的高窄開口内(很難)所賦予的限 且訾ϋ、λ和件的接觸部立面極其i勺勹 Η ίΐ程(雷本4性上為機械式）界定。電Λ，的其純由工 化電鑛浴内離子之不同密度ΪΠ:同局部， 0 元：之實質上均勾立：到：付：：2體形狀和高度。以 較省，從而降低探針站#件充分接觸所需 壓力2壞測試元件上觸 ：：j以亡均句立面降低過度 沉積過程中，^”4,較堅固’因為元件是在一欠 中可；許的最大電流密度邹的尺[至測； 一第四，所得元件的形而非二面層之最小剪力。 二兀件形狀可有陡側璧^戽可訂製，以有效探測 試元件上的觸點墊片⑴得以構造更狹ΐ;;備以 ’側壁角度無關基體密配置之更大密度元件= 結晶性結構。 1卞此外 ^2219 、發明說明^(20) ' '----- 第五，接觸部的形狀準確知悉，元件間均勻，办 測試元件的觸點墊片均勻接觸。 4許與 ，六，所得不同部位的對準，在元件間確實均句 2各元件使用同樣工具處理過程構成。各元件下部%/因 點凸部）相對於接觸部正確對準，即不需提供額 =、,、 Λ順應光阻體過程和電鍍過程固有的處理變化。 、裕 j程的「急速成長」效應被消除，也降低元件只，鍍 元件3〇〇的對準可變性減少，和實質上消除，m。 為降^的間距，適合測試元件上增加密度之觸點塾片仔大 第七，所得元件形狀可以裁修，以提供最 2提供、淨洗功•，如f景部份所述，y=效 102和—接觸部26〇之間。斜面3〇4沿元件3〇〇長产= 二於谷ΐ尾部302比頭部306薄。在元件3〇〇傾钭气5鋥日中強 加於疋件300之扭矩力，有在元件3〇〇 U傾斜過程中施 斜面304介定相對應較薄材料。 長遞=，向，由 附近材料’如發生過度傾斜時 #尾:3〇2和尾部3〇2 =件的衝擊較不易。元件3〇〇的改進f〇〇的，部302對測試 屬材料量。 延I狀，也減少所需金 第八i使用「搜尋」照相機獲得 ，以決定元件3〇〇相對 膜彳木針下部的影像 ^用「搜m機可使隔準確位置( 對準’故可進行自動測試，為了在觸點塾片自動1 300的影「搜尋」照相機通常利用媒光探對針上獲得元件 4用先對70件3 0 0照相。 %、J明說明（21) ，傳統平面處理技術造成梁、觸點凸鄯和接觸部上較 平垣表面，對「搜尋」照相機呈垂直定向，各把光反射回 到 搜尋」照相機。從各面反射回到「搜尋」照相機的光 ’往往對接觸部260的正確位置造成若干浪淆。元件300的 斜面304有把入射光反射離開設在下方的「搜尋」照相機 f傾向，而接觸部30 6則有把入射光反射面到設在下方的 曰搜尋」照相機之傾向。主要從接觸部3 〇 6回到「搜尋」 照相機的光，造成對接觸部正確位置較少潛在性混淆。 第九，基體2 0 0頂面2 0 2的初步拋光，造成相配的光滑 下面’可供聚醯亞胺層22 0在上面圖案化。在蝕刻或以其 他方式除去後，基體2〇〇在聚醯亞胺屛220下面形成光滑， 得聚酿亞胺層220 —般為光學;;2者2G。因此，痕跡I 操===件300間之空間即較具透光性’使對元件定位的 、、 谷易看插痕跡和元件間之元件。此舉有助於操作者 以i ί fnn隔膜探針定位在不然就模糊不清的元件上。此外 仵<300的金字塔形讓操作者更容易決定接觸部相對於 表面見第22圖’元件之接觸部26 0最好構成錢外 是半此形/、始上可有效僅鍛著於厚度大約5微米。铑鍍法 5微米'接觸\所/層在外側352和354的垂直方向厚度大約 354角度，ΪΪΪ頂部350寬度，以及工具210的側面352和 合形成v形、、=ί使錄著兩侧352和354之錄340最好—同結 疋件其餘部份以鎳為佳。雖然铑在垂直方向 492219 五、發明說明（22) 的厚度只有5微米，但铑340從元件頂部350起垂直方向的 厚度大於5微米。因此，在從頂部35〇—般垂直方向的使用 中磨耗之接觸部，會比頂部只鍍铑厚度5微米的情況持 久。 第十一，接觸部2 6 0的組織可以選擇，對測試元件的 觸點塾片提供上述淨洗效果。具體言之，工具包含在相對 應接觸部上面粗糙表面圖型，對所有元件提供均勻組織。 第十二，使用本發明構造技術可以較快構成元件，因 為減少處理步驟數，可得實質節省成本。 =述構造技術對以其他難以（若非無法）構成的元件形 狀’亦具有若干優點。 、< 第一，工具具有所需形狀，諸如簡+ 淨洗動作的話。 間早凸4，如果不需 對接=到接觸部2 6 0為止的測試元件之傾斜支持側， 部提供優異的機械性支持，與利用較大觸點凸 接觸部可以較小，而無自元件脫 者-項支持 斑入^點塾片表面累積的氧化物時小二2 2傾斜滲 i =試元件的觸點墊片有改進接觸。此外:元株部可提供 質上較元件其餘部份為薄，在測試 合尾部302 ii 〇 ^低尾部302衝擊測試元件觸點塾片之田輕^傾斜時， 係藉ΐ力可因改變元件的轉動中心而，U ϊ ϊ觸部 …擇疋件長度’以及接觸部訝其相對位置，”中心

