JP2003505871A - 膜プローブシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 好適には延性材料で構成した基板(200)、及び試験デバイス上の接触パッドに接触させるために作製するデバイスの所望形状を有するツール(210)を用意して、このツールを前記基板に接触させる。このツールを前記基板よりも固い材料で構成して、この基板内に窪み(216)を直ちに作製できるようにすることが好ましい。好適にはパターン化した誘電（絶縁）材料を前記基板で支持する。前記窪み内に導電材料を配置し、そして好適に包囲して、前記誘電層の表面からはみ出たものを除去して、全体が平らな表面を提供する。前記誘電層及び前記導電材料の上に導線をパターン化する。そしてポリイミド層を表面全体にわたってパターン化することが好ましい。そしていずれかの適切なプロセスによって前記基板を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 （発明の背景） 本発明は、集積回路（ＩＣ）を試験するために通常使用する種類のプローブア
センブリに関するものであり、特に、局所的に制御する方法で、各デバイスのそ
れぞれの入力／出力導体上を摺動する接触子を有して、これらの導体上に通常見
られる表面酸化物を高信頼性で、きれいに払拭して、これにより、プローブアセ
ンブリと各デバイスとの間の良好な電気的接続を保証する膜プローブアセンブリ
に関する 【０００２】 電子製品の傾向は、幾何学的形状がますます小さくなる方向にあり、特に集積
回路技術では、非常に多数の個別回路素子を単一基板または「ウエハー」上に製
造している。製造後には、このウエハーを多数の四角形のチップまたは「ダイ（
ダイス）」に分割し、各ダイが、入力／出力接続を行う、金属化した接触パッド
の四角形または他の規則的な配置を提供する。各ダイは最終的には個別にパッケ
ージするが、効率化のために、各ダイ上に形成した回路の試験は、これらのダイ
がまだウエハー上にまとまっている間に行うことが好ましい。通常の手順の１つ
は、平らなステージまたは「チャック」上にウエハーを支持して、このウエハー
を、プローブアセンブリのヘッドに対してＸ、Ｙ及びＺ方向に動かして、プロー
ブアセンブリ上の接触子がダイからダイへと移動して、各ダイに連続して接触す
るようにする。信号、電力、及び接地の各線が、試験測定器からプローブアセン
ブリに伸びて、これにより、各回路をこの試験測定器に接続可能にする。 【０００３】 集積回路を試験するために使用する慣例の種類のプローブアセンブリのうちの
１つは、針形のチップとして構成した接触子を提供する。これらのチップをプロ
ーブカード内に形成した中央開口部付近に載置して、開口部の中心かつ下に向か
うように、開口部の半径方向に収束させる。ウエハーを持ち上げて、ウエハー上
のパッドが最初にこれらのチップに接触した点を越えると、これらのチップが上
向きに屈曲して、それぞれのパッド上を前向きに滑って、これによりパッド上に
蓄積した酸化物を除去する。 【０００４】 この種のプローブアセンブリの問題点は、針形チップが、その細い幾何学的形
状によって高いインダクタンスを示し、これらのチップを通して行う高周波測定
における信号ひずみが大きいことにある。またこれらのチップが、それぞれのパ
ッド上を払う際に、平らに削るツールとして作用して、これによりパッドの過度
の損傷となり得る。この問題は、プローブが使用中に形を失うほどに屈曲するか
、さもなければ通常の平面内で終了し損なって、先の方にあるチップがそれぞれ
のパッド上を強すぎるほど圧迫する、というほどに重大になっている。また、こ
れらのチップを100ミクロン以下の中心間隔で載置するか、あるいは多行の格子
的なパターンに載置して、より現代的な、より高密度のダイのパッド配置を提供
することは非実用的である。また、この種のプローブアセンブリは25ミクロン以
上の、針形チップの摺動長を有し、このため許容のプロービング（触針）領域内
に留めることがより困難になる。 【０００５】 誘導性の損失を低減し、パッドの磨耗を減らしてデバイスの幾何学的形状をよ
り小さくするために、プローブ接触を支持するために、フレキシブル膜構造を用
いる第２の種類のプローブアセンブリが開発されている。このアセンブリでは、
幾何学的形状を良好に規定したリード線を、１層以上の、ポリイミドまたはマイ
ラー(TM)のようなフレキシブル絶縁フィルム上に形成する。分離した層を用いる
場合には、これらの層を結合して、例えば多層の伝送線路構造を形成する。この
フレキシブル構造または膜の中央部では、各導線がそれぞれのプローブ接触子で
終端して、この接触子は膜の外面上に形成されて外向きに突出している。これら
のプローブ接触子を、デバイスのパッドのパターンに一致するように所定のパタ
ーンに配置し、これらの接触子は通常、慣例的にパッドによって規定される平ら
な表面をプローブ（触針）するための盛り上がったバンプ（突起）として形成す
る。膜の内面を支持構造上に支持する。この構造は例えば先端を切ったピラミッ
ドの構造を取ることができ、この場合には、膜の中心部の内面を、先端を切った
支持体の端上に支持して、膜の中間部を、中心部に対して傾斜させて中心部から
引き離して、デバイスのパッドを包囲しうるあらゆる直立成分がなくなるように
する。 【０００６】 直前に記述した膜プローブアセンブリに関しては、リード線の幾何学的形状を
慎重に選択することによって過度の配線インダクタンスを排除して、フォトリソ
グラフィープロセスを好適に用いて、プローブ接触子の大きさ、間隔、及び配置
をある程度制御可能にして、より高密度の構成を提供している。しかし、このプ
ローブアセンブリのいくつかの異なる形態が提案されているが、この種のアセン
ブリのパッドの磨耗を低減し、そして各デバイスのパッドから酸化物層を高信頼
性で除去することを達成して、このアセンブリと試験中のデバイスとの間の適切
な電気的接触を保証することについては、困難があった。 【０００７】 膜プローブアセンブリの１つの慣例の形態は、例えばRathによる欧州特許公開
番号259,163A2に記載のデバイスが好例である。このデバイスは、剛性支持体に
直接載置したシート状の膜の中央部を有する。この剛性支持体を、エラストマー
（弾性重合体）またはゴムのブロックから構成される弾力性の部材によってアセ
ンブリの本体に接続して、デバイスの傾斜に一致するように、膜を傾斜可能にし
ている。Huffによる米国特許第4,918,383号には密接に関係するデバイスが示し
てあり、ここでは半径方向に伸びる板バネが、剛性支持体の垂直軸方向の動きを
可能にし、剛性支持体が傾斜することを防止して、接触バンプのパッド上での滑
りあるいは「ずれ」（ミスアライメント）が存在しないようにして、さらに、面
全体が水平面内で少し移動して、パッドから表面酸化物を除去するために、接触
子がそれぞれのパッド上を「摺動」するようにしている。 【０００８】 しかしこれらのデバイスの両者に関しては、製造上の許容誤差により、接触バ
ンプの一部が、隣り合うものに比べて引っ込んだ位置にありがちであり、これら
の引っ込んだバンプは、剛性支持体上で隣り合うものの作用によってそれぞれの
パッドから引き離されるので、パッドに接触する機会が十分にない。さらに、Hu
ffの方法で「摺動」の動きを行っても、これらの接触子が摺動の動きを行うにつ
れて、摩擦によってデバイスに付着しがちになり、即ち、デバイスのパッドが接
触子と一緒に動いて、接触子が動く効果を帳消しにする。何らかの摺動の作用が
実際に発生するか否かは、パッドの移動可能な距離に依存し、この距離は、プロ
ーブヘッドの各支点面とチャックとの間の通常の許容誤差の結果として存在する
横方向の遊びの程度に依存する。従って、この形態の膜プローブアセンブリは、
各接触子とパッドとの間の高信頼性の電気的接続を保証するものではない。 【０００９】 慣例の膜プローブアセンブリの第２の好例は、Barsottiによる欧州特許公開番
号304,868A2に記載のデバイスである。このデバイスは、フレキシブルな膜の中
央部あるいは接触子のある部分用のフレキシブルな裏当て（バッキング）を提供
する。Barsottiの例では、膜をエラストマー部材で直接裏当てして、この部材を
剛性支持体で裏当てして、接触子間あるいはパッド間の小さい変動が吸収される
ようにしている。Gangrothによる米国特許第4,649,339号、Ardezzoneによる米国
特許第4,636,772号、Reed,Jr.他による米国特許第3,596,228号、Okubo他による
米国特許第5,134,365号にそれぞれ記載のように、正圧の空気、負圧の空気、液
体、または裏当てのないエラストマーを使用して、膜用のフレキシブルな裏当て
を提供することも可能である。しかしこれらの代替法のデバイスは、プローブ接
触子とデバイスのパッドとの間に十分な圧力を与えて、パッド面上に形成された
酸化物を高い信頼性で貫通することができない。 【００１０】 この第２の形態の膜プローブアセンブリでは、Okuboの例に示すように、滑り
を防止するために接触子の動きをｚ方向に限定することができ、接触中に、接触
子とパッドとの間にずれが生じる。このためBarsottiの例では、前記エラストマ
ー部材の下にある剛性支持体を所定位置に固定しているが、Huffによる米国特許
第4,980,637号に記載の方法で、この支持体をｚ軸方向に動くように装着するこ
とも可能である。しかしこの種の設計では、接触子とデバイスとの間に一定量の
傾斜が通常存在し、そしてデバイスの最寄りに傾いた接触子は通常、離れて傾い
た接触子よりもずっと高い接触圧を示すので、パッドの損傷が生じやすい。Garr
etsonによる欧州特許公開番号230,348 A2に記載の関連のアセンブリでは、Garre
tsonのデバイスが、接触子をそれぞれのパッドに加圧接触させた際に、接触子が
横方向に移動するようにしたものであっても、同じ問題が生じる。しかし関連す
る他のアセンブリが、Evansによる米国特許第4,975,638号に記載されており、こ
れは、回動するように装着した、前記エラストマー部材の裏当て用の支持体を用
いて、接触子とデバイスとの間の傾斜を吸収するようにしている。しかしEvans
