KR100749735B1 - 캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드제조 방법 - Google Patents

캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 캔틸레버형 프로브 제조 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 팁부 영역 및 더미 팁부 영역을 갖는 기판에 각각의 홈을 형성한 후, 팁부 영역 및 더미 팁부 영역의 홈을 각각 채우는 팁부 및 더미 팁부를 형성한다. 더미 팁부가 형성된 더미 팁부 영역을 덮는 희생막을 형성한다. 팁부에 접속하면서, 희생막이 형성된 더미 팁부의 상부로 연장되는 빔부를 형성한다. 팁부 영역의 기판을 선택적으로 식각하여, 팁부를 기판으로부터 부유시키는 것을 포함한다. 이에 따라, 프로브 카드를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상이 최소화됨으로써, 팁부의 불량이 적어져 안정적인 프로브 카드를 제공할 수 있다.
캔틸레버, 프로브, 부유, 더미 팁부, 희생막

Description

캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드 제조 방법{Method of Fabricating Cantilever Type Probe and Method of Fabricating Probe Card Using the Same}
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브를 포함하는 형성물을 설명하기 위한 평면도 및 단면도;
도 2 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브의 제조 방법을 설명하기 위해 도 1a의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도들;
도 18 및 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들.
도 20a 및 도 20b는 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브를 포함하는 형성물을 설명하기 위한 평면도 및 단면도;
도 21 내지 도 40은 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브의 제조 방법을 설명하기 위해 도 24a의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면도들;
도 41 및 도 42는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
310 : 희생 기판 312 : 보호막
312a : 제 1 보호막 패턴 312b : 제 2 보호막 패턴
314 : 제 1 포토레지스트 패턴 316 : 예비 트렌치
316a : 트렌치 318 : 제 2 포토레지스트 패턴
320 : 주형막 패턴 322 : 제 1 도전막
322t : 팁부 322dt : 더미 팁부
324 : 제 1 마스크 패턴 326 : 희생막
328 : 제 2 마스크 패턴 330 : 제 2 도전막
330b : 빔부 332 : 제 3 마스크 패턴
334 : 접합부 336 : 제 4 마스크 패턴
410 : 회로 기판 412 : 범프
414 : 솔더부
본 발명은 전자 소자 검사 장치에 대한 것으로, 더 구체적으로 작은 크기의 전자 소자의 패드와 접촉하여 전기적 특성을 검사하기 위한 캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드 제조 방법에 관한 것이다.
프로브(probe)는 미세 전자 소자(예를 들면, 반도체 소자)의 전기적 특성을 측정하기 위한 기계 장치이다. 알려진 것처럼, 반도체 소자는 외부 전자 소자와 상호 신호 전달을 위해 그 표면에 형성되는 패드(pad)들을 구비한다. 즉, 반도체 소 자는 그 표면에 형성된 패드들을 통해 전기적 신호를 입력받아 소정의 동작을 수행한 후, 처리한 결과를 다시 패드들을 통해 외부 전자 소자로 전달한다. 이때, 프로브는 프로브 카드(probe card)의 인쇄 회로 기판(PCB : Printed Circuit Board) 상에 배열되어 패드들에 물리적으로 접촉함으로써, 외부 전자 소자와의 신호 전달을 위한 전기적 경로를 형성한다.
프로브 카드는, 알려진 것처럼, 프로브의 종류에 따라 니들형(needle type), 수직형(vertical type) 또는 캔틸레버형(cantilever type) 등으로 구분될 수 있다. 니들형 프로브 카드는 프로브 니들의 복원 특성이 우수하지 않기 때문에, 반복적으로 사용할 경우에 수평도나 정렬 위치가 틀어지는 단점을 갖는다. 이에 더하여, 니들형 프로브 카드는 프로브 니들의 크기 자체가 크기 때문에, 고집적화된 반도체 소자의 테스트(test)에는 부적합하다는 단점이 있다. 수직형 프로브 카드는 프로브 자체의 작은 크기 및 프로브들 사이의 좁은 간격 때문에, 고집적화된 반도체 소자의 테스트에 적합하다. 하지만, 프로브가 패드에 접촉할 때 인가되는 힘의 방향이 프로브의 길이 방향이기 때문에, 수직형 프로브 카드 역시 복원력의 부족에 따른 변형의 문제가 동일하게 발생한다.
이와는 달리, 통상적인 캔틸레버형 프로브 카드의 경우, 패드와의 접촉을 위한 팁(tip)이 캔틸레버형인 빔부(beam portion)의 끝단에 부착된다. 빔부는 패드의 상부면에 평행하게 인쇄 회로 기판에 부착된다. 이에 따라, 캔틸레버형 프로브 카드의 프로브(실질적으로 팁부(tip portion))가 패드에 접촉할 때 인가되는 힘의 방향이 빔부의 길이 방향에 수직하다. 캔틸레버형 프로브 카드의 이러한 구조는 극대 화된 복원력을 제공한다.
이러한 캔틸레버형 프로브 카드를 제조하는 종래의 방법은 범프(bump)를 이용하여 캔틸레버형 빔부를 인쇄 회로 기판 등의 전기적 구성체(electronic component)에 부착하는 공정을 포함한다. 하지만, 이러한 부착 공정 동안 인가되는 물리적 힘에 의해 프로브는 물리적 손상을 입을 수 있다.
이에 더하여, 종래의 방법에 따르면, 희생 기판을 주형으로 이용하여 프로브를 제작하는 공정 및 프로브의 분리를 위해 희생 기판을 식각 용액으로 제거하는 공정을 포함한다. 하지만, 희생 기판의 제거를 위해서는 프로브가 식각 용액에 오랫동안 노출되어야 하기 때문에, 프로브(특히, 팁부)는 제품 결함을 초래하는 화학적 손상을 입을 수 있다.
