JPH0833413B2 - 試験用プロ−ブ - Google Patents
試験用プロ−ブInfo
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- JPH0833413B2 JPH0833413B2 JP62001561A JP156187A JPH0833413B2 JP H0833413 B2 JPH0833413 B2 JP H0833413B2 JP 62001561 A JP62001561 A JP 62001561A JP 156187 A JP156187 A JP 156187A JP H0833413 B2 JPH0833413 B2 JP H0833413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flexible membrane
- dut
- test probe
- contact
- pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、被試験デバイスの入出力パッドに接触して
信号の入出力を行なうためのプローブ針を備えた試験用
プローブに関する。
信号の入出力を行なうためのプローブ針を備えた試験用
プローブに関する。
従来技術でできた集積回路の試験用プローブは、いく
つかの重要な制限を持っている。それらの試験用プロー
ブは、集積回路上の限定された数の入出力パッドに接続
され、その集積回路を試験するための信号は、低周波数
が用いられている。また、各プローブ針は典型的に、タ
ングステン・ワイヤで作られており、その鋭い針先は、
電気的接触を低インピーダンスにするために、集積回路
上の入出力パッドを掘り進む。これらの試験用プローブ
は100以下の入出力パッドを持つ集積回路には、充分使
える。しかしながら、プローブ針の数が150以上になる
と扱いにくく、実用的でなくなる。また、製作が難し
く、かつ、高価な物となり、短絡や損傷も生じやすく、
また、プローブ針相互間に不必要な静電結合を生じやす
くなる。加えて、信号の品質も劣下する。プローブ針相
互間の静電結合はクロストークを引き起こす。インピー
ダンスの不整合は、信号の反射を引き起こす。プローブ
針のもつ高インダクタンスは、帯域幅を制限する。
つかの重要な制限を持っている。それらの試験用プロー
ブは、集積回路上の限定された数の入出力パッドに接続
され、その集積回路を試験するための信号は、低周波数
が用いられている。また、各プローブ針は典型的に、タ
ングステン・ワイヤで作られており、その鋭い針先は、
電気的接触を低インピーダンスにするために、集積回路
上の入出力パッドを掘り進む。これらの試験用プローブ
は100以下の入出力パッドを持つ集積回路には、充分使
える。しかしながら、プローブ針の数が150以上になる
と扱いにくく、実用的でなくなる。また、製作が難し
く、かつ、高価な物となり、短絡や損傷も生じやすく、
また、プローブ針相互間に不必要な静電結合を生じやす
くなる。加えて、信号の品質も劣下する。プローブ針相
互間の静電結合はクロストークを引き起こす。インピー
ダンスの不整合は、信号の反射を引き起こす。プローブ
針のもつ高インダクタンスは、帯域幅を制限する。
集積回路技術の進歩は、あきらかに、従来の試験用プ
ローブで試験できた事以上の試験要求を持つ集積回路を
生み出した。これらの集積回路は150以上の入出力パッ
ドを持っている。さらに、これらのパッドは、すべて、
チップの表面にあり、周辺ではない。したがって、これ
らのチップを試験する試験用プローブは、それに対応す
る数のプローブ針を、チップの全表面を探針できるよう
に配置しなければならない。
ローブで試験できた事以上の試験要求を持つ集積回路を
生み出した。これらの集積回路は150以上の入出力パッ
ドを持っている。さらに、これらのパッドは、すべて、
チップの表面にあり、周辺ではない。したがって、これ
らのチップを試験する試験用プローブは、それに対応す
る数のプローブ針を、チップの全表面を探針できるよう
に配置しなければならない。
集積回路は、100MHzあるいはそれ以上の周波数で動作
する。従来のプローブはこのような高周波数の信号を大
きく歪ませる。それゆえ、低周波数の信号での試験に制
限される。この主なる制限は動作周波数における試験を
デバイスのパッケージング後に延ばす。パッケージング
は典型的なもので、集積回路それ自体の値段の３〜４倍
の費用がかかる。パッケージング後で、不良の集積回路
を捨てることは、損害が大きい。さらに、この集積回路
が表面実装技術が使われているマルチチップキャリアに
実装されている時は、損害はいっそう大きくなる。一般
に、表面実装デバイスは、その他の表面実装デバイスを
持つマルチチップキャリアのような第２レベルのパッケ
ージの中に実装するまでは、試験することができない。
この時点で不良が見つかると、手直しの費用が高くな
る。これを避けるため、表面実装用の集積回路は、ウェ
ハー段階で、動作周波数における試験が行なわれるべき
である。
する。従来のプローブはこのような高周波数の信号を大
きく歪ませる。それゆえ、低周波数の信号での試験に制
限される。この主なる制限は動作周波数における試験を
デバイスのパッケージング後に延ばす。パッケージング
は典型的なもので、集積回路それ自体の値段の３〜４倍
の費用がかかる。パッケージング後で、不良の集積回路
を捨てることは、損害が大きい。さらに、この集積回路
が表面実装技術が使われているマルチチップキャリアに
実装されている時は、損害はいっそう大きくなる。一般
に、表面実装デバイスは、その他の表面実装デバイスを
持つマルチチップキャリアのような第２レベルのパッケ
