JPH0763788A

JPH0763788A - プローブおよび電気部品／回路検査装置ならびに電気部品／回路検査方法

Info

Publication number: JPH0763788A
Application number: JP5228263A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Ueno; 俊明上野; Takeshi Kondo; 雄近藤
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1993-08-21
Filing date: 1993-08-21
Publication date: 1995-03-10
Also published as: US5491427A; EP0639777A1; KR950006469A

Abstract

(57)【要約】【目的】（１）多ピン，狭ピッチのプロービングを可
能とし、（２）被接触対象の大きさ，パッド配置等が変
更しても、該被接触対象毎にプローブを製造するといっ
た不都合を解消し、（３）長期間の使用に耐え得るプロ
ーブを提供し、（４）電気部品／回路検査装置の高性能
化を図る。【構成】ラインパターン６が形成された回路基板の該
回路基板面（フィルムプローブ１）に、導電性のプロー
ブ電極Ｂが格子状に形成され、かつ、規則的なピッチで
端子電極（電極パッド８）が形成された被接触対象（Ｌ
ＳＩチップ４）に用いられるプローブにおいて、各ライ
ンパターン６は、プローブ電極Ｂのうち所定の電極同士
を短絡しつつ放射状に形成されるとともに、前記被接触
対象が前記回路基板面に対して前記各端子電極同士が前
記ラインパターンによって短絡され得えない２以上の配
置を選択し得るように形成されてなることを手段とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、微小かつ狭ピッチの端
子を有する被接触対象に簡易に適用され、かつ低製造コ
スト，高信頼性のプローブ、およびこれを用いた電気部
品／回路検査装置（半導体デバイス等の電気的な検査を
行うための装置）ならびに電気部品／回路検査方法に係
り、特にＬＳＩのウェーハテストにおけるウェーハプロ
ービングや、多ピン高密度のＬＳＩパッケージテストに
おけるピンプロービングに際して好適に使用される上記
プローブおよび検査装置ならびに検査方法に関するもの
である。

【０００２】

【技術背景】半導体デバイスや他の電子部品の品質を保
証したり、製造工程を改良するのに、検査装置は欠かせ
ない。特に半導体検査装置には多くもの市販品があり
（横河・ヒューレット・パッカード社製９４８０Ａ，
９４９０等）、高度の検査技術が要求されている。ま
た、近年の半導体技術の進歩は目覚ましく、設計ルー
ル、集積度、そしてＩ／Ｏのピン数は年々増加する傾向
にある。ゲートアレイを例に取ると、図２３に示すよう
に数年後にはＬＳＩのピン数が１０００ピン以上、７０
μｍ以下のピッチを持つものが現れることが予想される
（高木亮一，植田昌弘，多田哲生：「多ピンプローブカ
ードの検討」電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−６
４１（１９９０）参照）。しかし、このようなピン数の
急激な増加、電極パッドサイズの縮小化により、現時点
においても困難であるウェーハテスト時のウェーハプロ
ービングや多ピン高密度のＬＳＩパッケージテスト時の
ピンプロービングが、一層難しくなり、これに伴って半
導体検査がより一層困難となるのは自明である。

【０００３】従来ウェーハプロービング装置に用いられ
た一般的なワイヤ式プローブは図２４に示すように配線
を施した剛性を有するエポキシプローブ基板７１上に、
リング７２を介してプローブ針７３を固定したものであ
る。このプローブでは、上記プローブ針７３の先端を試
験信号を被測定対象である図示しない半導体デバイスの
電極パッドに直接接触させることによって特性試験を行
っている。

【０００４】しかし、このようなプローブでは電極パッ
ド数が５００以上、パッドピッチ，パッドサイズが１０
０μｍ以下のウェーハプロービングに対応することは困
難である。その理由は、従来の加工技術ではプローブ針
の細径化に限界があり、針径が太いためにプローブ針を
多ピン，狭ピッチで基板に実装することが難しいことに
ある。また、特殊な加工技術を用いてプローブ針を細径
化したとしても、たとえば数万回のタッチダウンによ
り、針先と電極パッドとの接触抵抗が大きくなり、安定
した導通が得難くなるだけでなく、針先にクラックが発
生し易いという欠点がある。また、針先に電極パッドの
屑が付着，堆積したり、針先自身の摩耗もあるため、定
期的な針先の清掃，研磨が必要となることもある。

【０００５】さらに、ワイヤ式プローブの難点の１つは
その製造方法にある。すなわち、このようなプローブ
は、検査するＬＳＩチップ等の半導体デバイスの電極パ
ッドの位置に合わせて、プローブ針を一本づつ接着固定
するという極めて原始的な方法で製造される。したがっ
て、その製造コストは半導体デバイスのピン数の増加に
比例して大きくなる。また、その製造には作業者の熟練
が必要とされ、職人芸的な要素が大きく、工業的とはい
えない。

【０００６】しかも、当然ながら半導体デバイスの変更
に伴うパッドの位置，大ききの変更や、チップ自体の大
きさの変更に対応させるべく、半導体デバイス毎にプロ
ーブを作り直す必要があり、設計費用を含めたトータル
コストはかなり大きくなる。

【０００７】さらにまた、電気的な問題点として高速の
信号への対応が困難である点が挙げられる。すなわち、
被接触対象の電極パッドのピッチが小さくなるにつれ、
プローブ針のピッチもこれに応じて小さくなるが、通
常、狭ピッチのプローブではある程度の針の長さが必要
であり、一般には数ｃｍに及ぶ。このため、高速で動作
する半導体デバイスについての高周波特性試験において
は、細径化とともに増大するプローブ針の自己インダク
タンスに起因して雑音が発生したり、プローブ針のピッ
チの減少に伴ってプローブ針間のクロストークが増加し
たり、あるいはインピーダンスの不整合により伝送ロス
が大きくなったりする等、種々の問題が生じる。

【０００８】一方、高周波対応のワイヤ式プローブも開
発されている。このプローブでは、一般に短いプローブ
針が用いられるので、上記クロストークやインピーダン
スの不整合による不都合は緩和される。しかし、図２４
に示したワイヤ式プローブのように複数の針を一括して
設置するものではなく、単体で使用するものであるた
め、多ピン，狭ピッチの半導体デバイスに適用すること
はできない。

【０００９】このように従来のワイヤ式プローブでは、
多ピン，狭ピッチと高速，高周波の双方に対応すること
は極めて因難であった。この様な問題を解決するため
に、メンブレムプローブが提案されている（Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌＴｅｓｔＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅＰ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ（ＩＥＥＥ，１９８８年，６０１
〜６０７頁参照））。このプローブは、可撓性を有する
ポリイミド等の絶縁性の合成樹脂フィルムの表面にフォ
トリソグラフィー技術を用いて金属薄膜からなるライン
パターン、突起電極（コンタクトバンプ）を形成したも
のである。

【００１０】図２５は、メンブレムプローブの概略を示
す図であり、絶縁性の合成樹脂フィルム（誘電体薄膜）
８１の一方の面の、連通孔８２が形成された部分にコン
タクトバンプ８３が突出して形成され、他方の面には各
コンタクトバンプ８３に電気的に接続されるラインパタ
ーン８４が形成されている。なお、同図ではコンタクト
バンプ８３が形成された側の面にはグランド層８５が形
成されている。

【００１１】このメンブレムプローブによれば、原理的
にはパッド数が５００以上，パッドピッチが１００μｍ
以下のウェーハチップに対応することも可能であり、実
際にパッド数が数百以上，パッドピッチが１００μｍ以
下のメンブレムプローブの試作例が報告されている。

【００１２】このコンタクトバンプ８３が図２４に示し
たワイヤ式プローブのプローブ針７３に相当し、半導体
デバイスの電極パッドに接触することでラインパターン
８４を介して試験信号の送受が行われる。コンタクトバ
ンプ８３の直径は数十μｍ程度（すなわち突出高さは概
ねこの半分）とワイヤ式に比べて微小なため、この部分
での自己インダクタンスやクロストークの影響は皆無と
いってよい。また、図２５に示したように伝送路（ライ
ンパターン８４）はインピーダンス整合が可能なマイク
ロストリップライン構造とすることができるので、高速
信号の伝送においても反射の影響による波形歪やクロス
トークの少ない試験が可能である。また、図２５に示し
たように、グランド層８５を設け、伝送線路幅や伝送線
路間ピッチを最適に設計することによって、クロストー
クや伝送ロスを最小限に抑えることも可能である。

【００１３】しかし、上記のメンブレムプローブは、フ
ォトリソグラフィー技術を用いて製造するため、プロー
ブ針を使用する場合と違って、自由に金属材料を選択す
ることができないし、また焼き入れなどの処理も困難で
ある。すなわち、バンプ形成によく用いられるメッキ等
のプロセスでは選択できる金属には限界があり、また合
成樹脂フィルムを用いているため高温の熱処理はできな
い。したがって、コンタクトバンプの高硬度化に限界が
あり、耐久性に問題がある。

【００１４】耐久性に関してはコンタクトバンプのみな
らず、合成樹脂フィルムにも問題がある。一般的には合
成樹脂フィルムとしてポリイミド等の材料が使用される
ことが多いが、これらの合成樹脂材料は環境によっては
変質し易く、硬さや弾性率の変化が起こり易い。