이러한 물리적 및 화학적 손상을 입은 프로브의 팁부는 프로브 제조 과정이나 전자 소자를 검사하는 과정에서 파손되는 문제점을 가지게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 프로브를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상을 최소화할 수 있는 캔틸레버형 프로브 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 프로브 카드를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상을 최소화할 수 있는 프로브 카드 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 캔틸레버형 프로브 제조 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판의 소정 영역에 트렌치를 형성한다. 기판 상에 트렌치를 포함하는 기판의 표면을 노출하는 개구부를 구비하는 주형막 패턴을 형성한다. 트렌치 및 개구부에 각각 배치되는 팁부 및 빔부를 형성한다. 주형막 패턴을 제거한다. 팁부 주위의 기판을 식각하여 팁부를 기판으로부터 부유시킴으로써, 캔틸레버형 프로브를 제조할 수 있다.
또한, 상기한 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 프로브 카드 제조 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 앞서 설명한 캔틸레버형 프로브 제조 방법에 따라 제조된 프로브를, 범프를 구비하는 회로 기판의 범프에 부착한 후, 프로브의 기판을 식각하여 프로브의 기판을 제거함으로써, 프로브 카드를 제조할 수 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다른 캔틸레버형 프로브 제조 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 기판에 각각의 홈을 형성한 후, 제 1 영역 및 제 2 영역의 홈을 각각 채우는 팁부 및 적어도 하나의 더미 팁부를 형성한다. 더미 팁부가 형성된 제 2 영역을 덮는 희생막을 형성한다. 팁부에 접속하면서 희생막이 형성된 더미 팁부의 상부로 연장되는 빔부를 형성한다. 제 1 영역의 기판을 선택적으로 식각하여 팁부를 기판으로부터 부유시킴으로써, 프로브 카드를 제조할 수 있다.
또한, 상기한 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다른 프로브 카드 제조 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 앞서 설명한 캔틸레버형 프로브 제 조 방법에 따라 제조된 프로브를, 범프를 구비하는 회로 기판의 범프에 부착한 후, 프로브의 희생막을 식각하여 프로브의 기판, 더미 팁부 및 희생막을 제거함으로써, 프로브 카드를 제조할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브를 포함하는 형성물을 설명하기 위한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 희생 기판(110) 상에 프로브가 배치된다. 프로브는 팁부(122t), 빔부(130b)로 이루어질 수 있다. 이에 더하여, 프로브는 접합부(134)를 더 포함할 수 있다. 팁부(122t) 및 빔부(130b)는 트렌치(trench, 116a) 및 주형막 패턴(미도시)에 의한 개구부로 이루어지는 홈에 채워진 도전 물질로 이 루어질 수 있다. 팁부(122t)는 빔부(130b)의 일측의 하부에 배치되고, 접합부(134)는, 빔부(130b)와 회로 기판 사이의 부착을 위해, 빔부(130b)의 타측의 상부에 배치된다.
도 2 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브의 제조 방법을 설명하기 위해 도 1a의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 희생 기판(110)의 전면에 산화막(oxide)으로 이루어지는 보호막(passivation layer, 112)을 형성한다. 트렌치를 형성하기 위한 후속의 습식 식각 공정에서 이방적 식각이 가능하도록, 희생 기판(110)은 결정 구조를 갖는 물질인 것이 바람직하다. 예를 들면, 희생 기판(110)은 상부면의 결정 방향이 <1 0 0>인 단결정 실리콘(silicon)인 것이 바람직하다. 보호막(112)은 희생 기판(110)에 대해 식각 선택성을 갖는 물질로 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막(112)은 실리콘 산화막(silicon oxide), 실리콘 질화막(silicon nitride), 실리콘 산화 질화막(silicon oxide nitride) 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 보호막(112)은 실리콘 산화막으로 이루어질 수 있다. 보호막(112)을 실리콘 산화막으로 형성하는 것은 희생 기판(110)을 열 산화시키는 방법 또는 화학적 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition) 공정을 사용하는 방법 등이 사용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 보호막(112) 상부에 제 1 보호막 패턴(112a)을 형성하기 위한 제 1 포토레지스트 패턴(114)을 형성한다. 제 1 포토레지스트 패턴(114)은 후속 공정에서 예비 트렌치(preliminary trench)를 형성하기 위한 식각 공정의 식각 마스크로 사용될 수 있다. 제 1 포토레지스트 패턴(114)은 스핀 코팅(spin coating) 방식에 의해서 보호막(112) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
보호막(112) 상에 형성된 제 1 포토레지스트 패턴(114)을 식각 마스크로 사용하여 보호막(112)을 습식 또는 건식 식각하여 예비 트렌치(도 4의 116 참조)가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴(112a)을 형성한다. 제 1 보호막 패턴(112a) 상부의 제 1 포토레지스트 패턴(114)은 아세톤(acetone) 등의 화학 물질을 사용하여 제거될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제 1 보호막 패턴(112a)을 식각 마스크로, 사불화 탄소(CF4), 육불화 황(SF6), 팔불화 사이클로부탄(C4F8) 및 산소(O2) 가스 중에서 선택된 적어도 한 가지를 공정 가스로 사용하여 제 1차 이방성 건식 식각 공정을 수행함으로써, 예비 트렌치(116)를 형성한다. 제 1차 이방성 건식 식각 공정은 딥 트렌치(deep trench) 식각 방법의 하나인 공지의 반응성 이온 식각(RIE : Reactive Ion Etching)에 의해서 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 육불화 황, 팔불화 사이클로부탄 및 산소 가스를 공정 가스로 사용하여 실시될 수 있다. 또한, 예비 트렌치(116)는 4개의 측벽들을 갖는 사각형 모양일 수 있으며, 바람직하게는 정사각형일 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 예비 트렌치(116) 주변에서, 제 1 보호막 패턴(112a)의 상부면을 노출하는 제 2 포토레지스트 패턴(118)을 형성한다. 제 2 포 토레지스트 패턴(118)은 스핀 코팅 방법에 의해서 희생 기판(110) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
제 2 포토레지스트 패턴(118)을 식각 마스크로 사용하여, 노출된 제 1 보호막 패턴(112a)을 습식 또는 건식 식각하여 제 2 보호막 패턴(112b)을 형성한다. 제 2 보호막 패턴(112b)은 트렌치를 형성하기 위한 후속 식각 공정에서 식각 마스크로 사용될 수 있다. 이에 따라, 제 2 보호막 패턴(112b)은 희생 기판(110)의 상부면을 제 1 보호막 패턴(112a)에 비해 더 넓게 노출할 수 있다.
