KR100928901B1

KR100928901B1 - 프로브 카드 제조 방법

Info

Publication number: KR100928901B1
Application number: KR1020070089638A
Authority: KR
Inventors: 김종복; 김봉환; 박범진
Original assignee: 윌테크놀러지(주)
Priority date: 2007-09-04
Filing date: 2007-09-04
Publication date: 2009-11-30
Also published as: KR20090024559A

Abstract

본 발명은 프로브 빔과 프로브 팁 및 도전 범프를 두 개의 희생 기판에 각각 형성한 후, 상기 두 개의 희생 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하고 불량이 발생한 희생 기판만을 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계; (b) 제2 희생 기판에 정의된 도전 범프 예정 영역을 제1 면에서 제2 면까지 식각하여 관통홀을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판을 접합하는 단계; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거하는 단계; (f) 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (g) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

프로브 카드 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURE PROBE CARD}

본 발명은 프로브 카드 제조 방법에 관한 것으로, 특히 프로브 빔과 프로브 팁 및 도전 범프를 두 개의 희생 기판에 각각 형성한 후, 상기 두 개의 희생 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하고 불량이 발생한 희생 기판만을 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 기술이 발전함에 따라 웨이퍼의 크기가 커지면서, 프로브 카드에 사용되는 캔틸레버 구조물의 개수도 증가하고 있다. 일반적으로 캔틸레버 구조물은 캔틸레버 빔과 도전 범프로 구성된다.

캔틸레버 구조물은 희생 기판에 상기 캔틸레버 빔을 형성하고 상기 캔틸레버 빔의 단부에 상기 도전 범프를 형성함으로써 제조된다.

도 1a 내지 도 1g는 종래 기술에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.

도 1a를 참조하면, 희생 기판(10)을 식각하여 프로브 팁 영역(25)을 형성한다.

도 1b를 참조하면, 프로브 빔 영역(20)을 정의하는 제1 감광막 패턴(15)을 형성한다.

도 1c를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(20) 및 상기 프로브 팁 영역(25)을 매립하여 프로브 빔(30) 및 프로브 팁(40)를 형성한다.

도 1d를 참조하면, 상기 프로브 빔(30) 상부에 도전 범프 예정 영역(55)을 정의하는 제2 감광막 패턴(50)을 형성한다.

도 1e를 참조하면, 상기 도전 범프 예정 영역(55)을 매립하여 도전 범프(60)을 형성한 후, 제2 감광막 패턴(50) 및 제1 감광막 패턴(15)을 제거한다.

도 1f를 참조하면, 도전 범프(60)와 스페이스 트랜스포머(70)를 접합한다.

도 1g를 참조하면, 희생 기판(10)을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성한다.

대형 웨이퍼의 사용이 증가함에 따라 웨이퍼 한 장에 형성되는 소자의 수는 증가하고 있다. 웨이퍼 한장에 형성되는 소자의 수가 증가함에 따라 소자의 웨이퍼 레벨 테스트에 필요로 하는 시간은 더욱 증가한다. 따라서, 동시에 다수의 소자를 테스트할 수 있는 프로브 카드에 대한 요구가 증대되었다. 동시에 다수의 소자를 테스트하기 위해서는 스페이스 트랜스포머 상에 더욱 많은 개수의 캔틸레버 구조물을 형성하여야 하고, 이에 따라 스페이스 트랜스포머의 크기, 즉 면적을 증가시켜야 한다.

스페이스 트랜스포머의 면적을 증가시킴과 동시에 더욱 많은 개수의 캔틸레버 구조물을 형성하는 경우, 캔틸레버 구조물에 불량이 발생할 가능성이 높아진다. 특히, 상술한 종래 기술에 따른 프로브 카드의 제조 방법의 경우, 넓은 면적의 스 페이스 트랜스포머에 대응하는 희생 기판에 다수의 캔틸레버 구조물을 동시에 형성하므로 캔틸레버 구조물의 불량품을 검출하기가 어려울 뿐만 아니라, 이 중 한 개의 캔틸레버 구조물에 불량이 발생하면 희생 기판 전체를 폐기하여야 한다.

