JP2001194386A - コンタクトプローブ - Google Patents

コンタクトプローブ

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JP2001194386A
JP2001194386A JP2000338035A JP2000338035A JP2001194386A JP 2001194386 A JP2001194386 A JP 2001194386A JP 2000338035 A JP2000338035 A JP 2000338035A JP 2000338035 A JP2000338035 A JP 2000338035A JP 2001194386 A JP2001194386 A JP 2001194386A
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JP2000338035A
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English (en)
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Atsushi Matsuda
厚 松田
Tatsuo Sugiyama
達雄 杉山
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Mitsuyoshi Ueki
光芳 植木
Naoki Kato
直樹 加藤
Takafumi Iwamoto
尚文 岩元
Masayoshi Nagao
昌芳 長尾
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトピン15が狭ピッチ化および細小
化されたコンタクトプローブ11においても、コンタク
トピン15を損傷したりすることなく良好なコンタクト
性を得る。 【解決手段】 複数のパターン配線13がフィルム本体
12の表面上に形成され、これらのパターン配線13の
先端部がフィルム本体12の先端から突出させられてコ
ンタクトピン15とされるコンタクトプローブ11であ
って、このコンタクトピン15の裏面に、フィルム本体
12に連続してコンタクトピン15を支持するピン支持
層16を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップやL
CD(液晶表示体)等の各電極端子にコンタクトピンを
接触させて電気的なテストを行うためのコンタクトプロ
ーブに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICやLSI等の半導体チップや
LCDなどの電気的テストには、コンタクトプローブを
備えたプローブ装置が用いられている。このコンタクト
プローブ1は、例えば図16ないし図18に示すように
ポリイミド等の樹脂フィルム層2Aよりなるフィルム本
体2の表面(図17および図18においてフィルム本体
2の下面)2aに、Ni基合金等からなる複数のパター
ン配線3が形成され、これらのパターン配線3の先端部
がフィルム本体2の先端から突出させられてコンタクト
ピン4とされたものであり、フィルム本体2としては、
上記樹脂フィルム層2Aの裏面(図17および図18に
おいて樹脂フィルム層2Aの上面)にCu等の金属フィ
ルム層が積層されたものでもよい。
【0003】さらに、このようなコンタクトプローブ1
は、例えば図19に示すようにマウンティングベース5
やトップクランプ6、ボトムクランプ7等のメカニカル
パーツに組み込まれることにより、プリント基板8に位
置決めされて取り付けられてプローブ装置とされる。そ
して、この取付状態においてコンタクトプローブ1は図
20に示すようにその先端の上記コンタクトピン4を下
方に向けて傾斜させられて支持されており、各コンタク
トピン4の先端が例えば半導体チップ9の上面周辺部に
設けられた電極端子としてのパッド9aにそれぞれ接触
させられることにより、上記パターン配線3およびプリ
ント基板8の配線を介してこの半導体チップ9等の電気
的テストが行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
半導体チップ9等の電気的テストを行うに際しては、こ
の半導体チップ9等の電気回路とプローブ装置の配線と
を確実に接続するために、いわゆるオーバードライブを
かけてコンタクトピン4をある程度の圧力(針圧)をも
ってパッド9aに接触させるとともに、コンタクトピン
4の先端でパッド9の表面をスクラブするようにしてい
る。ところが、近年の半導体チップ9等の高集積化およ
び小型化によって該半導体チップ9等におけるパッド9
a間のピッチが狭ピッチ化されるのに伴い、コンタクト
プローブ1におけるコンタクトピン4間のピッチも狭ピ
ッチ化されるとともにコンタクトピン4自体の幅も極め
て細小化されてきており、このため1ピン当たりの針圧
に限界があって、オーバードライブ量を大きくするとコ
ンタクトピン4が塑性変形する可能性もあった。
【0005】ここで、このような狭ピッチ化に伴いコン
タクトピン4が細くなるのに対してその強度を確保する
には、一つにコンタクトピン4の厚さを大きくすること
が考えられるが、上述のようにコンタクトピン4間が狭
ピッチ化されると、アスペクト比との関係からコンタク
トピン4を厚くするにも自ずと限度がある。このため、
このようなコンタクトピン4が狭ピッチ化、細小化され
たコンタクトプローブ1では、従来は針圧をあまり大き
くすることできず、良好なコンタクト性を確保すること
が困難となるおそれがあった。
【0006】また、最近では、上記パッドが半導体チッ
プの上面周辺部だけでなく上面の全面に亙ってパッドが
設けられた半導体チップ等も使用されるようになってき
ており、このようなものに対しては、上述のようにコン
タクトプローブを傾斜させるのではなく、複数のコンタ
クトプローブを上記半導体チップ等の上面に対して垂直
に支持してプローブ装置を構成するようにしている。そ
して、さらにこのような垂直タイプのコンタクトプロー
ブでは、パッドに真上から接触することとなるコンタク
トピンにある程度のバネ性をもたせる必要があることか
ら、その中間部分をC字状に湾曲させて弾性変形可能に
形成するようにしており、これによりフィルム本体先端
からのコンタクトピンの突出長さがさらに長くなるた
め、上述の問題が一層顕著なものとなり、コンタクトピ
ンがさらに折れ曲がり易くなってしまうとともに、これ
に伴いコンタクトピン先端の位置にばらつきが生じてし
まい、場合によってはパッドに接触させることができな
くなるおそれも生じる。
【0007】さらに、このような半導体チップ等におい
ては、その上面にパッドが千鳥状に配列されたものも使
用されてきており、このようなものに対しては、パッド
の位置に応じてフィルム本体先端からの個々のコンタク
トピンの突出長さおよび傾斜角度を変えることにより、
上記千鳥配列のパッドにコンタクトピン先端を接触させ
るようにしている。しかしながら、このようにコンタク
トピン同士でその突出長さや傾斜角度が異なると、上述
のようにオーバードライブをかけた際の各コンタクトピ
ンのオーバードライブ量や針圧も異なるものとなってし
まい、オーバードライブ量および針圧が小さすぎると接
触抵抗が小さくなる一方、逆にオーバードライブ量およ
び針圧が大きすぎるとパッドを破損するおそれがある。