제 2 포토레지스트 패턴(118)은 아세톤 등의 화학 물질을 사용하여 제거될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제 2 포토레지스트 패턴(118)이 제거된 희생 기판(110)을 식각하여, 예비 트렌치(116)에 비해 폭 및 깊이가 증가된 트렌치(116a)를 형성한다. 이 식각 공정은 수산화 칼륨(KOH), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH : Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide) 또는 에틸렌 디아민 파이로샤테콜(EDP : Ethylene Diamine Pyrochatecol)을 식각 용액으로 사용하는 것이 바람직하다.
알려진 것처럼, 수산화 칼륨, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 또는 에틸렌 디아민 파이로샤테콜을 사용할 경우, 실리콘 기판의 식각 속도는 결정 방향에 의존적이다. 예를 들면, <1 0 0>의 결정 방향을 갖는 실리콘 기판은 하방향(downward direction)보다 측방향(lateral direction)에서 더 빠른 속도로 식각될 수 있다. 그 결과, 희생 기판(110)에 형성된 예비 트렌치(116)는 하방향보다 측방향으로 더 확장되어, 트렌치(116a)는 도시된 것처럼 넓은 상부와 점차적으로 좁 아지는 하부를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 예비 트렌치(116)가 확장된 결과물에 대해 제 2 보호막 패턴(112b)을 식각 마스크로 사용하는 제 2차 이방성 건식 식각 공정을 실시하여, 트렌치(116a)의 깊이를 증가시킬 수 있다. 제 2차 이방성 건식 식각 공정은 사불화 탄소, 육불화 황, 팔불화 사이클로부탄 및 산소 가스 중에서 선택된 적어도 한 가지를 공정 가스로 사용하는 것이 바람직하다. 제 2차 이방성 건식 식각 공정은 딥 트렌치 식각 방법의 하나인 공지의 반응성 이온 식각에 의해서 이루어질 수 있다. 여기서 제 2차 이방성 건식 식각 공정은 필요에 따라 선택적으로 실시할 수 있다. 예를 들면, 제 2차 이방성 건식 식각 공정은 앞서 수행된 이방성 습식 식각 공정에 의해 형성된 트렌치(116a)의 모양을 완만하게 만들기 위해 실시될 수 있다. 이에 따라, 트렌치(116a)는 팔각형으로 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 트렌치(116a)를 형성한 후, 트렌치(116a)를 형성하기 위한 식각 공정의 식각 마스크로 사용된 제 2 보호막 패턴(112b)을 제거한다. 제 2 보호막 패턴(112b)은 불산(HF) 등의 화학 물질을 사용하여 제거될 수 있다.
본 발명에 따르면, 트렌치(116a)가 형성된 희생 기판(110) 상에, 후속 전기 도금 공정(electroplating process)의 용이함을 위해, 도금용 전극(미도시)을 콘포말(conformal)하게 형성할 수 있다. 도금용 전극은 스퍼터링(sputtering) 방식을 사용하여 순차적으로 증착되는 티타늄막(Ti) 및 구리막(Cu)일 수 있다.
제 2 보호막 패턴(112b)을 제거한 후, 트렌치(116a)를 포함하는 희생 기판(110) 상에 주형막 패턴(120)을 형성한다. 주형막 패턴(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 주형막 패턴(120)은 희생 기판(110) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 주형막 패턴(120) 내에는 트렌치(116a)를 노출하는 개구부가 형성된다. 트렌치(116a) 및 개구부는 프로브의 팁부 및 빔부를 정의하는 주형으로 사용될 수 있다. 즉, 트렌치(116a)와 주형막 패턴(120)에 의한 개구부는 팁부 및 빔부를 정의하는 홈을 구성할 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 희생 기판(110)에 형성된 홈을 채우는 도전막(122)을 형성한다. 도전막(122)은 전기 도금 기술, 화학적 기상 증착 기술 및 스퍼터링 기술 중에서 선택된 적어도 한가지 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 도전막(122)은 니켈-코발트(Ni-Co) 합금으로 형성된 도전 물질일 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 도전막(122)은 전기 도금 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
주형막 패턴(120)의 상부면이 노출될 때까지, 도전막(122)을 연마 및 평탄화한다. 그 결과, 팁부(122t) 및 빔부(122b)가 형성될 수 있다. 도전막(122)을 연마 및 평탄화하는 공정은 화학적 기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing), 에치백(etch back) 또는 그라인딩(grinding) 등의 방법을 사용할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 빔부(122b)의 일 단부의 상부면을 노출하는 제 1 마스크 패턴(132)을 형성한다. 제 1 마스크 패턴(132)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형 성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 1 마스크 패턴(132)은 희생 기판(110) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
제 1 마스크 패턴(132)에 의해 노출된 빔부(122b) 상부에 접합부(134)를 형성한다. 접합부(134)는 프로브를 회로 기판에 부착하는 추후 공정에서 부착 수단으로 사용될 수 있다. 접합부(134)는 금(Au)으로 형성될 수 있다.
