TW200912326A - Probe and probe card - Google Patents

Description

200912326 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係當在測試形成在半導體晶圓、半導體曰片 半導體零件封裝體或印刷基板等之積體電路等電路^以下 亦代表性稱之為ks件）時，與設在IC元件之焊塾（ 或電極或引腳（lead)《類的輸出入端子接觸，用以確立 與1C元件之電性連接的探針及具備該探針的探針卡。 【先前技術】 半導體積體電路元件係在被組入多數個在石夕晶圓等之 後，經由切割、接合及封震等各步驟而完成為電子零件。 如此之IC元件係在出貨前進行動作 仃動作/則忒，但是該測試係在 晶圓狀態或完成品狀態下予以實施。 在測試晶圓狀態之1C元件時，以用以確立與被試驗 1C元件之電性連接的探針而言，自以往以來已知一種具 有：固定在基板的基座部；後端侧設在基座部，前端部由 基座部突出的襟（beam)部；以及形成在襟部表面的導電 部（以下亦僅稱之4「料指狀接觸件」）者（參照例如 專利文獻1至3 )。 該石夕手指狀接觸件係使用光微影等半導體製造技術而 由石夕晶圓所形t因此比較容S對應伴隨著被試驗IC元件 之小型化所影響之輸出人端子的尺寸及間距的狹小化。但

是，1C元件係不斷地予以小型化，因此期待矽手指狀接觸 件更進一步微細化。 2247-9800-PF 5 200912326 — 方面為了確保探針與ic元件之輸出入端子之穩 定的接觸，在測試時， " 义^頁對於輸出入細子u—定以上的 負載按壓探針。因肤，A ^ b 虽一面在按壓時確保一定以上的負 載面將石夕手指狀接觸件微細化時，會有發生在樑部根 部的拉伸應力變大的問題。 專利文獻1 ··日本特開2000-249722號公報 專利文獻2 :曰本特開200卜159642號公報 專利文獻3 :國際公開第03/071289號冊 【發明内容】 (發明所欲解決的課題） 本發明所欲解決之·^ es + . , ., Λ 诔嘁在耠供—種可降低發生在樑部 根邛的拉伸應力的探針及探針卡。 (用以解決課題的手段） 為了達成上述目的，擒抽· 4» w —種f 4f # y 本&明之第1觀點，係提供 舛故+ 7 电十零件時，為了確立前述被 试驗電子零件與試驗裝置之間之電性 _ ^ 雷+ f4认ili 連接，與刖述被試驗 零件之輸出入端子相接觸的探針，其特徵在於包括： 導電部，與前述被試驗電子零 接；複數個樑部，在Μ ϋ 1 t端子作電性連 台座部，彙總單懸臂支持前述複數個摔：則述¥電。p，及 在該標部的後端區域支持於前述台二在=標部係 Φ , - ^ , t 4 ’在前述後端區域 中在地接之刖述樑部彼此之間π古、塞Μ <間叹有溝槽（參照申請專利

2247-9800-PF 6 200912326 範圍第1項）。 在上述發明中雖未特別予以限定，但 係朝向前端側而呈開σ # 子刖述溝槽 與最後端之間具有故戚而r奋^ ^ -中的取刖知 以有、、.；埏面（參照申請專利範圍第2項）。 在述發明中雖未特別予以限定，但是 槽之終端面與前述後她 在則述溝 J迚後知Q域之最後端之間，鄰 部彼此透過平面而相、查r A 邱接之别述樑 … 相連（參照申請專利範圍第3項）。 在上述發明中雖未特別二 中之前述終端面盘側面之門… 疋最好《溝槽 面狀（表昭卜主击 ㈣成為錐狀或曲 面狀（參照申凊專利範圍第4項）。 在上述發明中雖未特別予 .B ^ 部係呈有.㈣，_予以限疋’但是最好前述導電 〜、有·配線#，在前述各樑部之 沿著長邊方向而钟.丨、,n从 万之主面 D又’及接點部’設在前述配線部的为被 與前述被試驗電子零件 # 、别鈿， w… 輸出入端子相接觸（來昭申 凊專利範圍第5項）。 、甲 在上述發明中雖未特別予以限定，但是最好在 槽之終端面與前述後端區域之最後端 =溝 部彼此透過平面而相連，鄰. 之則述樑 鄰接之則述配線部彼此之間的間 '、U面上擴展（參照申請專利範圍第6項）。 =成上述目的’根據本發明之第2觀點’係提供 種探針卡，其特徵在於包括· ' 俨私π a 一 栝.上述探針；及供固定上述 木十所八有之前述台座部的基 項）。 （，照申請專利範圍第7

