KR20090071644A - 탄소 나노튜브 프로브의 제작 방법 및 사용 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 있어서, 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼은 전기기계적 접촉 구조체 또는 프로브로서 구성될 수 있다. 컬럼은 희생 기판 상에서 성장되어 제품 기판에 전달될 수 있거나, 제품 기판 상에서 성장될 수 있다. 컬럼은 강성과 같은 기계적 특성, 전기 전도도와 같은 전기적 특성, 및/또는 물리적 접촉 특성을 향상시키기 위해 처리될 수 있다. 컬럼은 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝될 수 있다. 컬럼은, 예컨대 반도체 다이와 같은 전자 장치에 접촉하고 이 전자 장치를 시험하기 위해 전기기계적 프로브로서 사용될 수 있고, 전자 장치의 단자 상에 독특한 마크를 형성할 수 있다. 그러나, 컬럼(104)은 수천 또는 수십만의 이러한 탄소 나노튜브(110)를 포함할 수 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브(110)는 휘어지고/휘어지거나 얽

Description

탄소 나노튜브 프로브의 제작 방법 및 사용 방법{MAKING AND USING CARBON NANOTUBE PROBES}

본 발명은 탄소 나노튜브 프로브의 제작 방법 및 사용 방법에 관한 것이다.

탄소 나노튜브-1990 년대 초에 발견된 물질-는 다수의 바람직한 특성을 갖는다. 예를 들면, 탄소 나노튜브는 높은 강성, 인성 및 탄성과 같은 바람직한 기계적 특성을 가질 수 있다. 또 다른 예로서, 탄소 나노튜브는 전기 전도도와 같은 바람직한 전기적 특성을 가질 수 있다. 이들 특성 및/또는 다른 특성 때문에, 탄소 나노튜브는 원자력 현미경과 같은 용례에서 사용하기 위한 프로브를 제작하기에 유망한 재료일 수 있다(미국 특허 공개 공보 US 2007/0051887 참조). 그러나, 이러한 프로브는 본래 수직방향으로 약하고, 프로브가 소정 표면과 접촉하여 탄소 나노튜브의 좌굴 또는 변형을 유발하는 압력을 받을 때 유효 사용점을 지나 쉽게 변형될 수 있다.

탄성이 있거나, 유연하거나, 변형 가능하거나, 또는 탄력이 있는 프로브(기계적 프로브 또는 전기기계적 프로브)는 보통 다양한 용례에서 사용되었던 탄소 나노튜브와는 다른 재료로 제작된다. 예를 들면, 1군의 프로브(예컨대 프로브의 어레이)는 프로브에 의한 검사 대상물(예컨대, 물리적으로 접촉하게 되는 대상물)의 패턴에 대응하는 패턴으로 배치될 수 있다. 이러한 프로브는 전기 전도성일 수 있으며, 전자 장치[예컨대, 반도체 다이(들)]의 입력 단자 및/또는 출력 단자와 접촉하여 전자 장치와 압력에 기초한 일시적인 전기 접속을 형성할 수 있고, 이러한 전기 접속을 통해 테스트 신호가 전자 장치에 제공될 수 있으며, 전자 장치에 의해 발생되는 응답 신호를 감지할 수 있다. 이러한 시험을 통해, 전자 장치가 적절하게 작동하는지 여부를 결정하고/결정하거나 전자 장치의 작동을 평가하기 위해 전자 장치를 점검할 수 있다.

특정 검사 용례에 따라서는, 이러한 프로브가 하나 이상의 특정한 기계적 특성을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 일부 용례에 있어서는, 프로브에 인가되는 힘에 응답하도록 프로브가 유연하고 탄력이 있는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 이러한 프로브는 유연하여 프로브의 접촉부에 인가되는 힘에 응답하여 압축되거나, 변형되거나, 휘거나 또는 그렇지 않으면 이동할 수 있고, 프로브는 탄성이 있어서 프로브의 접촉부에 인가되는 힘에 응답하여 반력을 발생시킬 수 있으며, 다음으로 인가되었던 힘이 프로브의 접촉부로부터 제거된 후에 프로브의 원래 형상, 위치 또는 방향으로 실질적으로 복원될 수 있다. 일부 용례에 있어서는 특정한 기계적 특성을 갖도록 프로브를 튜닝하는 것이 바람직할 수 있다. 장시간에 걸친 반복 사용 동안의 인성, 내구성 및 일관성(consistency)과 같은 다른 기계적 특성도 또한 바람직할 수 있다. 예를 들면, 이러한 프로브가 기계적 특성의 실질적인 변화를 겪지 않으면서 장시간에 걸쳐 반복되는 압축에 견디는 것이 바람직할 수 있다.

또한, 검사 용례가 전기적인 용례인 경우에는, 이러한 프로브가 하나 이상의 특정 전기적 특성을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 일부 용례에 있어서는, 전기적 프로브가 작은 전기 저항 및/또는 높은 허용 전류를 갖는 것이 바람직할 수 있다.

검사 용례가 전기적인 용례인지 여부와 무관하게, 프로브가 제작성(manufacturability)과 같은 다른 바람직한 특성을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 일부 용례에 있어서는, 프로브가 서로에 대해 근접하게 소정 간격을 두고 있는(예컨대, 프로브 사이의 간격 또는 피치가 작음) 소정 패턴(예컨대, 어레이)으로 프로브를 형성할 필요가 있을 수 있다. 이러한 용례에 있어서는, 프로브가 서로에 대해 근접하게 소정 간격을 두고 있음에도 불구하고 서로 접촉하거나 또는 다른 방식으로 간섭하지 않으면서도 프로브에 인가되는 힘에 응답하여 압축되거나, 변형되거나, 휘거나, 또는 그렇지 않으면 이동할 수 있는 것(예컨대, 유연성을 나타냄)이 바람직할 수 있다. 일부 용례에 있어서는, 프로브의 접촉부(예컨대, 접촉 선단부)를 평면화하여 특정 군에 속하는 프로브 전체의 접촉부가 특정 평면으로부터 특정 거리 내에 위치하도록 하는 것이 바람직할 수 있다. 일부 용례에 있어서는, 프로브가 극한의 온도(예컨대, 고온 또는 저온)에서 반복되는 사용에 견딜 수 있는 것이 바람직할 수 있다. 효율적이고 경제적으로 이러한 프로브를 제작하고/제작하거나 검사 장치에 이러한 프로브를 통합하는 것이 바람직할 수 있음은 물론이다.

후술하는 본 발명의 일부 실시예는, 일부 경우에 있어서, 전술한 바람직한 기계적 특성, 전기적 특성, 제작성 또는 다른 특성 중 하나 이상을 갖는 탄소 나노튜브를 포함하는 프로브의 생산 및/또는 사용에 있어서 도움이 될 수 있다.

일부 실시예에 있어서, 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼은 전기기계적 접촉 구조체 또는 프로브로서 구성될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼은 희생 기판 상에서 성장되어 제품 기판으로 전달될 수 있거나, 또는 제품 기판 상에서 성장될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼은 강성과 같은 기계적 특성, 전기 전도도와 같은 전기적 특성 및/또는 물리적 접촉 특성을 향상시키도록 처리될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼은 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼은, 예컨대 전기기계적 프로브로서 사용될 수 있으므로 반도체 다이와 같은 전자 장치에 접촉하여 이 전자 장치를 시험할 수 있으며, 전자 장치의 단자 상에 독특한 마크를 형성할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 일부 실시예에 따라 기판 상에 있는 예시적인 탄소 나노튜브의 컬럼을 도시하는 도면이다.

도 1b 및 도 1c는 도 1a의 탄소 나노튜브의 컬럼 중 하나를 나타낸 도면이다.

도 2 내지 도 5a는 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼 제작에 있어서 예시적인 부유 촉매 공정을 도시하는 도면이다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼 제작에 있어서 예시적인 고정 촉매 공정을 도시하는 도면이다.

도 8 및 도 9는 본 발명의 일부 실시예에 따라 희생 기판으로부터 또 다른 기판까지 탄소 나노튜브의 컬럼을 전달하는 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 10은 본 발명의 일부 실시예에 따라 희생 기판으로부터 또 다른 기판까지 탄소 나노튜브의 컬럼을 전달하는 또 다른 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일부 실시예에 따른 배선 기판 상의 탄소 나노튜브의 컬럼을 도시하는 도면이다.

도 12 내지 도 15는 탄소 나노튜브의 컬럼 제작에 있어서의 예시적인 공정을 도시하는 도면으로서, 이때 상기 공정은 본 발명의 일부 실시예에 따라 컬럼을 기판까지 전달하는 단계를 포함한다.

도 15a 내지 도 16은 본 발명의 일부 실시예에 따라 배선 기판 상에서 탄소 나노튜브의 컬럼을 성장시키는 단계, 배선 기판에 컬럼을 앵커링하는 단계, 및/또는 배선 기판에 컬럼을 전기 접속시키는 단계의 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 17a 내지 도 18b는 본 발명의 일부 실시예에 따라 배선 기판 상에서 탄소 나노튜브의 컬럼을 성장시키는 단계, 배선 기판에 컬럼을 앵커링하는 단계, 및/또는 배선 기판에 컬럼을 전기 접속시키는 단계의 또 다른 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 19a는 본 발명의 일부 실시예에 따라 컬럼의 접촉 단부 내부를 비롯하여 컬럼 전체에 걸쳐 접착제가 위킹(wick)되어 있는 탄소 나노튜브의 예시적인 컬럼을 도시하는 도면이다.

도 19b는 컬럼의 기부 내로 접착제가 위킹되어 있는 탄소 나노튜브의 예시적인 컬럼을 도시하는 도면으로서, 컬럼의 접촉 단부는 본 발명의 일부 실시예에 따른 돌출 구조체를 갖는 것인 도면이다.

도 20은 본 발명의 일부 실시예에 따라 접촉 단부로부터 돌출되는 돌출 구조체의 개수를 증가시키기 위한 도 19b의 탄소 나노튜브의 컬럼의 처리방법을 도시하는 도면이다.

도 21은 본 발명의 일부 실시예에 따라 도 20의 탄소 나노튜브의 컬럼에 전도성 재료를 추가하는 것을 도시하는 도면이다.

도 22a 및 도 22b는 본 발명의 일부 실시예에 따라 전기 전도성 재료로 충전 가능한 빈 공간을 갖춘 탄소 나노튜브의 예시적인 컬럼을 도시하는 도면이다.

도 23a는 본 발명의 일부 실시예에 따라 코너 또는 대체로 접촉 단부의 둘레부를 따르는 다른 지점에 돌출 구조체가 형성된 탄소 나노튜브의 예시적인 컬럼을 도시하는 도면이다.

도 23b, 도 23c, 도 23d 및 도 23e는 본 발명의 일부 실시예에 따라 도 23a의 컬럼을 제작하는 예시적인 방법을 도시하는 도면이다.

도 24는 본 발명의 일부 실시예에 따라 특정 스프링 특성(들)을 갖도록 탄소 나노튜브의 컬럼을 튜닝하는 단계의 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 25는 본 발명의 일부 실시예에 따른 도 24의 공정에 따라 탄소 나노튜브 의 컬럼을 튜닝하는 단계의 예시적인 일례를 도시하는 도면이다.

도 26은 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼으로 이루어진 프로브를 갖춘 컨택터를 포함하는 예시적인 테스트 시스템을 도시하는 도면이다.

도 27은 본 발명의 일부 실시예에 따라 프로브 카드 조립체의 형태인 컨택터를 제작하기 위한 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 28 내지 도 34는 도 27의 공정의 예를 도시하는 도면으로서, 도 34에 도시된 프로브 카드 조립체는 본 발명의 일부 실시예에 따라 제작되는 것인 도면이다.

도 35는 프로브를 갖춘 도 26의 컨택터의 사시도를 도시하는 도면으로서, 상기 프로브는 본 발명의 일부 실시예에 따라 시험 대상 전자 장치(들)의 단자의 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함하는 것인 도면이다.

도 36은 본 발명의 일부 실시예에 따라 도 26의 테스트 시스템과 유사한 테스트 시스템에서 전자 장치(들)를 시험하고 추가 처리하기 위한 예시적인 공정을 도시하는 도면이다.

도 37 및 도 38은 본 발명의 일부 실시예에 따라 프로브의 접촉 단부에 돌출 구조체를 구비하도록 도 20에 도시된 바와 같이 처리된 프로브에 의해 단자 상에 형성되는 천공 마크 형태인 프로브 마크 및 도 26의 전자 장치의 단자와 컨택터의 프로브의 예시적인 접촉을 도시하는 도면이다.

도 40은 본 발명의 일부 실시예에 따라 도 23a의 프로브와 유사한 프로브에 의해 단자 상에 잔존하는 천공 마크의 형태인 예시적인 프로브 마크를 도시하는 도 면이다.

도 40은 본 발명의 일부 실시예에 따라 프로브의 접촉 단부에서 도 20에 도시된 돌출 구조체가 대체로 결여된 프로브에 의해 단자 상의 탄소 나노튜브 각인의 형태인 예시적인 프로브 마크를 도시하는 도면이다.

도 41a, 도 41b 및 도 41c는 도 38 내지 도 40에 도시된 프로브 마크와 같이 다이의 단자 상에 프로브 마크가 있는 예시적인 반도체 다이를 도시하는 도면이다.

도 42는 다이의 단자를 가로질러 와이핑하는 종래 기술의 프로브에 의해 형성되는 예시적인 종래 기술의 프로브 마크를 도시하는 도면이다.

도 43a 및 도 43b는 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함할 수 있는 스프링 접촉 구조체를 포함하는 예시적인 인터포저(interposer)를 도시하는 도면이다.

도 44는 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함할 수 있는 스프링 접촉 구조체를 포함하는 예시적인 반도체 다이를 도시하는 도면이다.

본 명세서의 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시예 및 용례를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 예시적인 실시예 및 용례, 또는 예시적인 실시예 및 용례가 작동하는 방식 혹은 본 명세서에서 설명되는 방식으로 한정되지 않는다. 또한, 도면은 단순화한 도면 또는 부분적인 도면을 나타낼 수 있으며, 도면에서 구성요소의 치수는 과장될 수 있거나 또는 그렇지 않으면 명료성을 위해 비례하지 않을 수 있다. 또한, "~ 상에" 및 "~에 부착되는"이라는 용어가 본 명세서에서 사용되는 경우에는, 하나의 대상물이 다른 대상물 상에 바로 위치하거나 다른 대상물 상에 부착되는지 여부와 무관하게 또는 하나 이상의 게재물이 상기 하나의 대상물과 상기 다른 대상물 사이에 존재하는지 여부와 무관하게, 하나의 대상물(예컨대, 재료, 층, 기판 등)이 다른 대상물 "위에" 있을 수 있거나 혹은 다른 대상물에 "부착될" 수 있다. 또한, 방향이 제시되는 경우, 이들 방향(예컨대, 위, 아래, 상부, 하부, 측부, 상방, 하방 "x", "y", "z" 등)은 상대적인 것이며, 단지 예로서 예시와 설명의 편의를 위해 비한정적인 방식으로서 제시되는 것이다. 또한, 나열된 구성요소[예컨대, 구성요소(a, b, c)]를 지칭하는 경우, 이는 자체로 나열된 구성요소 중 임의의 하나, 모든 나열된 구성요소보다는 적은 구성요소의 임의의 조합, 및/또는 모든 나열된 구성요소의 조합을 포함하려는 의도이다.

도 1a는 본 발명의 일부 실시예에 따른 기판(102) 상의 탄소 나노튜브를 포함하는 1군의 예시적인 컬럼(104)을 도시하고 있다. [기판(102)은 성장 기판, 중간 기판, 또는 제품 기판일 수 있으며, 기판(102)은 배선 기판 또는 제품 기판의 비한정적인 예일 수 있다.] 기판(102) 상에 15개의 컬럼(104)이 도시되어 있지만, 더 많은 컬럼 또는 더 적은 컬럼(104)이 기판(102) 상에 있을 수 있다. 실제로, 수백 또는 수천 개의 컬럼(104)이 기판(102) 상에 있을 수 있다. 공지된 바와 같이, 탄소 나노튜브는 한 덩어리로 서로 얽혀 있을 수 있는 섬유와 유사한 구조일 수 있으며, 컬럼(104)은 복수 개의 탄소 나노튜브가 서로 얽혀있는 덩어리를 포함할 수 있다. 컬럼(104)은 이에 따라 탄소 나노튜브 컬럼이라 부를 수 있다.

공지된 바와 같이, 개별 탄소 나노튜브는 탄소 나노튜브의 벽의 개수 및 벽 (들)의 두께, 탄소 나노튜브의 직경, 및 탄소 나노튜브의 키랄성(chirality)(롤링 각도)을 포함하면서도 이로써 한정되지 않는 다수의 속성을 가질 수 있다. 또한, 서로 얽혀 컬럼(104)과 유사한 구조를 형성하는 1군의 탄소 나노튜브는 해당 군 내의 개별 탄소 나노튜브들 사이의 평균 간격, 해당 군 내의 탄소 나노튜브의 평균 길이, 및 해당 군 내의 탄소 나노튜브의 정렬 또는 배향을 포함하면서도 이로써 한정되지는 않는 다수의 속성을 가질 수 있다.

각각의 컬럼(104)에서의 탄소 나노튜브는 임의의 특정 개수의 벽, 벽 두께, 직경, 또는 키랄성을 갖는 것으로 한정되지 않을 뿐만 아니라, 탄소 나노튜브들 사이의 특정 평균 간격, 평균 길이 또는 정렬로 한정되는 컬럼(104)을 형성하는 탄소 나노튜브로 한정되지 않는다. 그러나, 일부 실시예에 있어서, 각각의 컬럼(104)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함할 수 있다. 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼은 "수직 정렬된" 탄소 나노튜브 컬럼이라 부를 수 있다. 본 명세서에서 설명하는 탄소 나노튜브의 임의의 컬럼은, 컬럼(104)을 포함하지만 이로써 한정되지는 않으며, 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 컬럼을 구성하는 탄소 나노튜브의 대부분(즉, 50 % 이상)이 컬럼의 일단부[예컨대, 단부(108)]에서 시작하여 대향 단부[예컨대, 단부(106)]에서 끝나는 컬럼의 길이를 따라 연속적인 경로를 형성하는 경우, 탄소 나노튜브의 컬럼[예컨대, 컬럼(104)]은 "수직 정렬되어" 있게 된다. 하나의 컬럼(104)의 측면도를 도시하는 도 1b 및 도 1c는 예를 도시하고 있다. 도 1b 및 도 1c에는, 컬럼(104)을 구성하는 소수의 탄소 나노튜브(110)가 도시되어 있 다. 그러나, 컬럼(104)은 수천 또는 수십만 개의 이러한 탄소 나노튜브(110)를 포함할 수 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브(110)는 휘어지고/휘어지거나 연사될 수 있으며, 이에 따라 하나의 탄소 나노튜브는 다른 탄소 나노튜브와 서로 얽혀 있을 수 있다. 도 1b에서는, 하나의 탄소 나노튜브(110a)가 두드러지게 도시되어 있으며, 도시되어 있는 바와 같이 탄소 나노튜브(110a)는 컬럼(104)의 단부(106, 108)에서 시작되고 종료되며, 탄소 나노튜브(110a)는 단부(106, 108)들 사이에서[즉, 컬럼(104)의 길이(L)를 따라] 연속된다. [단부(106)는 기부 단부, 접촉 단부, 제1 단부, 또는 제2 단부의 비한정적인 예일 수 있으며, 마찬가지로 단부(108)는 기부 단부, 접촉 단부, 제1 단부, 또는 제2 단부의 비한정적인 예일 수 있다.] 도 1c에 있어서는, 또 다른 탄소 나노튜브(110b)가 두드러지게 도시되어 있고, 도시되어 있는 바와 같이, 탄소 나노튜브(110b)는 또한 컬럼(104)의 단부(106, 108)에서 시작되고 종료되며, 탄소 나노튜브(110b)는 단부(106, 108)들 사이에서[즉, 컬럼(104)의 길이(L)를 따라] 연속된다. 따라서, 탄소 나노튜브(110a 및 110b) 양자는 앞서의 정의에 따라 "수직 정렬되어 있으며", 또한 도 1a에서의 컬럼(104) 내의 탄소 나노튜브의 대다수(즉, 적어도 50%)가 "수직 정렬" 되어있는 경우에, 이러한 컬럼(104)은 "수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼"이라 부를 수 있다. 일부 실시예에 있어서는, 컬럼(104)에서 50 %를 초과하는 비율의 탄소 나노튜브가 수직 정렬되어 있을 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브 중 60 %, 70 %, 75 %, 80 %, 90 %, 95 %, 98 %, 99 % 또는 더 큰 비율의 탄소 나노튜브가 수직 정렬되어 있을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 단일 탄소 나노튜브는, 하나 위에 다른 하나가 바로 성장되어 연속된 경로를 형성하는 복수 개의 튜브를 포함할 수 있다. 예를 들면, 이러한 튜브는 후술하는 예시적인 고정 촉매 방법과 유사한 고정 촉매 성장 방법을 이용하여 성장될 수 있다.

컬럼(104)을 성장시키기 위한 다수의 공정이 존재하며, 이때 컬럼은 전술한 바와 같이 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼(104)일 수 있고, 컬럼(104)을 성장시키기 위해 임의의 공지된 공정 또는 향후 개발되는 공정이 사용될 수 있다. 부유 촉매 공정 및 고정 촉매 공정은 컬럼(104)을 성장시키기 위한 2가지 예시적이고 비한정적인 공정이다. 일반적으로 말하면, 부유 촉매 공정 및 고정 촉매 공정에 있어서, 컬럼(104)은 촉매와 탄소 소스가 존재하는 성장 표면 상에서 성장할 수 있다. 또한, 언급한 바와 같이, 컬럼(104)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼으로서 성장될 수 있다.

도 2 내지 도 5는 본 발명의 일부 실시예에 따라 컬럼(104)과 유사한 컬럼을 성장시키는 부유 촉매 공정의 비한정적인 예를 도시하고 있다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 기판(202)이 마련될 수 있다. 기판(202)은 컬럼을 지지하기에 적절한 임의의 구조일 수 있다. 적절한 기판(202)의 비한정적인 예는 반도체 웨이퍼, 세라믹 기판, 유기 재료를 포함하는 기판, 무기 재료를 포함하는 기판, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 성장 재료(300)는 기판(202) 상에 증착될 수 있거나, 또는 대안으로 기판(202)에 성장 재료(300)가 마련될 수 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 성장 재료(300)의 표면(302)은, 그 위에 탄소 나노튜브 컬럼이 성장될 수 있는 성장 표면(302)일 수 있다. 성장 재료(300)는 탄소 나노튜브 컬럼을 성장시키기에 적절한 임의의 재료일 수 있다. 예를 들면, 성장 재료(300)는 산화물 박막을 갖는 임의의 재료일 수 있거나, 또는 재료 위에 산화물 박막이 형성되어 성장 표면(302)이 산화물을 포함할 수 있도록 한다. 예를 들면, 성장 재료(300)는 실리콘 재료일 수 있으며, 성장 표면(302)은 이 실리콘 재료 상의 산화물 박막을 포함할 수 있다. 따라서, 도 3에서의 구성요소(300 및 302)는 구별되는 층일 수 있다. 또한, 기판(202)은 실리콘 기판(예컨대, 가공되지 않은 실리콘 웨이퍼)일 수 있으며, 이 경우 기판(202) 및 성장 재료(300)는 동일한 층(즉, 실리콘 기판)일 수 있다. 성장 재료(300)는 산화물 박막을 갖는 재료로 한정되지 않는다. 예를 들면, 성장 재료(300)는 석영일 수 있다.

도 4a 및 도 4b(각각 사시도 및 측단면도를 도시함)에 도시된 바와 같이, 마스킹 층(402)은 성장 표면(302) 상에 증착될 수 있으며, 마스킹 층(402)에 개구(404)가 형성되어 성장 표면(302) 중 선택된 영역을 노출시킬 수 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 탄소 나노튜브 컬럼(도 5에서의 502)은 개구(404)를 통해 노출되는 성장 표면(302)의 영역 상에서 성장될 수 있다. 따라서, 개구(404)는 성장될 탄소 나노튜브 컬럼의 요구되는 위치 및 단면 형상에 대응하는 위치 및 패턴일 수 있다. 마스킹 층(402)은 성장 표면(302)에 걸쳐 증착 가능한 임의의 재료(들)를 포함할 수 있으며, 개구(404)를 구비할 수 있다. 예를 들면, 마스킹 층(402)은 성장 표면(302) 상의 블랭킷 층에 증착 가능한 광반응성 재료(예컨대, 포토 레지스트 재료)를 포함할 수 있으며, 증착 이후에는 광반응성 재료 중 선택된 부분을 광 에 노출시킴으로써 경화시킬 수 있고, 재료 중 경화되지 않은 부분은 제거되어 개구(404)를 형성한다. 마스킹 층(402)에 적절한 재료의 또 다른 비한정적인 예는, 개구(404)를 포함하는 패턴으로 증착 가능하거나 또는 증착된 이후에 개구(404)를 구비하도록 패턴화가 가능한 임의의 재료를 포함한다. 금은 이러한 재료의 비한정적인 예이다.

도 4a 및 도 4a와 관련된 구문 그리고 본 설명의 다른 부분에서의 다른 도면 및 이 도면과 관련된 구문에서는, 정사각형 타입의 단면을 예시하고 있지만 정사각형 타입의 단면은 단순히 설명의 편의를 위해 사용된 것이다. 다른 단면도 마찬가지로 가능하며, 명백하게 고려된다. 예를 들면, 원형, 환형(또는 도우넛 형태), 삼각형뿐만 아니라 다른 단면 형상도 또한 사용 가능하다.

도 5a 및 도 5b(각각 사시도 및 측단면도를 도시함)에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브 컬럼(504)은 개구(404)를 통해 노출된 성장 표면(302)의 영역 상에서 성장될 수 있다. 컬럼(504)은 적절한 분위기 조건 하에서 탄소 소스 및 촉매를 포함하는 재료(예컨대, 가스)를 제공함으로써 성장될 수 있다. 예를 들면, 성장 표면(302) 및 마스킹 층(402)을 구비한 기판(202)은 노(도시 생략됨)와 같은 엔클로저의 내부에 배치될 수 있으며, 엔클로저의 내부는 가열될 수 있고, 탄소 소스 및 촉매를 포함하는 가스는 엔클로저 내부로 도입될 수 있다(예컨대, 펌핑됨). 특정 촉매 재료, 탄소 소스 재료, 임의의 다른 재료, 및 이들 재료의 혼합과 농도뿐만 아니라 특정 분위기 조건(예컨대, 온도)은 "레서피(recipe)"라고 부를 수 있으며, 임의의 레서피는 성장 표면(302) 상에서 탄소 나노튜브를 성장시키기에 적절하다.

다음은 컬럼(504)을 성장시키기 위해 사용 가능한 비한정적이고 예시적인 레서피이다. 기판(202)은 노(도시 생략됨) 내에 배치될 수 있고, 노는 섭씨 약 750 도까지 가열될 수 있다. 탄소 소스로서의 크실렌(C₈H₁₀) 및 촉매로서의 페로센[Fe(C₅H₅)₂]을 포함하는 가스는 캐리어 가스(예컨대, 아르곤 또는 다른 일반적인 불활성 가스)와 혼합될 수 있으며, 노(도시 생략됨) 내로 도입된다(예컨대, 펌핑됨). 일부 실시예에 있어서, 캐리어 가스와 혼합되는 크실렌에 대한 페로센의 비율은 크실렌 100 밀리리터당 약 1 그램의 페로센의 비율일 수 있으며, 페로센/크실렌 혼합물은 시간당 약 6 밀리리터의 속도로 섭씨 약 150 도의 온도에서 캐리어 가스와 혼합될 수 있다. 전술한 레서피는 수직 정렬되는 컬럼(504)을 생성할 수 있다. 언급한 바와 같이, 전술한 레서피는 단지 예일 뿐이며, 탄소 소스 및 촉매를 포함하는 다른 재료를 사용할 수 있다. 또한, 성장 표면(302)은 섭씨 750 도가 아닌 온도에서 전술한 촉매 및 탄소 소스에 노출될 수 있다.