ージの中に実装するまでは、試験することができない。
この時点で不良が見つかると、手直しの費用が高くな
る。これを避けるため、表面実装用の集積回路は、ウェ
ハー段階で、動作周波数における試験が行なわれるべき
である。
本発明は、DUTの入出力パッドと試験用プローブの接
触パッドとの間の高さのバラツキの補正（アライメン
ト）が容易にでき、したがって、両者間の接触圧，接触
抵抗も各接点ごとに均一にできると共に、100MHz以上の
高周波数の信号においても、ウェーハー段階でのDUTの
試験ができる、多数接触パッドを有する試験用プローブ
を提供することを目的とする。
触パッドとの間の高さのバラツキの補正（アライメン
ト）が容易にでき、したがって、両者間の接触圧，接触
抵抗も各接点ごとに均一にできると共に、100MHz以上の
高周波数の信号においても、ウェーハー段階でのDUTの
試験ができる、多数接触パッドを有する試験用プローブ
を提供することを目的とする。
本発明の一実施例の試験用プローブは、集積回路上の
何千もの入出力パッドをアクセスする能力を持つ。ま
た、パッケージされる前の集積回路上での高周波数試験
も行なうことができる。本発明の試験用プローブは柔軟
性のある膜（flexible membrane,以下フレキシブル・メ
ンブレーンと書く）上にリード線（lead）や接触パッド
（contact pad）を作るために、集積回路リソグラフィ
ー（integrated circuit lithography）を用いている。
本発明は、多用途で、相対的に安価で、正確な接触を集
積回路上の何百、何千もの入出力パッドに与える。この
試験用プローブの接触パッドの込み具合は集積回路リソ
グラフィー技術によってのみ制限を受けるので、集積回
路上のトランジスタ密度に常に追従できる。
何千もの入出力パッドをアクセスする能力を持つ。ま
た、パッケージされる前の集積回路上での高周波数試験
も行なうことができる。本発明の試験用プローブは柔軟
性のある膜（flexible membrane,以下フレキシブル・メ
ンブレーンと書く）上にリード線（lead）や接触パッド
（contact pad）を作るために、集積回路リソグラフィ
ー（integrated circuit lithography）を用いている。
本発明は、多用途で、相対的に安価で、正確な接触を集
積回路上の何百、何千もの入出力パッドに与える。この
試験用プローブの接触パッドの込み具合は集積回路リソ
グラフィー技術によってのみ制限を受けるので、集積回
路上のトランジスタ密度に常に追従できる。
集積回路リソグラフィーを用いて、リード線や接触パ
ッドを形成することは、いくつかの便利な点がある。こ
の印刷技術を用いると、接触パッドを正確に、かつ、入
り組んだパターンの中に作成することができる。また、
接触パッドへ接続するリード線を正確な仕様を満たす伝
送線として、形成することもできる。リード線とテスタ
ーの駆動回路との間の信号反射または、電圧反射を減じ
るように、また、隣接するリード線間のクロストークを
減じるように、伝送線路パラメータを選ぶこともでき
る。
ッドを形成することは、いくつかの便利な点がある。こ
の印刷技術を用いると、接触パッドを正確に、かつ、入
り組んだパターンの中に作成することができる。また、
接触パッドへ接続するリード線を正確な仕様を満たす伝
送線として、形成することもできる。リード線とテスタ
ーの駆動回路との間の信号反射または、電圧反射を減じ
るように、また、隣接するリード線間のクロストークを
減じるように、伝送線路パラメータを選ぶこともでき
る。
フレキシブル・メンブレーンは、いくつかの便利な点
を持っている。インピーダンス整合用デバイスとバイパ
スコンデンサを、被試験デバイス、すなわち、DUTのよ
り近くに設置することができる。また、フレキシブル・
メンブレーンは、DUTと試験用プローブ間の高さのバラ
ツキを補正するために、変形させることもできる。DUT
の入力インピーダンスは、リード線及びテスターの駆動
回路の出力インピーダンスと大きく違っていても良い。
このことは、インピーダンス整合用デバイスをDUTの近
くに設置することによって補正できる。このことは、伝
送線路とDUT間の信号の歪みを最小にし、かつ、電力伝
送を最大にする。フレキシブル・メンブレーンは、電源
用バイパスコンデンサをDUTの近くに設置することも可
能にする。DUTに近接してこれらのコンデンサを設置す
ることは、DUTとコンデサ間のパスのインダクタンスを
最小限にし、電源電圧を安定化する。フレキシブル・メ
ンブレーンに与えられる圧力は、DUTの入出力パッドに
接触パッドを押しつけるように働く。その圧力は、高分
子ばね（polymeric spring）のようなばねデバイスによ
って与えられる。高分子ばねの寸法は、フレキシブル・
メンブレーンの接触パッドがDUTに押しつけられる時、
その接触パッドと、DUTの入出力パッド間にこすり作用
（scrubbing action）が生じるように選ばれる。フレキ
シブル・メンブレーンの接触パッドは、硬質のさびない
導体または、必要なら、硬質の導体で被覆された電気メ
ッキ接点であっても良い。
を持っている。インピーダンス整合用デバイスとバイパ
スコンデンサを、被試験デバイス、すなわち、DUTのよ
り近くに設置することができる。また、フレキシブル・
メンブレーンは、DUTと試験用プローブ間の高さのバラ
ツキを補正するために、変形させることもできる。DUT
の入力インピーダンスは、リード線及びテスターの駆動
回路の出力インピーダンスと大きく違っていても良い。
このことは、インピーダンス整合用デバイスをDUTの近
くに設置することによって補正できる。このことは、伝
