JPH11121551A - ウェハカセット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シール部材を半導体ウェハに接近させるにも拘
わらず、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材
により形成される密封空間の容積が低減しないようにす
る。 【解決手段】 複数の半導体集積回路素子が形成された
半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１の上に載置されて
いる。ウェハトレイ１１の上に載置された半導体ウェハ
１０と対向するようにプローブカード１２が配置されて
いる。ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、第
１の環状の凹状溝３１、第２の環状の凹状溝３２、第１
の直線状の凹状溝３３及び第２の直線状の凹状溝３４が
形成されている。第１の直線状の凹状溝３３はウェハト
レイ１１の内部に形成された第１の連通路３５を介して
第１の開閉弁３７と接続されている。第２の直線状の凹
状溝３４はウェハトレイ１１の内部に形成された第２の
連通路３６を介して第２の開閉弁３８と接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成された複数の半導体集積回路素子に対して一括して
バーンインを行なうためのウェハカセット及びプローブ
カードの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。

【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で
一括してバーンインを行なう必要がある。

【０００５】そこで、例えば、NIKKEI MICRODEVICES 19
97年 7月号に記載されているように、半導体集積回路素
子が形成された半導体ウェハを保持するウェハトレイ
と、該ウェハトレイに保持された半導体ウェハと対向す
るように設けられ、該半導体ウェハの半導体集積回路素
子の検査用端子と接続されるバンプを有するプローブカ
ードと、ウェハトレイとプローブカードとの間に設けら
れ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を
形成する環状のシール材とを備えたウェハカセットが提
案されている。

【０００６】以下、前記のウェハカセットについて、図
５及び図６を参照しながら説明する。図５はウェハカセ
ットの断面構造を示しており、図６はウェハカセットの
部分拡大断面構造を示している。

【０００７】図５及び図６に示すように、半導体ウェハ
１０を保持したウェハトレイ１１と、ポリイミド樹脂よ
りなり弾性を有するプローブカード１２を保持した配線
基板１３とが対向するように設けられていると共に、ウ
ェハトレイ１１の周縁部に環状のシール材１４が設けら
れている。

【０００８】図６に示すように、半導体ウェハ１０上に
形成されている各半導体集積回路素子は外部電極１６を
有している。

【０００９】図５及び図６に示すように、プローブカー
ド１２における、半導体ウェハ１０上の半導体集積回路
素子の外部電極１６と対応する部位にはバンプ１７が設
けられていると共に、プローブカード１２の周縁部は剛
性のリング１８により保持されている。

【００１０】配線基板１３には、一端部が電源電圧、接
地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給する図示しな
い検査装置に接続される多層配線２０と、該多層配線２
０の他端側とプローブカード１２のバンプ１７とを電気
的に接続する異方導電性ゴム２１とが設けられている。

【００１１】ウェハトレイ１１の側面には、図示しない
減圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共
に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０
とシール部材１４との間には、開閉弁２２と連通する環
状の減圧用凹状溝１９が形成されている。

【００１２】以上のような構造を有するバーンイン用カ
セットにおいて、ウェハトレイ１１と配線基板１３とを
接近させると、ウェハトレイ１１、プローブカード１２
及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成
されると共に、プローブカード１２と配線基板１３との
間に第２の密封空間２５が形成される。

【００１３】図５に示す状態で、開閉弁２２を図示しな
い減圧手段に接続して第１の密封空間１５を減圧する
と、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層接
近して、図６に示すように、半導体ウェハ１０上の各半
導体集積回路素子の外部電極１６とプローブカード１２
のバンプ１７とが電気的に接続する。その後、検査装置
から検査用電圧を半導体ウェハ１０上の各半導体集積回
路素子に印加したり、各半導体集積回路素子からの出力
信号を検査装置に入力したりして、検査装置により各半
導体集積回路素子の電気特性を評価する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、第１の密封空間１５を減圧すると、ウェハトレイ
１１とプローブカード１２とが一層接近して、半導体ウ
ェハ１０上の各半導体集積回路素子の外部電極１６とプ
ローブカード１２のバンプ１７とが電気的に接続する
が、プローブカード１２が弾性を有しているため、図７
に示すように、プローブカード１２の周縁部は、ウェハ
トレイ１１の方につまり第１の密封空間１５の方に引っ
張られる。そして、プローブカード１２の周縁部がウェ
ハトレイ１１の方に引っ張られる反動として、プローブ
カード１２の周縁部の近傍に形成されているバンプ１７
は浮き上がって半導体ウェハ１０の外部電極１６から離
れてしまうので、プローブカード１２の周縁部の近傍の
バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなく
なると言う問題がある。