【００１５】ワイヤ式プローブは、針先のクラックや摩
耗を除けばほぼ半永久的に使用できるので、メンブレム
プローブは、ワイヤ式プローブに比較して耐久性に劣る
ことが予想される。これらを解決するために、フォトリ
ソグラフィー技術の利点を活かして、大量生産すること
により、メンブレムプローブを使い捨てにすることにす
ればよい。しかし、現状ではメンブレムプローブの１枚
当たりの製造コストが高く、広く使用されるには至って
いない。

【００１６】そして、このプローブの最大の欠点はその
製造コストにある。メンブレムプローブにおいても、ワ
イヤ式プローブと同様に、パッドの位置や大きさの変
更、半導体デバイス自体の大きさの変化に対応したプロ
ーブを、半導体デバイス毎に作り直す必要がある。これ
は、メンブレムプローブにおいてフォトリソグラフィー
用のマスクの作り替えを意味しており、通常、最低でも
３枚から４枚のマスクを改めて設計、製作しなくてはな
らない。フォトリソグラフィー技術は同じものを大量に
生産するのには適しており、コストダウンも可能である
が、上記のように半導体デバイス毎にプロセスを構築す
るとなると、コストはかえって高くなる。

【００１７】メンブレムプローブは、ワイヤ式プローブ
と異なり、ピン数の増加に比例してコストが高くなるこ
とは無いが、それでも、５００ピン程度ではメンブレム
プローブのコストはワイヤ式プローブのコストとほとん
ど同等か、高くなっているのが現状である。この方法の
コストメリットが現れるのは１０００ピンクラス以上で
あると考えられる。

【００１８】また、上記したワイヤ式プローブやメンブ
レムプローブに限らず、半導体デバイス毎に設計される
従来のプローブには半導体デバイスメーカーの機密保持
の問題がある。半導体デバイスの製造メーカーは、同業
他社との競争を有利に進めるため、チップの大きさ，パ
ッド配置等は公表しないのが普通である。チップの大き
さやＩ／Ｏ数、パッド配置等が分かれば、そのメカニズ
ムの技術レベル等が推測できるからである。このため、
半導体デバイス毎に設計される従来のプローブでは半導
体デバイス製造メーカーがプローブを内製しない限り、
パッド配置等の情報をプローブメーカーに対して公表し
なくてはならないが、現状ではワイヤ式プローブあるい
はメンブレムプローブを製造しているメーカーと、半導
体デバイス製造メーカーとは必ずしも一致しておらず、
この機密保持の問題が無視できない状況にある。

【００１９】以上述べたように、従来のプローブのう
ち、ワイヤ式のものは、原理的に多ピン，狭ピッチのデ
バイス、高速，高周波数で動作するデバイスへのプロー
ビングには対応できないという問題点を有していた。ま
た、メンブレム式のものでは、フォトリソグラフィー技
術を用いることで、多ピン，狭ピッチのデバイス、高
速，高周波で動作する素子のプロービングには対応でき
るものの、デバイス毎にフォトマスクを作り直し、プロ
セスを構築する必要があるため、コストが高いという問
題点を有していた。そして、このようなプローブを必須
部分として含む電気部品／回路検査装置（たとえば、半
導体検査装置）の価格並びに保守料の増加も問題となっ
ていた。

【００２０】

【発明の目的】本発明は、上記のような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、（１）
多ピン，狭ピッチのプロービングを可能とすること、
（２）電気部品／回路検査装置において、被接触対象で
ある半導体デバイス，小型面実装部品の大きさ，パッド
配置等が変更しても、該被接触対象毎にプローブを製造
するといった不都合を解消すること、あるいは（３）長
期間の使用に耐え得るプローブを提供すること、そして
（４）電気部品／回路検査装置の高性能化を図ること等
にある。

【００２１】

【発明の概要】本発明のプローブは、（Ａ）複数のライ
ンパターンが形成された回路基板の該回路基板面に、導
電性のプローブ電極が１次元または２次元の格子状に形
成され、かつ、規則的なピッチで端子電極（電極パッ
ド）が形成された被接触対象に用いられるプローブであ
って、前記各ラインパターンは、前記プローブ電極のう
ち所定の電極同士を短絡しつつ放射状に形成されるとと
もに、前記被接触対象が前記回路基板面に対して前記各
端子電極同士が前記ラインパターンによって短絡され得
えない２以上の配置を選択し得るように形成されてなる
ことを基本的な特徴の１つとし、また、（Ｂ）プローブ
電極が、信号経路開閉手段を介し、被接触対象との接触
部位に格子状に配列されてなることをも基本的な特徴の
１つとしている。なお、本発明において、通常、プロー
ブ電極は突起電極とされるが、被接触対象に形成された
端子電極が突起している場合には、フラットな電極また
は凹状の電極とすることができる。

【００２２】上記（Ａ），（Ｂ）のプローブはそれぞれ
独立した技術思想に基づくものである。したがって、本
発明のプローブは、これら（Ａ），（Ｂ）のプローブは
相互に無関係に実施することもできるし、後述するよう
に（Ａ），（Ｂ）の双方の技術思想を包含する態様で実
施することもできる。

【００２３】上記した（Ａ）のプローブにおいては、前
記ラインパターンは、たとえば、前記回路基板のほぼ中
央位置から外縁部に向かって、前記プローブ電極のうち
所定の電極同士を短絡しつつ、放射状に形成することが
できる。ここで、放射状とは、少なくとも２以上の方向
（２方向，３方向，４方向等）への放射状態を意味する
ものである。前記格子状に形成された導電性のプローブ
電極は、たとえば等間隔に形成することができると共
に、該電極のピッチＰは、被接触対象に形成された端子
電極の最小のパッドピッチｐに対して、〔数３〕式で表
される幅とすることができる。

【００２４】

【数３】Ｐ＝ｐ／ｎ（ｎ＝１，２，・・・）

【００２５】また、上記（Ａ）のプローブは、半導体検
査装置等の電気部品／回路検査装置に特に好適に用いら
れる。半導体デバイスや小形面実装部品では、通常、一
定の規則を満足するように（すなわち、被接触対象の端
子のピッチに対応して）端子電極が形成されている場合
が多い。このため、前記プローブをある規則を満足する
半導体デバイス等の群に適用した場合には、現状の大部
分の半導体デバイス等に対応できる。したがって、パッ
ドの位置，大きさの変更やチップの大きさの変更に対応
できるようにプローブを半導体デバイス，小形面実装部
品毎に作り直すといった煩雑さから解放される。また、
プローブの製造者にとっては、ＬＳＩのパッド配置等の
詳細な情報を得ることなく、生産できるという利点があ
る。

【００２６】このような機能を発揮するための手段を構
成することが本発明の目的の一つであるから、導電性の
プローブ電極の配列は、等間隔であることを必須としな
くてもよい。本発明における格子配列は、上記のような
直交座標上の格子配列に限らず、所望の規則を満たす被
測定半導体デバイス群に応じたものとすればよい。した
がって、本発明で言う格子状とは、１次元あるいは２次
元の種々の格子配列を含むものである。

【００２７】上記（Ａ）のプローブ電極の新規な格子配
列と配線接続とにより、たとえばプローブ電極のいくつ
かが故障したり、不良になっても、被接触対象に対する
プローブの相対位置を高々プローブ電極のピッチの程度
あるいはその数倍程度だけ変えることにより、その故障
したまたは不良になったプローブ電極の使用を回避で
き、プローブの使用可能寿命を延長することができる。

【００２８】また、上記した（Ｂ）のプローブにおいて
は、信号経路開閉手段として、半導体スイッチ，機械ス
イッチ（リードリレー，マイクロマシーニング技術によ
り製造されるスイッチ等）その他種々の開閉手段が用い
られる。

【００２９】プローブ電極の格子配列は、被接触対象の
端子電極の配置に応じて適宜変更することもできる。た
とえば、被接触対象が四角形の半導体デバイスである場
合に、該四角形に対応する領域の全域にわたりプローブ
電極が形成されたプローブを用いてもよく、また端子電
極が被接触対象の４辺に沿って配列されている場合に
は、該当する領域にのみプローブ電極が形成されたプロ
ーブを用いることもできる。さらに、格子配列は、１次
元配列とすることもできるし（後述する、図１６，図２
２）参照、２次元配列（後述する、図１７，図１８等参
照）とすることもできる。

【００３０】上記（Ｂ）のプローブでは、プローブ電極
と端子電極との接続のうち、必要とされる接続は信号経
路開閉手段を閉じることにより行われ、不要とされる接
続は信号経路開閉手段を開くことにより行われる。そし
て、通常、信号経路開閉手段はスイッチにより構成さ
れ、被接触対象の種類等が変更される毎に、これらのス
イッチは適宜切り換えられる。また、たとえば、被接触
対象の種類が変更しないことが明らかである場合には、
信号経路開閉手段を信号経路の溶融遮断をなし得るヒュ
ーズ等の手段により構成することもできる。この場合に
は、不要な導通箇所を溶断する（たとえば、所定電流を
流すことによりヒューズ等を溶断する）ことで、プロー
ブ電極と端子電極との接触箇所の単一の選択を行うこと
ができる。なお、このような技術は、半導体メモリの分
野でも周知である。

【００３１】また、上記（Ｂ）のプローブにおいては、
通常、プローブ電極の格子間隔ｂは、被接触対象に形成
された端子電極の幅ｗに対して、ｂ≦ｗなる条件を満た
すような大きさとされる。すなわち、この場合には、常
に少なくとも１つのプローブ電極が被接触対象の端子電
極に接触する。端子電極に２つ以上のプローブ電極が接
触している場合には、通常１つのプローブ電極に接続さ
れた信号経路開閉手段のみが閉じ、他のプローブ電極に
接続された信号経路開閉手段は開かれる。

