JPH0660912B2 - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
- Publication number
- JPH0660912B2 JPH0660912B2 JP62223583A JP22358387A JPH0660912B2 JP H0660912 B2 JPH0660912 B2 JP H0660912B2 JP 62223583 A JP62223583 A JP 62223583A JP 22358387 A JP22358387 A JP 22358387A JP H0660912 B2 JPH0660912 B2 JP H0660912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- light
- optical path
- measured
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/07—Non contact-making probes
- G01R1/071—Non contact-making probes containing electro-optic elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって電気光学材料の屈折率が変化
することを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置
に関する。
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって電気光学材料の屈折率が変化
することを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置
に関する。
従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。
ところが、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。
しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触さ
せる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分に
プローブを直接接触させることが容易でなく、またプロ
ーブを接触させることができたとしても、その電圧情報
だけに基づき集積回路の動作を的確に解析するのは困難
であった。さらにプローブを接触させることにより集積
回路内の動作状態が変化するという問題があった。
せる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分に
プローブを直接接触させることが容易でなく、またプロ
ーブを接触させることができたとしても、その電圧情報
だけに基づき集積回路の動作を的確に解析するのは困難
であった。さらにプローブを接触させることにより集積
回路内の動作状態が変化するという問題があった。
また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。
さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が高
速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。
速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。
このような問題点を解決するために、本願の出願人によ
って昭和６２年５月３０日に「電圧検出装置」の名称で
出願された特許出願に記載されているような被測定物の
所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態が変化する
ことを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置が開
発された。
って昭和６２年５月３０日に「電圧検出装置」の名称で
出願された特許出願に記載されているような被測定物の
所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態が変化する
ことを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置が開
発された。
第７図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分の
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の構成図である。
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の構成図である。
第７図において電圧検出装置５０は、光プローブ５２
と、例えばレーザダイオードによる直流光源５３と、直
流光源５３から出力される光ビームを集光レンズ６０を
介して光プローブ５２に案内する光ファイバ５１と、光
プローブ５２からの参照光をコリメータ９０を介して光
電変換素子５５に案内する光ファイバ９２と、光プロー
ブ５２からの出射光をコリメータ９１を介して光電変換
素子５８に案内する光ファイバ９３と、光電変換素子５
５，５８からの光電変換された電気信号を比較する比較
回路６１とから構成されている。
と、例えばレーザダイオードによる直流光源５３と、直
流光源５３から出力される光ビームを集光レンズ６０を
介して光プローブ５２に案内する光ファイバ５１と、光
プローブ５２からの参照光をコリメータ９０を介して光
電変換素子５５に案内する光ファイバ９２と、光プロー
ブ５２からの出射光をコリメータ９１を介して光電変換
素子５８に案内する光ファイバ９３と、光電変換素子５
５，５８からの光電変換された電気信号を比較する比較
回路６１とから構成されている。
光プローブ５２には、電気光学材料６２、例えば光学的
一軸性結晶のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）が収
容されており、電気光学材料６２の先端部６３は、截頭
円錐形状に加工されている。光プローブ５２の外周部に
は、導電性電極６４が設けられ、また先端部６３には金
属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡６５が被着されて
いる。
一軸性結晶のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）が収
容されており、電気光学材料６２の先端部６３は、截頭
円錐形状に加工されている。光プローブ５２の外周部に
は、導電性電極６４が設けられ、また先端部６３には金
属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡６５が被着されて
