JP2001311746A - コンタクトプローブ及びプローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スクラブ時の削り屑によるショートの発生や
スクラブ痕が深い傷になるのをを防ぐ。 【解決手段】 コンタクトプローブのフィルムから突出
するコンタクトピン３２ａの先端に側面４２の先端を斜
めに切除した傾斜面４３を形成する。傾斜面４３は上面
４０と平行で対向する下面４１の半円状円弧の稜線部を
切除して側面４２に延びるよう、上面４０に直交する線
に５〜８０°の範囲で傾斜させる。傾斜面４３と下面４
１とが交差する直線状の交差稜線４４でＩＣチップ１８
のバンプ１８ａにコンタクトしてスクラブをかける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の被検査物の微細な電極にコンタクトピンを接触させて
回路試験等の電気的なテストを行うためのコンタクトプ
ローブ及びプローブ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プローブ装置は、半導体デバイ
ス等のバンプやパッド等の電極にコンタクトプローブの
コンタクトピンを押圧接触させ、プリント基板を介して
テスター等に接続して行う電気的なテストに用いられ
る。コンタクトプローブ１は、例えば図１０に示すよう
にＮｉ基合金等からなる複数本のパターン配線２…の上
に接着剤層を介してフィルム３が被着され、フィルム３
から突出するパターン配線２…の先端部はコンタクトピ
ン２ａ…とされている。またフィルム３の幅広の基部１
ｂには窓部４が形成され、この窓部４にはパタ−ン配線
２…の引き出し配線部５…が設けられている。尚、フィ
ルム３はポリイミド等の樹脂フィルム層からなり、或い
はポリイミド等の樹脂フィルム層に銅箔Ｃｕ等の金属フ
ィルム層がグラウンドとして積層されたもの等でもよ
い。

【０００３】このようなコンタクトプローブ１は図１１
及び図１２に示すようにマウンティングベースやトップ
クランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ７に組
み込まれてプローブ装置８とされ、コンタクトピン２ａ
…を半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のバンプ等の微細な電
極端子に接触させることになる。即ち、図１１及び図１
２に示すプローブ装置８において、円板形状をなし中央
窓部１０ａを有するプリント基板１０の上に、例えばト
ップクランプ１１を取り付け、またコンタクトプローブ
１の先端部１ａを両面テープ等でその下面に取り付けた
マウンティングベース１２を、トップクランプ１１にボ
ルト等で固定する。そしてボトムクランプ１４でコンタ
クトプローブ１の基部１ｂを押さえつける。その際、プ
リント基板１０とコンタクトプローブ１の基部１ｂは位
置決めピンによって相互の位置決めがなされる。これに
よって、コンタクトプローブ１の先端部１ａがマウンテ
ィングベース１２の下面で下方に向けた傾斜状態に保持
され、コンタクトプローブ１の基部１ｂにおいてパター
ン配線２…の引き出し配線部５…がボトムクランプ１４
の弾性体１５で窓部４を通してプリント基板１０の下面
の電極１６に押しつけられて接触状態に保持されること
になる。

【０００４】ところで、上述のコンタクトプローブ１の
各コンタクトピン２ａ…を含む各パターン配線２…はマ
スク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製
作されており、そのためにコンタクトピン２ａの先端部
２０は図１３に示されるように略半円板状に形成され
る。ここで、コンタクトピン２ａの先端部２０はフィル
ム３に被着される先端半円状の上面２１とこの上面２１
に対向して略平行な先端半円状の下面２２と側面２３と
で構成されている。またＩＣチップ１８のパッドまたは
バンプ１８ａは例えば図１４に示すようにアルミ合金膜
や金めっき等で一定の厚みに形成されており、特に金バ
ンプの場合にはめっき成長の関係からコンタクトピン２
ａとの接触面１８ｂには略長円状の凹部２５が形成され
ている場合が多い。そしてオーバードライブ時にこの凹
部２５にコンタクトピン２ａの下面２２の半円状の先端
が入り込んで押圧しつつ凹部２５の長円方向にスクラブ
（吸着物等の擦り取り）をかけることになる。