2247-9800-PF 200912326 (發明效果） 在本發明中’由於在後端部分在鄰接之樑部彼此之間 設有溝槽，因此在按壓被試驗電子零件之輸出入端子時發 生在樑部根部之拉伸應力比沒有溝槽時較為降低。 【實施方式】 以下根據圖示’說明本發明之實施形態。 第1圖係顯示本發明第i實施形態之電子零件試驗裝 置的概略圖，第2圖係顯示本發明第丨實施形態之測試頭、 探針卡及探針裝置之連接關係的概念圖。 如第1圖所示，本發明帛i實施形態之電子零件試驗 裝置1係由測試頭1 〇、測試子60及探針裝置（prober) 7〇所構成。測試子60係透過瘦線束61而與測試頭1〇作 電性連接，可對被組人於被試驗石夕晶圓⑽的^元件輸出 入試驗訊號。測試頭10係藉由操作器（manipulator) 8〇 及驅動馬達81而配置在探針裴置7〇上。 如弟1圖及第2圖所示，在測試頭1〇内設有多數個插 腳介面電路（pin electr()nics) u，該等插腳介面電路 U係透過具有數百條内部«㈣線束61而與測試子60 相連接。此外，各插聊介面電路Π係分別與用以與主機板 (m〇therb°ard) 21相連接的連接器12作電性逹接，而可 與介面部20之主機； 機板21上的接觸件端子21a作電性連接。 ^測試頭1〇與探針裝f 70係透過介面部2〇而相連接， §玄介面部 20係由主她α 機板21、晶圓效能板（wafer

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Performance board) 22 及轍又環（fr〇g ring) Μ 所構成。 在主機板21設有用以與測試頭1〇側之連接器⑴乍電性連 接的接觸件端子21a，並且為了將該接觸件端子…與晶 圓效能板22作電性連接而形成有配線圖案训。晶圓效能 板22係透過探針插腳等而與主機板21作電性連接，將主 機板21上之配線圖案2 i b的間距轉換成轍又環μ側的間 距’且以將該配線圖案21b與設在轍又環23内的可換性基 板23a作電性連接的方式’形成有配線圖案22a。 轍又環23係設在晶圓效能板22上，為了容許測試頭 與探針裝置70的稍微對位，由可撓性基板仏構成内 =运路徑。在轍叉環23的下面係、安裝有多數個與該可挽 土板23a作電性連接的探針插腳23b 〇 4。二於轍又環23’係將在下面安裝有多數個探針(Probe) 别岡讀卡3G透過探針插腳23b而作電性連接。雖未特 裝^，探針卡3G係透過保持件（hQider)而固定在探針 的頂板（top plate)，透過頂板的開口，使探針 40面對探針裝置70内。 探針裝置70係藉由吸附等將被試驗晶圓1〇〇保持在夾 相對lhUCk) 71上’將該晶圓100自動供給至與探針卡30 祁對向的位置。 針褒上所示之構成的電子零件試驗裝置1巾，藉由探 在探斜+，將被保持在夾頭71上的被試驗晶圓100按壓 1〇〇 30 ’在使探針40電性接觸被組裝於被試驗晶圓 、凡件的輸出入端子110的狀態下，由測試子60 2247-98〇〇-pp 200912326 對ic 70件施加])c訊號與數位訊號，並且接收來自IC元件 的輪出訊號。將來自該Ic元件的輸出訊號（響應訊號）在 測试子60巾與期待值相比車交，藉此評估IC元件的電氣特 性。 第3圖係本發明第丨實施形態之探針卡的概略剖視 圖，第4圖係由下側觀看本發明第i實施形態之探針卡的 局部俯視圖’帛5圖係顯示本發明第i實施形態之探針的 局部俯視圖’帛6A圖係沿著第5圖之VIA_VIA線的剖視 圖，第6B圖係沿著第5圖之νΐΒ_νΐβ線的剖視圖。 如第3圖及第4圖所示，本實施形態的探針卡3〇係 由：例如由多層配線基板等所構成的探針基板31;為了補 強機械強度而安裝在探…3…面的加強件 (stiffener) 32 ;及安裝多數個在探針基板^之下面的 石夕手指狀接觸件4〇所構成。 貫穿孔^針基、板31係以由下面貫穿至上面的方式形成有 、: 並且在下面形成有與該貫穿孔31“ 連接追蹤件31b。 本實施形態之石夕手指狀接觸件（探針） ::時’為了確…件與測試…間的電性:接 /、1C疋件之輸出入端子11〇接觸的探針。如第5 6B圖所示，該探針4〇伟 弟 卹w 士 固疋在探針基板31的台座 :，在後端側支持於台座部41，且前端側由 犬出的柱狀樑部42;形成在樑部 r, Μ ^ .上 心上向的配線部44 ; 及形成在配線部44之前端的接點部45所構成。