【００３２】上記（Ｂ）のプローブを電気部品／回路検
査装置に適用する場合、各プローブ電極にはそれぞれ計
測手段が接続されるが、単一の端子電極に対して複数の
プローブ電極が接触している場合、各プローブ電極に接
続した信号経路開閉手段を開閉して、これらのプローブ
電極に接続された計測手段の中から単一の計測手段を選
択する。また、信号経路開閉手段をマトリックス型のス
イッチ群とすることで、任意の端子電極を所望の計測手
段に接続することもできる。

【００３３】開いた信号経路開閉手段がプローブ電極を
介して端子電極に接続されている場合、扱う信号が高周
波であると、閉じた信号経路開閉手段を介して伝搬する
信号が上記開いた信号経路開閉手段において反射され、
送受する信号に雑音混入等の悪影響を及ぼすことがあ
る。このような場合、プローブ電極と信号経路開閉手段
との距離Ｌは、〔数４〕式のように定めることが好まし
い。

【００３４】

【数４】Ｌ≦（ｔ_ｒ／２）・Ｃ_ｏ／（ε_ｅｆｆ）^１／２ただし、ｔ_ｒ；スイッチ手段を通過する信号の立ち上り
時間Ｃ_ｏ；光速（３．０×１０^８ｍ／ｓ） ε_ｅｆｆ；プローブ電極と信号経路開閉手段とを接続す
る配線の周囲材の比誘電率

【００３５】また、本発明では、プローブ電極と信号経
路開閉手段とを同一のシリコン等の基板上に形成するこ
ともできる。こうすることにより、プローブ電極と信号
経路開閉手段との距離Ｌが、〔数４〕式の条件を満たす
ようにすることが容易となる。

【００３６】従来のプローブでは、被接触対象の種類毎
に、端子電極の大ききや配置に対応してプローブを製造
する必要があったが、本発明のプローブ（上記（Ａ），
（Ｂ）のプローブおよび上記した種々の態様を含む）で
は、このような不都合が解消され、単一のプローブで多
品種のデバイスの試験に適用できるプローブを提供で
き、しかも単一の測定回路を共用することも可能とな
る。

【００３７】上記本発明のプローブ（上記（Ａ），
（Ｂ）のプローブおよび上記した種々の態様を含む）の
プローブ電極を突起電極とし、該突起電極を絶縁性の可
撓性合成樹脂フィルムの少なくとも一方の面に形成し、
これらの突起電極に接続されるラインパターンを単層ま
たは多層に形成することもできる。

【００３８】突起電極を上記合成樹脂フィルムの両面に
形成したときは、適宜フィルム面を裏返して使用するこ
とができる。この場合、別々の群として形成されたライ
ンパターンのうち一方を、上記一方の面の突起電極に接
続し、他方を上記他方の面に形成された突起電極に接続
するようにしてもよい。また、一群のラインパターン
を、一方の面に形成された突起電極と、他方の面に形成
された突起電極とで共用するように接続してもよい。

【００３９】また、インピーダンス整合の面からする
と、ラインパターンには所定のライン幅が要求される。
このため、ラインパターンを高密度化することには限界
があるが、ラインパターンを多層に形成することで、こ
のような不都合を緩和することができる。なお、この場
合にも、突起電極を上記合成樹脂フィルムの両面に形成
することができることは勿論であり、両面に形成された
突起電極が異なる層に形成されらラインパターンに接続
されるようもできる。また、合成樹脂フィルムの両面に
形成された突起電極が、グランドプレーン，電源プレー
ン等（これらは、多層のラインパターン層の一部をな
す）を共用するようにもできる。

【００４０】上記のような合成樹脂フィルムを用いたプ
ローブは、フォトリソグラフィー技術の利点を活かし、
大量生産することによりその単価を低く抑えることが可
能である。この場合、合成樹脂フィルムを使い捨てとす
ることによって、従来のメンブレムプローブの欠点であ
る低耐久性を補うことができる。

【００４１】また、プローブ電極のパターンが繰り返す
ように、上記プローブをテープ状とし、これをリールに
巻取り、順次フィルムプローブを繰り出し得るように電
気部品／回路検査装置を構成することもできる。すなわ
ち、（Ａ），（Ｂ）のプローブ（上記した種々の態様を
含む）は、従来技術のＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）用フィルムキャリアと同等の
技術で、リール状に形成できる。これにより、キャリア
にＩＣチップを接着する代わりに、該キャリアにプロー
ブを形成して、プローブと被接触対象との接続（測定用
の接続）が行われるわけである。

【００４２】また、前記合成樹脂フィルムを弾性体を介
して被接触対象の端子電極形成面に対して加圧接触させ
ることもできる。これにより、被接触対象の端子電極形
成面に凹凸がある場合であっても、良好な接触を得るこ
とができる。なお、前記弾性体は被接触対象の接触面の
大きさおよび端子電極の配置に応じて形成することで、
接触の際の押圧力を最小限に抑えることができる。さら
に、本発明のプローブは、交換の便宜を考慮し、本体装
置と機械的、電気的に着脱可能な機能を具備することが
できる。

【００４３】本発明の電気部品／回路検査装置は、基本
的には上記した（Ａ），（Ｂ）のプローブ（上記した種
々の態様を含む）を用いて構成される。また、被接触対
象の端子面が、異なる放射状ラインパターン上に形成さ
れたプローブ電極と接触し得るように、被接触対象を放
射状ラインパターンの１本分以上離れた位置に移動でき
るように構成することもできる。さらに、被接触対象の
端子電極が異なるプローブ電極と接触し得るように被接
触対象とプローブ電極とを相対移動し、プローブと被接
触対象とが２以上の異なる配置を選択し得るように構成
することもできる。

【００４４】また、本発明の電気部品／回路検査方法
は、プローブ電極が格子状に形成された上記（Ｂ）のプ
ローブ（上記した種々の態様を含む）の該プローブ電極
と、被接触対象の端子面とを、該被接触対象の端子面が
前記ラインパターンを介して相互に短絡しない配置で接
触させ、プローブから引き出された端子のうちから必要
とされる端子を選択して使用することを特徴とする。

【００４５】本発明の電気部品／回路検査方法は、信号
経路開閉手段がプローブ電極に接続された上記（Ｂ）の
プローブ（上記した種々の態様を含む）の該プローブ電
極と、被接触対象の端子面とを接触させ、前記プローブ
から引き出された端子のうちから、必要な端子を選択し
て使用するものであって、これらの必要な端子に接続さ
れた信号経路開閉手段を閉じ、前記被接触対象の端子面
を介して接続された他の信号経路開閉手段を開くことも
特徴とする。

【００４６】なお、半導体検査装置等の電気部品／回路
検査装置、電気／回路検査方法では、上述したプローブ
を従来技術のプローブに代えて用いているので、それら
検査装置の低価格化、運転費用の低下、省資源化に大い
に資するものとなる。

【００４７】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は電気部品／回路検査装置に用いる本発
明のプローブの一実施例を示す説明図である。本実施例
においては、同図の分解図に示すように、検査装置側の
部材として３つの主要構成要素、フィルムプローブ１，
弾性体２，加圧手段３が示されている。フィルムプロー
ブ１の表面には格子状にプローブ電極（この実施例で
は、突起電極としてのコンタクトバンプ）Ｂが形成され
ている。

【００４８】図１においては、加圧手段３は、弾性体２
を介して、被接触対象（図１においては、被測定対象で
あるＬＳＩチップ４）の能動面とフィルムプローブ１の
表面のプローブ電極Ｂとの加圧接触を図っている。

【００４９】図２は、図１に示したプローブの作用をよ
り詳細に説明するための図であり、プローブ電極ＢがＬ
ＳＩチップ４の表面に加圧接触している様子を示してい
る。フィルムプローブ１は、ポリイミド等の回路基板
（ポリイミド等の、可撓性を有する薄い合成樹脂フィル
ム５からなる）と、該フィルム５のＬＳＩチップ４に面
した側に形成された多数の導電性のプローブ電極Ｂと、
合成樹脂フィルム５の両面に形成した導電層（ラインパ
ターン６，グランドプレーン７）からなっている。この
実施例の場合、フィルムプローブ１は、全体の厚さが５
０μｍ以下であり、非常に柔らかく、しなやかに形成さ
れている。

【００５０】したがって、加圧手段３が適当な厚さと硬
さを有する弾性体２を介してフィルムプローブ１とＬＳ
Ｉチップ４とを加圧接触させることによって、プローブ
電極ＢはＬＳＩチップ４の表面の凹凸に対応することが
できる。一般にＬＳＩチップ４に形成された端子電極
（電極パッド８）はアルミからなっており、その厚みは
１μｍ程度である。また図２においては、隣接する電極
パッド８間にパッシベーション膜９が約２〜３μｍ形成
されており、ＬＳＩチップ４表面の凹凸は１〜２μｍ程
度である。これらの凹凸を吸収し、なおかつ、パッシベ
ーション膜９やＬＳＩチップ４上に形成された能動部
（図示せず）にダメージを与えず、電極パッド８と良好
な接続を得ることができるか否かは、加圧手段３による
加圧力の大きさ、プローブ電極Ｂの硬さ、弾性体２の厚
さや弾性率等に大きく依存する。

