JP3456877B2 - ウェハカセット - Google Patents
ウェハカセットInfo
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- Japan
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- wafer
- probe card
- probe
- tray
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成されたチップの複数の集積回路をウェハ状態で同時
に検査するために用いられるウェハカセットに関する。
形成されたチップの複数の集積回路をウェハ状態で同時
に検査するために用いられるウェハカセットに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置を搭載した電
子機器の小型化及び低価格化の進歩は目ざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。
子機器の小型化及び低価格化の進歩は目ざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。
【０００３】通常、半導体集積回路装置は、半導体チッ
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体から切り出したままの状態
（以後、この状態の半導体集積回路装置をベアチップ又
は単にチップと呼ぶ。）で直接回路基板に実装する方法
が開発され、品質が保証されたベアチップを低価格で供
給することが望まれている。
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体から切り出したままの状態
（以後、この状態の半導体集積回路装置をベアチップ又
は単にチップと呼ぶ。）で直接回路基板に実装する方法
が開発され、品質が保証されたベアチップを低価格で供
給することが望まれている。
【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路装置をウェハ状態でバーンインす
る必要がある。
には、半導体集積回路装置をウェハ状態でバーンインす
る必要がある。
【０００５】しかしながら、半導体ウェハに対するバー
ンインは、半導体ウェハの取り扱いが非常に複雑になる
ので、低価格化の要求に応えられない。また、半導体ウ
ェハ上に形成されている複数のベアチップを１個又は数
個ずつ何度にも分けてバーンインを行なうのは、多くの
時間を要するので、時間的にもコスト的にも現実的でな
いので、すべてのベアチップをウェハ状態で一括して同
時にバーンインを行なうことが要求される。
ンインは、半導体ウェハの取り扱いが非常に複雑になる
ので、低価格化の要求に応えられない。また、半導体ウ
ェハ上に形成されている複数のベアチップを１個又は数
個ずつ何度にも分けてバーンインを行なうのは、多くの
時間を要するので、時間的にもコスト的にも現実的でな
いので、すべてのベアチップをウェハ状態で一括して同
時にバーンインを行なうことが要求される。
【０００６】そこで、日経マイクロデバイス（１９９７
年７月号１２９ページ）に開示されているような、ウェ
ハ状態で一括して同時にバーンインを行なえる従来のウ
ェハカセットを図面を用いて説明する。
年７月号１２９ページ）に開示されているような、ウェ
ハ状態で一括して同時にバーンインを行なえる従来のウ
ェハカセットを図面を用いて説明する。
【０００７】図４は従来の一括バーンイン（以下、ウェ
ハ・バーンインと呼ぶ。）用のウェハカセットの断面構
成を示している。図４に示すように、周縁部がセラミク
ス等よりなる剛性リング１０１に保持され、ポリイミド
薄膜よりなるプローブカード１０２には、その主面に半
導体ウェハ１０３上の集積回路素子の検査用の各電極と
対応する位置に設けられたプローブ端子となる複数のバ
ンプ１０４が形成されている。このバンプ１０４は、プ
ローブカード１０２の主面と反対側の面（裏面）に貫通
するコンタクトを介して配線基板（図示せず）と電気的
に接続されている。
ハ・バーンインと呼ぶ。）用のウェハカセットの断面構
成を示している。図４に示すように、周縁部がセラミク
ス等よりなる剛性リング１０１に保持され、ポリイミド
薄膜よりなるプローブカード１０２には、その主面に半
導体ウェハ１０３上の集積回路素子の検査用の各電極と
対応する位置に設けられたプローブ端子となる複数のバ
ンプ１０４が形成されている。このバンプ１０４は、プ
ローブカード１０２の主面と反対側の面（裏面）に貫通
するコンタクトを介して配線基板（図示せず）と電気的
に接続されている。
【０００８】このプローブカード１０２を用いてウェハ
・バーンインを行なうには、該プローブカード１０２の
各バンプ１０４と半導体ウェハ１０３上に形成された集
積回路素子の各電極とを完全に接触させる必要がある。
そのための治具として、アルミニウム等の金属よりな
り、半導体ウェハ１０３を保持するウェハトレイ１１１
が必要となる。
・バーンインを行なうには、該プローブカード１０２の
各バンプ１０４と半導体ウェハ１０３上に形成された集
積回路素子の各電極とを完全に接触させる必要がある。
そのための治具として、アルミニウム等の金属よりな
り、半導体ウェハ１０３を保持するウェハトレイ１１１
が必要となる。
【０００９】ウェハトレイ１１１におけるプローブカー
ド１０２の主面と対向する面（＝主面）の周縁部には、
プローブカード１０２の主面とウェハトレイ１１１の主
面と共に密閉空間を形成するためのシリコンゴム等から
なるシールリング１１２が設けられ、また、側部に密閉
空間と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する真空バ
ルブ１１３が設けられている。
ド１０２の主面と対向する面（＝主面）の周縁部には、
プローブカード１０２の主面とウェハトレイ１１１の主
面と共に密閉空間を形成するためのシリコンゴム等から
なるシールリング１１２が設けられ、また、側部に密閉
空間と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する真空バ
ルブ１１３が設けられている。
【００１０】この真空バルブ１１３から密閉空間の空気
を排気して該密閉空間を減圧することにより、プローブ
カード１０２の裏面とウェハトレイ１１１の裏面とが互
いに大気圧に押圧されるため、プローブカード１０２の
主面に形成された各バンプ１０４と半導体ウェハ１０３
に形成された各電極とが接近してさらに圧着されること
になる。これにより、プローブカード１０２、半導体ウ
ェハ１０３及びウェハトレイ１１１が一体化された状態
で、プローブカード１０２の裏面と配線基板とを接触さ
せ、該配線基板をバーンイン装置と接続すれば、ウェハ
・バーンインを行なうことができる。
を排気して該密閉空間を減圧することにより、プローブ
カード１０２の裏面とウェハトレイ１１１の裏面とが互
いに大気圧に押圧されるため、プローブカード１０２の
主面に形成された各バンプ１０４と半導体ウェハ１０３
