JPS63300971A

JPS63300971A - 電圧検出装置

Info

Publication number: JPS63300971A
Application number: JP62137317A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Aoshima; 紳一郎青島; Yutaka Tsuchiya; 裕土屋
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1987-05-30
Filing date: 1987-05-30
Publication date: 1988-12-08
Anticipated expiration: 2009-11-24
Also published as: JPH0695109B2; DE3877827D1; DE3877827T2; EP0293788A1; EP0293788B1; US4920310A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、被測定物、例えば電気回路等の所定部分の電
圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定物
の所定部分の電圧によって光の偏光状態が変化すること
を利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置に関する
。

〔従来の技術〕

従来、電気回路などの被測定物の所定部分の電圧を検出
するのに、種々の電圧検出装置が用いられる。この種の
電圧検出装置としては被測定物の所定部分にプローブを
接触させて、その部分の電圧を検出する型式のもの、あ
るいはプローブを接触させずに所定部分に電子ビームを
入射させることにより所定部分の電圧を検出する型式の
ものなどが知られている。

ところで、当業者間には、構造が複雑でかつ小型の集積
回路のような被測定物の微細な部分の高速に変化する電
圧を、微細な部分の状態に影響を与えず精度良く検出し
たいという強い要望がある。

しかしながら、プローブを被測定物の所定部分に接触さ
せる型式の電圧検出装置では、集積回路等の微細部分に
プローブを直接接触させることが容易でなく、またプロ
ーブを接触させることができなとしても、その電圧情報
だけに基づき４Ａ積回路の動作を適確に解析するのは困
難であった。さらにグローブを接触させることにより集
積回路内の動作状態が変化するという問題があった。

また電子ビームを用いる型式の電圧検出装置では、プロ
ーブを被測定物に接触させずに電圧を検出することがで
きるものの、測定されるべき部分が真空中に置かれかつ
露出されているものに限られ、また電子ビームにより測
定されるべき部分を損傷するという問題があった。

さらに従来の電圧検出装置では、検出器の動作速度が高
速の電圧変化に追従できず、集積回路等の高速に変化す
る電圧を精度良く検出することができないという問題が
あった。

このような問題点を解決するために、特願昭６１−２８
０４９８号に記載されているような被測定物の所定部分
の電圧によって光ビームの偏光状態が変化することを利
用して電圧を検出する型式の電圧検出装置が開発された
。

第５図は、光ビームの偏光状態が被測定物の所定部分の
電圧によって変化することを利用して被測定物の電圧を
検出する型式の電圧検出装置の構成図である。

第５図において電圧検出装置５０は、光ファイバ５１の
接続されている光プローブ５２と、レーザダイオードか
らなる光源５３と、光源５３から出力される光ビームの
うちで所定の偏光成分をもつ光ビームだけを通過させる
偏光子５４と、偏光子５４からの光ビームを分割し一方
を入射光として光プローブ５２に向かわせ、他方を入射
光として光電変換素子５５に入射させるビームスプリッ
タ５６と、ビームスプリッタ５６からの入射光を光プロ
ーブ５２に向かわせる一方、光プローブ５２からの出射
光を検光子５７．光電変換素子５８に入射させるビーム
スプリッタラつと、ビームスプリッタ５９と光ファイバ
５１との間にあるコリメータ６０と、光電変換素子５５
．５８からの光電変換された電気信号を比較する比較回
路６１とから構成されている。

光プローブ５２には、電気光学材料６２、例えば光学的
−軸性結晶のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）が収
容されており、電気光学材料６２の先端部６３は、截頭
円錐形状に加工されている。光プローブ５２の外周部に
は、導電性電極６４が設けられ、また先端部６３には金
属薄膜６５が被着されている。

このような構成の電圧検出装置５０では、検出に際して
、光プローブ５２の外周部に設けられた導電性電極６４
を例えば接地電位に保持しておく。

次いで、光プローブ５２の先端部６３を被測定物、例え
ば集積回路（図示せず）に接近させる。これにより、光
プローブ５２の先端部６３に被着されている金属薄膜６
５の電位は、被測定物の所定の電圧により所定の電位と
なり、金属薄膜６５の電位と導電性電極６４の接地電位
との電位差により、電気光学材料６２の先端部６３の屈
折率が変化する。より詳しくは、光学的−軸性結晶など
において、光軸と垂直な平面内における常光と異常光と
の屈折率の差が変化する。

