JP2003222638A - コンタクトプローブおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトピンの被検査物に対するスクラブ
で生じる異物がコンタクトピンの先端部に付着すること
がなく、コンタクトピンと被検査物との導電状態を良好
に保持する。 【解決手段】 コンタクトプローブ２０のフィルムに被
着されたコンタクトピン２１の先端部には、ＩＣチップ
（被検査物）１２の電極パッド１２ａに対面する側の面
（下面）２１ｂに四半球状の突起部２１ｃがバンプめっ
きによって形成されている。コンタクトピン２１と電極
パッド１２ａとの相対移動でスクラブを行う時は、突起
部２１ｃの頂部２１ｅが電極パッド１２ａに接触され
る。スクラブで生じる異物は断崖壁面状部２１ｇによっ
て後方側方へ追いやられてスクラブ面から排出されるの
で、コンタクトピン２１への付着が防止され、コンタク
トピン２１と電極パッド１２ａの導電状態が良好に保持
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣチップ
やＬＣＤ（液晶表示体）等の被検査物に対して回路導通
試験等の電気的なテストを行うためのプローブ装置にお
いて、被検査物の微細な電極にコンタクトピンを電気的
に接触させるコンタクトプローブおよびその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プローブ装置は、ＩＣチップや
ＬＳＩ等の半導体チップ、またはＬＣＤ（液晶表示体）
等の各電極パッド（電極）にコンタクトプローブのコン
タクトピンを押圧接触させ、プリント基板を介してテス
ターに接続して電気的な導通テストを行うのに用いられ
る。この種のプローブ装置Ａは、例えば、図８〜図１１
に示すように、円板形状をなし中央窓部１ａを有するプ
リント基板１の上に、中央に四角形状の穴２ａを有する
トップクランプ２を取り付け、また、コンタクトプロー
ブ３の先端部３ａを両面テープ等で下面に取り付けたマ
ウティングベース４を、前記穴２ａの周りに複数個配置
してトップクランプ２にボルト等で固定し、さらに、略
額縁形状のボトムクランプ５でコンタクトプローブ３の
基部３ｂをプリント基板１に押さえ付けて位置決め固定
する構成とされている。

【０００３】前記コンタクトプローブ３は、図９に示す
ように、Ｎｉ基合等からなる複数本のパターン配線６の
上に接着剤層を介してフィルム７が被着され、該フィル
ム７から突出するパターン配線６の先端部がコンタクト
ピン６ａとされ、また、フィルム７の幅広の基部３ｂに
窓部８が形成され、この窓部８にパターン配線６の引き
出し配線部９が設けられた構成となっている。前記フィ
ルム７は、ポリイミド等の樹脂フィルム層７ａ、あるい
はポリイミド等の樹脂フィルム層にＣｕ，Ｎｉ等の金属
フィルム層７ｂがグラウンドとして積層されたもの等か
らなっている（図１０参照）。

【０００４】そして、コンタクトプローブ３の先端部３
ａがマウンテングベース４の下面で下方に向けた傾斜状
態に保持され、各コンタクトプローブ３の基部３ｂにお
いて、パターン配線６の引き出し配線部９がボトムクラ
ンプ５の弾性体１０で、前記窓部８を通してプリント基
板１の下面の電極１１に押し付けられて接触状態に保持
されている。

【０００５】また、前記コンタクトプローブ３は、図１
１に示すように、ＩＣチップ（被検査物）１２の電極パ
ッド１２ａに対して、コンタクトピン６ａが傾斜角度θ
を例えば２０°前後になるように傾斜されると共に、コ
ンタクトピン６ａの先端部６ｂが平面視で円弧状に形成
され、かつ該先端部６ｂの下面が斜めに切り欠かれた接
触面６ｃとされ、検査時に該接触面６ｃを前記電極パッ
ド１２ａに接触させるようになっている。