に形成された各電極とが接近してさらに圧着されること
になる。これにより、プローブカード１０２、半導体ウ
ェハ１０３及びウェハトレイ１１１が一体化された状態
で、プローブカード１０２の裏面と配線基板とを接触さ
せ、該配線基板をバーンイン装置と接続すれば、ウェハ
・バーンインを行なうことができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のウェハ・バーンイン用のウェハカセットは、プロー
ブカード１０２の主面、ウェハトレイ１１１の主面及び
シールリング１１２とにより形成される密閉空間を減圧
して、プローブカード１０２の各バンプ１０４と半導体
ウェハ１０３上に形成された集積回路素子の各電極とを
電気的に接続する際に、各バンプ１０４の位置と集積回
路素子の各電極の位置とにずれが生じ、特に、プローブ
カード１０２の周縁部においてそのずれが大きくなると
いう問題を有している。
来のウェハ・バーンイン用のウェハカセットは、プロー
ブカード１０２の主面、ウェハトレイ１１１の主面及び
シールリング１１２とにより形成される密閉空間を減圧
して、プローブカード１０２の各バンプ１０４と半導体
ウェハ１０３上に形成された集積回路素子の各電極とを
電気的に接続する際に、各バンプ１０４の位置と集積回
路素子の各電極の位置とにずれが生じ、特に、プローブ
カード１０２の周縁部においてそのずれが大きくなると
いう問題を有している。
【００１２】本発明は、前記従来の問題を解決し、プロ
ーブカードの各プローブ端子の位置と半導体ウェハ上に
形成された集積回路素子の各電極の位置とにずれが生じ
ないようにすることを目的とする。
ーブカードの各プローブ端子の位置と半導体ウェハ上に
形成された集積回路素子の各電極の位置とにずれが生じ
ないようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、ウェハトレイの周縁部に設けられ、互い
に対向するウェハトレイとプローブカードとを気密に保
つための環状のシール部材を、ウェハトレイとプローブ
カードとシール部材とにより形成される密閉空間が減圧
される際に、プローブカードの中心部から外側に向かう
張力が低減される構成とするものである。
め、本発明は、ウェハトレイの周縁部に設けられ、互い
に対向するウェハトレイとプローブカードとを気密に保
つための環状のシール部材を、ウェハトレイとプローブ
カードとシール部材とにより形成される密閉空間が減圧
される際に、プローブカードの中心部から外側に向かう
張力が低減される構成とするものである。
【００１４】 本発明に係る第１のウェハカセットは、
半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路
素子の各電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路
素子の電気的特性をウェハレベルで一括して検査するた
めのウェハカセットであって、半導体ウェハを保持する
ウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ保持部と対向す
るように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各電極
と対応する位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜より
なるプローブカードと、プローブカードにおけるプロー
ブ端子が形成されている面の周縁部を保持している剛性
のリング部材と、ウェハトレイにおけるリング部材と対
向する部位に設けられ、リング部材に押圧されることに
よってウェハトレイ及びプローブカードと共に密閉空間
を形成する環状のシール部材と、プローブカードのプロ
ーブ端子形成面と反対側の面及び前記ウェハトレイのウ
ェハ保持部と反対側の面が直接大気圧によって押圧され
るように密閉空間を減圧して、半導体ウェハの半導体集
積回路素子の各電極とプローブカードの各プローブ端子
とを電気的に接続させる減圧手段とを備えている。
半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路
素子の各電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路
素子の電気的特性をウェハレベルで一括して検査するた
めのウェハカセットであって、半導体ウェハを保持する
ウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ保持部と対向す
るように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各電極
と対応する位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜より
なるプローブカードと、プローブカードにおけるプロー
ブ端子が形成されている面の周縁部を保持している剛性
のリング部材と、ウェハトレイにおけるリング部材と対
向する部位に設けられ、リング部材に押圧されることに
よってウェハトレイ及びプローブカードと共に密閉空間
を形成する環状のシール部材と、プローブカードのプロ
ーブ端子形成面と反対側の面及び前記ウェハトレイのウ
ェハ保持部と反対側の面が直接大気圧によって押圧され
るように密閉空間を減圧して、半導体ウェハの半導体集
積回路素子の各電極とプローブカードの各プローブ端子
とを電気的に接続させる減圧手段とを備えている。
【００１５】 第１のウェハカセットによると、ウェハ
トレイにおけるリング部材と対向する部位に設けられ、
リング部材に押圧されることによってウェハトレイ及び
プローブカードと共に密閉空間を形成する環状のシール
部材を備えているため、該密閉空間が減圧手段により減
圧される際に、環状のシール部材が、絶縁性薄膜よりな
るプローブカードのプローブ端子形成面と反対側の面及
びウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が大気圧に
よって押圧されることにより、プローブカードを支持す
る剛性のリング部材と圧着する。従って、該環状のシー
ル部材が剛性のリング部材と圧着するため、環状のシー
ル部材が直接プローブカードの周縁部に圧着される場合
に比べて、プローブカードの中心部から外側に向かう張
力が低減される。
トレイにおけるリング部材と対向する部位に設けられ、
リング部材に押圧されることによってウェハトレイ及び
プローブカードと共に密閉空間を形成する環状のシール
部材を備えているため、該密閉空間が減圧手段により減
圧される際に、環状のシール部材が、絶縁性薄膜よりな
るプローブカードのプローブ端子形成面と反対側の面及
びウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が大気圧に
よって押圧されることにより、プローブカードを支持す
る剛性のリング部材と圧着する。従って、該環状のシー
ル部材が剛性のリング部材と圧着するため、環状のシー
ル部材が直接プローブカードの周縁部に圧着される場合