따라서, 희생 기판 전체를 폐기하면 캔틸레버 구조물을 제조하는 비용이 증가한다는 문제점이 있다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 두 개의 희생 기판에 각각 프로브 빔과 프로브 팁, 도전 범프를 형성한 후, 상기 두 개의 희생 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하고 불량이 발생한 희생 기판만을 교체하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명의 제1 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계; (b) 제2 희생 기판에 정의된 도전 범프 예정 영역을 제1 면에서 제2 면까지 식각하여 관통홀을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판을 접합하는 단계; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거하는 단계; (f) 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (g) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제2 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계; (b) 제2 희생 기판의 제1 면에서 제2 면까지 연장되는 도전 범프를 형성하는 단계; (c) 상기 제1 희생 기판, 제2 희생 기판 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (d) 상기 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제3 면에 따른 프로브 카드 제조 방법은 (a) 스페이스 트랜스포머를 하나 이상의 영역으로 분할하는 단계; (b) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 관통홀을 형성하는 단계; (c) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 접합하는 단계; (d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계; (e) 상기 제2 희생 기판을 제거한 후, 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및 (f) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 프로브 카드 제조 방법은 두 개의 희생 기판에 각각 프로브 빔과 프로브 팁 및 도전 범프를 형성한 후, 상기 두 개의 기판과 스페이스 트랜스포머를 접합함으로써 불량품 검출이 용이하다는 장점이 있다. 게다가, 불량품이 발 생한 경우 상기 기판만을 교체할 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다는 장점이 있다.

본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.

도 2a를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 식각하여 프로브 빔 영역(140) 및 프로브 팁 영역(150)을 형성한다. 제1 희생 기판(100)은 실리콘 기판인 것이 바람직하다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 희생 기판(100)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 2j 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.

도 2b를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(140) 및 상기 프로브 팁 영역(150)을 매립하여 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)을 형성한다. 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)은 도금 공정을 이용하여 Ni-Co 층으로 형성할 수 있다.

도 2c를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 시드층(230)을 형성한다.

도 2d를 참조하면, 제2 희생 기판(200)의 제1 면에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 제1 감광막 패턴(210)을 형성한다. 이때, 제2 희생 기판(200)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제2 희생 기판(200)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 2j 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.

도 2e를 참조하면, 제1 감광막 패턴(210)을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각(deep etch)하여 제2 희생 기판(200) 내에 관통공을 형성한다. 이때, 상기 식각 공정은 제2 희생 기판(200)의 제1 면에서 제2 면까지 식각하는 것이 바람직하다.

도 2f를 참조하면, 제1 감광막 패턴(210)을 제거한다. 제2 희생 기판(200)의 표면에 산화막(미도시) 또는 질화막(미도시)를 형성하여 제2 희생 기판(200)을 절연시키는 것이 바람직하다.

도 2g를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 제1 도전 범프 접속 영역을 노출시키는 제2 감광막 패턴(250)을 형성한다. 제2 감광막 패턴(250)은 접착층으로 기능한다.

도 2h를 참조하면, 제1 희생 기판(100)의 제2 면에 제2 희생 기판(200)을 접합한다. 즉, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제1 희생 기판(100)에 형성된 프로브 빔(110)을 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 프로브 빔(110)을 접합할 수 있다.

도 2i를 참조하면, 식각된 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 프로브 빔(110)에 접속되는 도전 범프(220)를 형성한다.

도 2j를 참조하면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 제2 희생 기판(200)이 노출될 때까지 제2 면을 평탄화 식각한다.

도 2k를 참조하면, 제2 희생 기판(200)을 제거한 후, 노출된 제2 감광막 패 턴(250) 및 시드층(230)을 제거한다. 제2 희생 기판(200), 제2 감광막 패턴(250) 및 시드층(230)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.

도 2l를 참조하면, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 접합 특성을 향상시키기 위한 제1 접착층(330)이 형성된 스페이스 트랜스포머(300)를 준비한다. 제1 접착층(330)은 스페이스 트랜스포머(300)의 단부, 즉 제2 도전 범프 접속 영역에 형성되며, 제2 도전 범프 접속 영역은 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)가 전기적 및 기계적으로 접속되는 영역이다. 또한, 제1 접착층(330)은 프린팅 공정을 수행하여 AuSn층으로 형성하는 것이 바람직하다.