いる。
光プローブ５２内にはさらに、コリメータ９４と、集光
レンズ９５，９６と、コリメータ９４からの光ビームか
ら所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子
５４と、偏光子５４からの所定の偏光成分をもつ光ビー
ムを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材料６
２からの出射光を検光子５７に入射させるビームスプリ
ッタ５６とが設けられている。なお参照光、出射光は、
それぞれ集光レンズ９５，９６を介して光ファイバ９
２，９３に出力されるようになっている。
レンズ９５，９６と、コリメータ９４からの光ビームか
ら所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光子
５４と、偏光子５４からの所定の偏光成分をもつ光ビー
ムを参照光と入射光とに分割する一方、電気光学材料６
２からの出射光を検光子５７に入射させるビームスプリ
ッタ５６とが設けられている。なお参照光、出射光は、
それぞれ集光レンズ９５，９６を介して光ファイバ９
２，９３に出力されるようになっている。
このような構成の電圧検出装置５０では、検出に際し
て、光プローブ５２の外周部に設けられた導電性電極６
４を例えば接地電位に保持しておく。次いで、光プロー
ブ５２の先端部６３を被測定物、例えば集積回路（図示
せず）に接近させる。これにより、光プローブ５２の電
気光学材料６２の先端部６３の屈折率が変化する。より
詳しくは、光学的一軸性結晶などにおいて、光軸と垂直
な平面内における常光の屈折率と異常光の屈折率との差
が変化する。
て、光プローブ５２の外周部に設けられた導電性電極６
４を例えば接地電位に保持しておく。次いで、光プロー
ブ５２の先端部６３を被測定物、例えば集積回路（図示
せず）に接近させる。これにより、光プローブ５２の電
気光学材料６２の先端部６３の屈折率が変化する。より
詳しくは、光学的一軸性結晶などにおいて、光軸と垂直
な平面内における常光の屈折率と異常光の屈折率との差
が変化する。
光源５３から出力された光ビームは、集光レンズ６０，
光ファイバ５１を介して光プローブ５２のコリメータ９
４に入射し、さらに偏光子５４により所定の偏光成分の
強度Ｉの光ビームとなって、ビームスプリッタ５６を介
して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する。な
おビームスプリッタ５６により分割された参照光、入射
光の強度はそれぞれＩ／２となる。電気光学材料６２の
先端部６３の屈折率は上述のように被測定物の電圧によ
り変化するので、電気光学材料６２に入射した入射光は
先端部６３のところでその偏光状態が屈折率変化に依存
して変化し反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射され、
電気光学材料６２から出射光として再びビームスプリッ
タ５６に向かう。電気光学材料６２の先端部６３の長さ
をl とすると、入射光の偏光状態は電圧による常光と異
常光との屈折率差および長さ２l に比例して変化する。
ビームスプリッタ５６に戻された出射光は、検光子５７
に入射する。なお検光子５７に入射する出射光の強度
は、ビームスプリッタ５６によりＩ／４となっている。
検光子５７が例えば偏光子５４の偏光成分と直交する偏
光成分の光ビームだけを通過させるように構成されてい
るとすると、偏光状態が変化して検光子５７に入射する
強度Ｉ／４の出射光は、検光子５７により、強度が（Ｉ
／４）sin ２〔（π／２）・Ｖ／Ｖ０〕となって光電変
換素子５８に加わることになる。ここでＶは被測定物の
電圧、Ｖ０は半波長電圧である。
光ファイバ５１を介して光プローブ５２のコリメータ９
４に入射し、さらに偏光子５４により所定の偏光成分の
強度Ｉの光ビームとなって、ビームスプリッタ５６を介
して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する。な
おビームスプリッタ５６により分割された参照光、入射
光の強度はそれぞれＩ／２となる。電気光学材料６２の
先端部６３の屈折率は上述のように被測定物の電圧によ
り変化するので、電気光学材料６２に入射した入射光は
先端部６３のところでその偏光状態が屈折率変化に依存
して変化し反射鏡６５に達し、反射鏡６５で反射され、
電気光学材料６２から出射光として再びビームスプリッ
タ５６に向かう。電気光学材料６２の先端部６３の長さ
をl とすると、入射光の偏光状態は電圧による常光と異
常光との屈折率差および長さ２l に比例して変化する。
ビームスプリッタ５６に戻された出射光は、検光子５７
に入射する。なお検光子５７に入射する出射光の強度
は、ビームスプリッタ５６によりＩ／４となっている。
検光子５７が例えば偏光子５４の偏光成分と直交する偏
光成分の光ビームだけを通過させるように構成されてい
るとすると、偏光状態が変化して検光子５７に入射する
強度Ｉ／４の出射光は、検光子５７により、強度が（Ｉ
／４）sin ２〔（π／２）・Ｖ／Ｖ０〕となって光電変
換素子５８に加わることになる。ここでＶは被測定物の
電圧、Ｖ０は半波長電圧である。
比較回路６１では、光電変換素子５５において光電変換
された参照光の強度Ｉ／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度（Ｉ／４）sin ２〔（π
／２）・Ｖ／Ｖ０〕とが比較される。
された参照光の強度Ｉ／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度（Ｉ／４）sin ２〔（π
／２）・Ｖ／Ｖ０〕とが比較される。
出射光の強度（Ｉ／４）・sin ２〔（π／２）・Ｖ／Ｖ
０〕は、電圧変化に伴なう電気光学材料６２の先端部６
３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づいて
被測定物、例えば集積回路の所定部分の電圧を検出する
ことができる。
０〕は、電圧変化に伴なう電気光学材料６２の先端部６
３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づいて
被測定物、例えば集積回路の所定部分の電圧を検出する
ことができる。
このように第７図に示す電圧検出装置５０では、光プロ
ーブ５２の先端部６３を被測定物に接近させることで変
化する電気光学材料６２の先端部６３の屈折率の変化に
基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するようにし
ているので、特に接触させることが困難で、また接触さ
せることにより被測定電圧に影響を与えるような集積回
路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触させ