光源５３から出力された光ビームは、偏光子５４により
所定の偏光成分の強度Ｉの光ビームとなって、ビームス
プリッタ５６，５９．コリメータ６０．光ファイバ５１
を介して光プローブ５２の電気光学材料６２に入射する
。なおビームスプリッタ５６により分割された参照光の
強度はｌ／２となり、ビームスプリッタ５６．５９によ
り分割されて電気光学材料６２に入射する入射光の強度
はｌ／４となっている。電気光学材料６２の先端部６３
の屈折率は上述のように金属薄膜の電位により変化する
ので、電気光学材料６２に入射した入射光は先端部６３
のところでその偏光状態が屈折率変化に依存して変化し
、金属薄膜６５に達し、金属薄膜６５で反射され、電気
光学材料６２から出射光として再び光ファイバ５１に案
内される。電気光学材料６２の先端部６３の長さをρと
すると、入射光の偏光状態は電圧による常光と異常光と
の屈折率差および長さ２ｊ！に比例して変化する。光フ
ァイバ５１に戻された出射光は、コリメータ６０．ビー
ムスプリッタ５９を介して検光子５７に入射する。なお
検光子５７に入射する出射光の強度は、ビームスプリッ
タ５９によりｌ／８となっている。検光子５７が例えば
偏光子５４の偏光成分と直交する偏光成分の光ビームだ
けを通過させるように構成されているとすると、偏光状
態が変化して検光子５７に入射する強度１／８の出射光
は、検光子５７により、強度が（ｌ／８）ｃｏｓ［（π
／２）Ｖ／Ｖｏ）となって光電変換素子５８に加わるこ
とになる。なお、■は被測定物の所定部分の電圧、Ｖｏ
は半波長電圧である。

比較回路６１では、光電変換素子５５において光電変換
された参照先の強度Ｉ／２と、光電変換素子５８におい
て光電変換された出射光の強度（ｌ／８）ｃｏｓ　　　
（（π／２）Ｖ／Ｖｏ〕とが比較される。

出射光の強度（ｌ／８）ｃｏｓ２　（（π／２）■／ｖ
ｏ〕は、光プローブ５２の先端部６３に被着された金属
薄膜６５の電位変化による電気光学材料６２の先端部６
３の屈折率の変化によって変わるので、これに基づいて
金属薄膜６５の電位ずなわち被測定物、例えば集積回路
の所定部分の電圧を検出することができる。

〔発明が解決しようする問題点〕

このように第５図に示す電圧検出装置５０では、光プロ
ーブ５２の先端部６３を被測定物に接近させることによ
り生ずる電気光学材料６２の先端部６３の屈折率変化に
基づき、被測定物の所定部分の電圧を検出するようにし
ているので、特に接触させることが困難で、また接触さ
せることにより被測定電圧に影響を与えるような集積回
路の微細部分などの電圧を、光プローブ５２を接触させ
ることなく検出することができる。

しかしながら、第５図に示す電圧検出装置５０では、偏
光子５４からの光ビームすなわち入射光の偏光状態は、
光ファイバ５１を通過することにより、光フアイバ５１
内で変化し、偏光子５４によって抽出された直線偏光成
分以外の偏光成分の混在した状態で電気光学材料６２に
入射することになる。また、同様にして電気光学材料６
２を透過し金属薄膜６５で反射され電気光学材料６２か
ら出射された出射光の偏光状態は、光ファイバ５１を通
過することにより光フアイバ５１内で変形されて検出に
際して望ましくない偏光成分を生じて検光子５７に到達
することになる。

このために、検光子５７、光電変換索子５８において光
プローブ５２の電気光学材料６２内での偏光状態の変化
だけに依存した偏光成分を抽出することが難しくなり、
検出精度を低下させるという問題があった。