また、このようにオーバードライブ量や針圧が異なる
と、コンタクトピン先端がパッドをスクラブする際のス
クラブ量も異なるものとなり、スクラブ量が小さいとや
はり接触抵抗も大きくなる一方、スクラブ量が大きいと
パッドからコンタクトピン先端が外れてしまうおそれが
ある。従って、このような千鳥配列のパッド用のコンタ
クトプローブでは、各コンタクトピンの接触状態がバラ
バラとなって良好なコンタクト性を得ることが困難とさ
れていた。
【0008】一方、上記半導体チップ等の電極端子とし
てのパッドにおいても、個々のパッド同士の間ではその
高さにばらつきがあるので、これらのパッド間における
段差が大きいと、相対的にパッド高さの高いパッドに接
触したコンタクトピンには大きな荷重が作用することと
なる。また、図20(b)に示すように、パッド(また
はバンプ)の中には異常に成長してパッド表面に突起物
を形成しているものや、ゴミなどの異物がパッド表面に
ついているものがあり、これらの相対的高さの高いパッ
ドに接触したコンタクトピンにはとくに大きな荷重が作
用することになる。この荷重がコンタクトピンの許容応
力を越えてしまうと、上述のように折り曲げられ易いコ
ンタクトピンが簡単に折り曲げられて変形したり破損し
たりするおそれがある。しかるに、こうして変形、破損
したコンタクトピンでは、次に電気的テストを行う際に
このコンタクトピンをパッドに確実に接触させることは
できず、やはり良好なコンタクト性を得ることができな
くなってしまう。
【0009】本発明は、このような背景の下になされた
もので、上述のようにコンタクトピンが狭ピッチ化およ
び細小化されたコンタクトプローブにおいても、コンタ
クトピンを損傷したりすることなく良好なコンタクト性
を得ることが可能なコンタクトプローブを提供すること
を目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決して、こ
のような目的を達成するために、本発明は、複数のパタ
ーン配線がフィルム本体の表面上に形成され、これらの
パターン配線の先端部がフィルム本体の先端から突出さ
せられてコンタクトピンとされるコンタクトプローブで
あって、上記コンタクトピンの裏面に、上記フィルム本
体に連続してコンタクトピンを支持するピン支持層を設
けたことを特徴とする。従って、このようなコンタクト
プローブでは、上記ピン支持層がコンタクトピンの裏面
に設けられることによってその曲げに対する強度の向上
を図ることができるのは勿論、このピン支持層自体もフ
ィルム本体に連続していて該フィルム本体に支持される
ため、一層確実にコンタクトピンの強度向上させること
ができ、一般的な傾斜タイプの場合は勿論、垂直タイプ
のコンタクトプローブであってコンタクトピンが長かっ
たり、また千鳥配列パッド用のコンタクトプローブであ
ってコンタクトピンの長さや傾斜角度が異なっていた
り、あるいはパッドの高さが異なっていたりしていたと
しても、オーバードライブ量および針圧を大きく確保す
ることが可能となる。
【0011】ここで、上記ピン支持層は、隣接するコン
タクトピン同士の間に亙って全体に連続して設けられて
いてもよく、この場合には各コンタクトピンがそれぞれ
にピン支持層に支持されるとともに、コンタクトピン同
士もピン支持層によって連結されるため、一層のコンタ
クトピンの強度の向上を図ることができるが、その反
面、コンタクトプローブをプローブ装置に組み立てる際
の位置決めが困難になるという問題が生じる。すなわ
ち、一般にこのような位置決めは、図20に矢線で示す
ようにコンタクトピン4の先端をテスター側から確認し
ながら所定のパッド9aの位置に合わせこんで微調整す
ることにより行われるため、コンタクトピンの全体に亙
ってピン支持層が設けられていると、この位置決めの際
にコンタクトピン先端の位置を識別し難くなるのであ
る。そこで、このようなこのような問題を解決するに
は、ピン支持層の互いに隣接する上記コンタクトピン間
にはスリットを形成するのが望ましい。なお、このスリ
ットは、すべてのコンタクトピン間に形成するようにし
てもよく、複数のコンタクトピンごとに形成するように
してもよい。
【0012】また、このピン支持層は、例えば図20に
示したようにコンタクトピンが下方に向けて傾斜させら
れて支持されるコンタクトプローブにあっては、コンタ
クトピンの先端まで達するように形成されていてもよい
が、特に上述した垂直タイプのコンタクトプローブなど
においては、このようにピン支持層がコンタクトピンの
先端にまで形成されていると、コンタクトピンを半導体
チップ等のパッドに接触させる際に、このピン支持層も
同時にパッドに当たってしまってコンタクトピン先端を
確実に接触させることができなくなるおそれがある。従
って、特にこのような垂直タイプのコンタクトプローブ
においては、上記ピン支持層は、コンタクトピン先端に
まで達することなく、上記フィルム本体の先端からコン
タクトピンの先端よりも後退した位置までに延設され
て、コンタクトピン先端の裏面側は該コンタクトピンが
露出させられた状態とされるのが望ましい。
【0013】一方、このピン支持層としては、例えばフ
ィルム本体からコンタクトピンの裏面にかけて絶縁性の
テープなどを貼り付けたりして形成するようにしてもよ
いが、このコンタクトプローブのフィルム本体には、上
述のように先端が上記コンタクトピンとされるパターン
配線が表面に形成されるポリイミド等の樹脂フィルム層
が備えられているので、この樹脂フィルム層をフィルム
本体の先端からコンタクトピンの裏面に沿って先端側に
延設することにより、上記ピン支持層を形成するように
してもよい。また、樹脂フィルム層の裏面に金属フィル
ム層が積層されて備えられたフィルム本体においては、
この金属フィルム層を樹脂フィルム層とともにコンタク
トピンの裏面に延設して上記ピン支持層を形成するよう
にしてもよく、この場合にはピン支持層の剛性を向上さ
せてコンタクトピンを一層強固に支持することができ
る。
【0014】さらに、上述のように半導体チップ等のパ
ッド同士の間でその高さにばらつきがある場合、とく
に、パッド表面に異常に成長した突起物を形成している
ものや、ゴミなどの異物がパッド表面についている場合
などには、上記ピン支持層に弾性変形可能なバネ層を備
えるのが効果的である。すなわち、このようなバネ層を
設けることにより、高さの高いパッドにコンタクトピン
が接触しても、このバネ層が弾性変形することによって
パッド高さのばらつきを吸収するとともにコンタクトピ
ン自体が変形して破損するのが防がれ、しかもテストが
終わってコンタクトピンがパッドから外されると、バネ
層がその弾性によって元の状態に復帰することによりコ
ンタクトピン先端の位置も元に戻されるので、次のテス
トにおいても確実にパッドにコンタクトピンを接触させ
ることができる。また、この場合には、このバネ層とコ
ンタクトピンの裏面との間に緩衝材層を介装することに
より、コンタクトピンの変形をこの緩衝材層によって吸
収してさらに抑制することができるので、その破損を一
層確実に防止することが可能となる。ここで、緩衝材層
に代わりに非弾性材層を介装すると、コンタクトピンが
ある程度の剛性をもつことでパッド表面の異常に成長し
た突起物や異物をオーバードライブ時につぶすことがで
き、コンタクトピンは塑性変形せず、以降も安定して測
定ができる。
【0015】さらにまた、上述した千鳥配列のパッド用
のコンタクトプローブのように、少なくとも一部の上記