【００５１】一般にアルミの電極パッドの表面には自然
酸化膜が形成される。この自然酸化膜は絶縁体であり、
プロービングにおいて良好な導通を得るには障害とな
る。従来のワイヤ式プローブカード（図２４参照）では
タッチダウン時にプローブ針がパッド表面をスクラブす
ることによってこの自然酸化膜を破壊している。図２５
に示したメンブレムプローブでも、同様にスクラブ動作
を用いたりする方法もあるし、単に大きな圧力を加えて
破壊する方法もある。フィルムプローブカードについて
もこれらと同様の方法を用いることができる。ただし、
大きな圧力を加える場合には以下に述べるような工夫が
必要である。

【００５２】本発明によるフィルムプローブでは電極パ
ッド８以外の部分にもプローブ電極Ｂが用意される。し
たがって従来のメンブレムプローブに比較してプローブ
電極Ｂの数は多くなる。また、プローブ電極Ｂの形状や
硬さによるため一概にはいえないが、良好な導通を得る
には１バンプあたり１０ｇ程度の圧力が必要とされる。
したがって、もしプローブ電極Ｂが１０００個あるとす
ると、１０ｋｇの加圧力が必要となる。加圧力が大きく
なると装置が大掛かりになる可能性があるが、次のよう
な工夫をすることにより、それを防ぐことができる。

【００５３】すなわち、弾性体２の形状を、ＬＳＩチッ
プ４の大きさや、電極パッド８の配置に対応させて作っ
ておき、加圧接触の際には位置合わせを行うことによ
り、余分な部分（プローブ電極Ｂのうち電極パッドに接
触しないもの）への加圧を極力抑えることができる。上
記弾性体２は、ＬＳＩチップ４の種類毎に用意する必要
があるため、フィルムプローブの使い捨ての思想から外
れるが、実際にはプローブ自体をＬＳＩチップ毎に作り
直すコストに比較すると非常に安価である。また、フィ
ルムプローブ１に比較して弾性体２の寿命は十分に長い
ことが予想されるだけでなく、チップ毎に作らずに最初
から幾つかのパターンを用意しておけば、装置コストは
さらに安くなる。

【００５４】図３は、フィルムプローブの配線概略図で
あり、同図ではポリイミド等の薄い合成樹脂フィルム５
上にプローブ電極Ｂが格子状に形成されている様子が示
されている。図３では、中心部まで均一にプローブ電極
Ｂが形成されているが、実用的には被接触対象（被検査
対象）となる可能性のあるＬＳＩチップのパッド配置を
カバーしていれば十分であるので、中心付近には必ずし
もラインパターン６やプローブ電極Ｂを形成する必要は
ない。

【００５５】なお、ラインパターン６は、中心から外縁
部に向かって放射状に形成され、所定のプローブ電極は
放射状に相互接続される。また、実施例では裏面にグラ
ンドプレーン７が設けられている。この構造によって、
ラインパターン６のインピーダンス整合が取られ、高周
波のテストが可能になる。グランドプレーン７には透明
な電極を用いたり、バンプ形成部にはあえて設けないよ
うにすることにより、ＬＳＩチップの目視観察や電極パ
ッドとの位置合わせも可能である。

【００５６】図４にフィルムプローブ１がＬＳＩチップ
４に接続された様子を示す。このＬＳＩチップ４の電極
パッド８のサイズは１００μｍ×１００μｍ、パッドピ
ッチｐは２００μｍを想定している。これは一般的な正
方形に近いＬＳＩチップであるが、電極パッド８の１つ
１つに必ず１本のラインパターン６が対応していること
が分かる。

【００５７】この図からも分かるように本発明における
ラインパターン６は基本的には、中心付近から外側に向
かって放射状に配線されていればよい。したがって、図
５に示すようなパターンを有するプローブも本発明の技
術的範囲に含まれる。ただし、図５の場合は正方形のＬ
ＳＩチップ４がフィルムプローブ１の中心に接触した場
合には電極パッド８の１つ１つに必ず１本のラインパタ
ーン６が対応するが、ＬＳＩチップが長方形の場合には
図６のように複数の電極パッド８に１本のラインパター
ン６が接続するという不具合が生じる。また、ＬＳＩチ
ップが中心から外れた場合も同様のことが起こる。した
がってより汎用性のあるフィルムプローブ１を実現する
には図４に示す配線のように、すべてのラインパターン
６がＬＳＩチップ４の電極パッドの配列方向（ダイシン
グラインと言う）に平行にならないことが望ましい（た
だし、図４を見れば分かるようにＬＳＩチップの中心線
は例外とされる）。

【００５８】しかし、ダイシングラインと平行になって
よいラインパターン８が中心線６′のみというわけでは
なく、実用上は検査対象となり得る最も小さなＬＳＩチ
ップ４のパッドエリアの短辺より内側の配線はダイシン
グラインと平行でもよい。ただし、この場合はＬＳＩチ
ップ４とフィルムプローブ１の中心を一致させなくては
ならない。したがって実施例のようにダイシングライン
と平行になる工夫を中心線６′のみに止めておけば、Ｌ
ＳＩチップ４の大きさに依存しないし、ＬＳＩ４とフィ
ルムプローブ１の中心を必ずしも一致させる必要がな
い。このＬＳＩチップ４とプローブ１の位置合わせにつ
いては上述のように両者の中心を必ずしも一致させる必
要はなく、フィルムプローブの中心がＬＳＩチップ４の
パッドエリアから外側に外れなければよい。

【００５９】図７にフィルムプローブ１とＬＳＩチップ
４の中心が一致していない場合の配置関係を示す。この
場合においても、同図から明らかなように、電極パッド
８の１つ１つに必ず１本の配線が対応している。このよ
うにＬＳＩチップ４とフィルムプローブ１とがある一定
の要件を満たしていれば、その位置関係を変えても検査
が可能であるということは以下のような利点を生む。す
なわち、仮にプロセス上の不良や、摩耗によってあるプ
ローブ電極Ｂが使用不可能になってもＬＳＩチップ４の
位置を変えて別のプローブ電極Ｂを使用すれば、フィル
ム全体を交換することなく、プローピングを継続して行
える。これはフィルムプローブ１自体の寿命が長くなっ
たのと同じ効果を生む。また、定期的に位置を変えるよ
うすることによって、フィルムプローブ１の寿命を廷ば
すとともにクリーニングの必要をなくすこともできる。

【００６０】次に本発明のプローブが、特定のＬＳＩチ
ップではなく、現状の大部分のＬＳＩチップに適用可能
であることを図４を参照して説明する。現在、生産また
は発表されているＬＳＩチップの大部分が、チップの周
囲１列、もしくは千鳥２列の電極パッドを採用してお
り、現在生産されている最も一般的なＬＳＩチップ４の
電極パッド８の幅ｗは１００μｍ、最小のパッドピッチ
ｐは２００μｍである。実施例ではこれを考慮し、プロ
ーブ電極ＢのピッチＰを１００μｍとしている（すなわ
ち、〔数３〕式において、Ｐ＝ｐ／２）。図８〜図１０
に本発明のプローブが様々なＬＳＩチップに接触・接続
された時の配線状態を示す。なお、これらに示したＬＳ
Ｉチップ４の電極パッド８のサイズは、１００μｍ×１
００μｍ、パッドピッチは２００μｍである。

【００６１】図８は一般的な正方形に近いＬＳＩチップ
４を示しており、図４に比較して大きなチップを例示し
ている。チップの大きさが変わっても、電極パッド８の
１つ１つに必ず１本の配線が対応していることが図８か
ら分かる。また、図９はチップが長方形になった場合で
あるが、正方形と全く同様に１つの電極パッド８に必ず
１つのプローブ電極Ｂ、１本のラインパターン６が対応
している。以上のように本実施例の配線ではＬＳＩチッ
プ４の大きさや形状に影響されることなく良好な検査を
行うことができる。さらに、本実施例の場合ではプロー
ブ電極のピッチを最小パッドピッチの２分の１とした
（Ｐ＝ｐ／２）ので図１０に示すように周囲２列の千鳥
型のパッド配置にも対応できる。

【００６２】次に、上記ラインパターンを特定する方法
例を簡単に説明する。通常、電極パッド８が２列に配置
されたチップに適用されるフィルムプローブの場合に
は、ラインパターンは図１１（Ａ），（Ｂ）に示すよう
な２方向放射とすることができる。図１１（Ａ），
（Ｂ）では一方の側のラインパターン群Ｇ１と他方の側
のラインパターン群Ｇ２とは鏡面対称（同図（Ａ）では
１８０°回転対称でもある）となっている。

【００６３】三角形状のチップ（電極パッド８が三角形
状に配置されたチップ）に適用されるフィルムプローブ
の場合には、ラインパターンは、通常、図１２（Ａ），
（Ｂ）に示すような３方向放射とされ、３つのラインパ
ターン群Ｇ１〜Ｇ３は、それぞれの群が他の群に対して
１２０°の回転対称の関係にある。電極パッドが四角形
状に配置されたチップに適用されるフィルムプローブの
場合には、ラインパターンは、図３〜図１０に示したフ
ィルムプローブのように、通常、４方向放射とされ、４
つのラインパターン群Ｇ１〜Ｇ４は、９０°回転対称の
関係（ある群を９０°ずつ回転させると他の群と重なる
関係）関係にある。９０°回転対称の関係を有するライ
ンパターンは、図３〜図１０に示した態様に限らず、図
１３のような、４つのラインパターン群Ｇ１〜Ｇ４によ
り構成することができる。

