JP2003161743A - コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッシベーションとの干渉を回避しつつ被検
査物の電極のスクラブを良好に行う。 【解決手段】 めっきによって形成されるコンタクトピ
ン３２ａの先端に、非検査物であるパッドに当接し得る
突起部４４を設ける。突起部４４を、先端が錐状または
稜線をなすものとする。このコンタクトピン３２ａを製
造する段階で、めっきの際の下地となるベースメタル層
にくぼみを設け、この上にめっきによってコンタクトピ
ン３２ａを形成することで、くぼみの内面形状が転写さ
れた突起部４４を有するコンタクトピン３２ａを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣチップ
やＬＣＤ（液晶表示体）等の被検査物の微細な電極にコ
ンタクトピンを接触させて回路試験等の電気的なテスト
を行うためのコンタクトプローブ及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プローブ装置は、ＩＣチップや
ＬＳＩ等の半導体チップ、またはＬＣＤ（液晶表示体）
等の各電極パッド（以下、パッドという）にコンタクト
プローブのコンタクトピンを押圧接触させ、プリント基
板を介してテスターに接続して電気的なテストに用いら
れる。コンタクトプローブ１は、例えば図１３に示すよ
うにＮｉ基合金等からなる複数本のパターン配線２…の
上に接着剤層を介してフィルム３が被着され、パターン
配線２…の先端部はコンタクトピン２ａ…とされてい
る。またフィルムの幅広の基部１ｂには窓部４が形成さ
れ、この窓部４にはパターン配線２…の引き出し配線部
５…が設けられている。尚、フィルム３はポリイミド等
の樹脂フィルム層からなり、或いはポリイミド等の樹脂
フィルム層に銅箔等の金属フィルム層がグラウンドとし
て積層されたもの等でもよい。

【０００３】このようなコンタクトプローブ１は図１４
及び図１５に示すようにマウンティングベースやトップ
クランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ７に組
み込まれてプローブ装置８とされ、コンタクトピン２ａ
…を半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバンプ等の
微細な電極端子（図１５ではＩＣチップ１８のパッド１
８ａ）に接触させることになる。即ち、図１４及び図１
５に示すプローブ装置８において、円盤形状をなし中央
窓部１０ａを有するプリント基板１０の上に、例えばト
ップクランプ１１を取り付け、またコンタクトプローブ
１の先端部１ａを両面テープ等でその下面に取り付けた
マウンティングベース１２を、トップクランプ１１にボ
ルト等で固定する。そしてボトムクランプ１４でコンタ
クトプローブ１の基部１ｂを押さえつける。その際、プ
リント基板１０とコンタクトプローブ１の基部１ｂは位
置決めピンによって相互の位置決めがなされる。これに
よって、コンタクトプローブ１の先端部１ａがマウンテ
ィングベース１２の下面で下方に向けた傾斜状態に保持
され、コンタクトプローブ１の基部１ｂにおいてパター
ン配線２…の引き出し配線部５…がボトムクランプ１４
の弾性体１５で窓部４を通してプリント基板１０の下面
の電極１６に押し付けられて接触状態に保持されること
になる。

【０００４】ところで、上述のコンタクトプローブ１の
各コンタクトピン２ａ…を含む各パターン配線２…はマ
スク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製
作されており、コンタクトピン２ａの先端部２０は図１
６に示されるように略半円弧の板状に形成される。ここ
で、コンタクトピン２ａの先端部２０はフィルム３に被
着される先端円弧状の上面２１及び下面２２と側面２３
とで構成されている。また、パッド１８ａへのコンタク
ト時に接触抵抗を少なくするために、図１６に示すよう
にコンタクトピン２ａ…の先端において下面２２から側
面２３の先端にかけて斜めに切り欠いて研磨された接触
面２４を形成していた。

【０００５】ＩＣチップ１８のパッド１８ａにコンタク
トピン２ａをコンタクトさせる際、例えばパッド１８ａ
を水平に配置したとして、パッド１８ａに対するコンタ
クトピン２ａの傾斜角度θを例えば２０°前後に設定す
るようになっている。他方、アルミニウム合金や金など
で形成されるパッド１８ａの表面は空気中で酸化して薄
い酸化膜や吸着物で覆われているために、オーバードラ
イブをかけて図１７に示すようにパッド１８ａの表面の
酸化膜や吸着物を先端部２０の接触面２４で擦り取り
（スクラブという）、内部のアルミニウムや金などの金
属を露出させて接触面２４でコンタクトピン２ａとの確
実な導通を図る必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＩＣチップ
１８のパッド１８ａには図１７に示すようにその縁部に
パッシベーション２６と呼ばれる絶縁膜（絶縁部材）が
設けられているものがあり、パッシベーション２６はパ
ッド１８ａの表面より高い位置まで隆起している。その
ため、スクラブをかけた際にコンタクトピン２ａがパッ
シベーション２６に接触してパッシベーション２６を破
損するおそれがあった。

【０００７】このようなパッド１８ａのスクラブを行う
ことができるよう、コンタクトピン２ａの下面２２に凹
部を形成し、この凹部によってパッシベーション２６と
の干渉を回避するようにしたコンタクトプローブがあ
る。しかし、このようにコンタクトピン２ａに凹部を形
成することで、コンタクトピン２ａの肉厚がうすくなる
ため、コンタクトピン２ａの強度が低下してしまうとい
う問題があった。

【０００８】また、本発明者は、特開２００１−２４９
１４４号公報に示すように、コンタクトピン２ａの先端
に突起部を形成したコンタクトプローブを開示してい
る。このように構成されるコンタクトプローブでは、コ
ンタクトピン２ａの先端部以外の部分はパッド１８ａか
ら離間させてパッシベーション２６との干渉を回避しつ
つ、コンタクトピン２ａから突出される突起部によって
パッド１８ａの表面をスクラブすることができる。しか
し、この突起部は、ボンディングまたはめっきによって
形成されるものであるため、その形状は略半球状とな
る。このように突起部が球状であると、スクラブをかけ
た際に突起部がパッド１８ａ上を滑りやすく、パッド１
８ａの表面を強く擦ることができず、コンタクトピン２
ａとの確実な導通を維持することが困難であった。特
に、パッド１８ａの材質がアルミ等であってその表面が
硬質の酸化膜で覆われている場合には、パッド１８ａの
表面の酸化膜を十分に擦り取ることができないことがあ
る。