도 2m를 참조하면, 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합한다. 즉, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제2 희생 기판(200)에 형성된 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 도전 범프(220)를 접합한다.

도 2n를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성한다. 제1 희생 기판(100)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들이다.

도 3a를 참조하면, 제1 희생 기판(100)을 식각하여 프로브 빔 영역(140) 및 프로브 팁 영역(150)을 형성한다. 이때, 제1 희생 기판(100)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 희생 기판(100)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 3h 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.

도 3b를 참조하면, 상기 프로브 빔 영역(140) 및 상기 프로브 팁 영역(150)을 매립하여 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)을 형성한다. 프로브 빔(110) 및 프로브 팁(120)은 도금 공정을 이용하여 Ni-Co 층으로 형성할 수 있다.

도 3c를 참조하면, 프로브 빔(110)의 단부, 즉 제1 도전 범프 접속 영역에 제2 접착층(130)을 형성한다. 제1 도전 범프 접속 영역은 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)(도 3g 참조)가 전기적으로 접속되는 영역이다. 또한, 제2 접착층(130)은 프린팅 공정을 이용하여 AuSn층으로 형성할 수 있다.

도 3d를 참조하면, 제2 희생 기판(200)의 제1 면에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴(210)을 형성한다. 이때, 제2 희생 기판(200)은 실리콘 기판일 수 있다. 특히, 도 4a에 도시된 바와 같이 제2 희생 기판(200)은 스페이스 트랜스포머(300)(도 3h 참조)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가질 수 있다.

도 3e를 참조하면, 감광막 패턴(210)을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각(deep etch)하여 제2 희생 기판(200) 내에 관통공을 형성한다. 이때, 상기 식각 공정은 제2 희생 기판(200)의 제1 면에서 제2 면까지 식각하는 것이 바람직하다.

도 3f를 참조하면, 감광막 패턴(210)을 제거한 후, 상기 관통공 측벽에 시드층(230)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(210)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.

도 3g를 참조하면, 식각된 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 도전 범 프(220)를 형성한다. 이때, 도전 범프(220)는 도금 공정을 수행하여 형성할 수 있다.

도 3h를 참조하면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하여 제2 희생 기판(200)이 노출될 때까지 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 평탄화 식각한다.

도 3i를 참조하면, 제1 접착층(330)이 형성된 스페이스 트랜스포머(300)를 준비한다. 제1 접착층(330)은 스페이스 트랜스포머(300)의 단부, 즉 제2 도전 범프 접속 영역에 형성되며, 제2 도전 범프 접속 영역은 도전 범프(220)(도 3g 참조)와 스페이스 트랜스포머(300)가 전기적 및 기계적으로 접속되는 영역이다.

도 3j를 참조하면, 프로브 빔(110), 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합한다. 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)의 접합 특성을 향상시키기 위하여 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)의 계면에 제3 접착층(130)을 추가로 형성할 수 있다. 또한, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 접합 특성을 향상시키기 위하여 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)의 계면에 제1 접착층(330)을 추가로 형성할 수 있다. 이때, 제3 접착층(130) 및 제1 접착층(330)은 용융점이 서로 다른 AgSnCu층 및 AuSn층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로브 빔(110)과 도전 범프(220)가 접합된 후 스페이스 트랜스포머(300)가 접합되는 경우, 제3 접착층(130)은 용융점이 높은 AuSn층으로 형성하고, 제1 접착층(330)은 용융점이 낮은 AgSnCu층으로 형성할 수 있다. 또한, 도전 범프(220)와 스페이스 트랜스포머(300)가 접합된 후 프로브 빔(110)이 접합되는 경우, 제3 접착층(130)은 AgSnCu층으로 형성하고, 제1 접착층(330)은 AuSn층으로 형성할 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500a)에 대응하는 면적을 가지는 제1 희생 기판(100)에 형성된 프로브 빔(110), 제2 희생 기판(200)에 형성된 도전 범프(220) 및 스페이스 트랜스포머(300)를 접합할 수 있다. 상기 접합 공정을 반복하여 스페이스 트랜스포머(300)를 분할한 영역(500b 내지 500d)에 대해서도 프로브 빔(110) 및 도전 범프(220)를 접합한다.