만일, 프로브 카드를 제조하기 위한 공정에서 프로브가 부착되는 회로 기판의 소정 부위에 빔부(122b)와 연결하기 위한 접합부(134)가 구비된다면, 도 12 및 도 13에서 설명한 접합부(134)를 형성하는 공정은 생략될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 화학 용액을 이용한 습식 식각 방식으로 제 1 마스크 패턴(132) 및 주형막 패턴(120)을 제거한다. 이어서, 적어도 접합부(134)를 덮으면서 팁부(122t) 주위의 희생 기판(110)을 노출하는 제 2 마스크 패턴(136)을 형성한다. 제 2 마스크 패턴(136)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 2 마스크 패턴(136)은 희생 기판(110) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 적어도 팁부(122t)의 하부면 및 측면이 노출될 때까지, 제 2 마스크 패턴(136)을 식각 마스크로 사용하여 팁부(122t) 주위의 희생 기판(110)을 식각한다. 팁부(122t) 주위의 희생 기판(110)을 식각하는 공정은 플라즈마를 이용하는 건식 식각 방식으로 실시되는 것이 바람직하다. 제 2 마스크 패 턴(136)은 접합부(134)를 포함하는 빔부(122b)의 소정 부위만을 덮기 때문에, 팁부(122t)는 완전하게 노출될 수 있다. 이에 따라, 팁부(122t)는, 도 16에 도시된 것처럼, 희생 기판(110)으로부터 부유(floating)된 상태가 될 수 있다.
이후, 제 2 마스크 패턴(136)을 제거하여, 접합부(134)를 노출한다. 이 공정은 화학 용액을 이용한 습식 식각 방식으로 실시되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 팁부(122t), 빔부(122b) 및 접합부(134)로 이루어지는 프로브의 아래에는, 식각되지 않고 빔부(122b)와 접하는 희생 기판(110)이 일부 남아있게 된다. 이때, 프로브는 팁부(122t) 주위에서는 희생 기판(110)에 직접적으로 접하지 않고, 빔부(122b)를 통해 희생 기판(110)에 접할 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 프로브를 포함하는 도 19의 형성물과 별도로, 프로브가 부착되는 회로 기판(210)을 제작한다. 프로브의 접합부(134)와의 부착을 위해, 회로 기판(210)의 소정 위치에는 범프(212)가 형성될 수 있다. 이에 더하여, 범프(212)의 표면에는 솔더부(solder, 214)가 더 형성될 수 있고, 솔더부(214)는 금-주석(Au-Sn) 합금으로 형성될 수 있다.
프로브 카드를 제조하기 위해서 프로브의 접합부(134)를 회로 기판(210)의 범프(212)의 표면에 형성된 솔더부(214)와 부착시킨다. 이러한 부착 공정은 물리적 힘을 인가하면서 솔더부(214)를 가열하는 공정을 포함할 수 있다. 이때, 희생 기판(110)에 직접적으로 접하고 있는 빔부(130b)는 물리적 힘에 의한 프로브의 손상 을 방지하는 구조적 지지체로 이용될 수 있다. 또한, 상술한 것처럼, 팁부(122t)는 희생 기판(110)으로부터 부유된 구조이기 때문에, 부착 공정에서, 희생 기판(110)과의 접촉에 의한 팁부(122t)의 물리적 손상은 방지될 수 있다. 즉, 종래기술들과는 달리, 본 발명은 팁부(122t)의 물리적 손상 없이 프로브를 회로 기판(210)에 부착할 수 있다.
프로브를 회로 기판(210)에 부착한 후, 프로브를 희생 기판(110)으로부터 분리하기 위해 빔부(122b)와 접하고 있는 잔존하는 희생 기판(110)을 식각한다. 상술한 것처럼, 프로브의 팁부(122t)는 희생 기판(110)으로부터 부유된 상태이다. 이에 따라, 종래기술들과는 달리 프로브를 완전히 노출하기 위해 희생 기판(110)을 제거하는 동안, 팁부(122t)에 가해지는 화학적 손상은 최소화될 수 있다.
도 20a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브를 포함하는 형성물을 설명하기 위한 평면도이고, 도 20b는 도 20a의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 20a 및 도 20b를 참조하면, 희생 기판(310) 상에 프로브가 배치된다. 프로브는 팁부(322t), 빔부(330b)로 이루어질 수 있다. 이에 더하여, 프로브는 접합부(334)를 더 포함할 수 있다. 팁부(322t)는 트렌치(316a) 및 주형막 패턴(미도시)에 의한 개구부로 이루어지는 홈에 채워진 도전 물질로 이루어질 수 있다. 팁부(322t)는 빔부(330b)의 일측에 배치되고, 접합부(334)는 빔부(330b)의 타측에 배치된다. 접합부(334)는, 빔부(330b)와 회로 기판 사이의 부착을 위해, 빔부(330b)의 타측의 상부에 형성될 수 있다. 빔부(330b)의 하부에는 빔부(330b)와 희생 막(326)에 의해 접속되지 않는 더미 팁부(dummy tip portion, 322dt)가 더 형성될 수 있다. 더미 팁부(322dt)는 빔부(330b)의 하부의 홈들에 채워진 도전 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예를 쉽게 설명하기 위하여, 팁부(322t)가 형성되는 희생 기판(310)의 영역을 제 1 영역(A), 더미 팁부(322dt)가 형성되는 희생 기판(310)의 영역을 제 2 영역(B)이라 칭한다.
도 21 내지 도 40은 본 발명의 다른 실시예에 따른 캔틸레버형 프로브의 제조 방법을 설명하기 위해 도 20a의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단한 단면도들이다. 앞서 도 2 내지 도 17에서 설명한 유사한 공정의 설명에 대해서는 생략하거나 간략하게 서술한다.
