JP2006300617A - プローブおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 強度を維持して接触子を小さくすることで、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できるプローブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 梁部１１は支持部１２と柱部１３とでＬ字状の屈曲した平面形状に形成されており、柱部１３の一端に、柱部１３の延びる方向と同一方向に延びるように接触子１４が設けられてプローブ１０が構成されている。支持部１２と柱部１３はともに例えば約７０〜８０μｍのほぼ均一な厚みのニッケルあるいはニッケル合金で形成されており、接触子１４は梁部１１に比べて薄い板状で、約１０〜２０μｍのほぼ均一な厚みのニッケルあるいはニッケル合金で形成されている。接触子１４は先端部を尖らせて形成されている。
【選択図】 図１

Description

この発明はプローブおよびその製造方法に関し、例えば、半導体ウエハの電気的特性検査を行う際に用いられるプローブおよびその製造方法に関する。

例えば、半導体ウエハに多数形成されたメモリ回路やロジック回路などのＩＣチップの電気的特性検査を行うために、コンタクタとして例えば、特開２０００−０５５９３６号公報（特許文献１）に記載されているようなプローブカードが用いられている。このプローブカードは、検査時にウエハの電極パッドと接触したときに、試験装置であるテスタとＩＣチップ間で検査信号の授受を中継する役割を果たしている。

このプローブカードは、例えばＩＣチップ上に形成された複数の電極パッドに対応した複数のプローブ針を有し、各プローブ針と各電極パッドとをそれぞれ電気的に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。プローブ針は、電極パッドに接触する頂部と、弾性部材とからなるカンチレバーを含む。

図１０はプローブ針の製造プロセスを示す図であり、図１１は図１０の製造プロセスで形成されたプローブ針の外観斜視図である。図１０および図１１を参照して、従来のプローブ針について説明する。

図１０（Ａ）に示すシリコン基板１の表面に、図１０（Ｂ）に示すようにシリコン酸化膜２を形成した後、その表面にレジスト膜３を形成する。図示しないフォトマスクを介して露光した後、レジスト膜３を現像処理し、レジスト膜３に四角形の開口溝４を形成する。開口溝４の部分のシリコン酸化膜２を除去した後、シリコン基板１に異方性ウェットエッチングを施し、図１０（Ｃ）に示すように逆四角錐台状の溝５を形成した後、図１０（Ｄ）に示すようにレジスト膜３とシリコン酸化膜２を除去する。

さらに、図１０（Ｅ）に示すようにシリコン基板１の表面全体にメッキの種となるチタン膜６を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によって、カンチレバー８に相当する部分および溝５に相当する部分を除いて図１０（Ｆ）に示す犠牲層７を形成し、図１０（Ｇ）に示すように犠牲層７部分を除いてカンチレバー８に相当する部分と溝５に例えばニッケル合金をメッキすることで堆積し、図１０（Ｈ）に示すように犠牲層７を除去して、プローブ針の頂部である逆四角錐台９とカンチレバー８とを形成する。

図１０（Ａ）〜（Ｈ）に示す製造工程で形成されたプローブは、図１１に示すようにカンチレバー８部分は直方体の形状であり、長さＬが２００〜５００μｍ、幅Ｗが６０〜１５０μｍ、厚さＴが１０〜２０μｍの大きさであり、逆四角錐台９である頂部は高さＨが５０〜１００μｍであり、先端の平面部分の幅Ｗｔは１０±２μｍほどの大きさとなる。
特開２０００−０５５９３６号公報

ところで、最近ではＩＣチップの集積度が高まってきており、電極パッドの数も増加するとともに電極パッドの配列ピッチも益々狭くなってきている。このため、プローブ針も幅を狭くしなければ、隣接する電極パッドに接触してしまい、電極パッドのピッチに対応しなくなってきている。しかしながら、図１１に示したプローブ針の頂部となる逆四角錐台９は、その幅を小さくしようとすると、その高さが低くなってしまう。

