JP3792580B2 - コンタクトプローブおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ＩＣチップやＬＣＤ（液晶表示体）等の被検査物に対して回路導通試験等の電気的なテストを行うためのプローブ装置において、被検査物の微細な電極にコンタクトピンを電気的に接触させるコンタクトプローブおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、プローブ装置は、ＩＣチップやＬＳＩ等の半導体チップ、またはＬＣＤ（液晶表示体）等の各電極パッド（電極）にコンタクトプローブのコンタクトピンを押圧接触させ、プリント基板を介してテスターに接続して電気的な導通テストを行うのに用いられる。
この種のプローブ装置Ａは、例えば、図８〜図１１に示すように、円板形状をなし中央窓部１ａを有するプリント基板１の上に、中央に四角形状の穴２ａを有するトップクランプ２を取り付け、また、コンタクトプローブ３の先端部３ａを両面テープ等で下面に取り付けたマウティングベース４を、前記穴２ａの周りに複数個配置してトップクランプ２にボルト等で固定し、さらに、略額縁形状のボトムクランプ５でコンタクトプローブ３の基部３ｂをプリント基板１に押さえ付けて位置決め固定する構成とされている。
【０００３】
前記コンタクトプローブ３は、図９に示すように、Ｎｉ基合等からなる複数本のパターン配線６の上に接着剤層を介してフィルム７が被着され、該フィルム７から突出するパターン配線６の先端部がコンタクトピン６ａとされ、また、フィルム７の幅広の基部３ｂに窓部８が形成され、この窓部８にパターン配線６の引き出し配線部９が設けられた構成となっている。前記フィルム７は、ポリイミド等の樹脂フィルム層７ａ、あるいはポリイミド等の樹脂フィルム層にＣｕ，Ｎｉ等の金属フィルム層７ｂがグラウンドとして積層されたもの等からなっている（図１０参照）。
【０００４】
そして、コンタクトプローブ３の先端部３ａがマウンテングベース４の下面で下方に向けた傾斜状態に保持され、各コンタクトプローブ３の基部３ｂにおいて、パターン配線６の引き出し配線部９がボトムクランプ５の弾性体１０で、前記窓部８を通してプリント基板１の下面の電極１１に押し付けられて接触状態に保持されている。
【０００５】
また、前記コンタクトプローブ３は、図１１に示すように、ＩＣチップ（被検査物）１２の電極パッド１２ａに対して、コンタクトピン６ａが傾斜角度θを例えば２０°前後になるように傾斜されると共に、コンタクトピン６ａの先端部６ｂが平面視で円弧状に形成され、かつ該先端部６ｂの下面が斜めに切り欠かれた接触面６ｃとされ、検査時に該接触面６ｃを前記電極パッド１２ａに接触させるようになっている。
【０００６】
前記電極パッド１２ａはアルミニウム合金や金等で形成されているが、表面が空気中で酸化して薄い酸化膜や吸着物で覆われているために、コンタクトピン６ａを電極パッド１２ａに接触させる際には、接触面６ｃを電極パッド１２ａに押し付けながらイ矢方向に動かして、前記接触面６ｃで前記酸化膜や吸着物の擦り取り（スクラブ）を行い、内部のアルミニウムや金等の金属を露出させて接触面６ｃでコンタクトピン６ａと電極パッド１２ａとの確実な導通を図るようにしている。
【０００７】
ところで、前記ＩＣチップ１２の電極パッド１２ａには、図１１に示すように、その縁部にパッシベーションと呼ばれる絶縁膜（保護壁）１３が電極パッド１２ａの表面よりＨ１だけ高く隆起して設けられて、電極パッド１２ａの大きさが制限されているものがあるが、前記コンタクトピン６ａでは、前記スクラブの長さを大きくすると、角度θで傾斜した状態のコンタクトピン６ａが前記絶縁膜１３に接触して絶縁膜１３を破損するおそれがある。
【０００８】
そこで、前記絶縁膜１３を破損することなく、前記ＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに電気的に良好な接触を行わせるために、図１２に示すように、コンタクトピン６ａ１の先端部６ｂ１に、前記電極パッド１２ａに接触する側の面を凸曲面状とし、幅Ｗ、突出量Ｈをそれぞれ１０〜２０μｍとした突起部１４を設け、コンタクトピン６ａ１の突起部１４より基端部側の部分（コンタクトピン６ａ１の下面）が、前記絶縁膜１３から離間されてそれとの接触を回避する凹部１５として形成されたものも提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１１に示す従来のコンタクトピン６ａは、先端部の接触面６ｃが電極パッド１２ａから離れる際、電極パッド１２ａを引っ掻く動作をするために、スクラブによって擦り取られた前記酸化膜や吸着物等の異物Ｇが、コンタクトピン６ａの接触面６ｃの後方（コンタクトピン６ａの基端側）に掻き取られて付着して溜まりやすく、接触動作を続けていくと、前記異物Ｇの量が増えて、コンタクトピン６ａと電極パッド１２ａの間が導電できなくなるおそれがある。