送線路とDUT間の信号の歪みを最小にし、かつ、電力伝
送を最大にする。フレキシブル・メンブレーンは、電源
用バイパスコンデンサをDUTの近くに設置することも可
能にする。DUTに近接してこれらのコンデンサを設置す
ることは、DUTとコンデサ間のパスのインダクタンスを
最小限にし、電源電圧を安定化する。フレキシブル・メ
ンブレーンに与えられる圧力は、DUTの入出力パッドに
接触パッドを押しつけるように働く。その圧力は、高分
子ばね（polymeric spring）のようなばねデバイスによ
って与えられる。高分子ばねの寸法は、フレキシブル・
メンブレーンの接触パッドがDUTに押しつけられる時、
その接触パッドと、DUTの入出力パッド間にこすり作用
（scrubbing action）が生じるように選ばれる。フレキ
シブル・メンブレーンの接触パッドは、硬質のさびない
導体または、必要なら、硬質の導体で被覆された電気メ
ッキ接点であっても良い。
メンブレーンの柔軟性は、接触パッド近くのメンブレ
ーンを局所的に薄くすることによって増すことができ
る。この最高に正確な加工は、レーザを使うことによっ
て可能となる。また、レーザは、試験用プローブの伝送
線とグランド層間に、接合素子，抵抗，コンデンサ，能
動素子のような素子を実装するために、フレキシブル・
メンブレーンに穴を開けるために用いることもできる。
ーンを局所的に薄くすることによって増すことができ
る。この最高に正確な加工は、レーザを使うことによっ
て可能となる。また、レーザは、試験用プローブの伝送
線とグランド層間に、接合素子，抵抗，コンデンサ，能
動素子のような素子を実装するために、フレキシブル・
メンブレーンに穴を開けるために用いることもできる。
本発明の試験用プローブは、マルチチップキャリアの
高密度基板を試験するためにも使用され得る。これらの
基板は、何千ものリード線及び接触パッドを持ってい
る。集積回路をこれらの基板に実装する前に、これらの
基板を試験することは、お金と時間の節約になる。これ
ゆえ、DUTとしては、集積回路、マルチチップキャリア
の基板、または、多くの入出力パッドを持つ他のデバイ
スなどが対象となり得る。
高密度基板を試験するためにも使用され得る。これらの
基板は、何千ものリード線及び接触パッドを持ってい
る。集積回路をこれらの基板に実装する前に、これらの
基板を試験することは、お金と時間の節約になる。これ
ゆえ、DUTとしては、集積回路、マルチチップキャリア
の基板、または、多くの入出力パッドを持つ他のデバイ
スなどが対象となり得る。
本発明の好ましい実施例によれば、第１図及び第２図
に示された試験用プローブ10が提供される。第１図は、
試験用プローブ10の破断図である。フレキシブル・メン
ブレーン１は、プリント回路基板３に、クランプ７によ
って留められている。クランプ７は、また、フレキシブ
ル・メンブレーン１を押す高分子ばね９のガイドの役目
もする。表面実装デバイス５は、たとえば、DUTとリー
ド線15間のインピーダンス整合に用いられるものであ
り、プリント回路基板３に実装されている。しかしなが
ら、表面実装デバイスはフレキシブル・メンブレーン１
へもまた、実装できる。
に示された試験用プローブ10が提供される。第１図は、
試験用プローブ10の破断図である。フレキシブル・メン
ブレーン１は、プリント回路基板３に、クランプ７によ
って留められている。クランプ７は、また、フレキシブ
ル・メンブレーン１を押す高分子ばね９のガイドの役目
もする。表面実装デバイス５は、たとえば、DUTとリー
ド線15間のインピーダンス整合に用いられるものであ
り、プリント回路基板３に実装されている。しかしなが
ら、表面実装デバイスはフレキシブル・メンブレーン１
へもまた、実装できる。
第２図は、試験用プローブ10の平面図である。本発明
の好ましい実施例におけるプリント回路基板３は円形で
ある。プリント回路基板３の周囲に沿って存在する外部
接触パッド13は、試験用プローブ10を、試験機器へ実装
するのを容易にする。プリント回路基板へメンブレーン
を保持するためのクランプ７は、環状の構造になってい
る。クランプ７はDUTとの試験用プローブ10のアライメ
ント（alignment）をとるため、中心に穴が開いてい
る。第２図には、クランプ７の破断図が示してあり、フ
レキシブル・メンブレーン１が、露出している。フレキ
シブル・メンブレーン１は、透明の誘導体膜21である。
高分子ばね９と、窓11もまた、透明である。このこと
は、試験用プローブ10のDUTとのアライメントを容易に
する。フレキシブル・メンブレーン１上のリード線15
は、接触パッド17に介してDUTと信号の入出力を行な
う。接触パッドは、第７図に示すように、接点をハンダ
づけによってリード線15に付けることによって形成して
も良い。あるいは、接触パッド17はメッキ処理によって
形成することができる。
の好ましい実施例におけるプリント回路基板３は円形で
ある。プリント回路基板３の周囲に沿って存在する外部
接触パッド13は、試験用プローブ10を、試験機器へ実装
するのを容易にする。プリント回路基板へメンブレーン
を保持するためのクランプ７は、環状の構造になってい
る。クランプ７はDUTとの試験用プローブ10のアライメ
ント（alignment）をとるため、中心に穴が開いてい
る。第２図には、クランプ７の破断図が示してあり、フ
レキシブル・メンブレーン１が、露出している。フレキ
シブル・メンブレーン１は、透明の誘導体膜21である。
高分子ばね９と、窓11もまた、透明である。このこと
は、試験用プローブ10のDUTとのアライメントを容易に
する。フレキシブル・メンブレーン１上のリード線15
は、接触パッド17に介してDUTと信号の入出力を行な