【００１５】また、プローブカード１２におけるバンプ
１７とシール部材１４との間の距離は、プローブカード
１２におけるバンプ１７同士の間の距離に比べてかなり
大きいので、プローブカード１２におけるバンプ１７と
シール部材１４との間の領域はプローブカード１２にお
けるバンプ１７同士の間の領域に比べて伸びる量が大き
い。このため、プローブカード１２の周縁部の近傍に設
けられているバンプ１７がシール部材１４の方に移動す
るので、プローブカード１２の周縁部の近傍のバンプ１
７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言
う問題もある。

【００１６】そこで、ウェハトレイ１１の上面における
半導体ウェハ１０とシール部材１４との間に形成されて
いる減圧用凹状溝１９をなくして、シール部材１４を半
導体ウェハ１０に接近させることを考慮したが、減圧用
凹状溝１９を有しない構造にすると、第１の密封空間１
５の容積が小さくなってしまう。第１の密封空間１５の
容積が小さくなると、第１の密封空間１５を減圧する際
に外部から少量の空気が流入しても、第１の密封空間１
５の減圧状態が低下する（大気圧に近づく）ので、バン
プ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなる
と言う新たな問題が発生する。

【００１７】さらに、第１の密封空間１５を減圧する際
に、プローブシート１２の周縁部とと配線基板１３との
間から大気が第２の密封空間２５に流入し、第２の密封
空間２５に流入した空気が第１の密封空間１５にも流入
するので、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、
バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなく
なると言う問題も発生する。もっとも、図６に示すよう
に、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全
周に亘って接着剤２４で固定することも考慮されるが、
このようにすると、プローブカード１２が損傷したとき
にプローブカード１２を取り替えるのに多大な労力が必
要になるので、プローブカード１２の周縁部と配線基板
１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することは現実
的ではない。

【００１８】前記に鑑み、本発明は、シール部材を半導
体ウェハに接近させるにも拘わらず、第１の密封空間の
容積が低減しないようにすることを第１の目的とし、プ
ローブカードの周縁部と配線基板とを全周に亘って接着
剤で固定することなく、プローブシートの周縁部と配線
基板との間から大気が第２の密封空間に流入しないよう
にすることを第２の目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１のウェハカセットは、複数の半導
体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置される
ウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハトレイの
ウェハ載置部と対向するように設けられ、複数の半導体
集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有する
プローブカードと、ウェハトレイにおけるウェハ載置部
の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと
共に密封空間を形成する環状のシール部材と、ウェハト
レイに設けられ密封空間と外部とを連通させる連通路
と、連通路を開閉する開閉弁とを備えたウェハカセット
を前提とし、ウェハトレイのウェハ載置部には、連通路
と連通するように形成され、密封空間の容積を増大させ
る容積増大用凹状溝が設けられている。

【００２０】第１のウェハカセットによると、ウェハト
レイのウェハ載置部に、密封空間の容積を増大させる容
積増大用凹状溝が設けられているため、ウェハトレイの
ウェハ載置部とシール部材との間に減圧用凹状溝を設け
る必要がないので、ウェハトレイ、プローブカード及び
シール部材によって形成される密封空間の容積の減少を
招くことなく、シール部材を半導体ウェハに接近させる
ことが可能になる。

【００２１】第１のウェハカセットにおいて、環状のシ
ール部材の基部は、ウェハトレイにおけるウェハ載置部
の外側に環状に形成されたシール部材用凹状溝に嵌入さ
れており、容積増大用凹状溝はシール部材用凹状溝と連
通していることが好ましい。

【００２２】第１のウェハカセットは、ウェハトレイの
ウェハ載置部に形成され、該ウェハ載置部に載置される
半導体ウェハを吸引するためのウェハ吸引用凹状溝を備
え、容積増大用凹状溝はウェハ吸引用凹状溝と連通して
いることが好ましい。