また、図１２に示すコンタクトピン６ａ１も、程度の差はあるが、図１１に示すコンタクトピン６ａと同様に異物Ｇが突起部６ｅの後方部に付着する状態が起こり、次のスクラブ時に異物ごと電極パッド１２ａに接触するので、接触抵抗が大きくなる原因となると共に、異物Ｇが突起部１４に強固に付着することとなり、容易に除去できなくなる問題がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、コンタクトピンの被検査物に対するスクラブによって生じる異物がコンタクトピンの先端部に付着することなく、コンタクトピンと被検査物との導電状態を良好に保持することできるコンタクトプローブおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために、以下の点を特徴としている。
すなわち、請求項１に係るコンタクトプローブは、フィルムが被着された複数のパターン配線の各先端側がコンタクトピンとされ、該コンタクトピンに被検査物の電極に接触する突起部が設けられたコンタクトプローブにおいて、前記突起部は、コンタクトピンの先端部における被検査物に対面する側の面に突出され、かつコンタクトピンの先端側が球面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた四半球状に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
このコンタクトプローブでは、被検査物に対してコンタクトピンを接触させてスクラブを行う際に、被検査物の縁部等の周囲に絶縁膜等の障害物があっても、コンタクトピンは、その先端面に固着して形成した四半球状の突起部の頂部が被検査物に接触し、自体の基部側が被検査物から十分に離れた状態となるので、前記障害物に接触してそれを破損するといった事態を起こすことなく、スクラブ量を十分大きく確保して被検査物の酸化膜等の剥離を良好に行う。しかも、コンタクトピンのスクラブ時に、被検査物の表面にスクラブにより異物が生じても、それらを突起部の断崖壁面状部で後方、側方に追いやる効果が発揮され、自体に前記異物が付着することがなく、コンタクトピンと被検査物との間の導電性が良好に保たれる。
【００１３】
請求項２に係るコンタクトプローブは、請求項１に記載のコンタクトプローブにおいて、突起部がバンプめっきによって形成され、該バンプめっきの一部の切除により断崖壁面状部が形成されていることを特徴とする。
このコンタクトプローブでは、コンタクトピンの先端部のバンプめっきの切除によりコンタクトピンの基端側の部分に断崖壁面状部を有する四半球状の突起部が的確、容易に形成される。
【００１４】
請求項３に係るコンタクトプローブは、請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法において、コンタクトピンの先端部にバンプめっきをした後に、該バンプめっきのコンタクトピンの基端部側における一部を機械的に切除して四半球状の突起部を形成することを特徴とする。
このコンタクトプローブの製造方法では、コンタクトピンの先端部に十分な長さにわたってバンプめっきをした後に、被検査物の保護壁との接触を避けるに必要なコンタクトピンの基端部側の部分が切除されるので、バンプめっきの不良率が低減されて、気泡のない密度の均質な四半球状の突起部がコンタクトピンの先端部に形成され、被検査物に対し良好な導電性を有して接触できるコンタクトピンが容易に形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るコンタクトプローブおよびその製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