【０００６】前記電極パッド１２ａはアルミニウム合金
や金等で形成されているが、表面が空気中で酸化して薄
い酸化膜や吸着物で覆われているために、コンタクトピ
ン６ａを電極パッド１２ａに接触させる際には、接触面
６ｃを電極パッド１２ａに押し付けながらイ矢方向に動
かして、前記接触面６ｃで前記酸化膜や吸着物の擦り取
り（スクラブ）を行い、内部のアルミニウムや金等の金
属を露出させて接触面６ｃでコンタクトピン６ａと電極
パッド１２ａとの確実な導通を図るようにしている。

【０００７】ところで、前記ＩＣチップ１２の電極パッ
ド１２ａには、図１１に示すように、その縁部にパッシ
ベーションと呼ばれる絶縁膜（保護壁）１３が電極パッ
ド１２ａの表面よりＨ１だけ高く隆起して設けられて、
電極パッド１２ａの大きさが制限されているものがある
が、前記コンタクトピン６ａでは、前記スクラブの長さ
を大きくすると、角度θで傾斜した状態のコンタクトピ
ン６ａが前記絶縁膜１３に接触して絶縁膜１３を破損す
るおそれがある。

【０００８】そこで、前記絶縁膜１３を破損することな
く、前記ＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに電気的に
良好な接触を行わせるために、図１２に示すように、コ
ンタクトピン６ａ１の先端部６ｂ１に、前記電極パッド
１２ａに接触する側の面を凸曲面状とし、幅Ｗ、突出量
Ｈをそれぞれ１０〜２０μｍとした突起部１４を設け、
コンタクトピン６ａ１の突起部１４より基端部側の部分
（コンタクトピン６ａ１の下面）が、前記絶縁膜１３か
ら離間されてそれとの接触を回避する凹部１５として形
成されたものも提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示す従来のコンタクトピン６ａは、先端部の接触面６
ｃが電極パッド１２ａから離れる際、電極パッド１２ａ
を引っ掻く動作をするために、スクラブによって擦り取
られた前記酸化膜や吸着物等の異物Ｇが、コンタクトピ
ン６ａの接触面６ｃの後方（コンタクトピン６ａの基端
側）に掻き取られて付着して溜まりやすく、接触動作を
続けていくと、前記異物Ｇの量が増えて、コンタクトピ
ン６ａと電極パッド１２ａの間が導電できなくなるおそ
れがある。また、図１２に示すコンタクトピン６ａ１
も、程度の差はあるが、図１１に示すコンタクトピン６
ａと同様に異物Ｇが突起部６ｅの後方部に付着する状態
が起こり、次のスクラブ時に異物ごと電極パッド１２ａ
に接触するので、接触抵抗が大きくなる原因となると共
に、異物Ｇが突起部１４に強固に付着することとなり、
容易に除去できなくなる問題がある。

【００１０】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、コンタクトピンの被検査物に対するスクラブ
によって生じる異物がコンタクトピンの先端部に付着す
ることなく、コンタクトピンと被検査物との導電状態を
良好に保持することできるコンタクトプローブおよびそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、以下の点を特徴としている。すなわち、
請求項１に係るコンタクトプローブは、フィルムが被着
された複数のパターン配線の各先端側がコンタクトピン
とされ、該コンタクトピンに被検査物の電極に接触する
突起部が設けられたコンタクトプローブにおいて、前記
突起部は、コンタクトピンの先端部における被検査物に
対面する側の面に突出され、かつコンタクトピンの先端
側が球面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた四半
球状に形成されていることを特徴とする。

【００１２】このコンタクトプローブでは、被検査物に
対してコンタクトピンを接触させてスクラブを行う際
に、被検査物の縁部等の周囲に絶縁膜等の障害物があっ
ても、コンタクトピンは、その先端面に固着して形成し
た四半球状の突起部の頂部が被検査物に接触し、自体の
基部側が被検査物から十分に離れた状態となるので、前
記障害物に接触してそれを破損するといった事態を起こ
すことなく、スクラブ量を十分大きく確保して被検査物
の酸化膜等の剥離を良好に行う。しかも、コンタクトピ
ンのスクラブ時に、被検査物の表面にスクラブにより異
物が生じても、それらを突起部の断崖壁面状部で後方、
側方に追いやる効果が発揮され、自体に前記異物が付着
することがなく、コンタクトピンと被検査物との間の導
電性が良好に保たれる。