のデバイスは、デバイスのパッドが回動支持軸として接触子に密着して、これら
の接触子を横方向に移動させる限り、既に記述した摩擦密着の問題が存在する。 【００１１】 しかし、慣例の膜プローブアセンブリの他の形態が、Crumlyによる米国特許第
5,395,253号、Barsotti他による米国特許第5,059,898号、及びEvans他による米
国特許第4,975,638号に記載されている。Crumlyの例では、バネを用いて、可伸
張性の膜の中心部を、十分伸張した状態まで弾力的に偏移させている。接触子が
それぞれのパッドに接触している際には、この伸張した中心部がバネに対して反
作用して部分的に弛緩した状態になり、接触子を膜の中心部に向けて、半径方向
に摺動するように引く。Barsottiの例では、各行の接触子をそれぞれのＬ型アー
ムの端で支持して、接触子がそれぞれのパッドに行状に接触している際に、対応
するアームが上向きに曲がって、接触子の行をそれぞれのパッド上で同時に摺動
させる。しかしCrumly及びBarsottiの両例では、接触の時点で、接触子とデバイ
スとの間に何らかの傾斜が存在して、この傾斜によって、デバイスの最寄りに傾
いた接触子が、デバイスからもっと離れて傾いた接触子よりも一層摺動を行う。
さらに、より短い接触子が、それぞれのパッドに接触する機会を有する前に、隣
接する接触子を制御して摺動させる作用によって摺動方向に強制的に動かされる
。Crumlyのデバイスのさらなる欠点は特に、膜の中心により近い接触子が、膜の
周縁に近い接触子よりも小さく摺動して、接触位置により摺動の効果が変化する
ということである。 【００１２】 Evans他の米国特許第5,355,079号では、各接触子が指状の金属バネを構成して
、各指状部を、下にある膜から離して、膜に対して所定の角度で片持ち梁（カン
チレバー）的に装着している。同様の構成がHigginsによる米国特許第5,521,518
号に記載されている。しかし、特に高密度のパターンが必要な場合には、これら
の指状部を元の位置にして、これらの指状部のすべてが共通平面内に収まるよう
にすることは困難である。さらに、これらの指状部は、使用中に屈曲して下の位
置から外れやすく、そして元の位置に容易に戻ることができない。従って、一部
の指状部が、他の指状部よりも前に「着地」（接触）しやすく、そして摺動圧及
び摺動距離が他の指状部と異なりがちである。最後に、Evansの例でも、指状部
間及びパッド間の小角度の傾斜を許容するための適切なメカニズムが存在しない
。Evansの例は、各指状部の表面を粗くして、電気的接続の品質を向上させるこ
とを提案しているが、この粗くすることが、パッド表面に対する無用な削除（ア
ブレーション）及び損傷を生じさせ得る。しかし、Evans及びHigginsの両者の例
のさらなる欠点は、こうした指状部に、比較的少数回の屈曲または応力の反復に
よる「着地」またはデューティサイクルの後に、疲労及び破損が生じやすいとい
うことである。 【００１３】 図１に、オレゴン州BeavertonのCascade Microtech Inc.が開発した、膜プロ
ーブアセンブリ４２の装着用のプローブヘッド４０を示す。シリコンウエハー４
６上に含まれる特定のダイ領域４４の電気的性能を測定するために、プローブヘ
ッドの高速ディジタル線４８及び／またはシールドした伝送線５０を、適切なケ
ーブルアセンブリによって試験器の入力／出力ポートに接続して、前記ダイ領域
のパッドを、膜プローブアセンブリの下部の接触部上に含まれる接触子との加圧
接触にもっていくために、このウエハーを支持するチャック５１を、互いに直交
するＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動する。 【００１４】 プローブヘッド４０はプローブカード５２を具え、プローブカード５２上にデ
ータ／信号線４８及び５０を配置する。図２及び図３に示すように、膜プローブ
アセンブリ４２は、硬質ポリマーのような非圧縮性の材料で形成した支持要素５
４を具えている。この素子を、４個のアレン（六角）ねじ５６及びこれに対応す
るナット５８によって、このプローブカードの上側に着脱可能に接続する（各ね
じが支持要素のそれぞれの取付け（アタッチメント）アーム６０を通り、分離し
た裏当て要素６２が、ねじのクランプ圧を、支持要素の裏側全体に均一に分布さ
せる。）。この着脱可能な接続によれば、異なるデバイスをプローブする必要に
応じて、異なる接触子の配置を有する異なるプローブアセンブリを相互に迅速に
置換することができる。 【００１５】 図３、図４に示すように、支持要素５４が後向き基底部６４を具えて、後向き
基底部６４に取付けアーム６０を必須のものとして結合する。また、この平らな
基底部から外向きに突出した前向き支持体またはプランジャ６６を支持要素５４
上に具えている。この前向き支持体は傾斜側面６８を具え、傾斜側面６８は平ら
な支持面７０に向って収束して、この前向き支持体を、先端を切り取ったピラミ
ッドの形状にしている。また図２に示すように、フレキシブルな膜アセンブリ７
２を、前記基底部が具えている整列ピン７４によって整列させた後に、前記前向
き支持体に取り付ける。このフレキシブル膜アセンブリは、E.I.Du Pont de Nem
ours販売のKAPKON(TM)、あるいは他のポリイミドフィルムのような１枚以上の絶
縁シートによって形成し、フレキシブルな導電層または導電ストリップを、これ
らのシート間あるいはシート上に設けて、データ／信号線７６を形成する。 【００１６】 図３に示すように、支持要素５４をプローブカード５２の上側に装着して、前
向き支持体６６がこのプローブカード内の開口部７８を通って突出して、前記フ
レキシブルな膜アセンブリの中央領域８０上の適切な位置に配置された、試験中
のデバイスのパッドに加圧接触するための接触子を提供する。図２に示すように
、この膜アセンブリは半径方向に伸びたアームセグメント８２を具え、アームセ
グメント８２は内側に曲がったエッジ（端）８４によって分離され、エッジ８４
はアセンブリを末広がりの十字の形状にして、これらのセグメントが傾斜側面６
８に沿って傾斜するように広がって、これにより、パッドを囲むあらゆる直立成
分をなくしている。一連の接触パッド８６がデータ／信号線７６を終端させて、
前記支持要素を装着した際に、これらのパッドが、前記プローブカードの上側に
設けた対応する終端パッドに電気的に接触して、これにより、このプローブカー
ド上のデータ／信号線４８が、前記中央領域の接触子に電気的に接続される。 【００１７】 プローブアセンブリ４２の特徴は、パッド上の酸化物の蓄積にかかわらず、各
サイクル毎に接触子とパッドとの間の概ね高信頼性の電気的接触を提供するよう
な方法で、いくぶん高密度に配列した接触パッドを、多数回の接触サイクルでプ
ローブする能力にある。この能力は、支持要素５４、フレキシブルな膜アセンブ
リ７２、及びこれらの相互接続方法を組合わせた機能である。特に、膜アセンブ
リ上の接触子が、それぞれのパッドとの加圧接触に至る際に、局所的に制御する
方法で、好適にパッド上を横方向に払拭または摺動するように、膜アセンブリを
構成して前記支持要素に接続する。この摺動動作を生成するための好適なメカニ
ズムを、図６及び図７ａ、図７ｂに示す好適な膜アセンブリ７２ａの構成及び相
互接続に関連させて記述する。 【００１８】 図６に、膜アセンブリ７２ａの中央領域８０ａの拡大図を示す。この好適例で
は接触子８８を、正方形状に配列されたパッドとの接触に適した正方形状のパタ
ーンに配列している。また図７ａに、図６の線７ａ−７ａに沿って切断した断面
図を示し、ここでは各接触子が、一端に接触バンプ９２を形成した比較的厚い剛
性のビーム（梁材）９０を具えている。この接触バンプはその上に接触部９３を
具え、接触部９３はこの接触バンプにヒューズ結合したロジウム塊で構成される
。電気メッキを用いて、各ビームを、フレキシブルな導電線路７６ａの端に重な
って接続する形に形成して、この導電線路との接合部を形成する。この導電線路
は、フォトリソグラフィープロセスを用いて寸法を確立するので、背面導電層９
４と合同して、インピーダンスを制御される、接触子へのデータ／信号線を有効
に提供する。この背面層は、例えば製造中のガス排出を助けるための開口部を具
えていることが好ましい。 【００１９】 前記膜アセンブリを平らな支持面７０に、間に挟んだエラストマー層９８によ
って相互接続して、このエラストマー層は前記支持面と共に拡張可能であり、Bo
rden社製造のELMER'S STICK-ALL(TM)あるいはDow Corning社製造のSylgard 182
のようなシリコンゴムの化合物によって形成することができる。この化合物は、
固まる間のペースト状の段階において好都合に適用することができる。前述した
ように、前記平らな支持面を非圧縮性材料製にして、これはポリスルホンまたは
ガラスのような硬質の誘電体であることが好ましい。 【００２０】 上述した構成によれば、図７ｂに示すように、接触子のうちの１つがそのパッ
ド１００と加圧接触した際に、剛性のビーム９０及びバンプ９２の構造上に生じ
る偏心力がこのビームを、エラストマーパッド９８が供給する弾性復元力に対し
て回動または傾斜させる。この傾斜の動作は、ビームの前部１０２が、平らな支
持面７０に向って、同じビームの後部１０４よりも大きい距離を移動するという
意味で、局所的に留まる。その効果は、図７ｂに示すように、接触子をパッド上
で横方向に摺動させるものであり、図７ｂでは、パッド上の接触子の、始点及び
終点位置をそれぞれ破線及び実線で表わす。このようにして、各パッド上に蓄積
した絶縁酸化物を除去して、接触子−パッド間の適切な電気的接続を保証する。 【００２１】 図８に、最初に接触または「着地」した瞬間の８８とパッド１００との相対位
置を破線で示し、パッドが平らな支持面７０に向って距離１０６だけ垂直方向に
「行き過ぎた」後の、同じ構成要素の相対位置を実線で示す。図に示すように、
横方向の摺動の動きの距離は、接触子８８の垂直の屈曲量に依存し、あるいはこ
れと等価な、パッド１００が移動した行き過ぎ距離１０６に依存する。従って、
中央領域８０ａ上の接触子毎の行過ぎ距離がほぼ同じ（接触の高さの変化から生