すなわち、逆四角錐台９は、図１０（Ｃ）に示すように溝５が異方性ウェットエッチングで形成されるために、溝５の径を小さくすれば、溝５の深さが浅くなってしまい、溝５の深さを深くした場合には、径を大きくせざるを得ず、頂部の径が大きくなってしまい、電極パッドのピッチが狭くなってきているのに対応することができない。

このように逆四角錐台９の高さが低い場合には、カンチレバー８が電極パッドや他の素子に接触したり、逆四角錐台９が電極パッドに適切に接触できなくなるなどの問題を生じる。さらに、逆四角錐台９が低ければカンチレバー８がたわんで電極パッドに接触してしまうおそれも生じる。

このように、図１０に示したフォトプロセスによる製造方法では、接触子となる逆四角錐台９の幅を細くしようとしても、カンチレバー８の厚み以下にすることができなかった。

そこで、この発明の目的は、強度を維持して接触子を小さくすることで、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できるプローブおよびその製造方法を提供することである。

この発明は、所定の厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部と、梁部の先端から梁部の延びる方向に突出して設けられて、梁部の厚みより減少された厚みを有する接触子とを備えてプローブを構成する。

これにより、接触子により、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できる。

好ましくは、接触子の先端は、梁部の横断面中心からずれた位置にある。これにより簡単な製法で接触子の厚みを梁部の厚みより減少できる。

一実施形態では、接触子は、ほぼ均一な厚みを有する板状に形成されており、他の実施形態では、接触子は、先端に向って次第にその厚みが減少する形状を有している。いずれの実施形態においても、接触子の先端を細くできるので、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できる。

より好ましくは、接触子は、その先端が尖って形成されている。先端を尖らせることで電極パッドに接触させるのが容易になる。

１つの実施形態では、接触子は、梁部の外面と同一平面になる外面を有しており、他の実施形態では、接触子は、梁部とは独立して形成されており、その１つの面が梁部の１つの面に密着されている。

さらに、より好ましくは、梁部は接触子と同方向に延び、その一端に接触子が設けられる柱部と、柱部の他端に接続され、柱部に対して交差する方向に延びる支持部を含む。この支持部を介してプローブをプローブカードに装着することができる。

この発明の他の局面は、プローブの製造方法であって、ほぼ均一な厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部を形成する工程と、梁部の先端に、梁部よりも小さな厚みを有して梁部の延びる方向に突出する接触子を形成する工程とを備える。

この方法により、梁部と接触子とを一体化してプローブを製造できる。この製造方法では梁部を先に形成してもよく、あるいは接触子を先に形成してもよく、その両方を含む
好ましくは、接触子を形成する工程は、先端部に接触子となるべき形状の部分をもってほぼ均一な厚みで長く延びる第１の金属層を形成することを含み、梁部を形成する工程は、接触子となるべき先端部を除いて第１の金属層上に重なる第２の金属層を形成することを含む。これにより第１の金属層からなる接触子と、第２の金属層からなる梁部とを一体に製造できる。この場合も、梁部を先に形成してもよく、あるいは接触子を先に形成してもよい。

一実施形態では、第１の金属層は、基板上で厚み方向に成長した金属膜であり、梁部を形成する工程は、接触子となるべき金属膜の先端部をマスキング材料で覆った状態で、金属層上に上層の金属膜を成長させることを含み、他の実施形態では接触子を形成する工程は、梁部の厚みよりも薄い板状の接触子を形成し、接触子と梁部の延びる方向のいずれかの面の一端とを接合することを含む。他の実施形態における梁部を形成する工程では、梁部の一方面に金属膜を形成することを含み、接触子を形成する工程は、接触子の一方面に金属膜を形成し、梁部の金属膜と接触子の金属膜とを拡散接合することを含む。

さらに、他の実施形態では、接触子を形成する工程は、梁部の先端を研磨して傾斜面を有するように接触子を形成することを含む。研磨することで、梁部の先端に接触子を形成できる。

さらに、他の実施形態では、梁部を形成する工程は、接触子となるべき部分を含んで基板上でほぼ均一な厚みで金属層を成長することを含み、接触子を形成する工程は、梁部となるべき部分をマスキング材料で覆った状態で、エッチングして接触子となるべき部分を形成することを含む。