사용되는 특정 레서피와 무관하게, 특정 온도에서 탄소 소스 및 촉매를 포함하는 재료에 대한 성장 표면(302)의 노출에 의해, 도 5a 및 도 5b에 대체로 도시된 바와 같이 마스킹 층(402)에서 개구(404)를 통해 노출된 성장 표면(302)의 영역으로부터 컬럼(504)이 성장되도록 할 수 있다. [2개의 컬럼(504)이 기판(202)으로부터 성장되는 것으로 도시되어 있지만, 더 많은 컬럼 또는 보다 적은 컬럼(504)이 기판(202)으로부터 성장될 수 있다.] 언급한 바와 같이, 컬럼(504)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다. 컬럼(504)은 도 1a의 컬럼(104)의 예일 수 있으 며, 기판(202)은 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(504)을 포함할 수 있고, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 기판(202)을 포함할 수 있다. 따라서, 도 2 내지 도 5b에 도시된 공정은 컬럼(104)을 성장시킬 수 있는 예시적인 한 가지 방법이다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일부 실시예에 따른 컬럼(104)과 유사한 컬럼을 성장시키는 고정 촉매 공정의 비한정적인 예를 도시하고 있다. 처음에, 앞서의 도 2에서와 같이 기판(202)이 마련된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼층(602)이 기판(202) 상에 증착될 수 있으며, 패턴화된 촉매층(604)이 버퍼층(602) 상에 형성될 수 있다. 도 6 및 도 7에는 도시되어 있지 않지만, 버퍼층(602)도 또한 패턴화될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(602)은 패턴화되어 촉매층(604)과 대체로 동일하거나 유사한 패턴을 가질 수 있다. 촉매층(604)은, 대체로 전술한 바와 같이 탄소 소스의 존재 하에서 탄소 나노튜브(수직 정렬될 수 있음)가 성장하도록 할 수 있는 촉매 재료를 포함할 수 있다. 버퍼층(602)은 기판(202)과 촉매층(604) 사이에 버퍼를 제공할 수 있다. 버퍼층(602)은 촉매 재료와 상당한 정도로 반응하지 않고/않거나 탄소 소스 재료와 상당한 정도로 반응하지 않는 임의의 재료일 수 있다. 알루미늄 산화물(Al₂O₃)은 적절한 버퍼층(602)의 비한정적인 예이다. 촉매층(604)은 탄소 소스의 존재 하에서 탄소 나노튜브가 성장하도록 할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 촉매층(604)은 단지 버퍼층(602)의 선택된 영역 상에만 촉매 재료를 증 착함으로써 형성될 수 있다. 대안으로, 촉매층(604)은, 버퍼층(602) 상의 재료의 블랭킷 층으로서 촉매 재료를 증착하고 이후에 증착된 촉매 재료 중 선택된 부분을 제거함으로써 형성될 수 있으며, 이에 따라 촉매층(604)(예컨대, 도 6에 도시된 바와 같음) 상에서 성장될 탄소 나노튜브 컬럼의 요구되는 위치 및 단면 형상에 대응하는 패턴 및 형상의 촉매 재료가 남게 된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브 컬럼(704)은 패턴화된 촉매층(604) 상에서 성장될 수 있다. 컬럼(704)은 적절한 분위기 조건 하에서 탄소 소스를 포함하는 재료(예컨대, 가스)를 제공함으로써 성장될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(602) 및 촉매층(604)을 구비한 기판(202)(도 6에 도시된 바와 같음)은 노(도시 생략됨)와 같은 엔클로저의 내부에 배치될 수 있으며, 엔클로저의 내부는 가열될 수 있고, 탄소 소스를 포함하는 가스는 엔클로저의 내부로 도입될 수 있다(예컨대, 펌핑됨). 촉매층(604)을 구성하는 특정 재료, 탄소 소스를 구성하는 특정 재료, 및 임의의 다른 재료, 그리고 이들 재료의 농도와 혼합뿐만 아니라 특정 분위기 조건(예컨대, 온도)은 "레서피"라고 부를 수 있으며, 촉매층(604) 상에 탄소 나노튜브를 성장시키기에 적절한 임의의 레서피가 컬럼(704)을 성장시키기 위해 사용될 수 있다.

다음은 컬럼(704)을 성장시키기 위해 사용될 수 있는 예시적이고 비한정적인 레서피이다. 촉매층(604)은 임의의 전이 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 촉매층(604)은 철(Fe)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 촉매층은 철(Fe)로 된 층을 포 함할 수 있고, 버퍼층(602)은 알루미늄 산화물(Al₂O₃)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 알루미늄 산화물(Al₂O₃) 박막에 대한 철(Fe) 박막의 두께는 10 부의 알루미늄 산화물(Al₂O₃)에 대해 약 1.2 부의 철(Fe)일 수 있다. 기판(202)은 노(도시 생략됨)에 배치될 수 있으며, 노는 섭씨 약 750 도까지 가열될 수 있고, 탄화수소 가스가 노 내부에 도입될 수 있다. 이러한 조건 하에서, 촉매층(604)은, 탄화수소 가스 내의 탄소로부터 패턴화된 촉매층(604) 상에서 탄소 나노튜브가 성장하는 것에 대해 촉매 작용을 할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 기판(202)을 노(도시 생략됨) 내에 배치한 후에, 노는 다음과 같이 작동할 수 있다. 노가 섭씨 약 0 도의 온도인 약 10 분 동안, 불활성 가스(예컨대, 아르곤)는 분당 약 400 표준 입방 센티미터(sccm)의 유량으로 노를 통해 펌핑될 수 있다. 이후에, 노(도시 생략됨) 내부의 온도가 섭씨 0 도에서 섭씨 750 도로 변하는 약 15 분 동안, 그리고 그 후 상기 온도가 섭씨 750 도로 유지되는 약 10 분 동안, 불활성 가스는 약 400 sccm의 유량으로 노를 통해 지속적으로 펌핑될 수 있다. 이후, 상기 온도가 섭씨 약 750 도로 유지되는 약 5 분 동안, 수소(H₂)를 함유하는 가스는 약 400 sccm으로 노(도시 생략됨)를 통해 유동하는 불활성 가스와 혼합될 수 있다. 예를 들면, 수소를 함유하는 가스는 약 40 부의 H₂ 대 약 15 부의 Ar의 비율인 H₂/Ar일 수 있다. 이때, 탄소 소스는, 노를 섭씨 750 도로 유지하는 동안 노를 통해 유동하는 불활성 가스에 첨가될 수 있다. 예를 들면, 탄소 소스는 약 10 부의 C₂H₄, 40 부의 H₂ 및 10 부의 Ar의 비율로 C₂H₄/H₂/Ar을 포함하는 가스일 수 있으며, 이에 따라 가스 내의 탄소로부터 촉매층(604) 상에, 도 7에 도시된 바와 같이 탄소 나노튜브가 성장될 수 있도록 한다. 컬럼(704)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼으로서 촉매층(604)으로부터 성장될 수 있다. 언급한 바와 같이, 이상의 레서피는 단지 예시적인 것이며, 다른 재료는 촉매층(604)을 포함할 수 있고, 탄소의 다양한 소스를 이용할 수 있다. 또한, 촉매층(604)은 섭씨 750 도가 아닌 온도로 앞서의 탄소 소스에 노출될 수 있다. 또한, 다양한 가스 혼합물, 유량 및 시간이 사용될 수 있다.

사용되는 특정 레서피와 무관하게, 특정 온도에서 탄소 소스에 촉매층(604)이 노출되면 도 7에 대체로 도시된 바와 같이 촉매층(604)으로부터 컬럼(704)이 성장하도록 할 수 있다. [2개의 컬럼(704)이 기판(202)으로부터 성장하는 것으로 도시되어 있지만, 더 많은 컬럼 또는 보다 적은 컬럼(704)이 기판(202)으로부터 성장될 수 있다.] 컬럼(704)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다. 컬럼(704)은 도 1에서의 컬럼(104)의 예일 수 있으며, 기판(202)은 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(704)을 포함할 수 있으며, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 기판(202)을 포함할 수 있다. 도 6 및 도 7에 도시된 공정은 이에 따라 컬럼(104)이 성장될 수 있는 또 다른 예시적인 방식이다.

컬럼을 성장시키기 위해 사용되는 공정-부유 촉매 공정, 고정 촉매 공정, 또 는 컬럼(104)을 성장시키는 또 다른 공정-과 무관하게, 그 위에서 컬럼(104)이 성장하는 기판은 제품 기판의 일부 또는 전부일 수 있으며, 이때 제품 기판 상의 컬럼(104)은 최종적인 용례에서 사용될 것이다. 대안으로, 그 위에서 컬럼(104)이 성장하는 기판은 희생 기판일 수 있으며, 컬럼은 이 희생 기판으로부터 중간 기판 또는 제품 기판으로 전달될 수 있다. 따라서, "성장 기판"(즉, 그 위에서 컬럼이 성장하는 기판)은 제품 기판 또는 희생 기판의 일부 또는 전부일 수 있다. 컬럼(104)이 희생 기판 상에서 성장된다면, 컬럼은 임의의 적절한 방식으로 중간 기판 또는 제품 기판에 전달될 수 있다. 도 8 및 도 9는 컬럼(104)을 또 다른 기판으로 전달하는 비한정적이고 예시적인 공정을 도시하고 있다.

도 8은, 예컨대 도 2 내지 도 5b 또는 도 6 및 도 7에 도시된 공정 중 하나에 따라 기판(102) 상에서 컬럼(104)이 성장하는 기판(102)을 도시하고 있다. 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 컬럼(104)의 단부(106)는 컬럼(104)이 전달될 기판(802) 상에 증착된 접착제(804)(예컨대, 점착성 재료 또는 접착제를 포함하는 재료)와 접촉하게 될 수 있다. 접착제(804)는 예컨대 에폭시일 수 있으며, 이는 경화 가능한 에폭시일 수 있다. 언급한 바와 같이, 기판(802)은, 컬럼(104)이 최종적인 용례에서 사용되는 제품 기판일 수 있거나, 또는 중간 기판일 수 있으며 컬럼(104)은 나중에 이 중간 기판으로부터 전달된다. [기판(802)은 배선 기판의 비한정적인 예일 수 있다.] 도 9에 도시된 바와 같이, 일단 컬럼(104)의 일단부(106)(도 8 참고)가 접착제(804)에 의해 기판(802)에 부착되면, 기판(102)은 컬럼(104)으로부터 분리될 수 있거나 다른 방식으로 제거될 수 있다.

접착제(804)는 컬럼(104)의 단부(106)를 접합시키는 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 접착제(804)는, 컬럼(104)이 기판(102)에 부착되는 것보다 더 강력한 접착력으로 컬럼(104)의 단부(106)를 기판(802)에 접합시키는 재료일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 접착제(804)는, 경화되지 않은 상태로 있을 때 대체로 액체 혹은 반액체이거나 또는 그렇지 않으면 유동 가능하거나 반유동 가능한 상태일 수 있는 경화 가능한 재료일 수 있다. 컬럼(104)의 단부(106)는 접착제가 경화되는 동안 접착제(804)와 접촉한 채로 유지될 수 있다. 대안으로 또는 추가로, 접착제(804)는 전기 전도성일 수 있다. 예를 들면, 접착제(804)는 전기 전도성 재료를 포함할 수 있다. 적절한 접착제(804)의 비한정적인 예는 전기 전도성 에폭시와 같은 에폭시를 포함한다.

도 8 및 도 9에 도시된 전달 공정은 단지 예시적인 것이며, 다수의 변경이 가능하다. 도 10은 비한정적인 변형을 도시하고 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 접착체(804)(도 8 참고)는 접착제(804)의 증착물(804')로서 패턴화될 수 있다. 예를 들면, 접착제(804)는 단지 도 10에 도시된 증착물(804')의 패턴으로 선택적으로 증착될 수 있다. 대안으로, 접착제(804)는 도 8에 도시된 바와 같이 블랭킷 층 으로 증착될 수 있고 선택된 부분의 접착제(804)를 제거할 수 있으며, 이에 따라 도 10에 도시된 접착제(804)의 증착물(804')이 남게 된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 접착제(804)의 증착물(804')은 컬럼(104)의 단부(106)의 패턴에 대응하는 패턴일 수 있으며, 컬럼(104)의 단부(106)는 접착제(804)의 증착물(804')과 접촉하게 될 수 있다. 이와 다른 경우, 도 10에서의 기판(802)에 대한 컬럼(104)의 전달은 도 8 및 도 9에 도시되고 전술한 바와 같은 기판(802)에 대한 컬럼(104)의 전달과 유사할 수 있다. 정사각형과 유사하게 도시되어 있지만, 증착물(804')의 패턴은 정사각형 이외의 패턴(예컨대, 원의 패턴)일 수 있다.

도 8 및 도 9에 도시된 예시적인 전달 공정의 또 다른 추가적인 변형도 가능하다. 예를 들면, 컬럼(104)의 단부(106)를 도 9에 도시된 바와 같이 접착제(804)에 접착시킨 이후에, 그리고 필요하다면 접착제(804)를 경화시킨 후에, 접착제(804)의 일부를 기판(802)으로부터 제거할 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)의 단부(106)와 기판(802) 사이의 접착제를 제외하고는 실질적으로 모든 접착제(804)를 제거할 수 있다.

컬럼(104)을 전달하는 공정은 컬럼(104)을 전자 장치로 전달하는 단계를 포함할 수 있으며, 이때 컬럼(104)은 전기 전도성 상호접속 구조(예컨대, 스프링 프로브 또는 다른 유형의 스프링 접촉 구조체)일 수 있고, 이들 구조는 전자 장치 상의 전기 단자, 트레이스, 또는 다른 전도성 소자에 부착되고 전기 접속된다. 도 11a 및 도 11b(각각 사시도 및 측단면도를 도시함)는 비한정적인 예를 도시하고 있다.

도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 컬럼(104)은 예컨대 전도성 접착제(1104), 즉 배선 기판(1102)(제품 기판일 수 있음)의 단자(1106)(또는 다른 전기 소자)에 부착될 수 있고, 상기 배선 기판은 회로 소자(예컨대, 집적 회로, 레지스터, 커페시터, 트랜지스터, 등. 도시 생략)와 같은 전기 소자 및/또는 다른 단자(1110)에 대한 내부 배선(1108)(예컨대, 전기 전도성 트레이스 및/또는 비아)을 포함할 수 있다. [배선(1108)은 전기 접속부의 비한정적인 예일 수 있다.] 배선 기판(1102)은, 스프링 프로브 또는 다른 유형의 스프링 접촉 구조체와 같은 탄성 상호접속 구조로서 컬럼(104)이 사용되는 전자 장치(도시 생략)일 수 있거나, 이러한 전자 장치의 일부일 수 있다. 배선 기판(1102)은, 예컨대 인쇄 회로 기판 또는 멀티플레이어 세라믹 배선 기판과 같은 배선 기판일 수 있다. 추가적으로, 배선 기판(1102)은 전기 회로가 내부에 집적된 반도체 다이일 수 있다. 추가적으로, 배선 기판(1102)은 컬럼이 부착될 수 있는 다른 유형의 기판(예컨대, 반도체 웨이퍼)일 수 있다. 또한, 다수의 배선 기판(1102)은 다양한 방식으로(유지 구조 또는 지지 구조에 접착되거나 또는 장착되는 것과 같은 방식으로) 다른 배선 기판(1102)과 조합되어 복합 배선 기판 또는 복합 제품 기판(도시 생략)을 형성할 수 있다.

컬럼(104)을 단자(1104)에 부착할 수 있는 다수의 방법이 있다. 예를 들면, 도 8 내지 도 10에서의 기판(802)은 전도성 재료(예컨대, 구리와 같은 전도성 금속)로 된 시트일 수 있다. 기판(802)에 컬럼(104)을 부착하기에 앞서, 예를 들면 도 8 및 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같은 기판(802)이 배선 기판(1102)에 부착되어 있을 수 있다. 예를 들면, 기판(802)은 처음에 배선 기판(1102)의 외측 전도층일 수 있다. 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같이 컬럼(104)을 기판(802)에 부착한 이후에, 기판(802)의 일부는 (예컨대, 에칭에 의해) 제거될 수 있고, 이에 따라 단자(1106)가 남게 되며, 이 단자는 따라서 기판(802)의 잔존물(또는 제거되지 않은 부분)일 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 접착제(1104)는 도 8 및 도 9에서의 접착제(804)의 잔존물일 수 있거나, 또는 도 10에서의 접착제(804)의 증착 물(804')일 수 있다. 대안으로, 컬럼(104)을 도 8 및 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같이 기판(802)에 부착한 이후에, 기판(802)을 배선 기판(1102)에 부착할 수 있으며, 그 후 기판(802)의 선택적인 부분을 제거하여 전술한 바와 같이 단자(1106)를 형성할 수 있다.

또한, 또 다른 대안으로서, 컬럼(104)은 도 10에 대체로 도시된 바와 같이 배선 기판(1102)의 단자(1106)로 전달될 수 있다. 예를 들면, 도 10에서의 기판(802)은 배선 기판(1102)으로 대체될 수 있으며, 접착제(804)의 증착물(804')은 배선 기판(1102)의 단자(1106) 상에 있을 수 있다. [9개의 단자(1106)가 도시되어 있지만, 더 많거나 또는 더 적은 단자가 있을 수 있다.] 이때 컬럼(104)의 단부(106)는 접착제(804)의 증착물(804')과 접촉하게 될 수 있고, 기판(102)은 전술한 바와 같이 컬럼(104)으로부터 분리될 수 있다. 접착제(804)가 경화 가능한 재료라면, 증착물(804')은 기판(102)을 컬럼(104)으로부터 벗겨내기 이전에 경화될 수 있다.

다시 도 1 내지 도 10을 참고하면, 도 2 내지 도 7에 도시된 컬럼(104) 제작 공정, 그리고 도 8 내지 도 11b에 도시된 또 다른 기판에 대한 컬럼(104) 전달 공정은 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형이 가능하다. 도 12 내지 도 14는 일부 예시적인 변형을 도시하고 있다.

도 12는 도 3에 대체로 도시된 바와 같이 성장 표면(302)을 갖춘 성장 재료(300)를 구비한 기판(202)을 도시하고 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)[예컨대, 연속적인 박막 또는 연속적인 포레스트(forest)] 는 성장 표면(302) 상에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 탄소 나노튜브는 마스킹 층(402)이 포함되지 않는다는 점을 제외하고는 전술한 바와 같이 도 5a 및 도 5b에서 컬럼(504)이 성장되는 방식과 동일한 방식으로 성장될 수 있으며, 성장 표면(302)의 노출된 영역은 마스킹 층(402)에서의 개구(404)로 한정되지 않는다. 오히려, 탄소 나노튜브는 실질적으로 모든 성장 표면(302)으로부터 성장할 수 있으며, 이에 따라 도 12에 도시된 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)를 생성한다. 덩어리(1204)를 형성하는 탄소 나노튜브는 수직 정렬될 수 있으며, 덩어리(1204)는 이에 따라 수직 정렬된 탄소 나노튜브의 덩어리일 수 있다.

탄소 나노튜브의 덩어리(1204)는 대안으로 다른 방법을 사용하여 성장될 수 있으며, 예를 들어 이러한 다른 방법에는 도 6 및 도 7에 도시된 예시적인 고정 촉매 방법과 같은 고정 촉매 방법이 포함될 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 도 12 내지 도 14에서의 성장 재료(300)는, 촉매층(604)이 연속적인 블랭킷 층일 수 있다는 점을 제외하고는 도 6에 도시된 촉매층(604)과 유사한 촉매층 및 버퍼층(602)과 유사한 버퍼층으로 대체될 수 있다. 탄소 나노튜브는 이때 도 7과 관련하여 대체로 전술한 바와 같이 촉매층으로부터 성장될 수 있으며, 이에 따라 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)가 생성될 수 있다.

도 13에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)의 단부(1206)는 도 10의 기판(802) 상의 접착제(804)의 증착물(804')과 접촉하게 될 수 있다. 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)의 단부(1206) 부분은 이에 따라 기판(802) 상의 접착제의 증착물(804')에 의해 기판(802)에 부착될 수 있다. 접착제(804)의 증착 물(804')은, 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)가 기판(202)에 부착되는 것보다 더 큰 접착력으로 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)에 부착될 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)가 기판(802)으로부터 멀리 이동될 때, 탄소 나노튜브의 컬럼(1404)은 탄소 나노튜브의 덩어리(1204)로부터 뽑혀 나오고 이에 따라 분리될 수 있다. 탄소 나노튜브 컬럼(1404)은 접착제(804)의 증착물(804')에 의해 기판(802)에 부착되는 나노튜브의 덩어리(1204) 부분에 대응할 수 있다. 9개의 컬럼(1404)이 도 14에 도시되어 있지만, 더 많거나 또는 더 적은 컬럼(1404)이 덩어리(1204)로부터 뽑혀져 나올 수 있다.

도 12 내지 도 14에 도시된 공정은, 이에 따라 도 1에서의 컬럼(104)을 제작하는 또 다른 예시적인 공정이며, 따라서 컬럼(1404)은 컬럼(104)의 예일 수 있다. 기판(802)은 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(1404)을 포함할 수 있으며, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 기판(802)을 포함할 수 있다. 컬럼(1404)은 도 11a 및 도 11b와 관련하여 전술한 임의의 방식으로 도 11a 및 도 11b에서의 단자(1106)에 부착될 수 있다.

도 2 내지 도 10 및 도 12 내지 도 14에 도시된 예는 희생 기판(202) 상의 컬럼[504 또는 704 또는 1404[덩어리(1204)의 일부로서 성장됨]]의 성장을 도시하고 있지만, 컬럼(104)과 유사한 탄소 나노튜브 컬럼은 대안으로 제품 기판(예컨대, 최종 용례에서 사용되는 컬럼이 해당 기판 상에 있는 기판임) 상에서 성장될 수 있다. 도 15a 내지 도 16b는, 탄소 나노튜브의 컬럼(1604)(수직 정렬된 탄소 나노튜 브 컬럼일 수 있음)이 배선 기판(1502)(제품 기판일 수 있음) 상에서 성장될 수 있는 예를 도시하고 있다.

도 15a 및 도 15b(각각 평면도 및 측단면도를 도시하고 있음)에 도시된 바와 같이, 배선 기판(1102)과 동일하거나 또는 유사할 수 있는 배선 기판(1502)은 내부 배선(1508)(예컨대, 전기 전도성 트레이스 및/또는 비아)에 의해 회로 소자(예컨대, 집적 회로, 레지스터, 커패시터, 트랜지스터 등. 도시 생략됨)와 같은 전기 소자(도시 생략됨)에 또는 다른 단자(1510)에 전기 접속되는 전기 단자(1504)(4개가 도시되어 있지만 더 많거나 또는 더 적을 수 있음)를 포함할 수 있다. [배선(1508)은 전기 접속부의 비한정적인 예일 수 있다.] 도 16a 및 도 16b를 참고하면, 컬럼(1604)은 본 명세서에서 설명되거나 언급된 탄소 나노튜브의 컬럼의 성장을 위한 임의의 공정 또는 기법을 이용하여 단자(1504) 상에서 성장될 수 있다.

예를 들면, 컬럼(1604)은 도 2 내지 도 5b에 도시되고 이들 도면과 관련하여 전술한 부유 촉매 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 도 16a 및 도 16b(각각 평면도 및 측단면도를 도시하고 있음)에 도시된 바와 같이, 성장 표면(1602)을 갖춘 재료(1608)는 단자(1504) 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 재료(1608)는 도 3 내지 도 5b에서의 재료(300)와 동일하거나 또는 유사할 수 있으며, 성장 표면(1602)은 성장 표면(302)과 동일하거나 또는 유사할 수 있다. 재료(1608)는 도 2 내지 도 5b에서의 재료(300)와 유사한 블랭킷 재료로서 증착될 수 있으며, 컬럼(1604)이 성장하게 될 위치[예컨대, 단자(1504) 전체에 걸친 위치]를 한정하는 개구(404)와 유사한 개구를 갖춘 마스킹 층(402)과 같은 마스킹 층으로 마스킹될 수 있다. 대안 으로, 재료(1608)는, 단지 컬럼(1604)이 성장하게 될 위치에만[예컨대, 단자(1504) 상에] 재료(1608)가 위치할 수 있도록 패턴화될 수 있다. 컬럼(1604)은 이때 도 5a 및 도 5b와 관련하여 전술한 공정과 같은 부유 촉매 공정을 이용하여 성장 표면(1602)으로부터 성장될 수 있다. 컬럼(1604)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다.

도 6 및 도 7에 도시된 고정 촉매 공정은 단자(1504) 상에서 컬럼(1604)을 성장시키기 위해 사용될 수 있는 공정의 또 다른 예이다. 고정 촉매 공정이 사용된다면, 재료(1608)는 촉매 재료를 포함하는 촉매층일 수 있다. 예를 들면, 재료(1608)는 도 6 및 도 7에서의 촉매층(604)을 포함하는 재료와 동일하거나 또는 유사할 수 있다. 도 6 및 도 7에서의 버퍼층(602)과 동일하거나 또는 유사할 수 있는 버퍼층(도 16a 및 도 16b에는 도시되어 있지 않음)이 단자(1504)와 재료(1608) 사이에 증착될 수 있다. 컬럼(1604)은 이때 도 7과 관련하여 전술한 공정과 같은 고정 촉매 공정을 이용하여 재료(1608)(본 예에서는 촉매층일 수 있음)로부터 성장될 수 있다. 컬럼(1604)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다.

단자(1504) 상에서 컬럼(1604)을 성장시키기 위해 사용되는 공정과 무관하게, 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이 컬럼(1604) 부분 주위에 앵커링 구조체(1606)가 마련될 수 있다. 앵커링 구조체(1606)는 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 대해 컬럼(1604)을 앵커링할 수 있으며, 이에 따라 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 대한 컬럼(1604)의 부착을 향상시킬 수 있다. [단자(1504)는 배선 기판(1502)의 일부일 수 있으므로, 단자(1504)에 대해 컬럼(1604)을 앵커링하는 것은 배선 기판(1502)에 대해 컬럼(1604)을 앵커링하는 것으로 간주할 수 있다.] 앵커링 구조체(1606)는 컬럼(1604)의 단부 부분 주위에 증착하기에 적절한 임의의 재료를 포함할 수 있으며, 앵커링 구조체(1606)를 형성하는 재료는 임의의 적절한 방식으로 증착될 수 있다. 예를 들면, 앵커링 구조체(1606)는 단자(1504) 및 컬럼(1604)의 일부 상에 전기도금된 전기 전도성 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 앵커링 구조체(1606)는 배선 기판(1502) 상에 블랭킷 층으로서 증착되는 광반응성 재료를 포함할 수 있다. 광반응성 재료는 단지 컬럼(1604)의 일부 주위에서만 선택적으로 경화될 수 있으며, 광반응성 재료 중 경화되지 않은 부분은 제거될 수 있다. 또한, 또 다른 예로서, 컬럼(1604)을 성장시키기 위해 부유 촉매 공정이 사용되고 재료(1608)는 처음에 배선 기판(1502) 전체에 걸쳐 블랭킷 층으로서 증착되며 마스킹 층[예컨대, 마스킹 층(402)과 유사함]은 단자(1504) 상에서 재료(1608)를 노출시키는 개구[예컨대, 마스킹 층(402)에서의 개구(404)와 유사함]를 이용하여 재료(1608) 전체에 걸쳐 증착되는 경우, 앵커링 구조체(1606)는 마스킹 층일 수 있으며, 이러한 경우에 앵커링 구조체(1606)는 실질적으로 배선 기판(1502) 전체에 걸쳐 위치할 수 있다. 대안으로, 이러한 마스킹 층(도시 생략됨)은 선택적으로 제거될 수 있으며, 이에 따라 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이 앵커링 구조체(1606)를 형성하는 마스킹 층의 잔존물이 남게 된다. 앵커링 구조체(1606)는 다른 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 앵커링 구조체(1606)는 컬럼(1604) 주위에서 유동 가능한 상태 또는 반유동 가능한 상태로 증착되고 이후에 경화되는 경화 가능한 재료를 포함할 수 있다.