ることなく検出することができる。また光源としてパル
ス幅の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオー
ドなどのパルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧変
化を非常に短かい時間幅でサンプリングするかあるいは
光源に直流光源を用い検出器にストリークカメラなどの
高速応答検出器を用いて被測定物の高速な電圧変化を高
い時間分解能で測定することにより、高速な電圧変化を
も精度良く検出することが可能とある。
ーブ５２の先端部６３を被測定物に接近させることで変
化する電気光学材料６２の先端部６３の屈折率の変化に
基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するようにし
ているので、特に接触させることが困難で、また接触さ
せることにより被測定電圧に影響を与えるような集積回
路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触させ
ることなく検出することができる。また光源としてパル
ス幅の非常に短かい光パルスを出力するレーザダイオー
ドなどのパルス光源を用いて、被測定物の高速な電圧変
化を非常に短かい時間幅でサンプリングするかあるいは
光源に直流光源を用い検出器にストリークカメラなどの
高速応答検出器を用いて被測定物の高速な電圧変化を高
い時間分解能で測定することにより、高速な電圧変化を
も精度良く検出することが可能とある。
しかしながら第７図の電圧検出装置５０では、電気光学
材料６２内における光ビームの偏光状態の変化を利用し
て被測定物の所定部分の電圧を測定するために、光源５
３からの光ビームから偏光子５４により所定の偏光成分
をもつ光ビームだけを抽出し、さらに電気光学材料６２
からの出射光から検光子５７により所定の直線偏光成分
を抽出する必要があったので、光ビームの利用率が悪い
という問題がある。さらに、ビームスプリッタ５６を必
要としていたので検光子５７に入射する出射光の強度は
光源５３から出力される光ビームの強度に比べて著しく
弱くなり、検出器において電圧を精度良く検出するには
限界があった。また偏光子５４，検光子５７，ビームス
プリッタ５６を用いているので光学系の部材数が多くな
り、光学的の精度を著しく向上させるには限界があると
いう問題があった。
材料６２内における光ビームの偏光状態の変化を利用し
て被測定物の所定部分の電圧を測定するために、光源５
３からの光ビームから偏光子５４により所定の偏光成分
をもつ光ビームだけを抽出し、さらに電気光学材料６２
からの出射光から検光子５７により所定の直線偏光成分
を抽出する必要があったので、光ビームの利用率が悪い
という問題がある。さらに、ビームスプリッタ５６を必
要としていたので検光子５７に入射する出射光の強度は
光源５３から出力される光ビームの強度に比べて著しく
弱くなり、検出器において電圧を精度良く検出するには
限界があった。また偏光子５４，検光子５７，ビームス
プリッタ５６を用いているので光学系の部材数が多くな
り、光学的の精度を著しく向上させるには限界があると
いう問題があった。
また、第７図の電圧検出装置では、検出器に光電変換素
子のかわりにストリークカメラを用いる場合に、ストリ
ークカメラの螢光面には被測定物の所定部分の電圧変化
が一次元の光強度分布として検出されるので、電圧の波
形を求めるにはさらに一次元の光強度分布に所定の変換
処理を施さねばならないという問題があった。さらに
は、偏光状態の変化によって被測定物の所定部分の電圧
を検出する仕方では、電圧の絶対値だけが検出されるの
で、電圧の極性すなわち電圧が正のものであるのか負の
ものであるかを判別することができないという問題があ
った。
子のかわりにストリークカメラを用いる場合に、ストリ
ークカメラの螢光面には被測定物の所定部分の電圧変化
が一次元の光強度分布として検出されるので、電圧の波
形を求めるにはさらに一次元の光強度分布に所定の変換
処理を施さねばならないという問題があった。さらに
は、偏光状態の変化によって被測定物の所定部分の電圧
を検出する仕方では、電圧の絶対値だけが検出されるの
で、電圧の極性すなわち電圧が正のものであるのか負の
ものであるかを判別することができないという問題があ
った。
本発明は、簡単な光学系で被測定物の所定部分の電圧、
特に被測定物の所定部分を通過する電圧波形を精度良く
直接検出することの可能な電圧検出装置を提供すること
を目的としている。
特に被測定物の所定部分を通過する電圧波形を精度良く
直接検出することの可能な電圧検出装置を提供すること
を目的としている。
本発明は、パルス光を出力するパルス光源と、パルス光
を徐々に遅延させる遅延手段と、電気光学材料で形成さ
れかつ遅延手段からのパルス光を所定の屈折率に対応し
た光路で出力させる光路変換手段と、出力されたパルス
光を検出する検出手段とを備え、前記被測定物の所定部
分の電圧をサンプリング測定するようになっていること
を特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技術の問
題点を改善しようとするものである。
を徐々に遅延させる遅延手段と、電気光学材料で形成さ
れかつ遅延手段からのパルス光を所定の屈折率に対応し
た光路で出力させる光路変換手段と、出力されたパルス
光を検出する検出手段とを備え、前記被測定物の所定部
分の電圧をサンプリング測定するようになっていること
を特徴とする電圧検出装置によって、上記従来技術の問
題点を改善しようとするものである。
本発明では、パルス光源からのパルス光を遅延手段によ
って徐々に遅延させ、電気光学材料で形成された光路変
換手段、例えば分散プリズムに入射させる。光路変換手
段に入射したパルス光は、光路変換手段の屈折率によっ
て所定の光路で透過光あるいは反射光として出力され
る。ところで光路変換手段の屈折率は、被測定物の所定
部分の電圧によって変化するので、これにより光路変換
手段から出力される透過光あるいは反射光の光路も変わ
る。この光路の変化を検出手段、例えばリニアイメージ
センサにより検出することで被測定物の所定部分を通る
電圧波形の一部をサンプリング測定することができる。
パルス光を遅延手段で徐々に遅延させて同様のサンプリ
ング測定を繰返すことにより、電圧波形を時系列的に検
出することができる。なお検出された結果の電圧波形は
電圧の極性（正また負）が判別しうるものとなってい
る。
って徐々に遅延させ、電気光学材料で形成された光路変
換手段、例えば分散プリズムに入射させる。光路変換手
段に入射したパルス光は、光路変換手段の屈折率によっ
て所定の光路で透過光あるいは反射光として出力され
る。ところで光路変換手段の屈折率は、被測定物の所定
部分の電圧によって変化するので、これにより光路変換