図１において、２０は本発明の実施の形態に係るコンタクトプローブである。このコンタクトプローブ２０は、パターン配線６のコンタクトピン２１の構成以外は、図８〜図１２に示す従来のコンタクトプローブ３とほぼ同一とされているので、従来技術と同一または同様の構成部分には同一の符号を付して示し、それらの詳細説明は省略する。
前記コンタクトプローブ２０の複数本のパターン配線６は、その上面に従来と同様に接着層を介して、ポリイミド等の樹脂フィルム層７ａ、あるいはポリイミド等の樹脂フィルム層にＣｕ，Ｎｉ等の金属フィルム層７ｂがグラウンドとして積層されたものからなるフィルム７が被着され、該フィルム７から突出する先端部がコンタクトピン２１とされている。
【００１６】
前記コンタクトピン２１は、横断面が矩形状に形成されると共に、先端面２１ａが平面視で外側に凸の円弧状に形成されており、先端側のＩＣチップ（被検査物）の電極パッド１２ａに対面する側の面（下面）２１ｂに、導電性材料からなる四半球状の突起部２１ｃが固着して形成され、該突起部２１ｃより基端部側の前記面２１ｂが電極パッド１２ａの絶縁膜（保護壁）１３との接触を回避する面２１ｋとなっている。
【００１７】
前記突起部２１ｃは、例えば、図４（ａ）に示すように、およそ５０μｍの厚みＤを有するＮｉ基合金製のコンタクトピン２１に、その先端側から約１００μｍの長さＳ１にわたって、導電性材料としてＮｉを使用して高さＨ２が１０〜２０μｍのバンプめっきＭを施した後、図４（ｂ）に示すように、前記コンタクトピン２１の先端から約１０〜２０μｍの長さＳ２の部分を残して、それよりも基端側にある前記バンプめっきＭをダイサーＴでコンタクトピン２１から機械的に切除して形成する。
【００１８】
前記コンタクトピン２１のバンプめっきＭは、例えば、図５、図６に示すように、フレックス製造工程で、フィルム７の樹脂フィルム層７ａに厚く付着させた接着剤２２にコンタクトピン２１の上面側（図６で下面側）をめり込ませ、下面側（図６で上面側）の一部を接着剤２２から露出させるようにしてフィルム７にコンタクトピン２１を被着しておき、コンタクトプローブ３の最終工程で、コンタクトピン２１の先端側を除いた部分にマスキングテープ（絶縁フィルム）２３を接着し、しかる後に、前記接着剤２２とマスキングテープ２３とから露出されたコンタクトピン２１の下面側の先部分にバンプめっき処理を行うことによって形成する（図６（ａ）参照）。
【００１９】
前記マスキングテープ２３と接着剤２２によって各コンタクトピン２１の両側面２１ｄ，２１ｄにバンプめっきＭが固着されることなく、各コンタクトピン２１の先端部のみの下面側に突起部２１ｃを構成するための突起物が確実に形成される。
前記めっき処理後に、コンタクトピン２１の先端部より基端側に位置させたフィルム７の金属フィルム層７ｂの先端よりも先端側にある樹脂フィルム層７ａと接着剤２２の部分および前記マスキングテープ２３を除去する後処理（図６（ｂ）参照）及び前記ダイサーＴによるバンプめっきＭの切除を行う。
前記バンプめっきＭの切除に際して、コンタクトピン２１の電極パッド１２ａに対向する側の面（下面）２１ｂに面一となるように切除して面２１ｋとして形成してもよいが、前記面２１ｂも一緒に僅少量切り込むように切除すると、ダイサーＴによる切り込み量の制御を厳しくしなくてもよいので、加工が簡単に行える。
【００２０】
上記のようにしてコンタクトピン２１の先端側にバンプめっきＭにより固着して形成された突起部２１ｃは、コンタクトピン２１の先端面２１ａと側面２１ｄ，２１ｄ（図３参照）にやや張り出すと共に、被検査物に対向する側の面２１ｂに高く盛り上がり、コンタクトピン２１の先端側における部分が頂部２１ｅを有する球面状部２１ｆとされ、コンタクトピン２１の基端側における部分がダイサーＴで機械的に切除された断崖壁面状部２１ｇとされて、全体として四半球状に形成されている。そして、コンタクトピン２１の突起部２１ｃより基端部側の部分は、前記電極パッド１２ａの絶縁膜（保護壁）１３との接触を回避する面２１ｋとして、前記断崖壁面状部２１ｇの基部に連続して形成されている。
前記バンプめっきＭの側面２１ｄ，２１ｄへの張り出し部分は、必要に応じてレーザー加工等により切除してもよい。
【００２１】