【００２３】本発明に係る第２のウェハカセットは、複
数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載
置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハ
トレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、複数
の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプ
を有するプローブカードと、プローブカードの周縁部を
保持する保持基板と、ウェハトレイにおけるウェハ載置
部の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカード
と共に第１の密封空間を形成すると共にプローブカード
の周縁部を保持基板に対して押圧することによりプロー
ブカードと保持基板との間に第２の密封空間を形成する
環状のシール部材とを備えたウェハカセットを前提と
し、保持基板と、環状のシール部材により保持基板に対
して押圧されるプローブカードの周縁部との間に環状の
弾性材が設けられている。

【００２４】第２のウェハカセットによると、保持基板
とプローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設け
られているため、ウェハトレイ、プローブカード及びシ
ール部材によって形成される第１の密封空間を減圧する
際に、保持基板とプローブカードとの間に形成される第
２の密封空間に、保持基板とプローブカードの周縁部と
の間から大気が流入し難くなる。

【００２５】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態に係
るウェハカセットについて、図１及び図２を参照しなが
ら説明する。

【００２６】図１は第１の実施形態に係るウェハカセッ
トにおけるウェハトレイの平面構造を示し、図２は第１
の実施形態に係るウェハカセットの断面構造を示してい
る。

【００２７】第１の実施形態に係るウェハカセットは、
図２に示すように、従来のウェハカセットと同様、半導
体集積回路素子が形成された半導体ウェハ１０が載置さ
れるウェハ載置部１１ａを有するウェハトレイ１１と、
該ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａと対向するよ
うに設けられ、表面側に複数の半導体集積回路素子の各
外部電極１６と接続されるバンプ１７を有する、例えば
ポリイミド樹脂等の弾性材よりなるプローブカード１２
と、多層配線２０を有していると共にプローブカード１
２の裏面と異方導電性ゴム２１を介して接している保持
基板としての配線基板１３とを備えている。

【００２８】ウェハトレイ１１におけるウェハ載置部１
１ａの外側には環状のシール部材用凹状溝２３が形成さ
れており、該シール部材用凹状溝２３に環状のシール部
材１４の基部が嵌入されている。

【００２９】また、プローブカード１２の周縁部は剛性
のリング１８に固定されていると共に、剛性のリング１
８は配線基板１３に固定されており、これにより、プロ
ーブカード１２は配線基板１３に保持されている。

【００３０】さらに、従来のウェハカセットと同様、プ
ローブカード１２の周縁部が環状のシール部材１４によ
り配線基板１３に押圧されているため、ウェハトレイ１
１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第
１の密封空間１５が形成されていると共に、プローブカ
ード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間が２５
が形成されている。

【００３１】第１の実施形態の特徴として、図１に示す
ように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、
円環状に延び且つ一部分が途絶えた複数の第１の環状の
凹状溝３１及び複数の第２の環状の凹状溝３２が交互に
同心円状に形成されている。また、ウェハトレイ１１の
ウェハ載置部１１ａには内外方向へ直線状に延び且つ外
端部がシール部材用凹状溝２３と連通する第１の直線状
の凹状溝３３が形成されており、複数の第１の環状の凹
状溝３１は第１の直線状の凹状溝３３とそれぞれ連通し
ている。また、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａ
には内外方向へ第１の直線状の凹状溝３３と平行に延び
且つ外側の端部が最外の第１の環状の凹状溝３１の内側
まで延びる第２の直線状の凹状溝３４が形成されてお
り、複数の第２の環状の凹状溝３２は第２の直線状の凹
状溝３４とそれぞれ連通している。

【００３２】第１の直線状の凹状溝３３の途中部は、ウ
ェハトレイ１１の上面から内部に向かって延びた後、上
面と平行に外側へ延びる第１の連通路３５の内側の端部
に接続されており、該第１の連通路３５の外側の端部は
ウェハトレイ１１の側面に設けられた第１の開閉弁３７
と接続されている。

【００３３】また、第２の直線状の凹状溝３４の途中部
は、ウェハトレイ１１の内部を第１の連通路３５と平行
に延びる第２の連通路３６の内側の端部に接続されてお
り、該第２の連通路３６の外側の端部はウェハトレイ１
１の側面に設けられた第２の開閉弁３８と接続されてい
る。