コンタクトピンが、フィルム本体の先端からの突出長さ
が他のコンタクトピンと異なる長さとされている場合に
は、この少なくとも一部のコンタクトピンの裏面側に設
けられる上記ピン支持層も、他のコンタクトピンのピン
支持層と異なる長さとしたり、あるいは他のコンタクト
ピンのピン支持層と異なる厚さとしたりするのが望まし
い。すなわち、突出長さが異なることによって異なる大
きさとなる各コンタクトピンのオーバードライブ量や針
圧、スクラブ量を、この突出長さに応じてピン支持層を
異なる長さや厚さとすることにより一定の大きさに整合
させることが可能となるので、各コンタクトピン間での
パッドへの接触状態の均一化を図ることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1ないし図3は、本発明の第1
の実施形態のコンタクトプローブ11を示すものであっ
て、本発明を、図16ないし図20に示したコンタクト
プローブ1と同様にそのコンタクトピンが下方に向けて
傾斜させられてプローブ装置に支持されるタイプのコン
タクトプローブに適用した場合を示すものである。しか
るに、本実施形態のコンタクトプローブ11において
も、そのフィルム本体12はポリイミド等の樹脂フィル
ム層12Aにより形成されていて、このフィルム本体1
2の表面(図1ないし図3においてフィルム本体12の
下面)12aには、Ni基合金等からなる複数のパター
ン配線13が接着剤層14に より貼着されて形成され
ており、これらのパターン配線13の先端部がフィルム
本体12の先端から突出させられてコンタクトピン15
とされている。
【0017】そして、これらのコンタクトピン15の裏
面(図1ないし図3においてコンタクトピン15の上
面)には、上記フィルム本体12の先端に連続するピン
支持層16が形成されている。このピン支持層16は、
本実施形態では上記フィルム本体12を形成する上記ポ
リイミド等の樹脂フィルム層12Aが、フィルム本体1
2の先端から各コンタクトピン15の裏面に沿ってその
先端にまで至るように延設されたものであり、互いに隣
接するすべてのコンタクトピン15同士の間の部分には
このピン支持層16は形成されず、逆にコンタクトピン
15の先端からフィルム本体12の先端に至るスリット
17が形成されている。なお、上記パターン配線13お
よびコンタクトピン15の裏面以外の露出した面には、
図3に示すようにAu層18が被覆されている。
【0018】次に、このようなピン支持層16を備えた
コンタクトプローブ11の製造方法の一例について、図
4を参照して説明する。まず、図4(a)に示すよう
に、ステンレス製の支持金属板Aの上に、Cuメッキに
よってベースメタル層Bを形成し、さらにこのベースメ
タル層17の上にフォトレジスト層Cを形成する。次い
で、図4(b)に示すように写真製版技術によりこのフ
ォトレジスト層Cに所定のパターンのフォトマスクDを
施して露光し、さらに図4(c)に示すようにフォトレ
ジスト層Cを現像して上記パターン配線13およびコン
タクトピン15となる部分を除去することにより、残存
するフォトレジスト層(マスク)Cに開口部Eを形成す
る。なお、このようにフォトレジスト層Cをネガ型フォ
トレジストによって形成する代わりに、ポジ型フォトレ
ジストにより開口部Eを形成してもよい。
【0019】次いで、図4(d)に示すように、上記開
口部Eにパターン配線13およびコンタクトピン15と
なるNi合金層Fを電解メッキ処理によって形成した
後、図4(e)に示すようにフォトレジスト層Cを除去
する。なお、上述のフォトマスクDを用いる代わりに、
このメッキ処理される箇所に予め孔が開けられたフィル
ム等を用いて、ベースメタル層Bにパターン配線13お
よびコンタクトピン15となるNi合金層Fを直接形成
するようにしてもよく、この場合には上記フォトレジス
トによるパターン形成工程は不要である。
【0020】さらに、続けて上記Ni合金層Nの上に、
上記コンタクトピン15となる部分も含めて、図4
(f)に示すようにフィルム本体12の樹脂フィルム層
12Aとなるポリイミド等の樹脂フィルムGを接着剤層
14となる接着剤Hによって接着する。しかる後、図4
(g)に示すように樹脂フィルムGと接着剤HとNi合
金層Fとベースメタル層Bとからなる部分を支持金属板
Aから剥離し、次いでCuエッチングを経て図4(h)
に示すように樹脂フィルム層12Aの表面にコンタクト
ピン15となる部分を含めたパターン配線13が接着剤
層14を介して接着された状態とする。
【0021】ここで、本実施形態に係わる製造方法で
は、樹脂フィルム層12Aがフィルム本体12として残
される部分にマスキングを施した上で、フィルム本体1
2の先端からパターン配線13がコンタクトピン15と
して突出することになる部分のみに、図4(i)に示す
ようにこのコンタクトピン15側(フィルム本体12の
表面側)からレーザIを照射する。すると、隣合うコン
タクトピン15同士の間に露出する接着剤層14および
樹脂フィルム層12AはレーザLに晒されて除去される
が、Ni基合金よりなるコンタクトピン15に当たった
レーザIは反射してしまうため、その裏面側の接着剤層
14および樹脂フィルム層12Aは除去されずにそのま
ま残される。
【0022】従って、これにより、上記マスキングによ
って残されたフィルム本体12となる樹脂フィルム層1
2Aの先端側では、このフィルム本体12の先端からコ
ンタクトピン15が突出するとともに、その裏面にはピ
ン支持層16となる樹脂フィルム層12Aが接着剤層1
4によって接合されて設けられた状態となり、このピン
支持層16となる樹脂フィルム層12Aは、上記フィル
ム本体12となる樹脂フィルム層12Aに連続するとと
もに、その先端はコンタクトピン15の先端にまで延設
され、さらに互いに隣接するコンタクトピン15間に
は、上記レーザIによって除去された部分によりスリッ
ト17が画成されることとなる。そこで、その後にパタ
ーン配線13およびコンタクトピン15の露出した部分
にAuメッキを施してその露出面に上記Au層18を形
成することにより、図4(j)に示すように上記第1の
実施形態のコンタクトプローブ11が製造される。
【0023】しかるに、このように製造される上記構成
のコンタクトプローブ11においては、フィルム本体1
2の先端から突出するコンタクトピン15の裏面に、上
記フィルム層12Aよりなるピン支持層16が設けられ
ており、このピン支持層16は、本実施形態ではフィル
ム本体12を形成する樹脂フィルム層12Aが該フィル
ム本体12先端から延設されてなるものであって、該フ
ィルム本体12に連続しているので、このピン支持層1
6を介してコンタクトピン15を強固にフィルム本体1
2に支持することができ、その強度の向上を図ることが
できる。従って、近年の狭ピッチ化および細小化された
コンタクトピン15において、その先端を大きなオーバ
ードライブ量および針圧で半導体チップ等のパッドに接
触させてスクラブすることができ、これにより良好なコ
ンタクト性を得ることが可能となるとともに、このよう
な大きなオーバードライブ量および針圧を与えても、コ
ンタクトピン15に曲がり等の変形や破損が生じるのを
防ぐことができる。
【0024】また、上記構成のコンタクトプローブ11
は、コンタクトピン15が下方に向けて傾斜してプロー
ブ装置に支持されるタイプのものであって、このコンタ