手段から出力される透過光あるいは反射光の光路も変わ
る。この光路の変化を検出手段、例えばリニアイメージ
センサにより検出することで被測定物の所定部分を通る
電圧波形の一部をサンプリング測定することができる。
パルス光を遅延手段で徐々に遅延させて同様のサンプリ
ング測定を繰返すことにより、電圧波形を時系列的に検
出することができる。なお検出された結果の電圧波形は
電圧の極性（正また負）が判別しうるものとなってい
る。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
弟１図は、本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の
部分概略構成図である。
部分概略構成図である。
第１図の電圧検出装置では、電気光学材料、例えば光学
的一軸性結晶のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）か
らなる分散プリズム１が用いられている。使用に際し分
散プリズム１の先端２を被測定物（図示せず）に接近さ
せることで被測定物の所定部分の電圧により分散プリズ
ム１の屈折率を変化させるようになっている。
的一軸性結晶のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）か
らなる分散プリズム１が用いられている。使用に際し分
散プリズム１の先端２を被測定物（図示せず）に接近さ
せることで被測定物の所定部分の電圧により分散プリズ
ム１の屈折率を変化させるようになっている。
分散プリズム１には、パルス光源２からコリメータ４，
遅延手段７，ミラー２０を介してパルス光が入射し、分
散プリズム１に入射したパルス光は、分散プリズム１の
屈折率に基づく光路で分散プリズム１内を進行し、分散
プリズム１から透過光として出力される。すなわち第２
図に示すように、分散プリズム１に入射する前に通過す
る空間の屈折率をｎ１，分散プリズム１の屈折率をｎ２
とし、入射光が分散プリズム１の入射面の法線方向に対
して角度θで入射すると、分散プリズム１からは、 の関係に従って透過光が角度ψをなして出射する。な
お、αは分散プリズム１の頂角、ｎは比屈折率（ｎ２／
ｎ１）である。例えば頂角αが６０゜のときには、 である。電圧が加わって分散プリズム１の屈折率が大き
くなると、出射角ψは大きくなる。
遅延手段７，ミラー２０を介してパルス光が入射し、分
散プリズム１に入射したパルス光は、分散プリズム１の
屈折率に基づく光路で分散プリズム１内を進行し、分散
プリズム１から透過光として出力される。すなわち第２
図に示すように、分散プリズム１に入射する前に通過す
る空間の屈折率をｎ１，分散プリズム１の屈折率をｎ２
とし、入射光が分散プリズム１の入射面の法線方向に対
して角度θで入射すると、分散プリズム１からは、 の関係に従って透過光が角度ψをなして出射する。な
お、αは分散プリズム１の頂角、ｎは比屈折率（ｎ２／
ｎ１）である。例えば頂角αが６０゜のときには、 である。電圧が加わって分散プリズム１の屈折率が大き
くなると、出射角ψは大きくなる。
分散プリズム１からの透過光は、ミラー５により所定角
度反射されて、一次元配列のリニアイメージセンサ９に
入射するようになっている。
度反射されて、一次元配列のリニアイメージセンサ９に
入射するようになっている。
上述のような構成の電圧検出装置では、パルス光源２か
らのパルス光は、コリメータ４，遅延手段７，ミラー２
０を介して分散プリズム１に入射する。
らのパルス光は、コリメータ４，遅延手段７，ミラー２
０を介して分散プリズム１に入射する。
分散プリズム１に電圧の印加されていない状態では、分
散プリズム１に入射したパルス光は、光路Ｔ１で分散プ
リズム１内を進行し、分散プリズム１から透過光として
出力され、さらにミラー５で反射されて、一次元配列の
リニアイメージセンサ９の素子９−ｍに達する。
散プリズム１に入射したパルス光は、光路Ｔ１で分散プ
リズム１内を進行し、分散プリズム１から透過光として
出力され、さらにミラー５で反射されて、一次元配列の
リニアイメージセンサ９の素子９−ｍに達する。
一方、被測定物の所定部分の電圧、例えば正の電圧が分
散プリズム１に加わると、電気光学材料からなる分散プ
リズム１の屈折率が変化し、パルス光源２から出力され
るパルス光は光路Ｔ２で分散プリズム１内を進行し分散
プリズム１から透過光として出力され、さらにミラー５
で反射されてリニアイメージセンサ９の素子９−ｎに入
射する。
散プリズム１に加わると、電気光学材料からなる分散プ
リズム１の屈折率が変化し、パルス光源２から出力され
るパルス光は光路Ｔ２で分散プリズム１内を進行し分散
プリズム１から透過光として出力され、さらにミラー５
で反射されてリニアイメージセンサ９の素子９−ｎに入
射する。
また負の電圧が分散プリズム１に加わると、パルス光源
２から出力されるパルス光は光路Ｔ３で分散プリズム１
内を進行し分散プリズム１から透過光として出力され、
さらにミラー５で反射されてリニアイメージセンサ９の
素子９−１入射する。
２から出力されるパルス光は光路Ｔ３で分散プリズム１
内を進行し分散プリズム１から透過光として出力され、
さらにミラー５で反射されてリニアイメージセンサ９の
素子９−１入射する。
ところで、本実施例では、被測定物の所定部分の電圧パ
ルスは繰返し周期のものであり、パルス光源２からのパ
ルス光は、電圧パルスの繰返し周期に同期したものとな
っている。従って遅延手段７によってパルス光を徐々に
遅延させることによりリニアイメージセンサ９において
被測定物の所定部分の電圧パルスをサンプリングにより
測定することができる。第３図はサンプリング測定の仕
方を示すタイムチャートである。すなわち第３図(a) に
示すように電圧パルスが繰返して生起するとき、第３図
(b) に示すようにパルス光をΔｔづつタイミングがずれ
るように遅延させる。これによりパルス光Ｐ１，Ｐ２，
Ｐ３の入射で電圧パルス部分Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３がそれぞ
れリニアイメージセンサ９により時系列的に測定され
る。なお電圧パルス部分Ｗ１，Ｗ２は正であり、電圧パ
ルス部分Ｗ３は負であるが、本実施例によれば前述した
ようにパルス光Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の光路の変化として正
負の電圧のいずれをも測定することができる。
ルスは繰返し周期のものであり、パルス光源２からのパ
ルス光は、電圧パルスの繰返し周期に同期したものとな
っている。従って遅延手段７によってパルス光を徐々に
遅延させることによりリニアイメージセンサ９において
被測定物の所定部分の電圧パルスをサンプリングにより
測定することができる。第３図はサンプリング測定の仕
方を示すタイムチャートである。すなわち第３図(a) に