に比べて、プローブカードの中心部から外側に向かう張
力が低減される。
【００１６】 本発明に係る第２のウェハカセットは、
半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路
素子の各電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路
素子の電気的特性をウェハレベルで一括して検査するた
めのウェハカセットであって、半導体ウェハを保持する
ウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ保持部と対向す
るように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各電極
と対応する位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜より
なるプローブカードと、ウェハトレイにおけるウェハ保
持部の外側に、プローブカードに押圧されることによっ
てウェハトレイ及びプローブカードと共に密閉空間を形
成するように設けられた環状のシール部材と、プローブ
カードのプローブ端子形成面と反対側の面及び前記ウェ
ハトレイのウェハ保持部と反対側の面が直接大気圧によ
って押圧されるように密閉空間を減圧して半導体ウェハ
の半導体集積回路素子の各電極とプローブカードの各プ
ローブ端子とを電気的に接続させる減圧手段とを備え、
環状のシール部材は、環状中心に対して内外方向に対称
な断面形状を有している。
半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路
素子の各電極に電圧を印加して、複数の半導体集積回路
素子の電気的特性をウェハレベルで一括して検査するた
めのウェハカセットであって、半導体ウェハを保持する
ウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ保持部と対向す
るように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各電極
と対応する位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜より
なるプローブカードと、ウェハトレイにおけるウェハ保
持部の外側に、プローブカードに押圧されることによっ
てウェハトレイ及びプローブカードと共に密閉空間を形
成するように設けられた環状のシール部材と、プローブ
カードのプローブ端子形成面と反対側の面及び前記ウェ
ハトレイのウェハ保持部と反対側の面が直接大気圧によ
って押圧されるように密閉空間を減圧して半導体ウェハ
の半導体集積回路素子の各電極とプローブカードの各プ
ローブ端子とを電気的に接続させる減圧手段とを備え、
環状のシール部材は、環状中心に対して内外方向に対称
な断面形状を有している。
【００１７】 第２のウェハカセットによると、ウェハ
トレイにおけるウェハ保持部の外側に、絶縁性薄膜より
なるプローブカードに押圧されることによってウェハト
レイ及びプローブカードと共に密閉空間を形成するよう
に設けられた環状のシール部材を備え、該環状のシール
部材が環状中心に対して内外方向に対称な断面形状を有
しているため、ウェハトレイとプローブカードと環状の
シール部材とにより形成される密閉空間が減圧手段によ
り減圧される際に、プローブカードのプローブ端子形成
面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対
側の面が大気圧によって押圧されたとしても、プローブ
カードに対して、該プローブカードの中心部から外側に
向かう張力と中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせ
ることになる。その結果、プローブカードにおける中心
部から外側に向かう張力が低減される。
トレイにおけるウェハ保持部の外側に、絶縁性薄膜より
なるプローブカードに押圧されることによってウェハト
レイ及びプローブカードと共に密閉空間を形成するよう
に設けられた環状のシール部材を備え、該環状のシール
部材が環状中心に対して内外方向に対称な断面形状を有
しているため、ウェハトレイとプローブカードと環状の
シール部材とにより形成される密閉空間が減圧手段によ
り減圧される際に、プローブカードのプローブ端子形成
面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対
側の面が大気圧によって押圧されたとしても、プローブ
カードに対して、該プローブカードの中心部から外側に
向かう張力と中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせ
ることになる。その結果、プローブカードにおける中心
部から外側に向かう張力が低減される。
【００１８】第２のウェハカセットにおいて、環状のシ
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して
外側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる外側テ
ーパ部と、環状の基部と一体に形成され、環状中心に対
して内側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる内
側テーパ部とを有していることが好ましい。
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して
外側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる外側テ
ーパ部と、環状の基部と一体に形成され、環状中心に対
して内側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる内
側テーパ部とを有していることが好ましい。
【００１９】第２のウェハカセットにおいて、環状のシ
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成された断面円形状の円形
部を有していることが好ましい。
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成された断面円形状の円形
部を有していることが好ましい。
【００２０】
（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００２１】図１は本発明の第１の実施形態に係るウェ
ハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構成を示して
いる。図１に示すように、半導体ウェハを保持するウェ
ハトレイ１１には、上面に複数の半導体集積回路素子及
びその各電極が形成された半導体ウェハ１２が載置され
ており、半導体ウェハ１２の上には、該半導体ウェハ１
２の素子形成面と対向し、複数の半導体集積回路素子の
各電極と対応する位置に複数のプローブ端子としてのバ
ンプ群２１を有するプローブカード２２が設けられてい
る。
ハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構成を示して
いる。図１に示すように、半導体ウェハを保持するウェ
ハトレイ１１には、上面に複数の半導体集積回路素子及
びその各電極が形成された半導体ウェハ１２が載置され
ており、半導体ウェハ１２の上には、該半導体ウェハ１
２の素子形成面と対向し、複数の半導体集積回路素子の
各電極と対応する位置に複数のプローブ端子としてのバ
ンプ群２１を有するプローブカード２２が設けられてい
る。
【００２２】このプローブカード２２は、例えば、ポリ
イミド等の絶縁性薄膜よりなり、主面に形成されている
バンプ群２１の各バンプには、該プローブカード２２の
主面と反対側の面（裏面）に貫通して入出力端子（図示
せず）が形成されており、該入出力端子は配線基板（図
示せず）と電気的に接続される。
イミド等の絶縁性薄膜よりなり、主面に形成されている
バンプ群２１の各バンプには、該プローブカード２２の
主面と反対側の面（裏面）に貫通して入出力端子（図示
せず）が形成されており、該入出力端子は配線基板（図
示せず）と電気的に接続される。
【００２３】プローブカード２２におけるバンプ形成面
側の周縁部は、セラミクス等よりなり、剛性のリング部
材としての剛性リング２３によって保持されている。
側の周縁部は、セラミクス等よりなり、剛性のリング部
材としての剛性リング２３によって保持されている。
【００２４】ウェハトレイ１１におけるウェハ保持部の
外側には、プローブカード２２の剛性リング２３と対向
すると共に、内側面が剛性リング２３に対して底面と外
側に広がるように密着する環状のシリコンゴム等よりな
るシール部材としてのシールリング１６が設けられてい
る。また、ウェハトレイ１１の側部には、プローブカー
ド２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェハ保持
部とシールリング１６とにより形成される密閉空間１７
と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する減圧手段と
しての真空バルブ１８が設けられている。
外側には、プローブカード２２の剛性リング２３と対向
すると共に、内側面が剛性リング２３に対して底面と外
側に広がるように密着する環状のシリコンゴム等よりな
るシール部材としてのシールリング１６が設けられてい
る。また、ウェハトレイ１１の側部には、プローブカー
ド２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェハ保持
部とシールリング１６とにより形成される密閉空間１７
と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する減圧手段と
しての真空バルブ１８が設けられている。
【００２５】以下、前記のように構成されたウェハカセ
ットの使用方法の概要を説明する。
ットの使用方法の概要を説明する。
【００２６】まず、プローブカード２２におけるバンプ
群２１の各バンプ位置と半導体ウェハ１２における各電
極の位置とを合わせた後、プローブカード２２の真空バ
ルブ１８から、プローブカード２２のバンプ形成面とウ
ェハトレイ１１のウェハ保持部とシールリング１６とに
より形成される密閉区間１７の空気を吸引して該密閉空
間１７を減圧すると、プローブカード２２の裏面とウェ
ハトレイ１１の裏面とが互いに大気圧に押圧されるた
め、プローブカード２２に形成されたバンプ群２１の各
バンプと半導体ウェハ１２に形成された各電極とが接近
してさらに圧着されるので、その結果、プローブカード
２２の各バンプと半導体ウェハ１２の各電極とが電気的
に接続されることになる。
群２１の各バンプ位置と半導体ウェハ１２における各電
極の位置とを合わせた後、プローブカード２２の真空バ
ルブ１８から、プローブカード２２のバンプ形成面とウ
ェハトレイ１１のウェハ保持部とシールリング１６とに
より形成される密閉区間１７の空気を吸引して該密閉空
間１７を減圧すると、プローブカード２２の裏面とウェ
ハトレイ１１の裏面とが互いに大気圧に押圧されるた
め、プローブカード２２に形成されたバンプ群２１の各
バンプと半導体ウェハ１２に形成された各電極とが接近
してさらに圧着されるので、その結果、プローブカード
２２の各バンプと半導体ウェハ１２の各電極とが電気的
に接続されることになる。
【００２７】次に、プローブカード２２、半導体ウェハ
１２及びウェハトレイ１１が一体化された状態で、プロ
ーブカード２２の裏面と配線基板（図示せず）とを接触
させ、該配線基板をバーンイン装置（図示せず）と接続
すれば、ウェハ・バーンインを行なうことができる。
１２及びウェハトレイ１１が一体化された状態で、プロ
ーブカード２２の裏面と配線基板（図示せず）とを接触
させ、該配線基板をバーンイン装置（図示せず）と接続
すれば、ウェハ・バーンインを行なうことができる。
【００２８】このように、本実施形態によると、プロー
ブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェ
ハ保持部とシールリング１６とにより形成される密閉空
間１７が減圧される際に、ウェハトレイ１１のウェハ保
持部の外側に設けられているシールリング１６は、プロ
ーブカード２２の裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大
気圧に押圧されることにより、プローブカード２２を支
持する剛性リング２３と圧着される。従って、シールリ
ング１６は、剛性リング２３に圧着するため、該シール
リング１６が直接プローブカード２２の周縁部に圧着さ
れる場合に比べて、プローブカード２２の中心部から外
側に向かう張力が低減される。その結果、プローブカー
ド２２の主面に形成されているバンプ群２１の各バンプ
の位置と、半導体ウェハ１２に形成されている複数の集
積回路素子の各電極の位置とのずれ、特に、プローブカ
ード２２の周縁部におけるずれを低減することができる
ので、複数の集積回路素子に対してそれぞれ所望の検査
を確実に行なうことができる。
ブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェ
ハ保持部とシールリング１６とにより形成される密閉空
間１７が減圧される際に、ウェハトレイ１１のウェハ保
持部の外側に設けられているシールリング１６は、プロ
ーブカード２２の裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大
気圧に押圧されることにより、プローブカード２２を支
持する剛性リング２３と圧着される。従って、シールリ
ング１６は、剛性リング２３に圧着するため、該シール
リング１６が直接プローブカード２２の周縁部に圧着さ
れる場合に比べて、プローブカード２２の中心部から外
側に向かう張力が低減される。その結果、プローブカー
ド２２の主面に形成されているバンプ群２１の各バンプ
の位置と、半導体ウェハ１２に形成されている複数の集
積回路素子の各電極の位置とのずれ、特に、プローブカ
ード２２の周縁部におけるずれを低減することができる