【００１３】請求項２に係るコンタクトプローブは、請
求項１に記載のコンタクトプローブにおいて、突起部が
バンプめっきによって形成され、該バンプめっきの一部
の切除により断崖壁面状部が形成されていることを特徴
とする。このコンタクトプローブでは、コンタクトピン
の先端部のバンプめっきの切除によりコンタクトピンの
基端側の部分に断崖壁面状部を有する四半球状の突起部
が的確、容易に形成される。

【００１４】請求項３に係るコンタクトプローブは、請
求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法におい
て、コンタクトピンの先端部にバンプめっきをした後
に、該バンプめっきのコンタクトピンの基端部側におけ
る一部を機械的に切除して四半球状の突起部を形成する
ことを特徴とする。このコンタクトプローブの製造方法
では、コンタクトピンの先端部に十分な長さにわたって
バンプめっきをした後に、被検査物の保護壁との接触を
避けるに必要なコンタクトピンの基端部側の部分が切除
されるので、バンプめっきの不良率が低減されて、気泡
のない密度の均質な四半球状の突起部がコンタクトピン
の先端部に形成され、被検査物に対し良好な導電性を有
して接触できるコンタクトピンが容易に形成される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
コンタクトプローブおよびその製造方法について、図１
〜図７を参照して説明する。図１において、２０は本発
明の実施の形態に係るコンタクトプローブである。この
コンタクトプローブ２０は、パターン配線６のコンタク
トピン２１の構成以外は、図８〜図１２に示す従来のコ
ンタクトプローブ３とほぼ同一とされているので、従来
技術と同一または同様の構成部分には同一の符号を付し
て示し、それらの詳細説明は省略する。前記コンタクト
プローブ２０の複数本のパターン配線６は、その上面に
従来と同様に接着層を介して、ポリイミド等の樹脂フィ
ルム層７ａ、あるいはポリイミド等の樹脂フィルム層に
Ｃｕ，Ｎｉ等の金属フィルム層７ｂがグラウンドとして
積層されたものからなるフィルム７が被着され、該フィ
ルム７から突出する先端部がコンタクトピン２１とされ
ている。

【００１６】前記コンタクトピン２１は、横断面が矩形
状に形成されると共に、先端面２１ａが平面視で外側に
凸の円弧状に形成されており、先端側のＩＣチップ（被
検査物）の電極パッド１２ａに対面する側の面（下面）
２１ｂに、導電性材料からなる四半球状の突起部２１ｃ
が固着して形成され、該突起部２１ｃより基端部側の前
記面２１ｂが電極パッド１２ａの絶縁膜（保護壁）１３
との接触を回避する面２１ｋとなっている。

【００１７】前記突起部２１ｃは、例えば、図４（ａ）
に示すように、およそ５０μｍの厚みＤを有するＮｉ基
合金製のコンタクトピン２１に、その先端側から約１０
０μｍの長さＳ１にわたって、導電性材料としてＮｉを
使用して高さＨ２が１０〜２０μｍのバンプめっきＭを
施した後、図４（ｂ）に示すように、前記コンタクトピ
ン２１の先端から約１０〜２０μｍの長さＳ２の部分を
残して、それよりも基端側にある前記バンプめっきＭを
ダイサーＴでコンタクトピン２１から機械的に切除して
形成する。

【００１８】前記コンタクトピン２１のバンプめっきＭ
は、例えば、図５、図６に示すように、フレックス製造
工程で、フィルム７の樹脂フィルム層７ａに厚く付着さ
せた接着剤２２にコンタクトピン２１の上面側（図６で
下面側）をめり込ませ、下面側（図６で上面側）の一部
を接着剤２２から露出させるようにしてフィルム７にコ
ンタクトピン２１を被着しておき、コンタクトプローブ
３の最終工程で、コンタクトピン２１の先端側を除いた
部分にマスキングテープ（絶縁フィルム）２３を接着
し、しかる後に、前記接着剤２２とマスキングテープ２
３とから露出されたコンタクトピン２１の下面側の先部
分にバンプめっき処理を行うことによって形成する（図
６（ａ）参照）。