じる差異）であるので、各接触子が中央領域上で横方向に摺動する動きの距離は
ほぼ均一であり、特に、中央領域上の各接触子の相対位置に影響されることがな
い。 【００２２】 エラストマー層９８を非圧縮性の支持面７０で裏当てしているので、このエラ
ストマー層が、傾斜した各ビーム９０上、従って各接触子９３上で復元力を出し
て、摺動中の接触子−パッドの圧力を維持する。同時に、このエラストマー層が
各接触子間の高さの変化をある程度吸収する。このため、図９ａに示すように、
比較的短い接触子８８ａを、じかに隣接した一対の比較的高い接触子８８ｂの間
に配置し、そしてこれらのより高い接触子をそれぞれのパッドに接触させた際に
は、図９ｂに示すように、エラストマー層の変形によって、パッドへのさらなる
行過ぎの後に、より小さい接触子がパッドとの接触に至る。なおこの例では、各
接触子の傾斜作用を局所的に制御して、特に、より大きい接触子を、より小さい
接触子とは無関係に傾斜可能にして、より小さい接触子がパッド上に実際に着地
するまで、より小さい接触子が横方向に動かされないようにする。 【００２３】 図１０及び図１１に、こうしたビーム構造を構成するための電気メッキのプロ
セスを示し、これは図８に示したように、支持面７０を規定する非圧縮性材料６
８、及びエラストマー層９８のような、この上に取付けた基板材料を具えている
。フレキシブル回路構成技法を用いて、フレキシブル導電線路７６ａを犠牲的な
基板上にパターン化する。次に、ポリイミド層７７をパターン化して、この犠牲
的な基板の全面、及びビーム９０の所望位置である導線７６ａ上の一部を除いて
、導線７６ａの全体をカバーする。ビーム９０を、ポリイミド層７７中の開口部
内で電気メッキする。その後に、フォトレジスト７９の層を、ポリイミド７７及
びビーム９０の表面上にパターン化して、接触バンプ９２の所望位置用に、この
開口部を残す。そして接触バンプ９２を、フォトレジスト層７９中のこの開口部
内で電気メッキする。フォトレジスト層７９を除去して、より厚いフォトレジス
ト層８１をパターン化して、接触部９３用の所望位置以外の露出面をカバーする
。そして接触部９３を、フォトレジスト層８１中の開口部内で電気メッキする。
そしてフォトレジスト層８１を除去する。前記犠牲的な基板層を除去して、残っ
た層をエラストマー層９８に取り付ける。図１２により正確に示すように、出来
上がった複数のビーム９０、接触バンプ９２、及び接触部９３は、独立した傾斜
、及び独立してデバイスを摺動する機能を提供する。 【００２４】 不都合なことに、前述した構成技法により、多くの不所望な特性を有する構造
ができる。 【００２５】 第１には、互いに隣接したいくつかのビーム９０、接触バンプ９２、及び接触
部９３（これらの各々をデバイスと称することがある）に、電気メッキ槽内で、
異なる局所的電流密度が生じて、これにより、多くのビーム９０、接触バンプ９
２、及び接触部９３に高さの差が生じる。また、電気メッキ槽内での異なるイオ
ン密度、及び電気メッキ槽内での「ランダム」な変化によっても、多くのビーム
９０、接触バンプ９２、及び接触部９３に高さの差が生じる。多くのビーム９０
、接触バンプ９２、及び接触部９３の三者の異なる高さが合わさったものが、多
くのデバイスの全高に含まれる。従って、多くのデバイスが他のデバイスと大幅
に異なる高さを有する。デバイスの高さが可変の膜プローブを使用することは、
すべての接触部９３が試験デバイスとの適切な接触を行うことを保証するために
、すべてのデバイスが等しい全高を有する場合に必要な圧力よりも大きな圧力を
必要とする。小領域内の2000個以上のデバイスのような、高密度膜プローブ用に
は、各デバイスに必要な追加的圧力を集積した効果が、プローブヘッド及びプロ
ーブステーション（台座）について許容される合計力を超過しうる。またこの過
剰な圧力が、プローブステーション、プローブヘッド、及び／または膜プローブ
アセンブリの屈曲及び破損を生じさせることもある。これに加えて、最小高のデ
バイスとの適切な接触を行うために必要なまでに増加させた圧力によって、最大
高を有するデバイスが試験デバイス上のパッドを損傷させることがある。 【００２６】 第２には、デバイス間のピッチ（間隔）を低減する能力が、ポリイミド層７７
、及びフォトレジスト層７９及び８１上における、電気メッキプロセスの「マッ
シュルーム」効果によって限定される。この「マッシュルーム」効果は制御する
ことが困難であり、ビーム９０、接触バンプ９２、及び接触部９３の幅に変化を
生じさせる。ビーム９０、接触バンプ９２、あるいは接触部９３の高さが増加す
ると、「マッシュルーム」効果が一般に増加して、これにより、それぞれの部分
の幅が増加する。１つの部分の幅が増加すると、一般にデバイス全体がより広幅
になって、接触部９３どうしの最小間隔が増加することになる。あるいはまた、
ビーム９０、接触バンプ９２、あるいは接触部９３の高さが減少すると、一般に
「マッシュルーム」効果の幅が減少して、これにより、接触部９３どうしの最小
間隔が減少する。しかし、接触部９３の高さを、各ビーム９０と比べた十分低減
していれば、使用中には、ビーム９０の後端が十分傾斜して、許容位置にある試
験デバイスに、即ち接触パッドを外れて接触することがある。 【００２７】 第３には、接触バンプ９２上の接触部９３のように、第２金属層を第１金属層
の上に直接メッキすることが、特にニッケルを使用する際には困難である。接触
バンプ９２と接触部９３との間の結合物を提供するために、銅または金のような
境界シード層を用いて、改善した相互接続を行う。不都合なことに、この境界層
のせん断強度がより低いために、この境界シード層がデバイスの横方向の強度を
低下させる。 【００２８】 第４には、不均一な面上にフォトレジスト層を加えることが、現実には、準正
角になりがちであり、フォトレジスト材料そのものの厚さが不均一になる。図１
３に示すように、ビーム９０の隆起部上のフォトレジスト層７９（及び８１）が
、ポリイミド７７の低い部分上のフォトレジスト層７９（及び８１）よりも厚く
なりがちである。これに加えて、フォトレジスト７９（及び８１）の厚さが、ビ
ーム９０の密度に応じて変化しがちである。従って、より高密度のデバイス間隔
を有する膜プローブ領域では、より低密度のデバイス間隔を有する膜プローブ領
域よりも、フォトレジスト層７９（及び８１）が平均的に厚い。フォトレジスト
層７９（及び８１）の露光及びエッチング処理中には、処理の継続時間をフォト
レジスト層７９（及び８１）の厚さに応じたものとする。フォトレジストの厚さ
が可変であることにより、フォトレジストを適正に処理して、均一な開口部を提
供することは困難である。さらに、フォトレジスト層７９（または８１）のより
薄い領域が過剰露光されがちであり、大きさが変化した開口部ができる。また、
フォトレジスト層７９（または８１）の厚さが大きくなると共に、その厚さの変
動も大きくなる。従って、フォトレジストの使用は、多くの処理上の問題を生じ
させる。 【００２９】 第５には、ビーム９０を線路７６ａ上に、接触バンプ９２をビーム９０上に、
そして接触部９３を接触バンプ９２上に整列させるために、別個の整列プロセス
が必要になる。各整列プロセスには固有の変形があり、これらは各部分の大きさ
を決めるに当たって明らかにしなければならない。接触部９３の最小の大きさは
主に、必要な横方向の強度、及びその内部の最大許容電流密度によって規定され
る。接触バンプ９２の最小の大きさは、整列の許容誤差が明らかになれば、接触
部９３の最小の大きさによって規定され、これにより接触部９３が接触バンプ９
２上に明確に構成される。ビーム９０の最小の大きさは、接触部９３を見て、か
つ整列の許容誤差が明らかになれば、接触バンプ９２の最小の大きさによって規
定され、これにより接触バンプ９２がビーム９０上に明確に構成される。従って
、接触バンプ９２及び接触部９３の許容誤差の合計が、接触部９３の最小の大き
さと共に、デバイスの最小の大きさを規定し、従って接触パッド間の最小ピッチ
を規定する。 【００３０】 従って所望されるものは、デバイスの高さをより均一にし、デバイスの間隔を
低減し、横方向の強度を最大化した、所望の幾何学的形状かつ適正な整列の、膜
プローブの構成技法及び構造である。 【００３１】 （発明の概要） 本発明は、好適には延性（ダクタイル）材料で構成した基板を提供することに
よって、前述した従来法の欠点を克服するものである。試験デバイス上の接触パ
ッドに接触するための、本発明による所望形状のデバイスを有するツールを、前
記基板に接触させる。このツールを前記基板よりも硬い材料で構成して、この基
板の内部に窪みを直ちに作製可能にすることが好ましい。好適にはパターン化し
た誘電（絶縁）層を前記基板によって支持する。導電材料を前記窪み内に配置し
、そして好適にはメッキして、前記誘電層からはみ出たものを除去して、全体が
平らな面を提供する。前記誘電層及び前記導電材料上に線路をパターン化する。
そして表面全体にわたってポリイミド層をパターン化することが好ましい。そし
て前記基板を、適切なプロセスによって除去する。 【００３２】 本発明の前述した目的及び他の目的、特徴、及び利点は、以下の図面を参照し
た実施例の詳細な説明から、より明らかになる。 【００３３】 （好適実施例の詳細な説明） 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。 現在採用している膜プローブの構成技法は、基板上に製造した追加的な層を支
持するための平らな剛性の基板から開始する。ピッチを低減して、デバイスの均
一性を増加させることは、一層複雑かつ高価な処理技法を必要とする。支持基板
上に「ボトムアップ（下から積み重ね）」して層を構成する現在の技法と直接対
比して、本願の発明者は、適切なツールを用いることによって、基板を圧印（表
面鋳造加工）して、所望のビーム、接触バンプ、及び接触部を作製することがで
きるという認識に至った。そして残りの層をこのビーム上に「トップダウン（上
から積み重ね）」で構成する。その後に、基板そのものを除去する。 【００３４】 図１４に示すように、基板２００は、アルミニウム、銅、鉛、インジウム、真
鍮、金、銀、白金、またはタンタルのような延性材料から構成することが好まし