도 21 내지 도 28을 참조하면, 희생 기판(310)의 전면에 산화막으로 이루어지는 보호막(312)을 형성한다. 보호막(312) 상부에 제 1 보호막 패턴(312a)을 형성하기 위한 제 1 포토레지스트 패턴(314)을 형성한다. 보호막(312) 상에 형성된 제 1 포토레지스트 패턴(314)을 식각 마스크로 사용하여 보호막(312)을 습식 또는 건식 식각하여 예비 트렌치(도 23의 316 참조)가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴(312a)을 형성한다.
제 1 보호막 패턴(312a) 상부의 제 1 포토레지스트 패턴(314)을 제거한다. 제 1 보호막 패턴(312a)을 식각 마스크로 제 1차 이방성 건식 식각 공정을 수행함으로써, 예비 트렌치(316)를 형성한다. 예비 트렌치(316)는 4개의 측벽들을 갖는 사각형 모양일 수 있으며, 바람직하게는 정사각형일 수 있다.
예비 트렌치(316) 주변에서, 제 1 보호막 패턴(312a)의 상부면을 노출하는 제 2 포토레지스트 패턴(318)을 형성한다. 제 2 포토레지스트 패턴(318)을 식각 마스크로 사용하여, 노출된 제 1 보호막 패턴(312a)을 습식 또는 건식 식각하여 제 2 보호막 패턴(312b)을 형성한다. 이어서, 제 2 포토레지스트 패턴(318)을 제거한다. 이에 따라, 제 2 보호막 패턴(312b)은 희생 기판(310)의 상부면을 제 1 보호막 패턴(312a)에 비해 더 넓게 노출할 수 있다.
제 2 포토레지스트 패턴(318)이 제거된 희생 기판(310)을 식각하여, 예비 트렌치(316)에 비해 폭 및 깊이가 증가된 트렌치(316a)를 형성한다. 이 식각 공정은 수산화 칼륨, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 또는 에틸렌 디아민 파이로샤테콜을 식각 용액으로 사용하는 것이 바람직하다.
알려진 것처럼, 수산화 칼륨, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 또는 에틸렌 디아민 파이로샤테콜을 사용할 경우, 실리콘 기판의 식각 속도는 결정 방향에 의존적이다. 예를 들면, <1 0 0>의 결정 방향을 갖는 실리콘 기판은 하방향보다 측방향에서 더 빠른 속도로 식각될 수 있다. 그 결과, 희생 기판(310)에 형성된 예비 트렌치(316)는 하방향보다 측방향으로 더 확장되어, 트렌치(316a)는 도시된 것처럼 넓은 상부와 점차적으로 좁아지는 하부를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 예비 트렌치(316)가 확장된 결과물에 대해 제 2 보호막 패턴(312b)을 식각 마스크로 사용하는 제 2차 이방성 건식 식각 공정을 실시하여, 트렌치(316a)의 깊이를 증가시킬 수 있다. 예를 들면, 제 2차 이방성 건식 식각 공정은 앞서 수행된 이방성 습식 식각 공정에 의해 형성된 트렌치(316a)의 모양을 완만하게 만들기 위해 실시될 수 있다. 이에 따라, 트렌치(316a)는 팔각형으로 형성 될 수 있다.
트렌치(316a)를 형성한 후, 트렌치(316a)를 형성하기 위한 식각 공정의 식각 마스크로 사용된 제 2 보호막 패턴(312b)을 제거한다. 제 2 보호막 패턴(312b)을 제거한 후, 트렌치(316a)를 포함하는 희생 기판(310) 상에 주형막 패턴(320)을 형성한다. 주형막 패턴(320)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 주형막 패턴(320)은 희생 기판(310) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 주형막 패턴(320) 내에는 트렌치들(316a)을 노출하는 복수개의 개구부들이 형성된다. 이때, 제 1 영역(A)에는, 하나의 트렌치(316a)를 노출하는 하나의 개구부가 배치되고, 제 2 영역(B)에는 적어도 하나의 트렌치(316a)를 노출하는 적어도 하나의 개구부가 배치된다. 제 1 영역(A)의 트렌치(316a) 및 개구부는 프로브의 팁부를 정의하는 주형으로 사용될 수 있으며, 제 2 영역(B)의 트렌치(316a) 및 개구부는 프로브와 회로 기판의 부착 공정에서 구조적 지지체로 사용되는 더미 팁부의 주형으로 사용될 수 있다. 즉, 트렌치(316a)와 주형막 패턴(320)에 의한 개구부들은 팁부 및 더미 팁부를 정의하는 홈들을 구성할 수 있다.
도 29 및 도 30을 참조하면, 희생 기판(310) 상에, 제 1 영역(A) 및 제 2 영역(B)에 형성된 홈들을 채우는 제 1 도전막(322)을 형성한다. 제 1 도전막(322)은 전기 도금 기술, 화학적 기상 증착 기술 및 스퍼터링 기술 중에서 선택된 적어도 한가지 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 제 1 도전막(322)은 니켈-코발트 합금으로 형성된 도전 물질일 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 1 도전막(322)은 전기 도금 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
주형막 패턴(320)의 상부면이 노출될 때까지, 제 1 도전막(322)을 연마 및 평탄화한다. 그 결과, 제 1 영역(A) 및 제 2 영역(B)에는 각각 팁부(322t) 및 적어도 하나의 더미 팁부(322dt)가 형성될 수 있다. 제 1 도전막(322)을 연마 및 평탄화하는 공정은 화학적 기계적 연마, 에치백 또는 그라인딩 등의 방법을 사용할 수 있다. 앞서, 도 28에서 설명한 바와 같이, 주형막 패턴(320)은 제 2 영역(B)의 희생 기판(310)에 형성된 적어도 하나 이상의 트렌치(316a)를 포함하는 적어도 하나 이상의 개구부를 갖기 때문에, 팁부(322t)의 일측에는 적어도 하나 이상의 더미 팁부(322dt)가 형성될 수 있다. 또한, 더미 팁부(322dt)은 적어도 하나 이상의 하부를 가질 수 있다.