【００１９】前記マスキングテープ２３と接着剤２２に
よって各コンタクトピン２１の両側面２１ｄ，２１ｄに
バンプめっきＭが固着されることなく、各コンタクトピ
ン２１の先端部のみの下面側に突起部２１ｃを構成する
ための突起物が確実に形成される。前記めっき処理後
に、コンタクトピン２１の先端部より基端側に位置させ
たフィルム７の金属フィルム層７ｂの先端よりも先端側
にある樹脂フィルム層７ａと接着剤２２の部分および前
記マスキングテープ２３を除去する後処理（図６（ｂ）
参照）及び前記ダイサーＴによるバンプめっきＭの切除
を行う。前記バンプめっきＭの切除に際して、コンタク
トピン２１の電極パッド１２ａに対向する側の面（下
面）２１ｂに面一となるように切除して面２１ｋとして
形成してもよいが、前記面２１ｂも一緒に僅少量切り込
むように切除すると、ダイサーＴによる切り込み量の制
御を厳しくしなくてもよいので、加工が簡単に行える。

【００２０】上記のようにしてコンタクトピン２１の先
端側にバンプめっきＭにより固着して形成された突起部
２１ｃは、コンタクトピン２１の先端面２１ａと側面２
１ｄ，２１ｄ（図３参照）にやや張り出すと共に、被検
査物に対向する側の面２１ｂに高く盛り上がり、コンタ
クトピン２１の先端側における部分が頂部２１ｅを有す
る球面状部２１ｆとされ、コンタクトピン２１の基端側
における部分がダイサーＴで機械的に切除された断崖壁
面状部２１ｇとされて、全体として四半球状に形成され
ている。そして、コンタクトピン２１の突起部２１ｃよ
り基端部側の部分は、前記電極パッド１２ａの絶縁膜
（保護壁）１３との接触を回避する面２１ｋとして、前
記断崖壁面状部２１ｇの基部に連続して形成されてい
る。前記バンプめっきＭの側面２１ｄ，２１ｄへの張り
出し部分は、必要に応じてレーザー加工等により切除し
てもよい。

【００２１】通常、コンタクトピン２１に突起部２１ｃ
のような突起物を形成する場合、図７（ａ）に示すよう
に、コンタクトピン２１の先端部の突起物を形成しよう
とする部分を除いてレジスト層２５でマスキングを行
い、該マスキングの開口部２５ａにめっき２６を行った
り、図７（ｂ）に示すように、予め形成したバンプ状突
起物２７を形成し、これにコンタクトピン２１を接着剤
２８で固着させる方法がある。しかし、前者では微小な
突起物用のマスキングの開口部２５ａを、また、後者で
は微小なバンプ状突起物２７を、それぞれコンタクトピ
ン２１の先端の所定位置に高精度に位置決めしなければ
ならず、製造が難しい問題がある。

【００２２】これに対して、前記バンプめっきＭによる
コンタクトピン２１への突起部２１ｃの形成方法によれ
ば、前記のようにバンプめっきＭを形成した後にその基
端側の部分を切除する加工を行うので、バンプめっきＭ
は比較的広い範囲に形成してもよく、その形成位置の精
度をそれほど正確にする必要がないので、製造が容易で
あり、バンプめっきの不良率を低減できる利点がある。

【００２３】次に、前記構成のコンタクトプローブ２０
の作用について説明する。このコンタクトプローブ２０
は、図９〜図１２に示すコンタクトプローブ３と同様
に、図８に示すコンタクトプローブ装置Ａに装着し、コ
ンタクトプローブ２０の各コンタクトピン２１がＩＣチ
ップ（被検査物）１２の各電極パッド１２ａの表面に対
して角度θで傾斜した状態に配置される。この時、各コ
ンタクトピン２１は、図２に示すように、下面２１ｂが
ＩＣチップ１２の手前側の絶縁膜１３の角部１３ａに近
接した非接触の位置（一点鎖線）で前記ＩＣチップ１２
の電極パッド１２ａの表面に対面する状態となる。