ので、複数の集積回路素子に対してそれぞれ所望の検査
を確実に行なうことができる。
【００２９】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態について図面を参照しながら説明する。
態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】図２は本発明の第２の実施形態に係るウェ
ハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構成を示して
いる。図２に示すように、半導体ウェハを保持するウェ
ハトレイ１１には、上面に複数の半導体集積回路素子及
びその各電極が形成された半導体ウェハ１２が載置され
ており、半導体ウェハ１２の上には、該半導体ウェハ１
２の素子形成面と対向し、複数の半導体集積回路素子の
各電極と対応する位置に複数のプローブ端子としてのバ
ンプ群２１を有するプローブカード２２が設けられてい
る。
ハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構成を示して
いる。図２に示すように、半導体ウェハを保持するウェ
ハトレイ１１には、上面に複数の半導体集積回路素子及
びその各電極が形成された半導体ウェハ１２が載置され
ており、半導体ウェハ１２の上には、該半導体ウェハ１
２の素子形成面と対向し、複数の半導体集積回路素子の
各電極と対応する位置に複数のプローブ端子としてのバ
ンプ群２１を有するプローブカード２２が設けられてい
る。
【００３１】このプローブカード２２は、例えば、ポリ
イミド等の絶縁性薄膜よりなり、主面に形成されている
バンプ群２１の各バンプには、該プローブカード２２の
主面と反対側の面（裏面）に貫通して入出力端子（図示
せず）が形成されており、該入出力端子は配線基板（図
示せず）と電気的に接続される。
イミド等の絶縁性薄膜よりなり、主面に形成されている
バンプ群２１の各バンプには、該プローブカード２２の
主面と反対側の面（裏面）に貫通して入出力端子（図示
せず）が形成されており、該入出力端子は配線基板（図
示せず）と電気的に接続される。
【００３２】プローブカード２２におけるバンプ形成面
側の周縁部は、セラミクス等よりなり、剛性のリング部
材としての剛性リング２４によって保持されている。
側の周縁部は、セラミクス等よりなり、剛性のリング部
材としての剛性リング２４によって保持されている。
【００３３】ウェハトレイ１１におけるウェハ保持部の
外側には、シリコンゴム等よりなり、プローブカード２
２の主面におけるバンプ群２１の周辺部と対向するよう
に密着する環状のシール部材としてのシールリング１９
Ａが設けられている。該シールリング１９Ａは、ウェハ
トレイ１１に保持されている環状の基部と、該環状の基
部と一体に形成され、環状中心に対して外側へ向かうに
つれてプローブカード２２側に延びる外側テーパ部と、
環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して内側へ
向かうにつれてプローブカード２２側に延びる内側テー
パ部とを有しているため、外側テーパ部及び内側テーパ
部の互いに対向する面同士が互いに離れるようにプロー
ブカード２２の主面と密着する。
外側には、シリコンゴム等よりなり、プローブカード２
２の主面におけるバンプ群２１の周辺部と対向するよう
に密着する環状のシール部材としてのシールリング１９
Ａが設けられている。該シールリング１９Ａは、ウェハ
トレイ１１に保持されている環状の基部と、該環状の基
部と一体に形成され、環状中心に対して外側へ向かうに
つれてプローブカード２２側に延びる外側テーパ部と、
環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して内側へ
向かうにつれてプローブカード２２側に延びる内側テー
パ部とを有しているため、外側テーパ部及び内側テーパ
部の互いに対向する面同士が互いに離れるようにプロー
ブカード２２の主面と密着する。
【００３４】また、ウェハトレイ１１の側部には、プロ
ーブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウ
ェハ保持部とシールリング１９Ａとにより形成される密
閉空間１７と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する
真空バルブ１８が設けられている。
ーブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウ
ェハ保持部とシールリング１９Ａとにより形成される密
閉空間１７と外部とを導通させ且つ減圧状態を維持する
真空バルブ１８が設けられている。
【００３５】以下、前記のように構成されたウェハカセ
ットの使用方法の概要を説明する。
ットの使用方法の概要を説明する。
【００３６】まず、プローブカード２２におけるバンプ
群２１の各位置と半導体ウェハ１２における各電極の位
置とを合わせた後、プローブカード２２の真空バルブ１
８から、プローブカード２２のバンプ形成面とウェハト
レイ１１のウェハ保持部とシールリング１９Ａとにより
形成される密閉区間１７の空気を吸引して該密閉空間１
７を減圧すると、プローブカード２２の裏面とウェハト
レイ１１の裏面とが互いに大気圧に押圧されるため、プ
ローブカード２２に形成されたバンプ群２１の各バンプ
と半導体ウェハ１２に形成された各電極とが接近してさ
らに圧着されるので、その結果、プローブカード２２の
各バンプと半導体ウェハ１２の各電極とが電気的に接続
されることになる。
群２１の各位置と半導体ウェハ１２における各電極の位
置とを合わせた後、プローブカード２２の真空バルブ１
８から、プローブカード２２のバンプ形成面とウェハト
レイ１１のウェハ保持部とシールリング１９Ａとにより
形成される密閉区間１７の空気を吸引して該密閉空間１
７を減圧すると、プローブカード２２の裏面とウェハト
レイ１１の裏面とが互いに大気圧に押圧されるため、プ
ローブカード２２に形成されたバンプ群２１の各バンプ
と半導体ウェハ１２に形成された各電極とが接近してさ
らに圧着されるので、その結果、プローブカード２２の
各バンプと半導体ウェハ１２の各電極とが電気的に接続
されることになる。
【００３７】次に、プローブカード２２、半導体ウェハ
１２及びウェハトレイ１１が一体化された状態で、プロ
ーブカード２２の裏面と配線基板（図示せず）とを接触
させ、該配線基板をバーンイン装置（図示せず）と接続
すれば、ウェハ・バーンインを行なうことができる。
１２及びウェハトレイ１１が一体化された状態で、プロ
ーブカード２２の裏面と配線基板（図示せず）とを接触
させ、該配線基板をバーンイン装置（図示せず）と接続
すれば、ウェハ・バーンインを行なうことができる。
【００３８】このように、本実施形態によると、プロー
ブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェ
ハ保持部とシールリング１９Ａとにより形成される密閉
空間１７が減圧される際に、ウェハトレイ１１のウェハ