第27頁 、發明說明（23) 片擇。因此，可視需要選擇 ΪΓ來 擇屢力，配合二不同觸點墊 古第四，參見第23圖，元 馬度側面穩定性，品六故-腳Ρ的三角开彡处 維持兀件高度和結構強度之均^ t接觸部構造能力，又能 試下面需少量運動。元件ΐ元件提供淨洗動作 _中有良好的電氣接觸，降 牛下面的小運動在 因此，減少聚醯亞胺層和導電，下面以下諸層 ；； 當探測焊接凸部上之氧跡龜裂之輕易,j應力 裝技術的晶圓上焊接球珠，日，或要用於「浮片 時，上面展現的氧化物層报難 I刷電路板上之焊接凸部 隔膜探針的傳統接觸部在烊接凸^滲透。參見第24圖，當 有加壓☆焊接凸部287連同接觸部^上接觸時，氧化物285 不良。當使用習知針狀探針於" 的傾向，以致相連接 部上溜滑的傾向，在焊接凸部内 $部時，針有在焊接凸 屑紛紛落在測試元件的表面，而g曲’收集針上塵屑，塵 力。此外，針狀探針在焊接凸部針狀探針即費時又費 當探測焊接凸部用在浮片上，^ 1留不均勻探針記號。 號，即有把焊劑捕集於其内之傾焊接凸部頂上的探針記 接炸掉、損壞，或以其他方式毁、^ [加熱時傾向於把相連 示適於探測焊接凸部之改進元 參見第2 5和2 6圖，表 #造。元件上部包含一對 492219

五、發明說明（24) 陡斜側面2 9 1和2 9 3，諸如偏 面。傾斜側面2 9 1和2 9 3最好 2 9 1和2 9 3的角度係就側面與 數加以選擇，故氧化物塗佈 面滑動之傾向，或以其他方 部時，主要並不在側面進行 觸點延伸越過整個焊接凸部 凸部連同焊劑隨後加熱，使 免爆炸的可能性。此外，留 均勻，使焊接凸部的製作者 ’施加於元件所需力量較少 ’而不與焊接凸部加壓接觸 凸部）太深。 離垂直線1 5度’最好是拋光側 在其頂部形成銳脊2 9 5。側面 焊接凸部上氧化物間之摩擦係 表面有主要沿側面2 9 1和2 9 3表 式剪離，而在元件滲透焊接凸 “ 。參見第27圖，實質上銳脊在」 後’亦提供記號（掣子）。焊接 焊劑從焊接凸部側面流出，避 在焊接凸部上所得記號本質上 在其設計上顧及所得記號。又 ’因為有削過烊接凸部的傾向·_ 。平面4 0 5防止削入焊接球珠（ 參見第28圖，為提供測試焊接凸部有較大觸點面積， 可使用華芙餅乾圖型。 m ,參見第29圖，變通元件包含一對突部311和313，在扯 5兩端為佳。突部31丨和31 3間之間隔最好比待測試的、 凸部317直徑小。以此種配置，突部311和313會碰到 烊接凸部31 7側面，因而不在焊接凸部3丨7上部留下圮 焊接凸部317的側面，隨後所用焊劑較不易陷=己° 内爆開。此外，如果元件對準不定中在焊接凸部31 很有可能突部311和313之一仍然會碰到焊接凸部 刖述元件構造技術所得元件含有接觸部，相當大且難