クトピン15には半導体チップ等のパッドへの接触によ
りその裏面側に向けて荷重が作用するのに対し、上記ピ
ン支持層16はこのコンタクトピン15の裏面に設けら
れているので、接触時にコンタクトピン15に作用する
荷重を裏面側から該荷重に対向する向きに受け止めて、
該コンタクトピン15の変形や破損を一層確実に防止す
ることが可能となる。しかも、コンタクトピン15がパ
ッドに接触する表面側は、従来と同様にパターン配線1
3がフィルム本体の先端に突出してコンタクトピン15
をなしているだけであるので、このようなピン支持層1
6を設けることによってコンタクトピン15先端のパッ
ドへの接触が阻害されることはなく、良好なコンタクト
性を維持することができる。
【0025】さらに、本実施形態では、互いに隣合うす
べてのコンタクトピン15間に上記ピン支持層16が形
成されることがなく、フィルム本体12の先端に達する
スリット17とされているので、このようなコンタクト
プローブ11を半導体チップ等のパッドの位置に合わせ
て位置決めしてプローブ装置に組み立てる際に、コンタ
クトピン15の先端を所定のパッド位置に微調整する場
合でも、このコンタクトピン15先端の位置を確実に識
別することができ、高精度の位置決めを行うことができ
る。しかも、このようにすべてのコンタクトピン15間
にスリット17が形成されて各コンタクトピン15が独
立していることにより、半導体チップ等のパッドの高さ
にばらつきがあったとしても、高さの高いパッドに接触
したコンタクトピン15にその周囲のコンタクトピン1
5がピン支持層16を介して引き上げられたりすること
もなく、すべてのコンタクトピン15について良好なコ
ンタクト性を確実に得ることができる。
【0026】一方、このようにすべてのコンタクトピン
15間においてピン支持層16にスリット17が形成さ
れた本実施形態のコンタクトプローブ11を製造するに
際しては、例えば上記製造方法の図4(f)に示した工
程においてNi合金層Fの上に樹脂フィルムGを接着剤
Hによって接着する際に、予め上記スリット17となる
部分に合わせて樹脂フィルムGにスリットを形成してお
いて、このスリットの間のピン支持層16となる部分を
コンタクトピン15となる部分に一致させて樹脂フィル
ムGを接着することも考えられるが、上述のようにコン
タクトピン15が狭ピッチ化および細小化されている場
合には、このような方法は非常に手間がかかって効率的
ではない。そこで、上述した製造方法のようにコンタク
トピン15の表面側からレーザIを照射してその間の接
着剤層14および樹脂フィルム層12Aを除去するよう
にすれば、きわめて短時間で容易に、しかも確実にコン
タクトピン15の裏面にピン支持層16として樹脂フィ
ルム層12Aを残したままスリット17を形成すること
が可能となる。
【0027】ただし、本実施形態のコンタクトプローブ
11では、このようにすべてのコンタクトピン15間に
おいてピン支持層16にスリット17が形成されている
が、例えば複数本ごとのコンタクトピン15の間におい
てピン支持層16にスリット17が形成されるようにし
てもよく、また場合によってはこのようなスリット17
を形成することなく、フィルム本体12から突出するす
べてのコンタクトピン15が連続したピン支持層16に
よって連結された構造としてもよい。このような構成を
採った場合には、個々のコンタクトピン15が面状に延
びるピン支持層16によって支持されるので、曲げ等に
対する強度の一層の向上を図ることができる。
【0028】また、本実施形態では上記フィルム本体1
2がポリイミド等の樹脂フィルム層12Aからなるもの
であって、この樹脂フィルム層12Aがフィルム本体1
2の先端からコンタクトピン15の裏面に沿って延設さ
れてピン支持層16を形成しているが、例えば図5ない
し図7に示す本発明の第2の実施形態のように、この樹
脂フィルム層12Aの裏面にCu等の金属フィルム層1
2Bが積層されてフィルム本体12が構成されたコンタ
クトプローブ21においては、上記樹脂フィルム層12
Aとともにこの金属フィルム層12Bもコンタクトピン
15の先端側に延設するようにして、これら樹脂、金属
フィルム層12A,12Bからなる2層構造のピン支持
層22をコンタクトピン15の裏面に形成するようにし
てもよい。なお、この図5ないし図7に示す第2の実施
形態を初め、以下に説明する第3〜第7の実施形態にお
いては、互いに共通する構成要素には同一の符号を配し
て説明を省略あるいは簡略化する。
【0029】しかるに、このように構成された第2の実
施形態のコンタクトプローブ21によれば、上記樹脂フ
ィルム層12Aに加えてCu等の金属フィルム層12B
が積層されてコンタクトピン15の裏面にピン支持層2
2が設けられており、しかもこの金属フィルム層12B
も樹脂フィルム層12Aと同様にフィルム本体12の先
端に連続するように形成されているので、ピン支持層2
2自体の剛性を向上させてコンタクトピン15をさらに
強固に支持することができる。このため、より大きなオ
ーバードライブ量および針圧をコンタクトピン15にか
けても、このコンタクトピン15に変形や破損が生じる
のを防ぐことができ、一層良好なコンタクト性を得るこ
とができる。
【0030】なお、この第2の実施形態のピン支持層2
2においては、上記樹脂フィルム層12Aに加えて金属
フィルム層12Bにも、互いに隣接するコンタクトピン
15間にスリット17が形成されるようになされている
が、例えばこの金属フィルム層12Bにはスリット17
を形成しないようにしたり、あるいは逆に金属フィルム
層12Bのみにスリット17を形成して樹脂フィルム層
12Aはコンタクトピン15間に亙って面状に延びるよ
うに形成したりしてもよい。また、フィルム本体12の
樹脂フィルム層12Aや金属フィルム層12Bの裏面に
他の樹脂フィルム層や金属フィルム層が積層される場合
には、これらもさらにコンタクトピン15の裏面に延設
してピン支持層を形成するようにしてもよい。
【0031】次に、図8は、本発明の第3の実施形態を
示すものであって、本発明を、上述した垂直タイプのコ
ンタクトプローブに適用した場合を示すものである。す
なわち、この第3の実施形態のコンタクトプローブ31
においては、コンタクトピン15が上記第1、第2の実
施形態よりもフィルム本体12の先端から長く突出して
いるとともに、各コンタクトピン15の先端側には、フ
ィルム本体12の裏面側からみて図8に示すように、コ
ンタクトピン15同士で同じ方向に概略C字状に湾曲す
る湾曲部15Aが形成されており、さらにこの湾曲部1
5Aの先端は、先端側に向かうに従い湾曲部15Aが湾
曲する側とは反対側に向けて該湾曲部15Aの接線方向
に斜めに延びるように形成されている。そして、このコ
ンタクトピン15の裏面には、第1の実施形態と同様に
フィルム本体12の先端から樹脂フィルム層12Aが連
続してなるピン支持層32が形成されている。ただし、
この第3の実施形態のピン支持層32は、第1、第2の
実施形態のピン支持層16,22のようにコンタクトピ
ン15の先端にまでは達しておらず、上記湾曲部15A
上においてこのコンタクトピン15先端よりも僅かに後
退した位置にまで延設されている。
【0032】このように構成された第3の実施形態のコ
ンタクトプローブ31は、そのフィルム本体12が半導
体チップ等の上面に対して垂直となるようにプローブ装
置に取り付けられ、そのコンタクトピン15の先端が該
半導体チップ等のパッドに真上から接触するように構成