保持部の外側に設けられているシールリング１９Ａは、
プローブカード２２の裏面及びウェハトレイ１１の裏面
が大気圧に押圧されることにより、プローブカード２２
の主面における剛性リング２４の内側部分と圧着され
る。従って、ウェハトレイ１１におけるウェハ保持部の
外側に設けられており、環状の基部と一体に形成され、
環状中心に対して外側へ向かう外側テーパ部と環状中心
に対して内側へ向かう内側テーパ部とを有するシールリ
ング１９Ａは、密閉空間１７が減圧されてプローブカー
ド２２の裏面及びウェハトレイ１１裏面が大気圧によっ
て押圧される際に、シールリング１９Ａの外側テーパ部
及び内側テーパ部の互いに対向する面同士が互いに離れ
るようにプローブカード２２の主面に密着するため、プ
ローブカード２２の主面に対しては、該プローブカード
２２の中心部から外側に向かう張力と中心部に向かう収
縮力とを同時に生じさせることになる。その結果、プロ
ーブカード２２における中心部から外側に向かう張力が
低減されるため、プローブカード２２の主面に形成され
ているバンプ群２１の各バンプの位置と、半導体ウェハ
１２に形成されている複数の集積回路素子の各電極の位
置とのずれ、特に、プローブカード２２の周縁部におけ
るずれを低減することができるので、複数の集積回路素
子に対してそれぞれ所望の検査を行なうことができる。
ブカード２２のバンプ形成面とウェハトレイ１１のウェ
ハ保持部とシールリング１９Ａとにより形成される密閉
空間１７が減圧される際に、ウェハトレイ１１のウェハ
保持部の外側に設けられているシールリング１９Ａは、
プローブカード２２の裏面及びウェハトレイ１１の裏面
が大気圧に押圧されることにより、プローブカード２２
の主面における剛性リング２４の内側部分と圧着され
る。従って、ウェハトレイ１１におけるウェハ保持部の
外側に設けられており、環状の基部と一体に形成され、
環状中心に対して外側へ向かう外側テーパ部と環状中心
に対して内側へ向かう内側テーパ部とを有するシールリ
ング１９Ａは、密閉空間１７が減圧されてプローブカー
ド２２の裏面及びウェハトレイ１１裏面が大気圧によっ
て押圧される際に、シールリング１９Ａの外側テーパ部
及び内側テーパ部の互いに対向する面同士が互いに離れ
るようにプローブカード２２の主面に密着するため、プ
ローブカード２２の主面に対しては、該プローブカード
２２の中心部から外側に向かう張力と中心部に向かう収
縮力とを同時に生じさせることになる。その結果、プロ
ーブカード２２における中心部から外側に向かう張力が
低減されるため、プローブカード２２の主面に形成され
ているバンプ群２１の各バンプの位置と、半導体ウェハ
１２に形成されている複数の集積回路素子の各電極の位
置とのずれ、特に、プローブカード２２の周縁部におけ
るずれを低減することができるので、複数の集積回路素
子に対してそれぞれ所望の検査を行なうことができる。
【００３９】（第２の実施形態の一変形例）本発明の第
２の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説
明する。
２の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説
明する。
【００４０】図３は本発明の第２の実施形態の一変形例
に係るウェハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構
成を示している。図３において、図２に示す構成部材と
同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を
省略する。
に係るウェハ・バーンイン用のウェハカセットの断面構
成を示している。図３において、図２に示す構成部材と
同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を
省略する。
【００４１】図３に示すように、ウェハトレイ１１にお
けるウェハ保持部の外側には、プローブカード２２の主
面におけるバンプ群２１の周辺部と対向すると共に、ウ
ェハトレイ１１に保持されている環状の基部と該環状の
基部と一体に形成されたシリコンゴム等よりなり、断面
円形状で且つ環状のシール部材としての中空のシールリ
ング１９Ｂが設けられている。
けるウェハ保持部の外側には、プローブカード２２の主
面におけるバンプ群２１の周辺部と対向すると共に、ウ
ェハトレイ１１に保持されている環状の基部と該環状の
基部と一体に形成されたシリコンゴム等よりなり、断面
円形状で且つ環状のシール部材としての中空のシールリ
ング１９Ｂが設けられている。
【００４２】これにより、プローブカード２２のバンプ
形成面とウェハトレイ１１のウェハ保持部とシールリン
グ１９Ｂとにより形成される密閉空間１７が減圧される
際に、ウェハトレイ１１のウェハ保持面の外側に設けら
れているシールリング１９Ｂは、プローブカード２２の
裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大気圧に押圧される
ことにより、プローブカード２２の主面における剛性リ
ング２４の内側と圧着される。従って、ウェハトレイ１
１に設けられている断面円形状の中空シールリング１９
Ｂは、密閉空間１７が減圧されてプローブカード２２の
裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大気圧によって押圧
される際に、シールリング１９Ｂにおけるプローブカー
ド２２の主面と接する部分が、プローブカード２２の主
面に対して該プローブカード２２の中心部から外側に向
かう張力と中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせる
ことになる。その結果、プローブカード２２における中
心部から外側に向かう張力が低減されるため、プローブ
カード２２の主面に形成されているバンプ群２１の各バ
ンプの位置と、半導体ウェハ１２に形成されている複数
の集積回路素子の各電極の位置とがずれる現象を低減す
ることができるので、積回路素子に対してそれぞれ所望
の検査を行なうことができる。
形成面とウェハトレイ１１のウェハ保持部とシールリン
グ１９Ｂとにより形成される密閉空間１７が減圧される
際に、ウェハトレイ１１のウェハ保持面の外側に設けら
れているシールリング１９Ｂは、プローブカード２２の
裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大気圧に押圧される
ことにより、プローブカード２２の主面における剛性リ
ング２４の内側と圧着される。従って、ウェハトレイ１
１に設けられている断面円形状の中空シールリング１９
Ｂは、密閉空間１７が減圧されてプローブカード２２の
裏面及びウェハトレイ１１の裏面が大気圧によって押圧
される際に、シールリング１９Ｂにおけるプローブカー
ド２２の主面と接する部分が、プローブカード２２の主
面に対して該プローブカード２２の中心部から外側に向
かう張力と中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせる
ことになる。その結果、プローブカード２２における中
心部から外側に向かう張力が低減されるため、プローブ
カード２２の主面に形成されているバンプ群２１の各バ
ンプの位置と、半導体ウェハ１２に形成されている複数
の集積回路素子の各電極の位置とがずれる現象を低減す
ることができるので、積回路素子に対してそれぞれ所望
の検査を行なうことができる。
【００４３】
【発明の効果】 本発明に係る第１のウェハカセットに
よると、絶縁性薄膜よりなるプローブカードのプローブ
端子形成面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持
部と反対側の面が大気圧によって押圧される際に、ウェ
ハトレイを保持する剛性のリング部材と対向する部位に
設けられた環状のシール部材が該リング部材に圧着され
るため、環状のシール部材が直接プローブカードの周縁
部に圧着される場合に比べて、プローブカードの中心部
から外側に向かう張力が低減されるので、プローブカー
ドに形成されているプローブ端子の位置と、半導体ウェ
ハに形成されている複数の集積回路素子の各電極の位置
とがずれる現象を低減することができる。
よると、絶縁性薄膜よりなるプローブカードのプローブ
端子形成面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持
部と反対側の面が大気圧によって押圧される際に、ウェ
ハトレイを保持する剛性のリング部材と対向する部位に
設けられた環状のシール部材が該リング部材に圧着され
るため、環状のシール部材が直接プローブカードの周縁
部に圧着される場合に比べて、プローブカードの中心部
から外側に向かう張力が低減されるので、プローブカー
ドに形成されているプローブ端子の位置と、半導体ウェ
ハに形成されている複数の集積回路素子の各電極の位置
とがずれる現象を低減することができる。
【００４４】 本発明に係る第２のウェハカセットによ
ると、ウェハトレイとプローブカードと環状のシール部
材とにより形成される密閉空間が減圧手段により減圧さ
れる際に、環状のシール部材が、環状中心に対して内外
方向に対称な断面形状を有しているため、絶縁性薄膜よ
りなるプローブカードのプローブ端子形成面と反対側の
面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が大気
圧によって押圧されたとしても、プローブカードに対し
て、該プローブカードの中心部から外側に向かう張力と
中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせることにな
る。その結果、プローブカードにおける中心部から外側
に向かう張力が低減されるので、プローブカードに形成
されているプローブ端子の位置と、半導体ウェハに形成
されている複数の集積回路素子の各電極の位置とがずれ
る現象を低減することができる。
ると、ウェハトレイとプローブカードと環状のシール部
材とにより形成される密閉空間が減圧手段により減圧さ
れる際に、環状のシール部材が、環状中心に対して内外
方向に対称な断面形状を有しているため、絶縁性薄膜よ
りなるプローブカードのプローブ端子形成面と反対側の
面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が大気
圧によって押圧されたとしても、プローブカードに対し
て、該プローブカードの中心部から外側に向かう張力と
中心部に向かう収縮力とを同時に生じさせることにな
る。その結果、プローブカードにおける中心部から外側
に向かう張力が低減されるので、プローブカードに形成
されているプローブ端子の位置と、半導体ウェハに形成
されている複数の集積回路素子の各電極の位置とがずれ
る現象を低減することができる。
【００４５】第２のウェハカセットにおいて、環状のシ
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して
外側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる外側テ
ーパ部と、環状の基部と一体に形成され、環状中心に対
して内側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる内
側テーパ部とを有していると、プローブカードのプロー
ブ端子形成面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保
持部と反対側の面が大気圧によって押圧される際に、環
状のシール部材における外側テーパ部と内側テーパ部と
の互いに対向する内側の面同士が互いに離れるようにプ
ローブカードのプローブ端子形成面に密着するため、プ
ローブ端子形成面に対して、中心部から外側に向かう張
力と中心部に向かう収縮力とを確実に生じさせることが
できる。
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成され、環状中心に対して
外側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる外側テ
ーパ部と、環状の基部と一体に形成され、環状中心に対
して内側へ向かうにつれてプローブカード側に延びる内
側テーパ部とを有していると、プローブカードのプロー
ブ端子形成面と反対側の面及びウェハトレイのウェハ保
持部と反対側の面が大気圧によって押圧される際に、環
状のシール部材における外側テーパ部と内側テーパ部と
の互いに対向する内側の面同士が互いに離れるようにプ
ローブカードのプローブ端子形成面に密着するため、プ
ローブ端子形成面に対して、中心部から外側に向かう張
力と中心部に向かう収縮力とを確実に生じさせることが
できる。
【００４６】第２のウェハカセットにおいて、環状のシ
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成された断面円形状の円形
部を有していると、プローブカードのプローブ端子形成
面の反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対
側の面が大気圧によって押圧される際に、環状のシール
部材の円形部におけるプローブカードのプローブ端子形
成面と接する部分が、該プローブ端子形成面に対して中
心部から外側に向かう張力と中心部に向かう収縮力とを
確実に生じさせることができる。
ール部材が、ウェハトレイに保持されている環状の基部
と、該環状の基部と一体に形成された断面円形状の円形
部を有していると、プローブカードのプローブ端子形成
面の反対側の面及びウェハトレイのウェハ保持部と反対
側の面が大気圧によって押圧される際に、環状のシール
部材の円形部におけるプローブカードのプローブ端子形
成面と接する部分が、該プローブ端子形成面に対して中
心部から外側に向かう張力と中心部に向かう収縮力とを
確実に生じさせることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセット
を示す構成断面図である。
を示す構成断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るウェハカセット