五、發明說明（25) 以確保對準。 箄明厶^ ί -參見第30圖，以改良的構造技術，本發明人 」Kevli°用隔膜探針作成對測試元件上觸點墊片之「真正 ^ ΐ。一對元件351和353與其彼此相鄰的接觸部 「施力侔準。以此配置’元件之一是Ke 1 ν i η測試配置的 35 6與測"試元件^另一疋一件為「感測」件。二接觸部355和 細分析載於D r Ρ 1一觸點墊片接觸。Kelvin連接的詳 羅希爾圖書公_Ί· i 9 = ^編《#電子工程師手冊》第1版，麥格 < Kelvin,, ^ ^ J ^ I ^ 17-25^ 17：-26 1 二者均列入參改。 吴國專利申請案第08/864, 287號， 内，是視3 3 t非：部存在於按照本發明構成的元件 所用技術’所需用途和達成結構而定。

第30頁 圖式簡單說明 掊力ί ^圖為隔獏探測總成之透祝圖，螺合於探針頭和支 、^?同上的晶圓，於適當位爹以便利用此總成探蜊； ，包ί /姓為-仰視立面圖，顯示第1圖探Τ總成的各種組件 具有ΐ斜)Τ件和撓性隔膜總成，以及探針卡的部份圖， 篱3 ^號線，與隔膜總成上的相對線連接； 份隔第1圖隔膜探測總成之側視立面圖，其中有部 H悤成切除，露出支持元件的隱藏部份； ^圖為支持元件具體例之簡略側視立面：圖； 她士 1 /—5b圖為簡略側視立面_，表示支持元件和隔膜 〜成何能夠傾斜，以配合測試中元件的定向； 、 圖；第6圖為第2圖隔膜總成構造中央區之放大俯視立面 前之圖主為沿第6圖7a〜7a線之斷面R , S5 ^ 月J之觸點，再表示觸底及淨 岍面圖，先顯不觸底 一觸點； 運動跨越其個別墊片後之同 第8圖為簡略側視圖，以 始觸底的時機，而實線表示屣氣線表示第7&_71)圖觸點 的同樣觸點； ^進-步直立行進過度= 觸 第9a和9b圖表示彈料層的 又 圯，使觸點與其墊片接 〇 第10圖為第8圖元件之縱 第11圖為第8圖元件之橫 面圖， 第12圖為第1〇和11圖所、亍-面圖， 第13圖為第11圖所示元j牛，件之更為準確透視圖· 之詳圖，表示處理結果之不

492219 圖式簡單說明 均勻層； 第14圖為 第15圖為 具 圖 第16圖為 第1 7圖為 圖 第18圖為 第1 9圖為 第20圖為 導電性材料， 第21圖為 第22圖為 第23圖為 第24圖為 之簡圖； 第25圖為 第26圖為 第27圖為 元件的結果； 第28圖為 第29圖為 回 ·園， 基體之透視圖； 本發明工具之具體例透視圖，尤指挖坑工 表示第15圖工具要與第14圖基體接觸之透視 第14圖之基體與第15圖工具接觸後之透視 第14圖基體上支持聚醯亞胺層之斷面圖； 第16圖工具連同z軸線止動之透視圖； 第14圖基體之斷面圖’上有痕跡，凹部内有 以及附加聚醯亞胺層； 第2 0圖元件倒置透視圖，基體除去； 第2 1圖接觸部破開斷面圖； 表示本發明元件一種配置之簡圖； 表示傳統接觸部與焊接凸部的氧化物層接觸 具有長形探測部的另一元件之平面圖； ^有長形探測部的第2 5圖元件之側視圖； 焊接凸部内有4記號的透視圖，是第25和26圖 另一變通探測元件之透視圖； 適於焊接凸部的又一變通探測元件之透視

492219 圖式簡單說明 第30圖為使用本發明元件之真正Kelvin接法之側視 圖。 ❶ 第33頁

Claims (1)

