TWI378242B - - Google Patents

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1378242 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ”本發明係當在測試形成在半導體晶圓、半導體晶片、 半導體零件封裝體或印刷基板等之積體電路等電路（以下 亦代表性稱之為IC元件）時，與設在IC元件之焊塾（pad) 或電極或引腳（Iead)之類的輸出入端子接觸用以確立 與ic元件之電性連接的探針及具備該探針的探針卡。 【先前技術】 半導體積體電路元件係在被組入多數個在石夕晶圓等之 後，經由切割'接合及封裝等各步驟而完成為電子零件。 t此之/“件係在出貨前進行動作測試，但是該測試係在 晶圓狀態或完成品狀態下予以實施。 了，狀態之IC元件時，以用以確立與被試驗 1C兀件之電性連接的趨料 “連接的探針而s ’自以往以來已知_種且 有·固定在基板的基座部；後端側 ” 基座部突出的標（beam)部；以及W端部由 邮广、 ^ 1以及形成在樑部表面的導雷 。(^ (以下亦僅稱之為「矽手 專利文们至3)。 狀接觸件」）者（參照例如 該石夕手指狀接觸件係使用光微影等半導體製 由矽晶圓所形成’因此比較容易對應伴隨著被試：： 之小型化所影響之輸出入端子的尺寸及間距的狹小化件 件更進-步微細化。 因此期切手指狀接觸

2247-9800-PF 4 了確保探針與IC元件之輸出入端子之穩 定的接觸，在測試時，而于之韃 負載按壓探針。因此，A 心乂上的 虽—面在按壓時確保一定以上的备 載，一面將石夕手指妝垃貝 接觸件微細化時，會有發生在樑部根 4的拉伸應力變大的問題。 根 專利文獻1 ·日本特開2000-249722號公報 專利文獻2 ·日本特開200卜1 59642號公報 專利文獻3:國際公開第〇3/〇71 289號冊 【發明内容】 (發明所欲解決的課題） =明所欲解決之㈣在提供—種可降低發生在襟部 根邛的拉伸應力的探針及探針卡。 (用以解決課題的手段） —為了達成上述目的’根據本發明之第i觀點，係提卢 2探針’係在測試被試驗電子零件時，為了確立前述被 $電子零件與試驗裝置之間之電性連接，與前述被試驗 子零件之輸出人端子相接觸的探針，.其特徵在於包括： 電部’與前述被試驗電子零件之輸出人端子作電性連 么複數個才木口 p，在其中一方之主面設有前述導電部；及 口座部，彙總單懸臂支持前述複數個襟部，前述各標部係 ^亥樑部的後端區域支持於前述台座#，在前述後端區域 ’在鄰接之前述樑部彼此之間設有溝槽（參照申請專利 2247-9800-pp 6 範圍第1項）β ^述”中雖未特料紐定，但是最好 係朝向則端側而呈開口，並且在前述後端區域中 = 與最後端之間呈有炊嫂, 月Ά ]八有〜知面（參照申請專利範圍第2項 在上述發明中雖未特別予以限定，但是最好在前^ 槽之終端面與前述後端區域之最後端 :溝 鲁 部彼此透過平面而相連(參照申請專利範圍二之;-襟 中之=!明中雖未特別予以限定，但是最好前述溝样 … '而面與側面之間的角落部分係形成為錐狀戈： 面狀（參照中請專利範圍第4項）。 狀我曲 在上述發明中雖未特別予以 部係具有：配、緣部疋取好别述導電 沿著長邊方向而各樑部之前述其中-方之主面 …^以及接點部，設在前述配線部的前端， 與則述被試驗電子跫件 J而 &蜜件之别述輸出入端子相接觸（灸日s Φ 凊專利範圍第5項）。 』〈麥申 鲁 在上述發明中雖未特別予以限定，但是 … 、而面與刚述後端區域之最後端之間，鄰接 邛彼此透過平面而相遠 j述“ 距係在前述平面上述配線部彼此之間的間 Θ展（參照申請專利範圍第6項）。 為了達成上述目的，根據本發明、 一種探針卡，j：牿科户μ ^ 恍點係美供 /、 4在於包括：上述探針；及供固宕卜、十- 捸針所具有之前述台座 述 項）。 。卩的基板（參照申請專利範圍第7

2247-9800-PF (發明效果） 在本發明尹，由於在後端八 設有谨描 知。卩刀在鄰接之樑部彼此之間 φ Λ 银罨子零件之輸出入端子時發 樑。P根部之拉伸應力比沒 又’虏槽時較為降低。 【實施方式】 以下根據圖示，說明本發明之實施形態。

置丄圖係顯示本發明第1實施形態之電子零件試驗裝 置的概略圖，第- μ上 第2圖係顯不本發明第1實施形態之測試頭、 探針卡及探針裝置之連接關係的概念圖。 "圖所示，本發明第1實施形態之電子零件試驗 二係由測試頭10、測試子60及探針裝置（prober)