く、厚さは10ミル〜1/8インチ（0.254mm〜3.175mm）であることが好ましい。基
板２００の上面２０２は平面であることが好ましく、以下に記述するように、光
学的な清澄性のために研磨して外見を向上させる。 【００３５】 図１５に示すように、ツール、特に「ディンプリング（窪み作製）」ツール２
１０を、試験デバイス上の接触パッドに接触するための結果的なデバイスの所望
形状を有するヘッド２１２付きで構成する。ディンプリングツール２１０は、デ
ィンプリング機（図示せず）に接続するための突起２１４を具えている。基板２
００の上面２０２に接触すべく方向付けしたヘッド２１２を有するツール２１０
を、ディンプリング機によって支持する。ツール２１０を、基板２００よりも硬
い材料で構成して、基板内へのディンプル（窪み作製）を直ちに行えるようにす
ることが好ましい。ツール２１０用に適した材料は例えば、ツール鋼、カーバイ
ド、クロム、及びダイヤモンドである。好適なディンプリング機は、正確なｘ、
ｙ、及びｚ制御を有するプローブステーションである。他のいずれの適切なディ
ンプリング機も同様に使用できることは明らかである。図１６に示すように、ツ
ール２１０を基板２００の上面２０２に加圧接触させて、図１７に示すように、
ツール２１０を基板２００から除去すると、ツール２１０の形状に整合する窪み
２１６ができる。ツール２１０を用いて、図６に示すような所望のパターンに整
合する複数の窪み２１６を基板２００内に作製する。逆に、ツール２１０を静止
保持して、基板２００の上面２０２がツール２１０に加圧接触するまで、この基
板をｚ方向に移動させてることができ、ツール２１０を基板２００から除去する
と、このツールの形状に整合する同じ窪み２１６ができる。 【００３６】 図１８に示すように、ポリイミド２２０を窪み２１６の周囲にパターン化する
。他のいずれの適切な絶縁層または誘電層も同様に使用できることは明らかであ
る。ポリイミド層２２０をパターン化するプロセスにおいて、ポリイミド層２２
０の露光及びエッチングプロセス中に、ポリイミドを窪み２１６から除去するこ
とは幾分困難である。このことは、窪み２１６が急に傾斜した側面を有して比較
的深い際に、特に正しい。あるいはまた、ポリイミド層２２０を、窪み２１６が
所望される基板２００内の位置にある開口部と共に、基板２００の上面２０２上
にパターン化する。その後にツール２１０を用いて、ポリイミド層２２０内に設
けた前記開口部を通して、基板２００内に窪み２１６を作製する。この代案の技
法は、ポリイミド層２２０を窪み２１６から適切に除去する困難なプロセスを除
外するものである。 【００３７】 前記開口部を窪み２１６用に精密に整列させるための十分な許容誤差を有する
、ポリイミド層２２０を露光するためのマスクを製造することは高価になる。ツ
ール２１０をディンプリング機と組合わせて、ポリイミド層２２０を比較的廉価
で幾分不正確なマスクで露光及びエッチングしてできた開口部のうちの１つの正
確な位置に合わせて整列させることができる。本願の発明者は、マスクの局所領
域、従ってこの領域からできた開口部が、ディンプリング目的のためには、比較
的良好に整列する傾向にあるという認識に至った。同様に、マスクの互いに離れ
た領域は、ディンプリング目的のためには、比較的良好には整列しない傾向にあ
る。従って、正確なディンプリング機で基板２００を自動的にディンプリングし
て、互いに離れた多数の窪み２１６を有する予期したパターンに整合させること
は、ディンプリングツールが、最初の整列点から離れた領域の開口部に正確に合
うように整列していないことになる。この整列プロセスの精度を改善するために
、本願の発明者は、ディンプリング機を、ポリイミド層２２０内の異なる位置に
ある実際の開口部に合わせて再整列させて、全体の整列は幾分ずれているが、各
局所領域では比較的正確に整列しているようにすることができる、という認識に
至った。このようにして、比較的廉価なマスクを使用することができる。 【００３８】 前記ディンプリング機が、正確なｚ軸の移動を行って、各窪みの深さを同等に
するか、あるいはほぼ同等にすることが好ましい。図１９に示すように、十分正
確なｚ軸の移動が得られない場合には、作り付けのｚ軸止め具２４２を有するデ
ィンプリングツール２４０を使用することができる。ｚ軸止め具２４２はヘッド
２４４から外向きに伸びる突起であり、ポリイミド２２０の上面上かあるいは基
板２００の上面２０２に置かれている。ｚ軸止め具２４２は、ディンプリングツ
ール２４０を使用する前にポリイミド層２２０を事前にパターン化しているか否
かを考慮に入れて、ヘッド２４４に対して適正な深さが得られるような位置にす
る。 【００３９】 図２０に示すように、導電材料２５０をポリイミド２２０及び基板２００上に
電気メッキして、これにより窪み２１６を、ニッケル及びロジウムのような導電
材料２５０で満たす。他のいずれか適切な技法を用いて、この導電材料を窪み２
１６内に入れることができることは明らかである。そして導電材料２５０を好適
にラッピング（包囲）して、ポリイミド層２２０の上面からはみ出たものを除去
して、全体が平らな面を提供する。好適なラッピングプロセスは、化学機械的な
平坦化プロセスである。導線２５２をポリイミド層２２０及び導電材料２５０上
にパターン化する。導線２５２は、銅、アルミニウム、または金のような良好な
導体であることが好ましい。そしてポリイミド層２５４を全表面上にパターン化
する。さらなる金属層及び誘電層を形成することができる。そして、塩酸（HCL
15％）または硫酸（H₂SO₄）でのエッチングのような適切なプロセスによって基
板２００を除去する。塩酸及び硫酸はポリイミド層２２０とも、ニッケルまたは
ロジウムのような導電材料２５０とも反応しない。ポリイミド層２５４を、これ
に代えて、いずれの適切な絶縁体または誘電層とすることもできることは明らか
である。 【００４０】 図２１に示すように、出来上がったデバイスの接触部２６０を、低い接触抵抗
を有するように好適に選択して、試験デバイスとの良好な電気的接続を行うこと
ができる。ニッケルは比較的低い接触抵抗を有するが、ロジウムはさらに低い接
触抵抗を有し、かつニッケルよりも耐磨耗性である。従って、窪み２１６をロジ
ウムの層でコーティング（被覆）することが好ましい。通常の処理技法を用いて
、ロジウムの厚さを約５ミクロンに制限する。出来上がったデバイスがロジウム
の外部層を具え、そして特に接触部２６０を、ニッケルのような残りの導電材料
または非導電性の充填物で満たす。この導電材料は、窪み全体を満たす必要がな
い。 【００４１】 前述した「トップダウン」の構成プロセスは、支持基板上に層を構成する慣例
の「ボトムアップ」処理技法を上回る多数の利点を提供する。これらの利点は、
特性を改善したデバイスを構成する能力を提供する。 【００４２】 第１には、出来上がったデバイスに高さの制限がないことであり、以前には、
フォトレジスト処理の限度による制限がおかれていた。いずれの適切な高さを有
するデバイスを構成する能力も、フォトレジスト内の長く狭い開口部内に電気メ
ッキしようとするという困難なことによっておかれる制限を緩和する。 【００４３】 第２には、デバイスの接触部２６０の高さが、実際には機械的であるツール作
業プロセスのみによって規定されるので、この高さが極めて均一になる。電気メ
ッキ槽の異なる局所的電流密度、電気メッキ槽内の異なるイオン密度、及び電気
メッキ槽内の「ランダム」な変化が、出来上がったデバイスの全体形状及び高さ
に影響することを排除することができる。デバイスの高さがほぼ均一であること
に伴い、試験デバイスとの適切な接触を行うために必要な力が小さく、このため
、プローブステーション、プローブヘッド、及び／または膜プローブアセンブリ
が屈曲及び破損することの起こりやすさが減少する。また、デバイスの高さがほ
ぼ均一であることによって、過剰な圧力で試験デバイス上の接触パッドが損傷す
ることの起こりやすさが減少する。 【００４４】 第３には、境界層を必要としない１回の堆積プロセス中に、デバイスを単一の
均質材料で構成するので、デバイスの接触部２６０がより強くなり、以前には境
界層が複数の処理ステップを必要としていた。これにより、接触部の大きさを、
境界層の最小せん断力による限界ではなく、試験中にこれらの接触部内に許容さ
れる最大電流密度による限界まで低減することが可能になる。 【００４５】 第４には、出来上がったデバイスの形状をカスタマイズ（顧客対応）して、異
なる材料を効果的にプローブ（触針）することができる。機械的強度、安定性、
及び完全性を提供しつつ、デバイスの形状を、85度のように急な側壁の角度を有
するものにすることができる。急な側壁によって、ますます高密度になる試験デ
バイス上の接触パッド配列用に、デバイスをより高密度にできるように、より狭
幅のデバイスを構成することが可能になる。さらに、側壁の角度が基板の結晶構
造には依存しない（例えば独立である）。 【００４６】 第５には、前記接触部の形状の詳細が既知であり、そしてデバイス間で均一で
あり、これにより試験デバイスの接触パッドとの均一な接触が可能になる。 【００４７】 第６には、各デバイスを同一のツール作業プロセスを用いて構成しているので
、出来上がったデバイスの異なる部分が極めて均一に整列している。各デバイス
の低い部分（前記ビーム及び接触バンプ）を、前記接触部に対して正確に整列さ
せて、フォトレジストプロセス及び電気メッキプロセスに固有の、処理による変
動を吸収するための追加的な余裕を設ける必要がなくなる。また、電気メッキプ
ロセスの「マッシュルーム」効果を排除することができ、これによってもデバイ
スの大きさが低減される。異なるデバイス３００の整列の変動を低減し、実質的
に排除することによって、密度が増加している試験デバイス上の接触パッドに適
した、大幅に低減したピッチを得ることができる。 【００４８】 第７には、出来上がったデバイスの形状を誂え形状にして、最適な機械的性能
を提供することができる。発明の背景の部分に記述したような摺動機能を提供す
るために、このデバイスは接触子上に傾斜したビーム及びバンプを有すべきもの
である。デバイス３００は、その尾部３０２と接触部２６０との間に傾斜面３０
４を具えることができる。傾斜面３０４が、デバイス３００の長手部分に沿った