される。しかるに、このようなコンタクトプローブ31
では、コンタクトピン15の先端部に上述のように湾曲
部15Aが形成されることにより、パッドに真上から接
触することとなるコンタクトピン15にある程度のバネ
性が与えられている一方、このように湾曲部15Aを形
成することによってコンタクトピン15のフィルム本体
12からの突出長さは長くなり、従ってコンタクトピン
15は一層折れ曲がり易くなってしまうとともに、この
折れ曲がりに伴ってコンタクトピン15同士の先端の位
置にばらつきが生じてしまうおそれがあるが、この第3
の実施形態によれば、コンタクトピン15の裏面に上記
ピン支持層32が形成されてコンタクトピン15を強固
にフィルム本体12に支持することができるので、湾曲
部15Aを形成することによるコンタクトピン15の折
れ曲がりやこれに伴うコンタクトピン15の先端位置の
ばらつきを確実に防止することが可能となる。
【0033】そして、その一方で、この第3の実施形態
のコンタクトプローブ31では、上記ピン支持層32が
フィルム本体12の先端からコンタクトピン15の先端
よりも僅かに後退した位置までに延設されて、コンタク
トピン15の先端にまでは達していないので、上述のよ
うにこのコンタクトピン15を真上から半導体チップ等
のパッドに接触させる場合でも、ピン支持層32によっ
てコンタクトピン15の接触が阻害されるようなことが
なく、良好なコンタクト性を維持することができる。ま
た、この第3の実施形態においても、上記第1、第2の
実施形態と同様、図示のように互いに隣接するコンタク
トピン15間には、フィルム本体12の先端に至るスリ
ット17がピン支持層32に形成されており、これによ
り各コンタクトピン15の上記湾曲部15A同士も互い
に独立して弾性変形可能とされるので、各コンタクトピ
ン15のバネ性を損なうことがなく、一層良好なコンタ
クト性を得ることができる。
【0034】また、図9は本発明の第4の実施形態のコ
ンタクトプローブ41を示すものであり、この第4の実
施形態においては、そのピン支持層42が弾性変形可能
なバネ層43を備えていることを特徴とする。すなわ
ち、この第4の実施形態では、樹脂フィルム層12Aと
金属フィルム層12Bとからなるフィルム本体12の裏
面に、例えばJIS G 4801に規定されるSUP材
等のばね鋼よりなる薄板が貼り付けられ、この薄板がフ
ィルム本体12の先端からコンタクトピン15の裏面に
沿ってその先端側に突出し、クッション性を有する緩衝
材層44としての接着剤を介して該コンタクトピン15
に接合されることによって上記バネ層43が形成されて
おり、これらバネ層43と緩衝材層44とにより、フィ
ルム本体12の先端に連続する本実施形態の上記ピン支
持層42が構成されている。また、本実施形態では、こ
のピン支持層42はコンタクトピン15の先端に達する
ように延設されるとともに、互いに隣接するコンタクト
ピン15同士の間には、複数本(図示の場合では5本)
のコンタクトピン15ごとにスリット17が形成されて
いる。
【0035】このように構成された第4の実施形態のコ
ンタクトプローブ41では、例えば半導体チップ等のパ
ッド同士の間でその高さにばらつきがある場合、とく
に、パッド表面に異常に成長した突起物を形成している
ものや、ゴミなどの異物がパッド表面についている場合
で、電気的テスト時に他のパッドよりも高いパッドに接
触したコンタクトピン15に大きな荷重が作用すると、
この荷重は当該コンタクトピン15から上記緩衝材層4
4を介してバネ層43に伝えられ、このバネ層43に弾
性変形が生じることによってピン支持層42に受け止め
られる。そして、テストが終了してこのコンタクトピン
15が上記パッドから離れると、バネ層43がその弾性
によって元の状態に戻り、これに伴いコンタクトピン1
5も元の位置に復帰するので、この第4の実施形態によ
れば、上述のようにパッド同士の高さにばらつきがあっ
てもこれをある程度吸収することができ、コンタクトピ
ン15自体が変形して破損してしまうのを防止して、そ
の後の電気的テストにおいても良好なコンタクト性を維
持することが可能となる。
【0036】また、この第4の実施形態では、コンタク
トピン15とピン支持層42の上記バネ層43との間に
クッション性を有する接着剤の層が介装されて緩衝材層
44が形成されており、この緩衝材層44が収縮するこ
とによって上記パッドの高さのばらつきをさらに広い範
囲で吸収することができるので、このパッドの表面に異
常に成長した突起物やゴミなどの異物がついており、パ
ッドの高さのばらつきがより大きくて特定のコンタクト
ピン15にさらに大きな荷重が作用した場合でも、コン
タクトピン15に変形や破損が生じるのを一層確実に防
止することができる。しかも、この第4の実施形態にお
いては、このようにピン支持層42のバネ層43が弾性
変形したり緩衝材層44が収縮したりすることにより、
その弾性力によってコンタクトピン15がパッドにより
強く押し付けられて針圧を高めることができるので、コ
ンタクトピン15だけで針圧を与える場合よりも安定し
たコンタクト性を確保できるという利点も得ることがで
きる。
【0037】なお、本実施形態ではこのように上記緩衝
材層44をクッション性を有する接着剤によって形成し
て、コンタクトピン15とピン支持層42の上記バネ層
43とをこの緩衝材層44によって張り合わせた構成と
しているが、緩衝材層44をコンタクトピン15の裏面
またはバネ層43のいずれか一方のみに貼り付けるよう
にして他方には単に当接させただけの状態としてもよ
く、この場合において、コンタクトピン15またはバネ
層43の他方と緩衝材層44との間には間隔が開けられ
ていてもよい。また、図1ないし図3に示した第1の実
施形態のコンタクトプローブ11においてピン支持層1
6を構成するポリイミド等の樹脂フィルム層12Aの裏
面にバネ層43を設けたりしてもよく、これらの場合で
もバネ層43による弾性によってパッドの高さのばらつ
きを吸収してコンタクトピン15の変形や破損を防止す
ることができる。
【0038】また、図9に示すような第4の実施形態に
おいてクッション性を有する緩衝材層44を介装する代
わりに、図10(a)に示すように、例えばセラミック
ス等の絶縁性をもつ非弾性材層45をコンタクトピン1
5の裏面と上記バネ層43との間に介装してもよい。こ
こで上記非弾性材層45はクッション性を有する接着剤
層14によってコンタクトピン15とピン支持層42の
上記バネ層43に張り合わせた構成とされているが、非
弾性材層45をコンタクトピン15の裏面またはバネ層
43のいずれか一方のみに貼り付けるようにして他方に
は単に当接させただけの状態としてもよい。これらの場
合には、バネ層43が弾性変形してパッドの高さのばら
つきを吸収する効果のほかに、コンタクトピン15はあ
る程度の剛性をもつので、パッド表面の異常に成長した
突起物やゴミなどの異物をつぶすことができる。また、
図10(b)に示すように、コンタクトピン15と非弾
性材層45との間にコンタクトピン15の弾性変形内で
の間隔46が開けられていてもよいし、さらに、図10
(c)に示すように、上記非弾性材層45とコンタクト
ピン15との間に緩衝材層44が介装されていてもよ
い。これらの場合、とくに相対的高さの高いパッドに接
触した際に、コンタクトピン15は多少の弾性変形はす
るものの、非弾性材層45が設けられていることによ