도 31 및 도 32를 참조하면, 팁부(312t) 및 더미 팁부(312dt)가 형성된 결과물 상에, 제 2 영역(B)의 상부를 노출하는 제 1 마스크 패턴(324)을 형성한다. 제 1 마스크 패턴(124)을 형성하는 공정은 소정 두께의 포토레지스트를 형성한 후, 이를 노광 및 현상하는 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제 1 마스크 패턴(324)을 형성하기 전에, 팁부(322t) 및 더미 팁부(322dt)가 형성된 결과물 상에, 빔부를 형성하기 위한 후속 공정인 전기 도금 공정의 용이함을 위해, 순차적으로 적층된 티타늄막 및 구리막으로 이루어진 도금용 전극(미도시)을 형성할 수 있다. 이때, 티타늄막 및 구리막은 스퍼터링 방식으로 증착될 수 있다.
제 1 마스크 패턴(324)에 의해 노출된 제 2 영역(B) 상부에 희생막(326)을 형성한다. 희생막(326)은, 희생 기판(310)을 제거하는 후속 공정에서, 더미 팁부(322dt)를 빔부로부터 용이하게 제거하기 위해 형성될 수 있다. 이에 따라, 희생막(326)은 프로브의 식각을 최소화하면서 제거될 수 있는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 희생막(326)은 구리 또는 아연(Zn)으로 형성될 수 있다.
이어서, 제 1 마스크 패턴(324)을 제거한다. 제 1 마스크 패턴(324)의 제거는 주형막 패턴(320)의 식각을 방지하기 위해, 애슁(ashing) 방식을 사용하는 것이 바람직하다. 이는 일반적인 습식 식각 방식으로 제 1 마스크 패턴(324)을 제거할 경우, 식각 과정에서 주형막 패턴(320)이 같이 식각될 수 있기 때문이다.
도 33 및 도 34를 참조하면, 빔부를 정의하는 개구부를 갖는 제 2 마스크 패턴(328)을 형성한다. 제 2 마스크 패턴(328)의 개구부는, 도시된 것처럼, 적어도 희생막(326) 및 팁부(322t)의 상부면을 노출하도록 형성될 수 있다. 이때, 제 2 마스크 패턴(328)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 2 마스크 패턴(328)은 희생 기판(310) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
제 2 마스크 패턴(328)을 덮는 제 2 도전막(330)을 형성한다. 제 2 도전막(330)은 전기 도금 기술, 화학적 기상 증착 기술 및 스퍼터링 기술 중에서 선택된 적어도 한가지 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 제 2 도전막(330)은 제 1 도전 막(322)과 동일한 도전 물질인 니켈-코발트 합금으로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 2 도전막(330)은 전기 도금 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
전기 도금 기술로 제 2 도전막(330)을 형성하는 경우, 팁부(322t)와 빔부의 직접적인 접촉을 위해, 앞서 도 31에서 설명된, 빔부 형성을 위한 도금용 전극(미도시)은 팁부(322t) 상부에서 제거되는 것이 바람직하다.
제 2 도전막(330)을 연마 및 평탄화하여 팁부(322t)에 접속하면서, 희생막(326)이 형성된 더미 팁부(322dt)의 상부로 연장되는 빔부(330b)를 형성한다. 제 2 도전막(330)을 연마 및 평탄화하는 공정은 화학적 기계적 연마, 에치백 또는 그라인딩 중의 한가지 방법으로 실시될 수 있다. 이때, 도 31에서 설명한 바와 같이, 빔부(330b)는 희생막(326)에 의해 제 2 영역(B)에 배치된 더미 팁부(322dt)와 직접적으로 접촉되지 않을 수 있다.
도 35 및 도 36을 참조하면, 제 2 마스크 패턴(328)을 제거하고, 제 2 영역(B) 상의 빔부(330b)의 일 단부의 상부면을 노출하는 제 3 마스크 패턴(332)을 형성한다. 제 3 마스크 패턴(332)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 3 마스크 패턴(332)은 희생 기판(310) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
제 2 마스크 패턴(328)의 제거는 주형막 패턴(320)의 식각을 방지하기 위해, 애슁 방식을 사용하는 것이 바람직하다. 이는 일반적인 습식 식각 방식으로 제 2 마스크 패턴(328)을 제거할 경우, 식각 과정에서 주형막 패턴(320)이 같이 식각될 수 있기 때문이다. 또는, 제 2 마스크 패턴(328)을 제거하지 않고, 제 2 마스크 패턴(328) 상에 제 3 마스크 패턴(332)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 제거되지 않은 제 2 마스크 패턴(328)은 추후 공정에서 제 3 마스크 패턴(332)과 같이 제거될 수 있다.
제 3 마스크 패턴(332)에 의해 노출된 제 2 영역(B) 상의 빔부(330b) 상부에 접합부(334)를 형성한다. 접합부(334)는 프로브를 회로 기판에 부착하는 추후 공정에서 부착 수단으로 사용될 수 있다. 접합부(334)는 금으로 형성될 수 있다.
만일, 프로브 카드를 제조하기 위한 공정에서 프로브가 부착되는 회로 기판의 소정 부위에 빔부(330b)와 연결하기 위한 접합부(334)가 구비된다면, 도 35 및 도 36에서 설명한 접합부(134)를 형성하는 공정은 생략될 수 있다.
