CN101652665A - 接触器及接触器的制造方法 - Google Patents

接触器及接触器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101652665A
CN101652665A CN200880010281A CN200880010281A CN101652665A CN 101652665 A CN101652665 A CN 101652665A CN 200880010281 A CN200880010281 A CN 200880010281A CN 200880010281 A CN200880010281 A CN 200880010281A CN 101652665 A CN101652665 A CN 101652665A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
contactor
manufacture method
coating
forms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200880010281A
Other languages
English (en)
Inventor
北爪秀宪
浅野宏二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of CN101652665A publication Critical patent/CN101652665A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G01R1/06727—Cantilever beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing

Abstract

接触器(50)具备构成后端侧设置在基部(51)且顶端侧从基部(51)突出的梁部(53)的一部分的硅层(56b)、在硅层(56b)上形成并作为绝缘层的SiO2层(56a)、以及在SiO2层(56a)上形成的导电层(54)。

Description

接触器及接触器的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及在半导体晶片、半导体芯片或印刷线路板等上形成的集成电路等电路(以下也代表性地称为IC器件)的测试时与设置在IC器件上的焊盘、电极或引线等输入输出端子接触并用于确立与IC器件的电连接的接触器及接触器的制造方法。
背景技术
[0002]在硅晶片等上制作许多半导体集成电路元件后，经过切割、接合及封装的诸多工序而完成电子元件。在发货前进行上述IC器件的工作测试，该IC器件的测试可在成品状态下实施，也可在晶片状态下实施。
[0003]在晶片状态下测试IC器件时，通过使设置在电子元件测试装置的探针卡上探针(以下也称为接触器)与IC器件接触，确立与IC器件的电连接。为了破坏形成于IC器件的输入输出端子的氧化膜而确立电接触，要求该接触器具有导电性及弹力。
[0004]作为这样的接触器，传统上公知一种具备后端侧设置在基部且顶端侧从基部突出由硅(Si)构成的梁部和形成于梁部表面的镍钴层的硅指状接触器(例如参照专利文献1至3)。
[0005]该硅指状接触器中通过镍钴层确立与IC器件的输入输出端子的电连接，并同时确立接触器的大部分的弹性。然而，由于镍钴为金属材料，所以与IC器件的输入输出端子接触几次后便会发生塑性变形。这样的塑性变形积累后，接触器顶端部分(接点部)相对于探针卡表面的高度会变小。因此，伴随着重复进行的测试，IC器件与接触器的接触状态发生变化，存在不能进行正确的测试的情况。
[0006]另外，镍钴层由于在测试时受施加在IC器件上的热压力的影响而发生热膨胀，且其热膨胀与构成梁部的硅的热膨胀不一致，所以存在硅指状接触器产生弯曲、与IC器件接触的顶端部分相对于IC器件的高度发生偏移的情况。
[0007][专利文献1]日本特开2000-249722号公报
[专利文献2]日本特开2001-159642号公报
[专利文献3]国际公开第03/071289号小册子
发明内容
本发明要解决的技术问题
[0008]本发明要解决的技术问题在于提供一种接触器，其可以长期维持顶端部分的高度，确保良好测试精度。
[0009](1)根据本发明的第1观点，提供了一种接触器，在被测试电子元件的测试时，与设置在所述被测试电子元件上的输入输出端子接触以确立与所述被测试电子元件的电连接，其中，所述接触器具备：构成后端侧设置在基部且顶端侧从所述基部突出的梁部的至少一部分的硅层；在所述硅层上形成的绝缘层；以及在所述绝缘层上形成的导电层(参照权利要求1)。
[0010]本发明中，由于不含作为赋予接触器弹力的构件的金属层，所以接触器不会发生塑性变形，即使长期使用接触器，也可进行高精度的测试。
[0011]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述导电层包含：在所述绝缘层上形成的晶种层；以及在所述晶种层上形成的第1镀Au层(参照权利要求2)。
[0012]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接触器还具备位于所述导电层的顶端的、与IC器件的输入输出端子接触的接点部(参照权利要求3)。
[0013]对于本发明无特别限定，但最好这样：至少所述接点部的表面由比构成第1镀Au层的Au硬的导电性材料构成(参照权利要求4)。由于通过该接触部与IC器件的输入输出端子接触，所以第1镀Au层不会损伤，可以使接触器长期间稳定地进行测试。
[0014]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部形成为曲面状(参照权利要求5)。
[0015]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部从所述导电层凸起(参照权利要求6)。
[0016]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部具有由Ni构成的第1镀层(参照权利要求7)。
[0017]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部具有至少覆盖所述第1镀层与所述导电层的接触部分的第2镀层(参照权利要求8)。
[0018]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成(参照权利要求9)。
[0019]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层覆盖整个所述第1镀层，所述接点部还具有覆盖所述第2镀层的第3镀层(参照权利要求10)。
[0020]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层由Au构成，所述第3镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成(参照权利要求11)。
[0021]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述绝缘层的厚度在1μm以上(参照权利要求12)。由此，可以赋予接触器良好的高频率特性。
[0022]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述导电层在所述梁部的后端侧具备在所述第1镀Au层上形成的第2镀Au层，所述第2镀Au层的Au的纯度比所述第1镀Au层的Au的纯度高(参照权利要求13)。
[0023]根据本发明，提供了一种探针卡，其具备：在被测试电子元件的测试时，与半导体晶片上制作的被测试电子元件的输入输出端子电接触的探针；以及安装有许多所述探针的基板，其中，所述探针由上述接触器构成(参照权利要求14)。