り、コンタクトピン15のそれ以上の弾性変形を防止し
て、なおかつ多少の剛性をもつことができる。上記いず
れの場合も、コンタクトピン15の弾性変形とバネ層4
3の弾性変形により多少のパッド高さのばらつきを吸収
しつつ、パッド表面に異常に成長した突起物やゴミなど
の異物をつぶすことができ、コンタクトピン15の変形
や破損を防止することができる。
【0039】さらに、本実施形態では上記バネ層43と
緩衝材層44とからなるピン支持層42に、複数本のコ
ンタクトピン15ごとに隣接するコンタクトピン15同
士の間にスリット17が形成されていて、この複数本の
コンタクトピン15のうち1本に上述のような大きな荷
重が作用した場合に、この荷重を、当該コンタクトピン
15を含むスリット17間に挟まれた部分の上記バネ層
43の弾性変形によって受け止めるようにしているが、
このような構成を採った場合には、特に本実施形態のよ
うにピン支持層42に弾性変形可能なバネ層43が備え
られ、かつ接着剤よりなる緩衝材層44によってコンタ
クトピン15の裏面に張り合わされている場合に、上記
コンタクトピン15の裏面側のバネ層43部分が弾性変
形して反り返ることにより、その周囲のコンタクトピン
15もバネ層43に引き上げられるように反り曲がって
しまうおそれがある。そこで、このような場合には、上
述のように緩衝材層44をコンタクトピン15の裏面ま
たはバネ層43のいずれか一方のみに貼り付けるように
して他方には単に当接させるだけとしたり、あるいは図
11に示すように上記第1、第2の実施形態と同様、隣
接するすべてのコンタクトピン15間においてピン支持
層42にスリット17を形成すればよい。
【0040】なお、この図11に示したコンタクトプロ
ーブ41においても、緩衝材層44に代えてセラミック
ス等の絶縁性をもつ非弾性材45やポリイミド等の絶縁
性の樹脂フィルム層12Aを介装するようにしてもよ
い。さらに、図9に示したコンタクトプローブ41にお
いてはバネ層43と緩衝材層44とからなるピン支持層
42に1個所だけしかスリット17が形成されていない
一方、図11に示したこのコンタクトプローブ41の変
形例ではピン支持層42におけるすべてのコンタクトピ
ン15間にスリット17が形成されているが、このスリ
ット17は図9に示したコンタクトプローブ41では上
述したように複数本のコンタクトピン15毎に形成され
ていればよく、すなわちピン支持層42に複数のスリッ
ト17が複数本のコンタクトピン15毎に形成されてい
てもよい。
【0041】さらにまた、図12および図13は本発明
の第5の実施形態を示すものであって、この第5の実施
形態のコンタクトプローブ51は、パッドが千鳥状に配
列された半導体チップ等の電気的テストに対応するもの
であり、コンタクトピン15のフィルム本体12先端か
らの突出長さLが異なる長さとされている。そして、こ
れに合わせて本実施形態では、各コンタクトピン15の
裏面に設けられるピン支持層52も、突出長さLの異な
るコンタクトピン15同士でその上記フィルム本体12
の先端からの延設長さMが異なる長さとされている。す
なわち、この第5の実施形態では、互いに隣接するコン
タクトピン15が複数のコンタクトピン15ごとにその
フィルム本体12からの突出長さLが漸次長くなるよう
に形成されるとともに、上記ピン支持層52のフィルム
本体12からの延設長さMも、突出長さLの長いコンタ
クトピン15の裏面のピン支持層52ほど長くなるよう
にされている。
【0042】また本実施形態では、これらのピン支持層
52はいずれもコンタクトピン15の先端にまでは達し
ておらず、上記第3の実施形態と同様にフィルム本体1
2の先端から各コンタクトピン15の先端よりも僅かに
後退した位置までに延設されている。そして、本実施形
態のコンタクトプローブ51では、このコンタクトピン
15の先端からピン支持層52の先端までの後退量N
は、上記延設長さMとは逆に突出長さLの長いコンタク
トピン15のピン支持層52ほど短くなるように設定さ
れている。さらに、この第5の実施形態においても、上
記ピン支持層52には、互いに隣接するすべてのコンタ
クトピン15間にスリット17が形成されている。
【0043】なお、このようなコンタクトプローブ51
を製造するには、一つに、フィルム本体12となる樹脂
フィルム層12Aの先端に、突設長さMが異なり、かつ
隣接するコンタクトピン15間の部分にスリット17が
形成されたピン支持層52となる櫛状の部分を予めパタ
ーニングで形成しておき、これをそれぞれコンタクトピ
ン15の裏面に貼り合わせてゆく方法を採ることができ
るが、このような製造方法では個々の櫛状部分を各コン
タクトピン15に正確に貼り付けるのにきわめて微細な
作業が要求されるため、効率的ではない。そこで、かか
るコンタクトプローブ51をより効率的に製造するに
は、フィルム本体12となる樹脂フィルム層12Aの先
端に、突設長さMが異なるように先端部が段状に形成さ
れ、かつ隣接するコンタクトピン15間部分は連続させ
られた、ピン支持層52となる平板状の部分を予めパタ
ーニング等で形成しておき、この部分をコンタクトピン
15の裏面に貼り合わせた後に、コンタクトピン15側
(フィルム本体12の表面側)からレーザを照射するこ
とにより、隣接するコンタクトピン15間の樹脂フィル
ム層12Aを除去してスリット17を形成するとともに
コンタクトピン15の裏面にピン支持層52が画成され
るようにすればよい。
【0044】しかして、このようにして製造されるコン
タクトプローブ51は、図13に鎖線で示すようにコン
タクトピン15がフィルム本体12の先端においてその
突出長さLに応じた所定の傾斜角度θで折り曲げられる
ことにより、それぞれのコンタクトピン15の先端が半
導体チップ等の上面に千鳥状に配列されたパッドに接触
可能とされる。すなわち、突出長さLの長いコンタクト
ピン15は半導体チップ等の上面に対して小さな傾斜角
度θで折り曲げられる一方、突出長さLの短いコンタク
トピン15は大きな傾斜角度θで折り曲げられる。そし
て、このような突出長さLや傾斜角度θが異なることに
より、1つのコンタクトプローブ51で同じにコンタク
トピン15をパッドに接触させようとしても、突出長さ
Lが長くて傾斜角度θが小さいコンタクトピン15は針
圧、スクラブ量が小さくなる一方、逆に突出長さLが短
くて傾斜角度θが大きいコンタクトピン15では針圧、
スクラブ量は大きくなる。
【0045】しかるに、これに対して本実施形態では、
突出長さLが長くて針圧等が小さくなるコンタクトピン
15の裏面のピン支持層52は、フィルム本体12から
の延設長さMが長く設定されていて、これにより該ピン
支持層52によるコンタクトピン15の支持剛性も高く
なるので、より大きなオーバードライブ量や針圧、スク
ラブ量を得ることができる。その一方で、突出長さLが
短くて針圧等が大きくなるコンタクトピン15では、そ
の裏面のピン支持層52の延設長さMが短くされている
ため、支持剛性は延設長さMの長いピン支持層52より
も小さくなり、従って針圧、スクラブ量も必要以上に大
きくなるのが防がれるので、本実施形態によれば、この
ようなコンタクトピン15の突出長さLが異なるコンタ
クトプローブ51においても、各コンタクトピン15の
接触状態を均一に保持することができ、突出長さLの長
いコンタクトピン15においてもパッドへの接触抵抗を
確保して確実なコンタクトを図るとともに、突出長さL