本発明は、光プローブの電気光学材料内での偏光状態の
変化だけに依存した偏光成分を抽出することの可能な電
圧検出装置を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が
変化する電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置にお
いて、光ビームを出力する光源と、該光源からの光ビー
ムを案内する案内手段と、案内手段からの光ビームから
所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出し参照光と前
記電気光学材料への入射光とに分割する一方、前記電気
光学材料からの出射光を分割して所定の偏光成分の出射
光だけを抽出する分割抽出手段と、該分割抽出手段によ
って分割された参照光の強度と抽出された出射光との強
度とに基づき被測定物の電圧を検出する検出手段とを備
えていることを特徴とする電圧検出装置によって、上記
従来技術の問題点を改善しようとするものである。

〔作用〕本発明では光源から出力された光ビームを案内手段を介
して分割抽出手段に入射させる６分割抽出手段では、案
内手段からの光ビームから所定の偏光成分をもつ光ビー
ムだけを抽出して参照光と電気光学材料への入射光とに
分割する０分割抽出手段により分割された入射光は、電
気光学材料に入射する。このときに、分割抽出手段によ
り抽出された所定の偏光成分をもつ光ビームは、案内手
段、例えば光ファイバを介さずに入射光として電気光学
材料に入射するので、電気光学材料に入射する際の偏光
状態は、分割抽出手段において抽出された時点の偏光状
態とほぼ同じ状態となっている。電気光学材料に入射し
た入射光は、被測定物の所定部分の電圧により屈折率の
変化した電気光学材料内を進み、反射され、電気光学材
料から出射光として出力される。なお、電気光学材料か
ら出力される出射光は、屈折率の変化した電気光学材料
によりその偏光状態が変化している。電気光学材料から
の出射光は、案内手段、例えば光ファイバを介さずに分
割抽出手段に入射するので、分割抽出手段に入射する出
射光の偏光状態は、電気光学材料から出力された時点の
偏光状態とほぼ同じになっている。

これにより、分割抽出手段から電気光学材料に入射する
入射光の偏光状態と電気光学材料から分割抽出手段に入
射する出射光の偏光状態との差は、電気光学材料内での
偏光状態の変化量とほぼ正確に一致する。この偏光状態
の変化量は、被測定物の所定部分の電圧の大きさを反映
しているので、分割抽出手段において、出射光のうち所
定の偏光成分のものを抽出してこの出射光の強度を求め
、さらに参照光の強度を求めて、これら出射光の強度と
参照光の強度とを検出手段に加えることで、被測定物の
所定部分の電圧を検出することができる。なお光源とし
てパルス幅の非常に雉かい光ビームを出力するレーザダ
イオードなどを用い検出手段に光電変換素子を用いて、
被測定物の高速な電圧変化を非常に短かい時間幅でサン
プリングするかあるいは光源として直流光源を用い検出
手段にストリークカメラなどの高速応答検出器を用いて
被測定物の高速な電圧変化を非常に高い時間分解能で測
定することにより、高速な電圧変化をも精度良く検出す
ることが可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の電圧検出装置の実施例の構成図である
。

第１図の電圧検出装置１では、光プローブ２内に、コリ
メータ３と、集光レンズ４．５と、コリメータ３からの
光ビームから所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出
する偏光子６と、偏光子６からの偏光された光ビームを
分割し入射光として電気光学材料６２に向かわせる一方
、参照光として集光レンズ４に向かわせるビームスプリ
ッタ７と、電気光学材料６２からの出射光を分割するビ
ームスプリッタ８と、ビームスプリッタ８によって分割
された出射光の所定の偏光成分だけを抽出しこれを集光
レンズ５に入射させる検光子９とがさらに実装されてい
る。

光プローブ２内のコリメータ３は、光源５３から集光レ
ンズ１０．光ファイバ１３を介しての光ビームを平行ビ
ームとして偏光子６に導く、また光プローブ２内の集光
レンズ４，５からの参照光、出射光はそれぞれ、光ファ
イバ１４．１５を介してストリークカメラ１１のスリッ
ト４１に入射するようになっている。