[0024]根据本发明，提供了一种电子元件测试装置，用于测试半导体晶片上形成的半导体器件，其中，所述电子元件测试装置具备：上述的探针卡；与所述探针卡电连接的测试头；以及使所述半导体晶片相对于所述探针卡相对移动的探测器(参照权利要求15)。
[0025](2)根据本发明的第2观点，提供了一种接触器的制造方法，在被测试电子元件的测试时，与设置在所述被测试电子元件上的输入输出端子接触以确立与所述被测试电子元件的电连接的接触器的制造方法包括：通过对硅晶片进行蚀刻处理，形成构成后端侧设置在基部且顶端侧从所述基部突出的梁部的至少一部分的硅层的硅层形成步骤；在所述硅层的上面形成绝缘层的绝缘层形成步骤；以及在所述绝缘层上形成导电层的导电层形成步骤(参照权利要求16)。
[0026]本发明中，由于不含作为赋予接触器弹力的构件的金属层，所以接触器不会发生塑性变形，即使长期使用接触器，也可以进行高精度的测试。
[0027]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述导电层形成步骤包含：在所述绝缘层上形成晶种层的晶种层形成步骤；以及在所述晶种层上形成第1镀Au层的第1镀Au层形成步骤(参照权利要求17)。
[0028]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接触器的制造方法还包括形成位于所述导电层的顶端的、与所述IC器件的输入输出端子接触的接点部的接点部形成步骤(参照权利要求18)。
[0029]对于本发明无特别限定，但最好这样：至少所述接点部的表面由比构成第1镀Au层的Au硬的导电性材料构成(参照权利要求19)。
[0030]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部形成步骤包含至少从所述第1镀Au层的顶端部分到所述晶种层的表面上通过镀Ni处理形成由Ni构成的曲面状第1镀层的第1镀层步骤(参照权利要求20)。
[0031]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接点部形成步骤包含以至少覆盖所述第1镀层与所述导电层的接触部分的方式进行镀膜处理而形成第2镀层的第2镀层步骤(参照权利要求21)。
[0032]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成(参照权利要求22)。
[0033]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层步骤中以覆盖整个所述第1镀层的方式形成所述第2镀层，所述接点部形成步骤还包括通过对第2镀层进行镀膜处理形成第3镀层的第3镀层步骤(参照权利要求23)。
[0034]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2镀层由Au构成，所述第3镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成(参照权利要求24)。
[0035]对于本发明无特别限定，但最好这样：不除去所述第2镀层步骤中采用的抗蚀层，连续实施所述第2镀层步骤和所述第3镀层步骤(参照权利要求25)。由此，可以减少抗蚀除去时间及抗蚀形成时间，进而缩短接触器的制造时间。
[0036]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接触器的制造方法还包括通过对所述晶种层进行研磨处理除去所述晶种层的露出部分的研磨步骤(参照权利要求26)。
[0037]对于本发明无特别限定，但最好这样：在所述硅层形成步骤中以使所述硅层的粗糙值在100nm以下的方式进行所述蚀刻处理(参照权利要求27)。因此，在完成的接触器按压IC器件时，不会因表面粗糙而产生裂痕等破损，可以长期使用接触器。
[0038]对于本发明无特别限定，但最好这样：在所述梁部的上面形成作为抗蚀层的聚酰亚胺层，并从所述硅层的下面侧进行所述蚀刻处理(参照权利要求28)。聚酰亚胺层的耐热性、耐侵蚀性、绝缘性及机械强度极其优良，所以可以防止蚀刻处理结束时的冷却气体的漏出和对蚀刻装置的台面的损坏。
[0039]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述聚酰亚胺层通过在所述梁部的上面形成聚酰亚胺前质层后使所述聚酰亚胺前质层酰亚胺化形成(参照权利要求29)。
[0040]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述聚酰亚胺层通过用胶粘剂在所述梁部的上面粘贴聚酰亚胺薄膜形成(参照权利要求30)。
[0041]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接触器的制造方法还包括：在所述梁部的上面粘贴第1胶带的第1粘贴步骤；以及在所述第1胶带粘贴于所述梁部的上面的状态下切断所述硅晶片的切断步骤(参照权利要求31)。因此，可以防止因水压造成的梁部的破损。另外，不需要的时候可以通过紫外线容易地去除发泡剥离胶带。
[0042]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第1胶带为在紫外线的照射下胶粘剂发泡的紫外线发泡胶带，所述接触器的制造方法还包括通过照射紫外线剥离所述第1胶带的第1剥离步骤(参照权利要求32)。
[0043]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述接触器的制造方法还包括在所述基部的下面粘贴第2胶带的第2粘贴步骤(参照权利要求33)。由此，使切割后的硅指状接触器的处理变得容易。另外，不需要的时候可以通过紫外线容易地去除紫外线固化型剥离胶带。
[0044]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述第2胶带为在紫外线的照射下胶粘剂固化的紫外线剥离型胶带，所述接触器的制造方法还包括通过照射紫外线剥离所述第2胶带的第2剥离步骤(参照权利要求34)。
[0045]对于本发明无特别限定，但最好这样：所述硅层具有1kΩ·m以上的电阻率(参照权利要求35)。由此，可以赋予接触器良好的高频率特性。
附图说明
[0046][图1]图1为显示本发明的实施例中测试装置的示意图。
[图2]图2为显示用于图1的测试装置中的测试头及探针卡的连接关系的概念图。
[图3]图3为本发明的实施例中探针卡的截面图。
[图4]图4为图3所示的探针卡的局部仰视图。
[图5]图5为显示本发明的实施例中硅指状接触器的截面图。
[图6]图6为图5所示的硅指状接触器的平面图。
[图7]图7为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第1工序的截面图。
[图8]图8为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第2工序的截面图。
[图9]图9为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第3工序的截面图。
[图10]图10为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第4工序的截面图。
[图11]图11为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第5工序的截面图。
[图12]图12为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第6工序的截面图。
[图13]图13为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第7工序的截面图。
[图14]图14为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第8工序的截面图。