示すように電圧パルスが繰返して生起するとき、第３図
(b) に示すようにパルス光をΔｔづつタイミングがずれ
るように遅延させる。これによりパルス光Ｐ１，Ｐ２，
Ｐ３の入射で電圧パルス部分Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３がそれぞ
れリニアイメージセンサ９により時系列的に測定され
る。なお電圧パルス部分Ｗ１，Ｗ２は正であり、電圧パ
ルス部分Ｗ３は負であるが、本実施例によれば前述した
ようにパルス光Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の光路の変化として正
負の電圧のいずれをも測定することができる。
このように、第１の実施例では被測定物の所定部分の電
圧によって分散プリズム１の屈折率が変化し、これに基
づく透過光の光路の変化を利用して被測定物の所定部分
を通過する電圧波形を正負の極性を判別可能に検出する
ことができる。
圧によって分散プリズム１の屈折率が変化し、これに基
づく透過光の光路の変化を利用して被測定物の所定部分
を通過する電圧波形を正負の極性を判別可能に検出する
ことができる。
さらに、偏光子、検光子によって所定の偏光成分の光ビ
ームすなわち直線偏光の光ビームだけを取出す必要がな
く、さらにはビームスプリッタを必要としないので光の
利用率を著しく高めパルス光源２からのパルス光の強度
とほぼ同じ強度の透過光を検出器としてのリニアイメー
ジセンサ９に入射させることができると同時に、光学系
の部材数を少なくすることができて、電圧の検出精度お
よび検出感度を向上させることができる。
ームすなわち直線偏光の光ビームだけを取出す必要がな
く、さらにはビームスプリッタを必要としないので光の
利用率を著しく高めパルス光源２からのパルス光の強度
とほぼ同じ強度の透過光を検出器としてのリニアイメー
ジセンサ９に入射させることができると同時に、光学系
の部材数を少なくすることができて、電圧の検出精度お
よび検出感度を向上させることができる。
第４図は第１図に示す電圧検出装置の変形例の構成図で
ある。
ある。
第４図の電圧検出装置では、パルス光源２からのパルス
光をビームエキスパンダ２５により平行光にして遅延手
段８，ミラー２６を介し分散プリズム２７に入射させ
る。分散プリズム２７に入射した平行光ＢＭ１，……，
ＢＭｋ，……，ＢＭｌは、被測定物の軸線Ｆ方向の一次
元位置の各電圧による分散プリズム２７の屈折率変化に
基づく光路で分散プリズム２７から出射し、ＣＣＤカメ
ラやビジコンカメラなどの二次元検出器１０に入射す
る。
光をビームエキスパンダ２５により平行光にして遅延手
段８，ミラー２６を介し分散プリズム２７に入射させ
る。分散プリズム２７に入射した平行光ＢＭ１，……，
ＢＭｋ，……，ＢＭｌは、被測定物の軸線Ｆ方向の一次
元位置の各電圧による分散プリズム２７の屈折率変化に
基づく光路で分散プリズム２７から出射し、ＣＣＤカメ
ラやビジコンカメラなどの二次元検出器１０に入射す
る。
光ビームＢＭ１は、分散プリズム２７の屈折率変化によ
り二次元検出器１０の素子３３−１１，３３−１ｍ，…
…，３３−１ｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｋ
は、素子３３−ｋ１，……，３３−ｋｍ，……，３３−
ｋｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｌは、素子３３
−ｌ１，……，３３−ｌｍ，……，３３−ｌｎのいずれ
かに入射するようになっている。
り二次元検出器１０の素子３３−１１，３３−１ｍ，…
…，３３−１ｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｋ
は、素子３３−ｋ１，……，３３−ｋｍ，……，３３−
ｋｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｌは、素子３３
−ｌ１，……，３３−ｌｍ，……，３３−ｌｎのいずれ
かに入射するようになっている。
このような構成の電圧検出装置では、被測定物の軸線Ｆ
方向の電圧変化に伴ない被測定物の各位置に対応した分
散プリズム２７の部分の屈折率が変化し、これにより各
パルス光ＢＭ１，……，ＢＭｋ，……，ＢＭｌはその光
路が変換され出射される。ところで各パルス光ＢＭ１，
……，ＢＭｋ，……，ＢＭｌの光路変化は、二次元検出
器１０に入射する際には、被測定物の一次元的な電圧パ
ルス波形の一部をサンプリングしたものとなっている。
従って、各パルス光ＢＭ１，……，ＢＭｋ，……，ＢＭ
ｌを遅延手段８によって徐々に遅延させることにより、
二次元検出器１０では、被測定物の繰返し変化する一次
元的な電圧パルス波形を時系列的にサンプリングするこ
とができる。
方向の電圧変化に伴ない被測定物の各位置に対応した分
散プリズム２７の部分の屈折率が変化し、これにより各
パルス光ＢＭ１，……，ＢＭｋ，……，ＢＭｌはその光
路が変換され出射される。ところで各パルス光ＢＭ１，
……，ＢＭｋ，……，ＢＭｌの光路変化は、二次元検出
器１０に入射する際には、被測定物の一次元的な電圧パ
ルス波形の一部をサンプリングしたものとなっている。
従って、各パルス光ＢＭ１，……，ＢＭｋ，……，ＢＭ
ｌを遅延手段８によって徐々に遅延させることにより、
二次元検出器１０では、被測定物の繰返し変化する一次
元的な電圧パルス波形を時系列的にサンプリングするこ
とができる。
このようにして被測定物の一次元的な各位置の電圧を同
時に検出することができる。
時に検出することができる。
第５図は、本発明に係る電圧検出装置の第２の実施例の
構成図である。
構成図である。
第５図の電圧検出装置では、第１図に示す電圧検出装置
と同様に、パルス光源２と、遅延手段７と、一次元検出
器としてのリニアイメージセンサ９とを備えているが、
パルス光源２からのパルス光は、遅延手段７，ミラー２
０を介して、金属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡２
２の形成された光学的一軸性結晶の電気光学材料２１に
入射し、反射鏡２２で反射し電気光学材料２１から出射
光として出力されてリニアイメージセンサ９に加わるよ
うになっている。
と同様に、パルス光源２と、遅延手段７と、一次元検出
器としてのリニアイメージセンサ９とを備えているが、
パルス光源２からのパルス光は、遅延手段７，ミラー２
０を介して、金属薄膜あるいは誘電体多層膜の反射鏡２
２の形成された光学的一軸性結晶の電気光学材料２１に
入射し、反射鏡２２で反射し電気光学材料２１から出射
光として出力されてリニアイメージセンサ９に加わるよ
うになっている。
このような構成の電圧検出装置では、電気光学材料２１
に電圧が印加されていない状態では、パルス光源２から
のパルス光は電気光学材料２１内を光路Ｓ１で進み、反
射光としてリニアイメージセンサ９の素子９−ｍに入射