ストリークカメラ１１は、第２図に示すように、光ファ
イバ１４．１５からの参照光、出射光が入射するスリッ
ト４１と、スリット４１を介しての参照光、出射光が入
射するレンズ４２と、レンズ４２により集光された参照
光、出射光が入射する光電面４３と、光電面４３により
光電変換された電子ビームを横方向に偏向させる偏向電
極４４と、偏向された電子ビームを増倍するマイクロチ
ャンネルプレー１・４５と、マイクロチャンネルプレー
ト４５からの電子ビームが入射する螢光面４６とを備え
ている。なお第２図では、マイクロチャンネルプレート
４５と螢光面４６とが分離されて示されているが、これ
らは通常互いに接合したものとなっている。またレンズ
４２は円筒形状に示されているが、通常は円筒形のもの
とはなワていない、このようなストリークカメラ１１の
偏向電極４４には電気トリガ信号ＴＲに同期した鋸歯状
電圧が増幅器１２を介して加わり、これにより、光電面
４３に時系列で入射する参照光、出射光を螢光面４６上
で横方向に掃引することができる。これにより、横方向
すなわち掃引方向を時間軸として、螢光面４６上で被測
定物の所定部分の電圧変化を一次元の光強度分布ＦＧと
して検出することができる。なおストリークカメラ１１
には、シンクロスキャンストリークカメラ、サンプリン
グストリーク管を用いたスＩ・リークカメラ、二重掃引
ストリークカメラ、シンクロナスブランキングユニット
を付加したシンクロスキャンストリークカメラなどがあ
る。このようなストリークカメラ１１を用いることによ
り、被測定物の電圧が周期的に変化しないような場合、
例えば１トーパルス電圧などをも精度良く検出すること
が可能となる。

このような構成の電圧検出装置１では、レーザダイオー
ドなどの直流光源５３からの光ビームは、集光レンズ１
０、光ファイバ１３を介して光プローブ２内のコリメー
タ３に入射する。コリメータ３に入射した光ビームは、
さらに光プローブ２内の偏光子６により所定の偏光成分
だけの強度Ｉの光ビームが抽出されてビームスプリッタ
７に入射する。ビームスプリッタ７では、前述のビーム
スプリッタ５６と同様にして、光ビームを分割して、一
方を参照光として集光レンズ４に向かわせ、他方を入射
光としてビームスプリッタ８に向かわせる。なお、この
とき参照光の強度はＩ／２となる。

集光レンズ４では、参照光を光ファイバ１４を介してス
トリークカメラ１１に入射させ、ビームスプリッタ８で
は、入射光を電気光学材料６２に入射させる。

ところで、この実施例では、偏光子６からの光ビームは
、ビームスプリッタ７．８から光ファイバを介さずに直
接電気光学材料６２に入射するので、電気光学材料６２
に入射する際の偏光状態は偏光子６から出力される時点
での偏光状態を維持している。

電気光学材料６２に入射した入射光は、前述のように、
先端部６３のところで金属薄膜６５と導電性電極６４と
の電位差により、その偏光状態が変化して金属薄膜６５
に達し、金属薄膜６５で反射されさらに偏光状態が変化
して出射光として再びビームスプリッタ８に戻る。ビー
ムスプリッタ８では出射光を分割して検光子９に入射さ
せる。

ここで、ビームスプリッタ８からの出射光は、光ファイ
バを介さずに直接、検光子９に入射するので、検光子９
に入射する際の偏光状態は、電気光学材料６２から出力
される時点での偏光状態を維持している。検光子９では
、電気光学材料６２により偏光状態の変化した出射光か
ら所定の偏光成分だけ抽出して集光レンズ５から光ファ
イバ１５を介してストリークカメラ１１に入射させる。

すなわち、検光子９が例えば偏光子６により抽出される
偏光成分と直交した偏光成分の光ビームだけを通過させ
るように構成されているとすると、検光子９から取出さ
れる出射光の強度は、ＣＩ／８）・　　２ｓｉｎ　　　（（π／２）Ｖ／Ｖ□）となる。

