JP3491700B2

JP3491700B2 - 半導体集積回路装置の試験用キャリア

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Publication number: JP3491700B2
Application number: JP04885094A
Authority: JP
Inventors: 茂幸丸山
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-03-18
Filing date: 1994-03-18
Publication date: 2004-01-26
Anticipated expiration: 2019-01-26
Also published as: KR0165154B1; US5757199A; JPH07263504A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
試験用キャリアに関し、より詳しくは、半導体集積回路
装置チップを収納して、加速度試験などに用いるための
試験用キャリアの改善に関する。近年、ＬＳＩの高集積
度化は著しく、同時に電子機器のダウンサイジング化の
傾向も著しい。これらの要求に対応するにはＬＳＩチッ
プの高集積度化もさることながら、チップの高密度実装
技術によるところも大である。その傾向はベアチップ実
装やＭＣＭ（マルチチップモジュール）などにおいて特
に顕著となる。

【０００２】このような背景から、ＬＳＩのチップ状態
での試験に要求される内容の充実度が高まっている。

【０００３】

【従来の技術】以下で従来例に係る半導体集積回路装置
の試験について図１４，図１５を参照しながら説明す
る。なお、図１５（ｂ）は、同図（ａ）のＥ−Ｅ線断面
図である。チップ状態のまま製品としてユーザへ供給す
る場合、初期不良を除去するための加速度試験（以下Ｂ
・Ｉ試験と称する）やＦＴ（Final Test）はチップの状
態で行う必要がある。

【０００４】またＭＣＭのように複数個のチップにより
構成されているパッケージはそのパッケージ内に１個で
も不良チップが含まれていれば、当然製品全体が不良と
なるため、従来のチップ試験の内容では製品の最終歩留
りが著しく低下しやすい。このことから上記のような複
数チップを搭載するパッケージに関しては、そのチップ
はベアチップの状態でＢ・Ｉ試験を行う必要性が高い。
これは今後ますます必要になるであると思われる工程で
あるが、ベアチップ状態でのＢ・Ｉ試験は現在、技術を
模索、確立しようとしているのが現状である。

【０００５】通常、ウエハ状態での試験は、ウエハプロ
ーバを用いたＰＰ（Production Prove）試験、すなわち
プローバを用いてウエハ上の微細な電極にコンタクトす
る方法が多用されており、この方法を図１４に示すよう
にチップに転用することが第１の方法として提案されて
いる。すなわち、外部の試験装置に接続されたプローバ
１を、チップ２の微細なコンタクト電極２と位置合わせ
してコンタクトをとり、Ｂ・Ｉ試験を行う炉（以下Ｂ・
Ｉ炉と称する）に入れて、高温加熱しながら回路を動作
させてＢ・Ｉ試験を行うというものである。

【０００６】また、第２の方法として従来用いられてい
るＩＣ用のソケットを用いて、チップの電極にコンタク
トする方法が提案されている。さらに第３の方法とし
て、図１５に示すようにポリイミドなどの電気的に絶縁
性の高い材料で作られたフィルム状のシートにＩＣチッ
プの電極と対応した位置に微細なコンタクト用の電極３
Ｂが設けられ、外部の試験装置とのコンタクトをとるた
めの配線パターン３Ａが設けられてなるコンタクトシー
ト３を、チップ２に圧着してチップ２と試験装置とのコ
ンタクトをとる方法が提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の第１〜第３の方法では以下に示すような問題が生じ
る。すなわち、第１の方法のＰＰ試験では、プローバを
用いてチップ上の微細な電極にコンタクトするには、図
１４に示すように、チップの電極に対応して高精度に配
列されたプローバ１を用い、チップ２のコンタクト電極
２Ａを画像認識し、プローバ１との位置ずれを補正する
高精度の位置合わせ装置を用いることによりはじめて達
成できるが、プローバは一般に非常に高価であって、こ
のようなプローバ１及び位置合わせ装置を個々のチップ
ごとに用意してＢ・Ｉ試験することは現実的でなく、ま
た、できたとしても膨大なコストがかかるので、チップ
でＢ・Ｉ試験するメリットがない。