この発明によれば、所定の厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部の先端から梁部の延びる方向に突出して設けられて、梁部の厚みより減少された厚みを有する接触子を備えてプローブを構成したので、強度を維持しながら接触子を小さくすることができ、接触子を狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できる。

図１はこの発明の一実施形態のプローブを示す外観斜視図である。図１に示したプローブ１０は、所定の厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部１１と、梁部１１の先端から梁部１１の延びる方向に突出して設けられて、梁部１１の厚みより減少された厚みを有する接触子１４とを含む。梁部１１は図示しないプローブ基板の表面に沿って設けられる支持部１２と、支持部１２に対して交差する方向に延びて、その一端に接触子１４が設けられる柱部１３とを含み、支持部１２と柱部１３とでＬ字状の平面形状に形成されている。

接触子１４の先端は、柱部１３の横断面中心からずれた位置にある。支持部１２と柱部１３はともに厚みがほぼ均一で例えば約７０〜８０μｍのニッケルあるいはニッケル合金で直方体の形状に形成されている。接触子１４は、その厚みが支持部１２および柱部１３に比べて減少するようにほぼ均一な厚みを有する薄い板状に形成されており、その厚みは例えば約１０〜２０μｍのニッケルあるいはニッケル合金で、先端部を尖らせて形成されている。

このように接触子１４の厚みを薄く形成し、しかも先端部を尖らせて柱部１３の先端に設けることで、電極パッドが非常に狭い間隔で基板上に形成されていても、強度を維持しながら隣接する電極パッドに接触することなく、所望の電極パッドに接触子１４を適切に電気的に接触させることができる。

また、接触子１４の厚みよりわずかに広い間隔で電極パッドを基板上に配置すれば、半導体装置の電気的特性の検査に支障をきたすことがない程度にＩＣチップの集積度を上げることが可能になる。

なお、接触子１４の厚みを薄くしたことにより、図１に示すＹ方向に対してはたわみやすいが、Ｘ方向に対する強度は維持できる。

図２は、図１に示したプローブの変形例を示す斜視図である。図２に示したプローブ１０ａは、支持部１５の長手方向の途中から直角に延びるように柱部１３を設けて梁部１６をＴ字状の屈曲した平面形状に形成し、柱部１３の先端に接触子１４を形成したものである。この例では、図１に示したＬ字状のプローブ１０に比べて、梁部１６の強度を維持することができる。

図３，図４および図５は、この発明の一実施形態におけるプローブの製造方法を説明するための図であり、特に、図３は製造プロセスを示し、（Ａ），（Ｃ），（Ｅ），（Ｇ），（Ｉ）は平面図を示し、（Ｂ），（Ｄ），（Ｆ），（Ｈ），（Ｊ）は（Ａ），（Ｃ），（Ｅ），（Ｇ），（Ｉ）の線Ｂ１−Ｂ１，Ｄ１−Ｄ１，Ｆ１−Ｆ１，Ｈ１−Ｈ１，Ｊ１−Ｊ１に沿う断面図である。図４は図３（Ａ），（Ｂ）に示すプロセスで形成される溝を示す斜視図であり、図５は図３（Ｉ），（Ｊ）に示す製造プロセスで形成されたプローブの外観斜視図である。

図３（Ａ），(Ｂ)に示すようにシリコン基板２１の表面全体にメッキの種となるチタン膜２２を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によって図１に示したプローブ１０のＬ字状の平面形状に相当する溝２３を除いて犠牲層２４を形成する。形成された溝２３と犠牲層２４とを図４に示している。

図４において、溝２３は図１に示した梁部１１に対応する第１の溝２６と、接触子１４に対応する第２の溝２７とを含む。溝２３の底面であるシリコン基板２１上のチタン膜２２上に、図１に示した支持部１２と柱部１３と接触子１４に相当する部分に、ニッケルあるいはニッケル合金をメッキにより厚み方向に成長させ、図３（Ｃ），（Ｄ）に示すように第１の金属層としてのメッキ層３１を形成する。次に、図３（Ｅ），（Ｆ）に示すように溝２３のうち接触子１４に相当する部分をマスキング材料である樹脂２５で覆う。このように接触子１４に相当する部分を覆う方法としては、例えばスポイドで樹脂２５をスポッティングする方法がある。