の短いコンタクトピン15において針圧が高すぎてパッ
ドを破損したり、スクラブ量が大きすぎてコンタクトピ
ン15がパッドから外れたりするような事態を防止する
ことができる。
【0046】また、本実施形態では、これらのピン支持
層52がコンタクトピン15の先端よりも後退した位置
にまで延設されていて、その後退量Nは、突出長さLの
長いコンタクトピン15ほど小さくされており、すなわ
ちこのピン支持層52の先端から突出するコンタクトピ
ン15先端部の突出長さは、フィルム本体12からの突
出長さLが長くて針圧等が小さくなるコンタクトピン1
5ほど小さく、従ってこのコンタクトピン15先端部自
体の剛性は大きく確保される。逆に、突出長さLが短く
て針圧等が大きくなるコンタクトピン15ではこの後端
量Nが大きく、すなわちピン支持層52から突出するコ
ンタクトピン15先端部の突出長さが短くされて、該コ
ンタクトピン15先端部自体の剛性は小さく抑えられる
ため、パッドへの当たりをより柔らかくすることができ
る。従って、本実施形態によれば、ピン支持層52の延
設長さMを異なる長さとすることとも相俟って、突出長
さLの異なるコンタクトピン15間でも一層のコンタク
ト状態の均一化を図ることが可能となる。
【0047】なお、この第5の実施形態においては、こ
のようにピン支持層52のフィルム本体12先端からの
延設長さMを異なる長さとすることにより、突出長さL
の異なるコンタクトピン15間でも均一な接触状態を得
るようにしているが、これに代えて、例えば図14に示
す第6の実施形態のコンタクトプローブ61のように突
出長さLの異なるコンタクトピン15間でピン支持層6
2の厚さTを異なる大きさにするようにしたり、あるい
はこれに加えて例えば図15に示す第7の実施形態のコ
ンタクトプローブ71のように突出長さLの異なるコン
タクトピン15間でピン支持層72の延設長さMと厚さ
Tとの両方を異なる大きさとするようにしたりしてもよ
い。すなわち、図14に示す第6の実施形態では、上記
第5の実施形態と同様にコンタクトピン15が複数本ご
とにフィルム本体12の先端からの突出長さLが互いに
異なる長さとされているが、その裏面に設けられるピン
支持層62の延設長さMはコンタクトピン15間で一定
とされ、その代わりにこのピン支持層62の厚さTが、
突出長さLの長いコンタクトピン15ほど厚くなるよう
に形成されている。
【0048】一方、図15に示す第7の実施形態では、
やはりコンタクトピン15が複数本ごとにフィルム本体
12先端からの突出長さLが異なる長さとされ、これに
対してその裏面に設けられるピン支持層72は、突出長
さLが長いコンタクトピン15ほどフィルム本体12先
端からの延設長さMが長くなるとともに、その厚さTも
突出長さLが長いコンタクトピン15ほど厚くなるよう
に形成されている。なお、このようにピン支持層62,
72の厚さTを異なる厚さとするには、このピン支持層
62,72が第1の実施形態のように樹脂フィルム層1
2Aだけからなる場合には、このコンタクトピン15の
裏面に延びるこの樹脂フィルム層12A自体の厚さを変
えればよく、また第2の実施形態のようにピン支持層6
2,72が樹脂フィルム層12Aと金属フィルム層12
Bとからなる場合には、図示のようにこれら樹脂フィル
ム層12Aと金属フィルム層12Bとの両方の厚さを変
えたり、あるいは一方は一定の厚さとしたまま他方の厚
さだけを変えたりすればよい。
【0049】しかるに、このようにピン支持層62,7
2の厚さTを突出長さLの異なるコンタクトピン15間
で異なる厚さとした第6,第7の実施形態のコンタクト
プローブ61,71では、突出長さLが長くて針圧、ス
クラブ量が小さくなるコンタクトピン15ほどピン支持
層62,72の厚さTが厚く、従って高い支持剛性が与
えられる一方、逆に突出長さLが短くて針圧等が大きい
コンタクトピン15ではピン支持層62,72の厚さT
が薄く、その支持剛性は小さくなる。従って、このよう
な第6、第7の実施形態においても、突出長さLの異な
るコンタクトピン15同士の間で針圧、スクラブ量など
を一定に保つことができ、千鳥状に配列された半導体チ
ップ等のパッドに対しても良好かつ均等なコンタクト性
を得ることが可能となる。また、特にピン支持層72の
延設長さMと厚さTとを両方とも異なる大きさとした第
7の実施形態のコンタクトプローブ71によれば、これ
らの延設長さMや厚さTを適宜組み合わせることによ
り、各コンタクトピン15の突出長さLや折り曲げられ
たときの傾斜角度θの相違に応じた一層適当な支持剛性
を与えることができ、さらに均一なコンタクト性を得る
ことが可能となる。
【0050】なお、これら第5〜第7の実施形態のコン
タクトプローブ51,61,71では、そのピン支持層
52,62,72がコンタクトピン15の先端よりも上
記後退量Nで後退した位置までに延設されているが、特
に延設長さMを異なる長さとする第5、第7の実施形態
においては、これらのピン支持層52,72を突出長さ
Lの異なるコンタクトピン15の先端にそれぞれ達する
ように延設してもよい。また、これら第5〜第7の実施
形態のコンタクトプローブ51,61,71では、その
ピン支持層52,62,72を上述のように樹脂フィル
ム層12Aと金属フィルム層12Bとにより形成してい
るが、さらにこれに上記第4の実施形態のようなバネ層
を備えるようにしてもよく、この場合には当該バネ層の
延設長さや厚さをコンタクトピン15間で異なるように
してそのバネ定数を変化させることにより、各コンタク
トピン15同士で均一な針圧等が得られるようにしても
よい。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
近年のコンタクトピンが狭ピッチ化および細小化された
コンタクトプローブにあっても、コンタクトピンの裏面
にフィルム本体に連続するピン支持層を設けることによ
り、曲がりや変形などによってコンタクトピンを損傷し
たりすることなく、大きなオーバードライブ量、針圧、
およびスクラブ量を与えることができ、コンタクトピン
が下方に傾斜させられてプローブ装置に取り付けられる
場合は勿論、垂直に取り付けられる場合でも、またパッ
ドが千鳥状に配列された半導体チップ等の電気的テスト
を行う場合や、パッドの高さにばらつきがある場合、と
くにパッド表面に異常に成長した突起物やゴミなどの異
物がある場合でも、良好なコンタクト性を得ることが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態のコンタクトプロー
ブの先端部の斜視図である。
【図2】 図1に示す第1の実施形態のコンタクトプロ
ーブの側面図である。
【図3】 図1におけるZZ拡大断面図である。
【図4】 図1に示す第1の実施形態のコンタクトプロ
ーブの製造方法の一例を示す図である。
【図5】 本発明の第2の実施形態のコンタクトプロー
ブの先端部の斜視図である。
【図6】 図5に示す第2の実施形態のコンタクトプロ
ーブの側面図である。
【図7】 図5におけるZZ拡大断面図である。
【図8】 本発明の第3の実施形態のコンタクトプロー
ブの先端部をフィルム本体の裏面側から見た平面図であ
る。
【図9】 本発明の第4の実施形態のコンタクトプロー
ブの先端部の斜視図である。
【図10】(a) 本発明の第4の実施形態のコンタク
トプローブ第1変形例を示す先端部の側面図、(b)は
同じく第2変形例の側面図、(c)は同じく第3変形例
の側面図である。