【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、パッシベーションとの干渉を回避しつつ被検
査物の電極のスクラブを良好に行うことができるコンタ
クトプローブ及びその製造方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明にかかるコンタク
トプローブにおいては、フィルムが被着された複数のパ
ターン配線の各先端がコンタクトピンとされているコン
タクトプローブにおいて、前記コンタクトピンの先端部
に、先端が錐状または稜線をなす突起部が設けられてい
ることを特徴としている。

【００１１】このように構成されるコンタクトプローブ
においては、コンタクトピンの先端に突起部が設けられ
ているので、コンタクトピンの先端部以外の部分は被検
査物から離間させた状態で、コンタクトピンから突出さ
れる突起部によって被検査物の電極のスクラブが行われ
る。これにより、被検査物の電極の周囲にパッシベーシ
ョン等が設けられていても、さらにコンタクトピンの傾
斜角度を小さくしても、コンタクトピンとパッシベ−シ
ョンとの干渉を回避しつつ、コンタクトピンから突出さ
れる突起部によって電極の表面のスクラブが行われる。
そして、突起部は先端が錐状または稜線をなしていて、
鋭利な形状とされているので、スクラブの際に電極表面
に対して食い付きがよく、例えば電極表面が酸化膜や吸
着物で覆われていても、これらを取り除いて電極内部の
金属を露出させることができ、コンタクトピンとの導通
を確実にすることができる。なお、ここでいう錐状と
は、円錐及び多角錐を指している。

【００１２】また、突起部は、前記コンタクトピンの先
端部に埋め込まれる突起部材によって構成されていても
よい。この場合には、突起部を構成する突起部材の形状
がそのまま突起部の形状となる。突起部は、コンタクト
ピンとは別部材であって予め所望の形状に成形すること
ができるので、突起部の形状の自由度及び形状精度をよ
り向上させることができる。また、このように突起部を
コンタクトピンとは別部材によって構成しているので、
例えば突起部材はスクラブ性能や耐久性を重視して硬質
または耐磨耗性の高い材質、例えばＮｉ等によって構成
し、コンタクトピンは導電性を重視して突起部材よりも
導電性の高い材料、例えば銅等によって構成して、高い
スクラブ性能や耐久性に加えて導電性能が良好なコンタ
クトプローブを得ることができる。

【００１３】本発明にかかるコンタクトプローブの製造
方法においては、フィルム上に形成されたパターン配線
の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
の製造方法であって、前記コンタクトピンに供される金
属層形成のための下地となる基板層の表面において前記
コンタクトピンの先端をなす部分の下地となる位置にく
ぼみを形成するくぼみ形成工程と、該くぼみ形成工程と
前後して前記基板層の上にマスクを施して、前記マスク
が施されていない部分に前記コンタクトピンに供される
金属層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、
前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被
着するフィルム被着工程と、前記フィルムと前記金属層
からなる部分と、前記基板層とを分離する分離工程とを
備えていることを特徴としている。

【００１４】このコンタクトプローブの製造方法では、
コンタクトピンに供される金属層形成のための下地とな
る基板層の表面において、コンタクトピンの先端をなす
部分の下地となる位置にくぼみを形成する（くぼみ形成
工程）。そして、くぼみ形成工程と前後して、基板層の
上にマスクを施す。ここで、このくぼみ形成工程は、マ
スク形成前と形成後のどちらで行ってもよい。続いて、
マスクが施されていない部分に、コンタクトピンに供さ
れる金属層をめっき処理により形成する（めっき処理工
程）。基板層の表面には前記くぼみが形成されているの
で、コンタクトピンに供される金属層のうちコンタクト
ピンの先端をなす部分には、くぼみの内面形状が転写さ
れた外形を有する突起部が形成される。さらに、マスク
を取り除いた金属層の上にフィルムを被着し（フィルム
被着工程）、フィルムと金属層からなる部分と、基板層
とを分離することで（分離工程）、コンタクトピンの先
端に突起部が形成されたコンタクトプローブを得ること
ができる。

【００１５】突起部の形状は、基板層に形成されたくぼ
みの内面形状が転写されたものであるので、くぼみの内
面形状を制御することで、突起部の形状をスクラブに適
した形状、すなわち先端が錐状または稜線をなしている
形状とすることができる。前記くぼみは、例えば先端形
状が形成したい突起部の形状と同一である圧子を基板に
押し付けることで形成することができる。この場合に
は、予め形成されたコンタクトピンの先端にボンディン
グやめっきを施して突起部を形成する場合に比べて突起
部の形状付与が容易であり、また形状精度も高く、突起
部の形状を、ボンディングやめっきを施して突起部を形
成した場合には付与することのできなかったスクラブに
適した形状、すなわち先端が錐状または稜線をなす形状
に形成することができる。ここで、くぼみの形成は、前
記のように圧子を用いて行うほか、他の任意の方法を用
いて行ってもよい。

【００１６】また、このコンタクトプローブの製造方法
では、くぼみ形成工程において基板層に形成されるくぼ
みが、断面視Ｖ字形状をなす止まり穴または溝とされて
いてもよい。これにより、突起部の形状を、先端が錐状
または稜線をなしている形状とすることができる。

【００１７】また、このコンタクトプローブの製造方法
では、くぼみ形成工程において基板層に形成されるくぼ
みが、コンタクトピンの配列方向に沿って延びて複数の
コンタクトピン形成領域にまたがる溝とされていてもよ
い。この場合には、前記基板層の表面にマスクを形成す
ることで、コンタクトピン形成領域を囲むマスクによっ
て、基板層に形成される溝が各コンタクトピン形成領域
ごとに分断される。そして、めっき処理工程でコンタク
トピン形成領域にコンタクトピンに供される金属層が形
成されることで、各コンタクトピンの先端に、溝の内面
形状が転写されてなる突起部が形成されることとなる。
ここで、溝において隣接するコンタクトピン形成領域間
に位置する部分がマスクによって十分に埋められていな
いと、隣接するコンタクトピン同士がつながった状態で
形成されてしまうことがあるが、この場合には、コンタ
クトピンを形成した後に、レーザー加工等によって不要
な部分を除去すればよい。