図３（Ｇ），（Ｈ）に示すように、第１のメッキ層３１上に、ニッケルまたはニッケル合金をメッキすることで堆積して上層としての第１のメッキ層３１よりも厚みの厚い第２のメッキ層３２を形成する。このとき樹脂２５で覆われている部分はメッキの成長が阻害されるので、接触子１４に相当する部分は第１のメッキ層３１のみが形成されることになる。図３（Ｉ），（Ｊ）に示すように、樹脂２５を除去してシリコン基板２１および犠牲層２４から第１および第２のメッキ層３１，３２を取り出すと、図５に示すように、第１および第２のメッキ層３１，３２により支持部１２と柱部１３と接触子１４とを一体化したプローブ１０ｂを生成できる。

なお、上述の説明では長さの異なる２層の積層を形成するために、長い層の上に短い層を形成するようにしたが、逆に、短い層の上に長い層を形成するようにしてもよい。

また、上述の説明では、支持部１２と柱部１３と接触子１４とを第１および第２のメッキ層３１，３２で形成するようにしたが、その他の方法で金属を積層して形成してもよい。

さらに、図２に示したプローブ１０ａを生成する場合には、図４に示した溝２３をプローブ１０ａの全体の平面的な形状に合わせてＴ字状に形成すればよい。

図６はこの発明の他の実施形態におけるプローブの製造方法を示す図であり、（Ａ），（Ｃ），（Ｅ），（Ｇ），（Ｉ）は平面図を示し、（Ｂ），（Ｄ），（Ｆ），（Ｈ），（Ｊ）は（Ａ），（Ｃ），（Ｅ），（Ｇ），（Ｉ）の線Ｂ２−Ｂ２，Ｄ２−Ｄ２，Ｆ２−Ｆ２，Ｈ２−Ｈ２，Ｊ２−Ｊ２に沿う断面図である。

前述の図３に示した実施形態は、スポッティング法を用いてプローブ１０ｂを形成したのに対して、この実施形態はエッチング法を用いてプローブ１０ｃを形成する。

図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、シリコン基板２１の表面全体にメッキの種となるチタン膜２２を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によって図１に示したプローブ１０のＬ字状の平面形状に相当する溝２３を除いて犠牲層２４を形成する。図６（Ｃ），（Ｄ）に示すように、シリコン基板２１上のチタン膜２２上に、ニッケルあるいはニッケル合金をメッキにより厚み方向に成長させて所定の厚みを有するメッキ層３４を形成する。

図６（Ｅ），（Ｆ）に示すように、図１に示した接触子１４となるべき部分を除いてマスキング材料である絶縁層２８でマスキングし、ウェットエッチングをおこなうと、図６（Ｇ），（Ｈ）に示すように接触子１４となるべき厚みの薄いメッキ層３５の上方に空洞２９が形成され、ウェットエッチングされなかった部分は、柱部１３に相当する厚みの厚いメッキ層３６となる。図６（Ｉ），（Ｊ）に示すように、シリコン基板２１および犠牲層２４からメッキ層３４を取り出すと、メッキ層３６により支持部１２と柱部１３とが一体化され、メッキ層３５により接触子１４を形成したプローブ１０ｃを生成できる。

なお、メッキ層３４をウェットエッチングするときに、接触子１４となるべきメッキ層３５でエッチングを停止させるために、メッキ層３５と３６とで材質を変えるようにしてもよい。

図７はこの発明の他の実施形態におけるプローブの製造方法を示す斜視図である。前述の図３に示した製造方法では、支持部１２と柱部１３と接触子１４とを一体的に形成したのに対して、この実施形態では屈曲した平面形状を有する梁部４１となる支持部４２と柱部４３とを一体的に形成し、接触子４４を梁部４１とは独立して別個に形成し、接触子４４を柱部４３に密着させる。