を示す構成断面図である。
を示す構成断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の一変形例に係るウェ
ハカセットの応用例を示す構成断面図である。
ハカセットの応用例を示す構成断面図である。
【図４】従来のウェハカセットを示す構成断面図であ
る。
る。
１１ ウェハトレイ
１２ 半導体ウェハ
１６ シールリング（シール部材）
１７ 密閉空間
１８ 真空バルブ（減圧手段）
１９Ａ シールリング（シール部材）
１９Ｂ シールリング（シール部材）
２１ バンプ群（プローブ端子）
２２ プローブカード
２３ 剛性リング（リング部材）
２４ 剛性リング
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−5666（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
B65D 85/86
H01L 21/68
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上に形成されている複数の
半導体集積回路素子の各電極に電圧を印加して、前記複
数の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハレベルで
一括して検査するためのウェハカセットであって、 前記半導体ウェハを保持するウェハトレイと、 前記ウェハトレイのウェハ保持部と対向するように設け
られ、前記複数の半導体集積回路素子の各電極と対応す
る位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜よりなるプロ
ーブカードと、 前記プローブカードにおける前記プローブ端子が形成さ
れている面の周縁部を保持している剛性のリング部材
と、 前記ウェハトレイにおける前記リング部材と対向する部
位に設けられ、前記リング部材に押圧されることによっ
て、前記ウェハトレイ及びプローブカードと共に密閉空
間を形成する環状のシール部材と、前記プローブカードのプローブ端子形成面と反対側の面
及び前記ウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が直
接大気圧によって押圧されるように 前記密閉空間を減圧
して、前記半導体ウェハの半導体集積回路素子の各電極
と前記プローブカードの各プローブ端子とを電気的に接
続させる減圧手段とを備えていることを特徴とするウェ
ハカセット。 - 【請求項２】 半導体ウェハ上に形成されている複数の
半導体集積回路素子の各電極に電圧を印加して、前記複
数の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハレベルで
一括して検査するためのウェハカセットであって、 前記半導体ウェハを保持するウェハトレイと、 前記ウェハトレイのウェハ保持部と対向するように設け
られ、前記複数の半導体集積回路素子の各電極と対応す
る位置にプローブ端子を有する絶縁性薄膜よりなるプロ
ーブカードと、 前記ウェハトレイにおけるウェハ保持部の外側に、前記
プローブカードに押圧されることによって、前記ウェハ
トレイ及びプローブカードと共に密閉空間を形成するよ
うに設けられた環状のシール部材と、前記プローブカードのプローブ端子形成面と反対側の面
及び前記ウェハトレイのウェハ保持部と反対側の面が直
接大気圧によって押圧されるように 前記密閉空間を減圧
して、前記半導体ウェハの半導体集積回路素子の各電極
と前記プローブカードの各プローブ端子とを電気的に接
続させる減圧手段とを備え、 前記環状のシール部材は、環状中心に対して内外方向に
対称な断面形状を有していることを特徴とするウェハカ
セット。 - 【請求項３】 前記環状のシール部材は、前記ウェハト
レイに保持されている環状の基部と、該環状の基部と一
体に形成され、前記環状中心に対して外側へ向かうにつ
れて前記プローブカード側に延びる外側テーパ部と、前
記環状の基部と一体に形成され、前記環状中心に対して
内側へ向かうにつれて前記プローブカード側に延びる内
側テーパ部とを有していることを特徴とする請求項２に
記載のウェハカセット。 - 【請求項４】 前記環状のシール部材は、前記ウェハト
レイに保持されている環状の基部と、該環状の基部と一
体に形成された断面円形状の円形部を有していることを
特徴とする請求項２に記載のウェハカセット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28641697A JP3456877B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | ウェハカセット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28641697A JP3456877B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | ウェハカセット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121555A JPH11121555A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3456877B2 true JP3456877B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17704118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28641697A Expired - Fee Related JP3456877B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | ウェハカセット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456877B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034569A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路検査用プローブカードとその製造方法 |
| US8872532B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-10-28 | Formfactor, Inc. | Wafer test cassette system |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP28641697A patent/JP3456877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121555A (ja) | 1999-04-30 |
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