う。接触パッドは、第７図に示すように、接点をハンダ
づけによってリード線15に付けることによって形成して
も良い。あるいは、接触パッド17はメッキ処理によって
形成することができる。
第３図は、フレキシブル・メンブレーン１の拡大図で
ある。リード線15は誘電体膜21上にある。グランド面19
は誘電体膜21上で、リード線15と反対側の面にある。試
験用プローブ10のDUT53とのアライメントを容易にする
ため、グランド面19は、高分子ばね９と窓11の下側に当
たる部分の誘電体膜21上には形成しない。図に示した接
触パッド17はメッキ処理を用いて形成している。これら
の接触パッド17は、蒸発技術または、スパッタリング技
術を用いても形成されうる。高分子ばね９は、フレキシ
ブル・メンブレーン１の上面にあり、主に、リード線15
に当たり、また、空隙の中へいささか膨らんでいる。高
分子ばね９は、リード線15と窓11の間にばね力をもたら
す。使用時は、試験用プローブ10は、これの接触パッド
17が、試験されるDUT53の入出力パッド55に接触するよ
うに、DUT53とでアライメントされる。
ある。リード線15は誘電体膜21上にある。グランド面19
は誘電体膜21上で、リード線15と反対側の面にある。試
験用プローブ10のDUT53とのアライメントを容易にする
ため、グランド面19は、高分子ばね９と窓11の下側に当
たる部分の誘電体膜21上には形成しない。図に示した接
触パッド17はメッキ処理を用いて形成している。これら
の接触パッド17は、蒸発技術または、スパッタリング技
術を用いても形成されうる。高分子ばね９は、フレキシ
ブル・メンブレーン１の上面にあり、主に、リード線15
に当たり、また、空隙の中へいささか膨らんでいる。高
分子ばね９は、リード線15と窓11の間にばね力をもたら
す。使用時は、試験用プローブ10は、これの接触パッド
17が、試験されるDUT53の入出力パッド55に接触するよ
うに、DUT53とでアライメントされる。
本発明の別の実施例において、フレキシブル・メンブ
レーン１は、数層から成るリード線15とポリイミド層21
から構成され得る。多数の入出力パッドを持つ高密度デ
バイスを試験する時、１つのフレキシブル・メンブレー
ン１上にすべてのリード線15を設けるために、多層構造
のリード線15とポリイミド層21が必要である。このよう
な本発明の実施例において、接触パッド17はフレキシブ
ル・メンブレーン１の表面に存在する。接触パッド17を
表面から離れたいくつかの層にあるリード線に接続する
ために、スルーホールが層間に形成されなければならな
い。
レーン１は、数層から成るリード線15とポリイミド層21
から構成され得る。多数の入出力パッドを持つ高密度デ
バイスを試験する時、１つのフレキシブル・メンブレー
ン１上にすべてのリード線15を設けるために、多層構造
のリード線15とポリイミド層21が必要である。このよう
な本発明の実施例において、接触パッド17はフレキシブ
ル・メンブレーン１の表面に存在する。接触パッド17を
表面から離れたいくつかの層にあるリード線に接続する
ために、スルーホールが層間に形成されなければならな
い。
試験用プローブ10の製作はいくつかの段階から成る。
第4A図は、フレキシブル・メンブレーン１が形成される
原材料を示している。この材料は、多くの業者から購入
でき、透明の誘電体層21と導電層25から成っている。本
発明の好ましい実施例においては、誘電体層はポリイミ
ドからできているが、他の多くの柔軟性のある絶縁材料
も使用できる。第4B図は、リード線15が形成された後の
フレキシブル・メンブレーン１の平面図を示している。
リソグラフィー技術を使うと、リード線15はフレキシブ
ル・メンブレーン１上にパターンとして形成される。リ
ード線15が形成された後で、グランド面19が、第5A図に
示されるように、ポリイミド層21上に被覆される。スパ
ッタリング技術を含むいろいろな技術がグランド面19を
形成するのに用いられる。リード線15用に付加されたシ
ールドは、リード線15のどちら側かに、グランドと結合
した導体を形成することによって得られる。接触パッド
17を形成するために、穴27が、第5B図に示すように、ポ
リイミド層21にあけられる。穴27は、たとえば、レーザ
加工によって開けられる。これらの穴27は、その後、接
触パッド17を形成するために、第5C図に示すように、メ
ッキによって埋められる。多層から成るフレキシブル・
メンブレーン１は同様の方法で作られる。
第4A図は、フレキシブル・メンブレーン１が形成される
原材料を示している。この材料は、多くの業者から購入
でき、透明の誘電体層21と導電層25から成っている。本
発明の好ましい実施例においては、誘電体層はポリイミ
ドからできているが、他の多くの柔軟性のある絶縁材料
も使用できる。第4B図は、リード線15が形成された後の
フレキシブル・メンブレーン１の平面図を示している。
リソグラフィー技術を使うと、リード線15はフレキシブ
ル・メンブレーン１上にパターンとして形成される。リ
ード線15が形成された後で、グランド面19が、第5A図に
示されるように、ポリイミド層21上に被覆される。スパ
ッタリング技術を含むいろいろな技術がグランド面19を
形成するのに用いられる。リード線15用に付加されたシ
ールドは、リード線15のどちら側かに、グランドと結合
した導体を形成することによって得られる。接触パッド
17を形成するために、穴27が、第5B図に示すように、ポ
リイミド層21にあけられる。穴27は、たとえば、レーザ
加工によって開けられる。これらの穴27は、その後、接
触パッド17を形成するために、第5C図に示すように、メ