[图15]图15为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第9工序的截面图。
[图16]图16为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第10工序的截面图。
[图17]图17为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第11工序的截面图。
[图18]图18为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第12工序的截面图。
[图19]图19为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第13工序的截面图。
[图20]图20为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第14工序的截面图。
[图21]图21为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第15工序的截面图。
[图22]图22为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第16工序的截面图。
[图23]图23为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第17工序的截面图。
[图24]图24为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第18工序的截面图。
[图25]图25为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第19工序的截面图。
[图26]图26为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第20工序的截面图。
[图27]图27为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第21工序的截面图。
[图28]图28为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第22工序的截面图。
[图29]图29为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第23工序的截面图。
[图30]图30为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第24工序的截面图。
[图31]图31为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第25工序的截面图。
[图32]图32为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第26工序的截面图。
[图33]图33为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第27工序的截面图。
[图34]图34为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第28工序的截面图。
[图35]图35为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第29工序的截面图。
[图36]图36为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第30工序的截面图。
[图37]图37为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第31工序的截面图。
[图38]图38为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第32工序的截面图。
[图39]图39为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的第33工序的截面图。
[图40A]图40A为显示图5所示的硅指状接触器的其它形状的平面图。
[图40B]图40B为沿图40A中的B-B线的截面图。
[图41]图41为显示本发明的实施例中硅指状接触器又一其它形状的截面图。
[0047][符号说明]
1...电子元件测试装置
10...测试头
11...印刷电路基板
12...连接器
20...接口部
21...转接板
21b...布线图案
22...辙岔环
22a...精密弹针
30...软性基板
40...探针卡
41...探测基板
41a...通孔
41b...连接迹线
41c...接合线
42...加固件
50...硅指状接触器(探针)
51...基部
52...台阶
53...梁部
54...导电层
54a...晶种层
54b...第1镀Au层
54c...高纯度Au镀层
54d...镀Ni层
54e...第2镀Au层
54f...镀Rh层
55...顶端部分
56...硅晶片(SOI晶片)
56a...SiO2层
56b...Si层
56c...SiO2层
56d...Si层
56e...SiO2层
57a～57i...抗蚀层
58...聚酰亚胺层
59...发泡剥离胶带
60...UV剥离型胶带
90...测试机
91...电缆束
100...探测器
101...卡盘
110...操作器
111...驱动马达
200...硅晶片(被测试晶片)
具体实施方式
[0048]以下基于附图就本发明的实施例进行说明。
[0049]图1为显示与本发明的实施例相关的测试装置的示意图；图2为显示图1的测试装置中采用的测试头与探针卡的连接关系的示意图。
[0050]如图1所示，与本实施例相关的测试装置1由测试头10、测试机90(测试装置本体)及探测器100构成。测试机90借助于电缆束91与测试头10电连接，并可相对于硅晶片(以下也称为被测试晶片)200上制作的IC器件输入输出DC信号或数字信号。测试头10通过操作器110及驱动马达111配置在探测器100上。
[0051]如图1及图2所示，测试头10内设置有许多印刷电路基板11，这些印刷电路基板11，借助于具有数百根内部电缆的电缆束91与测试机90连接。另外，各印刷电路基板11可以分别与用于与母板21连接的连接器12电连接，进而与接口部20的母板21上的接触端子21a电连接。
[0052]测试头10和探测器100借助于接口部20连接，该接口部20由母板21、晶片性能板22及辙岔环23构成。在母板21上，不但设置有用于与测试头10侧的连接器12电连接的接触端子21a，还形成有用于将该接触端子21a和晶片性能板22电连接的布线图案21b。晶片性能板22借助于精密弹针等与母板21电连接，通过形成布线图案21b，将母板21上的接触端子21a的间距渐变成辙岔环23侧的间距，使该接触端子21a与设置在辙岔环23内的软性基板30电连接。
[0053]辙岔环23设置在晶片性能板22上，为了允许测试头10与探测器100在一定程度上位置对准，内部的传输通道由软性基板30构成。在辙岔环23的下面，安装有许多与该软性基板30电连接的精密弹针23a。
[0054]在辙岔环23上装设有探针卡40，在探针卡40的下面安装有许多硅指状接触器50，探针卡40和辙岔环23通过精密弹针23a电连接。
[0055]探测器100可以在卡盘101上保持被测试晶片200，并可以在面向装设于测试头10的探针卡40的位置自动供给被测试晶片200。
[0056]在按上述方式构成的电子元件测试装置1中，在将探针卡40按压在保持于卡盘101的被测试晶片200上并使硅指状接触器50与被测试晶片200上制作的IC器件的输入输出端子电接触的状态下，测试机90向IC器件施以DC信号及数字信号，并接收来自IC器件的输出信号。通过将来自IC器件的输出信号(响应信号)与测试机90内的期望值进行比较，评估IC器件的电气特性。此外，本发明的电子元件测试装置不仅限于这里说明的结构。