強度を増加させて、これにより尾部３０２を頭部３０６よりも薄くすることが可
能になる。デバイス３００の傾斜プロセス中にデバイスに加わるトルク力は、デ
バイス３００の長手上で減少しがちであり、これに対応してデバイス３００は、
傾斜面３０４によって規定される、より薄い材料を有する。より薄い尾部３０２
及びこれに隣接した材料によって、過剰な傾斜が生じた場合に、デバイス３００
の尾部３０２が試験デバイスに影響を与える可能性がより小さくなる。デバイス
３００の改良した形状は、必要な金属材料の量も低減する。 【００４９】 第８には、「ルックアップ（検査）」カメラを用いて、膜プローブの低い部分
の画像を得て、試験デバイス上の接触パッドに対するデバイス３００の精密な位
置を決定することができる。「ルックアップ」カメラを用いることにより、膜デ
バイスを接触パッドに対して自動的に整列させることが可能になり、これにより
自動試験を実行することができる。膜プローブ上のデバイス３００の画像を得る
ために、「ルックアップ」カメラは通常ライトを利用して、デバイス３００を照
明する。不都合なことに、慣例の平面処理技法によって、ビーム上、接触バンプ
上、及び接触部上に比較的平らな面が、「ルックアップ」カメラに垂直な向きに
できて、これらの各面が光を「ルックアップ」カメラに向けて反射する。すべて
の面から反射して「ルックアップ」カメラに戻る光が頻繁に、接触部２６０の正
確な位置に関して混乱を生じさせる。デバイス３００の傾斜面３０４は、低い位
置に置いた「ルックアップ」カメラから離れた所に入射光を反射しがちであるが
、接触部３０６は、低い位置に置いた「ルックアップ」カメラに向けて入射光を
反射しがちである。主に接触部３０６から「ルックアップ」カメラに戻る光が、
この接触部の正確な位置に関して生じさせる潜在的な混乱は、より少ない。 【００５０】 ９番目には、基板２００の上面２０２の初期研磨によって、この上にパターン
化するポリイミド層用の、滑らかな整合下面ができる。基板２００をエッチング
除去、あるいは他の除去をした後に、ポリイミド層２２０の下面が滑らかになり
、出来上がったポリイミド層２２０は一般に、光学的に清澄である。従って、導
線と金属化したデバイス３００との間の空間は光学的に比較的透過性であり、こ
のためデバイスを位置決めするオペレータ（操作者）は直ちに、導線とデバイス
との間にあるデバイスを透視することができる。このことは、さもなければ隠れ
て見えないデバイス上に膜プローブを手動で位置決めするオペレータの手助けと
なる。これに加えて、デバイス３００のピラミッド形は、オペレータが、試験デ
バイス上の接触パッドに対する接触部の正確な位置を、より容易に決めることを
可能にして、この位置は以前には、広幅のビーム構造によって（接触部に関して
は）隠れていた。 【００５１】 第１０には、図２２に示すように、デバイスの接触部２６０をロジウム３４０
の外面付きで構成することが好ましく、ロジウムは通常、約５ミクロンの厚さだ
け有効にメッキすることができる。ロジウムのメッキプロセスは準正角的であり
、このため出来上がった層は、外部側面３５２及び３５４に対して垂直な方向に
約５ミクロンの厚さである。前記接触部の最上部３５０の幅、及びツール２１０
の側面３５２及び３５４の角度は、両側面３５２及び３５４上にメッキしたロジ
ウム３４０が好適に結合してＶ形を形成するように選択する。デバイスの残り部
分はニッケルにすることが好ましい。ロジウム３４０の厚さは、外部側面に対し
て垂直な方向には５ミクロンのみであるが、デバイスの最上部３５０から直下の
方向の厚さは５ミクロンより大きい。従って、使用中に概ね最上部３５０から直
下方向に磨耗する接触部が、最上部を単に厚さ５ミクロンのロジウムでメッキし
た場合よりも長く存続する。 【００５２】 第１１には、試験デバイスの接触パッド上に、前述した摺動効果をもたらすよ
うに、接触部２６０の表面組織を選択することができる。特に、前記ツールが対
応する接触部上に粗くした表面パターンを具えて、すべてのデバイスに均一な表
面組織を提供することができる。 【００５３】 第１３には、本発明の構成技法の使用は、処理ステップ数を減少させたことに
より、デバイスの構成を比較的迅速にして、結果として実質的にコストを節減す
る。 【００５４】 前述した構成技法は、デバイスの形状に関していくつかの利点をもたらし、さ
もなければデバイスの形状は、構成不可能でないにしても構成困難である。 【００５５】 第１には、前記ツールが、摺動作用を望まない場合には単純なバンプのような
いずれの所望の形状も提供することができる。 【００５６】 第２には、単に金属の一部をより大きな接触バンプによって支持することとは
対照的に、接触部２６０まで傾斜した試験デバイスの支持側面が、支持部２６０
用の優秀な機械的支持を提供する。こうした傾斜側面からの支持により、この接
触部がデバイスから離れる恐れをなくして、この接触部をより小さくすることが
できる。より小さい接触部は、デバイスが傾斜して試験デバイスの接触パッドの
表面に蓄積した酸化物を貫通する際に、この接触パッドとの接触の改善を行う。
これに加えて、デバイスの尾部３０２を、このデバイスの残りの部分よりも実質
的に薄くして、これにより、試験中にデバイスを傾斜させた際に、尾部３０２が
試験デバイスの接触パッドに衝撃を与えることの起こりやすさを低減する。 【００５７】 第３には、プローブヘッドが所定の圧力を加えるものとすれば、デバイスの接
触部が加える圧力が、デバイスの回転の中心を変化させることによって変化する
。デバイスの回転の中心は、デバイスの長さ、及びこのデバイスに対する前記接
触部の位置／高さを選択することによって選択することができる。従って、前記
圧力を所望のように選択して、２つの異なる接触パッドの特性を整合させること
ができる。 【００５８】 第４には、図２３に示すように、デバイス上の痕跡が三角形であることは、デ
バイスの横方向の高い安定性を可能にしつつ、デバイス間のピッチの低減を可能
にする。デバイスの接触部４０３を、試験デバイスの多数の接触パッド用に、直
線状の配列に整列させることが好ましい。あるいはまた、デバイスの三角形部分
を互いに逆向きに整列させる。 【００５９】 第５には、デバイスの下面から高く持ち上げた接触部を構成することができる
ことにより、デバイスの高さ及び構造的な強度を引き続き維持しつつ、デバイス
下面の必要な移動量を小さくして、デバイスが摺動動作を行うことが可能になる
。試験中に良好な電気的接触を行うためのデバイスの下面の移動量が小さいこと
により、デバイスの下面より下の層の応力が低減される。従って、ポリイミド層
及び導線が破断されることの起こりやすさが低減される。 【００６０】 ハンダ（ソルダー）バンプ上の酸化物層、あるいはプリント回路ボード上のハ
ンダバンプのような、「フリップチップ」パッケージ（封止）技術で使用すべき
ウエハー上のハンダボールをプローブする際に、これらの上に発達した酸化物層
は、有効に貫通させることが困難である。図２４に示すように、慣例の膜プロー
ブの接触部をハンダバンプ上に接触させる際には、酸化物２８５が接触部２８９
と共にハンダバンプ２８７中に押し込まれがちであり、貧弱な相互接続になる。
慣例の針プローブをハンダバンプ上で用いる際には、これらの針がハンダバンプ
上で滑って、ハンダバンプ内で下向きに屈曲して、針上に屑を集めがちであり、
針プローブの清掃は時間がかかって面倒なことである。さらに、針プローブが不
均一なプローブ痕跡をハンダバンプ上に残す。フリップチップに使用したハンダ
バンプをプローブする際には、ハンダバンプの上部に残ったプローブ痕跡が、そ
の中にフラックスを捕えがちであり、これを過熱した際に破裂して、相互接続を
劣化させるか、さもなければ破壊する。図２５及び図２６に、ハンダバンプをプ
ローブするのに適した、改善したデバイス構成を示す。デバイスの上部に、垂直
方向から15度のように急傾斜した一対の側面２９１及び２９３を具え、これらの
側面は好適に研磨してある。傾斜側面２９１及び２９３は、これらの頂点に尖鋭
な稜線２９５を形成することが好ましい。側面２９１及び２９３の角度を、これ
らの側面とハンダバンプ上の酸化物との間の摩擦係数に関連して選択して、酸化
物で被覆された表面を、主に側面２９１及び２９３の表面に沿って滑りやすくす
るか、さもなければ切り取られるようにして、デバイスがハンダバンプを貫通す
るにつれて、この被覆された表面が、これらの側面に乗って大きく移動しないよ
うにする。図２７に示すように、前記実質的に尖鋭な稜線は、接触後に、ハンダ
バンプ全体にわたって伸びる痕跡（戻り止め）も提供する。その後に、ハンダバ
ンプをフラックスとともに加熱することによって、フラックスがハンダバンプの
側面から出ることになり、これにより破裂の可能性を回避することができる。こ
れに加えて、結果的にハンダバンプ上に残った痕跡が現実に均一になり、これに
より、ハンダバンプの製造者が設計において、出来上がった痕跡について説明す
ることができる。また、デバイスがハンダバンプとの加圧接触を行うのではなく
、ハンダバンプに切り込みやすいので、デバイスに加えるべき必要な力がより少
なくなる。前側面よりも平らな表面４０５は、ハンダボール（バンプ）内に深く
切り込みすぎることを防止する。 【００６１】 図２８に示すように、ハンダバンプを試験するためのより広い接触領域を提供
するために、ワッフルパターンを使用することができる。 【００６２】 図２９に示すように、代案のデバイスは、好適にはアーチ（弓形）３１５の端
にある一対の突起３１１および３１３を具えている。突起３１１と３１３との間
隔は、試験すべきハンダバンプ３１７の直径未満であることが好ましい。こうし
た配置によって、突起３１１及び３１３がハンダバンプ３１７の側面に当たって
、これによりハンダバンプ３１７の上部に痕跡を残さない。ハンダバンプ３１７
の側面上の痕跡によって、その後に使用するフラックスが、この痕跡内に捕えら
れて破裂することが、より少なくなる。これに加えて、デバイスをハンダバンプ
３１７の中心に合わせて整列していなくても、突起３１１及び３１３の一方がな
お一層、ハンダバンプ３１７に当たりやすくなる。 【００６３】 以前のデバイス構成技法でできたデバイスは、かなり大きく、かつ確実に整列