所構成。測试子60係透過境線束61而與測試頭1〇作 電性連接，可龍組人於被試㈣晶圓⑽的以件輸出 入試驗訊號。測試頭1G係藉由操作器（麵1PulatQr)80 及驅動馬達81而配置在探針裝置7〇上。 如第1圖及第2圖所示，在測試頭1〇内設有多數個插 腳介面電路（pin electrQnics) u，該等插腳介面電路 11係透過具有數百條内部I缘㈣線束61而與測試子μ 相連接。此外，各插腳介面電路】i係分別與用以與主機板 (motherboard) 21相連接的連接器12作電性連接，而可 與介面部20之主機板21上的接觸件端子2U作電性連接。 測試頭10與探針裝置7〇係透過介面部2〇而相連接， 該介面部20係由主機板21 '晶圓效能板（

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Performance board ) 22 及轍叉掙 r f 汉辙又裱（fr〇gring) 23所構成。 “在主機板21設有用以與測試頭1〇側之連接器㈣電性連 接的接觸件端子21a，並且為了將該接觸件端子2ia與晶 圓效能板22作電性連接而形成有配線圖案加。晶圓效能 板22係透過探針插腳等而與主機板21作電性連接，將主 機板U上之配線圖案21b的間距轉換成轍叉環23側的間 且以將該配線圖案21b與設在轍又環23内的可挽性基 _板23a作電性連接的方式，形成有配線圖案…。 轍叉環23係設在晶圓效能板22上為了容許測試頭 /與探針裝置7。的稍微對位，由可撓性基板…構成内 =运路徑。在轍又環23的下面係安裝有多數個與該可挽 性基板23a作電性連接的探針插腳2扑。 轍叉％ 23’係將在下面安裴有多數個探針（probe) 的探針卡30透過探針插腳23b而作電性連接。雖未特 ‘針卡3Q係透過保持件（holder)而固定在探針 、置70的頂板（top plate)，透過頂板的開口，使探針 40面對探針裝置70内。 奴針裝置70係藉由吸附等將被試驗晶圓丨◦ 〇保持在夾 chuck) 71上’將該晶圓1〇〇自動供給至與探 〇 相對向的位置。 在以上所7^之構成的f子零件試驗裝置1巾，藉由探 在；f 7°將被保持在夾頭71上的被試驗晶圓1 〇°按壓 i ^ /卡3〇，在使探針40電性接觸被組裝於被試驗晶圓 C元件的輸出入端子} 1 〇的狀態下’由測試子6〇 2247-9800-pp 1378242 對1 C凡件施加DC訊號與數位訊號，並且接收來自i c元件 的輸出訊號。將來自該1C元件的輸出訊號（響應訊號）在 測試子60中與期待值相比較，藉此評估ic元件的電氣特 性。

第3 3备本發明弟1實施形態之探針卡的概略刹視 圖，第4圖係由下側觀看本發明第〗實施形態之探針卡的 局邛俯視圖’第5圖係顯示本發明第1實施形態之探針的 局部俯視圖，“A圖係沿著第5圖之vu —m線的剖視 圖，第6B圖係沿著第5圖之νΐΒ_νίβ線的剖視圖。 第 囷及第4圖所示，本實施形態的探針卡3 〇係 由：例如由多層配線基板等所構成的探針基板Μ ;為了補 強機械強度而安裝在探針基板31之上面的加強件 (stiffener) 32 ;及安裝多數個在探針基板31之下 石夕手指狀接觸件4 0所構成。 ’ 在探針基板31係w 士 丁二+办 係u由下面貝穿至上面的方式 貫穿孔31a，並且在下品π | t 取有 在下面形成有與該貫穿孔31a相連 連接追蹤件31b。 的 本實施形態之石夕手 /于払狀接觸件（探針）4〇係在 元件時，為了確立t J ^ 1 ( 疋件與測試頭1 〇之間的電性 與ic元件之輸出入端 建接， CD 子11 0接觸的探針。如第5圖至筮 6 B圖所示’該探針4 〇伤士 · .+ η 至第 係由·被固定在探針基板31的Α # 部41 ;在後端側支持 〕《座 …， σ座# 41，且前端側由台座邻h 突出的柱狀樑部42 ;形土' y办如 〇P 41 形成在樑部42之上面的配線部 以及形成在配線部44 > ‘ 44 1 4之則端的接點部45所構成。

2247-9800-PF I S] 10 1378242 其中，在本實施形態中，探針4〇中 被固定在探針基板31之側（第6a圖中的左側：側」係指 此’探針4。中的「前端側」係指與被試驗半導體曰 之輪出入端子110接觸之側（第6a圖巾的曰。曰 將樑部4 2中由台座部41朝θ & '。此外’ 「A 則端側突出的區域稱為“ 區域421 ’將樑部42中由台座部41所 —為大出 端區域4 2 2。 、區域稱為後 忒探針40的台座部41及樑部42係藉 軛行光微影等半導體製造技術予以 囫46