일부 실시예에 있어서, 앵커링 구조체(1606)는 전기 전도성일 수 있으며, 이에 따라 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 컬럼(1604)을 앵커링하는 것 이외에도 단자(1504)에 컬럼(1604)을 또한 전기 접속시킬 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 앵커링 구조체(1606)는 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 대한 컬럼(1604)의 부착 강도를 상당히 증가시키는 역할을 할 필요가 없으며, 이에 따라 앵커링 구조체일 필요가 없다. 이러한 경우에 있어서, 앵커링 구조체(1606)는 단지 단자(1504)에 대해 컬럼(1604)을 전기 접속시키는 역할만을 수행하거나 또는 주로 이러한 역할을 수행할 수 있다.

앵커링 구조체(1606)가 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 대한 컬럼(1604)의 부착 강도를 증가시키는 역할을 수행하는 경우, 이를 이용하여 앵커링 구조체(1608)가 단자(1504) 및/또는 배선 기판(1502)에 대해 컬럼(1604)을 앵커링하는 강도를 향상시키기 위해, 앵커링 구조체(1606)는 컬럼(1604)과는 상이한 열팽창 계수를 갖도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(1604)보다는 단위 온도 변화에 대해 더 많이 팽창할 수 있도록 앵커링 구조체(1606)를 선택할 수 있다. 앵커링 구조체(1606)는 주위 온도보다 낮은 온도에서 컬럼(1604)의 단부 부분 주위에 증착될 수 있으며, 이에 따라 앵커링 구조체(1606)는 주위 온도까지 가온되고 팽창하므로, 컬럼(1604)을 "압박"하게 된다.

도 17a 내지 도 18b는 본 발명의 일부 실시예에 따라 제품 기판 상에서 탄소 나노튜브 컬럼을 성장시키고 제품 기판에 대해 컬럼을 앵커링시키는 또 다른 예시 적인 공정을 도시하고 있다. 도 17a 내지 도 18b는 또한 본 발명의 일부 실시예에 따라 제품 기판 상의 다른 전기 소자에 대해 탄소 나노튜브 컬럼을 전기 접속시키는 또 다른 예시적인 공정을 도시하고 있다.

도 17a 및 도 17b(각각 사시도 및 측단면도를 도시하고 있음)는 예시적인 배선 기판(1702)[제품 기판일 수 있으며 배선 기판(1102 및/또는 1502)과 유사할 수 있음]을 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 배선 기판(1702)은 복수 개의 전기 단자(1704)(2개가 도시되어 있지만 더 많거나 또는 더 적을 수 있음)를 포함할 수 있으며, 이들 단자는 내부 배선(1708)(예컨대, 전도성 트레이스 및/또는 비아)에 의해 회로 소자(예컨대, 집적 회로, 레지스터, 커패시터, 트랜지스터 등. 도시 생략됨)와 같은 전기 소자(도시 생략됨) 및/또는 다른 단자(1710)에 대해 전기 접속될 수 있다. [내부 배선(1708)은 전기 접속부의 비한정적인 예일 수 있다.] 또한 도 17a 및 도 17b에 도시된 바와 같이, 피트(1705; pit)가 배선 기판(1702) 내에 형성(예컨대, 에칭, 절단 등)될 수 있다. 도 18a 및 도 18b(각각 평면도 및 측단면도를 도시하고 있음)에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브의 컬럼(1804)(수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있음)은 피트(1705)에서 성장될 수 있다. 결과적으로, 피트(1705)는 컬럼(1804)이 성장하게 될 위치에 형성될 수 있다.

컬럼(1804)은, 본 명세서에서 설명하거나 언급된 탄소 나노튜브의 컬럼을 성장시키기 위한 임의의 공정 또는 기법을 이용하여 피트(1705) 내에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(1804)은, 도 2 내지 도 5b에 예시되며 도 2 내지 도 5b와 관련하여 전술한 부유 촉매 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이, 성장 표면(1802)을 갖춘 성장 재료(1808)가 피트(1705) 내에 증착될 수 있다. 예를 들면, 재료(1808)는 도 3 내지 도 5b에서의 재료(300)와 동일하거나 또는 유사할 수 있으며, 성장 표면(1802)은 성장 표면(302)과 동일하거나 또는 유사할 수 있다. 컬럼(1804)은 이때 도 5a 및 도 5b과 관련하여 전술한 공정과 같은 부유 촉매 공정을 이용하여 성장 표면(1802)으로부터 성장될 수 있다.

도 6 및 도 7에 도시된 고정 촉매 공정은 피트(1705) 내에서 컬럼(1804)을 성장시키기 위해 이용될 수 있는 공정의 또 다른 예이다. 고정 촉매 공정이 이용되는 경우, 재료(1808)는 촉매 재료를 포함하는 촉매층일 수 있다. 예를 들면, 재료(1808)는 도 6 및 도 7에서의 촉매층(604)을 포함하는 재료와 동일하거나 또는 유사할 수 있다. 도 6 및 도 7에서의 버퍼층(602)과 동일하거나 또는 유사할 수 있는 버퍼층(도 18a 및 도 18b에는 도시되어 있지 않음)은 피트(1705)의 바닥과 피트(1705) 내의 재료(1808) 사이에 증착될 수 있다. 컬럼(1804)은 이때 도 7과 관련하여 전술한 공정과 같은 고정 촉매 공정을 이용하여 재료(1808)(본 예에서는 촉매층임)로부터 성장될 수 있다.

피트(1705) 내에서 컬럼(1804)을 성장시키기 위해 사용되는 공정과 무관하게, 피트(1705)는 배선 기판(1702)에 대해 컬럼(1804)을 앵커링시킬 수 있다. 즉, 컬럼(1804)이 배선 기판(1702)의 피트(1705) 내에 존재한다는 사실은, 배선 기판(1702)에 대해 컬럼(1804)을 앵커링하는 데에 도움이 될 수 있다. 선택적으로, 일부 실시예에 있어서, 앵커링 구조체(1806)는 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이 컬럼(1804) 주위에 그리고 배선 기판(1702) 상에 형성될 수 있다. 앵커링 구조 체(1806)는 또한 배선 기판(1702)에 대해 컬럼(1804)을 앵커링시킬 수 있으며, 이에 따라 추가로 배선 기판(1702)에 대한 컬럼(1804)의 부착을 향상시킬 수 있다.

앵커링 구조체(1806)는 배선 기판(1702) 상에 그리고 컬럼(1804) 주위에 증착하기에 적절한 임의의 재료를 포함할 수 있으며, 이러한 재료는 임의의 적절한 방식으로 증착될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 앵커링 구조체(1806)는 도 16a 및 도 16b에서의 앵커링 구조체(1606)와 유사할 수 있으며, 도 16a 및 도 16b에서의 앵커링 구조체(1606)와 유사하게 형성될 수 있거나 또는 증착될 수 있다. 언급한 바와 같이, 앵커링 구조체(1806)는 전기 전도성일 수 있으며, 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이 앵커링 구조체(1806)는 전기 전도성 트레이스(1807)에 전기 접속될 수 있고, 이는 배선 기판(1702) 상에 또는 배선 기판 내에 있는 전기 소자에 대해 앵커링 구조체(1806)-및 이에 따른 컬럼(1804)-를 전기 접속시킬 수 있다. 예를 들면, 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이, 트레이스(1807)는 앵커링 구조체(1806)-및 이에 따른 컬럼(1804)-를 단자(1704)에 접속시킬 수 있다. 대안으로 또는 추가적으로, 하나 이상의 트레이스(1807)는 배선 기판(1702) 상에 또는 배선 기판 내에 있는 레지스터, 커패시터, 또는 트랜지스터와 같은 전기적 구성요소에 앵커링 구조체(1806)[및 이에 따른 컬럼(1804)]를 접속시킬 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 앵커링 구조체(1806)는 배선 기판(1702)에 대한 컬럼(1804)의 부착 강도를 증가시키도록 작용할 필요는 없지만, 단지 트레이스(1807)에 대해 컬럼(1804)을 전기 접속시킬 수 있거나 또는 주로 트레이스에 대해 컬럼을 전기 접속시킬 수 있다.

도 15a 내지 도 18b를 참고하면, 컬럼(1604 및 1804)은 도 1에서의 컬럼(104)의 예일 수 있으며, 배선 기판(1102, 1502 및 1702)은 도 1의 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(1604) 및/또는 컬럼(1804)을 포함할 수 있으며, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 배선 기판(1102), 배선 기판(1502), 및/또는 배선 기판(1702)을 포함할 수 있다.

도 15a 내지 도 18b에 도시된 공정은 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형이 가능하다. 예를 들면, 배선 기판(1502) 상에서 컬럼(1604)이 성장되기보다, 컬럼(1604)은 희생 기판 상에서 성장될 수 있으며(예컨대, 도 2 내지 도 5b 또는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같음) 배선 기판(1502)으로 전달될 수 있다(예컨대, 도 8 내지 도 11b 중 임의의 도면과 관련하여 도시되거나 또는 전술한 임의의 기법을 사용함). 예를 들면, 컬럼(1604)은 단자(1504) 상에 증착된 접착제(804)와 유사한 접착제를 이용하여 단자(1504)에 접착될 수 있다. 또 다른 예로서, 배선 기판(1702) 상에서 컬럼(1804)이 성장되기보다는, 컬럼(1804)은 희생 기판(예컨대, 도 2 내지 도 5b 또는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같음) 상에서 성장될 수 있으며 배선 기판(1702)에 전달될 수 있다(예컨대, 도 8 내지 도 11b 중 임의의 도면과 관련하여 도시되거나 전술한 임의의 기법을 사용함). 예를 들면, 컬럼(1804)은 피트(1705) 내에 증착된 접착제(804)와 유사한 접착제를 이용하여 피트(1705) 내에 접합될 수 있다.

어떤 유형의 기판 상에서 컬럼(104)이 제작되는가 또는 어떻게 컬럼(104)이 제작되는가와 무관하게, 일부 실시예에 있어서는, 컬럼(104)을 처리하여 컬럼(104)의 하나 이상의 특성을 향상시킬 수 있다. 컬럼(1604 및/또는 1804)은 후술하는 바와 같이 유사하게 처리될 수 있지만, 후술하는 설명은 단순화를 위해 컬럼(104)을 사용한다. 예를 들면, 컬럼(104)을 처리하여 컬럼(104)의 기계적인 강성을 향상시킬 수 있다. 또 다른 예로서, 컬럼(104)을 처리하여 컬럼의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다. 또한, 또 다른 예로서, 컬럼(104)의 접촉부를 처리하여 컬럼(104)의 접촉 특성을 향상시킬 수 있다.

도 19a는 컬럼(104)의 상세도로서, 예컨대 도 8 내지 도 10에 도시되어 있으며 전술한 전달 공정 중 하나에 따라 컬럼(104)을 전사 기판(802)에 부착한 후의 도면을 도시하고 있다. 예를 들면, 대체로 전술한 바와 같이, 컬럼(104)의 단부(106)는 기판(802)(도 19a에 부분도로서 또한 도시되어 있음) 상의 접착제(804)(도 19a에 부분도로서 도시되어 있음)에 배치되어 있을 수 있으며, 접착제(804)는 경화되어 있을 수 있고, 기판(102)은 도 8 및 도 9 또는 도 10에서와 같이 컬럼(104)으로부터 분리될 수 있다. 대안으로, 컬럼(104)은 기판에 또는 기판(802)이 아닌 다른 대상물에 전달될 수 있다. 예를 들면, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 컬럼(104)은 접착제(1104)에 의해 배선 기판(1102) 상의 단자(1106)에 부착되어 있을 수 있으며, 본 경우에 접착제(1104)는 도 19a에서의 접착제(804)를 대체할 수 있고, 단자(1106)는 도 19a에서의 기판(802)을 대체할 수 있다. 또한, 또 다른 대안으로서, 컬럼(104)은 접착제(804)와 유사한 접착제에 의해 기판(802)과 유사한 다른 기판 혹은 단자 혹은 다른 소자 또는 대상물에 부착될 수 있다.

도 19a에 도시된 예를 또 다시 참고하면, 전술한 바와 같이, 컬럼(104)은 복수 개의 탄소 나노튜브를 포함할 수 있으며, 그 중 일부가 탄소 나노튜브(110)로서 도 19a에 도시되어 있다. 접착제(804)가 경화되어 있으므로, 접착제(804)는 컬럼(104)의 개별적인 탄소 나노튜브(110)들 사이의 모세관 작용에 의해 끌어당겨질 수 있다. 다시 말하면, 접착제(804)는 탄소 나노튜브(110)들 사이에서 "위킹(wick)"할 수 있으며, 이에 따라 컬럼(104) 내부로 위킹한다. 보통, 접착제(804)는 접착제(804)에 배치되는 단부(106)에서 시작하는 컬럼(104) 내로 위킹할 수 있으며, 이러한 접착제는 이후에 지속적으로 대향 단부(108)를 향해 컬럼(104) 상방으로 위킹할 수 있고, 상기 대향 단부는 본 예에 있어서 접촉 단부(1904)(예컨대, 단부는 전자 장치의 단자와 같은 대상물과 접촉하도록 구성됨)일 수 있다. [접촉 단부(1904)는 제1 단부 또는 제2 단부의 비한정적인 예일 수 있다.] 단부(106)로부터 컬럼(104) 위쪽으로 접착제(804)가 위킹하는 거리는, 한정하는 것은 아니지만 접착제(804)가 경화되는 시간, 접착제(804)의 점성, 온도와 같은 주위 조건, 공기압 및/또는 다른 인자를 비롯한 다수의 인자에 따라 좌우될 수 있다. 선택적으로, 컬럼(104)을 통한 접착제(804)의 확산을 억제하는 재료는 컬럼(104)의 일부 또는 전부에 도포될 수 있다. 예를 들면, 파릴렌(도시 생략됨)은 컬럼(104)의 일부에 (예컨대, 화학적 기상 증착에 의해) 도포되어, 접착제(804)가 컬럼(104)의 전술한 부분 내로 확산되지 않도록 하거나, 또는 적어도 파릴렌이 도포되어 있는 컬럼(104)의 상기 부분 내로 접착제(804)가 확산되는 것을 방해하거나 혹은 이 러한 확산이 상당히 느려지도록 할 수 있다.

도 19a는 본 발명의 일부 실시예에 따른 비한정적인 예로서, 접착제(804)가 컬럼(104)의 전부를 통해 또는 거의 전부를 통해 위킹할 수 있는 예를 도시하고 있다. 예를 들면, 접착제(804)는, 접착제(804)가 컬럼(104)의 길이의 90 %에 걸쳐 위킹되어 있는 경우, 컬럼(104)의 거의 전부에 걸쳐 위킹되는 것으로 간주할 수 있다. 컬럼(104) 전체에 걸쳐 또는 거의 전체에 걸쳐 경화된 접착제(804)가 존재하면, 컬럼(104)의 기계적 강성을 상당히 증가시킬 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)의 기계적 강성은 컬럼(104) 내부로 접착제(804)가 위킹되어 있지 않은 컬럼(104)의 기계적 강성보다 100배, 200배, 300배, 400배, 500배 또는 그 이상 더 클 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)의 기계적 강성의 증가는 100배 미만일 수도 있다.

도 19b는 비한정적인 예로서, 접착제(804)가 단지 단부(106) 근처에 있는 컬럼(104)의 일부 내로만 위킹되어 있는 예를 도시하고 있다. 따라서, 도 19b에 도시된 예에 있어서, 컬럼(104)의 대부분에는 실질적으로 접착제(804)가 없으며, 접착제(804)는 단지 단부(106) 근처에 있는 컬럼(104)의 기부 내로만 위킹된다. 도 19b에 도시된 예에 있어서, 접착제(804)는 컬럼(104)의 강성에 거의 영향이 없거나 또는 전혀 영향이 없을 수 있다.

도 19a 및 도 19b에 도시된 예는 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형이 가능하다. 예를 들면, 접착제(804)는 단부(106)로부터 컬럼(104) 위쪽으로 단부(108)까지 임의의 거리만큼 확산될 수 있다. 예를 들면, 접착제(804)는 단부(106)로부 터 대향 단부(108)를 향해 컬럼(104) 내부로 컬럼(104)의 전체 길이의 2 %, 5%, 10 %, 20 %, 40 %, 60 %, 80 %, 90 %, 또는 100 %만큼 확산될 수 있다. 대안으로, 접착제(804)는 단부(106)로부터 컬럼(104) 내부로 컬럼(104)의 길이의 2 % 미만만큼 또는 앞서 주어진 비율들 사이의 임의의 비율만큼 확산될 수 있다. 보통, 단부(106)로부터 컬럼(104) 내부로 접착제(804)가 상방으로 더 위킹될수록 컬럼(104)의 강성은 더 커진다.

도 20에 도시된 바와 같이, 컬럼(104)을 처리하여 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에서 돌출 구조체(1912)(점, 특징부, 또는 구조의 비한정적인 예일 수 있음)를 형성할 수 있으며, 전술한 바와 같이 상기 접촉 단부는 전자 장치(도시 생략됨)와 접촉하도록 구성되는 컬럼(104)의 단부(106, 108)[본 예에서는 단부(108)임] 중 하나일 수 있다. 상기 구조(1912)는 소정 탄소 나노튜브(110)(예컨대, 탄소 나노튜브의 클러스터)의 단부들 또는 단부 부분을 포함할 수 있다.

일부 실시예에 있어서, 접촉 단부(1904)를 에칭하여 돌출 구조체(1912)를 생성할 수 있다. 도 20은 비한정적인 예로서, 에칭 메커니즘(2002)이 접촉 단부(1904)를 스퍼터링 에칭하여 접촉 단부(1904) 상에 돌출 구조체(1912)를 형성할 수 있는 예를 도시하고 있다. 이러한 경우에 있어서, 에칭 메커니즘(2002)은 스퍼터링 에칭 기계일 수 있다. 대안으로, 다른 에칭 기법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 접촉 단부(1904)에는 반응성 이온 에칭을 거쳐 돌출 구조체(1912)가 생성될 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 에칭 메커니즘(2002)은 반응성 이온 에칭 기계일 수 있다. 이러한 구조(1912) 또는 유사한 구조를 형성하기 위해 접촉 단부(1904) 상에서 다른 에칭 기법을 사용할 수 있다. 이러한 다른 에칭 기법은 한정하는 것은 아니지만 습식 에칭 기법을 포함할 수 있다. 또한, 에칭 이외의 기법을 사용하여 상기 구조(1912)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 접촉 단부(1904)의 표면을 거칠게 하기 위해 기계적인 연삭 메커니즘을 사용할 수 있으며, 이는 돌출형 구조(1912)를 형성할 수 있다. 또 다른 예로서, 이러한 구조(1912)를 생성하기 위해 기계적인 각인 기법을 접촉 단부(1904)에 적용할 수 있다.

도 19b에 도시된 바와 같이 접착제(804)를 컬럼(104) 내로 위킹시킴으로써 컬럼(104) 상에서 행해지는 것과 같은 전술한 처리방법이 도 20에 도시되어 있지만[즉, 접착제(804)는 단지 부분적으로 컬럼(104) 내로 위킹되어 있음], 상기 구조(1912)가 접촉 단부(1904) 상에서 생성되는 이러한 처리방법은, 도 19a에 도시된 바와 같이 접촉 단부(1904) 및 컬럼(104)의 전체 내에 접착제(804)가 위킹되어 있는 컬럼(104)에 적용될 수 있다. 실제로, 접촉 단부(1904) 상에 상기 구조(1912)를 생성하는 처리방법은, 단부(106)로부터 컬럼(104) 내로 접착제(804)가 얼마나 많이 위킹되어 있는가에 무관하게 임의의 컬럼(104)에 적용될 수 있으며, 이러한 처리방법은 또한 접착제(804)가 전혀 위킹되어 있지 않은 컬럼(104)에 적용될 수 있다.

언급한 바와 같이, 전기 전도도를 향상시키기 위해 컬럼(104)을 추가로 또는 대안으로 처리할 수 있다. 예를 들면, 전기 전도성 재료는 다수의 방법으로 컬럼(104)에 적용될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전기 전도성 재료는 컬럼(104)의 외측 표면에 적용될 수 있으며, 또한 또 다른 실시예에 있어서 전기 전도성 재 료는 컬럼(104) 내의 개별적인 탄소 나노튜브에 적용될 수 있고, 역시 또 다른 실시예에 있어서 전기 전도성 재료는 컬럼(104) 전체에 걸쳐(예컨대, 개별 탄소 나노튜브들 사이에) 분산될 수 있으며, 또한 또 다른 실시예에 있어서 전술한 내용의 임의의 조합을 사용할 수 있다.

일부 실시예에 있어서, 전기 전도성 재료는 대체로 컬럼(104)의 외측부 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 전기 전도성 재료는 컬럼(104)의 대체로 외측부 상에 전기 도금될 수 있거나 또는 다른 방식으로 증착될 수 있다(예컨대, 스퍼터링됨). 다른 실시예에 있어서, 전기 전도성 재료는 예컨대 원자층 증착(ALD) 또는 화학적 기상 증착(CVD)을 이용하여 개별적인 탄소 나노튜브에 적용될 수 있거나 또는 개별적인 탄소 나노튜브들 사이의 공간에 적용될 수 있다.

도 21은 컬럼(104)에 전도성 재료(2102)를 도포한 이후의 컬럼(104)을 도시하고 있다. 원자층 증착(ALD) 또는 화학적 기상 증착(CVD)과 같은 기법을 이용하여, 대체로 컬럼(104)의 외측부 상에 전도성 재료(2102)를 증착하기 위해서 뿐만 아니라 혹은 이에 대한 대안으로서 컬럼(104) 내부의 개별적인 탄소 나노튜브들 사이에 전도성 재료(2102)를 이식하거나 또는 개별적인 탄소 나노튜브 상에 전도성 재료를 증착할 수 있다. 예를 들면, ALD 또는 CVD에 의해 증착되면 전도성 재료(2102)는 컬럼(104)에 침투할 수 있으며, 개별적인 탄소 나노튜브(110)들 상에 및/또는 주위에 및/또는 컬럼(104)의 개별적인 탄소 나노튜브(110)들 사이에 이식될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 개별적인 탄소 나노튜브(110) 상의 재료(2102)의 두께는 컬럼(104)을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브(110)들 사이의 평균 간격의 절반 이하일 수 있다. 이러한 개별적인 탄소 나노튜브의 처리방법은 개별적인 나노튜브의 전기적 특성 및/또는 기계적 특성을 향상시킬 수 있는 반면에 나도튜브가 독립적인 거동을 갖도록 허용하게 된다. 예를 들면, 언급한 바와 같이, 이러한 처리방법은 컬럼(104)의 전기 전도도 및/또는 컬럼(104)의 강성을 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 처리방법[예컨대, 컬럼(104)을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 상에, 주위에 및/또는 이들 나노튜브 사이에 전도성 재료(2102)가 존재하는 것]은 컬럼(104)을 구성하는 나머지 탄소 나노튜브에 대한 소정 탄소 나노튜브의 개별적인 거동을 실질적으로 간섭하지 않을 수 있다. 예를 들면, 언급한 바와 같이, 개별적인 탄소 나노튜브(110) 상에서의 재료(2102)의 두께는 컬럼(104)을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브(110)들 사이의 평균 간격의 절반 이하일 수 있으며, 이에 따라 탄소 나노튜브(110)들 사이에 공간이 남도록 할 수 있으며, 이 공간에 의해 개별적인 탄소 나노튜브(110)들이 서로에 대해 이동할 수 있게 된다.

컬럼(104)이 도 19a에 도시된 바와 같이 처리되어 있고 이에 따라 탄소 나노튜브(110)들 사이에 컬럼 내부로 위킹된 접착제(804)가 포함되는 경우, ALD 또는 CVD는 접착제(804) 내에 전도성 재료를 이식할 수 있다. 전도성 재료(2102)는 임의의 전기 전도성 재료를 포함할 수 있으며, 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브보다 전기 전도도가 더 클 수 있다. 적절한 재료의 비한정적인 예에는 금, 구리, 또는 다른 전기 전도성 금속뿐만 아니라 전기 전도성 비금속이 포함된다.

전도성 재료(2102)는 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시킬 뿐만 아니라 또한 컬럼(104)의 강성을 향상시킬 수 있다. 또 다른 대안으로서, 비전도성 재료(도시 생략됨)는 전도성 재료(2102)를 증착시키는 것과 관련하여 전술한 바와 동일한 방식으로 컬럼(104) 내에[예컨대, 개별적인 탄소 나노튜브(110) 상에 및/또는 주위에 및/또는 컬럼(104)의 탄소 나노튜브(110)들 사이에] 증착될 수 있다. 예를 들면, 이러한 비전도성 재료(도시 생략됨)는 컬럼(104)의 기계적인 특성(예컨대, 강성)을 향상시키기 위해 증착될 수 있다. 이러한 비전도성 재료(도시 생략됨)는 전도성 재료(2102)를 대신하여 또는 전도성 재료에 추가하여 증착될 수 있다.

컬럼(104) 내로 전도성 입자를 위킹하는 것은 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시키기 위한 처리방법의 또 다른 비한정적인 예일 수 있다. 예를 들면, 전도성 입자를 포함하는 용액이 컬럼(104) 내로 위킹될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 이러한 용액은 컬럼 내로 접착제(804)를 위킹하는 것과 관련하여 전술한 바와 같은 기법 및 원리를 이용하여 컬럼(104) 내로 위킹될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 이러한 용액은 전도성 재료로 된 나노 크기의 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 이러한 용액은 은 나노입자를 포함할 수 있다. 나노 크기의 전도성 입자-예컨대, 은 나노입자-는 컬럼(104) 내로 위킹될 수 있으며, 컬럼(104)을 구성하는 소정의 탄소 나노튜브(110) 상에 및/또는 주위에 및/또는 이들 탄소 나노튜브들 사이에 들어갈 수 있다. 이들 입자는 이에 따라 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.

컬럼(104)의 전기 전도성을 향상시키기 위한 전술한 하나 이상의 처리 방법 중 임의의 방법은, 한정하는 것은 아니지만 전도성 재료(2102)가 컬럼(104)에 추가되는 도 21에 도시된 처리방법을 포함하며, 이 방법은 단부(106)로부터 컬럼(104) 내로 얼마나 많이 접착제(804)가 위킹되는가에 무관하게 임의의 컬럼(104)에 적용될 수 있고, 이러한 처리방법은 또한 접착제(804)가 내부로 전혀 위킹되어 있지 않은 컬럼(104)에도 적용될 수 있다. 또한, 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시키기 위해 컬럼(104)에 전도성 재료(2102)가 추가되는 것인 도 21에 도시된 처리방법은, 돌출 구조체(1912)를 생성하기 위해 도 20에 도시된 바와 같이 컬럼(104)이 처리되었는지 여부에 상관없이 컬럼(104)에 적용될 수 있다. 따라서, 도 21에 도시된 구조(1912)는 반드시 존재해야 하는 것은 아니다.

언급한 바와 같이 또는 후술하는 바와 같이, 본 명세서에 있어서 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')은 컬럼(104)의 예이다. 따라서, 도 19a 내지 도 21에 도시된 임의의 하나 이상의 처리방법은 임의의 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')에 적용될 수 있다.