させることが困難な接触部を具えていた。図３０に示すように、本発明により改
善した技法によって、本願の発明者は、膜プローブを使用して、試験デバイス上
の接触パッドへの「真の」ケルビン接続を行うことができるという認識に至った
。一対のデバイス３５１及び３５３を、これらの接触部３５５及び３５７が互い
に隣接するように整列させる。この配列によって、一方のデバイスをケルビン試
験の構成の「力」として、他方のデバイスを「感知」部分とすることができる。
接触部３５５及び３５７が共に、試験デバイス上の同じ接触パッドに接触する。
ケルビン接続のより詳細な分析については、Fink, D.G.編集の、Electronics En
gineers' Handbook, 1st ed.、McGraw-Hill出版社、1975年、17〜61節、17〜25
ページの"The Kelvin Double Bridge"、及び米国特許出願番号08/864,287に記載
されており、これらの両者を参考文献として本明細書に含める。 【００６４】 本発明により構成したデバイスには、使用する技法、所望の使用法、及び達成
した構造に応じて、前述した利点の全部または一部が存在することは明らかであ
る。 【図面の簡単な説明】 【図１】 プローブヘッドに固定した膜プローブアセンブリ、及びこのアセンブ
リによってプローブ（触針）するのに適した位置のチャック上に支持したウェハ
ーの透視図である。 【図２】 支持要素及びフレキシブル膜アセンブリを含めた、図１のプローブア
センブリの種々の部品の下面図、及びこの膜アセンブリ上の対応する線に接続し
たデータ／信号線を有するプローブカードの破断図である。 【図３】 図１の膜プローブアセンブリの側面図であり、膜アセンブリの一部を
破除して、支持要素の隠れた部分を示している。 【図４】 好適な支持要素の上面図である。 【図５】 図５ａ、図５ｂは、支持要素及び膜アセンブリを傾斜させて、試験中
のデバイスの向きに合わせることができる方法を示す側面図である。 【図６】 図２の膜アセンブリの構成の中央の領域を拡大した上面図である。 【図７】 図７ａ、図７ｂは、図６の線７ａ−７ａに沿って切り取った断面図で
あり、最初に接触前の接触子を示し、次に接触後の同じ接触子、及びこの接触子
のパッド上を摺動する動きを示す。 【図８】 図７ａ、図７ｂの接触子が最初に「着地」した瞬間を破線で示し、パ
ッドがさらに垂直に行き過ぎた後の瞬間を実線で示した側面図である。 【図９】 図９ａ及び図９ｂは、エラストマー層が変形して接触子がパッドに接
触する様子を示す図である。 【図１０】 図８のデバイスの長軸方向の断面図である。 【図１１】 図８のデバイスの横断面図である。 【図１２】 図１０及び図１１に示すデバイスをより精密に描いた図である。 【図１３】 図１１に示すデバイスの詳細図であり、処理中にできる不均一な層
を示す。 【図１４】 基板を図式的に示した図である。 【図１５】 ツール、特に本発明のディンプリングツールの好適実施例を図式的
に示した図である。 【図１６】 図１５のツールが図１４の基板に接触するところを図式的に示した
図である。 【図１７】 図１５のツールが図１４の基板に接触した後の、図１４の基板を図
式的に示す図である。 【図１８】 上にポリイミド層を支持している図１４の基板の断面図である。 【図１９】 図１６のツールをｚ軸止め具と共に図式的に示した図である。 【図２０】 軌跡、くぼみ内の導電材料、及び上部に追加的なポリイミド層を有
する図１４の基板の断面図である。 【図２１】 図２０のデバイスを、基板を除去して逆にした図である。 【図２２】 図２１の接触部を破断した断面図である。 【図２３】 本発明のデバイスの一構成を図式的に示した図である。 【図２４】 慣例の接触部の接点及びハンダバンプの酸化層を図式的に示した図
である。 【図２５】 プローブ部を伸長した代案のデバイスの平面図である。 【図２６】 プローブ部を伸長した図２５のデバイスの側面図である。 【図２７】 図２５及び図２６のデバイスによる結果としての痕跡を有するハン
ダバンプを図式的に示した図である。 【図２８】 他の代案のプローブデバイスを図式的に示した図である。 【図２９】 ハンダバンプに適したさらなる代案のプローブデバイスを図式的に
示す図である。 【図３０】 本発明のデバイスを用いた真のケルビン接続の側面図である。

【手続補正書】 【提出日】平成１４年２月４日（２００２．２．４） 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】特許請求の範囲 【補正方法】変更 【補正の内容】 【特許請求の範囲】 【請求項１】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 前記基板内に第１の窪みを作製するステップと； (c) 前記第１の窪み内に導電材料を配置するステップと； (d) 前記導電材料に導線を接続するステップと； (e) 前記導電材料を支持する膜を付加して、前記導電材料が、前記膜と前記基板
との間に位置するようにするステップと； (f) 前記導電材料から前記基板を除去するステップと を具えていることを特徴とする膜プローブの構成方法。 【請求項２】 前記第１の窪みをツールを用いて作製することを特徴とする請求
項１に記載の方法。 【請求項３】 前記ツールを前記基板に加圧接触させるステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項２に記載の方法。 【請求項４】 前記ツールで第２の窪みを作製するステップをさらに具えている
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。 【請求項５】 前記ツールを前記基板に対して横方向に移動させて、前記第２の
窪みを作成するステップをさらに具えていることを特徴とする請求項４に記載の
方法。 【請求項６】 前記ツールに縦方向の止め具を形成するステップを具えているこ
とを特徴とする請求項２に記載の方法。 【請求項７】 前記ツールが、前記第１の窪みを作製するために使用する成形部
を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。 【請求項８】 前記成形部が傾斜した側壁を有することを特徴とする請求項７に
記載の方法。 【請求項９】 前記導線よりも先に、前記膜を付加することを特徴とする請求項
７に記載の方法。 【請求項１０】 前記成形部が、尾部と頭部との間に傾斜面を有することを特徴
とする請求項７に記載の方法。 【請求項１１】 前記成形部が頭部及び尾部を有して、該尾部が該頭部よりも薄
いことを特徴とする請求項７に記載の方法。 【請求項１２】 前記基板が延性材料であることを特徴とする請求項１に記載の
方法。 【請求項１３】 前記ツールを、前記基板よりも硬い材料から形成することを特
徴とする請求項２に記載の方法。 【請求項１４】 第２の窪みを作製するステップをさらに具えていることを特徴
とする請求項１に記載の方法。 【請求項１５】 前記第１の窪みが前記第２の窪みよりも実質的に小さいことを
特徴とする請求項１４に記載の方法。 【請求項１６】 前記基板上に絶縁層をパターン化するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項１７】 前記第１の窪みを作製するよりも先に、前記基板上に前記絶縁
層をパターン化することを特徴とする請求項１６に記載の方法。 【請求項１８】 前記絶縁層が開口部を規定して、該開口部に相当する位置に、
前記第１の窪みを作成することを特徴とする請求項１６に記載の方法。 【請求項１９】 前記絶縁材料が、ニッケル及びロジウムのうちの少なくとも１
つを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項２０】 前記導電材料上にロジウムの外部層を形成するステップをさら
に具えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項２１】 前記ロジウムの外部層がＶ形を形成することを特徴とする請求
項２０に記載の方法。 【請求項２２】 前記第１の窪み内に導電材料を配置するステップが、前記支持
体上に前記導電材料を電気メッキするステップを具えていることを特徴とする請
求項１に記載の方法。 【請求項２３】 前記導電材料を均一に堆積させることを特徴とする請求項１に
記載の方法。 【請求項２４】 前記導電材料を前記第１の窪み内に配置した後に、前記導電材
料を平坦化するステップをさらに具えていることを特徴とする請求項１に記載の
方法。 【請求項２５】 前記導電材料が、前記膜支持体の支持面に対して傾斜したほぼ
平らな表面を有するように、前記第１の窪みを形成するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項２６】 前記導電材料がほぼピラミッド形になるように、前記第１の窪
みを形成するステップをさらに具えていることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 【請求項２７】 前記第１の窪みを作製するよりも先に、前記基板を研磨するス
テップをさらに具えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項２８】 前記導電材料上に、粗くした面を形成するステップをさらに具
えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項２９】 前記基板が結晶粒を有し、前記第１の窪みが前記結晶粒に対し
て傾斜したほぼ平らな表面を少なくとも１つ有して、該表面と前記結晶粒の間に
鋭角を規定することを特徴とする請求項１に記載の方法。 【請求項３０】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の伸長した接触子とを具え、該接触子の各々
が、少なくともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、前記接触子の各々が、
前記電気的デバイスとの加圧接触に応答して傾斜して、前記接触子の各々が、前