2247-9800-PF 10 200912326 其中，在本實施形態中，探針4〇中 山 被固定在探針基板31之側（第6A圖 後$而側」係指 此’探針4。中的「前端側」係指與被執驗:：)。曰：對於 之輸出入端子110接觸之側（第6A圖中 日日圓 將樑部42中由台座部41朝向前端側突側）此外， 區域⑵，將樑部42中由台座部41所=區域稱為突出 端區域422。 所支持的區域稱為後 該探針40的台座部41及樑部42係藉由對石夕 施行光微影等半導體製造技術予以製

_ & 如第5圖至第6B 圖所示，複數個樑部42在後端區域422囊總單懸臂支持於 1個台座部4卜該複數個樑部42係由台座部41沿著彼此 實質上呈平行的方向以手指狀（梳齒狀）突出。 如第6A圖所示，台座部41係由：由石夕所構成的支持 層46d;及形成在該支持層樹之上且由氧切⑶〇相 構成的BOX層46c所構成。另一方面，各樑部㈣由：由 矽（si)所構成的活性層46b;及形成在該活性層4讥之 上且作為絕緣層發揮功能的第1Si〇2層46a所構成。 此外，在本實施形態中，如第5圖至第6B圖所示在 複數個樑部42之後端區域421中’在鄰接的樑部42彼此 之間分別設有溝槽43A。若比較第6A圖及第6β圖可知， 各溝槽43A係具有相當於第isi〇2層46a及活性層46b之 厚度的深度，並且具有與樑部42之突出區域421彼此之間 之寬度實質相同的寬度。此外，各溝槽43A係在後端區域 422的最前端423呈開口，並且在該區域422的最後端424

2247-9800-PF 11 200912326 亦呈開口。 將如上所示之溝槽43A設在樑部42的後端區域422， 藉此當探針40按壓被試驗半導體晶圓1〇〇上之輸出入端子 11 0時，在探針40中應力集中的區域擴張至後端側而予以 分散’因此可減低發生在樑部42根部的拉伸應力。藉此， 形成為探針40之斷裂界限之變形量的容許值會變大，並且 探針40的抗疲勞特性亦提升。 其中，亦可將溝槽形成為在後端區域422中在中途中 止。第7圖係顯示本發明第2實施形態之探針的局部俯視 圖’第8圖係沿著第7圖之VI11-VI11線的剖視圖，第9 圖係顯示本發明第3實施形態之探針的局部俯視圖。 如第7圖及第8圖所示’本發明第2實施形態之溝槽 43B係在後端區域422的最前端423呈開口之處與第1實 施形態相同’但是終端壁431位於後端區域422中之最前 端423與最後端424之間之處則與第i實施形態不同。 在本實施形態中，如該圖所示，在溝槽43B之終端壁 431與後端區域422之最後端424之間，鄰接的樑部42彼 此透過平面4 2 5而相連，鄰接的配線部4 4彼此之間的間距 係在該平面425上擴展（P1<P2)。藉此可達成兼顧拉伸應 力之降低與配線佈線之柔軟性。 此外，如第9圖所示，本發明第3實施形態的溝槽43c 係在溝槽43C的終端壁431與側壁432之間的角落部分433 以錐狀形成之處與第2實施形態不同。藉由將角落部分433 形成為錐狀，可更加達成拉伸應力的降低。其中，在本發

2247-9800-PF 12 200912326 明中，亦可將角落部分433形成為曲面狀。 返回第6A圖，在絕緣層（第1Si〇2層）46a之上設有 配線4 44。如β亥圖所示，g己線部44係由：由鈦及金所構 成的種層（供電層）44a，設在種層44之上且由金所構成 的第1配線層44b;以及設在第！配線層4化的後端且由 高純度的金所構成的第2配線層44c 豆 配線層桃係具有5至1〇"的厚度。若第 的厚度未達5"m日夺，會發熱，若大於1〇㈣，則會有發 生翹曲之虞。 在f 1配線層44b的前端部分形成有接點部45，因此 對於該第1配線層44b係要求較高的機械強度。因此，以 構成第1配線層44b的材料而言，使用在99.⑽以上之純 度的金添加未達〇.1%的錄絲等異種金屬材料者，第Μ 線層44b的維氏硬度（Vickershardness)提升至h㈣ 至200。相對於此，第2配線層44c係可在後製程中接合， ^且由純度99.龍以上的金所構成，俾以具有較 電性。 邛45在配/::“4之則端，以朝向上方突出的方式設有接點 =5。則妾點部45係由：由種層…及第^線層仏 所構成且形成在段差之上㈣"妾點層“a;以 接點層45a的方式設置且由金所構匕是 田隹所構成的第2接點層45b ; :=包覆第2接點層45b的方式設置的第3接點層& 所構成。以構成第i接點層45a的材 或錄钻等鎳合金。此外，以構成第3_層45:==

