JP2001085477A - 検査用基板及び検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検査終了後に、検査用基板のプローブ端子を
半導体ウエハのバンプから容易に離反させることができ
るようにすると共に、プローブ端子を離反させた後にバ
ンプの表面に凹状部が形成されないようにする。 【解決手段】 半導体ウエハ１に形成されている複数の
半導体集積回路素子のバンプ２Ｂに電圧を印加して、複
数の半導体集積回路素子の電気的特性をウエハレベルで
一括して検査するための検査用基板である。検査用基板
は、半導体ウエハ１と対向する面に配線層１０１ａを有
する配線基板１０１と、該配線基板１０１と間隔をおく
ように設けられたフレキシブル基板１０３とを備えてい
る。フレキシブル基板１０３の半導体ウエハ１と対向す
る面におけるバンプ２Ｂと対応する部位には、全面に亘
ってほぼ平坦な接触面を有するプローブ端子１０４が設
けられている。配線基板１０１とフレキシブル基板１０
３との間には、配線層１０１ａとプローブ端子１０４と
を電気的に接続する異方導電性ゴムシート１０５が設け
られている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成されている複数の半導体集積回路素子の各外部電極
に電圧を印加して、複数の半導体集積回路素子の電気的
特性をウエハレベルで一括して検査するために用いられ
る検査用基板及び該検査用基板を用いて行なう検査方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子（半導体チップ）とリードフレームとがボン
ディングワイヤによって電気的に接続された後、半導体
集積回路素子とリードフレームのリードとが樹脂又はセ
ラミックにより封止された状態で供給され、プリント基
板に実装されていた。

【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路素子を半導体ウエハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウエハ状態で
（ウエハレベルで）一括してバーインを行なうことが低
コスト化の点で望ましい。

【０００５】そこで、半導体ウエハ上に形成された複数
の半導体集積回路素子の各外部電極と接続されるプロー
ブ端子を有する検査用基板を用いて、半導体ウエハ上に
形成された複数の半導体集積回路素子に対してウエハ状
態で一括してバーインを行なう検査方法が知られてい
る。この場合、半導体ウエハの全面に亘って分散してい
る多数の外部電極にプローブカードの各プローブ端子を
確実に接触させる必要があるので、図６に示すような検
査用基板が提案されている。

【０００６】以下、従来の検査用基板について、図６を
参照しながら説明する。

【０００７】図６に示すように、半導体ウエハ１上に形
成された複数の半導体集積回路素子の各表面にはそれぞ
れ多数の外部電極２Ａが形成されており、各外部電極２
Ａの周縁部はパッシベーション膜３によって覆われてい
る。

【０００８】半導体ウエハ１と対向するように検査用基
板４が配置されており、該検査用基板４は、配線層５ａ
を有する配線基板５と、周縁部が剛性リング６によって
配線基板５に固定された例えばポリイミドシートからな
るフレキシブル基板７と、該フレキシブル基板７におけ
る半導体ウエハ１の外部電極２Ａと対応する部位に設け
られた半球状のプローブ端子８と、配線基板５とフレキ
シブル基板７との間に設けられ、配線基板５の配線層５
ａの一端部とプローブ端子８とを電気的に接続する異方
導電性ゴムシート９とを備えている。尚、配線基板５の
配線層５ａの他端部は、電源電圧、接地電圧又は信号電
圧等の検査用電圧を供給する図示しない検査装置に接続
される。

【０００９】ウエハトレイ１０における半導体ウエハ１
を保持するウエハ保持部１０ａの周囲には、リップ状の
断面を有する弾性体からなる環状のシール部材１１が設
けられている。ウエハトレイ１０におけるウエハ保持部
１０ａとシール部材１１との間には環状の減圧用凹状溝
１２が形成されており、該減圧用凹状溝１２はウエハ保
持部１０ａの下側に形成されている連通路１３によって
も互いに連通している。ウエハトレイ１０の一側部には
減圧バルブ１４が設けられており、該減圧バルブ１４は
減圧供給路１５を介して真空ポンプ（図示は省略してい
る。）に接続される。