【０００８】また第２の方法によれば、チップの電極の
大きさに比して、従来のＩＣソケットのコンタクトピン
の先端の大きさや、その位置ばらつきが大きく、ＩＣソ
ケットとチップの位置合わせ誤差が大きいので、チップ
電極の大きさを従来よりも大きく設けなければ位置合わ
せができず、微細なチップの電極の状態に則した試験が
できないという問題がある。

【０００９】さらに第３の方法では、コンタクトシート
３の電極３Ｂとチップ２のコンタクト電極２Ａとの位置
合わせが困難であり、たとえ画像認識法などで位置合わ
せしたとしても、Ｂ・Ｉ試験中の振動あるいは運搬中の
衝撃などで容易に両者の位置がずれてしまうという問題
がある。さらに、このコンタクトシートの電極３Ｂが微
細であって、かつコンタクトシート自体がポリイミドな
どのフィルムからできているため柔軟なので、コンタク
トシート全体をチップに均一に押圧しないと、コンタク
ト電極２Ａとコンタクトシート３の電極３Ｂとの安定し
たコンタクトを得ることができなかったという問題もあ
った。

【００１０】さらに上記の第１〜第３の方法について共
通の課題として、通常のパッケージされたＩＣと同等の
雰囲気中でＢ・Ｉ試験すると、チップにごみが付着して
焼き付きを起こすなどの障害が考えられる。また高温状
態で長時間加熱するとチップの電極部の酸化が進んで劣
化してしまい、以降の実装性・接続性が悪くなるという
問題があった。

【００１１】以上説明したように、既存の技術では事実
上、ベアチップ状態での試験は非常に困難であった。本
発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、
従来困難であったベアチップの加速度試験などの試験を
可能たらしめる半導体集積回路装置の試験用キャリアを
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図４に
例示するような半導体集積回路装置１３を載置する基体
１２と、前記基体１２を被覆して、前記半導体集積回路
装置１３と外部機器とのコンタクトをとる蓋体１１と、
前記蓋体１１と前記基体１２との間に形成され、外気に
比して減圧された雰囲気で前記半導体集積回路装置１３
を収納する半導体装置収納室１２Ａとを有する半導体集
積回路装置の試験用キャリアであって、前記試験用キャ
リアは試験時の気圧に比して減圧された雰囲気中で組み
たてられ、前記蓋体１１が外界の大気圧によって前記半
導体集積回路装置１３に押圧されることを特徴とするこ
とによって解決する。上記した半導体集積回路装置の試
験用キャリアにおいて、図１及び図４に例示するよう
に、前記蓋体１１は、フィルム上に前記半導体集積回路
装置１３の電極に対応した配線パターン１１Ｂが形成さ
れ、かつ前記基体１２と接着するための接着剤部１１Ｄ
を有する配線フィルム１１であることを特徴とする。上
記した半導体集積回路装置の試験用キャリアにおいて、
図１２に例示するように、前記基体２１は、前記蓋体２
２と同程度の剛性をもつ材質のフィルムからなることを
特徴とする。

【００１３】

【作用】本発明によれば、図１に例示するように、半
導体集積回路装置１３を載置する基体１２と、基体１２
を被覆して外部機器とのコンタクトをとる蓋体１１と、
蓋体１１と基体１２との間に半導体集積回路装置を収納
する半導体装置収納室１２Ａを有し、この半導体装置収
納室１２Ａが外界の気圧に比して減圧されている。

【００１４】このため、例えば事前に画像認識法などで
蓋体１１と半導体集積回路装置の電極とを位置合わせさ
れれば、半導体装置収納室１２Ａの気圧が外界の気圧に
比して減圧されていることにより、蓋体が外界の大気圧
によって均一に押圧されるので、たとえ剛性の少ないフ
ィルム状の蓋体１１を用いたとしても、蓋体１１のコン
タクト用の電極と半導体集積回路装置１３のコンタクト
電極とが均一に押圧され、Ｂ・Ｉ試験中の振動や運搬中
の衝撃があっても、容易に位置ずれしないようにするこ
とが可能となる。