【図11】 第4の実施形態のコンタクトプローブの第
4変形例を示す先端部の斜視図である。
【図12】 本発明の第5の実施形態のコンタクトプロ
ーブの先端部をフィルム本体の裏面側から見た平面図で
ある。
【図13】 図11に示す第5の実施形態のコンタクト
プローブの先端部の斜視図である。
【図14】 本発明の第6の実施形態のコンタクトプロ
ーブの先端部の斜視図である。
【図15】 本発明の第7の実施形態のコンタクトプロ
ーブの先端部の斜視図である。
【図16】 従来のコンタクトプローブをフィルム本体
の裏面側からみた平面図である。
【図17】 図15に示す従来のコンタクトプローブの
側面図である。
【図18】 図15に示す従来のコンタクトプローブの
先端部の斜視図である。
【図19】 図15に示す従来のコンタクトプローブが
装着されるプローブ装置の分解図である。
【図20】(a) 図18に示すプローブ装置による半
導体チップの電気的テストを示す図である。 (b) (a)に示すプローブ装置においてチップ表面
に突起物がある場合の要部拡大側面図である。
【符号の説明】
11,21,31,41,51,61,71 コンタク
トプローブ 12 フィルム本体 12A 樹脂フィルム層 12B 金属フィルム層 14 接着剤層 15 コンタクトピン 15A 湾曲部 16,22,32,42,52,62,72 ピン支持
層 17 スリット 43 バネ層 44 緩衝材層 45 非弾性材層 L コンタクトピン15の突出長さ M ピン支持層52,62,72の延設長さ N コンタクトピン15の先端からのピン支持層52,
62,72の先端の後退量 T ピン支持層62,72の厚さ θ コンタクトピン15の傾斜角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 三 菱マテリアル株式会社内 (72)発明者 植木 光芳 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 加藤 直樹 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 岩元 尚文 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 長尾 昌芳 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のパターン配線がフィルム本体の表
    面上に形成され、これらのパターン配線の先端部がフィ
    ルム本体の先端から突出させられてコンタクトピンとさ
    れるコンタクトプローブであって、上記コンタクトピン
    の裏面には、上記フィルム本体に連続して該コンタクト
    ピンを支持するピン支持層が設けられていることを特徴
    とするコンタクトプローブ。
  2. 【請求項2】 上記ピン支持層には、互いに隣接する上
    記コンタクトピン間にスリットが形成されていることを
    特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
  3. 【請求項3】 上記ピン支持層は、上記フィルム本体の
    先端からコンタクトピンの先端よりも後退した位置まで
    に延設されていることを特徴とする請求項1または請求
    項2に記載のコンタクトプローブ。
  4. 【請求項4】 上記フィルム本体は、表面に上記パター
    ン配線が形成される樹脂フィルム層を備えており、この
    樹脂フィルム層が上記コンタクトピンの裏面に延設され
    て上記ピン支持層が形成されていることを特徴とする請
    求項1ないし請求項3のいずれかに記載のコンタクトプ
    ローブ。
  5. 【請求項5】 上記フィルム本体は、上記樹脂フィルム
    層の裏面に金属フィルム層を備えており、この金属フィ
    ルム層が上記樹脂フィルム層とともに上記コンタクトピ
    ンの裏面に延設されて上記ピン支持層が形成されている
    ことを特徴とする請求項4に記載のコンタクトプロー
    ブ。
  6. 【請求項6】 上記ピン支持層は、弾性変形可能なバネ
    層を備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項
    5のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
  7. 【請求項7】 上記バネ層と上記コンタクトピンの裏面
    との間には緩衝材層が介装されていることを特徴とする
    請求項6に記載のコンタクトプローブ。
  8. 【請求項8】 上記バネ層と上記コンタクトピンの裏面
    との間には非弾性材層が介装されていることを特徴とす
    る請求項6に記載のコンタクトプローブ。
  9. 【請求項9】 少なくとも一部の上記コンタクトピン
    は、上記フィルム本体の先端からの突出長さが他のコン
    タクトピンと異なる長さとされるとともに、この少なく
    とも一部のコンタクトピンの裏面側に設けられる上記ピ
    ン支持層が、他のコンタクトピンのピン支持層と異なる
    長さとされていることを特徴とする請求項1ないし請求
    項8のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
  10. 【請求項10】 少なくとも一部の上記コンタクトピン
    は、上記フィルム本体の先端からの突出長さが他のコン
    タクトピンと異なる長さとされるとともに、この少なく
    とも一部のコンタクトピンの裏面側に設けられる上記ピ
    ン支持層が、他のコンタクトピンのピン支持層と異なる
    厚さとされていることを特徴とする請求項1ないし請求
    項9のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043067A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Mitsubishi Materials Corp コンタクトプローブ
US7145171B2 (en) 2003-05-01 2006-12-05 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Probe unit and its manufacturing method
JP2010044045A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043067A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Mitsubishi Materials Corp コンタクトプローブ
US7145171B2 (en) 2003-05-01 2006-12-05 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Probe unit and its manufacturing method
JP2010044045A (ja) * 2008-08-14 2010-02-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード

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