圖鉍-$机V 瓜k 如第5圖至第6B 圖所不，複數個樑部42在後端區域42 Η固台座部41，該複數個樑部42係由早懸臂支持於 眘所u g T / 知由σ座部41沿著彼此 貫貝上呈平订的方向以手指狀（梳齒狀）穷出。 如第6Α圖所示’台座部41係由：由石夕所構成的支持 層樹；及形成在該支持層46d之上且由氧化石夕（Si〇。所 構成的BOX層46c所構成。另—方面，各襟部42係由：& 石夕（si)所構成的活性層46b;及形成在該活性層偏之 上且作為絕緣層發揮功能的第1SiCh層46a所構成。 —此夕卜’在本實施形態中，如帛5圖至第6β圖所示在 複數個標部42之後端區域421中’在鄰接的樑部42彼此 之間分別設有溝槽43Α»若比較第6A圖及第6β圖可知， 各溝槽43A係具有相當於第1Si〇2層46a及活性層4讣之 厚度的深度，並且具有與樑部42之突出區域421彼此之間 之寬度實質相同的寬度《此外，各溝槽43A係在後端區域 422的最前端423呈開口，並且在該區域422的最後端424

2247-9800-PF 11 1378242 亦呈開口。 將如上所示之溝槽43A設在樑部42的後端區域422， 藉此當探針40按壓被試驗半導體晶圓1〇〇上之輸出入端子 • 11 0時，在探針40中應力集中的區域擴張至後端側而予以 分散’因此可減低發生在樑部4 2根部的拉伸應力。藉此， 形成為探針40之斷裂界限之變形量的容許值會變大，並且 探針40的抗疲勞特性亦提升。 φ 其中’亦可將溝槽形成為在後端區域422中在中途中 止。第7圖係顯示本發明第2實施形態之探針的局部俯視 圖，第8圖係沿著第7圖之VI II-VII I線的剖視圖，第9 圖係顯示本發明第3實施形態之探針的局部俯視圖。 如第7圖及第8圖所示，本發明第2實施形態之溝槽 4 3B係在後端區域422的最前端423呈開口之處與第！實 把开/悲相同，但是終端壁4 31位於後端區域4 2 2中之最.前 端423與最後端424之間之處則與第】實施形態不同。 • 在本實施形態中，如該圖所示，在溝槽43B之終端壁 431與後端區域422之最後端424之間，鄰接的樑部42彼 此透過平面425而相連，鄰接的配線部44彼此之間的間距 係在該平面425上擴展（P|<P2)。藉此可達成兼顧拉伸應 力之降低與配線佈線之柔軟性。 此外，如第9圖所示，本發明第3實施形態的溝槽‘π 係在溝槽43C的終端壁431與側壁432之間的角落部分 以錐狀形成之處與第2實施形態不同。藉由將角落部分 形成為錐狀，可更加達成拉伸應力的降低。其中，在本發

2247-9800-PF 1378242 明中，亦可將角落部分433形成為曲面狀。 返回第6A圖，在絕緣層（第1Si〇2層）恤之上設有 配線部44。如該圖所示’配線部44係由：由欽及金所構 成的種層（供電層）44a;設在種層44之上且由金所構成 的第1配線層4 4 b ; tv ®抑· # ί 乂及6又在弟1配線層44b的後端且由 高純度的金所構成的第2配線層44c所構成。其中，第i 配線層44b係具有5至10"m的厚度。若第i配線層恤 的厚度未達5#m時，會於敌，甚士从 曰义熱右大於1 〇 # m時，則會有發 生翹曲之虞。 在第1配線層44b的前端部分形成有接點部45，因此 對於該第1配線層4化係要求較高的機械強度。因此，以 構成第i配線層44b的材料而言，使用在仏⑽以上之純 度的金添加未達〇. ；[ %的鋅或钴辇 J砾次鲒寺異種金屬材料者，第1配 線層44b的維氏硬度（Vi k kers hardness)提升至 Hvl30 至200。相對於此，第2配锼岸 深層44c係可在後製程中接合， 而且由純度9 9. 9 99%以上的金所槿士 & I所構成，俾以具有較高的導 電性。 在配線部44之前端，以朝向f & 朝向上方大出的方式設有接點 4 45。該接點部45係由：由插 由種層44a及第1配線層44a 所構成且形成在段差之上的第 接點層45a ;以包覆第1 接點層45a的方式設置且由金所槿 金所構成的第2接點層45b ; 以及以包覆第2接點層45b的方式π w AA ^ π ]万式5又置的第3接點層45c 所構成。以構成第1接點層45 曰wa的材枓而言，係可 或錦始等鎳合金。此外，以構 、、 稱成第3接點層45c的材料而