通常、コンタクトピン２１に突起部２１ｃのような突起物を形成する場合、図７（ａ）に示すように、コンタクトピン２１の先端部の突起物を形成しようとする部分を除いてレジスト層２５でマスキングを行い、該マスキングの開口部２５ａにめっき２６を行ったり、図７（ｂ）に示すように、予め形成したバンプ状突起物２７を形成し、これにコンタクトピン２１を接着剤２８で固着させる方法がある。しかし、前者では微小な突起物用のマスキングの開口部２５ａを、また、後者では微小なバンプ状突起物２７を、それぞれコンタクトピン２１の先端の所定位置に高精度に位置決めしなければならず、製造が難しい問題がある。
【００２２】
これに対して、前記バンプめっきＭによるコンタクトピン２１への突起部２１ｃの形成方法によれば、前記のようにバンプめっきＭを形成した後にその基端側の部分を切除する加工を行うので、バンプめっきＭは比較的広い範囲に形成してもよく、その形成位置の精度をそれほど正確にする必要がないので、製造が容易であり、バンプめっきの不良率を低減できる利点がある。
【００２３】
次に、前記構成のコンタクトプローブ２０の作用について説明する。
このコンタクトプローブ２０は、図９〜図１２に示すコンタクトプローブ３と同様に、図８に示すコンタクトプローブ装置Ａに装着し、コンタクトプローブ２０の各コンタクトピン２１がＩＣチップ（被検査物）１２の各電極パッド１２ａの表面に対して角度θで傾斜した状態に配置される。
この時、各コンタクトピン２１は、図２に示すように、下面２１ｂがＩＣチップ１２の手前側の絶縁膜１３の角部１３ａに近接した非接触の位置（一点鎖線）で前記ＩＣチップ１２の電極パッド１２ａの表面に対面する状態となる。
【００２４】
前記状態からコンタクトピン２１に対して電極パッド１２ａをイ矢方向に相対移動させて、コンタクトピン２１の突起部２１ｃの頂部２１ｅを電極パッド１２ａの表面に押圧接触させながらスクラブを行うと、突起部２１ｃの頂部２１ｅで電極パッド１２ａの表面のアルミ酸化膜や吸着物を剥離させて、ＩＣチップ１２とコンタクトピン２１との間の導電接触が可能となる。
前記スクラブはコンタクトピン２１の先端面２１ａの上端２１ｈがＩＣチップ１２の他方の絶縁膜１３の角部１３ｂに接触する直前の位置（二点鎖線）に至る範囲内で行うことができる。
【００２５】
前記スクラブによって擦り取られた前記酸化膜や吸着物等の異物Ｇは、コンタクトピン２１における突起部２１ｃの断崖壁面状部２１ｇによって、後方（コンタクトピン６ａの基端側）の側方に追いやられてスクラブ面から排出される。これにより、コンタクトピン自体に前記異物が付着することがなく、コンタクトピン２１と電極パッド１２ａとの間の導電接触が良好に維持されると共に、コンタクトピン２１と電極パッド１２ａとの接触抵抗が過大にならずに常に安定に維持されてスクラブが円滑に行われる。
【００２６】
前記実施の形態のコンタクトプローブ２０によれば、ＩＣチップ（被検査物）１２に対してコンタクトピン２１を接触させてスクラブを行う際に、ＩＣチップ１２の縁部等の周囲に絶縁膜１３等の障害物があっても、コンタクトピン２１は、その先端の下面２１ｂに固着して形成した四半球状の突起部２１ｃの頂部２１ｅがＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに接触し、自体の基部側における下面２１ｂ（面２１ｋ）がＩＣチップ１２と対向して、該ＩＣチップ１２から十分に離れた状態となるので、前記障害物に接触してそれを破損することなく、スクラブ量を十分大きく確保してＩＣチップ１２の電極パッド１２ａのアルミ酸化膜等の剥離が良好に行われる。
【００２７】
また、コンタクトピン２１の下面２１ｂに先端側が球面状部２１ｆとされ基端側が断崖壁面状部２１ｇとされた四半球状の突起部２１が形成されているので、コンタクトピン２１のスクラブ時に、突起部２１ｃの頂部２１ｅがＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに接触することとなり、該電極パッド１２ａの表面にスクラブによりアルミ酸化膜等の異物Ｇが生じても、その異物Ｇを前記突起部２１ｃの断崖壁面状部２１ｇが後方、側方に追いやる効果を発揮するため、コンタクトピン自体に前記異物Ｇが付着するのを防止することができる。
【００２８】
したがって、従来のコンタクトピン６ａ，６ａ１のように、スクラブ時、接触動作を続けることによって異物Ｇがコンタクトピンに付着、増加してコンタクトピンと電極パッド１２との間の導電接触ができなくなったり、接触抵抗が過大になったりすることがなく、コンタクトピン２１と電極パッド１２ａとの間の導電性を良好に維持することができると共に、コンタクトピン２１と電極パッド１２ａとの接触抵抗を常に安定に維持してスクラブを円滑に行うことができる。