2247^9800-PF 13 200912326 言，係可列舉铑、鈕、打 t ώ、 、 釕、鈀、銥或該等之合金等為高硬 度並且抗姓性佳的導電 ^ — 45設在配線部44的前端二。糟由將如上所示之接點部 的則知’比較柔軟的第i配線層44b 無須與IC元件的於山> Α山， 的輸出入鸲子110直接接觸。 如第3圖所不’如以上所示之構成的探針4〇係以盥被 、、且入於半導體晶圓10。之被試㈣元件之輸出入端子u〇 相對向的方式被安裝於探針基板31。其中，在第3圖中僅 圖不2個探針4G ’但實際上係在探針基板31上安裝有數 百至數千支探針41 有數 :第3圖所示，各探針4〇係在使台座部41之角部抵 接於楝針基板31的站能τ & * ^ 的狀態下’使用接著劑31d而固定在探針 Ή卜接著劑31d而言，例如可列舉紫外線硬化型 接著μ、恤度硬化型接著劑、或熱可塑性接著劑等。 此外，在配線部44之第2配線層44c係連接有盘連 追料3lb相連接的接合i線仏，透過該接合難… 而與楝針40之配線部44、及探針基板31之連接追縱件训 作電性連接。复中，介可伯田 ”中亦可使料球（SQ如baU)而將配 44與連接追蹤件仙作電性連接，來取代接合纔線 :用以上構成之探針卡3。的IC元件的測試係藉由探 忒置70而將被試驗晶圓100按壓在探針卡30，在探針 基板31上之探針40與被試驗晶圓1〇〇上之輸出入端子1針 電性接觸的狀態下，由測試子對IC元件輸 予以執行。 试巩唬而

2247-9800-PF 14 200912326 以下參照第10圖至第43圖，說明本發明第！實施形 態之探針之製造方法之—例。第10圖至第43圖係本發明 第1實施形態之探針之製造方法之各步驟中的s〇i晶圓的 剖視圖或俯視圖。 首先，在本實施形態之製造方法中，係在第1〇圖所示 之第1步驟中，備妥S0I晶圓（Silicon 〇n lnsuiat〇r 冗3&!〇46。該8〇1晶圓46係在3個以〇2層46&、46^466 之間分別夹持2個Si層46b、46d而予以疊層㈣晶圓。 該SOI晶圓46的Si_ 46a、46c、後係在組入探針 時，發揮作為钮刻播止件的功能，或發揮作為絕緣層的功 能。 在此，為了使探針40的高頻特性良好，第131〇2層46a 係具有以上的層厚，活性層46b係具有ikQ ·㈣以 上的體積阻抗率。此外’以使樑部42具有穩定的彈簧特性 的方式，活性層46b之層厚的公差為±3//爪以下，支持層 46d之層厚的公差為±1 # m以下。 s 接著’在第11A圖及第11B圖所示之第2步驟中，在 SOI晶圓46的下面形成第"且劑層…。在該步驟中，雖 未特別圖示，首先在第2Si〇2層46e形成光阻膜在該光 阻膜上重疊有光罩的狀態下將紫光線進行曝光而使盆乾化 (cure)(凝固），藉此在第281〇2層46e的一部分形成 第1阻劑層47a。其中’在光阻膜中紫外線未被曝光的部 分係被溶解’而由帛2抓層46e上被沖掉。該第】阻劑 層47a係在接下來的第3步驟中發揮作為蚀刻遮罩圖案的

2247-9800-PF 15 200912326 功能 接著，在第12圖所示之第3步驟中，藉由例如rie (Reactive Ion Etching)等，由SOI晶圓46的下方對第 2Si〇2層46e進行蝕刻處理。藉由該蝕刻處理，在第⑴ 層46e中未被第1阻劑層47a予以保護的部分會被侵蝕。 若該蝕刻處理一結束，在第丨3圖所示之第4步驟中， 將殘留在第2Si〇2層46e之上的第1阻劑層47a予以去除 f (阻劑剝離）。在該阻劑剝離中’藉由氧電漿將阻劑灰：

(ashlng)後，例如藉由硫酸過氧化氫等洗淨水來洗淨s〇I 晶圓46。殘留在S0I晶圓46之下部的第2Si〇z層4k係在 第38圖所說明的第29步驟中的㈣處理中作為遮 發揮功能。 ^接著，在第14A圖及第14B圖所示之第5步驟中，在 第1S/02層46a的表面形成第2阻劑層47b。該第2阻劑層 47b係以與第2步驟中所說明的第1阻劑層47a相同的要 ::如第14A圖所示，在s〇I晶圓46的上面形成為複數個 f狀。 接著’在第15圖所示之第6步驟中，例如藉由Rie等， 日日圓46的上方對第1Si〇2層46a進行蝕刻處理。 由該蝕刻處理，A,c · n e m 在第1SlG2層46a中未被第2阻劑層47b 的部分會被侵钱，而使第_恤呈複數個 ▼狀（參照第16A圖）。 斑前第16A圖及第⑽圖所示之第7步驟中，以 ^驟相同的要領將第2阻劑層47b予以去除，