すなわち、図７（Ａ）に示す支持部４２と柱部４３とを図３で説明した製造プロセスと同様にして、例えばニッケルまたはニッケル合金でメッキ層として、約７０〜８０μｍのほぼ均一な厚さを有するように形成する。このとき、支持部４２と柱部４３の下面には、金属膜としてのＡｕの膜４５を形成する。

接触子４４は、同様の製造プロセスで、先端が尖った五角形の板状に、例えばニッケルまたはニッケル合金などのメッキ層として、約１０〜２０μｍのほぼ均一な厚さを有するように別個に形成する。この接触子４４の上面には例えばＡｕの膜４６を形成する。そして、図７（Ｂ）に示すように、接触子４４のＡｕ膜４６と、柱部４３のＡｕ膜４５とを金属拡散接合することにより、接触子４４を柱部４３の先端部分に接合してプローブ１０ｄを生成できる。このように接触子４４と梁部４１の延びるいずれかの面の一端とを接合することで狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できる。

なお、上述の説明では、支持部４２および柱部４３と、接触子４４とをニッケルまたはニッケル合金で形成するようにしたが、別の金属材料で形成してもよい。また、Ａｕ膜は酸化しにくいという特徴があるが、Ａｕ／Ａｕ接合に代えて、Ａｕ／Ｓｎ接合を用いてもよい。さらに、コバルト，モリブデン，マンガンなどをニッケルに混入して支持部４２および柱部４３と接触子４４とを形成して、接触子４４を柱部４３に接合してもよい。

図８はこの発明のさらに他の実施形態におけるプローブの製造方法を示す図である。この実施形態は、接触子５４として、柱部５３の長手方向に延びるいずれかの面と同一の面から、反対側に位置する面に向って傾斜する傾斜面５５を有するようにプローブ１０ｅを形成したものである。すなわち、図８（Ａ）に示すように、梁部５１となる支持部５２と柱部５３とを一体的に、例えばニッケルまたはニッケル合金によりメッキ層として屈曲したＬ字状の平面形状に形成する。柱部５３の先端部を一点鎖線で示す面に沿って研磨する。その結果、図８（Ｂ）に示すように、柱部５３の先端部に傾斜面５５を有する接触子５４を形成することができる。

なお、接触子５４の傾斜面に図８（Ｂ）の一点鎖線で示すように、研磨して先端部を尖らせてもよい。

図９はこの発明の実施形態におけるプローブの各種変形例を示す斜視図である。この図９に示す実施形態は、接触子６４が梁部６１の外面と同一平面となる外面を有するように形成したものである。

具体的に説明すると、図９（Ａ）に示した例のプローブ１０ｆは、支持部６２の一端に柱部６３を設けて梁部６１をＬ字状の屈曲した平面形状に形成し、板状で先端が尖るように形成した接触子６４を、柱部６３の支持部６２側の面と同一面になるように、柱部６３の先端の他端側に設けたものである。

図９（Ｂ）に示した例のプローブ１０ｇは、図９（Ａ）に示した接触子６４を柱部６３の支持部６２の一方端面と同一面になるように柱部６３の先端の一端側に設けたものである。

このように接触子６４が梁部６１の外面と同一平面となる外面を有するように形成することで、接触子６４の強度を維持しながら接触子６４を小さくすることで、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触できる。

以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。

この発明のプローブは、ＩＣチップ上に形成された複数の電極パッドに対応して複数のプローブ針を有するプローブカードに利用できる。

この発明の一実施形態のプローブを示す外観斜視図である。 図１に示したプローブの変形例を示す外観斜視図である。 この発明の一実施形態におけるプローブの製造プロセスを示す図である。 図３（Ａ），（Ｂ）に示した製造プロセスで形成された溝を示す斜視図である。 図３（Ｉ），（Ｊ）に示した製造プロセスで形成されたプローブの外観斜視図である。 この発明の他の実施形態におけるプローブの製造プロセスを示す図である。 この発明のさらに他の実施形態におけるプローブの製造方法を示す外観斜視図である。 この発明のさらに他の実施形態におけるプローブの製造方法を示す外観斜視図である。 この発明のさらに他の実施形態におけるプローブの各種変形例を示す外観斜視図である。 従来のプローブの製造プロセスを示す図である。 図１０の製造プロセスで形成されたプローブの外観斜視図である。