【００３４】以上説明したように、第１の直線状の凹状
溝３３はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空
間１５に連通しているので、第１の開閉弁３７を図示し
ない減圧装置に接続すると、第１の密封空間１５の空気
は第１の直線状の凹状溝３３及び第１の連通路３５を通
って外部に流出するので、第１の密封空間１５は減圧さ
れる。この場合、第１の連通路３５は、第１の直線状の
凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１に接続さ
れているため、第１の密封空間１５の容積は、第１の直
線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１の
容積分だけ増大している。

【００３５】従って、第１の直線状の凹状溝３３及び複
数の第１の環状の凹状溝３１によって、第１の密封空間
１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝が構成されて
おり、これにより、従来技術の項で説明した、ウェハト
レイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材
１４との間に位置する減圧用凹状溝１９をなくすことが
できるので、第１の密封空間１４の容積の減少を招くこ
となく、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させ
ることが可能になる。このため、第１の密封空間１５を
減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、第１の
密封空間１５の減圧状態が低下する事態を回避できるの
で、バンプ１７と外部電極１６との確実な電気的接続が
得られる。

【００３６】尚、第１の直線状の凹状溝３３はシール部
材用凹状溝２３に連通しているが、シール部材用凹状溝
２３にはシール部材１４の基部が嵌入されているため、
第１の密封空間１５の減圧時にシール部材用凹状溝２３
を通って第１の密封空間１５に流入する大気の量は僅か
であるので特に支障はない。

【００３７】また、第２の直線状の凹状溝３４は、ウェ
ハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に拡がる複数の
第２の環状の凹状溝３２に接続されていると共に、第２
の連通路３６を介して第２の開閉弁３８に接続されてい
るため、第２の開閉弁３８を図示しない減圧装置に接続
すると、複数の第２の環状の凹状溝３２が減圧されるの
で、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に載置
される半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１の保持され
る。

【００３８】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るウェハカセットについて、図３を参照し
ながら説明する。図２は第２の実施形態に係るウェハカ
セットにおけるウェハトレイの平面構造を示している。

【００３９】第２の実施形態に係るウェハカセットは、
ウェハトレイ１１の構造を除いては、第１の実施形態と
同様であるので、以下の説明においては、ウェハトレイ
１１の構造についてのみ説明する。

【００４０】第２の実施形態の特徴として、図３に示す
ように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、
円環状に延びる複数の環状の凹状溝４１が同心円状に形
成されていると共に、内外方向へ直線状に延び且つ外側
の端部がシール部材用凹状溝２３と連通する直線状の凹
状溝４２が形成されており、複数の環状の凹状溝４１は
直線状の凹状溝４２とそれぞれ連通している。また、直
線状の凹状溝４２の途中部は、ウェハトレイ１１の上面
から内部に向かって延びた後、上面に平行に外側へ延び
る図示しない連通路４３の内側の端部に接続されてお
り、該連通路４３の外側の端部はウェハトレイ１１の側
面に設けられた開閉弁４４と接続されている。

【００４１】以上説明したように、直線状の凹状溝４２
はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空間１５
に連通しているので、開閉弁４４を図示しない減圧装置
に接続すると、第１の密封空間１５の空気は直線状の凹
状溝４２及び連通路４３を通って外部に流出するので、
第１の密封空間１５は減圧される。この場合、連通路４
３は、直線状の凹状溝４２及び複数の環状の凹状溝４１
に接続されているため、第１の密封空間１５の容積は増
大している。従って、直線状の凹状溝４２及び複数の環
状の凹状溝４１によって、第１の密封空間１５の容積を
増大させる容積増大用凹状溝が構成されており、これに
より、第１の実施形態と同様に、第１の密封空間１４の
容積の減少を招くことなく、シール部材１４を半導体ウ
ェハ１０に接近させることが可能になる。

【００４２】また、直線状の凹状溝４２に接続している
複数の環状の凹状溝４１は、ウェハトレイ１１のトレイ
載置部１１ａの上に拡がっているため、開閉弁４４を図
示しない減圧装置に接続すると、複数の環状の凹状溝４
１が減圧されるので、ウェハトレイ１１のトレイ載置部
１１ａの上に載置される半導体ウェハ１０はウェハトレ
イ１１に保持される。