【００１０】以下、前述の検査用基板４を用いて行なう
検査方法について説明する。

【００１１】半導体ウエハ１を保持しているウエハトレ
イ１０の上に検査用基板４を配置した後、半導体ウエハ
１と検査用基板４との位置合わせを行ない、その後、ウ
エハトレイ１０と検査用基板４とを互いに接近させる。

【００１２】次に、真空ポンプを駆動して減圧供給路１
５を介して減圧用凹状溝１２の内部を減圧すると、フレ
キシブル基板７とシール部材１１の先端部とが接触する
ため、ウエハトレイ１０、シール部材１１及びフレキシ
ブル基板７によって密封空間１６が形成される。その
後、減圧用凹状溝１２の内部を更に減圧して密封空間１
６を減圧すると、フレキシブル基板７に設けられている
各プローブ端子８と半導体ウエハ１の各外部電極２Ａと
が互いに接触する。

【００１３】次に、配線基板５の配線層５ａに、電源電
圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給する
と、プローブ端子８を介して外部電極２Ａに検査用電圧
が印加されるので、半導体ウエハ１の上に形成されてい
る複数の半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検
査することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の検査
用基板を用いて行なう検査方法は、検査の対象となる半
導体ウエハ１上に形成されている外部電極２Ａの表面が
平坦であるから、前述のように、ウエハトレイ１０、シ
ール部材１１及びフレキシブル基板７によって形成され
る密封空間１６を減圧すると、各プローブ端子８と各外
部電極２Ａとは互いに接触する。

【００１５】しかしながら、図７（ａ）〜（ｃ）に示す
ように、検査の対象となる半導体ウエハ１上に形成され
ている外部電極が、はんだ等のように比較的柔らかい金
属からなる半球状のバンプ２Ｂである場合には以下に説
明するような問題が発生する。

【００１６】まず、図７（ａ）において矢印で示すよう
に、検査用基板のフレキシブル基板７に形成されている
プローブ端子８と、半導体ウエハ１上に形成されている
バンプ２Ｂとを接近させて、図７（ｂ）に示すように、
プローブ端子８とバンプ２Ｂとを接触させると、バンプ
２Ｂが柔らかい金属からなるため、プローブ端子８がバ
ンプ２Ｂの先端部にめり込んでしまう。

【００１７】このため、検査終了後に、プローブ端子８
とバンプ２Ｂとを離反させようとしても、両者が離反し
難いという問題がある。

【００１８】また、プローブ端子８をバンプ２Ｂから離
反させると、図７（ｃ）に示すように、バンプ２Ｂの表
面に凹状部２ａが形成されてしまう。バンプ２Ｂの表面
に凹状部２ａが形成されると、半導体ウエハ１のダイシ
ングによって互いに分離された半導体集積回路素子（半
導体チップ）をプリント基板に実装したときに、半導体
集積回路素子のバンプ２Ｂとプリント基板の電極との間
に隙間ができてしまうため、バンプ２Ｂとプリント基板
の電極との電気的接続が不安定になるので、信頼性が確
保できないという問題がある。

【００１９】前記に鑑み、本発明は、半導体ウエハ上に
形成されている外部電極がバンプであっても、検査終了
後にプローブ端子をバンプから容易に離反させることが
できるようにすると共に、プローブ端子を離反させた後
にバンプの表面に凹状部が形成されないようにすること
を目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る検査用基板は、半導体ウエハに形成さ
れている複数の半導体集積回路素子のバンプに電圧を印
加して、複数の半導体集積回路素子の電気的特性をウエ
ハレベルで一括して検査するための検査用基板を対象と
し、半導体ウエハと対向する面に配線層を有する配線基
板と、配線基板における配線層が形成されている面と間
隔をおくように設けられたフレキシブル基板と、フレキ
シブル基板の半導体ウエハと対向する面におけるバンプ
と対応する部位に設けられ、全面に亘ってほぼ平坦な接
触面を有するプローブ端子と、配線基板とフレキシブル
基板との間に設けられ、配線層とプローブ端子とを電気
的に接続する異方導電性ゴムシートとを備えている。