2247-9800-PF 13 1378242 吕’係可列舉鍺、名 度並且… _、釘、叙、銀或該等之合金等為高硬 -蝕性佳的導電性材料。藉由將如上所示之 二在“的前端’比較柔軟的第1配線層“b可 一頁'心件的輪出入料11〇直接接觸。 如第3圖所示，如以上所示之構成 組入於半導體B圓，nn 係以與被 咖= 被試驗IC元件之輸出入端子⑴ 圖二被安裝於探針基板3卜其中，在第3圖中僅 百至數千支探針40。 數 如第3圖所示，各探針4〇係在使台座部4 2探針基板 '的狀態下，使用接著劑加而固定在探針 3卜以該接著劑31d而言’例如可列舉紫外線硬化型 接者劑、溫度硬化型接著劑、或熱可塑性接著劑等。 、此外，在轉部44之第2配線層44g係連接有與 追縱件31b相連接的接合規線31c，透過該接合_… 而與棟針40之配線部44、及探針基板⑴之連接追縱件叫 :電性連接。其中’亦可使用焊球（sol — )而將配 44與連接追縱件仙作電性連接，來取代接合境線 使用以上構成之探針卡3G的IC元件的測試係藉由探 針裝置70巾將被試驗曰曰affl 1〇〇按壓在探針卡3〇，在探針 基板31上之探針40與被試驗晶圓1〇〇上之輸出入端子 電性接觸的狀態下，由測試子對1(：元件輸出入試驗訊號而 予以執行。

2247-9800-PF 14 1378242 和…、、第10圖至第43 ® ’說明本發明第1實施形 針之製造方法之—例。第10圖至第43圖係本發明 二1貫施形態之探針之製造方法之各步驟中的s〇i晶圓的 剖視圖或俯視圖。 : 在本Λ %形態之製造方法中，係在第1 0圖所示 “丨步驟中，備妥S01晶圓⑶llcon 0n Insulator a=46iS01 晶圓 46 係在 3 個 Sl〇2 層 46a、46c、46e 二::別失持2個Si層·、46d而予以疊層的石夕晶圓。 = S〇I日日圓46的_2層n-係在組入探針4〇 ::發揮作為蝕刻擋止件的功能，或發揮作為絕緣層的功 月& 。 ^此為了使探針4G的高頻特性良好，第1以〇2層46a 以上的層厚’活性層46b係具有1ιίΩ._ t積阻抗率。此外’以使樑部42具有穩定的彈菁特性 的生層働之層厚的公差為…m以下，支持層 46d之層厚的公差為±1以m以下。 接著’在第11A圖及第11B圖所示之第 S〇I晶圓46的下品# 士哲， 在 未特別圖示，首先在m劑層❿在該步驟中’雖 首先在第2S1〇2層46e形成光阻膜，在該光 阻膜上重舉右止® »丨1 At 且有先罩的狀態下將紫光線進行曝光而使1乾化 第Π)劑:凝固r藉此一

分係被4m ’在光阻膜中紫外線未被曝光的部 二47a二接而由第㈣2層術上被沖掉。該第1阻劑 θ 接下來的第3步驟中發揮作為蝕刻遮罩圖案的 2247-9800-PF 丄378242 功能。 接著，在第12圖所示之第3步驟中，耝

^ τ，稭由例如IUE (^ctlveIonEtchlng)等，由s〇i晶圓“的下方對 2Si〇2層46e進行姓列虔押 , 仃蝕刻處理。藉由該蝕刻處理，在第2Sin 層46e中未被第1阻劑# 47 2 劓層47a予以保護的部分會被侵蝕。 若該姓刻處理一 έ士击，—贫，π向" 处里、-0束，在第13圖所示之第4步驟中， 將殘留在第2SiO^ 46e之上的第i阻劑層m予以去除 (阻劑剝離卜在該阻劑剝離中，藉由氧電毁將阻劑灰化 (ashlng)後，例如藉由硫酸過氧化氫等洗淨水來洗淨 2圓46。殘留在S0I晶圓46之下部的第2Si〇2層心係在 弟38圖所說明的第29步驟中的㈣處理中作為遮罩材而 發揮功能。 接著，在第14A圖及第14B圖所示之第5步驟中，在 第lS1〇2層46a的表面形成第2阻劑層仍。該第〇且劑層 47b係以與第2步驟中所說明的第1阻劑層47a相同的要 領’如第14A圖所示’在s〇I晶圓46的上面形成為複數個 帶狀。 接著，在第15圖所示之第6步驟中，例如藉由RIE等， 由SOI晶圓46的上方對第1$1〇2層46a進行蝕刻處理。藉 由孩蝕刻處理，在第lSi〇2層46a中未被第2阻劑層 予以保護的部分會被侵蝕，而使第1Si〇2層46a呈複數個 帶狀（參照第16A圖）。 接著’在第16A圖及第16B圖所示之第7步驟中，以 與則述第4步驟相同的要領將第2阻劑層47b予以去除，