【００２４】前記状態からコンタクトピン２１に対して
電極パッド１２ａをイ矢方向に相対移動させて、コンタ
クトピン２１の突起部２１ｃの頂部２１ｅを電極パッド
１２ａの表面に押圧接触させながらスクラブを行うと、
突起部２１ｃの頂部２１ｅで電極パッド１２ａの表面の
アルミ酸化膜や吸着物を剥離させて、ＩＣチップ１２と
コンタクトピン２１との間の導電接触が可能となる。前
記スクラブはコンタクトピン２１の先端面２１ａの上端
２１ｈがＩＣチップ１２の他方の絶縁膜１３の角部１３
ｂに接触する直前の位置（二点鎖線）に至る範囲内で行
うことができる。

【００２５】前記スクラブによって擦り取られた前記酸
化膜や吸着物等の異物Ｇは、コンタクトピン２１におけ
る突起部２１ｃの断崖壁面状部２１ｇによって、後方
（コンタクトピン６ａの基端側）の側方に追いやられて
スクラブ面から排出される。これにより、コンタクトピ
ン自体に前記異物が付着することがなく、コンタクトピ
ン２１と電極パッド１２ａとの間の導電接触が良好に維
持されると共に、コンタクトピン２１と電極パッド１２
ａとの接触抵抗が過大にならずに常に安定に維持されて
スクラブが円滑に行われる。

【００２６】前記実施の形態のコンタクトプローブ２０
によれば、ＩＣチップ（被検査物）１２に対してコンタ
クトピン２１を接触させてスクラブを行う際に、ＩＣチ
ップ１２の縁部等の周囲に絶縁膜１３等の障害物があっ
ても、コンタクトピン２１は、その先端の下面２１ｂに
固着して形成した四半球状の突起部２１ｃの頂部２１ｅ
がＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに接触し、自体の
基部側における下面２１ｂ（面２１ｋ）がＩＣチップ１
２と対向して、該ＩＣチップ１２から十分に離れた状態
となるので、前記障害物に接触してそれを破損すること
なく、スクラブ量を十分大きく確保してＩＣチップ１２
の電極パッド１２ａのアルミ酸化膜等の剥離が良好に行
われる。

【００２７】また、コンタクトピン２１の下面２１ｂに
先端側が球面状部２１ｆとされ基端側が断崖壁面状部２
１ｇとされた四半球状の突起部２１が形成されているの
で、コンタクトピン２１のスクラブ時に、突起部２１ｃ
の頂部２１ｅがＩＣチップ１２の電極パッド１２ａに接
触することとなり、該電極パッド１２ａの表面にスクラ
ブによりアルミ酸化膜等の異物Ｇが生じても、その異物
Ｇを前記突起部２１ｃの断崖壁面状部２１ｇが後方、側
方に追いやる効果を発揮するため、コンタクトピン自体
に前記異物Ｇが付着するのを防止することができる。

【００２８】したがって、従来のコンタクトピン６ａ，
６ａ１のように、スクラブ時、接触動作を続けることに
よって異物Ｇがコンタクトピンに付着、増加してコンタ
クトピンと電極パッド１２との間の導電接触ができなく
なったり、接触抵抗が過大になったりすることがなく、
コンタクトピン２１と電極パッド１２ａとの間の導電性
を良好に維持することができると共に、コンタクトピン
２１と電極パッド１２ａとの接触抵抗を常に安定に維持
してスクラブを円滑に行うことができる。そのうえ、前
記突起部２１ｃの頂部２１ｅが摩耗しても、その電極パ
ッド１２ａの表面との接触面積が極端に増加することが
ないので、スクラブ時のコンタクトピン２１の移動範囲
が狭められることがなく、所要のスクラブ量を確保する
ことができる。