記膜に対して傾斜して、前記膜に対して鋭角を規定するほぼ平らな表面を少なく
とも１つ有することを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項３１】 前記接触子が尾部及び接触部を有して、前記傾斜した表面が、
前記尾部と前記接触部との間に存在することを特徴とする請求項３０に記載のプ
ローブアセンブリ。 【請求項３２】 前記傾斜した表面が、前記接触子の側面であることを特徴とす
る請求項３０に記載のプローブアセンブリ。 【請求項３３】 前記接触子を一体化したことを特徴とする請求項３０に記載の
プローブアセンブリ。 【請求項３４】 前記接触子がほぼピラミッド形であることを特徴とする請求項
３０に記載のプローブアセンブリ。 【請求項３５】 前記接触子が、広幅端及び狭幅端を有する痕跡を規定すること
を特徴とする請求項３０に記載のプローブアセンブリ。 【請求項３６】 前記接触子の各々がそれぞれの接触部を有し、該接触部を直線
状の配列に整列させたことを特徴とする請求項３０に記載のプローブアセンブリ
。 【請求項３７】 前記接触子の各々がそれぞれの接触部を有し、該接触部を直線
状の配列に整列させ、１つの前記接触子の広幅端が他の前記接触子の狭幅端に隣
接するように、前記接触子を配列したことを特徴とする請求項３５に記載のプロ
ーブアセンブリ。 【請求項３８】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持され、前記導体に接続した伸長した接触子とを具え、前
記接触子が前記電気的デバイスとの加圧接触に応答して傾斜して、前記接触子が
伸長部、及び該伸長部の上方に位置する接触部を有して、前記接触部と前記伸長
部とを互いに一体化したことを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項３９】 前記伸長部が尾部、及び前記伸長部に沿って延在し、かつ前記
尾部から離れた傾斜面を有することを特徴とする請求項３８に記載のプローブア
センブリ。 【請求項４０】 前記伸長部が、前記膜に対して傾斜して前記膜との間に鋭角を
規定する側面を有することを特徴とする請求項３８に記載のプローブアセンブリ
。 【請求項４１】 前記接触子がほぼピラミッド形であることを特徴とする請求項
３８に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４２】 前記接触子が、広幅端及び狭幅端のある痕跡を有することを特
徴とする請求項３８に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４３】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持され、前記導体に接続した接触子とを具え、該接触子が
、互いの間に鋭角を規定する一対の側面を有して下向きに突出して伸びる稜線を
有し、該稜線が、前記電気的デバイス上の酸化物層を切り開くのに適したもので
あることを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項４４】 前記一対の側面が接合して、前記稜線を形成することを特徴と
する請求項４３に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４５】 前記稜線が、前記接触子のほぼ全体にわたって延在することを
特徴とする請求項４３に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４６】 前記接触子がさらに、前記稜線を支持する平らな表面を具えて
いることを特徴とする請求項４３に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４７】 下向きに突出して伸長した複数の稜線をさらに具えていること
を特徴とする請求項４３に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４８】 前記複数の稜線が、ワッフル形のパターンを形成することを特
徴とする請求項４７に記載のプローブアセンブリ。 【請求項４９】 前記接触子がアーチ形を規定して、前記稜線が前記アーチ形の
一端に位置することを特徴とする請求項４３に記載のプローブアセンブリ。 【請求項５０】 前記接触子が、前記アーチ形の他端に伸長した他の稜線を有す
ることを特徴とする請求項４９に記載のプローブアセンブリ。 【請求項５１】 酸化物面のある電気的パッドを有する電気的デバイスをプロー
ブ検査する方法において、 (a) 互いの間に鋭角を規定する一対の傾斜面を有する伸長した稜線を有する接触
子を形成するステップと； (b) 前記接触子を試験装置に接続するステップと； (c) 前記稜線を前記電気的パッド上に押し付けるステップと； (d) 前記酸化物面を前記稜線から切り取るステップと； (e) 前記稜線を前記電気的パッド中に貫通させるステップと； (f) 前記試験装置を用いて前記電気的デバイスを試験するステップと を具えていることを特徴とするプローブ検査方法。 【請求項５２】 前記一対の傾斜側面を接合することを特徴とする請求項５１に
記載の方法。 【請求項５３】 前記接触子上に止め具面を設けるステップをさらに具えている
ことを特徴とする請求項５１に記載の方法。 【請求項５４】 前記接触子上に他の伸長した稜線を設けるステップをさらに具
えていることを特徴とする請求項５１に記載の方法。 【請求項５５】 前記稜線どうしを平行にすることを特徴とする請求項５４に記
載の方法。 【請求項５６】 前記稜線どうしを直交させることを特徴とする請求項５４に記
載の方法。 【請求項５７】 前記接触子でアーチ形を形成することを特徴とする請求項５１
に記載の方法。 【請求項５８】 前記稜線を前記アーチ形の一端に配置することを特徴とする請
求項５８に記載の方法。 【請求項５９】 前記電気的パッドがハンダバンプであることを特徴とする請求
項５１に記載の方法。 【請求項６０】 接触パッドを有する電気的デバイスをプローブ検査する方法に
おいて、 (a) 一対の接触子を膜上に形成するステップと； (b) 前記一対の接触子を試験装置に電気的に接続するステップと； (c) 前記接触子の両方を前記接触パッド上に押し付けるステップと； (d) 前記試験装置を用いて、前記電気的デバイスを前記接触パッドの所で試験す
るステップと を具えていることを特徴とするプローブ検査方法。 【請求項６１】 前記膜によって支持される一対の導体を設けて、前記導体の各
々を前記試験装置に接続して、前記接触子の一方を前記導体の一方に接続して、
前記接触子の他方を前記導体の他方に接続するステップをさらに具えていること
を特徴とする請求項６０に記載の方法。 【請求項６２】 前記一対の接触子の各々を前記接触パッドに電気的に加圧接触
させる際に、前記一対の接触子を傾斜させるステップをさらに具えていることを
特徴とする請求項６０に記載の方法。 【請求項６３】 前記接触子によって、前記接触パッドから酸化物面を除去する
ステップをさらに具えていることを特徴とする請求項６０に記載の方法。 【請求項６４】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 層内に複数の開口部を規定するパターン化層を、前記基板上に載せるステッ
プと； (c) 前記開口部のうちの少なくとも１つに対してツールを整列させて、前記開口
部の少なくとも一部分のパターンにもとづいて、前記開口部内に第１組の窪みを
作製するステップと； (d) 前記開口部のうちの少なくとも１つに対して前記ツールを再整列させて、前
記開口部の少なくとも一部分のパターンにもとづいて、前記開口部内に第２組の
窪みを作製するステップと (e) 複数の前記窪み内に導電材料を配置して、その後に、該導電材料から前記基
板を除去するステップと を具えていることを特徴とするプローブの作製方法。 【請求項６５】 前記導電材料に導線を接続するステップをさらに具えているこ
とを特徴とする請求項６４に記載の方法。 【請求項６６】 前記導電材料を支持する膜を付加するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項６５に記載の方法。 【請求項６７】 前記導線を前記導電材料に接続した後に、前記膜を付加するこ
とを特徴とする請求項６６に記載の方法。 【請求項６８】 前記基板中にツールを押し込むことによって、前記窪みを作製
することを特徴とする請求項６４記載の方法。 【請求項６９】 前記ツールを前記基板に対して横方向に移動させて、前記窪み
を作製するステップを具えていることを特徴とする請求項６８記載の方法。 【請求項７０】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 前記基板上に層を載せて、その後に、該層内に複数の開口部を規定するよう
に前記層をパターン化するステップと； (c) 前記層に前記パターン化を行った後に、前記開口部内に一組の窪みを作製す
るステップと； (d) 前記窪み内に導電材料を配置するステップと； (e) 前記導電材料から前記基板を除去するステップと を具えていることを特徴とするプローブの作製方法。 【請求項７１】 前記導電材料に導線を接続するステップをさらに具えているこ
とを特徴とする請求項７０に記載の方法。 【請求項７２】 前記導電材料を支持する膜を付加するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項７１に記載の方法。 【請求項７３】 前記導線を前記導電材料に接続した後に、前記膜を付加するこ
とを特徴とする請求項７２に記載の方法。 【請求項７４】 前記基板中にツールを押し込むことによって、前記窪みを作製
することを特徴とする請求項７０に記載の方法。 【請求項７５】 前記ツールを前記基板に対して横方向に移動させるステップを
具えていることを特徴とする請求項７４に記載の方法。 【請求項７６】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 前記基板中にツールを押し込むことによって、前記基板内に一組の窪みを作
製し、前記ツールの一部分であり、前記ツールから外向きに伸びて前記基板に加