2247-9800-PF 16 1378242 在第π圖所示之第8步驟中’以與前述第2步驟相同的要 領，在第2Si〇2層46e之上形成第3阻劑層47c。 接著，在第18圖所示之第9步驟中，由s〇I晶圓铛 的下方對支制46d進行㈣處理。以該#刻處理之具體 手法而:，可列舉例如 DRIE(DeepReactiveiQnEtching) 法等。猎由該蝕刻處理，在支持I 46d中未被第3阻劑層 47c予以保護的部分會被侵蝕至該支持層46d之一半左右 的深度。接著’在第19圖所示之第1〇步射，以與前述 第4步驟相同的要領將第3阻劑層47c予以去除。 接者’在第20圖所示之第u步驟中，在s〇l晶圓铛 之上面整體形成由鈦及金所構成的種層—。以該種層… 之成膜的具體手法而言’可列舉例如真空蒸鑛、藏鍵、氣 相沈積等。該種層44a係發揮作為形成後述之第丨配線層 44b時之供電層的功能。 曰

者，在第21A圖及第21B圖所示之第12步驟中，4 種層44a的表面’以與上述第2步驟相同的要領形成第 阻劑層·如第21A圖所示’該第〇且劑層㈣係除] 取後形成有配線部44的部分以外，形成在種層4“的整體 接著，在第22圖所示之第13步驟中，在種層仏」 未被第4阻劑層47d被覆的部分，藉由鍛敷處理形 配線層44b。 接著，在第23A圖及第23B圖所示之第14步驟令^ 種層44a之上殘留有第4阻劑層川的狀態下， 阻劑層47e。如第23A圖所示，哕笫s阳t丨思μ 4弟5阻劑層4 7 e係除]

2247-9800-PF 1378242 •第1配線層44b之後端側的一部分以外，形成在該第1配 線層44b的整體。 接著，在第24圖所示之第15步驟令，在第1配線層 .44b的表面未被阻劑層47d、47e覆蓋的部分，藉由鍵敷處 理形成第2配線層44c，在第25A圖及第25β圖所示之第 ，驟中，以與上述第4步驟相同的要領將阻劑層47d、 47e予以去除。 • 接著，在第26A圖及第26B圖所示之第16步驟中，除 y由第1配線層44b的前端部分至種層44a之表面為止的 區域以外，纟SOI晶圓46的整體，以與上述第4步驟相同 的要領形成第6阻劑層47f。其中’該第6阻劑層川係 用以在接下來的第17步驟中形成第！接點層45a者，但是 2於第1接點層45a係佔有接點部45之高度方向的大部 刀’因此在該第16步驟中’係將帛6阻劑層47f形 分厚。 ” 瞻接著，在第27圖所示之第18步驟中，在未被第6阻 劑層47f覆蓋的部分’藉由鍍敷處理形成第1接點層45a。 5玄Νι鍍敷層45a係形成在第i配線層4处與種層4“之間 的奴差邛分，因此如第2 7圖所示形成為曲面狀。接著，在 第28A圖及第28B圖所示之第19步驟中，以與上述第4步 驟相同的要領將第6阻劑層47f予以去除。 乂 接著，在第29A圖及第29B圖所示之第20步驟中，在 將第1接點層45a的周圍隔出若干間隔的狀態下，在 晶圓46的整面，以與上述第2步驟相同的要領形成第7阻