【００１８】ここで、上記コンタクトプローブの製造方
法において、基板層に直接くぼみを形成した場合には、
例えば再度マスクを形成する際にくぼみに対するマスク
の位置決め等に手間がかかるなどの理由から、基板層の
再利用を図ることは困難となる。そこで、上記コンタク
トプローブの製造方法において、くぼみ形成工程以前の
段階で基板層の上にコンタクトピンの材質に被着または
結合する材質の下地金属層を形成する下地金属層形成工
程を有し、くぼみ形成工程では、基板層の代わりに下地
金属層にくぼみを形成し、分離工程では、フィルムと金
属層及び下地金属層からなる部分と、基板層とを分離す
るようにしてもよい。この場合には、基板層の上に形成
される下地金属層にくぼみを形成するので、コンタクト
プローブを製造した後は、再度基板層上に下地金属層を
形成することで、基板層を再利用することができる。ま
た、基板層をステンレス鋼等の高強度の材質によって形
成し、下地金属層を基板層よりも塑性変形しやすい銅等
の材質によって形成することで、基板層の強度を確保し
て繰り返しの使用回数を向上させることができるととも
に、圧子による下地金属層へのくぼみの形成が容易とな
り、くぼみの形成を繰り返すことによる圧子の消耗を低
減して、圧子の繰り返しの使用回数を向上させることが
できる。さらに、このように下地金属層を塑性変形しや
すい材質で形成することで、下地金属層を基板層から分
離させる際に基板層から剥離しやすくすることができ
る。

【００１９】本発明にかかるコンタクトプローブの製造
方法においては、フィルム上に形成されたパターン配線
の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
の製造方法であって、前記コンタクトピンに供される金
属層形成のための下地となる基板層の表面において前記
コンタクトピンの先端をなす部分の下地となる位置に、
突起部材をその先端が前記基板層に埋め込まれた状態に
して設ける埋め込み工程と、該埋め込み工程と前後して
前記基板層の上にマスクを施し、前記マスクが施されて
いない部分に前記コンタクトピンに供される金属層をめ
っき処理により形成するめっき処理工程と、前記マスク
を取り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィ
ルム被着工程と、前記フィルムと前記金属層及び前記突
起部材からなる部分と、前記基板層とを分離する分離工
程とを備えていることを特徴としている。

【００２０】このコンタクトプローブの製造方法におい
ては、コンタクトピンに供される金属層形成のための下
地となる基板層の表面においてコンタクトピンの先端を
なす部分の下地となる位置に、先端が基板層に埋め込ま
れた状態にして突起部材が設けられる（埋め込み工
程）。そして、埋め込み工程と前後して基板層の上にマ
スクを施す。ここで、この埋め込み工程は、マスク形成
前と形成後のどちらで行ってもよい。続いて、マスクが
施されていない部分にコンタクトピンに供される金属層
をめっき処理により形成する（めっき処理工程）。基板
層の表面には前記突起部材が先端を埋め込まれた状態で
設けられているので、コンタクトピンに供される金属層
のうちコンタクトピンの先端をなす部分に、突起部材が
埋め込まれる。さらに、マスクを取り除いた金属層の上
にフィルムを被着し（フィルム被着工程）、フィルムと
金属層及び突起部材からなる部分と、基板層とを分離す
ることで（分離工程）、コンタクトピンの先端で突起部
材の先端が露出されることとなり、この突起部材によっ
て突起部が形成されたコンタクトプローブを得ることが
できる。この場合には、突起部を構成する突起部材の形
状がそのまま突起部の形状となる。突起部は、コンタク
トピンとは別部材であって予め所望の形状に成形するこ
とができるので、突起部の形状の自由度及び形状精度を
より向上させることができる。また、このように突起部
をコンタクトピンとは別部材によって構成しているの
で、突起部とコンタクトピンとをそれぞれの目的に適し
た材質によって構成することができる。

【００２１】ここで、上記コンタクトプローブの製造方
法において、基板層に直接突起部材を埋め込んだ場合に
は、基板層の再利用を図ることは困難となる。そこで、
上記コンタクトプローブの製造方法において、埋め込み
工程以前の段階で基板層の上にコンタクトピンの材質に
被着または結合する材質の下地金属層を形成する下地金
属層形成工程を有し、埋め込み工程では、基板層の代わ
りに下地金属層に突起部材を埋め込み、分離工程では、
フィルムと金属層と突起部材及び下地金属層とからなる
部分と、基板層からなる部分とを分離するようにしても
よい。この場合には、コンタクトプローブを製造した後
は、基板層に再度下地金属層を形成することで、基板層
を再利用することができる。また、基板層をステンレス
鋼等の高強度の材質によって形成し、下地金属層を基板
層よりも塑性変形しやすい銅等の材質によって形成する
ことで、基板層の強度を確保して繰り返しの使用回数を
向上させることができるとともに、下地金属層への圧子
の埋め込みを容易にすることができる。さらに、このよ
うに下地金属層を塑性変形しやすい材質で形成すること
で、下地金属層を基板層から分離させる際に基板層から
剥離しやすくすることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】〔第一の実施の形態〕以下、本発
明の第一の実施の形態を図１から図６を用いて説明する
が、上述の従来技術と同一または同様の部分には同一の
符号を用いて説明する。図１は本実施形態にかかるコン
タクトプローブの先端部の斜視図、図２は図１に示すコ
ンタクトプローブの全体のＡ−Ａ線中央断面図、図３は
本実施の形態のコンタクトプローブのコンタクトピンを
斜め下方からみた斜視図、図４は本実施の形態によるコ
ンタクトピンをＩＣチップのパッドにコンタクトさせた
状態を示す側面図である。

【００２３】本実施の形態のコンタクトプローブ３１
は、図１３に示すコンタクトプローブ１とほぼ同一構成
とされ、図１及び図２に示すように、Ｎｉ基合金等の金
属で形成されるパターン配線３２を、ポリイミド等のフ
ィルム３３の片面に被着した構造となっている。パター
ン配線３２の先端部は、フィルム３３の先端部３１ａま
で設けられている。

【００２４】フィルム３３は、図１及び図２に示すよう
にＮｉ基合金層（金属層）からなる複数本のパターン配
線３２…の上に図示しない接着剤層を介して被着され、
フィルム３３の先端部３１ａ側のパターン配線３２…の
先端部はコンタクトピン３２ａ…とされている。ここ
で、コンタクトピン３２ａは、フィルム３３の先端部３
１ａから突出させてもよい。図２に示すように、フィル
ム３３の幅広の基部３３ｂには窓部４が形成され、この
窓部４にはパターン配線３２…の引き出し配線部５…が
設けられている。ここで、フィルム３３は、パターン配
線３２…が被着されたポリイミド等の樹脂フィルム層３
６にＣｕ、Ｎｉ、Ｎｉ基合金等の金属フィルム層３７が
グラウンドとして積層されて構成されているが、樹脂フ
ィルム層３６だけで構成されていてもよい。また、フィ
ルム３３には、例えばコンタクトプローブ３１を位置合
わせ及び固定するための位置合わせ孔を設け、この位置
合わせ孔に位置決めピンを挿入することでプローブ装置
上での取付位置の位置合わせを行うようにしてもよい。