[0057]图3为与本发明的实施例相关的探针卡的示意截面图；图4为图3所示的探针卡的局部仰视图；图5为显示本发明的实施例中硅指状接触器的截面图；图6为图5所示的硅指状接触器的平面图。
[0058]如图3及图4所示，本实施例中探针卡40由如下部分构成：例如由多层布线基板等构成的探测基板41；用于提高机械强度而安装在探测基板41上面的加固件42；以及安装在探测基板41下面的许多硅指状接触器50。
[0059]在探测基板41上，不但形成有从下面贯穿至上面的通孔41a，还在下面形成有与该通孔41a连接的连接迹线41b。此外，本发明中的探针卡不仅限于这里说明的结构。
[0060]如图5所示，硅指状接触器50由固定在探测基板40上的基部51、后端侧设置在基部51上且顶端侧从基部51突出的梁部53、形成于基部51及梁部53表面的导电层54、以及形成于导电层54顶端的接点部55构成。
[0061]此外，本实施例中，硅指状接触器50的「后端侧」指接触探测基板40的一侧(图5中左侧)。与此不同，硅指状接触器50的「顶端侧」指接触形成于被测试晶片200的IC器件的输入输出端子210的一侧(图5中右侧)。
[0062]如下面所述的那样，该硅指状接触器50的基部51及梁部53，采用光刻等半导体制造技术在硅晶片(以下也称为半导体晶片)56上制造而成。而且，如图6所示，一个基部51指状(梳子状)地设置有复数根、头细的斜柱状梁部53。这样，通过采用半导体制造技术制造硅指状接触器50，能够容易地使复数根梁部53之间的间距与被测试晶片200上的输入输出端子210之间的狭小间距一致。
[0063]梁部53由Si层56b和SiO2层56a构成，Si层56b由硅构成，SiO2层56a形成于Si层56b之上并用作绝缘层。Si层56b具有50～100μm的厚度，由此，梁部53作为接触器具备适当的弹力。
[0064]绝缘层56a的表面上形成有导电层54。如图6所示，导电层54由用Ti及Au形成的晶种层54a、用Au形成的第1镀Au层54b、以及含高纯度Au的高纯度Au镀层54c形成。第1镀Au层54b具有4～10μm的厚度。若第1镀Au层54b的厚度不足5μm，则会发热。但是，若第1镀Au层54b的厚度比10μm大，则会翘曲。
[0065]另外，在导电层54的顶端，接点部55以突出的方式形成。该接点部55由在第1镀Au层54b的表面上用Ni形成的镀Ni层54d、在镀Ni层54d的表面上用Au形成的第2镀Au层54e、以及在第2镀Au层54e的表面上用Rh形成的镀Rh层54f形成。
[0066]如图3所示，按上述方式构成的硅指状接触器50，以面向被测试晶片200上制作的IC器件的输入输出端子210的方式，安装在探测基板41上。此外，虽然图3仅示出2个硅指状接触器50，但实际上探测基板41上配置有许多硅指状接触器50。
[0067]如图3所示，在使基部51的角部抵接探测基板41的表面的状态下，将各硅指状接触器50粘接在探测基板41上。另外，硅指状接触器50借助于高纯度Au镀层54c通过接合线41c与连接迹线41b电连接。作为用于将接触器50A安装到探测基板41上的胶粘剂，可以列举例如紫外线固化型胶粘剂、温度固化型胶粘剂或者热可塑性胶粘剂等。另外，可用锡球取代接合线41c来将导电层54和连接迹线41b电连接。
[0068]采用按上述方式构成的探针卡40进行的IC器件测试，通过探测器100将被测试晶片200按压在探针卡40上，并使探测基板41上的硅指状接触器50与被测试晶片200上的输入输出端子210电接触。
[0069]以下通过图7～图39对本实施例中硅指状接触器50的制造方法的一个例子进行说明。图7～图39为显示本发明的实施例中硅指状接触器的制造方法的各个工序的截面图。
[0070]首先，本实施例的制造方法中，在图7所示的第1工序准备SOI晶片56。该SOI晶片56为在3层SiO2层56a、56c、56e之间夹持2层Si层56b、56d的层叠硅晶片。具有该SOI晶片的SiO2层56a、56c、56e具有作为后述蚀刻时的蚀刻抑止层的功能和作为使梁部53彼此之间不发生短路的绝缘层的功能。
[0071]这里，为了使完成的硅指状接触器50具有良好的高频率特性，将SiO2层56a的厚度构成为1μm以上。另外，为了使完成的硅指状接触器50具有良好的高频率特性，将Si层56b形成为具有1kΩ·cm以上的体积电阻率。
[0072]另外，就Si层56b及Si层56d而言，为了赋予梁部53良好的弹性，将Si层56b的层厚公差构成为±3μm以下，将Si层56d的层厚公差构成为±1μm以下。
[0073]然后，在图8所示的第2工序中，在硅晶片56的下侧表面形成作为蚀刻时的掩膜材料的抗蚀层57a。
[0074]作为形成本实施例中的抗蚀膜的材料，采用感光材料-光致抗蚀剂。光致抗蚀剂为有粘性的液体。另外，在溶媒从该光致抗蚀剂变成脱落层状的情况下，感光的光致抗蚀剂层可溶于有机溶剂。
[0075]通过匀胶机或喷涂机等将该光致抗蚀剂涂布在硅晶片56的表面上，形成薄薄的光致抗蚀剂感光膜。
[0076]然后进行预焙烘，即对形成感光膜的硅晶片56进行加热，使光致抗蚀剂中的溶剂蒸发而将其除去，光致抗蚀剂固化。
[0077]然后，在该感光膜上，叠置形成图案的掩膜构件(未图示)，使感光膜在紫外线下曝光。此时，感光膜内被掩膜构件的图案覆盖的部分(图案部)不曝光。
[0078]然后，去除掩膜构件，将感光膜浸入显影液进行显影处理。该显影处理为用于除去感光膜内图案部以外的光致抗蚀剂而进行的操作。
[0079]然后，用冲洗液冲洗经过该显影处理而形成图案部的硅晶片56。该冲洗具有停止显影的效果。
[0080]冲洗结束的硅晶片56，进行后焙烘，即进行加热以除去残存在感光膜的光致抗蚀剂中的溶剂或水分，提高感光膜与硅晶片56的粘着性。该焙烘完毕后，由感光膜构成的抗蚀层57a完成。该抗蚀层57a用作随后第3工序中的蚀刻掩膜图案。
[0081]然后，在图9所示的第3工序中，从图9下侧方向面对SiO2层56e，进行用于除去SiO2层的干蚀刻(SiO2蚀刻)。于是，由抗蚀层57a保护的部分以外的SiO2层56e受到侵蚀。
[0082]然后，在图10所示的第4工序中，除去SiO2层56e上残存的抗蚀层57a(抗蚀剥离)。本实施例中，该抗蚀剥离采用通过氧等离子燃烧(灰化)抗蚀层的等离子灰化装置。并且，灰化后用硫酸-过氧化氢洗涤液或氨-过氧化氢洗涤液洗净硅晶片56。
[0083]然后，在图11所示的第5工序中，在SiO2层56a的表面上形成抗蚀层57b。按照与第2工序中抗蚀层57a的形成相同的要点形成该抗蚀层57b。
[0084]然后，在图12所示的第6工序中，从图12上侧方向面对SiO2层56a，进行SiO2蚀刻。并且，指状(梳子状)地侵蚀SiO2层56a。
[0085]然后，在图13所示的第7工序中，按照与前述第4工序相同的要点，除去抗蚀层57b。
[0086]然后，在图14所示的第8工序中，按照与前述第2工序相同的要点，在SiO2层56e的表面上形成抗蚀层57c。
[0087]然后，在图15所示的第9工序中，从图15下侧面对Si层56d，进行干蚀刻。该干蚀刻通过DRIE(Deep Reactive Ion Etching)进行。于是，抗蚀层57c所保护的部分以外的Si层56d受到侵蚀。
[0088]然后，在图16所示的第10工序中，按照与前述第4工序相同的要点，除去抗蚀层57c。
[0089]然后，在图17所示的第11工序中，在硅晶片56的图17中的上侧表面，通过喷射法形成主要含Ti及Au的晶种层54a。该晶种层54a在形成后述的第1镀Au层时用作供电层。
[0090]然后，在图18所示的第12工序中，在晶种层54a的表面、之后将成为梁部53的部分的前端及后端部分，按照与前述第2工序相同的要点，形成抗蚀层57d。