する。また電気光学材料２１に正（または負）の電圧が
印加されると、パルス光源２からのパルス光は電気光学
材料２１内を光路Ｓ３（またはＳ２）で進み、反射光と
して素子９−１（または９−ｎ）に入射する。このよう
に、電気光学材料２１に加わる電圧によって電気光学材
料２１内における光ビームの光路は異なり、電気光学材
料２１から反射光は、その光路に見合った素子に入射す
ることになる。
に電圧が印加されていない状態では、パルス光源２から
のパルス光は電気光学材料２１内を光路Ｓ１で進み、反
射光としてリニアイメージセンサ９の素子９−ｍに入射
する。また電気光学材料２１に正（または負）の電圧が
印加されると、パルス光源２からのパルス光は電気光学
材料２１内を光路Ｓ３（またはＳ２）で進み、反射光と
して素子９−１（または９−ｎ）に入射する。このよう
に、電気光学材料２１に加わる電圧によって電気光学材
料２１内における光ビームの光路は異なり、電気光学材
料２１から反射光は、その光路に見合った素子に入射す
ることになる。
これにより、第１図の電圧検出装置と同様に、リニアイ
メージセンサ９で、被測定物の所定部分を通過する電圧
パルスなどの電圧波形を正負の極性を判別可能に時系列
的にサンプリング測定することができる。また、偏光
子、検光子、ビームスプリッタを用いておらずさらに光
学系の部材数を少なくすることができるので、光の利用
率を著しく高め、電圧の検出精度、検出感度を著しく向
上させることができる。
メージセンサ９で、被測定物の所定部分を通過する電圧
パルスなどの電圧波形を正負の極性を判別可能に時系列
的にサンプリング測定することができる。また、偏光
子、検光子、ビームスプリッタを用いておらずさらに光
学系の部材数を少なくすることができるので、光の利用
率を著しく高め、電圧の検出精度、検出感度を著しく向
上させることができる。
第６図は第５図に示す電圧検出装置の変形例の部分構成
図である。
図である。
第６図の電圧検出装置では、パルス光源２からのパルス
光をビームエキスパンダ２５により平行光にし遅延手段
８，ミラー２６を介して、金属薄膜あるいは誘電体多層
膜の反射鏡２８の形成された光学的一軸性結晶の電気光
学材料２９に入射させるようになっている。電気光学材
料２９に入射した平行光ＢＭ１乃至ＢＭｌは、被測定物
の軸線Ｆ方向の一次元位置の各電圧による電気光学材料
２９の屈折率変化に基づく光路で電気光学材料２９から
出射する。すなわち、光ビームＢＭ１は、電気光学材料
２９の屈折率変化によりＣＣＤカメラ、ビジコンカメラ
などの二次元検出器１２の素子３８−１１乃至３８−１
ｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｌは、素子３８−
ｌ１乃至３８−ｌｎのいずれかに入射するようになって
いる。
光をビームエキスパンダ２５により平行光にし遅延手段
８，ミラー２６を介して、金属薄膜あるいは誘電体多層
膜の反射鏡２８の形成された光学的一軸性結晶の電気光
学材料２９に入射させるようになっている。電気光学材
料２９に入射した平行光ＢＭ１乃至ＢＭｌは、被測定物
の軸線Ｆ方向の一次元位置の各電圧による電気光学材料
２９の屈折率変化に基づく光路で電気光学材料２９から
出射する。すなわち、光ビームＢＭ１は、電気光学材料
２９の屈折率変化によりＣＣＤカメラ、ビジコンカメラ
などの二次元検出器１２の素子３８−１１乃至３８−１
ｎのいずれかに入射し、光ビームＢＭｌは、素子３８−
ｌ１乃至３８−ｌｎのいずれかに入射するようになって
いる。
このような構成の電圧検出装置では、パルス光としての
平行光を遅延手段８によって徐々に遅延させることで、
被測定物の所定部分の電圧パルス波形を光ビームＢＭ１
乃至ＢＭｌの光路変化としてサンプリング測定し、二次
元検出器１２において時系列的に検出することができ
る。このようにして第４図に示す電圧検出装置と同様に
して、被測定物の一次元的な各位置の電圧を同時に検出
することができる。
平行光を遅延手段８によって徐々に遅延させることで、
被測定物の所定部分の電圧パルス波形を光ビームＢＭ１
乃至ＢＭｌの光路変化としてサンプリング測定し、二次
元検出器１２において時系列的に検出することができ
る。このようにして第４図に示す電圧検出装置と同様に
して、被測定物の一次元的な各位置の電圧を同時に検出
することができる。
なお、上述の実施例では、分散プリズム１，２７，電気
光学材料２１，２９を光学的一軸性結晶からなるものと
して説明したが、これらの実施例では光ビームの偏光状
態の変化を何ら利用するものではないので、分散プリズ
ム１，２７，電気光学材料２１，２９は光学的一軸性結
晶に限らず、例えば等方性結晶であっても良い。
光学材料２１，２９を光学的一軸性結晶からなるものと
して説明したが、これらの実施例では光ビームの偏光状
態の変化を何ら利用するものではないので、分散プリズ
ム１，２７，電気光学材料２１，２９は光学的一軸性結
晶に限らず、例えば等方性結晶であっても良い。
また、上述の実施例では、電気光学材料の先端を被測定
物に接触させないとして説明したが、これを被測定物に
接触させても良い。
物に接触させないとして説明したが、これを被測定物に
接触させても良い。
以上に説明したように、本発明によれば、パルス光源か
らのパルス光を徐々に遅延させながら、屈折率に対応し
た光路で光路変換手段から出射させ、各光路からの各出
射光を検出手段でサンプリング検出するようにしている
ので、検出手段において被測定物の所定部分を通過する
電圧パルスなどの電圧波形を正負の極性をも判別可能に
直接検出することができて、さらに光学系の部材数を少
なくすることができるとともに光源からの光ビームの強
度を何ら半減させることなく出射光を検出できるので、
被測定物の所定部分の電圧を精度良くかつ感度良く検出
することができる。
らのパルス光を徐々に遅延させながら、屈折率に対応し
た光路で光路変換手段から出射させ、各光路からの各出
射光を検出手段でサンプリング検出するようにしている
ので、検出手段において被測定物の所定部分を通過する
電圧パルスなどの電圧波形を正負の極性をも判別可能に
直接検出することができて、さらに光学系の部材数を少
なくすることができるとともに光源からの光ビームの強
度を何ら半減させることなく出射光を検出できるので、
被測定物の所定部分の電圧を精度良くかつ感度良く検出
することができる。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の構
成図、第２図は分散プリズムの光路を説明するための
図、第３図(a) ，(b) はそれぞれ電圧パルス、パルス光
のタイムチャート、第４図は第１図の電圧検出装置の変
形列の部分構成図、第５図は本発明に係る電圧検出装置
の第２の実施例の構成図、第６図は第５図の電圧検出装
置の変形例の部分構成図、第７図は従来の電圧検出装置