【００２５】コンタクトピン３２ａは、その長手方向に
直交する断面が例えば略四角形状とされ、図２及び図３
に示すように、その先端部はフィルム３３に被着される
面が上面４１とされ、上面４１に対向する下面４２と、
上下面４１、４２間に設けられた側面４３とで構成され
ており、下面４２には、ＩＣチップ１８のパッド１８ａ
に接触させられ得る突起部４４が形成されている。コン
タクトピン３２ａの先端部は略半円板状とされているた
めに、側面４３の先端部４３ａは略円柱周面形状の凸曲
面とされている。

【００２６】突起部４４は、先端が錐状または稜線をな
すものである。本実施の形態では、突起部４４の形状
を、先端がコンタクトピン３２ａの幅方向に延びる稜線
をなす突条によって構成している。ここで、この突条の
向きはこれに限らず、コンタクトピン３２ａの長手方向
に延びていてもよい。そして、突起部４４は、コンタク
トピン３２ａの長手方向における寸法Ｗが、ＩＣチップ
１８のパッド１８ａをスクラブした際に、図４に示すよ
うにスクラブ方向のパッド１８ａ両端に位置するパッシ
ベーション２６Ａ、２６Ｂ（図４において、パッシベー
ション２６、２６について便宜的に符号２６Ａ、２６Ｂ
を付与する）に対してコンタクトピン３２ａが接触しな
い範囲で、最大スクラブ長の始点（一点鎖線で示す状
態）から終点（二点鎖線で示す状態）までパッシベーシ
ョン２６に当接しない程度とされる。即ち、パッド１８
ａのパッシベーション２６で覆われていない領域の長さ
Ｌが例えば４５μｍとすると、寸法Ｗは１５μｍ以内で
あることが好ましい。

【００２７】また、下面４２からの突起部４４の突出量
Ｈは、突起部４４をパッド１８ａに当接させた際にコン
タクトピン３２ａの突起部４４以外の部分がパッド１８
ａ及びパッシベーション２６と接触しない程度に確保さ
れている。即ち、パッシベーション２６のパッド１８ａ
からの高さｈが例えば５μｍとすると、突出量Ｈは５μ
ｍ以上、望ましくは１０μｍ以上とされる。この突起部
４４の突出量Ｈを５μｍよりも小さくした場合には、オ
ーバードライブ時にコンタクトピン３２ａの突起部４４
以外の部分がパッド１８ａやパッシベーション２６に近
づきすぎて、パッド１８ａやパッシベーション２６と接
触してこれを破損させてしまう恐れがある。

【００２８】また、スクラブの際にコンタクトピン３２
ａの先端がスクラブ方向にあるパッシベーション２６Ｂ
に突き当たって破損させてしまうことのないよう、コン
タクトピン３２ａの先端部によるパッド１８ａのスクラ
ブ長を小さくすることが望ましく、このため、突起部４
４はコンタクトピン３２ａの長手方向の寸法Ｗが短く設
定されているので、突出量Ｈを５０μｍよりも大きくし
た場合には、突起部４４の突出量Ｈが、突起部４４のコ
ンタクトピン３２ａの長手方向の寸法Ｗよりも大きくな
ってしまう。コンタクトピン３２ａはパッド１８ａに対
して傾斜した状態で当接するため、このように突出量Ｈ
が大きすぎる場合には、スクラブ時に受ける応力によっ
て突起部４４が折れ曲がってしまう恐れがある。このた
め、突起部４４の突出量Ｈは、５μｍ以上とされ、また
好ましくは５０μｍ以下とされる。

【００２９】次に、このように構成されるコンタクトプ
ローブ３１の作成工程について、図５、図６を用いて工
程順に説明する。図５（ａ）〜（ｄ）及び図６（ａ）〜
（ｄ）は、本実施形態にかかるコンタクトプローブの製
造工程を示す図であって、それぞれ左側は正面から見た
様子を示し、右側は側面から見た様子を示している。こ
こで、このコンタクトプローブ３１のコンタクトピン３
２ａは、支持金属板４６（基板層）の上にめっきによっ
て形成されるものである。

【００３０】〔ベースメタル層形成工程（下地金属層形
成工程）〕まず、図５（ａ）に示すように、ステンレス
製の支持金属板４６の上に、Ｃｕ（銅）めっきにより、
コンタクトピンに供される金属層形成のための下地とな
るベースメタル層（下地金属層）４７を形成する。この
ベースメタル層４７の厚みＴは、コンタクトピン３２ａ
に形成する突起部４４の突出量Ｈよりも大きく設定され
るものであって、本実施の形態では、この厚みＴを２５
μｍとしている。

【００３１】〔くぼみ形成工程〕次に、このベースメタ
ル層４７において、コンタクトピン３２ａの先端をなす
部分の下地となる位置にくぼみ４７ａを形成する。この
くぼみ４７ａは、例えば図５（ａ）に示すように、先端
形状が所望のくぼみ４７ａの内面形状と同一である圧子
４５をベースメタル層４７に押し付けることによって形
成される。このくぼみ４７ａの深さＤ１は、コンタクト
ピン３２ａに形成する突起部４４の突出量Ｈと同一とさ
れる。この圧子４５の先端形状は、例えば円錐、多角
錐、もしくは先端が稜線をなす山形とすることができ
る。これにより、ベースメタル層４７に形成されるくぼ
み４７ａが、断面視Ｖ字形状をなす止まり穴または溝と
される。本実施の形態では、圧子４５の先端形状は、先
端が稜線をなす山形としており、これによって断面視Ｖ
字形状をなす溝状のくぼみ４７ａを形成する。このくぼ
み４７ａは、圧子４５の先端形状が転写されることによ
って形成されるので、その内面形状の形状付与が容易で
あり、また形状精度も高いものである。