【００２９】また、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブの製造方法によれば、コンタクトピン２１の電極パッ
ド１２ａに対面する側の面（下面２１ｂ）に、コンタク
トピン２１の先端部から基端側に向う比較的長い範囲に
わたってバンプ状めっきＭを施した後に、その先端部側
の一部を残して基端部側の部分を切除して、四半球状の
突起部２１ｃを形成するようにしたので、バンプめっき
の不良率が低減できて、気泡のない密度の均質な四半球
状の突起部２１ｃをコンタクトピン２１の先端部に容易
に形成することができ、これにより、ＩＣチップ１２に
対し良好な導電性を有して接触できるコンタクトピン２
１を形成することができる。

【００３０】なお、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブ２０においては、コンタクトピン２１の先端部に突起
部２１ｃの形成用突起物をバンプめっき処理により形成
したので、そのバンプ状突起物によって突起部２１ｃを
容易に四半球状にして形成することができて好ましい
が、本発明はこれに限らず、その他のめっき処理によっ
て突起物２１ｃの形成用突起物を形成することもでき
る。

【００３１】また、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブ２０においては、突起部２１ｃの導電性材料としてＮ
ｉを使用したが、これに限らず、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ等の金属、もしくはこれらの金属の合金を使用
することができる。Ｒｈ、Ｐｄは耐食性が大であり、硬
度も高いので、コンタクトピン２１に固着する耐久性に
優れた四半球状の突起部２１ｃとして好適に使用し得
る。

【００３２】また、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブ２０においては、コンタクトピン２１の電極パッド１
２ａに対面する側の面（下面２１ｂ）に形成されたバン
プめっきＭの一部の切除によって、四半球状の突起部２
１ｃの断崖壁面状部が形成されているが、これに限ら
ず、コンタクトピン２１の先端の所定位置に所定大きさ
のバンプめっきを施して形状が整った四半球状の突起部
を形成するようにしてもよい。この場合には、バンプ状
めっきの一部を切除する加工を省略することができるの
で、製作工数を低減することができる。

【００３３】また、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブ２０においては、前記コンタクトピン２１の突起部２
１ｃの断崖壁面状部２１ｇを、コンタクトピン２１の下
面２１ｂに対して略垂直状に形成したが、これに限ら
ず、突起部２１ｃのコンタクトピン２１の下面２１ｂに
結合される基部側を幅広にし、頂部２１ｅ側を狭く傾斜
した側面視で略台形状に形成してもよい。このようにす
ると、幅が微小な突起部２１ｃの強度が増して基部から
折れるおそれがない。

【００３４】また、前記実施の形態のコンタクトプロー
ブ２０においては、フィルム７に被着された複数のパタ
ーン配線６のフィルム７から突出した先端部をコンタク
トピン２１としたコンタクトプローブ３に適用したが、
本発明はこれに限らず、図６に２点鎖線で示すように、
複数のパターン配線６にコンタクトピンの先端部まで突
出させてフィルム７（７ａ，７ｂ）を被着させた形式の
コンタクトプローブにも適用することができる。

【００３５】さらに、前記コンタクトプローブ３のよう
に、フィルム７に被着された複数のパターン配線６のフ
ィルム７から突出した先端部をコンタクトピンとしたも
のにおいて、前記フィルム７の裏面に、バネ鋼（例えば
ＪＩＳ Ｇ ４８０１に規定されるＳＵＰ材等）よりな
る薄板で構成されたバネ層を、コンタクトピンの裏面と
対向する位置まで突出させて被着し、前記バネ層とコン
タクトピンの裏面との間に位置する空間に緩衝材層を介
在させた構成のコンタクトプローブにも本発明を適用す
ることができる。前記緩衝材層は、バネ層とコンタクト
ピンの裏面との間で収縮可能な弾性体層としてのシリコ
ンゴム中に、窒化ケイ素、窒化アルミ等からなる非弾性
体層としてのセラミックスを埋設して構成されている。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の優れた効果を奏する。請求項１に係るコンタクトプ
ローブによれば、コンタクトピンの先端部に先端側が球
面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた四半球状の
突起部が形成されているので、コンタクトピンのスクラ
ブ時に、被検査物の表面にスクラブにより異物が生じて
も、それらを前記突起部の断崖壁面状部が後方、側方に
追いやる効果を発揮するため、コンタクトピン自体に前
記異物が付着することがなく、コンタクトピンと被検査
物との間の導電性を良好に維持することができると共
に、コンタクトピンと被検査物との接触抵抗を常に安定
に維持してスクラブを円滑に行わせることができる。