そのうえ、前記突起部２１ｃの頂部２１ｅが摩耗しても、その電極パッド１２ａの表面との接触面積が極端に増加することがないので、スクラブ時のコンタクトピン２１の移動範囲が狭められることがなく、所要のスクラブ量を確保することができる。
【００２９】
また、前記実施の形態のコンタクトプローブの製造方法によれば、コンタクトピン２１の電極パッド１２ａに対面する側の面（下面２１ｂ）に、コンタクトピン２１の先端部から基端側に向う比較的長い範囲にわたってバンプ状めっきＭを施した後に、その先端部側の一部を残して基端部側の部分を切除して、四半球状の突起部２１ｃを形成するようにしたので、バンプめっきの不良率が低減できて、気泡のない密度の均質な四半球状の突起部２１ｃをコンタクトピン２１の先端部に容易に形成することができ、これにより、ＩＣチップ１２に対し良好な導電性を有して接触できるコンタクトピン２１を形成することができる。
【００３０】
なお、前記実施の形態のコンタクトプローブ２０においては、コンタクトピン２１の先端部に突起部２１ｃの形成用突起物をバンプめっき処理により形成したので、そのバンプ状突起物によって突起部２１ｃを容易に四半球状にして形成することができて好ましいが、本発明はこれに限らず、その他のめっき処理によって突起物２１ｃの形成用突起物を形成することもできる。
【００３１】
また、前記実施の形態のコンタクトプローブ２０においては、突起部２１ｃの導電性材料としてＮｉを使用したが、これに限らず、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属、もしくはこれらの金属の合金を使用することができる。Ｒｈ、Ｐｄは耐食性が大であり、硬度も高いので、コンタクトピン２１に固着する耐久性に優れた四半球状の突起部２１ｃとして好適に使用し得る。
【００３２】
また、前記実施の形態のコンタクトプローブ２０においては、コンタクトピン２１の電極パッド１２ａに対面する側の面（下面２１ｂ）に形成されたバンプめっきＭの一部の切除によって、四半球状の突起部２１ｃの断崖壁面状部が形成されているが、これに限らず、コンタクトピン２１の先端の所定位置に所定大きさのバンプめっきを施して形状が整った四半球状の突起部を形成するようにしてもよい。この場合には、バンプ状めっきの一部を切除する加工を省略することができるので、製作工数を低減することができる。
【００３３】
また、前記実施の形態のコンタクトプローブ２０においては、前記コンタクトピン２１の突起部２１ｃの断崖壁面状部２１ｇを、コンタクトピン２１の下面２１ｂに対して略垂直状に形成したが、これに限らず、突起部２１ｃのコンタクトピン２１の下面２１ｂに結合される基部側を幅広にし、頂部２１ｅ側を狭く傾斜した側面視で略台形状に形成してもよい。このようにすると、幅が微小な突起部２１ｃの強度が増して基部から折れるおそれがない。
【００３４】
また、前記実施の形態のコンタクトプローブ２０においては、フィルム７に被着された複数のパターン配線６のフィルム７から突出した先端部をコンタクトピン２１としたコンタクトプローブ３に適用したが、本発明はこれに限らず、図６に２点鎖線で示すように、複数のパターン配線６にコンタクトピンの先端部まで突出させてフィルム７（７ａ，７ｂ）を被着させた形式のコンタクトプローブにも適用することができる。
【００３５】
さらに、前記コンタクトプローブ３のように、フィルム７に被着された複数のパターン配線６のフィルム７から突出した先端部をコンタクトピンとしたものにおいて、前記フィルム７の裏面に、バネ鋼（例えばＪＩＳ Ｇ ４８０１に規定されるＳＵＰ材等）よりなる薄板で構成されたバネ層を、コンタクトピンの裏面と対向する位置まで突出させて被着し、前記バネ層とコンタクトピンの裏面との間に位置する空間に緩衝材層を介在させた構成のコンタクトプローブにも本発明を適用することができる。前記緩衝材層は、バネ層とコンタクトピンの裏面との間で収縮可能な弾性体層としてのシリコンゴム中に、窒化ケイ素、窒化アルミ等からなる非弾性体層としてのセラミックスを埋設して構成されている。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば以下の優れた効果を奏する。