【００４３】第２の実施形態によると、第１の密封空間
１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝の容積が、第
１の実施形態に比べて、複数の第２の環状の凹状溝３２
の分だけ増大しているので、第１の密封空間１５の容積
を増大させる効果がより向上する。また、複数の環状の
凹状溝４１、直線状の凹状溝４２及び開閉弁４４が、第
１の密封空間１５の容積を増大させる機能と半導体ウェ
ハ１０をウェハトレイ１１に吸引する機能との両方を持
っているため、構造がシンプルになる。

【００４４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るウェハカセットについて、図４を参照し
ながら説明する。図４は第３の実施形態に係るウェハカ
セットの断面構造を示している。

【００４５】第３の実施形態に係るウェハカセットは、
従来のウェハカセットと同様、半導体集積回路素子が形
成された半導体ウェハ１０が載置されるウェハ載置部１
１ａを有するウェハトレイ１１と、該ウェハトレイ１１
のウェハ載置部１１ａと対向するように設けられ、表面
側に複数の半導体集積回路素子の各外部電極１６と接続
されるバンプ１７を有するプローブカード１２と、多層
配線２０を有していると共にプローブカード１２の裏面
と異方導電性ゴム２１を介して接する保持基板としての
配線基板１３と、ウェハトレイ１１におけるウェハ載置
部１１ａの外側に設けられた環状のシール部材１４とを
備えている。

【００４６】プローブカード１２の周縁部は剛性のリン
グ１８に固定されていると共に、剛性のリング１８は間
隔をおいて設けられた接着剤２４を介して配線基板１３
に固定されており、これにより、プローブカード１２は
配線基板１３に保持されている。また、プローブカード
１２の周縁部が環状のシール部材１４により配線基板１
３に押圧されているため、ウェハトレイ１１、プローブ
カード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間
１５が形成されていると共に、プローブカード１２と配
線基板１３との間に第２の密封空間が２５が形成されて
いる。

【００４７】ウェハトレイ１１の側面には図示しない減
圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共
に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０
とシール部材１４との間には開閉弁２２と連通する環状
の減圧用凹状溝１９が形成されている。

【００４８】第３の実施形態の特徴として、配線基板１
３と、シール部材１４により配線基板１３に対して押圧
されるプローブカード１２の周縁部との間に、例えば断
面矩形状のゴムよりなる環状の弾性材５０が設けられて
いる。環状の弾性材５０は、プローブカード１２の周縁
部に固定されていてもよいし、配線基板１３におけるプ
ローブカード１２の周縁部と対向する部位に固定されて
いてもよい。また、弾性材５０の厚さについては、限定
されないが、異方導電性ゴム２１の厚さと同程度である
と、プローブカード１２がウェハトレイ１１の周縁部と
対向する部位においてもウェハトレイ１１の上面と平行
状態になるので好ましい。

【００４９】第３の実施形態によると、配線基板１３と
プローブカード１２の周縁部との間に環状の弾性材５０
が設けられているため、第１の密封空間１５を減圧する
際に、配線基板１３とプローブカード１２の周縁部との
間から大気が第２の密封空間２５に流入し難くなる。こ
のため、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、バ
ンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくな
る恐れが低減する。従って、プローブカード１２の周縁
部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定す
ることなく、大気がプローブシート１２の周縁部と配線
基板１３との間から第２の密封空間に流入する事態を防
止できる。

【００５０】

【発明の効果】本発明に係る第１のウェハカセットによ
ると、ウェハトレイのウェハ載置部とシール部材との間
に減圧用凹状溝を設ける必要がないため、ウェハトレ
イ、プローブカード及びシール部材によって形成される
密封空間の容積の減少を招くことなく、シール部材を半
導体ウェハに接近させることが可能になる。このため、
第１のウェハカセットによると、密封空間を減圧する際
に外部から少量の空気が流入しても、密封空間の減圧状
態が低下する事態を回避できるので、プローブカードの
各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の各外
部電極との確実な電気的接続が得られる。

【００５１】第１のウェハカセットにおいて、容積増大
用凹状溝が、環状のシール部材の基部が嵌入されている
シール部材用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状
溝の容積を増大させることができると共に、容積増大用
凹状溝を確実に密封空間と連通させることができる。

【００５２】第１のウェハカセットが、容積増大用凹状
溝が、ウェハトレイのウェハ載置部に形成されたウェハ
吸引用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状溝の容
積を増大させることができると共に、ウェハトレイの構
造をシンプルにすることができる。