【０００５】ＩＣチップ１８のバンプ１８ａにコンタク
トピン２ａをコンタクトさせる際、例えばバンプ１８ａ
を水平に配置したとして、バンプ１８ａに対するコンタ
クトピン２ａの傾斜角度θを例えば２０°前後に設定す
るようになっている。他方、金めっきなどで形成される
バンプ１８ａの表面は吸着物等で覆われているために、
オーバードライブをかけて図１４に示すようにバンプ１
８ａの表面を押圧して先端部２０の略半円状の下面２２
でスクラブし、内部の金などの金属を露出させてコンタ
クトピン２ａの下面２２との確実な導通を図る必要があ
る。またアルミ合金からなるパッド１８ａ等の場合には
表面がフラットであり、はんだバンプ等の場合では球状
の表面であるが、同様にスクラブをかけて表面の酸化膜
や吸着物等を擦り取り、確実に導通させる必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そのため、金バンプな
どの場合、スクラブをかけた際にコンタクトピン２ａの
下面２２は側面２３と交差する略円弧状稜線部２２ａが
バンプの接触面１８ｂの凹部２５に入り込んで擦るため
に略円弧状稜線部２２ａの周縁部で凹部２５の縁部２５
ａを擦り取るために、バンプ１８ａの接触面１８ｂのア
ルミニウム合金や金等の金属屑が削り屑ｋとして吸着物
等と共に削り取られてひげ状となって図１４及び図１５
に示すように円弧状周縁部２２ａの接線方向外側に成長
することになる。この場合、円弧状稜線部２２ａは鋭利
であるために削り屑量が多く比較的軟質のバンプ１８ａ
表面のスクラブ痕が深い傷になって外観不良となり、後
工程で接合不良などの原因になる。しかも先端部２０が
円弧状稜線部２２ａと共に半円状をなすために削り屑ｋ
は両サイドに船の航行時の波状に成長して隣のバンプや
その削り屑ｋに接触してショートするおそれが生じる。
そして削り屑ｋがＩＣチップ１８のバンプ１８ａ間等に
残るとショートやリーク等を起こし製品不良の原因にな
るという問題も生じる。また削り屑ｋにコンタクトピン
２ａの先端部２０が乗り上げることでバンプ１８ａに点
接触することになると電気テスト時の接触抵抗が大きく
なるという問題も生じる。このようなスクラブ痕や削り
屑の問題は金バンプに限らず、アルミ合金からなるパッ
ドやはんだバンプ等各種の電極にも存在する。

【０００７】本発明は、このような実情に鑑みて、被検
査物に対するコンタクト時に生成する削り屑によるショ
ート等を起こさないようにしたコンタクトプローブ及び
プローブ装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るコンタクト
プローブは、フィルムが被着された複数のパターン配線
の各先端がフィルムから突出してコンタクトピンとされ
ているコンタクトプローブにおいて、コンタクトピンの
先端部に被検査物へ接触する側の一面を切除してこの一
面と鈍角をなす傾斜面を形成し、この傾斜面と一面との
交差領域が被検査物への接触部とされてなることを特徴
とする。被検査物に対してコンタクトピンを接触させて
スクラブをかける際に被検査物の接触面に凹部などがあ
っても、凹部等に押圧接触されるコンタクトピン先端部
には先端曲線部が設けられておらず、交差領域で被検査
物の接触面を擦り取るために削り屑はスクラブ方向前方
に成長して押し出されることになり、スクラブ方向に交
差する方向に延びて隣の被検査物で生成される削り屑等
と接触することがなく電気的テスト時のショートを防止
できてコンタクトピンと噛み込みを生じることも抑制で
きる。そして交差領域で削られた被検査物の表面に深い
傷ができることを抑制できる。

【０００９】また、一面に対向する二面に直交する線に
対する傾斜面の傾斜角は５°〜８０°の範囲に設定され
ていてもよい。コンタクトピン先端部の一面の半円部分
が傾斜面で切除されているためにスクラブ時に被検査物
の接触面を削り取る部分が円弧状になることがなくしか
も傾斜面は被検査物の接触面に接触せずスムーズにスク
ラブでき、削り屑をスクラブ方向前方に成長させること
ができる。また、交差領域は傾斜面と一面が交差する稜
線で形成されていてもよい。交差領域の稜線でスクラブ
することで被検査物の削り屑の成長方向を制御できる。
交差領域は好ましくは略直線状とされ、そのためには傾
斜面と一面が互いに平面で形成されていればよい。