2247-9800-PF 16 200912326 在第Π圖所示之第8步驟中，以與前述第2步驟相同的要 領’在第2Si〇^ 46e之上形成第3阻劑層47c。 接著在第18圖所不之第9步驟中由s〇i晶圓46 、對支持層46d進行姓刻處理。以該ϋ刻處理之具體 手法而:，可列舉例如顧（Deep Reacuye ι〇η㈤⑽） 法等藉由該刻處理，在支持層46d中未被第3阻劑層 47c予以保護的部分會被侵蝕至該支持層抱之一半左右 的深度。接著，在第19圖所示之第1()步驟中，以與前述 第4步驟相同的要領將第3阻劑層47c予以去除。 接著在第20圖所不之第u步驟甲，在s〇I晶圓46 之上面整體形成由鈦及金所構成的種層44a。以該種層44a 之成膜的具體手法而言，可列舉例如真空蒸鑛、激鑛、氣 相沈積等。該種層44a係發揮作為形成後述之第ι配線層 44b時之供電層的功能。 接著，在第21A圖及第21B圖所示之第12步驟中，在 種層44a的表面，以與上述第2步驟相同的要領形成第* 阻』層47d。如帛21A圖所示，該第4阻劑層47d係除了 最後形f有配線部44的部分以外，形成在種層44a的整體。 接著在第22圖所不之第13步驟中，在種層44a上 未被第4阻劑層47d被覆的部分，藉由鐘敷處理形成第^ 配線層4 4 b。 接著在第23A圖及第23B圖所示之第14步驟中，在 種層44a之上殘留有第4阻劑層47d的狀態下，形成第5 阻劑層47e。如第23A圖所示，該第5阻劑層^係除了

2247-9800-PF 17 200912326 第1配線層44b之後端側的一部分以外，形成在該第1配 線層44b的整體。 接著，在第24圖所示之第15步驟中’在第1配線層 44b的表面未被阻劑層47d、47e覆蓋的部分，藉由鍍敷處 理形成第2配線層44c，在第25A圖及第25B圖所示之第 1 6步驟中，以與上述第4步驟相同的要領將阻劑層47d、 47e予以去除。

接著，在第26A圖及第26B圖所示之第16步驟中，除 了由第1配線層44b的前端部分至種層44a之表面為止的 區域以外，在SOI晶圓46的整體，以與上述第4步驟相同 的要領形成第6阻劑層47f。其中，該第6阻劑層47f係 用以在接下來的第17步驟中形成第丨接點層…者，但是 由於第1接點層45a係佔有接點部45之高度方向的大部 :严因此在該第16步驟中，係將第6阻劑層47f形成為十 接考’在第27圖所示之第18步驟中，在未被第“且 ::仍覆蓋的部分，藉由鏟敷處理形成^接點層— S亥Νι鍍敷層45a係形成在 成在第1配線層44b與種層44a之間 的匕差部分，因此如第27圖所示形成 第28A圖及第28B圖所示 接者，在 ^ - π . φ ^ ^ 之第19步驟中，以與上述第4步 驟相冋的要領將第6阻劑層47f予以去除。 乂 接著’在第29A圖及m 9QR園私_ ^ 肱笛„ 第圖所不之第20步驟中，在 將第1接點層45a的周圍隔出若干 在