도 22a 및 도 22b는 탄소 나노튜브로 된 컬럼의 전기 전도도를 향상시키기 위한 또 다른 예시적인 공정을 도시하고 있다. 도 22a 및 도 22b는 단일 컬럼(2204)의 사시도를 도시하고 있으며, 단일 컬럼은 기판(2202)의 단자(2206)에 부착된다. 도시된 바와 같이, 컬럼(2204)은 중공부(2208)(이는 내측 캐비티의 비한정적인 예일 수 있음)를 포함할 수 있으며, 이는 도시된 바와 같이 단부(2220)로부터 단자(2206)까지 컬럼(2204)의 길이를 연장시킬 수 있다. 일반적으로 말하면, 컬럼(2204)은 본 명세서에서 설명한 수직 정렬된 탄소 나노튜브의 컬럼을 성장시키기 위한 임의의 기법을 이용하여 성장될 수 있다. 중공부(2208)는 임의의 적절한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(2204)은 희생 플러그 구조(도시 생략 됨) 주위에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 도 2 내지 도 5b에 도시된 컬럼(504)의 제작 공정은 마스킹 층(402) 내의 개구(404)에 의해 노출되는 성장 표면(302)의 영역 중 일부 상에 중공부(2208)의 형상 및 크기로 희생 플러그 구조를 배치함으로써 변형될 수 있다. 컬럼(504)과 유사한 컬럼은 이때, 개구(404)에 의해 노출되고 희생 플러그 구조에 의해 덮이지 않는 성장 표면(302)의 영역으로부터 성장될 수 있다. 이들 컬럼은, 컬럼의 중앙부가 희생 플러그 구조(도시 생략됨)를 포함한다는 점을 제외하고는 컬럼(504)과 유사할 수 있으며, 이때 희생 플러그 구조는 제거되어 컬럼(2204)이 중공부(2208)를 갖도록 할 수 있다. 컬럼(2204)으로부터 희생 플러그 구조를 물리적으로 잡아당기는 단계 또는 에칭하거나 다른 방식으로 희생 플러그 구조를 용해시키는 단계를 포함하는 임의의 적절한 방식으로 희생 플러그 구조(도시 생략)를 제거할 수 있다. 실제로, 본 명세서에서 예시된 탄소 나노튜브로 된 컬럼을 성장시키기 위한 임의의 공정은, 대체로 전술한 바와 같이 희생 플러그 구조 주위에서 나노튜브로 된 컬럼을 성장시켜 중공부(2208)가 있는 컬럼(2204)과 유사한 컬럼을 생성하도록 변형될 수 있다. 희생 플러그 구조 주위에 탄소 나노튜브로 된 컬럼을 성장시키기보다는, 본 명세서에 설명된 임의의 성장 기법을 이용하여 중공부(2208)가 없는 컬럼(2204)을 성장시킬 수 있다. 이후에, 중공부(2208)는 컬럼의 일부를 에칭하거나 또는 절단해 버림으로써 생성될 수 있다. 컬럼(2204)을 구성하는 탄소 나노튜브(도시 생략됨)는 수직으로 정렬될 수 있으며, 컬럼(2204)은 이에 따라 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있다. 중공부(2208)는 정사각 형태의 단면을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 다른 유형의 단면을 마찬가지로 고려할 수 있다.

컬럼(2204)의 제작 방법과 무관하게, 도 22a 및 도 22b에 도시된 바와 같이, 중공부(2208)는 전기 전도성 재료(2210)로 충전될 수 있으며, 이 재료는 중공부(2208) 내에 증착될 수 있는 임의의 전기 전도성 재료(2210)일 수 있다. [설명을 용이하게 하기 위해, 비어 있는 공간(2208)은 전도성 재료(2210)로 부분적으로 충전된 것으로 도 22a 및 도 22b에 도시되어 있지만, 중공부(2208)는 전도성 재료(2210)로 완전히 충전되어 있을 수 있다.] 일부 실시예에 있어서, 전도성 재료(2210)는 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브(110)보다 전기 전도도가 클 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전도성 재료(2210)는 용융 중에 중공부(2208) 내로 증착되고 그 후 냉각될 수 있는, 비교적 용융점이 낮은 전도성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 전도성 재료(2210)는 땜납일 수 있다. 또 다른 예로서, 전도성 재료(2210)는 유동 가능한 상태 또는 반유동 가능한 상태로 중공부(2208) 내에 증착된 후 경화되는 경화 가능한 재료일 수 있으며, 이에 따라 전도성 재료(2210)는 중공부(2208) 내부에서 경화되게 된다. 예를 들면, 전도성 재료(2210)는 경화 가능한 전도성 에폭시일 수 있다.

컬럼(2204)은 도 1에서의 컬럼(104)의 예일 수 있으며, 기판(2202)은 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(2204)을 포함할 수 있고, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 기판(2202)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 임의의 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')은, 중공 부(2208)가 2210과 같은 전도성 재료로 충전되어 있을 수 있는 컬럼(2204)과 유사하게 구성될 수 있다.

컬럼(2204)의 강성은 단면적 및 길이의 함수일 수 있는 반면, 나노튜브로 된 컬럼의 표면을 처리함으로써 부여되는 전기 전도도는 표면적의 함수일 수 있다. 컬럼(2204)의 중앙이 비어있도록 제작하고 이후에 전술한 방법 중 하나로써 내측 표면 및 외측 표면의 전도성이 더 커지도록 처리하면, 강성에 대한 영향을 최소한으로 하면서도 전도도를 높일 수 있다.

도 19 내지 도 22b는 하나의 컬럼(104)[또는 컬럼(104)의 예일 수 있는 컬럼(2204)]을 도시하고 있지만, 컬럼(104)의 기계적 강성, 접촉 특성 및/또는 전기 전도도 특성을 향상시키기 위해 도 19 내지 도 22b에 도시된 기법은 다수의 컬럼(104)에 적용될 수 있다. 또한, 도 19 내지 도 22b에 도시된 기법은 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형 및 대안이 가능하다.

도 23a는 예시적인 대안에 따라 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브로 된 컬럼의 접촉 특성을 향상시키는 것을 도시하고 있다. 도 23a는 기판(2300) 상의 탄소 나노튜브의 컬럼(2304)을 도시하고 있으며(부분도로 도시됨), 이때 기판은 희생 기판, 중간 기판, 또는 제품 기판일 수 있다. 도시된 바와 같이, 컬럼(2304)은 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)에 정점 구조(peak structure; 2312)(돌출 구조체 또는 돌출점, 돌출된 특징부 또는 돌출형 구조의 비한정적인 예일 수 있음)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 정점 구조(2312)는 도 23a에 도시된 바와 같이 접촉 단부(2302)의 코너에 있을 수 있다. 대안으로, 정점 구조(2312)는 접촉 단부(2302)의 다른 위치에 있을 수 있다. 이러한 다른 위치는 접촉 단부(2302)의 외주부 또는 외면에 인접하거나 또는 외주부 또는 외면을 따라 존재할 수 있다. 또한, 도 23a에는 4개의 정점 구조(2312)가 도시되어 있지만, 접촉 단부(2302)는 더 많거나 또는 더 적은 정점 구조(2312)를 구비할 수 있다. 정점 구조(2312)는 컬럼(2304)을 구성하는 소정의 탄소 나노튜브(또는 탄소 나노튜브의 클러스터)의 단부를 포함할 수 있다.

정점 구조(2312)는 접촉 단부(2302)의 접촉 특성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 사용시에, 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)는 전자 장치(도시 생략됨)의 단자에 대해 눌릴 수 있으며, 이에 따라 전자 장치와 일시적으로 압력에 기초한 전기 접속을 형성할 수 있다. 정점 구조(2312)는 임의의 파편(debris)을 포함하는 단자 또는 단자 상의 층(예컨대, 산화물 층)에 침투할 수 있으며, 이에 따라 접촉 단부(2302)가 단자와 접촉하는 능력을 향상시킨다. 예를 들어, 정점 구조(2312)가 있으면, 컬럼이 대체로 동일하거나 유사한 단면을 갖는다고 가정할 때, 컬럼과 단자 사이에 접촉력(contact force)이 동일한 경우, 정점 구조가 결여된 컬럼보다는 단자에 대해 더 큰 압력을 효과적으로 가할 수 있다.

컬럼(2304)을 제작하기 위해 정점 구조(2312)와 유사한 구조를 형성하는 임의의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 도 2 내지 도 5b에 도시된 부유 촉매 방법 또는 도 6 및 도 7에 도시된 고정 촉매 방법을 사용하여 컬럼(2304)을 성장시킬 수 있다. 컬럼(2304)을 성장시키는 공정 중에, 일단 컬럼(2304)이 소정 길이까지 성장하면, 컬럼(2304)의 단부 이외의 부분에 대한 가스 의 유동을 증가시키지 않으면서도 정점 구조(2312)가 요구되는 컬럼(2304)의 단부에서의 위치에 지향되는 가스의 유동을 증가시키도록 가스의 유동(부유 촉매 방법이 사용되는 경우에는 촉매 재료 및 탄소 소스를 함유하거나, 고정 촉매 방법이 사용되는 경우에는 탄소 소스를 함유함)을 변경시킬 수 있다. 대안으로, 정점 구조(2312)가 요구되는 컬럼(2304)의 단부에서의 위치에 지향되는 가스의 유동을 증가시키기보다는, 컬럼(2304)의 단부 이외의 위치에 지향되는 가스 유동을 실질적으로 감소시키거나 또는 중단시킬 수 있다. 이를 달성하기 위한 한 가지 방법은, 원하는 시간에 소정 위치로 템플릿을 이동시키는 것일 수 있으며, 이때 가스는 단지 템플릿의 소정 영역을 통해서 유동하여 정점 구조(2312)를 형성할 수 있다. 정점 구조(2312)가 요구되는 컬럼(2304)의 단부에서의 위치에 지향되는 가스의 유동을 증가시키기 위한 또 다른 대안으로서, 컬럼(2304)의 단부 이외의 부분에 대한 가스의 유동 내 활성 성분의 농도를 증가시키지 않으면서 정점 구조(2312)가 요구되는 컬럼(2304)의 단부에서의 위치에 지향되는 가스에서의 활성 성분(부유 촉매 방법이 사용되는 경우에는 촉매 재료 및 탄소 소스 재료이거나, 또는 고정 촉매 방법이 사용되는 경우에는 탄소 소스 재료일 수 있음)의 농도를 증가시킬 수 있다. 전술한 내용에 따라, 정점 구조(2312)가 요구되는 컬럼(2304)의 단부에서의 위치에서 탄소 나노튜브의 성장 속도가 증가되는 결과를 초래할 수 있다.

정점 구조(2312)를 형성하는 비한정적인 방법의 또 다른 예로서, 대부분의 레서피는 특정 길이까지 대체로 균일하게 탄소 나노튜브 컬럼을 성장시킬 수 있으며 이후에는 계속하여 컬럼을 균일하지 않게 성장시킬 수 있음을 발견하였다. 일 부 경우에 있어서, 컬럼의 지속적인 불균일 성장은 정점 구조(2312)와 유사한 변칙적인 형태를 형성할 수 있다.

도 23b 내지 도 23e는 본 발명의 일부 실시예에 따른 정점 구조(2312)와 유사한 정점 구조를 갖는 컬럼(2304)과 같은 컬럼을 생성하기 위한 기법의 추가적인 비한정적 예를 도시하고 있다.

도 23b 및 도 23c는 정점 구조(2312)를 형성하기 위해 사용될 수 있는 기계적인 각인용 스탬프(2330)(몰딩용 도구의 비한정적인 예일 수 있음)의 사용을 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 요구되는 정점 구조(2312)의 형상과 반대의 형상(또는 음각 형상)을 갖는 몰드 헤드(2332)(몰드의 비한정적인 예일 수 있음)를 포함하는 스탬프(2330)가 컬럼(2304) 위에 배치될 수 있으며, 도 23c[컬럼(2304) 및 스탬프(2330)의 측단면도를 도시함]에 가장 잘 도시되어 있는 바와 같이 컬럼(2304)의 단부(2302)를 누르게 되면 컬럼(2304)의 단부(2302)에 정점 구조(2312)를 각인할 수 있다.

도 23d 및 도 23e는, 컬럼(2304)과 유사한 컬럼(2304')이 성장 재료(2306)로부터 성장될 수 있으며 상기 성장 재료는 중앙 부분(2309) 및 이 중앙 부분(2309)으로부터 연장되는 하나 이상의 연장부(2307)를 갖도록 패턴화될 수 있는 것인 소정 기법을 도시하고 있다. [4개의 연장부(2307)가 도시되어 있지만, 더 많거나 또는 더 적은 연장부가 사용될 수 있다.] 한정하는 것은 아니지만 도 2 내지 도 7에 도시된 공정을 포함하며 본 명세서에 개시된 탄소 나노튜브의 컬럼을 성장시키기 위한 임의의 공정을 이용하여 성장 재료(2306)[도 3에서의 성장 재료(300)와 유사 한 성장 재료일 수 있거나 또는 도 6에서의 촉매층(604)일 수 있음] 상에서 컬럼(2304')을 성장시킬 수 있다. 컬럼(2304')은 성장 재료(2306)의 중앙 부분(2309)으로부터 대체로 균일하게 성장할 수 있지만, 연장부(2307) 상에서 특히 연장부(2307)의 선단부 부근에서는 더 빠른 속도로 성장할 수 있음을 발견하였다. 따라서, 도 23e에 도시된 바와 같이, 정점 구조(2312')는 컬럼(2304')의 코너에 형성되는 경향이 있을 수 있고, 이때 컬럼(2304')의 코너는 연장부(2307)의 선단부에 대응한다. 컬럼(2304')의 코너에서 더 빠르게 성장하면 도 23e에 도시된 바와 같은 정점 구조(2312')를 형성할 수 있으며, 이 정점 구조는 정점 구조(2312)와 대체로 유사할 수 있다.

컬럼(2304)을 형성하는 방법과 무관하게, 컬럼(2304)은 도 1에서의 컬럼(104)의 예일 수 있으며, 기판(2300)은 기판(102)의 예일 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 컬럼(104)이라 부르는 임의의 컬럼은 컬럼(104)의 예로서 컬럼(2204)을 포함할 수 있으며, 본 명세서에서 기판(102)이라 부르는 임의의 기판은 기판(102)의 예로서 기판(2300)을 포함할 수 있다.

컬럼(104)과 유사한 탄소 나노튜브의 컬럼, 특히 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼[예컨대, 전술한 바와 같은 컬럼(104)은 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수는 있지만 반드시 그러할 필요는 없음]은 스프링 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)의 자유 단부에 소정의 힘(인가되는 힘)을 인가하면, 컬럼(104)은 압축되거나, 휘어지거나, 변형되거나, 또는 이동하고 또한 인가된 힘에 반대되는 대항력(opposing force)을 발생시킨다. 인가된 힘을 제거하면, 컬럼(104)은 실질적 으로 그 원래 형상 및/또는 위치로 복원될 수 있거나, 또는 적어도 그 원래 형상 및/또는 위치로 복원될 수 있다[예를 들어, 컬럼(104)은 탄성적으로 변형 가능할 수 있음]. 컬럼(104)과 유사한 탄소 나노튜브의 컬럼(언급한 바와 같이 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있음)은 하나 이상의 특정 스프링 특성을 갖도록 튜닝될 수 있다. 컬럼에 특정 레벨의 튜닝 힘을 인가함으로써 컬럼을 튜닝할 수 있으며, 튜닝 힘은 튜닝 힘의 레벨에 대응하는 값(들)을 갖는 하나 이상의 스프링 특성을 부여할 수 있다. 보통, 이후에, 컬럼은 컬럼에 튜닝 힘보다 작은 힘을 인가하는 것에 응답하여 튜닝된 특성을 실질적으로 유지한다. 원래의 튜닝 힘보다 큰 힘이 컬럼에 인가되는 경우, 더 큰 힘으로 컬럼을 재튜닝시킬 수 있으며, 이에 따라 더 큰 힘에 대응하여 스프링 특성이 변하게 된다.

도 24는 본 발명의 일부 실시예에 따라 탄소 나노튜브로 된 하나 이상의 컬럼을 튜닝하기 위한 예시적인 공정(2400)을 도시하고 있다. 논의의 편의와 설명 목적을 위해, 도 24의 공정(2400)은 컬럼(104)의 스프링 상수(또한 k 값 또는 강성으로 알려져 있음)를 튜닝하는 것으로 도시되고 후술된다. 공지되어 있는 바와 같이, 스프링 구조의 스프링 상수는 소정 레벨의 힘을 (스프링의 탄성 범위 내에서) 이 힘에 의해 스프링이 변위된 거리로 나눈 것일 수 있다. 즉, k = F / d이며, 이때 "k"는 스프링 상수이고, "F"는 스프링에 인가되는 힘이며, "d"는 힘(F)에 의해 스프링이 변위된 거리이다. 그러나, 이러한 공정(2400)은 컬럼(104)의 스프링 상수를 튜닝하는 것으로 한정되지 않고, 또한 컬럼(104)의 스프링 특성을 튜닝하는 것으로 한정되지 않는다. 오히려, 공정(2400)은 컬럼(104)의 다른 스프링 특성을 튜닝하기 위해 사용될 수 있거나, 또는 다른 유형의 탄소 나노튜브 구조를 튜닝하기 위해 사용될 수 있다.

2402에서, 여러 가지 레벨의 튜닝 힘을 하나 이상의 스프링 특성에 대한 값 또는 범위값과 연관시키는 데이터를 얻을 수 있다. 예를 들면, 이러한 데이터는 실험적으로 얻을 수 있다. 특정 유형의 컬럼[예컨대, 특정 성장 레서피를 이용하여 제작되고, 특정 크기 및 형상을 갖도록 제작되는 컬럼 등. 예컨대, 컬럼(104)]을 이용하여 특정 튜닝 힘 레벨을 해당 컬럼 유형의 하나 이상의 스프링 특성에 대한 특정 값 또는 범위값과 연관시키는 데이터를 실험적으로 얻을 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)과 유사할 수 있는 실험용 컬럼(도시 생략됨)에 컬럼(104)의 길이와 대체로 평행한 방향으로 제1 튜닝 힘을 인가할 수 있다. 실험용 컬럼에 제1 튜닝 힘을 인가한 후, 하나 이상의 스프링 특성의 값을 결정하기 위해 실험용 컬럼 상에서 시험을 수행할 수 있다. 예를 들면, 실험용 컬럼의 스프링 상수 및 이 스프링 상수가 유효한 탄성 구간을 측정하기 위해 실험용 컬럼 상에서 시험을 수행할 수 있다. 이때 제1 튜닝 힘의 레벨은 기록될 수 있으며, 측정된 스프링 상수 및 탄성 구간과 연관될 수 있다. 이후에, 제1 튜닝 힘보다 큰 제2 튜닝 힘을 실험용 컬럼에 인가할 수 있으며, 결과적인 컬럼의 스프링 상수 및 탄성 구간을 다시 측정할 수 있다. 이때 제2 튜닝 힘의 레벨을 기록할 수 있으며 측정된 스프링 상수 및 탄성 구간과 연관시킬 수 있다. 점차로 증가하는 더 큰 튜닝 힘을 컬럼에 인가하고 결과적인 컬럼의 스프링 상수 및 탄성 구간을 기록하는 단계로 구성되는 이러한 과정은, 결과적인 스프링 상수 및 탄성 구간을 여러 가지 튜닝 힘에 대해 기록하게 될 때까지 반복될 수 있다.

표 1은 앞서의 단락 [0051]에서 설명한 예시적인 레서피를 이용하여 제작된 컬럼(104)에 대한 실험적인 스프링 상수 및 탄성 구간 데이터를 나타낸 것이다. 예를 들면, 각각의 튜닝 힘이 컬럼(104)에 부여하는 결과적인 스프링 상수 및 탄성 구간을 결정하기 위해 연속적인 튜닝 힘을 인가하게 되는 컬럼(104)을 "실험용" 컬럼으로 선택할 수 있다. 이렇게 선택된 컬럼(104)을 "실험용" 컬럼이라고 명명할 수 있는데, 이는 제품[예컨대, 도 26과 관련하여 언급될 컨택터(2606)와 같은 제품 또는 도 34와 관련하여 언급될 프로브 카드 조립체(3400)와 유사한 제품]에 통합될 최종 작동 컬럼(104)이라기보다는 앞서의 데이터를 얻기 위해 이 특정 컬럼(104)이 사용되기 때문이다. 실험용 컬럼으로 선택된 컬럼(104)의 자유 단부(예컨대, 인가되는 힘에 응답하여 이동되거나 또는 변위되도록 구성되는 컬럼의 단부)에 0.6 그램의 초기 튜닝 힘을 인가한 이후에, 실험용 컬럼(104)은 자유 단부가 0 내지 5 미크론만큼 변위되는 탄성 구간 내에서 약 0.17 그램/미크론의 스프링 상수를 갖는 것으로 확인되었다. 유사하게, 실험용 컬럼(104)의 자유 단부에 0.7 그램의 또 다른 튜닝 힘을 인가한 이후에, 실험용 컬럼(104)은 자유 단부가 0 내지 10 미크론만큼 변위되는 탄성 구간 내에서 약 0.12 그램/미크론의 스프링 상수를 갖는 것으로 확인되었다. 이러한 과정은 이후 0.8 그램, 0.9 그램, 1.0 그램, 및 1.1 그램의 튜닝 힘을 이용하여 반복되었으며, 이하의 표 1에서의 결과적인 스프링 상수 및 탄성 구간 데이터를 얻었다.

튜닝 힘	스프링 상수	탄성 구간
0.6 그램	0.17 그램/미크론	0 내지 5 미크론의 변위
0.7 그램	0.12 그램/미크론	0 내지 10 미크론의 변위
0.8 그램	0.10 그램/미크론	0 내지 15 미크론의 변위
0.9 그램	0.09 그램/미크론	0 내지 20 미크론의 변위
1.0 그램	0.08 그램/미크론	0 내지 25 미크론의 변위
1.1 그램	0.07 그램/미크론	0 내지 30 미크론의 변위

표 1에서의 데이터는 단지 예시적인 것이며, 오로지 설명 및 예시의 목적으로만 제시된 것이다. 이러한 데이터는 상이한 유형의 컬럼에 대해 변할 수 있다. 예를 들면, 이러한 데이터는 컬럼의 제작에 사용되는 레서피, 컬럼의 크기, 컬럼의 형상 등에 따라 변할 수 있다.

다시 도 24를 참고하여, 일단 특정 스프링 특성값에 튜닝 힘의 레벨을 연관시키는 데이터를 2402에서 획득하면, 특정값의 스프링 특성을 갖도록 실험용 컬럼과 동일한 일반 유형의 작동 컬럼을 튜닝할 수 있다. 이들 컬럼은 "작동" 컬럼이라 명명할 수 있는데, 이는 이들 컬럼이 제품[예컨대, 도 26과 관련하여 언급될 컨택터(2606)와 같은 제품 또는 도 34와 관련하여 언급될 프로브 카드 조립체(3400)와 유사한 제품]에서 사용될 것이기 때문이다. 탄소 나노튜브의 작동 컬럼은 2402에서 사용된 실험용 컬럼과 대체로 유사하고 동일한 일반 유형이어야 한다. 예를 들면, 작동 컬럼은 2402에서 데이터를 획득하기 위해 사용된 실험용 컬럼과 동일하거나 혹은 유사한 레서피, 대체로 동일하거나 혹은 유사한 크기 및/또는 대체로 동일하거나 혹은 유사한 형상을 이용하여 제작될 수 있다.

작동 컬럼을 배치하게 될 특정 용도(들)에 따라, 특정한 값 또는 범위값의 스프링 상수를 2404에서 선택할 수 있다. 다음으로, 2406에서는, 2404에서 선택된 스프링 상수의 값 또는 범위값과 가장 밀접하게 연관되는 튜닝 힘 레벨을 결정하기 위해 2402에서 획득한 실험용 데이터를 참고할 수 있다. 2408에서는, 2406에서 선택된 튜닝 힘이 작동 컬럼에 인가될 수 있으며, 이때 튜닝 힘은 2404에서 선택된 스프링 상수의 요구값과 근사적으로 동일한 스프링 상수를 작동 컬럼에 부여할 수 있다.

도 25는, 앞서의 표 1의 데이터를 이용하여 기판(102) 상의 컬럼(104)(도 1 참고)을 튜닝할 수 있는 도 24의 공정(2400)에서의 2404, 2406 및 2408의 비한정적인 예를 도시하고 있다. 도 25는 또한 컬럼(104)을 튜닝한 이후의 컬럼(104)의 예시적인 거동을 도시하고 있다.

도 25에서의 컬럼(104)은 본 명세서에서 언급하는 임의의 컬럼일 수 있으며, 컬럼(104) 또는 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 1904, 2204, 2304 및/또는 2304')과 같이 본 명세서에서 언급한 임의의 다른 컬럼의 예로서 간주할 수 있다. 기판(102)[및/또는 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 1904, 2204 및/또는 2304)에 대한 각각의 기판]은 희생 기판, 중간 기판 또는 제품 기판일 수 있으며, 컬럼(104)이 그 위에서 성장되는 성장 기판일 수 있거나 또는 성장 기판으로부터 컬럼(104)이 전달되는 기판일 수 있다. 따라서, 기판(102)은 기판(102)의 예로서 본 명세서에서 간주되는 임의의 기판일 수 있다. 또한, 기판(102)이 배선 기판(1502) 또는 배선 기판(1702)이라면, 도 25에 도시된 튜닝 공정은, 임의의 앵커링 구조체(1606 및/또는 1806)가 컬럼(104) 둘레에 형성되기 이전 또는 이후에, 그리고 도 19b 내지 도 22에 도시된 컬럼(104)에 대한 임의의 처리 이전 또는 이후에 컬럼(104) 상에서 행해질 수 있다. 도 25는 하나의 컬럼(104)을 나타내는 기판(102)의 부분도를 포함한다. 그러나, 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 복수 개(2 개 내지 수백 개, 수천 개 또는 수십만 개 또는 그 이상)의 컬럼(104)이 기판(102) 상에 있을 수 있으며, 각각의 컬럼은 (동시에, 순차적으로, 또는 그룹으로) 튜닝될 수 있다.

도 25에서의 도면부호 2500, 2520 및 2540은 튜닝 힘(F_T)이 컬럼(104)의 자유 단부(2506)(접촉 단부의 비한정적인 예일 수 있음)에 가해지는 튜닝 공정 도중의 다양한 상태에서의 컬럼(104)을 나타내고 있으며, 도 25에서의 도면부호 2560 및 2580은, 일반적으로 컬럼(104)의 길이에 평행한 방향으로 자유 단부(2506)에 인가되는 작용력(F_W)에 응답하여 튜닝된 컬럼(104)을 나타내고 있다. 자유 단부(2506)는 인가되는 힘에 응답하여 이동할 수 있는 컬럼(104)의 단부일 수 있으며, 이에 따라 자유 단부는 컬럼(104)의 특정 구조에 따라 좌우되는 단부(104 또는 106)일 수 있고 접촉 단부[예컨대, 접촉 단부(1904)와 유사함]에 해당할 수 있다. 도면부호 2500은 소정 힘이 자유 단부(2506)에 인가되기 이전에 초기 상태(2500)에서의 컬럼(104)을 나타내고 있다. 그러나, 초기 상태(2500)에서, 컬럼(104)은, 도 19b 내지 도 22b에 도시된 처리 공정을 포함하면서도 이로써 한정되지 않는 공정으로서 본 명세서에서 예시되거나, 언급되거나, 설명된 임의의 하나 이상의 처리 공정을 이미 겪었을 수 있다. 대안으로, 초기 상태(2500)에서, 컬럼(104)은, 도 19b 내지 도 22b에 도시된 처리 공정을 포함하면서도 이로써 한정되지 않는 공정으로서 본 명세서에 예시되거나, 언급되거나, 설명된 처리 공정 중 어떤 공정도 겪지 않았을 수 있다.