【００６４】なお、図１１（Ａ），（Ｂ）、図１２
（Ａ），（Ｂ），図１３では、電極パッド８の配置例を
示してある。これらの図から推察されるように、チップ
が、常に、ラインパターン群同士の境界部分をまたぐよ
うに配置することで、電極パッド８同士が短絡され得な
い配置を選択することができる。

【００６５】学会（たとえば、ＩＥＥＥＩｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌＳｏｌｉｄ−ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕ
ｉｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（１９９０））等の情
報や市販のＬＳＩチップの調査結果によると、そのほと
んどのパッドサイズが１００μｍ×１００μｍであり、
パッドピッチはパッドサイズの整数倍で作られているも
のが多い。したがって、１００μｍのピッチでプローブ
電極を形成しておけば、ほとんどのＬＳＩチップに対応
できる。また、最小パッドピッチの２分の１のピッチで
プローブ電極が形成されているため、周波数の高い高速
の信号を扱う場合に利点が得られる。すなわち、結果的
に必ず２本のラインパターン間に無信号ラインパターン
が配置されることになるため、クロストークの低減に効
果がある。

【００６６】ところで、現在のところ数量的には少ない
が、パッドピッチがパッドサイズの２倍より小さいもの
については、プローブ電極のピッチをパッドピッチと同
一にすることが望ましい。この場合には得られる効果は
クロストークの低減を除いては上述の実施例と同様であ
る。ところで、上述の実施例のようにプローブ電極のピ
ッチをパッドピッチの２分の１、あるいはそれ以下にし
た場合は効果が限定される。この場合には１つのパッド
に対して２つ以上のプローブ電極が接触することが起こ
り得るため、信号源もしくは検査装置との間に２つ以上
の経路ができてしまい、高速・高周波の信号を扱った時
に問題が生じ、直流的な測定、テスト等に用途が限定さ
れる可能性もある。しかし、上記不都合は後述するよう
に、信号経路開閉手段が設けられたプローブを用いるこ
とで解決される。

【００６７】また、上述の例では主にＬＳＩチップに対
するものを示したが、もちろん個々のＬＳＩチップでは
なく、ウェーハ状態の検査も同様に行える。きらに、フ
ィルムプローブが凹凸面に密着、対応する性質を活かし
て、これをパッケージＬＳＩや、チップ部品、回路基板
等のプロービングに用いることも可能である。パッケー
ジＬＳＩは、近年ますます狭ピッチ，多ピン化が進み、
リードピッチが３００μｍ以下のものも出てきている。
このテストにはやはりＬＳＩチップ毎にソケットを作る
必要があり、そのリードピッチヘの対応の難しさに加え
て、コストも高いという問題がある。また、チップ部品
の小型化、回路基板の狭ピッチ，多ピン化にも同様のこ
とがいえる。特に１つの回路基板上に複数のチップを搭
載したＭＣＭの簡便なプロービング方法の構築は大きな
課題となっている。この実施例に示したフィルムプロー
ブによれば、これれらの問題も解決できる。

【００６８】次にこのフィルムプローブの耐久性・信頼
牲について述べる。本実施例のフィルムプローブは基本
的には従来例で示したメンブレムプローブと同様のプロ
セスで製造される。したがって、１枚１枚のプローブに
ついては耐久性・信頼性は従来のメンブレムプローブと
同様である。ただし、既に述べたようにチップとプロー
ブの位置をずらしながら使用することで事実上１枚のフ
ィルム当たりの耐久性を向上させることができる。さら
に、単価が低い利点を利用し、フィルムプローブを容易
に交換可能にし、使い捨てとすることによって、従来の
メンブレムプローブの欠点である耐久性の低さを補うこ
とができる。

【００６９】図１４はフィルムプローブ１をの交換を容
易した実施例を示す図である。この実施例ではフィルム
プローブ１をＴＡＢテープと同様の形状に加工し、フィ
ルムプローブテープ１０を形成している。フィルムプロ
ーブテープ１０には繰り返しパターンが形成されてお
り、その両側にガイド用の穴が形成されている。この穴
を利用してフィルムプローブテープ１０を適当な長さで
順次送ることができる。図１４の実施例の場合も同様に
してフィルムプロープカードテープ１０をリール１１に
巻いておき、交換に際しては所望の量だけ送ってやれば
よい。この方法を利用すれば、リール１１を複数用意し
たり、フィルムプローブテープ１０上に複数のタイプの
パターンを用意したりすることによって、ＬＳＩチップ
がカバーできる一般的な電極パッドのパターンだけでな
く、特殊なパターンにも対応できる。フィルムプローブ
１と検査装置との接続は、従来技術によるもので良い
が、たとえば、特開平１−１７０８７０号公報に開示の
方法を用いてもよい。

【００７０】図１５は、フィルムプローブ（ポリイミド
等の薄い樹脂フィルムからなる）に代えて、剛性を有す
る回路基板１２を用いた実施例を示している。このリジ
ッドな回路基板１２の材料としては、エポキシ樹脂、セ
ラミック、ガラス、シリコン等が適当である。エポキシ
樹脂はコストが安く、セラミック、ガラス、シリコンは
微細な配線が可能であるという利点がある。ガラスの場
合には多層配線が難しいが、プロービング状態の観察が
容易であるという利点がある。このようなリジッドな回
路基枚１２ではフィルムのようにしなやかに変形するこ
とができないため、図２に示したような電極パッド８が
ＬＳＩチップ４の表面より低く、凹状になっている場合
には適さない。しかし、図１５に示すように電極パッド
８がＬＳＩチップの表面より高い場合には有効である。
さらに、前述のフィルムプローブに比較して、微細な配
線の形成や多層配線の形成がより容易になるため、さら
に狭ピッチで多ピンのデバイスに適応可能であるという
利点がある。

【００７１】前述のフィルムプローブ１も、この実施例
のリジッドな回路基板１２も、さらには従来例で示した
メンブレムプローブもフォトリソグラフィー技術を用い
るという点では共通している。ここでいうフォトリソグ
ラフィー技術とは、薄膜形成技術やメッキ技術等を含む
いわゆる写真製版技術を示している。これらはＬＳＩチ
ップそのものを製造する技術と基本的には同じであり、
狭ピッチ、多ピン化に対応するための微細配線化の手段
としては、従来のワイヤ式プローブに比較すると遥かに
有効である。しかし、実際に実施例で用いられる技術で
はコスト、配線抵抗、インピーダンス整合等の問題があ
るため、ＬＳＩ級の微細配線は用いられず、１桁ないし
は２桁大きな配線ルールを用いるのが適当である。

【００７２】これとは別に製造プロセス上の問題点とし
てプローブの微細配線化の限界がある。半導体デバイス
ではシリコン基板の上に酸化シリコンやアルミといった
膜を積層して回路が形成される。これらの材料の多くは
変形しにくく、また薄いため、微細な配線を形成するの
に適している。しかし、プローブでは配線抵抗を下げる
ため配線の厚みが必要なこと、インピーダンス整合のた
め絶縁層としてポリイミド等の変形しやすい樹脂が用い
られることなどから、微細化には限界がある。フィルム
プローブや、従来例のメンブレムプローブでは、基板が
樹脂層のみで作られ、非常に変形しやすいため、実際に
は数１０μｍ幅のラインを形成するのが限界である。ま
た、回路がより複雑になった場合の多層化に出しても、
現状では２層配線が一般的である。これに対して図１５
で示した実施例のようにリジッドな回路基板を用いれ
ば、数μｍ幅のラインの形成が可能になるだけでなく、
数十層の多層配線も実用化可能である。

【００７３】図１５に示したような突出した電極（同図
では、符号１３で示す）を持つ半導体デバイスとして
は、ＴＡＢ用のチップ、フリップチップ用のチップ等が
挙げられる。フリップチップ用のチップは、ＭＣＭ（Ｍ
ｕｌｔｉＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）に使用されること
が期待されており、半導体プロセスにおいて半田材料か
らなるバンプが電極パッド上に形成されることが多い。
この検査方法としては現在のところ、従来例で示したよ
うな方法しかなく、実施例は非常に有効である。一方、
ＴＡＢ方式はテープに実装した上で検査できるのが利点
の１つとされており、不良発生の際にはテープごと破棄
されるため、現状ではベアチップでの検査は行われてい
ない。しかし、今後、半導体のＩ／Ｏ数が増加するとＴ
ＡＢテープそのもののコストが高くなるため、この方法
が最良とはいえない。事実現在でも、ＴＡＢはテープに
比較してチップのコストが十分高いものにしか応用され
ていないのが現状である。ＴＡＢ用のチップに本発明が
適応されればテープへの実装前に初期不良のチップを選
別することが可能になるため、よりコストの低いチップ
ヘのＴＡＢの応用を促進することになる。

【００７４】図１６は、信号開閉手段が設けられたプロ
ーブの実施例を示す図である。同図において、プローブ
２１は、複数のプローブ電極（本実施例では、前述した
ようなコンタクトバンプに限られるものではない）Ｂ１
〜Ｂ１０と、これらの各電極に接続された信号経路開閉
手段（この場合には、スイッチＳ１〜Ｓ１０）とにより
構成されている。そして、プローブ電極Ｂ１〜Ｂ１０
は、被接触対象（この場合には、ＬＳＩチップ２２）の
端子面（電極パッド２３ａ〜２３ｄ）に接触しており、
スイッチＳ１〜Ｓ１０のプローブ電極が接続されている
側とは異なる側の端子は、検査装置本体２４に接続され
ている。