晶圓46的整面，以與上 狀L下，在SOI 第2 v驟相同的要領形成第7阻

2247-9800-PF 18 200912326 劑層47g。 在第30圖所示之第21步驟中，在S01晶圓46 二=破第7阻劑層47g覆蓋的部分進行鐘金處理，以 包圍第1接點層45a 66 士々π ^ ^ 的方式形成第2接點層45b。順帶一 提，s亥第2接點層4 5 b # A + „ _ 土 係為了在下一步驟，保護第1接點 層45a免於受到以鍍鍺 敷液影響而形成。“第3接點層…時所使用的鑛 接者’在第31圖所+ 3»··^· 卜 圆所不之第22步驟中，在殘留有第7 :劑層47g的狀態下’在斯晶圓46的上面未被第7阻劑 g覆蓋的部分進行鍍鍺處理，以包覆第2接點層45b 的方式形成第3接點層45c。接著，在第32a圖及第32β 圖所不之第23步驟中’以與上述第4步驟相同的要領將第 J1 Μ層47g予以去除。第3接點層—係具有較高的硬 度（例如以錢構成第3接點層45c時係為π綱至⑽〇)， 並且抗钱性亦佳，因此適於要求長期間穩定的接觸阻抗及 耐磨耗性的接點部45的表面。 接著，在第33圖所示之第24步驟中，藉由研磨 (milling)處理來去除以鍍敷處理形成第i配線層4扑時 作為供電層發揮功能的種層44a中所露出的部分。該研磨 處理係在真空腔室中使氬離子朝向s〇I晶圓46的上面衝撞 而進行。此時，種層44a相較於其他層為較薄，因此，藉 由該研磨處理而在最初予以去除。藉由該研磨處理，在種 層44a之中，亦僅殘留位於配線部44及接點部45之下方 的部分’其他部分則予以去除。 2247-9800-PF 19 200912326 著在第34A圖及第34B圖所示之第&步驟中，以 與上述第2步驟相同的要領在 貝在第1Sl〇2層46a之上形成複 數個▼狀的第8阻劑層47h。 著在第35圖所不之第26步驟中，由s〇i晶圓w 之上方對活性層（Si層）_進錢刻處理。以㈣刻處 理的具體手法而言，可列舉例如随法等。藉由該罐 理，活性層46b被侵料複數個帶狀。其巾，由於廳層 (Si〇2層）46c會發揮作為蝕刻擋止件的功能，因此因該 DRIE處理而對S()I晶圓46造成的侵蚀並不會達及支持層 (Si 層）46d。 此外，該蝕刻處理係以使樑部42的凹形值（scai ι〇ρ value)(藉由蝕刻所形成之側壁面之凹凸的粗糙度）為 1 OOnm以下的方式來進行。藉此，當樑部β彈性變形時， 可防止以側壁表面的較粗糙部分為起點而發生裂痕 (crack)的情形。 接著，在第36A圖及第36B圖所示之第27步驟中，以 與上述第4步驟相同的要領將第8阻劑層47h予以去除。 接者’在第37圖所示之第28步驟中，在SOI晶圓46的上 面整體形成聚醯亞胺膜48。該聚醯亞胺膜48係使用旋塗 裝置（spincoater)或噴塗裝置等，將 聚醯亞胺前驅物塗佈在SOI晶圓46之上面整體之後，藉由 2 0 C以上的加熱或觸媒而使其醯亞胺化而形成。該聚醯亞 胺膜48係用以在進行下一步驟及下下步驟中之貫穿蝕刻 處理時’使餘刻裝置的載台透過貫穿孔而露出，藉此防止

2247-9800-PF 20 200912326 p液漏洩、或因蝕刻而使載台本身受到損傷而形成。 接者’在第38圖所示之第29步驟中，由s〇I晶圓 十支持層（S1層）46d進行蝕刻處理。以該蝕刻處 理之具體例而言，可列舉例#剛法等。在該蝕刻處理 中’在上述第3步驟所殘留的第2Si0^ 46e發揮作為遮 罩材的功能。其中，由於_層（Si〇2層）板發揮作為 蝕刻擋止件的功能，因該DRIE處理而造成由下方之s〇I晶 圓46的侵敍並不會達及活性層⑶層）悩。 日日 接著在第39A圖及第39B圖所示之第30步驟中，由 S〇!晶圓46的下方對2個s池層後、傷進行㈣處理。 以該蝕刻處理之具體手法而言’可列舉rie法等。如第_ 圖所示’藉由該蝕刻處理’使樑部42完全形成為手指狀(梳 接著，在第40圖所不之第31步驟中，藉由強鹼性的 剝離液將不需要的聚醯亞胺膜48予以去除。其中，在本實 ㈣態中’將直接塗佈在晶圓46的聚醯亞胺前驅物進行酿 亞胺化，藉此形成聚醯亞胺膜48，但是在本發明中並非特 別限定於此。例如，以聚醯亞胺臈48而言，亦可使用驗可 溶性粘著劑而將聚醯亞胺膜黏附在晶圓46。 接著，在第41圖所示之第32步驟中，在s〇l晶圓46 的上面黏附發泡剝離片冑（tape) 49,將既定數量的樑部 42作為-個單位，沿著樑部42的長邊方向切割s〇i晶圓 “。其中’發泡剝離片帶49係在切割時為了保護樑部42 免於受到水壓影響而予以黏附。