上述の説明からもわかるように、本実施例では、光ファ
イバ１３は、光源５３からの光ビームの強度を偏光子６
に伝達するためのものであり、また光ファイバ１４．１
５はそれぞれ、参照光の強度、反射光の強度をストリー
クカメラ１１に伝達するためのものであり、これらの光
ファイバ１３゜１４．１５は偏光状態に関する情報を伝
達するものではないので、ストリークカメラ１１では電
気光学材料６２内での偏光状態の変化に基づく電圧を忠
実に検出することができる。

すなわち、偏光子６からの入射光は、その偏光状態が変
わることなく電気光学材料６２に入射し、また電気光学
材料６２からの出射光は、その（ｉ光状態が変わること
なく検光子９に入射するので、電気光学材料６２内での
偏光状態の変化だけに依存した偏光成分を抽出すること
ができて、被測定物の電圧を精度良く検出することがで
きる。

ところで、第１図に示す電圧検出装置１では、参照光お
よび出射光を取出すのに２つのビームスプリッタ７．８
をそれぞれ用いていた。このために、検光子９に入射す
る出射光の強度は、参照光の強度の約１７４と微弱なも
のとなり、被測定物の電圧を一層精度良く検出するには
限界があった。

第３図は、第１図の電圧検出装置の変形例を示す図であ
る。

第３図の電圧検出装置２０では、光プローブ２１内に１
つのビームスプリッタ２２だけが設けられている。この
ビームスプリッタ２２は、偏光子６からの所定の（日光
成分をもつ光ビームを参照光と入射光とに分割する一方
、電気光学材料６２からの出射光を検光子９に入射させ
るようになっている。

このような構成の電圧検出装置２０では、偏光子６から
の所定の偏光成分をもつ強度上の光ビームがビームスプ
リッタ２２に入射すると、ビームスプリッタ２２は、入
射した光ビームを分割し、一方を参照光としてコリメー
タ４に向かわせ、他方を入射光として電気光学材料６２
に入射させる。

このときに参照光、入射光の強度はそれぞれ工／２とな
る。電気光学材料６２に入射し、そこで偏光状態が変化
した出射光は電気光学材料６２からビームスプリッタ２
２に再び戻り、分割されて検光子９に入射する。このと
き、検光子９に入射する出射光の強度はπ／４となる。

従って、検光子９に入射する出射光の強度は、参照光の
１７２となり、第１図の電圧検出装置１に比べて、出射
光の強度を約２倍にすることができる。さらに第３図の
電圧検出装置２０では、ビームスプリッタ２２を１つに
することで光プローブ２の構造を簡単にかつ小型にする
ことができて、光学系の精度を向上させることができる
。

第４図はさらに、第１図の電圧検出装置の他の変形例を
示す図である。

第４図の電圧検出装置３０では、光プローブ３２内に１
つの偏光ビームスプリッタ３３が設けられている。この
偏光ビームスプリッタ３３は、第３図の偏光子６および
検光子９の機能をも兼備えたものである。

このような構成の電圧検出装置３０では、偏光ビームス
プリッタ３３に光ビームが入射すると、偏光ビームスプ
リッタ３３は入射した光ビームのうちで所定の偏光成分
をもつ光ビームを参照光として分割し、また参照光の偏
光成分と直交する偏光成分を有する光ビームを入射光と
して分割する。

また電気光学材料６２からの偏光状態の変化した出射光
は、参照光と同じ偏光成分のみが抽出され、分割されて
集光レンズ５に進む。

このように第４図の電圧検出装置３０では、第３図の偏
光子６．検光子９の機能をも偏光ビームスプリッタ３３
内に組込んでいるので、光プローブ２内の部材数をさら
に減少させることができる。

なお、被測定物の所定部分の電圧が微弱なものである場
合には、偏光状態の変化は小さいので、偏光子６と検光
子９との間の位置ずれは、検出精度に大きく影響する。

ところで第４図の検出装置３０では、偏光子６と検光子
９とが偏光ビームスプリッタ３３として一体に構成され
ているので、偏光子６．検光子９間には位置ずれ、匣転
が生ずることはなく、微弱な電圧をも精度良く検出する
ことができる。