도 24의 공정(2400)을 참고하면, 2404에서 컬럼(104)에 대해 요구되는 스프링 상수를 선택할 수 있다. 요구되는 스프링 상수는 컬럼의 단부 또는 제품 용도에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)의 구체적인 단부 또는 제품 용도가 주어지면 0.10 그램/미크론의 스프링 상수가 요구되도록 결정될 수 있다. 도 24의 공정(2400) 중 2406에서, 0.10 그램/미크론이거나 약 0.10 그램/미크론인 스프링 상수를 컬럼(104)에 부여하는 튜닝 힘(F_T)을 결정할 수 있다. 이러한 예에 있어서, 이는 앞서의 표 1을 참고함으로써 달성될 수 있는데, 이는 컬럼(104)의 자유 단부(2506)에 약 0.8 그램의 튜닝 힘(F_T)을 인가하면 자유 단부(2506)가 0 내지 15 미크론만큼 이동하는 탄성 구간 내에서 0.10 그램/미크론의 스프링 상수를 갖도록 컬럼을 튜닝할 수 있음을 보이고 있다. 이때, 공정(2400)의 2408에서, 튜닝 힘(F_T)은 컬럼(104)의 자유 단부(2506)에 인가될 수 있다.

도 25를 참고하면, 소정 상태(2520)는 자유 단부(2506)에 튜닝 힘(F_T)이 인가될 때의 컬럼(104)을 도시하고 있다. 도 25에서 소정 상태(2520)로 도시된 바와 같이, 튜닝 힘(F_T)을 인가하면 컬럼(104)을 누를 수 있고, 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)이 컬럼(104)의 길이를 따라 형성되도록 할 수 있으며, 이때 가역적으로 변형 가능한 영역은 컬럼(104)의 길이에 대체로 수직할 수 있다. 도 25에서는 컬럼(104) 상에 3개의 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)이 도시되어 있지만, 컬럼(104) 상에 이러한 영역(2522)이 3개 넘게 있을 수 있거나 또는 3개 미만으로 있을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104) 상에 가역적으로 변형 가능한 하나의 영역(2522)이 있을 수 있다. 컬럼(104)에서의 좌굴 또는 좌굴 영역은 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)의 비한정적인 예일 수 있다. 도시된 바와 같이, 컬럼(104)의 길이에 대체로 평행한 방향으로 자유 단부(2506)에 튜닝 힘(F_T)이 인가될 수 있으며, 일부 실시예에 있어서 이는 컬럼(104)이 부착되는 기판(102)의 표면에 대해 대체로 수직일 수 있다. 이에 응답하여, 컬럼(104)은 튜닝 힘(F_T)의 방향에 대체로 평행한 방향으로 눌릴 수 있으며, 이때 튜닝 힘은 컬럼(104)의 길이(L)에 대체로 평행할 수 있고 컬럼(104)이 부착되는 기판(102)의 표면에 대체로 수직할 수 있다. 도 25에서 알 수 있는 바와 같이, 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)은 컬럼(104)의 길이(L)에 대체로 수직할 수 있다. 통상적으로, 튜닝 힘(F_T)이 클수록, 더 많은 수의 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)이 형성된다. 가역적으로 변형 가능한 각각의 영역(2522)은 스프링 특성을 가질 수 있으며, 개별적인 스프링처럼 작용할 수 있다. 컬럼(104)의 길이를 따라 이렇게 가역적으로 변형 가능한 복수 개의 영역(2522)은 연속된 복수 개의 스프링과 같이 작용할 수 있으며, 컬럼(104)의 스프링 특성은 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)의 스프링 특성의 일련의 합에 해당할 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)의 스프링 상수는 가역적으로 변형 가능한 영역(2522) 각각의 스프링 상수의 일련의 합에 해당할 수 있다. [알려진 바와 같이, 직렬인 "n"개의 스프링에 대한 스프링 상수(또는 다른 스프링 특성)의 일련의 합은 다음의 등식 1/k_sum = (1/k_a) + (1/k_b) + (1/k_c) + … + (1/k_n)에 따라 얻을 수 있는데, 이때 k_sum은 스프링 상수가 k_a인 제1 스프링, 스프링 상수가 k_b인 제2 스프링, 스프링 상수가 k_c인 제3 스프링 및 스프링 상수가 k_n인 "n번째" 스프링의 스프링 상수의 일련의 합이다.] 따라서, 예를 들면, 각각 스프링 상수가 1인 5개의 스프링의 일련의 합은 k_sum=k/5일 수 있으며, 이때 k_sum는 직렬인 5개의 스프링 각각의 스프링 상수 k의 일련의 합이다. 컬럼(104)의 원래 스프링 특성과 함께 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)은, 기판(102)에 부착되는 컬럼의 자유 단부 및 단부(기부 단부의 비한정적인 예일 수 있음) 사이에 있는 컬럼에서의 스프링 메커니즘(들)의 비한정적인 예일 수 있다. 함께 그룹으로 도시되어 있지만, 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)은 서로 인접할 필요는 없다. 언급한 바와 같이, 좌굴 및/또는 좌굴 영역은 가역적으로 변형 가능한 영역의 비한정적인 예일 수 있다.

도 25에 소정 상태(2520)로 도시된 바와 같이, 튜닝 힘(F_T)은 컬럼(104)을 누르고 자유 단부(2506)를 초기 압축 거리(2526)만큼 변위시킬 수 있으며, 이때 초기 압축 거리는 튜닝 힘(F_T)을 인가하기 이전의 자유 단부(2506)의 초기 위치(2508)와 튜닝 힘(F_T)을 인가하였을 때 자유 단부(2506)의 위치(2524) 사이의 차이일 수 있다. 소정 상태(2540)는 튜닝 힘(F_T)을 제거한 이후의 컬럼(104)을 나타내고 있다. 도 25에서 소정 상태(2540)로 도시된 바와 같이, 자유 단부(2506)는, 적어도 부분적으로 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)의 스프링 작용에 따라 복원 위치(2542)로 이동할 수 있다. 자유 단부(2506)가 복원 위치(2542)까지 이동하는 거리(2546)는 컬럼(104)의 탄성 복원을 나타낼 수 있고, 복원 위치(2542)와 초기 위치(2508) 사이의 거리는 튜닝 힘(F_T)에 응답하는 컬럼(104)의 소성 변형(2544)을 나타낼 수 있다.

컬럼(104)은 이제 특정 스프링 상수를 갖도록 튜닝되어 있다. 언급한 비한정적인 예에 있어서, 컬럼(104)은 앞서의 표 1에 나타낸 특성을 가질 것으로 예상되며, 전술한 바와 같이 컬럼에 인가된 튜닝 힘(F_T)은 0.8 그램이었다. 앞서의 표 1에 따르면, 컬럼(104)은 이제 변위가 0 내지 15 미크론인 탄성 구간 내에서 0.10 그램/미크론의 스프링 상수를 가질 수 있다. 이후에, 컬럼(104)은 자유 단부(2506)가 0 내지 15 미크론만큼 변위되는 탄성 구간 내에서 0.10 그램/미크론의 스프링 상수를 갖는 스프링처럼 작용할 수 있다. 튜닝 힘(F_T) 미만의 힘(예컨대, 본 예에서는 0.8 그램 미만)이 자유 단부(2506)에 인가되는 한, 컬럼(104)은 일반적으로 0.10 그램/미크론의 일정한 스프링 상수를 유지할 수 있다.

도 25에서의 상태(2560 및 2580)는 튜닝 힘(F_T)보다 작은 작용력(F_W)이 자유 단부(2506)에 가해지는 예를 나타내고 있다. 소정 상태(2560)인 컬럼(104)으로 나타낸 바와 같이, 작용력(F_W)은 컬럼(104)의 길이(L)에 평행한 방향으로 일반적으로 컬럼(104)이 눌리도록 하며[예컨대, 가역적으로 변형 가능한 영역(2522)이 눌림], 이에 따라 소정 위치(2542)로부터 소정 위치(2562)까지 자유 단부(2506)가 이동될 수 있다. 소정 상태(2580)인 컬럼(104)으로 나타낸 바와 같이, 작용력(F_W)을 제거하면, 컬럼(104)의 자유 단부(2506)는 소정 위치(2542)로 실질적으로 되돌아 올 수 있으며, 이에 따라 실질적인 탄성 복원된다. 컬럼(104)은, 튜닝 힘(F_T)보다 작은 작용력(F_W)의 반복적인 인가 및 이후의 제거에 응답하여 실질적인 탄성 복원을 지속적으로 겪을 수 있다[예컨대, 실질적으로 소정 위치(2542)로 되돌아감]. 언급한 바와 같이, 자유 단부(2506)에 인가된 튜닝 힘(F_T)보다 큰 힘은, 컬럼(104)의 길이를 따라 가역적으로 변형 가능한 영역들(2522)을 추가적으로 생성할 수 있고 이에 따라 스프링 상수를 변화시킬 수 있는 신규의 튜닝 힘으로서 작용할 수 있다. 예를 들어, 표 1을 이용하는 비한정적인 예와 함께 계속하면, 자유 단부(2506)에 대해 1.0 그램 또는 약 1.0 그램의 신규의 튜닝 힘을 인가함으로써 컬럼(104)이 0 내지 25 미크론만큼 변위되는 탄성 구간 또는 약 0 내지 25 미크론만큼 변위되는 탄성 구간 내에서 0.08 그램/미크론 또는 약 0.08 그램/미크론의 스프링 상수를 갖도록 할 수 있다. 그후, 컬럼(104)은, 도 25에서의 상태(2560 및 2580)에 도시된 바와 같이 일반적으로 신규의 튜닝 힘보다 작은 작용력의 인가에 응답할 수 있다.

전술한 바와 같이 수직 정렬되는 탄소 나노튜브 컬럼일 수 있는 컬럼(104)과 유사한 탄소 나노튜브의 컬럼은 다수의 용례에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)은 전자 장치와 같은 테스트 장비를 위한 테스트 시스템에서의 전기기계적 스프링 프로브일 수 있다. 도 26은, 전기기계적 프로브(2610)가 컬럼(104)과 유사한 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함하는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 테스트 시스템(2600)을 나타내고 있다. 도시된 바와 같이, 테스트 시스템(2600)은 하나 이상의 테스트 대상 전자 장치(DUT; 2614)의 시험을 제어하도록 구성된 테스터(2602)를 포함할 수 있다. 따라서, DUT는 전자 장치일 수 있다. 복수 개의 통신 채널(2604) 및 컨택터(2606)는 테스터(2602)와 DUT(2614) 사이에 파워 및 접지 신호, 테스트 신호, 응답 신호, 및 다른 신호를 위한 복수 개의 전기 경로를 제공할 수 있다. 테스터(2602)는 통신 채널(2604) 및 컨택터(2606)를 통해 DUT(2614)의 소정 단자(2616)에 제공되는 테스트 신호를 발생시킴으로써 DUT(2614)를 시험할 수 있다. 테스터(2602)는 이후에 테스트 신호에 응답하여 DUT(2614)에 의해 발생되는 응답 신호를 평가할 수 있다. 응답 신호는 DUT(2614)의 소정 단자에서 감지될 수 있으며, 컨택터(2606) 및 통신 채널(2604)을 통해 테스터(2602)에 제공된다.

테스터(2602)는 하나 이상의 컴퓨터 또는 컴퓨터 시스템과 같은 전자 제어 장비를 포함할 수 있다. 컨택터(2606)는 전기적 인터페이스(2608), 전기 전도성인 스프링 프로브(2610) 및 전기적 인터페이스(2608)와 프로브(2610) 사이의 컨택터(2606)를 통한 전기 접속부(2618)[예컨대, 컨택터(2606) 상에 또는 내부에 있는 전기 전도성 트레이스 및/또는 비아]를 포함할 수 있다. 프로브(2610)의 레이아웃 및 개수는 대체로 DUT(2614)의 단자(2616)의 레이아웃 및 개수에 대응될 수 있으므로 소정 프로브(2610)는 소정 단자(2616)에 접촉할 수 있고, 이에 따라 소정 단자(2616)와 압력에 기초한 전기 접속을 형성할 수 있다. DUT(2614)는 가동 척(chuck; 2612) 상에 배치될 수 있으며, 이때 가동 척은 소정 단자(2616)를 소정 프로브(2610)에 정렬시키도록 DUT(2614)를 이동시킬 수 있으므로, 정렬된 단자(2616) 및 프로브(2610)가 충분한 힘으로 접촉함으로써 정렬된 프로브(2610)와 단자(2616) 사이에 전기 접속을 형성하게 된다. 대안으로 또는 추가적으로, 컨택터(2606)를 이동시킬 수 있다. 전기적 인터페이스(2608)-채널(2604)에 대한 전기적 인터페이스를 포함할 수 있음-는 통신 채널(2604)에 접속될 수 있으며, 이 통신 채널은 테스터(2602)까지의 전기 경로 및 테스터로부터의 전기 경로를 포함할 수 있다. 전기적 인터페이스(2608)가 통신 채널(2604)에 접속되고 프로브(2610)는 단자(2616)와 접촉하는 동안, 통신 채널과 컨택터(2606)[전기적 인터페이스(2608) 및 프로브(2610)를 포함함]는 DUT(2614)의 단자(2616)와 테스터(2602) 사이에 복수 개의 전기 경로를 제공할 수 있다. 추가적으로, 하나 이상의 중간 기판(도시 생략됨)이 프로브(2610)와 컨택터(2606) 사이에 배치될 수 있다.

DUT(2614)는 싱글레이션되지 않은 반도체 웨이퍼의 하나 이상의 다이, 웨이퍼로부터 싱글레이션된 하나 이상의 반도체 다이(패키징되거나 또는 패키징되지 않음), 캐리어 또는 다른 유지 장치에 배치된 싱글레이션된 반도체 다이의 어레이의 하나 이상의 다이, 하나 이상의 다중 다이 전자 모듈, 하나 이상의 인쇄 회로 기판, 및 임의의 다른 유형의 전자 장치(들)일 수 있다. 도 26에서의 DUT(2614)는 이에 따라 하나 이상의 임의의 전술한 장치 또는 유사한 장치일 수 있다. 알려진 바와 같이, 반도체 다이는, 전기 회로가 내부에 집적되는 반도체 재료를 포함할 수 있으며, 단자(2616)는 전기 회로에 대한 전기 접속부 및 전기 회로로부터의 전기 접속부를 제공하는 본드 패드일 수 있다.

언급한 바와 같이, 프로브(2610)는 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함할 수 있으며, 이때 탄소 나노튜브 컬럼은 수직 정렬된 나노튜브 컬럼일 수 있다. 예를 들면, 프로브(2610)는 컬럼(104)을 포함할 수 있으며, 이 컬럼은 본 명세서에서 설명한 임의의 공정을 사용하여 제작된 컬럼(104)[예컨대, 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')]일 수 있으며, 또한 본 명세서에서 설명한 임의의 하나 이상의 처리(예컨대, 도 19a 내지 도 22b 중 임의의 도면에 도시된 바와 같음) 이후의 컬럼(104)을 포함할 수 있다. 또한, 프로브(2610)를 구성하는 컬럼(104)은 컨택터(2606)에 앵커링될 수 있으며/있거나 도 11a, 도 11b, 및 도 15a 내지 도 18b에 도시된 예 중 하나 이상의 임의의 예를 포함하며 본 명세서에 설명된 임의의 방식으로 컨택터(2606)의 다른 전기 소자 또는 단자에 전기 접속될 수 있다.

도 27은 본 발명의 일부 실시예에 따른 탄소 나노튜브의 컬럼으로 이루어진 프로브(2610)를 갖춘 컨택터(2606)를 제작하는 예시적인 공정(2700)을 도시하고 있으며, 도 28 내지 도 34는 컬럼(104)으로 이루어진 프로브를 갖춘 프로브 카드 조립체(3400) 형태인 예시적인 컨택터(2606)를 제작할 수 있는 예시적인 실시 공정(2700)을 도시하고 있다. 그러나, 상기 공정(2700)은 프로브 카드 조립체(3400) 형태로 컨택터(2606)를 제작하는 공정 또는 컬럼(104)으로 이루어진 프로브(2610)를 갖춘 컨택터(2606)를 제작하는 공정으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 공정(2700)은 다른 유형의 탄소 나노튜브의 컬럼으로 이루어진 프로브(2610)를 갖춘 컨택터(2606)를 제작하기 위해 사용될 수 있다.

도 27에 도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브의 컬럼은 2702에서 획득할 수 있다. 2702에서 컬럼을 획득하는 단계는 이전에 성장된 컬럼을 획득하는 단계를 포함할 수 있거나 또는 컬럼을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. 도 28은 도 27의 2702의 비한정적인 예를 도시하고 있다. 도 28에 도시된 바와 같이, 컬럼을 획득하는 단계(2702)는 기판(102) 상에서 컬럼(104)을 획득하는 단계를 포함할 수 있으며, 이때 기판은 컬럼(104)이 성장되는 성장 기판일 수 있거나 또는 컬럼(104)이 전달되며 해당 기판 상에서 컬럼(104)을 운반하거나 적재하게 되는 중간 기판일 수 있다.

다시 도 27을 참고하면, 2702에서 획득된 컬럼은 2704에서 배선 기판으로 전달될 수 있다(이는 제1 배선 기판 상에 컬럼을 배치하는 단계의 비한정적인 예일 수 있음). 2704에서의 전달 단계는 도 2 내지 도 5b 그리고 도 6 및 도 7에 도시된 전달 공정을 포함하여 본 명세서에서 설명된 임의의 전달 공정을 이용하여 달성될 수 있다. 도 29 및 도 30은 컬럼(104)이 기판(102)으로부터 배선 기판(2902)으로 전달되는 비한정적인 예를 도시하며, 이때 배선 기판은 일 표면 상에 있는 전기 전도성 단자(2904), 대향 표면 상에 있는 전기 전도성 단자(2906) 및 배선 기판(2902) 상에 있고/있거나 배선 기판을 관통하는 전기 경로(2908)(예컨대, 트레이스 및/또는 비아)를 포함할 수 있다. [전기 경로(2908)는 전기 접속부의 비한정적인 예일 수 있다.] 도 29에 도시된 바와 같이, 접착제(804)는 단자(2904) 상에 증착될 수 있으며, 컬럼(104)의 단부(106)는 예컨대 도 10에 도시된 바와 같이 일반적으로 접착제(804)와 접촉하게 될 수 있다. 전술한 바와 같이, 접착제(804)는 경화 가능한 전기 전도성 접착제일 수 있다. 컬럼(104)의 단부(106)가 접착제(804)와 접촉하게 된 이후에, 접착제(804)는 경화될 수 있다. 예를 들면, 접착제(804)는 접착제(804)를 가열함으로써, 특정 시구간 동안 주위 공기에 접착제(804)가 노출되도록 함으로써, 또는 임의의 다른 적절한 방식으로 경화될 수 있다. 도 30에 도시된 바와 같이, 기판(102)은 컬럼(104)으로부터 분리될 수 있으며, 이는 일반적으로 도 9와 관련하여 전술한 바와 동일한 방식으로 달성될 수 있다. 도 30에 도시된 기판(102)은 접착제(804)가 경화된 이후에 분리될 수 있다.

도 19a 및 도 19b와 관련하여 전술한 바와 같이, 접착제(804)는 컬럼(104) 내로 위킹될 수 있다. 따라서, 도 27에서의 2704에서 기판(102)으로부터 배선 기판(2902)으로 컬럼(104)을 전달하면, 컬럼(104)이 단부(106)에서 배선 기판(2902)의 단자(2904)에 부착될 수 있도록 할 뿐만 아니라 각각의 컬럼(104)이 컬럼(104) 내부로 위킹된 접착제(804)를 포함하도록 할 수 있다. 도 19a 및 도 19b와 관련하여 전술한 바와 같이, 접착제(804)는 컬럼(104)의 길이를 따라 컬럼(104) 내부로 단지 짧은 거리만큼 위킹될 수 있거나, 컬럼(104)의 길이 전체 또는 컬럼의 길이의 거의 전체를 따라 컬럼(104) 내부로 위킹될 수 있거나, 또는 전술한 양극단 사이의 소정 거리만큼 컬럼(104) 내로 위킹할 수 있다. 도 30에 있어서, 접착제(804)는 도 19에 도시된 바와 같이 일반적으로 컬럼(104) 내로 단지 짧은 거리만큼만 위킹된 것으로 도시되어 있다.

도 29에 도시된 바와 같이 단자(2904)에 컬럼(104)을 접착시키기보다는, 배선 기판(2902)에 피트[예컨대, 도 17a 및 도 17b에서의 피트(1705)와 유사함]가 형성되거나 마련될 수 있으며, 컬럼(104)은 피트(도시 생략됨)에서 배선 기판(2902)에 접합될 수 있다. 예를 들면, 접착제(804)는 피트(도시 생략됨) 내에 증착될 수 있고, 컬럼(104)의 단부(106)는 피트(도시 생략됨) 내로 삽입될 수 있다. 접착제(804)는 이후에 경화될 수 있고, 기판(102)은 전술한 바와 같이 컬럼(104)으로부터 분리될 수 있다.

도 29 내지 도 31에 도시된 예에 대한 예시적인 대안으로서, 도 27의 2704는, 도 11a 및 도 11b와 관련하여 전술한 임의의 예를 이용하여 배선 기판(2902)에 컬럼(104)을 전달함으로써 다른 방식으로 달성될 수 있다. 예를 들면, 도 28 내지 도 34에서의 배선 기판(2902)은 이에 따라 효과적으로 도 11a 및 도 11b의 배선 기판(1102)으로 대체될 수 있다.

예시적인 대안으로서, 도 27의 2702 및 2704는 컬럼(104)이 배선 기판(2902) 상에서 성장되도록 하는 조치로 대체될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)은 컬럼(1604)이 도 15a 내지 도 16b에서의 배선 기판(1502) 상에서 성장되는 것과 동일하거나 또는 유사한 방식으로 배선 기판(2902) 상에서 성장될 수 있거나, 또는 컬럼(1804)이 도 17a 내지 도 18b에서의 배선 기판(1702) 상에서 성장되는 것과 동일하거나 또는 유사한 방식으로 배선 기판(2902) 상에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 도 28 내지 도 34에서의 배선 기판(2902)은 이에 따라 도 15a 내지 도 16b의 배선 기판(1502) 또는 도 17a 내지 도 18b의 배선 기판(1702)으로 효과적으로 대체될 수 있다. 도 27에서의 2702 및 2704에 대한 또 다른 예시적인 대안으로서, 예컨대 도 31에 도시된 바와 같이 배선 기판(2902)에 부착된 컬럼(104)을 2702에서 획득할 수 있다. 이러한 경우, 도 27의 2704는 행할 필요가 없다.

도 27의 공정(2700)에 대한 설명으로 돌아가서, 컬럼(104)의 하나 이상의 특성을 향상시키기 위해 2706에서 컬럼(104)을 처리할 수 있다. 예를 들면, 도 20에 도시된 바와 같이, 접촉 단부(1904)를 처리하여(예컨대, 반응성 이온 에칭 또는 스퍼터링 에칭과 같은 방법으로 에칭하여) 접촉 단부(1904)로부터 돌출하는 구조(1912)를 생성할 수 있다. 또 다른 예로서, 도 21과 관련하여 전술하고 대략적으로 도시한 바와 같이 전기 전도성 재료를 컬럼(104) 상에(예컨대, 컬럼의 외부 상에) 증착하고/증착하거나 컬럼 내에 매립할 수 있다. 전술한 바와 같이, 전술한 내용에 따라 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다. 선택적으로, 도 22a 및 도 22b에 도시된 컬럼(2204)의 중공부(2208)와 유사한 중공부를 갖도록 컬럼(104)을 성장시키거나 또는 제작할 수 있으며, 상기 중공부는 전기 전도성 재료[예컨대, 도 22a 및 도 22b에서의 재료(2210)와 유사함]로 충전될 수 있고, 이 재료는 대안으로 또는 추가적으로 컬럼(104)의 전기 전도도를 향상시킬 수 있다.

도 31은, 도 21과 관련하여 대략적으로 전술한 바와 같이 원자층 증착, 화학적 기상 증착 또는 유사한 기법을 이용하여 전도성 재료를 컬럼(104) 상에 또는 컬럼 내에[예컨대, 개별적인 탄소 나노튜브 상에 및/또는 개별적인 탄소 나노튜브 주위에 및/또는 컬럼(104)을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 사이에] 매립하는 비한정적인 예를 도시하고 있다. 컬럼(104) 상에 있는 전도성 재료 또는 컬럼 내에 매립된 전도성 재료[예컨대, 개별적인 탄소 나노튜브 상에 및/또는 개별적인 탄소 나노튜브 주위에 및/또는 컬럼(104)을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 사이에 있는 전도성 재료]의 존재는 도 31에서 컬럼(104)의 어두운 음영으로 표시된다. 이에 따라 컬럼(104)은 도 21에 도시된 컬럼(104)과 대체로 유사하게 될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 도 31에서의 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)는 도 20에 도시된 돌출 구조체(1912)와 유사한 돌출 구조체를 구비할 수 있다.

다시 도 27의 공정(2700)을 참고하면, 배선 기판에 컬럼을 앵커링하기 위해 2708에서 조치를 취할 수 있고/있거나 배선 기판의 단자에 컬럼을 전기 접속시키기 위해 2708에서 조치를 취할 수 있다. 비한정적인 예가 도 32에 도시되어 있으며, 이는 배선 기판(2902) 상에 그리고 컬럼(104) 주위에 마련되거나 형성되는 앵커링 구조체(3202)를 도시하고 있다. 예를 들면, 앵커링 구조체(3202)는 도 16a 및 도 16b에서의 앵커링 구조체와 유사하거나, 이 앵커링 구조체와 유사하게 제작될 수 있다. 앵커링 구조체(3202)는 전기 전도성일 수 있으며, 이에 따라 배선 기판(2902) 상의 단자(2904) 및 컬럼(104)을 전기 접속시킬 수 있거나 이들 컬럼과 단자 사이의 전기 접속을 향상시킬 수 있다. 대안으로, 앵커링 구조체(3202)는 도 18a 및 도 18b에 도시된 앵커링 구조체(1806)와 유사할 수 있으며, 이러한 앵커링 구조체는 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이 배선 기판(2902) 상에서 전기 전도성 트레이스[예컨대, 도 18a 및 도 18b에서의 트레이스(1807)와 유사함]에 접속할 수 있다. 예를 들면, 전술한 바와 같이 단자(2904)로부터 멀리 간격을 두고 있는 피트[예컨대, 도 17a 및 도 17b에서의 피트(1705)와 유사함. 예를 들어 도 17a 및 도 17b에서의 단자(1704)로부터 멀리 간격을 두고 있는 피트(1705)와 유사함] 내에 컬럼(104)이 배치되는 경우, 이러한 트레이스는 앵커링 구조체 및 이에 따른 컬럼(104)을 배선 기판(2902) 상의 단자(2904)에 전기 접속시킬 수 있다.

다시 도 27의 공정(2700)을 참고하면, 컬럼의 하나 이상의 스프링 특성은 2710에서 튜닝될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)의 하나 이상의 스프링 특성은 도 24 및 도 25에 도시하고 이들 도면과 관련하여 전술한 튜닝 기법에 따라 튜닝될 수 있다. 예를 들면, 다양한 튜닝 힘 레벨을 특정 스프링 특성과 연관시키는 데이터를 컬럼(104)과 유사한 컬럼에 대해 도 24에서의 2402에서 일단 획득하면, 컬럼(104)에 하나 이상의 요구되는 스프링 특성을 부여하는 튜닝 힘은 도 24와 관련하여 대체로 전술한 바와 같이 2406에서 결정될 수 있으며, 선택된 튜닝 힘을 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에 인가하여(예컨대, 도 24의 2408에서와 같이 인가하여) 컬럼(104)에 요구되는 스프링 특성을 부여할 수 있다. 예를 들면, 도 24 및 도 25와 관련하여 전술한 바와 같이, 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에 특정 튜닝 힘을 인가함으로써 특정 스프링 상수값(또는 요구되는 스프링 상수값의 범위에 속하는 스프링 상수값)을 갖도록 컬럼(104)을 튜닝할 수 있다.