請求項１に係るコンタクトプローブによれば、コンタクトピンの先端部に先端側が球面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた四半球状の突起部が形成されているので、コンタクトピンのスクラブ時に、被検査物の表面にスクラブにより異物が生じても、それらを前記突起部の断崖壁面状部が後方、側方に追いやる効果を発揮するため、コンタクトピン自体に前記異物が付着することがなく、コンタクトピンと被検査物との間の導電性を良好に維持することができると共に、コンタクトピンと被検査物との接触抵抗を常に安定に維持してスクラブを円滑に行わせることができる。
【００３７】
請求項２に係るコンタクトプローブによれば、コンタクトピンの先端部のバンプめっきの切除によりコンタクトピンの基端側の部分に断崖壁面状部を有する四半球状の突起部を的確、容易に形成することができ、実施が容易である。
【００３８】
請求項３に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、コンタクトピンの先端部に十分な長さにわたってバンプめっきを施した後に、被検査物の保護壁との接触を避けるに必要なコンタクトピンの基端部側の部分を切除することができるので、バンプめっきの不良率を低減できて、気泡のない密度の均質な四半球状の突起部をコンタクトピンの先端部に形成することができ、被検査物に対し良好な導電性を有して接触できるコンタクトピンを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態に係るコンタクトプローブの先端部分の斜視図である。
【図２】 図１に示すコンタクトピンをＩＣチップの電極パッドに接触させてスクラブを行う状態の側面図である。
【図３】 図２のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】 コンタクトピンにバンプ状の突起物を固着して形成する方法の一例を示す側面図である。
【図５】 バンプめっきの製造工程の一例を示す平面図である。
【図６】 図５のＸ−Ｘ断面図である。
【図７】 コンタクトピンに突起部を形成する方法の一例を示す説明図である。
【図８】 コンタクトプローブ装置を示す縦断面図である。
【図９】 コンタクトプローブ装置における従来のコンタクトプローブの平面図である。
【図１０】 図９のＹ−Ｙ断面拡大図である。
【図１１】 図１０に示すコンタクトピンをＩＣチップの電極パッドに接触させてスクラブを行う状態の側面図（図８のＺ部拡大図）である。
【図１２】 従来の他のコンタクトプローブにおけるコンタクトピンをＩＣチップの電極パッドに接触させてスクラブを行う状態の側面図である。
【符号の説明】
３，２０ コンタクトプローブ
６ パターン配線
７ フィルム
１２ ＩＣチップ（被検査物）
１２ａ 電極パッド
１３ 絶縁膜（保護壁）
２１ コンタクトピン
２１ａ 先端面
２１ｂ 下面
２１ｃ 突起部
２１ｅ 頂部
２１ｆ 球面状部
２１ｇ 断崖壁面状部
２１ｋ 面
Ｍ バンプめっき

Claims (3)

1. フィルムが被着された複数のパターン配線の各先端側がコンタクトピンとされ、該コンタクトピンに被検査物の電極に接触する突起部が設けられたコンタクトプローブにおいて、
   前記突起部は、コンタクトピンの先端部における被検査物に対面する側の面に突出され、かつコンタクトピンの先端側が球面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた四半球状に形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 前記突起部がバンプめっきによって形成され、該バンプめっきの一部の切除により前記断崖壁面状部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
3. 請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法において、コンタクトピンの先端部にバンプめっきをした後に、該バンプめっきのコンタクトピンの基端部側における一部を機械的に切除して四半球状の前記突起部を形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。

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