【００１５】また、減圧の程度を変化させることによ
り、コンタクト圧力を操作でき、半導体集積回路装置１
３のコンタクト電極と、蓋体１１のコンタクト電極を最
適な圧力のコンタクト状態にすることが可能となる。よ
って、半導体集積回路装置の微細な電極パターンに対応
して外部機器とのコンタクトをとることができるので、
ベアチップでの加速度試験など、従来困難であった半導
体集積回路装置の試験をすることが可能になる。

【００１６】

【実施例】以下で本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。（１）第１の実施例以下で、本発明の第１の実施例について図１〜図７を参
照しながら説明する。なお、図１（ｂ）は図１（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図であり、図４（ｂ）は同図（ａ）のＢ−
Ｂ線断面図である。

【００１７】最初に、本発明の第１の実施例に係る半導
体集積回路装置の試験用キャリアの各部材について説明
する。本実施例に係る半導体集積回路装置の試験用キャ
リアは、図１に示すようにコンタクトシート１１とケー
ス１２とからなる。コンタクトシート１１は、膜厚0.05
〜0.1mm 程度のポリイミドなどからなるフィルム１１Ａ
上に、試験対象のチップ１３の電極パターンに対応して
形成された導電性のコンタクトパッド１１Ｃと、コンタ
クトパッド１１Ｃに接続され、外部の試験装置とのコン
タクトをとるための導電性の配線パターン１１Ｂが形成
されてなる。

【００１８】ケース１２は、エポキシ樹脂などからな
り、ポケット１２Ａが設けられているものであって、こ
のポケット１２Ａにチップを収納するものである。以上
の部材に試験対象のチップを収納する方法について以下
で図２〜図４を参照しながら説明する。まず、図２に示
すように、試験対象のチップ１３、コンタクトシート１
１及びケース１２を真空炉１４の中に搬入し、チップ１
３のコンタクト電極が上側にくるように、ケース１２の
ポケット１２Ａ内にチップ１３を収納し、ＸＹステージ
１５の上に載置する。

【００１９】次に、チップのコンタクト電極１３Ａとコ
ンタクトシート１１のコンタクトパッド１１Ｃとの位置
ずれを確認しながら、ＸＹステージ１５を移動させるこ
とにより、両者の位置合わせを行う。次いで、真空炉１
４内でコンタクトシート１１の一部領域に接着剤を塗布
したのちに、図３（ａ）に示すように位置合わせ済みの
コンタクトシート１１とケース１２とを接着する。

【００２０】以上までの工程を、大気圧以下の低圧雰囲
気で行う。このとき、窒素などの不活性ガス雰囲気にす
るなどして、真空炉１４内での雰囲気には酸素を一切含
まないようにしておく。その後、これらのコンタクトシ
ート１１、ケース１２及びチップ１３が一体化されたも
の（これを以下で試験用キャリアと称する）を、真空炉
１４から搬出して常圧雰囲気に出す。このことにより、
チップ１３が収納されたポケット１２の内部の気圧と、
外界の常圧との気圧差により、コンタクトシート１１は
チップ１３及びケース１２に均一に押圧されて圧着され
る。このことにより、コンタクトパッド１１Ｃとチップ
のコンタクト電極１３Ａとは確実に圧着される。

【００２１】以上の工程を経て、図４に示すような試験
用キャリアが完成する。この試験用キャリアは、コンタ
クトパッド１１Ｃとコンタクト電極とが適切なコンタク
ト力で確実に圧着されて固定されるので、コンタクトシ
ートを用いた従来の第３の方法のように、Ｂ・Ｉ試験中
の振動あるいは運搬中の衝撃などで容易に両者の位置が
ずれてしまうという問題を極力抑止することが可能にな
る。

【００２２】また、従来の第１の方法を採用していない
ので、高精度なプローブヘッド及び位置合わせ機能を個
々のチップごとに用意してＢ・Ｉ試験することにより、
膨大なコストがかかることを抑止でき、さらに従来の第
２の方法も採用していないので、チップ電極の大きさを
従来よりも大きく設けなくてもよいので、通常のサイズ
のチップで試験をすることができ、チップの実状に即し
た試験が可能になる。