개별적으로 각각의 컬럼(104)에 튜닝 힘을 인가할 수 있다. 대안으로, 일부 실시예에 따른 비한정적인 예를 도시하는 도 33에 도시된 바와 같이, 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에 대해 선택된 튜닝 힘(F_T)으로 플레이트(3302)의 대체로 평평한 표면(3304)을 누를 수 있으며, 이때 복수 개의 컬럼(104)(모든 컬럼 또는 모든 컬럼보다 적은 수의 컬럼을 포함함)의 접촉 단부(1904)에 동시에 튜닝 힘(F_T)을 가할 수 있다. 컬럼(104)의 스프링 특성을 튜닝하는 것 이외에도, 도 33에 도시된 플레이트(3302)를 사용하면 또한 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)를 평면화할 수 있다. 예를 들면, 플레이트(3302)에 튜닝 힘(F_T)을 인가한 이후에, 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)는 일반적으로 표면(2608)의 소정 평면에 대응하는 공간상의 평면에 위치할 수 있다.

다시 도 27의 공정(2700)을 참고하면, 배선 기판은 2712에서 하나 이상의 구성요소와 조합되어 컨택터(2606)를 형성할 수 있다. 도 34는 프로브 카드 조립체(3400)를 형성하기 위해 배선 기판(2902)을 인터페이스 기판(3402) 및 전기적 상호접속부(3406)와 조합하는 비한정적인 예를 도시하고 있으며, 이러한 프로브 카드 조립체는 도 26에서의 테스트 시스템(2600)의 컨택터(2606)의 비한정적인 예일 수 있다. 도 34에 도시된 바와 같이, 인터페이스 기판(3402)은 채널(2604)(도 26 참고)과 통신하기 위한 전기적 인터페이스(2608)를 갖춘 기판 또는 다른 기판 구조를 포함할 수 있으며, 인터페이스 기판(3402)은 인터페이스 기판(3402)을 통해 전기적 상호접속부(3406)까지의 배선(3412)[예컨대, 인터페이스 기판(3402) 상에 있거나 인터페이스 기판 내에 있는 전기 전도성 트레이스 및/또는 비아]을 포함할 수 있다. 인터페이스 기판(3402)은, 예컨대 인쇄 회로 기판 또는 다른 유형의 배선 기판일 수 있다.

전기적 상호접속부(3406)는 배선 기판(2902)의 소정 단자(2906)와 배선(3412)을 전기 접속시킬 수 있는 임의의 전기적 커넥터일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 전기적 상호접속부(3406)는 가요성이 있거나 또는 연성이 있을 수 있다. 전기적 커넥터(3406)의 비한정적인 예는 전기 와이어, 전기 전도성 스프링, 및 땜납을 포함한다. 상호접속부(3406)의 다른 비한정적인 예는 전기 전도성 포스트, 볼, 포고 핀(pogo-pin) 및 범프 구조를 포함한다.

인터포저[예컨대, 도 43a 및 도 43b에 도시된 인터포저(4300)와 유사함]도 또한 전기적 상호접속부(3406)의 또 다른 비한정적인 예이다. 인터포저는 일부 실시예에 있어서 인터페이스 기판(3402)과 배선 기판(2902) 사이에 배치될 수 있는 배선 기판(예컨대, 도 43a 및 도 43b의 4302)을 포함할 수 있다. 제1 세트의 전기 전도성 스프링 접촉부(예컨대, 도 43a 및 도 43b에서 4302의 일측부로부터 연장되는 104와 유사함)는 인터포저 배선 기판(도시 생략)으로부터 배선(3412)까지 연장될 수 있으며, 제2 세트의 전기 전도성 스프링 접촉부(예컨대, 도 43a 및 도 43b에서 4302의 타측부로부터 연장되는 104와 유사함)는 인터포저 배선 기판으로부터 배선 기판(2902) 상의 단자(2906)까지 연장될 수 있다. 제1 세트의 전기 전도성 스프링 접촉부는 인터포저 배선 기판을 통해 제2 세트의 전기 전도성 스프링 접촉부에 전기 접속될 수 있다(예컨대, 도 43b에서의 4308에 의함).

컬럼(104)으로 이루어진 프로브(2610) 및 단자(2906)와 함께 프로브 헤드(3410)를 구성할 수 있는 배선 기판(2902)은, 브라켓(3408)에 의해 인터페이스 기판(3402)에 부착될 수 있다. 대안으로, 한정하는 것은 아니지만 나사, 볼트, 클램프, 및/또는 다른 방식의 패스너를 포함하는 다른 수단에 의해 인터페이스 기판(3402)에 배선 기판(2902)을 부착할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 배선 기판(2902)은 프로브 카드 조립체(3400)의 또 다른 구성요소[예컨대, 스티프너 플레이트(stiffner plate, 도시 생략) 또는 부착 구조이며, 이러한 구성요소에 의해 프로브 카드 조립체(3400)는 테스트 하우징(도시 생략) 내에 또는 테스트 하우징 상에 부착되거나 장착될 수 있음]에 부착될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 프로브 카드 조립체(3400)는 프로브 헤드(3410)와 같은 복수 개의 프로브 헤드를 포함할 수 있으며, 하나 이상의 프로브 헤드[예컨대, 프로브 헤드(3410)와 유사함]의 위치 또는 배향은 독립적으로 조정 가능할 수 있다. 전기적 상호접속부(3406)가 가요성이 있다면, 심지어 프로브 헤드(3410)[또는 프로브 카드 조립체(3400)가 다수의 프로브 헤드(3410)를 구비하는 경우에는 다수의 프로브 헤드(3410)]의 위치 또는 배향이 인터페이스 기판(3402)에 대해 조정되거나 또는 변경되어 있는 경우에도 전기적 상호접속부(3406)는 배선(3412)과 단자(2906) 사이의 전기 접속을 유지할 수 있다.

언급한 바와 같이, 프로브 카드 조립체(3400)는 컨택터(2606)의 예일 수 있으며, 이에 따라 테스트 시스템(2600)에서 컨택터(2606)로서 사용될 수 있다. 프로브 카드 조립체(3400)의 프로브(2610)는, 예컨대 척(2612)이 소정 프로브(2610)[예컨대, 도 34에서의 컬럼(104)]와 접촉하도록 소정 단자(2616)를 이동시킬 때 DUT(2614)의 단자(216)와의 압력에 기초한 전기 접속을 형성할 수 있다.

도 34에서의 프로브 카드 조립체(3400)는 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형이 가능하다. 예를 들면, 전술한 바와 같이, 도 11a 및 도 11b에서의 배선 기판(1102)은 도 34에서의 배선 기판(2902)을 대체할 수 있다. 또한 전술한 바와 같이, 컬럼(104)은 기판(102)으로부터 배선 기판(2902)으로 전달되기보다는 배선 기판(2902) 상에서 성장될 수 있다. 따라서, 예를 들면, 도 27의 공정(2700)에서의 2702 및 2704는 배선 기판(2902)의 단자(2906) 상에서 컬럼(104)을 성장시키는 조치로 대체될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)을 성장시키기 위해 도 15a 내지 도 16b에 도시된 공정이 사용될 수 있다. 따라서, 일부 실시예에 있어서, 도 34의 프로브 카드 조립체(3400)에서의 배선 기판(2902)은 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이 [도 34에서의 컬럼(104) 대신에] 컬럼(1604)을 갖춘 배선 기판(1502)으로 대체될 수 있다. 또 다른 예로서, 컬럼(104)을 성장시키기 위해 도 17a 내지 도 18b에 도시된 공정이 사용될 수 있다. 따라서, 일부 실시예에 있어서, 도 34의 프로브 카드 조립체(3400)에서의 배선 기판(2902)은 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이 [도 34에서의 컬럼(104) 대신] 컬럼(1804)을 갖춘 배선 기판(1702)으로 대체될 수 있다.

도 27의 공정(2700)은 단지 예시적인 것이며 다수의 변형이 가능하다. 예를 들면, 이미 언급한 예시적인 변형 이외에도, 일부 실시예에서는 2702, 2704, 2708, 2710 및/또는 2712의 순서를 바꿀 수 있다. 예를 들면, 2710은 2704, 2706 및/또는 2708 이전에 행해질 수 있다. 또 다른 예로서, 2708은 2706 이전에 행해질 수 있다. 또한, 또 다른 예로서, 2712는 2706, 2708 및/또는 2710 이전에 행해질 수 있다.

도 34에 도시된 프로브 카드 조립체(3400)는 단지 컨택터(2606)(도 26 참고)의 일례이다. 컨택터(2606)는 다른 형태를 취할 수 있다. 예를 들면, 컨택터(2606)는 가요성 막 컨택터를 포함할 수 있다. 또한, 또 다른 예로서, 컨택터(2606)는 배선 기판(2902)을 주요 구성으로 할 수 있다. 예를 들면, 도 33에 도시된 바와 같이 컬럼(104)을 튜닝하고/튜닝하거나 평탄화한 이후에는, 배선 기판(2902)이 컨택터(2606)일 수 있다. 예를 들면, 단자(2906)는 도 26에서의 전기적 인터페이스(2608)일 수 있으며, 컬럼(104)은 프로브(2610)일 수 있다. 다수의 다른 변형도 가능하다.

컨택터(2606)의 형태 또는 실시예와 무관하게, 수직 정렬된 탄소 나노튜브의 컬럼(104)은 종래의 프로브에 비해 프로브(2610)로서 다수의 가능한 장점이 있다. 프로브로서의 컬럼(104)을 갖춘 배선 기판(2606)의 사시도 및 단자(2516)(예컨대, 본드 패드일 수 있음)를 갖춘 DUT(2514)의 부분 사시도를 도시하는 도 35는 이러한 장점의 예를 보여준다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 컬럼(104)[프로브(2610)를 구성함]의 접촉 단부(1904)[전술한 바와 같이 컬럼(104)의 단부(106) 또는 단부(108)에 대응할 수 있음]는 DUT(2514) 상의 소정 단자(2516)의 패턴에 대응하는 패턴으로 배치될 수 있다. 단자(2516)의 피치(3512 및/또는 3514)는 도 35에 도시된 바와 같이 이웃한 단자(2516)들의 중심 사이의 거리(3512 및/또는 3514에 대응함)로서 정의될 수 있다. 마찬가지로 컬럼(104)의 피치(3502 및/또는 3504)는 도 35에 또한 도시된 바와 같이 이웃한 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)들의 중심 사이의 거리(3502 및/또는 3504에 대응함)로서 정의될 수 있다. 컬럼(104)의 피치(3502)는 단자(2516)의 피치(2512)와 대략적으로 동일할 수 있다(예컨대, 허용 가능한 공차 또는 오차 범위에 해당함).

일부 실시예에 있어서, 각각의 컬럼(104)은 대체로 단자(2516)와의 접촉에 응답하여 오직 컬럼(104)의 길이를 따라 배향되는 수직축(3420)을 따라 실질적으로 이동 가능하며(예컨대, 압축, 좌굴, 변형 등), 이는 수직축(3420)[컬럼(104)의 길이와 대체로 평행할 수 있음]과 대체로 평행할 수 있는 접촉 단부(1904) 상의 힘을 발생시킬 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 수직축(3420)은 또한 컬럼(104)이 연장되는 배선 기판(2902)의 표면에 대체로 수직할 수 있으며, 이 수직축은 또한 단자(2516)가 배치되는 DUT(2514)의 표면에 대체로 수직할 수 있다. 수직축(3420)은 또한 프로브(2610)와 단자(2516) 사이의 접촉에 따라 발생하는 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)에 대한 힘의 방향에 대체로 평행할 수 있다. 접촉 단부(1904)의 이동은 실질적으로 오직 수직축(3420)을 따라서만 이루어지므로, 컬럼(104)의 피치(3502 및/또는 2504)는 프로브(도시 생략)보다 상당히 작을 수 있으며, DUT[예컨대, DUT(2514)와 유사함]의 단자[예컨대, 단자(2516)와 유사함]와의 접촉에 응답하는 프로브의 이동은 수직축(3420)을 따르지 않는 상당한 성분을 포함한다. 이는, 수직축(3420)에 수직한 이웃하는 프로브의 임의의 이동 성분에 의해 이웃한 프로브의 접촉부가 서로를 향해 이동하게 될 수 있기 때문이다. 이러한 프로브에 대한 최소 피치는 통상적으로 서로를 향한 이웃한 프로브의 접촉부의 이동량보다 커야만 하며, 그렇지 않으면 이웃한 프로브의 접촉부들이 서로 접촉하게 된다. 일부 실시예에 있어서, 적어도 20 미크론만큼 작은(또는 촘촘한) 피치(3502 및/또는 3504)는 도 35에 도시된 컬럼(104)에 대해 달성될 수 있으며, 이는 도 35에 도시된 컬럼(104)이 20 미크론만큼 작은(또는 촘촘한) 피치(3512 및/또는 3514)를 갖는 단자(2516)를 구비한 DUT(2514)와 접촉할 수 있음을 의미한다. 일부 실시예에 있어서, 20 미크론 미만의 피치(3502 및/또는 3504)는 도 35에 도시된 컬럼(104)에 대해 달성 가능하다.

도 44와 관련하여 이하에 보다 상세하게 언급되는 바와 같이, 컬럼(104)은 컨택터(2606)보다는 DUT(2514)의 단자(2516)에 부착될 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 컨택터(2606) 상의 프로브(2610)[또는 프로브 카드 조립체(3400)]는 단자(2516)로부터 연장되는 컬럼(104)에 접촉하도록 구성된 평평한 단자로 대체될 수 있다. 그렇지 않은 경우, 도 26의 테스트 시스템(2600) 및 도 36의 테스트 공정(후술함)은, 대체로 도시하고 설명한 것과 동일할 수 있고 동일하게 작동할 수 있다.

도 36은 도 26의 테스트 시스템(2600)과 유사한 테스트 시스템에서 DUT[예컨대, DUT(2614)와 유사함]를 시험하기 위한 예시적인 공정(3600)을 도시하고 있다. 도 36에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 DUT가 3602에서 스테이지 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하나 이상의 DUT(2614)는 도 26의 테스트 시스템(2600)의 스테이지(2612) 상에 배치될 수 있다. 다시 도 36의 공정(3600)을 참고하면, 소정 프로브(2610)[소정 프로브는 전술한 대로 도 34 및 도 35에 도시된 바와 같이 컬럼(104)을 포함할 수 있음] 및 DUT(2614)의 소정 단자(2516)는 3604에서 접촉하게 될 수 있다. 예를 들면, 소정 단자(2516)를 소정 프로브(2610)와 정렬시키기 위해 스테이지(3602)를 이동시킬 수 있으며, 이후에 정렬된 소정 단자(2516)와 프로브(2610)가 서로 접촉하게 되도록 스테이지를 이동시킬 수 있다. 대안으로 또는 추가적으로, 컨택터(2606)를 이동시킬 수 있다. 소정 프로브(2610)와 단자(2516)의 전술한 접촉은, 소정 프로브(2610)와 단자(2516) 사이에 압력에 기초한 일시적인 전기 접속을 형성할 수 있다. 소정 프로브(2610)와 소정 단자(2516) 사이의 이러한 접촉은, 컬럼(104)의 길이와 대체로 평행한 힘을 접촉 단부(1904)에서 프로브(2610) 상에[그리고 이에 따라 컬럼(104) 상에] 발생시킬 수 있으며, 이는 컬럼(104)이 컬럼의 길이 및 힘의 방향에 대체로 평행한 방향으로 탄성 변형될 수 있도록 한다.

다시 도 36을 참고하면, DUT(2514)는 3606에서 시험될 수 있다. 예를 들면, 도 26에서의 테스터(2602)는 DUT(2514)에 집적된 회로에 대한 테스트 신호, 전력 신호 및 접지 신호를 통신 채널(2604) 및 컨택터(2606)를 통해 프로브(2610)가 접촉하고 있는 소정 DUT 단자(2616)에 보낼 수 있으며, 테스터(2602)는 DUT 단자(2616)와 접촉하는 소정 프로브(2610), 컨택터(2606) 및 통신 채널(2604)을 통해 응답 신호를 감지함으로써 테스트 신호에 응답하여 DUT(2514)에 의해[예컨대, DUT(2514)에 집적된 회로에 의해] 발생되는 응답 신호를 감지할 수 있다. 테스터(2602)는 이후에 감지된 응답 신호를 예상 응답 신호와 비교할 수 있다. 감지된 응답 신호가 예상 응답 신호와 동일하면, 테스터(2602)는 DUT(2514)가 올바르게 작동하며 시험을 통과하였다고 결론내릴 수 있지만, 그렇지 않은 경우 테스터(2602)는 DUT(2514)가 결함이 있다고 결론내릴 수 있다. 다시 도 36의 공정(3600)을 참고하면, 3606에서 시험을 통과한 DUT(2514)는 3608에서 추가로 처리될 수 있다. 예를 들면, DUT(2514)가 반도체 다이인 경우, 이 다이는 3610에서 다이의 최종 사용자에게 선적하기 위해 3608에서 패키징될 수 있거나 또는 달리 준비될 수 있다.

3604에서 프로브(2610)와 단자(2616)가 접촉하면 단자(2616) 상에 프로브 마크[경우에 따라 "스크럽 마크(scrub marks)"라고 함]를 형성할 수 있다. (프로브 마크는 또한 컨택트 마크라고도 할 수 있다.) 프로브(2610)는 탄소 나노튜브의 컬럼(104)을 포함하기 때문에, 프로브(2610)에 의해 DUT 단자(2516) 상에 남겨진 프로브 마크(도 26 참고)는 독특할 수 있으며, 적어도 니들 프로브, 외팔보형 프로브, 또는 다른 유형의 프로브에 의해 형성되는 스크럽 마크와 시각적으로 구분될 수 있다. 예를 들면, 도 37은 컬럼(104)으로 이루어진 프로브(2610)(또한 부분도로 도시되어 있음)와 접촉하는 DUT(2514)의 단자(2516)의 부분도를 도시하고 있으며, 도 38은 프로브(2610)와의 접촉으로부터 떨어진 단자(2516)를 도시하고 있다. 도 38에 도시된 바와 같이, 프로브(2610)에 의해 단자(2516)의 표면(3704) 상에 형성된 마크(3802)는 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)로부터 돌출되는 돌출 구조체(1912)에 의해 표면(3704)에 형성된 작은 구멍으로 주로 구성된다. 또한, 이러한 마크(3802)는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 제한된 영역[둘레(3804)에 의해 도 38에 도시됨]에 위치한다. 제한된 영역(3804)은 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)의 접촉 영역에 상응할 수 있다. [단자(2516)를 향하는 접촉 단부(1904) 부분은 접촉 단부(1904)의 표면이라 부를 수 있다. 제한된 영역(3804)은 접촉 단부(1904)의 표면의 영역에 상응할 수 있다.] 예를 들면, 제한된 영역(3804)은 70 미크론(또는 70 미크론 미만) × 70 미크론(또는 70 미크론 미만)일 수 있으며(4900 제곱 미크론의 면적에 상응할 수 있음), 이는 전술한 바와 같이 일부 실시예에 있어서 접촉 단부(1904)의 접촉 영역의 대략적인 치수일 수 있다. 돌출 구조체(1912)의 크기에 따라, 천공 마크(3802)가 존재한다면 각각의 천공 마크의 크기는 통상적으로 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 25 제곱 미크론 미만일 수 있으며, 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 5 미크론 미만만큼 들어간다. 다양한 실시예에 있어서, 각각의 천공 마크(3802)는 통상적으로 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 20 제곱 미크론 미만, 15 제곱 미크론 미만 또는 10 제곱 미크론 미만일 수 있으며, 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 4 미크론 미만, 3 미크론 미만 또는 2 미크론 미만만큼 들어갈 수 있다. 각각의 컬럼(104)의 접촉 단부(904)에서의 구조(1912)의 크기 및 개수에 따라, 천공 마크(3802)에 의해 방해를 받는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(3516)의 표면(3704)의 전체 면적의 30 % 미만일 수 있다. 다양한 실시예에 있어서, 천공 마크(3802)에 의해 방해를 받는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(2516)의 표면(3704)의 전체 면적의 25 % 미만, 20 % 미만, 15 % 미만, 10 % 미만 또는 5 % 미만일 수 있다. 또한, 일부 실시예에 있어서, 천공 마크(3802)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(3804)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이하, 30 % 이하, 20 % 이하 또는 15 % 이하일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 천공 마크(3802)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(3804)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이상 또는 15 % 이하일 수 있다.

언급한 바와 같이, 프로브(2610)를 구성하는 컬럼(104)은 돌출 구조체(1912)를 형성하기 위해 (예컨대, 도 20에 도시되어 있는 바와 같이) 처리되어 있을 필요가 없다. 도 39에 도시된 바와 같이, 돌출 구조체(1912)를 형성하기 위해 처리되지 않은 접촉 단부(1904)를 포함하는 프로브(2610)에 의해 단자(2516)의 표면(3704) 상에 형성된 오목부(3902)[예컨대, 스팟 후퇴부(spot depression)]는 표면(3704)에서의 오목부(3902)로 주로 구성될 수 있다. 돌출 구조체(1912)를 형성하기 위해 처리되지 않은 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)(및 이에 따라 뾰족하거나 돌출형 돌출 구조체가 없는 접촉 단부)는 적어도 미시적인 수준에서는 평탄하지 않을 수 있다. 따라서, 예컨대 접촉 단부(1904)를 형성하는 탄소 나노튜브의 다른 단부로부터 약간 돌출된 탄소 나노튜브의 단부 다발을 포함하는 약간 돌출된 영역이 접촉 단부(1904)에 존재할 수 있다. 전술한 내용에 따라 단자(2516)의 표면(3704)에 오목부(3902)가 형성될 수 있다. 오목부(3902)는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 제한된 영역[둘레부(3904)에 의해 경계가 정해지는 영역에 의해 도 39에 도시된 영역]에 위치할 수 있다. 제한된 영역(3904)은 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)의 접촉 영역(예컨대, 접촉 표면)에 상응할 수 있다. [단자(2516)를 향하는 접촉 단부(1904) 부분은 접촉 단부(1904)의 표면이라 부를 수 있다. 제한된 영역(3904)은 접촉 단부(1904)의 표면의 영역에 상응할 수 있다.] 예를 들면, 제한된 영역(3904)은 70 미크론(또는 70 미크론 미만) × 70 미크론(또는 70 미크론 미만)일 수 있으며(4900 제곱 미크론의 면적에 상응할 수 있음), 이는 전술한 바와 같이 일부 실시예에 있어서 접촉 단부(1904)의 접촉 영역의 대략적인 치수일 수 있다. 각각의 오목부(3902)의 크기는 통상적으로 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 오목부(3902)를 가로질러 약 5 미크론 미만일 수 있으며, 오목부(3902)는 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 5 미크론 미만만큼 들어가 있다. 다양한 실시예에 있어서, 각각의 오목부(3902)는 통상적으로 오목부를 가로질러 4 미크론 미만, 3 미크론 미만, 또는 2 미크론 미만일 수 있으며, 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 4 미크론 미만, 3 미크론 미만, 또는 2 미크론 미만만큼 들어가 있을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 오목부(3902)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(3516)의 표면(3704)의 전체 면적의 30 % 미만일 수 있다. 다양한 실시예에 있어서, 오목부(3902)에 의해 방해를 받는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(3516)의 표면(3704)의 전체 면적의 25 % 미만, 20 % 미만, 15 % 미만, 10 % 미만 또는 5 % 미만일 수 있다. 또한, 일부 실시예에 있어서, 오목부(3902)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(3904)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이하, 30 % 이하, 20 % 이하 또는 15 % 이하일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 오목부(3902)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(3904)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이상 또는 15 % 이하일 수 있다.

전술한 바와 같이, 프로브(2610)는 대안으로 컬럼(2304)을 포함할 수 있으며, 이 컬럼은 도 23a에 도시된 바와 같이 정점 구조(2312)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 정점 구조(2312)는 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)의 코너에 위치할 수 있다. 도 40은 컬럼(2304)으로 이루어진 프로브 및 단자(2516)가 (예컨대, 도 36의 3604에서와 같이) 접촉한 이후에 DUT 단자(2516)의 표면(3704)을 도시하고 있다. 도 40에 도시된 바와 같이, 컬럼(2304)으로 이루어진 프로브(2610)에 의해 단자(2516)의 표면(3704) 상에 형성되는 마크(4002)는 정점 구조(2312)에 의해 형성되는 작은 구멍으로 주로 구성될 수 있다. 언급한 바와 같이, 정점 구조(2312)는 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)의 코너에 위치할 수 있으며, 정점 구조(2312)에 의해 형성된 마크(4002)는 소정 영역[둘레부(4004)로써 도 40에 도시되어 있음]의 코너에 위치할 수 있다. 제한된 영역(4004)은 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)의 접촉 영역에 상응할 수 있다(도 23a 참고). [단자(2516)를 향하는 접촉 단부(1904) 부분은 접촉 단부(1904)의 표면이라 부를 수 있다. 제한된 영역(4004)은 접촉 단부(1904)의 표면의 영역에 상응할 수 있다.] 예를 들면, 제한된 영역(4004)은 70 미크론(또는 70 미크론 미만) × 70 미크론(또는 70 미크론 미만)일 수 있으며(4900 제곱 미크론의 면적에 상응할 수 있음), 이는 전술한 바와 같이 일부 실시예에 있어서 접촉 단부(2304)의 접촉 영역의 대략적인 치수일 수 있다. 언급한 바와 같이, 컬럼(2304)은 도 23a에 도시된 바와 같이 4개의 정점 구조(2312)를 구비할 수 있거나, 또는 4개보다 더 많거나 더 적은 정점 구조(2312)를 구비할 수 있다. 도 40에 도시된 단자(2516)의 표면(3704)은 이에 따라 더 많거나 또는 더 적은 마크(4002)를 구비할 수 있다. 정점 구조(2312)의 크기에 따라, 각각의 천공 마크(4002)의 크기는 통상적으로 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 20 제곱 미크론 미만일 수 있고, 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 5 미크론 미만만큼 들어가 있다. 다양한 실시예에 있어서, 각각의 천공 마크(4002)는 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 15 제곱 미크론 미만, 10 제곱 미크론 미만, 또는 5 제곱 미크론 미만일 수 있으며, 통상적으로 표면(3704)으로부터 단자(2516) 내로 4 미크론 미만, 3 미크론 미만, 또는 2 미크론 미만만큼 들어가 있게 된다. 각각의 컬럼(2304)의 접촉 단부(2302)에서의 정점 구조(2312)의 크기 및 개수에 따라, 천공 마크(4002)에 의해 방해를 받는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(3516)의 표면(3704)의 전체 면적의 15 % 미만일 수 있다. 다양한 실시예에 있어서, 천공 마크(4002)에 의해 방해를 받는 단자(2516)의 표면(3704) 상의 전체 면적은 단자(3516)의 표면(3704)의 전체 면적의 10 % 미만, 5 % 미만, 또는 3 % 미만일 수 있다. 또한, 일부 실시예에 있어서, 마크(4002)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(4004)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이하, 30 % 이하, 20 % 이하 또는 15 % 이하일 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 마크(4002)에 의해 방해를 받는(또는 점유되는) 둘레부(4004)로써 경계가 정해지는 제한된 영역의 비율은 40 % 이상 또는 15 % 이하일 수 있다.