ッキによって埋められる。多層から成るフレキシブル・
メンブレーン１は同様の方法で作られる。
次に、フレキシブル・メンブレーン１は、第6A図に示
すように、多層プリント回路基板３に接続される。リー
ド線15は、プリント回路基板３上のそれぞれ対応する導
体29に接続する。接続は、ポリイミド層21に穴31を開
け、これらの穴を導電性材料で埋めることによって成さ
れる。回路基板上の導体29は、テスターと接続する外部
接触パッド13に接続している。表面実装デバイス５は、
プリント回路基板３上に置かれ、リード15に接続してい
る回路基板上の導体29に接続している。試験用プローブ
の接触パッド17は、加圧された時、入出力パッド55の表
面をこする。この特性は、試験用プローブ10に盛り込ま
れ、電気的接触が良くなるように、入出力パッド55から
酸化物やほこりを取り除く。フレキシブル・メンブレー
ン１と高分子ばね９の特徴はこすり作用を引き起こすこ
とである。ポリイミド層21のひずみパラメータは、接触
パッド17が入出力パッド55に押しつけられた時、接触パ
ッドに横方向の力が加わるように選ばれる。また、高分
子ばね９のパラメータも、接触パッド17を横方向に押す
ように選ばれる。
すように、多層プリント回路基板３に接続される。リー
ド線15は、プリント回路基板３上のそれぞれ対応する導
体29に接続する。接続は、ポリイミド層21に穴31を開
け、これらの穴を導電性材料で埋めることによって成さ
れる。回路基板上の導体29は、テスターと接続する外部
接触パッド13に接続している。表面実装デバイス５は、
プリント回路基板３上に置かれ、リード15に接続してい
る回路基板上の導体29に接続している。試験用プローブ
の接触パッド17は、加圧された時、入出力パッド55の表
面をこする。この特性は、試験用プローブ10に盛り込ま
れ、電気的接触が良くなるように、入出力パッド55から
酸化物やほこりを取り除く。フレキシブル・メンブレー
ン１と高分子ばね９の特徴はこすり作用を引き起こすこ
とである。ポリイミド層21のひずみパラメータは、接触
パッド17が入出力パッド55に押しつけられた時、接触パ
ッドに横方向の力が加わるように選ばれる。また、高分
子ばね９のパラメータも、接触パッド17を横方向に押す
ように選ばれる。
次に、クランプ７は、リード線15とプリント回路基板
上の導体29との間の接続を低インピーダンスにするた
め、第6B図に示したように、プリント回路基板３とフレ
キシブル・メンブレーン１とを留める。試験用プローブ
10の製作の最終段階で、第１図に示された、高分子ばね
９と透明な窓11が付けられる。クランプ７の中心におけ
る穴の組み合わせ、すなわち、窓11、透明な高分子ばね
９及び透明なポリイミド層21は接触パッド17とDUT51の
入出力パッド55とのアライメントを目で見ながら行なう
ことを可能にする。
上の導体29との間の接続を低インピーダンスにするた
め、第6B図に示したように、プリント回路基板３とフレ
キシブル・メンブレーン１とを留める。試験用プローブ
10の製作の最終段階で、第１図に示された、高分子ばね
９と透明な窓11が付けられる。クランプ７の中心におけ
る穴の組み合わせ、すなわち、窓11、透明な高分子ばね
９及び透明なポリイミド層21は接触パッド17とDUT51の
入出力パッド55とのアライメントを目で見ながら行なう
ことを可能にする。
第７図は、本発明の代替実施例を示す。この実施例に
おいて、リード線15は、フレキシブル・メンブレーン１
の下面にある。接触パッド17には半球状のボール63が取
り付けられている。ボール63は、タングステン・カーバ
イドのような酸化しない硬質導体から作られている。別
の１組の穴61はテスターに容易に接続できるように、プ
リント回路基板３の上面に、リード線15からの信号を持
って来るように、ポリイミド層21,グランド・シールド1
9及びプリント回路基板３を通して穴が開けられてい
る。他の１組の穴65はグランド・シールド19をプリント
回路基板３の上面に接続している。ボール63は、密閉さ
れた室（chamber）67からの圧力によってDUTに押し当て
られる。
おいて、リード線15は、フレキシブル・メンブレーン１
の下面にある。接触パッド17には半球状のボール63が取
り付けられている。ボール63は、タングステン・カーバ
イドのような酸化しない硬質導体から作られている。別
の１組の穴61はテスターに容易に接続できるように、プ
リント回路基板３の上面に、リード線15からの信号を持
って来るように、ポリイミド層21,グランド・シールド1
9及びプリント回路基板３を通して穴が開けられてい
る。他の１組の穴65はグランド・シールド19をプリント
回路基板３の上面に接続している。ボール63は、密閉さ
れた室（chamber）67からの圧力によってDUTに押し当て
られる。
密閉された室67は、気体または、液体で満たされ、こ
れが加圧されて、フレキシブル・メンブレーン１を外側
へそらせる。この加圧は、ノズル73を通して、気体また
は液体を付加することによって生じる。密閉された室67
が液体で満たされている時、加圧は、室67の壁を内側に
移動することによって得られる。液体は圧縮できないの
で、フレキシブル・メンブレーン１は、外方向へ押され
る。アライメント用窓69及び71は、接触パッド17がDUT
の入出力パッドとでアライメントされ得るように、透明
になっている。
れが加圧されて、フレキシブル・メンブレーン１を外側
へそらせる。この加圧は、ノズル73を通して、気体また
は液体を付加することによって生じる。密閉された室67
が液体で満たされている時、加圧は、室67の壁を内側に
移動することによって得られる。液体は圧縮できないの