2247-9800-PF 21 200912326 該發泡剝離片帶49係在含有PET之基材片帶 面塗佈有uv發泡性黏著劑而構成。該發泡剝離片帶、4“ 在未照射紫外線的狀態下|SL由Τϊν ’、 s〇I a ^ _由UV發泡性黏著劑而黏著在 但是當被照射紫外線時，發泡性黏著㈣ 如咕 J I易地由SOI晶圓46剝離。 接者’在第42圖所示之第33步驟中， 藉由拾取（pick-up)裝置來處 Y 方 4Π . ^ 爽理（handling)經切割的探 ’ ，口座部41的下面黏附UV剥離型片帶50。 該訂剝離型片帶50係在含有聚稀烴之基材片帶的並 面塗夫佈有UV硬化型黏著劑而構成。該Μ剝離型片帶 5 0係在未照射紫外線的狀態 著在台…的下面，：是上“V硬化型黏著劑而黏 . 疋田破照射紫外線時，UV石争务 型黏著劑會失去黏著力，而 桩荽Μ 辁易地由台座部41剝離。 接者，在第43圖所示之第34 剝離片帶49昭射卜蝮，# & 日由朝向發泡 、射备、外線，使發泡剥離片帶49的UVm 黏者劑發泡，將發泡剝離片帶 泡 ㈣發泡剝離片帶49轉印在υν_型片帶5“將探針 接著’雖未特別圖示，但右 的肤雜τ έΗ a —在猎由拾取裝置保持探針40 =:朝向，硬化型剝離片帶5〇照射紫外 由探針4〇剝離。接著，拾取裝置將探針40配置 在抓十基板31的既定位置，藉由接著劑叫予以 此將探針40安裝在探針基板31。 精 予以=者Ί t明的實施形態係為了輕易理解本發明而 。載者，並非為了限定本發明而予以記載者。因此，

2247-9800-PF 22 200912326 上述實施形態所揭示的各要素係亦包含屬於本發明之 範圍之所有設計變更或均等物 ^ 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明第1實施形態之電子零件試驗 置的概略圖。 # / ~ 第2圖係顯示本發明第1實施形態之測試頭、探針卡 及棟針之連接關係的概念圖。 第3圖係本發明第1實施形態之探針卡的概略剖視圖。 第4圖係由下側觀看本發明第1實施形態之探針卡的 局部俯視圖。 ^ 第5圖係顯示本發明第1實施形態之探針的局部俯視 圖。 、 第6Α圖係沿著第5圖之VIA-VIA線的剖視圖。 第6β圖係沿著第5圖之VIB-VIB線的剖視圖。 第7圖係顯示本發明第2實施形態之探針的局部俯 圖。 、 第8圖係沿著第7圖之VIII-VI11線的剖視圖。 第9圖係顯示本發明第3實施形態之探針的局部俯視 圖。 第10圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 1步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第11A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第2步驟中由下側觀看SOI晶圓的俯視圖。

2247-9800-PF 23 200912326 第11B圖係沿著第11A圖之XIB_XIB線的剖視圖。 第1 2圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 3步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第1 3圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 4步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第14A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第5步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第14B圖係沿著第UA圖之χινβ —χινβ線的剖視圖。 第1 5圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 6步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第16A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第7步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第16B圖係沿著帛16A圖之χνΐΒ_χνΐβ線的剖視圖。 第17圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 8步驟令的SOI晶圓的剖視圖。 第18圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 9步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第1 9圖係本發明第丨實施形態之探針之 步驟中的观晶圓的剖視圖。 ^会之第 第20圖係本發明第丨實施形態之探針之製造方法 11步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第 第21A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方 之第12步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。

第21B圖係沿著第2U圖之χχΐΒ_χχΐΒ線的剖視圖。 2247-9800-PF 24 200912326 第22圖係本發明第j實施形態之探針之 13步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 丨 第23A圖係在本發明第！實施形態之探針之製 之第14步驟中由上側觀看SQI晶圓的俯視圖。 、 第23B圖係沿著帛23A圖之χχίΙΐβ_χχπΐΒ線的 圖。 第24圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 1 5步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 第…圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第16步驟t由上側觀看SGI晶圓的俯視圖。 第25B圖係沿著第25A圖之簡χχνβ線的剖視圖。 第26Α圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方 之第17步驟甲由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第2_系沿著第26A圖之卿侧線的剖視圖。 第27圖係本發明第j實施形態之探針之製造方法 18步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第28A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第19步驟中由上側觀看SOI晶圓的俯視圖。 第28B圖係沿著帛28A圖之χχνπΐΒ χχνιιΐΒ線的剖 視圖。 第29Α圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第20步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第29B圖係沿著第29A圖之χχιχΒ_χχιχβ線的剖視圖。