【００３２】〔パターン形成工程〕図５（ｂ）に示すよ
うに、このベースメタル層４７の上にフォトレジスト層
４８を形成した後、図５（ｃ）に示すように、写真製版
技術により、フォトレジスト層４８に所定のパターンの
フォトマスク４９を施して露光し、図５（ｄ）に示すよ
うに、フォトレジスト層４８を現像して前記パターン配
線３２となる部分を除去して残存するフォトレジスト層
（マスク）４８に開口部４８ａを形成する。このフォト
マスク４９は、開口部４８ａがベースメタル層４７のく
ぼみ４７ａの上に形成されるように設定されるものであ
る。ここで、前記くぼみ形成工程はフォトレジスト層４
８の形成後に行ってもよい。この場合、ベースメタル層
４７において、開口部４８ａ内に露出されている、コン
タクトピン３２ａの先端の下地となる部分でくぼみ形成
を行う。

【００３３】尚、本実施の形態では、フォトレジスト層
４８をネガ型フォトレジストによって形成しているが、
ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部４８ａを
形成しても構わない。また、本実施形態においては、前
記フォトレジスト層４８が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施の形態のフォトレジスト層４８のように、フォト
マスク４９を用いた露光・現像工程を経て開口部４８ａ
が形成されるものに限定されるわけではない。例えば、
めっき処理される箇所に予め開口部４８ａが形成された
（すなわち、予め、図５（ｄ）の符号４８で示す状態に
形成されている）フィルム等でもよい。本願発明におい
て、このようなフィルム等を「マスク」として用いる場
合には、本実施形態におけるマスク形成工程は不要であ
る。

【００３４】〔めっき処理工程〕そして、図６（ａ）に
示すように、前記開口部４８ａに前記パターン配線３２
となるＮｉ基合金層（金属層）Ｎを電解めっき処理によ
り形成する。ここで、この金属層は、Ｎｉ基合金に限ら
ず、Ｎｉによって構成してもよい。これにより、開口部
４８ａ及びくぼみ４７ａ内にＮｉ基合金層Ｎが形成さ
れ、くぼみ４７ａ内に形成されるＮｉ基合金層Ｎには、
くぼみ４７ａの内面形状が正確に転写される。上記めっ
き処理の後、図６（ｂ）に示すように、フォトレジスト
層４８を除去する。

【００３５】〔フィルム被着工程〕次に、図６（ｃ）に
示すように、前記Ｎｉ基合金層Ｎの上に、図に示したコ
ンタクトピン３２ａ（すなわち前記パターン配線３２の
先端部）となる部分も含めて覆うようにして、前記フィ
ルム３３を接着剤５０により接着する。

【００３６】〔分離工程〕そして、図６（ｄ）に示すよ
うに、フィルム３３とパターン配線３２と突起部４４及
びベースメタル層４７からなる部分を、支持金属板４６
から分離させ、エッチング等によってベースメタル層４
７を除去して突起部４４を露出させ、コンタクトプロー
ブ３１を完成させる。ここで、上記コンタクトプローブ
の製造方法においては、ベースメタル層形成工程で支持
金属板４６の上にベースメタル層４７を形成しており、
くぼみ形成工程では、ベースメタル層４７にくぼみ４７
ａを形成しているので、コンタクトプローブ３１を製造
した後は、再度支持金属板４６上にベースメタル層４７
を形成することで、支持金属板４６を再利用することが
できる。また、支持金属板４６を強度の高いステンレス
鋼によって形成し、ベースメタル層４７を支持金属板４
６よりも塑性変形しやすい銅によって形成しているの
で、支持金属板４６の強度を確保して繰り返しの使用回
数を向上させることができるとともに、圧子４５による
ベースメタル層４７へのくぼみ４７ａの形成を容易にし
て、くぼみ形成を繰り返すことによる圧子４５の消耗を
低減して圧子４５の繰り返しの使用回数を向上させるこ
とができる。さらに、このようにベースメタル層４７を
塑性変形しやすい材質で形成することで、ベースメタル
層４７を支持金属層４６から分離させる際に支持金属板
４６から剥離しやすくすることができる。

【００３７】本実施の形態によるコンタクトプローブ３
１は上述のように構成されており、次にその作用を説明
する。本実施の形態によるコンタクトプローブ３１は、
図１３に示すコンタクトプローブ１と同様、メカニカル
パーツ７に装着されてプローブ装置８に組み込まれる。
本実施の形態では、コンタクトピン３２ａは、ＩＣチッ
プ１８のパッド１８ａに対する傾斜角度θが約２０°に
設定されている。ここで、フィルム３３とパターン配線
３２からなるコンタクトプローブ３１だけでは柔らかす
ぎて、オーバードライブをかけた際にマウンティングベ
ース１２から突出される部分がすぐに曲がってしまうこ
とがあるので、マウンティングベース１２の下面１２ａ
と各コンタクトプローブ３１との間に、各コンタクトプ
ローブ３１の先端部３１ａと同様に一部をマウンティン
グベース１２から突出させて、例えば厚さ０．１ｍｍ程
度の弾性体からなる薄板を介装してもよい。このように
先端部３１ａを薄板によって上面側から支持することで
バネ性をもたせ、コンタクトピン３２ａの針圧を確保し
ている。この薄板としては例えば金属板等が用いられ
る。または、同様の目的のために、コンタクトピン３２
ａをフィルム３３から突出させ、フィルム３３から突出
されるコンタクトピン３２ａの上面４１に、補強用の部
材を設けた構成としてもよい。例えば、セラミック板の
ような絶縁性を有する剛体を、コンタクトピン３２ａの
上面４１に積層した構成としてもよい。

【００３８】そして電気的テスト時には、各コンタクト
ピン３２ａは、先端部の下面４２に設けられる突起４４
を、半導体チップ１８のパッド上に形成されるバンプ１
８ａに当接される。このとき、各コンタクトピン３２ａ
は、突起部４４がパッシベーション２６Ａ、２６Ｂ間に
位置し、かつパッシベーション２６Ａに近接して非接触
の一点鎖線で示す状態にある（この位置を始点とす
る）。この状態から、オーバードライブをかけてコンタ
クトピン３２ａに対してパッド１８ａを相対移動させ
て、突起部４４をパッド１８ａ表面に押圧接触させつつ
スクラブをかければ、突起部４４によってパッド１８ａ
の表面（例えばアルミ酸化膜）や、パッド１８ａの表面
の吸着物を擦り取ることができる。そして、コンタクト
ピン３２ａの突起部４４が他方のパッシベーション２６
Ｂに接触する直前の二点鎖線で示す位置（終点となる）
までスクラブさせる。