【００７５】上記プローブ電極Ｂ１〜Ｂ１０のピッチｂ
は電極パッド２３ａ〜２３ｄの幅ｗに比べて狭く（すな
わち、ｂ≦ｗ）、単一の電極パッド２３ａ〜２３ｄに対
して１つ以上のプローブ電極が接触する。同図の例で
は、電極パッド２３ａと２３ｃには２つのプローブ電極
Ｂ１，Ｂ２とＢ６，Ｂ７がそれぞれ接続され、他の電極
パッド２３ｂ，２３ｄには１つのプローブ電極Ｂ４とＢ
９ががそれぞれ接続されている状態を示している。

【００７６】また、電極パッド２３ａと２３ｃにそれぞ
れ接続されているスイッチＳ１，Ｓ２とＳ６，Ｓ７のう
ち、Ｓ２，Ｓ７はそれぞれ閉じ、Ｓ１，Ｓ６はそれぞれ
開いている。電極パッド２３ｂと２３ｄに接続されてい
るスイッチＳ４とＳ９はそれぞれ閉じている。このよう
にスイッチＳ２，Ｓ４，Ｓ７，Ｓ９を閉じることで、検
査装置本体２４は、４つの電極パッド２３ａ〜２３ｄの
各々と接続する単一の信号経路を形成できる。

【００７７】本実施例では、以上のようにして、電極パ
ッド２３ａ〜２３ｄの配置にかかわらずにスイッチＳ１
〜Ｓ１０の切り替えによって、検査装置本体２４とＬＳ
Ｉチップ２２との試験信号の送受を行うことができる。
プローブ２１に設けられたスイッチＳ１〜Ｓ１０は、電
極パッド２３ａ〜２３ｄからの信号経路を単一とするこ
とが目的であるため、１つの電極パッドに２以上のプロ
ーブ電極が接触している場合には何れか１つのプローブ
電極に接続されたスイッチのみが導通状態とされる。な
お、電極パッド２３ａ〜２３ｄに接触しないプローブ電
極（図１６では、Ｂ３，Ｂ５，Ｂ８，Ｂ１０）に接続さ
れているスイッチＳ３，Ｓ５，Ｓ８，Ｓ１０は、本発明
とは別の理由で閉じていても開いていてもよい。

【００７８】図１７は、図１６に示したプローブを２次
元に拡張して説明するための図であり、ＬＳＩチップ２
２の電極パッド２３と、プローブ電極Ｂとの位置関係を
より明確に示している。同図は、ＬＳＩチップ２２の上
面に多数のプローブ電極Ｂが縦横等間隔の格子状に配置
され、そのうち一部が正方形の電極パッド２３に接触し
ている様子を示している。電極パッド２３の幅ｗに比較
してプローブ電極Ｂは狭いピッチｂで配列し、単一の電
極パッド２３に対して２つ以上のプローブ電極Ｂが接触
している。

【００７９】図においては、電極パッド２３は●で示し
たプローブ電極Ｂを介して図示しない検査装置本体と接
続される。したがって、●で示されたプローブ電極Ｂに
接続されるスイッチは開じられ、その他の○で示したプ
ローブ電極Ｂに接続されるスイッチは開かれる。

【００８０】この実施例では、スイッチの開閉を行うた
めに、電極パッド２３が接触するプローブ電極Ｂを特定
する必要がある。通常、ＬＳＩチップ２２の形状や、該
デバイスに形成された電極パッド２３の位置および形状
の情報は、ＬＳＩチップ２２を設計する際に用いたＣＡ
Ｄ（ＣｏｍｐｕｔｅｒＡｉｄｅｄＤｅｓｉｇｎ：計
算機支援設計）の情報等から得ることができ、これらの
情報と予め既知のプローブ電極Ｂの位置情報を照合する
ことによって知ることができる。

【００８１】図１７では、最も一般的な、ＬＳＩチップ
の周囲に配列された電極パッド２３との接触を行うため
のプローブについて説明したが、ＬＳＩチップの一方の
面の全域にわたりマトリックス状に配列されている電極
パッド（いわゆる、エリアアレーと呼ばれる）について
は、図１８に示すようにプローブ電極ＢがＬＳＩチップ
の電極形成面に対応して格子状に配列されたプローブ２
５を用いることができる。このプローブ２５において、
各プローブ電極Ｂから引き出された各配線は、それぞれ
に対応するスイッチを介して検査装置本体等と接続さ
れ、各スイッチはその開閉により信号経路の導通または
遮断を行うことができればよい。なお、図１〜図１５で
示したような放射状のラインの各々にスイッチを設ける
こともできる。前述したように、図１〜図１５に示した
ような実施例において、１つの電極パッドに対して２つ
以上のラインについてのプローブ電極が接触する場合に
は、各スイッチの開閉により所望の信号経路のみを導通
させることができる。

【００８２】上記の実施例に示したプローブの形状とし
て、直流特性の試験においてはワイヤ式，フィルム式の
何れを採用することもできる。しかし、高周波特性の試
験においては自己インダクタンスが小さいフィルム式の
ものが好適に用いられる。たとえば、図１８に示すよう
に、プローブ電極（この場合には、コンタクトバンプ）
Ｂからプローブの周辺に引き出す伝送線路をマイクロス
トリップライン２６により構成することで、高周波特性
に優れたプローブを提供できる。

【００８３】次に、本実施例で用いるスイッチについて
詳細に説明する。すでに図１６に例示したように、スイ
ッチＳ１〜Ｓ１０の目的は、電極パッド２３ａ〜２３ｄ
に接触したプローブ電極Ｂからの信号を選択することに
あり、スイッチＳ１〜Ｓ１０に要求される電気的な特性
としては、ＬＳＩチップ２２の電気的特性よりも優れて
いることが望ましいことはもちろんである。

【００８４】スイッチの切り替えは、ＬＳＩチップ２２
の種類の交換の度に行うのみでよく、同一の種類の試験
を行う間は同一のスイッチングの状態でよい。このた
め、スイッチの開閉に必要なスイツチング時間は、必ず
しも高速である必要はない。したがって、直流特性の試
験を行うプローブには、スイッチとして漏れ電流の微小
なリードリレーを用いることができる。

【００８５】また、同一の種類のみに適用すればよい場
合には、信号経路開閉手段として、溶融により信号経路
の開閉をなし得るような溶融可能な材料（たとえばヒュ
ーズのように過大電流を通過する事によって溶断する材
料）をスイッチ相当部に用いることができる。これによ
り、予め、必要とされるプローブ電極以外の電極と、検
査装置本体との接続を、上記スイッチ相当部への過電流
通電，レーザ光照射等により断っておくことで、所望の
プローブ電極のみと、検査装置との接続を行うことがで
きる。

【００８６】このように、信号経路開閉手段を溶融し、
信号経路を遮断できるように構成することで、従来のワ
イヤ式プローブのように、半導体デバイスの種類毎に手
作業によって製造していたプローブに比較して製造が格
段に容易になるとともに低価格のプローブを提供でき
る。

【００８７】また、本実施例においては、プローブ電極
の数に対応した数の開閉手段が必要となるため、小型化
と信頼性の点から、該開閉手段としてＭＯＳＦＥＴやＪ
ＦＥＴ等の半導体スイッチが好適であることはいうまで
もない。

【００８８】信号経路開閉手段からプローブ電極までの
距離は、高周波の試験においては重要である。たとえ
ば、図１６においての電極パッド２３に接触している２
つのプローブ電極Ｂ１，Ｂ２に接続したスイッチＳ１，
Ｓ２に着目して、以下に説明する。検査装置本体２４か
らの試験信号がスイッチＳ２を通過して電極パッド２３
ａに到達した場合に、プローブ電極Ｂ２から開いている
スイッチＳ１までの距離が周波数特性を決定する。すな
わち、検査装置本体２４からの試験信号が、電極パッド
２３ｂを通過してスイッチＳ１に到達するまでの伝搬時
間が無視できない場合には、スイッチＳ１の開放部で反
射した波形が再度、電極パッド２３ａを通過して検査装
置本体２４に到達する。これによって、試験信号がパル
ス波形の場合には、波形歪を生ずる。

【００８９】以下に、上記の伝搬時間と周波数特性との
関係を数式を用いて更に詳細を説明する。プローブ電極
Ｂ１からスイッチＳ１までのラインの周囲の比誘電率を
ε_ｅｆｆとすれば、試験信号の伝搬速度ｖ_ｏは、光速を
ｃ_ｏ（３．０×１０^８ｍ／ｓ）として、〔数５〕式のよ
うに表される。