【００１０】また交差領域は傾斜面と一面との間に形成
された略平面であってもよい。スクラブが面接触する略
四角形等の平面による交差領域で行われれば、削り屑の
成長方向を制御できる上にスクラブ時に摺動しやすくて
接触圧力が小さくなり、被検査物表面のスクラブ痕が浅
く形成されるために被検査物の外観の見栄えがよい。し
かも面接触することで電気的テストの際の接触抵抗が小
さくて済む。尚、交差領域におけるコンタクトピン長手
方向の長さＬは、コンタクトピンの長手方向に直交する
方向の幅をＷとして、０＜Ｌ≦２Ｗに設定するとよい。
Ｌが２Ｗを越えると、所定の範囲にスクラブ痕を付けよ
うとする場合にスクラブ時にパッドサイズを越えないよ
うにコンタクトさせるには十分なスクラブをかけられな
くなる。またコンタクトピンの一面は二面と平行をなし
ていてもよいし、或いは二面と平行な対向面に対して微
小角度を以て傾斜するように対向面の先端部を切除して
形成されてもよい。

【００１１】本発明に係るプローブ装置は、フィルム上
に形成されたパターン配線の先端部がフィルムから突出
してコンタクトピンとされてなるコンタクトプローブ
が、メカニカルパーツに装着され、コンタクトピンは被
検査物に対して傾斜して当接させられるプローブ装置に
おいて、コンタクトプローブは請求項１乃至３のいずれ
か記載のコンタクトプローブであり、コンタクトピンの
傾斜面は被検査物の接触面に対して所定の範囲で傾斜配
置されていることを特徴とする。被検査物に対して所定
角度で傾斜状態のコンタクトピンを接触させてスクラブ
をかける際に、コンタクトピンの先端部に傾斜面が設け
られていることで被検査物の接触面をスクラブさせれば
円弧状稜線部が先端にないために削り屑をスクラブ方向
に交差する方向に成長させることもなくスクラブ痕が小
さくて済み摺動がスムーズである。

【００１２】またコンタクトピンの一面は被検査物の接
触面に対して５°〜３５°の範囲で傾斜して配設されて
いてもよい。ここで５°より小さいとスクラブをかけて
被検査物の接触面を削ることが困難であり、３５°より
大きいと傾斜面が接触面を擦過し易くなり交差領域によ
るスクラブがスムーズに行えなくなる。また側面先端の
被検査物に対する傾斜角は５５°〜８５°の範囲に設定
することが好ましい。ここで、５５°より小さいと傾斜
面が接触面を擦過し易くなり交差領域によるスクラブが
スムーズに行えなくなり、８５°より大きいとスクラブ
をかけて被検査物の接触面を削ることが困難になる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
乃至図６により説明するが、上述の従来技術と同一また
は同様の部分には同一の符号を用いて説明する。図１は
実施の形態によるコンタクトプローブの先端部分の斜視
図、図２は図１に示すコンタクトプローブの全体のＡ−
Ａ線中央縦断面図、図３はコンタクトピンを示すもので
（ａ）は側面図、（ｂ）は下面図、図４はプローブ装置
に装着されたコンタクトプローブのコンタクトピンのバ
ンプに対する傾斜状態を示す部分側面図、図５は実施の
形態によるコンタクトピンをＩＣチップのバンプにコン
タクトさせた状態を示す斜視図、図６は図５と同様な状
態を示す平面図である。図１乃至図４に示す実施の形態
によるコンタクトプローブ３０は、図１０に示すコンタ
クトプローブ１とほぼ同一構成とされ、図１及び図２に
示すようにＮｉ基合金等からなる複数本のパターン配線
３２…の上に図示しない接着剤層を介してフィルム３が
被着され、フィルム３から突出するパターン配線３２…
の先端部はコンタクトピン３２ａ…とされている。また
フィルム３の幅広の基部（図２参照）には窓部４が形成
され、この窓部４にはパタ−ン配線３２…の引き出し配
線部３４…が設けられている。