[0091]然后，在图19所示的第13工序中，在晶种层54a的表面未被抗蚀层57d覆盖的部分，通过镀膜处理形成第1镀Au层54b。该第1镀Au层54b是为了在后面形成的梁部53上将接点部55和后端的高纯度Au镀层54c电连接而形成。Au为耐蚀性、接触电阻值不容易随时间发生变化、焊接性、接合性、及导电性优良的材料。另外，如下面所述的那样，由于第1镀Au层54b的顶端侧表面形成有具有规定大小的镀Ni层54d，所以要求该第1镀Au层54b具有规定的机械强度。为此，作为形成该第1镀Au层54b的材料，通过在金内添加Ni或Co、Cu等不同金属，将镀Au层54d的硬度增大到Hv130～200。
[0092]然后，在图20所示的第14工序中，按照与前述第2工序相同的要点，在抗蚀层57d内，以连接后面形成的梁部53的顶端侧(图20中右侧)部分的方式形成抗蚀层57e。
[0093]然后，在图21所示的第15工序中，在第1镀Au层54b的表面未被抗蚀层57d、57e覆盖的部分，形成高纯度Au镀层54c。可在下一工序中对该高纯度Au镀层54c进行接合，且该高纯度Au镀层54c由比第1镀Au层54b的Au纯度高的高纯度Au形成，其Au纯度在99.99％以上，从而具有高导电性。
[0094]然后，在图22所示的第16工序中，按照与前述第4工序相同的要点，除去抗蚀层57d、57e。
[0095]然后，在图23所示的第17工序中，按照与前述第2工序相同的要点，在除从第1镀Au层54b的顶端部分到晶种层54a的表面的一部分之外的部分上，形成抗蚀层57f。此外，也可在除远离第1镀Au层54b顶端的部分之外的部分(即晶种层54a的顶端部分)形成抗蚀层57f。
[0096]这里，然后在第18工序中形成镀Ni层54d，需要将镀Ni层54d形成得足够大，使得在以镀Ni层54d为基底形成接点部55时，IC器件与硅指状接触器50能够借助于接点部55充分电接触。亦即，镀Ni层54d用于赋予接点部55规定的大小。而且，镀Ni层54d的大小根据抗蚀层57f的厚度调整。为此，抗蚀层57f有必要形成得足够厚，使得镀Ni层54d在形成接点部55时足够大。
[0097]然后，在图24所示的第18工序中，在硅晶片56的表面、未被抗蚀层57f覆盖的部分，通过镀膜处理从第1镀Au层54b的顶端部分到晶种层54a的表面上形成镀Ni层54d。由于镀Ni层54d形成于第1镀Au层54b顶端的角部周边，所以该镀Ni层54d具有规定的曲率，。
[0098]然后，在图25所示的第19工序中，按照与前述第4工序相同的要点除去抗蚀层57f。
[0099]然后，在图26所示的第20工序中，按照与前述第2工序相同的要点，以空出规定间隔的方式包围镀Ni层54d形成抗蚀层57g。
[0100]然后，在图27所示的第21工序中，在硅晶片56的图26的上侧表面内未被抗蚀层57g覆盖的部分，以覆盖镀Ni层54d的方式形成第2镀Au层54e。该第2镀Au层54e的形成是为了在后面说明的第22工序中使镀Ni层54d避开镀Rh液。
[0101]然后，在图28所示的第22工序中，在第2镀Au层54e的表面内未被抗蚀层57g覆盖的部分，形成镀Rh层54f。镀Rh层54f的硬度为Hv800～1000，其为硬度极高、耐蚀性优良的镀层。为此，镀Rh层54f尤其适用于构成要求具有长时间稳定的接触电阻和耐磨损性的接点部55的材料。
[0102]这样便形成了硅指状接触器50的接点部55。由于该接点部55的存在，测试时由软质的Au构成的第1镀Au层54b与IC器件不会直接接触。因此，可防止第1镀Au层54b的损坏。
[0103]此外，虽然本实施例中在接点部55的最外表面形成镀Rh层，但本发明不限于此，可适宜地采用Pt、Ru、Pd、及Ir等硬度高、耐蚀性优良的导电性材料。另外，图5所示的镀Rh层的形状和图28所示的镀Rh层的形状，在镀Rh层是否完全覆盖接点部55上不同，其中图28所示的形状可减少工步数目。
[0104]然后，在图29所示的第23工序中，按照与前述第4工序相同的要点，除去抗蚀层57g。
[0105]然后，在图30所示的第24工序中，进行研磨处理，以除去在镀膜处理时必要的晶种层54a的露出部分。该研磨处理通过在真空腔体中使氩离子碰撞硅晶片56进行。由于晶种层54a比其它的膜结构薄，所以最先在该研磨处理中除去。若除去晶种层54a的露出部分，则研磨处理结束。
[0106]然后，在图31所示的第25工序中，按照与前述第2工序相同的要点，在形成接点部55的硅晶片56的表面除Si层56b的露出部分之外，形成抗蚀层57h。
[0107]然后，在图32所示的第26工序中，从形成抗蚀层57h的一侧进行通过DRIE处理的蚀刻，将Si层56b塑造成为指状(梳子状)。由于SiO2层56c用作抑止层，所以通过该DRIE处理的硅晶片56的塑形不会影响到Si层56d。
[0108]此外，以使梁部53的粗糙(scallop)值(因蚀刻形成的侧壁面的凹凸粗糙度)在100nm以下的方式进行该蚀刻。这是为了有效防止以下情况，即若梁部53在IC器件的测试时发生弹性变形，则梁部53会因应力侧壁部分的表面形状粗糙的部分产生裂痕而破损。
[0109]然后，在图33所示的第27工序中，按照与前述第4工序相同的要点除去抗蚀层57h。
[0110]然后，在图34所示的第28工序中，在形成接点部55的硅晶片56的整个表面，形成聚酰亚胺层58。聚酰亚胺为耐热性、耐侵蚀性、绝缘性及机械强度极好的物质。该聚酰亚胺层58，在采用匀胶机或喷涂机等将聚酰亚胺前质涂布在晶片56的整个表面上后，经200℃以上的加热或用催化剂将其酰亚胺化而形成。通过其后的第29及第30工序中进行的贯穿蚀刻(Through-Etching)，硅指状接触器50的梁部53完全形成为指状(梳子状)。此时，若没有聚酰亚胺层58，则在硅晶片56刚贯穿时DRIE装置的台面就会从通孔露出来。而且，若台面露出，则从台面侧喷射到晶片56上的冷却气体会从通孔漏出而不能充分冷却晶片56。另外，若台面从通孔露出，通过DRIE处理台面本体会受到损坏。
[0111]因此，为了达成防止冷却气体的漏出和对台面本体的损坏的目的，在第28工序中形成聚酰亚胺层58。
[0112]然后，在图35所示的第29工序中，从形成聚酰亚胺层58的一面的相反侧，进行DRIE蚀刻处理。由于SiO2层56c用作阻止层，所以通过该DRIE处理对Si层56d的侵蚀不会影响到Si层56b。
[0113]然后，在图36所示的第30工序中，对SiO2层56c、56e进行RIE(Reactive Ion Etching)处理，除去SiO2层56c、56e。由此，硅指状接触器50的梁部53完全形成为指状(梳子状)。而且，不需要的聚酰亚胺层58通过强碱性的剥离液除去。
[0114]此外，本实施例中，将聚酰亚胺前质直接涂布在晶片56上后，通过使其酰亚胺化，得到聚酰亚胺层58。但是，本发明不限于此，作为聚酰亚胺层58，也可用碱性可溶性胶粘剂将聚酰亚胺薄膜粘贴在晶片56上。在该情况下，当不再需要聚酰亚胺层58时，则用碱性剥离液迅速除去聚酰亚胺。
[0115]另外，虽然本实施例中通过RIE处理进行用于形成梁部53的贯穿蚀刻，但是本发明不限于此，也可采用BOSCH法等。
[0116]然后，在图37所示的第31工序中，在除去聚酰亚胺层58的、形成硅指状接触器50的接点部55的面(梁部53的上面)上，粘贴发泡剥离胶带59，并进行切割。
[0117]进行该切割的目的是，通过切断制作有许多硅指状接触器50的硅晶片56，将硅指状接触器50切成安装在探测基板41上的形状。
[0118]粘贴该发泡剥离胶带59的目的是，在该切割时，梁部53不会因水压而弯折，进而保护硅指状接触器50。
[0119]发泡剥离胶带59这样构成：在含PET的基材胶带的一面上涂布因UV照射而发泡的UV发泡型胶粘剂。在未经UV照射的状态下，将UV发泡型胶粘剂粘着在硅基板等上，经UV照射后，UV发泡型胶粘剂发泡。于是，由于UV发泡型胶粘剂与硅基板等的接触面积減少，所以发泡剥离胶带59的粘着力会下降。因此，由于UV照射，发泡剥离胶带59变成更加容易从硅基板等剥落的状态。
[0120]经过这样的切割后，完成图5所示的硅指状接触器50。
[0121]然后，图38所示的第32工序中，为了使切割得到的硅指状接触器50便于使用，在与粘贴硅指状接触器50的发泡剥离胶带59的面相反的面(基部51的下面)上，粘贴UV剥离型胶带60。