도 37 및 도 38을 참조하면, 화학 용액을 이용한 습식 식각 방식으로 제 3 마스크 패턴(332) 및 주형막 패턴(320)을 제거한다. 이어서, 적어도 접합부(334)를 덮으면서 제 1 영역(A)을 노출하는 제 4 마스크 패턴(336)을 형성한다. 제 4 마스크 패턴(336)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 제 4 마스크 패턴(336)은 희생 기판(310) 상에 소정의 두께로 포토레지스트를 코팅한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
도 39 및 도 40을 참조하면, 적어도 팁부(322t)의 하부면 및 측면이 노출될 때까지, 제 4 마스크 패턴(336)을 식각 마스크로 사용하여 제 1 영역(A)의 희생 기판(310)을 식각한다. 제 1 영역(A)의 희생 기판(310)을 식각하는 공정은 플라즈마 를 이용하는 건식 식각 방식으로 실시되는 것이 바람직하다. 제 4 마스크 패턴(336)은 접합부(334)를 포함하는 제 2 영역(B)의 소정 부위만을 덮기 때문에, 제 1 영역(A)에 형성된 팁부(322t)는 완전하게 노출되는 동시에 제 2 영역(B)에 형성된 더미 팁부(322dt)는 일부가 노출될 수도 있다. 이에 따라, 제 1 영역(A)에 형성된 팁부(322t)는, 도 39에 도시된 것처럼, 희생 기판(310)으로부터 부유된 상태가 될 수 있다.
이후, 제 4 마스크 패턴(336)을 제거하여, 접합부(334)를 노출한다. 이 공정은 화학 용액을 이용한 습식 식각 방식으로 실시되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 팁부(322t), 빔부(330b) 및 접합부(334)로 이루어지는 프로브의 아래에는, 희생막(326), 더미 팁부(322dt) 및 희생 기판(310)이 남아있게 된다. 이때, 프로브는 희생 기판(310)에 직접적으로 연결되지 않고, 희생막(326) 및 더미 팁부(322dt)를 통해 희생 기판(310)에 간접적으로 연결될 수 있다.
도 41 및 도 42는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 41 및 도 42를 참조하면, 프로브를 포함하는 도 40의 형성물과 별도로, 프로브가 부착되는 회로 기판(410)을 제작한다. 프로브 카드를 제조하기 위해서 프로브의 접합부(334)를 회로 기판(410)의 범프(412)의 표면에 형성된 솔더부(414)와 부착시킨다. 이러한 부착 공정은 물리적 힘을 인가하면서 솔더부(414)를 가열하는 공정을 포함할 수 있다. 이때, 희생 기판(410)에 직접적으로 연결되어 있는 더미 팁부(322dt)는 물리적 힘에 의한 프로브의 손상을 방지하는 구조적 지지체로 이용 될 수 있다. 또한, 상술한 것처럼, 팁부(322t)는 희생 기판(310)으로부터 부유된 구조이기 때문에, 부착 공정에서, 희생 기판(310)과의 접촉에 의한 팁부(322t)의 물리적 손상은 방지될 수 있다. 즉, 종래기술들과는 달리, 본 발명은 팁부(322t)의 물리적 손상 없이 프로브를 회로 기판(410)에 부착할 수 있다.
프로브를 회로 기판(410)에 부착한 후, 프로브를 희생 기판(310)으로부터 분리하기 위해 희생막(326)을 식각한다. 희생막(326)은 희생막용 식각제를 사용하여 식각할 수 있다. 상술한 본 발명의 실시예에 따르면, 희생막(326)은 구리 또는 아연으로 형성되기 때문에, 희생막용 식각제로 구리용 식각제 또는 아연용 식각제를 사용할 수 있다. 상술한 것처럼, 프로브는 희생막(326) 및 더미 팁부(322dt)를 통해 희생 기판(310)에 연결된 상태이다. 이에 따라, 상술한 것처럼, 희생막(326)이 식각될 경우, 프로브는 희생 기판(310)으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 이에 따라, 종래기술들과는 달리 프로브를 완전히 노출하기 위해 희생 기판(310)을 제거하는 동안, 팁부(322t)에 가해지는 화학적 손상은 최소화될 수 있다.
상기한 본 발명의 실시예들에 따른 방법으로 캔틸레버형 프로브를 제조함으로써, 프로브 카드를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상이 최소화될 수 있다. 이에 따라, 팁부와 관련된 불량을 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 프로브를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상이 최소화됨으로써, 팁부와 관련된 불량은 감소될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 프로브 카드를 제조하는 과정에서 팁부에 가해지는 물리적 및 화학적 손상이 최소화됨으로써, 팁부와 관련된 불량을 감소될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드 제조 방법은 생산성 있는 안정적인 프로브 카드를 생산하는데 기여할 수 있다.