【００１４】そして、フィルム３はパターン配線３２…
が被着されたポリイミド等の樹脂フィルム層３６にＣ
ｕ，Ｎｉ等の金属フィルム層３７が例えばグラウンドと
して積層されて構成されているが、樹脂フィルム層３６
だけで構成されていてもよい。各コンタクトピン３２ａ
は、その長手方向に直交する断面が例えば略四角形状と
され、その先端はフィルム３が被着される面である上面
４０（二面）と、上面４０に対向して略平行をなすと共
にバンプ１８ａに接触させられ得る下面４１（一面）
と、上下面４０，４１間に設けられていて上下面４０，
４１に直交する側面４２とで構成されている。各コンタ
クトピン３２ａの先端部３３はめっきによる形成時には
略半円板状とされていて、側面４２の先端４２ａは略円
柱周面形状の略半円（半径Ｒとする）の凸曲面とされ、
上面４０の先端４０ａは半径Ｒの半円状に形成されてい
る。そして下面４１の先端は下面４１の半円状をなす部
分４１ａを含めて側面４２の先端部４２ａの途中にかけ
て研磨によって斜めにカットされて側面４２の先端４２
ａに対して角度ｅをなす略平面状の傾斜面４３とされて
いる。

【００１５】そして下面４１と傾斜面４３との交差稜線
４４がコンタクトピン３２ａの長手方向に略直交する直
線をなし、下面４１において交差稜線４４は図３で一点
鎖線で示す半径Ｒの半円部分を傾斜面４３を以て全体に
切除できるように仮想の半円の直径２Ｒをなす境界線４
６より長さｍだけ基端側に位置している。尚、ｍ≧０で
あればよい。交差稜線４４は必ずしも直線である必要は
ないが、直線または直線に近い線であることが好まし
い。少なくとも交差稜線４４の両端でバンプ１８ａの凹
部２５の両端４４ａ，４４ａまたはその近辺がコンタク
トピン３２ａの長手方向に略直交させる方向、または図
３（ｂ）で一点鎖線で示すように両端縁に向かうに従っ
て先端側へ向かうように内側に角度をもたせた傾斜形状
をなしていればよく、これによってスクラブ時にバンプ
１８ａ表面を削り取る際に、削り屑がスクラブ方向に交
差する外側方向に成長するのを防止することができる。
また側面４２の先端４２ａに対する傾斜角ｅは半径Ｒの
半円の大きさに規制されるが、更に１０°〜８０°の範
囲に設定されている。

【００１６】尚、このようなコンタクトプローブ３０を
製作するには、マスク露光技術を用いてフォトリソ・め
っき法等によって図１０に示すようなコンタクトプロー
ブ３０を製作する。その後にコンタクトプローブ３０を
メカニカルパーツ７に装着してフィルム３の先端部を下
方に傾斜させ、フィルム３から突出するコンタクトピン
３２ａ…の下面４１…の先端を研磨板（図示せず）に対
して斜めに研磨する。このとき側面４２の先端４２ａを
研磨板に対して角度ｅだけ傾斜させた状態で研磨すれば
略平面状の傾斜面４３を形成できる。尚、コンタクトピ
ン３２ａの下面４１に傾斜面４３を形成する方法とし
て、研磨による方法の他にレーザー光によって形成して
もよいし、或いは化学研磨によって形成してもよく、適
宜の方法を採用できる。