도 3k를 참조하면, 제1 희생 기판(100) 및 제2 희생 기판(200)을 제거한다. 제1 희생 기판(100) 및 제2 희생 기판(200)은 식각 공정으로 제거할 수 있다.

이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 여타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 이하의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

따라서 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1a 내지 도 1g는 종래 기술에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법을 도시한 단면도들.

도 4a는 스페이스 트랜스포머를 분할한 예시도.

도 4b는 본 발명에 따른 프로브 카드의 접합 방법을 도시한 예시도.

Claims

(a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계;

(b) 제2 희생 기판에 정의된 도전 범프 예정 영역을 제1 면에서 제2 면까지 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;

(c) 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판을 접합하는 단계;

(d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계;

(e) 상기 제2 희생 기판을 제거하는 단계;

(f) 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및

(g) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 (a) 단계와 (b) 단계 사이에 상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판의 계면에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제2항에 있어서,

상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판의 계면에 시드층을 형성하는 단계 이후에 상기 시드층 표면에 상기 도전 범프 예정 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계가 후행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 (d) 단계와 (e) 단계 사이에 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 제1 접착층을 형성하는 단계는 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 제1 접착층은 AuSn층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판은 각각 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 (b) 단계는,

(b-1) 상기 제2 희생 기판의 제1 면에 상기 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및

(b-2) 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제1항에 있어서,

상기 (f) 단계는, 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머 상에 구비된 제2 도전 범프 접속 영역을 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
(a) 제1 희생 기판에 프로브 빔 및 프로브 팁을 형성하는 단계;

(b) 제2 희생 기판의 제1 면에서 제2 면까지 연장되는 도전 범프를 형성하는 단계;

(c) 상기 제1 희생 기판, 제2 희생 기판 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및

(d) 상기 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 (c) 단계는

(c-1) 상기 제1 희생 기판과 제2 희생 기판을 접합하는 단계; 및

(c-2) 상기 제1 희생 기판에 접합된 제2 희생 기판에 상기 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제11항에 있어서,

상기 (c-1) 단계는 상기 프로브 빔 및 상기 도전 범프의 계면에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 (c-2) 단계는 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제12항에 있어서,

상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 형성하는 단계는 각각 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제12항에 있어서,

상기 제2 접착층은 AuSn층을 포함하며, 제1 접착층은 AgSnCu층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 (c) 단계는

(c-1) 제2 희생 기판에 상기 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및

(c-2) 상기 스페이스 트랜스포머에 접합된 제2 희생 기판에 상기 제1 희생 기판을 접합하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 (c-1) 단계는 상기 도전 범프 및 상기 스페이스 트랜스포머의 계면에 제1 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 (c-2) 단계는 상기 프로브 빔 및 상기 도전 범프의 계면에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조 방법.
제16항에 있어서,

상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 형성하는 단계는 각각 프린팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 제2 접착층은 AuSnCu층을 포함하며, 제1 접착층은 AgSn층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 (b) 단계는,

(b-1) 상기 제2 희생 기판의 제1 면에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

(b-2) 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전 범프 예정 영역을 식각하는 단계;

(b-3) 상기 도전 범프 예정 영역의 측벽에 시드층을 형성하는 단계; 및

(b-4) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 상기 도전 범프를 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제1 희생 기판 및 상기 제2 희생 기판은 각각 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
(a) 스페이스 트랜스포머를 하나 이상의 영역으로 분할하는 단계;

(b) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판에 도전 범프 예정 영역을 정의하는 관통홀을 형성하는 단계;

(c) 상기 분할된 영역에 대응되는 면적을 가지는 하나 이상의 제1 희생 기판 및 제2 희생 기판을 접합하는 단계;

(d) 상기 도전 범프 예정 영역을 매립하여 프로브 빔에 접속되는 도전 범프를 형성하는 단계;

(e) 상기 제2 희생 기판을 제거한 후, 상기 도전 범프 및 스페이스 트랜스포머를 접합하는 단계; 및

(f) 상기 제1 희생 기판을 제거하여 캔틸레버 구조물을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.