1. 492219 六、申請專利範圍 1. 一種探針構造方法，包括： · (a) 提供基體； (b) 在該基體内產生第一凹部； (c) 把導電性材料定位在該凹部内； (d) 將導電性痕跡連接於該導電性材料； (e )施加隔膜以支持該導電性材料，以及 (f)從該導電性材料除去該基體者。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該凹部:係使用 工具產生者。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，又包含步驟為，對 該工具施壓至與該基體接觸者。 4. 如申請專利範圍第2項之方法，又包含步驟為，以 該工具產生第二凹部者。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，又包含步驟為，相 對於該基體側向運動該工具，以產生該第二凹部者。 6. 如申請專利範圍第2項之方法，又包含步驟為，在 該工具上形成直立止動者。 7. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該工具具有成 型部，用以產生諒第一凹部者。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該成型部具有 傾斜側壁者。 9. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該隔膜係在該 痕跡之前施加者。 10.如申請專利範圍第7項之方法，其中該成型部在尾

   第34頁 492219 六、申請專利範圍 部和頭部之間具有傾斜表面者。 1 1 申請專利範圍第7項之方法，其中該成型部具有 頭部和尾部，而該尾部較該頭部為薄者。 12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基體為延性 材料者。 13. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該工具係由比 該基體為硬之材料形成者。 14·如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為產生 第二凹部者。 15.如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一凹部實 ‘質上與該第二凹部類似者。 1五.如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為把絕 / 緣層在該基體上圖型化者。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之方法，其中該絕緣層係在 產生該第一凹部之前，在該基體上圖型化者。 18.如申請專利範圍第16項之方法，其中該絕緣層界定 一開口，而該第一凹部是在相當於該開口之位置產生者。 1 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中該導電性材料 含錄和錢至少其一者。 20.如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，在 該導電性材料上形成外部铑層者。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該外部铑層形 成V型者。 2 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中把導電性材料

   第35頁 492219 六、申請專利範圍 定位在該凹部内之步驟，包括把該導電性材料電鍍在該支 持體上者。 2 3.如申請專利範圍第7項之方法，其中該導電性材料 係均勻沉積者。 24.如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，在 該導電性材料定位於該凹部後，將該導電性材料平整者。 2 5.如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，形 成該凹部，使該導電性材料具有實質上平坦表面，相對於 該構件支持體的支持表面傾斜者。 2 6.如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，形 成該凹部，使該導電性材料呈實質上金字塔形狀者。 27. 如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，在 產生該凹部之前，將該基體拋光者。 28. 如申請專利範圍第1項之方法，又包括步驟為，在 該導驗性材料上形成粗糙表面者。 2 9.如申請專利範圍第1項之方法，其中該基體具有晶 體粒，而該凹部具至少一實質上平坦表面，相對於該晶體 粒傾斜，該表面和該晶體粒在其間界定銳角者。 3 0. —種探測總成，可供探測電氣元件，包括： (a) 支持體； (b) 隔膜，與該支持體呈重疊關係； (c )複數長形導體，利用該隔膜支持； (d)複數長形觸點，以該隔膜支持，各該觸點接電至 該導體至少其一，各該觸點因應與該電氣元件之

   第36頁 492219 六、申請專利範圍 加壓結合而傾斜，各該平坦表面具有至少一實質 上平坦表面，相對於該隔膜傾斜，相對界定成一 銳角者。 3 1.如申請專利範圍第3 0項之探測總成，其中該觸點具 有尾部和接觸部，而該傾斜表面係界定於該尾部和該接觸 部之間者。 3 2.如申請專利範圍第30項之探測總成，其中該傾斜表 面係該觸點之側面者。 3 3.如申請專利範圍第3 0項之探測總成，其中該觸點係 整體者。 3 4.如申請專利範圍第30項之探測總成，其中該觸點係 實質上金字塔形者。 3 5.如申請專利範圍第3 0項之探測總成，其中該觸點界 定足跡，具有寬端和窄端者。 3 6.如申請專利範圍第3 0項之探測總成，其中各該觸點 具有個別接觸部，而該接觸部係呈線形配置對準者。 3 7.如申請專利範圍第3 5項之探測總成，其中各該觸點 具有個別接觸部，而該接觸部係呈線形配置對準，而該觸 點之配置使該觸點之一的寬端鄰接另一觸點之窄端者。 3 8. —種探測總成，供探測電氣元件，包括： (a) 支持體； (b) 隔膜，與該支持體呈重疊關係； (c) 長形導體，利用該隔膜支持； (d) 長形觸點，利用該隔膜支持，·並接電至該導體，