【００１７】本実施の形態によるコンタクトプローブ３
０は上述のように構成されており、次にその作用を説明
する。実施の形態によるコンタクトプローブ３０を、図
１１及び図１２に示すものと同様にメカニカルパーツ７
に装着し、パターン配線３２…の配線引き出し部３４…
がボトムクランプ１４によってプリント基板１０の電極
１６に押圧されて通電させられている。各コンタクトピ
ン３２ａは図４に示すようにＩＣチップ１８の各バンプ
１８ａ表面である接触面１８ｂに対してコンタクト角度
θを以て傾斜配置されることになる。ここで角度θは５
°〜３５°の範囲に設定するものとし、好ましくはθ＝
２０°にする。角度θが５°より小さいとスクラブをか
けてバンプ１８ａの接触面１８ｂを削ることが困難であ
り、３５°より大きいと傾斜面４３が接触面１８ｂを擦
過し易くなり交差領域によるスクラブがスムーズに行え
なくなる。また側面４２の先端４２ａはバンプ１８ａの
接触面１８ｂに対する傾斜角βを５５°〜８５°の範囲
に設定することが好ましい。ここで、βが５５°より小
さいと傾斜面が接触面を擦過し易くなり交差領域による
スクラブがスムーズに行えなくなり、８５°より大きい
とスクラブをかけて被検査物の接触面を削ることが困難
になる。

【００１８】そして電気的テスト時に、図５に示すよう
に各コンタクトピン３２ａは先端３３の交差稜線４４が
被検査物であるＩＣチップ１８の各バンプ１８ａの接触
面１８ｂ上に設けられた凹部２５内上の手前側に位置す
るようにする。この状態から、オーバードライブをかけ
てコンタクトピン３２ａに対してバンプ１８ａを相対移
動させて、交差稜線４４をバンプ１８ａの接触面１８ｂ
に押圧させると交差稜線４４が凹部２５内に落ち込んで
線接触する。そして矢印Ｓ方向にスクラブをかければ、
傾斜面４３でバンプ１８ａ表面の酸化膜や被着物を剥離
させることができる。この時、コンタクトピン３２ａは
線状の交差稜線４４でバンプ１８ａの凹部２５表面の金
属等を削り取りつつ摺動し、生成された削り屑ｋは図５
及び図６に示すように交差稜線４４に略直交するスクラ
ブ方向前方に成長して押し出される。交差稜線４４の両
端４４ａ，４４ａが凹部２５の縁部２５ａに接触しても
削り屑をスクラブ方向前方に押し出すことができる。

【００１９】そのため削り屑ｋが隣接するバンプ１８ａ
方向に延びることがないので隣の削り屑ｋや隣のバンプ
１８ａ等に接触したりしてショートすることがない。従
来のコンタクトピン３２ａのように円弧状の稜線部で削
り取るものでないから凹部２５の縁部２５ａが削れて跡
にバリが残るような現象は生じない。しかもコンタクト
ピン３２ａの先端の傾斜面４３は下面４１から側面４２
にかけて切除して形成されているから、凹部２５内に若
干入り込んでもバンプ１８ａの凹部２５に接触すること
がなくスムーズにスクラブができる。またバンプ１８ａ
の接触面１８ｂに残るスクラブ痕は交差稜線４４がスク
ラブ方向に略直交する方向に延びているから浅い針跡と
なり外観上の見栄えを損なうことがない。尚、凹部２５
の幅がコンタクトピン３２ａの幅Ｗより小さければ交差
稜線４４は凹部２５の周囲の接触面１８ｂ上に両端４４
ａ，４４ａが線接触することになるが、この場合でも削
り屑ｋの成長方向は同一であり、同様にスクラブをスム
ーズに行えて針跡が浅く見栄えを損なわない。

【００２０】上述のように本実施の形態によれば、スク
ラブ時の削り屑ｋがスクラブ方向に延びて隣接するバン
プ１８ａ方向に延びることがないので隣の削り屑ｋや隣
のバンプ１８ａ等に接触したりショートすることがなく
スムーズにスクラブできる。また針跡にバリが残ること
もなくスクラブ痕は浅く外観上の見栄えを損なうことが
ない。