【００３９】上記スクラブの際に、コンタクトピン３２
ａは、先端部下面４２に設けた突起部４４によってＩＣ
チップ１８のパッド１８ａに当接し、パッド１８ａの表
面をスクラブする。このときコンタクトピン３２ａは、
突起部４４が設けられていることによって先端部以外の
部分がパッド１８ａの表面から離間することになる。こ
れにより、コンタクトピン３２ａとパッシベーション２
６Ａとの干渉が避けられて、パッシベーション２６に損
傷を与えないようになっている。

【００４０】そして、突起部４４は先端が稜線をなして
いて、鋭利な形状とされているので、スクラブの際にパ
ッド１８ａの表面に対して食い付きがよく、例えばパッ
ド１８ａの表面が酸化膜や吸着物で覆われていても、こ
れらを取り除いてパッド１８ａ内部の金属を露出させる
ことができ、コンタクトピン３２ａとの導通を確実にす
ることができる。

【００４１】このように、本発明の第一の実施の形態に
かかるコンタクトプローブ３１によれば、コンタクトピ
ン３２ａの先端部に突起部４４を設けたことにより、コ
ンタクトピン３２ａの先端部以外の部分がパッド１８ａ
から離間されるので、パッド１８ａに設けられるパッシ
ベーション２６とコンタクトピン３２ａとの干渉を避け
て、突起部４４によってＩＣチップ１８のパッド１８ａ
のスクラブを良好に行うことができる。さらに、突起部
の先端が稜線をなしていてパッド１８ａの表面に対する
食い付きがよいので、パッド１８ａのスクラブを良好に
行うことができる。突起部４４の形状はコンタクトピン
の製造に用いた圧子４５の先端形状と同一であるので、
予め形成されたコンタクトピンの先端にボンディングや
めっきを施して突起部を形成する場合に比べて突起部４
４の形状付与が容易であり、また形状精度も高く、突起
部４４の形状を、ボンディングやめっきを施して突起部
を形成した場合には付与することのできなかったスクラ
ブに適した形状、すなわち、先端が錐状、または稜線を
なす形状に形成することができる。

【００４２】ここで、上記実施の形態に示すコンタクト
プローブ３１の製造方法では、ベースメタル層４７に対
して、各くぼみ４７ａに対応する圧子４５を用いてくぼ
み４７ａを形成してコンタクトプローブ３１を製造する
例を示したが、これに限られることなく、例えば図７、
図８に示すような製造方法によってコンタクトプローブ
３１を製造してもよい。図７（ａ）〜（ｃ）及び図８
（ａ）、（ｂ）は、本実施形態にかかるコンタクトプロ
ーブの製造工程の他の例を示す図であって、それぞれ左
側は正面から見た様子を示し、右側は側面から見た様子
を示している。

【００４３】図７、図８に示すコンタクトプローブの製
造方法では、上記したコンタクトプローブの製造工程の
くぼみ形成工程において、圧子４５の代わりに、図７
（ａ）に示すように先端が稜線をなしている圧子５１を
用いて、前記コンタクトピン３２ａの配列方向に沿って
延びて複数のコンタクトピン形成領域にまたがる溝状の
くぼみ４７ｂを形成する。

【００４４】そして、くぼみ形成工程に続いて行われる
パターン形成工程においては、図７（ｂ）に示すように
ベースメタル層４７の上にフォトレジスト層４８を形成
した後、図７（ｃ）に示すように、写真製版技術によ
り、フォトレジスト層４８に所定のパターンのフォトマ
スク４９を施して露光し、図８（ａ）に示すように、フ
ォトレジスト層４８を現像して前記パターン配線３２と
なる部分を除去して残存するフォトレジスト層４８に開
口部４８ａを形成する。これにより、複数のコンタクト
ピン形成領域にまたがる溝状のくぼみ４７ｂのうち、コ
ンタクトピン形成領域以外の部分がフォトレジスト層４
８によって埋められて、各コンタクトピン形成領域ごと
に分断されることとなる。

【００４５】そして、めっき処理工程では、図８（ｂ）
に示すように、この開口部４８ａ及び各コンタクトピン
形成領域ごとに分断されたくぼみ４７ｂ内にＮｉ基合金
層Ｎが形成され、くぼみ４７ｂ内に形成されるＮｉ基合
金層Ｎには、くぼみ４７ｂの内面形状が正確に転写され
る。さらにフォトレジスト層４８を除去し、以降はフィ
ルム被着工程、分離工程を経ることで、前記のコンタク
トプローブの製造方法と同様に、先端に前記突起部４４
が形成されたコンタクトプローブ３１を得ることができ
る。ここで、溝状のくぼみ４７ｂにおいて隣接するコン
タクトピン形成領域間に位置する部分がフォトレジスト
層４８によって十分に埋められていないと、隣接するコ
ンタクトピン３２ａ同士がつながった状態で形成されて
しまうことがあるが、この場合には、コンタクトピン３
２ａを形成した後に、レーザー加工等によって不要な部
分を除去すればよい。

【００４６】ここで、上記実施の形態では、支持金属板
４６の上に、ベースメタル層４７を形成し、このベース
メタル層４７にくぼみ４７ａまたはくぼみ４７ｂを形成
した例を示したが、これに限られることなく、支持金属
板４６の上にベースメタル層４７を形成せず、直接支持
金属板４６にくぼみ４７ａまたはくぼみ４７ｂを形成し
て、支持金属板４６に直接Ｎｉ基合金層Ｎを形成するよ
うにしてもよい。

【００４７】また、上記実施の形態において、突起部４
４の形状を直線状の稜線を有する形状としたが、これに
限られることなく、例えば図９に示すように、下面４２
側から見て、その稜線がコンタクトピン３２ａの先端側
が下、基部側が上となる略Ｖ字形状に形成してもよい。

【００４８】また、上記実施の形態に示すコンタクトプ
ローブの製造方法では、めっき処理工程において、フォ
トレジスト層４８の開口部４８ａ内及びベースメタル層
４７のくぼみ４７ａ（またはくぼみ４７ｂ）内に、Ｎｉ
基合金層Ｎを単層で形成した例を示したが、これに限ら
れることなく、少なくともくぼみ４７ａ（またはくぼみ
４７ｂ）内ではＮｉ、Ｎｉ基合金等の硬質または耐磨耗
性の高い第一の金属層を形成し、以降は銅等の導電性の
高い金属からなる第二の金属層を形成してもよい。この
場合には、突起部４４を硬質または耐磨耗性の高い材質
として、スクラブ性能や耐久性を向上させつつ、コンタ
クトピン３２ａの導電性能が向上したコンタクトプロー
ブを得ることができる。