   第37頁 492219 六、申請專利範圍 該觸點因應與該電氣元件之加壓結合而傾斜，該 觸點具有長形部，以及與該長形部呈立面關係， 而該接觸部與該長形部係彼此成為一體者。 3 9.如申請專利範圍第38項之探測總成，其中該梁具有 尾部，而傾斜表面沿該梁延伸，並離開該尾部者。 4 0.如申請專利範圍第38項之探測總成，其中該梁部具 有斜側，相對於隔膜，在其間界定銳角者。 4 1.如申請專利範圍第3 8項之探測:總成，其中該觸點實 質上呈金字塔形者。 4 2.如申請專利範圍第3 8項之探測總成，其中該觸點具 有足跡，形成寬端和窄端者。 43. —種探測總成，可供探測電氣元件，包括： (a) 支持體； (b) 隔膜，與該支持體呈重疊關係； (c) 長形導體，利用該隔膜支持； (d) 觸點，利用該隔膜支持，並接電至該導體，該觸 點具有向下突出之長形脊部，有一對側面，在其 間界定銳角，以供切過該電氣元件上之氧化物層 者。 44. 如申請專利範圍第43項之探測總成，其中該對側面 結合形成該脊部者。 4 5.如申請專利範圍第43項之探測總成，其中該脊部實 質上延伸越過該觸點者。 4 6.如申請專利範圍第43項之探測總成，其中該觸點又

   492219 六、申請專利範圍 包含支持該脊部之平坦表面者。 4 7.如申請專利範圍第43項之探測總成，又包含複數向 下突出之長形脊部者。 48.如申請專利範圍第47項之探測總成，其中該複數脊 < 部形成華芙餅乾圖型者。 4 9.如申請專利範圍第43項之探測總成，其中該觸點界 --定拱部，而該脊部位於該拱部末端者。 5 0 ·如申讀專利範圍第4 9項之揮測總成，其中該觸點在 該拱部另一端具有另一長形脊部者。 5 1. —種具有電氣墊片和氧化物表面的電氣元件之探測 方法，包括步驟為： ^ (a )形成觸點，具有長形脊部，有一對傾斜表面，在 其間界定銳角； (b) 把該觸點接電至測試元件； (c) 把該脊部壓在該電氣墊片上； (d) 把該氧化物表面從該脊部剪離； „ (e) 令該脊部滲透入該電氣墊片内； (f )使用該測試元件測試該電氣元件者。 _ 5 2.如申請專利範圍第5 1項之方法，其中該對傾斜表面 結合者。 53. 如申請專利範圍第51項之方法，又包括步驟為，在$ 該觸點上提供止動表面者。 54. 如申請專利範圍第51項之方法，又包括步驟為，在 該觸點上提供另一長形脊部者。·

   第39頁 492219 六、申請專利範圍 55.如申請專利範圍第54項之方法，其中該脊部係平行 者。 - 5 6.如申請專利範圍第5 4項之方法，其中該脊部係垂直 57.如申請專利範圍第51項之方法，又包括步驟為，以 該觸點形成拱部者。 5 8.如申請專利範圍第5 7項之方法，其中該脊部係位於 該供部末端者。 5 9.如申請專利範圍第5 1項之方法，其中該電氣墊片係 焊接凸部者。 60. —種具有觸點墊片的電氣元件之探測方法，包括下 列步驟： (a )在隔膜上形成一對觸點； 、 (b )把該對觸點接電至測試元件； (c )把該二觸點壓在該觸點墊片上； (d )使用該測試元件，在該觸點墊片測試該電氣元件 者。 61. 如申請專利範圍第60項之方法，又包括步驟為，提 供一對導底，利用該隔膜支持，把各該導體接至該測試元 件，並且把該觸點之一接至該導體之一，而另一觸點接至 另一導體者。 62. 如申請專利範圍第60項之方法，又包括步驟為，當 各該對觸點與該觸點墊片形成加壓電氣結合時，令各該對 觸點傾斜者。

   第40頁 492219 六、申請專利範圍 63.如申請專利範圍第60項之方法，又包括步驟為，以 該觸點從該觸點墊片除去氧化物表面者。 〇 第41頁