【００９０】

【数５】ｖ_ｏ＝ｃ_ｏ／（ε_ｅｆｆ）^１／２

【００９１】また、伝搬速度ｖ_ｏの信号が伝搬時間ｔに
伝搬する距離Ｌは、〔数６〕式のようになる。

【００９２】

【数６】Ｌ＝ｔ・ｖ_ｏ＝ｔ・ｃ_ｏ／（ε_ｅｆｆ）^１／２

【００９３】ここで、パルス波形の立ち上がり時間をｔ
_ｒとすれば、遮断周波数ｆ_ｃとの関係は〔数７〕式のよ
うになる。

【００９４】

【数７】ｔ_ｒ＝０．３５／ｆ_ｃ

【００９５】立ち上がり時間ｔ_ｒのパルス波形の伝搬す
る時間が無視でき、集中定数として見なせる時間ｔ′
は、〔数８〕式で示される。

【００９６】

【数８】ｔ′＝ｔ_ｒ／２

【００９７】〔数６〕式に〔数７〕，〔数８〕式の関係
を代入すれば、立ち上がり時間ｔ_ｒの波形が通過する時
間が集中定数として見なせる伝搬距離Ｌ′は〔数９〕式
で示されることになる。

【００９８】

【数９】Ｌ′＝（０．３５／２）・（ｃ_ｏ／ｆ_ｃ）／
（ε_ｅｆｆ）^１／２

【００９９】たとえば、立ち上がり時間３５０ｐｓのパ
ルス波形がポリイミド（ε_ｅｆｆ＝３．５）の誘電体で
囲まれた信号経路を伝搬する場合、該経路を集中定数と
して見なせることにより反射が生じないと考えられる伝
搬距離Ｌ′は、〔数９〕式より２．８ｃｍ以下として求
められる。

【０１００】上記のスイッチは、マイクロマシーニング
技術を用いて製造することもできる。図１９は、シリコ
ン基板上に製造したスイッチを示す図である。同図にお
いて、基板に形成した溝３１上に片持ち梁３２が形成さ
れ、該溝３１の底面には駆動用電極３３が形成されてい
る。片持ち梁３２の先端には非駆動状態で基板に形成さ
れた一対の信号電極３４，３４と非接触となるように、
接点部材３５が羽根状に片持ち梁３２の長手方向に対し
て垂直に延設されており、信号電極３４，３４は接点部
材３５によって開開される。

【０１０１】このスイッチは、片持ち梁３２と駆動用電
極３３との間に電圧が加えられると、片持ち梁３２は下
方に静電吸引される。これにより、接点部材３５と信号
電極３４，３４とが接触して両信号電極間が閉じられ
る。この種のスイッチは、機械的構造を持つことから半
導体スイッチに比較して漏れ電流が微小でありかつ小形
であるために高周波特性に優れるといった利点を有して
いる。片持ち梁３２は、長さ１５０μｍ、幅８０μｍ程
度に製造することができるとの報告もあるので、たとえ
ば１０００個程度のスイッチを数ｃｍ角のシリコン基板
上に形成することは容易である。これにより、図１６に
おけるプローブ電極Ｂ１からスイッチＳ１までの距離を
数ｃｍ以下に設計することができ、数ＧＨｚ程度の帯域
幅を有するプローブを実現できる。

【０１０２】図２０は図１９に示したスイッチを応用し
たプローブの一例を示す図である。図２０において、シ
リコン基板４１上に形成されたプローブ電極Ｂの周辺に
図１９に示したスイッチ（同図では、スイッチ形成領域
４２として示す）が形成されている。プローブ電極Ｂの
配列は、たとえば図１８に示したと同様に格子状の配列
を有している。各々のスイッチとプローブ電極Ｂはシリ
コン基板４１上で配線されている。これにより、プロー
ブ電極Ｂとスイッチ形成領域４２に形成されたスイッチ
との相互間距離を数ｃｍ以下にすることができる。

【０１０３】このシリコン基板４１に形成されたプロー
ブ電極Ｂは、シリコン基板４１の反対側の面に形成され
た接点４３およびプローブ本体４４の下面に形成された
接点４５を介して、検査装置本体と電気的に接続され
る。この接続に際しては、プローブ本体４４により、プ
ローブ電極ＢをＬＳＩチップ２２の電極パッド２３に押
し当てるために必要な圧力を加える。なお、図２０の例
ではマイクロマシーニングによるスイッチを用いている
が、これに代えてＭＯＳＦＥＴやＪＦＥＴを用いた半導
体スイッチを基板上（たとえスイッチ手段から形成され
る領域４２上）に集積形成してもよい。

【０１０４】図２１は、一方の面にプローブ電極である
突起電極（ここでは、コンタクトバンプ）が形成されて
なるポリイミド等の薄膜からなるフィルムプローブの実
施例を示す図である。同図のプローブは、セラミックの
多層配線構造からなるプローブ本体５１の中央部に形成
された突出部５２の中程に、シリコンゴム等からなる弾
性体５３が埋め込まれ、該弾性体５３上にフィルムプロ
ーブ５４が設けられている。このフィルムプローブ５４
は、たとえば格子状の配列を有するプローブ電極Ｂが外
面に形成され、該プローブ電極Ｂからは図示しないライ
ンパターンがフィルムプローブ５４の４辺の縁端に引き
出され、該縁端において、該フィルムプローブ５４の裏
面に形成した端子に導通している。なお、セラミックス
基板は、ガラス系の低誘電率材科を用いたり、あるいは
ポリイミド等の薄膜材料を用いることで誘電率を低減で
きることから、〔数９〕式において同一の周波数帯域を
得るために必要なＬを長くすることができるとともに高
密度の配線が可能である。

【０１０５】そして、プローブ本体５１の表面側の突出
部５２の周囲および、裏面側には、スイッチＳが形成さ
れている。また、プローブ本体５１の裏面（上面）側か
らは、検査装置との電気的接続を行うためのピン５５が
多数形成されている。突出部５２の周囲には、端子５６
が形成されている。突起電極Ｂは前記したフィルムプロ
ーブ５４の縁端の裏面端子，上記端子５６およびプロー
ブ本体５１に多層形成された図示しない配線を介して、
スイッチＳと接続されている。

【０１０６】このプローブでは、突出部５２に設けられ
たフィルムプローブ５４がＬＳＩチップの電極パッドに
押圧された場合に、弾性体５３がこの電極パッドの表面
の凹凸を吸収し、良好な接触を達成することができる。
また、突起電極ＢとスイッチＳまでの距離は短く設定で
きる（すなわち、〔数９〕式の条件を満たすことができ
る）ので、試験信号の反射による不都合を防止すること
ができる。なお、スイッチＳは、既に述べたスイッチ
（ＭＯＳＦＥＴ，ＪＦＥＴ，マイクロマシーニング技術
による片持ち梁等）の何れを用いることができることは
いうまでもない。

【０１０７】通常、上記のプローブに接続される検査装
置は、何れの電極パッドに検査装置の何れの信号源が接
続されても、これらの信号源の種々の切り替えが可能な
ように、突起電極の数と同数の信号源が必要とされる。
したがって、信号源の条件が独立して設定できるいわゆ
るパーピンリソース方式の検査装置が特に好適である。

【０１０８】次に、本発明における信号経路開閉手段と
してマトリックス型のスイッチを用いた実施例を図２２
により説明する。図１６に示したプローブでは、信号経
路開閉手段として、プローブ電極Ｂ１〜Ｂ９の各々に単
一のスイッチを有していたのに対し、図２２に示したプ
ローブでは、該スイッチに代えていわゆるマトリックス
型のスイッチＳｉｊ（ｉ＝１，２，３、ｊ＝１，２，・
・・，９）を用いている点が異なっている。

【０１０９】図２２では、電極パッド２３ａ〜２３ｄと
の電気的な接続を行うために、スイッチＳ１２、Ｓ２
４、Ｓ３７が閉じており、その他のスイッチは開いてい
る。ここでは、３個の電極パッド２３ａ〜２３ｃの信号
を３台の信号源を用いて検査できる。このように、図２
２のプローブを用いれば、電極パッドと同数の信号源を
有する検査装置本体２４を用いて半導体デバイスの検査
を行うことができる。したがって、このマトリックス型
のスイッチを用いたプローブは検査装置が比較的小規模
である場合に好適に用いられる。また、図２２では、プ
ローブ電極Ｂ１〜Ｂ９が１次元配列であるために、スイ
ッチＳｉｊは２次元マトリックスとしたが、プローブ電
極が２次元配列である場合には、スイッチは３次元マト
リックスとされる。

【０１１０】

【発明の効果】本発明には以下のような効果がある。（１）本発明によるプローブは一定の規則を満足する
ように端子電極（電極パッド）が形成されている現状の
大部分のＬＳＩチップ等の半導体デバイスに対応できる
ため、パッドの位置、大ききの変更や、チップの大きさ
の変化に対応してフィルムプローブを半導体デバイス毎
に作り直す必要がない。したがって、従来のワイヤ式や
メンブレム式のプローブに比較してコストが安いだけで
なく、ＬＳＩメーカーの機密保持にも有利である。ま
た、フォトリソグラフィー技術を用いて製造されるた
め、半導体デバイスの多ピン、狭ピッチに対応できると
共に、フィルムプローブを交換可能にすることによっ
て、耐久性の低さを補うことができる。

【０１１１】（２）従来のプローブと異なり、電気的も
しくはプログラマブルな手段でプローブの構成を変更で
きる。これにより、被接触対象の種類が変更する毎に、
プローブの交換をする必要がなく、単一のプローブで多
種の被接触対象との信号の送受を行うことができる。

【０１１２】（３）プローブの製造に要する時間だけで
なく、装着等の段取りに要する時問を削滅できる。した
がって、ＡＳＩＣ等の小量多品種の生産を目的とする場
合のプローブとして好適である。