【００４９】〔第二の実施の形態〕次に、図１０から図
１１を参照して、本発明の第二の実施の形態について説
明するが、本発明の第一の実施の形態と同一または同様
の部分には同一の符号を用いて説明する。図１０は、第
二の実施の形態によるコンタクトプローブを示す断面
図、図１１及び図１２は、第二の実施の形態によるコン
タクトプローブの製造工程を示す図である。本実施の形
態に示すコンタクトプローブ６１は、第一の実施の形態
に示すコンタクトプローブ３１において、コンタクトピ
ン３２ａの先端部に一体的に突起部４４を設ける代わり
に、コンタクトピン３２ａの先端に突起部材６２を埋め
込んで、この突起部材６２によって突起部６４を形成し
たものである。この突起部材６２は、予め先端形状が所
望の形状に形成されたものであって、先端は例えば円
錐、多角錐、もしくは先端が稜線を有する山形とされ
る。本実施の形態では、突起部材６２の先端形状を円錐
形状としている。

【００５０】このように突起部６４をコンタクトピン３
２ａとは別部材によって構成しているので、例えば突起
部材６２はスクラブ性能や耐久性を重視して硬質または
耐磨耗性の高い材質、例えばＮｉ等によって構成し、コ
ンタクトピン３２ａは導電性を重視して突起部材６２よ
りも導電性の高い材料、例えば銅等によって構成して、
高いスクラブ性能や耐久性に加えて導電性能が良好なコ
ンタクトプローブ６１を得ることができる。

【００５１】次に、図１１、図１２を参照してコンタク
トプローブ４６の作成工程について工程順に説明する。
図１１（ａ）〜（ｄ）及び図１２（ａ）〜（ｄ）は、本
実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す
図であって、それぞれ左側は正面から見た様子を示し、
右側は側面から見た様子を示している。このコンタクト
プローブ４６の作成工程は、図１１（ａ）に示すよう
に、第一の実施の形態に示すコンタクトプローブ３１の
作成工程と同様にしてベースメタル層形成工程を経た
後、くぼみ形成工程の代わりに埋め込み工程を経るもの
である。

【００５２】〔埋め込み工程〕次に、図１１（ｂ）に示
すように、このベースメタル層４７において、コンタク
トピン３２ａの先端をなす部分の下地となる位置に、突
起部材６２の先端を埋め込む。突起部材６２の埋め込み
深さＤ２は、コンタクトピン３２ａに形成する突起部６
４の突出量Ｈと同一とされる。突起部６４において、ベ
ースメタル層４７上に露出されている部分は、コンタク
トピン３２ａに埋め込まれる部分であり、露出部分の高
さはコンタクトピン３２ａへの埋め込みが確実に行われ
るように十分に確保する。

【００５３】その後、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すよう
に、第一の実施の形態と同様にしてパターン形成工程を
経て前記パターン配線３２となる部分が開口部４８ａと
されたフォトレジスト層４８を形成する。この状態で
は、突起部材６２においてベースメタル層４７上に位置
する部分は、開口部４８ａ内に露出されている。ここ
で、前記埋め込み工程は、フォトレジスト層４８の形成
後に行ってもよい。この場合、フォトレジスト層４８の
開口部４８ａにおいて、コンタクトピン３２ａの先端と
なる部分に突起部材６２を埋め込む。

【００５４】〔めっき処理工程〕そして、図１２（ａ）
に示すように、前記開口部４８ａに前記パターン配線３
２となるＮｉ基合金層Ｎを電解めっき処理により形成す
る。ここで、この金属層は、Ｎｉ基合金に限らず、Ｎｉ
によって構成してもよい。前記突起部材６２は、このＮ
ｉ金属層Ｎが形成されることによって、ベースメタル層
４７上に露出されている部分をＮｉ金属層Ｎにおいてコ
ンタクトピン３２ａの先端をなす部分に埋め込まれて、
先端を突起部６４とされる。上記めっき処理の後、図１
２（ｂ）に示すように、フォトレジスト層４８を除去す
る。

【００５５】そして、図５（ｃ）に示すように、フィル
ム被着工程を経てＮｉ基合金層Ｎの上に、フィルム３３
を接着した後、分離工程において、図５（ｄ）に示すよ
うに、フィルム３３とパターン配線３２と突起部材６２
及びベースメタル層４７からなる部分を、支持金属板４
６から分離させ、さらにベースメタル層４７をエッチン
グ等によって除去して突起部６４を露出させ、本実施形
態にかかるコンタクトプローブ６１を完成させる。

【００５６】ここで、上記コンタクトプローブの製造方
法においては、ベースメタル層形成工程で支持金属板４
６の上にベースメタル層４７を形成しており、埋め込み
工程では、ベースメタル層４７に突起部材６２を埋め込
んでいるので、コンタクトプローブ６１を製造した後
は、再度支持金属板４６上にベースメタル層４７を形成
することで、支持金属板４６を再利用することができ
る。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明にかかるコンタクトプローブによれば、コンタク
トピンの先端部に突起部が設けられており、突起部によ
って被検査物の電極のスクラブが良好に行われるので、
被検査物に設けられるパッシベーションとコンタクトピ
ンとの干渉を避けて、突起部によって被検査物の電極の
スクラブを良好に行うことができる。さらに、突起部の
先端が稜線をなしていて電極の表面に対する食い付きが
よいので、電極のスクラブを良好に行うことができる。

【００５８】また、突起部を、前記コンタクトピンの先
端部に埋め込まれる突起部材によって構成することで、
突起部の形状の自由度及び形状精度をより向上させるこ
とができる。また、このように突起部をコンタクトピン
とは別部材によって構成しているので、突起部材とコン
タクトピンの材質をそれぞれの用途に適した材質によっ
て構成することができ、コンタクトプローブの性能向上
を図ることができる。

【００５９】本発明にかかるコンタクトプローブの製造
方法によれば、コンタクトピンをめっきによって形成す
る際の下地となる基板層にくぼみを形成し、コンタクト
ピンの先端に、くぼみの内面形状が転写された突起部を
形成するので、予め形成されたコンタクトピンの先端に
ボンディングやめっきによって突起部を形成する場合に
比べて、突起部の形状の自由度が高くかつ形状精度の高
いコンタクトプローブを製造することができる。特に、
突起部を、ボンディングやめっきによっては形成するこ
とのできない、先端が錐状または稜線をなしている形状
とすることができる。