【００２１】前記の目的を達成するため、本発明に係る
検査方法は、それぞれがバンプを有する複数の半導体集
積回路素子が形成されている半導体ウエハをウエハトレ
イに保持させる工程と、配線層を有する配線基板と、配
線基板における配線層が形成されている面と間隔をおく
ように設けられたフレキシブル基板と、フレキシブル基
板に設けられ全面に亘ってほぼ平坦な接触面を有するプ
ローブ端子と、配線基板とフレキシブル基板との間に設
けられ配線層とプローブ端子とを電気的に接続する異方
導電性ゴムシートとを有する検査用基板を、検査用基板
のプローブ端子とウエハトレイに保持されている半導体
ウエハのバンプとが対向するように配置する工程と、検
査用基板とウエハトレイとを互いに接近させて、プロー
ブ端子とバンプとを接触させる工程と、配線基板の配線
層、異方導電性ゴムシート及びプローブ端子を介してバ
ンプに検査用電圧を印加して、複数の半導体集積回路素
子の電気的特性をウエハレベルで一括して検査する工程
とを備えている。

【００２２】本発明に係る検査用基板又は検査方法によ
ると、フレキシブル基板に設けられているプローブ端子
は、全面に亘ってほぼ平坦な接触面を有しているため、
検査用基板とウエハトレイとを互いに接近させてプロー
ブ端子とバンプとを接触させても、プローブ端子はバン
プの表面にめり込まない。

【００２３】このため、検査終了後に、プローブ端子を
バンプから容易に離反させることができると共に、プロ
ーブ端子をバンプから離反させたときに、バンプの表面
に凹状部が形成されない。

【００２４】本発明に係る検査用基板又は検査方法にお
いて、フレキシブル基板は、メッシュ状のシートである
ことが好ましい。

【００２５】このようにすると、減圧力により検査用基
板と半導体ウエハを保持しているウエハトレイとを接近
させる際に、フレキシブル基板の両側の空間部の圧力が
等しくなるため、フレキシブル基板に設けられているプ
ローブ端子と半導体ウエハのバンプとの間の良好なコン
タクトを得ることができる。また、プローブ端子の接触
面に小さい高さを持つ凹凸部が形成されるため、プロー
ブ端子とバンプとを接触させる際に、両者の間に良好な
コンタクトが得られる。さらに、プローブ端子がフレキ
シブル基板のメッシュの繊維に絡まっているので、プロ
ーブ端子の保持強度が向上する。

【００２６】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係る検査用基板について、図１を参
照しながら説明する。

【００２７】半導体ウエハ１上に形成された複数の半導
体集積回路素子の各表面には、Ｐｂ／Ｓｎ合金、Ｉｎ等
のはんだ又はＡｕからなる半球状のバンプ２Ｂがそれぞ
れ形成されている。

【００２８】従来と同様、ウエハトレイ１０における半
導体ウエハ１を保持するウエハ保持部１０ａの周囲に
は、リップ状の断面を有する弾性体からなる環状のシー
ル部材１１が設けられている。ウエハトレイ１０におけ
るウエハ保持部１０ａとシール部材１１との間には環状
の減圧用凹状溝１２が形成されており、該減圧用凹状溝
１２はウエハ保持部１０ａの下側に形成されている連通
路１３によっても互いに連通している。ウエハトレイ１
０の一側部には減圧バルブ１４が設けられており、該減
圧バルブ１４は減圧供給路１５を介して真空ポンプ（図
示は省略している。）に接続される。

【００２９】ウエハトレイ１０のウエハ保持部１０ａに
保持されている半導体ウエハ１と対向するように検査用
基板１００が配置されている。

【００３０】検査用基板１００は、配線層１０１ａを有
する配線基板１０１と、周縁部が剛性リング１０２によ
って配線基板１０１に固定された例えばポリイミドシー
トからなるフレキシブル基板１０３と、該フレキシブル
基板１０３における半導体ウエハ１のバンプ２Ｂと対応
する部位に設けられ、全面に亘ってほぼ平坦な接触面を
有するプローブ端子１０４と、配線基板１０１とフレキ
シブル基板１０３との間に設けられ、配線基板１０１の
配線層１０１ａの一端部とプローブ端子１０４とを電気
的に接続する異方導電性ゴムシート１０５とを備えてい
る。配線基板１０１の配線層１０１ａの他端部は、電源
電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を供給する
図示しない検査装置に接続される。