第3〇圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 2247-9800-PF 25 200912326 21步驟中的SO I晶圓的剖視圖。 態之探針之製造方法之第 弟31圖係本發明第1實施形 2 2步驟中的S 01晶圓的剖視圖。 第32A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第23步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第32B圖係沿著第32A圖之χχχιΙΒ_χχχιΐΒ線的剖視 第33圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 24步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第34A圖係在本發明帛1實施形態之探針之製造方法 之第25步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第34B圖係沿著第34A圖之XXXIVB-XXXIVB線的剖視 圖。 第35圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 2 6步驟中的S 01晶圓的剖視圖。 第36A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 之第27步驟中由上側觀看s〇I晶圓的俯視圖。 第36β圖係沿著第36A圖之XXXVIB-XXXVIB線的剖視 圖。 第3 7圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 28步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第38圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 29步驟中的SOI晶圓的剖視圖。

第39A圖係在本發明第1實施形態之探針之製造方法 2247-9800-PF 26 200912326 之第30步驟中由下側觀看SOI晶圓的俯視圖。 第39B圖係沿著第39A圖之XXXIXB-XXXIXB線的剖視 圖。 第4 0圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 31步驟中的SOI晶圓的剖視圖。 第41圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 32步驟中的s〇I晶圓的剖視圖。 第4 2圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 33步驟中的探針的剖視圖。 第43圖係本發明第1實施形態之探針之製造方法之第 34步驟中的探針的剖視圖。 【主要元件符號說明】 I 電子零件試驗裝置 10 測試頭 II 插腳介面電路 12 連接器 20介面部 21主機板 21a接觸件端子 21 b配線圖案 22晶圓效能板 22a配線圖案 23 轍又環

2247-9800-PF 27 200912326 23a可撓性基板 23b探針插腳 30 探針卡 31 探針基板 31 a貫穿孔 31 b連接追蹤件 31c接合纜線 31d接著劑 32 加強件 40 探針（矽手指狀接觸件） 41 台座部 42 樑部 43A至43C 溝槽 44 配線部 44a種層（供電層） 44b第1配線層 44c第2配線層 45 接點部 4 5 a第1接點層（N i鑛敷層） 45b第2接點層 4 5 c第3接點層 46 SOI晶圓（碎晶圓） 46a第lSi〇2層（絕緣層） 4 6 b活性層 28

2247-9800-PF 200912326 46c BOX 層 46d支持層 46e 第 2Si〇2層 4 7 a第1阻劑層 47b第2阻劑層 47c第3阻劑層 47d第4阻劑層 4 7 e第5阻劑層 4 7 f第6阻劑層 47g第7阻劑層 47h第8阻劑層 48 聚醯亞胺膜 49 發泡剝離片帶 50 UV硬化型剝離片帶 60 測試子 61 鏡線束 70 探針裝置 71 夾頭 80 操作器 81 驅動馬達 100被試驗半導體晶圓（被試驗矽晶圓） 110輸出入端子 421突出區域 4 2 2後端區域 29

2247-9800-PF 200912326 423後端區域的最前端 424後端區域的最後端 425平面 431終端壁 432側壁 433角落部分 30

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Claims (1)

1. 200912326 十、申謗專利範圍·· 述被η驗：ΐ針’在測H被試驗電子零件時，為了確立前 返被4驗電子零件與試 ^ 試驗t & π 裝置之間之電性連接，與前述被 式驗電子零件之輸出入端子相接觸， 其特徵在於包括： ^電’與別述被試驗電子文杜 > 私山 ,. 連接. 、紙电于苓件之輸出入端子作電性 複數個樑部，在直φ 隹具中一方之主面設有前述導電部；及 2座部，彙總單懸臂支持前述複數個樑部， 月j述各樑#係在該樑部的後端區域支持於前述台座 部， 在鄰接之前述樑部彼此之間設有 在前述後端區域中 溝槽。 2·如申請專利範圍第1 槽係朝向前端側而呈開口， 知與农後端之間具有終端面 項所述的探針，其中，前述溝 並且在前述後端區域中的最前 3.如申請專利範圍第2項所述的探針，其中，在前述 溝槽之終端面與前述後端區域之最後端之間，鄰接之前述 標部彼此透過平面而相連。 4·如申請專利範圍第2項所述的探針，其中，前述溝 槽中之前述終端面與側面之間的角落部分係形成為錐狀或 曲面狀。 5.如申請專利範圍第1項所述的探針，其中，前述導 電部係具有·· 2247-9800-PF 31 200912326 之主面沿著長 配線部’在前述各樑部之前述其中一 邊方向而設；以及 接點。卩，设在前述配線部的前端，與前述被試驗電子 零件之前述輪出入端子相接觸。 溝/之：：請專：範圍第5項所述的探針…，在前述 曰、、'編面與m述後端區域之最 & 樑部彼此透過平面而相連， 間鄰接之别边 鄰接之前述配線部彼此 ^ 展。 間的間距係在前述平面上擴 .如申凊專利範圍第 及供固定前述探針所 • 木丫卞，，、特徵在於包 1項至第6項中任一項$、+、λα 項所述的探針 具有之前述台座部的基板。 2247-9800-PF 32