の構成図である。 １，２７……分散プリズム、２……パルス光源、 ７，８……遅延手段、９……リニアイメージセンサ、 １０，１２……二次元検出器、 ２１，２９……電気光学材料、 Ｔ１乃至Ｔ３，Ｓ１乃至Ｓ３……光路
成図、第２図は分散プリズムの光路を説明するための
図、第３図(a) ，(b) はそれぞれ電圧パルス、パルス光
のタイムチャート、第４図は第１図の電圧検出装置の変
形列の部分構成図、第５図は本発明に係る電圧検出装置
の第２の実施例の構成図、第６図は第５図の電圧検出装
置の変形例の部分構成図、第７図は従来の電圧検出装置
の構成図である。 １，２７……分散プリズム、２……パルス光源、 ７，８……遅延手段、９……リニアイメージセンサ、 １０，１２……二次元検出器、 ２１，２９……電気光学材料、 Ｔ１乃至Ｔ３，Ｓ１乃至Ｓ３……光路
Claims (5)
- 【請求項１】被測定物の所定部分の電圧によって屈折率
が変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置に
おいて、パルス光を出力するパルス光源と、パルス光を
徐々に遅延させる遅延手段と、電気光学材料で形成され
かつ遅延手段からのパルス光を屈折率に対応した光路で
出力させる光路変換手段と、光路変換手段からのパルス
光を検出する検出手段とを備え、前記被測定物の所定部
分の電圧をサンプリング測定するようになっていること
を特徴とする電圧検出装置。 - 【請求項２】前記光路変換手段は、これに入射する光ビ
ームを屈折率に対応した光路で透過光として出力させる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧検
出装置。 - 【請求項３】前記光路変換手段は、これに入射する光ビ
ームを屈折率に対応した光路で反射光として出力させる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧検
出装置。 - 【請求項４】前記検出手段は、一次元のリニアイメージ
センサであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電圧検出装置。 - 【請求項５】前記パルス光は、平行光となって前記光路
変換手段に加わり、前記検出手段は、二次元の検出器で
あって、被測定物の一次元的位置の電圧をサンプリング
測定するようになっていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電圧検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62223583A JPH0660912B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 電圧検出装置 |
| GB8820917A GB2209598B (en) | 1987-09-07 | 1988-09-06 | Voltage detector |
| US07/240,641 US4922186A (en) | 1987-09-07 | 1988-09-06 | Voltage detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62223583A JPH0660912B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6466565A JPS6466565A (en) | 1989-03-13 |
| JPH0660912B2 true JPH0660912B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=16800440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62223583A Expired - Fee Related JPH0660912B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 電圧検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4922186A (ja) |
| JP (1) | JPH0660912B2 (ja) |
| GB (1) | GB2209598B (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873485A (en) * | 1988-07-13 | 1989-10-10 | The University Of Rochester | Electro-optic signal measurement |
| US5179565A (en) * | 1990-06-07 | 1993-01-12 | Hamamatsu Photonics, K.K. | Low noise pulsed light source utilizing laser diode and voltage detector device utilizing same low noise pulsed light source |
| JPH0810776B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1996-01-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 狭スペクトル短パルス光源装置及び電圧検出装置 |
| US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
| US6256882B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US6088151A (en) * | 1998-11-16 | 2000-07-11 | Lucent Technologies Inc. | Optical modulator with variable prism |
| US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
| DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
| US6970634B2 (en) * | 2001-05-04 | 2005-11-29 | Cascade Microtech, Inc. | Fiber optic wafer probe |
| WO2003052435A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
| US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
| WO2005065258A2 (en) | 2003-12-24 | 2005-07-21 | Cascade Microtech, Inc. | Active wafer probe |