도 41a는 예시적인 반도체 다이(2514')를 도시하며, 이 반도체 다이는 DUT(2514)의 비한정적인 예일 수 있다. 도시된 바와 같이, 다이(2514')는 복수 개의 단자(2516')를 구비할 수 있는데, 이 단자는 예컨대 본드 패드일 수 있다. 도 41a는 도 37 및 도 38에서와 같이 구성되고[즉, 프로브(2610)는 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에 돌출 구조체(1912)를 형성하도록 처리된 컬럼(104)을 포함함(도 20 참고)] 도 36의 공정(3600)에 도시된 바와 같이 시험된 프로브(2610)에 의해 단자(2516')들이 접촉한 이후의 단자(2516')를 도시하고 있다. 도 41a에 도시된 바와 같이, 다이(2514')의 단자(2516') 상의 프로브 마크는 도 38에 도시된 바와 같이 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)에 상응하는 둘레부(3904) 내에 위치하는 천공 마크(3802)로 주로 구성될 수 있다(즉, 일반적으로 천공 마크로 한정됨). 도 38과 관련하여 전술한 바와 같이, 천공 마크(3802)는 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)로부터 돌출하는 구조(1912)에 의해 형성될 수 있다. 단자(2514') 상의 천공 마크(3802)는 도 38과 관련하여 전술한 바와 같을 수 있다.

도 41b는 도 39와 관련하여 전술한 바와 같이 구성되고[즉, 프로브(2610)는 컬럼(104)의 접촉 단부(1904)에서 돌출 구조체(1912)를 형성하도록 접촉 단부(1904)를 처리하지 않은 컬럼(104)을 포함함] 도 36의 공정(3600)에 나타낸 바와 같이 시험된 프로브(2610)에 의해 단자(2514')가 접촉되고 난 이후에 단자(2514')를 구비하는 다이(2514')를 도시하고 있다. 도 41b에 도시된 바와 같이, 다이(2514')의 단자(2516') 상의 오목부(3902)는 도 39에 도시된 바와 같은 프로브(2610)의 접촉 단부(1904)에 상응하는 둘레부(3804) 내에 위치하는 오목부(3902)를 주요 구성으로 할 수 있다(즉, 일반적으로 오목부로 한정됨). 도 39와 관련하여 전술한 바와 같이, 오목부(3902)는 프로브(2610)를 구성하는 컬럼(104)을 구성하는 탄소 나노튜브의 단부에 의해 형성될 수 있다. 단자(2514') 상의 오목부(3902)는 도 39와 관련하여 전술한 바와 같을 수 있다.

도 41c는 또 다른 예시적인 반도체 다이(2514")를 도시하고 있으며, 이 다이는 DUT(2514)의 또 다른 비한정적인 예일 수 있다. 다이(2514')와 유사하게, 다이(2514")는 복수 개의 단자(2516")를 구비할 수 있는데, 이 단자는 예컨대 본드 패드일 수 있다. 이러한 예에 있어서, 도 34에서의 프로브 카드 조립체(3400) 또는 컨택터(2606)의 프로브(2610)(도 26 및 도 35 참고)는 도 23a에서의 컬럼(2304)을 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 컬럼(2304)을 포함하고 도 36의 공정(3600)에 도시된 바와 같이 시험된 프로브(2610)에 의해 다이(2514")가 접촉된 이후에, 다이(2514")의 단자(2516") 상의 프로브 마크는 도 40에 도시된 바와 같이 프로브(2610)[도 23a에 도시된 바와 같은 컬럼(2304)을 포함함]의 접촉 단부(2302)에 상응하는 둘레부(4004)를 따라 둘레부 내에 위치하는 천공 마크(4002)로 주로 구성될 수 있다(즉, 일반적으로 천공 마크로 한정됨).

도 40a 내지 도 41c에서의 반도체 다이(2514' 및 2514")는 단지 예시적인 것이며, 다수의 변형이 가능하다. 예를 들면, 각각의 다이(2514', 2514") 상의 단자(2516', 2516")의 개수 및 레이아웃은 단지 예시적인 것이다. 다이(2516')는 다양한 개수의 단자(2516')를 구비할 수 있으며, 이러한 단자는 도 40에 도시된 패턴과 상이한 패턴으로 배치될 수 있다. 마찬가지로, 다이(2516")는 다양한 개수의 단자(2516")를 구비할 수 있으며, 이러한 단자는 도 41에 도시된 패턴과 상이한 패턴으로 배치될 수 있다.

도 42는 다이(4202)의 단자(4204)에 접촉한 후 단자(4204)를 가로질러 와이핑하도록 구성되는 통상의 종래 기술의 프로브(도시 생략)에 의해 형성되는 통상적인 프로브 마크(4208)을 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 프로브 마크(4208)는 통상적으로 단자(4204)의 표면(4206)에 있는 게이지 또는 트렌치로 이루어진다. 프로브 마크(4208)는 통상적으로 종래 기술의 프로브(도시 생략)와의 초기 접촉에 상응하는 힐 부분(4210)으로부터 토우 부분(4212)까지 연장되는데, 토우 부분은 통상적으로 단자(4204)를 가로지르는 종래 기술의 프로브(도시 생략)의 와이핑 운동의 종료부에 상응한다. 프로브 마크(4208)는 이에 따라 종래 기술의 프로브(도시 생략)가 힐 부분(4210)과 접촉한 후 단자(4204)를 가로질러 토우 부분(4212)까지 와이핑할 때 형성된다. 도 42에 도시된 바와 같이, 프로브 마크의 치수는 통상적으로 다음과 같은데, 프로브 마크(2408)의 폭(W)은 일반적으로 단자(4204)와 접촉하는 종래 기술의 프로브(도시 생략) 부분의 폭에 상응할 수 있으며, 프로브 마크(2408)의 길이(L)는 일반적으로 단자(4204)를 가로지르는 종래 기술의 프로브(도시 생략)의 와이핑 운동의 길이에 상응할 수 있고, 표면(4206)으로부터 단자(4204)까지 프로브 마크(2408)의 깊이(D)는 일반적으로 이동 거리에 상응할 수 있으며, 이 거리는 종래 기술의 프로브(도시 생략)와 단자(4204) 사이의 초기 접촉 이후에 종래 기술의 프로브(도시 생략) 및/또는 단자(4204)가 단자 및/또는 프로브를 향해 이동하는 거리일 수 있다. W, D 및 L의 일부 통상적인 예는 W가 20 미크론, L이 20 미크론, 그리고 D가 10 미크론인 경우를 포함한다.

추가적으로, 도 42에 도시된 바와 같이, 파편 더미(4214)는 통상적으로 프로브 마크(4208)의 토우 부분(4212)에 형성된다. 무엇보다도 파편 더미(4214)는, 종래 기술의 프로브(도시 생략)가 프로브 마크(4208)의 힐 부분(4210)으로부터 토우 부분(4212)까지 와이핑할 때 단자(4202)의 표면(4206)을 조각내고/조각내거나 단자(4202)를 파낸 것인 단자(4202) 상의 재료 및/또는 단자(4202)의 표면(4206) 상의 재료(예컨대, 산화물 박막)를 포함할 수 있다.

본 발명은 이로써 한정되지 않지만, 도 38에 도시된 천공 마크(3802), 도 39에서의 오목부(3902) 또는 도 40에 도시된 천공 마크(4002)로 주로 구성되는 예시적인 프로브 마크는, 도 42에 도시된 종래 기술의 프로브 마크보다 더 유리할 수 있다. 이는, 반도체 다이의 단자(예컨대, 본드 패드) 상의 프로브 마크가 여러 가지 문제를 야기할 수 있기 때문이다. 첫째로, 프로브 마크는 와이어가 단자에 접합되지 못하게 할 수 있다. (반도체 장치의 단자는 종종 와이어에 의해 보호 패키지의 도선에 연결된다.) 둘째로, 심지어 와이어가 프로브 마크가 있는 단자에 성공적으로 접합된 경우에도, 프로브 마크는 와이어와 단자 사이의 접합의 유효 수명을 단축시킬 수 있다. 셋째로, 프로브 마크는 단자를 약화시켜 단자가 헐거워지거나 또는 심한 경우 단자가 반도체 장치로부터 떨어지게 할 수 있다. [프로브 마크의 유해한 영향에 관한 논의를 위해서는 푸어(Puar)에게 허여된 미국 특허 제5,506,499호("푸어") 제2 컬럼, 21 내지 40줄 및 제3 컬럼, 7 내지 25줄을 참고하라.] 프로브 마크의 크기를 줄임으로써 및/또는 단자의 표면과 함께 프로브 마크가 형성하는 불연속 레벨을 낮춤으로써 전술한 문제를 완화시킬 수 있다. 따라서, 예를 들어, 도 38에 도시된 단자(2516)의 표면(3704)에 있는 천공 마크(3802)는, 도 42에 도시된 종래 기술의 프로브 마크(4208)보다 훨씬 작기 때문에, 천공 마크(3802)는 종래 기술의 프로브 마크(4208)보다는 프로브 마크와 관련하여 전술한 임의의 문제를 유발할 가능성이 적다. 추가적으로, 도 38에 도시된 단자(2516)의 표면(3704) 상의 천공 마크(3802)에 의해 형성되는 불연속은, 도 42에서의 단자(4202)의 표면(4206) 상에서의 파면 더미(4214) 및 프로브 마크(4208)에 의해 형성되는 불연속보다는 훨씬 적기 때문에, 천공 마크(3802)는 종래 기술의 프로브 마크(4208) 및 파편 더미(4214)보다는 프로브 마크와 관련하여 전술한 임의의 문제를 야기할 가능성이 적다. 도 39에서의 오목부(3902) 및 도 40에 도시된 천공 마크(4002)도 마찬가지로 종래 기술의 프로브 마크(4208) 및 파편 더미(4214)보다 단자(2516)의 표면(3704) 상에서 불연속을 적게 형성하며 훨씬 작고, 이에 따라 프로브 마크와 관련하여 전술한 임의의 문제를 야기할 가능성이 적다.

명백한 바와 같이, 프로브 마크(4208)는 도 38에서의 천공 마크(3802) 중 임의의 천공 마크, 도 39에서의 오목부(3902), 또는 도 40에서의 개별적인 천공 마크(4002) 중 임의의 천공 마크보다 훨씬 크다. 또한, 프로브 마크(4208) 및 파편 더미(4214)는, 도 38에서의 천공 마크(3802)가 단자(2516')의 표면(3704)을 방해하는 것, 도 39의 오목부(3902)가 단자(2516')의 표면(3704)을 방해하는 것, 또는 도 40에서의 천공 마크(4002)가 단자(2516")의 표면(3704)을 방해하는 것보다 큰 비율의 단자(4204)의 표면(4206)을 방해한다.

도 26의 컨택터(2606)와 유사한 컨택터 및 도 34의 프로브 카드 조립체(3400)와 유사한 프로브 카드 조립체는 탄소 나노튜브의 컬럼(104)에 대한 유일한 용례가 아니다. 도 43a 및 도 43b(각각 사시도 및 측단면도를 도시하고 있음)는 컬럼(104)이 인터포저(4300)의 스프링 접촉 구조체(예컨대, 상호접속 구조)를 포함할 수 있는 또 다른 예시적인 용례를 도시하고 있다. 인터포저(4300)는 배선 기판(4302)(예컨대, 인쇄 회로 기판, 세라믹 기판, 또는 다른 배선 기판)을 포함할 수 있으며, 컬럼(104)은 이 배선 기판에 부착된다. 도시된 바와 같이, 컬럼(104)(제1 스프링 접촉 구조체 및 제2 스프링 접촉 구조체의 비한정적인 예일 수 있음)은 배선 기판(4302)의 대향하는 측부(제1 표면 및 제2 표면의 예일 수 있음)에 부착될 수 있다. 예를 들면, 도 43b에 도시된 바와 같이, 일부 컬럼(104)은 배선 기판(4302)의 일측부 상에서 단자(4306)에 부착될 수 있으며, 나머지 컬럼(104)은 배선 기판의 대향 측부 상에서 단자(4306)에 부착될 수 있다. 배선(4308)[예컨대, 배선 기판(4302) 내의 트레이스 및/또는 비아 또는 배선 기판 상에서의 트레이스 및/또는 비아]은 배선 기판(4302)의 일측부 상에 있는 단자를 배선 기판(4302)의 대향 측부 상의 단자(4306)와 전기 접속시킬 수 있으며, 이에 따라 또한 배선 기판(4302)의 일측부 상에 있는 컬럼(104)과 배선 기판(4302)의 대향 측부 상의 컬럼(104)을 또한 전기 접속시킬 수 있다. 배선(4308)은 전기 접속부의 비한정적인 예일 수 있다.

컬럼(104)은 본 명세서에서 설명하거나 언급한 임의의 기법 또는 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 또한, 컬럼(104)은, 예컨대 도 2 내지 도 7 및 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이 희생 기판[예컨대, 기판(202)] 상에서 성장될 수 있고, 배선 기판(4302)에 전달될 수 있다(예컨대, 도 8 내지 도 11b 또는 도 12 내지 도 14에 도시된 임의의 기법을 이용함). 대안으로, 컬럼(104)은 본 명세서에서 설명되거나 또는 언급된 임의의 적용 가능한 기법 또는 공정을 이용하여 배선 기판(4302)의 단자(4306) 상에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)은 도 15a 내지 도 16b에서의 단자(1504) 상에서 컬럼(1604)이 성장되는 것과 동일한 방식으로 단자(4306) 상에서 성장될 수 있다. 또한, 또 다른 대안으로서, 컬럼(104)은 도 17a 내지 도 18b에서의 피트에서 컬럼(1804)이 성장되는 것과 동일한 방식으로 배선 기판(4302)에서의 피트(도시 생략) 내에서 성장될 수 있다. 또한, 컬럼(104)은 도 19 내지 도 22b에 도시되거나 또는 그렇지 않으면 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 하나 이상의 처리방법을 이용하여 처리될 수 있고, 컬럼(104)은 도 16a 및 도 16b에서의 앵커링 구조체(1606) 또는 도 18a 및 도 18b에서의 앵커링 구조체(1806)와 유사할 수 있는 앵커링 구조체(4304)에 의해 또는 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 앵커링 기법을 이용하여 단자(4306) 및/또는 배선 기판(4302)에 앵커링될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)은 컬럼(2204 또는 2304)과 유사할 수 있다.

도 44는, 컬럼(104)이 반도체 다이(4402)의 단자(4404)(예컨대, 본드 패드)에 부착된 스프링 접촉 구조체를 포함할 수 있는 또 다른 예시적인 용례를 도시하고 있으며, 이때 반도체 다이는 배선 기판의 비한정적인 예일 수 있다. 다이(4402)는 임의의 유형의 반도체 다이일 수 있다. 예를 들면, 다이(4402)는 메모리 또는 데이터 저장 회로, 디지털 논리 회로, 프로세서 회로 등을 포함할 수 있다. 공지되어 있는 바와 같이, 단자(4404)는 다이(4402)에 집적된 회로에 전기 접속될 수 있으며, 이에 따라 신호, 전력 및 접지를 위한 입력부 및 출력부를 제공할 수 있다.

컬럼(104)은 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 기법 또는 공정을 이용하여 성장될 수 있다. 또한, 컬럼(104)은 예컨대 도 2 내지 도 7 및 도 12 내지 도 14에 도시된 바와 같이 희생 기판[예컨대, 기판(202)] 상에서 성장될 수 있고, 다이(4402)에 전달될 수 있다(예컨대, 도 8 내지 도 11b 또는 도 12 내지 도 14에 도시된 임의의 기법을 사용함). 대안으로, 컬럼(104)은 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 적용 가능한 기법 또는 공정을 이용하여 다이(4402)의 단자(4404) 상에서 성장될 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)은 도 15a 내지 도 16b에서의 단자(1504) 상에서 컬럼(1604)이 성장되는 것과 동일한 방식으로 단자(4404) 상에서 성장될 수 있다. 또한, 또 다른 대안으로서, 컬럼(104)은 도 17a 내지 도 18b에서의 피트(1705) 내에서 컬럼(1804)이 성장되는 것과 동일한 방식으로 다이(4402) 내의 피트(도시 생략) 내에서 성장될 수 있다. 또한, 컬럼(104)은 도 19 내지 도 22b에 도시되거나 또는 그렇지 않으면 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 하나 이상의 처리방법을 이용하여 처리될 수 있고, 컬럼(104)은 도 16a 및 도 16b에서의 앵커링 구조체(1606) 또는 도 18a 및 도 18b에서의 앵커링 구조체(1806)와 유사할 수 있는 앵커링 구조체(도시 생략)에 의해 또는 본 명세서에서 설명되거나 언급된 임의의 앵커링 기법을 사용하여 단자(4404) 및/또는 다이(4402)에 앵커링될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)은 컬럼(2204 또는 2304)과 유사할 수 있다.

다이(4404)는 싱글레이션된 다이일 수 있고[즉, 다이(4404)가 제작되었던 실리콘 웨이퍼로부터 싱글레이션된 다이일 수 있음], 다이(4404)는 패키징되거나 패키징되지 않을 수 있다. 대안으로, 다이(4404)는 다이가 제작되는 웨이퍼로부터 싱글레이션되지 않을 수 있다. 예를 들면, 컬럼(104)은 다이(4402)가 아직 웨이퍼의 일부일 때 다이(4402)에 부착될 수 있는데, 이때 상기 웨이퍼 상에서 다이(4402)가 제작된다. 일부 실시예에 있어서, 컬럼(104)은 다이를 웨이퍼로부터 싱글레이션하기에 앞서 실리콘 웨이퍼 상에서 다이[예컨대, 다이(4402)와 유사함]의 일부 또는 전부에 부착될 수 있다. 전술한 바와 같이, 도 26의 테스트 시스템(2600)과 유사한 테스트 시스템에서 도 36의 공정(3600)과 유사한 테스트 공정에 따라 이러한 다이(웨이퍼로부터 싱글레이션되기 이전 또는 이후의 다이)를 시험할 수 있다. 전술한 바와 같이, 이러한 경우에 있어서, 컬럼(104)은 DUT(2614)의 단자(2616)에 부착될 수 있으며, 컨택터(2606) 상의 프로브(2610)는 DUT(2614)의 단자(2616)로부터 연장되는 컬럼(104)과 접촉하도록 구성되는 평평한 단자로 대체될 수 있다. 프로브 카드 조립체(3400)를 컨택터(2606)로서 사용하는 경우, 프로브(2610)는 마찬가지로 평평한 터미널로 대체될 수 있다.

프로브(2610)뿐만 아니라 컬럼(104)[및 이에 따른 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')]은 스프링 접촉 구조체, 프로브, 스프링 프로브, 제1 스프링 접촉 구조체, 제2 스프링 접촉 구조체 또는 테스트 프로브의 비한정적인 예일 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시예 및 용례를 본 명세서에서 설명하였지만, 이들 예시적인 실시예 및 용례로 본 발명을 한정하거나, 예시적인 실시예 및 용례의 작동 방식 또는 본 명세서에서 예시적인 실시예 및 용례를 설명한 방식으로 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 예를 들면, 컬럼(104)이 배선 기판의 단자에 부착되고/부착되거나 전기 접속되는 실시예를 본 명세서에서 설명하였지만, 컬럼(104)은 배선 기판 내의 다른 전기 소자 또는 배선 기판 상의 다른 전기 소자에 부착될 수 있다. 실제로, 단자는 전기 소자의 비한정적인 예일 수 있다. 또 다른 예로서, 프로브(2610)뿐만 아니라 컬럼(104)[및 이에 따른 컬럼(504, 704, 1404, 1604, 1804, 2204, 2304 및 2304')]은 스프링 접촉 구조체, 프로브, 스프링 프로브, 제1 스프링 접촉 구조체, 제2 스프링 접촉 구조체, 또는 테스트 프로브의 비한정적인 예일 수 있다.

Claims (210)

1. 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼을 포함하며, 이 컬럼의 제1 단부와 컬럼의 제2 단부 사이에는 가역적으로 변형 가능한 영역이 포함되고, 가역적으로 변형 가능한 영역은 컬럼의 제1 단부에 인가되는 힘에 반응하여 컬럼의 길이를 따라 축방향으로 그리고 탄성적으로 변형되는 것인 스프링 접촉 구조체.
2. 제1항에 있어서, 상기 컬럼은 전기 전도성 재료를 포함하며, 이 전기 전도성 재료는 탄소 나노튜브의 전기 전도도보다 큰 전기 전도도를 갖는 것인 스프링 접촉 구조체.
3. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료의 적어도 일부는 컬럼을 구성하는 탄소 나노튜브 중 개별적인 탄소 나노튜브 상에서 컬럼 내에 배치되는 것인 스프링 접촉 구조체.
4. 제3항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료는 전기 전도성 재료가 배치되는 다른 탄소 나노튜브에 대한, 상기 전도성 재료가 배치되는 소정의 개별적인 탄소 나노튜브의 움직임에 실질적인 영향을 주지 않는 것인 스프링 접촉 구조체.
5. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료 중 적어도 일부는 컬럼을 구성하는 탄소 나노튜브 중 소정 탄소 나노튜브 사이에서 컬럼 내에 배치되는 것인 스프링 접촉 구조체.
6. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료 중 적어도 일부는 컬럼의 외측 상에 배치되어 컬럼의 적어도 일부를 코팅하는 것인 스프링 접촉 구조체.
7. 제2항에 있어서, 상기 컬럼은 내부 캐비티를 포함하며, 상기 전기 전도성 재료의 적어도 일부가 이 캐비티에 충전되는 것인 스프링 접촉 구조체.
8. 제1항에 있어서, 상기 컬럼의 제1 단부는 접촉 단부를 포함하며, 이 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 돌출 구조체를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
9. 제8항에 있어서, 상기 컬럼의 접촉 단부에서의 소정 돌출 구조체는 각각 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 단부 부분의 클러스터를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
10. 제1항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 컬럼 내부에 배치되는 점착성 재료를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
11. 제10항에 있어서, 상기 점착성 재료는 컬럼의 제2 단부로부터 실질적으로 컬럼의 전체 길이를 따라 컬럼 내에 배치되는 것인 스프링 접촉 구조체.
12. 제1항에 있어서, 상기 컬럼은 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 스프링 접촉 구조체.
13. 제12항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 상기 컬럼의 사전에 결정된 스프링 특성은 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 특성의 일련의 합을 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
14. 제12항에 있어서, 상기 사전에 결정된 스프링 특성은 스프링 상수인 것인 스프링 접촉 구조체.
15. 제14항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 상기 컬럼의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
16. 제12항에 있어서, 상기 컬럼은 전기 전도성 재료를 포함하며, 이 전기 전도성 재료는 탄소 나노튜브의 전기 전도도보다 큰 전기 전도도를 갖는 것인 스프링 접촉 구조체.
17. 제16항에 있어서, 상기 컬럼의 제1 단부는 접촉 단부를 포함하며, 이 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 돌출 구조체를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
18. 제12항에 있어서, 상기 컬럼의 제1 단부는 접촉 단부를 포함하며, 이 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 돌출 구조체를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
19. 제1항에 있어서, 상기 컬럼은 전기 전도성 재료를 포함하며, 이 전기 전도성 재료는 탄소 나노튜브의 전기 전도도보다 큰 전기 전도도를 가지고, 상기 컬럼의 제1 단부는 접촉 단부를 포함하며, 이 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 돌출 구조체를 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
20. 제1항에 있어서, 상기 컬럼은 이 컬럼의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 스프링 접촉 구조체.
21. 제20항에 있어서, 상기 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 스프링 접촉 구조체.
22. 배선 기판과, 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 수직 정렬된 탄소 나노튜브 컬럼을 포함하며,

    상기 컬럼의 기부 단부는 배선 기판에 부착되고 배선 기판의 전기 소자에 전기적으로 접속되고, 기부 단부에 대향하는 컬럼의 접촉 단부는 배선 기판으로부터 멀리 배치되며,

    상기 컬럼은 컬럼의 접촉 단부와 컬럼의 기부 단부 사이에 스프링 메커니즘을 포함하므로 컬럼의 접촉 단부에 인가되는 힘에 반응하여 컬럼의 길이를 따라 축방향으로 그리고 탄성적으로 변형되고,

    상기 컬럼은 접촉 단부로부터 기부 단부까지 전기 전도성이 있는 것인 전기 접촉 구조체.
23. 제22항에 있어서, 상기 컬럼은 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
24. 제23항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료는 컬럼의 길이를 따라 컬럼의 외측의 상당 부분을 덮는 것인 전기 접촉 구조체.
25. 제23항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료는 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에 있는 영역 내에 배치되는 것인 전기 접촉 구조체.
26. 제23항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료는 컬럼을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 상에 배치되는 것인 전기 접촉 구조체.
27. 제26항에 있어서, 상기 전기 전도성 재료는 전기 전도성 재료가 배치되는 다른 탄소 나노튜브에 대한, 상기 전도성 재료가 배치되는 소정의 개별적인 탄소 나노튜브의 움직임에 실질적인 영향을 주지 않는 것인 전기 접촉 구조체.
28. 제23항에 있어서, 상기 컬럼은 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 돌출 구조체를 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
29. 제23항에 있어서, 상기 컬럼의 기부 단부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 이러한 재료는 배선 기판에 대해 컬럼의 기부 단부를 앵커링하는 것인 전기 접촉 구조체.
30. 제23항에 있어서, 상기 컬럼은 내부 캐비티를 포함하며, 상기 전기 전도성 재료가 이 내부 캐비티에 충전되는 것인 전기 접촉 구조체.
31. 제22항에 있어서, 상기 컬럼의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
32. 제31항에 있어서, 상기 컬럼의 접촉 단부로부터 돌출되는 돌출 구조체는 각각 하나의 컬럼의 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
33. 제22항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 컬럼 내에 배치되는 점착성 재료를 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
34. 제33항에 있어서, 상기 점착성 재료는 컬럼의 길이의 상당 부분을 따라 컬럼 내에 배치되는 것인 전기 접촉 구조체.
35. 제22항에 있어서, 상기 컬럼의 기부 단부 둘레에 배치되는 앵커링 메커니즘을 더 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
36. 제35항에 있어서, 상기 앵커링 메커니즘은 배선 기판에 컬럼의 기부 단부를 앵커링하는 것인 전기 접촉 구조체.
37. 제35항에 있어서, 상기 앵커링 메커니즘은 상기 컬럼의 기부 단부를 배선 기 판 상의 전기 단자에 전기 접속시키는 것인 전기 접촉 구조체.
38. 제35항에 있어서, 상기 컬럼은 배선 기판에서 에칭된 피트 내에 배치되는 것인 전기 접촉 구조체.
39. 제22항에 있어서, 상기 기부 단부는 전기 소자와 전기 접속되지만 전기 소자로부터 소정 간격만큼 떨어져 있는 것인 전기 접촉 구조체.
40. 제22항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼의 길이에 따라 배치되는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 특성의 일련의 합에 기초하여 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 전기 접촉 구조체.
41. 제22항에 있어서, 상기 컬럼의 스프링 메커니즘은 컬럼의 길이를 따라 배치되는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
42. 제41항에 있어서, 상기 컬럼은 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되며, 컬럼의 사전에 결정된 스프링 상수는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역 각각의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 전기 접촉 구조체.
43. 제41항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 전기 접촉 구조체.
44. 전자 장치를 테스트하기 위한 테스트 시스템으로서,