【００３１】異方導電性ゴムシート１０５としては、所
定の部位（配線層１０１ａの一端部とプローブ端子１０
４とを電気的に接続させる部位）にのみ導電粒子又は導
電性ワイヤーが偏在している偏在型のものを用いること
が好ましいが、配線基板１０１の配線層１０１ａの一端
部とプローブ端子１０４とを所定の部位以外の箇所で導
通させない絶縁膜を設けるときには、分散型のものを用
いてもよい。

【００３２】配線基板１０１及び剛性リング１０２を構
成する材料としては、半導体ウエハ１がシリコンからな
る場合には、ムライト系セラミックス（熱膨張率：３．
５×１０^-6／℃）、シリコン（熱膨張率：３．５×１０
^-6／℃）、ガラスセラミックス（熱膨張率：３．０〜
４．２×１０^-6／℃）、窒化アルミニウム（熱膨張率：
４．３〜４．５×１０^-6／℃）又はアルミナ（熱膨張
率：７．３×１０^-6／℃）等のように、熱膨張率がシリ
コンの熱膨張率に近いものを用いることが好ましい。

【００３３】また、フレキシブル基板１０３の熱膨張率
が配線基板１０１の熱膨張率よりも大きい場合には、フ
レキシブル基板１０３は一様な張力歪みを持った状態で
剛性リング１０２により配線基板１０１に固定されてい
ることが好ましい。このようにすると、バーインにおい
て配線基板１０１が熱膨張しても、フレキシブル基板１
０３は弛むことなくピンと張った状態を維持できるの
で、フレキシブル基板１０３のプローブ端子１０４と半
導体ウエハ１のバンプ２Ｂとが位置ずれするおそれはな
い。

【００３４】以下、第１の実施形態に係る検査用基板１
００を用いて行なう検査方法について説明する。

【００３５】半導体ウエハ１を保持しているウエハトレ
イ１０の上に検査用基板１００を配置した後、半導体ウ
エハ１と検査用基板１００との位置合わせを行ない、そ
の後、ウエハトレイ１０と検査用基板１００とを互いに
接近させる。

【００３６】次に、真空ポンプを駆動してウエハトレイ
１０の減圧供給路１５を介して減圧用凹状溝１２の内部
を減圧すると、検査用基板１００のフレキシブル基板１
０３とウエハトレイ１０のシール部材１１の先端部とが
接触するため、ウエハトレイ１０、シール部材１１及び
フレキシブル基板１０３によって密封空間１６が形成さ
れる。その後、減圧用凹状溝１２の内部を更に減圧して
密封空間１６を減圧すると、フレキシブル基板１０３に
設けられている各プローブ端子１０４と半導体ウエハ１
の各バンプ２Ｂとが互いに接触する。

【００３７】次に、配線基板１０１の配線層１０１ａ
に、電源電圧、接地電圧又は信号電圧等の検査用電圧を
供給すると、プローブ端子１０４を介してバンプ２Ｂに
検査用電圧が印加されるので、半導体ウエハ１の上に形
成されている複数の半導体集積回路素子の電気的特性を
一括して検査することができる。

【００３８】第１の実施形態によると、フレキシブル基
板１０３に設けられたプローブ端子１０４は全面に亘っ
てほぼ平坦な接触面を有しているため、検査用基板１０
０とウエハトレイ１０とを互いに接近させて、検査用基
板１００のプローブ端子１０４と半導体ウエハ１のバン
プ２Ｂとを接触させても、プローブ端子１０４はバンプ
２Ｂの表面にめり込まない。