圧接触する部分によって、前記窪みの深さを少なくとも部分的に制御して、これ
により、前記基板の前記ツールに対する相対移動の継続を阻止するステップと；
(c) 前記窪み内に導電材料を配置するステップと； (d) 前記導電材料から前記基板を除去するステップと を具えていることを特徴とするプローブの作製方法。 【請求項７７】 前記導電材料に導線を接続するステップをさらに具えているこ
とを特徴とする請求項７６に記載の方法。 【請求項７８】 前記導電材料を支持する膜を付加するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項７６に記載の方法。 【請求項７９】 前記導線を前記導電材料に接続した後に、前記膜を付加するこ
とを特徴とする請求項７８に記載の方法。 【請求項８０】 前記ツールを前記基板に対して横方向に移動させて、前記窪み
を作製するステップを具えていることを特徴とする請求項７８に記載の方法。 【請求項８１】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の接触子とを具え、該接触子の各々が、少な
くともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、 (e) さらに前記複数の接触子が (i) 前記接触子の接触部に存在し、第１接触抵抗を有する第１材料と； (ii) 前記第１接触抵抗よりも大きい第２接触抵抗を有する第２材料から構
成されることを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項８２】 前記第１材料が導電性のロジウムであることを特徴とする請求
項８１に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８３】 前記第２材料が導電性のニッケルであることを特徴とする請求
項８２に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８４】 前記接触子の各々が、前記電気的デバイスとの接触に応答して
傾斜することを特徴とする請求項８１に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８５】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の接触子とを具え、該接触子の各々が、少な
くともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、 (e) さらに前記複数の接触子が (i) 前記接触子の接触部に位置する第１材料と； (ii) 前記第１材料を支持し、前記第１材料とは異なる第２材料から構成さ
れ、 前記第１材料の、前記膜に垂直な方向の奥行きが、前記第１材料の側面に垂直
な方向の奥行きよりも大きいことを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項８６】 前記第１材料が導電性のロジウムであることを特徴とする請求
項８５に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８７】 前記第２材料が導電性のニッケルであることを特徴とする請求
項８６に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８８】 前記電気的デバイスとの加圧接触に応答して、前記接触子の各
々が傾斜することを特徴とする請求項８５に記載のプローブアセンブリ。 【請求項８９】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 前記基板の結晶構造と無関係の側壁を少なくとも１つ有する一組の窪みを、
前記基板内に作製するステップと； (c) 前記窪み内に導電材料を配置するステップと； (d) 前記導電材料から前記基板を除去するステップと を具えていることを特徴とするプローブの作製方法。 【請求項９０】 前記導電材料に導線を接続するステップをさらに具えているこ
とを特徴とする請求項８９に記載の方法。 【請求項９１】 前記導電材料を支持する膜を付加するステップをさらに具えて
いることを特徴とする請求項９０に記載の方法。 【請求項９２】 前記導電材料に前記導線を接続した後に、前記膜を付加するこ
とを特徴とする請求項９１に記載の方法。 【請求項９３】 ツールを前記基板に対して横方向に移動させて、前記窪みを作
製するステップを具えていることを特徴とする請求項８９に記載の方法。 【請求項９４】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにおい
て、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の伸長した接触子とを具え、該伸長した接触
子の各々が、少なくともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、前記伸長した
接触子の各々が、前記電気的デバイスとの加圧接触に応答して傾斜し、 (e) さらに前記伸長した接触子が、 (i) 前記電気的デバイスに加圧接触するように配置した接触部を具え； (ii) 該接触部から伸びる物体の主要部の厚さが、前記接触部からの距離と
共に減少することを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項９５】 前記主要部の厚さが直線的に減少することを特徴とする請求項
９４に記載のプローブアセンブリ。 【請求項９６】 前記接触部と前記物体とを互いに一体化したことを特徴とする
請求項９４に記載のプローブアセンブリ。 【請求項９７】 前記接触部と前記物体とが互いに同一組成であることを特徴と
する請求項９６に記載のプローブアセンブリ。 【請求項９８】 前記伸長した接触子がほぼピラミッド形であることを特徴とす
る請求項９４に記載のプローブアセンブリ。 【請求項９９】 前記接触部が前記膜に対してほぼ平行であり、前記主要部が、
前記膜に対して傾斜していることを特徴とする請求項９４に記載のプローブアセ
ンブリ。 【請求項１００】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにお
いて、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の接触子とを具え、該接触子の各々が、少な
くともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、 (e) さらに前記接触子が、前記電気的デバイスに加圧接触するように配置した接
触部を具え、前記各接触子の前記接触部が、ほぼ同一の非平滑な表面組織を有す
ることを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項１０１】 前記接触子が、前記電気的デバイスとの接触に応答して傾斜
することを特徴とする請求項１００に記載のプローブアセンブリ。 【請求項１０２】 前記接触部が、前記膜に対してほぼ平行であることを特徴と
する請求項１００に記載のプローブアセンブリ。 【請求項１０３】 電気的デバイスをプローブ検査するプローブアセンブリにお
いて、 (a) 支持体と； (b) 該支持体上に位置する膜と； (c) 該膜によって支持される複数の伸長した導体と； (d) 前記膜によって支持される複数の伸長した接触子とを具え、該伸長した接触
子の各々が、少なくともそれぞれの前記導体に電気的に接続され、 (e) さらに前記伸長した接触子が、前記電気的デバイスとの接触部付近に第１の
幅を有し、該第１の幅が、前記接触子の前記接触部とは逆の端付近の第２の幅よ
りも小さいことを特徴とするプローブアセンブリ。 【請求項１０４】 前記伸長した接触子の各々が、前記電気的デバイスとの加圧
接触に応答して傾斜することを特徴とする請求項１０３に記載のアセンブリ。 【請求項１０５】 前記接触部の各々を直線状の配列に整列させて、１つの前記
接触子の前記逆の端が、他の前記接触子の前記逆の端でない方の端に隣接するよ
うに、前記接触子を整列させたことを特徴とする請求項１０３に記載のアセンブ
リ。 【請求項１０６】 前記接触部の各々を、１つの軸に沿った配列に概略整列させ
て、前記軸に垂直な方向に関して、１つの前記接触子の前記逆の端が、この接触
子に隣接する前記接触子の前記逆の端に重複していることを特徴とする請求項１
０５に記載のアセンブリ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ， ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，Ｎ Ｏ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ， ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ケネス エイ スミス アメリカ合衆国 オレゴン州 97223 ポ ートランド エスダブリュー アシュデー ル ドライヴ 7245 (72)発明者 マイケル エイ ベイン アメリカ合衆国 ワシントン州 98661 ヴァンクーヴァー クラーク 3719 (72)発明者 ティモシー レーシャー アメリカ合衆国 オレゴン州 97008 ビ ーヴァートン エスダブリュー プリンセ ス アヴェニュー 6875 (72)発明者 マーティン コクシー アメリカ合衆国 オレゴン州 97123 ヒ ルスボロ エスダブリュー ローノク コ ート 3663 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA01 DD03 DJ32

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 (a) 基板を用意するステップと； (b) 前記基板内に窪みを作製するステップと； (c) 前記窪み内に導電材料を配置するステップと； (d) 前記導電材料に導線を接続するステップと； (e) 前記導電材料から前記基板を除去するステップと を具えていることを特徴とする膜プローブの製造方法。