[0122]UV剥离型胶带60这样构成：在含聚烯烃的基材胶带的一面涂布可因UV照射而固化、含丙烯的UV固化型胶粘剂。在未经UV照射的状态下，将UV固化型胶粘剂粘着在具有粘着性的硅基板等上，经UV照射后UV发泡型胶粘剂固化，并丧失粘着力。因此，UV剥离型胶带60因UV照射容易从硅基板等剥落。
[0123]然后，在图39所示的33工序中，通过在发泡剥离胶带59上照射UV，使发泡剥离胶带59的UV发泡型胶粘剂发泡，从硅指状接触器50剥下发泡剥离胶带59。
[0124]然后，通过未图示的拾取装置拾取硅指状接触器50。此时，通过拾取装置，在保持硅指状接触器50的状态下，通过在UV固化型剥离胶带60侧照射UV，从硅指状接触器50剥下UV固化型剥离胶带60。
[0125]然后，拾取装置将硅指状接触器50配置在探针卡40的规定的位置。而且，在该位置，硅指状接触器50通过胶粘剂固定在探针卡40上。
[0126]这样，本实施例中，装设硅指状接触器50的探针卡40完成。
[0127]此外，以上说明的实施例是为了使本发明容易理解而描述的，而不是为了限定本发明。因而，上述实施例公开的各要素旨在包含属于本发明的技术范围的所有设计变更或其等同物。
[0128]例如，虽然本实施例中硅指状接触器50具备图6所示的头细斜柱状梁部53，但是本发明中梁部53的形状不限于此。如图40A及40B所示，梁部53可以为直柱状，并在其顶端设置接点部55。另外，如图40A及40B图所示，通过将梁部53的后端侧切成与顶端侧相同的粗细，能够提高接触器的高频率特性，并能够弹性变形时使应力分散，提高弹性极限值。
[0129]另外，虽然上述实施例中通过镀Ni层54d、第2镀Au层54e及镀Rh层54f的三层构成接点部55，但是本发明不仅限于此。例如，如图41所示，也可以仅覆盖镀Ni层54d与第1镀Au层54b的接触部分的方式形成镀Rh层54f，由此能够提高第1镀Au层54b与镀Ni层54d的粘着性。

Claims (35)

1.一种接触器，在被测试电子元件的测试时，与设置在所述被测试电子元件上的输入输出端子接触以确立与所述被测试电子元件的电连接，其中，所述接触器具备：
构成后端侧设置在基部且顶端侧从所述基部突出的梁部的至少一部分的硅层；
在所述硅层上形成的绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成的导电层。
2.根据权利要求1所述的接触器，其特征在于，所述导电层包含：
在所述绝缘层上形成的晶种层；以及
在所述晶种层上形成的第1镀Au层。
3.根据权利要求1或2所述的接触器，其特征在于，所述接触器还具备位于所述导电层的顶端的、与所述被测试电子元件的输入输出端子接触的接点部。
4.根据权利要求3所述的接触器，其特征在于，至少所述接点部的表面由比构成第1镀Au层的Au硬的导电性材料构成。
5.根据权利要求3或4所述的接触器，其特征在于，所述接点部形成为曲面状。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的接触器，其特征在于，所述接点部从所述导电层凸起。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的接触器，其特征在于，所述接点部具有由Ni构成的第1镀层。
8.根据权利要求7所述的接触器，其特征在于，所述接点部具有至少覆盖所述第1镀层与所述导电层的接触部分的第2镀层。
9.根据权利要求8所述的接触器，其特征在于，所述第2镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成。
10.根据权利要求8所述的接触器，其特征在于，所述第2镀层覆盖整个所述第1镀层，
所述接点部还具有覆盖所述第2镀层的第3镀层。
11.根据权利要求10所述的接触器，其特征在于，所述第2镀层由Au构成，
所述第3镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的接触器，其特征在于，所述绝缘层的厚度在1μm以上。
13.根据权利要求2～12中任一项所述的接触器，其特征在于，所述导电层在所述梁部的后端侧具备在所述第1镀Au层上形成的第2镀Au层，
所述第2镀Au层的Au的纯度比所述第1镀Au层的Au的纯度高。
14.一种探针卡，具备：
在被测试电子元件的测试时，与半导体晶片上制作的被测试电子元件的输入输出端子电接触的探针；以及
安装有许多所述探针的基板，其中，
所述探针由权利要求1～13中任一项所述的接触器构成。
15.一种电子元件测试装置，用于测试半导体晶片上形成的半导体器件，其中，所述电子元件测试装置具备：
权利要求14所述的探针卡；
与所述探针卡电连接的测试头；以及
使所述半导体晶片相对于所述探针卡相对移动的探测器。
16.一种接触器的制造方法，所述的接触器在被测试电子元件的测试时，与设置在所述被测试电子元件上的输入输出端子接触以确立与所述被测试电子元件的电连接，所述接触器的制造方法包括：
通过对硅晶片进行蚀刻处理形成构成后端侧设置在基部且顶端侧从所述基部突出的梁部的至少一部分的硅层的硅层形成步骤；
在所述硅层的上面形成绝缘层的绝缘层形成步骤；以及
在所述绝缘层上形成导电层的导电层形成步骤。
17.根据权利要求16所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述导电层形成步骤包含：
在所述绝缘层上形成晶种层的晶种层形成步骤；以及
在所述晶种层上形成第1镀Au层的第1镀Au层形成步骤。
18.根据权利要求16或17所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接触器的制造方法还包括形成位于所述导电层的顶端的、与IC器件的输入输出端子接触的接点部的接点部形成步骤。
19.根据权利要求18所述的接触器的制造方法，其特征在于，至少所述接点部的表面由比构成第1镀Au层的Au硬的导电性材料构成。
20.根据权利要求18或19所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接点部形成步骤包含至少从所述第1镀Au层的顶端部分到所述晶种层的表面上通过镀Ni处理形成由Ni构成的曲面状第1镀层的第1镀层步骤。
21.根据权利要求20所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接点部形成步骤包含以至少覆盖所述第1镀层与所述导电层的接触部分的方式进行镀膜处理而形成第2镀层的第2镀层步骤。
22.根据权利要求21所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述第2镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成。
23.根据权利要求21所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述第2镀层步骤中以覆盖整个所述第1镀层的方式形成所述第2镀层，
所述接点部形成步骤还包括通过对第2镀层进行镀膜处理形成第3镀层的第3镀层步骤。
24.根据权利要求23所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述第2镀层由Au构成，
所述第3镀层由Rh、Pt、Ru、Pd或Ir构成。
25.根据权利要求23或24所述的接触器的制造方法，其特征在于，不除去所述第2镀层步骤中采用的抗蚀层，连续实施所述第2镀层步骤和所述第3镀层步骤。
26.根据权利要求16～25中任一项所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接触器的制造方法还包括通过对所述晶种层进行研磨处理除去所述晶种层的露出部分的研磨步骤。
27.根据权利要求16～26中任一项所述的接触器的制造方法，其特征在于，在所述硅层形成步骤中以使所述硅层的粗糙值在100nm以下的方式进行所述蚀刻处理。