【００３９】このため、検査終了後に、プローブ端子１
０４をバンプ２Ｂから容易に離反させることができると
共に、プローブ端子１０４をバンプ２Ｂから離反させた
ときに、バンプ２Ｂの表面に凹状部が形成されない。従
って、半導体ウエハ１をダイシングして得られる半導体
集積回路素子（半導体チップ）をプリント基板に実装し
たときに、半導体集積回路素子のバンプ２Ｂとプリント
基板の電極との間に隙間ができないので、バンプ２Ｂと
プリント基板の電極との電気的接続が安定する。

【００４０】以下、第１の実施形態に係る検査用基板１
００におけるプローブ端子１０４の製造方法について、
図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。

【００４１】まず、例えば厚さが約１８μｍの銅箔１０
６の一方の面にポリイミド（又はポリイミド前駆体）を
キャスティングした後、該ポリイミドを加熱して乾燥及
び硬化させることにより、図２（ａ）に示すように、ポ
リイミドからなり約２５μｍの膜厚を持つフレキシブル
基板１０３を形成する。この場合、ポリイミドの熱膨張
率は銅の熱膨張率（１６×１０^-6／℃）とほぼ等しいの
で、銅箔１０６とフレキシブル基板１０３とからなる積
層体には熱履歴に伴う反りは殆ど発生しない。その後、
フレキシブル基板１０３におけるプローブ端子１０４を
形成する部分に例えば２００μｍの直径を持つスルーホ
ール１０３ａを形成する。

【００４２】次に、銅箔１０６におけるフレキシブル基
板１０３と反対側の面に全面に亘ってレジスト膜を塗布
した後、銅箔１０６にめっき用電極の一方を接続して銅
の電解めっきを行なう。このようにすると、銅からなる
めっき層は、スルーホール１０３ａを埋めるよう成長し
た後、フレキシブル基板１０３の表面に達すると等方的
に拡がるように成長する。このため、周縁部が球面状で
その他の部分（中央部）がほぼ全面に亘って平坦であ
る、つまり全面に亘ってほぼ平坦な接触面を有するプロ
ーブ端子１０４が形成される。このプローブ端子１０４
の大きさとしては、直径が例えば２５０μｍであり、高
さが例えば２５μｍである。尚、プローブ端子１０４と
しては、銅めっき層に代えて、ニッケルめっき層又は金
めっき層であってもよい。

【００４３】次に、レジスト膜を除去した後、銅箔１０
６をパターニングして、図２（ｃ）に示すように、例え
ば２５０μｍの直径を持つ孤立パターン１０６Ａを形成
する。

【００４４】尚、プローブ端子１０４が銅めっき層又は
金めっき層からなる場合には、電解めっきによりプロー
ブ端子１０４の表面に例えば約２μｍの厚さを持つニッ
ケル層１０７を形成することが好ましい。プローブ端子
１０４の表面にニッケル層１０７を形成すると、バーイ
ンによりプローブ端子１０４及びバンプ２Ｂが加熱され
ても、プローブ端子１０４はバンプ２Ｂから離反し易く
なる。

【００４５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る検査用基板について、図３、図４（ａ）
及び（ｂ）を参照しながら説明する。尚、図４（ｂ）は
図４（ａ）におけるＢ−Ｂ’線の断面構造を示してい
る。

【００４６】半導体ウエハ１上に形成された複数の半導
体集積回路素子の各表面には、Ｐｂ／Ｓｎ合金、Ｉｎ等
のはんだ又はＡｕからなる半球状のバンプ２Ｂがそれぞ
れ形成されている。

【００４７】第１の実施形態と同様、ウエハトレイ１０
には、ウエハ保持部１０ａ、弾性体からなる環状のシー
ル部材１１、環状の減圧用凹状溝１２、連通路１３及び
減圧バルブ１４が設けられている。