【００２３】その後、この試験用キャリアを図５に示す
ように、従来用いていた試験用のＩＣソケット１７に収
納したのちにＢ・Ｉ炉内に入れ、１２５℃程度の高温下
で一定時間（例えば４８時間，９６時間）放置し、その
間チップに通電することによりＢ・Ｉ試験を行う。な
お、本実施例に係る試験用キャリアには、そのケース１
２に、図４、図６に示すような切り欠き部１２Ｂが設け
られているので、Ｂ・Ｉ試験終了後、ケース１２内に収
納されていたチップ１３を取り出したいときには、図６
に示すように、この切り欠き部１２Ｂからコンタクトシ
ート１２を剥がすことで容易にチップ１３を取り出すこ
とができるので、そういった意味でも有効である。

【００２４】さらに、図７に示すような従来のプローバ
を用いた第１の方法ではチップの電極部が球状になって
いるエリアバンプチップなどを試験するには、とりわけ
球状のチップ電極とのコンタクトをとりがたく、また試
験中の振動などですぐにずれてしまうので試験の実施が
非常に困難であったが、本実施例に係る試験用キャリア
によれば、図７に示すように、球状のコンタクト電極１
３Ａとも容易にコンタクトをとることができ、しかも圧
着されていることにより容易にずれないので、特にこの
ようなチップの試験においては、一層効果的である。

【００２５】加えて、チップ１３の背面と、ケース１２
のポケット１２Ａの底面とが密着しているので、例えば
アルミニウムなど、放熱性の高い材質でケース１２を形
成することにより、試験中のチップの放熱性が促進され
て、試験の信頼性が向上する。さらに、組み立ての際
に、真空炉１４内は真空か、もしくは低圧の不活性ガス
雰囲気にしており、とりわけ酸素は混入されないような
雰囲気にしているので、チップ１３を収納するポケット
１２Ａ内には酸素がないので、Ｂ・Ｉ試験で高温状態で
長時間加熱しても、チップ１３のコンタクト電極１３Ａ
の酸化が進んで劣化してしまうことも抑止できるという
効果も生じる。

【００２６】（２）第２の実施例以下で、本発明の第２の実施例について図８〜図１０を
参照しながら説明する。なお、第１の実施例と重複する
事項については説明を省略する。又、図８（ｂ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、図１０（ｂ）は同図
（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。

【００２７】最初に、本実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの各部材について図８を参照しなが
ら説明する。本実施例に係る半導体集積回路装置の試験
用キャリアは、図８に示すようにコンタクトシート１１
とケース１２とからなる。コンタクトシート１１は、第
１の実施例と同様に、膜厚0.05〜0.1mm 程度のポリイミ
ドなどからなるフィルム１１Ａ上に、試験対象であるチ
ップ１３のコンタクト電極１３Ａのパターンに対応して
形成された、導電性のコンタクトパッド１１Ｃと、コン
タクトパッド１１Ｃに接続され、外部の試験装置とのコ
ンタクトをとるための導電性の配線パターン１１Ｂが形
成されてなる。

【００２８】ケース１２は、エポキシ樹脂などからな
り、ポケット１２Ａとカプラ１２Ｃが設けられている。
このカプラ１２Ｂが設けられている点が第１の実施例と
異なる点である。ポケット１２Ａはチップ１３を収納す
るものであるのは第１の実施例と同様であって、カプラ
１２Ｃは、このポケット１２Ａに通じており、ポケット
１２Ａ内の空気を排気して、チップ収納時にポケット１
２Ａの気圧を外界よりも減圧するための排気弁である。

【００２９】以上の部材に試験対象のチップを収納する
方法について以下で図９〜図１０を参照しながら説明す
る。まず、図９（ａ）に示すように、ケース１２のポケ
ット１２Ａに試験用のチップ１３を、そのコンタクト電
極１３Ａが上側にくるように収納し、チップ１３のコン
タクト電極１３Ａとコンタクトシート１１のコンタクト
パッド１１Ｂとを常圧雰囲気で位置合わせしたのちに、
不図示の接着剤でコンタクトシート１１とケース１２と
を接着する。