28.根据权利要求16～27中任一项所述的接触器的制造方法，其特征在于，在所述梁部的上面形成作为抗蚀层的聚酰亚胺层，并从所述硅层的下面侧进行所述蚀刻处理。
29.根据权利要求28所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述聚酰亚胺层通过在所述梁部的上面形成聚酰亚胺前质层后使所述聚酰亚胺前质层酰亚胺化形成。
30.根据权利要求28所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述聚酰亚胺层通过用胶粘剂在所述梁部的上面粘贴聚酰亚胺薄膜形成。
31.根据权利要求16～30中任一项所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接触器的制造方法还包括：在所述梁部的上面粘贴第1胶带的第1粘贴步骤；以及
在所述第1胶带粘贴于所述梁部的上面的状态下切断所述硅晶片的切断步骤。
32.根据权利要求31所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述第1胶带为在紫外线的照射下胶粘剂发泡的紫外线发泡胶带，所述接触器的制造方法还包括通过照射紫外线剥离所述第1胶带的第1剥离步骤。
33.根据权利要求31或32所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述接触器的制造方法还包括在所述基部的下面粘贴第2胶带的第2粘贴步骤。
34.根据权利要求33所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述第2胶带为在紫外线的照射下胶粘剂固化的紫外线剥离型胶带，所述接触器的制造方法还包括通过照射紫外线剥离所述第2胶带的第2剥离步骤。
35.根据权利要求16～34中任一项所述的接触器的制造方法，其特征在于，所述硅层具有1kΩ·m以上的电阻率。
CN200880010281A 2007-04-03 2008-03-12 接触器及接触器的制造方法 Pending CN101652665A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007097396 2007-04-03
JP097396/2007 2007-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101652665A true CN101652665A (zh) 2010-02-17

Family

ID=39808131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880010281A Pending CN101652665A (zh) 2007-04-03 2008-03-12 接触器及接触器的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8441271B2 (zh)
JP (1) JPWO2008120547A1 (zh)
KR (1) KR101092389B1 (zh)
CN (1) CN101652665A (zh)
TW (1) TW200902987A (zh)
WO (1) WO2008120547A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824207A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 中华精测科技股份有限公司 射频探针卡装置及其间距转换板

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4812512B2 (ja) * 2006-05-19 2011-11-09 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
DE102008052244A1 (de) * 2008-10-18 2010-04-22 Carl Freudenberg Kg Flexible Leiterplatte
KR101022873B1 (ko) * 2009-09-14 2011-03-16 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
US8525168B2 (en) * 2011-07-11 2013-09-03 International Business Machines Corporation Integrated circuit (IC) test probe
JP2014011373A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Electron Ltd 半導体検査システム及びインターフェース部の結露防止方法
CN102879618A (zh) * 2012-09-29 2013-01-16 郑礼朋 测试机构及其制作方法
US9041198B2 (en) 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
JP6308910B2 (ja) * 2013-11-13 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
CN106526941A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 惠科股份有限公司 显示面板加工工艺的改善方法、显示面板加工设备
US11385258B2 (en) 2017-05-26 2022-07-12 Tektronix, Inc. Encapsulated component attachment technique using a UV-cure conductive adhesive
US10739381B2 (en) * 2017-05-26 2020-08-11 Tektronix, Inc. Component attachment technique using a UV-cure conductive adhesive
CN110662972B (zh) * 2017-07-21 2021-12-14 吉佳蓝科技股份有限公司 探针卡用薄膜电阻器
CN113109603A (zh) * 2020-01-13 2021-07-13 科磊股份有限公司 具有多个金属涂层的悬臂式探针
US11882659B2 (en) * 2020-10-22 2024-01-23 Raytheon Company Chip substrate for reducing thermal load on a chip assembly mounted thereon

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3246841B2 (ja) * 1994-03-31 2002-01-15 日東電工株式会社 プローブ構造
US5977783A (en) * 1994-10-28 1999-11-02 Nitto Denko Corporation Multilayer probe for measuring electrical characteristics
DE69832010T2 (de) * 1997-07-24 2006-07-13 Mitsubishi Denki K.K. Prüfspitze für Halbleiterschaltungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP3420706B2 (ja) * 1998-09-22 2003-06-30 株式会社東芝 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法