【００４８】半導体ウエハ１と対向するように検査用基
板２００が配置されており、該検査用基板２００は、配
線層２０１ａを有する配線基板２０１と、周縁部が剛性
リング２０２によって配線基板２０１に固定された例え
ばメッシュ状のシートからなるフレキシブル基板２０３
と、該フレキシブル基板２０３における半導体ウエハ１
のバンプ２Ｂと対応する部位に設けられ、全面に亘って
ほぼ平坦な接触面を有するプローブ端子２０４と、配線
基板２０１とフレキシブル基板２０３との間に設けら
れ、配線基板２０１の配線層２０１ａの一端部とプロー
ブ端子２０４とを電気的に接続する異方導電性ゴムシー
ト２０５とを備えている。尚、配線基板２０１の配線層
２０１ａの他端部は、電源電圧、接地電圧又は信号電圧
等の検査用電圧を供給する図示しない検査装置に接続さ
れる。

【００４９】フレキシブル基板２０３としては、例えば
１７μｍの線径を持つ液晶ポリマー繊維が例えば６０μ
ｍの間隔（７７μｍのピッチ）で織られてなるメッシュ
状のシートを用いることができる。

【００５０】フレキシブル基板２０３の周縁部、つまり
シール部材１１と対向する部分の近傍部には、表面が鏡
面に仕上げられたシリコーンゴムからなるシール用ゴム
部材２０７（図３においては、点々で示している。）が
メッシュ状のシートに絡むように設けられており、これ
によって、配線基板２０１とシール部材１１との間のシ
ール性が向上している。

【００５１】プローブ端子２０４は、例えば銅めっき
層、ニッケルめっき層又は金めっき層からなり、例えば
２５０μｍの直径と例えば５０μｍの高さ（メッシュ状
シートの両側部分及び内部部分の合計高さ）とを有して
いる。尚、プローブ端子２０４が銅めっき層又は金めっ
き層からなる場合には、電解めっきによりプローブ端子
２０４の表面に例えば約２μｍの厚さを持つニッケル層
を形成することが好ましい。

【００５２】異方導電性ゴムシート２０５としては、第
１の実施形態と同様、所定の部位にのみ導電粒子が偏在
している偏在型のものを用いることが好ましいが、配線
基板２０１の配線層２０１ａの一端部とプローブ端子２
０４とを所定の部位以外の箇所で導通させない絶縁膜を
設けるときには、分散型のものを用いてもよい。

【００５３】半導体ウエハ１がシリコンからなる場合に
は、配線基板２０１及び剛性リング２０２を構成する材
料としては、第１の実施形態と同様、ムライト系セラミ
ックス、シリコン、ガラスセラミックス、窒化アルミニ
ウム又はアルミナ等を用いることが好ましい。この場
合、液晶ポリマー繊維からなるフレキシブル基板２０３
の熱膨張率は配線基板１０１の熱膨張率よりも小さいの
で、フレキシブル基板２０３をそのままの状態（張力歪
みを持たない状態）で配線基板２０１に固定することが
できる。このようにすると、バーインにおいて配線基板
２０１が熱膨張すると、フレキシブル基板２０３は配線
基板２０１に引っ張られて配線基板２０１と同程度に熱
膨張するため、フレキシブル基板２０３のプローブ端子
２０４と半導体ウエハ１のバンプ２Ｂとは位置ずれする
おそれがない。尚、フレキシブル基板２０３の熱膨張率
が配線基板２０１の熱膨張率よりも大きい場合には、第
１の実施形態と同様、フレキシブル基板２０３は一様な
張力歪みを持った状態で配線基板２０１に固定されてい
ることが好ましい。

【００５４】尚、第２の実施形態に係る検査用基板２０
０を用いて行なう検査方法については、第１の実施形態
に係る検査用基板１００を用いて行なう検査方法と同様
であるので、説明を省略する。

【００５５】第２の実施形態によると、第１の実施形態
と同様、フレキシブル基板２０３に設けられたプローブ
端子２０４は全面に亘ってほぼ平坦な接触面を有してい
るため、検査用基板２００とウエハトレイ１０とを互い
に接近させて、検査用基板２００のプローブ端子２０４
と半導体ウエハ１のバンプ２Ｂとを接触させても、プロ
ーブ端子２０４はバンプ２Ｂの表面にめり込まない。

【００５６】このため、検査終了後に、プローブ端子２
０４をバンプ２Ｂから容易に離反させることができると
共に、プローブ端子２０４をバンプ２Ｂから離反させた
ときに、バンプ２Ｂの表面に凹状部が形成されない。

【００５７】また、第２の実施形態によると、フレキシ
ブル基板２０３がメッシュ状のシートからなるため、真
空ポンプを駆動して減圧用凹状溝１２の内部を減圧する
ことによって、ウエハトレイ１０、シール部材１１及び
フレキシブル基板２０３により密封空間１６を形成する
際に、フレキシブル基板２０３の両側の空間部の圧力が
等しくなるので、プローブ端子２０４とバンプ２Ｂとの
間の良好なコンタクトが得られる。

【００５８】また、フレキシブル基板２０３におけるシ
ール部材１１と対向する部分の近傍には、表面が鏡面に
仕上げられたシール用ゴム部材２０７が設けられている
ため、フレキシブル基板２０３を構成するメッシュの繊
維同士の隙間から空気が流入することなく、減圧された
密封空間１６の圧力を保持することができる。

【００５９】また、プローブ端子２０４の接触面には、
フレキシブル基板２０３の凹凸状の断面形状が若干反映
された小さい高さを持つ凹凸部が形成されるので、検査
用基板２００とウエハトレイ１０とを互いに接近させ
て、検査用基板２００のプローブ端子２０４と半導体ウ
エハ１のバンプ２Ｂとを接触させる際に、プローブ端子
２０４とバンプ２Ｂとの間の良好なコンタクトが得られ
る。

【００６０】さらに、プローブ端子２０４がフレキシブ
ル基板２００の液晶ポリマー繊維に絡まっているので、
プローブ端子２０４の保持強度が向上している。

【００６１】以下、第２の実施形態に係る検査用基板２
００の製造方法について、図５を参照しながら説明す
る。

【００６２】まず、メッシュ状のシートからなるフレキ
シブル基板２０３の周縁部を接着剤を介してフレーム２
０８に保持させた後、該フレキシブル基板２０３を例え
ば８μｍの厚さを持つ銅箔の上に押しつけ、その後、銅
箔をめっき用電極の一方とする銅の電解めっきを行なっ
て、フレキシブル基板２０３における銅箔の反対側に例
えば８μｍの厚さを持つ銅めっき層を形成する。次に、
銅箔及び銅めっき層に対してレジストパターンをマスク
とするエッチングを行なって、直径が例えば２５０μｍ
で、高さが例えば５０μｍであるプローブ端子２０４を
形成する。

【００６３】このようにすると、プローブ端子２０４は
フレキシブル基板２０３の液晶ポリマー繊維に絡まるの
で、プローブ端子２０４の保持強度が向上する。また、
メッシュ状のシートからなるフレキシブル基板２０３に
は、該フレキシブル基板２０３がフレーム２０８に保持
された状態で、プローブ端子２０４の形成が行なわれる
ため、該プローブ端子２０４の位置精度は良好になる。

【００６４】次に、図５に示すように、配線層２０１ａ
を有する配線基板２０１に異方導電性ゴムシート２０５
を貼着した後、該異方導電性ゴムシート２０５の上に、
プローブ端子２０４を有するフレキシブル基板２０３を
載置する。その後、ヒーターが内蔵されたローラ２０６
を例えば５００℃に加熱した状態でフレキシブル基板２
０３の周縁部に押しつけることにより、フレキシブル基
板２０３を所定の形状に切断すると共にフレキシブル基
板２０３の周縁部を配線基板２０１に融着すると、第２
の実施形態に係る検査用基板２００が得られる。この場
合、フレキシブル基板２０３の周縁部を保持していたフ
レーム２０７は余分なメッシュ状のシートと共に取り除
かれる。

【００６５】尚、フレキシブル基板２０３を配線基板２
０１に固定する方法としては、熱による融着に代えて、
レーザービームによる融着を行なってもよいし、融着に
代えて、シリコンゴム等の接着剤により接着してもよ
い。、

【００６６】

【発明の効果】本発明に係る検査用基板又は検査方法に
よると、プローブ端子は、全面に亘ってほぼ平坦な接触
面を有しているため、プローブ端子とバンプとを接触さ
せたときにプローブ端子がバンプの表面にめり込まない
ので、検査終了後に、プローブ端子をバンプから容易に
離反させることができると共に、プローブ端子をバンプ
から離反させたときに、バンプの表面に凹状部が形成さ
れない。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る検査用基板及び検査方法
を示す断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る検査
用基板におけるプローブ端子の製造方法を説明する断面
図である。

【図３】第２の実施形態に係る検査用基板及び検査方法
を示す断面図である。

【図４】（ａ）は第２の実施形態に係る検査用基板にお
けるフレキシブル基板及びプローブ端子を示す平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線の断面図であ
る。

【図５】第２の実施形態に係る検査用基板の製造方法を
示す断面図である。

【図６】従来の検査用基板及び検査方法を示す断面図で
ある。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、従来の検査用基板及び検査
方法の問題点を説明する断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２Ｂ バンプ １０ ウエハトレイ １０ａ ウエハ保持部 １１ シール部材 １２ 減圧用凹状溝 １３ 連通路 １４ 減圧バルブ １５ 減圧供給路 １６ 密封空間 １００ 検査用基板 １０１ 配線基板 １０１ａ 配線層 １０２ 剛性リング １０３ フレキシブル基板 １０３ａ スルーホール １０４ プローブ端子 １０５ 異方導電性ゴムシート １０６ 銅箔 １０６Ａ 孤立パターン ２００ 検査用基板 ２０１ 配線基板 ２０１ａ 配線層 ２０２ 剛性リング ２０３ フレキシブル基板 ２０４ プローブ端子 ２０５ 異方導電性ゴムシート ２０６ ローラ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハに形成されている複数の半
   導体集積回路素子のバンプに電圧を印加して、前記複数
   の半導体集積回路素子の電気的特性をウエハレベルで一
   括して検査するための検査用基板であって、 前記半導体ウエハと対向する面に配線層を有する配線基
   板と、 前記配線基板における前記配線層が形成されている面と
   間隔をおくように設けられたフレキシブル基板と、 前記フレキシブル基板の前記半導体ウエハと対向する面
   における前記バンプと対応する部位に設けられ、全面に
   亘ってほぼ平坦な接触面を有するプローブ端子と、 前記配線基板と前記フレキシブル基板との間に設けら
   れ、前記配線層と前記プローブ端子とを電気的に接続す
   る異方導電性ゴムシートとを備えていることを特徴とす
   ることを特徴とする検査用基板。
2. 【請求項２】 前記フレキシブル基板は、メッシュ状の
   シートであることを特徴とする請求項１に記載の検査用
   基板。
3. 【請求項３】 それぞれがバンプを有する複数の半導体
   集積回路素子が形成されている半導体ウエハをウエハト
   レイに保持させる工程と、 配線層を有する配線基板と、前記配線基板における前記
   配線層が形成されている面と間隔をおくように設けられ
   たフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に設けら
   れ全面に亘ってほぼ平坦な接触面を有するプローブ端子
   と、前記配線基板と前記フレキシブル基板との間に設け
   られ、前記配線層と前記プローブ端子とを電気的に接続
   する異方導電性ゴムシートとを有する検査用基板を、前
   記検査用基板のプローブ端子と前記ウエハトレイに保持
   されている前記半導体ウエハのバンプとが対向するよう
   に配置する工程と、 前記検査用基板と前記ウエハトレイとを互いに接近させ
   て、前記プローブ端子と前記バンプとを接触させる工程
   と、 前記配線基板の配線層、前記異方導電性ゴムシート及び
   プローブ端子を介して前記バンプに検査用電圧を印加し
   て、前記複数の半導体集積回路素子の電気的特性をウエ
   ハレベルで一括して検査する工程とを備えていることを
   特徴とする検査方法。
4. 【請求項４】 前記フレキシブル基板は、メッシュ状の
   シートであることを特徴とする請求項３に記載の検査方
   法。