符号の説明

１０，１０ａ〜１０ｇ プローブ、１１，１６，４１，５１，６１ 梁部、１２，１５，４２，５２，６２ 支持部、１３，４３，５３，６３ 柱部、１４，４４，５４，６４ 接触子、５５ 傾斜面、２１ シリコン基板、２２ チタン膜、２３ 溝、２４ 犠牲層、２５ 樹脂、２６ 第１の溝、２７ 第２の溝、２８ 絶縁層、２９ 空洞、３１ 第１のメッキ層、３２ 第２のメッキ層、３４，３５，３６ メッキ層、４４，４５ Ａｕ膜。

Claims (16)

1. 所定の厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部と、
   前記梁部の先端から前記梁部の延びる方向に突出して設けられて、前記梁部の厚みより減少された厚みを有する接触子とを備える、プローブ。
2. 前記接触子の先端は、前記梁部の横断面中心からずれた位置にある、請求項１に記載のプローブ。
3. 前記梁部は、ほぼ均一な厚みを有する、請求項１または２に記載のプローブ。
4. 前記接触子は、ほぼ均一な厚みを有する板状に形成されている、請求項１から３のいずれかに記載のプローブ。
5. 前記接触子は、先端に向って次第にその厚みが減少する形状を有している、請求項１または２に記載のプローブ。
6. 前記接触子は、その先端が尖って形成されている、請求項１から５のいずれかに記載のプローブ。
7. 前記接触子は、前記梁部の外面と同一平面になる外面を有している、請求項１から６のいずれかに記載のプローブ。
8. 前記接触子は、前記梁部とは独立して形成されており、その１つの面が前記梁部の１つの面に密着されている、請求項１から６のいずれかに記載のプローブ。
9. 前記梁部は、
   前記接触子と同方向に延び、その一端に前記接触子が設けられる柱部と、
   前記柱部の他端に接続され、前記柱部に対して交差する方向に延びる支持部とを含む、請求項１から８のいずれかに記載のプローブ。
10. ほぼ均一な厚みを有して延び、屈曲した平面形状を有する梁部を形成する工程と、
    前記梁部の先端に、前記梁部よりも小さな厚みを有して前記梁部の延びる方向に突出する接触子を形成する工程とを備える、プローブの製造方法。
11. 前記接触子を形成する工程は、先端部に接触子となるべき形状の部分をもってほぼ均一な厚みで長く延びる第１の金属層を形成することを含み、
    前記梁部を形成する工程は、前記接触子となるべき先端部を除いて前記第１の金属層上に重なる第２の金属層を形成することを含む、請求項１０に記載のプローブの製造方法。
12. 前記第１の金属層は、基板上で厚み方向に成長した金属膜であり、
    前記梁部を形成する工程は、接触子となるべき前記金属膜の先端部をマスキング材料で覆った状態で、前記金属層上に上層の金属膜を成長させることを含む、請求項１１に記載のプローブの製造方法。
13. 前記接触子を形成する工程は、前記梁部の厚みよりも薄い板状の接触子を形成し、前記接触子と前記梁部の延びる方向のいずれかの面の一端とを接合することを含む、請求項１０に記載のプローブの製造方法。
14. 前記梁部を形成する工程は、前記梁部の一方面に金属膜を形成することを含み、
    前記接触子を形成する工程は、前記接触子の一方面に金属膜を形成し、前記梁部の金属膜と前記接触子の金属膜とを拡散接合することを含む、請求項１３に記載のプローブの製造方法。
15. 前記接触子を形成する工程は、前記梁部の先端を研磨して前記傾斜面を有するように前記接触子を形成することを含む、請求項１０に記載のプローブの製造方法。
16. 前記梁部を形成する工程は、前記接触子となるべき部分を含んで基板上でほぼ均一な厚みで金属層を成長することを含み、
    前記接触子を形成する工程は、前記梁部となるべき部分をマスキング材料で覆った状態で、エッチングして前記接触子となるべき部分を形成することを含む、請求項１０に記載のプローブの製造方法。

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