    전자 장치의 시험을 제어하도록 구성되는 테스터,

    테스터와 전자 장치 사이의 복수 개의 전기 경로 및

    전기 경로 중 하나에 배치되는 전기 전도성인 스프링 접촉 구조체를 포함하며,

    상기 스프링 접촉 구조체는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 것인 테스트 시스템.
45. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에 배치되는 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 테스트 시스템.
46. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출된 복수 개의 구조를 포함하는 것인 테스트 시스템.
47. 제46항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부로부터 돌출되는 돌 출 구조체는 각각 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 테스트 시스템.
48. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 적어도 일부 사이에 배치되는 점착성 재료를 포함하는 것인 테스트 시스템.
49. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 테스트 시스템.
50. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 테스트 시스템.
51. 제50항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 스프링 접촉 구조체의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 테스트 시스템.
52. 제44항에 있어서, 상기 스프링 접촉 구조체는 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치되는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 테스 트 시스템.
53. 제52항에 있어서, 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 스프링 접촉 구조체의 길이에 수직한 것인 테스트 시스템.
54. 제44항에 있어서, 소정의 상기 전기 경로에 배치되는 복수 개의 전기 전도성인 스프링 접촉 구조체를 더 포함하며, 각각의 스프링 접촉 구조체는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 것인 테스트 시스템.
55. 제54항에 있어서, 소정 스프링 접촉 구조체는 전자 장치의 접촉 단자에 대한 접촉 단부를 갖는 프로브이므로, 이 프로브는 각각 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 것인 테스트 시스템.
56. 제55항에 있어서, 상기 프로브의 각각의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 테스트 시스템.
57. 제56항에 있어서, 접촉 단부에서의 소정 돌출 구조체는 각각 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 테스트 시스템.
58. 제55항에 있어서, 각각의 프로브는 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 프로브의 적어도 일부 내에 배치되는 것인 테스트 시스템.
59. 제55항에 있어서, 상기 프로브의 각각의 기부 단부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 상기 기부 단부는 접촉 단부에 대향하고, 상기 재료는 소정 프로브를 배선 기판에 앵커링하는 것인 테스트 시스템.
60. 제55항에 있어서, 각각의 프로브는 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 테스트 시스템.
61. 제55항에 있어서, 각각의 프로브는 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 테스트 시스템.
62. 제61항에 있어서, 각각의 프로브는 프로브의 길이를 따라 배치되는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 테스트 시스템.
63. 제62항에 있어서, 프로브의 사전에 결정된 스프링 상수는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역의 각각의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 테스트 시스템.
64. 제62항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체 로 컬럼의 길이에 수직한 것인 테스트 시스템.
65. 전자 장치의 시험을 제어하도록 구성된 테스터까지의 복수 개의 통신 채널에 대한 전기적 인터페이스 및

    전자 장치의 단자의 패턴에 대응하는 패턴으로 배치된 접촉 단부를 포함하는 복수 개의 전기 전도성인 스프링 프로브를 포함하며,

    각각의 프로브는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하고, 스프링 메커니즘을 포함하므로, 전자 장치와의 접촉에 의해 프로브의 접촉 단부에 인가되는 힘에 응답하여 탄성적으로 그리고 대체로 힘의 방향에 평행한 방향으로 변형되는 것인 프로브 카드 조립체.
66. 제65항에 있어서, 각각의 프로브는 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 상에 또는 소정 탄소 나노튜브 사이에 배치되는 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
67. 제66항에 있어서, 각각의 프로브는 프로브의 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
68. 제67항에 있어서, 프로브가 부착되는 배선 기판과, 프로브의 일부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 상기 재료는 배선 기판에 대해 프로브를 앵커링하는 것인 프로브 카드 조립체.
69. 제65항에 있어서, 각각의 프로브의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
70. 제69항에 있어서, 각각의 프로브의 접촉 단부에서의 돌출 구조체는 각각 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
71. 제65항에 있어서, 배선 기판과, 접착제에 의해 배선 기판에 접착되는 각각의 프로브의 기부 단부를 더 포함하며, 각각의 프로브는 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 프로브 내에 위킹되는 접착제의 일부를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
72. 제71항에 있어서, 상기 접착제는 프로브의 기부 단부로부터 프로브의 적어도 절반의 길이를 따라 각각의 프로브 내에 배치되는 것인 프로브 카드 조립체.
73. 제65항에 있어서, 프로브가 부착되는 배선 기판 및 프로브의 일부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 상기 재료는 프로브를 배선 기판에 앵커링하는 것인 프로브 카드 조립체.
74. 제73항에 있어서, 상기 재료는 소정 프로브를 배선 기판 상의 소정 전기 단자에 전기 접속시키는 것인 프로브 카드 조립체.
75. 제74항에 있어서, 상기 프로브는 전기 단자 상에 배치되는 것인 프로브 카드 조립체.
76. 제74항에 있어서, 상기 프로브는 배선 기판에서 에칭된 피트 내에 배치되며, 전기 단자는 프로브로부터 소정 간격만큼 떨어져 있는 것인 프로브 카드 조립체.
77. 제65항에 있어서, 각각의 프로브는 사전에 결정된 스프링 특성을 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 프로브 카드 조립체.
78. 제77항에 있어서, 각각의 프로브의 스프링 메커니즘은 프로브의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 프로브의 사전에 결정된 스프링 특성은 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 특성의 일련의 합을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
79. 제65항에 있어서, 각각의 프로브는 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝된 것인 프로브 카드 조립체.
80. 제79항에 있어서, 각각의 프로브의 스프링 메커니즘은 프로브의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 프로브의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
81. 제65항에 있어서, 각각의 프로브의 스프링 메커니즘은 프로브의 길이를 따라 배치되는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체.
82. 제81항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 프로브의 길이에 수직한 것인 프로브 카드 조립체.
83. 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 포함하는 배선 기판,

    기판의 제1 표면으로부터 연장되는 복수 개의 전기 전도성인 제1 스프링 접촉 구조체로서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 것인 제1 스프링 접촉 구조체,

    기판의 제2 표면으로부터 연장되는 복수 개의 전기 전도성인 제2 스프링 접촉 구조체, 및

    기판을 관통하여 소정의 제1 스프링 접촉 구조체를 소정의 제2 스프링 접촉 구조체에 전기 접속시키는 전기 접속부를 포함하는 것인 인터포저.
84. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 상에 또는 소정 탄소 나노튜브 사이에 배치되는 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 인터포저.
85. 제84항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 인터포저.
86. 제85항에 있어서, 상기 제1 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 상기 재료는 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 것인 인터포저.
87. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 인터포저.
88. 제87항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부에서의 소정 돌출 구조체는 각각 제1 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 인터포저.
89. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 기부 단부는 접착제에 의해 배선 기판에 접착되며, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 제1 스프링 접촉 구조체 내로 위킹되는 접착제의 일부를 포함하는 것인 인터포저.
90. 제83항에 있어서, 상기 제1 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 재료를 더 포함하며, 상기 재료는 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 것인 인터포저.
91. 제90항에 있어서, 상기 재료는 소정의 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판 상의 소정의 전기 단자에 전기 접속시키는 것인 인터포저.
92. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 인터포저.
93. 제92항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 스프링 메커니즘은 제1 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치되는 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 제1 스프링 접촉 구조체의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 인터포저.
94. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 스프링 메커니즘은 제1 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치되는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 인터포저.
95. 제94항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 제1 스프링 접촉 구조체의 길이에 수직한 것인 인터포저.
96. 제83항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 것인 인터포저.
97. 제96항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체 및 제2 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체 또는 제2 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 상에 또는 소정 나노튜브 사이에 배치되는 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 인터포저.
98. 제97항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체 및 제2 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체 또는 제2 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 인터포저.
99. 제98항에 있어서, 상기 제1 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 제1 재료로서, 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 것인 제1 재료 및

    제2 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 제2 재료로서, 제2 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 거인 제2 재료를 더 포함하는 것인 인터포저.
100. 제96항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부 및 각각의 제2 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부는 접촉 단부로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하는 것인 인터포저.
101. 제100항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체 및 제2 스프링 접촉 구조체의 접촉 단부에서의 돌출 구조체는 각각 제1 스프링 접촉 구조체 또는 제2 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 인터포저.
102. 제96항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체의 기부 단부는 제1 접착제에 의해 배선 기판에 접착되며, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체를 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 제1 스프링 접촉 구조체 내로 위킹되는 제1 접착제의 일부를 포함하고,

     각각의 제2 스프링 접촉 구조체의 기부 단부는 제2 접착제에 의해 배선 기판에 접착되며, 각각의 제2 스프링 접촉 구조체는 제2 스프링 접촉 구조체를 구성하 는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 제2 스프링 접촉 구조체 내로 위킹되는 제2 접착제의 일부를 포함하는 것인 인터포저.
103. 제96항에 있어서, 상기 제1 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 제1 재료로서, 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 것인 제1 재료 및

     상기 제2 스프링 접촉 구조체의 일부 둘레에 배치되는 제2 재료로서, 제2 스프링 접촉 구조체를 배선 기판에 앵커링하는 것인 제2 재료를 더 포함하는 것인 인터포저.
104. 제103항에 있어서, 제1 재료는 소정의 제1 스프링 접촉 구조체를 배선 기판의 제1 표면 상의 소정의 제1 전기 단자에 전기 접속시키고,

     제2 재료는 소정의 제2 스프링 접촉 구조체를 배선 기판의 제2 표면 상의 소정의 제2 전기 단자에 전기 접속시키는 것인 인터포저.
105. 제96항에 있어서, 상기 제1 스프링 접촉 구조체는 각각 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되며,

     제2 스프링 접촉 구조체는 각각 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 인터포저.
106. 제105항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조 체의 길이를 따라 배치된 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하고, 제1 스프링 접촉 구조체의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하며,

     각각의 제2 스프링 접촉 구조체는 제2 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치된 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하고, 제2 스프링 접촉 구조체의 사전에 결정된 스프링 상수는 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 인터포저.
107. 제96항에 있어서, 각각의 제1 스프링 접촉 구조체는 제1 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치된 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하고, 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 제1 스프링 접촉 구조체의 길이에 수직하며,

     각각의 제2 스프링 접촉 구조체는 제2 스프링 접촉 구조체의 길이를 따라 배치된 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하고, 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 제2 스프링 접촉 구조체의 길이에 수직한 것인 인터포저.
108. 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼을 획득하는 단계 및

     컬럼의 제1 단부로부터의 컬럼의 제2 대향 단부까지 컬럼에 전기 전도성 재료를 부가하는 단계를 포함하며,

     상기 탄소 나노튜브는 제1 전기 전도도를 가지며, 상기 전기 전도성 재료는 제1 전기 전도도보다 큰 제2 전기 전도도를 갖는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
109. 제108항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이의 영역에 전기 전도성 재료를 배치하는 단계를 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
110. 제108항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 컬럼을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 상에 배치되는 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
111. 제108항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 컬럼의 길이를 따라 컬럼의 외측의 적어도 일부에 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
112. 제111항에 있어서, 상기 증착하는 단계는 원자층 증착에 의해 전기 전도성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
113. 제111항에 있어서, 상기 증착하는 단계는 화학 기상 증착에 의해 전기 전도성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
114. 제111항에 있어서, 상기 증착하는 단계는 스퍼터링에 의해 전기 전도성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
115. 제108항에 있어서, 상기 컬럼은 중공의 내부를 포함하며, 상기 부가하는 단계는 이 중공의 내부에 전기 전도성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
116. 제115항에 있어서, 상기 중공의 내부는 컬럼의 전체 길이에 걸쳐 연장되는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
117. 제108항에 있어서, 상기 부가하는 단계는 상기 컬럼의 외측 상에 적어도 부분적으로 전기 전도성 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
118. 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼을 획득하는 단계 및

     컬럼의 접촉 단부에 대한 소정 처리방법을 적용하는 단계로서, 상기 처리방법은 접촉 단부로부터 연장되는 첨단 구조를 형성하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
119. 제118항에 있어서, 상기 적용하는 단계는 컬럼의 접촉 단부를 에칭하는 단계 를 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
120. 제118항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는 컬럼의 접촉 단부를 반응성 이온 에칭하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
121. 제119항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는 컬럼의 접촉 단부를 스퍼터 에칭하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
122. 제118항에 있어서, 상기 적용하는 단계는 접촉 단부에 기계적으로 각인하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
123. 제118항에 있어서, 상기 적용하는 단계는 컬럼의 접촉 단부에 대해 첨단 구조에 대응하도록 성형된 몰드를 포함하는 몰딩 도구를 누르는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
124. 제118항에 있어서, 각각의 소정 첨단 구조는 컬럼의 소정 탄소 나노튜브의 복수 개의 단부 부분을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
125. 복수 개의 수직 정렬된 탄소 튜브를 포함하며 배선 기판에 부착된 컬럼을 획득하는 단계 및

     컬럼의 일부 둘레에 앵커링 구조체를 제공하는 단계로서, 상기 앵커링 구조체는 컬럼을 배선 기판에 앵커링하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
126. 제125항에 있어서, 상기 컬럼은 컬럼의 기부 단부에서 배선 기판에 부착되며, 상기 제공하는 단계는 컬럼의 기부 둘레에 앵커링 구조체를 포함하는 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
127. 제126항에 있어서, 상기 재료는 전기 전도성이며, 상기 증착하는 단계는 배선 기판의 단자에 컬럼을 전기 접속시키는 패턴으로 기판 상에 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
128. 제127항에 있어서, 상기 컬럼은 단자 상에 배치되는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
129. 제127항에 있어서, 상기 컬럼은 단자로부터 소정 간격만큼 떨어져 있는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
130. 제129항에 있어서, 상기 컬럼은 배선 기판에서 피트 내에 배치되는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
131. 제125항에 있어서, 상기 제공하는 단계는 배선 기판에서 피트를 에칭하는 것을 포함하며, 상기 획득하는 단계는 피트 내에서 컬럼을 성장시키는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
132. 제131항에 있어서, 상기 제공하는 단계는 피트 외부로 연장되는 컬럼의 일부 둘레에 재료를 증착하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
133. 제125항에 있어서, 상기 제공하는 단계는

     컬럼의 일부 둘레에 앵커링 구조체를 포함하는 재료를 증착하는 단계와,

     증착된 재료가 연장되도록 하는 단계를 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
134. 제125항에 있어서, 상기 증착하는 단계는 재료가 주위 온도 미만의 온도일 때 재료를 증착하는 것을 포함하며,

     상기 연장되도록 하는 단계는 증착된 재료가 주위 온도까지 가온될 수 있도록 하는 것을 포함하는 것인 전기 전도성 접촉 구조체의 제작 방법.
135. 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 컬럼을 획득하는 단계,

     컬럼에 바람직한 스프링 특성을 부여하게 될 특정 튜닝 힘을 결정하는 단계, 및

     컬럼의 접촉 단부에 특정 튜닝 힘을 인가하는 단계를 포함하며, 상기 특정 튜닝 힘은 컬럼에 바람직한 스프링 특성을 부여하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
136. 제135항에 있어서, 상기 스프링 특성은 컬럼의 스프링 상수인 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
137. 제136항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 각각 상이한 스프링 상수와 연관된 복수 개의 상이한 튜닝 힘 중 하나로부터 특정 튜닝 힘을 선택하는 것을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
138. 제137항에 있어서, 복수 개의 상이한 튜닝 힘 각각에 대해 관련된 스프링 상수를 결정하는 단계를 더 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
139. 제138항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 수직 정렬된 복수 개의 탄소 나노튜브를 포함하는 테스트 컬럼에 일련의 증가하는 더 큰 힘을 인가하는 것과 각각의 힘에 의해 테스트 컬럼에 부여된 스프링 상수를 결정하는 것을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
140. 제136항에 있어서, 특정 튜닝 힘을 인가하는 단계는 컬럼의 길이를 따라 배치된 컬럼에서의 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 형성하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
141. 제140항에 있어서, 부여된 스프링 상수는 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역 각각의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
142. 제140항에 있어서, 부여된 스프링 상수는 가역적으로 변형 가능한 영역의 개수에 비례하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
143. 제140항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
144. 제136항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 각각 상이한 레벨의 바람직한 스프링 특성과 관련된 복수 개의 상이한 튜닝 힘 중 하나로부터 특정 튜닝 힘을 선택하는 것을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
145. 제144항에 있어서, 복수 개의 상이한 튜닝 힘 각각에 대해 관련 레벨의 바람직한 스프링 특성을 결정하는 것을 더 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
146. 제145항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하는 테스트 컬럼에 일련의 증가하는 더 큰 힘을 인가하는 것과 각각의 힘에 의해 테스트 컬럼에 부여되는 바람직한 스프링 특성의 레벨을 결정하는 것을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
147. 제135항에 있어서, 특정 튜닝 힘을 인가하는 단계는 컬럼의 길이를 따라 배치된 컬럼에서 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 형성하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
148. 제147항에 있어서, 부여된 바람직한 스프링 특성은 각각의 가역적으로 변형 가능한 영역의 바람직한 스프링 특성의 일련의 합을 포함하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
149. 제147항에 있어서, 부여된 바람직한 스프링 특성은 가역적으로 변형 가능한 영역의 개수에 대응하는 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
150. 제147항에 있어서, 상기 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 접촉 구조체의 튜닝 방법.
151. 시험 대상인 전자 장치의 단자 패턴에 대응하는 패턴으로 배치된 접촉 단부를 포함하는 복수 개의 전기 전도성 스프링 프로브를 제1 배선 기판에 배치하는 단계로서, 각각의 프로브는 복수 개의 수직 정렬된 탄소 나노튜브를 포함하고, 각각의 컬럼은 스프링 메커니즘을 포함하므로, 상기 컬럼은 전자 장치와의 접촉에 의해 접촉 단부에 인가되는 힘에 응답하여 탄성적으로 그리고 힘의 방향에 대체로 평행한 방향으로 변형하는 것인 단계 및

     프로브 카드 조립체를 형성하기 위해 적어도 하나의 구성요소와 제1 배선 기판을 조합하는 단계로서, 전자 장치의 시험을 제어하도록 구성된 테스터에 대한 전기적 인터페이스에 프로브를 전기 접속하는 것을 포함하는 것인 단계

     를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
152. 제151항에 있어서, 희생 기판에 부착된 수직 정렬된 탄소 나노튜브의 컬럼을 획득하는 단계를 더 포함하며, 상기 배치하는 단계는 희생 기판으로부터 제1 배선 기판까지 컬럼을 전달하는 것을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
153. 제152항에 있어서, 상기 전달하는 단계는

     컬럼의 단부가 제1 배선 기판 상에 배치된 접착제와 접촉하도록 이동시키는 단계 및

     상기 접착제를 경화시키는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
154. 제153항에 있어서, 상기 경화시키는 단계는 접착제가 적어도 부분적으로 컬럼 내부에 위킹되도록 하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
155. 제151항에 있어서, 바람직한 스프링 특성을 갖도록 컬럼을 튜닝하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
156. 제155항에 있어서, 상기 스프링 특성은 스프링 상수인 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
157. 제156항에 있어서, 상기 튜닝하는 단계는,

     컬럼에 바람직한 스프링 특성을 부여할 특정 튜닝 힘을 결정하는 단계 및

     컬럼의 접촉 단부에 특정 튜닝 힘을 인가하는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
158. 제157항에 있어서, 상기 인가하는 단계는 복수 개의 컬럼의 접촉 단부에 특정 튜닝 힘을 동시에 인가하는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
159. 제157항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 상이한 스프링 상수와 각각 연관된 복수 개의 상이한 튜닝 힘 중 하나로부터 특정 튜닝 힘을 선택하는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
160. 제157항에 있어서, 상기 특정 튜닝 힘을 인가하는 단계는 각각의 컬럼에서 컬럼의 길이를 따라 배치된 컬럼에서의 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역에 행해지며, 스프링 메커니즘은 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
161. 제160항에 있어서, 각각의 컬럼에 부여된 스프링 상수는 컬럼에서 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역 각각의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
162. 제160항에 있어서, 각각의 컬럼에 부여된 스프링 상수는 컬럼에서 가역적으로 변형 가능한 영역의 개수에 비례하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
163. 제160항에 있어서, 각각의 컬럼에서 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
164. 제156항에 있어서, 컬럼의 전기적 특성을 향상시키기 위해 전기 전도성 재료를 사용하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
165. 제164항에 있어서, 상기 컬럼의 길이를 따라 컬럼의 외측의 상당 부분에 걸쳐 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
166. 제164항에 있어서, 상기 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에 있는 영역 내에 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
167. 제164항에 있어서, 상기 컬럼을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 상에 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
168. 제164항에 있어서, 상기 컬럼의 접촉 단부에 소정 처리방법을 적용하는 단계를 더 포함하며, 상기 처리방법은 컬럼의 접촉 단부로부터 돌출하는 구조를 생성하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
169. 제168항에 있어서, 상기 처리방법을 적용하는 단계는 컬럼의 접촉 단부를 에칭하는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
170. 제151항에 있어서, 상기 컬럼의 전기적 특성을 향상시키기 위해 전기 전도성 재료를 사용하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
171. 제170항에 있어서, 컬럼의 길이를 따라 컬럼의 외측의 상당 부분에 걸쳐 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
172. 제170항에 있어서, 상기 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에 있는 영역에 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
173. 제170항에 있어서, 상기 컬럼을 구성하는 개별적인 탄소 나노튜브 상에 전기 전도성 재료를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
174. 제151항에 있어서, 상기 컬럼의 접촉 단부에 소정 처리방법을 적용하는 단계를 더 포함하며, 상기 처리방법은 컬럼의 접촉 단부로부터 돌출하는 돌출 구조체를 생성하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
175. 제174항에 있어서, 상기 소정 처리방법을 적용하는 단계는 컬럼의 접촉 단부 를 에칭하는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
176. 제151항에 있어서, 배선 기판 상에 그리고 컬럼의 일부 둘레에 재료를 증착하는 단계를 더 포함하며, 상기 재료는 배선 기판에 컬럼을 앵커링하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
177. 제151항에 있어서, 소정 패턴으로 스프링 프로브의 접촉 단부가 배치되며, 적어도 한 쌍의 이웃하는 스프링 프로브의 중심 사이의 간격은 20 미크론 미만인 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
178. 제151항에 있어서, 적어도 하나의 구성요소는 테스터에 대한 전기적 인터페이스를 포함하는 인터페이스 기판을 포함하며, 상기 조합하는 단계는 인터페이스 기판에 제1 배선 기판을 전기 접속시키는 단계 및 이에 따라 소정 스프링 프로브를 테스터에 대한 전기적 인터페이스와 전기 접속시키는 단계를 포함하는 것인 프로브 카드 조립체의 제작 방법.
179. 반도체 다이의 패드의 패턴에 대응하는 패턴으로 배치된 접촉 단부를 포함하는 복수 개의 전기 전도성 스프링 프로브를 포함하는 컨택터를 제공하는 단계로서, 적어도 하나의 프로브는 수직 정렬된 탄소 나노튜브의 컬럼을 포함하는 것인 단계,

     소정 패드와 소정 프로브의 접촉 단부 사이에서 접촉을 구현하는 단계로서, 소정 프로브의 접촉 단부는 소정 패드 상에 접촉 마크를 형성하는 것인 단계, 및

     다이에 집적된 회로에 소정 프로브 중 적어도 하나를 통해 테스트 신호를 제공함으로써 반도체 다이를 시험하는 단계를 포함하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
180. 제179항에 있어서, 각각의 컬럼은 스프링 메커니즘을 더 포함하므로, 컬럼은 반도체 다이의 패드 중 하나와 접촉함으로써 접촉 단부에 인가되는 힘에 반응하여 탄성적으로 그리고 힘의 방향에 대체로 평행한 방향으로 변형되는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
181. 제180항에 있어서, 각각의 컬럼은 사전에 결정된 스프링 상수를 갖도록 기계적으로 튜닝되는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
182. 제181항에 있어서, 각각의 컬럼의 스프링 메커니즘은 컬럼의 길이를 따라 배치된 복수 개의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하며, 컬럼의 사전에 결정된 스프링 상수는 가역적으로 변형 가능한 영역 각각의 스프링 상수의 일련의 합을 포함하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
183. 제180항에 있어서, 각각의 컬럼의 스프링 메커니즘은 컬럼의 길이를 따라 배치된 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역을 포함하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
184. 제183항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가역적으로 변형 가능한 영역은 대체로 컬럼의 길이에 수직한 것인 반도체 다이의 시험 방법.
185. 제179항에 있어서, 소정 프로브의 접촉 단부는 각각 접촉 단부면으로부터 돌출되는 복수 개의 구조를 포함하며, 상기 접촉을 구현하는 단계는 소정 패드 각각의 표면을 천공하고 소정 패드의 표면 상에 대응하는 천공 마크를 생성하는 결과를 초래하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
186. 제185항에 있어서, 각각의 패드의 접촉 마크는 천공 마크를 주요 구성으로 하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
187. 제186항에 있어서, 상기 천공 마크는 접촉 단부면의 소정 영역에 대응하는 패드면의 소정 영역 내에 위치하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
188. 제187항에 있어서, 접촉 단부면의 소정 영역은 4900 제곱 미크론 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
189. 제187항에 있어서, 패드의 표면 상의 천공 마크의 전체 면적은 접촉 단부면 의 면적의 40 % 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
190. 제187항에 있어서, 패드의 표면 상의 천공 마크의 전체 면적은 접촉 단부면의 면적의 30 % 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
191. 제186항에 있어서, 패드의 표면 상의 각각의 천공 마크의 크기는 625 제곱 미크론 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
192. 제186항에 있어서, 패드의 표면 상의 각각의 천공 마크의 크기는 225 제곱 미크론 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
193. 제186항에 있어서, 패드의 표면으로부터 패드 내로의 각각의 천공 마크의 깊이는 5 미크론 미만인 것인 반도체 다이의 시험 방법.
194. 제185항에 있어서, 소정 프로브의 각각의 접촉 단부는 접촉 단부면에서 소정 프로브를 구성하는 소정 탄소 나노튜브의 단부를 포함하며, 상기 접촉을 구현하는 단계는 접촉 단부로부터 돌출되는 구조의 패턴에 대응하는 패턴으로 소정 패드 각각의 표면 내로의 오목부를 소정 탄소 나노튜브의 단부에 형성하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
195. 제179항, 제180항, 및 제185항 내지 제194항 중 어느 하나에 따른 임의의 방법에 기초하여 테스트된 반도체 다이.
196. 제179항에 있어서, 각각의 컬럼은 컬럼을 구성하는 소정 탄소 나노튜브 사이에서 각각의 컬럼 내에 배치된 전기 전도성 재료를 포함하는 것인 반도체 다이의 시험 방법.
197. 반도체 재료,

     반도체 재료 내에 집적된 전기 회로, 및

     전기 회로에 전기 접속된 복수 개의 패드를 포함하며,

     복수 개의 패드는 테스트 프로브와의 접촉으로 인한 프로브 마크를 포함하고, 각각의 프로브 마크는 전체 패드보다는 작은 영역 내에 위치하는 복수 개의 클러스터링된 천공 마크 또는 오목부를 주요 구성으로 하는 것인 시험된 반도체 다이.
198. 제197항에 있어서, 각각의 패드 상의 프로브 마크는 천공 마크를 주요 구성으로 하는 것인 시험된 반도체 다이.
199. 제198항에 있어서, 패드의 표면 상의 전체 면적은 4900 제곱 미크론 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
200. 제198항에 있어서, 패드의 표면 상에서 클러스터링된 천공 마크의 전체 면적은 패드의 표면 상의 전체 면적의 40 % 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
201. 제198항에 있어서, 패드의 표면 상에서 클러스터링된 천공 마크의 전체 면적은 패드의 표면 상의 전체 면적의 30 % 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
202. 제198항에 있어서, 패드의 표면 상에서 클러스터링된 천공 마크 각각의 크기는 625 제곱 미크론 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
203. 제198항에 있어서, 패드의 표면 상에서 클러스터링된 천공 마크 각각의 크기는 225 제곱 미크론 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
204. 제198항에 있어서, 패드의 표면으로부터 패드 내로의 각각의 천공 마크의 깊이는 5 미크론 미만인 것인 시험된 반도체 다이.
205. 제197항에 있어서, 소정의 천공 마크는 프로브 표면 영역을 한정하는 둘레부의 코너에 위치하는 것인 시험된 반도체 다이.
206. 제205항에 있어서, 상기 둘레부는 다각형인 것인 시험된 반도체 다이.
207. 제206항에 있어서, 상기 프로브 마크는 둘레부의 코너에 위치하는 천공 마크를 주요 구성으로 하는 것인 시험된 반도체 다이.
208. 제207항에 있어서, 상기 다각형은 직사각형인 것인 시험된 반도체 다이.
209. 제208항에 있어서, 상기 다각형은 정사각형인 것인 시험된 반도체 다이.
210. 제205항에 있어서, 모든 천공 마크는 프로브 표면 영역의 둘레부 상에 배치되는 것인 시험된 반도체 다이.

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