【００３０】その後、図９（ｂ）に示すように、カプラ
１２Ｂに不図示の吸引器を接続し、カプラ１２Ｂを開い
て、ポケット１２Ａ内の空気を吸引器で吸入することに
より、ポケット１２Ａ内の気圧を、ほぼ真空状態になる
まで減圧する。その後、カプラ１２Ｂを閉じて、ポケッ
ト１２Ａ内を真空状態にする。以上により、図１０に示
すような試験用キャリアが完成する。本実施例に係る試
験用キャリアによれば、第１の実施例と同様の効果を得
ることができるのみならず、組み立ての際に、減圧ある
いは真空雰囲気中で組み立てることなく、常圧雰囲気中
でコンタクトシート１１をケース１２に接着したのち
に、カプラ１２Ｃからポケット１２Ａ内の空気を吸引す
ることで簡単にポケット１２Ａ内の気圧を減圧すること
ができるので、真空炉などの大がかりな設備を必要とせ
ず、簡単に、かつ安価に形成することが可能になる。

【００３１】（３）第３の実施例以下で本発明の第３の実施例について図１１を参照しな
がら説明する。なお、第１、第２の実施例と重複する事
項については説明を省略する。本実施例に係る半導体集
積回路装置の試験用キャリアは、図１１に示すように、
コンタクトシート１１とケース１２とからなり、第１の
実施例と同様の構成であるが、ケース１２に溝１２Ｄが
形成され、その中にゴムなど、密着性の高いＯリング１
２Ｅが埋め込まれ、コンタクトシート１１と密着してい
る点のみが第１の実施例と異なる点である。

【００３２】このため、密着性の高いＯリング１２Ｅが
コンタクトシート１１とケース１２との間に形成されて
いることにより、両者の密着性が第１の実施例の試験用
キャリアよりも高く、試験中の振動や、搬送中の振動に
生じ易い位置ずれに、より一層強いという効果が生じ
る。（４）第４の実施例以下で、本発明の第４の実施例について図１２、図１３
を参照しながら説明する。なお、第１〜第３の実施例と
重複する事項については説明を省略する。

【００３３】本実施例に係る半導体集積回路装置の試験
用キャリアの第１〜第３の実施例と最も異なる点は、試
験用のチップを搭載する基体として、第１〜第３の実施
例の試験用キャリアのようにエポキシ樹脂などの剛体か
らなり、ポケット１２Ａが設けられているケース１２を
用いるのではなく、コンタクトシート１１の材質と同様
の、例えばポリイミドなどのシートを用いている点であ
る。

【００３４】図１２にその一例を示す。図１２に示すよ
うに、本実施例に係る試験用キャリアは、基体となる基
板フィルム２１と、コンタクトシート２２とからなる。
コンタクトシート２２は、基本的には第１〜第３の実施
例と同様のものを用いている。基板フィルムは、コンタ
クトシート２２と同様の材質の、膜厚0.05〜0.1mm 程度
程度のポリイミドからなるフィルムを用いている。

【００３５】これを組み立てる際には、基板フィルム２
１上に試験対象のチップ２３を載置、固定して、第１の
実施例と同様にして各部材を不図示の真空炉に搬入し、
チップ２３のコンタクト電極２３Ａと、コンタクトシー
ト２２のコンタクトパッド２２Ａとを位置合わせして、
接着剤などで基板フィルム２１とコンタクトシート２２
とを接着する。

【００３６】その後、真空炉から出して常圧条件に戻す
ことにより、図１３に示すように、コンタクト電極２３
Ａと、コンタクトパッド２２Ａとが圧着された、試験用
キャリアが完成する。また、図１２に示す試験用キャリ
アと同様にして、図１３に示すように、基体としてコン
タクトシート２２よりも剛性の高いポリイミドなどの材
質からなる基板フィルム３０を用いてもよい。

【００３７】以上、図１２、図１３に示す本実施例に係
る試験用キャリアによれば、第１〜第３の実施例のよう
に、チップを収納するポケットが設けられているケース
を用いなくてもよいので、容易に当該試験用キャリアを
形成することができ、コストも安くてすむという利点が
ある。