【００３７】請求項２に係るコンタクトプローブによれ
ば、コンタクトピンの先端部のバンプめっきの切除によ
りコンタクトピンの基端側の部分に断崖壁面状部を有す
る四半球状の突起部を的確、容易に形成することがで
き、実施が容易である。

【００３８】請求項３に係るコンタクトプローブの製造
方法によれば、コンタクトピンの先端部に十分な長さに
わたってバンプめっきを施した後に、被検査物の保護壁
との接触を避けるに必要なコンタクトピンの基端部側の
部分を切除することができるので、バンプめっきの不良
率を低減できて、気泡のない密度の均質な四半球状の突
起部をコンタクトピンの先端部に形成することができ、
被検査物に対し良好な導電性を有して接触できるコンタ
クトピンを容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態に係るコンタクトプロ
ーブの先端部分の斜視図である。

【図２】 図１に示すコンタクトピンをＩＣチップの電
極パッドに接触させてスクラブを行う状態の側面図であ
る。

【図３】 図２のＸ−Ｘ断面図である。

【図４】 コンタクトピンにバンプ状の突起物を固着し
て形成する方法の一例を示す側面図である。

【図５】 バンプめっきの製造工程の一例を示す平面図
である。

【図６】 図５のＸ−Ｘ断面図である。

【図７】 コンタクトピンに突起部を形成する方法の一
例を示す説明図である。

【図８】 コンタクトプローブ装置を示す縦断面図であ
る。

【図９】 コンタクトプローブ装置における従来のコン
タクトプローブの平面図である。

【図１０】 図９のＹ−Ｙ断面拡大図である。

【図１１】 図１０に示すコンタクトピンをＩＣチップ
の電極パッドに接触させてスクラブを行う状態の側面図
（図８のＺ部拡大図）である。

【図１２】 従来の他のコンタクトプローブにおけるコ
ンタクトピンをＩＣチップの電極パッドに接触させてス
クラブを行う状態の側面図である。

【符号の説明】

３，２０ コンタクトプローブ ６ パターン配線 ７ フィルム １２ ＩＣチップ（被検査物） １２ａ 電極パッド １３ 絶縁膜（保護壁） ２１ コンタクトピン ２１ａ 先端面 ２１ｂ 下面 ２１ｃ 突起部 ２１ｅ 頂部 ２１ｆ 球面状部 ２１ｇ 断崖壁面状部 ２１ｋ 面 Ｍ バンプめっき

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 達雄 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AG03 AG04 AG12 AG20 AH07 2G011 AA03 AA15 AA17 AA21 AB06 AB08 AC06 AC14 AE22 AF07 2G132 AA00 AB01 AD01 AF02 AF06 AL03 4M106 AA01 BA01 DD03

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルムが被着された複数のパターン配
   線の各先端側がコンタクトピンとされ、該コンタクトピ
   ンに被検査物の電極に接触する突起部が設けられたコン
   タクトプローブにおいて、 前記突起部は、コンタクトピンの先端部における被検査
   物に対面する側の面に突出され、かつコンタクトピンの
   先端側が球面状部とされ基端側が断崖壁面状部とされた
   四半球状に形成されていることを特徴とするコンタクト
   プローブ。
2. 【請求項２】 前記突起部がバンプめっきによって形成
   され、該バンプめっきの一部の切除により前記断崖壁面
   状部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載
   のコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、コンタクトピンの先端部にバンプめ
   っきをした後に、該バンプめっきのコンタクトピンの基
   端部側における一部を機械的に切除して四半球状の前記
   突起部を形成することを特徴とするコンタクトプローブ
   の製造方法。