で、フレキシブル・メンブレーン１は、外方向へ押され
る。アライメント用窓69及び71は、接触パッド17がDUT
の入出力パッドとでアライメントされ得るように、透明
になっている。
少なくとも一部の領域81を、レーザ加工処理により溝
を形成して薄くすることによって、メンブレーン１の柔
軟性を増すことができる。第8B図は、第8A図の破断図を
示している。レーザによって接触パッド17及びリード線
15の近くの、フレキシブル・メンブレーン１の一部分を
取り除いている。
を形成して薄くすることによって、メンブレーン１の柔
軟性を増すことができる。第8B図は、第8A図の破断図を
示している。レーザによって接触パッド17及びリード線
15の近くの、フレキシブル・メンブレーン１の一部分を
取り除いている。
集積回路を試験するために、試験用プローブ10を使用
する時、以下の段階を踏む。接触パッド17が、DUT53の
入出力パッド55と適合するように、フレキシブル・メン
ブレーン１上に形成される。試験用プローブ10にフレキ
シブル・メンブレーン１が実装される。試験用プローブ
10は、外部接触パッド13を通してテスターに接続され
る。試験用プローブ10は、フレキシブル・メンブレーン
１上の接触パッド17がDUT53上の入出力パッド55とでア
ライメントがとれるように、DUT53とでアライメントが
なされる。試験用プローブ10は、DUT53に押しつけられ
る。テスターが試験を行う。試験用プローブ10はDUT53
から取り外される。
する時、以下の段階を踏む。接触パッド17が、DUT53の
入出力パッド55と適合するように、フレキシブル・メン
ブレーン１上に形成される。試験用プローブ10にフレキ
シブル・メンブレーン１が実装される。試験用プローブ
10は、外部接触パッド13を通してテスターに接続され
る。試験用プローブ10は、フレキシブル・メンブレーン
１上の接触パッド17がDUT53上の入出力パッド55とでア
ライメントがとれるように、DUT53とでアライメントが
なされる。試験用プローブ10は、DUT53に押しつけられ
る。テスターが試験を行う。試験用プローブ10はDUT53
から取り外される。
以上説明したように、本発明を用いることにより、高
密度（何千という数からなる）の接触パッド及びリード
線を有する、相対的安価な試験用プローブが提供され
る。また、このプローブは、柔軟性のあるメンブレーン
及び高分子ばねによってDUTの入出力パッドと試験用プ
ローブの接触パッドとの間の高さのバラツキの補正（ア
ライメント）が容易にでき、両者間の接触圧，接触抵抗
も各接点ごとに均一にできる。少なくとも一部の接触パ
ッドの近くを溝を形成して薄くすることにより、メンブ
レーンの柔軟性はいっそう増すので、この効果をさらに
大きくすることができる。入出力パッドと接触パッド間
のこすり作用は両者間の電気的接触を良くする。さら
に、リード線によって構成される伝送線路の特性インピ
ーダンスを調節することができるなど、高周波特性も優
れているので100MHz以上の信号におけるウェーハ段階で
のDUTの試験も可能となる。このことは、パッケージ後
に不良が発見された場合の、コスト的なむだが省けるこ
とを意味する。また、透明な窓を設けることは、水平方
向のアライメントを容易にする。
密度（何千という数からなる）の接触パッド及びリード
線を有する、相対的安価な試験用プローブが提供され
る。また、このプローブは、柔軟性のあるメンブレーン
及び高分子ばねによってDUTの入出力パッドと試験用プ
ローブの接触パッドとの間の高さのバラツキの補正（ア
ライメント）が容易にでき、両者間の接触圧，接触抵抗
も各接点ごとに均一にできる。少なくとも一部の接触パ
ッドの近くを溝を形成して薄くすることにより、メンブ
レーンの柔軟性はいっそう増すので、この効果をさらに
大きくすることができる。入出力パッドと接触パッド間
のこすり作用は両者間の電気的接触を良くする。さら
に、リード線によって構成される伝送線路の特性インピ
ーダンスを調節することができるなど、高周波特性も優
れているので100MHz以上の信号におけるウェーハ段階で
のDUTの試験も可能となる。このことは、パッケージ後
に不良が発見された場合の、コスト的なむだが省けるこ
とを意味する。また、透明な窓を設けることは、水平方
向のアライメントを容易にする。
第１図は、本発明の試験用プローブの好ましい実施例の
断面を示す図。第２図は、第１図に示された本発明の好
ましい実施例の平面図。第３図は、第１図に示されたフ
レキシブル・メンブレーンの断面の拡大図。第4A図は、
リード線及び接触パッドが形成される前のフレキシブル
・メンブレーンの側面図。第4B図は、リード線及び接触
パッドが形成された後の第4A図に示すフレキシブル・メ
ンブレーンの平面図。第5A図は、グランド・シールドが
形成された後の第4B図の断面図。第5B図は、接触パッド
用に開けられた穴を持つ、第5A図のようなメンブレーン
を示す図。第5C図は、メッキされた接触パッドを持つ第
5B図のようなメンブレーンを示す図。第6A図は、表面実
装デバイスが付加されている第5C図のようなメンブレー
ンを示す図。第6B図は、プリント回路基板フレームにク
ランプされた第6A図に示されたような実装されたメンブ
レーンを示す図。第７図は、気圧ばね（pneumatic spri
ng）及び接触パッド用ボールを備えた、本発明の別の実
施例を示す図。第8A図及び第8B図は、リード線及び接触
パッドの回りが薄くされたメンブレーンを備えた、第4B
図に示されたフレキシブル・メンブレーンの別の実施例
を示す図。 1:フレキシブル・メンブレーン、3:プリント回路基板、
5:表面実装デバイス、7:クランプ、9:高分子ばね、10:
試験用プローブ、11:窓、13:外部接触パッド、15:リー
ド線、17:接触パッド、19:グランド面、21:誘電体膜、2
9:導体、53:DUT、55:入出力パッド、63:ボール、69,71:
アライメント用窓、73:ノズル。
断面を示す図。第２図は、第１図に示された本発明の好
ましい実施例の平面図。第３図は、第１図に示されたフ
レキシブル・メンブレーンの断面の拡大図。第4A図は、
リード線及び接触パッドが形成される前のフレキシブル
・メンブレーンの側面図。第4B図は、リード線及び接触
パッドが形成された後の第4A図に示すフレキシブル・メ
ンブレーンの平面図。第5A図は、グランド・シールドが
形成された後の第4B図の断面図。第5B図は、接触パッド
用に開けられた穴を持つ、第5A図のようなメンブレーン
を示す図。第5C図は、メッキされた接触パッドを持つ第
5B図のようなメンブレーンを示す図。第6A図は、表面実
装デバイスが付加されている第5C図のようなメンブレー
ンを示す図。第6B図は、プリント回路基板フレームにク
ランプされた第6A図に示されたような実装されたメンブ
レーンを示す図。第７図は、気圧ばね（pneumatic spri
ng）及び接触パッド用ボールを備えた、本発明の別の実
施例を示す図。第8A図及び第8B図は、リード線及び接触
パッドの回りが薄くされたメンブレーンを備えた、第4B
図に示されたフレキシブル・メンブレーンの別の実施例
を示す図。 1:フレキシブル・メンブレーン、3:プリント回路基板、
5:表面実装デバイス、7:クランプ、9:高分子ばね、10:
試験用プローブ、11:窓、13:外部接触パッド、15:リー
ド線、17:接触パッド、19:グランド面、21:誘電体膜、2
9:導体、53:DUT、55:入出力パッド、63:ボール、69,71:
アライメント用窓、73:ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アーマンド・ピー・ニューカマンズ アメリカ合衆国カリフォルニア州パロ・ア ルト・アービュータス・アベニュー 3510 (72)発明者 ブライアン・シー・レスリー アメリカ合衆国カリフォルニア州パロ・ア ルト・ホーソーン 516 (72)発明者 ジャック・デー・フォスター アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・レネッタ・コート 856 (72)発明者 マイケル・グリーンスタイン アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・コビングトン・ロード 860 (72)発明者 ファリッド・マッタ アメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテ ン・ビュー・フィロメナ・コート 3374 (72)発明者 ロバート・ジョリー アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・エヌ・クラーク 321 (56)参考文献 特開 昭60−260861（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−179747（ＪＰ，Ｕ) カナダ国特許893307（ＣＡ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】フレキシブル・メンブレーン手段と、 前記フレキシブル・メンブレーン手段上に形成された複
数の接触パッドと、 前記フレキシブル・メンブレーン手段上に形成され、か
つ、前記接触パッドに接続される複数のリード線と、 前記フレキシブル・メンブレーン手段に、少なくとも一
部の接触パッドに隣接して形成された溝手段と、 前記フレキシブル・メンブレーン手段を反らせるための
手段と、 を備えて成る試験用プローブ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US81666686A | 1986-01-07 | 1986-01-07 | |
| US816666 | 2001-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182672A JPS62182672A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0833413B2 true JPH0833413B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=25221311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62001561A Expired - Lifetime JPH0833413B2 (ja) | 1986-01-07 | 1987-01-07 | 試験用プロ−ブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0230348A2 (ja) |
| JP (1) | JPH0833413B2 (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891585A (en) * | 1986-09-05 | 1990-01-02 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
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| EP0298219A3 (en) * | 1987-06-08 | 1990-08-01 | Tektronix Inc. | Method and apparatus for testing unpackaged integrated circuits in a hybrid circuit environment |