| US7187188B2 (en) | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
| WO2006031646A2 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
| US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
| US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
| US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
| US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
| US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
| US7674048B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-03-09 | Corning Cable Systems Llc | Polarity checking apparatus for multi-fiber connectors |
| US7888957B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
| WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
| US8319503B2 (en) | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
| JP6764876B2 (ja) * | 2015-05-07 | 2020-10-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 測定装置及び方法 |
| US10481041B2 (en) * | 2017-05-23 | 2019-11-19 | Fluke Corporation | Measuring optical array polarity, power, and loss using a position sensing detector and photodetector-equipped optical testing device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3447855A (en) * | 1965-06-04 | 1969-06-03 | Bell Telephone Labor Inc | Electro-optical beam deflection apparatus |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP62223583A patent/JPH0660912B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-06 US US07/240,641 patent/US4922186A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-06 GB GB8820917A patent/GB2209598B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6466565A (en) | 1989-03-13 |
| US4922186A (en) | 1990-05-01 |
| GB2209598A (en) | 1989-05-17 |
| GB2209598B (en) | 1991-05-29 |
| GB8820917D0 (en) | 1988-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0660912B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JPH0573178B2 (ja) | ||
| JP2571385B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JP2527965B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| EP0293841A1 (en) | Voltage detector | |
| JPS63300971A (ja) | 電圧検出装置 | |
| JP2537364B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| US4864222A (en) | Voltage detector employing electro-optic material having a corner-cube shape | |
| JPH0830720B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JPH0695111B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| US4982151A (en) | Voltage measuring apparatus | |
| EP0299427B1 (en) | Voltage detector | |
| US4982152A (en) | Voltage detecting device | |
| JPH08146066A (ja) | 電気信号測定方法および装置 | |
| JP3154531B2 (ja) | 信号測定装置 | |
| EP0506358B1 (en) | Sampling-type optical voltage detector | |
| US5164667A (en) | Voltage detecting device | |
| JPS63308586A (ja) | 電圧検出装置の評価装置 | |
| JP2837933B2 (ja) | 信号波形検出装置 | |
| JPS63305258A (ja) | 電圧検出装置 | |
| JPH0510983A (ja) | 信号波形検出装置の信号処理装置 | |
| JPH05157811A (ja) | 信号測定装置 | |
| JPH06176328A (ja) | 磁気光学効果を利用した測定装置 | |
| JPH06147973A (ja) | 固体ストリークカメラ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |