JP3758833B2 - ウェハカセット - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行なうためのウェハカセット及びプローブカードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路装置は、半導体集積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより封止された状態で供給されて、プリント基板に実装される。
【０００３】
ところが、電子機器の小型化及び低価格化の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望まれている。
【０００４】
ベアチップに対して品質保証を行なうためには、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で一括してバーンインを行なう必要がある。
【０００５】
そこで、例えば、NIKKEI MICRODEVICES 1997年 7月号に記載されているように、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハを保持するウェハトレイと、該ウェハトレイに保持された半導体ウェハと対向するように設けられ、該半導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用端子と接続されるバンプを有するプローブカードと、ウェハトレイとプローブカードとの間に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を形成する環状のシール材とを備えたウェハカセットが提案されている。
【０００６】
以下、前記のウェハカセットについて、図５及び図６を参照しながら説明する。図５はウェハカセットの断面構造を示しており、図６はウェハカセットの部分拡大断面構造を示している。
【０００７】
図５及び図６に示すように、半導体ウェハ１０を保持したウェハトレイ１１と、ポリイミド樹脂よりなり弾性を有するプローブカード１２を保持した配線基板１３とが対向するように設けられていると共に、ウェハトレイ１１の周縁部に環状のシール材１４が設けられている。
【０００８】
図６に示すように、半導体ウェハ１０上に形成されている各半導体集積回路素子は外部電極１６を有している。
【０００９】
図５及び図６に示すように、プローブカード１２における、半導体ウェハ１０上の半導体集積回路素子の外部電極１６と対応する部位にはバンプ１７が設けられていると共に、プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８により保持されている。
【００１０】
配線基板１３には、一端部が電源電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給する図示しない検査装置に接続される多層配線２０と、該多層配線２０の他端側とプローブカード１２のバンプ１７とを電気的に接続する異方導電性ゴム２１とが設けられている。
【００１１】
ウェハトレイ１１の側面には、図示しない減圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間には、開閉弁２２と連通する環状の減圧用凹状溝１９が形成されている。
【００１２】
以上のような構造を有するバーンイン用カセットにおいて、ウェハトレイ１１と配線基板１３とを接近させると、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間２５が形成される。
【００１３】
図５に示す状態で、開閉弁２２を図示しない減圧手段に接続して第１の密封空間１５を減圧すると、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層接近して、図６に示すように、半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子の外部電極１６とプローブカード１２のバンプ１７とが電気的に接続する。その後、検査装置から検査用電圧を半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子に印加したり、各半導体集積回路素子からの出力信号を検査装置に入力したりして、検査装置により各半導体集積回路素子の電気特性を評価する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したように、第１の密封空間１５を減圧すると、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層接近して、半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子の外部電極１６とプローブカード１２のバンプ１７とが電気的に接続するが、プローブカード１２が弾性を有しているため、図７に示すように、プローブカード１２の周縁部は、ウェハトレイ１１の方につまり第１の密封空間１５の方に引っ張られる。そして、プローブカード１２の周縁部がウェハトレイ１１の方に引っ張られる反動として、プローブカード１２の周縁部の近傍に形成されているバンプ１７は浮き上がって半導体ウェハ１０の外部電極１６から離れてしまうので、プローブカード１２の周縁部の近傍のバンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題がある。
【００１５】
また、プローブカード１２におけるバンプ１７とシール部材１４との間の距離は、プローブカード１２におけるバンプ１７同士の間の距離に比べてかなり大きいので、プローブカード１２におけるバンプ１７とシール部材１４との間の領域はプローブカード１２におけるバンプ１７同士の間の領域に比べて伸びる量が大きい。このため、プローブカード１２の周縁部の近傍に設けられているバンプ１７がシール部材１４の方に移動するので、プローブカード１２の周縁部の近傍のバンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題もある。
【００１６】
そこで、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間に形成されている減圧用凹状溝１９をなくして、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることを考慮したが、減圧用凹状溝１９を有しない構造にすると、第１の密封空間１５の容積が小さくなってしまう。第１の密封空間１５の容積が小さくなると、第１の密封空間１５を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、第１の密封空間１５の減圧状態が低下する（大気圧に近づく）ので、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う新たな問題が発生する。
【００１７】
さらに、第１の密封空間１５を減圧する際に、プローブシート１２の周縁部とと配線基板１３との間から大気が第２の密封空間２５に流入し、第２の密封空間２５に流入した空気が第１の密封空間１５にも流入するので、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題も発生する。もっとも、図６に示すように、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することも考慮されるが、このようにすると、プローブカード１２が損傷したときにプローブカード１２を取り替えるのに多大な労力が必要になるので、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することは現実的ではない。
【００１８】
前記に鑑み、本発明は、シール部材を半導体ウェハに接近させるにも拘わらず、第１の密封空間の容積が低減しないようにすることを第１の目的とし、プローブカードの周縁部と配線基板とを全周に亘って接着剤で固定することなく、プローブシートの周縁部と配線基板との間から大気が第２の密封空間に流入しないようにすることを第２の目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１のウェハカセットは、複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を形成する環状のシール部材と、ウェハトレイに設けられ密封空間と外部とを連通させる連通路と、連通路を開閉する開閉弁とを備えたウェハカセットを前提とし、ウェハトレイのウェハ載置部には、連通路と連通するように形成され、密封空間の容積を増大させる容積増大用凹状溝が設けられている。
【００２０】
第１のウェハカセットによると、ウェハトレイのウェハ載置部に、密封空間の容積を増大させる容積増大用凹状溝が設けられているため、ウェハトレイのウェハ載置部とシール部材との間に減圧用凹状溝を設ける必要がないので、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される密封空間の容積の減少を招くことなく、シール部材を半導体ウェハに接近させることが可能になる。
【００２１】
第１のウェハカセットにおいて、環状のシール部材の基部は、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に環状に形成されたシール部材用凹状溝に嵌入されており、容積増大用凹状溝はシール部材用凹状溝と連通していることが好ましい。
【００２２】
第１のウェハカセットは、ウェハトレイのウェハ載置部に形成され、該ウェハ載置部に載置される半導体ウェハを吸引するためのウェハ吸引用凹状溝を備え、容積増大用凹状溝はウェハ吸引用凹状溝と連通していることが好ましい。
【００２３】
本発明に係る第２のウェハカセットは、複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、プローブカードの周縁部を保持する保持基板と、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に第１の密封空間を形成すると共にプローブカードの周縁部を保持基板に対して押圧することによりプローブカードと保持基板との間に第２の密封空間を形成する環状のシール部材とを備えたウェハカセットを前提とし、保持基板と、環状のシール部材により保持基板に対して押圧されるプローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設けられている。
【００２４】
第２のウェハカセットによると、保持基板とプローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設けられているため、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される第１の密封空間を減圧する際に、保持基板とプローブカードとの間に形成される第２の密封空間に、保持基板とプローブカードの周縁部との間から大気が流入し難くなる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットについて、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は第１の実施形態に係るウェハカセットにおけるウェハトレイの平面構造を示し、図２は第１の実施形態に係るウェハカセットの断面構造を示している。
【００２７】
第１の実施形態に係るウェハカセットは、図２に示すように、従来のウェハカセットと同様、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ１０が載置されるウェハ載置部１１ａを有するウェハトレイ１１と、該ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａと対向するように設けられ、表面側に複数の半導体集積回路素子の各外部電極１６と接続されるバンプ１７を有する、例えばポリイミド樹脂等の弾性材よりなるプローブカード１２と、多層配線２０を有していると共にプローブカード１２の裏面と異方導電性ゴム２１を介して接している保持基板としての配線基板１３とを備えている。
【００２８】
ウェハトレイ１１におけるウェハ載置部１１ａの外側には環状のシール部材用凹状溝２３が形成されており、該シール部材用凹状溝２３に環状のシール部材１４の基部が嵌入されている。
【００２９】
また、プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８に固定されていると共に、剛性のリング１８は配線基板１３に固定されており、これにより、プローブカード１２は配線基板１３に保持されている。
【００３０】
さらに、従来のウェハカセットと同様、プローブカード１２の周縁部が環状のシール部材１４により配線基板１３に押圧されているため、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されていると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間が２５が形成されている。
【００３１】
第１の実施形態の特徴として、図１に示すように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、円環状に延び且つ一部分が途絶えた複数の第１の環状の凹状溝３１及び複数の第２の環状の凹状溝３２が交互に同心円状に形成されている。また、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには内外方向へ直線状に延び且つ外端部がシール部材用凹状溝２３と連通する第１の直線状の凹状溝３３が形成されており、複数の第１の環状の凹状溝３１は第１の直線状の凹状溝３３とそれぞれ連通している。また、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには内外方向へ第１の直線状の凹状溝３３と平行に延び且つ外側の端部が最外の第１の環状の凹状溝３１の内側まで延びる第２の直線状の凹状溝３４が形成されており、複数の第２の環状の凹状溝３２は第２の直線状の凹状溝３４とそれぞれ連通している。
【００３２】
第１の直線状の凹状溝３３の途中部は、ウェハトレイ１１の上面から内部に向かって延びた後、上面と平行に外側へ延びる第１の連通路３５の内側の端部に接続されており、該第１の連通路３５の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた第１の開閉弁３７と接続されている。
【００３３】
また、第２の直線状の凹状溝３４の途中部は、ウェハトレイ１１の内部を第１の連通路３５と平行に延びる第２の連通路３６の内側の端部に接続されており、該第２の連通路３６の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた第２の開閉弁３８と接続されている。
【００３４】
以上説明したように、第１の直線状の凹状溝３３はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空間１５に連通しているので、第１の開閉弁３７を図示しない減圧装置に接続すると、第１の密封空間１５の空気は第１の直線状の凹状溝３３及び第１の連通路３５を通って外部に流出するので、第１の密封空間１５は減圧される。この場合、第１の連通路３５は、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１に接続されているため、第１の密封空間１５の容積は、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１の容積分だけ増大している。
【００３５】
従って、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１によって、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝が構成されており、これにより、従来技術の項で説明した、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間に位置する減圧用凹状溝１９をなくすことができるので、第１の密封空間１４の容積の減少を招くことなく、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることが可能になる。このため、第１の密封空間１５を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、第１の密封空間１５の減圧状態が低下する事態を回避できるので、バンプ１７と外部電極１６との確実な電気的接続が得られる。
【００３６】
尚、第１の直線状の凹状溝３３はシール部材用凹状溝２３に連通しているが、シール部材用凹状溝２３にはシール部材１４の基部が嵌入されているため、第１の密封空間１５の減圧時にシール部材用凹状溝２３を通って第１の密封空間１５に流入する大気の量は僅かであるので特に支障はない。
【００３７】
また、第２の直線状の凹状溝３４は、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に拡がる複数の第２の環状の凹状溝３２に接続されていると共に、第２の連通路３６を介して第２の開閉弁３８に接続されているため、第２の開閉弁３８を図示しない減圧装置に接続すると、複数の第２の環状の凹状溝３２が減圧されるので、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に載置される半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１の保持される。
【００３８】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るウェハカセットについて、図３を参照しながら説明する。図２は第２の実施形態に係るウェハカセットにおけるウェハトレイの平面構造を示している。
【００３９】
第２の実施形態に係るウェハカセットは、ウェハトレイ１１の構造を除いては、第１の実施形態と同様であるので、以下の説明においては、ウェハトレイ１１の構造についてのみ説明する。
【００４０】
第２の実施形態の特徴として、図３に示すように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、円環状に延びる複数の環状の凹状溝４１が同心円状に形成されていると共に、内外方向へ直線状に延び且つ外側の端部がシール部材用凹状溝２３と連通する直線状の凹状溝４２が形成されており、複数の環状の凹状溝４１は直線状の凹状溝４２とそれぞれ連通している。また、直線状の凹状溝４２の途中部は、ウェハトレイ１１の上面から内部に向かって延びた後、上面に平行に外側へ延びる図示しない連通路４３の内側の端部に接続されており、該連通路４３の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた開閉弁４４と接続されている。
【００４１】
以上説明したように、直線状の凹状溝４２はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空間１５に連通しているので、開閉弁４４を図示しない減圧装置に接続すると、第１の密封空間１５の空気は直線状の凹状溝４２及び連通路４３を通って外部に流出するので、第１の密封空間１５は減圧される。この場合、連通路４３は、直線状の凹状溝４２及び複数の環状の凹状溝４１に接続されているため、第１の密封空間１５の容積は増大している。従って、直線状の凹状溝４２及び複数の環状の凹状溝４１によって、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝が構成されており、これにより、第１の実施形態と同様に、第１の密封空間１４の容積の減少を招くことなく、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることが可能になる。
【００４２】
また、直線状の凹状溝４２に接続している複数の環状の凹状溝４１は、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に拡がっているため、開閉弁４４を図示しない減圧装置に接続すると、複数の環状の凹状溝４１が減圧されるので、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に載置される半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１に保持される。
【００４３】
第２の実施形態によると、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝の容積が、第１の実施形態に比べて、複数の第２の環状の凹状溝３２の分だけ増大しているので、第１の密封空間１５の容積を増大させる効果がより向上する。また、複数の環状の凹状溝４１、直線状の凹状溝４２及び開閉弁４４が、第１の密封空間１５の容積を増大させる機能と半導体ウェハ１０をウェハトレイ１１に吸引する機能との両方を持っているため、構造がシンプルになる。
【００４４】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係るウェハカセットについて、図４を参照しながら説明する。図４は第３の実施形態に係るウェハカセットの断面構造を示している。
【００４５】
第３の実施形態に係るウェハカセットは、従来のウェハカセットと同様、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ１０が載置されるウェハ載置部１１ａを有するウェハトレイ１１と、該ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａと対向するように設けられ、表面側に複数の半導体集積回路素子の各外部電極１６と接続されるバンプ１７を有するプローブカード１２と、多層配線２０を有していると共にプローブカード１２の裏面と異方導電性ゴム２１を介して接する保持基板としての配線基板１３と、ウェハトレイ１１におけるウェハ載置部１１ａの外側に設けられた環状のシール部材１４とを備えている。
【００４６】
プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８に固定されていると共に、剛性のリング１８は間隔をおいて設けられた接着剤２４を介して配線基板１３に固定されており、これにより、プローブカード１２は配線基板１３に保持されている。また、プローブカード１２の周縁部が環状のシール部材１４により配線基板１３に押圧されているため、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されていると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間が２５が形成されている。
【００４７】
ウェハトレイ１１の側面には図示しない減圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間には開閉弁２２と連通する環状の減圧用凹状溝１９が形成されている。
【００４８】
第３の実施形態の特徴として、配線基板１３と、シール部材１４により配線基板１３に対して押圧されるプローブカード１２の周縁部との間に、例えば断面矩形状のゴムよりなる環状の弾性材５０が設けられている。環状の弾性材５０は、プローブカード１２の周縁部に固定されていてもよいし、配線基板１３におけるプローブカード１２の周縁部と対向する部位に固定されていてもよい。また、弾性材５０の厚さについては、限定されないが、異方導電性ゴム２１の厚さと同程度であると、プローブカード１２がウェハトレイ１１の周縁部と対向する部位においてもウェハトレイ１１の上面と平行状態になるので好ましい。
【００４９】
第３の実施形態によると、配線基板１３とプローブカード１２の周縁部との間に環状の弾性材５０が設けられているため、第１の密封空間１５を減圧する際に、配線基板１３とプローブカード１２の周縁部との間から大気が第２の密封空間２５に流入し難くなる。このため、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなる恐れが低減する。従って、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することなく、大気がプローブシート１２の周縁部と配線基板１３との間から第２の密封空間に流入する事態を防止できる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明に係る第１のウェハカセットによると、ウェハトレイのウェハ載置部とシール部材との間に減圧用凹状溝を設ける必要がないため、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される密封空間の容積の減少を招くことなく、シール部材を半導体ウェハに接近させることが可能になる。このため、第１のウェハカセットによると、密封空間を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、密封空間の減圧状態が低下する事態を回避できるので、プローブカードの各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の各外部電極との確実な電気的接続が得られる。
【００５１】
第１のウェハカセットにおいて、容積増大用凹状溝が、環状のシール部材の基部が嵌入されているシール部材用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状溝の容積を増大させることができると共に、容積増大用凹状溝を確実に密封空間と連通させることができる。
【００５２】
第１のウェハカセットが、容積増大用凹状溝が、ウェハトレイのウェハ載置部に形成されたウェハ吸引用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状溝の容積を増大させることができると共に、ウェハトレイの構造をシンプルにすることができる。
【００５３】
第２のウェハカセットによると、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される第１の密封空間を減圧する際に、保持基板とプローブカードとの間に形成される第２の密封空間に保持基板とプローブカードの周縁部との間から大気が流入し難くなるため、第１の密封空間の減圧状態が低下して、プローブカードの各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の各外部電極との電気的接続が確保される。このため、第２のウェハカセットによると、プローブカードの周縁部と保持基板とを全周に亘って接着剤で固定することなく、大気がプローブシートの周縁部と配線基板との間から第２の密封空間に流入する事態を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットのウェハトレイの上面構造を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るウェハカセットのウェハトレイのの上面構造を示す平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図５】従来のウェハカセットを示す断面図である。
【図６】従来のウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図７】従来のウェハカセットの問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウェハ
１１ ウェハトレイ
１１ａ ウェハ載置部
１２ プローブカード
１３ 配線基板
１４ シール部材
１５ 第１の密封空間
１６ 外部電極
１７ バンプ
１８ 剛性のリング
１９ 減圧用凹状溝
２０ 多層配線
２１ 異方導電性ゴム
２２ 開閉弁
２３ シール部材用凹状溝
２４ 接着剤
２５ 第２の密封空間
３１ 第１の環状の凹状溝
３２ 第２の環状の凹状溝
３３ 第１の直線状の凹状溝
３４ 第２の直線状の凹状溝
３５ 第１の連通路
３６ 第２の連通路
３７ 第１の開閉弁
３８ 第２の開閉弁
４１ 環状の凹状溝
４２ 直線状の凹状溝
４３ 連通路
４４ 開閉弁
５０ 弾性材
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路素子に対して一括してバーンインを行なうためのウェハカセット及びプローブカードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路装置は、半導体集積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより封止された状態で供給されて、プリント基板に実装される。
【０００３】
ところが、電子機器の小型化及び低価格化の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望まれている。
【０００４】
ベアチップに対して品質保証を行なうためには、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で一括してバーンインを行なう必要がある。
【０００５】
そこで、例えば、NIKKEI MICRODEVICES 1997年 7月号に記載されているように、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハを保持するウェハトレイと、該ウェハトレイに保持された半導体ウェハと対向するように設けられ、該半導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用端子と接続されるバンプを有するプローブカードと、ウェハトレイとプローブカードとの間に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を形成する環状のシール材とを備えたウェハカセットが提案されている。
【０００６】
以下、前記のウェハカセットについて、図５及び図６を参照しながら説明する。図５はウェハカセットの断面構造を示しており、図６はウェハカセットの部分拡大断面構造を示している。
【０００７】
図５及び図６に示すように、半導体ウェハ１０を保持したウェハトレイ１１と、ポリイミド樹脂よりなり弾性を有するプローブカード１２を保持した配線基板１３とが対向するように設けられていると共に、ウェハトレイ１１の周縁部に環状のシール材１４が設けられている。
【０００８】
図６に示すように、半導体ウェハ１０上に形成されている各半導体集積回路素子は外部電極１６を有している。
【０００９】
図５及び図６に示すように、プローブカード１２における、半導体ウェハ１０上の半導体集積回路素子の外部電極１６と対応する部位にはバンプ１７が設けられていると共に、プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８により保持されている。
【００１０】
配線基板１３には、一端部が電源電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給する図示しない検査装置に接続される多層配線２０と、該多層配線２０の他端側とプローブカード１２のバンプ１７とを電気的に接続する異方導電性ゴム２１とが設けられている。
【００１１】
ウェハトレイ１１の側面には、図示しない減圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間には、開閉弁２２と連通する環状の減圧用凹状溝１９が形成されている。
【００１２】
以上のような構造を有するバーンイン用カセットにおいて、ウェハトレイ１１と配線基板１３とを接近させると、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間２５が形成される。
【００１３】
図５に示す状態で、開閉弁２２を図示しない減圧手段に接続して第１の密封空間１５を減圧すると、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層接近して、図６に示すように、半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子の外部電極１６とプローブカード１２のバンプ１７とが電気的に接続する。その後、検査装置から検査用電圧を半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子に印加したり、各半導体集積回路素子からの出力信号を検査装置に入力したりして、検査装置により各半導体集積回路素子の電気特性を評価する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したように、第１の密封空間１５を減圧すると、ウェハトレイ１１とプローブカード１２とが一層接近して、半導体ウェハ１０上の各半導体集積回路素子の外部電極１６とプローブカード１２のバンプ１７とが電気的に接続するが、プローブカード１２が弾性を有しているため、図７に示すように、プローブカード１２の周縁部は、ウェハトレイ１１の方につまり第１の密封空間１５の方に引っ張られる。そして、プローブカード１２の周縁部がウェハトレイ１１の方に引っ張られる反動として、プローブカード１２の周縁部の近傍に形成されているバンプ１７は浮き上がって半導体ウェハ１０の外部電極１６から離れてしまうので、プローブカード１２の周縁部の近傍のバンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題がある。
【００１５】
また、プローブカード１２におけるバンプ１７とシール部材１４との間の距離は、プローブカード１２におけるバンプ１７同士の間の距離に比べてかなり大きいので、プローブカード１２におけるバンプ１７とシール部材１４との間の領域はプローブカード１２におけるバンプ１７同士の間の領域に比べて伸びる量が大きい。このため、プローブカード１２の周縁部の近傍に設けられているバンプ１７がシール部材１４の方に移動するので、プローブカード１２の周縁部の近傍のバンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題もある。
【００１６】
そこで、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間に形成されている減圧用凹状溝１９をなくして、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることを考慮したが、減圧用凹状溝１９を有しない構造にすると、第１の密封空間１５の容積が小さくなってしまう。第１の密封空間１５の容積が小さくなると、第１の密封空間１５を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、第１の密封空間１５の減圧状態が低下する（大気圧に近づく）ので、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う新たな問題が発生する。
【００１７】
さらに、第１の密封空間１５を減圧する際に、プローブシート１２の周縁部とと配線基板１３との間から大気が第２の密封空間２５に流入し、第２の密封空間２５に流入した空気が第１の密封空間１５にも流入するので、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなると言う問題も発生する。もっとも、図６に示すように、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することも考慮されるが、このようにすると、プローブカード１２が損傷したときにプローブカード１２を取り替えるのに多大な労力が必要になるので、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することは現実的ではない。
【００１８】
前記に鑑み、本発明は、シール部材を半導体ウェハに接近させるにも拘わらず、第１の密封空間の容積が低減しないようにすることを第１の目的とし、プローブカードの周縁部と配線基板とを全周に亘って接着剤で固定することなく、プローブシートの周縁部と配線基板との間から大気が第２の密封空間に流入しないようにすることを第２の目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１のウェハカセットは、複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を形成する環状のシール部材と、ウェハトレイに設けられ密封空間と外部とを連通させる連通路と、連通路を開閉する開閉弁とを備えたウェハカセットを前提とし、ウェハトレイのウェハ載置部には、連通路と連通するように形成され、密封空間の容積を増大させる容積増大用凹状溝が設けられている。
【００２０】
第１のウェハカセットによると、ウェハトレイのウェハ載置部に、密封空間の容積を増大させる容積増大用凹状溝が設けられているため、ウェハトレイのウェハ載置部とシール部材との間に減圧用凹状溝を設ける必要がないので、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される密封空間の容積の減少を招くことなく、シール部材を半導体ウェハに接近させることが可能になる。
【００２１】
第１のウェハカセットにおいて、環状のシール部材の基部は、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に環状に形成されたシール部材用凹状溝に嵌入されており、容積増大用凹状溝はシール部材用凹状溝と連通していることが好ましい。
【００２２】
第１のウェハカセットは、ウェハトレイのウェハ載置部に形成され、該ウェハ載置部に載置される半導体ウェハを吸引するためのウェハ吸引用凹状溝を備え、容積増大用凹状溝はウェハ吸引用凹状溝と連通していることが好ましい。
【００２３】
本発明に係る第２のウェハカセットは、複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、プローブカードの周縁部を保持する保持基板と、ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、ウェハトレイ及びプローブカードと共に第１の密封空間を形成すると共にプローブカードの周縁部を保持基板に対して押圧することによりプローブカードと保持基板との間に第２の密封空間を形成する環状のシール部材とを備えたウェハカセットを前提とし、保持基板と、環状のシール部材により保持基板に対して押圧されるプローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設けられている。
【００２４】
第２のウェハカセットによると、保持基板とプローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設けられているため、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される第１の密封空間を減圧する際に、保持基板とプローブカードとの間に形成される第２の密封空間に、保持基板とプローブカードの周縁部との間から大気が流入し難くなる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットについて、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は第１の実施形態に係るウェハカセットにおけるウェハトレイの平面構造を示し、図２は第１の実施形態に係るウェハカセットの断面構造を示している。
【００２７】
第１の実施形態に係るウェハカセットは、図２に示すように、従来のウェハカセットと同様、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ１０が載置されるウェハ載置部１１ａを有するウェハトレイ１１と、該ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａと対向するように設けられ、表面側に複数の半導体集積回路素子の各外部電極１６と接続されるバンプ１７を有する、例えばポリイミド樹脂等の弾性材よりなるプローブカード１２と、多層配線２０を有していると共にプローブカード１２の裏面と異方導電性ゴム２１を介して接している保持基板としての配線基板１３とを備えている。
【００２８】
ウェハトレイ１１におけるウェハ載置部１１ａの外側には環状のシール部材用凹状溝２３が形成されており、該シール部材用凹状溝２３に環状のシール部材１４の基部が嵌入されている。
【００２９】
また、プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８に固定されていると共に、剛性のリング１８は配線基板１３に固定されており、これにより、プローブカード１２は配線基板１３に保持されている。
【００３０】
さらに、従来のウェハカセットと同様、プローブカード１２の周縁部が環状のシール部材１４により配線基板１３に押圧されているため、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されていると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間が２５が形成されている。
【００３１】
第１の実施形態の特徴として、図１に示すように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、円環状に延び且つ一部分が途絶えた複数の第１の環状の凹状溝３１及び複数の第２の環状の凹状溝３２が交互に同心円状に形成されている。また、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには内外方向へ直線状に延び且つ外端部がシール部材用凹状溝２３と連通する第１の直線状の凹状溝３３が形成されており、複数の第１の環状の凹状溝３１は第１の直線状の凹状溝３３とそれぞれ連通している。また、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには内外方向へ第１の直線状の凹状溝３３と平行に延び且つ外側の端部が最外の第１の環状の凹状溝３１の内側まで延びる第２の直線状の凹状溝３４が形成されており、複数の第２の環状の凹状溝３２は第２の直線状の凹状溝３４とそれぞれ連通している。
【００３２】
第１の直線状の凹状溝３３の途中部は、ウェハトレイ１１の上面から内部に向かって延びた後、上面と平行に外側へ延びる第１の連通路３５の内側の端部に接続されており、該第１の連通路３５の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた第１の開閉弁３７と接続されている。
【００３３】
また、第２の直線状の凹状溝３４の途中部は、ウェハトレイ１１の内部を第１の連通路３５と平行に延びる第２の連通路３６の内側の端部に接続されており、該第２の連通路３６の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた第２の開閉弁３８と接続されている。
【００３４】
以上説明したように、第１の直線状の凹状溝３３はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空間１５に連通しているので、第１の開閉弁３７を図示しない減圧装置に接続すると、第１の密封空間１５の空気は第１の直線状の凹状溝３３及び第１の連通路３５を通って外部に流出するので、第１の密封空間１５は減圧される。この場合、第１の連通路３５は、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１に接続されているため、第１の密封空間１５の容積は、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１の容積分だけ増大している。
【００３５】
従って、第１の直線状の凹状溝３３及び複数の第１の環状の凹状溝３１によって、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝が構成されており、これにより、従来技術の項で説明した、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間に位置する減圧用凹状溝１９をなくすことができるので、第１の密封空間１４の容積の減少を招くことなく、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることが可能になる。このため、第１の密封空間１５を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、第１の密封空間１５の減圧状態が低下する事態を回避できるので、バンプ１７と外部電極１６との確実な電気的接続が得られる。
【００３６】
尚、第１の直線状の凹状溝３３はシール部材用凹状溝２３に連通しているが、シール部材用凹状溝２３にはシール部材１４の基部が嵌入されているため、第１の密封空間１５の減圧時にシール部材用凹状溝２３を通って第１の密封空間１５に流入する大気の量は僅かであるので特に支障はない。
【００３７】
また、第２の直線状の凹状溝３４は、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に拡がる複数の第２の環状の凹状溝３２に接続されていると共に、第２の連通路３６を介して第２の開閉弁３８に接続されているため、第２の開閉弁３８を図示しない減圧装置に接続すると、複数の第２の環状の凹状溝３２が減圧されるので、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に載置される半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１の保持される。
【００３８】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るウェハカセットについて、図３を参照しながら説明する。図２は第２の実施形態に係るウェハカセットにおけるウェハトレイの平面構造を示している。
【００３９】
第２の実施形態に係るウェハカセットは、ウェハトレイ１１の構造を除いては、第１の実施形態と同様であるので、以下の説明においては、ウェハトレイ１１の構造についてのみ説明する。
【００４０】
第２の実施形態の特徴として、図３に示すように、ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａには、円環状に延びる複数の環状の凹状溝４１が同心円状に形成されていると共に、内外方向へ直線状に延び且つ外側の端部がシール部材用凹状溝２３と連通する直線状の凹状溝４２が形成されており、複数の環状の凹状溝４１は直線状の凹状溝４２とそれぞれ連通している。また、直線状の凹状溝４２の途中部は、ウェハトレイ１１の上面から内部に向かって延びた後、上面に平行に外側へ延びる図示しない連通路４３の内側の端部に接続されており、該連通路４３の外側の端部はウェハトレイ１１の側面に設けられた開閉弁４４と接続されている。
【００４１】
以上説明したように、直線状の凹状溝４２はシール部材用凹状溝２３を介して第１の密封空間１５に連通しているので、開閉弁４４を図示しない減圧装置に接続すると、第１の密封空間１５の空気は直線状の凹状溝４２及び連通路４３を通って外部に流出するので、第１の密封空間１５は減圧される。この場合、連通路４３は、直線状の凹状溝４２及び複数の環状の凹状溝４１に接続されているため、第１の密封空間１５の容積は増大している。従って、直線状の凹状溝４２及び複数の環状の凹状溝４１によって、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝が構成されており、これにより、第１の実施形態と同様に、第１の密封空間１４の容積の減少を招くことなく、シール部材１４を半導体ウェハ１０に接近させることが可能になる。
【００４２】
また、直線状の凹状溝４２に接続している複数の環状の凹状溝４１は、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に拡がっているため、開閉弁４４を図示しない減圧装置に接続すると、複数の環状の凹状溝４１が減圧されるので、ウェハトレイ１１のトレイ載置部１１ａの上に載置される半導体ウェハ１０はウェハトレイ１１に保持される。
【００４３】
第２の実施形態によると、第１の密封空間１５の容積を増大させる容積増大用凹状溝の容積が、第１の実施形態に比べて、複数の第２の環状の凹状溝３２の分だけ増大しているので、第１の密封空間１５の容積を増大させる効果がより向上する。また、複数の環状の凹状溝４１、直線状の凹状溝４２及び開閉弁４４が、第１の密封空間１５の容積を増大させる機能と半導体ウェハ１０をウェハトレイ１１に吸引する機能との両方を持っているため、構造がシンプルになる。
【００４４】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係るウェハカセットについて、図４を参照しながら説明する。図４は第３の実施形態に係るウェハカセットの断面構造を示している。
【００４５】
第３の実施形態に係るウェハカセットは、従来のウェハカセットと同様、半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハ１０が載置されるウェハ載置部１１ａを有するウェハトレイ１１と、該ウェハトレイ１１のウェハ載置部１１ａと対向するように設けられ、表面側に複数の半導体集積回路素子の各外部電極１６と接続されるバンプ１７を有するプローブカード１２と、多層配線２０を有していると共にプローブカード１２の裏面と異方導電性ゴム２１を介して接する保持基板としての配線基板１３と、ウェハトレイ１１におけるウェハ載置部１１ａの外側に設けられた環状のシール部材１４とを備えている。
【００４６】
プローブカード１２の周縁部は剛性のリング１８に固定されていると共に、剛性のリング１８は間隔をおいて設けられた接着剤２４を介して配線基板１３に固定されており、これにより、プローブカード１２は配線基板１３に保持されている。また、プローブカード１２の周縁部が環状のシール部材１４により配線基板１３に押圧されているため、ウェハトレイ１１、プローブカード１２及びシール部材１４によって第１の密封空間１５が形成されていると共に、プローブカード１２と配線基板１３との間に第２の密封空間が２５が形成されている。
【００４７】
ウェハトレイ１１の側面には図示しない減圧手段に接続される開閉弁２２が設けられていると共に、ウェハトレイ１１の上面における半導体ウェハ１０とシール部材１４との間には開閉弁２２と連通する環状の減圧用凹状溝１９が形成されている。
【００４８】
第３の実施形態の特徴として、配線基板１３と、シール部材１４により配線基板１３に対して押圧されるプローブカード１２の周縁部との間に、例えば断面矩形状のゴムよりなる環状の弾性材５０が設けられている。環状の弾性材５０は、プローブカード１２の周縁部に固定されていてもよいし、配線基板１３におけるプローブカード１２の周縁部と対向する部位に固定されていてもよい。また、弾性材５０の厚さについては、限定されないが、異方導電性ゴム２１の厚さと同程度であると、プローブカード１２がウェハトレイ１１の周縁部と対向する部位においてもウェハトレイ１１の上面と平行状態になるので好ましい。
【００４９】
第３の実施形態によると、配線基板１３とプローブカード１２の周縁部との間に環状の弾性材５０が設けられているため、第１の密封空間１５を減圧する際に、配線基板１３とプローブカード１２の周縁部との間から大気が第２の密封空間２５に流入し難くなる。このため、第１の密封空間１５の減圧状態が低下して、バンプ１７と外部電極１６との電気的接続が得られなくなる恐れが低減する。従って、プローブカード１２の周縁部と配線基板１３とを全周に亘って接着剤２４で固定することなく、大気がプローブシート１２の周縁部と配線基板１３との間から第２の密封空間に流入する事態を防止できる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明に係る第１のウェハカセットによると、ウェハトレイのウェハ載置部とシール部材との間に減圧用凹状溝を設ける必要がないため、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される密封空間の容積の減少を招くことなく、シール部材を半導体ウェハに接近させることが可能になる。このため、第１のウェハカセットによると、密封空間を減圧する際に外部から少量の空気が流入しても、密封空間の減圧状態が低下する事態を回避できるので、プローブカードの各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の各外部電極との確実な電気的接続が得られる。
【００５１】
第１のウェハカセットにおいて、容積増大用凹状溝が、環状のシール部材の基部が嵌入されているシール部材用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状溝の容積を増大させることができると共に、容積増大用凹状溝を確実に密封空間と連通させることができる。
【００５２】
第１のウェハカセットが、容積増大用凹状溝が、ウェハトレイのウェハ載置部に形成されたウェハ吸引用凹状溝と連通していると、容積増大用凹状溝の容積を増大させることができると共に、ウェハトレイの構造をシンプルにすることができる。
【００５３】
第２のウェハカセットによると、ウェハトレイ、プローブカード及びシール部材によって形成される第１の密封空間を減圧する際に、保持基板とプローブカードとの間に形成される第２の密封空間に保持基板とプローブカードの周縁部との間から大気が流入し難くなるため、第１の密封空間の減圧状態が低下して、プローブカードの各バンプと半導体ウェハ上の半導体集積回路素子の各外部電極との電気的接続が確保される。このため、第２のウェハカセットによると、プローブカードの周縁部と保持基板とを全周に亘って接着剤で固定することなく、大気がプローブシートの周縁部と配線基板との間から第２の密封空間に流入する事態を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットのウェハトレイの上面構造を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るウェハカセットのウェハトレイのの上面構造を示す平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図５】従来のウェハカセットを示す断面図である。
【図６】従来のウェハカセットの部分拡大断面図である。
【図７】従来のウェハカセットの問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウェハ
１１ ウェハトレイ
１１ａ ウェハ載置部
１２ プローブカード
１３ 配線基板
１４ シール部材
１５ 第１の密封空間
１６ 外部電極
１７ バンプ
１８ 剛性のリング
１９ 減圧用凹状溝
２０ 多層配線
２１ 異方導電性ゴム
２２ 開閉弁
２３ シール部材用凹状溝
２４ 接着剤
２５ 第２の密封空間
３１ 第１の環状の凹状溝
３２ 第２の環状の凹状溝
３３ 第１の直線状の凹状溝
３４ 第２の直線状の凹状溝
３５ 第１の連通路
３６ 第２の連通路
３７ 第１の開閉弁
３８ 第２の開閉弁
４１ 環状の凹状溝
４２ 直線状の凹状溝
４３ 連通路
４４ 開閉弁
５０ 弾性材
Claims (4)
- 複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、前記ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、前記複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、前記ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、前記ウェハトレイ及びプローブカードと共に密封空間を形成する環状のシール部材と、前記ウェハトレイに設けられ前記密封空間と外部とを連通させる連通路と、前記連通路を開閉する開閉弁とを備えたウェハカセットにおいて、
前記ウェハトレイのウェハ載置部には、前記連通路と連通するように形成され、前記密封空間の容積を増大させる容積増大用凹状溝が設けられていることを特徴とするウェハカセット。 - 前記環状のシール部材の基部は、前記ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に環状に形成されたシール部材用凹状溝に嵌入されており、
前記容積増大用凹状溝は前記シール部材用凹状溝と連通していることを特徴とする請求項１に記載のウェハカセット。 - 前記ウェハトレイのウェハ載置部に形成され、該ウェハ載置部に載置される半導体ウェハを吸引するためのウェハ吸引用凹状溝を備え、
前記容積増大用凹状溝は前記ウェハ吸引用凹状溝と連通していることを特徴とする請求項１に記載のウェハカセット。 - 複数の半導体集積回路素子が形成された半導体ウェハが載置されるウェハ載置部を有するウェハトレイと、前記ウェハトレイのウェハ載置部と対向するように設けられ、前記複数の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるバンプを有するプローブカードと、前記プローブカードの周縁部を保持する保持基板と、前記ウェハトレイにおけるウェハ載置部の外側に設けられ、前記ウェハトレイ及びプローブカードと共に第１の密封空間を形成すると共に前記プローブカードの周縁部を前記保持基板に対して押圧することにより前記プローブカードと前記保持基板との間に第２の密封空間を形成する環状のシール部材とを備えたウェハカセットにおいて、
前記保持基板と、前記環状のシール部材により前記保持基板に対して押圧される前記プローブカードの周縁部との間に環状の弾性材が設けられていることを特徴とするウェハカセット。
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