2247-9800-PF 18 1378242 劑層4 7 g。 接著，在第30圖所示之第21步驟尹，在s〇I晶圓46 的上面未被第7阻劑層47g覆蓋的部分進行鐘金處理，以 .包圍第1接點層45a的方式形成第2接點層祝。順帶一 提’該第2接點層45b係為了在下—步驟，保護第i接點 層45a免於受到以鐘錢構成第3接點層—時所使用的鍵 敷液影響而形成。 • 接著’在第31圖所示之第22步驟中，在殘留有第7 阻劑層47&的狀態下’在s〇I晶圓_上面未被第^且劑 層47g覆蓋的部分進行鑛錢處理，以包覆第2接點層楊 的方式形成第3接點層45c。接著，在第m圖及第32β 圖所不之第23步驟中，以與上述第4步驟相同的要領將第 =劑層❿予以去除。第3接點層45c係具有較高的硬 以例如以姥構成第3接點層45c時係為Hv謂至1〇〇〇)， 性亦佳’因此適於要求長期間穩定的接觸阻抗及 • 耐磨耗性的接點部45的表面。 接者’在第33圖所示之帛24步驟中，藉由研磨 作為1供Γ 來去除以鑛敷處理形成第1配線層桃時 ==發揮功能的種層44a中所露出的部分。該研磨 :=在真二腔室中使氮離子朝向s〇I晶圓46的上面衝撞 .由該研磨處^^44a相較於其他層為較薄，因此，藉 層44 最初予以去除。藉由該研磨處理，在種 的部八#亦僅殘留位於配線部44及接點部45之下方 #刀，其他部分則予以去除。 2247-9800-pp 丄 • 接著，在第34A圖及第34B圖所示之第25步驟中，以 .與上述第2步驟相同的要領在第151〇2層46a之上形成複 數個帶狀的第8阻劑層47h。 接著，在第35圖所示之第26步驟中，由S0I晶圓46 之上方對活性層（S1層）46b進行蝕刻處理。以該蝕刻處 理的具體手法而言，可列舉例如DRIE法等。藉由該姓刻處 理，活性層46b被侵蝕成複數個帶狀。其中，由於β〇χ層 # ( S1 〇2層）46c會發揮作為蝕刻擋止件的功能，因此因該 DRIE處理而對s〇i晶圓46造成的侵蝕並不會達及支持層 (Si 層）46d。 此外，該蝕刻處理係以使樑部42的凹形值（scal 1〇p \ a 1 ue )(藉由蝕刻所形成之側壁面之凹凸的粗糙度）為 1 0 0 n m以下的方式來進行。藉此，當樑部& 2彈性變形時， 可防止以側壁表面的較粗糙部分為起點而發生裂痕 (crack)的情形。 • 接著，在第36A圖及第36B圖所示之第27步驟中，以 與上述第4步驟相同的要領將第8阻劑層47h予以去除。 接著’在第37圖所示之第28步驟中，在s〇I晶圓46的上 面整體形成聚醯亞胺膜48。該聚醯亞胺膜48係使用旋塗 裝置（spin coater)或噴塗裝置（spray⑶犲“）等，將 聚醯亞胺前驅物塗佈在s〇I晶圓46之上面整體之後，藉由 20°C以上的加熱或觸媒而使其醯亞胺化而形成。該聚醯亞 胺膜48係用以在進行下一步驟及下下步驟中之貫穿蝕刻 處理時，使蝕刻裝置的載台透過貫穿孔而露出，藉此防止

2247-9800-PF 20 1378242 冷卻液漏茂、或因勒玄，丨而他# y6 / ^ J而使載< 台本身党到損傷而形成。 接著，在第38圖所示之第29步驟令， 之下方對支持層⑶層一行㈣理由：:二： :之具體例而言，可列舉例#丽法等。在該钱刻處 罩材=第3步驟所殘留的第·層·發揮作為遮 ㈣产止纟中’由於BGX層（Sii)2層）46c發揮作為 蝕刻擋止件的功能，因該DRIE處理而造成由下方之s 圓46的侵钱並不會達及活性層（Si層）恤。 日曰 接著，在第39A圖及第39B圖所示之第3〇步驟中，由 如晶圓46的T方對2個81⑴層進行钮刻處理。 以該蝕刻處理之具體手法而言，可列舉RIE法等。如第心 圖所示，藉由該蝕刻處理，使樑部42完全形成為手指$ 齒狀）。 接著’在第40圖所示之第31步驟中，藉由強鹼性的 剝離液將不需要的聚醯亞胺膜48予以去除。其中，在本實 #施形態中，將直接塗佈在晶圓46的聚醯亞胺前驅物進行酸 亞胺化，藉此形成聚醯亞胺膜48，但是在本發明中並非特 別限定於此。例如，以聚醯亞胺膜48而言，亦可使用鹼可 溶性姑著劑而將聚醯亞胺膜黏附在晶圓46。 接著，在苐41圖所示之第32步驟中，在s〇I晶圓46 的上面黏附發泡剝離片帶（tape) 49,將既定數量的樑部 42作為一個單位，沿著樑部42的長邊方向切割s〇i晶圓 46。其中，發泡剝離片帶49係在切割時為了保護樑部42 免於受到水壓影響而予以黏附。 2247-9800-PF 21 1378242 該發泡剝離片帶49係在含有PET之基材片帶之其中— 面塗佈有UV發泡性黏著劑而構成。該發泡剝離片帶、4” 在未照射紫外線的狀態下藉由uv發泡性黏著劑而黏著： SO!晶圓46,但是當被照射紫外線時，uv發泡性點 發泡而:吏黏著力降低，而可輕易地由s〇I晶圓仙剝二

接著’在第42圖所示之第33步驟中，為了可由上 藉由拾取（pichp)裝置來處理（handUng)經切巧 針40,在台座部41的下面黏附uv剝離型片帶5〇。- 一 σ π來，，里心丞材片帶的1 令一面塗佈有υν硬化型黏著劑而構成。該υν_型片:: 未照射紫外線的狀態下藉纟υν硬化 座部41的下面，但是當被照射紫外線時，υν硬化 型黏著劑會失去黏著力，而可輕易地由台座部41剝離。 接者，在第43圖所示之第34步驟中，藉由 剝離片帶49照射紫外線，使發泡剝離片㈣的㈣= 黏者劑發泡’將發泡剝離片帶49由探針4。剝離， 4〇由發泡剝離片帶49轉印在卯剝離型片帶5。。 接者’雖未特別圖示，但右座 的狀態下朝…化_;5:=::持= =:由探針4。剝離，’拾取裝置將探針4:配置 針基板31的^位置，藉由接著劑叫予以固定，薪 此將板針40安裝在探針基板31。 曰 其中， 予以έ己載者 以上說明的實施形態係為了 ，並非為了限定本發明而予 輕易理解本發明而 以記載者。因此，