なお上述の実施例では、光源５３として直流光源を用い
検出器にストリークカメラ１１を用いて被測定物の高速
な電圧変化を非常に高い時間分解能で測定する場合につ
いて述べたが、第５図に示すような従来の装置のように
光源５３としてパルス幅の非常に雉かい光ビームを出力
するレーザダイオードなどを用い検出器に光電変換素子
を用いて被測定物の高速な電圧変化を非常に短かい時間
幅でサンプリングしても良い。

また上述の実施例では、検光子９により抽出される偏光
成分と偏光子６により抽出される偏光成分とが直交して
いるものとして説明したが、これらを互いに平行にして
も良い、この場合には、検光子９から取出される出射光
の強度は、（π／８）ｃｏｓｔ（π／２）Ｖ／Ｖｏ）と
なる、さらに、これらの偏光成分間の角度を希望の角度
にしても良い、さらに光プローブ２，２１．３２は、こ
れらの内壁に入射する光ビームの散乱を防止するため黒
塗りされているのが良い。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明によれば、分割抽出手段
からの入射光を案内手段を介さずに電気光学材料に入射
させ、また電気光学材料からの出射光を案内手段を介さ
ずに分割抽出手段に入射させるようにしているので、電
気光学材料内での偏光状態の変化だけに依存した偏光成
分を抽出することができて電圧の検出精度を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る電圧検出装置の実施例の構成図、
第２図はストリークカメラの概ＩｔＰｔ格成図、第３図
は第１図の電圧検出装置の変形例を示す図、第４図は第
１図の電圧検出装置の他の変形例を示す図、第５図は従
来の電圧検出装置の構成図である。１．２０．３０・・・電圧検出装置、２、・２１．３２・・・光プローブ、３・・・コリメータ、４，５．１０・・・集光レンズ、
１１・・・ストリークカメラ、６・・・偏光子、７．８
．２２・・・ビームスプリッタ、９・・・検光子、１３
．１４．１５・・・光ファイバ、３３・・・偏光ビームスプリッタ、５３・・・光源、６
２・・・電気光学材料第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】１）被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
光ビームを出力する光源と、該光源からの光ビームを案
内する案内手段と、案内手段からの光ビームから所定の
偏光成分をもつ光ビームだけを抽出し参照光と前記電気
光学材料への入射光とに分割する一方、前記電気光学材
料からの出射光を分割して所定の偏光成分の出射光だけ
を抽出する分割抽出手段と、該分割抽出手段によって分
割された参照光の強度と抽出された出射光との強度とに
基づき被測定物の電圧を検出する検出手段とを備えてい
ることを特徴とする電圧検出装置。２）前記案内手段は、光ファイバであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。３）前記分割抽出手段は、前記案内手段からの光ビーム
から所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光
子と、偏光子により抽出された光ビームを参照光と入射
光とに分割するビームスプリッタと、出射光を分割する
ビームスプリッタと、分割された出射光から所定の偏光
成分の出射光だけを抽出する検光子とからなっているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出
装置。４）前記分割抽出手段は、前記案内手段からの光ビーム
から所定の偏光成分をもつ光ビームだけを抽出する偏光
子と、偏光子により抽出された光ビームを参照光と入射
光とに分割すると同時に出射光をも分割するビームスプ
リッタと、分割された出射光から所定の偏光成分の出射
光だけを抽出する検光子とからなっていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。５）前記分割抽出手段は、偏光ビームスプリッタからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電圧
検出装置。６）前記光源は、パルス光源であり、前記検出手段は、
前記分割抽出手段によって抽出された参照光と出射光と
の光強度をそれぞれ検出する光電変換素子を備え、前記
参照光および前記出射光はそれぞれ光ファイバを介して
対応する光電変換素子に案内されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。７）前記光源は、直流光源であり、前記検出手段は、前
記分割抽出手段によって抽出された参照光と出射光との
光強度をそれぞれ検出する高速応答検出器を備え、前記
参照光および前記出射光は光ファイバを介して高速応答
検出器に案内されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の電圧検出装置。８）前記高速応答検出器は、ストリークカメラであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の電圧検出
装置。