US6436802B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-20 Adoamtest Corp. Method of producing contact structure
US6420884B1 (en) * 1999-01-29 2002-07-16 Advantest Corp. Contact structure formed by photolithography process
US6255727B1 (en) * 1999-08-03 2001-07-03 Advantest Corp. Contact structure formed by microfabrication process
JP2000180471A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Hitachi Cable Ltd ベアチップ検査用プローブ基板
US6535003B2 (en) 1999-01-29 2003-03-18 Advantest, Corp. Contact structure having silicon finger contactor
US6232669B1 (en) 1999-10-12 2001-05-15 Advantest Corp. Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same
TW508440B (en) * 1999-12-27 2002-11-01 Hoya Co Ltd Probe structure and manufacturing method thereof
JP3792580B2 (ja) 2002-01-30 2006-07-05 ジェネシス・テクノロジー株式会社 コンタクトプローブおよびその製造方法
US20040119485A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Koch Daniel J. Probe finger structure and method for making a probe finger structure
JP4171513B2 (ja) * 2005-06-27 2008-10-22 株式会社アドバンテスト コンタクタ、該コンタクタを備えたコンタクトストラクチャ、プローブカード、及び、試験装置
US7859248B2 (en) * 2005-11-09 2010-12-28 Advantest Corporation Electronic device test apparatus and method of setting an optimum pushing condition for contact arm of electronic device test apparatus
DE112006000019T5 (de) * 2006-02-13 2008-07-24 Advantest Corp. Kontaktstößel, Kontaktarm und Prüfgerät für elektronische Bauelemente
WO2008120575A1 (ja) * 2007-04-03 2008-10-09 Advantest Corporation コンタクタの実装方法
WO2009013809A1 (ja) * 2007-07-24 2009-01-29 Advantest Corporation コンタクタ、プローブカード及びコンタクタの実装方法。

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824207A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 中华精测科技股份有限公司 射频探针卡装置及其间距转换板

Also Published As

Publication number Publication date
KR101092389B1 (ko) 2011-12-09
WO2008120547A1 (ja) 2008-10-09
KR20090130237A (ko) 2009-12-21
TW200902987A (en) 2009-01-16
US8441271B2 (en) 2013-05-14
US20100102838A1 (en) 2010-04-29
JPWO2008120547A1 (ja) 2010-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101652665A (zh) 接触器及接触器的制造方法
US5478779A (en) Electrically conductive projections and semiconductor processing method of forming same
JP4745007B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4919984B2 (ja) 電子デバイスパッケージとその形成方法
JP5357075B2 (ja) 微小電気機械システム接続ピン及び該接続ピンを形成する方法
KR100749735B1 (ko) 캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드제조 방법
JP5100750B2 (ja) プローブ、プローブカード及びプローブの製造方法
US20160079149A1 (en) Wiring board provided with through electrode, method for manufacturing same and semiconductor device
JP2007053149A (ja) 半導体ウエハ及びその製造方法
JPH11133062A (ja) プローブカード及びプローブカード形成方法
JP2007036060A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5424675B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TW201533872A (zh) 半導體裝置及其製作方法
JP2009094409A (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
CN104600024B (zh) 半导体装置及其制造方法
TWI378242B (zh)
JP4069028B2 (ja) 貫通電極付き基板、その製造方法及び電子デバイス
KR100703043B1 (ko) 검사용 프로브 기판 및 그 제조 방법
JP2007155474A (ja) プローブ及びその製造方法
CN102810484A (zh) 半导体装置的制造方法及半导体装置
CN104603918B (zh) 半导体装置的制造方法
TW200527683A (en) Inspection device and method for manufacturing the same, method for manufacturing electro-optic device and method for manufacturing semiconductor device
JP6003369B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6066612B2 (ja) 液体吐出ヘッド及びその製造方法
JP2005294875A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20100217