【０１１３】（４）従来のワイヤ式プローブに比較して
高周波特性の優れたプローブを提供できる。

【０１１４】（５）本発明の優れた汎用性，低価格化の
実現により、半導体デバイス等の端子配列の規則化がよ
り促進され、経済効果をもたらすことができる。

【０１１５】（６）本発明のフィルムプローブをＴＡＢ
のキャリアに転用すれば、数種のデバイス（チップ）を
同じキャリア上に搭載することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気部品／回路検査装置およびこれに
用いる本発明のプローブの実施例を示す説明図である。

【図２】図１に示した接触構造をより詳細に説明するた
めの図である。

【図３】フィルムプローブの配線概略図である。

【図４】フィルムプローブが正方形のＬＳＩチップと接
触した際のプローブ電極とラインパターンを示す図であ
る。

【図５】汎用性の低いフィルムプローブが正方形のＬＳ
Ｉチップに接触した際のプローブ電極とラインパターン
を示す図である。

【図６】汎用性の低いフィルムプローブが長方形のＬＳ
Ｉチップに接触した際のプローブ電極とラインパターン
を示す図である。

【図７】図１に示すフィルムプローブにおいて、該フィ
ルムプローブとＬＳＩチップの中心が一致していないと
きのプローブ電極とラインパターンと電極パッドとの位
置関係を示す図である。

【図８】図１に示すプローブにおいて、比較的大きなＬ
ＳＩチップと接触させるときの、プローブ電極とライン
パターンと電極パッドとの位置関係を示す図である。

【図９】図１に示すプローブにおいて、長方形をなすＬ
ＳＩチップと接触させるときの、プローブ電極とライン
パターンと電極パッドとの位置関係を示す図である。

【図１０】図１に示すプローブにおいて、電極パッドが
２列に形成されたＬＳチップと接触させるときの、プロ
ーブ電極とラインパターンと電極パッドとの位置関係を
示す図である。

【図１１】（Ａ），（Ｂ）は、電極パッド８が２列に配
置されたチップに適用されるフィルムプローブを示す図
であり、ラインパターンが２方向放射とされた様子を示
す図である。

【図１２】（Ａ），（Ｂ）は、三角形状のチップ（電極
パッド８が三角形状に配置されたチップ）に適用される
フィルムプローブを示す図であり、ラインパターンが３
方向放射とされた様子を示す図である。

【図１３】電極パッドが四角形状の配置されたチップに
適用されるフィルムプローブを示す図であり、図３〜図
１０と同様４方向放射とされた様子を示す図である。

【図１４】フィルムプローブの交換を容易とした実施例
を示す図である。

【図１５】本発明のプローブの回路基板として剛性を有
するものを用いた実施例を示す図である。

【図１６】信号開閉手段が設けられたプローブの実施例
を示す図である。

【図１７】図１６に示したプローブを２次元に拡張して
説明するための図である。

【図１８】高周波特性に優れた図６に示したプローブの
実施例を示す図である。

【図１９】信号経路開閉手段としてマイクロマシーニン
グ技術を用いたスイッチの一例を示す図である。

【図２０】図１９に示したスイッチを応用したプローブ
の実施例を示す図である。

【図２１】フィルムプローブの実施例をより具体的に示
す図である。

【図２２】信号経路開閉手段としてマトリックス型スイ
ッチを用いたプローブの実施例を示す図である。

【図２３】ＬＳＩチップのピン数および集積度の年次変
化を示すグラフである。

【図２４】従来のワイヤ式プローブを示す図である。

【図２５】従来のメンブレムプローブを示す図である。

【符号の説明】

１フィルムプローブ２弾性体３加圧手段Ｂプローブ電極４ＬＳＩチップ（被接触対象）５合成樹脂フィルム６ラインパターン７グランドプレーン８電極パッド９パッシべーション膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のラインパターンが形成された回路
基板の該回路基板面に、導電性のプローブ電極が１次元
または２次元の格子状に形成され、かつ、規則的なピッ
チで端子電極が形成された被接触対象に用いられるプロ
ーブであって、前記各ラインパターンは、前記プローブ電極のうち所定
の電極同士を短絡しつつ放射状に形成されるとともに、
前記被接触対象が前記回路基板面に対して前記各端子電
極同士が前記ラインパターンによって短絡され得えない
２以上の配置を選択し得るように形成されてなることを
特徴とするプローブ。
【請求項２】前記ラインパターンが前記回路基板のほ
ぼ中央位置から外縁部に向かって、前記プローブ電極の
うち所定の電極同士を短絡しつつ、放射状に形成されて
なることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】格子状に形成された前記プローブ電極は
等間隔に形成され、該電極のピッチＰは被接触対象に形
成された端子電極の最小のピッチｐに対して、【数１】Ｐ＝ｐ／ｎ（ｎ＝１，２，・・・）なる関係を有することを特徴とする請求項１，２に記載
のプローブ。
【請求項４】導電性のプローブ電極が、信号経路開閉
手段を介し、被接触対象との接触部位に格子状に配列さ
れてなることを特徴とするプローブ。
【請求項５】前記プローブ電極の格子間隔ｂが、前記
被接触対象に形成された端子電極の幅ｗに対して、ｂ≦ｗであることを特徴とする請求項４に記載のプローブ。
【請求項６】前記プローブ電極と信号経路開閉手段と
の距離Ｌが、【数２】Ｌ≦（ｔ_ｒ／２）・Ｃ_ｏ／（ε_ｅｆｆ）^１／２ただし、ｔ_ｒ；スイッチ手段を通過する信号の立ち上り
時間Ｃ_ｏ；光速（３．０×１０^８ｍ／ｓ） ε_ｅｆｆ；プローブ電極と信号経路開閉手段とを接続す
る配線の周囲材の比誘電率であることを特徴とする請求項４，５に記載のプロー
ブ。
【請求項７】前記信号経路開閉手段が、半導体スイッ
チまたはマイクロマシーニング技術により製造した機械
的スイッチであることを特徴とする請求項４〜６に記載
のプローブ。
【請求項８】前記信号経路開閉手段が、格子型のスイ
ッチであることを特徴とする請求項４〜７に記載のプロ
ーブ。
【請求項９】前記信号経路開閉手段が、溶融により信
号経路を閉じ得るように構成されてなることを特徴とす
る請求項４〜８に記載のプローブ。
【請求項１０】前記プローブ電極と信号経路開閉手段
とが同一の回路基板上に形成されてなることを特徴とす
る請求項４〜９に記載のプローブ。
【請求項１１】前記プローブ電極が突起電極であり、
該突起電極が絶縁性の可撓性合成樹脂フィルムの少なく
とも一方の面に形成され、該突起電極に接続されるライ
ンパターンが、単層または多層に形成されてなることを
特徴とする請求項１〜９に記載のプローブ。
【請求項１２】前記可撓性合成樹脂フィルムは弾性体
を介して被接触対象の突起電極形成面に対して加圧接触
することを特徴とする請求項１１に記載のプローブ。
【請求項１３】前記弾性体は前記被接触対象の接触面
の大きさおよび端子電極の配置に応じて形成されてなる
ことを特徴とする請求項１２に記載のプローブ。
【請求項１４】本体装置と機械的、電気的に着脱可能
な機能を具備してなることを特徴とする請求項１〜１４
に記載のプローブ。
【請求項１５】請求項１〜１４に記載のプローブを用
いたことを特徴とする電気部品／回路検査装置。
【請求項１６】被接触対象の端子面が異なるプローブ
電極と接触し得るように被接触対象とプローブ電極とを
相対移動し、プローブと被接触対象とが２以上の異なる
配置を選択し得るように構成してなることを特徴とする
請求項１５に記載の電気部品／回路検査装置。
【請求項１７】被接触対象の端子面が、異なる放射状
ラインパターン上に形成されたプローブ電極と接触し得
るように、被接触対象を放射状ラインパターンの１本分
以上離れた位置に移動できるように構成してなることを
特徴とする請求項１〜３のプローブ、または請求項１１
〜１４に記載されたプローブ（請求項１〜３に記載のも
のに限る）を用いた請求項１６に記載の電気部品／回路
検査装置。
【請求項１８】プローブ電極のパターンが繰り返すよ
うに、請求項１１に記載のプローブ、または請求項１２
〜１４に記載のプローブ（請求項１１に記載のものに限
る）をテープ状とし、これをリールに巻取り、順次フィ
ルムプローブを繰り出し得るように構成してなることを
特徴とする請求項１６，１７に記載の電気部品／回路検
査装置。
【請求項１９】請求項１〜３に記載されたプローブ、
または請求項１１〜１４に記載されたプローブ（請求項
１〜３に記載のものに限る）のプローブ電極と、被接触
対象の端子面とを、該被接触対象の端子面が前記ライン
パターンを介して相互に短絡しない配置で接触させ、プ
ローブから引き出された端子のうちから必要とされる端
子を選択して使用することを特徴とする電気部品／回路
検査方法。
【請求項２０】請求項４〜１０に記載されたプロー
ブ、または請求項１１〜１４に記載されたプローブ（請
求項３〜９に記載のものに限る）のプローブ電極と、被
接触対象の端子面とを接触させ、前記プローブから引き
出された端子のうちから、必要な端子を選択して使用す
る電気部品／回路検査方法であって、これらの必要な端
子に接続された信号開閉手段を閉じ、前記被接触対象の
端子面を介して接続された他の信号経路開閉手段を開く
こと特徴とする電気部品／回路検査方法。