【００２１】次に本発明の第二の実施の形態を図７及び
図８により説明するが、第一の実施の形態と同一部分に
は同一の符号を用いて説明する。図７は第二の実施の形
態によるコンタクトピンの下面方向から見た斜視図、図
８はバンプに接触した状態の第二の実施の形態によるコ
ンタクトピンを示す側面図である。図７及び図８におい
て、本実施の形態による各コンタクトピン５０ａの先端
３３において、上面４０に対向する下面４１とこの下面
４１から側面４２の先端部４２ａにかけて斜めに切除し
て形成された傾斜面４３との交差稜線を略四角形平面状
に切除した交差平面５２が形成されている。交差平面５
２は下面４１に対して微小角度γだけ傾斜して形成され
ており、この角度γは例えば角度θにほぼ等しい大きさ
とされている。そのため下面４１に対する角度γは５°
〜３５°の範囲、好ましくはγ＝２０°とされている。
また傾斜面４３に対して交差平面５２のなす角度φは例
えば角度αにほぼ等しい大きさとされ、５°〜４５°の
範囲に設定されている。尚、交差平面５２についてコン
タクトピン５０ａの長手方向の長さＬは、コンタクトピ
ン５０ａの長手方向に直交する方向の幅をＷとして、０
＜Ｌ≦２Ｗの範囲に設定する。長さＬが２Ｗより大きい
とスクラブ量が減少してバンプ１８ａの酸化膜や付着物
などの除去による十分なコンタクトをとれなくなる。

【００２２】本実施の形態によるコンタクトプローブ５
０をプローブ装置８に装着してコンタクトピン５０ａ…
をバンプ１８ａの接触面１８ｂに対して角度θ傾斜した
状態でオーバードライブをかけてスクラブすると、コン
タクトピン５０ａは交差平面５２でＩＣチップ１８の接
触面１８ｂに面接触してスクラブすることになる。面接
触してスクラブすることで交差平面５２の単位面積当た
りの接触圧力が小さいために削り屑ｋが一層薄くなる上
に成長方向を第一の実施の形態と同様に設定できてスク
ラブ痕（針跡）が一層小さくなる。そのためにスクラブ
によってバンプ形状が崩されることがなく外観上の見栄
えをよく保ててＩＣチップ１８の組立への影響が少な
い。またスクラブ後のバンプ１８ａにバリ等が発生する
ことを抑制できる。

【００２３】次に図９は本発明によるコンタクトピンの
変形例を示すものであり、例えば第一の実施の形態に示
すコンタクトピン３２ａによれば、先端３３において上
面４０に対向して平行となる下面４１（対向面）の先端
側で、微小角度δを以て切除して例えば平面状の第二下
面４１Ａ（一面）を形成している。そして第二下面４１
Ａと傾斜面４３とが交差する領域に略直線状の交差稜線
４４を形成する。この構成によれば、コンタクトピン３
２ａ…の傾斜角θを一層大きな角度に設定して上述の第
一の実施の形態と同様なスクラブのための先端部３３を
確保することができる。尚、このような第二下面４１Ａ
は第二の実施の形態によるコンタクトピン５０ａ…に設
けても良く、この場合には傾斜面４３と第二下面４１Ａ
の交差領域に交差平面５２が形成されることになる。

【００２４】尚、上述の実施の形態では、傾斜面４３を
側面４２の先端４２ａ途中位置で交差させて形成した
が、これに代えて下面４１から上面４０まで延びて形成
してもよく、この場合には側面４２の先端４２ａは全て
除去できる。また、交差稜線４４と交差平面５２は交差
領域を構成するが、交差領域の一例をなす交差稜線４４
は必ずしも直線状ある必要はなく、交差平面５２も長方
形状である必要はなく適宜形状を採用できる。また第二
下面４１Ａを形成しない場合の下面４１と第二下面４１
Ａは一面を構成する。

【００２５】

【発明の効果】上述のように本発明に係るコンタクトプ
ローブは、コンタクトピンの先端に被検査物へ接触する
側の一面を切除してこの一面と鈍角をなす傾斜面を形成
し、この傾斜面と一面との交差領域が被検査物への接触
部とされてなるので、スクラブをかける際に被検査物の
接触面に凹部などがあっても交差領域で擦り取られる削
り屑はスクラブ方向前方に成長することになり、スクラ
ブ方向に交差する方向に延びて隣の被検査物やその削り
屑等と接触することがなく、コンタクトピンと噛み込み
を生じることもなく、交差領域で削られた被検査物の表
面に深い傷ができることを抑制できる。