【００３８】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体集積回路装置を載置する基体と、基体を被覆して外部
機器とのコンタクトをとる蓋体と、蓋体と基体との間に
半導体集積回路装置を収納する半導体装置収納室を有
し、この半導体装置収納室が外界の気圧に比して減圧さ
れているので、Ｂ・Ｉ試験中の振動や運搬中の衝撃があ
っても、容易に位置ずれしないようにすることが可能と
なる。

【００３９】また、適切なコンタクト圧力をチップにか
けることができるため、半導体集積回路装置の微細な電
極パターンに対応して外部機器とのコンタクトを確実に
とることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの各部材を説明する図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの組み立て工程を示す図（その１）
である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの組み立て工程を示す図（その２）
である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの構造を説明する図である。

【図５】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアを用いた試験方法について説明する
図である。

【図６】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの作用効果を説明する図（その１）
である。

【図７】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの作用効果を説明する図（その２）
である。

【図８】本発明の第２の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの各部材を説明する図である。

【図９】本発明の第２の実施例に係る半導体集積回路装
置の試験用キャリアの組み立て工程を示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施例に係る半導体集積回路
装置の試験用キャリアの構造を説明する図である。

【図１１】本発明の第３の実施例に係る半導体集積回路
装置の試験用キャリアの構造を説明する図である。

【図１２】本発明の第４の実施例に係る半導体集積回路
装置の試験用キャリアの構造を説明する図（その１）で
ある。

【図１３】本発明の第４の実施例に係る半導体集積回路
装置の試験用キャリアの構造を説明する図（その２）で
ある。

【図１４】従来例に係る半導体集積回路装置の試験につ
いて説明する図（その１）である。

【図１５】従来例に係る半導体集積回路装置の試験につ
いて説明する図（その２）である。

【符号の説明】

１１，２２コンタクトシート（蓋体）１１Ａフィルム１１Ｂ配線パターン１１Ｃコンタクトパッド１１Ｄ接着剤部１２ケース（基体）１２Ａポケット（半導体装置収納室）１２Ｂ切り欠き１２Ｃカプラ（排気弁）１２Ｄ溝１２ＥＯリング（高密着性の部材）１３，２３チップ（半導体集積回路装置）１３Ａ，２３Ａコンタクト電極１４真空炉１５ＸＹステージ１６画像認識装置２１，３０基板フィルム（基体）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体集積回路装置を載置する基体と、前記基体を被覆して、前記半導体集積回路装置と外部機
器とのコンタクトをとる剛性をもつ材質のフィルムより
なる蓋体と、前記蓋体と前記基体との間に形成され、外気に比して減
圧された雰囲気で前記半導体集積回路装置を収納する半
導体装置収納室とを有する半導体集積回路装置の試験用
キャリアであって、前記試験用キャリアは試験時の気圧に比して減圧された
雰囲気中で組みたてられ、前記蓋体が外界の大気圧によ
って前記半導体集積回路装置に押圧されることを特徴と
する半導体集積回路装置の試験用キャリア。
【請求項２】前記蓋体は、フィルム上に前記半導体集積
回路装置の電極に対応した配線パターンが形成され、か
つ前記基体と接着するための接着剤部を有する配線フィ
ルムであることを特徴とする請求項１に記載の半導体集
積回路装置の試験用キャリア。
【請求項３】前記基体は、前記蓋体と同程度の剛性をも
つ材質のフィルムからなることを特徴とする請求項１に
記載の半導体集積回路装置の試験用キャリア。
【請求項４】前記減圧された雰囲気は、酸素を含まない
雰囲気であることを特徴とする請求項１、請求項２及び
請求項３のいずれか一項に記載の半導体集積化回路装置
の試験用キャリア。
【請求項５】高密着性の部材が前記基体と前記蓋体との
間に設けられたことを特徴とする請求項１、請求項２及
び請求項３のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置
の試験用キャリア。
【請求項６】前記半導体集積回路装置は、エリアバンプ
チップであることを特徴とする請求項１、請求項２及び
請求項３のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の
試験用キャリア。
【請求項７】前記基体の端部に切り欠きが形成されたこ
とを特徴とする請求項１、請求項２及び請求項３のいず
れか一項に記載の半導体集積回路装置の試験用キャリ
ア。