Claims (26)

  1. 기판의 소정 영역에 트렌치를 형성하고;
    상기 기판 상에, 상기 트렌치를 포함하는 상기 기판의 표면을 노출하는 개구부를 구비하는 주형막 패턴을 형성하고,
    상기 트렌치 및 상기 개구부에 각각 배치되는 팁부 및 빔부를 형성하고;
    상기 주형막 패턴을 제거하고;
    상기 빔부가 형성된 결과물 상에, 상기 팁부 주위의 기판을 노출하는 부유 식각 마스크 패턴을 형성하고; 그리고
    상기 부유 식각 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 노출된 팁부 주위의 기판을 식각하여, 상기 팁부를 상기 기판으로부터 부유시키는 것을 포함하되, 상기 팁부 및 상기 팁부 주위의 상기 빔부의 하부면이 노출되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 주형막 패턴은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 팁부 및 상기 빔부를 형성하는 것은,
    상기 트렌치 및 상기 개구부를 채우면서, 상기 기판을 덮는 도전막을 형성하고; 그리고
    상기 도전막을 연마하여 평탄화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸 레버형 프로브 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 팁부 및 상기 빔부를 형성한 후,
    상기 팁부와 접속된 상기 빔부의 일 단부 상부면을 노출하는 개구부를 구비하는 접합부 주형 패턴을 형성하고;
    상기 접합부 주형 패턴 내에 접합부를 형성하고; 그리고
    상기 접합부 주형 패턴을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 팁부 주위의 기판을 식각하는 것은 상기 팁부가 상기 기판으로부터 부유될 때까지, 건식 식각 방식을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 팁부를 노출한 후에,
    상기 부유 식각 마스크 패턴을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  8. 제 1항에 따라 제조된 캔틸레버형 프로브를, 범프를 구비하는 회로 기판의 상기 범프에 부착하고; 그리고
    상기 프로브의 기판을 식각하여, 상기 프로브의 기판을 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 프로브를 상기 회로 기판에 부착하는 것은 상기 프로브의 잔류하는 상기 기판을 구조적 지지체로 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  10. 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 기판에 각각의 홈을 형성하고;
    상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역의 홈을 각각 채우는 팁부 및 더미 팁부를 형성하고;
    상기 더미 팁부가 형성된 상기 제 2 영역을 덮는 희생막을 형성하고;
    상기 팁부에 접속하면서, 상기 희생막이 형성된 상기 더미 팁부의 상부로 연장되는 빔부를 형성하고; 그리고
    상기 제 1 영역의 기판을 식각하여, 상기 팁부를 상기 기판으로부터 부유시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 홈들을 형성하는 것은,
    상기 기판 상에, 상기 기판의 소정 영역 상부면을 노출하는 복수개의 제 1 개구부를 구비하는 제 1 보호막 패턴을 형성하고;
    상기 제 1 보호막 패턴을 식각 마스크로 상기 기판을 식각하여, 상기 제 1 개구부의 아래에 예비 트렌치를 형성하고;
    상기 제 1 보호막 패턴을 식각하여, 상기 예비 트렌치를 포함하는 상기 기판의 소정 영역을 노출하는 제 2 개구부를 구비하는 제 2 보호막 패턴을 형성하고;
    상기 제 2 보호막 패턴을 식각 마스크로 상기 기판을 식각하여, 상기 제 2 개구부 아래에 트렌치를 형성하고; 그리고
    상기 트렌치를 포함하는 상기 기판의 소정 영역 상부면을 노출하는 제 3 개구부를 구비하는 주형막 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 홈들은 상기 트렌치 및 상기 제 3 개구부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 주형막 패턴은 상기 제 2 영역에서 복수개의 상기 트렌치를 포함하는 상기 기판의 소정 영역 상부면을 노출하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 빔부를 형성한 후에,
    상기 주형막 패턴이 제거되는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 보호막 패턴은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성되고;
    상기 제 2 보호막 패턴은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성되고; 그리고
    상기 주형막 패턴은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 및 포토레지스트막 중에서 선택된 적어도 한가지로 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 팁부 및 상기 더미 팁부를 형성하는 것은,
    상기 홈들을 채우면서, 상기 기판을 덮는 제 1 도전막을 형성하고; 그리고
    상기 제 1 도전막을 연마하여 평탄화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 희생막을 형성하는 것은,
    상기 제 2 영역의 기판 상부를 노출하는 제 1 마스크 패턴을 형성하고;
    상기 제 1 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제 2 영역에 배치되는 상기 희생막을 형성하고; 그리고
    상기 제 1 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  17. 제 10항에 있어서,
    상기 희생막은 상기 기판, 상기 팁부, 상기 더미 팁부 및 상기 빔부에 대해 식각 선택성을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 희생막은 구리 또는 아연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  19. 제 10항에 있어서,
    상기 빔부를 형성하는 것은,
    상기 희생막이 형성된 결과물 상에, 상기 희생막 및 상기 팁부를 노출하는 제 2 마스크 패턴을 형성하고;
    상기 제 2 마스크 패턴을 덮는 제 2 도전막을 형성하고;
    상기 제 2 마스크 패턴이 노출될 때까지, 상기 제 2 도전막을 연마하여 평탄화하고; 그리고
    상기 제 2 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  20. 제 10항에 있어서,
    상기 빔부를 형성한 후,
    상기 빔부가 형성된 결과물 상에, 상기 제 2 영역에서 상기 빔부의 일 단부의 상부면을 노출하는 제 3 마스크 패턴을 형성하고;
    상기 제 3 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 빔부 상에 접합부를 형성하고; 그리고
    상기 제 3 마스크 패턴을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔 틸레버형 프로브 제조 방법.
  21. 제 10항에 있어서,
    상기 제 1 영역의 기판을 식각하는 것은,
    상기 빔부가 형성된 결과물 상에, 상기 제 1 영역을 노출하는 제 4 마스크 패턴을 형성하고; 그리고
    상기 제 4 마스크 패턴을 식각 마스크로 상기 노출된 제 1 영역의 기판을 식각하여 상기 팁부를 노출하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 제 1 영역의 기판을 식각하는 것은 상기 팁부가 상기 기판으로부터 부유될 때까지, 건식 식각 방식을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 팁부를 노출한 후에,
    상기 제 4 마스크 패턴을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버형 프로브 제조 방법.
  24. 제 10항에 따라 제조된 캔틸레버형 프로브를, 범프를 구비하는 회로 기판의 상기 범프에 부착하고; 그리고
    상기 프로브의 희생막을 식각하여, 상기 프로브의 기판, 더미 팁부 및 상기 희생막을 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 프로브를 상기 회로 기판에 부착하는 것은 상기 프로브의 상기 더미 팁부를 구조적 지지체로 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
  26. 제 24항에 있어서,
    상기 프로브의 상기 기판, 상기 더미 팁부 및 상기 희생막을 제거하는 것은,
    상기 희생막을 선택적으로 식각하여, 상기 더미 팁부를 포함하는 상기 기판을 상기 프로브로부터 분리시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
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