【００６０】そして、上記コンタクトプローブの製造方
法において、基板層の上に直接くぼみを形成する代わり
に、基板層の上に形成される下地金属層にくぼみを形成
することで、コンタクトプローブを製造した後は、再度
基板層上に下地金属層を形成することで、基板層を再利
用することができる。

【００６１】また、本発明にかかるコンタクトプローブ
の製造方法において、基板層または下地金属層にくぼみ
を形成する代わりに、基板層または下地金属層において
コンタクトピンの先端をなす部分の下地となる位置に、
突起部材をその先端が前記基板層に埋め込まれた状態に
して設けて、これと前後して前記基板層の上にマスクを
施し、前記マスクが施されていない部分に前記コンタク
トピンに供される金属層をめっき処理により形成するこ
とで、コンタクトピンの先端に突起部をなす突起部材が
埋め込まれたコンタクトプローブを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の実施の形態にかかるコンタク
トプローブの先端部の斜視図である。

【図２】 図１に示すコンタクトプローブの全体のＡ−
Ａ線中央断面図である。

【図３】 第一の実施の形態のコンタクトプローブのコ
ンタクトピンを斜め下方からみた斜視図である。

【図４】 第一の実施の形態によるコンタクトピンをＩ
Ｃチップのパッドにコンタクトさせた状態を示す側面図
である。

【図５】 第一の実施の形態にかかるコンタクトプロー
ブの製造工程を示す図である。

【図６】 第一の実施の形態にかかるコンタクトプロー
ブの製造工程を示す図である。

【図７】 第一の実施の形態にかかるコンタクトプロー
ブの製造工程の他の例を示す図である。

【図８】 第一の実施の形態にかかるコンタクトプロー
ブの製造工程の他の例を示す図である。

【図９】 第一の実施の形態にかかるコンタクトプロー
ブの他の形状の例を示す斜視図である。

【図１０】 第二の実施の形態のコンタクトプローブの
形状を示す斜視図である。

【図１１】 本発明の第二の実施の形態にかかるコンタ
クトプローブの製造工程を示す図である。

【図１２】 第二の実施の形態にかかるコンタクトプロ
ーブの製造工程を示す図である。

【図１３】 従来のコンタクトプローブの平面図であ
る。

【図１４】 従来のプローブ装置の分解斜視図である。

【図１５】 図１４に示すプローブ装置の要部縦断面図
である。

【図１６】 従来のコンタクトプローブのコンタクトピ
ンを斜め下方からみた斜視図である。

【図１７】 従来のコンタクトピンとＩＣチップのパッ
ドとの接触及びスクラブ状態を示す側面図である。

【符号の説明】

３１、６１ コンタクトプローブ ３２ パ
ターン配線 ３２ａ コンタクトピン ３３ フ
ィルム ４４、６４ 突起部 ４６ 支
持金属板（基板層） ４７ ベースメタル層（下地金属層） ４７ａ、
４７ｂ くぼみ ４８ フォトレジスト層（マスク） ６２ 突
起部材 Ｎ Ｎｉ基合金層（コンタクトピンに供される金属層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 達雄 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AG03 AG04 AG12 AG20 AH07 2G011 AA04 AA09 AA15 AA17 AA21 AB06 AB07 AB08 AC06 AC14 AE22 AF07 4M106 AA02 BA01 DD03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルムが被着された複数のパターン配
   線の各先端がコンタクトピンとされているコンタクトプ
   ローブにおいて、 前記コンタクトピンの先端部に、先端が錐状または稜線
   をなす突起部が設けられていることを特徴とするコンタ
   クトプローブ。
2. 【請求項２】 前記突起部が、前記コンタクトピンの先
   端部に埋め込まれる突起部材によって構成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載のコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 フィルム上に形成されたパターン配線の
   先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
   製造方法であって、 前記コンタクトピンに供される金属層形成のための下地
   となる基板層の表面において前記コンタクトピンの先端
   をなす部分の下地となる位置にくぼみを形成するくぼみ
   形成工程と、 該くぼみ形成工程と前後して前記基板層の上にマスクを
   施して、前記マスクが施されていない部分に前記コンタ
   クトピンに供される金属層をめっき処理により形成する
   めっき処理工程と、 前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被
   着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと前記金属層からなる部分と、前記基板層
   とを分離する分離工程とを備えていることを特徴とする
   コンタクトプローブの製造方法。
4. 【請求項４】 前記くぼみ形成工程において前記基板層
   に形成されるくぼみが、断面視Ｖ字形状をなす止まり穴
   または溝とされていることを特徴とする請求項３記載の
   コンタクトプローブの製造方法。
5. 【請求項５】 前記くぼみ形成工程において前記基板層
   に形成されるくぼみが、前記コンタクトピンの配列方向
   に沿って延びて複数のコンタクトピン形成領域にまたが
   る溝とされていることを特徴とする請求項３記載のコン
   タクトプローブの製造方法。
6. 【請求項６】 前記くぼみ形成工程以前の段階で前記基
   板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結合
   する材質の下地金属層を形成する下地金属層形成工程を
   有し、 前記くぼみ形成工程では、前記基板層の代わりに前記下
   地金属層に前記くぼみを形成し、 前記分離工程では、前記フィルムと前記金属層及び前記
   下地金属層からなる部分と、前記基板層とを分離するこ
   とを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のコン
   タクトプローブの製造方法。
7. 【請求項７】 フィルム上に形成されたパターン配線の
   先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
   製造方法であって、 前記コンタクトピンに供される金属層形成のための下地
   となる基板層の表面において前記コンタクトピンの先端
   をなす部分の下地となる位置に、突起部材をその先端が
   前記基板層に埋め込まれた状態にして設ける埋め込み工
   程と、 該埋め込み工程と前後して前記基板層の上にマスクを施
   して、前記マスクが施されていない部分に前記コンタク
   トピンに供される金属層をめっき処理により形成するめ
   っき処理工程と、 前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被
   着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと前記金属層及び前記突起部材からなる部
   分と、前記基板層とを分離する分離工程とを備えている
   ことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
8. 【請求項８】 前記埋め込み工程以前の段階で前記基板
   層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結合す
   る材質の下地金属層を形成する下地金属層形成工程を有
   し、 前記埋め込み工程では、前記基板層の代わりに前記下地
   金属層に前記突起部材を埋め込み、 前記分離工程では、前記フィルム、前記金属層、前記突
   起部材及び前記下地金属層からなる部分と、前記基板層
   とを分離することを特徴とする請求項７記載のコンタク
   トプローブの製造方法。