【００２６】また、交差領域は傾斜面と一面が交差する
稜線で形成されているから、スクラブ時に被検査物の削
り屑の成長方向を制御できる。また交差領域は傾斜面と
一面との間に形成された略平面であるから、交差領域の
接触圧力が小さくスクラブ時に面接触して滑りやすくな
り、被検査物表面のスクラブ痕が浅く形成されるために
被検査物の外観の見栄えがよい。しかも面接触すること
で電気的テストの際の接触抵抗が小さくて済む。

【００２７】本発明に係るプローブ装置は、コンタクト
プローブが請求項１乃至３のいずれか記載のコンタクト
プローブであり、コンタクトピンの傾斜面は被検査物の
接触面に対して所定の範囲で傾斜配置されているから、
被検査物の接触面をスクラブさせればコンタクトピンの
先端に傾斜面が設けられていることで摺動し易く削り屑
をスクラブ方向に交差する方向に成長させることもなく
スクラブ痕が小さくて済む。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第一の実施の形態によるコンタクト
プローブの先端部分の斜視図である。

【図２】 図１に示すコンタクトプローブ全体のＡ−Ａ
線中央縦断面図である。

【図３】 実施の形態によるコンタクトプローブのコン
タクトピンを示すもので、（ａ）は側面図、（ｂ）は下
面方向から見た図である。

【図４】 図３に示すコンタクトピンをＩＣチップのバ
ンプにコンタクトさせた状態の側面図である。

【図５】 第一の実施の形態によるコンタクトピンをＩ
Ｃチップのバンプにコンタクトさせてスクラブをかけた
状態の斜視図である。

【図６】 バンプに対してコンタクトピンでスクラブを
かけた状態の部分平面図である。

【図７】 第二の実施の形態によるコンタクトプローブ
のコンタクトピンについて下面方向から見た斜視図であ
る。

【図８】 図７に示すコンタクトピンをバンプにコンタ
クトさせた状態の側面図である。

【図９】 第一の実施の形態によるコンタクトピンの変
形例を示す側面図である。

【図１０】 従来のコンタクトプローブの平面図であ
る。

【図１１】 プローブ装置の分解斜視図である。

【図１２】 図１１に示すプローブ装置の要部縦断面図
である。

【図１３】 図１０に示すコンタクトプローブのコンタ
クトピンを下面側から見た斜視図である。

【図１４】 従来のコンタクトピンをＩＣチップのバン
プにコンタクトさせてスクラブをかけた状態の斜視図で
ある。

【図１５】 図１４に示すコンタクトピンによるバンプ
のスクラブ状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１ コンタクトプローブ ３ フィルム １８ ＩＣチップ １８ａ バンプ（被検査物） １８ｂ 接触面 ３２ 配線パターン ３２ａ コンタクトピン ３３ 先端部 ４０ 上面（二面） ４１ 下面（一面、対向面） ４１Ａ 第二下面（一面） ４３ 傾斜面 ４４ 交差稜線（交差領域） ５２ 交差平面（交差領域）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 厚 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 植木 光芳 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 飯塚 恒夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 熊田原 功 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 徳山 三郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G011 AA04 AA15 AB06 AC21 AC31 AD01 AE03 AF06 4M106 BA01 DD01 DD03 DD04 DD13

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルムが被着された複数のパターン配
   線の各先端が前記フィルムから突出してコンタクトピン
   とされているコンタクトプローブにおいて、 前記コンタクトピンの先端部に被検査物へ接触する側の
   一面を切除してこの一面と鈍角をなす傾斜面を形成し、
   該傾斜面と前記一面との交差領域が被検査物への接触部
   とされてなることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 前記交差領域は傾斜面と一面が交差する
   稜線で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
   コンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 前記交差領域は傾斜面と一面との間に形
   成された略平面であることを特徴とする請求項１記載の
   コンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 フィルム上に形成されたパターン配線の
   先端部がフィルムから突出してコンタクトピンとされて
   なるコンタクトプローブが、メカニカルパーツに装着さ
   れ、前記コンタクトピンは被検査物に対して傾斜して当
   接させられるプローブ装置において、 前記コンタクトプローブは請求項１乃至３のいずれか記
   載のコンタクトプローブであり、前記コンタクトピンの
   傾斜面は被検査物の接触面に対して所定の範囲で傾斜配
   置されていることを特徴とするプローブ装置。