2247-9800-PF 22 W42 明之技術 士述實施形態所揭示的各要素係亦包含屬於本發 範園之所有設計變更或均等物。 【圖式簡單說明】 零件試驗裝 第1圖係顯示本發明第i實施形態之電子 置的概略圖。 第2圖係顯示本發明第1實施形態之測試頭、探針卡 % 及探針之連接關係的概念圖。 第3圖係本發明第】實施形態之探針卡的概略剖視圖。 第4圖係由下側觀看本發明第丨實施形態之探針卡的 局部俯視圖。 ’ 第5圖係顯示本發明第i實施形態之探針的局部俯視 圖 0 第6A圖係沿著第5圖之VIA_VIA線的剖視圖。 第6B圖係沿著第5圖之VIB_VIB線的剖視圖。 • 帛7圖係顯示本發明第2實施形態之探針的局部 圖。 ° ’視 第8圖係沿著第7圖之VI丨〗_VI〗〗線的剖視圖。 第9圖係顯示本發明第3實施形態之探針的局部俯視 圖。 第1 〇圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 1步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第π A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方去 之第2步驟中由下側觀看s〇 I晶圓的俯視圖。

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U./6Z4Z f 11B圖係沿著帛11A圖之川_川線的别視圖 第12圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 3步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 。 第1 3圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 4步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第14A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造 之第5步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第14B圖係沿著第14A圖之χινΒ_χπ/Β線的剖視 第1 5圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 6步驟中的S 01晶圓的剖視圖。 第1 6A圖係在本發明第丨實施形態之探針之製造 之第7步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第16B圖係沿著第16A圖之χνΐΒ_χνίβ線的剖視 第17圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 8步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第1 8圖係本發明第j實施形態之探針之製造方法 9步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第1 9圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 10步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第20圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法 11步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第21A圖係在本發明第i實施形態之探針之製造 之第1 2步驟中由上側觀看SOI晶圓的俯視圖。 第21 β圖係沿著第21A圖之XX IB-XX IB線的剖視

2247-9800-PF 之第 之第 方法 圖。 之第 方法 圖。 之第 之第 之第 之第 方法 圊。 24 U:/8242 - 第22圖係本發明第l實施形態之探針之製造方 〆 ^步驟中的S0I晶圓的剖視圖。 ^法之第 第23Α圖係在本發明第i實施形態之探針之掣造、 之第14步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。、i方法 第23B圖係沿著第23A圖之χχηΐΒ_χχ 圖。 線的剖視 第24圖係本發明第丨實施形態之探針之製造方 魯 1 5步驟中的§ 〇 I晶圓的剖視圖。 '、 第25A圖係在本發明第i實施形態之探針之掣造方 之第16步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 ' 第25B圖係沿著第25A圖之χχνΒ_χχνΒ線 J現圖。 第26A圖係在本發明第1實施形態之探針之萝造方' 之第1 7步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第26B圖係沿著第26A圖之χχνΐΒ_χχνΐβ線的剖視圖。 第27圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 Φ 1 8步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第28A圖係在本發明第}實施形態之探針之製造方法 之第1 9步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第28B圖係沿著第28A圖之χχνιΠΒ_χχνΐΐΐΒ線的列 視圖。 第29A圖係在本發明第！實施形態之探針之製造方去 之第20步驟中由上側觀看s〇i晶圓的俯視圖。 第29B圖係沿著第29A圖之xxixb — xxixb線的剖視圖。 第3 0圖係本發明第丨實施形態之探針之製造方法之第 2247-9800-PF 25 1378242 .21步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第31圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 22步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 • 第32A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第23步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第32B圖係沿著第32A圖之χχχιΙβ_χχχιΐΒ線的剖視 圖。 φ 第33圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 24步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第34A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第25步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第34B圖係沿著第34A圖之χχχινΒ_χχχινΒ線的剖視 圖。 第35圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 26步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 • 第36A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第27步驟中由上側觀看SOI晶圓的俯視圖。 第36B圖係沿著第36A圖之χχχνΐβ_χχχνΐΒ線的剖視 圖。 第37圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 28步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第38圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 29步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第39A圊係在本發明第1實施形態之探針之製造方法

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26 1378242 之第30步驟中由下側觀看SOI晶圓的俯視圖。 第39B圖係沿著第39A圖之χχχιχΒ χχχι別線的剖視 圖。 第40圖係本發明第！實施形態之探 31步驟中的SCH晶圓的剖視圖 U法之 第41圖係本發明第1實施形態之探針之掣造方 卜 32步驟中的S0I晶圓的剖視圖。 ^ 之第