| US4912399A (en) * | 1987-06-09 | 1990-03-27 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
| EP0304868A3 (en) * | 1987-08-28 | 1990-10-10 | Tektronix Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
| US4980637A (en) * | 1988-03-01 | 1990-12-25 | Hewlett-Packard Company | Force delivery system for improved precision membrane probe |
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| JPH0252048U (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | ||
| JPH02293670A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-12-04 | Tektronix Inc | 回路基板用プローブ装置 |
| JP2585811B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1997-02-26 | 日本電子材料株式会社 | プロ―ブカ―ド |
| JPH0782031B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1995-09-06 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード |
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| EP0508707A1 (en) * | 1991-04-12 | 1992-10-14 | Texas Instruments Incorporated | System for testing on-wafer devices |
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| JPH0763788A (ja) * | 1993-08-21 | 1995-03-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | プローブおよび電気部品／回路検査装置ならびに電気部品／回路検査方法 |
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| US6496026B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-12-17 | Microconnect, Inc. | Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground |
| DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
| AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
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| DE202004021093U1 (de) | 2003-12-24 | 2006-09-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
| US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
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| US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
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| WO2023237546A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Technoprobe S.P.A. | Improved measurement system for the testing of high-frequency devices |
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-
1987
- 1987-01-07 JP JP62001561A patent/JPH0833413B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-07 EP EP19870300110 patent/EP0230348A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0230348A2 (en) | 1987-07-29 |
| JPS62182672A (ja) | 1987-08-11 |
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