【００５３】第２のウェハカセットによると、ウェハト
レイ、プローブカード及びシール部材によって形成され
る第１の密封空間を減圧する際に、保持基板とプローブ
カードとの間に形成される第２の密封空間に保持基板と
プローブカードの周縁部との間から大気が流入し難くな
るため、第１の密封空間の減圧状態が低下して、プロー
ブカードの各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路
素子の各外部電極との電気的接続が確保される。このた
め、第２のウェハカセットによると、プローブカードの
周縁部と保持基板とを全周に亘って接着剤で固定するこ
となく、大気がプローブシートの周縁部と配線基板との
間から第２の密封空間に流入する事態を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセット
のウェハトレイの上面構造を示す平面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセット
の部分拡大断面図である。

【図３】本発明の第２の実施形態に係るウェハカセット
のウェハトレイのの上面構造を示す平面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態に係るウェハカセット
の部分拡大断面図である。

【図５】従来のウェハカセットを示す断面図である。

【図６】従来のウェハカセットの部分拡大断面図であ
る。

【図７】従来のウェハカセットの問題点を説明する断面
図である。

【符号の説明】

１０ 半導体ウェハ １１ ウェハトレイ １１ａ ウェハ載置部 １２ プローブカード １３ 配線基板 １４ シール部材 １５ 第１の密封空間 １６ 外部電極 １７ バンプ １８ 剛性のリング １９ 減圧用凹状溝 ２０ 多層配線 ２１ 異方導電性ゴム ２２ 開閉弁 ２３ シール部材用凹状溝 ２４ 接着剤 ２５ 第２の密封空間 ３１ 第１の環状の凹状溝 ３２ 第２の環状の凹状溝 ３３ 第１の直線状の凹状溝 ３４ 第２の直線状の凹状溝 ３５ 第１の連通路 ３６ 第２の連通路 ３７ 第１の開閉弁 ３８ 第２の開閉弁 ４１ 環状の凹状溝 ４２ 直線状の凹状溝 ４３ 連通路 ４４ 開閉弁 ５０ 弾性材

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体集積回路素子が形成された
   半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハ
   トレイと、前記ウェハトレイのウェハ載置部と対向する
   ように設けられ、前記複数の半導体集積回路素子の各外
   部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、
   前記ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けら
   れ、前記ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空
   間を形成する環状のシール部材と、前記ウェハトレイに
   設けられ前記密封空間と外部とを連通させる連通路と、
   前記連通路を開閉する開閉弁とを備えたウェハカセット
   において、 前記ウェハトレイのウェハ載置部には、前記連通路と連
   通するように形成され、前記密封空間の容積を増大させ
   る容積増大用凹状溝が設けられていることを特徴とする
   ウェハカセット。
2. 【請求項２】 前記環状のシール部材の基部は、前記ウ
   ェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に環状に形成さ
   れたシール部材用凹状溝に嵌入されており、 前記容積増大用凹状溝は前記シール部材用凹状溝と連通
   していることを特徴とする請求項１に記載のウェハカセ
   ット。
3. 【請求項３】 前記ウェハトレイのウェハ載置部に形成
   され、該ウェハ載置部に載置される半導体ウェハを吸引
   するためのウェハ吸引用凹状溝を備え、 前記容積増大用凹状溝は前記ウェハ吸引用凹状溝と連通
   していることを特徴とする請求項１に記載のウェハカセ
   ット。
4. 【請求項４】 複数の半導体集積回路素子が形成された
   半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハ
   トレイと、前記ウェハトレイのウェハ載置部と対向する
   ように設けられ、前記複数の半導体集積回路素子の各外
   部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、
   前記プローブカードの周縁部を保持する保持基板と、前
   記ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けら
   れ、前記ウェハトレイ及びプローブカードと共に第１の
   密封空間を形成すると共に前記プローブカードの周縁部
   を前記保持基板に対して押圧することにより前記プロー
   ブカードと前記保持基板との間に第２の密封空間を形成
   する環状のシール部材とを備えたウェハカセットにおい
   て、 前記保持基板と、前記環状のシール部材により前記保持
   基板に対して押圧される前記プローブカードの周縁部と
   の間に環状の弾性材が設けられていることを特徴とする
   ウェハカセット。