第42圖係本發明第j實施形態之探針之 33步驟中的探針的剖視圖。 法之第 之探針 < 製造方 第43圖係本發明第1實施形態 3 4步驟中的探針的剖視圖。 【主要元件符號說明】 1 電子零件試驗裝置 10 測試頭 11 插腳介面電路 12 連接器 20 介面部 21 主機板 21a 接觸件端子 21b 配線圖案 22 晶圓效能板 22a 配線圖案 23 轍叉環

2247-9800-PF 27 1378242 23a可撓性基板 23b探針插腳 30 探針卡 31 探針基板 31 a貫穿孔 31 b連接追蹤件 31c接合纜線 31 d接著劑 32 加強件 40 探針（矽手指狀接觸件） 41 台座部 42 樑部 43A至43C 溝槽 44 配線部 44a種層（供電層） 44b第1配線層 44c第2配線層 45 接點部 45a第1接點層（Ni鑛敷層） 45b第2接點層 45c第3接點層 46 SOI晶圓（石夕晶0) 46a第lSi〇2層（絕緣層） 4 6 b活性層 28

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[S] 1378242 46c BOX 層 46d支持層 46e 第 2Si〇2層 47a第1阻劑層 47b第2阻劑層 47c第3阻劑層 47d第4阻劑層 4 7 e第5阻劑層 4 7 f第6阻劑層 47g第7阻劑層 47h第8阻劑層 48 聚醯亞胺膜 49 發泡剝離片帶 50 UV硬化型剝離片帶 60 測試子 61 纜線束 70 探針裝置 71 夾頭 80 操作器 81 驅動馬達 100被試驗半導體晶圓（被試驗碎晶圓） 110輸出入端子 421突出區域 4 2 2後端區域

2247-9800-PF 29 m 1378242 423後端區域的最前端 424後端區域的最後端 425平面 431 終端壁 432側壁 433角落部分

2247-9800-PF 30 IS1

Claims (1)

1378242 第097124546號 ‘ 10〗年6月29曰修正替換頁十、申請專利範圍： .卜種探針，在測試被試驗電子零件時，為了確立前 - 述被试驗電子零件鱼試龄#罢·> ΒΒ Λ U驗裝置之間之電性連接，與前述被 試驗電子零件之輸出入端子相接觸， 其特徵在於包括： 連接； 導電部’與前述被試驗電子零件之輪出入端子作電性 部 複數個樑部，在苴中一 之主面設有前述導電部；及 °座部’彙總單懸臂支持前述複數個樑部， 前述各樑部係在該樑部的 〜傻知&域支持於前述台座 在前述後端區域中 溝槽， 在鄰接之前述樑部彼此之間設有 其中，前述導電部係具有·· 配線部，在前述各樑部之前述其中 邊方向而設；以及 方之主面沿著長 接點部，設在前述配線部的前端 零件之前述輸出入端子相接觸， 與前述被試驗電子 其中，前述接點部朝肖前述輸出人端子突出 、2.—種探針’在測試被試驗電子零件時 述被S式驗電子零件血試驗奘罟夕叫 /、戎驗裝置之間之電性連接， 試驗電子零件m端子相接觸， 其特徵在於包括： 了確立前 與前述被 導電部 與前述被試驗電子零件 之輪出入端子作電性 2247-9800-PFI 31 13.78242 第097124546號 • · 連接； 101年6月29日修正替換頁 複數個樑部，在其中— 二 方之主面。又有刖述導電部；及 ° ° ，彙總單懸臂支持前述複數個樑部， 部 前述各樑部係在該樑部的後端區域支持於前述台座 溝槽在前述後端區域中，在鄰接之前述樑部彼此之間設有 其中，刖述溝槽係朝向前端側而呈開口， 後端區域中的最前端與最後端之間具有終端面。月』 溝样3之^請專利範圍帛2項所述的探針，在前述 屢槽之終知面與前述後端區域之最後端之間 樑部彼此透過平面而相連。 以 4. 如申請專利範圍第2項所述的探針， :中之前述終端面與側面之間的角落部分係形成為：：或 曲面狀。 5. 如申請專利範圍第2項所述的探針，i中， 電部係具有： ’、 則通導 配線部，在前述各樑部之前述复中__ 邊方向而設；以及 ——方之主面沿著長 接=部’設在前述配線部的前端，與前述被試驗電子 零件之則述輪出入端子相接觸。 6. 如申请專利範圍第5項所述的探斜 、盆干’在前述 2之終端面與前述後端區域之最後端之間，鄰接 樑部彼此透過平面而相連， 2247-9800-PF1 32 1378242 • 第097124546號 101年6月29日修正替換頁 • «. 鄰接之前述配線部彼此之間的間距係在前述平面上擴 展。 ' 7. —種探針卡，其特徵在於包括：如申請專利範圍第 - 1項至第6項中任一項所述的探針；及供固定前述探針所 具有之前述台座部的基板。 2247-9800-PF1 33